JPH083920B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH083920B2 JPH083920B2 JP63160434A JP16043488A JPH083920B2 JP H083920 B2 JPH083920 B2 JP H083920B2 JP 63160434 A JP63160434 A JP 63160434A JP 16043488 A JP16043488 A JP 16043488A JP H083920 B2 JPH083920 B2 JP H083920B2
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- JP
- Japan
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- layer
- magneto
- protective layer
- optical recording
- jis
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関す
る。
る。
（従来の技術とその課題） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能なイレ
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合
的な特性から見て、現在の所、希土類・遷移金属薄膜が
多く用いられている。
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合
的な特性から見て、現在の所、希土類・遷移金属薄膜が
多く用いられている。
従来こういった光磁気記録媒体は２枚を接着層を介し
て貼り合わせることが多かった。しかし最近媒体の簡素
化また磁界変調方式の為等で媒体を単板のまま用いたい
という要望が強い。
て貼り合わせることが多かった。しかし最近媒体の簡素
化また磁界変調方式の為等で媒体を単板のまま用いたい
という要望が強い。
媒体を単板で用いる際はその耐擦傷性を上げる為に何
らかの保護層を媒体上に設ける必要がある。従来こうい
った保護層としては硬度の高いもの例えばシリコーン系
のハードコーティング材等が用いられてきた。
らかの保護層を媒体上に設ける必要がある。従来こうい
った保護層としては硬度の高いもの例えばシリコーン系
のハードコーティング材等が用いられてきた。
しかし、こういった高硬度の保護層は一般に応力が非
常に高く媒体にクラック、応力腐食を発生し易い。
常に高く媒体にクラック、応力腐食を発生し易い。
また、十分に透湿度が小さくない為水分による媒体の
腐食も無視できないことが多い。
腐食も無視できないことが多い。
本発明者等は上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結
果二種類の異なる性質を持った膜で保護層を形成するこ
とにより耐擦傷と耐食性を兼ねそなえた光磁気記録媒体
を得られることを見出した。
果二種類の異なる性質を持った膜で保護層を形成するこ
とにより耐擦傷と耐食性を兼ねそなえた光磁気記録媒体
を得られることを見出した。
（発明の構成） 本発明の要旨は、少くとも基板、光磁気記録層を有す
る光磁気記録媒体において記録層上にJIS K 6301で規定
された100％引張応力が50kgf/cm2以下でありかつJIS Z
0208で規定された透湿度が24時間で20g/m2以下である中
間保護層、JIS K 5400規定による鉛筆硬度試験でＨ以上
の硬度を有する表面保護層を順に積層したことを特徴と
する光磁気ディスクに存する。
る光磁気記録媒体において記録層上にJIS K 6301で規定
された100％引張応力が50kgf/cm2以下でありかつJIS Z
0208で規定された透湿度が24時間で20g/m2以下である中
間保護層、JIS K 5400規定による鉛筆硬度試験でＨ以上
の硬度を有する表面保護層を順に積層したことを特徴と
する光磁気ディスクに存する。
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明において用いられる基板としては、ガラ
ス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチ
ック、又はガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が挙
げられる。
ス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチ
ック、又はガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が挙
げられる。
基板の厚みは１〜2mm程度が一般的である。
光磁気記録層としては、たとえば、TbFe、TbFeCo、Tb
Co、DyFeCoなどの希土類と遷移金属の非晶質磁性合金、
MnBi、MnCuBiなどの多結晶垂直磁化膜等が用いられる。
光磁気記録層としては単一の層を用いても良いし、GdTd
Fe/TbFeのように２層以上の記録層を重ねても良い。
Co、DyFeCoなどの希土類と遷移金属の非晶質磁性合金、
MnBi、MnCuBiなどの多結晶垂直磁化膜等が用いられる。
光磁気記録層としては単一の層を用いても良いし、GdTd
Fe/TbFeのように２層以上の記録層を重ねても良い。
本発明においては光磁気記録層の上に中間保護層及び
表面保護層を設ける中間保護層としは、JIS K 6301で規
定された100％引張応力が50kgf/cm2以下で、かつJIS Z
0208で規定された透湿度が24時間で20g/m2以下のものが
用いられる。好ましくは上記規定の100％引張応力30kgf
/cm2以下、かつ上記規定の透湿度が24時間で10g/m2以下
の有機物が良好な結果をもたらす。
表面保護層を設ける中間保護層としは、JIS K 6301で規
定された100％引張応力が50kgf/cm2以下で、かつJIS Z
0208で規定された透湿度が24時間で20g/m2以下のものが
用いられる。好ましくは上記規定の100％引張応力30kgf
/cm2以下、かつ上記規定の透湿度が24時間で10g/m2以下
の有機物が良好な結果をもたらす。
このような有機物としては炭化水素系ポリオールを使
用するポリウレタンが好ましく採用される。
用するポリウレタンが好ましく採用される。
このポリウレタンとしては、吸湿性の低い炭化水素系
ポリオールを主成分とし、イソシアネート化合物をNCO/
OH＝0.8〜1.3好ましくはNCO/OH＝0.9〜1.1となるような
配分比で混合し、硬化せしめたものが好ましい。
ポリオールを主成分とし、イソシアネート化合物をNCO/
OH＝0.8〜1.3好ましくはNCO/OH＝0.9〜1.1となるような
配分比で混合し、硬化せしめたものが好ましい。
このような炭化水素系ポリオールは公知の、例えば特
開昭50−90694号に記載のブタジエンポリマーを水添す
る等の方法により、また、これを用いたポリウレタンは
公知の、例えば特開昭50−142695号に記載の、上記ポリ
オールにポリイソシアネートを反応させる等の方法によ
り容易に製造される。
開昭50−90694号に記載のブタジエンポリマーを水添す
る等の方法により、また、これを用いたポリウレタンは
公知の、例えば特開昭50−142695号に記載の、上記ポリ
オールにポリイソシアネートを反応させる等の方法によ
り容易に製造される。
この中間保護法の設けることで媒体の耐蝕性は大きく
向上する。すなわち内部応力が低いので媒体にクラック
や反りを生じさせず、また透湿性が低いので水分による
腐食を強く抑えられる。
向上する。すなわち内部応力が低いので媒体にクラック
や反りを生じさせず、また透湿性が低いので水分による
腐食を強く抑えられる。
中間保護法の膜厚は１μｍ〜200μｍ好ましくは３μ
ｍ〜100μｍ程度である。
ｍ〜100μｍ程度である。
しかしこういった中間保護層は軟らかいため容易にキ
ズつきやすく、表面保護層としての性質は兼ね備えてい
ないので、中間層の上に表面保護層を設ける必要があ
る。
ズつきやすく、表面保護層としての性質は兼ね備えてい
ないので、中間層の上に表面保護層を設ける必要があ
る。
表面保護層としてはJIS K 5400規定による鉛筆硬度試
験でＨ以上の硬度を有する化合物がキズ防止の観点から
有効で、この条件を満たす限り任意の化合物が使用でき
るが工程の簡便さから、スピンコート法等の塗布法で塗
布できるものが好ましい。スピンコート法その他通常の
塗布法で成膜できる表面保護層を形成する材料として
は、シリコーン系、アクリル系、メラミン系、エポキシ
系などの熱硬化型樹脂、アルキルトリアルコキシシラ
ン、テトラアルコキシシラン等の部分共加水分解物や、
それらにコロイダルシリカを配合したシリコーン系ハー
ドコーティング剤、およびアクリレート系等の光重合系
フォトポリマー、光架橋性フォトポリマー、アジド系フ
ォトポリマー等がある。
験でＨ以上の硬度を有する化合物がキズ防止の観点から
有効で、この条件を満たす限り任意の化合物が使用でき
るが工程の簡便さから、スピンコート法等の塗布法で塗
布できるものが好ましい。スピンコート法その他通常の
塗布法で成膜できる表面保護層を形成する材料として
は、シリコーン系、アクリル系、メラミン系、エポキシ
系などの熱硬化型樹脂、アルキルトリアルコキシシラ
ン、テトラアルコキシシラン等の部分共加水分解物や、
それらにコロイダルシリカを配合したシリコーン系ハー
ドコーティング剤、およびアクリレート系等の光重合系
フォトポリマー、光架橋性フォトポリマー、アジド系フ
ォトポリマー等がある。
これらの表面保護層の膜厚は、１μｍ〜200μｍ好ま
しくは、２μｍ〜100μｍ程度である。
しくは、２μｍ〜100μｍ程度である。
上記基板と光磁気記録層の間に干渉層を設けることも
できる。この層は高屈折率の透明膜による光の干渉効果
を用い反射率を落とすことでノイズを低下させC/N比を
向上させるためのものである。干渉層は単層膜でも多層
膜でもよい。干渉層としては金属酸化物や金属窒化物が
用いられる。金属酸化物としてはAl2O3、Ta2O5、SiO2、
SiO、TiO等の金属酸化物単独あるいはこれらの混合物、
あるいはAl−Ta−Ｏの複合酸化物等が挙げられる。また
更にこれらに他の元素、例えばTi、Zr、Ｗ、Mo、Yb等が
酸化物の形で単独あるいはAl、Taと複合して酸化物を形
成していてもよい。これらの金属酸化物は緻密で外部か
らの水分や酸素の侵入を防ぎ、耐食性が高く反射層との
反応性も小さく、また基板として樹脂基板を使用する場
合にも樹脂との密着性に優れる。
できる。この層は高屈折率の透明膜による光の干渉効果
を用い反射率を落とすことでノイズを低下させC/N比を
向上させるためのものである。干渉層は単層膜でも多層
膜でもよい。干渉層としては金属酸化物や金属窒化物が
用いられる。金属酸化物としてはAl2O3、Ta2O5、SiO2、
SiO、TiO等の金属酸化物単独あるいはこれらの混合物、
あるいはAl−Ta−Ｏの複合酸化物等が挙げられる。また
更にこれらに他の元素、例えばTi、Zr、Ｗ、Mo、Yb等が
酸化物の形で単独あるいはAl、Taと複合して酸化物を形
成していてもよい。これらの金属酸化物は緻密で外部か
らの水分や酸素の侵入を防ぎ、耐食性が高く反射層との
反応性も小さく、また基板として樹脂基板を使用する場
合にも樹脂との密着性に優れる。
金属窒化物としては窒化シリコン、窒化アルミニウム
等が挙げられるが、これらの金属窒化物は緻密で外部か
らの水分や酸素の侵入を防ぐ、特に窒化シリコンを用い
て良好である。
等が挙げられるが、これらの金属窒化物は緻密で外部か
らの水分や酸素の侵入を防ぐ、特に窒化シリコンを用い
て良好である。
窒化シリコンのSiとＮの比率はＮが多すぎれば膜の屈
折率が低下し緻密性も悪くなる。またＮが少なすぎれ
ば、膜に吸収を生じキャリアレベルの低下をもたらす、
従ってSiとＮとの比は化学量論的組成比（Si3N4）もし
くはそれより多少Siが多い状態が好ましい。具体的に
は、SiとＮの原子比はSi/Nで0.75〜1.0の範囲が良い。
窒化シリコンの屈折率は633nmの波長で測定したときの
複素屈折率（n*）をn*＝ｎ−iK（ｉは虚数を表す）とし
たとき2.0≦ｎ≦2.5でかつ０＜Ｋ＜0.2の範囲であるの
が良い。
折率が低下し緻密性も悪くなる。またＮが少なすぎれ
ば、膜に吸収を生じキャリアレベルの低下をもたらす、
従ってSiとＮとの比は化学量論的組成比（Si3N4）もし
くはそれより多少Siが多い状態が好ましい。具体的に
は、SiとＮの原子比はSi/Nで0.75〜1.0の範囲が良い。
窒化シリコンの屈折率は633nmの波長で測定したときの
複素屈折率（n*）をn*＝ｎ−iK（ｉは虚数を表す）とし
たとき2.0≦ｎ≦2.5でかつ０＜Ｋ＜0.2の範囲であるの
が良い。
干渉層としては特に酸化タンタルを用いて良好であ
る。
る。
酸化タンタルの干渉層は窒化物からなる干渉層に比べ
内部応力が小さくクラックの入る確立ははるかに小さく
なる。
内部応力が小さくクラックの入る確立ははるかに小さく
なる。
酸化タンタルの組成は化学量論的組成比（Ta2O5）に
近い組成が好ましい。過剰な酸素は記録層の酸化をもた
らすことになる。また、酸素が不足している場合には未
酸化部分に腐食が集中し、ピンホールが発生し易くな
る。
近い組成が好ましい。過剰な酸素は記録層の酸化をもた
らすことになる。また、酸素が不足している場合には未
酸化部分に腐食が集中し、ピンホールが発生し易くな
る。
好ましい酸化状態での屈折率は633nmの波長で測定し
たときの複素屈折率をn*＝ｎ−iKとしたとき2.0≦ｎ≦
2.2でかつ|K|＜0.15の範囲である。
たときの複素屈折率をn*＝ｎ−iKとしたとき2.0≦ｎ≦
2.2でかつ|K|＜0.15の範囲である。
この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異なる
が、通常400Å〜1500Å程度、特に500〜1000Å程度が適
当である。
が、通常400Å〜1500Å程度、特に500〜1000Å程度が適
当である。
反射型の光磁気記録媒体とする場合には記録層上すな
わち記録層と最外層有機保護層との間に反射層を設け
る。反射層は一般的には高反射率の物質が考えられ、A
u、Ag、Pt、Cu、AlまたはAlの合金等の薄膜を用いる。
わち記録層と最外層有機保護層との間に反射層を設け
る。反射層は一般的には高反射率の物質が考えられ、A
u、Ag、Pt、Cu、AlまたはAlの合金等の薄膜を用いる。
特にAlまたはAlの合金が好ましく、更にこれらにTa、
Ti、Zr、Mo、Pt、Ｖ、Cr、Pbの少なくとも１種を0.1〜1
5原子％程度好ましくは１〜10原子％程度添加した合金
は高反射率であり、熱伝導度も低く高C/N比、感度共に
良好な特性をもたらす。
Ti、Zr、Mo、Pt、Ｖ、Cr、Pbの少なくとも１種を0.1〜1
5原子％程度好ましくは１〜10原子％程度添加した合金
は高反射率であり、熱伝導度も低く高C/N比、感度共に
良好な特性をもたらす。
反射層を設ける場合その膜厚は通常100〜1000Å、好
ましくは200〜600Å程度である。厚すぎた場合感度が低
下し、薄すぎる場合には反射率が低下し、C/N比も落ち
る。
ましくは200〜600Å程度である。厚すぎた場合感度が低
下し、薄すぎる場合には反射率が低下し、C/N比も落ち
る。
反射層上に更に金属酸化物や金属窒化物からなる保護
層を設けても良い。金属酸化物や金属窒化物は前述した
干渉層として用いたものがそのまま用いられる。
層を設けても良い。金属酸化物や金属窒化物は前述した
干渉層として用いたものがそのまま用いられる。
また、保護層として金属酸化物を用いた場合等反射層
が酸化されることが考えられるが、AlまたはAl合金の反
射層は表面に強固な酸化皮膜を形成するため深さ数十Å
以上の酸化は起こらない。
が酸化されることが考えられるが、AlまたはAl合金の反
射層は表面に強固な酸化皮膜を形成するため深さ数十Å
以上の酸化は起こらない。
この保護層の膜厚は厚いほど保護能力が高いが、厚い
ほど感度の低下も大きいので、通常50Å〜500Å程度が
適当である。
ほど感度の低下も大きいので、通常50Å〜500Å程度が
適当である。
基板上に干渉層、記録層、反射層、保護層等の各層を
形成する方法には、スパッタリング等の物理蒸着法（PV
D）、プラズマCVDのような化学蒸着法（CVD）等が適用
される。
形成する方法には、スパッタリング等の物理蒸着法（PV
D）、プラズマCVDのような化学蒸着法（CVD）等が適用
される。
PVD法にて干渉層、光磁気記録層、反射層及び保護層
等を成膜形成するには、所定の組成をもったターゲット
を用いて電子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基
板上に各層を堆積するのが通常の方法である。
等を成膜形成するには、所定の組成をもったターゲット
を用いて電子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基
板上に各層を堆積するのが通常の方法である。
また、イオンプレーティングを用いる方法も考えられ
る。
る。
膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎ
れば生産性に影響するので通常0.1Å/sec〜100Å/sec程
度とされる。
れば生産性に影響するので通常0.1Å/sec〜100Å/sec程
度とされる。
保護層として酸化タンタルを用いる場合、Ta2O5ター
ゲット等を用いたRFスパッタ法、Taターゲット等を用い
たArとO2ガスによるDCまたはRF反応性スパッタ法、電子
ビーム蒸着法等が好ましい。これらのうち、酸素量の制
御が可能であること、成膜速度が速いこと、基板温度の
上昇が小さいこと等の点からTaターゲット等を用いたAr
とO2ガスによるDC反応性スパッタ法が好ましい。
ゲット等を用いたRFスパッタ法、Taターゲット等を用い
たArとO2ガスによるDCまたはRF反応性スパッタ法、電子
ビーム蒸着法等が好ましい。これらのうち、酸素量の制
御が可能であること、成膜速度が速いこと、基板温度の
上昇が小さいこと等の点からTaターゲット等を用いたAr
とO2ガスによるDC反応性スパッタ法が好ましい。
最外層有機保護層の成膜法としてはスピンコート法、
その他通常の塗布法により容易に成膜することが可能で
ある。
その他通常の塗布法により容易に成膜することが可能で
ある。
（実施例） 以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが
本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定さ
れるものではない。
本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定さ
れるものではない。
実施例、比較例 130mmφのポリカーボネート基板をスパッタリング装
置に導入し、先ず８×10-7torr下まで排気し、Arを20sc
cm、O2を5sccm導入し、圧力を0.8Paに調整した。この状
態で500Wのパワーで４インチφのTaターゲットを直流ス
パッタリングし、４Å／秒の速度で酸化タンタルの干渉
層を800Å形成した。
置に導入し、先ず８×10-7torr下まで排気し、Arを20sc
cm、O2を5sccm導入し、圧力を0.8Paに調整した。この状
態で500Wのパワーで４インチφのTaターゲットを直流ス
パッタリングし、４Å／秒の速度で酸化タンタルの干渉
層を800Å形成した。
この膜の633nmで測定した屈折率はn*＝2.1−0.03iで
あった。
あった。
チャンバーを一度排気した後、Arガスを30sccm0.3Pa
の圧力となるように導入し、TbターゲットとFe90Co10タ
ーゲットの同時スパッタリングを行いTb22(Fe90Co10)78
の記録層を干渉層の上に300Å形成した。更にTaチップ
を配したAlターゲットを用いArガス中でスパッターしAl
97Ta3の合金からなる300Åの反射層を形成した。
の圧力となるように導入し、TbターゲットとFe90Co10タ
ーゲットの同時スパッタリングを行いTb22(Fe90Co10)78
の記録層を干渉層の上に300Å形成した。更にTaチップ
を配したAlターゲットを用いArガス中でスパッターしAl
97Ta3の合金からなる300Åの反射層を形成した。
この反射層の上に下記のようにして得たポリウレタン
からなる中間保護層を設けた。
からなる中間保護層を設けた。
「成分Ａの製造」 “ポリテールHA"（商品名）（三菱化成株式会社製、
数平均分子量：約2000、水酸基等量:0.907meq/gのポリ
オレフィンポリオール）100g、 “アデカクオドール”（商品名）（旭電化株式会社
製、４官能ポリオール、水酸基等量13.7meq/g）19.8g、 “パラフィン系プロセスオイル”（共同石油株式会社
製、Ｐ−200）110g、 “スズ系ウレタン化触媒”（MD化成株式会社製、UL−
22）138mg、 これらを50℃で均一に混合し成分Ａとした。この粘度
は25℃で1800cpsであった。
数平均分子量：約2000、水酸基等量:0.907meq/gのポリ
オレフィンポリオール）100g、 “アデカクオドール”（商品名）（旭電化株式会社
製、４官能ポリオール、水酸基等量13.7meq/g）19.8g、 “パラフィン系プロセスオイル”（共同石油株式会社
製、Ｐ−200）110g、 “スズ系ウレタン化触媒”（MD化成株式会社製、UL−
22）138mg、 これらを50℃で均一に混合し成分Ａとした。この粘度
は25℃で1800cpsであった。
「成分Ｂの製造」 “ポリテールHA"100g、 “パラフィン系プロセスオイルＰ−200"116g、 これらをセパルブルフラスコ中で室温で均一に混合す
る。ついで、2,4−トリレンジイソシアネート14.2gを添
加し、80℃で６時間反応して成分Ｂを得た。粘度は25℃
で3800cpsであった。
る。ついで、2,4−トリレンジイソシアネート14.2gを添
加し、80℃で６時間反応して成分Ｂを得た。粘度は25℃
で3800cpsであった。
このようにして作成したＡ液とＢ液を重量比1:5で混
合し、真空脱泡を行った後ディスクに塗布し、80℃、60
分硬化させ保護層とした。
合し、真空脱泡を行った後ディスクに塗布し、80℃、60
分硬化させ保護層とした。
同様にして作成した液を用いプレスシートを作り物性
値を測定したところJIS K 6301での100％引張応力は3kg
f/cm2引張強度は7kgf/cm2であった。また、JIS Z 0208
で規定された透湿度は厚さ200μｍのフィルムで24時間
で5g/m2であった。
値を測定したところJIS K 6301での100％引張応力は3kg
f/cm2引張強度は7kgf/cm2であった。また、JIS Z 0208
で規定された透湿度は厚さ200μｍのフィルムで24時間
で5g/m2であった。
この中間層の上にセイカビームVDAL 250（大日精化工
業株式会社製、紫外線硬化樹脂）をスピンコートし、80
W/cm Nタイプ高圧水銀ランプ下15cmの所で１分間紫外線
を照射し硬化させ表面保護層とした。膜厚は50μｍであ
った。
業株式会社製、紫外線硬化樹脂）をスピンコートし、80
W/cm Nタイプ高圧水銀ランプ下15cmの所で１分間紫外線
を照射し硬化させ表面保護層とした。膜厚は50μｍであ
った。
この表面保護層の硬度をJIS K 5400に規定された鉛筆
硬度試験で測定したところ3Hであった。
硬度試験で測定したところ3Hであった。
このようにして作成したディスクを70℃、85％RHの条
件で2000時間の加速試験を行なったところクラックの発
生やピンホールの増加は全く起こらなかった。
件で2000時間の加速試験を行なったところクラックの発
生やピンホールの増加は全く起こらなかった。
（比較例１） 反射層までを実施例と同一の構造とし中間保護層を用
いず反射層上に直接実施例と同一の表面保護層を設け
た。
いず反射層上に直接実施例と同一の表面保護層を設け
た。
このようにして作成したディスクを70℃、85％RHの条
件で2000時間の加速試験を行なったところ全面にクラッ
クを生じた。
件で2000時間の加速試験を行なったところ全面にクラッ
クを生じた。
（比較例２） 反射層までを実施例と同様に作成した後“ロックタイ
ト350"（日本ロックタイト株式会社製、紫外線硬化樹
脂）をスピンコートし、80W/cmNタイプ高圧水銀ランプF
15cmの所で１分間紫外線を照射し、硬化させ中間保護層
とした。膜厚は50μｍであった。
ト350"（日本ロックタイト株式会社製、紫外線硬化樹
脂）をスピンコートし、80W/cmNタイプ高圧水銀ランプF
15cmの所で１分間紫外線を照射し、硬化させ中間保護層
とした。膜厚は50μｍであった。
“ロックタイト350"でシートを作り引張試験をしたとこ
ろ、100％まで伸びない固い樹脂であった。
ろ、100％まで伸びない固い樹脂であった。
この中間層の上に実施例１と同じ表面保護層を形成し
た。
た。
このようにして作成したディスクを70℃、85％RHの条件
で2000時間加速試験を行なったところ、全面にクラック
を生じた。
で2000時間加速試験を行なったところ、全面にクラック
を生じた。
（発明の効果） 以上の様に光磁気記録媒体の保護層として低応力、低
透湿度の中間層と高硬度の表面保護層を積層して用いる
ことで耐候性、耐擦傷性共に優れた媒体を得ることがで
きる。
透湿度の中間層と高硬度の表面保護層を積層して用いる
ことで耐候性、耐擦傷性共に優れた媒体を得ることがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−85646（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−245548（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−20745（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−287848（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−273247（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】少くとも基板、光磁気記録層、を有する光
磁気記録媒体において記録層上にJIS K 6301で規定され
た100％引張応力が50kgf/cm2以下でありかつJIS Z 0208
で規定された透湿度が24時間で20g/m2以下である中間保
護層、JIS K 5400規定による鉛筆硬度試験でＨ以上の硬
度を有する表面保護層を順に積層したことを特徴とする
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160434A JPH083920B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160434A JPH083920B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210540A JPH0210540A (ja) | 1990-01-16 |
| JPH083920B2 true JPH083920B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=15714850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160434A Expired - Fee Related JPH083920B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083920B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08106663A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-04-23 | Tdk Corp | 光磁気ディスク |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63160434A patent/JPH083920B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210540A (ja) | 1990-01-16 |
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