JPH08316205A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置Info
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- JPH08316205A JPH08316205A JP7121103A JP12110395A JPH08316205A JP H08316205 A JPH08316205 A JP H08316205A JP 7121103 A JP7121103 A JP 7121103A JP 12110395 A JP12110395 A JP 12110395A JP H08316205 A JPH08316205 A JP H08316205A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ＲＦコイルを有するプラズマ処理装置におい
て、ＲＦコイル（３），（13），（14）により誘起され
る誘導電流（７）をさまたげる位置に、絶縁板（６）、
すなわちスプリット板を配置するように構成した。 【効果】プラズマを処理室側壁より遠ざけることができ
るので、処理室側壁の消耗を減少させ、高密度プラズマ
を生成することができるという効果がある。
て、ＲＦコイル（３），（13），（14）により誘起され
る誘導電流（７）をさまたげる位置に、絶縁板（６）、
すなわちスプリット板を配置するように構成した。 【効果】プラズマを処理室側壁より遠ざけることができ
るので、処理室側壁の消耗を減少させ、高密度プラズマ
を生成することができるという効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理技術に係
り、特に半導体素子基板等の試料をプラズマを利用して
エッチング処理、成膜処理するのに好適なプラズマ処理
方法及び処理装置に関するものである。
り、特に半導体素子基板等の試料をプラズマを利用して
エッチング処理、成膜処理するのに好適なプラズマ処理
方法及び処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置は、例えば、文献 Tech. Pro
c. Semicon/Japan 1993 p.414に記載のようにアルミナ
セラミックス等の絶縁板の上にＲＦコイルが、配置され
ていたり、あるいはTech. Proc. Semicon/Japan 1993
p.422に記載のように石英等の円筒容器の外周にＲＦコ
イルが配置されており、ＲＦコイルにより誘起される誘
導電流をさまたげるものは処理室内に配置されていなか
った。
c. Semicon/Japan 1993 p.414に記載のようにアルミナ
セラミックス等の絶縁板の上にＲＦコイルが、配置され
ていたり、あるいはTech. Proc. Semicon/Japan 1993
p.422に記載のように石英等の円筒容器の外周にＲＦコ
イルが配置されており、ＲＦコイルにより誘起される誘
導電流をさまたげるものは処理室内に配置されていなか
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、ＲＦ
コイル近傍の絶縁側壁の消耗と、該絶縁体側壁とプラズ
マとの接触によるプラズマ密度の低下の点については、
配慮がされていなかった。
コイル近傍の絶縁側壁の消耗と、該絶縁体側壁とプラズ
マとの接触によるプラズマ密度の低下の点については、
配慮がされていなかった。
【０００４】また、上記従来技術では、ＲＦコイル近傍
の絶縁体側壁の近くの処理室内で最も多く誘導電流が流
れる。したがって、プラズマは、該絶縁体側壁に貼りつ
いた状態に近くなる。一方、該絶縁側壁ではプラズマ中
のイオンと電子との再結合によりプラズマが消失する。
つまり、該絶縁体側壁とプラズマとの接触によりプラズ
マ密度が低下するという問題点があった。
の絶縁体側壁の近くの処理室内で最も多く誘導電流が流
れる。したがって、プラズマは、該絶縁体側壁に貼りつ
いた状態に近くなる。一方、該絶縁側壁ではプラズマ中
のイオンと電子との再結合によりプラズマが消失する。
つまり、該絶縁体側壁とプラズマとの接触によりプラズ
マ密度が低下するという問題点があった。
【０００５】また、ＲＦコイルを用いたプラズマ生成で
は、先に述べた誘導結合によるプラズマ生成ばかりでな
く、一部は容量結合によりプラズマが生成されている。
したがって、該絶縁体側壁上にイオンシースが形成さ
れ、イオンシース中の電界により加速されたイオンが該
絶縁体側壁と衝突することにより、絶縁体側壁のエッチ
ング反応が促進され、絶縁体側壁の消耗が著しいという
問題点があった。
は、先に述べた誘導結合によるプラズマ生成ばかりでな
く、一部は容量結合によりプラズマが生成されている。
したがって、該絶縁体側壁上にイオンシースが形成さ
れ、イオンシース中の電界により加速されたイオンが該
絶縁体側壁と衝突することにより、絶縁体側壁のエッチ
ング反応が促進され、絶縁体側壁の消耗が著しいという
問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、生成されるプラズマを該
絶縁体側壁から遠ざけることにより、該絶縁体側壁の消
耗を減少させ、また、高密度プラズマを生成するプラズ
マ処理方法及びプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
絶縁体側壁から遠ざけることにより、該絶縁体側壁の消
耗を減少させ、また、高密度プラズマを生成するプラズ
マ処理方法及びプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、処理室内に絶縁板あるいは導電板の表面を絶縁材で
カバーした板を、ＲＦコイルにより誘起される誘導電流
をさまたげるように設置したものである。
に、処理室内に絶縁板あるいは導電板の表面を絶縁材で
カバーした板を、ＲＦコイルにより誘起される誘導電流
をさまたげるように設置したものである。
【０００８】
【作用】処理室内に、絶縁板あるいは導電板の表面を絶
縁材でカバーした板を、ＲＦコイルにより誘起される誘
導電流をさまたげるように処理室内壁近くに配置するこ
とにより、絶縁板あるいは導電板の表面を絶縁材でカバ
ーした板のある処理室内壁近くではプラズマの生成効率
が低い。一方、絶縁板や導電板の表面を絶縁材でカバー
した板のない処理室内壁より離れた内側の領域におい
て、連続的に誘導電流が流れ、この領域で主にプラズマ
が生成される。すなわち、この絶縁板あるいは導電板の
表面を絶縁材でカバーした板により、生成されるプラズ
マをＲＦコイル近くの絶縁体側壁（処理室内壁）から遠
ざけることができる。したがって、容量結合によるプラ
ズマ生成の割合が低下するため、該絶縁体側壁の消耗を
抑制することができる。また該絶縁体側壁とプラズマと
の接触も低減するため、高密度プラズマを生成すること
が可能である。
縁材でカバーした板を、ＲＦコイルにより誘起される誘
導電流をさまたげるように処理室内壁近くに配置するこ
とにより、絶縁板あるいは導電板の表面を絶縁材でカバ
ーした板のある処理室内壁近くではプラズマの生成効率
が低い。一方、絶縁板や導電板の表面を絶縁材でカバー
した板のない処理室内壁より離れた内側の領域におい
て、連続的に誘導電流が流れ、この領域で主にプラズマ
が生成される。すなわち、この絶縁板あるいは導電板の
表面を絶縁材でカバーした板により、生成されるプラズ
マをＲＦコイル近くの絶縁体側壁（処理室内壁）から遠
ざけることができる。したがって、容量結合によるプラ
ズマ生成の割合が低下するため、該絶縁体側壁の消耗を
抑制することができる。また該絶縁体側壁とプラズマと
の接触も低減するため、高密度プラズマを生成すること
が可能である。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
より説明する。図１は、本発明の一実施例であるＩＣＰ
放電を用いたエッチング処理装置の縦断面図である。図
２は、図１におけるＡ−Ａ’断面図である。容器１ａお
よび容器１ｂおよび石英円筒２で区画された処理室１の
内部を真空排気装置（図示省略）により減圧した後、ガ
ス供給装置（図示省略）によりエッチングガスを処理室
１内に導入し、所望の圧力に調整する。ＲＦコイル３
は、石英円筒２の外周に設置されている。該ＲＦコイル
３は、一方の端を接地し、他の一方の端を整合器４を介
して、高周波電源５に接続している。また容器１ａおよ
び容器１ｂはともに接地している。石英製の絶縁板６
が、石英円筒２に内接して、径方向に放射状に設置され
ている。ＲＦコイル３に高周波電流が流れると、生成さ
れる軸方向の誘導磁界を打ち消すように、処理室１内で
は周方向に誘電電界が生じ、誘導電流７が流れる。絶縁
板６は、ＲＦコイル３に流れる電流と直交する方向に、
すなわち周方向の誘導電流が流れるのをさまたげるよう
に配置されている。２つの絶縁板６間の距離Ｌは、高周
波電源５の電源周期の１／２の時間内に、誘導電流７が
距離Ｌを移動できないように設定されている。このた
め、絶縁板６が設置されている領域では、誘導電流７は
連続的に流れることができず、プラズマの生成効率は低
い。一方、絶縁板６が設置されていない領域、すなわち
絶縁板６が設置されている領域より内側では、連続的に
誘導電流７が流れるため、この領域で主にプラズマが生
成される。すなわち、絶縁板６によりプラズマを石英円
筒２から離すことができる。したがって、石英円筒２と
プラズマが接触することによる再結合損失を低減でき、
その結果高密度プラズマを生成できる。また容量結合に
よるプラズマ生成の割合を低減できるので、石英円筒２
上に形成されるイオンシース中の電界により加速された
イオンの衝撃を低減することができ、その結果、石英円
筒２の消耗を低減することができる。
より説明する。図１は、本発明の一実施例であるＩＣＰ
放電を用いたエッチング処理装置の縦断面図である。図
２は、図１におけるＡ−Ａ’断面図である。容器１ａお
よび容器１ｂおよび石英円筒２で区画された処理室１の
内部を真空排気装置（図示省略）により減圧した後、ガ
ス供給装置（図示省略）によりエッチングガスを処理室
１内に導入し、所望の圧力に調整する。ＲＦコイル３
は、石英円筒２の外周に設置されている。該ＲＦコイル
３は、一方の端を接地し、他の一方の端を整合器４を介
して、高周波電源５に接続している。また容器１ａおよ
び容器１ｂはともに接地している。石英製の絶縁板６
が、石英円筒２に内接して、径方向に放射状に設置され
ている。ＲＦコイル３に高周波電流が流れると、生成さ
れる軸方向の誘導磁界を打ち消すように、処理室１内で
は周方向に誘電電界が生じ、誘導電流７が流れる。絶縁
板６は、ＲＦコイル３に流れる電流と直交する方向に、
すなわち周方向の誘導電流が流れるのをさまたげるよう
に配置されている。２つの絶縁板６間の距離Ｌは、高周
波電源５の電源周期の１／２の時間内に、誘導電流７が
距離Ｌを移動できないように設定されている。このた
め、絶縁板６が設置されている領域では、誘導電流７は
連続的に流れることができず、プラズマの生成効率は低
い。一方、絶縁板６が設置されていない領域、すなわち
絶縁板６が設置されている領域より内側では、連続的に
誘導電流７が流れるため、この領域で主にプラズマが生
成される。すなわち、絶縁板６によりプラズマを石英円
筒２から離すことができる。したがって、石英円筒２と
プラズマが接触することによる再結合損失を低減でき、
その結果高密度プラズマを生成できる。また容量結合に
よるプラズマ生成の割合を低減できるので、石英円筒２
上に形成されるイオンシース中の電界により加速された
イオンの衝撃を低減することができ、その結果、石英円
筒２の消耗を低減することができる。
【００１０】このようにして生成されたプラズマによ
り、試料台８に載置された被処理材９がエッチング処理
される。また被処理材９のエッチング形状を制御するた
め、試料台８には、整合器１０を介して、高周波電源１
１が接続され、高周波電圧が印加されている。本実施例
の場合、ＲＦコイル３に接続する高周波電源５の周波数
は１３．５６ＭＨｚとし、試料台８に接続する高周波電
源１１の周波数は８００ｋＨｚとした。本実施例によれ
ば、プラズマを処理室１の壁面から離して生成すること
ができるので、高密度プラズマを生成でき、また処理室
１の壁面の消耗を低減できるという効果がある。
り、試料台８に載置された被処理材９がエッチング処理
される。また被処理材９のエッチング形状を制御するた
め、試料台８には、整合器１０を介して、高周波電源１
１が接続され、高周波電圧が印加されている。本実施例
の場合、ＲＦコイル３に接続する高周波電源５の周波数
は１３．５６ＭＨｚとし、試料台８に接続する高周波電
源１１の周波数は８００ｋＨｚとした。本実施例によれ
ば、プラズマを処理室１の壁面から離して生成すること
ができるので、高密度プラズマを生成でき、また処理室
１の壁面の消耗を低減できるという効果がある。
【００１１】本実施例では、誘導電流７が流れるのをさ
またげるために絶縁板６を用いたが、絶縁板６のかわり
に、アルミニウム等の導電板の表面をアルミナセラミッ
クス等の絶縁材でカバーしたものを用いても同様の作用
効果が得られる。
またげるために絶縁板６を用いたが、絶縁板６のかわり
に、アルミニウム等の導電板の表面をアルミナセラミッ
クス等の絶縁材でカバーしたものを用いても同様の作用
効果が得られる。
【００１２】本発明の第２の実施例を図３および図４に
より説明する。図３は、本発明の一実施例であるＴＣＰ
放電を用いたエッチング処理装置の縦断面図である。図
４は、図３におけるＢ矢視図である。本実施例では、容
器１ａとアルミナセラミックス製の誘電体板１２により
処理室１を構成しており、誘電体板１２の上にうず巻き
状のＲＦコイル１３が設置されている。誘導電流７は概
略、周方向に流れるため、絶縁板６は誘電体板１２に内
接して、放射状に設置されている。誘導電流７は、絶縁
板６により連続的に流れないよう構成しているため、プ
ラズマは主に絶縁板６の存在しない高さの領域で生成さ
れる。したがって、本実施例によれば、第１の実施例と
同様の効果がある。
より説明する。図３は、本発明の一実施例であるＴＣＰ
放電を用いたエッチング処理装置の縦断面図である。図
４は、図３におけるＢ矢視図である。本実施例では、容
器１ａとアルミナセラミックス製の誘電体板１２により
処理室１を構成しており、誘電体板１２の上にうず巻き
状のＲＦコイル１３が設置されている。誘導電流７は概
略、周方向に流れるため、絶縁板６は誘電体板１２に内
接して、放射状に設置されている。誘導電流７は、絶縁
板６により連続的に流れないよう構成しているため、プ
ラズマは主に絶縁板６の存在しない高さの領域で生成さ
れる。したがって、本実施例によれば、第１の実施例と
同様の効果がある。
【００１３】本発明の第３の実施例を図５および図６に
より説明する。図５は、本発明の一実施例であるヘリカ
ルキャップ放電を用いたエッチング処理装置の縦断面図
である。図６は、図５におけるＣ矢視図である。本実施
例は、第１の実施例において、石英円筒２をテーパ形状
とし、その上にテーパ形状のＲＦコイル３を配置したも
のである。また絶縁板６は、石英円筒２に内接し、放射
状に設置されている。本実施例においても、誘導電流７
が連続的に流れないように絶縁板６が設置されているの
で、第１の実施例と同様の効果がある。
より説明する。図５は、本発明の一実施例であるヘリカ
ルキャップ放電を用いたエッチング処理装置の縦断面図
である。図６は、図５におけるＣ矢視図である。本実施
例は、第１の実施例において、石英円筒２をテーパ形状
とし、その上にテーパ形状のＲＦコイル３を配置したも
のである。また絶縁板６は、石英円筒２に内接し、放射
状に設置されている。本実施例においても、誘導電流７
が連続的に流れないように絶縁板６が設置されているの
で、第１の実施例と同様の効果がある。
【００１４】本発明の第４の実施例を図７および図８に
より説明する。図７は、蛇行型ＲＦコイルを用いたエッ
チング処理装置の縦断面図である。図８は、図７におけ
るＤ矢視図である。本実施例は、第２の実施例において
ＲＦコイル１４を蛇行形状したものである。この場合誘
導電流７は、主にＲＦコイル１４に沿って平行方向に流
れるため、絶縁板６は、ＲＦコイル１４と交差するよう
垂直に設置した。本実施例においても、誘導電流７が連
続的に流れないよう絶縁板６が配置されているので、第
１の実施例と同様の効果がある。
より説明する。図７は、蛇行型ＲＦコイルを用いたエッ
チング処理装置の縦断面図である。図８は、図７におけ
るＤ矢視図である。本実施例は、第２の実施例において
ＲＦコイル１４を蛇行形状したものである。この場合誘
導電流７は、主にＲＦコイル１４に沿って平行方向に流
れるため、絶縁板６は、ＲＦコイル１４と交差するよう
垂直に設置した。本実施例においても、誘導電流７が連
続的に流れないよう絶縁板６が配置されているので、第
１の実施例と同様の効果がある。
【００１５】本発明の第５の実施例を図９により説明す
る。本実施例は、マイクロ波エッチング装置において、
プラズマ分布の補正手段として、第１の実施例に示すＩ
ＣＰ放電を適用したものである。マグネトロン１５を発
したマイクロ波は、導波管１６内を伝播し、円筒形の共
振器１７に導入される。共振器１７の底面には中心に対
し放射状のスロットアンテナ１８が複数設けられてい
る。またスロットアンテナ１８と石英窓１９との間には
空間が設けられており、スロットアンテナ１８より放射
されたマイクロ波は、前述の空間を伝播した後、石英窓
１３を通過し、放電管１ｃ内に入射され、プラズマが生
成される。放電管１ｃ内には、コイル２０により磁場が
形成されており、マイクロ波と磁場との相互作用により
プラズマが生成される。周波数２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を用いている本実施例の場合には、８７５Ｇの磁場
強度の位置で電子サイクロトロン共鳴を生じ、効率良く
プラズマが生成される。またコイル２０により発生する
磁場とは逆向きの磁場を、処理室１の下部外周に配置し
たコイル２１により発生させている。この逆磁場を発生
させるコイル２１により、磁場の磁力線をコントロール
し、プラズマ均一性を改善することができる。更に本実
施例の場合には、コイル２０とコイル２１との間の領域
に、第１の実施例で示したＩＣＰ放電を実施できるよう
構成している。ＲＦコイル３によるＩＣＰ放電により、
壁面から離れた絶縁板６の近くでプラズマ密度を増加さ
せることができるので、更に容易にプラズマ均一性を改
善することができる。本実施例においても、誘導電流７
が連続的に流れないように絶縁板６が配置されているの
で、第１の実施例と同様の効果がある。
る。本実施例は、マイクロ波エッチング装置において、
プラズマ分布の補正手段として、第１の実施例に示すＩ
ＣＰ放電を適用したものである。マグネトロン１５を発
したマイクロ波は、導波管１６内を伝播し、円筒形の共
振器１７に導入される。共振器１７の底面には中心に対
し放射状のスロットアンテナ１８が複数設けられてい
る。またスロットアンテナ１８と石英窓１９との間には
空間が設けられており、スロットアンテナ１８より放射
されたマイクロ波は、前述の空間を伝播した後、石英窓
１３を通過し、放電管１ｃ内に入射され、プラズマが生
成される。放電管１ｃ内には、コイル２０により磁場が
形成されており、マイクロ波と磁場との相互作用により
プラズマが生成される。周波数２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を用いている本実施例の場合には、８７５Ｇの磁場
強度の位置で電子サイクロトロン共鳴を生じ、効率良く
プラズマが生成される。またコイル２０により発生する
磁場とは逆向きの磁場を、処理室１の下部外周に配置し
たコイル２１により発生させている。この逆磁場を発生
させるコイル２１により、磁場の磁力線をコントロール
し、プラズマ均一性を改善することができる。更に本実
施例の場合には、コイル２０とコイル２１との間の領域
に、第１の実施例で示したＩＣＰ放電を実施できるよう
構成している。ＲＦコイル３によるＩＣＰ放電により、
壁面から離れた絶縁板６の近くでプラズマ密度を増加さ
せることができるので、更に容易にプラズマ均一性を改
善することができる。本実施例においても、誘導電流７
が連続的に流れないように絶縁板６が配置されているの
で、第１の実施例と同様の効果がある。
【００１６】第１乃至第４の実施例では無磁場の場合に
ついて述べたが、磁場コイルや永久磁石により生成され
た磁場中で、ＩＣＰ放電あるいはＴＣＰ放電あるいはヘ
リカルキャップ放電あるいは蛇行型ＲＦコイルを用いた
放電を行ってもよい。磁場中でこれらの放電を実施する
と、より低圧力でも安定にプラズマが生成できるという
効果がある。また通常、磁場中で放電を実施するヘリコ
ン波放電を用いたエッチング装置においても、図示を省
略するが、第１の実施例と同様に絶縁板６を設けること
により、プラズマを壁面より離すことができるので、第
１の実施例と同様の効果がある。
ついて述べたが、磁場コイルや永久磁石により生成され
た磁場中で、ＩＣＰ放電あるいはＴＣＰ放電あるいはヘ
リカルキャップ放電あるいは蛇行型ＲＦコイルを用いた
放電を行ってもよい。磁場中でこれらの放電を実施する
と、より低圧力でも安定にプラズマが生成できるという
効果がある。また通常、磁場中で放電を実施するヘリコ
ン波放電を用いたエッチング装置においても、図示を省
略するが、第１の実施例と同様に絶縁板６を設けること
により、プラズマを壁面より離すことができるので、第
１の実施例と同様の効果がある。
【００１７】また、以上述べてきたすべての実施例にお
いて、絶縁板６にヒーター等の加熱機構や、あるいは冷
却機構を埋設すれば、絶縁板６に堆積するプラズマ重合
膜の量を制御でき、その結果、プラズマ中のラジカル組
成を制御できるので、選択比等のエッチング特性を制御
できるという効果が加わる。
いて、絶縁板６にヒーター等の加熱機構や、あるいは冷
却機構を埋設すれば、絶縁板６に堆積するプラズマ重合
膜の量を制御でき、その結果、プラズマ中のラジカル組
成を制御できるので、選択比等のエッチング特性を制御
できるという効果が加わる。
【００１８】また上記各実施例では、ドライエッチング
装置について述べたが、プラズマＣＶＤ装置、アッシン
グ装置等のプラズマ処理装置についても、同様の作用効
果が得られる。
装置について述べたが、プラズマＣＶＤ装置、アッシン
グ装置等のプラズマ処理装置についても、同様の作用効
果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、ＲＦコイルを有するプ
ラズマ処理装置において、ＲＦコイルにより誘起される
誘導電流をさまたげるように、絶縁板、すなわちスプリ
ット板を配置することにより、プラズマを処理室壁面よ
り離すことができるので、処理室壁面の消耗を減少さ
せ、高密度プラズマを生成することができるという効果
がある。
ラズマ処理装置において、ＲＦコイルにより誘起される
誘導電流をさまたげるように、絶縁板、すなわちスプリ
ット板を配置することにより、プラズマを処理室壁面よ
り離すことができるので、処理室壁面の消耗を減少さ
せ、高密度プラズマを生成することができるという効果
がある。
【図１】本発明の第１の実施例のＩＣＰ放電を用いたエ
ッチング装置の処理室部の縦断面図である。
ッチング装置の処理室部の縦断面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ’断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例のＴＣＰ放電を用いたエ
ッチング装置の処理室部の縦断面図である。
ッチング装置の処理室部の縦断面図である。
【図４】図３のＢ矢視図である。
【図５】本発明の第３の実施例のヘリカルキャップ放電
を用いたエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
を用いたエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
【図６】図５のＣ矢視図である。
【図７】本発明の第４の実施例の蛇行型のＲＦコイルを
用いたエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
用いたエッチング装置の処理室部の縦断面図である。
【図８】図７のＤ矢視図である。
【図９】本発明の第５の実施例のマイクロ波エッチング
装置の処理室部の縦断面図である。
装置の処理室部の縦断面図である。
１…処理室、１ａ，１ｂ…容器、１ｃ…放電管、２…石
英円筒、３，１３，１４…ＲＦコイル、４，１０…整合
器、５，１１…高周波電源、６…絶縁板、７…誘導電
流、８…試料台、９…被処理材、１２…誘電体板、１５
…マグネトロン、１６…導波管、１７…共振器、１８…
スロットアンテナ、１９…石英窓、２０，２１…コイ
ル。
英円筒、３，１３，１４…ＲＦコイル、４，１０…整合
器、５，１１…高周波電源、６…絶縁板、７…誘導電
流、８…試料台、９…被処理材、１２…誘電体板、１５
…マグネトロン、１６…導波管、１７…共振器、１８…
スロットアンテナ、１９…石英窓、２０，２１…コイ
ル。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 9216−2Ｇ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｌ
Claims (6)
- 【請求項１】プラズマ発生装置と、減圧可能な処理室
と、ガス供給装置と、真空排気装置より成り、該プラズ
マ発生装置あるいは該プラズマ発生装置の一部として、
高周波電源および該高周波電源に接続されたＲＦコイル
を有するプラズマ処理装置により、試料をプラズマ処理
するプラズマ処理方法であって、前記ＲＦコイルにより
誘起される誘導電流をさまたげるように前記処理室内に
絶縁あるいは導電板の表面を絶縁材でカバーすることを
特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】プラズマ発生装置と、減圧可能な処理室
と、ガス供給装置と、真空排気装置より成り、該プラズ
マ発生装置あるいは該プラズマ発生装置の一部として、
高周波電源および該高周波電源に接続されたＲＦコイル
を有するプラズマ処理装置により、試料をプラズマ処理
するプラズマ処理方法であって、前記ＲＦコイルに流れ
る電流と直交するように前記処理室内に絶縁あるいは導
電板の表面を絶縁材でカバーすることを特徴とするプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項３】プラズマ発生装置と減圧可能な処理室とガ
ス供給装置と真空排気装置より成り、該プラズマ発生装
置あるいは該プラズマ発生装置の一部として、高周波電
源および該高周波電源に接続されたＲＦコイルを有する
プラズマ処理装置において、該処理室内に絶縁板あるい
は導電板の表面を絶縁材でカバーした板を、該ＲＦコイ
ルにより誘起される誘導電流をさまたげるように、設置
したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】プラズマ発生装置と減圧可能な処理室とガ
ス供給装置と真空排気装置より成り、該プラズマ発生装
置あるいは該プラズマ発生装置の一部として、高周波電
源および該高周波電源に接続されたＲＦコイルを有する
プラズマ処理装置において、該処理室内に絶縁板あるい
は導電板の表面を絶縁材でカバーした板を、該ＲＦコイ
ルに流れる電流と直交する方向に、設置したことを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】請求項３および請求項４に記載のプラズマ
発生装置が、誘導結合型プラズマ放電（以下ＩＣＰ放電
と略記する）発生装置あるいはトランスファー カップ
ルドプラズマ放電（以下ＴＣＰ放電と略記する）発生装
置あるいはヘリカルキャップ プラズマ放電発生装置あ
るいはヘリコン波プラズマ発生装置であることを特徴と
する請求項３および請求項４に記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項６】請求項３および請求項４および請求項５に
記載の絶縁板あるいは導電板の表面を絶縁材でカバーし
た板の内部にヒーター等の加熱機構あるいは冷却機構を
設けたことを特徴とする請求項３および請求項４および
請求項５に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121103A JPH08316205A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121103A JPH08316205A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316205A true JPH08316205A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14802962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7121103A Pending JPH08316205A (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316205A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197120B1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-03-06 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus for coating diamond-like networks onto particles |
| KR100322330B1 (ko) * | 1997-04-21 | 2002-03-18 | 히가시 데츠로 | 재료의 이온 스퍼터링 방법 및 장치 |
| JP2003525519A (ja) * | 2000-03-01 | 2003-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 高密度プラズマ源内での電気的に制御可能なプラズマ均一性 |
| US6815365B2 (en) | 1995-03-16 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| US20120031560A1 (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
-
1995
- 1995-05-19 JP JP7121103A patent/JPH08316205A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815365B2 (en) | 1995-03-16 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| KR100322330B1 (ko) * | 1997-04-21 | 2002-03-18 | 히가시 데츠로 | 재료의 이온 스퍼터링 방법 및 장치 |
| US6197120B1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-03-06 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus for coating diamond-like networks onto particles |
| JP2003525519A (ja) * | 2000-03-01 | 2003-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 高密度プラズマ源内での電気的に制御可能なプラズマ均一性 |
| US20120031560A1 (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
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