JPH08330562A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子及びその製造方法Info
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- JPH08330562A JPH08330562A JP7130317A JP13031795A JPH08330562A JP H08330562 A JPH08330562 A JP H08330562A JP 7130317 A JP7130317 A JP 7130317A JP 13031795 A JP13031795 A JP 13031795A JP H08330562 A JPH08330562 A JP H08330562A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 画素部を微細化しても、垂直ＣＣＤ部におけ
る転送電荷量の低下を招くことのない素子構造を備えた
固体撮像素子およびその製造方法を提供する。 【構成】 Ｎ（１００）シリコン基板１に第１ｐ型ウエ
ル２と第２ｐ型ウエル３を形成し、第２ｐ型ウエル３内
に垂直ＣＣＤｎ+ 層４を形成した後、垂直ＣＣＤｎ+ 層
４の上層部を含むＮ（１００）シリコン基板１の表面層
に不純物原子（Ｐ，Ａｓ）イオン注入してｐ- 層５を形
成し、垂直ＣＣＤｎ+ 層４の隣接部に、フォトダイオー
ド部（８、９）と垂直ＣＣＤｎ+ 層４との分離を行う分
離部５ａと，垂直ＣＣＤｎ+ 層４からの電荷の読み出し
を制御する読み出し制御部５ｂとを同時形成する。
る転送電荷量の低下を招くことのない素子構造を備えた
固体撮像素子およびその製造方法を提供する。 【構成】 Ｎ（１００）シリコン基板１に第１ｐ型ウエ
ル２と第２ｐ型ウエル３を形成し、第２ｐ型ウエル３内
に垂直ＣＣＤｎ+ 層４を形成した後、垂直ＣＣＤｎ+ 層
４の上層部を含むＮ（１００）シリコン基板１の表面層
に不純物原子（Ｐ，Ａｓ）イオン注入してｐ- 層５を形
成し、垂直ＣＣＤｎ+ 層４の隣接部に、フォトダイオー
ド部（８、９）と垂直ＣＣＤｎ+ 層４との分離を行う分
離部５ａと，垂直ＣＣＤｎ+ 層４からの電荷の読み出し
を制御する読み出し制御部５ｂとを同時形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子およびその
製造方法に関し、特に画素部の微細化に際して転送電荷
量の低下をまねくことのない固体撮像素子およびその製
造方法に関するものである。
製造方法に関し、特に画素部の微細化に際して転送電荷
量の低下をまねくことのない固体撮像素子およびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来のビデオカメラ等に固体撮
像素子として使用されているＣＣＤ固体撮像素子の一画
素部におけるフォトダイオード部（光を光電変換により
電荷として蓄える部分）と垂直ＣＣＤ部の構成を示す断
面図である。図において、Ｎ（１００）シリコン基板１
に第１ｐ型ウエル２が形成され、第１ｐ型ウエル２内に
第２ｐ型ウエル３とフォトダイオードｎ層８が形成され
ている。前記第２ｐ型ウエル３内に垂直ＣＣＤｎ+ 層４
が形成され、前記フォトダイオードｎ層８内に埋め込み
フォトダイオードｐ+ 層９が形成されている。前記第１
ｐ型ウエル２（第２ｐ型ウエル３）内の前記垂直ＣＣＤ
ｎ+ 層４に隣接する一方の領域にはフォトダイオードｎ
層８から垂直ＣＣＤｎ+ 層４への電荷の読み出し制御を
担うｐ- 領域１６が形成され、他方の領域には前記垂直
ＣＣＤｎ+ 層４とこれに隣接するフォトダイオードｎ層
８との電気的分離を担うｐ+ 領域１５が形成されてい
る。そして、ｎ型シリコン基板１表面にゲート絶縁膜６
が形成され、ゲート絶縁膜６の垂直ＣＣＤ部（第２ｐ型
ウエル３，垂直ＣＣＤｎ+ 層４）を覆っている部分の表
面にポリシリコン電極７が形成されている。ここで、埋
め込みフォトダイオードｐ+ 層９は暗電流対策のために
形成されたものであり、ポリシリコン電極７は垂直ＣＣ
Ｄ部におけるフォトダイオード部からの電荷の読み出し
と，読み出された電荷の転送の両方を制御する電極、即
ち、読み出し兼転送電極として機能する。また、垂直Ｃ
ＣＤｎ+ 層４は高い転送効率が得られるように、通常、
砒素とリンの２重注入によって形成されている。なお、
この図６はポリシリコン電極７まで形成した状態を示し
ており、通常、ポリシリコン電極を形成した後、図示し
ない層間絶縁膜と遮光膜が形成される。
像素子として使用されているＣＣＤ固体撮像素子の一画
素部におけるフォトダイオード部（光を光電変換により
電荷として蓄える部分）と垂直ＣＣＤ部の構成を示す断
面図である。図において、Ｎ（１００）シリコン基板１
に第１ｐ型ウエル２が形成され、第１ｐ型ウエル２内に
第２ｐ型ウエル３とフォトダイオードｎ層８が形成され
ている。前記第２ｐ型ウエル３内に垂直ＣＣＤｎ+ 層４
が形成され、前記フォトダイオードｎ層８内に埋め込み
フォトダイオードｐ+ 層９が形成されている。前記第１
ｐ型ウエル２（第２ｐ型ウエル３）内の前記垂直ＣＣＤ
ｎ+ 層４に隣接する一方の領域にはフォトダイオードｎ
層８から垂直ＣＣＤｎ+ 層４への電荷の読み出し制御を
担うｐ- 領域１６が形成され、他方の領域には前記垂直
ＣＣＤｎ+ 層４とこれに隣接するフォトダイオードｎ層
８との電気的分離を担うｐ+ 領域１５が形成されてい
る。そして、ｎ型シリコン基板１表面にゲート絶縁膜６
が形成され、ゲート絶縁膜６の垂直ＣＣＤ部（第２ｐ型
ウエル３，垂直ＣＣＤｎ+ 層４）を覆っている部分の表
面にポリシリコン電極７が形成されている。ここで、埋
め込みフォトダイオードｐ+ 層９は暗電流対策のために
形成されたものであり、ポリシリコン電極７は垂直ＣＣ
Ｄ部におけるフォトダイオード部からの電荷の読み出し
と，読み出された電荷の転送の両方を制御する電極、即
ち、読み出し兼転送電極として機能する。また、垂直Ｃ
ＣＤｎ+ 層４は高い転送効率が得られるように、通常、
砒素とリンの２重注入によって形成されている。なお、
この図６はポリシリコン電極７まで形成した状態を示し
ており、通常、ポリシリコン電極を形成した後、図示し
ない層間絶縁膜と遮光膜が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１１は上記図１０に
示した従来の固体撮像素子の画素部における垂直ＣＣＤ
ｎ+ 層（垂直ＣＣＤｎ+ 領域とも呼ぶ。）４とその周辺
領域における不純物の拡散状態を示した概念図である。
この図に示すように、上記図１１に示した従来の固体撮
像素子において、ｐ- 領域１６及びｐ+ 領域１５を垂直
ＣＣＤｎ+ 領域４に隣接するよう形成する場合、ｐ- 領
域１６及びｐ+ 領域１５から垂直ＣＣＤｎ + 領域４にｐ
型不純物が拡散し、垂直ＣＣＤｎ+ 領域４からｐ- 領域
１６及びｐ + 領域１５にｎ型不純物が拡散する。従っ
て、実際には、図中のＡ−Ｂ線に対応して、Ａ側から真
のｐ+ 領域１５，ｐ+ 領域１５と垂直ＣＣＤｎ+ 領域４
が重なった不純物拡散領域４ａ，真の垂直ＣＣＤｎ+ 領
域４，垂直ＣＣＤｎ+ 領域４とｐ- 領域１６が重なった
不純物拡散領域４ｂ，真のｐ- 領域１６が形成されたも
のとなる。このため、画素部を微細化するために垂直Ｃ
ＣＤｎ+ 領域４の面積を縮小していくと、上記のｐ- 領
域１６およびｐ+ 領域１５と垂直ＣＣＤｎ+ 領域４間の
不純物の相互の拡散、すなわち、不純物拡散領域４ａ及
び不純物拡散領域４ｂが、垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ
+ 領域４）の中央部の電位ポテンシャルに影響を与え、
空乏化電圧の低下と有効チャネル体積の減少を生じ、そ
の結果、垂直ＣＣＤ部の飽和電荷容量が低下して、垂直
ＣＣＤ部における転送電荷量が減少してしまうという問
題点があった。
示した従来の固体撮像素子の画素部における垂直ＣＣＤ
ｎ+ 層（垂直ＣＣＤｎ+ 領域とも呼ぶ。）４とその周辺
領域における不純物の拡散状態を示した概念図である。
この図に示すように、上記図１１に示した従来の固体撮
像素子において、ｐ- 領域１６及びｐ+ 領域１５を垂直
ＣＣＤｎ+ 領域４に隣接するよう形成する場合、ｐ- 領
域１６及びｐ+ 領域１５から垂直ＣＣＤｎ + 領域４にｐ
型不純物が拡散し、垂直ＣＣＤｎ+ 領域４からｐ- 領域
１６及びｐ + 領域１５にｎ型不純物が拡散する。従っ
て、実際には、図中のＡ−Ｂ線に対応して、Ａ側から真
のｐ+ 領域１５，ｐ+ 領域１５と垂直ＣＣＤｎ+ 領域４
が重なった不純物拡散領域４ａ，真の垂直ＣＣＤｎ+ 領
域４，垂直ＣＣＤｎ+ 領域４とｐ- 領域１６が重なった
不純物拡散領域４ｂ，真のｐ- 領域１６が形成されたも
のとなる。このため、画素部を微細化するために垂直Ｃ
ＣＤｎ+ 領域４の面積を縮小していくと、上記のｐ- 領
域１６およびｐ+ 領域１５と垂直ＣＣＤｎ+ 領域４間の
不純物の相互の拡散、すなわち、不純物拡散領域４ａ及
び不純物拡散領域４ｂが、垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ
+ 領域４）の中央部の電位ポテンシャルに影響を与え、
空乏化電圧の低下と有効チャネル体積の減少を生じ、そ
の結果、垂直ＣＣＤ部の飽和電荷容量が低下して、垂直
ＣＣＤ部における転送電荷量が減少してしまうという問
題点があった。
【０００４】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたものであり、画素部を微細化しても、垂直
ＣＣＤ部における転送電荷量の低下を招くことのない素
子構造を備えた固体撮像素子およびその製造方法を提供
することを目的とする。
めになされたものであり、画素部を微細化しても、垂直
ＣＣＤ部における転送電荷量の低下を招くことのない素
子構造を備えた固体撮像素子およびその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる固体撮像
素子は、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子に
おいて、前記基板表面層における前記垂直転送部の形成
領域とこれの周辺領域を含む基板領域に、前記垂直転送
部を構成する不純物原子とは反対導電型の不純物原子が
ドープされた低濃度不純物層が形成され、当該低濃度不
純物層の前記垂直転送部の一方の側に隣接する部分を前
記分離部にし、他方の側に隣接する部分を前記読み出し
制御部にしたことを特徴とする。
素子は、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子に
おいて、前記基板表面層における前記垂直転送部の形成
領域とこれの周辺領域を含む基板領域に、前記垂直転送
部を構成する不純物原子とは反対導電型の不純物原子が
ドープされた低濃度不純物層が形成され、当該低濃度不
純物層の前記垂直転送部の一方の側に隣接する部分を前
記分離部にし、他方の側に隣接する部分を前記読み出し
制御部にしたことを特徴とする。
【０００６】また、前記構成においては、前記垂直転送
部を構成する不純物原子がリンと砒素であることが好ま
しい。次に、本発明にかかる固体撮像素子の製造方法
は、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当該フ
ォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転送す
るための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部と垂
直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う読み
出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置して
形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つの画
素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直転送
部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を製造
する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基板の
所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する不純
物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体基板
の表面層における前記垂直転送部の形成領域とこれの周
辺領域を含む基板領域にのみ選択的にイオン注入して、
前記垂直転送部の両側隣接部に前記分離部と前記読み出
し制御部を同時形成することを特徴とする。
部を構成する不純物原子がリンと砒素であることが好ま
しい。次に、本発明にかかる固体撮像素子の製造方法
は、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当該フ
ォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転送す
るための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部と垂
直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う読み
出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置して
形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つの画
素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直転送
部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を製造
する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基板の
所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する不純
物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体基板
の表面層における前記垂直転送部の形成領域とこれの周
辺領域を含む基板領域にのみ選択的にイオン注入して、
前記垂直転送部の両側隣接部に前記分離部と前記読み出
し制御部を同時形成することを特徴とする。
【０００７】更に、本発明にかかる固体撮像素子の製造
方法は、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を
製造する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基
板の所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する
不純物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体
基板の表面層全域にイオン注入して、前記垂直転送部の
両側隣接部に前記分離部と前記読み出し制御部を同時形
成することを特徴とする。
方法は、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を
製造する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基
板の所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する
不純物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体
基板の表面層全域にイオン注入して、前記垂直転送部の
両側隣接部に前記分離部と前記読み出し制御部を同時形
成することを特徴とする。
【０００８】前記構成においては、前記半導体基板の第
１基板領域に砒素を注入する第１の工程と、前記第１基
板領域内の当該第１基板領域よりも狭い幅の第２基板領
域にリンを注入する第２の工程とを行い、この後、前記
基板のアニールを行うことにより、前記垂直転送部を前
記半導体基板の所定領域に形成するのが好ましい。
１基板領域に砒素を注入する第１の工程と、前記第１基
板領域内の当該第１基板領域よりも狭い幅の第２基板領
域にリンを注入する第２の工程とを行い、この後、前記
基板のアニールを行うことにより、前記垂直転送部を前
記半導体基板の所定領域に形成するのが好ましい。
【０００９】前記構成においては、前記分離部及び前記
読み出し制御部を、これらの前記半導体基板表面からの
深さが前記フォトダイオード部のｐｎ接合の前記半導体
基板表面からの深さよりも小さくなるように形成するの
が好ましい。
読み出し制御部を、これらの前記半導体基板表面からの
深さが前記フォトダイオード部のｐｎ接合の前記半導体
基板表面からの深さよりも小さくなるように形成するの
が好ましい。
【００１０】
【作用】前記した本発明の固体撮像素子の構成によれ
ば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当該フ
ォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転送す
るための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部と垂
直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う読み
出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置して
形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つの画
素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直転送
部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子におい
て、前記基板表面層における前記垂直転送部の形成領域
とこれの周辺領域を含む基板領域に、前記垂直転送部を
構成する不純物原子とは反対導電型の不純物原子がドー
プされた低濃度不純物層が形成され、当該低濃度不純物
層の前記垂直転送部の一方の側に隣接する部分を前記分
離部にし、他方の側に隣接する部分を前記読み出し制御
部にしたことにより、電荷の読み出しの制御を行う読み
出し制御部及び垂直転送部とフォトダイオード部との分
離を行う分離部からの垂直転送部における不純物（原
子）の拡散状態に与える影響が小さくなり、画素部（垂
直転送部）を微細化しても、垂直転送部のエッジ領域に
おける不純物（原子）濃度の急峻な変化が保たれること
となり、その結果、ナローチャンネル効果により空乏化
電圧が低下したり，有効チャンネル体積が減少してしま
うことを防止でき、垂直転送部における飽和電荷容量の
低下を防止することができる。
ば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当該フ
ォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転送す
るための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部と垂
直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う読み
出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置して
形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つの画
素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直転送
部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子におい
て、前記基板表面層における前記垂直転送部の形成領域
とこれの周辺領域を含む基板領域に、前記垂直転送部を
構成する不純物原子とは反対導電型の不純物原子がドー
プされた低濃度不純物層が形成され、当該低濃度不純物
層の前記垂直転送部の一方の側に隣接する部分を前記分
離部にし、他方の側に隣接する部分を前記読み出し制御
部にしたことにより、電荷の読み出しの制御を行う読み
出し制御部及び垂直転送部とフォトダイオード部との分
離を行う分離部からの垂直転送部における不純物（原
子）の拡散状態に与える影響が小さくなり、画素部（垂
直転送部）を微細化しても、垂直転送部のエッジ領域に
おける不純物（原子）濃度の急峻な変化が保たれること
となり、その結果、ナローチャンネル効果により空乏化
電圧が低下したり，有効チャンネル体積が減少してしま
うことを防止でき、垂直転送部における飽和電荷容量の
低下を防止することができる。
【００１１】また、前記構成の好ましい例として、前記
垂直転送部を構成する不純物原子がリンと砒素である
と、転送効率を向上させるうえで有効である。次に、前
記した本発明の固体撮像素子の製造方法の構成によれ
ば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当該フ
ォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転送す
るための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部と垂
直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う読み
出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置して
形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つの画
素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直転送
部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を製造
する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基板の
所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する不純
物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体基板
の表面層における前記垂直転送部の形成領域とこれの周
辺領域を含む基板領域にのみ選択的にイオン注入して、
前記垂直転送部の両側隣接部に前記分離部と前記読み出
し制御部を同時形成することにより、前記の垂直転送部
における飽和電荷容量の低下を生じることなく，画素部
（垂直転送部）の微細化が図られた固体撮像素子を、従
来よりも少ないマスク及び工程数で製造することができ
る。
垂直転送部を構成する不純物原子がリンと砒素である
と、転送効率を向上させるうえで有効である。次に、前
記した本発明の固体撮像素子の製造方法の構成によれ
ば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当該フ
ォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転送す
るための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部と垂
直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う読み
出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置して
形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つの画
素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直転送
部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を製造
する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基板の
所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する不純
物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体基板
の表面層における前記垂直転送部の形成領域とこれの周
辺領域を含む基板領域にのみ選択的にイオン注入して、
前記垂直転送部の両側隣接部に前記分離部と前記読み出
し制御部を同時形成することにより、前記の垂直転送部
における飽和電荷容量の低下を生じることなく，画素部
（垂直転送部）の微細化が図られた固体撮像素子を、従
来よりも少ないマスク及び工程数で製造することができ
る。
【００１２】更に、前記した本発明の固体撮像素子の製
造方法の構成によれば、半導体基板に、各々がフォトダ
イオード部，当該フォトダイオード部に蓄積された電荷
を読み出し、転送するための垂直転送部，及び前記フォ
トダイオード部と垂直転送部との間で前記電荷の読み出
しの制御を行う読み出し制御部を有する複数の画素部が
アレイ状に配置して形成され、かつ、前記複数の画素部
の隣接する２つの画素部間における前記フォトダイオー
ド部と前記垂直転送部の分離を行う分離部が形成された
固体撮像素子を製造する方法において、前記垂直転送部
を前記半導体基板の所定領域に形成した後、前記垂直転
送部を構成する不純物原子とは反対導電型の不純物原子
を、前記半導体基板の表面層全域にイオン注入して、前
記垂直転送部の両側隣接部に前記分離部と前記読み出し
制御部を同時形成することにより、前記製造方法に比し
て更に製造工程数を削減でき、製造効率の向上を図るこ
とができる。
造方法の構成によれば、半導体基板に、各々がフォトダ
イオード部，当該フォトダイオード部に蓄積された電荷
を読み出し、転送するための垂直転送部，及び前記フォ
トダイオード部と垂直転送部との間で前記電荷の読み出
しの制御を行う読み出し制御部を有する複数の画素部が
アレイ状に配置して形成され、かつ、前記複数の画素部
の隣接する２つの画素部間における前記フォトダイオー
ド部と前記垂直転送部の分離を行う分離部が形成された
固体撮像素子を製造する方法において、前記垂直転送部
を前記半導体基板の所定領域に形成した後、前記垂直転
送部を構成する不純物原子とは反対導電型の不純物原子
を、前記半導体基板の表面層全域にイオン注入して、前
記垂直転送部の両側隣接部に前記分離部と前記読み出し
制御部を同時形成することにより、前記製造方法に比し
て更に製造工程数を削減でき、製造効率の向上を図るこ
とができる。
【００１３】また、前記構成の好ましい例として、前記
半導体基板の第１基板領域に砒素を注入する第１の工程
と、前記第１基板領域内の当該第１基板領域よりも狭い
幅の第２基板領域にリンを注入する第２の工程とを行
い、この後、前記基板のアニールを行うことにより、前
記垂直転送部を前記半導体基板の所定領域に形成するこ
とにより、前記垂直転送部のエッジ領域における不純物
（原子）濃度の変化がより一層急峻な変化となり、画素
部（垂直転送部）の微細化による垂直転送部の飽和電荷
容量の低下がより確実に防止される。
半導体基板の第１基板領域に砒素を注入する第１の工程
と、前記第１基板領域内の当該第１基板領域よりも狭い
幅の第２基板領域にリンを注入する第２の工程とを行
い、この後、前記基板のアニールを行うことにより、前
記垂直転送部を前記半導体基板の所定領域に形成するこ
とにより、前記垂直転送部のエッジ領域における不純物
（原子）濃度の変化がより一層急峻な変化となり、画素
部（垂直転送部）の微細化による垂直転送部の飽和電荷
容量の低下がより確実に防止される。
【００１４】また、前記構成の好ましい例として、前記
分離部及び前記読み出し制御部を、これらの前記半導体
基板表面からの深さが前記フォトダイオード部のｐｎ接
合の前記半導体基板表面からの深さよりも小さくなるよ
うに形成することにより、フォトダイオード部が前記分
離部及び前記読み出し制御部によって影響を受けること
がなく、良好な素子特性の固体撮像素子を安定に製造す
ることができる。
分離部及び前記読み出し制御部を、これらの前記半導体
基板表面からの深さが前記フォトダイオード部のｐｎ接
合の前記半導体基板表面からの深さよりも小さくなるよ
うに形成することにより、フォトダイオード部が前記分
離部及び前記読み出し制御部によって影響を受けること
がなく、良好な素子特性の固体撮像素子を安定に製造す
ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。 （実施例１）図１は本発明の実施例１によるＣＣＤ固体
撮像素子の一画素部におけるフォトダイオード部と垂直
ＣＣＤ部の構成を示す断面図であり、図において、図９
と同一符号は同一または相当する部分を示し、５は垂直
ＣＣＤｎ+ 部４とフォトダイオードｎ層８間の電気的分
離と、フォトダイオードｎ層８から垂直ＣＣＤｎ+ 部４
への電荷の読み出し制御とを担うｐ- 層で、これはＮ
（１００）シリコン基板１の上層部分に第２ｐ型ウエル
３及び垂直ＣＣＤｎ+ 層４の一部を含むように形成され
ている。５ａは前記ｐ- 層５のうちの垂直ＣＣＤｎ+ 部
４とフォトダイオードｎ層８間の電気的分離を行う部分
（分離部）、５ｂは前記ｐ- 層５のうちのフォトダイオ
ードｎ層８から垂直ＣＣＤｎ+ 部４への電荷の読み出し
制御を行う部分（読み出し制御部）である。なお、ここ
では、前記のように、ｐ- 層５が、第２ｐ型ウエル３の
一部を含むように形成されているが、このｐ- 層５は前
記第２ｐ型ウエル３の一部を含まないように形成されて
いてもよい。図２は上記図１に示した本実施例のＣＣＤ
固体撮像素子の製造工程を示す工程別断面図であり、図
において、図１と同一符号は同一または相当する部分を
示している。以下この図２に基づいて製造工程を説明す
る。
る。 （実施例１）図１は本発明の実施例１によるＣＣＤ固体
撮像素子の一画素部におけるフォトダイオード部と垂直
ＣＣＤ部の構成を示す断面図であり、図において、図９
と同一符号は同一または相当する部分を示し、５は垂直
ＣＣＤｎ+ 部４とフォトダイオードｎ層８間の電気的分
離と、フォトダイオードｎ層８から垂直ＣＣＤｎ+ 部４
への電荷の読み出し制御とを担うｐ- 層で、これはＮ
（１００）シリコン基板１の上層部分に第２ｐ型ウエル
３及び垂直ＣＣＤｎ+ 層４の一部を含むように形成され
ている。５ａは前記ｐ- 層５のうちの垂直ＣＣＤｎ+ 部
４とフォトダイオードｎ層８間の電気的分離を行う部分
（分離部）、５ｂは前記ｐ- 層５のうちのフォトダイオ
ードｎ層８から垂直ＣＣＤｎ+ 部４への電荷の読み出し
制御を行う部分（読み出し制御部）である。なお、ここ
では、前記のように、ｐ- 層５が、第２ｐ型ウエル３の
一部を含むように形成されているが、このｐ- 層５は前
記第２ｐ型ウエル３の一部を含まないように形成されて
いてもよい。図２は上記図１に示した本実施例のＣＣＤ
固体撮像素子の製造工程を示す工程別断面図であり、図
において、図１と同一符号は同一または相当する部分を
示している。以下この図２に基づいて製造工程を説明す
る。
【００１６】先ず、図２（ａ）に示すように、Ｎ（１０
０）シリコン基板１に第１ｐ型ウエル（キャリア濃度：
１０14〜１０15cm-3）２と第２ｐ型ウエル（キャリア濃
度：１０15〜１０16cm-3）３を形成した後、前記第２ｐ
型ウエル３内に垂直ＣＣＤｎ + 領域（キャリア濃度：１
０16〜１０17cm-3）４を形成する。次に図２（ｂ）に示
すように、基板１の表面にレジストパターン１０を形成
した後、このレジストパターン１０をマスクにして基板
１のフォトダイオードを形成すべき領域以外の，前記垂
直ＣＣＤｎ+ 部４および第２ｐ型ウエル３の上層部を含
む領域に、ボロンをドーズ量５×１０11ｍ-2程度で注入
し、ｐ- 層（キャリア濃度：１０16cm-3程度）５形成す
る。次に、図２（ｃ）に示すように、例えばＳｉＯ2 か
らなるゲート絶縁膜６を形成した後、このゲート絶縁膜
６上にポリシリコンを堆積し、ドライエッチング法を用
いて読み出し兼転送電極であるポリシリコン電極７を形
成する。次に、図２（ｄ）に示すように、前記ポリシリ
コン電極７をマスクにして埋め込みフォトダイオードｎ
層（キャリア濃度：５×１０15〜５×１０16cm-3）８お
よび埋め込みフォトダイオードｐ+ 層（キャリア濃度：
１０17〜１０20cm-3）９をイオン注入によりセルフアラ
インで形成した後、図示しない層間絶縁膜および遮光膜
を必要に応じて形成し、ＣＣＤ固体撮像素子を完成す
る。ここで、ｐ - 層５を１度のイオン注入工程で形成す
るため、従来素子の分離用ｐ+ 層１５と同等のキャリア
濃度の分離領域を形成することはできないが、ポリシリ
コン電極７と分離領域とのオーバーラップ寸法を小さく
したり、また、フォトダイオードｎ層８と垂直ＣＣＤｎ
+ 層４間の距離を大きくすることにより、垂直ＣＣＤｎ
+層４とフォトダイオードｎ層８間の電気的分離を行う
ことができる。なお、前記各層のキャリア濃度は素子完
成時、すなわち、不純物原子のドーピング後、基板アニ
ールにより拡散した状態での濃度である。
０）シリコン基板１に第１ｐ型ウエル（キャリア濃度：
１０14〜１０15cm-3）２と第２ｐ型ウエル（キャリア濃
度：１０15〜１０16cm-3）３を形成した後、前記第２ｐ
型ウエル３内に垂直ＣＣＤｎ + 領域（キャリア濃度：１
０16〜１０17cm-3）４を形成する。次に図２（ｂ）に示
すように、基板１の表面にレジストパターン１０を形成
した後、このレジストパターン１０をマスクにして基板
１のフォトダイオードを形成すべき領域以外の，前記垂
直ＣＣＤｎ+ 部４および第２ｐ型ウエル３の上層部を含
む領域に、ボロンをドーズ量５×１０11ｍ-2程度で注入
し、ｐ- 層（キャリア濃度：１０16cm-3程度）５形成す
る。次に、図２（ｃ）に示すように、例えばＳｉＯ2 か
らなるゲート絶縁膜６を形成した後、このゲート絶縁膜
６上にポリシリコンを堆積し、ドライエッチング法を用
いて読み出し兼転送電極であるポリシリコン電極７を形
成する。次に、図２（ｄ）に示すように、前記ポリシリ
コン電極７をマスクにして埋め込みフォトダイオードｎ
層（キャリア濃度：５×１０15〜５×１０16cm-3）８お
よび埋め込みフォトダイオードｐ+ 層（キャリア濃度：
１０17〜１０20cm-3）９をイオン注入によりセルフアラ
インで形成した後、図示しない層間絶縁膜および遮光膜
を必要に応じて形成し、ＣＣＤ固体撮像素子を完成す
る。ここで、ｐ - 層５を１度のイオン注入工程で形成す
るため、従来素子の分離用ｐ+ 層１５と同等のキャリア
濃度の分離領域を形成することはできないが、ポリシリ
コン電極７と分離領域とのオーバーラップ寸法を小さく
したり、また、フォトダイオードｎ層８と垂直ＣＣＤｎ
+ 層４間の距離を大きくすることにより、垂直ＣＣＤｎ
+層４とフォトダイオードｎ層８間の電気的分離を行う
ことができる。なお、前記各層のキャリア濃度は素子完
成時、すなわち、不純物原子のドーピング後、基板アニ
ールにより拡散した状態での濃度である。
【００１７】次に、本実施例のＣＣＤ固体撮像素子の素
子構造により、画素部を微細化した際の垂直ＣＣＤ部に
おける転送電荷量の低下を抑制することができる理由に
ついて説明する。図７は上記図１に示した本実施例のＣ
ＣＤ固体撮像素子の画素部における垂直ＣＣＤｎ+ 領域
４とその周辺領域における不純物の拡散状態を示した概
念図である。また、図９は前記図１０に示した従来のＣ
ＣＤ固体撮像素子の図１１中のＡ−Ｂ線で特定した領域
の不純物濃度分布，本実施例のＣＣＤ固体撮像素子の図
７中のＡ′−Ｂ′線で特定した領域の不純物濃度分布及
び後述の図５に示す実施例３のＣＣＤ固体撮像素子の図
８中のＡ″−Ｂ″線で特定した領域の不純物濃度分布を
示した図である。
子構造により、画素部を微細化した際の垂直ＣＣＤ部に
おける転送電荷量の低下を抑制することができる理由に
ついて説明する。図７は上記図１に示した本実施例のＣ
ＣＤ固体撮像素子の画素部における垂直ＣＣＤｎ+ 領域
４とその周辺領域における不純物の拡散状態を示した概
念図である。また、図９は前記図１０に示した従来のＣ
ＣＤ固体撮像素子の図１１中のＡ−Ｂ線で特定した領域
の不純物濃度分布，本実施例のＣＣＤ固体撮像素子の図
７中のＡ′−Ｂ′線で特定した領域の不純物濃度分布及
び後述の図５に示す実施例３のＣＣＤ固体撮像素子の図
８中のＡ″−Ｂ″線で特定した領域の不純物濃度分布を
示した図である。
【００１８】図９から分かるように、従来の素子（図中
実線）では垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ+ 領域４）のエ
ッジ領域周辺における不純物濃度の変化が非常に緩やか
であり、また、分離領域（ｐ+ 層１５）と読み出し領域
（ｐ- 領域１６）の不純物濃度に差があるため、図１１
中のＡ点およびＢ点付近の不純物濃度変化の傾きに差が
生じている。これに対し、本実施例の素子（図中点線）
では垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ+ 領域４）のエッジ領
域周辺における不純物濃度の変化が急峻である。通常、
不純物濃度の変化と電位ポテンシャルの変化は対応関係
にある。従って、従来の素子では垂直ＣＣＤ部のエッジ
領域における電位ポテンシャルの変化も緩やかで、これ
が画素部の微細化により垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ+
領域４）を微細に形成した場合に、垂直ＣＣＤ部中央の
電位ポテンシャルに影響を与え、ナローチャンネル効果
により、垂直ＣＣＤ部の空乏化電圧の低下と有効チャネ
ル体積の減少をまねくことになっていたが、本実施例の
素子では、垂直ＣＣＤ部のエッジ領域周辺における不純
物濃度の変化が急峻であり、垂直ＣＣＤ部のエッジ領域
周辺における電位ポテンシャルの変化も急峻になるの
で、画素部の微細化により垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ
+ 領域４）を微細に形成した場合に、垂直ＣＣＤ部中央
の電位ポテンシャルは影響を受けることなく、すなわ
ち、ナローチャンネル効果の影響が従来よりも緩やかに
なり、垂直ＣＣＤ部の空乏化電圧の低下と有効チャネル
体積の減少を従来構造よりも軽減することができる。こ
のため、本実施例の素子では、画素部の微細化による垂
直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ+ 領域４）の転送電荷量の低
下を防止することができる。 （実施例２）図３は本発明の実施例２によるＣＣＤ固体
撮像素子の構成を示す断面図であり、図において、図１
と同一符号は同一または相当する部分を示し、５′は垂
直ＣＣＤｎ+ 部４とフォトダイオードｎ層８間の電気的
分離と、フォトダイオードｎ層８から垂直ＣＣＤｎ+ 部
４への電荷の読み出し制御とを担うｐ- 層である。本発
明の固体撮像素子は、ｐ- 層５′をウエハ（Ｎ（１０
０）シリコン基板１）の全面に対してボロンをイオン注
入することにより形成して構成されたものである。
実線）では垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ+ 領域４）のエ
ッジ領域周辺における不純物濃度の変化が非常に緩やか
であり、また、分離領域（ｐ+ 層１５）と読み出し領域
（ｐ- 領域１６）の不純物濃度に差があるため、図１１
中のＡ点およびＢ点付近の不純物濃度変化の傾きに差が
生じている。これに対し、本実施例の素子（図中点線）
では垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ+ 領域４）のエッジ領
域周辺における不純物濃度の変化が急峻である。通常、
不純物濃度の変化と電位ポテンシャルの変化は対応関係
にある。従って、従来の素子では垂直ＣＣＤ部のエッジ
領域における電位ポテンシャルの変化も緩やかで、これ
が画素部の微細化により垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ+
領域４）を微細に形成した場合に、垂直ＣＣＤ部中央の
電位ポテンシャルに影響を与え、ナローチャンネル効果
により、垂直ＣＣＤ部の空乏化電圧の低下と有効チャネ
ル体積の減少をまねくことになっていたが、本実施例の
素子では、垂直ＣＣＤ部のエッジ領域周辺における不純
物濃度の変化が急峻であり、垂直ＣＣＤ部のエッジ領域
周辺における電位ポテンシャルの変化も急峻になるの
で、画素部の微細化により垂直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ
+ 領域４）を微細に形成した場合に、垂直ＣＣＤ部中央
の電位ポテンシャルは影響を受けることなく、すなわ
ち、ナローチャンネル効果の影響が従来よりも緩やかに
なり、垂直ＣＣＤ部の空乏化電圧の低下と有効チャネル
体積の減少を従来構造よりも軽減することができる。こ
のため、本実施例の素子では、画素部の微細化による垂
直ＣＣＤ部（垂直ＣＣＤｎ+ 領域４）の転送電荷量の低
下を防止することができる。 （実施例２）図３は本発明の実施例２によるＣＣＤ固体
撮像素子の構成を示す断面図であり、図において、図１
と同一符号は同一または相当する部分を示し、５′は垂
直ＣＣＤｎ+ 部４とフォトダイオードｎ層８間の電気的
分離と、フォトダイオードｎ層８から垂直ＣＣＤｎ+ 部
４への電荷の読み出し制御とを担うｐ- 層である。本発
明の固体撮像素子は、ｐ- 層５′をウエハ（Ｎ（１０
０）シリコン基板１）の全面に対してボロンをイオン注
入することにより形成して構成されたものである。
【００１９】図４は上記図３に示した本実施例のＣＣＤ
固体撮像素子の製造工程を示す工程別断面図であり、図
において、図３と同一符号は同一または相当する部分を
示している。以下この図３に基づいて製造工程を説明す
る。
固体撮像素子の製造工程を示す工程別断面図であり、図
において、図３と同一符号は同一または相当する部分を
示している。以下この図３に基づいて製造工程を説明す
る。
【００２０】先ず、図４（ａ）に示すように、実施例１
と同様に、Ｎ（１００）シリコン基板１に第１ｐ型ウエ
ル２と第２ｐ型ウエル３を形成した後、前記第２ｐ型ウ
エル３内に垂直ＣＣＤｎ+ 部４を形成する。次に、図４
（ｂ）に示すように、Ｎ（１００）シリコン基板１の全
面にボロン原子をドーズ量５×１０11ｍ-2程度で注入し
て、ｐ-層５′を形成する。次に、図４（ｃ）に示すよ
うに、例えばＳｉＯ2からなるゲート絶縁膜６を形成し
た後、このゲート絶縁膜６上にポリシリコンを堆積し、
ドライエッチング法を用いて読み出し兼転送電極である
ポリシリコン電極７を形成する。次に、図４（ｄ）に示
すように、前記ポリシリコン電極７をマスクにして埋め
込みフォトダイオードｎ層８および埋め込みフォトダイ
オード ｐ+層９をイオン注入によりセルフアラインで形
成した後、図示しない層間絶縁膜および遮光膜を必要に
応じて形成して、ＣＣＤ固体撮像素子を完成する。な
お、以上の工程において、ｐ- 層５′を形成する際のイ
オン注入工程における加速エネルギーは、素子形成工程
終了時（図４（ｄ））にこのｐ- 層５′が埋め込みフォ
トダイオードｐ+ 層９中に取り込まれてしまうような加
速エネルギーに設定している。もしｐ- 層５′を形成す
る際のイオン注入工程における加速エネルギーが、埋め
込みフォトダイオードｐ+ 層９より深い位置まで当該ｐ
- 層５′が形成されてしまうようなものである場合は、
埋め込みフォトダイオードｎ層８を形成する際の不純物
原子のドーズ量を大きくして、フォトダイオード部にお
けるｐ- 層５′の影響を無くする。
と同様に、Ｎ（１００）シリコン基板１に第１ｐ型ウエ
ル２と第２ｐ型ウエル３を形成した後、前記第２ｐ型ウ
エル３内に垂直ＣＣＤｎ+ 部４を形成する。次に、図４
（ｂ）に示すように、Ｎ（１００）シリコン基板１の全
面にボロン原子をドーズ量５×１０11ｍ-2程度で注入し
て、ｐ-層５′を形成する。次に、図４（ｃ）に示すよ
うに、例えばＳｉＯ2からなるゲート絶縁膜６を形成し
た後、このゲート絶縁膜６上にポリシリコンを堆積し、
ドライエッチング法を用いて読み出し兼転送電極である
ポリシリコン電極７を形成する。次に、図４（ｄ）に示
すように、前記ポリシリコン電極７をマスクにして埋め
込みフォトダイオードｎ層８および埋め込みフォトダイ
オード ｐ+層９をイオン注入によりセルフアラインで形
成した後、図示しない層間絶縁膜および遮光膜を必要に
応じて形成して、ＣＣＤ固体撮像素子を完成する。な
お、以上の工程において、ｐ- 層５′を形成する際のイ
オン注入工程における加速エネルギーは、素子形成工程
終了時（図４（ｄ））にこのｐ- 層５′が埋め込みフォ
トダイオードｐ+ 層９中に取り込まれてしまうような加
速エネルギーに設定している。もしｐ- 層５′を形成す
る際のイオン注入工程における加速エネルギーが、埋め
込みフォトダイオードｐ+ 層９より深い位置まで当該ｐ
- 層５′が形成されてしまうようなものである場合は、
埋め込みフォトダイオードｎ層８を形成する際の不純物
原子のドーズ量を大きくして、フォトダイオード部にお
けるｐ- 層５′の影響を無くする。
【００２１】このように本実施例では、垂直ＣＣＤｎ+
部４とフォトダイオードｎ層８間の電気的分離と、フォ
トダイオードｎ層８から垂直ＣＣＤｎ+ 部４への電荷の
読み出し制御とを担うｐ- 層５′を選択的に形成せず、
Ｎ（１００）シリコン基板１の全面に対して形成するの
で、前記実施例１のようなレジストマスク（レジストパ
ターン１０）を形成する必要がなく、前記実施例１に比
して、製造工程を簡略化することができる。 （実施例３）図５は本発明の実施例３によるＣＣＤ固体
撮像素子の構成を示す断面図であり、図において、図３
と同一符号は同一または相当する部分を示し、１２は垂
直ＣＣＤ砒素注入層、１４は垂直ＣＣＤリン注入層であ
る。図６は上記図５に示した本実施例のＣＣＤ固体撮像
素子の製造工程を示す工程別断面図であり、図におい
て、図５と同一符号は同一または相当する部分を示し、
１１，１３はレジストパターンである。以下この図６に
基づいて製造工程を説明する。
部４とフォトダイオードｎ層８間の電気的分離と、フォ
トダイオードｎ層８から垂直ＣＣＤｎ+ 部４への電荷の
読み出し制御とを担うｐ- 層５′を選択的に形成せず、
Ｎ（１００）シリコン基板１の全面に対して形成するの
で、前記実施例１のようなレジストマスク（レジストパ
ターン１０）を形成する必要がなく、前記実施例１に比
して、製造工程を簡略化することができる。 （実施例３）図５は本発明の実施例３によるＣＣＤ固体
撮像素子の構成を示す断面図であり、図において、図３
と同一符号は同一または相当する部分を示し、１２は垂
直ＣＣＤ砒素注入層、１４は垂直ＣＣＤリン注入層であ
る。図６は上記図５に示した本実施例のＣＣＤ固体撮像
素子の製造工程を示す工程別断面図であり、図におい
て、図５と同一符号は同一または相当する部分を示し、
１１，１３はレジストパターンである。以下この図６に
基づいて製造工程を説明する。
【００２２】先ず、図６（ａ）に示すように、Ｎ（１０
０）シリコン基板１に第１ｐ型ウエル２と第２ｐ型ウエ
ル３を形成した後、基板１の表面にレジストパターン１
１を形成し、このレジストパターン１１をマスクにして
前記第２ｐ型ウエル３内に砒素原子をイオン注入し、垂
直ＣＣＤｎ+ 層４の一方の構成要素である垂直ＣＣＤ砒
素注入層１２を形成する。次にレジストパターン１１を
除去した後、図６（ｂ）に示すように、基板１の表面に
新たにレジストパターン１３を形成し、このレジストパ
ターン１３をマスクにして前記砒素注入層１２の内側に
リン原子をイオン注入し、垂直ＣＣＤｎ+ 層４の他方の
構成要素である垂直ＣＣＤリン注入層１４を形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、基板１の全面に対して
ボロンをドーズ量５×１０11ｍ-2程度で注入し、ｐ- 領
域５′を形成する。次に図６（ｄ）に示すように、例え
ばＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜６を形成した後、この
ゲート絶縁膜６上にポリシリコンを堆積し、ドライエッ
チング法を用いて読み出し兼転送電極であるポリシリコ
ン電極７を形成し、この後、ポリシリコン電極７をマス
クにして埋め込みフォトダイオードｎ層８および埋め込
みフォトダイオードｐ+ 層９をイオン注入によりセルフ
アラインで形成し、さらに、図示しない層間絶縁膜およ
び遮光膜を必要に応じて形成して、ＣＣＤ固体撮像素子
を完成する。なお、以上の工程で、垂直ＣＣＤリン注入
層１４は、注入当初、垂直ＣＣＤ砒素注入層１２の内側
に形成されるが、素子形成工程終了時（図６（ｃ））、
すなわち、基板アニール後にそのエッジが垂直ＣＣＤ砒
素注入層１２のエッジに重なるように、注入当初の注入
領域を設定している。また、前記実施例２と同様に、ｐ
- 層５′を形成する際のイオン注入工程における加速エ
ネルギーは、素子形成工程終了時（図４（ｄ））に、こ
のｐ- 層５′が埋め込みフォトダイオードｐ+ 層９中に
取り込まれてしまうような加速エネルギーに設定してい
る。もしｐ- 層５′を形成する際のイオン注入工程にお
ける加速エネルギーが、埋め込みフォトダイオードｐ+
層９より深い位置 までｐ- 層５′が形成されてしまう
ようなものである場合は、埋め込みフォトダイオードｎ
層８を形成する際の不純物原子のドーズ量を大きくし
て、フォトダイオード部におけるｐ- 層５′の影響を無
くしている。
０）シリコン基板１に第１ｐ型ウエル２と第２ｐ型ウエ
ル３を形成した後、基板１の表面にレジストパターン１
１を形成し、このレジストパターン１１をマスクにして
前記第２ｐ型ウエル３内に砒素原子をイオン注入し、垂
直ＣＣＤｎ+ 層４の一方の構成要素である垂直ＣＣＤ砒
素注入層１２を形成する。次にレジストパターン１１を
除去した後、図６（ｂ）に示すように、基板１の表面に
新たにレジストパターン１３を形成し、このレジストパ
ターン１３をマスクにして前記砒素注入層１２の内側に
リン原子をイオン注入し、垂直ＣＣＤｎ+ 層４の他方の
構成要素である垂直ＣＣＤリン注入層１４を形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、基板１の全面に対して
ボロンをドーズ量５×１０11ｍ-2程度で注入し、ｐ- 領
域５′を形成する。次に図６（ｄ）に示すように、例え
ばＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜６を形成した後、この
ゲート絶縁膜６上にポリシリコンを堆積し、ドライエッ
チング法を用いて読み出し兼転送電極であるポリシリコ
ン電極７を形成し、この後、ポリシリコン電極７をマス
クにして埋め込みフォトダイオードｎ層８および埋め込
みフォトダイオードｐ+ 層９をイオン注入によりセルフ
アラインで形成し、さらに、図示しない層間絶縁膜およ
び遮光膜を必要に応じて形成して、ＣＣＤ固体撮像素子
を完成する。なお、以上の工程で、垂直ＣＣＤリン注入
層１４は、注入当初、垂直ＣＣＤ砒素注入層１２の内側
に形成されるが、素子形成工程終了時（図６（ｃ））、
すなわち、基板アニール後にそのエッジが垂直ＣＣＤ砒
素注入層１２のエッジに重なるように、注入当初の注入
領域を設定している。また、前記実施例２と同様に、ｐ
- 層５′を形成する際のイオン注入工程における加速エ
ネルギーは、素子形成工程終了時（図４（ｄ））に、こ
のｐ- 層５′が埋め込みフォトダイオードｐ+ 層９中に
取り込まれてしまうような加速エネルギーに設定してい
る。もしｐ- 層５′を形成する際のイオン注入工程にお
ける加速エネルギーが、埋め込みフォトダイオードｐ+
層９より深い位置 までｐ- 層５′が形成されてしまう
ようなものである場合は、埋め込みフォトダイオードｎ
層８を形成する際の不純物原子のドーズ量を大きくし
て、フォトダイオード部におけるｐ- 層５′の影響を無
くしている。
【００２３】次に、本実施例のＣＣＤ固体撮像素子の素
子構造により、画素部を微細化した際の垂直ＣＣＤ部に
おける転送電荷量の低下を防止できる理由について説明
する。図８は本実施例のＣＣＤ固体撮像素子の画素部に
おける垂直ＣＣＤｎ+ 領域４（垂直ＣＣＤリン注入層１
４と垂直ＣＣＤ砒素注入層１２）とその周辺領域におけ
る不純物の拡散状態を示した概念図である。本実施例の
素子は、前記実施例１，２と同様の作用により、垂直Ｃ
ＣＤ部のエッジ領域における電位ポテンシャルの変化が
急峻になり、垂直ＣＣＤ部の空乏化電圧の低下と有効チ
ャネル体積の減少をまねくことはなく、転送電荷量の低
下を防止することができる。そして、本実施例の素子で
は、その熱拡散係数が砒素原子の熱拡散係数より大きい
リン原子の注入領域（垂直ＣＣＤリン注入層１４）を砒
素原子の注入領域（垂直ＣＣＤ砒素注入層１２）より狭
くし、基板アニール後に各々のエッジが同一位置に重な
るようにして、垂直ＣＣＤｎ+ 領域４を形成しているの
で、垂直ＣＣＤｎ+ 領域４のエッジの不純物濃度（キャ
リア濃度）を、単に砒素原子とリン原子を不純物原子と
して用いて垂直ＣＣＤｎ+ 領域４を形成している（すな
わち、砒素原子とリン原子の熱拡散係数の違いを考慮す
ることなく，同一基板領域に砒素原子とリン原子を注入
して垂直ＣＣＤｎ+ 領域４を形成している）前記実施例
１，２の素子の垂直ＣＣＤｎ+ 領域４のそれに比して、
高く保持することができる。従って、垂直ＣＣＤ部エッ
ジ領域周辺の不純物濃度の変化がより急峻となり、前記
実施例１，２の素子に比して、より高いレベルで垂直Ｃ
ＣＤ部の空乏化電圧の低下と有効チャネル体積の減少を
防止することができ、画素部（垂直転送部）の微細化に
よる垂直転送部の飽和電荷容量の低下がより確実に防止
される。
子構造により、画素部を微細化した際の垂直ＣＣＤ部に
おける転送電荷量の低下を防止できる理由について説明
する。図８は本実施例のＣＣＤ固体撮像素子の画素部に
おける垂直ＣＣＤｎ+ 領域４（垂直ＣＣＤリン注入層１
４と垂直ＣＣＤ砒素注入層１２）とその周辺領域におけ
る不純物の拡散状態を示した概念図である。本実施例の
素子は、前記実施例１，２と同様の作用により、垂直Ｃ
ＣＤ部のエッジ領域における電位ポテンシャルの変化が
急峻になり、垂直ＣＣＤ部の空乏化電圧の低下と有効チ
ャネル体積の減少をまねくことはなく、転送電荷量の低
下を防止することができる。そして、本実施例の素子で
は、その熱拡散係数が砒素原子の熱拡散係数より大きい
リン原子の注入領域（垂直ＣＣＤリン注入層１４）を砒
素原子の注入領域（垂直ＣＣＤ砒素注入層１２）より狭
くし、基板アニール後に各々のエッジが同一位置に重な
るようにして、垂直ＣＣＤｎ+ 領域４を形成しているの
で、垂直ＣＣＤｎ+ 領域４のエッジの不純物濃度（キャ
リア濃度）を、単に砒素原子とリン原子を不純物原子と
して用いて垂直ＣＣＤｎ+ 領域４を形成している（すな
わち、砒素原子とリン原子の熱拡散係数の違いを考慮す
ることなく，同一基板領域に砒素原子とリン原子を注入
して垂直ＣＣＤｎ+ 領域４を形成している）前記実施例
１，２の素子の垂直ＣＣＤｎ+ 領域４のそれに比して、
高く保持することができる。従って、垂直ＣＣＤ部エッ
ジ領域周辺の不純物濃度の変化がより急峻となり、前記
実施例１，２の素子に比して、より高いレベルで垂直Ｃ
ＣＤ部の空乏化電圧の低下と有効チャネル体積の減少を
防止することができ、画素部（垂直転送部）の微細化に
よる垂直転送部の飽和電荷容量の低下がより確実に防止
される。
【００２４】なお、前記実施例１〜３では、ｐ- 層５，
５′を形成する際のｐ型不純物原子としてボロンを用い
たが、本発明では、アルミニウムやガリウム等のボロン
以外の他のｐ型不純物原子を使用できることは言うまで
もない。
５′を形成する際のｐ型不純物原子としてボロンを用い
たが、本発明では、アルミニウムやガリウム等のボロン
以外の他のｐ型不純物原子を使用できることは言うまで
もない。
【００２５】また、前記実施例１〜３では、垂直ＣＣＤ
部を形成した後、ｐ- 層５，５′を形成したが、本発明
ではこれらを逆の順序で形成しても同様の効果を得るこ
とができる。
部を形成した後、ｐ- 層５，５′を形成したが、本発明
ではこれらを逆の順序で形成しても同様の効果を得るこ
とができる。
【００２６】また、前記実施例１〜３ではｎ型半導体基
板を用い、垂直ＣＣＤ領域がｎ+ 領域からなる固体撮像
素子について説明したが、本発明がｐ型半導体基板を用
いた前記実施例１〜３の固体撮像素子とは逆導電型の固
体撮像素子に適用できることは言うまでもない。
板を用い、垂直ＣＣＤ領域がｎ+ 領域からなる固体撮像
素子について説明したが、本発明がｐ型半導体基板を用
いた前記実施例１〜３の固体撮像素子とは逆導電型の固
体撮像素子に適用できることは言うまでもない。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明の固体撮像素子に
よれば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子に
おいて、前記基板表面層における前記垂直転送部の形成
領域とこれの周辺領域を含む基板領域に、前記垂直転送
部を構成する不純物原子とは反対導電型の不純物原子が
ドープされた低濃度不純物層が形成され、当該低濃度不
純物層の前記垂直転送部の一方の側に隣接する部分を前
記分離部にし、他方の側に隣接する部分を前記読み出し
制御部にしたので、電荷の読み出しの制御を行う読み出
し制御部及び垂直転送部とフォトダイオード部との分離
を行う分離部からの垂直転送部における不純物（原子）
の拡散状態に与える影響が小さくなり、画素部（垂直転
送部）を微細化しても、垂直転送部のエッジ領域におけ
る不純物（原子）濃度の急峻な変化が保たれ、ナローチ
ャンネル効果により空乏化電圧が低下したり，有効チャ
ンネル体積が減少してしまうことがなく、垂直転送部に
おける飽和電荷容量の低下を防止することができる。従
って、画素部を微細化しても、垂直ＣＣＤ部における転
送電荷量の低下を招くことのない固体撮像素子を得るこ
とができる。
よれば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子に
おいて、前記基板表面層における前記垂直転送部の形成
領域とこれの周辺領域を含む基板領域に、前記垂直転送
部を構成する不純物原子とは反対導電型の不純物原子が
ドープされた低濃度不純物層が形成され、当該低濃度不
純物層の前記垂直転送部の一方の側に隣接する部分を前
記分離部にし、他方の側に隣接する部分を前記読み出し
制御部にしたので、電荷の読み出しの制御を行う読み出
し制御部及び垂直転送部とフォトダイオード部との分離
を行う分離部からの垂直転送部における不純物（原子）
の拡散状態に与える影響が小さくなり、画素部（垂直転
送部）を微細化しても、垂直転送部のエッジ領域におけ
る不純物（原子）濃度の急峻な変化が保たれ、ナローチ
ャンネル効果により空乏化電圧が低下したり，有効チャ
ンネル体積が減少してしまうことがなく、垂直転送部に
おける飽和電荷容量の低下を防止することができる。従
って、画素部を微細化しても、垂直ＣＣＤ部における転
送電荷量の低下を招くことのない固体撮像素子を得るこ
とができる。
【００２８】次に、本発明の固体撮像素子の製造方法に
よれば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を
製造する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基
板の所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する
不純物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体
基板の表面層における前記垂直転送部の形成領域とこれ
の周辺領域を含む基板領域にのみ選択的にイオン注入し
て、前記垂直転送部の両側隣接部に前記分離部と前記読
み出し制御部を同時形成するので、前記の垂直転送部に
おける飽和電荷容量の低下を生じることなく，画素部
（垂直転送部）の微細化が図られた固体撮像素子を、従
来よりも少ないマスク及び工程数で製造することができ
る。
よれば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を
製造する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基
板の所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する
不純物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体
基板の表面層における前記垂直転送部の形成領域とこれ
の周辺領域を含む基板領域にのみ選択的にイオン注入し
て、前記垂直転送部の両側隣接部に前記分離部と前記読
み出し制御部を同時形成するので、前記の垂直転送部に
おける飽和電荷容量の低下を生じることなく，画素部
（垂直転送部）の微細化が図られた固体撮像素子を、従
来よりも少ないマスク及び工程数で製造することができ
る。
【００２９】更に、本発明の固体撮像素子の製造方法に
よれば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を
製造する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基
板の所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する
不純物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体
基板の表面層全域にイオン注入して、前記垂直転送部の
両側隣接部に前記分離部と前記読み出し制御部を同時形
成するので、前記製造方法に比して更に製造工程数を削
減でき、製造効率をより一層向上することができる。
よれば、半導体基板に、各々がフォトダイオード部，当
該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出し、転
送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオード部
と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御を行う
読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状に配置
して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接する２つ
の画素部間における前記フォトダイオード部と前記垂直
転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像素子を
製造する方法において、前記垂直転送部を前記半導体基
板の所定領域に形成した後、前記垂直転送部を構成する
不純物原子とは反対導電型の不純物原子を、前記半導体
基板の表面層全域にイオン注入して、前記垂直転送部の
両側隣接部に前記分離部と前記読み出し制御部を同時形
成するので、前記製造方法に比して更に製造工程数を削
減でき、製造効率をより一層向上することができる。
【図１】本発明の実施例１によるＣＣＤ固体撮像素子の
一画素部におけるフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の
構成を示す断面図である。
一画素部におけるフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の
構成を示す断面図である。
【図２】図１に示したＣＣＤ固体撮像素子の製造工程を
示す工程別断面図である。
示す工程別断面図である。
【図３】本発明の実施例２によるＣＣＤ固体撮像素子の
一画素部におけるフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の
構成を示す断面図である。
一画素部におけるフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の
構成を示す断面図である。
【図４】図３に示したＣＣＤ固体撮像素子の製造工程を
示す工程別断面図である。
示す工程別断面図である。
【図５】本発明の実施例３によるＣＣＤ固体撮像素子の
一画素部におけるフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の
構成を示す断面図である。
一画素部におけるフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の
構成を示す断面図である。
【図６】図５に示したＣＣＤ固体撮像素子の製造工程を
示す工程別断面図である。
示す工程別断面図である。
【図７】図１に示したＣＣＤ固体撮像素子の画素部にお
ける垂直ＣＣＤｎ+ 領域とその周辺領域における不純物
の拡散状態を示した概念図である。
ける垂直ＣＣＤｎ+ 領域とその周辺領域における不純物
の拡散状態を示した概念図である。
【図８】図５に示したＣＣＤ固体撮像素子の画素部にお
ける垂直ＣＣＤｎ+ 領域とその周辺領域における不純物
の拡散状態を示した概念図である。
ける垂直ＣＣＤｎ+ 領域とその周辺領域における不純物
の拡散状態を示した概念図である。
【図９】本発明の実施例１〜３によるＣＣＤ固体撮像素
子，および従来のＣＣＤ固体撮像素子における垂直ＣＣ
Ｄｎ+ 領域とその周辺領域における不純物濃度の分布を
示した図である。
子，および従来のＣＣＤ固体撮像素子における垂直ＣＣ
Ｄｎ+ 領域とその周辺領域における不純物濃度の分布を
示した図である。
【図１０】従来のＣＣＤ固体撮像素子の一画素部におけ
るフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の構成を示す断面
図である。
るフォトダイオード部と垂直ＣＣＤ部の構成を示す断面
図である。
【図１１】図１０に示したＣＣＤ固体撮像素子の画素部
における垂直ＣＣＤｎ+ 領域とその周辺領域における不
純物の拡散状態を示した概念図である。
における垂直ＣＣＤｎ+ 領域とその周辺領域における不
純物の拡散状態を示した概念図である。
１ ｎ型シリコン基板（Ｎ（１００）シリコン基板） ２ 第１ｐ型ウエル ３ 第２ｐ型ウエル ４ 垂直ＣＣＤｎ+ 層 ５，５′ｐ- 層 ５ａ 分離部 ５ｂ 読み出し制御部 ６ ゲート絶縁膜 ７ ポリシリコン電極 ８ 埋め込みフォトダイオードｎ層 ９ 埋め込みフォトダイオードｐ+ 層 １０，１１，１３ レジストパターン １２ 垂直ＣＣＤ部砒素注入層 １４ 垂直ＣＣＤ部リン注入層 １５ 垂直ＣＣＤ部とこれに隣接するフォトダイオード
部との電気的分離を担うｐ+ 領域（層） １６ フォトダイオード部から垂直ＣＣＤ部への電荷の
読み出し制御を担うｐ- 領域（層）
部との電気的分離を担うｐ+ 領域（層） １６ フォトダイオード部から垂直ＣＣＤ部への電荷の
読み出し制御を担うｐ- 領域（層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庭山 雅彦 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板に、各々がフォトダイオード
部，当該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出
し、転送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオ
ード部と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御
を行う読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状
に配置して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接す
る２つの画素部間における前記フォトダイオード部と前
記垂直転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像
素子において、 前記基板表面層における前記垂直転送部の形成領域とこ
れの周辺領域を含む基板領域に、前記垂直転送部を構成
する不純物原子とは反対導電型の不純物原子がドープさ
れた低濃度不純物層が形成され、当該低濃度不純物層の
前記垂直転送部の一方の側に隣接する部分を前記分離部
にし、他方の側に隣接する部分を前記読み出し制御部に
したことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記垂直転送部を構成する不純物原子が
リンと砒素である請求項１に記載の固体撮像素子。 - 【請求項３】 半導体基板に、各々がフォトダイオード
部，当該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出
し、転送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオ
ード部と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御
を行う読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状
に配置して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接す
る２つの画素部間における前記フォトダイオード部と前
記垂直転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像
素子を製造する方法において、 前記垂直転送部を前記半導体基板の所定領域に形成した
後、前記垂直転送部を構成する不純物原子とは反対導電
型の不純物原子を、前記半導体基板の表面層における前
記垂直転送部の形成領域とこれの周辺領域を含む基板領
域にのみ選択的にイオン注入して、前記垂直転送部の両
側隣接部に前記分離部と前記読み出し制御部を同時形成
することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板に、各々がフォトダイオード
部，当該フォトダイオード部に蓄積された電荷を読み出
し、転送するための垂直転送部，及び前記フォトダイオ
ード部と垂直転送部との間で前記電荷の読み出しの制御
を行う読み出し制御部を有する複数の画素部がアレイ状
に配置して形成され、かつ、前記複数の画素部の隣接す
る２つの画素部間における前記フォトダイオード部と前
記垂直転送部の分離を行う分離部が形成された固体撮像
素子を製造する方法において、 前記垂直転送部を前記半導体基板の所定領域に形成した
後、前記垂直転送部を構成する不純物原子とは反対導電
型の不純物原子を、前記半導体基板の表面層全域にイオ
ン注入して、前記垂直転送部の両側隣接部に前記分離部
と前記読み出し制御部を同時形成することを特徴とする
固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記半導体基板の第１基板領域に砒素を
注入する第１の工程と、前記第１基板領域内の当該第１
基板領域よりも狭い幅の第２基板領域にリンを注入する
第２の工程とを行い、この後、前記基板のアニールを行
うことにより、前記垂直転送部を前記半導体基板の所定
領域に形成することを特徴とする請求項３または４に記
載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記分離部及び前記読み出し制御部を、
これらの前記半導体基板表面からの深さが前記フォトダ
イオード部のｐｎ接合の前記半導体基板表面からの深さ
よりも小さくなるように形成することを特徴とする請求
項３または４に記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13031795A JP3320589B2 (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| US08/654,962 US5786607A (en) | 1995-05-29 | 1996-05-29 | Solid-state image pick-up device and method for manufacturing the same |
| EP96108513A EP0746034A3 (en) | 1995-05-29 | 1996-05-29 | Solid-state image pick-up device and method for manufacturing the same |
| CN96110466A CN1132252C (zh) | 1995-05-29 | 1996-05-29 | 固体摄象器件及其制造方法 |
| KR1019960018478A KR100240188B1 (ko) | 1995-05-29 | 1996-05-29 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| US08/796,887 US6046069A (en) | 1995-05-29 | 1997-02-05 | Solid-state image pick-up device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13031795A JP3320589B2 (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| US08/654,962 US5786607A (en) | 1995-05-29 | 1996-05-29 | Solid-state image pick-up device and method for manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330562A true JPH08330562A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3320589B2 JP3320589B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=26465479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13031795A Expired - Fee Related JP3320589B2 (ja) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3320589B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8446508B2 (en) | 2005-07-27 | 2013-05-21 | Sony Corporation | Solid state imaging device with optimized locations of internal electrical components |
-
1995
- 1995-05-29 JP JP13031795A patent/JP3320589B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP3320589B2 (ja) | 2002-09-03 |
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