JP3451680B2 - Organic electroluminescent device - Google Patents

Organic electroluminescent device

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JP3451680B2
JP3451680B2 JP28521893A JP28521893A JP3451680B2 JP 3451680 B2 JP3451680 B2 JP 3451680B2 JP 28521893 A JP28521893 A JP 28521893A JP 28521893 A JP28521893 A JP 28521893A JP 3451680 B2 JP3451680 B2 JP 3451680B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、有機電界発光素子に関
するものであり、詳しくは、有機化合物からなる発光層
に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device, and more particularly to a thin film type device which emits light by applying an electric field to a light emitting layer made of an organic compound.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色が問題)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a thin film type electroluminescent (EL) element, Zn which is a II-VI group compound semiconductor of an inorganic material has been used.
It is general that S, CaS, SrS, etc. are doped with Mn or a rare earth element (Eu, Ce, Tb, Sm, etc.), which is the emission center, but the EL element made from the above inorganic material is 1). AC drive is required (50 to 1000 Hz), 2) high drive voltage (up to 200 V), 3) full colorization is difficult (especially blue is a problem), and 4) peripheral drive circuit costs are high. ing.

【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンからなる有機正孔輸送層と8−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体からなる有機発光層
を設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phy
s.Lett.,51巻,913頁,1987年参照)
により、従来のアントラセン等の単結晶を用いた電界発
光素子と比較して発光効率の大幅な改善がなされてい
る。
However, in recent years, in order to improve the above problems,
EL devices using organic thin films have been developed. In particular, the electrode type was optimized for the purpose of improving the efficiency of carrier injection from the electrode in order to increase the light emission efficiency, and the organic light emitting layer composed of an organic hole transport layer made of an aromatic diamine and an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline was made. Of an organic electroluminescent device having a layer (Appl. Phy
s. Lett. , 51, p. 913, 1987).
As a result, the luminous efficiency is significantly improved as compared with the conventional electroluminescent element using a single crystal such as anthracene.

【0004】有機電界発光素子への大きな期待として、
フルカラー表示素子への応用が挙げられる。有機電界発
光素子を用いてフルカラー表示を行うには、2つの方法
が考えられる。一つは、青色、緑色、赤色の各発光部を
平面状に配置する方法である。有機発光部をこのように
配列する方法として、蒸着マスクで行うことが開示され
ているが(特開平3−187192号公報参照)、この
方法では微細な配列パターンを形成したり、多数の表示
部分をパターニングすることが困難である。フォトリソ
グラフィによるパターニングも考えられるが、有機電界
発光素子に用いられる正孔輸送材料や発光材料が有機溶
媒に可溶なために、フォトリソグラフィプロセスを繰り
返して青、緑、赤色の各発光部を配列させることは非常
に困難である。さらに、この方法の欠点としては、有機
電界発光素子の発光の色純度が不十分なことも挙げられ
る。
As a great expectation for the organic electroluminescence device,
The application to a full-color display device can be mentioned. There are two possible methods for performing full-color display using the organic electroluminescent device. One is a method of arranging the blue, green, and red light emitting portions in a plane. As a method of arranging the organic light emitting portions in this way, it is disclosed that a vapor deposition mask is used (see Japanese Patent Laid-Open No. 3-187192), but this method forms a fine arrangement pattern or a large number of display portions. Is difficult to pattern. Patterning by photolithography can be considered, but since the hole transport material and light emitting material used for the organic electroluminescent device are soluble in the organic solvent, the photolithography process is repeated and the blue, green, and red light emitting portions are arranged. It is very difficult to get it done. Further, a drawback of this method is that the color purity of light emitted from the organic electroluminescent element is insufficient.

【0005】もう一つの方法として、白色発光素子から
の光をカラーフィルターを用いて青、緑、赤の画素に分
けることが考えられる。この方法では、白色発光する有
機電界発光素子が必要であるが、従来のテトラフェニル
ブタジエン誘導体を用いた白色発光素子では発光特性が
不十分であった(特開平4−88079号公報、特開平
5−94875号公報参照)。
As another method, it is possible to divide the light from the white light emitting element into blue, green and red pixels using a color filter. This method requires an organic electroluminescent element that emits white light, but the white light emitting element using a conventional tetraphenylbutadiene derivative has insufficient light emission characteristics (Japanese Patent Laid-Open Nos. 4-88079 and 5). -94875 gazette).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前述のように、有機電
界発光素子を用いてフルカラーの表示素子を作製するに
は白色発光をする有機電界発光素子とカラーフィルター
の組合せにより達成するのが現実的と考えられるが、白
色発光の有機電界発光素子には、 1)発光効率が低く、高輝度が得られない、 2)青、緑、赤色の各発光強度のバランスがとりにく
い、 3)有機層の結晶化等の劣化により長期の安定性がな
い、 等の問題点が挙げられる。
As described above, in order to manufacture a full-color display device using an organic electroluminescent device, it is practical to achieve it by combining an organic electroluminescent device emitting white light and a color filter. It is considered that the organic electroluminescent device that emits white light has 1) low luminous efficiency and high brightness cannot be obtained, 2) it is difficult to balance blue, green, and red emission intensities, 3) organic layer There are problems such as lack of long-term stability due to deterioration such as crystallization.

【0007】上述の理由から、白色発光の有機電界発光
素子を用いたフルカラー表示素子は実用化のために多く
の問題を抱えているのが実状である。
For the above-mentioned reasons, the full-color display device using the white light-emitting organic electroluminescent device actually has many problems for practical use.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記実状に
鑑み、発光輝度が高く、白色発光の色バランスをとり易
く、かつ、長期間に渡って安定な発光特性を維持できる
有機電界発光素子を提供することを目的として鋭意検討
した結果、有機発光層が正孔輸送層側から青色発光層、
緑色発光層を順に積層してなるものであり、かつ、緑色
発光層は赤色蛍光色素を含有する領域を有することが好
適であることを見い出し、本発明を完成するに至った。
In view of the above situation, the present inventors have found that the organic electroluminescence which has high emission luminance, can easily balance the color of white emission, and can maintain stable emission characteristics for a long period of time. As a result of extensive studies for the purpose of providing an element, the organic light emitting layer is a blue light emitting layer from the hole transport layer side,
The present invention has been completed by finding that it is preferable that the green light emitting layer is formed by sequentially stacking the green light emitting layers and that the green light emitting layer has a region containing a red fluorescent dye.

【0009】即ち、本発明の要旨は、基板上に、陽極及
び陰極により狭持された正孔輸送層及び有機発光層を少
なくとも有する有機電界発光素子であって、有機発光層
は正孔輸送層側から青色発光層、緑色発光層を順に積層
してなり、かつ、緑色発光層は部分的に、赤色蛍光色素
を含有する領域を有し、青、緑、赤の各色に対応した光
透過特性を有するカラーフィルターを設けたことを特徴
とする有機電界発光素子に存する。
That is, the gist of the present invention is an organic electroluminescent device having at least a hole transport layer sandwiched by an anode and a cathode and an organic light emitting layer on a substrate, wherein the organic light emitting layer is the hole transport layer. A blue light emitting layer and a green light emitting layer are sequentially laminated from the side, and the green light emitting layer partially has a region containing a red fluorescent dye, and the light transmission characteristics corresponding to each color of blue, green and red. An organic electroluminescent device characterized by being provided with a color filter having

【0010】以下、本発明の有機電界発光素子を図面に
従い説明する。図1は本発明の有機電界発光素子の構造
例を模式的に示す断面図であり、1は基板、2a、2b
は導電層、3は正孔輸送層、4は有機青色発光層、5は
有機緑色発光層を各々表わす。基板1は、本発明の有機
電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラス
の板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート
等が用いられるが、ガラス板や、ポリエステル、ポリメ
チルメタアクリレート、ポリカーボネート、ポリサルホ
ン等の透明な合成樹脂基板が好ましい。
The organic electroluminescent device of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structural example of the organic electroluminescent element of the present invention, in which 1 is a substrate, 2a and 2b.
Represents a conductive layer, 3 represents a hole transport layer, 4 represents an organic blue light emitting layer, and 5 represents an organic green light emitting layer. The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element of the present invention, and a plate of quartz or glass, a metal plate or metal foil, a plastic film or sheet, or the like is used, but a glass plate, polyester, polymethyl A transparent synthetic resin substrate such as methacrylate, polycarbonate and polysulfone is preferable.

【0011】基板1上には導電層2aが設けられるが、
この導電層2aとしては通常、アルミニウム、金、銀、
ニッケル、パラジウム、テルル等の金属、インジウム及
び/又はスズの酸化物等の金属酸化物やヨウ化銅、カー
ボンブラック、あるいは、ポリ(3−メチルチオフェ
ン)等の導電性高分子等により構成される。導電層の形
成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行わ
れることが多いが、銀等の金属微粒子あるいはヨウ化
銅、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導
電性高分子微粉末等の場合には、適当なバインダー樹脂
溶液に分散させ、基板上に塗布することにより形成する
こともできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合
により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に塗布し
て形成することもできる(Appl.Phys.Let
t.,60巻,2711頁,1992年参照)。上記の
導電層は異なる物質で積層することも可能である。導電
層2aの厚みは、必要とする透明性により異なるが、透
明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が60%以
上、好ましくは80%以上透過することが望ましく、こ
の場合、厚みは、通常、5〜1000nm、好ましくは
10〜500nm程度である。不透明でよい場合は導電
層2aは基板1と同一でもよい。
A conductive layer 2a is provided on the substrate 1,
The conductive layer 2a is usually aluminum, gold, silver,
It is composed of a metal such as nickel, palladium, tellurium, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, copper iodide, carbon black, or a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene). . The conductive layer is usually formed by a sputtering method, a vacuum deposition method or the like, but fine particles of metal such as silver or copper iodide, carbon black, fine particles of conductive metal oxide, fine powder of conductive polymer, etc. In this case, it can also be formed by dispersing it in an appropriate binder resin solution and applying it on a substrate. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate by electrolytic polymerization or can be formed by coating on the substrate (Appl. Phys. Let.
t. , 60, 2711, 1992). The above conductive layers can be stacked with different materials. The thickness of the conductive layer 2a varies depending on the required transparency, but when the transparency is required, it is desirable that the visible light has a transmittance of 60% or more, preferably 80% or more. The thickness is usually 5 to 1000 nm, preferably 10 to 500 nm. The conductive layer 2a may be the same as the substrate 1 if it is opaque.

【0012】図1に示した例では、導電層2aは陽極
(アノード)として正孔注入の役割を果たすものであ
る。一方、導電層2bは陰極(カソード)として、有機
発光層4に電子を注入する役割を果たす。導電層2bと
して用いられる材料は、前記導電層2a用の材料を用い
ることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうに
は、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウ
ム、インジウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又は
それらの合金が用いられる。導電層2bの膜厚は通常、
導電層2aと同様である。また、図1には示してはいな
いが、導電層2bの上にさらに基板1と同様の基板を設
けることもできる。但し、導電層2aと2bの少なくと
も一方は透明性の良いことがEL素子としては必要であ
る。このことから、導電層2aと2bの一方は、10〜
500nmの膜厚であることが好ましく、透明性の良い
ことが望まれる。
In the example shown in FIG. 1, the conductive layer 2a plays a role of hole injection as an anode. On the other hand, the conductive layer 2b functions as a cathode to inject electrons into the organic light emitting layer 4. The material used for the conductive layer 2b can be the material for the conductive layer 2a, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, and tin, magnesium, indium, aluminum, A suitable metal such as silver or an alloy thereof is used. The thickness of the conductive layer 2b is usually
It is similar to the conductive layer 2a. Although not shown in FIG. 1, a substrate similar to the substrate 1 may be further provided on the conductive layer 2b. However, it is necessary for the EL element that at least one of the conductive layers 2a and 2b has good transparency. From this, one of the conductive layers 2a and 2b is 10
A film thickness of 500 nm is preferable, and good transparency is desired.

【0013】導電層2aの上には正孔輸送層3が設けら
れるが、正孔輸送材料としては、導電層2aからの正孔
注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送
することができる材料であることが必要である。そのた
めには、イオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移
動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不
純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求され
る。
The hole transport layer 3 is provided on the conductive layer 2a. As the hole transport material, the hole injection efficiency from the conductive layer 2a is high, and the injected holes are efficiently transported. It must be a material that can be. For that purpose, it is required that the ionization potential is small, the hole mobility is large, the stability is excellent, and the impurities serving as traps are not easily generated during manufacturing or use.

【0014】このような正孔輸送化合物としては、例え
ば、特開昭59−194393号公報、米国特許第4,
175,960号、米国特許第4,923,774号及
び米国特許第5,047,687号等に記載されてい
る、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフ
ェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ン、1,1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)シクロヘキサン、4,4’−ビス(N−(1−ナフ
チル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル等の芳香族ア
ミン系化合物、特開平2−311591号公報に記載さ
れているヒドラゾン化合物、米国特許第4,950,9
50号公報に記載されているシラザン化合物、キナクリ
ドン化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で
使用してもよいし、必要に応じて、各々混合して使用し
てもよい。上記の化合物以外に、ポリビニルカルバゾー
ルやポリシラン(Appl.Phys.Lett.,5
9巻,2760頁,1991年参照)等の高分子材料が
挙げられる。
Examples of such hole transport compounds include, for example, JP-A-59-194393 and US Pat.
175,960, U.S. Pat. No. 4,923,774, U.S. Pat. No. 5,047,687, and the like, N, N'-diphenyl-N, N '-(3-methylphenyl)-. 1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, 1,1'-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, 4,4'-bis (N- (1-naphthyl) -N- Aromatic amine compounds such as phenylamino) biphenyl, hydrazone compounds described in JP-A-2-311591, U.S. Pat. No. 4,950,9
The silazane compound, the quinacridone compound, etc. which are described in Japanese Patent No. 50 are mentioned. These compounds may be used alone, or may be mixed and used as necessary. In addition to the above compounds, polyvinylcarbazole and polysilane (Appl. Phys. Lett., 5
9), page 2760, 1991) and the like.

【0015】上記の有機正孔輸送材料は塗布法あるいは
真空蒸着法により前記導電層2a上に積層することによ
り正孔輸送層3を形成する。塗布の場合は、有機正孔輸
送化合物を1種又は2種以上と必要により正孔のトラッ
プにならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布
性改良剤等の添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整
し、スピンコート法等の方法により導電層2a上に塗布
し、乾燥して有機正孔輸送層3を形成する。バインダー
樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポ
リエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が
多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望まし
く、50重量%以下が好ましい。
The above organic hole transport material is laminated on the conductive layer 2a by a coating method or a vacuum deposition method to form the hole transport layer 3. In the case of coating, a coating solution prepared by adding and dissolving one or more organic hole-transporting compounds, if necessary, a binder resin that does not trap holes and a coating property improving agent such as a leveling agent is dissolved. The organic hole transport layer 3 is formed by adjusting, coating the conductive layer 2a on the conductive layer 2a by a method such as spin coating, and drying. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, polyester and the like. The addition amount of the binder resin decreases the hole mobility when it is added in a large amount. Therefore, it is preferable that the addition amount is 50% by weight or less.

【0016】真空蒸着法の場合には、通常、有機正孔輸
送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容
器内を適当な真空ポンプで10-6Torr程度にまで排
気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発さ
せ、ルツボと向き合って置かれた基板上に層を形成す
る。有機正孔輸送層を形成する場合、さらにアクセプタ
として、芳香族カルボン酸の金属錯体及び/又は金属塩
(特開平4−320484号公報参照)、ベンゾフェノ
ン誘導体及びチオベンゾフェノン誘導体(特願平4−1
06977号参照)、フラーレン類(特願平4−144
479号参照)を10-3から10重量%の濃度でドープ
して、フリーキャリアとしての正孔を生成させ、低電圧
駆動とすることが可能である。
In the case of the vacuum deposition method, the organic hole transporting material is usually put in a crucible installed in a vacuum container, and the inside of the vacuum container is evacuated to about 10 -6 Torr by an appropriate vacuum pump. The crucible is heated to evaporate the hole transport material and form a layer on the substrate placed facing the crucible. When forming the organic hole transport layer, a metal complex and / or metal salt of an aromatic carboxylic acid (see JP-A-4-320484), a benzophenone derivative and a thiobenzophenone derivative (Japanese Patent Application No. 4-1) are further used as acceptors.
No. 06977), fullerenes (Japanese Patent Application No. 4-144)
No. 479) at a concentration of 10 −3 to 10% by weight to generate holes as free carriers and drive at a low voltage.

【0017】正孔輸送層3の膜厚は、通常、10〜30
0nm、好ましくは30〜100nmである。このよう
に薄い膜を一様に形成するためには、真空蒸着法がよく
用いられる。正孔輸送層3の材料としては、有機化合物
の代わりに無機材料を使用することも可能である。無機
材料に要求される条件は、有機正孔輸送化合物と同じで
ある。
The thickness of the hole transport layer 3 is usually 10 to 30.
It is 0 nm, preferably 30 to 100 nm. In order to uniformly form such a thin film, the vacuum evaporation method is often used. As a material of the hole transport layer 3, it is possible to use an inorganic material instead of the organic compound. The conditions required for the inorganic material are the same as those for the organic hole transport compound.

【0018】正孔輸送層3に用いられる無機材料として
は、p型水素化非晶質シリコン、p型水素化非晶質炭化
シリコン、p型水素化微結晶性炭化シリコン、あるい
は、p型硫化亜鉛、p型セレン化亜鉛等が挙げられる。
これらの無機正孔輸送層はCVD法、プラズマCVD
法、真空蒸着法、スパッタ法等により形成される。無機
正孔輸送層の膜厚も有機正孔輸送層と同様に、通常、1
0〜300nm、好ましくは30〜100nmである。
As the inorganic material used for the hole transport layer 3, p-type hydrogenated amorphous silicon, p-type hydrogenated amorphous silicon carbide, p-type hydrogenated microcrystalline silicon carbide, or p-type sulfide. Examples thereof include zinc and p-type zinc selenide.
These inorganic hole transport layers are formed by CVD method, plasma CVD
Method, vacuum deposition method, sputtering method or the like. The thickness of the inorganic hole transport layer is usually 1 as in the organic hole transport layer.
It is 0 to 300 nm, preferably 30 to 100 nm.

【0019】正孔輸送層3の上には有機青色発光層4が
設けられるが、有機青色発光層4は、電界を与えられた
電極間において陰極から注入された電子を効率よく正孔
輸送層の方向に輸送することができる化合物より形成さ
れる。有機青色発光層4に用いられる化合物としては、
導電層2bからの電子注入効率が高く、かつ、注入され
た電子を効率よく輸送することができる化合物であるこ
とが必要である。そのためには、電子親和力が大きく、
しかも電子移動度が大きく、さらに安定性にすぐれトラ
ップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合
物であることが要求される。また、正孔と電子の再結合
の際に青色発光をもたらす役割も求られる。さらに、均
一な薄膜形状を与えることも素子の安定性の点で重要で
ある。
An organic blue light emitting layer 4 is provided on the hole transport layer 3, and the organic blue light emitting layer 4 efficiently makes electrons injected from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied efficiently. Formed of a compound that can be transported in the direction of. As the compound used for the organic blue light emitting layer 4,
It is necessary that the compound has a high electron injection efficiency from the conductive layer 2b and can efficiently transport the injected electrons. For that, electron affinity is large,
In addition, it is required that the compound has a high electron mobility and is excellent in stability, and impurities that serve as traps are less likely to be generated during production or use. It is also required to play a role of emitting blue light when the holes and the electrons are recombined. Further, it is important to provide a uniform thin film shape from the viewpoint of device stability.

【0020】このような条件を満たす材料として、下記
一般式で表されるオキサゾール金属錯体(特願平5−1
27452号参照);
As a material satisfying such conditions, an oxazole metal complex represented by the following general formula (Japanese Patent Application No. 5-1
27452));

【0021】[0021]

【化1】 [Chemical 1]

【0022】(式中、R1 ないしR8 は、各々独立に、
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、
アルケニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アミド
基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコ
キシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又
は芳香族複素環基を示し、MはBe、Zn、Cd、A
l、Ga、In、Sc、Y、Mg、Ca、Sr、Co、
Cu又はNiを示し、nは1から3までの整数であ
る。)、下記構造式に示すジスチリルベンゼン誘導体
(日本化学会誌,1162頁,1992年;応用物理,
62巻,1015頁,1993年参照);
(In the formula, R 1 to R 8 are each independently
Hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, aralkyl group,
An alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an amide group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and M is Be, Zn, Cd, A
l, Ga, In, Sc, Y, Mg, Ca, Sr, Co,
Indicates Cu or Ni, and n is an integer from 1 to 3. ), A distyrylbenzene derivative represented by the following structural formula (Journal of the Chemical Society of Japan, p. 1162, 1992; applied physics,
62, 1015, 1993);

【0023】[0023]

【化2】 [Chemical 2]

【0024】(式中、R9 ないしR12は、各々独立に、
水素原子、メチル基、t−ブチル基等のアルキル基等を
示す。)、スチリルアミン含有ポリカーボネート(Ap
pl.Phys.Lett.,61巻,2503頁,1
992年参照)、下記構造式に示すオキサジアゾール誘
導体(日本化学会誌,1540頁,1991年参照);
(In the formula, R 9 to R 12 are each independently
A hydrogen atom, an alkyl group such as a methyl group and a t-butyl group, and the like are shown. ), Styrylamine-containing polycarbonate (Ap
pl. Phys. Lett. , 61, 2503, 1
1992), an oxadiazole derivative represented by the following structural formula (see The Chemical Society of Japan, page 1540, 1991);

【0025】[0025]

【化3】 [Chemical 3]

【0026】(式中、R13及びR14は、各々独立に、t
−ブチル基、シクロヘキシル等のアルキル基、シクロア
ルキル基等を示す。)、
(In the formula, R 13 and R 14 are each independently t
A butyl group, an alkyl group such as cyclohexyl, a cycloalkyl group and the like. ),

【0027】[0027]

【化4】 [Chemical 4]

【0028】(式中、R15及びR16は、各々独立に、t
−ブチル基、ジメチルアミノ基等のアルキル基、アルキ
ルアミノ基等を示す。)、アゾメチン亜鉛錯体(Jp
n.J.Appl.Phys.,32巻,L511頁,
1993年参照)、下記構造式に示すアルミニウム錯体
(特開平5−198377号公報、特開平5−2143
32号公報参照);
(Wherein R 15 and R 16 are each independently t
An alkyl group such as a butyl group and a dimethylamino group, an alkylamino group, and the like. ), Azomethine zinc complex (Jp
n. J. Appl. Phys. , Volume 32, page L511,
1993), an aluminum complex represented by the following structural formula (JP-A-5-198377, JP-A-5-2143).
32 gazette));

【0029】[0029]

【化5】 [Chemical 5]

【0030】(式中、R17ないしR19は、各々独立に、
水素原子、メチル基等のアルキル基、R20ないしR22
各々独立に水素原子、ハロゲン原子、α−ハロアルキル
基、α−ハロアルコキシ基、アミド基、カルボニル基、
スルフォニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニ
ル基等を示す。)、
(In the formula, R 17 to R 19 are each independently
A hydrogen atom, an alkyl group such as a methyl group, R 20 to R 22 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an α-haloalkyl group, an α-haloalkoxy group, an amide group, a carbonyl group,
A sulfonyl group, a carbonyloxy group, an oxycarbonyl group and the like are shown. ),

【0031】[0031]

【化6】 [Chemical 6]

【0032】(式中、L1 ないしL5 は、各々独立に、
水素原子、炭素数1〜12の炭化水素基を示し、L1
2 、L2 とL3 は互いに結合して芳香環を形成してい
てもよい。)等が挙げられる。有機青色発光層4の膜厚
は、通常、5〜200nm、好ましくは10〜100n
mである。
(In the formula, L 1 to L 5 are each independently
A hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms is shown, and L 1 and L 2 , and L 2 and L 3 may be bonded to each other to form an aromatic ring. ) And the like. The thickness of the organic blue light emitting layer 4 is usually 5 to 200 nm, preferably 10 to 100 n.
m.

【0033】有機発光層も有機正孔輸送層と同様の方法
で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いら
れる。上記青色発光層の発光効率を向上させるとともに
発光スペクトルを青色用カラーフィルターに整合させる
目的で、上記の青色発光材料をホスト材料として、高い
蛍光の量子収率を有する青色蛍光色素をドープすること
(J.Appl.Phys.,65巻,3610頁,1
989年参照)も有効である。ドープする青色蛍光色素
としては、アントラセン、ペリレン、コロネン、ベンゾ
ピレン、ベンゾクリセン、ベンゾアントラセン、ベンゾ
ナフタセン、ピセン、ペンタフェン、ヘキサセン、アン
タンスレン等の縮合芳香族環化合物、クマリン440
(7−アミノ−4−メチルクマリン)、クマリン2
(4,6−ジメチル−7−エチルクマリン)、クマリン
339、クマリン47(7−ジエチルアミノ−4−メチ
ルクマリン)、クマリン466(7−ジエチルアミノク
マリン)、クマリン138(7−ジメチルアミノシクロ
ペンタ[c]クマリン)、クマリン4(7−ヒドロキシ
−4−メチルクマリン)、クマリン480(2,3,
5,6−1H,4H−テトラヒドロ−8−メチルキノリ
ジノ−<9,9a,1−gh>クマリン)等のクマリン
化合物、アクリドン、4,4’−ビス(x,y−ジシア
ノスチリル)ビフェニル、テトラフェニルブタジエン、
7−ジメチルアミノ−1−メチル−4−トリフルオロメ
チルキノロン等のキノロン−2化合物、7−ジメチルア
ミノ−1−メチル−4−トリフルオロメチル−8−アザ
キノロン等のアザキノロン化合物、1,4−ビス{4−
[5−(4−ビフェニリル)−2−オキサゾリル]スチ
リル}ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、1,3−
ジフェニルイソベンゾフラン等のベンゾフラン化合物、
1,5−ジフェニル−3−スチリル−2−ピラゾリン等
のピラゾリン化合物、2−アミノ−6,7−ジメチル−
3,4−ジヒドロプテリジン−4−オン等のプテリジン
化合物が挙げられる。これらの青色蛍光色素が前記ホス
ト材料にドープされる量は10-3〜10モル%の範囲が
好ましい。
The organic light emitting layer can also be formed by the same method as that for the organic hole transport layer, but a vacuum vapor deposition method is usually used. Doping a blue fluorescent dye having a high fluorescence quantum yield with the above blue light-emitting material as a host material for the purpose of improving the emission efficiency of the blue light-emitting layer and matching the emission spectrum with a blue color filter ( J. Appl. Phys., 65, 3610, 1
989) is also effective. Examples of the blue fluorescent dye to be doped include condensed aromatic ring compounds such as anthracene, perylene, coronene, benzopyrene, benzochrysene, benzoanthracene, benzonaphthacene, picene, pentaphene, hexacene and anthanthrene, and coumarin 440.
(7-amino-4-methylcoumarin), coumarin 2
(4,6-dimethyl-7-ethylcoumarin), coumarin 339, coumarin 47 (7-diethylamino-4-methylcoumarin), coumarin 466 (7-diethylaminocoumarin), coumarin 138 (7-dimethylaminocyclopenta [c]). Coumarin), coumarin 4 (7-hydroxy-4-methylcoumarin), coumarin 480 (2,3,3)
5,6-1H, 4H-tetrahydro-8-methylquinolidino- <9,9a, 1-gh> coumarin) and other coumarin compounds, acridone, 4,4′-bis (x, y-dicyanostyryl) biphenyl, tetraphenyl butadiene,
Quinolone-2 compounds such as 7-dimethylamino-1-methyl-4-trifluoromethylquinolone, azaquinolone compounds such as 7-dimethylamino-1-methyl-4-trifluoromethyl-8-azaquinolone, 1,4-bis {4-
A styrylbenzene compound such as [5- (4-biphenylyl) -2-oxazolyl] styryl} benzene, 1,3-
Benzofuran compounds such as diphenylisobenzofuran,
Pyrazoline compounds such as 1,5-diphenyl-3-styryl-2-pyrazoline, 2-amino-6,7-dimethyl-
Examples thereof include pteridine compounds such as 3,4-dihydropteridine-4-one. The amount of these blue fluorescent dyes doped into the host material is preferably in the range of 10 −3 to 10 mol%.

【0034】有機青色発光層4の上には有機緑色発光層
5が設けられる。有機緑色発光層5に用いられる化合物
としては、有機青色発光層に用いられる材料と同様に、
導電層2bからの電子注入効率が高く、かつ、注入され
た電子を効率よく輸送することができる化合物であるこ
とが必要である。そのためには、電子親和力が大きく、
しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れトラッ
プとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物
であることが要求される。また、正孔と電子の再結合の
際に緑色発光をもたらす役割も求られる。さらに、均一
な薄膜形状を与えることも素子の安定性の点で重要であ
る。
An organic green light emitting layer 5 is provided on the organic blue light emitting layer 4. As the compound used for the organic green light emitting layer 5, similar to the material used for the organic blue light emitting layer,
It is necessary that the compound has a high electron injection efficiency from the conductive layer 2b and can efficiently transport the injected electrons. For that, electron affinity is large,
In addition, it is required that the compound has a high electron mobility, is excellent in stability, and is less likely to generate impurities that serve as traps during manufacturing or use. It is also required to play a role of causing green light emission upon recombination of holes and electrons. Further, it is important to provide a uniform thin film shape from the viewpoint of device stability.

【0035】有機緑色発光層の材料としては、8−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体(特開
昭59−194393号公報、Jpn.J.Appl.
Phys.,32巻,L514頁,1993年参照)、
ナフタルイミド誘導体(J.Electrochem.
Soc.,139巻,3610頁,1992年)、チア
ジアゾロピリジン誘導体(特開平3−37292号公報
参照)、ピロロピリジン誘導体(特開平3−37293
号公報参照)、ナフチリジン誘導体(特開平3−203
982号公報参照)等が挙げられる。これらの化合物
は、単独で使用してもよいし、必要に応じて、各々、混
合して使用してもよい。
As a material for the organic green light emitting layer, a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline (JP 59-194393 A, Jpn. J. Appl.
Phys. , 32, L514, 1993),
Naphthalimide derivative (J. Electrochem.
Soc. , 139, 3610, 1992), thiadiazolopyridine derivatives (see JP-A-3-37292), pyrrolopyridine derivatives (JP-A-3-37293).
JP-A-3-203).
No. 982) and the like. These compounds may be used alone, or may be mixed and used as needed.

【0036】有機緑色発光層4の膜厚は、通常、5〜2
00nm、好ましくは10〜100nmである。有機緑
色発光層も有機正孔輸送層と同様の方法で形成すること
ができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。上記の有
機緑色発光層には、600nm以上の波長で発光する高
い量子収率を有する赤色蛍光色素を、部分的に又は層全
体にドープして、赤色用フィルターに整合させることが
必要である。この目的のために用いられる赤色蛍光色素
としてはクマリン色素、縮合芳香族環色素、メロシアニ
ン色素、フタロシアニン色素、キサンチン色素、アクリ
ジン色素、アジン色素等が挙げられるが、好ましくは、
4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジ
メチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)、フ
ェノキサゾン9、フェノキサゾン660等が挙げられ
る。これらの赤色蛍光色素を上記緑色発光層に部分的に
ドープする方法としては、図2に示すように導電層2b
と接した領域5bにドープしたり、図3に示すように、
青色発光層4と接する領域5cにドープしたり、図4に
示すように緑色発光層の内側の領域5fにドープするこ
とが考えられる。これらの赤色蛍光色素が前記ホスト材
料にドープされる量は10-3〜10モル%の範囲が好ま
しい。
The organic green light emitting layer 4 usually has a thickness of 5 to 2
00 nm, preferably 10 to 100 nm. The organic green light emitting layer can be formed by the same method as that for the organic hole transport layer, but a vacuum deposition method is usually used. It is necessary that the above organic green light emitting layer is partially or entirely doped with a red fluorescent dye having a high quantum yield that emits at a wavelength of 600 nm or more and matched with a red filter. Examples of red fluorescent dyes used for this purpose include coumarin dyes, condensed aromatic ring dyes, merocyanine dyes, phthalocyanine dyes, xanthine dyes, acridine dyes, and azine dyes, but preferably,
4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM), phenoxazone 9, phenoxazone 660 and the like can be mentioned. As a method for partially doping the green light emitting layer with these red fluorescent dyes, as shown in FIG.
The region 5b in contact with is doped, or as shown in FIG.
It is possible to dope the region 5c in contact with the blue light emitting layer 4 or dope the region 5f inside the green light emitting layer as shown in FIG. The amount of the red fluorescent dye doped into the host material is preferably in the range of 10 −3 to 10 mol%.

【0037】上記緑色発光層の発光効率を向上させると
ともに発光スペクトルを緑色用カラーフィルターに整合
させる目的で、上記の緑色発光材料をホスト材料とし
て、高い蛍光の量子収率を有する緑色蛍光色素をドープ
すること(J.Appl.Phys.,65巻,361
0頁,1989年参照)も有効である。この場合、緑色
蛍光色素がドープされる領域は、前述の赤色色素がドー
プされていない領域であることが好ましい。ドープする
緑色蛍光色素としては、3−(2’−ベンジミダゾリ
ル)−7−N,N−ジエチルアミノクマリン(クマリン
535)、3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチ
ルアミノクマリン(クマリン540)、2,3,5,6
−1H,4H−テトラヒドロ−8−トリフルオロメチル
キノリジノ−<9,9a,1−gh>クマリン(クマリ
ン540A)、3−(5−クロロ−2−ベンゾチアゾリ
ル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン34)、
4−トリフルオロメチル−ピペリジノ[3,2−g]ク
マリン(クマリン340)、N−エチル−4−トリフル
オロメチル−ピペリジノ[3,2−g]クマリン(クマ
リン355)、N−メチル−4−トリフルオロメチル−
ピペリジノ[2,3−h]クマリン、9−シアノ−1,
2,4,5−3H,6H,10H−テトラヒドロ−1−
ベンゾピラノ[9,9a1−gh]キノリジン−10−
オン(クマリン337)等のクマリン化合物、2,7−
ジクロロフルオレセン等のキサンチン色素、テトラセ
ン、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの緑色
蛍光色素が上記ホスト材料にドープされる量は10-3
10モル%の範囲が好ましい。
For the purpose of improving the luminous efficiency of the green light emitting layer and matching the emission spectrum to the green color filter, the above green light emitting material is used as a host material and a green fluorescent dye having a high fluorescence quantum yield is doped. What to do (J. Appl. Phys., Volume 65, 361
(See page 0, 1989) is also effective. In this case, the region doped with the green fluorescent dye is preferably a region not doped with the above red dye. Examples of the green fluorescent dye to be doped include 3- (2′-benzimidazolyl) -7-N, N-diethylaminocoumarin (coumarin 535), 3- (2-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 540), and 2,3. , 5, 6
-1H, 4H-Tetrahydro-8-trifluoromethylquinolizino- <9,9a, 1-gh> coumarin (coumarin 540A), 3- (5-chloro-2-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 34) ),
4-Trifluoromethyl-piperidino [3,2-g] coumarin (coumarin 340), N-ethyl-4-trifluoromethyl-piperidino [3,2-g] coumarin (coumarin 355), N-methyl-4- Trifluoromethyl-
Piperidino [2,3-h] coumarin, 9-cyano-1,
2,4,5-3H, 6H, 10H-tetrahydro-1-
Benzopyrano [9,9a1-gh] quinolizine-10-
Coumarin compounds such as on (coumarin 337), 2,7-
Examples include xanthine dyes such as dichlorofluorescein, tetracene and quinacridone compounds. The amount of these green fluorescent dyes doped into the host material is from 10 −3 to
A range of 10 mol% is preferable.

【0038】本発明においては、前述のように有機発光
層が正孔輸送層側から青色発光層、緑色発光層の順番に
積層されており、かつ、前記緑色発光層が赤色蛍光色素
を含有する領域を有することから青色、緑色、赤色の各
発光を効率よく行わせることができると同時に、青、
緑、赤の各発光強度を調整して白色光のバランスを調整
することもできる。さらには有機薄膜の上記の層構成に
より、結晶化等に対して安定化であり長期間安定した発
光特性をもたらす。
In the present invention, as described above, the organic light emitting layer is laminated in this order from the hole transport layer side to the blue light emitting layer and the green light emitting layer, and the green light emitting layer contains a red fluorescent dye. Since it has a region, each of blue, green, and red light can be efficiently emitted, and at the same time, blue,
The balance of white light can be adjusted by adjusting the emission intensity of each of green and red. Furthermore, the above-mentioned layer structure of the organic thin film is stable against crystallization and the like, and provides stable emission characteristics for a long period of time.

【0039】本発明の有機電界発光素子の構造として
は、以下に示すような層構成のものが挙げられる。
The structure of the organic electroluminescent element of the present invention includes the following layered structures.

【0040】[0040]

【表1】陽極/正孔輸送層/有機青色発光層/有機緑色発
光層/陰極 陽極/正孔輸送層/有機青色発光層/有機緑色発光層/電子
輸送層/陰極 陽極/正孔輸送層/有機青色発光層/有機緑色発光層/界面
層/陰極 陽極/正孔輸送層/有機青色発光層/有機緑色発光層/電子
輸送層/界面層/陰極 上記の層構成において、電子輸送層は素子の効率をさら
に向上するためのものであり、有機発光層の上に積層さ
れる。この電子輸送層に用いられる化合物には、陰極か
らの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きい
ことが要求される。このような電子輸送材料としては、
例えば、
[Table 1] Anode / hole transport layer / organic blue emission layer / organic green emission layer / cathode anode / hole transport layer / organic blue emission layer / organic green emission layer / electron transport layer / cathode anode / hole transport layer / Organic blue light emitting layer / organic green light emitting layer / interface layer / cathode anode / hole transport layer / organic blue light emitting layer / organic green light emitting layer / electron transport layer / interface layer / cathode In the above layer structure, the electron transport layer is It is for further improving the efficiency of the device and is laminated on the organic light emitting layer. The compound used for the electron transport layer is required to be capable of easily injecting electrons from the cathode and have a further high electron transporting ability. As such an electron transport material,
For example,

【0041】[0041]

【化7】 [Chemical 7]

【0042】[0042]

【化8】 [Chemical 8]

【0043】等のオキサジアゾール誘導体(Appl.
Phys.Lett.,55巻,1489頁,1989
年;Jpn.J.Appl.Phys.,31巻,18
12頁,1992年参照)やそれらをPMMA等の樹脂
に分散した系(Appl.Phys.Lett.,61
巻,2793頁,1992年参照)、又はn型水素化非
晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛等
が挙げられる。電子輸送層の膜厚は、通常、5〜200
nm、好ましくは10〜100nmである。
Oxadiazole derivatives such as (Appl.
Phys. Lett. , 55, 1489, 1989
Year; Jpn. J. Appl. Phys. , Volume 31, 18
P. 12, 1992) or a system in which they are dispersed in a resin such as PMMA (Appl. Phys. Lett., 61).
Vol., P. 2793, 1992), or n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide, and the like. The thickness of the electron transport layer is usually 5 to 200.
nm, preferably 10 to 100 nm.

【0044】また、同じく、上記の層構成において、界
面層は陰極と有機層とのコンタクトを向上させるための
ものであり、芳香族ジアミン化合物(特願平5−480
75号参照)、キナクリドン化合物(特願平5−116
204号参照)、ナフタセン誘導体(特願平5−116
205号参照)、有機シリコン化合物(特願平5−11
6206号参照)、有機リン化合物(特願平5−116
207号参照)等が挙げられる。
Similarly, in the above layer structure, the interface layer is for improving the contact between the cathode and the organic layer, and is an aromatic diamine compound (Japanese Patent Application No. 5-480).
75), quinacridone compound (Japanese Patent Application No. 5-116).
No. 204), a naphthacene derivative (Japanese Patent Application No. 5-116).
205), organosilicon compounds (Japanese Patent Application No. 5-11
6206), organic phosphorus compounds (Japanese Patent Application No. 5-116)
No. 207) and the like.

【0045】界面層の膜厚は、通常、2〜100nm、
好ましくは5〜30nmである。界面層を設ける代わり
に、有機発光層及び電子輸送層の陰極界面近傍に上記界
面層材料を50モル%以上含む領域を設けてもよい。
尚、図1とは逆の構造、即ち、基板上に導電層2b、有
機発光層4、正孔輸送層3、導電層2aの順に積層する
ことも可能であり、前述したように少なくとも一方が透
明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子
を設けることも可能である。同様に、図2〜図4とは逆
の構造に積層することも可能である。
The thickness of the interface layer is usually 2 to 100 nm,
It is preferably 5 to 30 nm. Instead of providing the interface layer, a region containing 50 mol% or more of the interface layer material may be provided near the cathode interface of the organic light emitting layer and the electron transport layer.
Incidentally, it is also possible to have a structure opposite to that of FIG. 1, that is, the conductive layer 2b, the organic light emitting layer 4, the hole transport layer 3, and the conductive layer 2a are laminated in this order on the substrate, and at least one of them is formed as described above. It is also possible to provide the organic electroluminescent element of the present invention between two highly transparent substrates. Similarly, it is possible to stack in a structure opposite to that of FIGS.

【0046】本発明の白色発光をする有機電界発光素子
を用いて、フルカラーの表示素子を作製するには青、
緑、赤の各色に対応した光透過特性を有するカラーフィ
ルターを設ける。表示素子としての色の再現範囲や色純
度はこのカラーフィルターの特性で決まる。カラーフィ
ルターのパターンとしてはストライプ、モザイクの両パ
ターンがあるが、どちらのパターンでも、カラーフィル
ターを備えたフルカラー表示の有機電界発光素子の構造
は図5に示すようなものとなる。
To produce a full-color display element using the organic electroluminescent element of the present invention which emits white light, blue is used.
A color filter having light transmission characteristics corresponding to each color of green and red is provided. The color reproduction range and color purity of the display device are determined by the characteristics of this color filter. There are both stripe and mosaic patterns of the color filter, and in both patterns, the structure of the organic electroluminescent element for full-color display provided with the color filter is as shown in FIG.

【0047】図5に示した素子構造において、各カラー
フィルター12、13、14はガラス基板11と陽極で
ある透明導電電極16(インジウム・スズ酸化物、以
下、ITOと略す)との間に形成される。有機電界発光
素子からの白色発光はITOを透過後、各カラーフィル
ター12、13、14を通してRGBのパターンで発光
する。カラーフィルターの方式としては、染色、顔料分
散、電着、印刷等があるが、耐熱性から考えると顔料分
散型が好ましい。また、無機系の干渉フィルターでもか
まわない。ブラックマトリクス15としてはカーボンを
分散したポリイミドや、酸化クロム等が挙げられる。ブ
ラックマトリクスを設けることにより優れたコントラス
トを備えた表示品質が達成される。RGBに対応する発
光部の駆動電圧を制御したり、各発光面積を変えること
で、白色発光の色バランスをとることが可能である。
In the device structure shown in FIG. 5, each color filter 12, 13, 14 is formed between the glass substrate 11 and the transparent conductive electrode 16 (indium tin oxide, hereinafter abbreviated as ITO) which is an anode. To be done. White light emitted from the organic electroluminescent element is transmitted through ITO and then emitted in an RGB pattern through the color filters 12, 13, and 14. The color filter system includes dyeing, pigment dispersion, electrodeposition, printing and the like, but the pigment dispersion type is preferable from the viewpoint of heat resistance. Also, an inorganic interference filter may be used. Examples of the black matrix 15 include polyimide in which carbon is dispersed and chromium oxide. By providing the black matrix, display quality with excellent contrast is achieved. It is possible to balance the color of white light emission by controlling the drive voltage of the light emitting unit corresponding to RGB and changing each light emitting area.

【0048】上記のカラーフィルターを備えたフルカラ
ー表示の有機電界発光素子の駆動方法には、単純マトリ
クス駆動とアクティブ・マトリクス駆動がある。単純マ
トリクス駆動においては、素子構造は図5に示したもの
となる。大容量の表示目的にはアクティブ・マトリクス
駆動が必要となり、各カラーフィルターに対応して、薄
膜トランジスタとキャパシタとからなるアクティブ・マ
トリクス回路が必要となり、この場合、アクティブ・マ
トリクス回路はカラーフィルター及び有機電界発光素子
と同一基板上に形成される。
Methods of driving the organic electroluminescent element of full color display provided with the above color filter include simple matrix driving and active matrix driving. In simple matrix driving, the device structure is as shown in FIG. For large-capacity display purposes, active matrix driving is required, and an active matrix circuit consisting of thin film transistors and capacitors is required for each color filter. In this case, the active matrix circuit is composed of a color filter and an organic electric field. It is formed on the same substrate as the light emitting element.

【0049】本発明の有機電界発光パネルは、XYのマ
トリクスに配置された有機電界発光素子からなる画素に
対して、X方向に1ラインずつ選択し、Y方向の電極か
ら各画素の表示信号を与え、X方向の選択信号は1ライ
ンずつ操作され、一巡して全画面を表示する方式であ
る。このパネルにおいては、各画素の回路上にメモリ機
能をもたせるようにする。なぜなら液晶の場合とは異な
り、選択時(ある画素の走査電極がONとなり、表示信
号が与えられている状態)のみに電流を流しただけで
は、選択された瞬間だけ画素が発光することになり、画
面全体として連続した表示はできないからである。そこ
で回路上に選択時から画面を一巡して次の選択時までの
間、表示状態を維持するためのメモリが必要となる。そ
して、電流駆動が可能な回路とする。具体的には、液晶
用の駆動回路と比較して、通常、素子に流れる電流密度
は1000倍以上となる。
In the organic electroluminescent panel of the present invention, one line is selected in the X direction for each pixel composed of the organic electroluminescent elements arranged in the XY matrix, and the display signal of each pixel is selected from the electrode in the Y direction. The selection signal in the X direction is operated line by line, and the entire screen is displayed in one cycle. In this panel, the circuit of each pixel has a memory function. This is because, unlike the case of liquid crystal, if a current is passed only during selection (the scanning electrode of a certain pixel is ON and a display signal is being applied), the pixel will emit light only at the selected moment. , Because the entire screen cannot be displayed continuously. Therefore, it is necessary to provide a memory on the circuit for maintaining the display state from the time of selection to the time of the next selection after making a round of the screen. Then, a circuit that can be driven by current is used. Specifically, compared with a drive circuit for liquid crystal, the current density flowing through the element is usually 1000 times or more.

【0050】以上が基本的な回路の機能であるが、さら
に表示パネルとしてコントラストが十分に大きいこと、
画面の開口率が大きいこと、クロストークがないこと等
がさらに考慮される。図6に一発光部分の薄膜トランジ
スタ(TFT)とコンデンサとからなるアクティブ・マ
トリクス駆動回路を示す。本回路では各画素毎に2つの
TFT(TFT1、TFT2)と1つのコンデンサ
(C)から構成され、電流駆動とメモリ性を実現してい
る。駆動信号用に2つの電極(SCAN電極、DATA
電極)があり液晶用と類似しているが、その他に電流供
給用としてCOM電極があり、常に電圧が印加されてい
る点が異なっている。
The above is the basic circuit function, but further, the contrast is sufficiently large as a display panel,
Further consideration is given to the large aperture ratio of the screen and the absence of crosstalk. FIG. 6 shows an active matrix drive circuit including a thin film transistor (TFT) and a capacitor in one light emitting portion. In this circuit, each pixel is composed of two TFTs (TFT1 and TFT2) and one capacitor (C) to realize current driving and memory performance. Two electrodes for driving signals (SCAN electrode, DATA
There is an electrode) and it is similar to that for liquid crystal, but there is a COM electrode for supplying current in addition to this, and the point that a voltage is always applied is different.

【0051】以下に素子の動作を説明する。図6の回路
図上ではTFTをFETとして表現しているが、TFT
は基本的にはMOS−FETと類似した構造・動作であ
り、ゲート電位によりソース・ドレイン電極間のスイッ
チ動作を行うことができる。駆動のための信号の与え方
は、1ライン毎に選択し、選択されたライン中の各画素
毎にONかOFFかの信号を与える。選択するための電
極がSCAN電極であり、信号を与える電極がDATA
電極である。いま、選択状態即ちSCAN信号(SCA
N電極の入力信号)がHIGHの時、TFT1はON状
態になり、中間電極FEの電位はDATA信号がHIG
HならHIGHに、LOWならLOWとなる。従って、
DATA信号がHIGHならTFT2はONとなり、出
力電位(画素電極の電位)はHIGHとなる。また、D
ATA信号がLOWならばTFT2はOFFとなり、出
力電位はLOWとなる。その後、SCAN信号がLO
W、即ち、非選択状態になった時、TFT1はOFFと
なるが、中間電極FEの電位はコンデンサCにより保持
されて変化せず、DATA信号が変化しても出力電位の
状態は変化しない。出力電位が変化するのは、再びこの
画素を含むラインが選択状態、つまり、SCAN信号が
HIGHになり、以前とは異なった信号がDATA電極
に与えられた時である。この回路により、電流駆動型で
あってもアクティブ・マトリクス方式の駆動が可能とな
る。
The operation of the device will be described below. Although the TFT is expressed as an FET in the circuit diagram of FIG.
Has basically the same structure and operation as the MOS-FET, and can switch between the source and drain electrodes by the gate potential. The method of giving a signal for driving is selected for each line, and an ON or OFF signal is given for each pixel in the selected line. The electrodes for selection are SCAN electrodes, and the electrodes that give signals are DATA.
It is an electrode. Now, the selected state, that is, the SCAN signal (SCA
When the input signal of the N electrode is HIGH, the TFT1 is in the ON state and the potential of the intermediate electrode FE is HIGH when the DATA signal is HIGH.
If it is H, it becomes HIGH, and if it is LOW, it becomes LOW. Therefore,
If the DATA signal is HIGH, the TFT 2 is turned on and the output potential (pixel electrode potential) becomes HIGH. Also, D
If the ATA signal is LOW, the TFT2 is turned off and the output potential becomes LOW. After that, the SCAN signal becomes LO
When W, that is, in the non-selected state, the TFT 1 is turned off, but the potential of the intermediate electrode FE is held by the capacitor C and does not change, and the state of the output potential does not change even if the DATA signal changes. The output potential changes when the line including this pixel is in the selected state again, that is, when the SCAN signal becomes HIGH and a different signal from before is applied to the DATA electrode. With this circuit, it is possible to drive an active matrix system even if it is a current drive type.

【0052】アクティブ・マトリクス回路に用いられる
TFTの材料としては、非晶質シリコン(a−Si)、
多結晶シリコン(poly−Si)、セレン化カドミウ
ム(CdSe)が挙げられる。TFT構造としては、逆
スタガ型と呼ばれるものが好ましく採用される。代表的
な例として、逆スタガ型構造のa−SiTFTを図7に
示す。ガラス基板21の上にa−SiTFTは形成され
る。ゲート電極22としては、Mo、Ta、Al、Cr
やそれらの積層膜又は合金等が用いられる。ゲート電極
は、通常、電子ビーム蒸着法やスパッタ法により形成さ
れる。ゲート絶縁膜23としては、シリコン窒化膜(S
iNx )が用いられ、その上にi型a−Si層24とn
+型a−Si層25が積層される。シリコン窒化膜(S
iNX )、i型a−Si層及びn+ 型a−Si層は、通
常、プラズマCVD法により連続して形成される。n+
型a−Si層25に窓を形成した後に、ソース及びドレ
イン電極26a、26bを形成する。ソース、ドレイン
電極としてはゲート電極と同様の金属が使用される。上
記のa−SiTFTにおいては、ゲート電位によりi型
a−Si半導体層表面に電荷が誘起され、その電荷の有
無によりソース・ドレイン電極間のスイッチ動作を行
う。n+ 型a−Siは電極への電荷の移動を円滑にする
ためのコンタクト層である。
Amorphous silicon (a-Si) is used as the material of the TFT used in the active matrix circuit.
Examples thereof include polycrystalline silicon (poly-Si) and cadmium selenide (CdSe). As the TFT structure, what is called an inverted stagger type is preferably adopted. As a typical example, an inverted stagger type a-Si TFT is shown in FIG. The a-Si TFT is formed on the glass substrate 21. As the gate electrode 22, Mo, Ta, Al, Cr
And their laminated films or alloys are used. The gate electrode is usually formed by an electron beam evaporation method or a sputtering method. As the gate insulating film 23, a silicon nitride film (S
iN x ), on which the i-type a-Si layer 24 and n
The + -type a-Si layer 25 is laminated. Silicon nitride film (S
iN x ), the i-type a-Si layer, and the n + -type a-Si layer are usually continuously formed by the plasma CVD method. n +
After forming a window in the mold a-Si layer 25, source and drain electrodes 26a and 26b are formed. The same metal as the gate electrode is used for the source and drain electrodes. In the above-described a-Si TFT, electric charges are induced on the surface of the i-type a-Si semiconductor layer by the gate potential, and the switching operation between the source and drain electrodes is performed depending on the presence or absence of the electric charges. The n + type a-Si is a contact layer for facilitating the transfer of charges to the electrodes.

【0053】コンデンサ及び電極交差部はTFT用の絶
縁膜を用い、TFT作製と同時に形成できる構造とす
る。コンデンサは定電位のCOM電極との間で形成され
るために、ノイズに強い回路構成となっている。図8に
有機電界発光素子及び同一基板上に形成されたアクティ
ブ・マトリクス回路例の断面構造を示す。アクティブ・
マトリクス回路部分(TFT32及びコンデンサ33)
は絶縁層36で被覆される。透明電極であるITO35
はカラーフィルター34の上に形成されており、その上
に有機電界発光素子の有機層の部分37である正孔輸送
層及び有機発光層が積層され、さらに陰極38が形成さ
れる。上記絶縁層36はTFTのソース/ドレイン電極
と陰極間でリーク電流が流れたり、短絡したりすること
を防止するために設けられる。上記絶縁層36に用いら
れる材料としては、フォトリソグラフィによるパターニ
ングが可能で十分な絶縁耐圧を有するものが使用可能
で、具体例としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜
等が挙げられ、これらの絶縁膜はCVD法、プラズマC
VD法、スパッタ法、蒸着法等により形成することがで
きる。無機材料以外では、感光性樹脂を用いて上記絶縁
層を形成することが可能で、この場合は通常のフォトレ
ジストをパターニングする工程だけでよく簡便である。
また、この絶縁層の部分にカーボンを含んだポリイミド
等を使用することによりブラックマトリックスとするこ
とも可能である。図8に示した例では、これまでに開示
されているマトリクス構造におけるような陰極のパター
ニングが必要でなく、陰極38と有機層37の形成は全
面一様成膜でよい。従って、有機発光層37を形成した
後に、有機発光層にダメージを与えるフォトリソグラフ
ィプロセスを経ることが避けられ、全体の工程も簡素化
される。
An insulating film for the TFT is used for the capacitor and the electrode crossing portion, and the structure can be formed at the same time when the TFT is manufactured. Since the capacitor is formed between the constant potential COM electrode and the constant potential COM electrode, it has a circuit structure resistant to noise. FIG. 8 shows a cross-sectional structure of an organic electroluminescent device and an example of an active matrix circuit formed on the same substrate. Active·
Matrix circuit part (TFT 32 and capacitor 33)
Are covered with an insulating layer 36. ITO35 which is a transparent electrode
Is formed on the color filter 34, and the hole transport layer and the organic light emitting layer, which are the portions 37 of the organic layer of the organic electroluminescent device, are stacked on the color filter 34, and the cathode 38 is further formed. The insulating layer 36 is provided to prevent a leak current from flowing between the source / drain electrodes of the TFT and the cathode and to prevent a short circuit. As a material used for the insulating layer 36, a material that can be patterned by photolithography and has a sufficient withstand voltage can be used. Specific examples thereof include a silicon oxide film and a silicon nitride film. Film is CVD method, plasma C
It can be formed by a VD method, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like. It is possible to form the insulating layer using a photosensitive resin other than the inorganic material, and in this case, it is sufficient to perform only the step of patterning a normal photoresist, which is simple.
It is also possible to form a black matrix by using carbon-containing polyimide or the like for the insulating layer. In the example shown in FIG. 8, patterning of the cathode as in the matrix structure disclosed so far is not necessary, and the cathode 38 and the organic layer 37 may be formed uniformly over the entire surface. Therefore, it is possible to avoid the photolithography process that damages the organic light emitting layer after forming the organic light emitting layer 37, and the entire process is simplified.

【0054】図9にITO画素電極とアクティブ・マト
リクス部分の平面配置例を示す。フルカラー表示におい
ては、各ITO電極とガラス基板との間にカラーフィル
ターが設けられており、このカラーフィルターの配列は
ストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列等が挙げら
れる。上記のようなアクティブ・マトリクス駆動の有機
電界発光素子においては、RGBに対応する発光部の駆
動電圧を制御したり、各発光面積を変えることで、白色
発光の色バランスをとることが可能である。
FIG. 9 shows an example of the planar arrangement of the ITO pixel electrodes and the active matrix portion. In full-color display, a color filter is provided between each ITO electrode and the glass substrate, and the arrangement of this color filter may be a stripe arrangement, a mosaic arrangement, a delta arrangement, or the like. In the organic electroluminescence device of the active matrix drive as described above, it is possible to balance the color of white light emission by controlling the drive voltage of the light emitting portion corresponding to RGB and changing each light emitting area. .

【0055】本発明においては、有機電界発光素子の有
機発光層として青色発光層と緑色発光層を積層し、か
つ、緑色発光層に赤色蛍光色素を含有させることによ
り、安定で高効率の白色発光を可能とし、カラーフィル
ターと組み合わせることによりフルカラーの表示素子が
作製でき、さらに、アクティブ・マトリクス回路と組み
合わせることによりアクティブ駆動による高精細かつ大
容量フルカラー表示が可能である。
In the present invention, a blue light emitting layer and a green light emitting layer are laminated as an organic light emitting layer of an organic electroluminescence device, and a red fluorescent dye is contained in the green light emitting layer, whereby stable and highly efficient white light emission is achieved. In combination with a color filter, a full-color display element can be manufactured, and in combination with an active matrix circuit, high-definition and large-capacity full-color display by active driving is possible.

【0056】[0056]

【実施例】次に、本発明を合成例及び実施例によって更
に具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 実施例1 図2に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
EXAMPLES Next, the present invention will be explained more specifically with reference to synthesis examples and examples, but the present invention is not limited to the description of the following examples unless it exceeds the gist. Example 1 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 2 was produced by the following method.

【0057】ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を120nm堆積したものをアセ
トンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を
行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度
が2×10-6Torr以下になるまで油拡散ポンプを用
いて排気した。
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film having a thickness of 120 nm deposited on a glass substrate is ultrasonically cleaned with acetone, washed with pure water, ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen, and UV / ozone. After the cleaning, it was installed in a vacuum vapor deposition apparatus and evacuated using an oil diffusion pump until the degree of vacuum in the apparatus became 2 × 10 −6 Torr or less.

【0058】有機正孔輸送層3の材料として、以下に示
すN,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェ
ニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン
(H1)をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタ
ンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。
As a material of the organic hole transport layer 3, the following N, N'-diphenyl-N, N '-(3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (H1 ) Was placed in a ceramic crucible and heated by a tantalum wire heater around the crucible to perform vapor deposition.

【0059】[0059]

【化9】 [Chemical 9]

【0060】この時のるつぼの温度は、130〜150
℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.9〜1.7
×10-6Torrであり、蒸着速度0.01〜0.35
nm/秒で膜厚60nmの有機正孔輸送層3を得た。次
に、有機青色発光層4の材料として以下に示す亜鉛のオ
キサゾール錯体(E1)を上記有機正孔輸送層3の上に
同様にして蒸着を行なった。
The temperature of the crucible at this time is 130 to 150.
The temperature was controlled in the range of ° C. The degree of vacuum during vapor deposition is 1.9 to 1.7.
× 10 −6 Torr, vapor deposition rate 0.01 to 0.35
An organic hole transport layer 3 having a film thickness of 60 nm was obtained at a rate of nm / sec. Next, as a material for the organic blue light emitting layer 4, zinc oxazole complex (E1) shown below was vapor-deposited on the organic hole transport layer 3 in the same manner.

【0061】[0061]

【化10】 [Chemical 10]

【0062】この時のるつぼの温度は200〜205℃
の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.5×10-6
orr、蒸着速度は0.15〜0.25nm/秒、膜厚
は30nmであった。次に、有機緑色発光層5の材料と
して以下に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン
錯体(E2)を上記有機青色発光層4の上に同様にして
蒸着を行なった。
The temperature of the crucible at this time is 200 to 205 ° C.
Controlled in the range of. The degree of vacuum during vapor deposition is 1.5 × 10 -6 T
orr, the vapor deposition rate was 0.15 to 0.25 nm / sec, and the film thickness was 30 nm. Next, aluminum 8-hydroxyquinoline complex (E2) shown below as a material for the organic green light emitting layer 5 was vapor-deposited on the organic blue light emitting layer 4 in the same manner.

【0063】[0063]

【化11】 [Chemical 11]

【0064】この時のるつぼの温度は260〜265℃
の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.5×10-6
orr、蒸着速度は0.1〜0.18nm/秒の蒸着条
件で膜厚150nmの有機緑色発光層5aを先ず形成し
た。次に、上記アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン
錯体と同時に、以下に示す赤色蛍光色素、4−(ジシア
ノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノ
スチリル)−4H−ピラン(DCM)(R1)を100
〜105℃で加熱した別のるつぼから蒸発させ、赤色蛍
光色素(R1)がアルミウニムの8−ヒドロキシキノリ
ン錯体(E2)に2モル%含まれた発光層5bを形成し
た。
The temperature of the crucible at this time is 260 to 265 ° C.
Controlled in the range of. The degree of vacuum during vapor deposition is 1.5 × 10 -6 T
The organic green light emitting layer 5a having a film thickness of 150 nm was first formed under the vapor deposition conditions of orr and vapor deposition rate of 0.1 to 0.18 nm / sec. Next, simultaneously with the aluminum 8-hydroxyquinoline complex, the following red fluorescent dye, 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM) (R1 ) 100
It was evaporated from another crucible heated at ˜105 ° C. to form a light emitting layer 5b in which the red fluorescent dye (R1) was contained in the aluminum hydroxy 8-hydroxyquinoline complex (E2) in an amount of 2 mol%.

【0065】[0065]

【化12】 [Chemical 12]

【0066】最後に陰極として、マグネシウムと銀の合
金電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmで蒸着
した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は4×
10 -6Torr、蒸着時間は4分30秒で光沢のある膜
が得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.5
であった。このようにして作製した有機電界発光素子の
ITO電極(陽極)にプラス、マグネシウム・銀合金電
極(陰極)にマイナスの直流電圧を印加すると、この素
子は一様な白色の発光を示した。この素子の発光特性を
表−1に、発光スペクトルを図10に各々示す。この発
光スペクトルは400〜700nmの広い可視光領域に
わたり、上記素子はフルカラーの表示能力を有してい
る。この発光スペクトルから求めたこの素子の色度座標
は、x=0.335;y=0.415であった。
Finally, as a cathode, a combination of magnesium and silver
Gold electrode is vapor-deposited with a film thickness of 150 nm by the two-source simultaneous vapor deposition method.
did. Vapor deposition uses a molybdenum boat and the degree of vacuum is 4 ×
10 -6Torr, vapor deposition time is 4 minutes and 30 seconds, and it is a glossy film.
was gotten. The atomic ratio of magnesium to silver is 10: 1.5.
Met. Of the organic electroluminescent device produced in this manner
Plus ITO electrode (anode), magnesium / silver alloy electrode
When a negative DC voltage is applied to the pole (cathode), this element
The offspring showed a uniform white luminescence. The emission characteristics of this device
The emission spectra are shown in Table 1 and FIG. From this
The light spectrum is in the wide visible region of 400-700nm
By the way, the above device has full color display capability.
It Chromaticity coordinates of this device obtained from this emission spectrum
Were x = 0.335; y = 0.415.

【0067】次に、この素子からの白色発光をカラーフ
ィルターを用いて色分解した結果を表−2に示す。使用
したカラーフィルターは富士写真フィルム(株)製のS
P−9(青用)、SP−10(緑用)、SP−11(赤
用)であり、各フィルターの分光特性を図11に示す。
フルカラー表示の各色のバランスとしては、青:緑:赤
=7.7:65.8:25.6であり、カラフィルター
との整合性をとることによりフルカラー表示を行うこと
は全く問題ない。また、図11に示したものよりさらに
光透過率の大きいカラーフィルターを使用することで各
色の発光輝度はさらに高めることができる。図12に上
記素子のCIE色度座標と上記カラーフィルターの座標
を示す。理想的な白色発光W(x=0.333;y=
0.333)に近いことがわかる。上記素子からの白色
発光のバランスは駆動電圧に対する依存性がなく、安定
な白色発光が得られた。
Table 2 shows the results of color separation of white light emitted from this device using a color filter. The color filter used is S manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.
P-9 (for blue), SP-10 (for green), SP-11 (for red), and the spectral characteristics of each filter are shown in FIG.
The balance of each color in full-color display is blue: green: red = 7.7: 65.8: 25.6, and there is no problem in displaying full-color by matching with the color filter. In addition, the emission brightness of each color can be further increased by using a color filter having a light transmittance higher than that shown in FIG. FIG. 12 shows the CIE chromaticity coordinates of the device and the coordinates of the color filter. Ideal white light emission W (x = 0.333; y =
It turns out that it is close to 0.333). The balance of the white light emission from the above device did not depend on the driving voltage, and stable white light emission was obtained.

【0068】実施例2 図4に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。実施例1と同様にして、有機正孔輸送層3
及び有機青色発光層4を形成した後に、アルミニウムの
8−ヒドロキシキノリン錯体(E2)を10nm蒸着し
て上記有機青色発光層4の上に有機緑色発光層5eを積
層した。次に、上記アルミニウムの8−ヒドロキシキノ
リン錯体(E2)と赤色蛍光色素(R1)を実施例1と
同様にして同時蒸着して、赤色蛍光色素(R1)がアル
ミウニムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E2)に2モ
ル%含まれた発光層5eを膜厚10nmで形成した。こ
の後、再び、アルミウニムの8−ヒドロキシキノリン錯
体(E2)からなる有機緑色発光層5gを膜厚10nm
で蒸着した。最後に陰極として、マグネシウムと銀の合
金電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmで蒸着
した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は4×
10-6Torr、蒸着時間は4分30秒で光沢のある膜
が得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.5
であった。
Example 2 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 4 was produced by the following method. In the same manner as in Example 1, organic hole transport layer 3
After forming the organic blue light emitting layer 4, aluminum 8-hydroxyquinoline complex (E2) was vapor-deposited to a thickness of 10 nm to stack the organic green light emitting layer 5e on the organic blue light emitting layer 4. Next, the aluminum 8-hydroxyquinoline complex (E2) and the red fluorescent dye (R1) were co-deposited in the same manner as in Example 1, and the red fluorescent dye (R1) was an aluminum 8-hydroxyquinoline complex (E2). ) Was formed to a thickness of 10 nm. After this, again, 5 g of an organic green light emitting layer composed of an aluminum 8-hydroxyquinoline complex (E2) was formed to a thickness of 10 nm.
It was deposited at. Finally, as a cathode, an alloy electrode of magnesium and silver was vapor-deposited with a film thickness of 150 nm by a binary vapor deposition method. Vapor deposition uses a molybdenum boat and the degree of vacuum is 4 ×
A glossy film was obtained at 10 −6 Torr and a vapor deposition time of 4 minutes and 30 seconds. The atomic ratio of magnesium to silver is 10: 1.5.
Met.

【0069】このようにして作製した素子の発光特性を
表−1に示す。CIE色度座標は、x=0.259;y
=0.318であり(図12)、この素子からの白色発
光を実施例1と同様にしてカラーフィルターを用いて色
分解した結果を表−2に示す。 実施例3 赤色蛍光色素(R2)として、以下に示すフェノキサゾ
ン660(R2)を用いたこと以外は、実施例1と同様
にして図2に示す構造の有機電界発光素子を作製した。
Table 1 shows the emission characteristics of the thus manufactured device. The CIE chromaticity coordinate is x = 0.259; y
= 0.318 (Fig. 12), and white-light emission from this device was subjected to color separation using a color filter in the same manner as in Example 1 and Table 2 shows the results. Example 3 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that phenoxazone 660 (R2) shown below was used as the red fluorescent dye (R2).

【0070】[0070]

【化13】 [Chemical 13]

【0071】この素子の発光特性を表−1に示す。CI
E色度座標は、x=0.297;y=0.318であり
(図12)、この素子からの白色発光を実施例1と同様
にしてカラーフィルターを用いて色分解した結果を表−
2に各々示す。 実施例4 有機緑色発光層5aに、以下に示す緑色蛍光色素、キナ
クリドン(G1)を0.4モル%含有させたこと以外は
実施例1と同様にして図2に示す有機電界発光素子を作
製した。
The emission characteristics of this device are shown in Table 1. CI
E chromaticity coordinates are x = 0.297; y = 0.318 (FIG. 12), and the results of color separation of white light emission from this device by using a color filter in the same manner as in Example 1 are shown.
2 shows each. Example 4 An organic electroluminescent device shown in FIG. 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the organic green light emitting layer 5a contained 0.4 mol% of a green fluorescent dye, quinacridone (G1) shown below. did.

【0072】[0072]

【化14】 [Chemical 14]

【0073】この素子の発光特性を表−1に、色分解特
性を表−2に各々示す。 実施例5 有機緑色発光層5aに、以下に示す緑色蛍光色素、クマ
リン540(G1)を1.2モル%含有させたこと以外
は実施例1と同様にして図2に示す有機電界発光素子を
作製した。
The light emission characteristics and color separation characteristics of this element are shown in Table 1 and Table 2, respectively. Example 5 The organic electroluminescent device shown in FIG. 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the organic green light emitting layer 5a contained 1.2 mol% of the following green fluorescent dye, coumarin 540 (G1). It was made.

【0074】[0074]

【化15】 [Chemical 15]

【0075】この素子の発光特性を表−1に、色分解特
性を表−2に各々示す。以上に示した実施例1〜実施例
5から明らかなように、有機青色発光層、有機緑色発光
層の各膜厚、及び、各層に含有される緑色蛍光色素、赤
色蛍光色素の量を制御することによりフルカラー表示能
力のある白色発光素子を作製することが可能である。
The light emission characteristics and color separation characteristics of this device are shown in Table 1 and Table 2, respectively. As is clear from Examples 1 to 5 described above, the film thicknesses of the organic blue light emitting layer and the organic green light emitting layer, and the amounts of the green fluorescent dye and the red fluorescent dye contained in each layer are controlled. As a result, a white light emitting element having a full color display capability can be manufactured.

【0076】[0076]

【表2】 [Table 2]

【0077】[0077]

【表3】 [Table 3]

【0078】実施例6 実施例1で作製した素子の作製直後及び真空中で保存し
た後の発光特性の結果を表−3に示す。駆動電圧の顕著
な上昇は見られず、発光効率の低下もなく、安定した素
子の保存安定性が得られた。
Example 6 Table 3 shows the results of the light emission characteristics of the device produced in Example 1 immediately after production and after storage in vacuum. No significant increase in driving voltage was observed, no decrease in luminous efficiency was observed, and stable storage stability of the device was obtained.

【0079】[0079]

【表4】 [Table 4]

【0080】[0080]

【発明の効果】本発明の有機電界発光素子によれば、陽
極(アノード)、正孔輸送層、有機発光層、陰極(カソ
ード)が基板上に順次設けられ、しかも、有機発光層が
特定の化合物を使用した層構成を有するため、両導電層
を電極として電圧を印加した場合、長期間安定した白色
発光特性を得ることができる。従って、本発明の有機電
界発光素子はフラットパネル・ディスプレイ(例えばO
Aコンピュータ用や壁掛けテレビ)の分野や面発光体と
しての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液
晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示
板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大き
いものである。
According to the organic electroluminescent element of the present invention, an anode, a hole transport layer, an organic light emitting layer, and a cathode are provided in this order on a substrate, and moreover, the organic light emitting layer is specific. Since the compound has a layered structure, when a voltage is applied using both conductive layers as electrodes, stable white light emission characteristics can be obtained for a long period of time. Accordingly, the organic electroluminescent device of the present invention is a flat panel display (eg, O
A. Applications for light sources (for example, light sources for copying machines, backlight sources for liquid crystal displays and instruments), display boards, and marker lamps that take advantage of the characteristics of the field for computers and wall-mounted televisions and surface light emitters are considered. , Its technical value is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の有機電界発光素子の一実施例を示した
模式断面図。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic electroluminescence device of the present invention.

【図2】本発明の有機電界発光素子の他の実施例を示し
た模式断面図。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the organic electroluminescent element of the present invention.

【図3】本発明の有機電界発光素子のその他の実施例を
示した模式断面図。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the organic electroluminescent element of the present invention.

【図4】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模
式断面図。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another example of the organic electroluminescent element of the present invention.

【図5】本発明の有機電界発光素子を用いたフルカラー
表示素子の一例を示した模式断面図。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a full-color display device using the organic electroluminescent device of the present invention.

【図6】本発明の有機電界発光素子駆動用のアクティブ
・マトリクス回路図。
FIG. 6 is an active matrix circuit diagram for driving an organic electroluminescence device of the present invention.

【図7】本発明の有機電界発光素子の駆動回路に用いら
れるTFT構造の例。
FIG. 7 shows an example of a TFT structure used in a drive circuit for an organic electroluminescence device of the present invention.

【図8】本発明のアクティブ・マトリクス回路を備えた
有機電界発光素子の例を示した模式断面図。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic electroluminescence device including an active matrix circuit of the present invention.

【図9】本発明の有機電界発光素子のTFT駆動回路平
面図。
FIG. 9 is a plan view of a TFT drive circuit of the organic electroluminescent element of the present invention.

【図10】本発明の有機電界発光素子の発光スペクトル
例。
FIG. 10 shows an example of an emission spectrum of the organic electroluminescent device of the present invention.

【図11】実施例で使用したカラフィルター分光特性。FIG. 11 is a spectral characteristic of a color filter used in the examples.

【図12】本発明の有機電界発光素子の発光のCIE色
度座標図。
FIG. 12 is a CIE chromaticity coordinate diagram of light emission of the organic electroluminescent device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2a、2b 導電層 3 正孔輸送層 4 有機青色発光層 5 有機緑色発光層 5a、5d 赤色蛍光色素がドープされていない有機緑
色発光層 5b、5c、5f 赤色蛍光色素がドープされた有機緑
色発光層 11、21、31 ガラス基板 12 青色のカラーフィルター 13 緑色のカラーフィルター 14 赤色のカラーフィルター 15 ブラックスマトリクス 16、35 ITO(陽極) 17 有機電界発光層 18、38 陰極 22 TFTのゲート電極 23 SiNx 絶縁膜 24 i層a−Si 25 n+ 層a−Si 26a ソース電極 26b ドレイン電極 32 TFT 33 蓄積用コンデンサ 34 カラーフィルター 36 アクティブ・マトリクス回路保護用の絶縁層 37 正孔輸送層及び有機発光層
1 Substrate 2a, 2b Conductive Layer 3 Hole Transport Layer 4 Organic Blue Light-Emitting Layer 5 Organic Green Light-Emitting Layer 5a, 5d Organic Green Light-Emitting Layer 5b, 5c, 5f Red Fluorescent Dye-Doped Organic Green light emitting layer 11, 21, 31 Glass substrate 12 Blue color filter 13 Green color filter 14 Red color filter 15 Blacks matrix 16, 35 ITO (anode) 17 Organic electroluminescent layer 18, 38 Cathode 22 TFT gate electrode 23 SiN x insulating film 24 i layer a-Si 25 n + layer a-Si 26a source electrode 26b drain electrode 32 TFT 33 storage capacitor 34 color filter 36 insulating layer 37 for protecting active matrix circuit 37 hole transport layer and organic Light emitting layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−207170(JP,A) 特開 平4−284395(JP,A) 特開 平2−261889(JP,A) 特開 平4−125683(JP,A) 特開 昭59−56391(JP,A) 特開 平1−315988(JP,A) 特開 平3−187191(JP,A) 布村恵史、石子雅康、高野繁正、谷千 束,「有機薄膜EL素子」,平成元年電 気・情報関連学会連合大会,1989年, p.2−123 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05B 33/00 - 33/28 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) Reference JP-A-6-207170 (JP, A) JP-A-4-284395 (JP, A) JP-A-2-261889 (JP, A) JP-A-4-26395 125683 (JP, A) JP 59-56391 (JP, A) JP 1-315988 (JP, A) JP 3-187191 (JP, A) Yoshifumi Nunomura, Masayasu Ishiko, Shigemasa Takano, Tanisen Bundle, "Organic thin film EL device", 1989, Conference of the Institute of Electrical and Information Engineers, 1989, p. 2-123 (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H05B 33/00-33/28

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板上に、陽極及び陰極により狭持され
た正孔輸送層及び有機発光層を少なくとも有する有機電
界発光素子であって、有機発光層は正孔輸送層側から青
色発光層、緑色発光層を順に積層してなり、かつ、緑色
発光層は部分的に、赤色蛍光色素を含有する領域を有
し、青、緑、赤の各色に対応した光透過特性を有するカ
ラーフィルターを設けたことを特徴とする有機電界発光
素子。
1. An organic electroluminescent device having at least a hole transport layer and an organic light emitting layer sandwiched by an anode and a cathode on a substrate, wherein the organic light emitting layer is a blue light emitting layer from the hole transport layer side, A green light emitting layer is sequentially stacked, and the green light emitting layer partially has a region containing a red fluorescent dye, and is provided with a color filter having light transmission characteristics corresponding to each color of blue, green, and red. An organic electroluminescent device characterized by the above.
【請求項2】 陽極又は陰極の少なくとも一方が光透過
性であり、該光透過性電極の正孔輸送層又は有機発光層
が形成されていない側の面にカラーフィルター層を設け
てなる、請求項1記載の有機電界発光素子。
2. At least one of the anode and the cathode is light-transmissive, and a color filter layer is provided on the surface of the light-transmissive electrode on which the hole transport layer or the organic light-emitting layer is not formed. Item 2. The organic electroluminescent device according to item 1.
【請求項3】 青色発光層が青色蛍光色素を含有する請
求項1または2に記載の有機電界発光素子。
3. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the blue light emitting layer contains a blue fluorescent dye.
【請求項4】 緑色発光層が緑色蛍光色素を含有する請
求項1ないし3のいずれか一項に記載の有機電界発光素
子。
4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the green light emitting layer contains a green fluorescent dye.
【請求項5】 同一基板上にアクティブマトリクス回路
が設けてあることを特徴とする請求項1ないし4のいず
れかに記載の有機電界発光素子。
5. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein an active matrix circuit is provided on the same substrate.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7541734B2 (en) 2003-10-03 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative
US9614014B2 (en) 2013-10-02 2017-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3596084B2 (en) * 1995-04-26 2004-12-02 ソニー株式会社 Electroluminescent device
JP4477150B2 (en) * 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 Organic thin film EL device
US5683823A (en) 1996-01-26 1997-11-04 Eastman Kodak Company White light-emitting organic electroluminescent devices
JP2734442B2 (en) * 1996-01-30 1998-03-30 日本電気株式会社 Thin film EL device and method of manufacturing the same
JP2809175B2 (en) * 1996-02-28 1998-10-08 日本電気株式会社 Organic thin film EL display
JPH09279134A (en) * 1996-04-11 1997-10-28 Shinko Electric Ind Co Ltd Organic el element
JP3452343B2 (en) * 1996-06-26 2003-09-29 出光興産株式会社 Multicolor light emitting device and method of manufacturing the same
EP1342769B1 (en) * 1996-08-19 2010-01-27 TDK Corporation Organic EL Device
US5869929A (en) * 1997-02-04 1999-02-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Multicolor luminescent device
JP2930056B2 (en) * 1997-05-30 1999-08-03 日本電気株式会社 Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same
JP3428397B2 (en) * 1997-10-14 2003-07-22 松下電器産業株式会社 Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
WO2000018193A1 (en) * 1998-09-17 2000-03-30 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electroluminescence device
JP3287344B2 (en) 1998-10-09 2002-06-04 株式会社デンソー Organic EL device
CN1966607A (en) 1998-12-28 2007-05-23 出光兴产株式会社 Material for organic electroluminescent device
JP3589960B2 (en) 1999-09-16 2004-11-17 株式会社デンソー Organic EL device
JP4255610B2 (en) * 1999-12-28 2009-04-15 出光興産株式会社 White organic electroluminescence device
JP4048521B2 (en) * 2000-05-02 2008-02-20 富士フイルム株式会社 Light emitting element
KR20010104215A (en) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 A method of manufacturing a light emitting device
US6696177B1 (en) 2000-08-30 2004-02-24 Eastman Kodak Company White organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency
JP3628997B2 (en) 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 Method for manufacturing organic electroluminescence device
US6717359B2 (en) 2001-01-29 2004-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6791258B2 (en) * 2001-06-21 2004-09-14 3M Innovative Properties Company Organic light emitting full color display panel
US6627333B2 (en) * 2001-08-15 2003-09-30 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved efficiency
US6815033B2 (en) 2001-12-06 2004-11-09 Mitsubishi Chemical Corporation Compound, optical recording medium and optical recording method
JP2003217852A (en) * 2002-01-28 2003-07-31 Toyota Industries Corp Organic el color display
KR100563675B1 (en) 2002-04-09 2006-03-28 캐논 가부시끼가이샤 Organic luminescence device and organic luminescence device package
US6720092B2 (en) 2002-07-08 2004-04-13 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices using rubrene layer
US7699482B2 (en) 2002-09-25 2010-04-20 Fujifilm Corporation Light-emitting element
US7063900B2 (en) * 2002-12-23 2006-06-20 General Electric Company White light-emitting organic electroluminescent devices
TWI265750B (en) * 2003-02-27 2006-11-01 Toyota Jidoshokki Kk Organic electro-luminescence devices
US7037601B2 (en) 2003-05-28 2006-05-02 Eastman Kodak Company White light-emitting device structures
EP1482573A3 (en) 2003-05-29 2007-07-25 Sony Corporation Organic electroluminescence device
CN1820548A (en) * 2003-07-28 2006-08-16 出光兴产株式会社 White organic electroluminescent element
EP1503418A3 (en) 2003-07-31 2008-06-04 Optrex Corporation An organic EL display and method for producing the same
US6875524B2 (en) 2003-08-20 2005-04-05 Eastman Kodak Company White light-emitting device with improved doping
JP2005075868A (en) 2003-08-29 2005-03-24 Fujitsu Ltd Fluorescent material, organic electroluminescent element and organic electroluminescent display
US7268485B2 (en) 2003-10-07 2007-09-11 Eastman Kodak Company White-emitting microcavity OLED device
US7238436B2 (en) 2003-10-22 2007-07-03 Eastman Kodak Company Stabilized white-light-emitting OLED device
US7252893B2 (en) 2004-02-17 2007-08-07 Eastman Kodak Company Anthracene derivative host having ranges of dopants
JP4408382B2 (en) * 2004-03-18 2010-02-03 株式会社 日立ディスプレイズ Organic light emitting display
JP5430048B2 (en) * 2004-03-31 2014-02-26 双葉電子工業株式会社 Self-luminous display device
US7129634B2 (en) 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
US7192659B2 (en) 2004-04-14 2007-03-20 Eastman Kodak Company OLED device using reduced drive voltage
JP4581796B2 (en) * 2004-04-28 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 Display device and electronic device
US7247394B2 (en) 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
CN100456522C (en) * 2004-05-18 2009-01-28 胜华科技股份有限公司 Full-wave white-light organic electroluminescent device and producing method thereof
CN1957646A (en) 2004-05-27 2007-05-02 出光兴产株式会社 White organic electroluminescent element
US7023013B2 (en) 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
US7288330B2 (en) 2004-07-01 2007-10-30 Eaastman Kodak Company High performance white light-emitting OLED device
US7208863B2 (en) 2004-07-09 2007-04-24 Eastman Kodak Company Light emitting devices with patterned angular color dependency
EP1784056B1 (en) 2004-07-23 2011-04-13 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display and illuminating device
US7273663B2 (en) 2004-08-20 2007-09-25 Eastman Kodak Company White OLED having multiple white electroluminescence units
KR101163194B1 (en) 2004-08-23 2012-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light emitting element, light emitting device, and lighting system
EP2299782B1 (en) 2004-09-13 2016-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting layer device
US7560862B2 (en) 2004-10-22 2009-07-14 Eastman Kodak Company White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit
US8174182B2 (en) 2004-11-17 2012-05-08 Global Oled Technology Llc Selecting white point for OLED devices
KR20060084733A (en) * 2005-01-20 2006-07-25 삼성에스디아이 주식회사 An organic electroluminescent device and a method for preparing the same
WO2006095553A1 (en) * 2005-03-04 2006-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element, display device, liquid crystal display device and lighting device
JP4797438B2 (en) * 2005-05-17 2011-10-19 ソニー株式会社 Organic electroluminescence device and display device
EP1739765A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-03 Novaled AG Organic light-emitting diode and stack of organic light emitting diodes
JP2007026970A (en) * 2005-07-20 2007-02-01 Hitachi Displays Ltd Organic light emitting display device
WO2007055186A1 (en) 2005-11-09 2007-05-18 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display and illuminating device
US20070126350A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Lee Jeong I White organic light emitting device
EP1806795B1 (en) 2005-12-21 2008-07-09 Novaled AG Organic Device
US7332860B2 (en) 2006-03-30 2008-02-19 Eastman Kodak Company Efficient white-light OLED display with filters
US7837780B2 (en) 2006-11-10 2010-11-23 Global Oled Technology Llc Green color filter element
US7816859B2 (en) 2007-04-30 2010-10-19 Global Oled Technology Llc White light tandem OLED
US7948165B2 (en) 2007-05-09 2011-05-24 Global Oled Technology Llc High-performance tandem white OLED
WO2009066600A1 (en) * 2007-11-19 2009-05-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Monobenzochrysene derivative, organic electroluminescent device material containing the same, and organic electroluminescent device using the organic electroluminescent device material
US8119259B2 (en) 2007-11-30 2012-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element and electronic device using the same
KR101564762B1 (en) 2007-11-30 2015-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Quinoxaline derivative and light-emitting element light-emitting device and electronic device using quinoxaline derivative
US8314101B2 (en) 2007-11-30 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using quinoxaline derivative
US8877350B2 (en) 2007-12-11 2014-11-04 Global Oled Technology Llc White OLED with two blue light-emitting layers
US8815412B2 (en) 2007-12-21 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance using the quinoxaline derivative
US7955719B2 (en) 2008-01-30 2011-06-07 Global Oled Technology Llc Tandem OLED device with intermediate connector
US7821201B2 (en) 2008-01-31 2010-10-26 Global Oled Technology Llc Tandem OLED device with intermediate connector
US7977872B2 (en) 2008-09-16 2011-07-12 Global Oled Technology Llc High-color-temperature tandem white OLED
US8277697B2 (en) 2008-10-29 2012-10-02 Global Oled Technology Llc Color filter element with improved colorant dispersion
JP2010128306A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Dainippon Printing Co Ltd Color filter and organic electroluminescent display device
US8466856B2 (en) 2011-02-22 2013-06-18 Global Oled Technology Llc OLED display with reduced power consumption
US8283054B2 (en) 2009-04-03 2012-10-09 Global Oled Technology Llc Tandem white OLED with efficient electron transfer
KR20110023851A (en) 2009-08-19 2011-03-08 후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤 Color conversion layer and manufacturing method for same
JP2013502743A (en) 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Organic light-emitting diode luminaire
EP2471120A2 (en) * 2009-08-24 2012-07-04 E. I. du Pont de Nemours and Company Organic light-emitting diode luminaires
US8471247B2 (en) 2009-08-24 2013-06-25 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US9516713B2 (en) 2011-01-25 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
DE112013007607B3 (en) 2012-03-14 2018-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic device and lighting device
JP2013232629A (en) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US8994013B2 (en) 2012-05-18 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
JP5263460B1 (en) 2012-06-12 2013-08-14 東洋インキScホールディングス株式会社 Resin composition for light scattering layer, light scattering layer, and organic electroluminescence device
JP7059094B2 (en) * 2018-04-26 2022-04-25 キヤノン株式会社 Organic EL element, display device having it, image pickup device, lighting device, mobile body

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
布村恵史、石子雅康、高野繁正、谷千束,「有機薄膜EL素子」,平成元年電気・情報関連学会連合大会,1989年,p.2−123

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7541734B2 (en) 2003-10-03 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative
US8138667B2 (en) 2003-10-03 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having metal oxide layer and color filter
US9070894B2 (en) 2003-10-03 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9564561B2 (en) 2003-10-03 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US10192946B2 (en) 2003-10-03 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US10490618B2 (en) 2003-10-03 2019-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9614014B2 (en) 2013-10-02 2017-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device

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