JPH0832588A - 多重化回路 - Google Patents

多重化回路

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Publication number
JPH0832588A
JPH0832588A JP16183894A JP16183894A JPH0832588A JP H0832588 A JPH0832588 A JP H0832588A JP 16183894 A JP16183894 A JP 16183894A JP 16183894 A JP16183894 A JP 16183894A JP H0832588 A JPH0832588 A JP H0832588A
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JP
Japan
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cell
data
signal
memory
read
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JP16183894A
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Inventor
Ayaki Shiyouji
彩樹 庄子
Satoshi Karasawa
智 柄沢
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 多重化回路全体のメモリ容量を少なくする。 【構成】 n個の入力系列からの入力信号を長さがmの
情報収容単位毎に多重して出力する多重化回路に関す
る。各入力系列からの入力信号を格納するn個のデータ
メモリ131〜134を設け、k(kは1〜n)番目の
データメモリは(1+k/n)×mの容量を有するよう
にした。また、対応するデータメモリの容量分の書込み
アドレス信号を常時発生するn個の書込みアドレス発生
手段142〜145と、対応するデータメモリの容量分
の読出しアドレス信号を書込みアドレス信号のn倍の速
度で発生する、しかも、その発生期間が情報収容単位の
1周期をn等分したうちの自己に定まっている期間であ
るn個の読出しアドレス発生手段114〜117、13
9〜141とを備える。さらに、各データメモリから読
み出された信号を読出し動作に同期して選択する選択手
段130、140を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデータ信号の多重化回路
に関し、例えば、非同期転送モード網(以下、ATM網
と呼ぶ)における情報収容単位(以下、セルと呼ぶ)の
多重化回路に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、セルの多重化回路として図2に示
すものがあり、図3のタイムチャートに示すように動作
する。
【0003】なお、図2及び図3は、伝送容量がそれぞ
れ150Mb/sである4本の伝送路HW1〜HW4か
らのセルを、600Mb/sの容量の伝送路HW0に多
重する場合を示しており、また、1セルが16バイトで
構成されている場合を示している。
【0004】各伝送路HW1、…、HW4からのデータ
はそれぞれ、入力信号200〜203として対応するデ
ータメモリ221〜224に与えられて一旦格納された
後、これらデータメモリ221〜224から高速に読み
出されてセレクタ回路227に入力され、このセレクタ
回路227によって選択され、多重化されたセルに変換
されて出力伝送路HW0に送出される。
【0005】各データメモリ221、…、224はそれ
ぞれ、独立にアクセスできる2ポートを有するメモリで
あり、メモリ容量は2セル分(32バイト)のメモリ量
である。
【0006】これらデータメモリ221〜224には、
32進で動作する共通の書込みアドレスカウンタ220
から書込みアドレス信号204が与えられ、各データメ
モリ221、…、224は、図3に示すように、この書
込みアドレス信号204が指示するエリアに入力信号2
00、…、203を書込み。
【0007】一方、読出し側には、読出しアドレスカウ
ンタ225及びセレクタ回路227に加えて、1セル
(16バイト)の長さを数えるカウンタ228と、入力
伝送路HW1〜HW4の切替えを指示する値を作成する
カウンタ226とが組み合わせられて設けられている。
読出しアドレスカウンタ225及びカウンタ228は、
書込みアドレスカウンタ220より4倍速いクロック信
号で動作するようになされている。例えば、1セル(1
6バイト)の長さを数えるカウンタ228のキャリー信
号が入力伝送路HW1〜HW4の切替えを指示する値を
作成するカウンタ226にクロック信号として入力され
る。カウンタ226は、例えば8進カウンタ(3ビット
カウンタ)でなり下位2ビットがセレクタ回路227に
切り替え指令として与えられ、カウンタ226の最上位
ビット及びカウンタ228の4ビットの計5ビットが、
カウンタ226の値が変化する毎に読出しアドレスカウ
ンタ225にプリセットされる。
【0008】すなわち、図3に示すように、読出しアド
レスカウンタ225からの読出しアドレス信号209
は、書込みアドレス信号204が「0」〜「15」で変
化している間に「16」〜「31」を4巡させ、書込み
アドレス信号204が「16」〜「31」で変化してい
る間に「0」〜「15」を4巡させる。
【0009】なお、図3においては、データメモリ22
1〜224に対する入力信号200〜203や出力信号
205〜208の各バイトをそのアドレスによって特定
している。言い換えると、図3は、書込みアドレス信号
204及び読出しアドレス信号209を表しているとい
うこともできる。この点は、後述する図4においても同
様である。
【0010】これにより、各データメモリ221、…、
224からは同時に同一信号が4回ずつ読み出される
が、セレクタ回路227が、カウンタ226のカウント
値に基づいて、いずれか一つのデータメモリ221、
…、224からの信号を順次選択し、セレクタ回路22
7から出力伝送路HW0に送出された信号は、図3に示
すように、各入力伝送路HW1、…、HW4からのデー
タを多重したものとなっている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
多重化回路においては、多重するためには1入力伝送路
当り2セル分の容量のデータメモリが必要となってい
た。上記の説明では、1セル当り16バイトとしている
のでそのメモリ容量はたかだか256ビットであるが、
実際上、1セルは53バイト程度であり、この場合1個
のバッファメモリの必要容量は848ビットにまで増え
てしまう。しかも、バッファメモリは多重度分だけ必要
であるので、多重化回路全体の必要メモリ容量はかなり
多い。
【0012】他の回路同様、多重化回路においても、小
形化や占有面積等からメモリ容量は少なければ少ないほ
ど良く、そのため、必要メモリ容量が少ない多重化回路
が求められている。
【0013】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明においては、n個の入力系列からの入力信号
を長さがmの情報収容単位毎に多重して出力する多重化
回路において、以下の手段を有するようにした。
【0014】すなわち、(1) 各入力系列からの入力信号
を格納する各入力系列に対応したn個のデータメモリで
あって、k(kは1〜n)番目のデータメモリは(1+
k/n)×mの容量を有するn個の2ポート構成のデー
タメモリと、(2) 各データメモリにそれぞれ対応して設
けられた、対応するデータメモリの容量分の書込みアド
レス信号を常時発生するn個の書込みアドレス発生手段
と、(3) 各データメモリにそれぞれ対応して設けられ
た、対応するデータメモリの容量分の読出しアドレス信
号を書込みアドレス信号のn倍の速度で発生すると共
に、その発生期間が情報収容単位の1周期をn等分した
うちの自己に定まっている1/n周期期間であるn個の
読出しアドレス発生手段と、(4) 各データメモリから読
み出された信号を読出し動作に同期して選択する選択手
段とを有するようにした。
【0015】ここで、k番目のデータメモリの(1+k
/n)×mで定まるメモリ容量が、そのアクセス単位量
(例えばバイト)の小数倍である場合には、メモリ容量
をその小数を切り上げた値にすることは好ましい。
【0016】
【作用】本発明においても、基本的には、n個の入力系
列からの入力信号を各入力系列に対応した2ポート構成
のデータメモリに書込み、次の情報収容単位(その長さ
m)の入力信号が入力されている期間中において格納信
号を読出し、読み出された各系列の信号を選択手段によ
って選択することで多重信号を形成する。
【0017】ここで、多重信号における各系列の信号期
間は定まっているので、その期間だけ各系列のデータメ
モリからデータを読み出せば良い。読出しが終了したデ
ータメモリのエリアはただちに書込みエリアにすること
ができる。
【0018】このように考えていくと、全てのデータメ
モリが情報収容単位の2倍のメモリ容量を有する必要が
なく、これより少ないメモリ容量でも良いことを本件発
明者は見出だした。そこで、k(kは1〜n)番目のデ
ータメモリとして、そのメモリ容量が(1+k/n)×
mのものを適用することとした。かかる容量の選定に応
じて、各データメモリにそれぞれ対応した書込みアドレ
ス発生手段が対応するデータメモリの容量分の書込みア
ドレス信号を常時発生するようにし、また、各データメ
モリにそれぞれ対応した読出しアドレス発生手段が、対
応するデータメモリの容量分の読出しアドレス信号を書
込みアドレス信号のn倍の速度で、しかも、情報収容単
位の1周期をn等分したうちの自己に定まっている1/
n周期期間に発生するようにした。
【0019】なお、情報収容単位の長さmが多重度nの
整数倍でない場合には、(1+k/n)×mが、データ
メモリのアクセス単位量(バイトやビット)の小数倍に
なることもあるが、この場合には、メモリ容量をその小
数を切り上げた値にすれば良い。
【0020】
【実施例】以下、本発明による多重化回路の一実施例を
図面を参照しながら詳述する。ここで、図1がこの実施
例の多重化回路の構成を示すブロック図であり、図4が
その各部タイミングチャートである。
【0021】この実施例も、4個の入力伝送路HW1〜
HW4からの信号(セル)を多重して出力伝送路HW0
に送出するものであり、入力側におけるセルが16バイ
トのものである。また、入力及び出力を8ビット(1バ
イト)並列に処理する回路の例である。
【0022】図1において、この多重化回路は、入力セ
ル信号101〜104をそれぞれ格納すると共にその格
納セル信号を読出して出力する4個のデータメモリ13
1〜134と、対応するデータメモリ131〜134に
対する書込みアドレス信号を発生する書込みアドレスカ
ウンタ142〜145と、対応するデータメモリ131
〜134に対する読出しアドレス信号を発生する読出し
アドレスカウンタ135〜138と、4個のデータメモ
リ131〜134から読み出された出力セル信号106
〜109のいずれかを選択するセレクタ回路130と、
出力セル信号における同一入力伝送路からの信号周期を
バイト単位でカウントするカウンタ139と、セレクタ
回路130で選択される信号の入力伝送路を規定する情
報をカウンタ139の出力と共に形成するカウンタ14
0と、カウンタ140からの出力に基づいて読出しアド
レスカウンタ135〜138がカウント動作し得る期間
情報(イネーブル信号)を形成するデコード回路141
とから構成されている。
【0023】この実施例の場合、従来回路とは異なっ
て、各データメモリ131、…、134は異なるメモリ
容量を有している。すなわち、データメモリ131は2
0バイト、データメモリ132は24バイト、データメ
モリ133は28バイト、データメモリ134は32バ
イトの容量を有する。
【0024】書込みアドレスカウンタ142〜145や
読出しアドレスカウンタ135〜138のカウント値周
期は、対応するデータメモリ131〜134のメモリ容
量に応じて選定されている。
【0025】すなわち、データメモリ131に係る書込
みアドレスカウンタ142及び読出しアドレスカウンタ
135としては20進カウンタが適用され、データメモ
リ132に係る書込みアドレスカウンタ143及び読出
しアドレスカウンタ136としては24進カウンタが適
用され、データメモリ133に係る書込みアドレスカウ
ンタ144及び読出しアドレスカウンタ137としては
28進カウンタが適用され、データメモリ134に係る
書込みアドレスカウンタ145及び読出しアドレスカウ
ンタ138としては32進カウンタが適用されている。
【0026】読出しアドレスカウンタ135〜138の
カウントアップ用クロック信号の周波数は、書込みアド
レスカウンタ142〜145のカウントアップ用クロッ
ク信号の周波数の多重度倍、すなわち4倍に選定されて
いる。また、各読出しアドレスカウンタ135、…、1
38には、後述するように、デコード回路141から1
/4セル期間だけカウント動作を許容することを表すイ
ネーブル信号114、…、117が与えられるようにな
されており、各イネーブル信号114、…、117の有
意期間は1/4セル期間ずつずれている。
【0027】すなわち、この実施例においては、各デー
タメモリ131、…、134に対して、対応する入力伝
送路HW1、…、HW4からのセル信号101、…、1
04を常時書込み、読出しは1セル期間に1回だけその
うちの1/4セル期間で行なうようになされている。
【0028】ここで、データメモリ131のメモリ容量
を20バイトとしたのは、読出しに係る直前セルの16
バイトのデータを格納できると共に、その16バイトの
データを読出している1/4セル期間中に入力された4
バイトのデータも読出しエリアとは無関係に格納させる
ためである。データメモリ132のメモリ容量を24バ
イトとしたのは、データメモリ131の読出しの次に当
該データメモリ132からの読出しが実行されるため、
直前セルの16バイトのデータを格納できると共に、デ
ータメモリ131及び132が読出中の1/2セル期間
中に入力された8バイトのデータも読出しエリアとは無
関係に格納させるためである。データメモリ133及び
134のメモリ容量をそれぞれ28バイト及び32バイ
トとしたのも、同様な理由による。
【0029】すなわち、メモリ容量を最少化しても、上
述の観点から、各データメモリ131、…、134のメ
モリ容量はそれぞれ、20バイト、24バイト、28バ
イト、32バイト必要となる。
【0030】カウンタ139は16進カウンタでなり、
読出しアドレスカウンタ135〜138に与えられると
同一の高速クロック信号が入力されてカウント動作し、
上述のように、出力セル信号におけるある入力伝送路か
らの信号周期をバイト単位でカウントした値を出力す
る。言い換えると、カウンタ139は、多重後の1セル
(1/4セル期間)における何番目のバイトデータであ
るかを指示する値を出力する。
【0031】カウンタ140は4進カウンタでなり、書
込みアドレスカウンタ142〜145に与えられると同
一の低速クロック信号が入力されてカウント動作し、又
は、カウンタ139のキャリー信号がクロック信号とし
て与えられてカウント動作し、上述のように、セレクタ
回路130で選択される信号の入力伝送路を規定する情
報を形成する。言い換えると、カウンタ140は、多重
後のセルとセルの区切りを示す値を出力する。
【0032】セレクタ回路130は、カウンタ140か
らのカウント値(データ選択信号)118に基づいて、
データメモリ131〜134のうち読出し動作中のデー
タメモリからの読出し信号(所定の入力伝送路からの信
号)を選択してセル多重信号105として出力伝送路H
W0に送出する。
【0033】デコード回路141は、カウンタ140か
らのカウント値(データ選択信号)118に基づいて、
そのカウント値が指示する入力伝送路に係るデータメモ
リに対する読出しアドレスカウンタにイネーブル信号を
出力する。
【0034】以上のような各部で構成されている実施例
の多重化回路の動作を、図4のタイミングチャートを参
照しながら説明する。
【0035】今、時点t1において、全ての書込みアド
レスカウンタ142〜145からの書込みアドレス信号
が「0」であったとし、この時点t1から新たなセルの
セル信号101、…、104が各入力伝送路HW1、
…、HW4から対応するデータメモリ131、…、13
4に与えられたとする。
【0036】まず、入力伝送路HW1に係るデータメモ
リ131に対するアクセス動作を説明する。
【0037】時点t1からの第1番目のセル(以下、セ
ル1と呼ぶ;以下のセルについても同様)のバイトデー
タは、書込みアドレスカウンタ142からの書込みアド
レス信号120に基づいて、データメモリ131のアド
レス「0」〜「15」に順次格納される。
【0038】次のセル2のバイトデータが入力され始め
る時点t2から、読出しアドレスカウンタ135に与え
られるイネーブル信号114が有意となり、その後、1
/4セル期間t2〜t3は継続して有意であり、この有
意期間において高速クロック信号に基づいてカウントア
ップを行なう。そのため、読出しアドレスカウンタ13
5からの読出しアドレス信号110は、この期間t2〜
t3で「0」〜「15」で変化し、セル1の各バイトデ
ータ106がデータメモリ131から読み出され、セレ
クタ回路130で選択されて出力伝送路HW0に多重信
号105として送出される。このような読出し中にも書
込みが行なわれ、この際には、読出しアドレス「0」〜
「15」とは異なる書込みアドレス「16」〜「19」
に対して行なわれる。読出しが時点t3で終了した後に
もセル2のバイトデータが継続しており、これらバイト
データは、20進の書込みアドレスカウンタ142から
の書込みアドレス信号120に基づいて、データメモリ
131のアドレス「0」〜「11」に順次格納される。
すなわち、セル2の各バイトデータは、データメモリ1
31のアドレス「16」〜「19」及び「0」〜「1
1」のエリアに順次書き込まれる。
【0039】次のセル3のバイトデータが入力され始め
る時点t6から、読出しアドレスカウンタ135に与え
られるイネーブル信号114が再び有意となり、その
後、1/4セル期間t6〜t7は継続して有意である。
そのため、20進の読出しアドレスカウンタ135から
の読出しアドレス信号110は、この期間t6〜t7で
「16」〜「19」、「0」〜「11」で変化し、セル
2の各バイトデータ106がデータメモリ131から読
み出され、セレクタ回路130で選択されて出力伝送路
HW0に多重信号105として送出される。このような
読出し中にも書込みが行なわれ、この際には、読出しア
ドレス「16」〜「19」、「0」〜「11」とは異な
る書込みアドレス「12」〜「15」に対して行なわれ
る。読出しが時点t7で終了した後にもセル3のバイト
データが継続しており、これらバイトデータは、20進
の書込みアドレスカウンタ142からの書込みアドレス
信号120に基づいて、データメモリ131のアドレス
「16」〜「19」、「0」〜「7」に順次格納され
る。以下、同様な処理が繰返される。
【0040】次に、入力伝送路HW2に係るデータメモ
リ132に対するアクセス動作を説明する。
【0041】時点t1からのセル1のバイトデータは、
書込みアドレスカウンタ143からの書込みアドレス信
号121に基づいて、データメモリ132のアドレス
「0」〜「15」のエリアに順次格納される。
【0042】次のセル2のバイトデータが入力され始め
る時点t2から1/4セル期間t2〜t3だけ遅れた時
点t3から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ136に与えられるイネーブル信号115が有意
となり、その後、1/4セル期間t3〜t4は継続して
有意であり、この有意期間において高速クロック信号に
基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出しア
ドレスカウンタ136からの読出しアドレス信号111
は、この期間t3〜t4で「0」〜「15」で変化し、
セル1の各バイトデータ107がデータメモリ132か
ら読み出され、セレクタ回路130で選択されて出力伝
送路HW0に多重信号105として送出される。
【0043】この読出し前の1/4セル期間t2〜t3
(言い換えるとデータメモリ131の読出し期間)に入
力されたセル2のバイトデータは、24進の書込みアド
レスカウンタ143からの書込みアドレス信号121に
基づいて、データメモリ132のアドレス「16」〜
「19」のエリアに順次格納され、読出し中の1/4セ
ル期間t3〜t4に入力されたセル2のバイトデータ
は、24進の書込みアドレスカウンタ143からの書込
みアドレス信号121に基づいて、データメモリ132
のアドレス「20」〜「23」のエリアに順次格納さ
れ、読出し後の1/2セル期間t4〜t6に入力された
セル2のバイトデータは、24進の書込みアドレスカウ
ンタ143からの書込みアドレス信号121に基づい
て、データメモリ132のアドレス「0」〜「7」のエ
リアに順次格納される。すなわち、セル2の各バイトデ
ータは、データメモリ132のアドレス「16」〜「2
3」及び「0」〜「7」のエリアに順次書き込まれる。
【0044】次のセル3のバイトデータが入力され始め
る時点t6から1/4セル期間t6〜t7だけ遅れた時
点t7から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ136に与えられるイネーブル信号115が再び
有意となり、その後、1/4セル期間t7〜t8は継続
して有意であり、この有意期間において高速クロック信
号に基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出
しアドレスカウンタ136からの読出しアドレス信号1
11は、この期間t7〜t8で「16」〜「23」及び
「0」〜「7」で変化し、セル2の各バイトデータ10
7がデータメモリ132から読み出され、セレクタ回路
130で選択されて出力伝送路HW0に多重信号105
として送出される。
【0045】この読出し前の1/4セル期間t6〜t7
(データメモリ131の読出し期間)に入力されたセル
3のバイトデータは、24進の書込みアドレスカウンタ
143からの書込みアドレス信号121に基づいて、デ
ータメモリ132のアドレス「8」〜「11」のエリア
に順次格納され、読出し中の1/4セル期間t7〜t8
に入力されたセル3のバイトデータは、データメモリ1
32のアドレス「12」〜「15」のエリアに順次格納
され、読出し後の1/2セル期間t8〜t10に入力さ
れたセル3のバイトデータは、データメモリ132のア
ドレス「16」〜「23」のエリアに順次格納される。
以下、同様な処理が繰返される。
【0046】次に、入力伝送路HW3に係るデータメモ
リ133に対するアクセス動作を説明する。
【0047】時点t1からのセル1のバイトデータは、
書込みアドレスカウンタ144からの書込みアドレス信
号122に基づいて、データメモリ133のアドレス
「0」〜「15」のエリアに順次格納される。
【0048】次のセル2のバイトデータが入力され始め
る時点t2から1/2セル期間t2〜t4だけ遅れた時
点t4から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ137に与えられるイネーブル信号116が有意
となり、その後、1/4セル期間t4〜t5は継続して
有意であり、この有意期間において高速クロック信号に
基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出しア
ドレスカウンタ137からの読出しアドレス信号112
は、この期間t4〜t5で「0」〜「15」で変化し、
セル1の各バイトデータ108がデータメモリ133か
ら読み出され、セレクタ回路130で選択されて出力伝
送路HW0に多重信号105として送出される。
【0049】この読出し前の1/2セル期間t2〜t4
(言い換えるとデータメモリ131及び132の読出し
期間)に入力されたセル2のバイトデータは、28進の
書込みアドレスカウンタ144からの書込みアドレス信
号122に基づいて、データメモリ133のアドレス
「16」〜「23」のエリアに順次格納され、読出し中
の1/4セル期間t4〜t5に入力されたセル2のバイ
トデータは、データメモリ133のアドレス「24」〜
「27」のエリアに順次格納され、読出し後の1/4セ
ル期間t5〜t6に入力されたセル2のバイトデータ
は、データメモリ133のアドレス「0」〜「3」のエ
リアに順次格納される。すなわち、セル2の各バイトデ
ータは、データメモリ133のアドレス「16」〜「2
7」及び「0」〜「3」のエリアに順次書き込まれる。
【0050】次のセル3のバイトデータが入力され始め
る時点t6から1/2セル期間t6〜t8だけ遅れた時
点t8から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ137に与えられるイネーブル信号116が再び
有意となり、その後、1/4セル期間t8〜t9は継続
して有意であり、この有意期間において高速クロック信
号に基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出
しアドレスカウンタ137からの読出しアドレス信号1
12は、この期間t8〜t9で「16」〜「27」及び
「0」〜「3」で変化し、セル2の各バイトデータ10
8がデータメモリ133から読み出され、セレクタ回路
130で選択されて出力伝送路HW0に多重信号105
として送出される。
【0051】この読出し前の1/2セル期間t6〜t8
(データメモリ131及び132の読出し期間)に入力
されたセル3のバイトデータは、28進の書込みアドレ
スカウンタ144からの書込みアドレス信号122に基
づいて、データメモリ133のアドレス「4」〜「1
1」のエリアに順次格納され、読出し中の1/4セル期
間t8〜t9に入力されたセル3のバイトデータは、デ
ータメモリ133のアドレス「12」〜「15」のエリ
アに順次格納され、読出し後の1/4セル期間t9〜t
10に入力されたセル3のバイトデータは、データメモ
リ133のアドレス「16」〜「19」のエリアに順次
格納される。以下、同様な処理が繰返される。
【0052】次に、入力伝送路HW4に係るデータメモ
リ134に対するアクセス動作を説明する。
【0053】時点t1からのセル1のバイトデータは、
書込みアドレスカウンタ145からの書込みアドレス信
号123に基づいて、データメモリ134のアドレス
「0」〜「15」のエリアに順次格納される。
【0054】次のセル2のバイトデータが入力され始め
る時点t2から3/4セル期間t2〜t5だけ遅れた時
点t5から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ138に与えられるイネーブル信号117が有意
となり、その後、1/4セル期間t5〜t6は継続して
有意であり、この有意期間において高速クロック信号に
基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出しア
ドレスカウンタ138からの読出しアドレス信号113
は、この期間t5〜t6で「0」〜「15」で変化し、
セル1の各バイトデータ109がデータメモリ134か
ら読み出され、セレクタ回路130で選択されて出力伝
送路HW0に多重信号105として送出される。
【0055】この読出し前の3/4セル期間t2〜t5
(言い換えるとデータメモリ131、132及び133
の読出し期間)に入力されたセル2のバイトデータは、
32進の書込みアドレスカウンタ145からの書込みア
ドレス信号123に基づいて、データメモリ134のア
ドレス「16」〜「27」のエリアに順次格納され、読
出し中の1/4セル期間t5〜t6に入力されたセル2
のバイトデータは、データメモリ134のアドレス「2
8」〜「31」のエリアに順次格納される。すなわち、
セル2の各バイトデータは、データメモリ134のアド
レス「16」〜「31」のエリアに順次書き込まれる。
【0056】次のセル3のバイトデータが入力され始め
る時点t6から3/4セル期間t6〜t9だけ遅れた時
点t9から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ138に与えられるイネーブル信号117が再び
有意となり、その後、1/4セル期間t9〜t10は継
続して有意であり、この有意期間において高速クロック
信号に基づいてカウントアップを行なう。そのため、読
出しアドレスカウンタ138からの読出しアドレス信号
113は、この期間t9〜t10で「16」〜「31」
で変化し、セル2の各バイトデータ109がデータメモ
リ134から読み出され、セレクタ回路130で選択さ
れて出力伝送路HW0に多重信号105として送出され
る。
【0057】この読出し前の3/4セル期間t6〜t9
(データメモリ131、132及び133の読出し期
間)に入力されたセル3のバイトデータは、32進の書
込みアドレスカウンタ145からの書込みアドレス信号
123に基づいて、データメモリ134のアドレス
「0」〜「11」のエリアに順次格納され、読出し中の
1/4セル期間t9〜t10に入力されたセル3のバイ
トデータは、データメモリ134のアドレス「12」〜
「15」のエリアに順次格納される。以下、同様な処理
が繰返される。
【0058】以上のように、この実施例においては、各
データメモリ131、…、134からの読出し期間を、
1/4セル期間ずつに切り分けており、切り分けられた
読出し期間においてのみ読出しアドレスカウンタ13
5、…、138を高速クロック信号によって動作させる
ようにしている。また、書き込んだセルの読出し期間
を、次のセルの入力期間中にしており、1/4セル期間
の読出しが終了した直後の書込みアドレスは読出しが終
了したデータメモリの先頭エリアになるようにして、デ
ータメモリ131〜134への書込みを継続させてい
る。
【0059】以上のような各データメモリ131、…、
134のアクセス動作やセレクタ回路130の選択動作
を通じて、出力伝送路HW0には、入力伝送路HW1〜
HW4からのセル信号101〜104をセル単位に多重
した従来と同様な多重信号105が送出される。
【0060】上記実施例によれば、入力伝送路HW1〜
HW4に対応した4個のデータメモリ131〜134の
全体のメモリ容量を従来より少なくでき、しかも従来と
同様な多重信号を出力伝送路HW0に送出することがで
きる。具体的には、図2に示した従来の多重化回路では
メモリ容量が8セル分必要であったが、この実施例の多
重化回路においては、メモリ容量は(5/4)+(6/
4)+(7/4)+(8/4)=6.5セル分であり、
1.5セル分だけメモリ容量を削減できている。
【0061】例えば、多重化回路を集積回路上に実現す
る場合、メモリ容量が少ない分だけ占有面積等を小さく
できる。
【0062】なお、上記実施例においては、多重単位を
16バイトとし、150Mb/sの伝送路のセルを60
0Mb/sに多重する例を示したが、1セルの長さ、多
重度は自由に設定できる。
【0063】一般的な表現を用いれば、1セルの長さを
m(単位がバイトでもビットでも良い)、多重度をnと
すると、n個のデータメモリのそれぞれをそのメモリ容
量が(n+1)/n、(n+2)/n、(n+3)/
n、…、(2n)/nセル分であるものを適用すると共
に、各データメモリに対応する書込みアドレスカウンタ
及び読出しアドレスカウンタの一巡周期をm(n+1)
/n、m(n+2)/n、m(n+3)/n、…、m
(2n)/nに選定すれば良く、上記実施例のようにデ
ータ選択信号を作成する2段構成のカウンタを設ける場
合、各カウンタのカウント値をm、nにすれば良い。
【0064】ここで、データメモリのメモリ容量(n+
1)/n、(n+2)/n、(n+3)/n、…、(2
n)/nセル分が小数となる場合には(mがnの整数倍
でない場合)、切り上げて適用すれば良い。
【0065】例えば、ATM網における1セルは53バ
イトであるので多重度nが4であると、第1のデータメ
モリのメモリ容量である(n+1)nセル分は66.2
5バイトであるが、この場合には67バイトのデータメ
モリを適用し、書込みアドレスカウンタ及び読出しアド
レスカウンタの一巡周期を67にすれば良い。同様に、
他の3個のデータメモリとしてそれぞれ容量が80バイ
ト、93バイト、106バイトのものを適用し、対応す
る書込みアドレスカウンタ及び読出しアドレスカウンタ
の各組のそれぞれについてその一巡周期を80、93、
106とすれば良い。書込みと読出しとの同期はとれて
いないが、このようにしても上記実施例とほぼ同様に動
作する。
【0066】図5は、この場合のタイミングチャートを
参考のために示したものであり、メモリ容量等は異なる
が図4と同一の符号を用いて示したものである。
【0067】なお、上記実施例の説明及び一般的な説明
では、データメモリのメモリ容量として必要最少限のも
のを示したが、これに多少のオフセット(数バイト)を
設けても良い。特許請求の範囲では、データメモリのメ
モリ容量として必要最少限のものを適用した表現を用い
ているが、かかる表現は多少のオフセットを有する場合
をも含むものとする。
【0068】また、上記実施例においては、入力セル信
号及び出力セル信号(多重信号)が1バイト(8ビッ
ト)パラレルのものを示したが、他のビット数のパラレ
ル信号であってもまたシリアル信号であっても本発明を
適用することができる。この場合にも、上記一般的の表
現が成り立つ。
【0069】さらに、本発明の多重化回路は、ATM網
の伝送装置における多重化回路を意識してなされたもの
であるが、その用途が限定されないことは勿論である。
【0070】本発明は、各データメモリのメモリ容量を
異なるようにさせている点、及び、書込みアドレス信号
及び読出しアドレス信号を図4に示すように発生させて
いる点に特徴を有し、書込みアドレス信号や読出しアド
レス信号の発生手段は、図4に示すように発生できるも
のであれば上記実施例のものに限定されない。例えば、
ソフトウェア的に発生させても良い。
【0071】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、多重信
号における各系列の信号期間は定まっているので、その
期間だけ各系列のデータメモリからデータを読み出せば
良いことや、読出しが終了したデータメモリのエリアは
ただちに書込みエリアにすることができること等に基づ
いて、各データメモリの容量を必要最少限に選定すると
共にそのアクセスを制御するようにしたので、従来より
全体としてのメモリ容量が少ない小形化等に寄与できる
多重化回路を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の構成を示すブロック図である。
【図2】従来の構成を示すブロック図である。
【図3】従来の各部タイミングチャートである。
【図4】実施例の各部タイミングチャートである。
【図5】実施例とは異なるバイト数を有するセルを取り
扱う回路の各部タイミングチャートである。
【符号の説明】
130…セレクタ回路、131〜134…データメモ
リ、135〜138…読出しアドレスカウンタ、139
…セル内バイト位置計数用カウンタ、140…入力伝送
路選択用カウンタ、141…デコード回路、142〜1
45…書込みアドレスカウンタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04Q 3/00

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 n個の入力系列からの入力信号を長さが
    mの情報収容単位毎に多重して出力する多重化回路にお
    いて、 各入力系列からの入力信号を格納する各入力系列に対応
    したn個のデータメモリであって、k(kは1〜n)番
    目のデータメモリは(1+k/n)×mの容量を有する
    n個の2ポート構成のデータメモリと、 上記各データメモリにそれぞれ対応して設けられた、対
    応する上記データメモリの容量分の書込みアドレス信号
    を常時発生するn個の書込みアドレス発生手段と、 上記各データメモリにそれぞれ対応して設けられた、対
    応する上記データメモリの容量分の読出しアドレス信号
    を上記書込みアドレス信号のn倍の速度で発生すると共
    に、その発生期間が情報収容単位の1周期をn等分した
    うちの自己に定まっている1/n周期期間であるn個の
    読出しアドレス発生手段と、 上記各データメモリから読み出された信号を読出し動作
    に同期して選択する選択手段とを有することを特徴とす
    る多重化回路。
  2. 【請求項2】 上記k番目のデータメモリの(1+k/
    n)×mで定まるメモリ容量が、そのアクセス単位量の
    小数倍である場合には、メモリ容量をその小数を切り上
    げた値にすることを特徴とする請求項1に記載の多重化
    回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8035026B2 (en) 2003-08-26 2011-10-11 Kyocera Corporation Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and methods for manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8035026B2 (en) 2003-08-26 2011-10-11 Kyocera Corporation Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and methods for manufacturing the same
US8519256B2 (en) 2003-08-26 2013-08-27 Kyocera Corporation Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and method for manufacturing the same

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