JPH08306645A - 金薄膜の形成方法 - Google Patents
金薄膜の形成方法Info
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- JPH08306645A JPH08306645A JP10960395A JP10960395A JPH08306645A JP H08306645 A JPH08306645 A JP H08306645A JP 10960395 A JP10960395 A JP 10960395A JP 10960395 A JP10960395 A JP 10960395A JP H08306645 A JPH08306645 A JP H08306645A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大粒径の金単結晶からなる金薄膜を基板上に
形成させたとき、基板から脱落しにくい金薄膜の形成方
法を提供すること。 【構成】 金錯体溶液中の金錯体を分解処理することに
より溶液中の金を過飽和状態にし、金単結晶を基板上に
析出・成長させて金薄膜を形成する金薄膜の形成方法に
おいて、前記基板の表面をエッチングした後、基板上に
金薄膜を形成することを特徴とする金薄膜の形成方法。
形成させたとき、基板から脱落しにくい金薄膜の形成方
法を提供すること。 【構成】 金錯体溶液中の金錯体を分解処理することに
より溶液中の金を過飽和状態にし、金単結晶を基板上に
析出・成長させて金薄膜を形成する金薄膜の形成方法に
おいて、前記基板の表面をエッチングした後、基板上に
金薄膜を形成することを特徴とする金薄膜の形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金薄膜の形成方法に関す
る。本発明の方法は、半導体集積回路・光集積回路・磁
気回路等の電子素子、光素子、圧電素子等、あるいは電
子放出素子、記録媒体用電極等の作製に適する。
る。本発明の方法は、半導体集積回路・光集積回路・磁
気回路等の電子素子、光素子、圧電素子等、あるいは電
子放出素子、記録媒体用電極等の作製に適する。
【０００２】
【従来の技術】従来、金薄膜は、リードフレーム・ＩＣ
等の厚膜分野の配線や電極、ＧａＡｓ半導体の薄膜配線
等に広く用いられてきた。
等の厚膜分野の配線や電極、ＧａＡｓ半導体の薄膜配線
等に広く用いられてきた。
【０００３】最近では、Ｓｉ半導体デバイスの高密度化
から、Ａｌ配線のエレクトロマイグレーションが深刻な
問題となっており、重金属である金が配線材料として有
望視されている。特に、耐エレクトロマイグレーション
・対腐食性・低抵抗性・耐メルト性等で優れている大粒
径の単結晶群からなる金結晶薄膜を、基板上に形成する
ことが望まれている。
から、Ａｌ配線のエレクトロマイグレーションが深刻な
問題となっており、重金属である金が配線材料として有
望視されている。特に、耐エレクトロマイグレーション
・対腐食性・低抵抗性・耐メルト性等で優れている大粒
径の単結晶群からなる金結晶薄膜を、基板上に形成する
ことが望まれている。
【０００４】従来の金結晶薄膜の形成方法としては、真
空蒸着法・ＣＶＤ法・電解メッキ法・無電解メッキ法等
によるものが知られている。真空蒸着法による金結晶薄
膜の形成方法は次のようにして行う。Ｓｉ、ＳｉＯ2、
ＳｉＮ、ＧａＡｓ、サファイア、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ等の
基板を５００〜７００℃程度に加熱する。この基板へ、
通常１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空中で電子ビーム加熱や抵
抗加熱により蒸気にした金を搬送し、堆積させる。この
ような真空蒸着法により得られた比較的大きな単結晶と
しては、粒径が数１０μｍの金単結晶をマイカ（雲母）
上に形成した報告がある（Dennis J.Trevor他 Physical
Review Letters Vol.62 No.8）。また、熱ＣＶＤ法、
ＰＥＣＶＤ法により、Ｓｉ上に金の多結晶薄膜を形成し
た報告がある（N.Misawa他第３７回半導体・集積回路技
術シンポジウムDec.7,1989）。
空蒸着法・ＣＶＤ法・電解メッキ法・無電解メッキ法等
によるものが知られている。真空蒸着法による金結晶薄
膜の形成方法は次のようにして行う。Ｓｉ、ＳｉＯ2、
ＳｉＮ、ＧａＡｓ、サファイア、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ等の
基板を５００〜７００℃程度に加熱する。この基板へ、
通常１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空中で電子ビーム加熱や抵
抗加熱により蒸気にした金を搬送し、堆積させる。この
ような真空蒸着法により得られた比較的大きな単結晶と
しては、粒径が数１０μｍの金単結晶をマイカ（雲母）
上に形成した報告がある（Dennis J.Trevor他 Physical
Review Letters Vol.62 No.8）。また、熱ＣＶＤ法、
ＰＥＣＶＤ法により、Ｓｉ上に金の多結晶薄膜を形成し
た報告がある（N.Misawa他第３７回半導体・集積回路技
術シンポジウムDec.7,1989）。
【０００５】しかし、真空蒸着法やＣＶＤ法では、マイ
カ（雲母）や高配向グラファイト等の不活性基板には、
数１０μｍ径の単結晶群からなる金結晶薄膜は形成でき
るが、Ｓｉ・ＧａＡｓ等の半導体材料上やＳｉＯ2・Ｓ
ｉＮ・Ａｌ2Ｏ3等の絶縁体上では、サブミクロン径の単
結晶群か又は多結晶膜になってしまう。
カ（雲母）や高配向グラファイト等の不活性基板には、
数１０μｍ径の単結晶群からなる金結晶薄膜は形成でき
るが、Ｓｉ・ＧａＡｓ等の半導体材料上やＳｉＯ2・Ｓ
ｉＮ・Ａｌ2Ｏ3等の絶縁体上では、サブミクロン径の単
結晶群か又は多結晶膜になってしまう。
【０００６】さらに、真空蒸着法やＣＶＤ法で大粒径単
結晶群からなる金結晶薄膜を形成するには、基板温度を
高温にする必要があるため、高温下に置くことにできな
いデバイスに対しては、多くの制約がある。例えば、Ｓ
ｉ上に金薄膜を形成する場合、共晶温度３６３℃を越え
るとＡｕ−Ｓｉ合金（共晶）が形成されてしまうため、
高温を必要とする大粒径の単結晶群からなる金薄膜の作
製は困難である。
結晶群からなる金結晶薄膜を形成するには、基板温度を
高温にする必要があるため、高温下に置くことにできな
いデバイスに対しては、多くの制約がある。例えば、Ｓ
ｉ上に金薄膜を形成する場合、共晶温度３６３℃を越え
るとＡｕ−Ｓｉ合金（共晶）が形成されてしまうため、
高温を必要とする大粒径の単結晶群からなる金薄膜の作
製は困難である。
【０００７】また、電解メッキ法・無電解メッキ法は、
装飾用の金薄膜形成やリードフレームのメッキ等で古く
から利用されている方法であり、あらかじめ基板表面に
金、銅又はニッケル面を形成した後に金薄膜を形成する
ものである。しかし、これらの方法では、通常、多結晶
膜となり、製法上、単結晶群を形成するような系の制御
は困難である。
装飾用の金薄膜形成やリードフレームのメッキ等で古く
から利用されている方法であり、あらかじめ基板表面に
金、銅又はニッケル面を形成した後に金薄膜を形成する
ものである。しかし、これらの方法では、通常、多結晶
膜となり、製法上、単結晶群を形成するような系の制御
は困難である。
【０００８】一方、最近、金錯体溶液中の金錯体を分解
処理することにより溶液中の金を過飽和状態にし、単結
晶の金を基板上に堆積・成長させて金薄膜を形成する方
法が提案されている（特願平０３−１３２１７６号）。
この方法においては、平均粒径５０μｍ〜１ｍｍの大粒
径の金単結晶からなる金薄膜が得られている。
処理することにより溶液中の金を過飽和状態にし、単結
晶の金を基板上に堆積・成長させて金薄膜を形成する方
法が提案されている（特願平０３−１３２１７６号）。
この方法においては、平均粒径５０μｍ〜１ｍｍの大粒
径の金単結晶からなる金薄膜が得られている。
【０００９】
【発明が解決しようする課題】しかしながら、上述の従
来方法には以下のような問題点がある。すなわち、金単
結晶及び金単結晶からなる金薄膜を基板上に形成し、次
いでこの基板を超音波等で洗浄したとき、基板の表面形
状が荒れていると、金単結晶及び金単結晶からなる金薄
膜と基板との間に微小な空間が生じ、この空間に洗浄液
が入り込むことによって、金単結晶及び金単結晶からな
る金薄膜が基板から脱落する危険性が発生する。
来方法には以下のような問題点がある。すなわち、金単
結晶及び金単結晶からなる金薄膜を基板上に形成し、次
いでこの基板を超音波等で洗浄したとき、基板の表面形
状が荒れていると、金単結晶及び金単結晶からなる金薄
膜と基板との間に微小な空間が生じ、この空間に洗浄液
が入り込むことによって、金単結晶及び金単結晶からな
る金薄膜が基板から脱落する危険性が発生する。
【００１０】そこで本発明の目的は、大粒径の金単結晶
及びその金単結晶からなる金薄膜を基板上に形成させた
とき、金単結晶及び金単結晶からなる金薄膜と基板との
密着性が優れ、基板から脱落しにくい金薄膜の形成方法
を提供することである。
及びその金単結晶からなる金薄膜を基板上に形成させた
とき、金単結晶及び金単結晶からなる金薄膜と基板との
密着性が優れ、基板から脱落しにくい金薄膜の形成方法
を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために種々の検討を行った結果、本発明を
完成した。すなわち本発明は、金錯体溶液中の金錯体を
分解処理することにより溶液中の金を過飽和状態にし、
金単結晶を基板上に析出・成長させて金薄膜を形成する
金薄膜の形成方法において、前記基板の表面をエッチン
グした後、基板上に金薄膜を形成することを特徴とする
金薄膜の形成方法に関する。
的を達成するために種々の検討を行った結果、本発明を
完成した。すなわち本発明は、金錯体溶液中の金錯体を
分解処理することにより溶液中の金を過飽和状態にし、
金単結晶を基板上に析出・成長させて金薄膜を形成する
金薄膜の形成方法において、前記基板の表面をエッチン
グした後、基板上に金薄膜を形成することを特徴とする
金薄膜の形成方法に関する。
【００１２】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
方法における基板のエッチングの方法は、特に制限はな
く、通常のエッチング方法で行われる。例えば、ウエッ
トエッチング又はドライエッチングのいずれかの方法で
行うことができる。具体的には、例えば次のようにして
行う。Ｓｉウエハを基板とし、この基板をクロム酸混
液、１０％フッ酸水溶液、バッファーフッ酸水溶液の順
で洗浄し、エッチングする。または、Ｓｉウエハ上にＴ
ｉを真空蒸着してこれを基板とし、この基板をＯ2プラ
ズマを用いてエッチングする。その他として、ガラス上
にＩＴＯを真空蒸着してこれを基板とし、この基板を硫
酸−過酸化水素水混合液を用いてエッチングするなどの
方法がある。
方法における基板のエッチングの方法は、特に制限はな
く、通常のエッチング方法で行われる。例えば、ウエッ
トエッチング又はドライエッチングのいずれかの方法で
行うことができる。具体的には、例えば次のようにして
行う。Ｓｉウエハを基板とし、この基板をクロム酸混
液、１０％フッ酸水溶液、バッファーフッ酸水溶液の順
で洗浄し、エッチングする。または、Ｓｉウエハ上にＴ
ｉを真空蒸着してこれを基板とし、この基板をＯ2プラ
ズマを用いてエッチングする。その他として、ガラス上
にＩＴＯを真空蒸着してこれを基板とし、この基板を硫
酸−過酸化水素水混合液を用いてエッチングするなどの
方法がある。
【００１３】本発明で用いる基板としては、後述する金
錯体溶液によって、腐食等の大きな損傷を受けないもの
が望ましい。例えば、Ｓｉ、ＳｉＮ、ガラス等が用いら
れる。また、これらの基板上に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｉ
ＴＯ（Indiumu Tin Oxide）等を電子ビーム加熱や抵抗
加熱、スパッタ法等によって真空蒸着したものを用いて
もよい。
錯体溶液によって、腐食等の大きな損傷を受けないもの
が望ましい。例えば、Ｓｉ、ＳｉＮ、ガラス等が用いら
れる。また、これらの基板上に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｉ
ＴＯ（Indiumu Tin Oxide）等を電子ビーム加熱や抵抗
加熱、スパッタ法等によって真空蒸着したものを用いて
もよい。
【００１４】上述のエッチングは、エッチング後の基板
表面の凹凸のＰＶ値が１０ｎｍ以下になるように行うこ
とが適当である。好ましくは５ｎｍ以下、より好ましく
は１ｎｍ以下である。さらには、基板表面の凹凸のピッ
チが結晶の大きさより大きいことが望ましく、５００ｎ
ｍ以上とすることが適当である。好ましくは８００μｍ
以上、より好ましくは１μｍ以上である。
表面の凹凸のＰＶ値が１０ｎｍ以下になるように行うこ
とが適当である。好ましくは５ｎｍ以下、より好ましく
は１ｎｍ以下である。さらには、基板表面の凹凸のピッ
チが結晶の大きさより大きいことが望ましく、５００ｎ
ｍ以上とすることが適当である。好ましくは８００μｍ
以上、より好ましくは１μｍ以上である。
【００１５】以下、上述のようにしてエッチングを行っ
た基板への金薄膜の形成方法について説明をする。金薄
膜の形成は、金錯体溶液中の金錯体を分解処理すること
により溶液中の金を過飽和状態にし、金単結晶を基板上
に析出・成長させて行う。
た基板への金薄膜の形成方法について説明をする。金薄
膜の形成は、金錯体溶液中の金錯体を分解処理すること
により溶液中の金を過飽和状態にし、金単結晶を基板上
に析出・成長させて行う。
【００１６】好ましい具体例を次に説明する。まず、蒸
留水にヨウ化カリウム及びヨウ素を投入してヨウ素水溶
液を調製し、この水溶液へ金を添加し、十分に攪拌して
溶解させ、［ＡｕＩ4］-を含有する金錯体水溶液を形成
する。このとき水溶液中には、金錯体の他、Ｉ3-、Ｋ+
が存在するものと考えられる。
留水にヨウ化カリウム及びヨウ素を投入してヨウ素水溶
液を調製し、この水溶液へ金を添加し、十分に攪拌して
溶解させ、［ＡｕＩ4］-を含有する金錯体水溶液を形成
する。このとき水溶液中には、金錯体の他、Ｉ3-、Ｋ+
が存在するものと考えられる。
【００１７】次いで、溶液を３０〜２００℃に加熱・昇
温し、ヨウ素成分の揮発を促進させる。溶液系内では、
Ｉ3-の状態で存在するヨウ素成分の気化により、溶液系
内の平衡状態の維持のために［ＡｕＩ4］-の分解が進行
し、金が過飽和の状態となる。
温し、ヨウ素成分の揮発を促進させる。溶液系内では、
Ｉ3-の状態で存在するヨウ素成分の気化により、溶液系
内の平衡状態の維持のために［ＡｕＩ4］-の分解が進行
し、金が過飽和の状態となる。
【００１８】金が過飽和状態になったところで、あらか
じめエッチングを施して平滑性を向上させた基板を溶液
中に速やかに投入する。これにより、基板上に金単体が
析出し、結晶核が形成される。そして、新たな結晶核の
発生と結晶成長が同時に進行する。このとき、結晶核は
自己整合的に単結晶成長する。その後、結晶成長を続け
ることで、平板状に形成した金単結晶同士の衝突が生
じ、単結晶群からなる金結晶薄膜が基板上に形成され
る。
じめエッチングを施して平滑性を向上させた基板を溶液
中に速やかに投入する。これにより、基板上に金単体が
析出し、結晶核が形成される。そして、新たな結晶核の
発生と結晶成長が同時に進行する。このとき、結晶核は
自己整合的に単結晶成長する。その後、結晶成長を続け
ることで、平板状に形成した金単結晶同士の衝突が生
じ、単結晶群からなる金結晶薄膜が基板上に形成され
る。
【００１９】上記の金薄膜の形成方法に用いられるヨウ
素水溶液は、ヨウ化カリウム以外のヨウ化化合物、例え
ばヨウ化アンモニウム等を使用してもよく、ヨウ化カリ
ウムに限定されない。
素水溶液は、ヨウ化カリウム以外のヨウ化化合物、例え
ばヨウ化アンモニウム等を使用してもよく、ヨウ化カリ
ウムに限定されない。
【００２０】また溶媒は、メタノール・エタノール等の
アルコール、又はこれらのアルコールと水との混合溶液
を用いてもよい。
アルコール、又はこれらのアルコールと水との混合溶液
を用いてもよい。
【００２１】上記溶液に溶解させる金は、金単体の他
に、適当な金化合物、例えばＡｕＩ、ＡｕＩ3等を用い
てもよい。その他溶液中で［ＡｕＩ4］-を十分に形成す
る金化合物を用いることができる。
に、適当な金化合物、例えばＡｕＩ、ＡｕＩ3等を用い
てもよい。その他溶液中で［ＡｕＩ4］-を十分に形成す
る金化合物を用いることができる。
【００２２】さらに溶液中の金錯体も、［ＡｕＩ4］-に
限定されるものではなく、［ＡｕＩ 2］-、［ＡｕＣ
ｌ4］-、［Ａｕ（ＣＮ）2］-、［Ａｕ（ＣＮ）3］-等で
あってもよく、これらの金錯体を形成する金化合物又は
／及び溶液条件を用いてもよい。
限定されるものではなく、［ＡｕＩ 2］-、［ＡｕＣ
ｌ4］-、［Ａｕ（ＣＮ）2］-、［Ａｕ（ＣＮ）3］-等で
あってもよく、これらの金錯体を形成する金化合物又は
／及び溶液条件を用いてもよい。
【００２３】溶液中の金錯体の分解処理の手段は、前述
の加熱による方法の他に、還元剤による方法がある。例
えば、ハイドロキノン・ピロガロール・パイロカテキン
・グクシン・メトールハドロキノン・アミドール・メト
ール・亜硫酸ソーダ・チオ硫酸ナトリウム・水酸化ナト
リウム等の溶液中で還元作用を有する各種の物質を作用
させる。
の加熱による方法の他に、還元剤による方法がある。例
えば、ハイドロキノン・ピロガロール・パイロカテキン
・グクシン・メトールハドロキノン・アミドール・メト
ール・亜硫酸ソーダ・チオ硫酸ナトリウム・水酸化ナト
リウム等の溶液中で還元作用を有する各種の物質を作用
させる。
【００２４】
【作用】エッチングで基板表面の凹凸を均一に小さく
し、基板の表面を平滑にすることによって、基板と金単
結晶との接触面積が増えるため、基板と金単結晶との密
着性が向上する。実際、基板上には微少な空間を形成せ
ずに面内方向に結晶方位の揃った平板状の金単結晶群が
形成し、この金単結晶群が結晶成長して金薄膜が形成さ
れる。このように形成された金薄膜は、基板との密着性
が非常に優れたものになっている。
し、基板の表面を平滑にすることによって、基板と金単
結晶との接触面積が増えるため、基板と金単結晶との密
着性が向上する。実際、基板上には微少な空間を形成せ
ずに面内方向に結晶方位の揃った平板状の金単結晶群が
形成し、この金単結晶群が結晶成長して金薄膜が形成さ
れる。このように形成された金薄膜は、基板との密着性
が非常に優れたものになっている。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例によりさ
らに説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
らに説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
【００２６】実施例１ Ｓｉウエハを基板として用い、この基板をクロム酸混
液、１０％フッ酸水溶液、バッファ−フッ酸溶液の順で
洗浄し、エッチングした。この基板の表面を原子間力顕
微鏡で観察したところ、基板表面の凹凸は５００μｍ□
内でＰＶ値が０．２ｎｍであり、この表面の凹凸のピッ
チは１０００ｎｍであった。
液、１０％フッ酸水溶液、バッファ−フッ酸溶液の順で
洗浄し、エッチングした。この基板の表面を原子間力顕
微鏡で観察したところ、基板表面の凹凸は５００μｍ□
内でＰＶ値が０．２ｎｍであり、この表面の凹凸のピッ
チは１０００ｎｍであった。
【００２７】蒸留水５００ｍｌにヨウ化カリウム４０ｇ
及びヨウ素６ｇを投入して攪拌し溶解させた。次いで、
この溶液に金２ｇを投入して攪拌し溶解させた。十分に
溶解させた後、溶液１００ｍｌを分取して開放系の反応
容器に入れ、この反応容器にさらに蒸留水１００ｍｌ加
えて攪拌し、結晶成長溶液Ａを調製した。この結晶成長
溶液Ａを約９０℃に加熱した。この結晶成長溶液Ａにエ
ッチングを行った前記の基板を速やかに投入し、温度を
９０℃に保ったまま放置した。
及びヨウ素６ｇを投入して攪拌し溶解させた。次いで、
この溶液に金２ｇを投入して攪拌し溶解させた。十分に
溶解させた後、溶液１００ｍｌを分取して開放系の反応
容器に入れ、この反応容器にさらに蒸留水１００ｍｌ加
えて攪拌し、結晶成長溶液Ａを調製した。この結晶成長
溶液Ａを約９０℃に加熱した。この結晶成長溶液Ａにエ
ッチングを行った前記の基板を速やかに投入し、温度を
９０℃に保ったまま放置した。
【００２８】１時間後に基板を取り出したところ、基板
上に平板状の金単結晶群が形成されており、平均粒径が
約５００μｍ、厚さ５μｍの平板状単結晶からなる金薄
膜が形成していた。また、基板上に形成された金薄膜の
平板状単結晶は結晶方位が（１１１）に制御されてい
た。
上に平板状の金単結晶群が形成されており、平均粒径が
約５００μｍ、厚さ５μｍの平板状単結晶からなる金薄
膜が形成していた。また、基板上に形成された金薄膜の
平板状単結晶は結晶方位が（１１１）に制御されてい
た。
【００２９】金薄膜が形成された基板を超音波洗浄して
も、金薄膜は脱落しなかった。
も、金薄膜は脱落しなかった。
【００３０】実施例２ Ｓｉウエハ上にＴｉを１０００ｎｍの厚さに真空蒸着
し、Ｏ2プラズマを用いてエッチングしたものを基板と
して用いた。この基板の表面の凹凸を原子間力顕微鏡で
観察したところ、基板の表面の凹凸は、５００μｍ□内
でＰＶ値が０．８ｎｍであり、この基板表面の凹凸のピ
ッチは１２００ｎｍであった。
し、Ｏ2プラズマを用いてエッチングしたものを基板と
して用いた。この基板の表面の凹凸を原子間力顕微鏡で
観察したところ、基板の表面の凹凸は、５００μｍ□内
でＰＶ値が０．８ｎｍであり、この基板表面の凹凸のピ
ッチは１２００ｎｍであった。
【００３１】実施例１と同様にして調製した結晶成長溶
液Ａを９０℃に加熱した。この結晶成長溶液Ａにエッチ
ングを行った前記の基板を速やかに投入し、温度を９０
℃に保ったまま放置した。
液Ａを９０℃に加熱した。この結晶成長溶液Ａにエッチ
ングを行った前記の基板を速やかに投入し、温度を９０
℃に保ったまま放置した。
【００３２】１時間後に基板を取り出したところ、基板
上に平板状金単結晶群が形成されおり、平均粒径が約８
３０μｍ、厚さ１０μｍの平板状単結晶からなる金薄膜
が形成していた。また、基板上に形成された金薄膜の平
板状単結晶は結晶方位が（１１１）に制御されていた。
上に平板状金単結晶群が形成されおり、平均粒径が約８
３０μｍ、厚さ１０μｍの平板状単結晶からなる金薄膜
が形成していた。また、基板上に形成された金薄膜の平
板状単結晶は結晶方位が（１１１）に制御されていた。
【００３３】金薄膜が形成された基板を超音波洗浄して
も、１００個の結晶中、２個の結晶しか脱落しなかっ
た。
も、１００個の結晶中、２個の結晶しか脱落しなかっ
た。
【００３４】実施例３ ガラス上にＩＴＯを５０００ｎｍの厚さに真空蒸着した
ものを基板として用いた。この基板を硫酸−過酸化水素
水混合液を用いてエッチングした。この基板の表面を原
子間力顕微鏡で観察したところ、基板の表面の凹凸は５
００μｍ□内でＰＶ値が１ｎｍであり、この基板表面の
凹凸のピッチは８５０ｎｍであった。
ものを基板として用いた。この基板を硫酸−過酸化水素
水混合液を用いてエッチングした。この基板の表面を原
子間力顕微鏡で観察したところ、基板の表面の凹凸は５
００μｍ□内でＰＶ値が１ｎｍであり、この基板表面の
凹凸のピッチは８５０ｎｍであった。
【００３５】実施例１と同様にして調製した結晶成長溶
液Ａを９０℃に加熱した。この結晶成長溶液Ａにエッチ
ングを行った前記の基板を速やかに投入し、温度を９０
℃に保ったまま放置した。
液Ａを９０℃に加熱した。この結晶成長溶液Ａにエッチ
ングを行った前記の基板を速やかに投入し、温度を９０
℃に保ったまま放置した。
【００３６】１時間後に基板を取り出したところ基板上
に平板状の金単結晶群が形成されており、平均粒径が約
３８０μｍ、厚さ５μｍの平板状単結晶からなる金薄膜
が形成していた。また、基板上に形成された金薄膜の平
板状単結晶は結晶方位が（１１１）に制御されていた。
に平板状の金単結晶群が形成されており、平均粒径が約
３８０μｍ、厚さ５μｍの平板状単結晶からなる金薄膜
が形成していた。また、基板上に形成された金薄膜の平
板状単結晶は結晶方位が（１１１）に制御されていた。
【００３７】金薄膜が形成された基板を超音波洗浄して
も、１００個の結晶中、３個の結晶しか脱落しなかっ
た。
も、１００個の結晶中、３個の結晶しか脱落しなかっ
た。
【００３８】比較例 ガラス基板上にＩＴＯを５０００ｎｍの厚さに真空状着
し、エッチングを行わずに本比較例の基板とした。この
基板の表面の凹凸を原子間力顕微鏡で観察したところ、
基板表面の凹凸は５００μｍ□内でＰＶ値は１８ｎｍで
あり、この基板表面の凹凸のピッチは５００ｎｍであっ
た。
し、エッチングを行わずに本比較例の基板とした。この
基板の表面の凹凸を原子間力顕微鏡で観察したところ、
基板表面の凹凸は５００μｍ□内でＰＶ値は１８ｎｍで
あり、この基板表面の凹凸のピッチは５００ｎｍであっ
た。
【００３９】実施例１と同様にして調製した結晶成長溶
液Ａを９０℃に加熱した。この結晶成長溶液Ａに前記の
基板を速やかに投入し、温度を９０℃に保ったまま放置
した。
液Ａを９０℃に加熱した。この結晶成長溶液Ａに前記の
基板を速やかに投入し、温度を９０℃に保ったまま放置
した。
【００４０】１時間後に基板を取り出したところ、基板
上に平板状の金単結晶群が形成されており、平均粒径が
約２８０μｍ、厚さ３μｍの平板状単結晶からなる金薄
膜が形成していた。また、基板上に形成された金薄膜の
平板状単結晶は結晶方位が（１１１）に制御されてい
た。
上に平板状の金単結晶群が形成されており、平均粒径が
約２８０μｍ、厚さ３μｍの平板状単結晶からなる金薄
膜が形成していた。また、基板上に形成された金薄膜の
平板状単結晶は結晶方位が（１１１）に制御されてい
た。
【００４１】金薄膜が形成された基板を超音波洗浄する
ことにより、１００個の結晶中、８２個の結晶が脱落し
た。
ことにより、１００個の結晶中、８２個の結晶が脱落し
た。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、エッチングで基板表面の凹凸を均一に小さく
し、基板の表面を平滑にすることによって、密着性のよ
い金薄膜を基板上に形成させることが可能になる。その
結果、超音波等の洗浄処理においても金薄膜が基板から
脱落しにくくなり、金薄膜による優れた配線や電極を提
供することができる。
よれば、エッチングで基板表面の凹凸を均一に小さく
し、基板の表面を平滑にすることによって、密着性のよ
い金薄膜を基板上に形成させることが可能になる。その
結果、超音波等の洗浄処理においても金薄膜が基板から
脱落しにくくなり、金薄膜による優れた配線や電極を提
供することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 金錯体溶液中の金錯体を分解処理するこ
とにより溶液中の金を過飽和状態にし、金単結晶を基板
上に析出・成長させて金薄膜を形成する金薄膜の形成方
法において、前記基板の表面をエッチングした後、基板
上に金薄膜を形成することを特徴とする金薄膜の形成方
法。 - 【請求項２】 基板表面の凹凸のＰＶ値が１０ｎｍ以下
となるようにエッチングを行う請求項１記載の金薄膜の
形成方法。 - 【請求項３】 基板表面の凹凸のピッチが５００ｎｍ以
上となるようにエッチングを行う請求項２記載の金薄膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10960395A JPH08306645A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 金薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10960395A JPH08306645A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 金薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306645A true JPH08306645A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14514476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10960395A Pending JPH08306645A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 金薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998038350A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-03 | The Whitaker Corporation | Direct deposition of gold |
-
1995
- 1995-05-08 JP JP10960395A patent/JPH08306645A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998038350A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-03 | The Whitaker Corporation | Direct deposition of gold |
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