JPH08319572A - Plasma cvd device - Google Patents
Plasma cvd deviceInfo
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- JPH08319572A JPH08319572A JP12261295A JP12261295A JPH08319572A JP H08319572 A JPH08319572 A JP H08319572A JP 12261295 A JP12261295 A JP 12261295A JP 12261295 A JP12261295 A JP 12261295A JP H08319572 A JPH08319572 A JP H08319572A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気記録媒体の
保護膜を形成するのに使用されるプラズマＣＶＤ装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma CVD apparatus used for forming a protective film of a magnetic recording medium, for example.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、高密度磁気記録化に対応可能
な磁気記録媒体としては、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ
合金、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜
形成手段（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレ
ーティング法等）によってポリエステルフィルムやポリ
アミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接
被着した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が知
られている。2. Description of the Related Art Conventionally, Co-Ni alloys and Co-Cr alloys have been used as magnetic recording media which can be used for high density magnetic recording.
A magnetic metal material such as an alloy or Co-O is directly coated on a non-magnetic support such as a polyester film, polyamide or polyimide film by plating or vacuum thin film forming means (vacuum deposition method, sputtering method, ion plating method, etc.). A so-called metal magnetic thin film type magnetic recording medium is known.
【０００３】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比等に優れ、磁性層の厚みを極めて薄くでき
る為、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく短波
長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層中に
非磁性材であるバインダーを混入する必要がないため磁
性材料の充填密度を高めることができる等、数々の利点
を有している。このような磁気特性的な優位さ故に、上
記金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、高密度磁気記録の
主流になりつつある。This metal magnetic thin film type magnetic recording medium is excellent in coercive force, squareness ratio and the like, and the thickness of the magnetic layer can be made extremely thin, so that the thickness loss during recording demagnetization and reproduction is extremely small and electromagnetic waves at short wavelengths are reduced. Not only is it excellent in conversion characteristics, but since it is not necessary to mix a binder, which is a non-magnetic material, in the magnetic layer, it has various advantages such that the packing density of the magnetic material can be increased. Due to such superior magnetic properties, the metal magnetic thin film type magnetic recording medium is becoming the mainstream of high density magnetic recording.
【０００４】さらに、金属磁性薄膜型の磁気記録媒体と
しては、電磁変換特性を一層向上させ、より大きな出力
を確保するために、金属磁性材料を斜め方向から蒸着す
ることで磁性層が形成される、いわゆる斜方蒸着タイプ
の磁気記録媒体も提案され実用化されている。Further, as a magnetic recording medium of a metal magnetic thin film type, a magnetic layer is formed by evaporating a metal magnetic material from an oblique direction in order to further improve electromagnetic conversion characteristics and secure a larger output. A so-called oblique evaporation type magnetic recording medium has also been proposed and put into practical use.
【０００５】ところで、磁気記録媒体では、ますます高
密度記録化が進行しており、それに対応すべくスペーシ
ング損失を少なくするため、媒体表面は平滑化される傾
向にある。しかし、媒体表面の平滑化が進むと、それに
伴いヘッドと媒体間の摩擦力が増大し、媒体に生ずる剪
断応力が大きくなる。したがって、磁気記録媒体には、
より大きな摺動耐久性が要求されるようになる。By the way, in the magnetic recording medium, high density recording is progressing more and more, and the medium surface tends to be smoothed in order to correspondingly reduce the spacing loss. However, when the smoothing of the medium surface progresses, the frictional force between the head and the medium increases accordingly, and the shear stress generated in the medium increases. Therefore, in the magnetic recording medium,
Greater sliding durability is required.
【０００６】そこで、媒体に摺動耐久性を付与する手法
として、磁性層の表面に保護膜を形成する技術が検討さ
れている。Therefore, a technique of forming a protective film on the surface of the magnetic layer has been studied as a method for imparting sliding durability to the medium.
【０００７】この保護膜としては、例えばカーボン膜や
石英（ＳｉＯ2 ）膜、ジルコニア（ＺｒＯ2 ）膜等が知
られている。これらの材料膜は、ハードディスクにおい
て既に使用されているものである。そして、さらに最近
では、カーボン膜のうちでも特に、ダイヤモンド構造を
有する硬質カーボン膜（いわゆるダイヤモンドライクカ
ーボン膜）が、保護膜として有力視されており、今後広
く利用されるものと考えられる。Known examples of the protective film include a carbon film, a quartz (SiO 2 ) film, a zirconia (ZrO 2 ) film, and the like. These material films have already been used in hard disks. Further, more recently, among carbon films, a hard carbon film having a diamond structure (so-called diamond-like carbon film) has been regarded as a promising protective film, and is considered to be widely used in the future.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、硬質カーボ
ン保護膜を成膜する方法としては、スパッタリング法あ
るいはプラズマＣＶＤ法等が挙げられる。By the way, as a method for forming the hard carbon protective film, there are a sputtering method, a plasma CVD method and the like.
【０００９】このうち、スパッタリング法では、Ａｒ等
のパッタガスを、電場や磁場を利用して電離（プラズマ
化）し、加速することでターゲット表面に衝突させる。
プラズマ粒子が衝突したターゲットからはターゲット原
子がはじき出され、このはじき出された原子が被処理体
上に堆積することでスパッタ膜が形成される。Among them, in the sputtering method, a sputtering gas such as Ar is ionized (plasmaized) by utilizing an electric field or a magnetic field and accelerated to collide with a target surface.
Target atoms are ejected from the target with which the plasma particles have collided, and the ejected atoms are deposited on the object to be processed to form a sputtered film.
【００１０】しかし、このスパッタリング法によって、
硬質カーボン膜を形成した場合、膜形成速度が一般に遅
く、工業的見地から見たときに生産性に劣る。However, by this sputtering method,
When a hard carbon film is formed, the film forming speed is generally low, and the productivity is poor from an industrial viewpoint.
【００１１】一方、プラズマＣＶＤ法では、膜の原料と
なる原料ガスを、電場で発生したプラズマのエネルギー
によって分解あるいは合成等の化学反応を起こさせる。
この化学反応の結果生成された反応物は被処理体上に堆
積し、ＣＶＤ膜が形成される。On the other hand, in the plasma CVD method, a raw material gas which is a raw material of a film is caused to undergo a chemical reaction such as decomposition or synthesis by the energy of plasma generated in an electric field.
The reactant generated as a result of this chemical reaction is deposited on the object to be processed, and a CVD film is formed.
【００１２】このプラズマＣＶＤ法は、スパッタリング
法に比べて膜形成速度が速い。このため、上述の硬質カ
ーボン保護膜の成膜手段として期待されるものである。The plasma CVD method has a faster film forming rate than the sputtering method. Therefore, it is expected as a means for forming the above-mentioned hard carbon protective film.
【００１３】このようなプラズマＣＶＤ法で硬質カーボ
ン保護膜を成膜する場合、具体的には、図３に示すよう
なプラズマＣＶＤ装置が用いられる。When forming a hard carbon protective film by such a plasma CVD method, specifically, a plasma CVD apparatus as shown in FIG. 3 is used.
【００１４】すなわち、このプラズマＣＶＤ装置は、真
空チャンバ内に、円筒状の対向電極２１、反応管２２及
び反応管２２の中途部に取り付けられた放電電極２３を
有して構成される。上記反応管２２はその一端２２ａが
真空チャンバの底部を貫通しており、この一端２２ａか
ら原料ガスが反応管２２内に導入されるようになってい
る。また、上記対向電極２１と放電電極２３とは互いに
対向して平行配置され、この電極２１，２３間にプラズ
マが発生するようになっている。That is, this plasma CVD apparatus is constructed by having a cylindrical counter electrode 21, a reaction tube 22, and a discharge electrode 23 attached to a middle portion of the reaction tube 22 in a vacuum chamber. One end 22a of the reaction tube 22 penetrates the bottom of the vacuum chamber, and the source gas is introduced into the reaction tube 22 from this one end 22a. Further, the counter electrode 21 and the discharge electrode 23 are arranged in parallel to face each other, and plasma is generated between the electrodes 21 and 23.
【００１５】このようなプラズマＣＶＤ装置では、ＣＶ
Ｄ膜が成膜される被処理体２４は上記円筒型の対向電極
２１に沿って連続走行させられる。この連続走行してい
る被処理体２４が、放電電極２３との対向位置に来たと
きに、プラズマによって生成された原料ガスの反応生成
物が被着堆積し、ＣＶＤ膜が連続的に成膜されることに
なる。In such a plasma CVD apparatus, CV
The processing target 24 on which the D film is formed is continuously run along the cylindrical counter electrode 21. When the continuously-processed object 24 reaches a position facing the discharge electrode 23, the reaction product of the source gas generated by plasma is deposited and deposited, and the CVD film is continuously formed. Will be done.
【００１６】しかしながら、このようなプラズマＣＶＤ
装置によって成膜された硬質カーボン膜は耐久性が十分
であるとは言えず、厳しい摺動条件下で用いられる媒体
の保護膜としては不満が残る。However, such plasma CVD
The hard carbon film formed by the device cannot be said to have sufficient durability, and remains unsatisfactory as a protective film for a medium used under severe sliding conditions.
【００１７】そこで、本発明は、このような従来の実情
に鑑みて提案されたものであり、良好な膜質を有し、例
えば磁気記録媒体の保護膜として用いたときに優れた耐
久性を発揮するＣＶＤ膜が形成できるプラズマＣＶＤ装
置を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been proposed in view of such a conventional situation, has a good film quality, and exhibits excellent durability when used as a protective film of a magnetic recording medium, for example. It is an object of the present invention to provide a plasma CVD apparatus capable of forming a CVD film for use.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、放電電極と円筒
型の対向電極とが対向配置され、前記対向電極の周面に
沿って被処理体が連続走行するプラズマＣＶＤ装置にお
いて、放電電極は、対向電極に対して、導入される側が
その逆側よりも近くなるように配置されていることを特
徴とするものである。To achieve the above object, in a plasma CVD apparatus of the present invention, a discharge electrode and a cylindrical counter electrode are arranged so as to face each other, and a covered electrode is provided along a peripheral surface of the counter electrode. In the plasma CVD apparatus in which the treatment object continuously runs, the discharge electrode is arranged so that the side to be introduced is closer to the opposite electrode than the opposite side.
【００１９】例えば、上記放電電極は板状に成形され、
対向電極に対して、被処理体の導入される側がその逆側
よりも近くなるように斜めに配置されていても良い。ま
た、上記放電電極は、対向電極に対して、被処理体の導
入される側がその逆側よりも近くなるような階段状とな
されていても良い。For example, the discharge electrode is formed into a plate shape,
It may be obliquely arranged so that the side where the object to be processed is introduced is closer to the opposite electrode than the opposite side. Further, the discharge electrode may have a stepped shape such that the side to which the object to be treated is introduced is closer to the opposite electrode than the opposite side.
【００２０】[0020]
【作用】放電電極と円筒型の対向電極とが対向配置さ
れ、前記対向電極の周面に沿って被処理体が連続走行す
るプラズマＣＶＤ装置において、放電電極を、対向電極
に対して、被処理体の導入される側がその逆側よりも近
くなるような配置にすると、非常に膜質の良好なＣＶＤ
膜が成膜されるようになる。In the plasma CVD apparatus in which the discharge electrode and the cylindrical counter electrode are arranged so as to face each other, and the object to be processed continuously runs along the peripheral surface of the counter electrode, the discharge electrode is processed with respect to the counter electrode. When the side where the body is introduced is closer than the opposite side, CVD with very good film quality
A film is formed.
【００２１】このようなプラズマＣＶＤ装置を用いる
と、例えば磁気記録媒体の硬質カーボン保護膜が高い硬
度で形成され、耐久性に優れた磁気記録媒体が獲得され
る。When such a plasma CVD apparatus is used, for example, a hard carbon protective film of a magnetic recording medium is formed with high hardness, and a magnetic recording medium excellent in durability is obtained.
【００２２】[0022]
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例により説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでないこと
は言うまでもない。なお、本実施例は、本発明のプラズ
マＣＶＤ装置を磁気記録媒体の硬質カーボン保護膜の形
成に用いた例である。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to specific examples, but it goes without saying that the present invention is not limited to these examples. In this example, the plasma CVD apparatus of the present invention is used for forming a hard carbon protective film of a magnetic recording medium.
【００２３】硬質カーボン保護膜は、非磁性支持体上に
形成された磁性層上に形成される。The hard carbon protective film is formed on the magnetic layer formed on the non-magnetic support.
【００２４】磁性層は、例えば金属磁性材料を、真空薄
膜形成技術によって非磁性支持体上に被着させることで
形成される金属磁性薄膜である。The magnetic layer is, for example, a metal magnetic thin film formed by depositing a metal magnetic material on a non-magnetic support by a vacuum thin film forming technique.
【００２５】金属磁性材料としてはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等
の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金等が挙げら
れる。Ferromagnetic metals such as Fe, Co and Ni, Fe-Co, Co-O and Fe-Co-N are used as the metallic magnetic material.
i, Fe-Cu, Co-Cu, Co-Au, Co-P
t, Mn-Bi, Mn-Al, Fe-Cr, Co-C
r, Ni-Cr, Fe-Co-Cr, Co-Ni-C
Examples include r, Fe-Co-Ni-Cr, and other ferromagnetic alloys.
【００２６】金属磁性薄膜としては、これらの単層膜で
あっても良いし、多層膜であっても良い。The metal magnetic thin film may be a single layer film or a multilayer film of these.
【００２７】また、非磁性支持体と金属磁性薄膜の間、
あるいは多層膜の場合には各層間に、付着力の向上、並
びに抗磁力の制御等の目的で下地層または中間層を設け
ても良い。更に、金属磁性薄膜表面近傍が耐食性の改善
等のために酸化物となっていても良い。Further, between the non-magnetic support and the metal magnetic thin film,
Alternatively, in the case of a multilayer film, an underlayer or an intermediate layer may be provided between the layers for the purpose of improving the adhesive force and controlling the coercive force. Furthermore, the vicinity of the surface of the metal magnetic thin film may be an oxide in order to improve the corrosion resistance.
【００２８】この金属磁性薄膜を形成する真空薄膜形成
技術としては、真空下で金属磁性材料を加熱蒸発させ非
磁性支持体上に被着せしめる真空蒸着法や、金属磁性材
料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アル
ゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし生じ
たアルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出す
スパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術がいずれも使用可能
である。As a vacuum thin film forming technique for forming this metal magnetic thin film, a vacuum evaporation method of heating and evaporating a metal magnetic material under vacuum to deposit it on a non-magnetic support, or evaporation of a metal magnetic material during discharge. Any of so-called PVD techniques such as an ion plating method performed and a sputtering method in which atoms on the target surface are knocked out by argon ions generated by glow discharge in an atmosphere containing argon as a main component can be used.
【００２９】硬質カーボン保護膜は、このような磁性層
上に形成される。The hard carbon protective film is formed on such a magnetic layer.
【００３０】ここで、この硬質カーボン保護膜は、ダイ
ヤモンド構造を有するカーボン膜、いわゆるダイヤモン
ドライクカーボン膜である。すなわち、カーボンには、
グラファイト構造を有するもの、ダイヤモンド構造を有
するもの等が知られており、ラマン分光スペクトルを測
定すると、それぞれに由来するピークが観測される。こ
こで言うダイヤモンドライクカーボン膜とは、少なくと
もその一部がダイヤモンド構造を有するもので、ラマン
分光スペクトルにおいて前記ダイヤモンド構造に由来す
るピークが観測されるものである。通常は、グラファイ
ト構造に由来するピークとともに、前記ダイヤモンド構
造に由来するピークが現れる。Here, the hard carbon protective film is a carbon film having a diamond structure, that is, a so-called diamond-like carbon film. That is, carbon has
Those having a graphite structure, those having a diamond structure and the like are known, and when Raman spectroscopy is measured, peaks derived from each are observed. The diamond-like carbon film referred to here is one in which at least a part thereof has a diamond structure, and a peak derived from the diamond structure is observed in the Raman spectrum. Usually, a peak derived from the diamond structure appears together with a peak derived from the graphite structure.
【００３１】この硬質カーボン保護膜の形成に用いるプ
ラズマＣＶＤ装置を図１に示す。A plasma CVD apparatus used for forming this hard carbon protective film is shown in FIG.
【００３２】このプラズマＣＶＤ装置は、金属磁性薄膜
が形成された非磁性支持体１を連続走行させながら、当
該金属磁性薄膜上に硬質カーボン保護膜を連続的に形成
するようになされたものである。This plasma CVD apparatus is adapted to continuously form a hard carbon protective film on the metal magnetic thin film while continuously running the non-magnetic support 1 on which the metal magnetic thin film is formed. .
【００３３】すなわち、このプラズマＣＶＤ装置は、頭
部に取り付けられた排気系１２により内部が所定の真空
度に保たれた真空チャンバ１３内において、被処理体で
あるテープ状の非磁性支持体１が、図１中の反時計回り
方向に定速回転する巻き出しロール３から反時計回り方
向に定速回転する巻き取りロール４に向かって順次走行
するようになされている。That is, in this plasma CVD apparatus, a tape-shaped non-magnetic support 1 which is an object to be processed is placed in a vacuum chamber 13 whose inside is kept at a predetermined vacuum degree by an exhaust system 12 attached to the head. However, the unrolling roll 3 that rotates at a constant speed in the counterclockwise direction in FIG. 1 sequentially travels toward the winding roll 4 that rotates at a constant speed in the counterclockwise direction.
【００３４】この非磁性支持体１が上記巻き出しロール
３側から巻き取りロール４側に亘って走行する中途部に
は、該非磁性支持体１を図１中下方に引き出すように設
けられるとともに、上記各ロール３，４の径よりも大径
となされた対向電極１１が図１中時計回り方向に定速回
転するように設けられている。The non-magnetic support 1 is provided in the middle of the traveling from the unwinding roll 3 side to the winding roll 4 side so that the non-magnetic support 1 is pulled out downward in FIG. A counter electrode 11 having a diameter larger than that of each of the rolls 3 and 4 is provided so as to rotate at a constant speed in the clockwise direction in FIG.
【００３５】また、これら巻き出しロール３と対向電極
１１及び該対向電極１１と巻き取りロール４間には、ガ
イドロール２ａ，２ｂがそれぞれ配設されており、上記
巻き出しロール３と対向電極１１及び該対向電極１１と
巻き取りロール４間を走行する上記非磁性支持体１に適
当なテンションを与えつつ、円滑な走行がなされるよう
になされている。Further, guide rolls 2a and 2b are arranged between the unwinding roll 3 and the counter electrode 11 and between the unwinding roll 4 and the counter electrode 11, respectively, and the unwinding roll 3 and the counter electrode 11 are arranged. Further, the non-magnetic support 1 traveling between the counter electrode 11 and the winding roll 4 can be smoothly driven while applying an appropriate tension to the non-magnetic support 1.
【００３６】なお、上記巻き出しロール３、巻き取りロ
ール４及び対向電極１１は、それぞれ上記非磁性支持体
１の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものである。The take-up roll 3, the take-up roll 4 and the counter electrode 11 each have a cylindrical shape having a length substantially the same as the width of the non-magnetic support 1.
【００３７】従って、このプラズマＣＶＤ装置において
は、上記非磁性支持体１が、上記巻き出しロール３から
順次送り出され、上記対向電極１１の外周面に沿って通
過し、更に上記巻き取りロール４に巻き取られていくよ
うになされている。Therefore, in this plasma CVD apparatus, the non-magnetic support 1 is sequentially fed from the unwinding roll 3, passes along the outer peripheral surface of the counter electrode 11, and is further wound on the winding roll 4. It is designed to be rolled up.
【００３８】また、上記真空チャンバ１３内には、上記
対向電極１１の下方に反応管５が設けられている。この
反応管５は、石英やパイレックスガラス、プラスチック
等の絶縁材よりなり、その一方の端部５ａが真空チャン
バ１３の底部を貫通し、この端部５ａから原料ガスが当
該反応管５内に導入されるようになっている。ここで
は、硬質カーボン膜を成膜するため、原料ガスとしては
トルエン等の炭化水素ガスが用いられる。A reaction tube 5 is provided in the vacuum chamber 13 below the counter electrode 11. The reaction tube 5 is made of an insulating material such as quartz, Pyrex glass, or plastic. One end 5a of the reaction tube 5 penetrates the bottom of the vacuum chamber 13, and the source gas is introduced into the reaction tube 5 from the end 5a. It is supposed to be done. Here, since a hard carbon film is formed, a hydrocarbon gas such as toluene is used as a raw material gas.
【００３９】そして、この反応管５内の中途部には、平
板状の放電電極８が、上記対向電極１１に対して、非磁
性支持体１の導入される側がその逆側よりも近くなるよ
うに斜めに配置されている。この放電電極８は、外部に
配設された直流電源９に接続され、＋５００〜２０００
Ｖの電位が印加されるようになっている。In the middle of the reaction tube 5, the plate-shaped discharge electrode 8 is arranged so that the side on which the non-magnetic support 1 is introduced is closer to the counter electrode 11 than the opposite side. It is arranged diagonally. This discharge electrode 8 is connected to a DC power source 9 arranged outside, and +500 to 2000
The potential of V is applied.
【００４０】このようなプラズマＣＶＤ装置では、この
放電電極８に電圧が印加されることで、当該放電電極８
と対向電極用キャン１１との間にプラズマが発生する。
そして、反応管５内に導入された原料ガスは、この生じ
たプラズマのエネルギーによって分解し、非磁性支持体
１上に被着堆積する。In such a plasma CVD apparatus, by applying a voltage to the discharge electrode 8, the discharge electrode 8 is
Plasma is generated between the counter electrode can 11 and the counter electrode can 11.
Then, the raw material gas introduced into the reaction tube 5 is decomposed by the energy of the generated plasma and deposited and deposited on the non-magnetic support 1.
【００４１】ここで、このようなＣＶＤプロセスでは、
放電電極８が、対向電極１１に対して非磁性支持体１の
導入される側がその逆側よりも近くになるように配置さ
れていることにより、非常に膜質の良好な硬質カーボン
膜が成膜されることになる。Here, in such a CVD process,
Since the discharge electrode 8 is arranged such that the side on which the non-magnetic support 1 is introduced is closer to the counter electrode 11 than the opposite side, a hard carbon film having a very good film quality is formed. Will be done.
【００４２】なお、上記放電電極８としては、ガスを透
過しやすく、且つ電解を均一にかけることができ、さら
に柔軟性が得られることからメッシュ状とされているの
が望ましい。その材料としては、例えば銅が代表的であ
るが、導電性を有する金属であればいずれでも良く、ス
テンレスや真鍮、金等も使用可能である。The discharge electrode 8 preferably has a mesh shape because it allows gas to easily pass therethrough, allows uniform electrolysis, and provides flexibility. As a material thereof, for example, copper is representative, but any metal having conductivity may be used, and stainless steel, brass, gold or the like may be used.
【００４３】また、ここでは平板状の放電電極８が、対
向電極１１に対して非磁性支持体１の導入される側がそ
の逆側よりも近くなるように斜めに配置されているが、
対向電極１１に対してこのような位置関係がとれるので
あれば、放電電極８の形状、配置はこれに限るものでは
ない。たとえば図２に示すように、階段状の放電電極８
を用い、この階段状の放電電極８が、対向電極１１に対
して非磁性支持体１の導入される側がその逆側よりも近
くなるような向きで配置されていても良い。Further, here, the flat plate-shaped discharge electrode 8 is obliquely arranged so that the side on which the nonmagnetic support 1 is introduced is closer to the counter electrode 11 than the opposite side thereof.
The shape and arrangement of the discharge electrode 8 are not limited to this as long as such a positional relationship can be obtained with respect to the counter electrode 11. For example, as shown in FIG.
The stepwise discharge electrode 8 may be arranged so that the side on which the non-magnetic support 1 is introduced is closer to the counter electrode 11 than the opposite side.
【００４４】磁気記録媒体には、以上のようにして保護
膜が形成されるが、さらに必要に応じて非磁性支持体の
磁性層を形成した側とは反対側の面にバックコート層を
形成したり、上記非磁性支持体と磁性層の間に下塗り層
を形成したり、さらに磁性層上に滑剤層を形成する等、
付加的に各種層を形成することはなんら差し支えない。
この場合、例えばバックコート層に含まれる非磁性顔
料、樹脂結合剤あるいは潤滑剤層に含まれる材料等とし
ては、従来公知のものがいずれも使用可能である。The protective film is formed on the magnetic recording medium as described above, and if necessary, a back coat layer is formed on the surface of the non-magnetic support opposite to the surface on which the magnetic layer is formed. Or by forming an undercoat layer between the non-magnetic support and the magnetic layer, further forming a lubricant layer on the magnetic layer, etc.
There is no problem in forming various layers additionally.
In this case, for example, as the non-magnetic pigment contained in the back coat layer, the resin binder or the material contained in the lubricant layer, any conventionally known material can be used.
【００４５】次に、実際に、このような構成を有するプ
ラズマＣＶＤ装置を使用して磁性層上に硬質カーボン保
護膜を成膜し、耐久性の評価を行った。Next, a hard carbon protective film was actually formed on the magnetic layer by using the plasma CVD apparatus having such a structure, and the durability was evaluated.
【００４６】先ず、厚さ１０ｎｍのポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）からなるベースフィルム上に酸素ガ
スを導入しながらＣｏ80Ｎｉ20（但し、添字は各元素の
組成比を表す）単層合金膜を斜め蒸着法により成膜し
た。成膜条件は、 入射角 ： ４５〜９０゜ 導入ガス ： 酸素ガス 蒸着時真空度 ： ２×１０-2Ｐａ 膜厚 ： ２００ｎｍ である。First, a single-layer alloy film of Co 80 Ni 20 (where the subscripts represent the composition ratio of each element) is obliquely vapor-deposited while introducing oxygen gas onto a base film made of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 10 nm. The film was formed by the method. The film forming conditions are: incident angle: 45 to 90 ° introduced gas: oxygen gas vacuum degree during vapor deposition: 2 × 10 −2 Pa film thickness: 200 nm.
【００４７】続いて、このＣｏ80Ｎｉ20単層合金膜上
に、上記プラズマＣＶＤ装置を使用して硬質カーボン保
護膜を成膜し、サンプルテープ（実施例テープ）を作製
した。なお、プラズマＣＶＤ装置は、放電電極が対向電
極に対して斜めに配置された図１に示すタイプの装置で
ある。成膜条件は、 導入ガス ： トルエン 反応圧力 ： １０Ｐａ 投入電力 ： 直流１．５ｋＶ 膜厚 ： １０ｎｍ である。Subsequently, a hard carbon protective film was formed on the Co 80 Ni 20 single-layer alloy film by using the plasma CVD device to prepare a sample tape (example tape). The plasma CVD apparatus is an apparatus of the type shown in FIG. 1 in which the discharge electrode is obliquely arranged with respect to the counter electrode. The film forming conditions are: introduced gas: toluene reaction pressure: 10 Pa input power: direct current 1.5 kV film thickness: 10 nm.
【００４８】以上のようにして作製されたサンプルテー
プについて、硬質カーボン保護膜の硬度を測定するとと
もにシャトル耐久性を調べた。With respect to the sample tape manufactured as described above, the hardness of the hard carbon protective film was measured and the shuttle durability was examined.
【００４９】硬質カーボン保護膜の硬度は、ＮＥＣ社製
商品名ＭＨＡ４００の硬度測定器により測定した。The hardness of the hard carbon protective film was measured by a hardness tester under the trade name MHA400 manufactured by NEC.
【００５０】シャトル耐久性は、温度２０℃相対湿度６
０％環境下、８ｍｍＶＴＲデッキ（ソニー社製 商品名
ＥＶＯ９５００）を用いて２０分間信号記録を行い、そ
の記録信号を９９回繰り返し再生し、９９回目での再生
出力を測定することで評価した。結果は、初期出力に対
する相対値をｄＢ表示で表した。これら測定結果を表１
に示す。The shuttle durability is a temperature of 20 ° C. and a relative humidity of 6
Signal recording was carried out for 20 minutes using an 8 mm VTR deck (product name EVO9500 manufactured by Sony Corporation) in a 0% environment, the recorded signal was repeatedly reproduced 99 times, and the reproduction output at the 99th time was measured for evaluation. The results are expressed in dB relative to the initial output. These measurement results are shown in Table 1.
Shown in
【００５１】また、比較として、図３に示すように放電
電極が対向電極に対して平行に配置された、従来のタイ
プのＣＶＤプラズマ装置を用いて硬質カーボン保護膜を
成膜したサンプルテープ（比較例テープ）についても、
同様にして保護膜の硬度及びシャトル耐久性を調べた。
その結果も表１に併せて示す。As a comparison, as shown in FIG. 3, a sample tape having a hard carbon protective film formed by using a conventional type CVD plasma device in which a discharge electrode is arranged in parallel with a counter electrode (comparative) For example tape)
Similarly, the hardness and shuttle durability of the protective film were examined.
The results are also shown in Table 1.
【００５２】[0052]
【表１】 [Table 1]
【００５３】表１に示すように、放電電極を対向電極に
対して斜めに配置したプラズマＣＶＤ装置で形成された
実施例テープの硬質カーボン保護膜は、放電電極が対向
電極に対して平行に配置されたプラズマＣＶＤ装置で形
成された比較例の硬質カーボン保護膜に比べて硬度が高
い。そして、この硬度が高い保護膜が形成された実施例
テープは、比較例テープに比べて優れたシャトル耐久性
が得られる。As shown in Table 1, in the hard carbon protective film of the example tape formed by the plasma CVD apparatus in which the discharge electrode is obliquely arranged with respect to the counter electrode, the discharge electrode is arranged in parallel with the counter electrode. The hardness is higher than that of the comparative hard carbon protective film formed by the plasma CVD apparatus. The example tape formed with the protective film having high hardness has excellent shuttle durability as compared with the comparative example tape.
【００５４】このことから、プラズマＣＶＤ装置におい
て、放電電極を、対向電極に対して被処理体の導入され
る側がその逆側よりも近くなるように斜めに配置する
と、膜質に優れたＣＶＤ膜が形成できることが確認され
た。Therefore, in the plasma CVD apparatus, when the discharge electrode is obliquely arranged so that the side on which the object to be treated is introduced is closer to the opposite electrode than the opposite side, a CVD film excellent in film quality is obtained. It was confirmed that it could be formed.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のプラズマＣＶＤ装置では、放電電極が、対向電極に対
して、被処理体の導入される側がその逆側よりも近くな
るように配置されているので、良質な膜質のＣＶＤ膜を
形成することができる。したがって、本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置によれば、例えば磁気記録媒体の硬質カーボ
ン保護膜が高い硬度で形成でき、耐久性に優れた磁気記
録媒体を得ることが可能となる。As is apparent from the above description, in the plasma CVD apparatus of the present invention, the discharge electrode is arranged so that the side into which the object to be treated is introduced is closer to the opposite electrode than the opposite side. Therefore, a high quality CVD film can be formed. Therefore, according to the plasma CVD apparatus of the present invention, for example, the hard carbon protective film of the magnetic recording medium can be formed with high hardness, and the magnetic recording medium having excellent durability can be obtained.
【図１】本発明を適用したプラズマＣＶＤ装置の一構成
例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration example of a plasma CVD apparatus to which the present invention is applied.
【図２】本発明を適用したプラズマＣＶＤ装置の他の構
成例を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing another configuration example of the plasma CVD apparatus to which the present invention is applied.
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式図
である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional plasma CVD apparatus.
１ 非磁性支持体（被処理体） ２ａ，２ｂ ガイドロール ３ 巻き出しロール ４ 巻き取りロール ５ 反応管 ８ 放電電極 ９ 直流電源 １１ 対向電極 １２ 排気系 １３ 真空チャンバ 1 Non-magnetic Support (Processing Object) 2a, 2b Guide Roll 3 Unwinding Roll 4 Winding Roll 5 Reaction Tube 8 Discharge Electrode 9 DC Power Supply 11 Counter Electrode 12 Exhaust System 13 Vacuum Chamber
Claims (3)
対向電極とが対向配置され、前記対向電極の周面に沿っ
て被処理体が連続走行するプラズマＣＶＤ装置におい
て、 放電電極は、対向電極に対して、被処理体の導入される
側がその逆側よりも近くなるように配置されていること
を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。1. A plasma CVD apparatus in which a discharge electrode and a cylindrical counter electrode are arranged to face each other in a vacuum chamber, and an object to be processed continuously runs along a peripheral surface of the counter electrode. A plasma CVD apparatus characterized in that the side to which the object to be treated is introduced is closer to the electrode than the opposite side.
て、被処理体の導入される側がその逆側よりも近くなる
ように斜めに配置されていることを特徴とする請求項１
記載のプラズマＣＶＤ装置。2. The flat plate-shaped discharge electrode is obliquely arranged with respect to the counter electrode so that the side on which the object to be treated is introduced is closer to the opposite side.
The plasma CVD apparatus described.
体の導入される側がその逆側よりも近くなるような階段
状となされていることを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマＣＶＤ装置。3. The plasma CVD according to claim 1, wherein the discharge electrode has a stepwise shape such that the side on which the object to be treated is introduced is closer to the opposite electrode than the opposite side. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12261295A JP3627284B2 (en) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | Plasma CVD equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12261295A JP3627284B2 (en) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | Plasma CVD equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08319572A true JPH08319572A (en) | 1996-12-03 |
| JP3627284B2 JP3627284B2 (en) | 2005-03-09 |
Family
ID=14840265
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12261295A Expired - Fee Related JP3627284B2 (en) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | Plasma CVD equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3627284B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103874315A (en) * | 2012-11-29 | 2014-06-18 | 格里高利·迪拉吉 | Plasma generating device with moving carousel and method of use |
-
1995
- 1995-05-22 JP JP12261295A patent/JP3627284B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103874315A (en) * | 2012-11-29 | 2014-06-18 | 格里高利·迪拉吉 | Plasma generating device with moving carousel and method of use |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3627284B2 (en) | 2005-03-09 |
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