JPH0851072A - レジストパターン形成方法および反射防止膜形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法および反射防止膜形成方法Info
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- JPH0851072A JPH0851072A JP7169092A JP16909295A JPH0851072A JP H0851072 A JPH0851072 A JP H0851072A JP 7169092 A JP7169092 A JP 7169092A JP 16909295 A JP16909295 A JP 16909295A JP H0851072 A JPH0851072 A JP H0851072A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 任意の単一波長の光を露光光源として、任意
の下地基板上にレジストパターンを形成する際に、その
レジストパターンが微細なものであっても、良好に、安
定したレジストパターンを形成するためのレジストパタ
ーン形成方法と新規な反射防止膜の形成方法を提供する
こと。 【構成】 下地基板Ｓ上に、直接またはその他の層を介
して、シリコンカーバイト系膜（Ｓｉx Ｃy ）で構成さ
れる反射防止膜ＡＲＬを成膜する。反射防止膜ＡＲＬの
上に、直接またはその他の層を介してフォトレジストＰ
Ｒを形成する。フォトレジストＰＲに露光を行い、マス
クパターンを転写する。反射防止膜としては、露光波長
が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．２
以上３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．１６以上
０．７２以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以
下の反射防止膜を成膜することが好ましい。
の下地基板上にレジストパターンを形成する際に、その
レジストパターンが微細なものであっても、良好に、安
定したレジストパターンを形成するためのレジストパタ
ーン形成方法と新規な反射防止膜の形成方法を提供する
こと。 【構成】 下地基板Ｓ上に、直接またはその他の層を介
して、シリコンカーバイト系膜（Ｓｉx Ｃy ）で構成さ
れる反射防止膜ＡＲＬを成膜する。反射防止膜ＡＲＬの
上に、直接またはその他の層を介してフォトレジストＰ
Ｒを形成する。フォトレジストＰＲに露光を行い、マス
クパターンを転写する。反射防止膜としては、露光波長
が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．２
以上３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．１６以上
０．７２以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以
下の反射防止膜を成膜することが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な反射防止膜を用
いたレジストパターン形成方法、および反射防止膜形成
方法に関する。特に、本発明は、下地基板上に形成した
反射防止膜上のフォトレジストを単一波長により露光し
てレジストパターンを形成する際の前記反射防止膜の膜
厚、および反射屈折率、吸収屈折率等などの光学条件の
最適化を図るために適した新規な反射防止膜を用い、フ
ォトレジストでの定在波効果を最小限にして、微細なレ
ジストパターンを良好に形成することができるレジスト
パターン形成方法および反射防止膜形成方法に関する。
本発明は、例えば、電子材料（半導体装置等）を製造す
る際の微細パターンを形成する方法として利用すること
ができる。
いたレジストパターン形成方法、および反射防止膜形成
方法に関する。特に、本発明は、下地基板上に形成した
反射防止膜上のフォトレジストを単一波長により露光し
てレジストパターンを形成する際の前記反射防止膜の膜
厚、および反射屈折率、吸収屈折率等などの光学条件の
最適化を図るために適した新規な反射防止膜を用い、フ
ォトレジストでの定在波効果を最小限にして、微細なレ
ジストパターンを良好に形成することができるレジスト
パターン形成方法および反射防止膜形成方法に関する。
本発明は、例えば、電子材料（半導体装置等）を製造す
る際の微細パターンを形成する方法として利用すること
ができる。
【０００２】
【発明の背景】例えば、フォトリングラフィー技術にお
いて、現在、最先端のステッパー（投影露光機）は、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）を光源に用い、
０．３７〜０．４２程度のＮＡのレンズを搭載している
（例えば、ニコンＮＳＲ１５０５ＥＸ１、キャノンＦＰ
Ａ４５００）。これらステッパーを用いて、サブハーフ
ミクロン（０．５μｍ以下）領域のデザインルールデバ
イスの研究開発が研究されている。
いて、現在、最先端のステッパー（投影露光機）は、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）を光源に用い、
０．３７〜０．４２程度のＮＡのレンズを搭載している
（例えば、ニコンＮＳＲ１５０５ＥＸ１、キャノンＦＰ
Ａ４５００）。これらステッパーを用いて、サブハーフ
ミクロン（０．５μｍ以下）領域のデザインルールデバ
イスの研究開発が研究されている。
【０００３】ステッパーは、単一波長の光を露光光源に
用いている。単一波長で露光を行う場合には、定在波効
果と呼ばれる現象が発生することが広く知られている。
定在波が発生する原因は、レジスト膜内で光干渉が起こ
ることによる。すなわち、図１に示すように、入射光Ｐ
と、レジストＰＲと基板Ｓとの界面から反射光Ｒとが、
レジストＲＰの膜内で干渉を起こすことによる。
用いている。単一波長で露光を行う場合には、定在波効
果と呼ばれる現象が発生することが広く知られている。
定在波が発生する原因は、レジスト膜内で光干渉が起こ
ることによる。すなわち、図１に示すように、入射光Ｐ
と、レジストＰＲと基板Ｓとの界面から反射光Ｒとが、
レジストＲＰの膜内で干渉を起こすことによる。
【０００４】その結果として、図２に示すごとく、レジ
ストに吸収される光量（縦軸）が、レジスト膜厚（横
軸）に依存して変化する。なお本明細書中、レジストに
吸収される光量とは、表面反射や、金属が存在する場合
該金属での吸収や、レジストから出射した光の量などを
除いた、レジスト自体に吸収される光の量をいう。かか
る吸収光量が、レジストを光反射させるエネルギーとな
るものである。
ストに吸収される光量（縦軸）が、レジスト膜厚（横
軸）に依存して変化する。なお本明細書中、レジストに
吸収される光量とは、表面反射や、金属が存在する場合
該金属での吸収や、レジストから出射した光の量などを
除いた、レジスト自体に吸収される光の量をいう。かか
る吸収光量が、レジストを光反射させるエネルギーとな
るものである。
【０００５】なお、図２は、シリコン基板の上にレジス
ト膜（ＸＰ８８４３）を成膜し、レジスト膜の膜厚によ
る吸収光量の変化を調べた結果である。露光用光として
は、λ＝２４８ｎｍのＫｒＦを仮定した。また、その吸
収光量変化の度合いは、図３と図４との比較からも理解
されるように、下地基板の種類により異なる。図２，
３，４において、レジストはいずれもＸＰ８８４３（シ
プレー社）を用いているが、下地基板は各々Ｓｉ、Ａｌ
−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉである。すなわち、下地基板の光学定
数（ｎ，ｋ）およびレジストの光学定数（ｎ，ｋ）によ
り定まる多重干渉を考慮した複素振幅反射率（Ｒ）によ
り、吸収光量の変化の度合いは定まる。（（Ｒ）は実数
部と虚数部とをもつベクトル量であることを示す）。
ト膜（ＸＰ８８４３）を成膜し、レジスト膜の膜厚によ
る吸収光量の変化を調べた結果である。露光用光として
は、λ＝２４８ｎｍのＫｒＦを仮定した。また、その吸
収光量変化の度合いは、図３と図４との比較からも理解
されるように、下地基板の種類により異なる。図２，
３，４において、レジストはいずれもＸＰ８８４３（シ
プレー社）を用いているが、下地基板は各々Ｓｉ、Ａｌ
−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉである。すなわち、下地基板の光学定
数（ｎ，ｋ）およびレジストの光学定数（ｎ，ｋ）によ
り定まる多重干渉を考慮した複素振幅反射率（Ｒ）によ
り、吸収光量の変化の度合いは定まる。（（Ｒ）は実数
部と虚数部とをもつベクトル量であることを示す）。
【０００６】さらに、実デバイスにおいては、図５に示
すように、基板面には必ず凹凸が存在する。例えば、ポ
リシリコン等の凸部Ｉｎが存在する。このため、レジス
ト膜ＲＰを塗布した際、レジスト膜の厚さは、段差の上
部と下部とで異なることになる。つまり、凸部Ｉｎ上の
レジスト膜厚ｄPR2 は、それ以外の部分のレジスト膜厚
ｄPR1 よりも薄くなる。
すように、基板面には必ず凹凸が存在する。例えば、ポ
リシリコン等の凸部Ｉｎが存在する。このため、レジス
ト膜ＲＰを塗布した際、レジスト膜の厚さは、段差の上
部と下部とで異なることになる。つまり、凸部Ｉｎ上の
レジスト膜厚ｄPR2 は、それ以外の部分のレジスト膜厚
ｄPR1 よりも薄くなる。
【０００７】定在波効果は、レジスト膜厚により異なる
ことは、前記説明したとうりであり、このため、定在波
効果の影響を受けることによるレジストに吸収される光
量の変化も、各々変わってくる。この結果、露光、現象
後に得られるレジストパターンの寸法が、段差の上部と
下部とで異なってしまう。定在波効果のパターン寸法に
及ぼす影響は、同一波長、同一開口数のステッパーを用
いた場合、パターンが細かければ細かいほど顕著化し、
どの種のレジストについても、共通に見られる現象であ
る。
ことは、前記説明したとうりであり、このため、定在波
効果の影響を受けることによるレジストに吸収される光
量の変化も、各々変わってくる。この結果、露光、現象
後に得られるレジストパターンの寸法が、段差の上部と
下部とで異なってしまう。定在波効果のパターン寸法に
及ぼす影響は、同一波長、同一開口数のステッパーを用
いた場合、パターンが細かければ細かいほど顕著化し、
どの種のレジストについても、共通に見られる現象であ
る。
【０００８】上記定在波効果のパターン寸法におよぼす
影響は、同一波長、同一開口数のステッパーを用いた場
合、パターンが細かければ細かいほど顕著化する。図６
〜８に、ステッパーとしてニコンＮＳＲ１５０５ＥＸ１
（使用露光光：λ＝２４８ｎｍ、ＫｒＦエキシマ、ＮＡ
＝０．４２）を用い、レジストとしてＸＰ８８４３（シ
ップレーマイクロエレクトロニクス（株）の化学増幅型
レジスト；光酸発生剤を含むポリビニルフェノール系レ
ジスト）を用いた場合の、定在波効果の影響をパターン
サイズ毎に示す。明らかにパターンが微細化すればする
ほど、定在波効果が顕著になっている（図中に○で示す
０．５μｍ、０．４μｍ、０．３５μｍラインアンドス
ペースパターンのクリティカルディメンジョンシフトＣ
Ｄ−Ｓｈｉｆｔのばらつきも参照）。なお、図６は０．
５μｍの間隔のラインアンドスペースパターンの場合で
あり、図７は０．４μｍの間隔のラインアンドスペース
パターンの場合であり、図８は０．３５μｍの間隔のラ
インアンドスペースパターンの場合であり、微細化する
ほど、定在波効果が顕著になっている。
影響は、同一波長、同一開口数のステッパーを用いた場
合、パターンが細かければ細かいほど顕著化する。図６
〜８に、ステッパーとしてニコンＮＳＲ１５０５ＥＸ１
（使用露光光：λ＝２４８ｎｍ、ＫｒＦエキシマ、ＮＡ
＝０．４２）を用い、レジストとしてＸＰ８８４３（シ
ップレーマイクロエレクトロニクス（株）の化学増幅型
レジスト；光酸発生剤を含むポリビニルフェノール系レ
ジスト）を用いた場合の、定在波効果の影響をパターン
サイズ毎に示す。明らかにパターンが微細化すればする
ほど、定在波効果が顕著になっている（図中に○で示す
０．５μｍ、０．４μｍ、０．３５μｍラインアンドス
ペースパターンのクリティカルディメンジョンシフトＣ
Ｄ−Ｓｈｉｆｔのばらつきも参照）。なお、図６は０．
５μｍの間隔のラインアンドスペースパターンの場合で
あり、図７は０．４μｍの間隔のラインアンドスペース
パターンの場合であり、図８は０．３５μｍの間隔のラ
インアンドスペースパターンの場合であり、微細化する
ほど、定在波効果が顕著になっている。
【０００９】この傾向は、どの種のレジストについて
も、共通に見られる現象である。半導体装置等のデバイ
ス作製時のフォトリソグラフィー工程におけるレジスト
パターンの寸法精度は、一般に±５％である。トータル
では±５％よりも暖くても実用可とは考えられるが、フ
ォーカスその他の、他の要因によるバラツキも生ずるこ
とを考え合わせれば、レジスト露光時におけるパターン
精度は、この±５％以内に収めることが望まれる。この
±５％の寸法精度を達成するためには、定在波効果の低
減が必須である。
も、共通に見られる現象である。半導体装置等のデバイ
ス作製時のフォトリソグラフィー工程におけるレジスト
パターンの寸法精度は、一般に±５％である。トータル
では±５％よりも暖くても実用可とは考えられるが、フ
ォーカスその他の、他の要因によるバラツキも生ずるこ
とを考え合わせれば、レジスト露光時におけるパターン
精度は、この±５％以内に収めることが望まれる。この
±５％の寸法精度を達成するためには、定在波効果の低
減が必須である。
【００１０】図９に、レジスト膜内での吸収光量の変動
（横軸）に対する、レジストパターンの寸法変動（縦
軸）を示す。図９より、例えば０．３５μｍルールデバ
イスの作製を行うには、レジスト膜の吸収光量の変動
は、レンジ６％以下であることが要求されることがわか
る。
（横軸）に対する、レジストパターンの寸法変動（縦
軸）を示す。図９より、例えば０．３５μｍルールデバ
イスの作製を行うには、レジスト膜の吸収光量の変動
は、レンジ６％以下であることが要求されることがわか
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述した要求に答える
べく、現在各方面で反射防止技術の検討が精力的に行わ
れている。しかしながら、下地基板の材料や、使用する
レジストが決まっていても、その場合に適正な反射防止
効果が得られる反射防止膜の条件はどのようなものであ
るかを決定するのは、必ずしも容易ではない。
べく、現在各方面で反射防止技術の検討が精力的に行わ
れている。しかしながら、下地基板の材料や、使用する
レジストが決まっていても、その場合に適正な反射防止
効果が得られる反射防止膜の条件はどのようなものであ
るかを決定するのは、必ずしも容易ではない。
【００１２】例えば、反射防止膜が必要不可欠とされて
いるゲート構造上（例えばタングステンシリサイド（Ｗ
−Ｓｉ）膜上）のパターン形成において、レジスト膜の
吸収光量の変動を、例えばレンジ６％以下とする反射防
止膜は、どのような条件のものであるかは、決定されて
いない。当然、そのようなＷ−Ｓｉ上に有効な反射防止
膜材料は、未だ見い出されていない。
いるゲート構造上（例えばタングステンシリサイド（Ｗ
−Ｓｉ）膜上）のパターン形成において、レジスト膜の
吸収光量の変動を、例えばレンジ６％以下とする反射防
止膜は、どのような条件のものであるかは、決定されて
いない。当然、そのようなＷ−Ｓｉ上に有効な反射防止
膜材料は、未だ見い出されていない。
【００１３】このＷ−Ｓｉ材料をゲートとする構造につ
いては、現在、多層レジスト法もしくはダイ入りレジス
ト等により、パターン形成を行っている。よって、早急
に、Ｗ−Ｓｉ上での反射防止技術を確立することが必要
不可欠と考えられる。このような場合に、任意の単一波
長を露光光源として、任意の下地基板上に安定した微細
パターン形成を行うための反射防止膜に関する包括的な
条件、および具体的条件を決定し得る手段があれば、例
えば上記のようにＷ−Ｓｉ上にいかなる条件の反射防止
膜を形成すればよいのかを、見い出すことができる。し
かし、このような手法は、未だ、提案されていない。
いては、現在、多層レジスト法もしくはダイ入りレジス
ト等により、パターン形成を行っている。よって、早急
に、Ｗ−Ｓｉ上での反射防止技術を確立することが必要
不可欠と考えられる。このような場合に、任意の単一波
長を露光光源として、任意の下地基板上に安定した微細
パターン形成を行うための反射防止膜に関する包括的な
条件、および具体的条件を決定し得る手段があれば、例
えば上記のようにＷ−Ｓｉ上にいかなる条件の反射防止
膜を形成すればよいのかを、見い出すことができる。し
かし、このような手法は、未だ、提案されていない。
【００１４】
【発明の目的】本発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、任意の単一波長の光を露光光源として、任意の下
地基板上にレジストパターンを形成する際に、そのレジ
ストパターンが微細なものであっても、良好に、安定し
たレジストパターンを形成するためのレジストパターン
形成方法と新規な反射防止膜の形成方法を提供すること
を目的とする。
ので、任意の単一波長の光を露光光源として、任意の下
地基板上にレジストパターンを形成する際に、そのレジ
ストパターンが微細なものであっても、良好に、安定し
たレジストパターンを形成するためのレジストパターン
形成方法と新規な反射防止膜の形成方法を提供すること
を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、本発明に係るレジストパターン形成方法
は、下地基板上に形成した反射防止膜上のフォトレジス
トを単一波長により露光してレジストパターンを形成す
るレジストパターン形成方法であって、下地基板上に、
直接またはその他の層を介して、シリコンカーバイト系
膜で構成される反射防止膜を成膜する工程と、前記反射
防止膜の上に、直接またはその他の層を介してフォトレ
ジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を
行い、マスクパターンを転写する工程とを有する。
成するために、本発明に係るレジストパターン形成方法
は、下地基板上に形成した反射防止膜上のフォトレジス
トを単一波長により露光してレジストパターンを形成す
るレジストパターン形成方法であって、下地基板上に、
直接またはその他の層を介して、シリコンカーバイト系
膜で構成される反射防止膜を成膜する工程と、前記反射
防止膜の上に、直接またはその他の層を介してフォトレ
ジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を
行い、マスクパターンを転写する工程とを有する。
【００１６】前記反射防止膜としては、露光波長が１５
０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．２以上
３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．１６以上０．７
２以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反
射防止膜を成膜することが好ましい。
０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．２以上
３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．１６以上０．７
２以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反
射防止膜を成膜することが好ましい。
【００１７】前記反射防止膜として、露光波長が１５０
〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．９以上５．
７以下であり、吸収屈折率ｋが０以上０．４６以下であ
り、膜厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反射防止膜を
用いることもできる。前記反射防止膜として、露光波長
が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．２
以上３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．４以上１．
４以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反
射防止膜を用いることもできる。
〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．９以上５．
７以下であり、吸収屈折率ｋが０以上０．４６以下であ
り、膜厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反射防止膜を
用いることもできる。前記反射防止膜として、露光波長
が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．２
以上３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．４以上１．
４以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反
射防止膜を用いることもできる。
【００１８】前記反射防止膜として、露光波長が１５０
〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．９以上５．
７以下であり、吸収屈折率ｋが０．２以上０．６２以下
であり、膜厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反射防止
膜を用いることもできる。前記反射防止膜として、露光
波長が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎ＝
２．４±０．６、吸収屈折率ｋ＝０．７±０．２である
反射防止膜を用いることもできる。
〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．９以上５．
７以下であり、吸収屈折率ｋが０．２以上０．６２以下
であり、膜厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反射防止
膜を用いることもできる。前記反射防止膜として、露光
波長が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎ＝
２．４±０．６、吸収屈折率ｋ＝０．７±０．２である
反射防止膜を用いることもできる。
【００１９】前記下地基板としては、その少なくとも表
面が、シリコン系材料で構成されたものを用いることも
できる。前記シリコン系材料としては、単結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、ドープトポリシ
リコンなどを例示することができる。
面が、シリコン系材料で構成されたものを用いることも
できる。前記シリコン系材料としては、単結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、ドープトポリシ
リコンなどを例示することができる。
【００２０】前記下地基板としては、その少なくとも表
面が、高融点金属または高融点金属シリサイド系材料で
構成してある基板を用いることもできる。前記下地基板
としては、その少なくとも表面が、低融点金属系材料で
構成してある基板を用いることもできる。
面が、高融点金属または高融点金属シリサイド系材料で
構成してある基板を用いることもできる。前記下地基板
としては、その少なくとも表面が、低融点金属系材料で
構成してある基板を用いることもできる。
【００２１】前記低融点金属系材料としては、アルミニ
ウム、アルミニウム−シリコン合金、アルミニウム−シ
リコン−銅合金、銅、銅合金などを例示することができ
る。本発明において、下地基板の少なくとも表面が高融
点金属または高融点金属シリサイド系材料の場合に、前
記反射防止膜として、露光波長が１５０〜４５０ｎｍに
おいて、反射屈折率ｎが２．１以上３．３６以下、好ま
しくは２．９６以上３．３６であり、吸収屈折率ｋが
０．１４以上１．０以下、好ましくは０．１４以上０．
３４以下、さらに好ましくは０．１９以上０．２９以下
であり、膜厚が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、好ましくは
４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の反射防止膜を用いることが
好ましい。
ウム、アルミニウム−シリコン合金、アルミニウム−シ
リコン−銅合金、銅、銅合金などを例示することができ
る。本発明において、下地基板の少なくとも表面が高融
点金属または高融点金属シリサイド系材料の場合に、前
記反射防止膜として、露光波長が１５０〜４５０ｎｍに
おいて、反射屈折率ｎが２．１以上３．３６以下、好ま
しくは２．９６以上３．３６であり、吸収屈折率ｋが
０．１４以上１．０以下、好ましくは０．１４以上０．
３４以下、さらに好ましくは０．１９以上０．２９以下
であり、膜厚が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、好ましくは
４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の反射防止膜を用いることが
好ましい。
【００２２】本発明において、下地基板の少なくとも表
面が低融点金属系材料の場合に、前記反射防止膜とし
て、露光波長が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折
率ｎが２．１以上２．５以下であり、吸収屈折率ｋが
０．６以上１．０以下、好ましくは０．６５以上０．９
５以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の反射
防止膜を用いることが好ましい。
面が低融点金属系材料の場合に、前記反射防止膜とし
て、露光波長が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折
率ｎが２．１以上２．５以下であり、吸収屈折率ｋが
０．６以上１．０以下、好ましくは０．６５以上０．９
５以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の反射
防止膜を用いることが好ましい。
【００２３】本発明において、下地基板の少なくとも表
面がシリコン系材料の場合に、前記反射防止膜として、
露光波長が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎ
が２．１以上２．５以下であり、吸収屈折率ｋが０．４
５以上０．８５以下であり、膜厚が１５ｎｍ以上３５ｎ
ｍ以下の反射防止膜を用いることが好ましい。
面がシリコン系材料の場合に、前記反射防止膜として、
露光波長が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎ
が２．１以上２．５以下であり、吸収屈折率ｋが０．４
５以上０．８５以下であり、膜厚が１５ｎｍ以上３５ｎ
ｍ以下の反射防止膜を用いることが好ましい。
【００２４】本発明に係る反射防止膜形成方法およびレ
ジストパターン形成方法では、前記反射防止膜を実際に
成膜する前に、前記下地基板の種類に応じて、露光時の
フォトレジストでの定在波効果が最小となる条件の、反
射防止膜の反射屈折率ｎ、吸収屈折率ｋおよび膜厚をシ
ミュレーションにより求め、そのシミュレーションによ
り求められた反射屈折率ｎおよび吸収屈折率ｋに近づく
ように、下地基板の表面に直接またはその他の層を介し
て、シリコンカーバイト系膜で構成される反射防止膜
を、成膜条件を調節しながら、前記シミュレーションに
より求められた膜厚と略等しい膜厚で成膜することが好
ましい。
ジストパターン形成方法では、前記反射防止膜を実際に
成膜する前に、前記下地基板の種類に応じて、露光時の
フォトレジストでの定在波効果が最小となる条件の、反
射防止膜の反射屈折率ｎ、吸収屈折率ｋおよび膜厚をシ
ミュレーションにより求め、そのシミュレーションによ
り求められた反射屈折率ｎおよび吸収屈折率ｋに近づく
ように、下地基板の表面に直接またはその他の層を介し
て、シリコンカーバイト系膜で構成される反射防止膜
を、成膜条件を調節しながら、前記シミュレーションに
より求められた膜厚と略等しい膜厚で成膜することが好
ましい。
【００２５】前記原料ガスに、少なくとも水素元素を含
有する物質を含むことが好ましい。上記の新規な反射防
止膜の決定に際しては、以下の手段を用いて行った。 （I）任意に定めたある膜厚のレジストの膜厚に対し、
反射防止膜の光学条件（ｎ，ｋ）を連続的に変化させ
（ただし、反射防止膜の膜厚は固定しておく）た際のレ
ジスト膜内で吸収される吸収光量の等高線を求める。
有する物質を含むことが好ましい。上記の新規な反射防
止膜の決定に際しては、以下の手段を用いて行った。 （I）任意に定めたある膜厚のレジストの膜厚に対し、
反射防止膜の光学条件（ｎ，ｋ）を連続的に変化させ
（ただし、反射防止膜の膜厚は固定しておく）た際のレ
ジスト膜内で吸収される吸収光量の等高線を求める。
【００２６】（II）上記（I）で求めた各レジスト膜の
膜厚におけるレジスト内部の吸収光量の等高線の結果に
おいて、吸収光量の差が最小になる共通領域を見い出
し、この共通領域により限定される光学条件を、（I）
において定めた反射防止膜の膜厚における光学条件
（ｎ，ｋ）とする。
膜厚におけるレジスト内部の吸収光量の等高線の結果に
おいて、吸収光量の差が最小になる共通領域を見い出
し、この共通領域により限定される光学条件を、（I）
において定めた反射防止膜の膜厚における光学条件
（ｎ，ｋ）とする。
【００２７】（III）反射防止膜の膜厚を変化させて、
上記（I），（II）の操作を繰り返し行い、反射防止膜
の各膜厚に対する各最適条件の光学定数（ｎ，ｋ）を求
める。 （IV）上記（III）で得られた最適条件の光学定数を有
する実際の材質の反射防止膜を見い出す。
上記（I），（II）の操作を繰り返し行い、反射防止膜
の各膜厚に対する各最適条件の光学定数（ｎ，ｋ）を求
める。 （IV）上記（III）で得られた最適条件の光学定数を有
する実際の材質の反射防止膜を見い出す。
【００２８】次に、図面を参照して、本発明に用いられ
る反射防止膜の包括的条件を決定する上記手段（I）〜
（IV）について、より具体的に説明する。 定在波効果の極大値間、または極小値間のレジスト膜
厚は、レジストの屈折率をｎPRとし、露光用光の波長を
λとすると、λ／２ｎで与えられる（図１０参照）。
る反射防止膜の包括的条件を決定する上記手段（I）〜
（IV）について、より具体的に説明する。 定在波効果の極大値間、または極小値間のレジスト膜
厚は、レジストの屈折率をｎPRとし、露光用光の波長を
λとすると、λ／２ｎで与えられる（図１０参照）。
【００２９】レジストと下地基板との間に、反射防止
膜ＡＲＬを過程して、その膜厚さｄ arl ，光学定数をｎ
arl ，ｋarl とする。 図１０におけるある１点（例えば、定在波効果が極大
となる膜厚）の膜厚に着目すると、反射防止膜の膜厚さ
ｄarl を固定してｎarl ，ｋarl を変化させた場合、そ
の点におけるレジスト膜の吸収光量は変化する。この変
化する軌跡、すなわち吸収光量の等高線を求めると、図
１１に示すようになる。
膜ＡＲＬを過程して、その膜厚さｄ arl ，光学定数をｎ
arl ，ｋarl とする。 図１０におけるある１点（例えば、定在波効果が極大
となる膜厚）の膜厚に着目すると、反射防止膜の膜厚さ
ｄarl を固定してｎarl ，ｋarl を変化させた場合、そ
の点におけるレジスト膜の吸収光量は変化する。この変
化する軌跡、すなわち吸収光量の等高線を求めると、図
１１に示すようになる。
【００３０】他の異なったレジスト膜厚ｄPRについ
て、少なくとも定在波効果を極大もしくは極小にする膜
厚を基準にして、λ／８ｎPR間隔で４ケ所に対して、
を繰り返し行うと、図１１に対応した図１２〜図１４が
得られる（図１１〜図１４は、反射防止膜厚を２０ｎｍ
に規定し、レジスト膜厚を各々９８５ｎｍ、１０００ｎ
ｍ、１０１８ｎｍ、１０３５ｎｍとした結果を示す）。
以上は、上記手段（I）に該当する。
て、少なくとも定在波効果を極大もしくは極小にする膜
厚を基準にして、λ／８ｎPR間隔で４ケ所に対して、
を繰り返し行うと、図１１に対応した図１２〜図１４が
得られる（図１１〜図１４は、反射防止膜厚を２０ｎｍ
に規定し、レジスト膜厚を各々９８５ｎｍ、１０００ｎ
ｍ、１０１８ｎｍ、１０３５ｎｍとした結果を示す）。
以上は、上記手段（I）に該当する。
【００３１】図１１〜図１４の各々グラフの共通領域
は、反射防止膜の特定の膜厚について、レジスト膜厚が
変化しても、レジスト膜内での吸収光量が変化しない領
域を示している。すなわち、上記共通領域は、定在波効
果を最小にする、反射防止効果が最も高い領域である。
よって、かかる共通領域を見い出す。共通領域を見い出
すのは、例えば簡便には、各図（グラフ）を重ね合わせ
て、共通領域をとることにより、行うことができる（も
ちろん、コンピュータでの共通領域の検索により行って
もよい）。これは上記手段（II）に該当する。
は、反射防止膜の特定の膜厚について、レジスト膜厚が
変化しても、レジスト膜内での吸収光量が変化しない領
域を示している。すなわち、上記共通領域は、定在波効
果を最小にする、反射防止効果が最も高い領域である。
よって、かかる共通領域を見い出す。共通領域を見い出
すのは、例えば簡便には、各図（グラフ）を重ね合わせ
て、共通領域をとることにより、行うことができる（も
ちろん、コンピュータでの共通領域の検索により行って
もよい）。これは上記手段（II）に該当する。
【００３２】次に、反射防止膜の膜厚ｄを連続的に変
化させて、上記を繰り返す。たとえば最初のステ
ップのまでは、ｄ＝２０ｎｍとして操作を行ったとす
ると、ｄを変えて、上記を繰り返し行う。これにより、
定在波効果を最小にするような反射防止膜の膜厚
ｄarl 、光学定数ｎarl ，ｋarl の条件を特定できる。
これは上記手段（III）に該当する。
化させて、上記を繰り返す。たとえば最初のステ
ップのまでは、ｄ＝２０ｎｍとして操作を行ったとす
ると、ｄを変えて、上記を繰り返し行う。これにより、
定在波効果を最小にするような反射防止膜の膜厚
ｄarl 、光学定数ｎarl ，ｋarl の条件を特定できる。
これは上記手段（III）に該当する。
【００３３】上記で特定した反射防止膜の満たすべ
き条件（膜厚、光学定数）を満足するような膜の種類
を、露光用光における各膜種の光学定数を測定すること
により、見い出す。これは手段（IV）に該当する。上記
手法は、全ての波長、全ての下地基板に対して、原理的
に適用可能である。
き条件（膜厚、光学定数）を満足するような膜の種類
を、露光用光における各膜種の光学定数を測定すること
により、見い出す。これは手段（IV）に該当する。上記
手法は、全ての波長、全ての下地基板に対して、原理的
に適用可能である。
【００３４】上記（I）〜（IV）の手段で、本発明に係
る方法で好適に用いることができる反射防止膜について
検討したところ、シリコンカーバイト膜（ＳｉX Ｃ
y 膜）が特に適切であることが判明した。この膜は、そ
の成膜条件により、光学条件を大きく変化させることが
可能であり、上記手法により求めた定在波効果を最小に
する反射防止膜の光学条件に合わせた反射防止膜を、容
易に成膜することができる。
る方法で好適に用いることができる反射防止膜について
検討したところ、シリコンカーバイト膜（ＳｉX Ｃ
y 膜）が特に適切であることが判明した。この膜は、そ
の成膜条件により、光学条件を大きく変化させることが
可能であり、上記手法により求めた定在波効果を最小に
する反射防止膜の光学条件に合わせた反射防止膜を、容
易に成膜することができる。
【００３５】このシリコンカーバイト系膜からなる反射
防止膜は、各種ＣＶＤ法、スパッタリング法により容易
に成膜することができる。たとえば、この膜は、平行平
板型プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、もし
くはバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法を利用し、マイク
ロ波を用いて、シラン系ガスと酸素を含むガスと（たと
えばＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ）の混合ガスを用いて成膜すること
ができる。また、その際に、バッファガスとして、アル
ゴンＡｒガスまたはＮ2 ガスなどを用いることができ
る。
防止膜は、各種ＣＶＤ法、スパッタリング法により容易
に成膜することができる。たとえば、この膜は、平行平
板型プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、もし
くはバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法を利用し、マイク
ロ波を用いて、シラン系ガスと酸素を含むガスと（たと
えばＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ）の混合ガスを用いて成膜すること
ができる。また、その際に、バッファガスとして、アル
ゴンＡｒガスまたはＮ2 ガスなどを用いることができ
る。
【００３６】また、これらＳｉx Ｃy 膜は、レジストを
マスクとして、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ
8 、ＳＦ6 、Ｓ2 Ｆ2 、ＮＦ3 系ガスをエッチャントと
し、Ａｒを添加してイオン性を高めたＲＩＥにより、容
易にエッチングすることができる。そのＲＩＥは、約２
Ｐａ程度の圧力下で、１０〜１００Ｗ程度のパワーをか
けて行うことが好ましい。また、ＲＩＥ時のガスの流量
は、特に限定されないが、５〜７０ＳＣＣＭであること
が好ましい。
マスクとして、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ
8 、ＳＦ6 、Ｓ2 Ｆ2 、ＮＦ3 系ガスをエッチャントと
し、Ａｒを添加してイオン性を高めたＲＩＥにより、容
易にエッチングすることができる。そのＲＩＥは、約２
Ｐａ程度の圧力下で、１０〜１００Ｗ程度のパワーをか
けて行うことが好ましい。また、ＲＩＥ時のガスの流量
は、特に限定されないが、５〜７０ＳＣＣＭであること
が好ましい。
【００３７】
【実施例】以下本発明の実施例について、具体的に説明
する。ただし、当然のことではあるが、本発明は以下の
実施例により限定されるものではない。実施例１ この実施例は、ＫｒＦエキシマリソグラフィーを用いて
Ｗ−Ｓｉ膜上に安定したレジストパターンを形成するた
めの実施例である。
する。ただし、当然のことではあるが、本発明は以下の
実施例により限定されるものではない。実施例１ この実施例は、ＫｒＦエキシマリソグラフィーを用いて
Ｗ−Ｓｉ膜上に安定したレジストパターンを形成するた
めの実施例である。
【００３８】本実施例では、実際に反射防止膜を用いて
レジストパターンを形成する前に、以下の手法により、
フォトレジストでの定在波効果を最小にすることができ
る反射防止膜の最適な光学条件および膜厚を求めた。 （１）反射防止膜がない状態で、Ｗ−Ｓｉ膜上にＸＰ８
８４３レジスト（シプレイマイクロエレクトロニクス
（株））を塗布し、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザー光により露光、現象した際の定在波効果を図１５
に示す。図１５より、定在波効果は、約±２０％であ
る。
レジストパターンを形成する前に、以下の手法により、
フォトレジストでの定在波効果を最小にすることができ
る反射防止膜の最適な光学条件および膜厚を求めた。 （１）反射防止膜がない状態で、Ｗ−Ｓｉ膜上にＸＰ８
８４３レジスト（シプレイマイクロエレクトロニクス
（株））を塗布し、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザー光により露光、現象した際の定在波効果を図１５
に示す。図１５より、定在波効果は、約±２０％であ
る。
【００３９】（２）図１５において、定在波効果の極大
値は、例えばレジスト膜厚が９８５ｎｍのときにある。
レジスト膜厚９８５ｎｍに着目し、かつ反射防止膜の膜
厚を３０ｎｍとした際、反射防止膜の光学定数ｎarl 、
ｋarl の変化に対するレジスト膜内の吸収光量の変化
（吸収光量の等高線）を図１６に示す。
値は、例えばレジスト膜厚が９８５ｎｍのときにある。
レジスト膜厚９８５ｎｍに着目し、かつ反射防止膜の膜
厚を３０ｎｍとした際、反射防止膜の光学定数ｎarl 、
ｋarl の変化に対するレジスト膜内の吸収光量の変化
（吸収光量の等高線）を図１６に示す。
【００４０】（３）レジスト膜厚１０００ｎｍ、１０１
７．５ｎｍ、１０３５ｎｍ各々に対して、上記（２）を
繰り返し行った結果を、各々図１７、図１８、図１９に
示す。 （４）図１７〜１９の共通領域を求めた結果、 ｎarl ＝４．９， ｋarl ＝０．１ または、ｎarl ＝２．１５， ｋarl ＝０．６７を得
た。
７．５ｎｍ、１０３５ｎｍ各々に対して、上記（２）を
繰り返し行った結果を、各々図１７、図１８、図１９に
示す。 （４）図１７〜１９の共通領域を求めた結果、 ｎarl ＝４．９， ｋarl ＝０．１ または、ｎarl ＝２．１５， ｋarl ＝０．６７を得
た。
【００４１】すなわち、反射防止膜の膜厚を３０ｎｍと
した際の最適反射防止膜の満たすべき条件は、 ｎarl ＝４．９， ｋarl ＝０．１ または、ｎarl ＝２．１５， ｋarl ＝０．６７であ
る。
した際の最適反射防止膜の満たすべき条件は、 ｎarl ＝４．９， ｋarl ＝０．１ または、ｎarl ＝２．１５， ｋarl ＝０．６７であ
る。
【００４２】本条件を用いて定在波効果を求めると、図
２０、図２１に示す結果を得た。図２０，２１におい
て、定在波効果はきわめて小さく、いずれの場合におい
ても、約±１％であった。反射防止膜なしの場合と比較
して、１／２０程度に定在波効果は低減された。なお、
図２０と図２１とでは、反射防止膜の光学条件が相違す
る。
２０、図２１に示す結果を得た。図２０，２１におい
て、定在波効果はきわめて小さく、いずれの場合におい
ても、約±１％であった。反射防止膜なしの場合と比較
して、１／２０程度に定在波効果は低減された。なお、
図２０と図２１とでは、反射防止膜の光学条件が相違す
る。
【００４３】（５）上記（２）〜（４）の操作は、反射
防止膜の膜厚を３０ｎｍとした場合であるが、他の異な
る反射防止膜の膜厚（ＡＲＬ膜厚）に対しても、（２）
〜（４）を繰り返して行うと、反射防止膜の膜厚に応じ
た反射防止膜の最適条件が求まる。求めた結果を図２
２，２３に示す。図２２，２３に示すように、解（Valu
e）１については、反射防止膜として、反射屈折率ｎが
１．２以上３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．１６
以上０．７２以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎ
ｍ以下であるものが、最適な反射防止膜となり、解（Va
lue）２については、反射防止膜として、反射屈折率ｎ
が１．９以上５．７以下であり、吸収屈折率ｋが０以上
０．４６以下であるものが、最適な反射防止膜となるこ
とが判明した。図２２，２３に示す曲線上に一致する
ｎ，ｋを有する反射防止膜が最も好ましいが、必ずしも
曲線上ではなく、ｎについては±０．６、好ましくは±
０．２であり、ｋについては±０．３、好ましくは±
０．２、さらに好ましくは±０．１５、さらにまた好ま
しくは±０．０５の範囲にあれば、十分な反射防止効果
を奏する。
防止膜の膜厚を３０ｎｍとした場合であるが、他の異な
る反射防止膜の膜厚（ＡＲＬ膜厚）に対しても、（２）
〜（４）を繰り返して行うと、反射防止膜の膜厚に応じ
た反射防止膜の最適条件が求まる。求めた結果を図２
２，２３に示す。図２２，２３に示すように、解（Valu
e）１については、反射防止膜として、反射屈折率ｎが
１．２以上３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．１６
以上０．７２以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎ
ｍ以下であるものが、最適な反射防止膜となり、解（Va
lue）２については、反射防止膜として、反射屈折率ｎ
が１．９以上５．７以下であり、吸収屈折率ｋが０以上
０．４６以下であるものが、最適な反射防止膜となるこ
とが判明した。図２２，２３に示す曲線上に一致する
ｎ，ｋを有する反射防止膜が最も好ましいが、必ずしも
曲線上ではなく、ｎについては±０．６、好ましくは±
０．２であり、ｋについては±０．３、好ましくは±
０．２、さらに好ましくは±０．１５、さらにまた好ま
しくは±０．０５の範囲にあれば、十分な反射防止効果
を奏する。
【００４４】（６）上記（５）で求めた反射防止膜の満
たすべき条件を満足するような膜種が存在するのか否か
を、分光エリプソメーター（ＳＯＰＲＡ社、“Ｍｏｓｓ
Ｓｙｓｔｅｍ”）、および、“Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏ
ｆ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ ｏｆ Ｓｏ
ｌｉｄｓ”（Ｅ．Ｄ．Ｐａｌｉｋ，ａｃａｄｅｍｙｐｒ
ｅｓｓ，’８５）を用いて調査した。この結果、図２４
に示すｎ，ｋチャートが得られた。このチャート上に、
対応するｎ，ｋを有する物質を示してある。この図２４
より、膜厚５０ｎｍのＳｉx Ｃy 膜（シリコンカーバイ
ト膜、ＳｉＣ膜とも称する）が、図２２，２３の条件を
完全に満たすことが分かった。すなわち、ＷＳｉを下地
基板とする場合には、好ましくは、反射屈折率ｎ＝３．
１６±０．６（好ましくはｎ＝３．１６±０．２）、吸
収屈折率ｋ＝０．２４±０．２（好ましくはｋ＝０．２
４±０．０５）、膜厚ｄ＝５０ｎｍ±１０ｎｍであるＳ
ｉx Ｃy 膜を反射防止膜として用いれば、定在波効果を
最小限にすることができることが予想される。
たすべき条件を満足するような膜種が存在するのか否か
を、分光エリプソメーター（ＳＯＰＲＡ社、“Ｍｏｓｓ
Ｓｙｓｔｅｍ”）、および、“Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏ
ｆ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ ｏｆ Ｓｏ
ｌｉｄｓ”（Ｅ．Ｄ．Ｐａｌｉｋ，ａｃａｄｅｍｙｐｒ
ｅｓｓ，’８５）を用いて調査した。この結果、図２４
に示すｎ，ｋチャートが得られた。このチャート上に、
対応するｎ，ｋを有する物質を示してある。この図２４
より、膜厚５０ｎｍのＳｉx Ｃy 膜（シリコンカーバイ
ト膜、ＳｉＣ膜とも称する）が、図２２，２３の条件を
完全に満たすことが分かった。すなわち、ＷＳｉを下地
基板とする場合には、好ましくは、反射屈折率ｎ＝３．
１６±０．６（好ましくはｎ＝３．１６±０．２）、吸
収屈折率ｋ＝０．２４±０．２（好ましくはｋ＝０．２
４±０．０５）、膜厚ｄ＝５０ｎｍ±１０ｎｍであるＳ
ｉx Ｃy 膜を反射防止膜として用いれば、定在波効果を
最小限にすることができることが予想される。
【００４５】次に、上記光学条件および膜厚のＳｉx Ｃ
y 膜を成膜することにより、実際に定在波効果が低減さ
れるか否かを確認した。図２５に示すように、シリコン
基板Ｓの上に、高融点金属シリサイドであるＷＳｉを積
層し、その上に、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲ
Ｌを成膜した。すなわち、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用い、
Ｓｉx Ｃy 膜を５０ｎｍ成膜した。そのＳｉx Ｃy 膜か
ら成る反射防止膜ＡＲＬの反射屈折率ｎが３．１６であ
り、吸収屈折率ｋが０．２４であった。そのＳｉx Ｃy
膜から成る反射防止膜ＡＲＬの上に、ＸＰ８８４３から
成るフォトレジストＰＲを形成し、定在波効果を調べた
結果を図２６中の実施例１に示す。
y 膜を成膜することにより、実際に定在波効果が低減さ
れるか否かを確認した。図２５に示すように、シリコン
基板Ｓの上に、高融点金属シリサイドであるＷＳｉを積
層し、その上に、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲ
Ｌを成膜した。すなわち、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用い、
Ｓｉx Ｃy 膜を５０ｎｍ成膜した。そのＳｉx Ｃy 膜か
ら成る反射防止膜ＡＲＬの反射屈折率ｎが３．１６であ
り、吸収屈折率ｋが０．２４であった。そのＳｉx Ｃy
膜から成る反射防止膜ＡＲＬの上に、ＸＰ８８４３から
成るフォトレジストＰＲを形成し、定在波効果を調べた
結果を図２６中の実施例１に示す。
【００４６】なお、比較のために、反射防止膜は形成し
ない以外は同様にして定在波効果を調べた結果も、図２
６中に比較例１として示す。実施例１では、定在波効果
は、約±１％程度であり、反射防止膜を用いなかった比
較例１の場合と比較して、定在波効果は１／２０程度に
低減された。
ない以外は同様にして定在波効果を調べた結果も、図２
６中に比較例１として示す。実施例１では、定在波効果
は、約±１％程度であり、反射防止膜を用いなかった比
較例１の場合と比較して、定在波効果は１／２０程度に
低減された。
【００４７】図２５に示す構造で、フォトレジストＰＲ
を０．３５μm ルールの線幅で、露光用光としてλ＝２
４８ｎｍのＫｒＦレーザを用いてフォトリソグラフィー
を行ったところ、マスクパターンに近い良好なレジスト
パターンが得られた。その後、レジストパターンをマス
クとして、下地基板をエッチングした。まず、Ｓｉx Ｃ
y 膜のエッチングは、ＣＨＦ3 （５０〜１００ＳＣＣ
Ｍ）＋Ｃ2 （３〜２０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐ
ａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーを
かけ、Ａｒを添加してイオン性を高めたリアクティブエ
ッチング（ＲＩＥ）法により、エッチングを行うように
して、所望のパターンをエッチングした。
を０．３５μm ルールの線幅で、露光用光としてλ＝２
４８ｎｍのＫｒＦレーザを用いてフォトリソグラフィー
を行ったところ、マスクパターンに近い良好なレジスト
パターンが得られた。その後、レジストパターンをマス
クとして、下地基板をエッチングした。まず、Ｓｉx Ｃ
y 膜のエッチングは、ＣＨＦ3 （５０〜１００ＳＣＣ
Ｍ）＋Ｃ2 （３〜２０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐ
ａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーを
かけ、Ａｒを添加してイオン性を高めたリアクティブエ
ッチング（ＲＩＥ）法により、エッチングを行うように
して、所望のパターンをエッチングした。
【００４８】次に、下地基板である図２５に示すＷＳｉ
ゲートＧを、所定パターンのフォトレジストＰＲをマス
クとして、ＲＩＥなどでエッチングした。微細なレジス
トパターンが転写された良好な微細パターンのＷＳｉゲ
ートＧを得ることができた。実施例２ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１と同様に
して、下地基板を加工した。
ゲートＧを、所定パターンのフォトレジストＰＲをマス
クとして、ＲＩＥなどでエッチングした。微細なレジス
トパターンが転写された良好な微細パターンのＷＳｉゲ
ートＧを得ることができた。実施例２ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１と同様に
して、下地基板を加工した。
【００４９】すなわち、本実施例では、平行型プラズマ
ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、もしくはバイアス
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を利用し、必要に応じてマイク
ロ波（２．４５ＧＨｚ）を用いて、ＳｉＨ4 ＋ＣＨ4 ＋
Ｈ2 混合ガスを用いて、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止
膜を成膜した。なお、原料ガスのバッファガスとして、
ＡｒまたはＮ2 を用いてもよい。
ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、もしくはバイアス
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を利用し、必要に応じてマイク
ロ波（２．４５ＧＨｚ）を用いて、ＳｉＨ4 ＋ＣＨ4 ＋
Ｈ2 混合ガスを用いて、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止
膜を成膜した。なお、原料ガスのバッファガスとして、
ＡｒまたはＮ2 を用いてもよい。
【００５０】この反射防止膜には、レジストの成膜前
に、Ｏ2 のプラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ
処理を行うことにより、化学増幅型レジスト下方での酸
の失活を防止し、レジストのパターンエッジ部の裾引き
またはオーバーハングを防止することができる。
に、Ｏ2 のプラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ
処理を行うことにより、化学増幅型レジスト下方での酸
の失活を防止し、レジストのパターンエッジ部の裾引き
またはオーバーハングを防止することができる。
【００５１】実施例３ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１と同様に
して、下地基板を加工した。すなわち、本実施例では、
熱ＣＶＤ法を利用し、原料ガスとして、 ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨＣｌ3 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ2 Ｈ4 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＣｌ3 ＋ＣＨ3 ＋Ｈ2 のガスを用いて、１００℃〜１５００℃温度で、０．０
１〜１００００Ｐａの圧力下で成膜した。これにより、
所望の反射防止効果を有するＳｉＣ膜が得られた。
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１と同様に
して、下地基板を加工した。すなわち、本実施例では、
熱ＣＶＤ法を利用し、原料ガスとして、 ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨＣｌ3 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ2 Ｈ4 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＣｌ3 ＋ＣＨ3 ＋Ｈ2 のガスを用いて、１００℃〜１５００℃温度で、０．０
１〜１００００Ｐａの圧力下で成膜した。これにより、
所望の反射防止効果を有するＳｉＣ膜が得られた。
【００５２】実施例４ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１と同様に
して、下地基板を加工した。すなわち、本実施例では、
プラズマＣＶＤ法を利用し、Ｓｉ2 Ｈ6 +Ｓｉ（ＣＨ
3 ）Ｈ3 ＋Ｃ2 Ｈ2 混合ガスの光化学反応を用いて、成
膜を行った。
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１と同様に
して、下地基板を加工した。すなわち、本実施例では、
プラズマＣＶＤ法を利用し、Ｓｉ2 Ｈ6 +Ｓｉ（ＣＨ
3 ）Ｈ3 ＋Ｃ2 Ｈ2 混合ガスの光化学反応を用いて、成
膜を行った。
【００５３】これにより、所望の反射防止効果を有する
ＳｉＣ膜が得られた。実施例５ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１と同様に
して、下地基板を加工した。
ＳｉＣ膜が得られた。実施例５ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１と同様に
して、下地基板を加工した。
【００５４】すなわち、本実施例では、スパッタ法を利
用して、ＳｉＣをターゲットとしたスパッタリング法に
て、成膜を行った。これにより、所望の反射防止効果を
有するＳｉＣ膜が得られた。実施例６ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例１と同様にして、下地基
板を加工した。
用して、ＳｉＣをターゲットとしたスパッタリング法に
て、成膜を行った。これにより、所望の反射防止効果を
有するＳｉＣ膜が得られた。実施例６ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例１と同様にして、下地基
板を加工した。
【００５５】すなわち、本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜の
エッチングは、Ｃ4 Ｆ8 （３０〜７０ＳＣＣＭ）＋ＣＨ
Ｆ3 （１０〜３０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐａ程
度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーをかけ
イオン性を高めたリアクティブエッチング法により、所
望のパターンをエッチングした。
エッチングは、Ｃ4 Ｆ8 （３０〜７０ＳＣＣＭ）＋ＣＨ
Ｆ3 （１０〜３０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐａ程
度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーをかけ
イオン性を高めたリアクティブエッチング法により、所
望のパターンをエッチングした。
【００５６】実施例７ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例１と同様にして、下地基
板を加工した。
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例１と同様にして、下地基
板を加工した。
【００５７】すなわち、本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜の
エッチングは、Ｓ2 Ｆ2 （５〜３０ＳＣＣＭ）のガス系
を用い、２Ｐａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程
度のパワーをかけイオン性を高めたリアクティブエッチ
ング法により、所望のパターンをエッチングした。
エッチングは、Ｓ2 Ｆ2 （５〜３０ＳＣＣＭ）のガス系
を用い、２Ｐａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程
度のパワーをかけイオン性を高めたリアクティブエッチ
ング法により、所望のパターンをエッチングした。
【００５８】実施例８ 本実施例では、図２７に示すように、シリコン基板Ｓの
上に、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕなど
の低融点金属材料Ｇを積層し、その上に、反射防止膜Ａ
ＲＬを積層し、ＫｒＦエキシマリソグラフィーを用い
て、フォトレジストＰＲのフォトリソグラフィー加工を
行う。その際に、本実施例では、反射防止膜として、Ｓ
ｉX Ｃy 膜を用いる。
上に、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕなど
の低融点金属材料Ｇを積層し、その上に、反射防止膜Ａ
ＲＬを積層し、ＫｒＦエキシマリソグラフィーを用い
て、フォトレジストＰＲのフォトリソグラフィー加工を
行う。その際に、本実施例では、反射防止膜として、Ｓ
ｉX Ｃy 膜を用いる。
【００５９】Ａｌ−Ｓｉとしては、一般に使用されてい
る１重量％Ｓｉ含有のＡｌ−Ｓｉ合金の他、Ｓｉがこれ
よりも少ないものや、あるいはこれより多いものについ
ても、好ましく用いることができる。Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
としては、たとえばＳｉが１重量％前後であり、Ｃｕが
０．１〜２重量％程度のものに好ましく適用できるが、
これらに限らない。代表的には、Ｓｉ１重量％、Ｃｕ
０．５重量％のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金である。
る１重量％Ｓｉ含有のＡｌ−Ｓｉ合金の他、Ｓｉがこれ
よりも少ないものや、あるいはこれより多いものについ
ても、好ましく用いることができる。Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
としては、たとえばＳｉが１重量％前後であり、Ｃｕが
０．１〜２重量％程度のものに好ましく適用できるが、
これらに限らない。代表的には、Ｓｉ１重量％、Ｃｕ
０．５重量％のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金である。
【００６０】Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃ
ｕなどの低融点金属下地基板上に用いる反射防止膜とし
て、ＳｉX Ｃy 膜を見い出した手法は、下地基板の材質
および反射率が相違する以外は、前記実施例１と同様に
して行った。すなわち、以下の手法を用いた。
ｕなどの低融点金属下地基板上に用いる反射防止膜とし
て、ＳｉX Ｃy 膜を見い出した手法は、下地基板の材質
および反射率が相違する以外は、前記実施例１と同様に
して行った。すなわち、以下の手法を用いた。
【００６１】（１）反射防止膜がない状態で、Ａｌ、Ａ
ｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕ基板上にＸＰ８８４
３レジスト（シプレイマイクロエレクトロニクス
（株））を塗布し、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザー光により露光、現像した。この時の定在波効果を
図３に示す。図３により、定在波効果は、約±２９．６
％である。
ｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕ基板上にＸＰ８８４
３レジスト（シプレイマイクロエレクトロニクス
（株））を塗布し、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザー光により露光、現像した。この時の定在波効果を
図３に示す。図３により、定在波効果は、約±２９．６
％である。
【００６２】（２）図３において、定在波効果の極大値
は、例えば、レジスト膜厚が９８２ｎｍのときにある。
レジスト膜厚９８２ｎｍに着目し、かつ反射防止膜の膜
厚を３０ｎｍとした際、反射防止膜の光学定数ｎarl 、
ｋarl の変化に対するレジスト膜内の吸収光量の等高線
を図２８に示す。
は、例えば、レジスト膜厚が９８２ｎｍのときにある。
レジスト膜厚９８２ｎｍに着目し、かつ反射防止膜の膜
厚を３０ｎｍとした際、反射防止膜の光学定数ｎarl 、
ｋarl の変化に対するレジスト膜内の吸収光量の等高線
を図２８に示す。
【００６３】（３）レジスト膜厚１０００ｎｍ、１０１
８ｎｍ、１０３５ｎｍ各々に対して、上記（２）を繰り
返し行った結果、各々図２９，図３０，図３１に示す。 （４）図２８〜３１の共通領域を求めた結果、 ｎarl ＝４．８， ｋarl ＝０．４５ または、ｎarl ＝２．０， ｋarl ＝０．８を得
た。
８ｎｍ、１０３５ｎｍ各々に対して、上記（２）を繰り
返し行った結果、各々図２９，図３０，図３１に示す。 （４）図２８〜３１の共通領域を求めた結果、 ｎarl ＝４．８， ｋarl ＝０．４５ または、ｎarl ＝２．０， ｋarl ＝０．８を得
た。
【００６４】すなわち、反射防止膜の膜厚を３０ｎｍと
した際の最適反射防止膜の満たすべき条件は、 ｎarl ＝４．８， ｋarl ＝０．４５ または、ｎarl ＝２．０， ｋarl ＝０．８であ
る。
した際の最適反射防止膜の満たすべき条件は、 ｎarl ＝４．８， ｋarl ＝０．４５ または、ｎarl ＝２．０， ｋarl ＝０．８であ
る。
【００６５】本条件を用いて定在波効果を求めると、図
３２，３３に示す結果を得た。図３３２，図３３におい
て、定在波効果はきわめて小さく、いずれの場合におい
ても、レンジ約１％以下であった。図３に示す反射防止
膜なしの場合に比較して、１／３０程度に定在波効果は
低減された。図３２と図３３とでは、反射防止膜の光学
条件が相違する。 （５）上記（２）〜（４）の操作は、反射防止膜の膜厚
を３０ｎｍとした場合であるが、他の異なる反射防止膜
の膜厚（ＡＲＬ膜厚）に対しても、（２）〜（４）を繰
り返し行うと、反射防止膜の膜厚に応じた反射防止膜の
最適条件が求まる。求めた結果を図２２，図３４に示
す。図２２，３４に示すように、解（Value）１につい
ては、反射防止膜として、反射屈折率ｎが１．２以上
３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．４以上１．４以
下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるも
のが、最適な反射防止膜となり、解（Value）２につい
ては、反射防止膜として、反射屈折率ｎが１．９以上
５．７以下であり、吸収屈折率ｋが０．２以上０．６２
以下であるものが、最適な反射防止膜となることが判明
した。図２２，３４に示す曲線上に一致するｎ，ｋを有
する反射防止膜が最も好ましいが、必ずしも曲線上では
なく、ｎについては±０．６、好ましくは±０．２であ
り、ｋについては±０．３、好ましくは±０．２、さら
に好ましくは±０．１５、さらにまた好ましくは±０．
０５の範囲にあれば、十分な反射防止効果を奏する。
３２，３３に示す結果を得た。図３３２，図３３におい
て、定在波効果はきわめて小さく、いずれの場合におい
ても、レンジ約１％以下であった。図３に示す反射防止
膜なしの場合に比較して、１／３０程度に定在波効果は
低減された。図３２と図３３とでは、反射防止膜の光学
条件が相違する。 （５）上記（２）〜（４）の操作は、反射防止膜の膜厚
を３０ｎｍとした場合であるが、他の異なる反射防止膜
の膜厚（ＡＲＬ膜厚）に対しても、（２）〜（４）を繰
り返し行うと、反射防止膜の膜厚に応じた反射防止膜の
最適条件が求まる。求めた結果を図２２，図３４に示
す。図２２，３４に示すように、解（Value）１につい
ては、反射防止膜として、反射屈折率ｎが１．２以上
３．４以下であり、吸収屈折率ｋが０．４以上１．４以
下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるも
のが、最適な反射防止膜となり、解（Value）２につい
ては、反射防止膜として、反射屈折率ｎが１．９以上
５．７以下であり、吸収屈折率ｋが０．２以上０．６２
以下であるものが、最適な反射防止膜となることが判明
した。図２２，３４に示す曲線上に一致するｎ，ｋを有
する反射防止膜が最も好ましいが、必ずしも曲線上では
なく、ｎについては±０．６、好ましくは±０．２であ
り、ｋについては±０．３、好ましくは±０．２、さら
に好ましくは±０．１５、さらにまた好ましくは±０．
０５の範囲にあれば、十分な反射防止効果を奏する。
【００６６】（６）上記（５）で求めた反射防止膜の満
たすべき条件を満足するような膜種が存在するのか否か
を、分光エリプソメーター（ＳＯＰＲＡ社）を用いて調
査した。この結果、Ｓｉx Ｃy 膜をＣＶＤ法を用いて成
膜する際の成膜条件に対応して、光学定数が変化するこ
とを、図３５に示すように見い出した。図３５中、Ａｌ
−（１％）Ｓｉの○印で示す領域は、図２２，図３４の
条件を満たす。すなわち、好ましくは、反射屈折率ｎ＝
２．３±０．６（好ましくはｎ＝２．３±０．２）、吸
収屈折率ｋ＝０．８±０．２、膜厚２０±１０ｎｍであ
るＳｉx Ｃy 膜を反射防止膜として用いれば、定在波効
果を最小限にすることができることが予想される。
たすべき条件を満足するような膜種が存在するのか否か
を、分光エリプソメーター（ＳＯＰＲＡ社）を用いて調
査した。この結果、Ｓｉx Ｃy 膜をＣＶＤ法を用いて成
膜する際の成膜条件に対応して、光学定数が変化するこ
とを、図３５に示すように見い出した。図３５中、Ａｌ
−（１％）Ｓｉの○印で示す領域は、図２２，図３４の
条件を満たす。すなわち、好ましくは、反射屈折率ｎ＝
２．３±０．６（好ましくはｎ＝２．３±０．２）、吸
収屈折率ｋ＝０．８±０．２、膜厚２０±１０ｎｍであ
るＳｉx Ｃy 膜を反射防止膜として用いれば、定在波効
果を最小限にすることができることが予想される。
【００６７】次に、上記光学条件および膜厚のＳｉx Ｃ
y 膜を成膜することにより実際に定在波効果が低減され
るか否かを確認した。図２７に示すように、シリコン基
板Ｓの上に、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなど
の低融点金属材料層Ｇを積層し、その上に、図３５に示
す○印の条件近くで、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜
ＡＲＬを成膜した。すなわち、バイアスＥＣＲ−プラズ
マＣＶＤ装置を用い、ＲＦパワー３００Ｗ近く、圧力
０．０４Ｐａ近傍、ＳｉＨ4 ／Ｃ2 Ｈ4 の流量比が、Ｓ
ｉＨ4 リッチの条件でＳｉx Ｃy膜を約２０ｎｍ成膜し
た。そのＳｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬの反射
屈折率ｎが２．３であり、吸収屈折率ｋが０．８１であ
った。そのＳｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬの上
に、ＸＰ８８４３から成るフォトレジストＰＲを形成
し、定在波効果を調べた結果を図３６中の実施例８に示
す。
y 膜を成膜することにより実際に定在波効果が低減され
るか否かを確認した。図２７に示すように、シリコン基
板Ｓの上に、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなど
の低融点金属材料層Ｇを積層し、その上に、図３５に示
す○印の条件近くで、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜
ＡＲＬを成膜した。すなわち、バイアスＥＣＲ−プラズ
マＣＶＤ装置を用い、ＲＦパワー３００Ｗ近く、圧力
０．０４Ｐａ近傍、ＳｉＨ4 ／Ｃ2 Ｈ4 の流量比が、Ｓ
ｉＨ4 リッチの条件でＳｉx Ｃy膜を約２０ｎｍ成膜し
た。そのＳｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬの反射
屈折率ｎが２．３であり、吸収屈折率ｋが０．８１であ
った。そのＳｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬの上
に、ＸＰ８８４３から成るフォトレジストＰＲを形成
し、定在波効果を調べた結果を図３６中の実施例８に示
す。
【００６８】なお、比較のために、反射防止膜は形成し
ない以外は同様にして定在波効果を調べた結果も比較例
２として示す。実施例８では、定在波効果は、約±２．
２％（１．４％）程度であり、反射防止膜を用いなかっ
た比較例２の場合と比較して、定在波効果は１／１５程
度に低減された。
ない以外は同様にして定在波効果を調べた結果も比較例
２として示す。実施例８では、定在波効果は、約±２．
２％（１．４％）程度であり、反射防止膜を用いなかっ
た比較例２の場合と比較して、定在波効果は１／１５程
度に低減された。
【００６９】図２７に示す構造で、フォトレジストＰＲ
を０．３５μm ルールの線幅で、露光用光としてλ＝２
４８ｎｍのＫｒＦレーザを用いてフォトリソグラフィー
を行ったところ、マスクパターンに近い良好なレジスト
パターンが得られた。その後、レジストパターンをマス
クとして、下地基板をエッチングした。まず、Ｓｉx Ｃ
y 膜のエッチングは、ＣＨＦ3 （５０〜１００ＳＣＣ
Ｍ）＋Ｃ2 （３〜２０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐ
ａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーを
かけイオン性を高めたリアクティブエッチング（ＲＩ
Ｅ）法により、エッチングを行うようにして、所望のパ
ターンをエッチングした。
を０．３５μm ルールの線幅で、露光用光としてλ＝２
４８ｎｍのＫｒＦレーザを用いてフォトリソグラフィー
を行ったところ、マスクパターンに近い良好なレジスト
パターンが得られた。その後、レジストパターンをマス
クとして、下地基板をエッチングした。まず、Ｓｉx Ｃ
y 膜のエッチングは、ＣＨＦ3 （５０〜１００ＳＣＣ
Ｍ）＋Ｃ2 （３〜２０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐ
ａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーを
かけイオン性を高めたリアクティブエッチング（ＲＩ
Ｅ）法により、エッチングを行うようにして、所望のパ
ターンをエッチングした。
【００７０】次に、下地基板である図２７に示す金属配
線材料である低融点金属材料層Ｇを、所定パターンのフ
ォトレジストＰＲをマスクとして、ＲＩＥなどでエッチ
ングした。微細なレジストパターンが転写された良好な
微細パターンの金属配線層を得ることができた。
線材料である低融点金属材料層Ｇを、所定パターンのフ
ォトレジストＰＲをマスクとして、ＲＩＥなどでエッチ
ングした。微細なレジストパターンが転写された良好な
微細パターンの金属配線層を得ることができた。
【００７１】実施例９ 本実施例では、実施例８で示したＳｉx Ｃy 膜から成る
反射防止膜を、以下の手法により成膜した以外は、前記
実施例８と同様にして、下地基板を加工した。すなわ
ち、本実施例では、平行平板型プラズマＣＶＤ法、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法、もしくはバイアスＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法を利用し、必要に応じてマイクロ波（２．４５
ＧＨｚ）を用いて、ＳｉＨ4 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 混合ガスを
用いて、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を成膜した。
なお、原料ガスのバッファガスとして、ＡｒまたはＮ2
を用いてもよい。
反射防止膜を、以下の手法により成膜した以外は、前記
実施例８と同様にして、下地基板を加工した。すなわ
ち、本実施例では、平行平板型プラズマＣＶＤ法、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法、もしくはバイアスＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法を利用し、必要に応じてマイクロ波（２．４５
ＧＨｚ）を用いて、ＳｉＨ4 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 混合ガスを
用いて、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を成膜した。
なお、原料ガスのバッファガスとして、ＡｒまたはＮ2
を用いてもよい。
【００７２】この反射防止膜には、レジストの成膜前
に、Ｏ2 のプラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ
処理を行うことにより、化学増幅型レジスト下方での酸
の失活を防止し、レジストのパターンエッジ部の裾引き
またはオーバーハングを防止することができる。
に、Ｏ2 のプラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ
処理を行うことにより、化学増幅型レジスト下方での酸
の失活を防止し、レジストのパターンエッジ部の裾引き
またはオーバーハングを防止することができる。
【００７３】実施例１０ 本実施例では、実施例８で示したＳｉx Ｃy 膜から成る
反射防止膜を、以下の手法により成膜した以外は、前記
実施例８と同様にして、下地基板を加工した。すなわ
ち、本実施例では、熱ＣＶＤ法を利用し、原料ガスとし
て、 ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨＣｌ3 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ2 Ｈ4 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＣｌ3 ＋ＣＨ3 ＋Ｈ2 のガスを用いて、１００℃〜１５００℃温度で、０．０
１〜１００００Ｐａの圧力下で成膜した。これにより、
所望の反射防止効果を有するＳｉＣ膜が得られた。
反射防止膜を、以下の手法により成膜した以外は、前記
実施例８と同様にして、下地基板を加工した。すなわ
ち、本実施例では、熱ＣＶＤ法を利用し、原料ガスとし
て、 ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨＣｌ3 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ2 Ｈ4 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＣｌ3 ＋ＣＨ3 ＋Ｈ2 のガスを用いて、１００℃〜１５００℃温度で、０．０
１〜１００００Ｐａの圧力下で成膜した。これにより、
所望の反射防止効果を有するＳｉＣ膜が得られた。
【００７４】実施例１１ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例８と同様に
して、下地基板を加工した。すなわち、本実施例では、
プラズマＣＶＤ法を利用し、Ｓｉ2 Ｈ6 +Ｓｉ（ＣＨ
3 ）Ｈ3 ＋Ｃ2 Ｈ2 混合ガスの光化学反応を用いて、成
膜を行った。
下の手法により成膜した以外は、前記実施例８と同様に
して、下地基板を加工した。すなわち、本実施例では、
プラズマＣＶＤ法を利用し、Ｓｉ2 Ｈ6 +Ｓｉ（ＣＨ
3 ）Ｈ3 ＋Ｃ2 Ｈ2 混合ガスの光化学反応を用いて、成
膜を行った。
【００７５】これにより、所望の反射防止効果を有する
ＳｉＣ膜が得られた。実施例１２ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例８と同様に
して、下地基板を加工した。
ＳｉＣ膜が得られた。実施例１２ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例８と同様に
して、下地基板を加工した。
【００７６】すなわち、本実施例では、スパッタ法を利
用して、ＳｉＣをターゲットとしたスパッタリング法に
て、成膜を行った。これにより、所望の反射防止効果を
有するＳｉＣ膜が得られた。実施例１３ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例８と同様にして、下地基
板を加工した。
用して、ＳｉＣをターゲットとしたスパッタリング法に
て、成膜を行った。これにより、所望の反射防止効果を
有するＳｉＣ膜が得られた。実施例１３ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例８と同様にして、下地基
板を加工した。
【００７７】すなわち、本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜の
エッチングは、Ｃ4 Ｆ8 （３０〜７０ＳＣＣＭ）＋ＣＨ
Ｆ3 （１０〜３０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐａ程
度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーをかけ
イオン性を高めたリアクティブエッチング法により、所
望のパターンをエッチングした。
エッチングは、Ｃ4 Ｆ8 （３０〜７０ＳＣＣＭ）＋ＣＨ
Ｆ3 （１０〜３０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐａ程
度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーをかけ
イオン性を高めたリアクティブエッチング法により、所
望のパターンをエッチングした。
【００７８】実施例１４ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例８と同様にして、下地基
板を加工した。
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例８と同様にして、下地基
板を加工した。
【００７９】すなわち、本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜の
エッチングは、Ｓ2 Ｆ2 （５〜３０ＳＣＣＭ）のガス系
を用い、２Ｐａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程
度のパワーをかけイオン性を高めたリアクティブエッチ
ング法により、所望のパターンをエッチングした。
エッチングは、Ｓ2 Ｆ2 （５〜３０ＳＣＣＭ）のガス系
を用い、２Ｐａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程
度のパワーをかけイオン性を高めたリアクティブエッチ
ング法により、所望のパターンをエッチングした。
【００８０】実施例１５ 本実施例では、前記実施例８〜１４において、下地基板
として、Ｃｕ系金属材料であるＣｕを用いた以外は、前
記実施例と同様にして、下地基板上に反射防止膜を成膜
し、その上にレジスト膜を成膜し、レジスト膜のフォト
リソグラフィー加工を行い、そのレジスト膜をマスクと
して、反射防止膜および下地基板のエッチングを行っ
た。
として、Ｃｕ系金属材料であるＣｕを用いた以外は、前
記実施例と同様にして、下地基板上に反射防止膜を成膜
し、その上にレジスト膜を成膜し、レジスト膜のフォト
リソグラフィー加工を行い、そのレジスト膜をマスクと
して、反射防止膜および下地基板のエッチングを行っ
た。
【００８１】Ｃｕから成る下地基板でも、同様にして、
定在波効果を最小限にして良好なパターンで微細加工を
行うことができた。実施例１６ 本実施例では、図３７に示すように、下地基板Ｓとし
て、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコ
ン、ドープトポリシリコン等のシリコン系下地基板Ｇを
用い、その上に、反射防止膜ＡＲＬを積層し、ＫｒＦエ
キシマリソグラフィーを用いて、フォトレジストＰＲの
フォトリソグラフィー加工を行う。その際に、本実施例
では、反射防止膜として、ＳｉX Ｃy 膜を用いる。
定在波効果を最小限にして良好なパターンで微細加工を
行うことができた。実施例１６ 本実施例では、図３７に示すように、下地基板Ｓとし
て、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコ
ン、ドープトポリシリコン等のシリコン系下地基板Ｇを
用い、その上に、反射防止膜ＡＲＬを積層し、ＫｒＦエ
キシマリソグラフィーを用いて、フォトレジストＰＲの
フォトリソグラフィー加工を行う。その際に、本実施例
では、反射防止膜として、ＳｉX Ｃy 膜を用いる。
【００８２】単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質
シリコン、ドープドポリシリコン等のシリコン系基板上
に用いる反射防止膜として、ＳｉX Ｃy 膜を見い出した
手法は、下地基板の材質および反射率が相違する以外
は、前記実施例１と同様にして行った。すなわち、以下
の手法を用いた。
シリコン、ドープドポリシリコン等のシリコン系基板上
に用いる反射防止膜として、ＳｉX Ｃy 膜を見い出した
手法は、下地基板の材質および反射率が相違する以外
は、前記実施例１と同様にして行った。すなわち、以下
の手法を用いた。
【００８３】（１）反射防止膜がない状態でＳｉ系基板
上にＸＰ８８４３レジスト（シプレイマイクロエレクト
ロニクス（株））を塗布し、波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザー光を光源とする露光機で、現像した。こ
の時の定在波効果を図３８に示す。図３８より、定在波
効果は、約±２０％である。
上にＸＰ８８４３レジスト（シプレイマイクロエレクト
ロニクス（株））を塗布し、波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザー光を光源とする露光機で、現像した。こ
の時の定在波効果を図３８に示す。図３８より、定在波
効果は、約±２０％である。
【００８４】（２）図３８において、定在波効果の極大
値は、例えばレジスト膜厚が９８５ｎｍのときにある。
レジスト膜厚９８５ｎｍに着目し、かつ反射防止膜の膜
厚を３０ｎｍとした際、反射防止膜の光学定数ｎarl 、
ｋarl の変化に対するレジスト膜内の吸収光量の変化を
求める。
値は、例えばレジスト膜厚が９８５ｎｍのときにある。
レジスト膜厚９８５ｎｍに着目し、かつ反射防止膜の膜
厚を３０ｎｍとした際、反射防止膜の光学定数ｎarl 、
ｋarl の変化に対するレジスト膜内の吸収光量の変化を
求める。
【００８５】（３）他の複数のレジスト膜厚を取って、
その各々に対して、上記（２）を繰り返し行った。 （４）その結果を図示し、これらの共通領域を求める。
このような操作を各種反射防止膜膜厚について求め、こ
れにより、ある膜厚についての光学定数の最適値（ｎ
値，ｋ値）を求める。例えば、反射防止膜の膜厚を２５
ｎｍとした際の最適反射防止膜の満たすべき光学条件
は、ｎarl ＝２．３， ｋarl ＝０．６５である。
その各々に対して、上記（２）を繰り返し行った。 （４）その結果を図示し、これらの共通領域を求める。
このような操作を各種反射防止膜膜厚について求め、こ
れにより、ある膜厚についての光学定数の最適値（ｎ
値，ｋ値）を求める。例えば、反射防止膜の膜厚を２５
ｎｍとした際の最適反射防止膜の満たすべき光学条件
は、ｎarl ＝２．３， ｋarl ＝０．６５である。
【００８６】上記条件を用いて定在波効果を求めると、
図３９に示す結果を得た。図３９において、本実施例
（with SiO）の場合の定在波効果は極めて小さく、±１
％以下であった。反射防止膜なし（without SiO）の場
合の±２３％に比較して、１／２３程度以下に定在波効
果は低減された。
図３９に示す結果を得た。図３９において、本実施例
（with SiO）の場合の定在波効果は極めて小さく、±１
％以下であった。反射防止膜なし（without SiO）の場
合の±２３％に比較して、１／２３程度以下に定在波効
果は低減された。
【００８７】（５）上記（２）〜（４）の操作は、反射
防止膜の膜厚を２５ｎｍとした場合であるが、他の異な
る反射防止膜の膜厚（ＡＲＬ膜厚）に対しても、（２）
〜（４）を繰り返し行うと、反射防止膜の膜厚に応じた
反射防止膜の最適条件が求まる。
防止膜の膜厚を２５ｎｍとした場合であるが、他の異な
る反射防止膜の膜厚（ＡＲＬ膜厚）に対しても、（２）
〜（４）を繰り返し行うと、反射防止膜の膜厚に応じた
反射防止膜の最適条件が求まる。
【００８８】（６）上記（５）で求めた反射防止膜の満
たすべき条件を満足するような膜種が存在するのか否か
を、分光エリプソメーター（ＳＯＰＲＡ社）を用いて調
査した。この結果、前記実施例８と同様に、Ｓｉx Ｃy
膜をＣＶＤ法を用いて成膜する際の成膜条件に対応して
光学定数が図３５に示す変化を示すことを見い出した。
図３５中のＳｉ条件○で示す領域は、上述した（４）の
条件を満たす。
たすべき条件を満足するような膜種が存在するのか否か
を、分光エリプソメーター（ＳＯＰＲＡ社）を用いて調
査した。この結果、前記実施例８と同様に、Ｓｉx Ｃy
膜をＣＶＤ法を用いて成膜する際の成膜条件に対応して
光学定数が図３５に示す変化を示すことを見い出した。
図３５中のＳｉ条件○で示す領域は、上述した（４）の
条件を満たす。
【００８９】すなわち、図３５中Ｓｉ条件○で示す領域
となるように、ＣＶＤの条件を設定して、Ｓｉx Ｃy 膜
から成る反射防止膜を成膜すれば、その反射屈折率ｎお
よび吸収屈折率ｋは、反射防止膜の膜厚が２５ｎｍで最
適となるｎarl ＝２．３，ｋ arl ＝０．６５に近づく。
なお、ｎの許容値は±０．６であり、ｋの許容値は±
０．３であり、膜厚ｄの許容値は±１０ｎｍである。
となるように、ＣＶＤの条件を設定して、Ｓｉx Ｃy 膜
から成る反射防止膜を成膜すれば、その反射屈折率ｎお
よび吸収屈折率ｋは、反射防止膜の膜厚が２５ｎｍで最
適となるｎarl ＝２．３，ｋ arl ＝０．６５に近づく。
なお、ｎの許容値は±０．６であり、ｋの許容値は±
０．３であり、膜厚ｄの許容値は±１０ｎｍである。
【００９０】その結果、図３７に示すように、シリコン
系材料で構成された下地基板Ｇの上に、図３５に示すＳ
ｉ条件○印の条件で、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜
を成膜し、その上にフォトレジストＰＲを成膜し、フォ
トレジストＰＲのホトリソグラフィ加工を行う際に、定
在波効果を最小限にすることができることが予想され
る。
系材料で構成された下地基板Ｇの上に、図３５に示すＳ
ｉ条件○印の条件で、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜
を成膜し、その上にフォトレジストＰＲを成膜し、フォ
トレジストＰＲのホトリソグラフィ加工を行う際に、定
在波効果を最小限にすることができることが予想され
る。
【００９１】次に、上記光学条件および膜厚のＳｉx Ｃ
y 膜を成膜することにより実際に定在波効果が低減され
るか否かを確認した。図３７に示すように、シリコン基
板Ｓの上に、図３５に示すＳｉ条件○印の条件近くで、
Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬを成膜した。す
なわち、バイアスＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用い、ＲＦパワ
ー３００Ｗ付近で、ＳｉＨ4 ／Ｃ2 Ｈの流量比が、Ｓｉ
Ｈ4 プアの条件でＳｉx Ｃy 膜を約２５ｎｍ成膜した。
そのＳｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬの反射屈折
率ｎが２．３であり、吸収屈折率ｋが０．６５であっ
た。そのＳｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬの上
に、ＸＰ８８４３から成るフォトレジストＰＲを形成
し、定在波効果を調べた結果を図３９中の実施例１６に
示す。
y 膜を成膜することにより実際に定在波効果が低減され
るか否かを確認した。図３７に示すように、シリコン基
板Ｓの上に、図３５に示すＳｉ条件○印の条件近くで、
Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬを成膜した。す
なわち、バイアスＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用い、ＲＦパワ
ー３００Ｗ付近で、ＳｉＨ4 ／Ｃ2 Ｈの流量比が、Ｓｉ
Ｈ4 プアの条件でＳｉx Ｃy 膜を約２５ｎｍ成膜した。
そのＳｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬの反射屈折
率ｎが２．３であり、吸収屈折率ｋが０．６５であっ
た。そのＳｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜ＡＲＬの上
に、ＸＰ８８４３から成るフォトレジストＰＲを形成
し、定在波効果を調べた結果を図３９中の実施例１６に
示す。
【００９２】なお、比較のために、反射防止膜は形成し
ない以外は同様にして定在波効果を調べた結果も比較例
３として示す。実施例１６では、定在波効果は、約±
１．１％程度であり、反射防止膜を用いなかった比較例
３の場合（±２３％）と比較して、定在波効果は１／２
３程度に低減された。
ない以外は同様にして定在波効果を調べた結果も比較例
３として示す。実施例１６では、定在波効果は、約±
１．１％程度であり、反射防止膜を用いなかった比較例
３の場合（±２３％）と比較して、定在波効果は１／２
３程度に低減された。
【００９３】実際に、図３７に示す構造で、フォトレジ
ストＰＲを０．３５μm ルールの線幅で、露光用光とし
てλ＝２４８ｎｍのＫｒＦレーザを用いてフォトリソグ
ラフィーを行ったところ、マスクパターンに近い良好な
レジストパターンが得られた。
ストＰＲを０．３５μm ルールの線幅で、露光用光とし
てλ＝２４８ｎｍのＫｒＦレーザを用いてフォトリソグ
ラフィーを行ったところ、マスクパターンに近い良好な
レジストパターンが得られた。
【００９４】その後、レジストパターンをマスクとし
て、下地基板をエッチングした。まず、Ｓｉx Ｃy 膜の
エッチングは、ＣＨＦ3 （５０〜１００ＳＣＣＭ）＋Ｃ
2 （３〜２０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐａ程度の
圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーをかけイオ
ン性を高めたリアクティブエッチング（ＲＩＥ）法によ
り、エッチングを行うようにして、所望のパターンをエ
ッチングした。
て、下地基板をエッチングした。まず、Ｓｉx Ｃy 膜の
エッチングは、ＣＨＦ3 （５０〜１００ＳＣＣＭ）＋Ｃ
2 （３〜２０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐａ程度の
圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーをかけイオ
ン性を高めたリアクティブエッチング（ＲＩＥ）法によ
り、エッチングを行うようにして、所望のパターンをエ
ッチングした。
【００９５】次に、下地基板である図３７に示すシリコ
ン系材料で構成された下地基板Ｇの表面を、所定パター
ンのフォトレジストＰＲをマスクとして、ＲＩＥなどで
エッチングした。微細なレジストパターンが転写された
良好な微細パターンを得ることができた。
ン系材料で構成された下地基板Ｇの表面を、所定パター
ンのフォトレジストＰＲをマスクとして、ＲＩＥなどで
エッチングした。微細なレジストパターンが転写された
良好な微細パターンを得ることができた。
【００９６】実施例１７ 本実施例では、実施例１６で示したＳｉX Ｃy 膜を、以
下の手法により成膜した以外は、実施例１６と同様にし
て、反射防止膜を形成した。すなわち、本実施例では、
平行平板型プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
法、もしくはバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法を利用
し、必要に応じてマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を用い
て、ＳｉＨ4 ＋Ｃ2 混合ガスを用いて成膜した。なお、
この原料ガスには、バッファガスとして、ＡｒまたはＮ
2 を用いてもよい。
下の手法により成膜した以外は、実施例１６と同様にし
て、反射防止膜を形成した。すなわち、本実施例では、
平行平板型プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
法、もしくはバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法を利用
し、必要に応じてマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を用い
て、ＳｉＨ4 ＋Ｃ2 混合ガスを用いて成膜した。なお、
この原料ガスには、バッファガスとして、ＡｒまたはＮ
2 を用いてもよい。
【００９７】この反射防止膜には、レジストの成膜前
に、Ｏ2 のプラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ
処理を行うことにより、化学増幅型レジスト下方での酸
の失活を防止し、レジストのパターンエッジ部の裾引き
またはオーバーハングを防止することができる。
に、Ｏ2 のプラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ
処理を行うことにより、化学増幅型レジスト下方での酸
の失活を防止し、レジストのパターンエッジ部の裾引き
またはオーバーハングを防止することができる。
【００９８】実施例１８ 本実施例では、実施例１６で示したＳｉx Ｃy 膜から成
る反射防止膜を、以下の手法により成膜した以外は、前
記実施例１６と同様にして、下地基板を加工した。
る反射防止膜を、以下の手法により成膜した以外は、前
記実施例１６と同様にして、下地基板を加工した。
【００９９】すなわち、本実施例では、熱ＣＶＤ法を利
用し、原料ガスとして、 ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨＣｌ3 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ2 Ｈ4 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＣｌ3 ＋ＣＨ3 ＋Ｈ2 のガスを用いて、１００℃〜１５００℃温度で、０．０
１〜１００００Ｐａの圧力下で成膜した。これにより、
所望の反射防止効果を有するＳｉＣ膜が得られた。
用し、原料ガスとして、 ＳｉＣｌ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨＣｌ3 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ3 Ｈ8 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＨ4 ＋Ｃ2 Ｈ4 ＋Ｈ2 もしくは、ＳｉＣｌ3 ＋ＣＨ3 ＋Ｈ2 のガスを用いて、１００℃〜１５００℃温度で、０．０
１〜１００００Ｐａの圧力下で成膜した。これにより、
所望の反射防止効果を有するＳｉＣ膜が得られた。
【０１００】実施例１９ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１６と同様
にして、下地基板を加工した。すなわち、本実施例で
は、プラズマＣＶＤ法を利用し、Ｓｉ2 Ｈ6 +Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）Ｈ3 ＋Ｃ2 Ｈ2 混合ガスの光化学反応を用いて、
成膜を行った。
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１６と同様
にして、下地基板を加工した。すなわち、本実施例で
は、プラズマＣＶＤ法を利用し、Ｓｉ2 Ｈ6 +Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）Ｈ3 ＋Ｃ2 Ｈ2 混合ガスの光化学反応を用いて、
成膜を行った。
【０１０１】これにより、所望の反射防止効果を有する
ＳｉＣ膜が得られた。実施例２０ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１６と同様
にして、下地基板を加工した。
ＳｉＣ膜が得られた。実施例２０ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により成膜した以外は、前記実施例１６と同様
にして、下地基板を加工した。
【０１０２】すなわち、本実施例では、スパッタ法を利
用して、ＳｉＣをターゲットとしたスパッタリング法に
て、成膜を行った。これにより、所望の反射防止効果を
有するＳｉＣ膜が得られた。実施例２１ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例１６と同様にして、下地
基板を加工した。
用して、ＳｉＣをターゲットとしたスパッタリング法に
て、成膜を行った。これにより、所望の反射防止効果を
有するＳｉＣ膜が得られた。実施例２１ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例１６と同様にして、下地
基板を加工した。
【０１０３】すなわち、本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜の
エッチングは、Ｃ4 Ｆ8 （３０〜７０ＳＣＣＭ）＋ＣＨ
Ｆ3 （１０〜３０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐａ程
度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーをかけ
イオン性を高めたリアクティブエッチング法により、所
望のパターンをエッチングした。
エッチングは、Ｃ4 Ｆ8 （３０〜７０ＳＣＣＭ）＋ＣＨ
Ｆ3 （１０〜３０ＳＣＣＭ）のガス系を用い、２Ｐａ程
度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程度のパワーをかけ
イオン性を高めたリアクティブエッチング法により、所
望のパターンをエッチングした。
【０１０４】実施例２２ 本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜から成る反射防止膜を、以
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例１６と同様にして、下地
基板を加工した。
下の手法により、レジストパターンをマスクとしてエッ
チングした以外は、前記実施例１６と同様にして、下地
基板を加工した。
【０１０５】すなわち、本実施例では、Ｓｉx Ｃy 膜の
エッチングは、Ｓ2 Ｆ2 （５〜３０ＳＣＣＭ）のガス系
を用い、２Ｐａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程
度のパワーをかけイオン性を高めたリアクティブエッチ
ング法により、所望のパターンをエッチングした。
エッチングは、Ｓ2 Ｆ2 （５〜３０ＳＣＣＭ）のガス系
を用い、２Ｐａ程度の圧力下で、１００〜１０００Ｗ程
度のパワーをかけイオン性を高めたリアクティブエッチ
ング法により、所望のパターンをエッチングした。
【０１０６】実施例２３ 本実施例では、ＳｉＨ4 とＣ2 Ｈ4 混合ガスを用いて、
Ｓｉx Ｃy 膜を形成したところ、形成された膜には水素
が含有されていることが確認された。すなわち、上記実
施例において、Ｓｉx Ｃy 膜と考えられていた反射防止
膜の一部は、Ｓｉx Ｃy Ｈz 膜（ただし、ｚは０でも良
い）であったと考えられる。
Ｓｉx Ｃy 膜を形成したところ、形成された膜には水素
が含有されていることが確認された。すなわち、上記実
施例において、Ｓｉx Ｃy 膜と考えられていた反射防止
膜の一部は、Ｓｉx Ｃy Ｈz 膜（ただし、ｚは０でも良
い）であったと考えられる。
【０１０７】実施例２４ 本実施例では、前記実施例１において、図４０，４１に
示すように、レジスト厚みとクリティカルディメンジョ
ンとの関係を、実際に調べた。いずれもＷＳｉ上におい
て、ＫｒＦエキシマレーザー光を用いて実験した。図４
０は０．３０μｍラインアンドスペースパターンの場合
であり、図４１は０．３５μｍラインアンドスペースパ
ターンの場合である。いずれも、レジストとしては化学
増幅型のポジレジストを用いた。
示すように、レジスト厚みとクリティカルディメンジョ
ンとの関係を、実際に調べた。いずれもＷＳｉ上におい
て、ＫｒＦエキシマレーザー光を用いて実験した。図４
０は０．３０μｍラインアンドスペースパターンの場合
であり、図４１は０．３５μｍラインアンドスペースパ
ターンの場合である。いずれも、レジストとしては化学
増幅型のポジレジストを用いた。
【０１０８】図４０，４１に示すように、レジストの厚
みによらず、略一定の線幅のパターンが得られることが
確認された。実施例２５ 本実施例では、前記実施例１，８または１６において、
図４２に示すように、反射防止膜ＡＲＬの上に、酸化シ
リコン膜などの他の層Ｏｘを積層し、その上にフォトレ
ジストＰＲを積層し、前記実施例１，８または１６と同
様にして、レジストパターンを形成した。
みによらず、略一定の線幅のパターンが得られることが
確認された。実施例２５ 本実施例では、前記実施例１，８または１６において、
図４２に示すように、反射防止膜ＡＲＬの上に、酸化シ
リコン膜などの他の層Ｏｘを積層し、その上にフォトレ
ジストＰＲを積層し、前記実施例１，８または１６と同
様にして、レジストパターンを形成した。
【０１０９】前記実施例１，８または１６と同様に、微
細なレジストパターンを良好に形成することができた。実施例２６ 本実施例では、前記実施例１，８または１６において、
図４３に示すように、下地基板Ｇの上に、酸化シリコン
膜などの他の層Ｏｘを積層し、その上に反射防止膜ＡＲ
ＬおよびフォトレジストＰＲを積層し、前記実施例１，
８または１６と同様にして、レジストパターンを形成し
た。
細なレジストパターンを良好に形成することができた。実施例２６ 本実施例では、前記実施例１，８または１６において、
図４３に示すように、下地基板Ｇの上に、酸化シリコン
膜などの他の層Ｏｘを積層し、その上に反射防止膜ＡＲ
ＬおよびフォトレジストＰＲを積層し、前記実施例１，
８または１６と同様にして、レジストパターンを形成し
た。
【０１１０】前記実施例１，８または１６と同様に、微
細なレジストパターンを良好に形成することができた。
細なレジストパターンを良好に形成することができた。
【０１１１】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
レジストパターン形成方法によれば、任意の単一波長の
光を露光光源として、任意の下地基板上にレジストパタ
ーンを形成する際に、露光時の定在波効果を最小限にす
ることができ、レジストパターンが微細なものであって
も、良好に、安定したレジストパターンが形成できる。
また、本発明に係る反射防止膜形成方法によれば、定在
波効果を最小限にする光学条件を有する反射防止膜を、
きわめて容易に成膜することができ、また、そのエッチ
ングも容易である。
レジストパターン形成方法によれば、任意の単一波長の
光を露光光源として、任意の下地基板上にレジストパタ
ーンを形成する際に、露光時の定在波効果を最小限にす
ることができ、レジストパターンが微細なものであって
も、良好に、安定したレジストパターンが形成できる。
また、本発明に係る反射防止膜形成方法によれば、定在
波効果を最小限にする光学条件を有する反射防止膜を、
きわめて容易に成膜することができ、また、そのエッチ
ングも容易である。
【図１】従来技術の問題点を説明する図であり、レジス
ト膜内での光の干渉を示す図である。
ト膜内での光の干渉を示す図である。
【図２】従来技術の問題点を説明する図であり、定在波
効果を示す図である。
効果を示す図である。
【図３】従来技術の問題点を説明する図であり、定在波
効果を示す図である。
効果を示す図である。
【図４】従来技術の問題点を説明する図であり、定在波
効果を示す図である。
効果を示す図である。
【図５】従来技術の問題点を説明する図であり、段差の
影響をを示す図である。
影響をを示す図である。
【図６】定在波効果の影響を示す図である。
【図７】定在波効果の影響を示す図である。
【図８】定在波効果の影響を示す図である。
【図９】吸収光量の変動とパターン寸法変動との関係を
示す図である。
示す図である。
【図１０】定在波効果を示す図である。
【図１１】或るレジスト膜厚について、反射防止膜ＡＲ
Ｌの膜厚を固定して、ｎarl ，ｋarl を変化させた場合
のレジスト膜の吸収光量の変化の軌跡（吸収光量の等高
線）を示す図である。
Ｌの膜厚を固定して、ｎarl ，ｋarl を変化させた場合
のレジスト膜の吸収光量の変化の軌跡（吸収光量の等高
線）を示す図である。
【図１２】他の異なったレジスト膜厚についての軌跡
（等高線）を示す図である。
（等高線）を示す図である。
【図１３】他の異なったレジスト膜厚についての軌跡
（等高線）を示す図である。
（等高線）を示す図である。
【図１４】他の異なったレジスト膜厚についての軌跡
（等高線）を示す図である。
（等高線）を示す図である。
【図１５】解決すべき定在波効果を示す図である。
【図１６】反射防止膜の膜厚３０ｎｍの場合の、レジス
ト膜厚９８５ｎｍについてのｎarl ，ｋarl の変化に対
するレジスト膜の吸収光量の変化の軌跡（吸収光量の等
高線）を示す図である。
ト膜厚９８５ｎｍについてのｎarl ，ｋarl の変化に対
するレジスト膜の吸収光量の変化の軌跡（吸収光量の等
高線）を示す図である。
【図１７】レジスト膜厚１０００ｎｍについての軌跡
（等高線）を示す図である。
（等高線）を示す図である。
【図１８】レジスト膜厚１０１７．５ｎｍについての軌
跡（等高線）を示す図である。
跡（等高線）を示す図である。
【図１９】レジスト膜厚１０３５ｎｍについての軌跡
（等高線）を示す図である。
（等高線）を示す図である。
【図２０】最適条件（実施例）での定在波効果を示す図
である。
である。
【図２１】最適条件（実施例）での定在波効果を示す図
である。
である。
【図２２】反射防止膜の膜厚と光学条件としてのｎとの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図２３】反射防止膜の膜厚と光学条件としてのｋとの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図２４】最適反射防止膜材料を見い出すためのｎ，ｋ
チャートである。
チャートである。
【図２５】他の実施例に係る反射防止膜の成膜構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２６】Ｗ−Ｓｉ上のＳｉx Ｃy （２５ｎｍ）の反射
防止効果を示す図である。
防止効果を示す図である。
【図２７】他の実施例に係る反射防止膜の成膜構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２８】反射防止膜の膜厚３０ｎｍの場合の、レジス
ト膜厚９８２ｎｍについてのｎarl ，ｋarl の変化に対
するレジスト膜の吸収光量の変化の軌跡（吸収光量の等
高線）を示す図である。
ト膜厚９８２ｎｍについてのｎarl ，ｋarl の変化に対
するレジスト膜の吸収光量の変化の軌跡（吸収光量の等
高線）を示す図である。
【図２９】レジスト膜厚１０００ｎｍについての軌跡
（等高線）を示す図である。
（等高線）を示す図である。
【図３０】レジスト膜厚１０１８ｎｍについての軌跡
（等高線）を示す図である。
（等高線）を示す図である。
【図３１】レジスト膜厚１０３５ｎｍについての軌跡
（等高線）を示す図である。
（等高線）を示す図である。
【図３２】最適条件での定在波効果を示す図である。
【図３３】最適条件での定在波効果を示す図である。
【図３４】反射防止膜の膜厚と光学条件としてのｋとの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図３５】Ｓｉx Ｃy 膜の成膜条件による光学定数特性
を示す図である。
を示す図である。
【図３６】実施例８に係る定在波効果を示すグラフであ
る。
る。
【図３７】他の実施例における反射防止膜の成膜構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３８】定在波効果を示す図である。
【図３９】Ｓｉ上のＳｉx Ｃy 膜（２５ｎｍ）の反射防
止効果を示す図である。
止効果を示す図である。
【図４０】その他の実施例（０．３０μm Ｌ／Ｓ）の作
用説明図である。
用説明図である。
【図４１】その他の実施例（０．３５μm Ｌ／Ｓ）の作
用説明図である。
用説明図である。
【図４２】他の実施例における反射防止膜の成膜構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４３】他の実施例における反射防止膜の成膜構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
ＡＲＬ 反射防止膜 ＰＲ フォレジスト Ｓ 下地基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平4−87912 (32)優先日 平４(1992)３月11日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平4−244314 (32)優先日 平４(1992)８月20日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平4−316073 (32)優先日 平４(1992)10月31日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ）
Claims (21)
- 【請求項１】下地基板上に形成した反射防止膜上のフォ
トレジストを単一波長により露光してレジストパターン
を形成するレジストパターン形成方法であって、 下地基板上に、直接またはその他の層を介して、シリコ
ンカーバイト系膜で構成される反射防止膜を成膜する工
程と、 前記反射防止膜の上に、直接またはその他の層を介して
フォトレジストを形成する工程と、 前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転
写する工程とを有するレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】前記反射防止膜として、露光波長が１５０
〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．２以上３．
４以下であり、吸収屈折率ｋが０．１６以上０．７２以
下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反射防
止膜を成膜する請求項１に記載のレジストパターン形成
方法。 - 【請求項３】前記反射防止膜として、露光波長が１５０
〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．９以上５．
７以下であり、吸収屈折率ｋが０以上０．４６以下であ
り、膜厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反射防止膜を
成膜する請求項１に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項４】前記反射防止膜として、露光波長が１５０
〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．２以上３．
４以下であり、吸収屈折率ｋが０．４以上１．４以下で
あり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反射防止膜
を成膜する請求項１に記載のレジストパターン形成方
法。 - 【請求項５】前記反射防止膜として、露光波長が１５０
〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが１．９以上５．
７以下であり、吸収屈折率ｋが０．２以上０．６２以下
であり、膜厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の反射防止
膜を成膜する請求項１に記載のレジストパターン形成方
法。 - 【請求項６】前記反射防止膜として、露光波長が１５０
〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎ＝２．４±０．
６、吸収屈折率ｋ＝０．７±０．２である反射防止膜を
成膜する請求項１に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項７】前記下地基板の少なくとも表面が、シリコ
ン系材料で構成してある請求項１〜６のいずれかに記載
のレジストパターン形成方法。 - 【請求項８】前記シリコン系材料が、単結晶シリコン、
多結晶シリコン、非晶質シリコン、ドープとポリシリコ
ンのいずれかである請求項７に記載のレジストパターン
形成方法。 - 【請求項９】前記下地基板の少なくとも表面が、高融点
金属または高融点金属シリサイド系材料で構成してある
請求項１〜６のいずれかに記載のレジストパターン形成
方法。 - 【請求項１０】前記下地基板の少なくとも表面が、低融
点金属系材料で構成してある請求項１〜６のいずれかに
記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項１１】前記低融点金属系材料が、アルミニウ
ム、アルミニウム−シリコン合金、アルミニウム−シリ
コン−銅合金、銅、銅合金のいずれかである請求項１０
に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項１２】前記反射防止膜を実際に成膜する前に、 前記下地基板の種類に応じて、露光時のフォトレジスト
での定在波効果が最小となる条件の、反射防止膜の反射
屈折率ｎ、吸収屈折率ｋおよび膜厚をシミュレーション
により求め、 そのシミュレーションにより求められた反射屈折率ｎお
よび吸収屈折率ｋに近づくように、下地基板の表面に直
接またはその他の層を介して、シリコンカーバイト系膜
で構成される反射防止膜を、成膜条件を調節しながら、
前記シミュレーションにより求められた膜厚と略等しい
膜厚で成膜する請求項１〜１１のいずれかに記載のレジ
ストパターン形成方法。 - 【請求項１３】前記原料ガスに、少なくとも水素元素を
含有する物質を含むことを特徴とする請求項１２に記載
のレジストパターン形成方法。 - 【請求項１４】反射防止膜を実際に成膜する前に、 下地基板の種類に応じて、露光時のフォトレジストでの
定在波効果が最小となる条件の、反射防止膜の反射屈折
率ｎ、吸収屈折率ｋおよび膜厚をシミュレーションによ
り求め、 そのシミュレーションにより求められた反射屈折率ｎお
よび吸収屈折率ｋに近づくように、下地基板の表面に直
接またはその他の層を介して、シリコンカーバイト系膜
で構成される反射防止膜を、成膜条件を調節しながら、
前記シミュレーションにより求められた膜厚と略等しい
膜厚で成膜する反射防止膜形成方法。 - 【請求項１５】前記原料ガスに、少なくとも水素元素を
含有する物質を含むことを特徴とする請求項１４に記載
の反射防止膜形成方法。 - 【請求項１６】前記下地基板の少なくとも表面が高融点
金属または高融点金属シリサイド系材料の場合に、前記
反射防止膜として、露光波長が１５０〜４５０ｎｍにお
いて、反射屈折率ｎが２．１以上３．３６以下であり、
吸収屈折率ｋが０．１４以上１．０以下であり、膜厚が
１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の反射防止膜を成膜する請求
項１に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項１７】前記下地基板の少なくとも表面が高融点
金属または高融点金属シリサイド系材料の場合に、前記
反射防止膜として、露光波長が１５０〜４５０ｎｍにお
いて、反射屈折率ｎが２．９６以上３．３６以下であ
り、吸収屈折率ｋが０．１４以上０．３４以下であり、
膜厚が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の反射防止膜を成膜す
る請求項１に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項１８】前記下地基板の少なくとも表面が高融点
金属または高融点金属シリサイド系材料の場合に、前記
反射防止膜として、露光波長が１５０〜４５０ｎｍにお
いて、反射屈折率ｎが２．９６以上３．３６以下であ
り、吸収屈折率ｋが０．１９以上０．２９以下であり、
膜厚が４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の反射防止膜を成膜す
る請求項１に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項１９】前記下地基板の少なくとも表面が低融点
金属系材料の場合に、前記反射防止膜として、露光波長
が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが２．１
以上２．５以下であり、吸収屈折率ｋが０．６５以上
０．９５以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下
の反射防止膜を成膜する請求項１に記載のレジストパタ
ーン形成方法。 - 【請求項２０】前記下地基板の少なくとも表面が低融点
金属系材料の場合に、前記反射防止膜として、露光波長
が１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが２．１
以上２．５以下であり、吸収屈折率ｋが０．６以上１．
０以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の反射
防止膜を成膜する請求項１に記載のレジストパターン形
成方法。 - 【請求項２１】前記下地基板の少なくとも表面がシリコ
ン系材料の場合に、前記反射防止膜として、露光波長が
１５０〜４５０ｎｍにおいて、反射屈折率ｎが２．１以
上２．５以下であり、吸収屈折率ｋが０．４５以上０．
８５以下であり、膜厚が１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下の反
射防止膜を成膜する請求項１に記載のレジストパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16909295A JP2953349B2 (ja) | 1991-12-30 | 1995-07-04 | レジストパターン形成方法、反射防止膜形成方法、反射防止膜および半導体装置 |
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| JP36052191 | 1991-12-30 | ||
| JP36052391 | 1991-12-30 | ||
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| JP4-87912 | 1992-10-31 | ||
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| JP4-244314 | 1992-10-31 | ||
| JP3-360523 | 1992-10-31 | ||
| JP4-316073 | 1992-10-31 | ||
| JP16909295A JP2953349B2 (ja) | 1991-12-30 | 1995-07-04 | レジストパターン形成方法、反射防止膜形成方法、反射防止膜および半導体装置 |
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|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001060584A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Applied Materials Inc | 炭素含有層の付着強化と酸化最小限化のためのプラズマ処理 |
| JP2002517089A (ja) * | 1998-05-22 | 2002-06-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 浅いトレンチ分離のための自己平坦化絶縁層を形成する方法 |
| JP2002526916A (ja) * | 1998-10-01 | 2002-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ダマシン用途の低κシリコンカーバイドバリア層、エッチストップ及び反射防止被膜のインシチュウ堆積 |
| JP2002526804A (ja) * | 1998-10-01 | 2002-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低誘電率反射防止被膜に用いるシリコンカーバイドの堆積 |
| US6599682B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-07-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for forming a finely patterned photoresist layer |
| US8325440B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-12-04 | Tdk Corporation | Magnetic head including a pole layer and an antireflection film sandwiched by two shields |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-07-04 JP JP16909295A patent/JP2953349B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4763131B2 (ja) * | 1998-10-01 | 2011-08-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低誘電率反射防止被膜に用いるシリコンカーバイドの堆積 |
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|---|---|
| JP2953349B2 (ja) | 1999-09-27 |
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