JPH08304841A - 液晶素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶素子及びその製造方法Info
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- JPH08304841A JPH08304841A JP7127505A JP12750595A JPH08304841A JP H08304841 A JPH08304841 A JP H08304841A JP 7127505 A JP7127505 A JP 7127505A JP 12750595 A JP12750595 A JP 12750595A JP H08304841 A JPH08304841 A JP H08304841A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 カイラルスメクティック液晶を用いた液晶素
子において、パネルの耐衝撃性を確保し、且つ液晶の注
入効率の向上を図る。 【構成】 一方の基板にカラーフィルター3と、厚さ
1.5〜5.0μmの平坦化層を形成し、直径0.6〜
3.5μmのスペーサビーズを用いてセル厚0.5〜
3.0μmの液晶素子を形成する。
子において、パネルの耐衝撃性を確保し、且つ液晶の注
入効率の向上を図る。 【構成】 一方の基板にカラーフィルター3と、厚さ
1.5〜5.0μmの平坦化層を形成し、直径0.6〜
3.5μmのスペーサビーズを用いてセル厚0.5〜
3.0μmの液晶素子を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、文字や画像を表示する
ための表示装置等に用いられる液晶素子、特にカイラル
スメクティック液晶を用い、フルカラー表示する液晶素
子とその製造方法に関する。
ための表示装置等に用いられる液晶素子、特にカイラル
スメクティック液晶を用い、フルカラー表示する液晶素
子とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】カイラルスメクティック相を呈する液晶
分子の屈折率異方性を利用して偏光子との組合せにより
透過光量を制御する型の表示素子がクラーク(Clar
k)及びラガーヴァル(Lagerwall)により提
案されている(特開昭56−107216号公報、米国
特許第4,367,924号明細書等)。この表示素子
に用いられる強誘電性液晶は、一般に特定の温度領域に
おいて、非らせん構造のカイラルスメクティックC相
(Sm*C相)或いはH相(Sm*H相)を示し、これら
の相状態において、印加される電界に応答して第1の光
学的安定状態と第2の光学的安定状態の明暗いずれか一
方の状態をとり、且つ電界の印加のないときはその状態
を保持する性質、即ち双安定性を有する。さらに、強誘
電性液晶は電界の変化に対する応答も速やかであるとい
う特徴を有することから、高速並びに記憶型の表示媒体
として大画面で高精細なディスプレイへの応用が期待さ
れている。
分子の屈折率異方性を利用して偏光子との組合せにより
透過光量を制御する型の表示素子がクラーク(Clar
k)及びラガーヴァル(Lagerwall)により提
案されている(特開昭56−107216号公報、米国
特許第4,367,924号明細書等)。この表示素子
に用いられる強誘電性液晶は、一般に特定の温度領域に
おいて、非らせん構造のカイラルスメクティックC相
(Sm*C相)或いはH相(Sm*H相)を示し、これら
の相状態において、印加される電界に応答して第1の光
学的安定状態と第2の光学的安定状態の明暗いずれか一
方の状態をとり、且つ電界の印加のないときはその状態
を保持する性質、即ち双安定性を有する。さらに、強誘
電性液晶は電界の変化に対する応答も速やかであるとい
う特徴を有することから、高速並びに記憶型の表示媒体
として大画面で高精細なディスプレイへの応用が期待さ
れている。
【0003】図14に強誘電性液晶を用いた従来の二値
表示(白黒)の液晶素子の断面を示す。図中、1a,1
bは絶縁性基板、6a,6bは透明電極、7a,7bは
補助電極、8a,8bはショート防止層、9a,9bは
粗面形成層、10a,10bは配向層、11は接着ビー
ズ、12はスペーサビーズ、13は液晶層である。透明
電極6a,6bと補助電極7a,7bからなる駆動電極
はそれぞれストライプ形状に形成され、互いに直交する
ように対向してマトリクスを組んでいる。また、図中の
点線から点線までが1画素とする。
表示(白黒)の液晶素子の断面を示す。図中、1a,1
bは絶縁性基板、6a,6bは透明電極、7a,7bは
補助電極、8a,8bはショート防止層、9a,9bは
粗面形成層、10a,10bは配向層、11は接着ビー
ズ、12はスペーサビーズ、13は液晶層である。透明
電極6a,6bと補助電極7a,7bからなる駆動電極
はそれぞれストライプ形状に形成され、互いに直交する
ように対向してマトリクスを組んでいる。また、図中の
点線から点線までが1画素とする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、液晶
パネルでは、耐衝撃性を確保し、液晶層の厚みを一定に
保つため、スペーサビーズ12等の硬質材料からなるス
ペーサと、該スペーサに比べて軟質で接着性を有する即
ち、上下基板部材を接着する接着ビーズ11を用いるこ
とが必須となっている。
パネルでは、耐衝撃性を確保し、液晶層の厚みを一定に
保つため、スペーサビーズ12等の硬質材料からなるス
ペーサと、該スペーサに比べて軟質で接着性を有する即
ち、上下基板部材を接着する接着ビーズ11を用いるこ
とが必須となっている。
【0005】係るスペーサビーズ、接着ビーズは通常パ
ネルの製造プロセス(基板の製造プロセス)において、
パネルを構成する一対の基板のうち一方のみに散布され
ていたが、この時、接着ビーズの流動性及び粘着性に起
因して、後工程、特に基板の貼り合わせ工程において接
着ビーズの移動が生じ、最終的に得られるパネルの性能
に悪影響を与えていた。
ネルの製造プロセス(基板の製造プロセス)において、
パネルを構成する一対の基板のうち一方のみに散布され
ていたが、この時、接着ビーズの流動性及び粘着性に起
因して、後工程、特に基板の貼り合わせ工程において接
着ビーズの移動が生じ、最終的に得られるパネルの性能
に悪影響を与えていた。
【0006】また、上記した強誘電性液晶を用いた液晶
素子においては、セル厚、即ち液晶層の厚さが非常に薄
いため、液晶セルに液晶を注入する際に不良品の発生す
る割合が高く、製造歩留の向上が課題であった。
素子においては、セル厚、即ち液晶層の厚さが非常に薄
いため、液晶セルに液晶を注入する際に不良品の発生す
る割合が高く、製造歩留の向上が課題であった。
【0007】本発明の目的は、カイラルスメクティック
相を呈する液晶を用いた液晶素子において、上記問題を
解決し、均一な液晶厚と耐衝撃性を保持して高いパネル
性能を維持し、更に、製造歩留の向上を図ることを目的
とする。
相を呈する液晶を用いた液晶素子において、上記問題を
解決し、均一な液晶厚と耐衝撃性を保持して高いパネル
性能を維持し、更に、製造歩留の向上を図ることを目的
とする。
【0008】また、CRTに変わる表示装置として、液
晶表示装置にもCRT並みの画質が要求されており、上
記した強誘電性液晶をはじめとするカイラルスメクティ
ック液晶を用いた液晶素子においても、フルカラー表示
が求められている。本発明の他の目的は、高画質なフル
カラー表示を実現することにある。
晶表示装置にもCRT並みの画質が要求されており、上
記した強誘電性液晶をはじめとするカイラルスメクティ
ック液晶を用いた液晶素子においても、フルカラー表示
が求められている。本発明の他の目的は、高画質なフル
カラー表示を実現することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段及び作用】請求項1〜3の
発明は、一方の基板にカラーフィルターと平坦化層を有
する一対の電極基板をスペーサビーズを介して対向配置
し、該基板間間隙にカイラルスメクティック液晶を挟持
してなる液晶素子であって、上記液晶層厚がスペーサビ
ーズの直径よりも小さく、同時にカラーフィルター上に
設けた平坦化層の最大厚よりも小さいことを特徴とす
る。
発明は、一方の基板にカラーフィルターと平坦化層を有
する一対の電極基板をスペーサビーズを介して対向配置
し、該基板間間隙にカイラルスメクティック液晶を挟持
してなる液晶素子であって、上記液晶層厚がスペーサビ
ーズの直径よりも小さく、同時にカラーフィルター上に
設けた平坦化層の最大厚よりも小さいことを特徴とす
る。
【0010】また、請求項4〜26の発明は、液晶素子
の製造方法であって、第1の絶縁性基板上に、遮光層、
複数色のカラーフィルター、平坦化層、バリア層、透明
電極、補助電極、ショート防止層、粗面形成層、絶縁層
を順に形成する工程と、第2の絶縁性基板上に、透明電
極、補助電極、ショート防止層、粗面形成層、絶縁層を
順に形成する工程、両基板表面の絶縁層をラビング処理
して配向膜を形成する工程、第1或いは第2の基板の配
向膜表面に接着性ビーズを散布する工程、第2或いは第
1の基板の配向膜表面に封止剤でシールパターンを描画
する工程、該封止剤を描画した基板にスペーサビーズを
散布する工程、接着性ビーズを散布した側の基板を固定
して、他方の基板と貼り合わせる工程、所望の形状に基
板を切断する工程、基板間間隙にカイラルスメクティッ
ク液晶を注入する工程、液晶注入口を封止する工程、と
を有することを特徴とする。
の製造方法であって、第1の絶縁性基板上に、遮光層、
複数色のカラーフィルター、平坦化層、バリア層、透明
電極、補助電極、ショート防止層、粗面形成層、絶縁層
を順に形成する工程と、第2の絶縁性基板上に、透明電
極、補助電極、ショート防止層、粗面形成層、絶縁層を
順に形成する工程、両基板表面の絶縁層をラビング処理
して配向膜を形成する工程、第1或いは第2の基板の配
向膜表面に接着性ビーズを散布する工程、第2或いは第
1の基板の配向膜表面に封止剤でシールパターンを描画
する工程、該封止剤を描画した基板にスペーサビーズを
散布する工程、接着性ビーズを散布した側の基板を固定
して、他方の基板と貼り合わせる工程、所望の形状に基
板を切断する工程、基板間間隙にカイラルスメクティッ
ク液晶を注入する工程、液晶注入口を封止する工程、と
を有することを特徴とする。
【0011】以下、図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。
る。
【0012】図1は本発明の液晶素子の一例を示す概略
平面図であり、図2はそのA−A’断面図、図3はB−
B’断面図である。図中、点線で囲まれた領域が1画素
であり、1a,1bは絶縁性基板、2はアンダーコート
層、3は所定パターンを構成するカラーフィルター、4
は平坦化層、5はバリア層、6a,6bは透明電極、7
a,7bは補助電極、8a,8bはショート防止層、9
a,9bは粗面形成層、10a,10bは配向層、11
は接着ビーズ、12はスペーサビーズ、13は液晶層、
14は遮光層であり、図2及び3において、液晶を挟ん
で上側を第1基板、下側を第2基板と呼ぶ。尚、図1は
第1基板側から見た平面図である。
平面図であり、図2はそのA−A’断面図、図3はB−
B’断面図である。図中、点線で囲まれた領域が1画素
であり、1a,1bは絶縁性基板、2はアンダーコート
層、3は所定パターンを構成するカラーフィルター、4
は平坦化層、5はバリア層、6a,6bは透明電極、7
a,7bは補助電極、8a,8bはショート防止層、9
a,9bは粗面形成層、10a,10bは配向層、11
は接着ビーズ、12はスペーサビーズ、13は液晶層、
14は遮光層であり、図2及び3において、液晶を挟ん
で上側を第1基板、下側を第2基板と呼ぶ。尚、図1は
第1基板側から見た平面図である。
【0013】尚、当該素材において観察者側は、第1の
基板及び第2の基板のいずれかに設定しても良いが、好
ましくはカラーフィルター膜を有する第1基板側とす
る。
基板及び第2の基板のいずれかに設定しても良いが、好
ましくはカラーフィルター膜を有する第1基板側とす
る。
【0014】以下、図1〜3に示した液晶素子の各部位
を図面を参照して製造工程に沿って詳述する。
を図面を参照して製造工程に沿って詳述する。
【0015】先ず第1基板について説明する。
【0016】工程−a(図15(a)) 絶縁性基板1aとしては、透明性に優れた基板、一般に
液晶用ガラスとして市販されているものを使用でき、例
えば青板ガラス、無アルカリガラスが挙げられる。好ま
しくは、片面が研磨してあるものを用いる。また、厚
さ、大きさは、画面サイズや、1枚から何枚のパネルを
取るかにより、適宜選択されるが、例えば大型画面(1
4.8インチ)の液晶素子を作製する場合には、1.1
mm程度の厚さのものを用いる。
液晶用ガラスとして市販されているものを使用でき、例
えば青板ガラス、無アルカリガラスが挙げられる。好ま
しくは、片面が研磨してあるものを用いる。また、厚
さ、大きさは、画面サイズや、1枚から何枚のパネルを
取るかにより、適宜選択されるが、例えば大型画面(1
4.8インチ)の液晶素子を作製する場合には、1.1
mm程度の厚さのものを用いる。
【0017】工程−b(図15(a)) 本発明において、好ましくは上記絶縁性基板1a表面
に、アンダーコート層2を設け、ガラスからのアルカリ
の溶出を防ぐ。アンダーコート層2としては、下層の保
護効果があればよく、例えばSiO2,MgO,Si
N,TiO2,Al2O3,ZrO等が用いられ、200
〜1000Åの厚みで用いられる。
に、アンダーコート層2を設け、ガラスからのアルカリ
の溶出を防ぐ。アンダーコート層2としては、下層の保
護効果があればよく、例えばSiO2,MgO,Si
N,TiO2,Al2O3,ZrO等が用いられ、200
〜1000Åの厚みで用いられる。
【0018】工程−c(図15(a)) アンダーコート層2を表面に形成した絶縁性基板1aを
純水シャワー、純水+超音波洗浄、ブラシ等のうち少な
くとも一つの方法を用い、適当な回数・組合せで洗浄、
乾燥後、紫外線照射により有機物を除去する。
純水シャワー、純水+超音波洗浄、ブラシ等のうち少な
くとも一つの方法を用い、適当な回数・組合せで洗浄、
乾燥後、紫外線照射により有機物を除去する。
【0019】工程−d(図15(a)) 図3に示した遮光層14は図4に示すように、ストライ
プパターン(ブラックストライプ)であるが、この他に
も通常のブラックマトリクス等所望の形状を適宜使用で
きる。遮光層14の素材としては、Cr、Mo等の金
属、或いはその合金、酸化物のCr2O3等、更には樹脂
に黒色顔料を分散したもの等有機材料をはじめとする遮
光性に優れた材料を用いることができる。厚さは500
〜1500Åの範囲で、素材の遮光能により設定する。
例えば金属を用いた場合は厚みが薄くても遮光効果が得
られる。本発明においては、Mo−Ta合金層が好まし
く用いられ、望ましくは1000Å以下で用いられる。
遮光層14はその素材をスパッタ、塗布などにより基板
全面に積層した後パターニングして得られる。具体的に
は、素材との密着性により選択されたレジストを、スピ
ンナー、印刷等により遮光層表面に塗布し、70〜12
0℃でプリベークし、90〜120mJで露光後、現
像、洗浄、乾燥した後、遮光層の材料に応じた酸などの
エッチング液でエッチングし、洗浄し、上記レジストを
剥離して更に洗浄する。
プパターン(ブラックストライプ)であるが、この他に
も通常のブラックマトリクス等所望の形状を適宜使用で
きる。遮光層14の素材としては、Cr、Mo等の金
属、或いはその合金、酸化物のCr2O3等、更には樹脂
に黒色顔料を分散したもの等有機材料をはじめとする遮
光性に優れた材料を用いることができる。厚さは500
〜1500Åの範囲で、素材の遮光能により設定する。
例えば金属を用いた場合は厚みが薄くても遮光効果が得
られる。本発明においては、Mo−Ta合金層が好まし
く用いられ、望ましくは1000Å以下で用いられる。
遮光層14はその素材をスパッタ、塗布などにより基板
全面に積層した後パターニングして得られる。具体的に
は、素材との密着性により選択されたレジストを、スピ
ンナー、印刷等により遮光層表面に塗布し、70〜12
0℃でプリベークし、90〜120mJで露光後、現
像、洗浄、乾燥した後、遮光層の材料に応じた酸などの
エッチング液でエッチングし、洗浄し、上記レジストを
剥離して更に洗浄する。
【0020】尚、遮光層14は後述する封止剤近傍まで
形成し、若干の非遮光部分を残しておき、かかる部分を
液晶配向状態の検査に用いることができる。
形成し、若干の非遮光部分を残しておき、かかる部分を
液晶配向状態の検査に用いることができる。
【0021】工程−e(図15(b)) 本発明において、カラーフィルター3は、緑(G)、赤
(R)、青(B)の他に好ましくは白(W)を形成す
る。形成方法としては、染色法、顔料分散法、電着法な
どがあり、本発明はそのいずれもが利用できるが、顔料
分散法を例に説明する。所望の顔料(Wには顔料を加え
ない)が分散された感光性樹脂のカラーレジストをスピ
ンナー、コーター等で厚さ、例えば1.0〜2.0μm
に塗布し、一定の温度でレベリングした後、80℃前後
でプリベークする。この時の温度や保持時間、上記塗布
する厚さはレジスト材料により適宜選択される。次に2
00〜1000mJで露光する。露光程度はR、G、
B、Wで感度が異なるため、露光時間を変えて調整す
る。露光後、レジスト材料に応じた現像液、方法、温度
で現像し、120〜250℃でポストベークし、洗浄す
る。各カラーフィルターは例えば図4に示すように、先
に形成した遮光層14のパターン、及び隣接するカラー
フィルターに接しないように、数μmの隙間をあけて形
成する。また、全体では表示領域となる領域に加え、そ
の周辺となる非表示領域となる領域に後述する基板端部
近傍の封止剤にはかからないように形成する。ここで、
表示領域内外のカラーフィルターのパターン形状(カラ
ーフィルターの大きさ)は、互いに異なってもよく、例
えば表示領域外では一単位を表示領域内より大きくする
ことができる。上記形成工程は各カラーフィルターの色
毎に順次行なうが、その順序は使用する材料によって適
宜選択される。
(R)、青(B)の他に好ましくは白(W)を形成す
る。形成方法としては、染色法、顔料分散法、電着法な
どがあり、本発明はそのいずれもが利用できるが、顔料
分散法を例に説明する。所望の顔料(Wには顔料を加え
ない)が分散された感光性樹脂のカラーレジストをスピ
ンナー、コーター等で厚さ、例えば1.0〜2.0μm
に塗布し、一定の温度でレベリングした後、80℃前後
でプリベークする。この時の温度や保持時間、上記塗布
する厚さはレジスト材料により適宜選択される。次に2
00〜1000mJで露光する。露光程度はR、G、
B、Wで感度が異なるため、露光時間を変えて調整す
る。露光後、レジスト材料に応じた現像液、方法、温度
で現像し、120〜250℃でポストベークし、洗浄す
る。各カラーフィルターは例えば図4に示すように、先
に形成した遮光層14のパターン、及び隣接するカラー
フィルターに接しないように、数μmの隙間をあけて形
成する。また、全体では表示領域となる領域に加え、そ
の周辺となる非表示領域となる領域に後述する基板端部
近傍の封止剤にはかからないように形成する。ここで、
表示領域内外のカラーフィルターのパターン形状(カラ
ーフィルターの大きさ)は、互いに異なってもよく、例
えば表示領域外では一単位を表示領域内より大きくする
ことができる。上記形成工程は各カラーフィルターの色
毎に順次行なうが、その順序は使用する材料によって適
宜選択される。
【0022】工程−f(図15(c)) 次にカラーフィルター間の間隙を埋め、表面を平坦化す
るための平坦化層4を形成する。本発明において平坦化
層4は、最大厚(図2中のt)が1.5〜5μmになる
ように、スピンナー、印刷、コーター等で平坦化材を塗
布し、後、60〜150℃でレベリングし、必要ならば
150〜330℃でポストベークすることにより形成さ
れる(これらの温度は平坦化材により設定される)。平
坦化材としては、カラーフィルター3と遮光層14によ
り生じた段差を平坦化し得るもので、後工程に耐え、耐
熱性、耐薬品性を有するものであれば無機物、有機物を
問わない。具体的には、ポリアミド、エポキシ樹脂、有
機シラン系樹脂が挙げられ、中でも有機シラン系樹脂が
好ましく用いられる。
るための平坦化層4を形成する。本発明において平坦化
層4は、最大厚(図2中のt)が1.5〜5μmになる
ように、スピンナー、印刷、コーター等で平坦化材を塗
布し、後、60〜150℃でレベリングし、必要ならば
150〜330℃でポストベークすることにより形成さ
れる(これらの温度は平坦化材により設定される)。平
坦化材としては、カラーフィルター3と遮光層14によ
り生じた段差を平坦化し得るもので、後工程に耐え、耐
熱性、耐薬品性を有するものであれば無機物、有機物を
問わない。具体的には、ポリアミド、エポキシ樹脂、有
機シラン系樹脂が挙げられ、中でも有機シラン系樹脂が
好ましく用いられる。
【0023】本発明の液晶素子の特徴は、先ず液晶層1
3の厚さ(T)が上記平坦化層の最大厚(t)よりも小
さいことである。当該構成により、液晶を注入した際に
発生する空隙の発生率が低くなり、製造時の歩留が向上
する。また、本発明の液晶素子においては、後述するス
ペーサビーズ12の直径が液晶層13の厚さ(T)より
も大きく、スペーサビーズ12は両基板に埋め込まれる
ようにして固定される。従って、スペーサビーズが埋ま
る程度に基板が鉛筆硬度において7H以下程度に柔軟で
あることが望ましく、平坦化層4の硬度は、3H〜7H
の範囲にあることがより好ましい。尚鉛筆硬度は、JI
S−K5401における鉛筆硬度測定装置を用いた方法
に準じて測定することにより得られる値である。また、
平坦化層4は好ましくは後述する封止剤の下側まで形成
する。当該構成により、液晶が注入し易くなり、製造時
に液晶の注入不良による不良品の発生が防止される。
3の厚さ(T)が上記平坦化層の最大厚(t)よりも小
さいことである。当該構成により、液晶を注入した際に
発生する空隙の発生率が低くなり、製造時の歩留が向上
する。また、本発明の液晶素子においては、後述するス
ペーサビーズ12の直径が液晶層13の厚さ(T)より
も大きく、スペーサビーズ12は両基板に埋め込まれる
ようにして固定される。従って、スペーサビーズが埋ま
る程度に基板が鉛筆硬度において7H以下程度に柔軟で
あることが望ましく、平坦化層4の硬度は、3H〜7H
の範囲にあることがより好ましい。尚鉛筆硬度は、JI
S−K5401における鉛筆硬度測定装置を用いた方法
に準じて測定することにより得られる値である。また、
平坦化層4は好ましくは後述する封止剤の下側まで形成
する。当該構成により、液晶が注入し易くなり、製造時
に液晶の注入不良による不良品の発生が防止される。
【0024】工程−g(図15(c)) 平坦化層4の表面に、バリア層5を形成し、その後の上
層の製膜工程やエッチング等の工程においてカラーフィ
ルター3を保護する。バリア層5の素材としては、保護
効果を有するものであれば限定されないが、例えばSi
O2,MgO,SiN,TiO2,Al2O3,ZrO等が
好ましく用いられる。バリア層5の厚さは例えば100
〜1000Å程度で、印刷、スパッタ等、素材に応じた
方法により形成される。
層の製膜工程やエッチング等の工程においてカラーフィ
ルター3を保護する。バリア層5の素材としては、保護
効果を有するものであれば限定されないが、例えばSi
O2,MgO,SiN,TiO2,Al2O3,ZrO等が
好ましく用いられる。バリア層5の厚さは例えば100
〜1000Å程度で、印刷、スパッタ等、素材に応じた
方法により形成される。
【0025】以上は第1基板のみの工程であり、以下の
工程は第1、第2基板に共通の工程である。また、第2
基板の絶縁性基板1bは、第1基板の絶縁性基板1aと
一般的には、同じ素材が用いられる。
工程は第1、第2基板に共通の工程である。また、第2
基板の絶縁性基板1bは、第1基板の絶縁性基板1aと
一般的には、同じ素材が用いられる。
【0026】工程−h(図15(c)及び図16
(a)) 透明電極6a,6bとして、例えばITO等の透明導電
材料からなる層をスパッタ、蒸着、焼成等で形成する。
好ましくは、In2O3に対してSnO2が5〜10%の
ものを用いるが、透過率、導電性により適宜選択すれば
良い。透明電極6a,6bの厚さは例えば300〜30
00Åで、該厚さも用いる液晶の光学特性、抵抗により
選択される。上記ITO層は、遮光層14と同様にフォ
トリソグラフィによりパターニングして所望の形状特に
第1基板では画素に対応し、第2基板では対向する基板
のカラーフィルターに対応するようなパターン(例えば
第1基板は図4に示す遮光層14間に対応するストライ
プ形状、第2基板は図6に示す形状)に形成する。但
し、エッチング液は塩化鉄、ヨウ化水素酸、次亜リン酸
等の水溶液を用いる。第1基板側の透明電極6aは表示
領域外にも形成したカラーフィルター3上にも対応して
パターン形成することが好ましい。
(a)) 透明電極6a,6bとして、例えばITO等の透明導電
材料からなる層をスパッタ、蒸着、焼成等で形成する。
好ましくは、In2O3に対してSnO2が5〜10%の
ものを用いるが、透過率、導電性により適宜選択すれば
良い。透明電極6a,6bの厚さは例えば300〜30
00Åで、該厚さも用いる液晶の光学特性、抵抗により
選択される。上記ITO層は、遮光層14と同様にフォ
トリソグラフィによりパターニングして所望の形状特に
第1基板では画素に対応し、第2基板では対向する基板
のカラーフィルターに対応するようなパターン(例えば
第1基板は図4に示す遮光層14間に対応するストライ
プ形状、第2基板は図6に示す形状)に形成する。但
し、エッチング液は塩化鉄、ヨウ化水素酸、次亜リン酸
等の水溶液を用いる。第1基板側の透明電極6aは表示
領域外にも形成したカラーフィルター3上にも対応して
パターン形成することが好ましい。
【0027】本工程において、表示領域外にも、配線を
形成しておくことにより、駆動電極には影響を与えずに
抵抗を測定することができる。図11(a)は第2基板
に設けた配線41を示し、同様に第1基板にも配線を設
ける。
形成しておくことにより、駆動電極には影響を与えずに
抵抗を測定することができる。図11(a)は第2基板
に設けた配線41を示し、同様に第1基板にも配線を設
ける。
【0028】また、図11(a)に示す略L字形の堰4
2は、後工程で塗布形成する層を堰き止める作用を有
し、不必要に溶液が流れ出すのを防ぐことができる。更
に、図11(b)に示す堰(パターン)43は、後述す
る液晶注入口に対し平行に好ましくは第2基板側に形成
されており、後述するように、液晶の注入を容易に且つ
均一にする作用を有する。これら堰42,43は上記し
た作用を有していれば、特にITOで形成する必要はな
いが、透明電極形成時に同時に形成することができ、製
造工程上有利である。
2は、後工程で塗布形成する層を堰き止める作用を有
し、不必要に溶液が流れ出すのを防ぐことができる。更
に、図11(b)に示す堰(パターン)43は、後述す
る液晶注入口に対し平行に好ましくは第2基板側に形成
されており、後述するように、液晶の注入を容易に且つ
均一にする作用を有する。これら堰42,43は上記し
た作用を有していれば、特にITOで形成する必要はな
いが、透明電極形成時に同時に形成することができ、製
造工程上有利である。
【0029】工程−i(図15(d)及び図16
(b)) 透明電極6a,6bの配線抵抗を下げるための補助電極
7a,7bを形成する。素材は金属で、Cr、Al、M
o、或いはその合金、Mo−Ta等が用いられる。ま
た、透明電極6a,6bとの密着性、抵抗、レジストと
の密着性を考慮し、多層構成としても良い。具体的に
は、Mo/AlやMo/Al/Mo−Ta等である。特
に多層構成の場合には、素材によってエッチングスピー
ドが異なるため、後工程のエッチングを考慮して素材を
選択する。例えば、上記3層構成を同時にエッチングす
る場合、Mo−Ta5〜10%(例えば200〜500
Å)/Al合金(例えば200〜1500Å)/Mo−
Ta10〜20%(例えば100〜500Å)とする積
層構成とすることがエッチング液との相性が良い。ま
た、多層構成を各層毎にエッチングしながら積層して形
成しても構わない。
(b)) 透明電極6a,6bの配線抵抗を下げるための補助電極
7a,7bを形成する。素材は金属で、Cr、Al、M
o、或いはその合金、Mo−Ta等が用いられる。ま
た、透明電極6a,6bとの密着性、抵抗、レジストと
の密着性を考慮し、多層構成としても良い。具体的に
は、Mo/AlやMo/Al/Mo−Ta等である。特
に多層構成の場合には、素材によってエッチングスピー
ドが異なるため、後工程のエッチングを考慮して素材を
選択する。例えば、上記3層構成を同時にエッチングす
る場合、Mo−Ta5〜10%(例えば200〜500
Å)/Al合金(例えば200〜1500Å)/Mo−
Ta10〜20%(例えば100〜500Å)とする積
層構成とすることがエッチング液との相性が良い。ま
た、多層構成を各層毎にエッチングしながら積層して形
成しても構わない。
【0030】上記金属を基板全面に積層し、レジスト塗
布、露光、現像、ポストべーク、エッチング、レジスト
剥離の各工程を順次行なって、例えば第1基板において
は、先の透明電極6aに重なり、且つカラーフィルター
3上に開口部を有する補助電極7a(図5)、及び透明
電極6b端部に重なる補助電極7b(図7)を形成す
る。補助電極7bは表示領域外では透明電極6b全面に
重ねて形成してもよい。
布、露光、現像、ポストべーク、エッチング、レジスト
剥離の各工程を順次行なって、例えば第1基板において
は、先の透明電極6aに重なり、且つカラーフィルター
3上に開口部を有する補助電極7a(図5)、及び透明
電極6b端部に重なる補助電極7b(図7)を形成す
る。補助電極7bは表示領域外では透明電極6b全面に
重ねて形成してもよい。
【0031】また、表示領域外において各駆動電極の両
端にショート検査用のパッド部を設ける。図9に第2基
板のパッド部を、図10に第1基板のパッド部を示す。
図中、31が第2基板の駆動電極、32が第1基板の駆
動電極、33がパッド部である。図9には図示していな
いが、駆動電極32の他端にもパッド部が形成され、図
9と同じ構成が採られている。パッド部33は本来補助
電極7a,7bが形成される領域において補助電極を形
成せず、下側の透明電極6a,6bを露出させた部分で
ある。各駆動電極31,32は非常に微細であるため、
ショート検査用の検査端子もこれに合わせた細い端子針
であり、駆動電極31,32に接する際に該電極を傷つ
けたり、また特に微細な駆動電極31には検査端子が乗
らない恐れがある。図9、10に示すように、金属より
も硬いITO等の透明電極を露出させたパッド部33を
設けることにより、検査端子による駆動電極31,32
の損傷が防止される。また、図9に示すように、特に微
細な駆動電極31においては、互い違いにパッド部33
を設け、パッド部33の幅を広げることにより、検査端
子が乗り易くなる。尚、同図に示すようにパッド部に隣
接する、電極の幅の狭い部分においても下層のITO等
の電極を露出することが好ましい。また、図10に示す
ように、駆動電極32においては、補助電極6aを端部
に形成しておくことにより配線抵抗の上昇を抑えてい
る。
端にショート検査用のパッド部を設ける。図9に第2基
板のパッド部を、図10に第1基板のパッド部を示す。
図中、31が第2基板の駆動電極、32が第1基板の駆
動電極、33がパッド部である。図9には図示していな
いが、駆動電極32の他端にもパッド部が形成され、図
9と同じ構成が採られている。パッド部33は本来補助
電極7a,7bが形成される領域において補助電極を形
成せず、下側の透明電極6a,6bを露出させた部分で
ある。各駆動電極31,32は非常に微細であるため、
ショート検査用の検査端子もこれに合わせた細い端子針
であり、駆動電極31,32に接する際に該電極を傷つ
けたり、また特に微細な駆動電極31には検査端子が乗
らない恐れがある。図9、10に示すように、金属より
も硬いITO等の透明電極を露出させたパッド部33を
設けることにより、検査端子による駆動電極31,32
の損傷が防止される。また、図9に示すように、特に微
細な駆動電極31においては、互い違いにパッド部33
を設け、パッド部33の幅を広げることにより、検査端
子が乗り易くなる。尚、同図に示すようにパッド部に隣
接する、電極の幅の狭い部分においても下層のITO等
の電極を露出することが好ましい。また、図10に示す
ように、駆動電極32においては、補助電極6aを端部
に形成しておくことにより配線抵抗の上昇を抑えてい
る。
【0032】補助電極7a,7b形成後、ダミー配線4
1及びパッド部33を利用して、配線抵抗の測定とショ
ートの検査を行なう。
1及びパッド部33を利用して、配線抵抗の測定とショ
ートの検査を行なう。
【0033】工程−k(図15(e)及び図16
(c)) 配線上にショート防止層8a,8bを形成する。ショー
ト防止層8a,8bは、上下基板間でのショートを防止
するための絶縁層であり、スパッタ、塗布・焼成等で有
機或いは無機の絶縁膜を基板全面に形成する。具体的に
は、Ti−Si、SiO2、TiO2、Ta2O5が用いら
れ、これらを単層でも、多層でも用いることができる。
例えば、Ta2O5をスパッタで500〜1200Å形成
した上に、Ti−Si等の塗布型絶縁膜材料の溶液を印
刷、焼成し、500〜1000Åの絶縁層を形成した多
層構成が好ましく用いられる。該ショート防止層8a,
8bは後述する封止領域の外側まで形成する。
(c)) 配線上にショート防止層8a,8bを形成する。ショー
ト防止層8a,8bは、上下基板間でのショートを防止
するための絶縁層であり、スパッタ、塗布・焼成等で有
機或いは無機の絶縁膜を基板全面に形成する。具体的に
は、Ti−Si、SiO2、TiO2、Ta2O5が用いら
れ、これらを単層でも、多層でも用いることができる。
例えば、Ta2O5をスパッタで500〜1200Å形成
した上に、Ti−Si等の塗布型絶縁膜材料の溶液を印
刷、焼成し、500〜1000Åの絶縁層を形成した多
層構成が好ましく用いられる。該ショート防止層8a,
8bは後述する封止領域の外側まで形成する。
【0034】工程−l(図15(e)及び図16
(c)) 素子駆動中の液晶分子の移動を防止するため、粗面形成
層9a,9bを形成し、後述する配向膜表面の粗面化を
図る。粗面形成層9a,9bは300〜700ÅのSi
O2ビーズをTi−Si=1:1の比率の絶縁膜溶液中
に5〜30重量%分散し、展色板を用いて印刷、焼成す
ることにより得られる。膜厚は100〜300Åが好ま
しく、封止領域の外側まで形成する。
(c)) 素子駆動中の液晶分子の移動を防止するため、粗面形成
層9a,9bを形成し、後述する配向膜表面の粗面化を
図る。粗面形成層9a,9bは300〜700ÅのSi
O2ビーズをTi−Si=1:1の比率の絶縁膜溶液中
に5〜30重量%分散し、展色板を用いて印刷、焼成す
ることにより得られる。膜厚は100〜300Åが好ま
しく、封止領域の外側まで形成する。
【0035】工程−m(図15(e)及び図16
(c)) 液晶分子の配向を制御するための配向膜10a,10b
を形成する。配向膜の材料としては、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド等から選択し、基
板全面に塗布或いは印刷し、200〜300℃で焼成
し、厚さ50〜100Åで封止領域の内側にのみ絶縁層
を形成する。かかる絶縁層は、封止領域内の全面、また
必要に応じ例えば表示領域に対応した領域に形成する。
該絶縁層(配向膜)表面に、起毛のラビング布を巻き付
けたローラーを押し当て、回転速度500〜2000r
pmで回転させながら、該絶縁層(配向膜)表面をラビ
ング処理し、配向膜10a,10bとする。ラビング布
の素材としては、綿等の天然繊維、アラミド、ナイロ
ン、レーヨン、テフロン、ポリプロピレン、アクリル等
の合成繊維から選択され、中でもアラミド繊維が好まし
く用いられる。尚、ラビング処理の際、絶縁層の例えば
枠部(外周)にマスクを設け、枠部を除いて絶縁層表面
をラビング処理することもできる。上記ローラーの回転
方向、送り速度はラビング処理の程度により適宜選択さ
れる。ラビング処理後、両基板を洗浄する。
(c)) 液晶分子の配向を制御するための配向膜10a,10b
を形成する。配向膜の材料としては、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド等から選択し、基
板全面に塗布或いは印刷し、200〜300℃で焼成
し、厚さ50〜100Åで封止領域の内側にのみ絶縁層
を形成する。かかる絶縁層は、封止領域内の全面、また
必要に応じ例えば表示領域に対応した領域に形成する。
該絶縁層(配向膜)表面に、起毛のラビング布を巻き付
けたローラーを押し当て、回転速度500〜2000r
pmで回転させながら、該絶縁層(配向膜)表面をラビ
ング処理し、配向膜10a,10bとする。ラビング布
の素材としては、綿等の天然繊維、アラミド、ナイロ
ン、レーヨン、テフロン、ポリプロピレン、アクリル等
の合成繊維から選択され、中でもアラミド繊維が好まし
く用いられる。尚、ラビング処理の際、絶縁層の例えば
枠部(外周)にマスクを設け、枠部を除いて絶縁層表面
をラビング処理することもできる。上記ローラーの回転
方向、送り速度はラビング処理の程度により適宜選択さ
れる。ラビング処理後、両基板を洗浄する。
【0036】工程−n(図13(a)) 一方の基板、好ましくは第1基板表面(配向膜の表面)
に接着ビーズ11を散布する。該接着ビーズ11は、常
温並びに素子の駆動条件下では粘着性を持たず、後述す
る基板の貼り合わせ時の熱処理等の種々の処理において
粘着性を呈する。接着ビーズ11は例えばエポキシ樹脂
やアクリル樹脂等、液晶に影響を与えない熱硬化性樹脂
等からなる接着剤で形成されている。接着ビーズ11の
直径は2〜10μmが好ましく、イソプロピルアルコー
ル等の溶媒に分散して、50〜130個/mm2程度に
散布する。また、接着ビーズ11は基板封止後両基板に
接着されてしまう。後述するように、第1基板と第2基
板で切断する位置をずらし、基板端部の端子を露出させ
る。接着ビーズ11が存在すると、切り離される部分が
接着ビーズ11を介してもう一方の基板に接着してしま
うため、該接着ビーズ11は切断で切り離される領域に
は無い方が好ましく、封止領域内に相当する領域にのみ
散布するのが好ましい。
に接着ビーズ11を散布する。該接着ビーズ11は、常
温並びに素子の駆動条件下では粘着性を持たず、後述す
る基板の貼り合わせ時の熱処理等の種々の処理において
粘着性を呈する。接着ビーズ11は例えばエポキシ樹脂
やアクリル樹脂等、液晶に影響を与えない熱硬化性樹脂
等からなる接着剤で形成されている。接着ビーズ11の
直径は2〜10μmが好ましく、イソプロピルアルコー
ル等の溶媒に分散して、50〜130個/mm2程度に
散布する。また、接着ビーズ11は基板封止後両基板に
接着されてしまう。後述するように、第1基板と第2基
板で切断する位置をずらし、基板端部の端子を露出させ
る。接着ビーズ11が存在すると、切り離される部分が
接着ビーズ11を介してもう一方の基板に接着してしま
うため、該接着ビーズ11は切断で切り離される領域に
は無い方が好ましく、封止領域内に相当する領域にのみ
散布するのが好ましい。
【0037】工程−o(図8) 他方の基板、好ましくは第2基板表面(例えば配向膜表
面)に、注入口を残して図8に示すシールパターンを封
止剤により描画する。図中21が封止剤で22が液晶注
入口、23は後述するダミー壁である。封止剤21とし
ては、例えば熱硬化性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材
料が用いられ、ディスペンサにより描画する。描画方法
はこれに限らず、スクリーン印刷等、封止剤の素材に応
じて適宜選択される。また、幅はセル厚や印刷時の厚み
を考慮して設定すれば良い。尚、ダミー壁23は図8に
示すような辺りに設けることには限定されず、使用する
液晶材料等の条件に応じて形成箇所を適宜変えることが
でき、例えば注入口22の対辺に形成してもよい。また
図8において、ダミー壁23は、表示領域外の非表示領
域にカラーフィルターを形成している場合、かかるフィ
ルターに対応する位置或いは、フィルターの形成領域外
の位置に設けることができる。この時、セルギャップの
観点でフィルター形成領域外にダミー壁を形成すること
が好ましい。
面)に、注入口を残して図8に示すシールパターンを封
止剤により描画する。図中21が封止剤で22が液晶注
入口、23は後述するダミー壁である。封止剤21とし
ては、例えば熱硬化性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材
料が用いられ、ディスペンサにより描画する。描画方法
はこれに限らず、スクリーン印刷等、封止剤の素材に応
じて適宜選択される。また、幅はセル厚や印刷時の厚み
を考慮して設定すれば良い。尚、ダミー壁23は図8に
示すような辺りに設けることには限定されず、使用する
液晶材料等の条件に応じて形成箇所を適宜変えることが
でき、例えば注入口22の対辺に形成してもよい。また
図8において、ダミー壁23は、表示領域外の非表示領
域にカラーフィルターを形成している場合、かかるフィ
ルターに対応する位置或いは、フィルターの形成領域外
の位置に設けることができる。この時、セルギャップの
観点でフィルター形成領域外にダミー壁を形成すること
が好ましい。
【0038】工程−p(図13(a)) 接着ビーズを散布した基板とは異なる基板、好ましく
は、封止剤を描画した基板表面にスペーサビーズ12を
散布する。スペーサビーズ12の直径は、セル厚より大
になるように選択されるが、0.6〜3.5μmの範囲
が好ましい。例えば、セル厚を1μmとする場合には、
1.2〜1.3μm程度の径のビーズを選択する。ビー
ズの素材としては、シリカビーズ、アルミナビーズが好
ましく用いられ、例えばエタノール等に分散して100
〜700個/mm2になるように基板全面に散布する。
かかる溶媒については、スペーサービーズの溶融性の小
さなものを選択して用いることが好ましい。本発明にお
いては、最終的に液晶層厚の設定よりも大きな径のビー
ズをスペーサとして用いることにより、該ビーズが半ば
基板表面に埋め込まれた様な状態で基板間に固定される
ため、封止後のビーズの移動が防止され、均一な液晶層
厚が保持される。
は、封止剤を描画した基板表面にスペーサビーズ12を
散布する。スペーサビーズ12の直径は、セル厚より大
になるように選択されるが、0.6〜3.5μmの範囲
が好ましい。例えば、セル厚を1μmとする場合には、
1.2〜1.3μm程度の径のビーズを選択する。ビー
ズの素材としては、シリカビーズ、アルミナビーズが好
ましく用いられ、例えばエタノール等に分散して100
〜700個/mm2になるように基板全面に散布する。
かかる溶媒については、スペーサービーズの溶融性の小
さなものを選択して用いることが好ましい。本発明にお
いては、最終的に液晶層厚の設定よりも大きな径のビー
ズをスペーサとして用いることにより、該ビーズが半ば
基板表面に埋め込まれた様な状態で基板間に固定される
ため、封止後のビーズの移動が防止され、均一な液晶層
厚が保持される。
【0039】尚、工程o及びpにおいて、封止剤の描画
は、可能な限り突起等の少ない平滑な面に対して施すこ
とが作業上及び精度の点で好ましく、ビーズの散布に先
行して行なうことが適切である。従って、工程o、pの
順で行なうことは重要である。
は、可能な限り突起等の少ない平滑な面に対して施すこ
とが作業上及び精度の点で好ましく、ビーズの散布に先
行して行なうことが適切である。従って、工程o、pの
順で行なうことは重要である。
【0040】また、工程nにおける接着ビーズは、前述
したように、例えば封止領域内に相当する特定の領域に
のみ散布することを考慮して、封止剤等が描画されてい
ない基板面に行なうことが好ましい。よって、一方の基
板に接着ビーズを散布し、他方の基板に封止剤の描画及
びスペーサビーズの散布を行なうことが好ましい。
したように、例えば封止領域内に相当する特定の領域に
のみ散布することを考慮して、封止剤等が描画されてい
ない基板面に行なうことが好ましい。よって、一方の基
板に接着ビーズを散布し、他方の基板に封止剤の描画及
びスペーサビーズの散布を行なうことが好ましい。
【0041】工程−q 図13に示すように、接着ビーズ11を散布した側の基
板を固定し、スペーサビーズ12を散布した側の基板を
配向膜10a,10bが内側になるように重ねて加圧し
ながら10〜120分間加熱し、接着ビーズ11及び封
止剤21を硬化させ、両基板を接着する。即ち、本発明
においては、接着ビーズ11とスペーサビーズ12を別
の基板に散布し、接着ビーズ11を散布した側の基板を
固定して貼り合わせるため、当該工程において接着ビー
ズ11が偏ったり、基板表面から脱着する心配がない。
また、スペーサビーズ12は接着ビーズ11に比べて直
径が非常に小さく、基板を裏返しても基板表面に付着し
ているため、スペーサビーズ12が偏ったり基板から脱
落することはない。本工程により、接着ビーズ11、ス
ペーサビーズ12のいずれもが均一に散布された状態で
基板が貼り合わされる。
板を固定し、スペーサビーズ12を散布した側の基板を
配向膜10a,10bが内側になるように重ねて加圧し
ながら10〜120分間加熱し、接着ビーズ11及び封
止剤21を硬化させ、両基板を接着する。即ち、本発明
においては、接着ビーズ11とスペーサビーズ12を別
の基板に散布し、接着ビーズ11を散布した側の基板を
固定して貼り合わせるため、当該工程において接着ビー
ズ11が偏ったり、基板表面から脱着する心配がない。
また、スペーサビーズ12は接着ビーズ11に比べて直
径が非常に小さく、基板を裏返しても基板表面に付着し
ているため、スペーサビーズ12が偏ったり基板から脱
落することはない。本工程により、接着ビーズ11、ス
ペーサビーズ12のいずれもが均一に散布された状態で
基板が貼り合わされる。
【0042】工程−r 実装端子部が露出するように、第1基板と第2基板とで
切断する位置をずらせてスクライブし、余分な基板を除
去する。また例えばスクライブ直前に、両基板において
注入口に相当する位置近傍にバーコードラベル等を貼付
し、基板の識別を行なうこともできる。
切断する位置をずらせてスクライブし、余分な基板を除
去する。また例えばスクライブ直前に、両基板において
注入口に相当する位置近傍にバーコードラベル等を貼付
し、基板の識別を行なうこともできる。
【0043】工程−s 上記工程で得られた液晶セルにカイラルスメクティック
液晶を注入する。先ず、液晶セルを真空装置内に入れ、
十分セル内が真空になった状態で、注入口に液晶を付着
させる。次にこの状態で徐々に圧力をかけ、なるべく等
速で液晶を液晶セル内に引き込ませる。
液晶を注入する。先ず、液晶セルを真空装置内に入れ、
十分セル内が真空になった状態で、注入口に液晶を付着
させる。次にこの状態で徐々に圧力をかけ、なるべく等
速で液晶を液晶セル内に引き込ませる。
【0044】本発明においては、液晶層13の厚さ
(T)よりも平坦化層4の厚さ(t)が厚いことによ
り、従来の平坦化層を持たない素子に比べて、液晶層の
空隙発生率が低く、液晶注入工程における歩留が向上す
る。また、本発明では、前述のように平坦化層4を封止
剤21の下側にまで形成しておくことにより、液晶の注
入が容易になり、更に製造歩留が向上する。更に、液晶
セル内には図11(b)にも示したように、ITOで堰
43が形成されており、図12(a)に矢印で示すよう
に、液晶が堰43に沿って外側に広がり、気泡の発生が
防止される。図12(b)は従来の液晶セルの液晶の流
れを示す。また、例え気泡が発生しても、封止剤21で
描画したダミー壁23と外側の封止剤21との間に気泡
が押し込まれるため、表示領域には気泡が存在せず、不
良品発生率を低く抑えることができる。
(T)よりも平坦化層4の厚さ(t)が厚いことによ
り、従来の平坦化層を持たない素子に比べて、液晶層の
空隙発生率が低く、液晶注入工程における歩留が向上す
る。また、本発明では、前述のように平坦化層4を封止
剤21の下側にまで形成しておくことにより、液晶の注
入が容易になり、更に製造歩留が向上する。更に、液晶
セル内には図11(b)にも示したように、ITOで堰
43が形成されており、図12(a)に矢印で示すよう
に、液晶が堰43に沿って外側に広がり、気泡の発生が
防止される。図12(b)は従来の液晶セルの液晶の流
れを示す。また、例え気泡が発生しても、封止剤21で
描画したダミー壁23と外側の封止剤21との間に気泡
が押し込まれるため、表示領域には気泡が存在せず、不
良品発生率を低く抑えることができる。
【0045】本発明において用いることのできる、カイ
ラルスメクティック相を呈する液晶としては、複数の液
晶性化合物及び少なくとも一種の光学活性化合物(カイ
ラルドーパント)を含有する液晶組成物が好ましく用い
られる。該液晶組成物を構成する好ましい液晶性化合物
としては、下記一般式1〜5の構造を有する液晶性化合
物等(光学活性化合物を包含する)を挙げることがで
き、これらを主な構成成分とし、適宜、各液晶性化合物
の配合比を変え、液晶組成物とすることができる。尚、
ここでいう液晶性化合物は、それ自体単独で液晶性を呈
するか否かは限定されず、液晶組成物中の液晶成分とし
て適切に機能するものであればよい。
ラルスメクティック相を呈する液晶としては、複数の液
晶性化合物及び少なくとも一種の光学活性化合物(カイ
ラルドーパント)を含有する液晶組成物が好ましく用い
られる。該液晶組成物を構成する好ましい液晶性化合物
としては、下記一般式1〜5の構造を有する液晶性化合
物等(光学活性化合物を包含する)を挙げることがで
き、これらを主な構成成分とし、適宜、各液晶性化合物
の配合比を変え、液晶組成物とすることができる。尚、
ここでいう液晶性化合物は、それ自体単独で液晶性を呈
するか否かは限定されず、液晶組成物中の液晶成分とし
て適切に機能するものであればよい。
【0046】
【化1】
【0047】p,qは、0、1、2、であって、p+q
は1又は2であり、R21、R22は、炭素原子数1〜18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基
中の1つ、もしくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原
子が隣接しない条件で−O−、−S−、−CO−、−C
HW−、−CH=CH−、−C≡C−によって置き換え
られていてもよく、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示
す。
は1又は2であり、R21、R22は、炭素原子数1〜18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基
中の1つ、もしくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原
子が隣接しない条件で−O−、−S−、−CO−、−C
HW−、−CH=CH−、−C≡C−によって置き換え
られていてもよく、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示
す。
【0048】また、R21、R22は光学活性であっても良
い。
い。
【0049】Y1は、水素又はフッ素を表わす。
【0050】
【化2】
【0051】Y1は、水素又はフッ素を表わし、R
23は、炭素原子数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基であり、R24は、水素原子、ハロゲン、CN基、又
は、炭素原子数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル
基であり、R23、R24の示す該アルキル基中の1つ、も
しくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣接しな
い条件で−O−、−S−、−CO−、−CHW−、−C
H=CH−、−C≡C−によって置き換えられていても
良く、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示す。また、R
23、R24は光学活性であっても良い。
23は、炭素原子数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基であり、R24は、水素原子、ハロゲン、CN基、又
は、炭素原子数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル
基であり、R23、R24の示す該アルキル基中の1つ、も
しくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣接しな
い条件で−O−、−S−、−CO−、−CHW−、−C
H=CH−、−C≡C−によって置き換えられていても
良く、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示す。また、R
23、R24は光学活性であっても良い。
【0052】
【化3】
【0053】R25、R26は、炭素原子数1〜18の直鎖
状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の1
つ、もしくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣
接しない条件で−O−、−S−、−CO−、−CHW
−、−CH=CH−、−C≡C−によって置き換えられ
ていても良く、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示す。
状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の1
つ、もしくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣
接しない条件で−O−、−S−、−CO−、−CHW
−、−CH=CH−、−C≡C−によって置き換えられ
ていても良く、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示す。
【0054】また、R25、R26は光学活性であっても良
い。
い。
【0055】
【化4】
【0056】R27、R28は、炭素原子数1〜18の直鎖
状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の1
つ、もしくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣
接しない条件で−O−、−S−、−CO−、−CHW
−、−CH=CH−、−C≡C−によって置き換えられ
ていても良く、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示す。
状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の1
つ、もしくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣
接しない条件で−O−、−S−、−CO−、−CHW
−、−CH=CH−、−C≡C−によって置き換えられ
ていても良く、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示す。
【0057】また、R27、R28は光学活性であっても良
い。
い。
【0058】
【化5】
【0059】R29、R30は、炭素原子数1〜18の直鎖
状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の1
つ、もしくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣
接しない条件で−O−、−S−、−CO−、−CHW
−、−CH=CH−、−C≡C−によって置き換えられ
ていても良く、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示す。
状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の1
つ、もしくは2つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣
接しない条件で−O−、−S−、−CO−、−CHW
−、−CH=CH−、−C≡C−によって置き換えられ
ていても良く、Wは、ハロゲン、CN、CF3を示す。
【0060】また、R29、R30は光学活性であっても良
い。
い。
【0061】一般式1〜4の化合物のより好まし化合物
例を下記に示す。
例を下記に示す。
【0062】一般式1の化合物のより好ましい化合物例
【0063】
【化6】
【0064】一般式2の化合物のより好ましい化合物例
【0065】
【化7】
【0066】一般式3の化合物のより好ましい化合物例
【0067】
【化8】
【0068】一般式4の化合物のより好ましい化合物例
【0069】
【化9】
【0070】Rは、水素原子、ハロゲン、CN基、又
は、炭素原子数1〜18の直鎖状又は分岐状又は環状の
アルキル基であり、該アルキル基中の1つ、もしくは2
つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣接しない条件で
−O−、−S−、−CO−、−CHW−、−CH=CH
−、−C≡C−によって置き換えられていても良く、W
は、ハロゲン、CN、CF3を示す。また、Rは光学活
性であっても良い。
は、炭素原子数1〜18の直鎖状又は分岐状又は環状の
アルキル基であり、該アルキル基中の1つ、もしくは2
つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣接しない条件で
−O−、−S−、−CO−、−CHW−、−CH=CH
−、−C≡C−によって置き換えられていても良く、W
は、ハロゲン、CN、CF3を示す。また、Rは光学活
性であっても良い。
【0071】Y1は、水素又はフッ素を表わす。
【0072】工程−t 液晶の注入が完了した液晶セルの注入口を常温硬化型の
エポキシ樹脂等で封止し、弱アルカリでパネルを洗浄す
る。
エポキシ樹脂等で封止し、弱アルカリでパネルを洗浄す
る。
【0073】上記のようにして作製された液晶セルの両
面に偏光板が貼り合わされ、実装される。
面に偏光板が貼り合わされ、実装される。
【0074】
【実施例】一方の基板と液晶間において平坦化層を有す
る図2に示す断面構造の液晶パネル(サンプル1:カラ
ー液晶パネル)と、当該平坦化層を持たない図14に示
す断面構造の液晶パネル(モノクロ液晶パネル)を夫々
前述したようなプロセス(工程a〜r)に準じて作製
し、これらサンプルについて、液晶注入後の低温条件下
における液晶表示状態、特に液晶内での空隙発生の有無
を評価した。尚、モノクロ液晶パネルについては、前述
したプロセスにおける第1基板において平坦化層より下
層を有さない基板と、第2基板を貼り合わせてパネル化
した。
る図2に示す断面構造の液晶パネル(サンプル1:カラ
ー液晶パネル)と、当該平坦化層を持たない図14に示
す断面構造の液晶パネル(モノクロ液晶パネル)を夫々
前述したようなプロセス(工程a〜r)に準じて作製
し、これらサンプルについて、液晶注入後の低温条件下
における液晶表示状態、特に液晶内での空隙発生の有無
を評価した。尚、モノクロ液晶パネルについては、前述
したプロセスにおける第1基板において平坦化層より下
層を有さない基板と、第2基板を貼り合わせてパネル化
した。
【0075】(サンプル1) 第1基板側:青板ガラス上に平坦化層を(シロキサン材
料,厚さ1.5μm,鉛筆硬度4H、夫々約1.5μm
のR,G,Bのカラーフィルター膜パターンを被膜)形
成した。該平坦化層上にバリア層を介して厚さ約700
ÅのITO膜パターン(補助電極付)を形成した後、I
TO膜上にショート防止膜、粗面形成層及び配向膜の積
層構造になる絶縁層2000Åを形成した。
料,厚さ1.5μm,鉛筆硬度4H、夫々約1.5μm
のR,G,Bのカラーフィルター膜パターンを被膜)形
成した。該平坦化層上にバリア層を介して厚さ約700
ÅのITO膜パターン(補助電極付)を形成した後、I
TO膜上にショート防止膜、粗面形成層及び配向膜の積
層構造になる絶縁層2000Åを形成した。
【0076】第2基板側:青板ガラス上に厚さ約700
ÅのITO膜パターン(補助電極付)を形成した後、I
TO膜上にショート防止膜、粗面形成層及び配向膜の積
層構造になる絶縁層2000Åを形成した。
ÅのITO膜パターン(補助電極付)を形成した後、I
TO膜上にショート防止膜、粗面形成層及び配向膜の積
層構造になる絶縁層2000Åを形成した。
【0077】一方の基板に接着ビーズを散布し、他方の
基板にスペーサビーズを散布し、更に封止剤パターンを
印刷し、これら基板を貼り合わせて空セルを形成した。
基板にスペーサビーズを散布し、更に封止剤パターンを
印刷し、これら基板を貼り合わせて空セルを形成した。
【0078】(サンプル2)サンプル1における第2基
板と同様に、青板ガラス上に厚さ約700ÅのITO膜
パターン(補助電極付)を形成した後、ITO膜上にシ
ョート防止膜、粗面形成層及び配向膜の積層構造になる
絶縁層2000Åを形成した。かかる基板を2枚作製
し、これらの一方に、接着ビーズを散布し、第2基板に
スペーサビーズを散布し、また封止剤パターンを印刷
し、これら基板を貼り合わせて空セルを形成した。
板と同様に、青板ガラス上に厚さ約700ÅのITO膜
パターン(補助電極付)を形成した後、ITO膜上にシ
ョート防止膜、粗面形成層及び配向膜の積層構造になる
絶縁層2000Åを形成した。かかる基板を2枚作製
し、これらの一方に、接着ビーズを散布し、第2基板に
スペーサビーズを散布し、また封止剤パターンを印刷
し、これら基板を貼り合わせて空セルを形成した。
【0079】これらサンプル1及び2の空セルに前述し
たようなプロセス(工程s)に準じて等速で液晶注入を
行なった。液晶材料としては、下記の相転移系列を有す
る混合液晶を用いた。
たようなプロセス(工程s)に準じて等速で液晶注入を
行なった。液晶材料としては、下記の相転移系列を有す
る混合液晶を用いた。
【0080】
【数1】
【0081】尚、組成物の相転移温度は、パーキンエル
マー社製のDSC7、及び、ガラスηに配向膜を塗布
し、ラビング処理された液晶セルに注入し、メトラー社
製サーモシステムFP−80/FP−82のホトステー
ジ中で温度制御しながら、偏光顕微鏡で観察することで
決定した。
マー社製のDSC7、及び、ガラスηに配向膜を塗布
し、ラビング処理された液晶セルに注入し、メトラー社
製サーモシステムFP−80/FP−82のホトステー
ジ中で温度制御しながら、偏光顕微鏡で観察することで
決定した。
【0082】液晶パネルの評価は次のように行なった。
即ち、液晶注入後パネルを25℃に保持し、1時間かけ
て所定温度にまで降温せしめ、液晶での空隙発生状況を
評価した(10個試験して、空隙の発生したサンプル数
で評価した)。
即ち、液晶注入後パネルを25℃に保持し、1時間かけ
て所定温度にまで降温せしめ、液晶での空隙発生状況を
評価した(10個試験して、空隙の発生したサンプル数
で評価した)。
【0083】結果を以下に示す。
【0084】
【表1】
【0085】上表の結果より、セルギャップより大きな
厚みの平坦化層を有する液晶パネルでは、液晶注入後の
特に低温条件下の保存においても空隙発生等の欠陥がよ
り低減されていることが認められる。
厚みの平坦化層を有する液晶パネルでは、液晶注入後の
特に低温条件下の保存においても空隙発生等の欠陥がよ
り低減されていることが認められる。
【0086】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、液晶層厚よりも大きい直径のスペーサビーズを用い
るため、また、該スペーサビーズと接着ビーズが均一に
散布された状態で基板が貼り合わされるため、液晶層厚
が全面に亙って均一で、且つ均一な耐衝撃性を有する。
従って、良好な表示特性が得られた上で、外部からの衝
撃にも耐える、耐久性の高い液晶素子が得られる。また
本発明では、セル厚よりも大きい厚みの平坦化層を有し
ているため、液晶注入時の不良品の発生が低く抑えら
れ、また上記平坦化層を封止剤の下側にまで形成するこ
とにより更に液晶の注入が容易になり、製造歩留が向上
する。
は、液晶層厚よりも大きい直径のスペーサビーズを用い
るため、また、該スペーサビーズと接着ビーズが均一に
散布された状態で基板が貼り合わされるため、液晶層厚
が全面に亙って均一で、且つ均一な耐衝撃性を有する。
従って、良好な表示特性が得られた上で、外部からの衝
撃にも耐える、耐久性の高い液晶素子が得られる。また
本発明では、セル厚よりも大きい厚みの平坦化層を有し
ているため、液晶注入時の不良品の発生が低く抑えら
れ、また上記平坦化層を封止剤の下側にまで形成するこ
とにより更に液晶の注入が容易になり、製造歩留が向上
する。
【図1】本発明の液晶素子の一例を示す概略平面図であ
る。
る。
【図2】図1の液晶素子のA−A’断面図である。
【図3】図1の液晶素子のB−B’断面図である。
【図4】本発明の液晶素子のカラーフィルターと遮光層
を示す図である。
を示す図である。
【図5】本発明の液晶素子の第1基板側の補助電極を示
す図である。
す図である。
【図6】本発明の液晶素子の第2基板側の透明電極を示
す図である。
す図である。
【図7】本発明の液晶素子の第2基板側の補助電極を示
す図である。
す図である。
【図8】本発明の液晶素子のシールパターンを示す図で
ある。
ある。
【図9】本発明の液晶素子の第2基板側のショート検査
用パッド部を示す図である。
用パッド部を示す図である。
【図10】本発明の液晶素子の第1基板側のショート検
査用パッド部を示す図である。
査用パッド部を示す図である。
【図11】本発明の液晶素子の第2基板に設けたダミー
配線及び堰を示す図である。
配線及び堰を示す図である。
【図12】本発明の液晶素子と従来の液晶素子の液晶注
入時の液晶の流れを示す図である。
入時の液晶の流れを示す図である。
【図13】本発明の製造方法における、基板貼り合わせ
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図14】二値表示の強誘電性液晶素子の断面図を示す
図である。
図である。
【図15】本発明の液晶素子の第1基板の製造工程を示
す図である。
す図である。
【図16】本発明の液晶素子の第2基板の製造工程を示
す図である。
す図である。
1a,1b 絶縁性基板 2 アンダーコート層 3 カラーフィルター 4 平坦化層 5 バリア層 6a,6b 透明電極 7a,7b 補助電極 8a,8b ショート防止層 9a,9b 粗面形成層 10a,10b 配向層 11 接着ビーズ 12 スペーサビーズ 13 液晶層 14 遮光層 21 封止剤 22 注入口 23 ダミー壁 31,32 駆動電極 33 パッド部 41 配線 42,43 堰
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02F 1/1339 500 G02F 1/1339 500
Claims (26)
- 【請求項1】 一方の基板にカラーフィルター及び平坦
化層を有する一対の電極基板をスペーサビーズを介して
対向配置し、該基板間間隙にカイラルスメクティック液
晶を挟持してなる液晶素子であって、上記液晶層厚がス
ペーサビーズの直径よりも小さく、同時にカラーフィル
ター上に設けた平坦化層の最大厚よりも小さいことを特
徴とする液晶素子。 - 【請求項2】 平坦化層の硬度が、7H以下である請求
項1の液晶素子。 - 【請求項3】 平坦化層が両基板を封止している封止剤
の下側にまで存在する請求項1又は2の液晶素子。 - 【請求項4】 第1の絶縁性基板上に、遮光層、複数色
のカラーフィルター、平坦化層、バリア層、透明電極、
補助電極、ショート防止層、粗面形成層、絶縁層を順に
形成する工程と、第2の絶縁性基板上に、透明電極、補
助電極、ショート防止層、粗面形成層、絶縁層を順に形
成する工程、両基板表面の絶縁層をラビング処理して配
向膜を形成する工程、第1或いは第2の基板の配向膜表
面に接着性ビーズを散布する工程、第2或いは第1の基
板の配向膜表面に封止剤でシールパターンを描画する工
程、該封止剤を描画した基板にスペーサビーズを散布す
る工程、接着性ビーズを散布した側の基板を固定して、
他方の基板と貼り合わせる工程、所望の形状に基板を切
断する工程、基板間間隙にカイラルスメクティック液晶
を注入する工程、液晶注入口を封止する工程、とを有す
ることを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項5】 第1及び第2の絶縁性基板として、ガラ
ス表面に厚さ200〜1000ÅのSiO2層を形成し
てなる基板を用いる請求項4の液晶素子の製造方法。 - 【請求項6】 第1の絶縁性基板上に形成する遮光層
が、厚さ500〜1500ÅのMo−Taからなるブラ
ックストライプである請求項4〜6いずれかの液晶素子
の製造方法。 - 【請求項7】 第1の絶縁性基板上に形成されるカラー
フィルターが、所望の色の顔料が分散された感光性樹
脂、及び顔料を含まない感光性樹脂からなる厚さ1.0
〜2.0μmの樹脂層である請求項4〜6の液晶素子の
製造方法。 - 【請求項8】 感光性樹脂がポリアミドである請求項7
の液晶素子の製造方法。 - 【請求項9】 第1の絶縁性基板上に形成される平坦化
層が、最大厚1.5〜5μmの有機シラン系樹脂層であ
る請求項4〜8いずれかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項10】 第1の絶縁性基板上に形成されるバリ
ア層が、厚さ100〜1000ÅのSiO2層である請
求項4〜9いずれかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項11】 第1及び第2の絶縁性基板上に形成さ
れる透明電極が、厚さ300〜3000ÅのITO層で
ある請求項4〜10いずれかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項12】 第1及び第2の絶縁性基板上に形成さ
れる補助電極が、厚さ500〜2500ÅのMo−Ta
/Al/Mo−Taの金属積層膜である請求項4〜11
いずれかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項13】 第1及び第2の絶縁性基板上に形成さ
れるショート防止層が、厚さ500〜1200ÅTa2
O5層に厚さ500〜1000ÅのTi−Si層を積層
した構成である請求項4〜12いずれかの液晶素子の製
造方法。 - 【請求項14】 粗面形成層が、直径300〜700Å
のSiO2ビーズを分散した厚さ100〜300ÅのT
i−Si層である請求項4〜13いずれかの液晶素子の
製造方法。 - 【請求項15】 第1及び第2の絶縁性基板上に形成さ
れる絶縁膜が、厚さ50〜1000Åのポリイミド膜で
ある請求項4〜14いずれかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項16】 絶縁膜をラビング処理する工程におい
て、アラミド繊維からなる起毛のラビング布を巻き付け
たローラーで、該絶縁膜表面をラビングする請求項4〜
15いずれかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項17】 接着ビーズを散布する工程において、
熱硬化性樹脂からなる直径1〜10μmの接着ビーズを
溶媒に分散し、シール内のみに50〜130個/mm2
になるように散布する請求項4〜16いずれかの液晶素
子の製造方法。 - 【請求項18】 熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂或いはア
クリル樹脂である請求項17の液晶素子の製造方法。 - 【請求項19】 封止剤が熱硬化性樹脂である請求項4
〜18いずれかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項20】 熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である請
求項19の液晶素子の製造方法。 - 【請求項21】 スペーサビーズの分散工程において、
該ビーズをエタノールに分散して100〜700個/m
m2になるように散布する請求項4〜20いずれかの液
晶素子の製造方法。 - 【請求項22】 スペーサビーズが直径0.6〜3.5
μmのSiO2のビーズである請求項21の液晶素子の
製造方法。 - 【請求項23】 第1の基板側に接着ビーズを、第2の
基板側にスペーサビーズを散布する請求項4〜22いず
れかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項24】 セル厚が0.5〜3μmになるよう
に、第1と第2の基板を重ねて加圧し、封止剤を硬化さ
せる請求項4〜24いずれかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項25】 基板を切断する工程において、第1と
第2の基板とで切断する位置が異なる請求項4〜24い
ずれかの液晶素子の製造方法。 - 【請求項26】 液晶注入口を封止する工程において、
常温硬化型のエポキシ樹脂で該注入口を封止する請求項
4〜25いずれかの液晶素子の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7127505A JPH08304841A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 液晶素子及びその製造方法 |
US08/638,219 US6144435A (en) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus |
EP96106665A EP0740184A3 (en) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus |
US09/613,625 US6335777B1 (en) | 1995-04-28 | 2000-07-11 | LCD having particular align direction with respect to a light-interrupting layer |
US09/895,183 US20010055084A1 (en) | 1995-04-28 | 2001-07-02 | Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7127505A JPH08304841A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 液晶素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08304841A true JPH08304841A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14961654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7127505A Pending JPH08304841A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 液晶素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08304841A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7145628B2 (en) | 2000-05-15 | 2006-12-05 | Nec Lcd Techologies, Ltd. | Method for fabricating a liquid crystal panel comprising spacers having an initial size larger than an appropriate cell gap |
JP2009192685A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | カラーフィルタ基板、液晶表示装置及び表示装置 |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP7127505A patent/JPH08304841A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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