JPH08309574A - レーザ光源およびレーザ描画装置 - Google Patents

レーザ光源およびレーザ描画装置

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JPH08309574A
JPH08309574A JP7138526A JP13852695A JPH08309574A JP H08309574 A JPH08309574 A JP H08309574A JP 7138526 A JP7138526 A JP 7138526A JP 13852695 A JP13852695 A JP 13852695A JP H08309574 A JPH08309574 A JP H08309574A
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JP
Japan
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laser
laser light
light source
beams
irradiation target
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JP7138526A
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English (en)
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Susumu Emori
晋 江森
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 方向性の低い形状のレーザ光スポットを生成
する。 【構成】 レーザブロック1は3つのレーザ光学系6〜
8を有している。各鏡筒15〜17内にはそれぞれ集光
レンズ群12〜14が収納されている。各半導体レーザ
9〜11が発生したレーザ光は対応する集光レンズ群1
2〜14によって照射対象上で焦点を結ぶように集光さ
れ、各レーザ光学系6〜8の各出射端6a〜8aより出
射する。各レーザ光学系6〜8は、各レーザビームが照
射対象上で重なるようにするため、3つの光学系の中心
軸Aに向かって、それぞれ等しい角度だけ傾斜させて配
置されている。光源が半導体レーザであるため、各光学
系6〜8からのビームが照射対象上に形成する光スポッ
トは楕円形となる。各半導体レーザ9〜11は、各光ス
ポットの長軸が互いに60度の角度を成すように配置さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光源に関し、ま
た、レーザ光により照射対象上に画像を描くレーザ描画
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】レーザ描画装置は、ビーム状のレーザ光
を記録媒体に照射して、記録媒体を加工したりあるいは
発色させて画像を形成するものである。このレーザ描画
装置には、レーザビームをラスタ走査する方式のもの
と、偏向器を用いてレーザビームをベクタ走査する方式
のものとがある。レーザ描画装置に用いるレーザ光源と
しては、従来は気体レーザや固体レーザが多く用いられ
ていたが、近年では半導体レーザの発展に伴い、数ワッ
トから数十ワットクラスの半導体レーザが用いられるよ
うになりつつある。半導体レーザは小型で低価格であ
り、さらに変調が容易であるという大きい長所を有して
いる。
【0003】しかし、半導体レーザは、共振器形状が小
さいため、レーザ光のコヒーレンシやビームの平行度、
あるいは非点収差などの点で他のレーザに比べて劣り、
また光軸に直交するビーム断面での強度分布、すなわち
プロファイルに角度異方性があるという欠点がある。半
導体レーザの発光パターンは、そのレーザ共振器の断面
形状によって決定され、その断面形状は、レーザ共振器
を形成する活性層のストライプの幅と厚さとによって決
まる。図5において、101は半導体レーザチップ、1
02は活性層、103は高利得のストライプである。ス
トライプ103は極めて小さく、レーザ光はこのストラ
イプ103より、大きく広がって放射される。ストライ
プ103は、その寸法が小さいばかりでなく、非対称性
が大きい。すなわち、ストライプ103の幅と厚さとの
比は通常、3:1程度である。そして、レーザビームの
放射は、導波路の屈折率に影響されるため、レーザビー
ムはストライプ103の幅方向には、ストライプ103
の幅全体からX方向に拡散して出射し、一方、ストライ
プ103の厚さ方向には、ストライプ103の内部の一
点から発したように、Y方向に拡散して出射する。その
結果、ストライプ103に近い領域では、光軸に直交す
るビーム断面の形状は、X方向に長い楕円形となり、一
方、ストライプ103から遠い領域では、ビーム断面の
形状はY方向に長い楕円形となる。そのため、ストライ
プ103を出たレーザビームは、楕円錐104のような
形で進行する。
【0004】その結果、図6に示すように、集光光学系
を通してこのような拡散ビームを収束させ、照射対象上
に照射すると、そのとき生成される光スポット100
も、楕円形となり、方向性を持ったものとなる。図6の
(A)に示すように、レーザビームをラスタ走査する場
合には、光スポット100の移動方向は一定であるの
で、光スポット100が楕円形であることの悪影響は生
じない。むしろ、図のように副走査方向RSの幅が、主
走査方向RMの幅より狭い場合には、エネルギ効率が向
上するため、円形であるよりも好ましい。
【0005】一方、ベクタ走査を行う場合には、光スポ
ット100は照射面上であらゆる方向に移動するので、
光スポット100が方向性を持ち、正しく円形でない場
合には、光スポット100の移動方向によって、照射領
域の幅が異なったものとなる。例えば図6の(B)に示
すように、縦に長い光スポット100を図面上で横に移
動させたとき、照射領域の幅はaと広く、一方、縦に移
動させたときは、照射領域の幅はaより狭いbとなる。
このように光スポット100の移動方向によって照射領
域の幅、従って描画される線の幅が異なると、形成され
る画像の質は低下する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従って、半導体レーザ
を光源に用いてレーザビームをベクタ走査する場合に
は、光学系によるビームの断面形状の整形が必要とな
る。図7はこのようなビーム整形を行う従来の光学系の
一例であり、例えばCDプレーヤなどに用いられている
ものである。半導体レーザ110を出射したレーザ光は
コリメータ111によって平行光とされた後、アナモリ
フィック・プリズムぺア112により、ビームの断面形
状が円形となるようビーム整形される。レーザビームは
その後、ビーム・エキスパンダ113で拡散光とされ、
次にフォーカス・レンズ114で収束されて、不図示の
照射対象上にスポットを形成する。このような光学系に
より、真円に近い光スポットが得られるが、プリズムペ
ア112の挿入損が50〜80%と大きく、大パワーを
取り出すことは難しい。また、例えばレーザプリンタな
どでは、図8に示すような光学系を用いてビーム整形が
行われている。この光学系ではプリズムペアの代りにシ
リンドリカル・レンズ(円筒レンズ)115を用い、特
定方向のビーム幅を縮小、あるいは拡大して、他の方向
のビーム幅に一致させている。しかし、得られる光スポ
ットの形状を真円に近付けるためには精密なレンズを用
いる必要があり、コスト高となる。このように、通常用
いられている従来の光学系により、レーザ光強度を低下
させることなく、つまり低損失で、かつ低コストでビー
ム整形を行うことは極めて困難である。そこで本発明の
目的は、方向性の低い形状の光スポットを生成するレー
ザ光源およびそのレーザ光源を用いたレーザ描画装置を
提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、レーザ光を所定の照射対象に照射するレーザ
光源において、レーザ光を放射して前記照射対象上にそ
れぞれ光スポットを生成する複数のレーザ光源を備え、
前記光スポットは、その特定方向の幅が広く、前記光ス
ポットは前記照射対象上で互いに重なり合い、前記複数
のレーザ光源は、それぞれが生成する前記光スポットの
前記特定方向が一致しないよう配置されていることを特
徴とする。また、本発明は上記目的を達成するため、レ
ーザ光を所定の照射対象に照射するレーザ光源におい
て、特定方向の幅が広いレーザビームを生成する単一の
レーザ光源と、このレーザ光源が生成した前記レーザビ
ームを分割して、複数のレーザビームを生成するビーム
分割器と、このビーム分割器が生成した前記複数のレー
ザビームをそれぞれ反射して、前記複数のレーザビーム
を前記照射対象上の同一の位置に入射させる複数の反射
鏡と、前記複数のレーザビームの光路上で、前記複数の
反射鏡の前または後に配置され、前記複数のレーザビー
ムのそれぞれを光学的に処理して、各レーザビームの最
大幅の方向を互いに異なるものとする光学系とを備えた
ことを特徴とする。
【0008】本発明はまた、上記目的を達成するため、
レーザ光を所定の照射対象に照射し、前記レーザ光を光
偏向器により偏向して前記照射対象上に画像を形成する
レーザ描画装置において、前記レーザ光源を備え、前記
光偏向器は、前記レーザ光源が放射したレーザ光を偏向
することを特徴とする。
【0009】
【作用】本発明のレーザ光源では、複数のレーザ光源の
それぞれが発するレーザ光によって、特定方向の幅が広
い光スポットが照射対象上に、互いに重なり合って生成
される。そして、各レーザ光源は適切に配置され、各光
スポットの上記特定方向が一致しないようになっている
ので、複数の光スポットが重なって形成された合成光ス
ポットは、個々の光スポットより、その形状の方向性が
緩和される。本発明の他のレーザ光源では、ビーム分割
器は単一のレーザ光源が生成した特定方向の幅が広いレ
ーザビームを分割し、複数のレーザビームを生成する。
これらのレーザビームは反射鏡によって、照射対象上の
同一の位置に入射するように反射されるが、照射対象に
入射する前に、反射鏡の前または後に配置された光学系
により、各レーザビームの最大幅の方向が互いに異なる
ものとなるように光学的に処理される。従って、各ビー
ムにより照射対象上に形成される光スポットの方向は互
いに異なったものとなり、合成光スポットの形状は方向
性が緩和されたものとなる。
【0010】また、本発明のレーザ描画装置は、方向性
の緩和された光スポットを生成する本発明のレーザ光源
を用いて構成され、そのレーザ光源からのレーザ光は偏
向器によって偏向される。従って、方向性の低い光スポ
ットを照射対象上で走査して、画像を形成することがで
きる。
【0011】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。図3
は本発明のレーザ光源の一例を用いて構成した、本発明
のレーザ描画装置の一例を示す概略平面図である。この
レーザ描画装置21は本発明のレーザ光源であるレーザ
ブロック1を備え、このレーザは後に詳しく説明するよ
うに、複数の半導体レーザと複数の集光光学系とを備え
ている。
【0012】3は誘電体多層膜がガラス基板表面にコー
ティングされた折り返しミラーであり、レーザブロック
1からのレーザビーム2を水平面上で直角に曲げる。偏
向ミラー4、5は、偏向ミラー5の下方に配置された記
録媒体(図示せず)上で、光スポットを2次元的に移動
させるためのビーム偏向器を構成している。各ミラー
4、5は平面鏡とその偏向アクチュエータ(図示せず)
から成り、折り返しミラー3からのレーザビーム2は、
まず偏向ミラー4に入射し、ミラー4が中立の方向に向
いているとき、レーザビーム2は水平面上で90度曲げ
られて、偏向ミラー5に入射する。そして、ミラー4が
上記アクチュエータにより垂直軸を中心に揺動すること
で、レーザビーム2の偏向ミラー5における入射位置が
変化し、光スポットは上記記録媒体上でX方向に移動す
る。偏向ミラー5に入射したレーザビーム2は、ミラー
5が中立の方向に向いているとき、鉛直下方に曲げら
れ、上記記録媒体に入射する。そして、ミラー5が上記
アクチュエータにより水平軸を中心に揺動することで、
レーザビーム2はY方向に偏向され、記録媒体における
入射位置が変化して、光スポットは記録媒体上でY方向
に移動する。レーザブロック1を構成する上記集光光学
系は、レーザビーム2がこれらのミラー3〜5で反射し
た後、上記記録媒体上に焦点を結ぶように構成されてい
る。
【0013】次に図1を参照して、レーザブロック1に
ついて詳しく説明する。図1の(A)はその正面図、
(B)は側面図である。このレーザブロック1は3つの
レーザ光学系6〜8を有し、それらはレーザビームの出
射端6a〜8aが、ほぼ同一方向に向かい、正三角形の
頂点を形成するように配置されている。各レーザ光学系
6〜8はいずれも円筒形であり、それぞれ、半導体レー
ザ9〜11を底部に収容した鏡筒15〜17を備えてい
る。各鏡筒15〜17内にはそれぞれ、図示しない一般
的なコリメータ・レンズ、ビーム・エキスパンダ・レン
ズ、フォーカシング・レンズから成る1群3枚構成の集
光レンズ群12〜14が収納されている。各半導体レー
ザ9〜11が発生したレーザ光は対応する集光レンズ群
12〜14によって上述のように、記録媒体上で焦点を
結ぶように集光され、各レーザ光学系6〜8の各出射端
6a〜8aより出射する。
【0014】各レーザ光学系6〜8は、図1の(B)に
示すように、3つの光学系の中心軸Aに向かって、それ
ぞれ等しい角度だけ傾斜させて配置されている。この傾
斜角は、各光学系6〜8を出たレーザビームが生成する
上記記録媒体上の光スポットが、記録媒体上で重なるよ
うな角度に設定されている。
【0015】各レーザ光学系6〜8は半導体レーザ9〜
11を光源としているため、各光学系6〜8からのビー
ムによって記録媒体上に生成される光スポットは、その
形状に方向性を有し、楕円形となる。そして、半導体レ
ーザ9〜11、従って各光学系6〜8は、この楕円形の
光スポットの長軸が互いに60度の角度を成すように配
置されている。
【0016】このような構成により、記録媒体上には次
のような光スポットが形成される。すなわち、レーザブ
ロック1の各レーザ光学系6〜8を出たレーザビーム
は、ミラー3〜5によって折り曲げられ、ミラー5の下
方に配置された記録媒体に入射する。各レーザビームは
それぞれ集光レンズ群12〜14によって、記録媒体上
に焦点を結び、その結果、図4に示すように、記録媒体
上に3つの光スポット18〜20が生成される。光学系
6〜8の光源は半導体レーザ9〜11であるため、これ
らのスポットはいずれも楕円形である。そして、各光学
系6〜8は上述のように配置されているので、各スポッ
ト18〜20の中心は一致し、かつ、各スポット18〜
20の長軸は互いに60度の角度を成す。
【0017】従って、図4から分るように、合成された
光スポットは方向性が緩和されたものとなり、合成光ス
ポットを図面上で横に移動させた場合に描画される線の
幅aと、縦に移動させた場合に描画される線の幅bと、
斜め45度の方向に移動させた場合に描画される線の幅
c、dはほぼ一致する。そのため、偏向ミラー4、5に
よってレーザビーム2を偏向してベクタ走査を行い、方
向性の低い上記合成光スポットを記録媒体上で移動させ
て描画した場合には、光スポットの移動方向によって線
幅がほとんど変化しないため、画質の劣化は生じない。
【0018】なお、本実施例では、半導体レーザの数は
3としたが、その数は多くするほど、合成した光スポッ
トの形状は真円に近付き、方向性は低下して、良好な描
画結果が得られる。ただし、その場合にはコストが上昇
するので、レーザ光源の数は、要求される性能とコスト
との兼合いで決めることになる。通常のレーザ描画装置
の場合には、レーザ光源の数は3とすれば十分であろ
う。
【0019】次に、本発明によるレーザ光源の他の例に
ついて、図2を参照して説明する。このレーザ光源40
では、1つの光源により生成したレーザビームを3本の
レーザビームに分割し、その後、一点に収束させて光ス
ポットを合成し、スポットの方向性を緩和させている。
すなわち、半導体レーザ22が発生したレーザ光はまず
コリメータ23によって平行光とされ、その後、ビーム
分割器24によりパワーの等しい3本のレーザビーム3
2、33、34に分割される。このビーム分割器22
は、ビームプロファイル整形も行い得る回折格子であ
り、具体的には、光の一部を反射させる誘電体多層膜が
コーティングされたビームスプリッタや、キューブ・ビ
ームスプリッタにより構成されている。光源が半導体レ
ーザであるため、ビーム分割器24に入射するレーザビ
ームの断面形状は上述のように楕円であり、特定方向の
幅が広くなっている。従って、レーザビーム32〜34
の断面形状も同じく楕円であり、そして、それらの長軸
の方向は一致している。
【0020】ビーム分割器24を出射した3本のビーム
32〜34は、それぞれ反射鏡25、26、27で反射
し、照射対象31上の同一の位置に光スポットを形成す
るよう、方向が変えられる。各反射鏡25〜27の照射
対象側には、ビーム整形レンズ28、29、30がそれ
ぞれ配置されている。これらのレンズは特別に設計され
た非球面レンズであり、集光機能と、ビーム整形機能と
を備えている。反射鏡25〜27で反射したレーザビー
ム32〜34は、これらのレンズにより、照射対象31
上に焦点を結ぶよう集光され、かつ、ビーム断面形状の
長軸の方向が、互いに60度の角度を成すように光学的
に処理される。従って、照射対象31上に形成される合
成光スポットは、図4に示した合成光スポットと同様
に、方向性の緩和されたものとなる。このレーザ光源で
は、図1のものと異なり、半導体レーザなどの発光体を
1つしか必要とせず、さらに、そのドライバや、コリメ
ータなどの関連する光学系も1セットで済む。従って低
コスト化の点で有利である。また、ビーム分割器は本例
のように回折格子とすれば、大量生産が可能であり、安
価に製作できる。
【0021】そして、このようなレーザ光源を、図3に
示したレーザ描画装置のレーザブロック1の代りに用い
た場合には、上述の場合と同様、光スポットの移動方向
によって線幅はほとんど変化しないため、画質の劣化は
生じない。
【0022】なお、上記実施例では光源は半導体レーザ
であるとしたが、半導体レーザに限らず、単一では方向
性のない光スポットが得られないレーザ光源であれば、
どのようなタイプの光源であっても本発明は有効であ
る。また、図2の実施例では、ビーム分割器によりレー
ザビームを3本に分割するとしたが、2本あるいは4本
以上に分割しても、同様にして方向性の緩和された光ス
ポットが得られる。もちろん、多数のビームに分割する
ほど、光スポットはより真円に近いものとなる。
【0023】また、従来より、複数のレーザ光源を用い
たり、あるいは単一光源によるレーザビームをビームス
プリッタで分割し、マルチビームとしたレーザ描画装置
は存在したが、いずれの場合も、複数の線を同時に描画
して記録速度の向上を図ったものであり、本発明とはそ
の目的および構成が全く異なっている。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレーザ光源
では、複数のレーザ光源のそれぞれが発するレーザ光に
よって、特定方向の幅が広い光スポットが照射対象上
に、互いに重なり合って生成される。そして、各レーザ
光源は適切に配置され、各光スポットの上記特定方向が
一致しないようになっているので、複数の光スポットが
重なって形成された合成光スポットは、個々の光スポッ
トより、その形状の方向性が緩和される。また、本発明
の他のレーザ光源では、ビーム分割器は単一のレーザ光
源が生成した特定方向の幅が広いレーザビームを分割
し、複数のレーザビームを生成する。これらのレーザビ
ームは反射鏡によって、照射対象上の同一の位置に入射
するように反射されるが、照射対象に入射する前に、反
射鏡の前または後に配置された光学系により、各レーザ
ビームの最大幅の方向が互いに異なるものとなるように
光学的に処理される。従って、各ビームにより照射対象
上に形成される光スポットの方向は互いに異なったもの
となり、合成光スポットの形状は方向性が緩和されたも
のとなる。従って、本発明により、半導体レーザなどの
ように方向性の強い光スポットを形成する光源を用い
て、方向性の弱い光スポットを形成するレーザ光源を実
現できる。半導体レーザは、小型で、かつ低価格であ
り、さらに変調が容易であるという利点を有しており、
半導体レーザを用いても方向性の弱い光スポットを形成
できることは、半導体レーザの応用範囲の拡大につなが
り、極めて有意義である。
【0025】また、本発明のレーザ描画装置は、方向性
の緩和された光スポットを生成する本発明のレーザ光源
を用いて構成され、そのレーザ光源からのレーザ光は偏
向器によって偏向される。従って、方向性の低い光スポ
ットを照射対象上で走査して、画像を形成することがで
きる。その結果、レーザビームをベクタ走査して記録媒
体に描画する場合でも、画質の劣化は生じない。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本発明によるレーザ光源の一例を示す
正面図、(B)は側面図である。
【図2】本発明によるレーザ光源の他の例を示す側面図
である。
【図3】図1のレーザ光源を用いた、本発明によるレー
ザ描画装置の一例を示す概略平面図である。
【図4】図1のレーザ光源によって生成される光スポッ
トを示す説明図である。
【図5】半導体レーザによるレーザビームの発生を示す
説明図である。
【図6】光スポットの形状に方向性がある場合の影響を
示す説明図である。
【図7】従来のビーム整形光学系を示す構成図である。
【図8】従来の他のビーム整形光学系を示す構成図であ
る。
【符号の説明】
1 レーザブロック 2 レーザビーム 3 折り返しミラー 4、5 偏向ミラー 6、7、8 レーザ光学系 6a〜8a 出射端 9、10、11、22 半導体レーザ 12、13、14 集光レンズ群 15、16、17 鏡筒 18、19、20、100 光スポット 21 レーザ描画装置 23 コリメータ 24 ビーム分割器 25、26、27 反射鏡 28、29、30 ビーム整形レンズ 31 照射対象 101 レーザチップ 102 活性層 103 ストライプ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01S 3/101 H01S 3/18 3/18 B41J 3/00 D

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光を所定の照射対象に照射するレ
    ーザ光源において、 レーザ光を放射して前記照射対象上にそれぞれ光スポッ
    トを生成する複数のレーザ光源を備え、 前記光スポットは、その特定方向の幅が広く、 前記光スポットは前記照射対象上で互いに重なり合い、 前記複数のレーザ光源は、それぞれが生成する前記光ス
    ポットの前記特定方向が一致しないよう配置されてい
    る、 ことを特徴とするレーザ光源。
  2. 【請求項2】 前記光スポットの前記特定方向のそれぞ
    れは、互いに隣接するものどうしが等しい角度を成すよ
    うに、前記複数のレーザ光源は配置されている請求項1
    記載のレーザ光源。
  3. 【請求項3】 前記複数のレーザ光源の数は3である請
    求項1記載のレーザ光源。
  4. 【請求項4】 前記複数のレーザ光源は、前記光スポッ
    トの前記特定方向のそれぞれが互いに60度の角度を成
    すように配置されている請求項3記載のレーザ光源。
  5. 【請求項5】 前記複数のレーザ光源は半導体レーザを
    含んでいる請求項1記載のレーザ光源。
  6. 【請求項6】 レーザ光を所定の照射対象に照射するレ
    ーザ光源において、 特定方向の幅が広いレーザビームを生成する単一のレー
    ザ光源と、 このレーザ光源が生成した前記レーザビームを分割し
    て、複数のレーザビームを生成するビーム分割器と、 このビーム分割器が生成した前記複数のレーザビームを
    それぞれ反射して、前記複数のレーザビームを前記照射
    対象上の同一の位置に入射させる複数の反射鏡と、 前記複数のレーザビームの光路上で、前記複数の反射鏡
    の前または後に配置され、前記複数のレーザビームのそ
    れぞれを光学的に処理して、各レーザビームの最大幅の
    方向を互いに異なるものとする光学系と、 を備えたことを特徴とするレーザ光源。
  7. 【請求項7】 前記光学系は前記レーザビームを光学的
    に処理して、前記複数のレーザビームのそれぞれの前記
    最大幅の方向が、互いに隣接するものどうしが等しい角
    度を成すようにする請求項6記載のレーザ光源。
  8. 【請求項8】 前記ビーム分割器は3本のレーザビーム
    を生成する請求項6記載のレーザ光源。
  9. 【請求項9】 前記光学系は前記3本のレーザビームを
    光学的に処理して、それぞれの前記最大幅の方向が、互
    いに60度の角度を成すようにする請求項8記載のレー
    ザ光源。
  10. 【請求項10】 前記単一のレーザ光源は半導体レーザ
    を含んでいる請求項6記載のレーザ光源。
  11. 【請求項11】 前記ビーム分割器は、誘電体多層膜を
    コーティングしたビームスプリッタか、またはキューブ
    ・ビームスプリッタを用いて構成されている請求項6記
    載のレーザ光源。
  12. 【請求項12】 前記光学系は、非球面レンズにより構
    成されている請求項6記載のレーザ光源。
  13. 【請求項13】 前記非球面レンズは集光作用を有して
    いる請求項12記載のレーザ光源。
  14. 【請求項14】 レーザ光を所定の照射対象に照射し、
    前記レーザ光を光偏向器により偏向して前記照射対象上
    に画像を形成するレーザ描画装置において、 請求項1ないし請求項13のいずれかに記載のレーザ光
    源を備え、 前記光偏向器は、前記レーザ光源が放射したレーザ光を
    偏向することを特徴とするレーザ描画装置。
  15. 【請求項15】 前記レーザ光は、前記光偏向器によっ
    てベクタ走査される請求項14記載のレーザ描画装置。
  16. 【請求項16】 前記照射対象は、前記レーザ光によっ
    て加工される請求項14記載のレーザ描画装置。
  17. 【請求項17】 前記照射対象は、前記レーザ光によっ
    て発色する請求項14記載のレーザ描画装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6750423B2 (en) 2001-10-25 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
US7764432B2 (en) 2005-06-15 2010-07-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser equipment
US10366885B2 (en) 2001-09-25 2019-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device
CN111360395A (zh) * 2020-03-27 2020-07-03 伊诺福科光学技术有限公司 一种用于激光加工的表面自动跟踪方法及***、存储介质

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10366885B2 (en) 2001-09-25 2019-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device
US10910219B2 (en) 2001-09-25 2021-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and laser irradiation device and method of manufacturing semiconductor device
US6750423B2 (en) 2001-10-25 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
US8530788B2 (en) 2001-10-25 2013-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
US8993421B2 (en) 2001-10-25 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
US7764432B2 (en) 2005-06-15 2010-07-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser equipment
CN111360395A (zh) * 2020-03-27 2020-07-03 伊诺福科光学技术有限公司 一种用于激光加工的表面自动跟踪方法及***、存储介质
CN111360395B (zh) * 2020-03-27 2021-08-20 伊诺福科光学技术有限公司 一种用于激光加工的表面自动跟踪方法及***、存储介质

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