JPH08325713A - 有機質基材表面への金属膜形成方法 - Google Patents
有機質基材表面への金属膜形成方法Info
- Publication number
- JPH08325713A JPH08325713A JP13132295A JP13132295A JPH08325713A JP H08325713 A JPH08325713 A JP H08325713A JP 13132295 A JP13132295 A JP 13132295A JP 13132295 A JP13132295 A JP 13132295A JP H08325713 A JPH08325713 A JP H08325713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- base material
- organic base
- substrate surface
- polyimide substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機質基材の表面に凹凸を形成したり、所望
の金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、
平滑な有機質基材の表面に気相成長法によって、金属膜
を十分に密着力高く形成することのできる有機質基材表
面への金属膜形成方法を提供。 【構成】 有機質基材表面に結合を活性化させる波長の
光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、この有機
質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成する。
の金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、
平滑な有機質基材の表面に気相成長法によって、金属膜
を十分に密着力高く形成することのできる有機質基材表
面への金属膜形成方法を提供。 【構成】 有機質基材表面に結合を活性化させる波長の
光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、この有機
質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長法による有機
質基材表面への金属膜形成方法に関する。
質基材表面への金属膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機質基材表面への気相成長法による金
属膜形成技術は、装飾品、フレキシブルプリント基板な
どの電子機器部品、包装用フィルムをはじめ、幅広く利
用される技術である。しかしながら、有機質基材表面へ
の気相成長法による金属膜形成技術における大きな問題
点として、有機質基材と金属膜との密着性が挙げられ、
有機質基材表面に強固に密着した金属膜を得ることは非
常に難しい。
属膜形成技術は、装飾品、フレキシブルプリント基板な
どの電子機器部品、包装用フィルムをはじめ、幅広く利
用される技術である。しかしながら、有機質基材表面へ
の気相成長法による金属膜形成技術における大きな問題
点として、有機質基材と金属膜との密着性が挙げられ、
有機質基材表面に強固に密着した金属膜を得ることは非
常に難しい。
【０００３】従来、この問題を解決するために様々な方
法がとられている。一つには酸、アルカリ等による表面
処理を行って有機質基材表面に凹凸を形成し、アンカー
効果等により、金属膜の密着性を高める方法が行われて
いる。しかし、この方法では、金属膜表面に凹凸が生じ
るため、金属光沢がでなく、高周波用回路基板に使う場
合には凹凸による表皮抵抗が生じて電気特性に悪影響が
あり、凹凸形成のための工程が複雑になるなどの問題が
ある。
法がとられている。一つには酸、アルカリ等による表面
処理を行って有機質基材表面に凹凸を形成し、アンカー
効果等により、金属膜の密着性を高める方法が行われて
いる。しかし、この方法では、金属膜表面に凹凸が生じ
るため、金属光沢がでなく、高周波用回路基板に使う場
合には凹凸による表皮抵抗が生じて電気特性に悪影響が
あり、凹凸形成のための工程が複雑になるなどの問題が
ある。
【０００４】また、金属膜を形成する前に、有機質基材
表面にチタンまたはクロム等をプリコートすることによ
り、金属膜の密着性を高める方法も行われている。しか
し、この方法では、回路基板として金属膜をパターンエ
ッチングして使用する際のエッチング性に問題が生じ
る。つまり、上層となる金属膜をパターンエッチングし
て使用する際に、下層となるチタンまたはクロム等のプ
リコート層が残るという問題が生じるのである。
表面にチタンまたはクロム等をプリコートすることによ
り、金属膜の密着性を高める方法も行われている。しか
し、この方法では、回路基板として金属膜をパターンエ
ッチングして使用する際のエッチング性に問題が生じ
る。つまり、上層となる金属膜をパターンエッチングし
て使用する際に、下層となるチタンまたはクロム等のプ
リコート層が残るという問題が生じるのである。
【０００５】また、特開昭６３−２７０４５５公報に
は、アルゴンガス等の不活性ガスまたは酸素、窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素などの活性ガスを用いて、これら
の単独または混合ガスのプラズマで表面処理した後、金
属膜を形成する方法が提案されている。このような表面
処理では、有機質基材表面を活性化させるとともに、−
ＯＨ等の官能基形成が行われる。−ＯＨ等の官能基は金
属との親和性が高く、金属膜の密着性を高める働きをす
るというのである。
は、アルゴンガス等の不活性ガスまたは酸素、窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素などの活性ガスを用いて、これら
の単独または混合ガスのプラズマで表面処理した後、金
属膜を形成する方法が提案されている。このような表面
処理では、有機質基材表面を活性化させるとともに、−
ＯＨ等の官能基形成が行われる。−ＯＨ等の官能基は金
属との親和性が高く、金属膜の密着性を高める働きをす
るというのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
プラズマによる前処理によっても、十分に良好な有機質
基材と金属膜との密着性が得られるというまでには至ら
ない。
プラズマによる前処理によっても、十分に良好な有機質
基材と金属膜との密着性が得られるというまでには至ら
ない。
【０００７】この発明は、上記事情に鑑み、有機質基材
の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料を
プリコートしたりすることなく、平滑な有機質基材の表
面に気相成長法によって、金属膜を十分に密着力高く形
成することのできる有機質基材表面への金属膜形成方法
を提供することを課題とする。
の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料を
プリコートしたりすることなく、平滑な有機質基材の表
面に気相成長法によって、金属膜を十分に密着力高く形
成することのできる有機質基材表面への金属膜形成方法
を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１記載の発明は、有機質基材表面に結合を活性化させ
る波長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、
この有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成
することを特徴として構成している。
項１記載の発明は、有機質基材表面に結合を活性化させ
る波長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、
この有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成
することを特徴として構成している。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、アミン溶液を塗布した後に、さらに熱処理
を行うことを特徴として構成している。
明において、アミン溶液を塗布した後に、さらに熱処理
を行うことを特徴として構成している。
【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、アミン溶液を塗布した後に、さらにプラズ
マ処理を行うことを特徴として構成している。
明において、アミン溶液を塗布した後に、さらにプラズ
マ処理を行うことを特徴として構成している。
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項４記載の発
明において、プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴンガ
スのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによって
行うことを特徴として構成している。
明において、プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴンガ
スのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによって
行うことを特徴として構成している。
【００１２】有機質基材としては、エポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、ＰＥＴ樹脂などの様々な合成樹脂材料を用
いることができ、板状、フィルム状のものなど様々な形
状のものを使用することができる。
イミド樹脂、ＰＥＴ樹脂などの様々な合成樹脂材料を用
いることができ、板状、フィルム状のものなど様々な形
状のものを使用することができる。
【００１３】気相成長法としては、スパッタリング法や
真空蒸着法などを代表的に例示することができる。ま
た、金属膜としては、銅膜が代表的なものであるが、特
定の金属膜に限らないことは言うまでもない。金属膜の
厚みも特に制限されないが、０．０１〜数十μｍ程度の
一般的な厚みに形成することができる。
真空蒸着法などを代表的に例示することができる。ま
た、金属膜としては、銅膜が代表的なものであるが、特
定の金属膜に限らないことは言うまでもない。金属膜の
厚みも特に制限されないが、０．０１〜数十μｍ程度の
一般的な厚みに形成することができる。
【００１４】結合を活性化する波長の光としては、レー
ザ光等を例示することができるが、これに限定されず、
様々な種類の光を照射することができる。照射する光の
波長によって定まるエネルギーの値が、有機質基材を構
成する活性化させたい結合の結合エネルギーと略一致す
るような光を選択することによって、有効に有機質基材
表面の結合を活性化させることができる。
ザ光等を例示することができるが、これに限定されず、
様々な種類の光を照射することができる。照射する光の
波長によって定まるエネルギーの値が、有機質基材を構
成する活性化させたい結合の結合エネルギーと略一致す
るような光を選択することによって、有効に有機質基材
表面の結合を活性化させることができる。
【００１５】塗布するアミンとしては、アニリン、メチ
ルアニリン、エチルアニリン、ベンジルアミン等の芳香
族アミンを例示することができ、アミン単独で、あるい
はメタノール等の溶剤に溶かして使用することができ
る。有機質基材表面へのアミン溶液の塗布方法として
は、アミン溶液に有機質基材を浸漬する方法や、有機質
基材にアミン溶液をスプレーする方法などがあるが、こ
れらに限定されることはない。またアミンの塗布量は特
に制限されるものでないが、アミンをメタノールに溶か
して用いる場合には、アミンの濃度が０．１重量％以上
のメタノール溶液に有機質基材を浸漬してアミンを付着
させるのが好ましい。
ルアニリン、エチルアニリン、ベンジルアミン等の芳香
族アミンを例示することができ、アミン単独で、あるい
はメタノール等の溶剤に溶かして使用することができ
る。有機質基材表面へのアミン溶液の塗布方法として
は、アミン溶液に有機質基材を浸漬する方法や、有機質
基材にアミン溶液をスプレーする方法などがあるが、こ
れらに限定されることはない。またアミンの塗布量は特
に制限されるものでないが、アミンをメタノールに溶か
して用いる場合には、アミンの濃度が０．１重量％以上
のメタノール溶液に有機質基材を浸漬してアミンを付着
させるのが好ましい。
【００１６】また、光を照射し、アミン溶液の塗布を行
った後、さらに熱処理をするようにしてもよい。この場
合の熱処理は、温度１００〜１４０℃、時間０．５〜２
時間程度の条件が特に好ましい。
った後、さらに熱処理をするようにしてもよい。この場
合の熱処理は、温度１００〜１４０℃、時間０．５〜２
時間程度の条件が特に好ましい。
【００１７】また、上記のように光を照射し、アミン溶
液の塗布を行った後、有機質基材をプラズマ処理するよ
うにしてもよい。プラズマは酸素、窒素、アルゴンガス
を単独で、あるいは複数を併用して用いたガスプラズマ
であることが好ましい。
液の塗布を行った後、有機質基材をプラズマ処理するよ
うにしてもよい。プラズマは酸素、窒素、アルゴンガス
を単独で、あるいは複数を併用して用いたガスプラズマ
であることが好ましい。
【００１８】
【作用】請求項１記載の発明では、照射する光の波長に
よって定まるエネルギーが、有機質基材表面の結合の結
合エネルギーと略一致するので、結合を励起させて活性
化させることができ、−ＯＨ等の官能基を形成させるこ
とができる。さらに、アミン溶液の塗布によって、有機
質基材表面の−ＯＨ等の官能基とアミノ基の反応によっ
てアミド基を形成することができる。このアミド基は金
属との反応性に優れているので、この有機質基材表面に
気相形成した金属膜が強く密着することになる。
よって定まるエネルギーが、有機質基材表面の結合の結
合エネルギーと略一致するので、結合を励起させて活性
化させることができ、−ＯＨ等の官能基を形成させるこ
とができる。さらに、アミン溶液の塗布によって、有機
質基材表面の−ＯＨ等の官能基とアミノ基の反応によっ
てアミド基を形成することができる。このアミド基は金
属との反応性に優れているので、この有機質基材表面に
気相形成した金属膜が強く密着することになる。
【００１９】請求項２記載の発明では、熱処理を行うこ
とによって、アミド基の形成反応が促進される。
とによって、アミド基の形成反応が促進される。
【００２０】請求項３記載の発明では、プラズマ処理を
行うことによって、アミド基の形成反応が促進される。
行うことによって、アミド基の形成反応が促進される。
【００２１】請求項４記載の発明では、酸素、窒素、ア
ルゴンガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマ
による処理によって、アミド基の形成反応がより確実に
促進される。
ルゴンガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマ
による処理によって、アミド基の形成反応がより確実に
促進される。
【００２２】
【実施例】以下に具体的な実施例を説明する。 （実施例１）基板ホルダーに有機樹脂基材としてポリイ
ミド基板を取り付け、真空チャンバー内に配置し、この
真空チャンバー内を１×１０-5トール以下になるまで真
空排気し、ハロゲンヒーターでポリイミド基板を１００
℃に予備加熱を行った。この予備加熱によって、ポリイ
ミド基板に吸着した水分等を除去している。
ミド基板を取り付け、真空チャンバー内に配置し、この
真空チャンバー内を１×１０-5トール以下になるまで真
空排気し、ハロゲンヒーターでポリイミド基板を１００
℃に予備加熱を行った。この予備加熱によって、ポリイ
ミド基板に吸着した水分等を除去している。
【００２３】次に、結合を活性化させる波長の光とし
て、Ｃ＝Ｏ結合のエネルギー１７９ｋｃａｌ／ｍｏｌに
相当する波長（およそ１５０〜１６０ｎｍ）のレーザ光
を、ポリイミド基板の表面に照射した。
て、Ｃ＝Ｏ結合のエネルギー１７９ｋｃａｌ／ｍｏｌに
相当する波長（およそ１５０〜１６０ｎｍ）のレーザ光
を、ポリイミド基板の表面に照射した。
【００２４】照射終了後、このポリイミド基板の表面
を、アニリンの１重量％メタノール溶液に浸漬させ、ア
ミンとしてアニリンを用いたアミン溶液の塗布を行い、
さらに、１２０℃で熱処理を行った。
を、アニリンの１重量％メタノール溶液に浸漬させ、ア
ミンとしてアニリンを用いたアミン溶液の塗布を行い、
さらに、１２０℃で熱処理を行った。
【００２５】この後、気相成長法による金属膜の形成
を、ガス成分アルゴン、ガス圧を２．０×１０-3トー
ル、ポリイミド基板の温度を室温、ターゲット電圧を−
５００Ｖとした条件によるマグネトロンスパッタリング
法で、上記のポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの
銅膜を形成した。 （実施例２）実施例１と全く同様にして、ポリイミド基
板に対する処理を、アミンとしてアニリンを用いたアミ
ン溶液の塗布までを行い、加熱処理を行わずに以下の工
程を実施した。
を、ガス成分アルゴン、ガス圧を２．０×１０-3トー
ル、ポリイミド基板の温度を室温、ターゲット電圧を−
５００Ｖとした条件によるマグネトロンスパッタリング
法で、上記のポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの
銅膜を形成した。 （実施例２）実施例１と全く同様にして、ポリイミド基
板に対する処理を、アミンとしてアニリンを用いたアミ
ン溶液の塗布までを行い、加熱処理を行わずに以下の工
程を実施した。
【００２６】基板ホルダーに上記処理を行ったポリイミ
ド基板を取り付け、真空チャンバー内に配置した。この
真空チャンバー内を１×１０-5トール以下になるまで真
空排気し、真空チャンバー内にアルゴンガスを導入し
て、アルゴンガス圧７６０トール（常圧）、放電電力１
００Ｗ、周波数１５ｋＨｚの条件で１分間、ポリイミド
基板の表面をアルゴンガスプラズマ処理を行った。
ド基板を取り付け、真空チャンバー内に配置した。この
真空チャンバー内を１×１０-5トール以下になるまで真
空排気し、真空チャンバー内にアルゴンガスを導入し
て、アルゴンガス圧７６０トール（常圧）、放電電力１
００Ｗ、周波数１５ｋＨｚの条件で１分間、ポリイミド
基板の表面をアルゴンガスプラズマ処理を行った。
【００２７】この後、実施例１と同様の処理を行って、
気相成長法による金属膜の形成を行いポリイミド基板の
表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。 （実施例３）実施例２のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、酸素ガスを真空チャンバー内に導入して酸素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅
膜を形成した。 （実施例４）実施例２のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、窒素ガスを真空チャンバー内に導入して窒素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅
膜を形成した。 （比較例１）実施例１における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例２）実施例１における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例３）実施例３における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例４）実施例４における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例５）実施例１における、レーザ光をポリイミド
基板の表面に照射する工程を行わない他は、全く同様に
してポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形
成した。
気相成長法による金属膜の形成を行いポリイミド基板の
表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。 （実施例３）実施例２のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、酸素ガスを真空チャンバー内に導入して酸素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅
膜を形成した。 （実施例４）実施例２のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、窒素ガスを真空チャンバー内に導入して窒素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅
膜を形成した。 （比較例１）実施例１における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例２）実施例１における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例３）実施例３における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例４）実施例４における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例５）実施例１における、レーザ光をポリイミド
基板の表面に照射する工程を行わない他は、全く同様に
してポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形
成した。
【００２８】上記の実施例１〜４および比較例１〜５に
述べた方法によって、有機質基材の表面に形成した銅膜
について、密着性を評価するために碁盤目試験を行っ
た。この試験は銅膜に２ｍｍ間隔に碁盤目状の切り目を
ナイフで入れた後、この表面にセロハンテープを貼って
剥がすことによって行い、銅膜が剥離しなければ「○」
と評価し、また碁盤目状の切り目を入れなくとも剥離す
れば「×」と評価し、碁盤目状の切り目を入れた場合の
み剥離すれば「△」と評価した。この結果を以下の表１
に示す。
述べた方法によって、有機質基材の表面に形成した銅膜
について、密着性を評価するために碁盤目試験を行っ
た。この試験は銅膜に２ｍｍ間隔に碁盤目状の切り目を
ナイフで入れた後、この表面にセロハンテープを貼って
剥がすことによって行い、銅膜が剥離しなければ「○」
と評価し、また碁盤目状の切り目を入れなくとも剥離す
れば「×」と評価し、碁盤目状の切り目を入れた場合の
み剥離すれば「△」と評価した。この結果を以下の表１
に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１の実施例１〜４と比較例１〜４とを対
比すると、アニリン溶液を塗布する処理を実施した各実
施例のものでは、銅膜の密着性が高いのに対して、アニ
リン溶液を塗布していない各比較例のものは密着性が低
く、アニリン溶液の塗布による金属膜の密着性の向上の
効果が確認される。
比すると、アニリン溶液を塗布する処理を実施した各実
施例のものでは、銅膜の密着性が高いのに対して、アニ
リン溶液を塗布していない各比較例のものは密着性が低
く、アニリン溶液の塗布による金属膜の密着性の向上の
効果が確認される。
【００３１】また、実施例１と比較例５とを対比する
と、レーザ光を照射していない比較例のものは密着性が
低く、レーザ光を照射による密着性の向上の効果が確認
される。
と、レーザ光を照射していない比較例のものは密着性が
低く、レーザ光を照射による密着性の向上の効果が確認
される。
【００３２】以上の結果から、光を照射したのちアニリ
ン溶液を塗布することによって、金属膜の密着性が向上
していることが確認される。
ン溶液を塗布することによって、金属膜の密着性が向上
していることが確認される。
【００３３】
【発明の効果】請求項１記載の発明では、結合を活性化
させる波長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布する
前処理によって、金属膜を強く有機質基材に密着させる
ことができる。このような前処理は、従来の微細な凹凸
形成による前処理に比較して工程が簡単であって、容易
に行うことができる。
させる波長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布する
前処理によって、金属膜を強く有機質基材に密着させる
ことができる。このような前処理は、従来の微細な凹凸
形成による前処理に比較して工程が簡単であって、容易
に行うことができる。
【００３４】したがって、有機質基材の表面に化学エッ
チングにより凹凸を形成したり所望の金属膜以外の材料
をプリコートしたりすることなく、有機質基材の表面に
密着強度の高い金属膜を気相成長法により形成すること
ができる。
チングにより凹凸を形成したり所望の金属膜以外の材料
をプリコートしたりすることなく、有機質基材の表面に
密着強度の高い金属膜を気相成長法により形成すること
ができる。
【００３５】また、有機質基材の表面に凹凸を形成する
必要がないので、形成した金属膜に金属光沢が得られ、
装飾用、反射鏡用などの用途に有用である。また、高周
波用回路基板に使う場合を想定すると、凹凸による表皮
抵抗が生じる心配がなく、電気特性の良好な高周波用回
路基板を製造することができる。
必要がないので、形成した金属膜に金属光沢が得られ、
装飾用、反射鏡用などの用途に有用である。また、高周
波用回路基板に使う場合を想定すると、凹凸による表皮
抵抗が生じる心配がなく、電気特性の良好な高周波用回
路基板を製造することができる。
【００３６】また、所望の金属膜の下層にチタンまたは
クロム等のプリコート層を存在させる必要がないもので
ある。したがって、電子材料用途の回路基板などに用い
る場合、導体回路となる金属層のエッチングに悪影響を
与えることがなく、回路形成が容易であって、有機質基
材をベースとした回路板の製造に好適に用いられる金属
膜形成方法になっている。
クロム等のプリコート層を存在させる必要がないもので
ある。したがって、電子材料用途の回路基板などに用い
る場合、導体回路となる金属層のエッチングに悪影響を
与えることがなく、回路形成が容易であって、有機質基
材をベースとした回路板の製造に好適に用いられる金属
膜形成方法になっている。
【００３７】請求項２記載の発明では、熱処理を行うこ
とによって、アミド基の形成反応が促進され、より金属
膜の密着力が向上する。
とによって、アミド基の形成反応が促進され、より金属
膜の密着力が向上する。
【００３８】請求項３記載の発明では、プラズマ処理を
行うことによって、アミド基の形成反応が促進され、よ
り金属膜の密着力が向上する。
行うことによって、アミド基の形成反応が促進され、よ
り金属膜の密着力が向上する。
【００３９】請求項４記載の発明では、酸素、窒素、ア
ルゴンガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマ
による処理によって、アミド基の形成反応がより確実に
促進され、金属膜の密着力を確実に向上させることがで
きる。
ルゴンガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマ
による処理によって、アミド基の形成反応がより確実に
促進され、金属膜の密着力を確実に向上させることがで
きる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年８月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項３記載の発
明において、プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴンガ
スのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによって
行うことを特徴として構成している。
明において、プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴンガ
スのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによって
行うことを特徴として構成している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】この後、実施例１と同様の処理を行って、
気相成長法による金属膜の形成を行いポリイミド基板の
表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。 （実施例３）実施例２のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、酸素ガスを真空チャンバー内に導入して酸素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅
膜を形成した。 （実施例４）実施例２のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、窒素ガスを真空チャンバー内に導入して窒素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅
膜を形成した。 （比較例１）実施例１における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例２）実施例２における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例３）実施例３における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例４）実施例４における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例５）実施例１における、レーザ光をポリイミド
基板の表面に照射する工程を行わない他は、全く同様に
してポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形
成した。
気相成長法による金属膜の形成を行いポリイミド基板の
表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成した。 （実施例３）実施例２のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、酸素ガスを真空チャンバー内に導入して酸素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅
膜を形成した。 （実施例４）実施例２のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、窒素ガスを真空チャンバー内に導入して窒素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅
膜を形成した。 （比較例１）実施例１における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例２）実施例２における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例３）実施例３における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例４）実施例４における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形成
した。 （比較例５）実施例１における、レーザ光をポリイミド
基板の表面に照射する工程を行わない他は、全く同様に
してポリイミド基板の表面に厚み０．２μｍの銅膜を形
成した。
Claims (4)
- 【請求項１】 有機質基材表面に結合を活性化させる波
長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、この
有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成する
ことを特徴とする有機質基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項２】 アミン溶液を塗布した後に、さらに熱処
理を行うことを特徴とする請求項１記載の有機質基材表
面への金属膜形成方法。 - 【請求項３】 アミン溶液を塗布した後に、さらにプラ
ズマ処理を行うことを特徴とする請求項１記載の有機質
基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項４】 プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴン
ガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによっ
て行うことを特徴とする請求項３記載の有機質基材表面
への金属膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13132295A JPH08325713A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 有機質基材表面への金属膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13132295A JPH08325713A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 有機質基材表面への金属膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325713A true JPH08325713A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=15055250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13132295A Withdrawn JPH08325713A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 有機質基材表面への金属膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08325713A (ja) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048749A1 (en) * | 1999-02-18 | 2000-08-24 | Battelle Memorial Institute | Method for adhering laminate structures |
| US6207238B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
| US6207239B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer |
| US6217947B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-17 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures |
| US6224948B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-05-01 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
| US6228434B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making a conformal coating of a microtextured surface |
| US6228436B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making light emitting polymer composite material |
| US6268695B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6274204B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-08-14 | Battelle Memorial Institute | Method of making non-linear optical polymer |
| US6358570B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-03-19 | Battelle Memorial Institute | Vacuum deposition and curing of oligomers and resins |
| US6413645B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| US6492026B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-12-10 | Battelle Memorial Institute | Smoothing and barrier layers on high Tg substrates |
| US6506461B2 (en) | 1999-03-31 | 2003-01-14 | Battelle Memorial Institute | Methods for making polyurethanes as thin films |
| US6537411B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-03-25 | The National University Of Singapore | Method for low temperature lamination of metals to polyimides |
| US6548912B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-04-15 | Battelle Memorial Institute | Semicoductor passivation using barrier coatings |
| US6570325B2 (en) | 1998-12-16 | 2003-05-27 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6573652B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-06-03 | Battelle Memorial Institute | Encapsulated display devices |
| US6623861B2 (en) | 2001-04-16 | 2003-09-23 | Battelle Memorial Institute | Multilayer plastic substrates |
| US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US8904819B2 (en) | 2009-12-31 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
| US8955217B2 (en) | 1999-10-25 | 2015-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for edge sealing barrier films |
| US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
| US9822454B2 (en) | 2006-12-28 | 2017-11-21 | 3M Innovative Properties Company | Nucleation layer for thin film metal layer formation |
| US9839940B2 (en) | 2002-04-15 | 2017-12-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US10950821B2 (en) | 2007-01-26 | 2021-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
-
1995
- 1995-05-30 JP JP13132295A patent/JPH08325713A/ja not_active Withdrawn
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6224948B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-05-01 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
| US6656537B2 (en) | 1997-09-29 | 2003-12-02 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
| US6627267B2 (en) | 1997-09-29 | 2003-09-30 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
| US6497924B2 (en) | 1998-12-16 | 2002-12-24 | Battelle Memorial Institute | Method of making non-linear optical polymer |
| US6207239B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer |
| US6228434B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making a conformal coating of a microtextured surface |
| US6228436B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making light emitting polymer composite material |
| US6268695B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6274204B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-08-14 | Battelle Memorial Institute | Method of making non-linear optical polymer |
| US6217947B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-17 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures |
| US6570325B2 (en) | 1998-12-16 | 2003-05-27 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6909230B2 (en) | 1998-12-16 | 2005-06-21 | Battelle Memorial Institute | Method of making molecularly doped composite polymer material |
| US6811829B2 (en) | 1998-12-16 | 2004-11-02 | Battelle Memorial Institute | Method of making a coating of a microtextured surface |
| US6497598B2 (en) | 1998-12-16 | 2002-12-24 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6207238B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
| US6509065B2 (en) | 1998-12-16 | 2003-01-21 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer |
| US6522067B1 (en) | 1998-12-16 | 2003-02-18 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6613395B2 (en) | 1998-12-16 | 2003-09-02 | Battelle Memorial Institute | Method of making molecularly doped composite polymer material |
| US6544600B2 (en) | 1998-12-16 | 2003-04-08 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer |
| US6858259B2 (en) | 1998-12-16 | 2005-02-22 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
| WO2000048749A1 (en) * | 1999-02-18 | 2000-08-24 | Battelle Memorial Institute | Method for adhering laminate structures |
| US6358570B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-03-19 | Battelle Memorial Institute | Vacuum deposition and curing of oligomers and resins |
| US6506461B2 (en) | 1999-03-31 | 2003-01-14 | Battelle Memorial Institute | Methods for making polyurethanes as thin films |
| US6537411B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-03-25 | The National University Of Singapore | Method for low temperature lamination of metals to polyimides |
| USRE40531E1 (en) * | 1999-10-25 | 2008-10-07 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| US8955217B2 (en) | 1999-10-25 | 2015-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for edge sealing barrier films |
| US6573652B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-06-03 | Battelle Memorial Institute | Encapsulated display devices |
| US6548912B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-04-15 | Battelle Memorial Institute | Semicoductor passivation using barrier coatings |
| US6923702B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-08-02 | Battelle Memorial Institute | Method of making encapsulated display devices |
| US6492026B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-12-10 | Battelle Memorial Institute | Smoothing and barrier layers on high Tg substrates |
| US6413645B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| US6623861B2 (en) | 2001-04-16 | 2003-09-23 | Battelle Memorial Institute | Multilayer plastic substrates |
| US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US9839940B2 (en) | 2002-04-15 | 2017-12-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US9822454B2 (en) | 2006-12-28 | 2017-11-21 | 3M Innovative Properties Company | Nucleation layer for thin film metal layer formation |
| US10950821B2 (en) | 2007-01-26 | 2021-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
| US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
| US9362530B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| US8904819B2 (en) | 2009-12-31 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08325713A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH0959763A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| US8173522B2 (en) | Method and device for machining a wafer, in addition to a wafer comprising a separation layer and a support layer | |
| JPH0149788B2 (ja) | ||
| WO2006059845A1 (en) | Method of surface modification of polyimide film using silanes coupling agent, manufacturing method of flexible copper clad laminate and its product thereby | |
| EP0370269B1 (en) | A process for treating the surface of polyimide articles | |
| US4964923A (en) | Method of forming a copper film on a ceramic body | |
| JP2005523584A5 (ja) | ||
| JP2003008179A (ja) | 印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法 | |
| JP4013352B2 (ja) | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 | |
| US6703186B1 (en) | Method of forming a conductive pattern on a circuit board | |
| JPH09176831A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH10265943A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH10237631A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH10130823A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH1161378A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH08225923A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH10130816A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JP3263470B2 (ja) | 有機質基材表面のメタライズ方法 | |
| JPH09316627A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH1030167A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JPH09228026A (ja) | 有機質基材表面への金属膜形成方法 | |
| JP2010001543A (ja) | 銅膜形成方法及び配線基板 | |
| JP4013353B2 (ja) | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 | |
| JP2000273226A (ja) | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |