JPH08339514A - 磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録再生装置Info
- Publication number
- JPH08339514A JPH08339514A JP14478495A JP14478495A JPH08339514A JP H08339514 A JPH08339514 A JP H08339514A JP 14478495 A JP14478495 A JP 14478495A JP 14478495 A JP14478495 A JP 14478495A JP H08339514 A JPH08339514 A JP H08339514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- flux guide
- reproducing apparatus
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】磁気抵抗効果膜に高抵抗軟磁性膜からなるフラ
ックスガイドを端部に接して配置し、磁気シールドと短
絡して微小なヨーク構造を形成した磁気ヘッドを搭載し
た磁気記録再生装置。 【効果】高い再生出力と高い耐静電破壊性を有する磁気
抵抗効果型ヘッドと、高記録密度の磁気記録再生装置を
得る。
ックスガイドを端部に接して配置し、磁気シールドと短
絡して微小なヨーク構造を形成した磁気ヘッドを搭載し
た磁気記録再生装置。 【効果】高い再生出力と高い耐静電破壊性を有する磁気
抵抗効果型ヘッドと、高記録密度の磁気記録再生装置を
得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置及び
磁気抵抗効果素子に係り、特に、高記録密度磁気記録再
生装置に関する。
磁気抵抗効果素子に係り、特に、高記録密度磁気記録再
生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開昭63−164406号公報には、ニッケル
−鉄合金と化合物を同時蒸着した薄膜を用いた磁気ヘッ
ド材料の記載がある。
−鉄合金と化合物を同時蒸着した薄膜を用いた磁気ヘッ
ド材料の記載がある。
【０００３】第１８回日本応用磁気学会学術講演概要集
(１９９４)３１１項にはＣｏ−Ａｌ−Ｏ及びＦｅ−Ｓｉ
Ｏ2 薄膜が１０2から１０7マイクロオームセンチメート
ルの大きな電気抵抗率を示すことが記載されている。
(１９９４)３１１項にはＣｏ−Ａｌ−Ｏ及びＦｅ−Ｓｉ
Ｏ2 薄膜が１０2から１０7マイクロオームセンチメート
ルの大きな電気抵抗率を示すことが記載されている。
【０００４】日本応用磁気学会誌１４（１９９０）２３
９項には光照射フェライトめっき法によるフェライト薄
膜の作製の記載がある。
９項には光照射フェライトめっき法によるフェライト薄
膜の作製の記載がある。
【０００５】特開平5−334630 号公報には強磁性金属か
らなる後端電極を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の記載がある。
らなる後端電極を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の記載がある。
【０００６】特開平4−278210 号公報にはシャントバイ
アスを用いた磁気抵抗効果素子に該磁気抵抗効果素子よ
り充分大きな比抵抗の薄膜からなる導磁路を用いた磁気
抵抗効果型ヘッドの記載がある。
アスを用いた磁気抵抗効果素子に該磁気抵抗効果素子よ
り充分大きな比抵抗の薄膜からなる導磁路を用いた磁気
抵抗効果型ヘッドの記載がある。
【０００７】特開平6−325328 号公報には磁気抵抗効果
素子の、記録媒体対向面側とは反対側に磁界制御用の磁
性膜を配置したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの記載がある。
素子の、記録媒体対向面側とは反対側に磁界制御用の磁
性膜を配置したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの記載がある。
【０００８】特開平4−298810 号公報には再生ギャップ
内に配備される磁気抵抗効果素子と、絶縁性材料からな
る一方の磁気シールドとの間に磁気的な接合部を有する
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの記載がある。
内に配備される磁気抵抗効果素子と、絶縁性材料からな
る一方の磁気シールドとの間に磁気的な接合部を有する
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの記載がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、記録
密度の充分に高い磁気記録装置、特にその再生部に外部
磁界に対して十分な感度と出力で作用する磁気抵抗効果
素子を実現し、さらに充分に信頼性のある磁気記録装置
を得ることが出来ず、記録装置としての機能を実現する
ことが困難であった。
密度の充分に高い磁気記録装置、特にその再生部に外部
磁界に対して十分な感度と出力で作用する磁気抵抗効果
素子を実現し、さらに充分に信頼性のある磁気記録装置
を得ることが出来ず、記録装置としての機能を実現する
ことが困難であった。
【００１０】記録密度の向上には記録媒体上の記録領域
の１単位が狭くなること及び磁気記録装置再生部の細小
化が必要である。このような問題の解決策として、薄膜
磁気ヘッドの再生部に磁気抵抗効果素子を配置し、磁気
抵抗効果による電気抵抗の変化を出力として用いる方法
がしられている。この場合、問題となるのは高記録密度
に伴って磁気抵抗効果素子を納める磁気シールド間のギ
ャップが必然的に狭くなり、 (1）磁気抵抗効果素子の電極と、磁気シールドなどの間
で静電破壊が起きやすくなる。
の１単位が狭くなること及び磁気記録装置再生部の細小
化が必要である。このような問題の解決策として、薄膜
磁気ヘッドの再生部に磁気抵抗効果素子を配置し、磁気
抵抗効果による電気抵抗の変化を出力として用いる方法
がしられている。この場合、問題となるのは高記録密度
に伴って磁気抵抗効果素子を納める磁気シールド間のギ
ャップが必然的に狭くなり、 (1）磁気抵抗効果素子の電極と、磁気シールドなどの間
で静電破壊が起きやすくなる。
【００１１】(2）記録媒体からの漏洩磁界がギャップの
奥まで侵入しなくなり、再生出力が低下する。
奥まで侵入しなくなり、再生出力が低下する。
【００１２】後者の問題を解決するために、磁気抵抗効
果素子の磁気抵抗効果膜に効率的に前記漏洩磁界が侵入
するように、フラックスガイドを設ける技術がしられて
いる。即ち、軟磁性体からなる磁束の誘導路を、磁気ヘ
ッドの対向面から磁気抵抗効果膜まで、また磁気抵抗効
果膜からさらに奥の方向に形成した磁気ヘッドを用いる
方法である。しかし、上記方法にも問題点がある。磁束
を効率的に誘導するには高い透磁率を持つフラックスガ
イドで、充分に短い磁路を形成する必要があるが、磁気
抵抗効果素子に加えて、微小なフラックスガイドを、電
極との絶縁を保って形成することは従来非常に困難であ
る。生産工程上の著しい複雑さに加えて、もし電極との
絶縁を保てなければフラックスガイドへの電流のリーク
が発生し、即ち磁気抵抗効果素子の出力を低下させるか
らである。
果素子の磁気抵抗効果膜に効率的に前記漏洩磁界が侵入
するように、フラックスガイドを設ける技術がしられて
いる。即ち、軟磁性体からなる磁束の誘導路を、磁気ヘ
ッドの対向面から磁気抵抗効果膜まで、また磁気抵抗効
果膜からさらに奥の方向に形成した磁気ヘッドを用いる
方法である。しかし、上記方法にも問題点がある。磁束
を効率的に誘導するには高い透磁率を持つフラックスガ
イドで、充分に短い磁路を形成する必要があるが、磁気
抵抗効果素子に加えて、微小なフラックスガイドを、電
極との絶縁を保って形成することは従来非常に困難であ
る。生産工程上の著しい複雑さに加えて、もし電極との
絶縁を保てなければフラックスガイドへの電流のリーク
が発生し、即ち磁気抵抗効果素子の出力を低下させるか
らである。
【００１３】このように、高記録密度に対応した磁気ヘ
ッドとしては対向面に狭い磁気ギャップを有する磁気シ
ールド、もしくはフラックスガイドと、磁気ギャップ内
に配置した磁気抵抗効果膜とを用いる構成が望ましい
が、問題は先に述べた、極めて低い磁路抵抗を持つフラ
ックスガイドもしくは磁気シールドを電極からの電流の
漏洩や絶縁不良を防止して実現することが困難なことに
ある。
ッドとしては対向面に狭い磁気ギャップを有する磁気シ
ールド、もしくはフラックスガイドと、磁気ギャップ内
に配置した磁気抵抗効果膜とを用いる構成が望ましい
が、問題は先に述べた、極めて低い磁路抵抗を持つフラ
ックスガイドもしくは磁気シールドを電極からの電流の
漏洩や絶縁不良を防止して実現することが困難なことに
ある。
【００１４】本発明の目的は高密度記録に対応した磁気
記録装置、即ち充分な出力と線形性，耐絶縁破壊性、を
改善した磁気抵抗効果素子を用いた磁気記録再生装置を
提供することにある。
記録装置、即ち充分な出力と線形性，耐絶縁破壊性、を
改善した磁気抵抗効果素子を用いた磁気記録再生装置を
提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明での磁気記録装置
の課題は、磁気ヘッドで極めて低い磁路抵抗を持つフラ
ックスガイドもしくは磁気シールドを電極からの電流の
漏洩や絶縁不良，静電破壊を防止して実現することにあ
る。
の課題は、磁気ヘッドで極めて低い磁路抵抗を持つフラ
ックスガイドもしくは磁気シールドを電極からの電流の
漏洩や絶縁不良，静電破壊を防止して実現することにあ
る。
【００１６】上記課題を解決するための手段の一つは磁
気シールド，フラックスガイドを高電気抵抗材料にて構
成することにある。すなわち、電流の漏洩，絶縁不良な
どの原因はすべて、磁気シールドやフラックスガイドを
構成する材料に電流がながれることを意味するから、こ
れらを電気抵抗の極めて高い材料にて構成することで、
電流の漏洩による出力の低下，絶縁不良などを実質的に
防止できる。
気シールド，フラックスガイドを高電気抵抗材料にて構
成することにある。すなわち、電流の漏洩，絶縁不良な
どの原因はすべて、磁気シールドやフラックスガイドを
構成する材料に電流がながれることを意味するから、こ
れらを電気抵抗の極めて高い材料にて構成することで、
電流の漏洩による出力の低下，絶縁不良などを実質的に
防止できる。
【００１７】従来高い透磁率を持つ薄膜材料としてしら
れるニッケル−鉄合金膜、あるいは鉄−アルミニウム−
シリコン合金膜は、１００マイクロオームセンチメート
ル以下の極めて低い電気抵抗率を持つ金属薄膜である。
磁気シールドをこれらの材料の厚さ１μｍの薄膜で構成
し、厚さ５０ｎｍ，電気抵抗率５０マイクロオームセン
チメートルの磁気抵抗効果膜を配置すると仮定する。磁
気シールドが幅０.２μｍの磁気ギャップを有し、この
間に磁気抵抗効果膜を配置すると磁気抵抗効果膜と磁気
シールドの間隔は７５ｎｍであって、従来、この厚さの
絶縁膜で両者の間に絶縁を保つ必要があった。なぜなら
ば、絶縁不良が生じた場合、上記の数値から計算する
と、磁気抵抗効果膜のシート抵抗は１０オームであり、
一方、磁気シールドのシート抵抗は１オーム以下であっ
て、検出電流のほとんどが磁気シールドを短絡してなが
れてしまうからである。
れるニッケル−鉄合金膜、あるいは鉄−アルミニウム−
シリコン合金膜は、１００マイクロオームセンチメート
ル以下の極めて低い電気抵抗率を持つ金属薄膜である。
磁気シールドをこれらの材料の厚さ１μｍの薄膜で構成
し、厚さ５０ｎｍ，電気抵抗率５０マイクロオームセン
チメートルの磁気抵抗効果膜を配置すると仮定する。磁
気シールドが幅０.２μｍの磁気ギャップを有し、この
間に磁気抵抗効果膜を配置すると磁気抵抗効果膜と磁気
シールドの間隔は７５ｎｍであって、従来、この厚さの
絶縁膜で両者の間に絶縁を保つ必要があった。なぜなら
ば、絶縁不良が生じた場合、上記の数値から計算する
と、磁気抵抗効果膜のシート抵抗は１０オームであり、
一方、磁気シールドのシート抵抗は１オーム以下であっ
て、検出電流のほとんどが磁気シールドを短絡してなが
れてしまうからである。
【００１８】これに対し、本発明の効果を見積もるた
め、電気抵抗率１０4 マイクロオームセンチメートルの
高抵抗材料でシールドを形成した場合について述べる。
この場合、上記例と同様に計算すると磁気抵抗効果膜の
シート抵抗１０オームに対し、磁気シールドのシート抵
抗は１００オームであって、もし絶縁がとれない場合で
も検出電流はほとんどが磁気抵抗効果膜をながれ、出力
の低下を防止できる。
め、電気抵抗率１０4 マイクロオームセンチメートルの
高抵抗材料でシールドを形成した場合について述べる。
この場合、上記例と同様に計算すると磁気抵抗効果膜の
シート抵抗１０オームに対し、磁気シールドのシート抵
抗は１００オームであって、もし絶縁がとれない場合で
も検出電流はほとんどが磁気抵抗効果膜をながれ、出力
の低下を防止できる。
【００１９】上記結果は、また、本発明の別の側面をも
説明している。即ち、磁気抵抗効果膜と磁気シールドと
が電気的に短絡しても出力の低下が生じないため、両者
を絶縁する必要はない。むしろ磁気抵抗効果膜と磁気シ
ールド、あるいは磁気シールドと磁気抵抗効果素子の電
気端子を高抵抗膜で短絡する構成とする。これにより、 (1）磁気抵抗効果膜と磁気シールドとで微細な磁路を簡
便に形成して記録媒体の磁界に対する検出感度を上げる
ことができる。
説明している。即ち、磁気抵抗効果膜と磁気シールドと
が電気的に短絡しても出力の低下が生じないため、両者
を絶縁する必要はない。むしろ磁気抵抗効果膜と磁気シ
ールド、あるいは磁気シールドと磁気抵抗効果素子の電
気端子を高抵抗膜で短絡する構成とする。これにより、 (1）磁気抵抗効果膜と磁気シールドとで微細な磁路を簡
便に形成して記録媒体の磁界に対する検出感度を上げる
ことができる。
【００２０】(2）電気端子が高抵抗膜で短絡されること
によって、磁気抵抗効果素子の静電気による破壊を防ぐ
ことが出来る。
によって、磁気抵抗効果素子の静電気による破壊を防ぐ
ことが出来る。
【００２１】という効果が上がる。（1）は磁気シール
ドすなわちフラックスガイドである。本発明ではさらに
電流の漏洩を防止して検出能力を向上する方法として、
磁気抵抗効果膜の端部に接触して高抵抗材料からなるフ
ラックスガイドを設置する。このフラックスガイドを電
気抵抗効果素子の電気端子と短絡させることで静電破壊
の防止効果が上がる。
ドすなわちフラックスガイドである。本発明ではさらに
電流の漏洩を防止して検出能力を向上する方法として、
磁気抵抗効果膜の端部に接触して高抵抗材料からなるフ
ラックスガイドを設置する。このフラックスガイドを電
気抵抗効果素子の電気端子と短絡させることで静電破壊
の防止効果が上がる。
【００２２】
【作用】本発明ではこのように高抵抗軟磁性材料を適用
した磁気抵抗効果素子を再生部とした磁気記録再生装置
で、高い記録密度、すなわち、記録媒体上に記録される
記録波長が短く、また、記録トラックの幅が狭い記録を
実現して、なおかつ静電破壊が少ない信頼性の高い装置
を実現できる。
した磁気抵抗効果素子を再生部とした磁気記録再生装置
で、高い記録密度、すなわち、記録媒体上に記録される
記録波長が短く、また、記録トラックの幅が狭い記録を
実現して、なおかつ静電破壊が少ない信頼性の高い装置
を実現できる。
【００２３】
【実施例】本発明の磁気抵抗効果素子を構成する膜は高
周波マグネトロンスパッタリング装置により以下のよう
に作製した。アルゴン３ミリトールの雰囲気中にて、厚
さ１ミリ，直径３インチのセラミックス基板に以下の材
料を順に積層して作製した。スパッタリングターゲット
として鉄−５０ａｔ％マンガン，タンタル，ニッケル−
２０ａｔ％鉄合金，コバルト−２０％白金，銅，クロム
のターゲットを用いた。また、鉄ターゲット上にアルミ
ナチップを配置して同時スパッタし、鉄−アルミナ混合
膜を作製した。
周波マグネトロンスパッタリング装置により以下のよう
に作製した。アルゴン３ミリトールの雰囲気中にて、厚
さ１ミリ，直径３インチのセラミックス基板に以下の材
料を順に積層して作製した。スパッタリングターゲット
として鉄−５０ａｔ％マンガン，タンタル，ニッケル−
２０ａｔ％鉄合金，コバルト−２０％白金，銅，クロム
のターゲットを用いた。また、鉄ターゲット上にアルミ
ナチップを配置して同時スパッタし、鉄−アルミナ混合
膜を作製した。
【００２４】基体上の素子の形成はフォトレジスト工程
及びイオンミリングによってパターニングした。その
後、基体はスライダ加工し、磁気記録装置に搭載した。
及びイオンミリングによってパターニングした。その
後、基体はスライダ加工し、磁気記録装置に搭載した。
【００２５】以下に本発明の具体的な実施例を図を追っ
て説明する。
て説明する。
【００２６】図１は本発明の磁気ヘッドを用いた磁気記
録再生装置の第一例の説明図である。ヘッドスライダ９
０を兼ねる基体５０上に磁気抵抗効果膜１０，下部及び
上部磁気シールド８１，８２、及びフラックスガイド１
１をそれぞれ薄膜として形成し、フォトレジスト工程で
所定の形状に加工する。これらからなる磁気ヘッドを記
録媒体９１上の記録トラック４４に位置決めして再生を
行う。図中、記録用ヘッドは描かれていないが、同一の
スライダ上に記録ヘッドを形成して、それぞれ記録及び
再生を行わせることが出来る。ヘッドスライダ９０は記
録媒体９１の上を、対向面６３を対向して０.２μｍ 以
下の高さ、あるいは接触状態で対向して相対運動する。
この機構により、磁気抵抗効果膜１０は記録媒体９１に
記録された磁気的信号を、その漏れ磁界６４から読み取
ることのできる位置に設定されるのである。トラック幅
方向６１及び素子高さ方向６２はそれぞれ、ヘッドスラ
イダ９０の対向面６３に平行、及び垂直な方向として定
義される。
録再生装置の第一例の説明図である。ヘッドスライダ９
０を兼ねる基体５０上に磁気抵抗効果膜１０，下部及び
上部磁気シールド８１，８２、及びフラックスガイド１
１をそれぞれ薄膜として形成し、フォトレジスト工程で
所定の形状に加工する。これらからなる磁気ヘッドを記
録媒体９１上の記録トラック４４に位置決めして再生を
行う。図中、記録用ヘッドは描かれていないが、同一の
スライダ上に記録ヘッドを形成して、それぞれ記録及び
再生を行わせることが出来る。ヘッドスライダ９０は記
録媒体９１の上を、対向面６３を対向して０.２μｍ 以
下の高さ、あるいは接触状態で対向して相対運動する。
この機構により、磁気抵抗効果膜１０は記録媒体９１に
記録された磁気的信号を、その漏れ磁界６４から読み取
ることのできる位置に設定されるのである。トラック幅
方向６１及び素子高さ方向６２はそれぞれ、ヘッドスラ
イダ９０の対向面６３に平行、及び垂直な方向として定
義される。
【００２７】磁気抵抗効果膜１０は磁気抵抗効果を生じ
る薄膜からなり、外部磁界を電気抵抗の変化で電気信号
として再生する。
る薄膜からなり、外部磁界を電気抵抗の変化で電気信号
として再生する。
【００２８】電気端子４０は磁気抵抗効果膜１０に電流
を通じ、かつ電気抵抗を電圧として検出する。フラック
スガイド１１は磁気抵抗効果膜に端部を接して配置し、
下部磁気シールド８２及び上部磁気シールド８１と磁気
的及び電気的に接触させる。上部及び下部磁気シールド
は対向面６７に露出した磁気ギャップを形成し、かつ後
端部は閉じ、即ち、磁気抵抗効果膜１０，フラックスガ
イド１１，磁気シールド８１，８２は記録媒体９１から
漏洩する磁界６４を導く磁気回路を形成する。磁気ギャ
ップの奥行きは４μｍ以下とする時に磁束誘導の効果が
向上する。
を通じ、かつ電気抵抗を電圧として検出する。フラック
スガイド１１は磁気抵抗効果膜に端部を接して配置し、
下部磁気シールド８２及び上部磁気シールド８１と磁気
的及び電気的に接触させる。上部及び下部磁気シールド
は対向面６７に露出した磁気ギャップを形成し、かつ後
端部は閉じ、即ち、磁気抵抗効果膜１０，フラックスガ
イド１１，磁気シールド８１，８２は記録媒体９１から
漏洩する磁界６４を導く磁気回路を形成する。磁気ギャ
ップの奥行きは４μｍ以下とする時に磁束誘導の効果が
向上する。
【００２９】フラックスガイド１１及び磁気シールド８
１，８２は鉄−アルミナ混合膜で作製した。
１，８２は鉄−アルミナ混合膜で作製した。
【００３０】図２は本発明の磁気記録再生装置の側面図
である。磁気的に情報を記録する記録媒体９１を面上に
形成したディスク９５をスピンドルモータ９３で回転さ
せ、アクチュエータ９２によってヘッドスライダ９０を
記録媒体９１のトラック上に誘導する。即ち、磁気ディ
スク装置ではヘッドスライダ９０上に形成した再生ヘッ
ド、及び記録ヘッドがこの機構に依って記録媒体９１上
の所定の記録位置に近接して相対運動し、信号を順次書
き込み、及び読み取る。記録信号は信号処理系９４を通
じて記録ヘッドで媒体上に記録し、再生ヘッドの出力を
信号処理系９４を経て信号として得る。さらに再生ヘッ
ドを所望の記録トラック上へ移動させる際、本再生ヘッ
ドからの高感度な出力を用いてトラック上の位置を検出
し、アクチュエータを制御して、ヘッドスライダの位置
決めを行うことができる。本図ではヘッドスライダ９
０，記録媒体９１を各１個示したが、これらは複数であ
ってもよい。また記録媒体９１はディスク両面に情報を
記録してもよい。情報の記録がディスク両面の場合ヘッ
ドスライダ９０は記録媒体の両面に配置する。
である。磁気的に情報を記録する記録媒体９１を面上に
形成したディスク９５をスピンドルモータ９３で回転さ
せ、アクチュエータ９２によってヘッドスライダ９０を
記録媒体９１のトラック上に誘導する。即ち、磁気ディ
スク装置ではヘッドスライダ９０上に形成した再生ヘッ
ド、及び記録ヘッドがこの機構に依って記録媒体９１上
の所定の記録位置に近接して相対運動し、信号を順次書
き込み、及び読み取る。記録信号は信号処理系９４を通
じて記録ヘッドで媒体上に記録し、再生ヘッドの出力を
信号処理系９４を経て信号として得る。さらに再生ヘッ
ドを所望の記録トラック上へ移動させる際、本再生ヘッ
ドからの高感度な出力を用いてトラック上の位置を検出
し、アクチュエータを制御して、ヘッドスライダの位置
決めを行うことができる。本図ではヘッドスライダ９
０，記録媒体９１を各１個示したが、これらは複数であ
ってもよい。また記録媒体９１はディスク両面に情報を
記録してもよい。情報の記録がディスク両面の場合ヘッ
ドスライダ９０は記録媒体の両面に配置する。
【００３１】図３は本発明の第一例の磁気抵抗素子の面
上の構造の第一例を示す説明図である。磁気抵抗効果積
層膜１０は一方の端部を対向面３７に露出し、逆の端部
をフラックスガイド１１と接している。本図には示され
ていないが、フラックスガイド１１の対向面６７と反対
側の端部を、図１のように、磁気シールドと磁気的かつ
電気的に短絡すると、素子高さ方向６２に沿って形成し
た磁気回路の磁路抵抗を低くすることが出来る。磁気抵
抗効果膜１０及びフラックスガイド１１のトラック幅方
向６１の側の端部に接して縦バイアス膜３７を配置する
と磁気抵抗効果膜１０及びフラックスガイド１１を磁区
制御することができ、ノイズの抑制に役立つ。縦バイア
ス膜３７はトラック幅方向６１に平行な残留磁化成分を
持つ膜で構成し、本実施例では高保磁力材料であるコバ
ルト−白金薄膜を用いたが、他の硬磁性薄膜、もしく
は、反強磁性体と交換結合した磁性膜でも同様の機能が
ある。
上の構造の第一例を示す説明図である。磁気抵抗効果積
層膜１０は一方の端部を対向面３７に露出し、逆の端部
をフラックスガイド１１と接している。本図には示され
ていないが、フラックスガイド１１の対向面６７と反対
側の端部を、図１のように、磁気シールドと磁気的かつ
電気的に短絡すると、素子高さ方向６２に沿って形成し
た磁気回路の磁路抵抗を低くすることが出来る。磁気抵
抗効果膜１０及びフラックスガイド１１のトラック幅方
向６１の側の端部に接して縦バイアス膜３７を配置する
と磁気抵抗効果膜１０及びフラックスガイド１１を磁区
制御することができ、ノイズの抑制に役立つ。縦バイア
ス膜３７はトラック幅方向６１に平行な残留磁化成分を
持つ膜で構成し、本実施例では高保磁力材料であるコバ
ルト−白金薄膜を用いたが、他の硬磁性薄膜、もしく
は、反強磁性体と交換結合した磁性膜でも同様の機能が
ある。
【００３２】図４は本発明の磁気抵抗素子の断面構造を
示す第一例の説明図である。下部磁気シールド８２を磁
気抵抗効果膜１０及びフラックスガイド１１の下部に下
部非磁性絶縁膜２１を介して配置する。同様に上部磁気
シールド８２を磁気抵抗効果膜１０及びフラックスガイ
ド１１の上部に上部非磁性絶縁膜２２を介して配置す
る。上部磁気シールド８２及び下部磁気シールド８１は
フラックスガイド１１の素子高さ方向６２側の後端部に
接して互いに接合させる。即ち、磁気抵抗効果膜１０，
フラックスガイド１１、及び上部，下部磁気シールド８
１，８２が、対向面６３から磁束を誘導する磁気回路を
形成し、上部，下部磁気シールド８１，８２が形成する
磁気ギャップ内に侵入する磁束を効率良く検出すること
ができる。
示す第一例の説明図である。下部磁気シールド８２を磁
気抵抗効果膜１０及びフラックスガイド１１の下部に下
部非磁性絶縁膜２１を介して配置する。同様に上部磁気
シールド８２を磁気抵抗効果膜１０及びフラックスガイ
ド１１の上部に上部非磁性絶縁膜２２を介して配置す
る。上部磁気シールド８２及び下部磁気シールド８１は
フラックスガイド１１の素子高さ方向６２側の後端部に
接して互いに接合させる。即ち、磁気抵抗効果膜１０，
フラックスガイド１１、及び上部，下部磁気シールド８
１，８２が、対向面６３から磁束を誘導する磁気回路を
形成し、上部，下部磁気シールド８１，８２が形成する
磁気ギャップ内に侵入する磁束を効率良く検出すること
ができる。
【００３３】図５は本発明の第一例の磁気抵抗素子の面
上の構造を示す第二例の説明図である。磁気抵抗効果膜
１０，フラックスガイド１１，電気端子４０，縦バイア
ス膜３７の機能は図３と同様である。縦バイアス膜３７
及び電気端子４０は素子高さ方向６２の幅を磁気抵抗効
果膜１０と同程度にし、フラックスガイド１１への電流
の漏洩をさらに減少させる。高抵抗磁区制御膜３８は、
酸化ニッケル膜で代表される導電性の極めて低い反強磁
性膜または硬磁性膜からなり、フラックスガイド１１を
磁区制御する。
上の構造を示す第二例の説明図である。磁気抵抗効果膜
１０，フラックスガイド１１，電気端子４０，縦バイア
ス膜３７の機能は図３と同様である。縦バイアス膜３７
及び電気端子４０は素子高さ方向６２の幅を磁気抵抗効
果膜１０と同程度にし、フラックスガイド１１への電流
の漏洩をさらに減少させる。高抵抗磁区制御膜３８は、
酸化ニッケル膜で代表される導電性の極めて低い反強磁
性膜または硬磁性膜からなり、フラックスガイド１１を
磁区制御する。
【００３４】図６は本発明の磁気抵抗素子の断面構造の
第二例を示す説明図である。下部及び上部磁気シールド
８１，８２，上部及び下部非磁性絶縁膜２１，２２の構
成は図４と同様である。フラックスガイド１１は磁気抵
抗効果膜１０の素子高さ方向６２側の前端部及び後端部
に接して配置し、フラックスガイド１１，磁気抵抗効果
膜１０，フラックスガイド１１、及び上部，下部磁気シ
ールド８１，８２が、対向面６３から磁束を誘導する磁
気回路を形成し、上部，下部磁気シールド８１，８２が
形成する磁気ギャップ内に侵入する磁束を効率良く検出
することができる。また、磁気抵抗効果膜１０が対向面
６７に露出せず、電気的，化学的な耐久性を向上するこ
とができる。
第二例を示す説明図である。下部及び上部磁気シールド
８１，８２，上部及び下部非磁性絶縁膜２１，２２の構
成は図４と同様である。フラックスガイド１１は磁気抵
抗効果膜１０の素子高さ方向６２側の前端部及び後端部
に接して配置し、フラックスガイド１１，磁気抵抗効果
膜１０，フラックスガイド１１、及び上部，下部磁気シ
ールド８１，８２が、対向面６３から磁束を誘導する磁
気回路を形成し、上部，下部磁気シールド８１，８２が
形成する磁気ギャップ内に侵入する磁束を効率良く検出
することができる。また、磁気抵抗効果膜１０が対向面
６７に露出せず、電気的，化学的な耐久性を向上するこ
とができる。
【００３５】図７は本発明の磁気抵抗素子の断面構造の
第三例を示す説明図である。下部及び上部磁気シールド
８１，８２，上部及び下部非磁性絶縁膜２１，２２の構
成は図４と同様である。フラックスガイド１１は磁気抵
抗効果膜１０の素子高さ方向６２側の前端部に接して配
置し、フラックスガイド１１，磁気抵抗効果膜１０，フ
ラックスガイド１１、及び上部，下部磁気シールド８
１，８２が、対向面６３から磁束を誘導する磁気回路を
形成し、上部，下部磁気シールド８１，８２が形成する
磁気ギャップ内に侵入する磁束を効率良く検出すること
ができる。また、磁気抵抗効果膜１０が対向面６７に露
出せず、電気的，化学的な耐久性を向上することができ
る。
第三例を示す説明図である。下部及び上部磁気シールド
８１，８２，上部及び下部非磁性絶縁膜２１，２２の構
成は図４と同様である。フラックスガイド１１は磁気抵
抗効果膜１０の素子高さ方向６２側の前端部に接して配
置し、フラックスガイド１１，磁気抵抗効果膜１０，フ
ラックスガイド１１、及び上部，下部磁気シールド８
１，８２が、対向面６３から磁束を誘導する磁気回路を
形成し、上部，下部磁気シールド８１，８２が形成する
磁気ギャップ内に侵入する磁束を効率良く検出すること
ができる。また、磁気抵抗効果膜１０が対向面６７に露
出せず、電気的，化学的な耐久性を向上することができ
る。
【００３６】図８は本発明の磁気抵抗素子の断面構造の
第四例を示す説明図である。下部及び上部磁気シールド
８１，８２，上部及び下部非磁性絶縁膜２１，２２の構
成は図４と同様である。磁気抵抗効果膜１０、及び上
部，下部磁気シールド８１，８２が、対向面６３から磁
束を誘導する磁気回路を形成し、上部，下部磁気シール
ド８１，８２が形成する磁気ギャップ内に侵入する磁束
を効率良く検出することができる。磁気ギャップ内の構
造が簡略であり、より小さなギャップ部を形成できる。
第四例を示す説明図である。下部及び上部磁気シールド
８１，８２，上部及び下部非磁性絶縁膜２１，２２の構
成は図４と同様である。磁気抵抗効果膜１０、及び上
部，下部磁気シールド８１，８２が、対向面６３から磁
束を誘導する磁気回路を形成し、上部，下部磁気シール
ド８１，８２が形成する磁気ギャップ内に侵入する磁束
を効率良く検出することができる。磁気ギャップ内の構
造が簡略であり、より小さなギャップ部を形成できる。
【００３７】図９は本発明の磁気抵抗素子の断面構造の
第五例を示す説明図である。下部磁気シールド８２を磁
気抵抗効果膜１０及びフラックスガイド１１の下部に下
部非磁性絶縁膜２１を介して配置する。同様に上部磁気
シールド８２を磁気抵抗効果膜１０及びフラックスガイ
ド１１の上部に上部非磁性絶縁膜２２を介して配置す
る。フラックスガイド１１は、上部，下部磁気シールド
８１，８２が形成する磁気ギャップ内に、より深く磁束
が侵入する効果を有する。
第五例を示す説明図である。下部磁気シールド８２を磁
気抵抗効果膜１０及びフラックスガイド１１の下部に下
部非磁性絶縁膜２１を介して配置する。同様に上部磁気
シールド８２を磁気抵抗効果膜１０及びフラックスガイ
ド１１の上部に上部非磁性絶縁膜２２を介して配置す
る。フラックスガイド１１は、上部，下部磁気シールド
８１，８２が形成する磁気ギャップ内に、より深く磁束
が侵入する効果を有する。
【００３８】図１０は本発明の磁気ヘッドの断面構造の
例を示す説明図である。下部磁気シールド８２，磁気抵
抗効果膜１０，フラックスガイド１１，上部及び下部非
磁性絶縁膜２１，２２の構成は図４と同様である。上部
磁気シールド兼下部磁気コア８４は、下部磁気シールド
８２と磁気ギャップを形成し、磁気ギャップ内に磁気抵
抗効果膜及びフラックスガイド１１を内包する。さらに
上部磁気シールド兼下部磁気コア８４は、上部磁気コア
８３、及びコイル４１とともに記録ヘッドを構成し、電
磁誘導効果によって磁場を発生して記録を行う。
例を示す説明図である。下部磁気シールド８２，磁気抵
抗効果膜１０，フラックスガイド１１，上部及び下部非
磁性絶縁膜２１，２２の構成は図４と同様である。上部
磁気シールド兼下部磁気コア８４は、下部磁気シールド
８２と磁気ギャップを形成し、磁気ギャップ内に磁気抵
抗効果膜及びフラックスガイド１１を内包する。さらに
上部磁気シールド兼下部磁気コア８４は、上部磁気コア
８３、及びコイル４１とともに記録ヘッドを構成し、電
磁誘導効果によって磁場を発生して記録を行う。
【００３９】図１１は本発明の磁気抵抗効果素子の作製
方法の一例を示す断面図である。工程１から工程１０ま
でを順を追って説明する。
方法の一例を示す断面図である。工程１から工程１０ま
でを順を追って説明する。
【００４０】工程１は基体５０上に下部磁気シールド８
２，下部非磁性絶縁膜２１，磁気抵抗効果膜１２を、順
次、積層する。工程２はフォトレジスト工程を用いてレ
ジストパターン３１を所定の形状に形成する。工程３は
イオンミリングによって磁気抵抗効果膜１２のレジスト
パターン３１に蔽われていない部分を除去する。工程４
は高抵抗軟磁性薄膜１３を形成する。工程５はレジスト
パターン３１とレジストパターン３１上の高抵抗軟磁性
薄膜１３を除去する。図では描かれていないが、電気端
子，磁区制御膜等を形成する。工程６は上部非磁性絶縁
膜２２を形成する。工程７はフォトレジスト工程を用い
てレジストパターン３２を所定の形状に形成する。工程
８はイオンミリングを用いてレジストパターン３２に蔽
われていない部分の上部非磁性絶縁膜２１，磁気抵抗効
果膜１２，下部非磁性絶縁膜２１を除去する。工程９は
レジストパターン３２を除去する。工程１０は上部磁気
シールド８１を形成する。以上の工程によって、簡便
に、かつ正確に位置の合った磁気抵抗効果膜−フラック
スガイド−磁気シールドの磁気回路が形成できる。
２，下部非磁性絶縁膜２１，磁気抵抗効果膜１２を、順
次、積層する。工程２はフォトレジスト工程を用いてレ
ジストパターン３１を所定の形状に形成する。工程３は
イオンミリングによって磁気抵抗効果膜１２のレジスト
パターン３１に蔽われていない部分を除去する。工程４
は高抵抗軟磁性薄膜１３を形成する。工程５はレジスト
パターン３１とレジストパターン３１上の高抵抗軟磁性
薄膜１３を除去する。図では描かれていないが、電気端
子，磁区制御膜等を形成する。工程６は上部非磁性絶縁
膜２２を形成する。工程７はフォトレジスト工程を用い
てレジストパターン３２を所定の形状に形成する。工程
８はイオンミリングを用いてレジストパターン３２に蔽
われていない部分の上部非磁性絶縁膜２１，磁気抵抗効
果膜１２，下部非磁性絶縁膜２１を除去する。工程９は
レジストパターン３２を除去する。工程１０は上部磁気
シールド８１を形成する。以上の工程によって、簡便
に、かつ正確に位置の合った磁気抵抗効果膜−フラック
スガイド−磁気シールドの磁気回路が形成できる。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば充分な再生出力と低ノイ
ズ特性を有する磁気ヘッドおよび高信頼性の高密度磁気
記録再生装置を得ることができる。
ズ特性を有する磁気ヘッドおよび高信頼性の高密度磁気
記録再生装置を得ることができる。
【図１】本発明の磁気記録再生装置の説明図。
【図２】本発明の磁気記録再生装置の側面図。
【図３】本発明の磁気抵抗効果素子の面内の構成の第一
例の説明図。
例の説明図。
【図４】本発明の磁気抵抗効果素子の断面構成の第一例
の説明図。
の説明図。
【図５】本発明の磁気抵抗効果素子の面内の構成の第二
例の説明図。
例の説明図。
【図６】本発明の磁気抵抗効果素子の断面構成の第二例
の説明図。
の説明図。
【図７】本発明の磁気抵抗効果素子の断面構成の第三例
の説明図。
の説明図。
【図８】本発明の磁気抵抗効果素子の断面構成の第四例
の説明図。
の説明図。
【図９】本発明の磁気抵抗効果素子の断面構成の第五例
の説明図。
の説明図。
【図１０】本発明の磁気ヘッドの断面図。
【図１１】本発明の磁気抵抗効果素子作製方法の説明
図。
図。
１０…磁気抵抗効果膜、１１…フラックスガイド、４０
…電気端子、５０…基体、６１…トラック幅方向、６２
…素子高さ方向、６３…対向面、６４…記録媒体からの
磁界、８１…上部磁気シールド、８２…下部磁気シール
ド、９０…スライダ、９１…記録媒体、９５…デイス
ク。
…電気端子、５０…基体、６１…トラック幅方向、６２
…素子高さ方向、６３…対向面、６４…記録媒体からの
磁界、８１…上部磁気シールド、８２…下部磁気シール
ド、９０…スライダ、９１…記録媒体、９５…デイス
ク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川邉 隆 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 成重 真治 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 福井 宏 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (18)
- 【請求項１】信号を磁気的に記録した強磁性記録媒体を
有するディスクと、前記ディスクに対向面で近接して、
前記記録媒体から漏洩する磁界を磁気抵抗効果素子によ
って検出する磁気ヘッドとを有する磁気記録再生装置に
おいて、前記磁気ヘッドが前記対向面に露出した磁気ギ
ャップを形成する磁気シールドを有し、前記磁気抵抗効
果素子が前記磁気ギャップ内にあり、前記磁気抵抗効果
素子が、電気端子と、磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗
効果膜の後端部に接して配置されたフラックスガイドと
を有することを特徴とする磁気記録再生装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記フラックスガイド
が、軟磁性であり、かつ、電気抵抗率１０００マイクロ
オームセンチメートル以上である高抵抗膜からなる磁気
記録再生装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記磁気シー
ルドの少なくとも一部が、軟磁性であり、かつ、電気抵
抗率１０００マイクロオームセンチメートル以上である
高抵抗膜からなる磁気記録再生装置。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、前記フラ
ックスガイドが前記電気端子を短絡する磁気記録再生装
置。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、前記
フラックスガイドの後端部が、前記磁気シールドと短絡
する磁気記録再生装置。 - 【請求項６】請求項１，２，３，４または５において、
前記磁気抵抗効果膜の、前記対向面側の端部に接触し
て、フラックスガイドを配置した磁気記録再生装置。 - 【請求項７】請求項５において、前記上部及び下部の磁
気シールドが対向面と反対側で閉磁路を形成し、前記フ
ラックスガイドが前記磁気シールドと対向面と反対側で
閉磁路を形成している磁気記録再生装置。 - 【請求項８】基体上に磁気抵抗効果膜を成膜し、前記磁
気抵抗効果膜上に第一のレジストパターンを形成し、前
記磁気抵抗効果膜をイオンミリング等の手段でパターニ
ングし、前記第一のレジストパターンを除去せずに前記
フラックスガイドを形成する高抵抗膜を成膜し、前記第
一のレジストパターンを除去し、第二のレジストパター
ンを形成し、前記磁気抵抗効果膜の他の部分及び前記高
抵抗膜をイオンミリング等の手段でパターニングし、前
記第二のレジストパターンを除去せずに電極を形成する
導電膜を成膜し、前記第二のレジストパターンを除去す
る工程を含む請求項１，２，３，４，５，６または７の
磁気記録再生装置の作製方法。 - 【請求項９】基体上に下部磁気シールドを成膜し、下部
絶縁膜を成膜し、前記磁気抵抗効果膜を形成し、上部絶
縁膜を成膜し、前記下部絶縁膜，磁気抵抗効果膜，上部
絶縁膜を、前記対向面に対して後端側で一部を除去し、
上部磁気シールドを形成する請求項１または７の磁気記
録再生装置の作製方法。 - 【請求項１０】基体上に下部磁気シールドを成膜し、下
部絶縁膜を成膜し、前記磁気抵抗効果膜及び後部フラッ
クスガイドを形成する高抵抗膜を形成し、上部絶縁膜を
成膜し、前記下部絶縁膜，磁気抵抗効果膜，上部絶縁膜
を、前記対向面に対して後端側で一部を除去し、上部磁
気シールドを形成する工程を含む請求項５または７の磁
気記録再生装置の作製方法。 - 【請求項１１】前記高抵抗薄膜が、厚さ５ｎｍ以上５μ
ｍ以下のフェライト薄膜からなる請求項１の磁気記録再
生装置。 - 【請求項１２】前記高抵抗薄膜が、厚さ０.５ｎｍ 以上
５μｍ以下の、磁性金属と非導電体との混合した膜から
なる請求項１の磁気記録再生装置。 - 【請求項１３】前記磁気ギャップの奥行きが４μｍ以下
である請求項１の磁気記録再生装置。 - 【請求項１４】前記フラックスガイドの前記磁気ギャッ
プの奥行き方向の長さが４μｍ以下である請求項１の磁
気記録再生装置。 - 【請求項１５】前記磁気抵抗効果膜と、前記フラックス
ガイドを単磁区化する磁区制御手段を有する請求項１，
２，３，４，５，６または７の磁気記録再生装置。 - 【請求項１６】前記磁区制御手段が、前記磁気抵抗効果
膜と前記フラックスガイドの両端部に配置した磁性膜で
ある請求項１５の磁気記録再生装置。 - 【請求項１７】前記磁区制御手段が、前記磁気抵抗効果
膜あるいは前記フラックスガイドに積層した反強磁性膜
である請求項１６の磁気記録再生装置。 - 【請求項１８】前記反強磁性膜が酸化ニッケル膜である
請求項１７の磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14478495A JPH08339514A (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14478495A JPH08339514A (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08339514A true JPH08339514A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15370371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14478495A Pending JPH08339514A (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08339514A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001006498A1 (fr) * | 1999-07-21 | 2001-01-25 | Hitachi Maxell, Ltd. | Tete de lecture/ecriture et dispositif d'enregistrement magnetique |
| US6223420B1 (en) | 1998-12-04 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of making a read head with high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency |
| KR20010106426A (ko) * | 1998-09-02 | 2001-11-29 | 가나이 쓰토무 | 정보 기록 재생 장치 |
| US6597546B2 (en) | 2001-04-19 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide |
| US7068475B2 (en) | 2001-02-27 | 2006-06-27 | Fujitsu Limited | Magnetic head having a flux-guide regulating film regulating a magnetic domain of a flux guide |
| US7719801B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetoresistive (MR) element having a continuous flux guide defined by the free layer |
-
1995
- 1995-06-12 JP JP14478495A patent/JPH08339514A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010106426A (ko) * | 1998-09-02 | 2001-11-29 | 가나이 쓰토무 | 정보 기록 재생 장치 |
| US6223420B1 (en) | 1998-12-04 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of making a read head with high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency |
| US6873499B2 (en) | 1998-12-04 | 2005-03-29 | International Business Machines Corporation | Read head having high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency |
| WO2001006498A1 (fr) * | 1999-07-21 | 2001-01-25 | Hitachi Maxell, Ltd. | Tete de lecture/ecriture et dispositif d'enregistrement magnetique |
| US6674594B1 (en) | 1999-07-21 | 2004-01-06 | Hitachi Maxell, Ltd. | Read/write head and magnetic recording device |
| US7068475B2 (en) | 2001-02-27 | 2006-06-27 | Fujitsu Limited | Magnetic head having a flux-guide regulating film regulating a magnetic domain of a flux guide |
| US6597546B2 (en) | 2001-04-19 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide |
| US7719801B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetoresistive (MR) element having a continuous flux guide defined by the free layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5446613A (en) | Magnetic head assembly with MR sensor | |
| US5434826A (en) | Multilayer hard bias films for longitudinal biasing in magnetoresistive transducer | |
| US5850326A (en) | Narrow track thin film magnetic head suitable for high density recording and reproducing operations and fabrication method thereof wherein an air bearing surface has at least one groove containing a non-magnetic electrically conductive layer | |
| US5883763A (en) | Read/write head having a GMR sensor biased by permanent magnets located between the GMR and the pole shields | |
| US3887945A (en) | Head assembly for recording and reading, employing inductive and magnetoresistive elements | |
| US4700252A (en) | Magnetic thin film head | |
| KR100361598B1 (ko) | 자기 저항 헤드 제조 방법 | |
| US20010028538A1 (en) | Magnetoresistive sensor and magnetic storage apparatus | |
| US6795263B2 (en) | Magnetic head | |
| JPH08339514A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| EP0514976B1 (en) | Combined read/write magnetic head | |
| JPH11259824A (ja) | 磁気記録再生装置及びそれに用いる磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| US6031691A (en) | Magnetoresistance effect magnetic head and manufacturing method therefor | |
| EP0482642B1 (en) | Composite magnetoresistive thin-film magnetic head | |
| US6671140B1 (en) | Magnetic head using a magnetoresistance effect based on ferromagnetic junction, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same | |
| JPH0922509A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JP2003218421A (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法並びに磁気ヘッド及び磁気再生装置 | |
| JP3040892B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPS6154012A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPS6371914A (ja) | 再生ヘツド | |
| JP2863552B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびこの薄膜磁気ヘッドを用いた記録再生装置 | |
| JPS62141619A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP3233115B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 | |
| US6064551A (en) | Magnetoresistance effect type magnetic head | |
| JP2830711B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ディスク装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040316 |