JPH08325713A - 有機質基材表面への金属膜形成方法 - Google Patents
有機質基材表面への金属膜形成方法Info
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- JPH08325713A JPH08325713A JP13132295A JP13132295A JPH08325713A JP H08325713 A JPH08325713 A JP H08325713A JP 13132295 A JP13132295 A JP 13132295A JP 13132295 A JP13132295 A JP 13132295A JP H08325713 A JPH08325713 A JP H08325713A
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機質基材の表面に凹凸を形成したり、所望
の金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、
平滑な有機質基材の表面に気相成長法によって、金属膜
を十分に密着力高く形成することのできる有機質基材表
面への金属膜形成方法を提供。 【構成】 有機質基材表面に結合を活性化させる波長の
光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、この有機
質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成する。
の金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、
平滑な有機質基材の表面に気相成長法によって、金属膜
を十分に密着力高く形成することのできる有機質基材表
面への金属膜形成方法を提供。 【構成】 有機質基材表面に結合を活性化させる波長の
光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、この有機
質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長法による有機
質基材表面への金属膜形成方法に関する。
質基材表面への金属膜形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】有機質基材表面への気相成長法による金
属膜形成技術は、装飾品、フレキシブルプリント基板な
どの電子機器部品、包装用フィルムをはじめ、幅広く利
用される技術である。しかしながら、有機質基材表面へ
の気相成長法による金属膜形成技術における大きな問題
点として、有機質基材と金属膜との密着性が挙げられ、
有機質基材表面に強固に密着した金属膜を得ることは非
常に難しい。
属膜形成技術は、装飾品、フレキシブルプリント基板な
どの電子機器部品、包装用フィルムをはじめ、幅広く利
用される技術である。しかしながら、有機質基材表面へ
の気相成長法による金属膜形成技術における大きな問題
点として、有機質基材と金属膜との密着性が挙げられ、
有機質基材表面に強固に密着した金属膜を得ることは非
常に難しい。
【0003】従来、この問題を解決するために様々な方
法がとられている。一つには酸、アルカリ等による表面
処理を行って有機質基材表面に凹凸を形成し、アンカー
効果等により、金属膜の密着性を高める方法が行われて
いる。しかし、この方法では、金属膜表面に凹凸が生じ
るため、金属光沢がでなく、高周波用回路基板に使う場
合には凹凸による表皮抵抗が生じて電気特性に悪影響が
あり、凹凸形成のための工程が複雑になるなどの問題が
ある。
法がとられている。一つには酸、アルカリ等による表面
処理を行って有機質基材表面に凹凸を形成し、アンカー
効果等により、金属膜の密着性を高める方法が行われて
いる。しかし、この方法では、金属膜表面に凹凸が生じ
るため、金属光沢がでなく、高周波用回路基板に使う場
合には凹凸による表皮抵抗が生じて電気特性に悪影響が
あり、凹凸形成のための工程が複雑になるなどの問題が
ある。
【0004】また、金属膜を形成する前に、有機質基材
表面にチタンまたはクロム等をプリコートすることによ
り、金属膜の密着性を高める方法も行われている。しか
し、この方法では、回路基板として金属膜をパターンエ
ッチングして使用する際のエッチング性に問題が生じ
る。つまり、上層となる金属膜をパターンエッチングし
て使用する際に、下層となるチタンまたはクロム等のプ
リコート層が残るという問題が生じるのである。
表面にチタンまたはクロム等をプリコートすることによ
り、金属膜の密着性を高める方法も行われている。しか
し、この方法では、回路基板として金属膜をパターンエ
ッチングして使用する際のエッチング性に問題が生じ
る。つまり、上層となる金属膜をパターンエッチングし
て使用する際に、下層となるチタンまたはクロム等のプ
リコート層が残るという問題が生じるのである。
【0005】また、特開昭63−270455公報に
は、アルゴンガス等の不活性ガスまたは酸素、窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素などの活性ガスを用いて、これら
の単独または混合ガスのプラズマで表面処理した後、金
属膜を形成する方法が提案されている。このような表面
処理では、有機質基材表面を活性化させるとともに、−
OH等の官能基形成が行われる。−OH等の官能基は金
属との親和性が高く、金属膜の密着性を高める働きをす
るというのである。
は、アルゴンガス等の不活性ガスまたは酸素、窒素、一
酸化炭素、二酸化炭素などの活性ガスを用いて、これら
の単独または混合ガスのプラズマで表面処理した後、金
属膜を形成する方法が提案されている。このような表面
処理では、有機質基材表面を活性化させるとともに、−
OH等の官能基形成が行われる。−OH等の官能基は金
属との親和性が高く、金属膜の密着性を高める働きをす
るというのである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
プラズマによる前処理によっても、十分に良好な有機質
基材と金属膜との密着性が得られるというまでには至ら
ない。
プラズマによる前処理によっても、十分に良好な有機質
基材と金属膜との密着性が得られるというまでには至ら
ない。
【0007】この発明は、上記事情に鑑み、有機質基材
の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料を
プリコートしたりすることなく、平滑な有機質基材の表
面に気相成長法によって、金属膜を十分に密着力高く形
成することのできる有機質基材表面への金属膜形成方法
を提供することを課題とする。
の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料を
プリコートしたりすることなく、平滑な有機質基材の表
面に気相成長法によって、金属膜を十分に密着力高く形
成することのできる有機質基材表面への金属膜形成方法
を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項1記載の発明は、有機質基材表面に結合を活性化させ
る波長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、
この有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成
することを特徴として構成している。
項1記載の発明は、有機質基材表面に結合を活性化させ
る波長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、
この有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成
することを特徴として構成している。
【0009】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、アミン溶液を塗布した後に、さらに熱処理
を行うことを特徴として構成している。
明において、アミン溶液を塗布した後に、さらに熱処理
を行うことを特徴として構成している。
【0010】請求項3記載の発明は、請求項1記載の発
明において、アミン溶液を塗布した後に、さらにプラズ
マ処理を行うことを特徴として構成している。
明において、アミン溶液を塗布した後に、さらにプラズ
マ処理を行うことを特徴として構成している。
【0011】請求項4記載の発明は、請求項4記載の発
明において、プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴンガ
スのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによって
行うことを特徴として構成している。
明において、プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴンガ
スのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによって
行うことを特徴として構成している。
【0012】有機質基材としては、エポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、PET樹脂などの様々な合成樹脂材料を用
いることができ、板状、フィルム状のものなど様々な形
状のものを使用することができる。
イミド樹脂、PET樹脂などの様々な合成樹脂材料を用
いることができ、板状、フィルム状のものなど様々な形
状のものを使用することができる。
【0013】気相成長法としては、スパッタリング法や
真空蒸着法などを代表的に例示することができる。ま
た、金属膜としては、銅膜が代表的なものであるが、特
定の金属膜に限らないことは言うまでもない。金属膜の
厚みも特に制限されないが、0.01〜数十μm程度の
一般的な厚みに形成することができる。
真空蒸着法などを代表的に例示することができる。ま
た、金属膜としては、銅膜が代表的なものであるが、特
定の金属膜に限らないことは言うまでもない。金属膜の
厚みも特に制限されないが、0.01〜数十μm程度の
一般的な厚みに形成することができる。
【0014】結合を活性化する波長の光としては、レー
ザ光等を例示することができるが、これに限定されず、
様々な種類の光を照射することができる。照射する光の
波長によって定まるエネルギーの値が、有機質基材を構
成する活性化させたい結合の結合エネルギーと略一致す
るような光を選択することによって、有効に有機質基材
表面の結合を活性化させることができる。
ザ光等を例示することができるが、これに限定されず、
様々な種類の光を照射することができる。照射する光の
波長によって定まるエネルギーの値が、有機質基材を構
成する活性化させたい結合の結合エネルギーと略一致す
るような光を選択することによって、有効に有機質基材
表面の結合を活性化させることができる。
【0015】塗布するアミンとしては、アニリン、メチ
ルアニリン、エチルアニリン、ベンジルアミン等の芳香
族アミンを例示することができ、アミン単独で、あるい
はメタノール等の溶剤に溶かして使用することができ
る。有機質基材表面へのアミン溶液の塗布方法として
は、アミン溶液に有機質基材を浸漬する方法や、有機質
基材にアミン溶液をスプレーする方法などがあるが、こ
れらに限定されることはない。またアミンの塗布量は特
に制限されるものでないが、アミンをメタノールに溶か
して用いる場合には、アミンの濃度が0.1重量%以上
のメタノール溶液に有機質基材を浸漬してアミンを付着
させるのが好ましい。
ルアニリン、エチルアニリン、ベンジルアミン等の芳香
族アミンを例示することができ、アミン単独で、あるい
はメタノール等の溶剤に溶かして使用することができ
る。有機質基材表面へのアミン溶液の塗布方法として
は、アミン溶液に有機質基材を浸漬する方法や、有機質
基材にアミン溶液をスプレーする方法などがあるが、こ
れらに限定されることはない。またアミンの塗布量は特
に制限されるものでないが、アミンをメタノールに溶か
して用いる場合には、アミンの濃度が0.1重量%以上
のメタノール溶液に有機質基材を浸漬してアミンを付着
させるのが好ましい。
【0016】また、光を照射し、アミン溶液の塗布を行
った後、さらに熱処理をするようにしてもよい。この場
合の熱処理は、温度100〜140℃、時間0.5〜2
時間程度の条件が特に好ましい。
った後、さらに熱処理をするようにしてもよい。この場
合の熱処理は、温度100〜140℃、時間0.5〜2
時間程度の条件が特に好ましい。
【0017】また、上記のように光を照射し、アミン溶
液の塗布を行った後、有機質基材をプラズマ処理するよ
うにしてもよい。プラズマは酸素、窒素、アルゴンガス
を単独で、あるいは複数を併用して用いたガスプラズマ
であることが好ましい。
液の塗布を行った後、有機質基材をプラズマ処理するよ
うにしてもよい。プラズマは酸素、窒素、アルゴンガス
を単独で、あるいは複数を併用して用いたガスプラズマ
であることが好ましい。
【0018】
【作用】請求項1記載の発明では、照射する光の波長に
よって定まるエネルギーが、有機質基材表面の結合の結
合エネルギーと略一致するので、結合を励起させて活性
化させることができ、−OH等の官能基を形成させるこ
とができる。さらに、アミン溶液の塗布によって、有機
質基材表面の−OH等の官能基とアミノ基の反応によっ
てアミド基を形成することができる。このアミド基は金
属との反応性に優れているので、この有機質基材表面に
気相形成した金属膜が強く密着することになる。
よって定まるエネルギーが、有機質基材表面の結合の結
合エネルギーと略一致するので、結合を励起させて活性
化させることができ、−OH等の官能基を形成させるこ
とができる。さらに、アミン溶液の塗布によって、有機
質基材表面の−OH等の官能基とアミノ基の反応によっ
てアミド基を形成することができる。このアミド基は金
属との反応性に優れているので、この有機質基材表面に
気相形成した金属膜が強く密着することになる。
【0019】請求項2記載の発明では、熱処理を行うこ
とによって、アミド基の形成反応が促進される。
とによって、アミド基の形成反応が促進される。
【0020】請求項3記載の発明では、プラズマ処理を
行うことによって、アミド基の形成反応が促進される。
行うことによって、アミド基の形成反応が促進される。
【0021】請求項4記載の発明では、酸素、窒素、ア
ルゴンガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマ
による処理によって、アミド基の形成反応がより確実に
促進される。
ルゴンガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマ
による処理によって、アミド基の形成反応がより確実に
促進される。
【0022】
【実施例】以下に具体的な実施例を説明する。 (実施例1)基板ホルダーに有機樹脂基材としてポリイ
ミド基板を取り付け、真空チャンバー内に配置し、この
真空チャンバー内を1×10-5トール以下になるまで真
空排気し、ハロゲンヒーターでポリイミド基板を100
℃に予備加熱を行った。この予備加熱によって、ポリイ
ミド基板に吸着した水分等を除去している。
ミド基板を取り付け、真空チャンバー内に配置し、この
真空チャンバー内を1×10-5トール以下になるまで真
空排気し、ハロゲンヒーターでポリイミド基板を100
℃に予備加熱を行った。この予備加熱によって、ポリイ
ミド基板に吸着した水分等を除去している。
【0023】次に、結合を活性化させる波長の光とし
て、C=O結合のエネルギー179kcal/molに
相当する波長(およそ150〜160nm)のレーザ光
を、ポリイミド基板の表面に照射した。
て、C=O結合のエネルギー179kcal/molに
相当する波長(およそ150〜160nm)のレーザ光
を、ポリイミド基板の表面に照射した。
【0024】照射終了後、このポリイミド基板の表面
を、アニリンの1重量%メタノール溶液に浸漬させ、ア
ミンとしてアニリンを用いたアミン溶液の塗布を行い、
さらに、120℃で熱処理を行った。
を、アニリンの1重量%メタノール溶液に浸漬させ、ア
ミンとしてアニリンを用いたアミン溶液の塗布を行い、
さらに、120℃で熱処理を行った。
【0025】この後、気相成長法による金属膜の形成
を、ガス成分アルゴン、ガス圧を2.0×10-3トー
ル、ポリイミド基板の温度を室温、ターゲット電圧を−
500Vとした条件によるマグネトロンスパッタリング
法で、上記のポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの
銅膜を形成した。 (実施例2)実施例1と全く同様にして、ポリイミド基
板に対する処理を、アミンとしてアニリンを用いたアミ
ン溶液の塗布までを行い、加熱処理を行わずに以下の工
程を実施した。
を、ガス成分アルゴン、ガス圧を2.0×10-3トー
ル、ポリイミド基板の温度を室温、ターゲット電圧を−
500Vとした条件によるマグネトロンスパッタリング
法で、上記のポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの
銅膜を形成した。 (実施例2)実施例1と全く同様にして、ポリイミド基
板に対する処理を、アミンとしてアニリンを用いたアミ
ン溶液の塗布までを行い、加熱処理を行わずに以下の工
程を実施した。
【0026】基板ホルダーに上記処理を行ったポリイミ
ド基板を取り付け、真空チャンバー内に配置した。この
真空チャンバー内を1×10-5トール以下になるまで真
空排気し、真空チャンバー内にアルゴンガスを導入し
て、アルゴンガス圧760トール(常圧)、放電電力1
00W、周波数15kHzの条件で1分間、ポリイミド
基板の表面をアルゴンガスプラズマ処理を行った。
ド基板を取り付け、真空チャンバー内に配置した。この
真空チャンバー内を1×10-5トール以下になるまで真
空排気し、真空チャンバー内にアルゴンガスを導入し
て、アルゴンガス圧760トール(常圧)、放電電力1
00W、周波数15kHzの条件で1分間、ポリイミド
基板の表面をアルゴンガスプラズマ処理を行った。
【0027】この後、実施例1と同様の処理を行って、
気相成長法による金属膜の形成を行いポリイミド基板の
表面に厚み0.2μmの銅膜を形成した。 (実施例3)実施例2のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、酸素ガスを真空チャンバー内に導入して酸素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅
膜を形成した。 (実施例4)実施例2のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、窒素ガスを真空チャンバー内に導入して窒素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅
膜を形成した。 (比較例1)実施例1における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例2)実施例1における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例3)実施例3における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例4)実施例4における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例5)実施例1における、レーザ光をポリイミド
基板の表面に照射する工程を行わない他は、全く同様に
してポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形
成した。
気相成長法による金属膜の形成を行いポリイミド基板の
表面に厚み0.2μmの銅膜を形成した。 (実施例3)実施例2のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、酸素ガスを真空チャンバー内に導入して酸素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅
膜を形成した。 (実施例4)実施例2のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、窒素ガスを真空チャンバー内に導入して窒素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅
膜を形成した。 (比較例1)実施例1における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例2)実施例1における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例3)実施例3における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例4)実施例4における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例5)実施例1における、レーザ光をポリイミド
基板の表面に照射する工程を行わない他は、全く同様に
してポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形
成した。
【0028】上記の実施例1〜4および比較例1〜5に
述べた方法によって、有機質基材の表面に形成した銅膜
について、密着性を評価するために碁盤目試験を行っ
た。この試験は銅膜に2mm間隔に碁盤目状の切り目を
ナイフで入れた後、この表面にセロハンテープを貼って
剥がすことによって行い、銅膜が剥離しなければ「○」
と評価し、また碁盤目状の切り目を入れなくとも剥離す
れば「×」と評価し、碁盤目状の切り目を入れた場合の
み剥離すれば「△」と評価した。この結果を以下の表1
に示す。
述べた方法によって、有機質基材の表面に形成した銅膜
について、密着性を評価するために碁盤目試験を行っ
た。この試験は銅膜に2mm間隔に碁盤目状の切り目を
ナイフで入れた後、この表面にセロハンテープを貼って
剥がすことによって行い、銅膜が剥離しなければ「○」
と評価し、また碁盤目状の切り目を入れなくとも剥離す
れば「×」と評価し、碁盤目状の切り目を入れた場合の
み剥離すれば「△」と評価した。この結果を以下の表1
に示す。
【0029】
【表1】
【0030】表1の実施例1〜4と比較例1〜4とを対
比すると、アニリン溶液を塗布する処理を実施した各実
施例のものでは、銅膜の密着性が高いのに対して、アニ
リン溶液を塗布していない各比較例のものは密着性が低
く、アニリン溶液の塗布による金属膜の密着性の向上の
効果が確認される。
比すると、アニリン溶液を塗布する処理を実施した各実
施例のものでは、銅膜の密着性が高いのに対して、アニ
リン溶液を塗布していない各比較例のものは密着性が低
く、アニリン溶液の塗布による金属膜の密着性の向上の
効果が確認される。
【0031】また、実施例1と比較例5とを対比する
と、レーザ光を照射していない比較例のものは密着性が
低く、レーザ光を照射による密着性の向上の効果が確認
される。
と、レーザ光を照射していない比較例のものは密着性が
低く、レーザ光を照射による密着性の向上の効果が確認
される。
【0032】以上の結果から、光を照射したのちアニリ
ン溶液を塗布することによって、金属膜の密着性が向上
していることが確認される。
ン溶液を塗布することによって、金属膜の密着性が向上
していることが確認される。
【0033】
【発明の効果】請求項1記載の発明では、結合を活性化
させる波長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布する
前処理によって、金属膜を強く有機質基材に密着させる
ことができる。このような前処理は、従来の微細な凹凸
形成による前処理に比較して工程が簡単であって、容易
に行うことができる。
させる波長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布する
前処理によって、金属膜を強く有機質基材に密着させる
ことができる。このような前処理は、従来の微細な凹凸
形成による前処理に比較して工程が簡単であって、容易
に行うことができる。
【0034】したがって、有機質基材の表面に化学エッ
チングにより凹凸を形成したり所望の金属膜以外の材料
をプリコートしたりすることなく、有機質基材の表面に
密着強度の高い金属膜を気相成長法により形成すること
ができる。
チングにより凹凸を形成したり所望の金属膜以外の材料
をプリコートしたりすることなく、有機質基材の表面に
密着強度の高い金属膜を気相成長法により形成すること
ができる。
【0035】また、有機質基材の表面に凹凸を形成する
必要がないので、形成した金属膜に金属光沢が得られ、
装飾用、反射鏡用などの用途に有用である。また、高周
波用回路基板に使う場合を想定すると、凹凸による表皮
抵抗が生じる心配がなく、電気特性の良好な高周波用回
路基板を製造することができる。
必要がないので、形成した金属膜に金属光沢が得られ、
装飾用、反射鏡用などの用途に有用である。また、高周
波用回路基板に使う場合を想定すると、凹凸による表皮
抵抗が生じる心配がなく、電気特性の良好な高周波用回
路基板を製造することができる。
【0036】また、所望の金属膜の下層にチタンまたは
クロム等のプリコート層を存在させる必要がないもので
ある。したがって、電子材料用途の回路基板などに用い
る場合、導体回路となる金属層のエッチングに悪影響を
与えることがなく、回路形成が容易であって、有機質基
材をベースとした回路板の製造に好適に用いられる金属
膜形成方法になっている。
クロム等のプリコート層を存在させる必要がないもので
ある。したがって、電子材料用途の回路基板などに用い
る場合、導体回路となる金属層のエッチングに悪影響を
与えることがなく、回路形成が容易であって、有機質基
材をベースとした回路板の製造に好適に用いられる金属
膜形成方法になっている。
【0037】請求項2記載の発明では、熱処理を行うこ
とによって、アミド基の形成反応が促進され、より金属
膜の密着力が向上する。
とによって、アミド基の形成反応が促進され、より金属
膜の密着力が向上する。
【0038】請求項3記載の発明では、プラズマ処理を
行うことによって、アミド基の形成反応が促進され、よ
り金属膜の密着力が向上する。
行うことによって、アミド基の形成反応が促進され、よ
り金属膜の密着力が向上する。
【0039】請求項4記載の発明では、酸素、窒素、ア
ルゴンガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマ
による処理によって、アミド基の形成反応がより確実に
促進され、金属膜の密着力を確実に向上させることがで
きる。
ルゴンガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマ
による処理によって、アミド基の形成反応がより確実に
促進され、金属膜の密着力を確実に向上させることがで
きる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成7年8月3日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】請求項4記載の発明は、請求項3記載の発
明において、プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴンガ
スのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによって
行うことを特徴として構成している。
明において、プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴンガ
スのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによって
行うことを特徴として構成している。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】この後、実施例1と同様の処理を行って、
気相成長法による金属膜の形成を行いポリイミド基板の
表面に厚み0.2μmの銅膜を形成した。 (実施例3)実施例2のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、酸素ガスを真空チャンバー内に導入して酸素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅
膜を形成した。 (実施例4)実施例2のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、窒素ガスを真空チャンバー内に導入して窒素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅
膜を形成した。 (比較例1)実施例1における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例2)実施例2における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例3)実施例3における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例4)実施例4における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例5)実施例1における、レーザ光をポリイミド
基板の表面に照射する工程を行わない他は、全く同様に
してポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形
成した。
気相成長法による金属膜の形成を行いポリイミド基板の
表面に厚み0.2μmの銅膜を形成した。 (実施例3)実施例2のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、酸素ガスを真空チャンバー内に導入して酸素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅
膜を形成した。 (実施例4)実施例2のアルゴンガスプラズマ処理の代
わりに、窒素ガスを真空チャンバー内に導入して窒素ガ
スプラズマによる表面処理を行うようにした他は、全く
同様にしてポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅
膜を形成した。 (比較例1)実施例1における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例2)実施例2における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例3)実施例3における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例4)実施例4における、ポリイミド基板にアニ
リン溶液を塗布する処理を行わない他は、全く同様にし
てポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形成
した。 (比較例5)実施例1における、レーザ光をポリイミド
基板の表面に照射する工程を行わない他は、全く同様に
してポリイミド基板の表面に厚み0.2μmの銅膜を形
成した。
Claims (4)
- 【請求項1】 有機質基材表面に結合を活性化させる波
長の光を照射し、さらにアミン溶液を塗布した後、この
有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成する
ことを特徴とする有機質基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項2】 アミン溶液を塗布した後に、さらに熱処
理を行うことを特徴とする請求項1記載の有機質基材表
面への金属膜形成方法。 - 【請求項3】 アミン溶液を塗布した後に、さらにプラ
ズマ処理を行うことを特徴とする請求項1記載の有機質
基材表面への金属膜形成方法。 - 【請求項4】 プラズマ処理を、酸素、窒素、アルゴン
ガスのうち少なくとも一つを用いたガスプラズマによっ
て行うことを特徴とする請求項3記載の有機質基材表面
への金属膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13132295A JPH08325713A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 有機質基材表面への金属膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13132295A JPH08325713A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 有機質基材表面への金属膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08325713A true JPH08325713A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=15055250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13132295A Withdrawn JPH08325713A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 有機質基材表面への金属膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08325713A (ja) |
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- 1995-05-30 JP JP13132295A patent/JPH08325713A/ja not_active Withdrawn
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