JPH08290517A - プラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法 - Google Patents
プラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法Info
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- JPH08290517A JPH08290517A JP7130941A JP13094195A JPH08290517A JP H08290517 A JPH08290517 A JP H08290517A JP 7130941 A JP7130941 A JP 7130941A JP 13094195 A JP13094195 A JP 13094195A JP H08290517 A JPH08290517 A JP H08290517A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガスバリヤ性の優れた包装材料を製造する方
法を提供する。 【構成】 珪素酸化物薄膜の製膜温度よりＴ．Ｇ．が高
いプラスチックスシートからなる包装材料の一面に対向
して被覆面との距離が１０ｍｍ以下でほぼ一定である高
周波電極を設置し、またシートの他の面に対向して被覆
面との距離が高周波電極と被覆面の距離より大きくほぼ
一定であるアース電極をシートを介して高周波電極に対
向して配置して、ＣＶＤ法により生成した珪素酸化物の
プラズマをシートと電極の間に導入して放電ガス圧０．
０００５〜０．０５ｔｏｒｒでシート表面に均一の膜厚
に付着させることを特徴とするプラスチックスシートか
らなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を
被覆する方法である。
法を提供する。 【構成】 珪素酸化物薄膜の製膜温度よりＴ．Ｇ．が高
いプラスチックスシートからなる包装材料の一面に対向
して被覆面との距離が１０ｍｍ以下でほぼ一定である高
周波電極を設置し、またシートの他の面に対向して被覆
面との距離が高周波電極と被覆面の距離より大きくほぼ
一定であるアース電極をシートを介して高周波電極に対
向して配置して、ＣＶＤ法により生成した珪素酸化物の
プラズマをシートと電極の間に導入して放電ガス圧０．
０００５〜０．０５ｔｏｒｒでシート表面に均一の膜厚
に付着させることを特徴とするプラスチックスシートか
らなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を
被覆する方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラスチックスシートか
らなる包装材料にガス遮断性に優れた透明な珪素化合物
の薄膜を被覆する方法に関する。
らなる包装材料にガス遮断性に優れた透明な珪素化合物
の薄膜を被覆する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】包装材は内容物の保護と保存のためガス
の透過を防ぐ必要があり、従来種々の試みがなされてい
る。例えば、珪素酸化物やアルミニウム酸化物等の無機
の被覆層を設けたり、ポリ塩化ビニリデン等のガス遮断
性樹脂層を積層したり、アルミ箔の金属フイルムを積層
することが試みられて来た。この他特開平３−１８３７
５９号公報にはプラスチックスフイルムにそのプラスチ
ックスと同じ合成樹脂を真空蒸着や、スパッタリングに
よって薄膜状で被覆して有機物層を形成し、その上に無
機物を蒸着して有機物と無機物の混合層を形成し、さら
にその上に無機物層を形成した積層フイルムが示されて
いる。このプラスチックスは、被覆層の無機物とは全く
異なる物質であって親和性が乏しいためプラスチックス
に同じ合成樹脂を薄膜状に被覆し、無機被覆の定着性を
良くするために中間に合成樹脂と無機物のブレンド層を
形成したものであるが、ブレンド層の表面は無機物のみ
の面ではなく合成樹脂の面も存在するので無機物層の定
着性は期待した程には向上しない。さらに合成樹脂は蒸
着すると分子量が低下するのでその上に形成した無機薄
膜はガス遮断性に優れた膜を形成しない。本発明者は先
に特開平５−３４５３８３号発明と特願平５−２２４９
０３号発明を出願した。これ等の発明は従来の包装材と
は全く異なる画期的な発明であり、従来の包装材の欠点
は解決された。しかしながら、超精密な均一の膜厚のガ
ス透過量を０．１ｇ／ｍ２ｄａｙの高ガス遮断性被膜を
形成することにはやや不充分な点があった。そして特殊
な用途、例えば特殊な薬品等の包装には超精密な膜厚で
高ガス遮断性が要求される。
の透過を防ぐ必要があり、従来種々の試みがなされてい
る。例えば、珪素酸化物やアルミニウム酸化物等の無機
の被覆層を設けたり、ポリ塩化ビニリデン等のガス遮断
性樹脂層を積層したり、アルミ箔の金属フイルムを積層
することが試みられて来た。この他特開平３−１８３７
５９号公報にはプラスチックスフイルムにそのプラスチ
ックスと同じ合成樹脂を真空蒸着や、スパッタリングに
よって薄膜状で被覆して有機物層を形成し、その上に無
機物を蒸着して有機物と無機物の混合層を形成し、さら
にその上に無機物層を形成した積層フイルムが示されて
いる。このプラスチックスは、被覆層の無機物とは全く
異なる物質であって親和性が乏しいためプラスチックス
に同じ合成樹脂を薄膜状に被覆し、無機被覆の定着性を
良くするために中間に合成樹脂と無機物のブレンド層を
形成したものであるが、ブレンド層の表面は無機物のみ
の面ではなく合成樹脂の面も存在するので無機物層の定
着性は期待した程には向上しない。さらに合成樹脂は蒸
着すると分子量が低下するのでその上に形成した無機薄
膜はガス遮断性に優れた膜を形成しない。本発明者は先
に特開平５−３４５３８３号発明と特願平５−２２４９
０３号発明を出願した。これ等の発明は従来の包装材と
は全く異なる画期的な発明であり、従来の包装材の欠点
は解決された。しかしながら、超精密な均一の膜厚のガ
ス透過量を０．１ｇ／ｍ２ｄａｙの高ガス遮断性被膜を
形成することにはやや不充分な点があった。そして特殊
な用途、例えば特殊な薬品等の包装には超精密な膜厚で
高ガス遮断性が要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はプラスチック
スシート形状の包装材料に、超緻密な無機膜を被覆し、
高いガス遮断性の性能を付与するものである。
スシート形状の包装材料に、超緻密な無機膜を被覆し、
高いガス遮断性の性能を付与するものである。
【０００４】
【課題を解決した手段】本発明は、 「１． 珪素酸化物薄膜の製膜温度よりＴ．Ｇ．が高い
プラスチックスシートからなる包装材料の一面に対向し
て被覆面との距離が１０ｍｍ以下でほぼ一定である高周
波電極を設置し、またシートの他の面に対向して被覆面
との距離が高周波電極と被覆面の距離より大きくほぼ一
定であるアース電極をシートを介して高周波電極に対向
して配置して、ＣＶＤ法により生成した珪素酸化物のプ
ラズマをシートと電極の間に導入して放電ガス圧０．０
００５〜０．０５ｔｏｒｒでシート表面に均一の膜厚に
付着させることを特徴とするプラスチックスシートから
なる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被
覆する方法。 ２． 高周波電極が平滑な平面状の外面を有する１ケの
電極である、１項に記載されたプラスチックスシートか
らなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を
被覆する方法。 ３． アース電極が平滑な平面状の外面を有する１ケの
電極である、１項または２項に記載されたプラスチック
スシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸
化物薄膜を被覆する方法。 ４． プラスチックスシートからなる包装材料に形成し
た珪素酸化物薄膜が屈折率１．４〜１．５で膜厚が３０
０〜２０００Åである、１項ないし３項のいずれか１項
に記載されたプラスチックスシートからなる包装材料に
ガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。 ５． 珪素酸化物薄膜の製膜温度よりＴ．Ｇ．が高いプ
ラスチックスシートからなる包装材料の一面に対向して
被覆面との距離が１０ｍｍ以下でほぼ一定である高周波
電極を設置し、またシートの他の面に対向して被覆面と
の距離が高周波電極と被覆面の距離より大きくほぼ一定
であるアース電極をシートを介して高周波電極に対向し
て配置して、低温プラズマ法により少くとも珪素、酸
素、炭素からなる有機シリコン化合物をプラズマとな
し、該プラズマをシートと電極の間に供給し、ガス圧３
×１０−３〜３×１０−２ｔｏｒｒで重合してシートの
表面に珪素化合物薄膜を形成し、ついでＣＶＤ法により
生成した珪素酸化物のプラズマをシートと電極の間に導
入して放電ガス圧０．０００５〜０．０５ｔｏｏｒで珪
素化合物重合体薄膜上に珪素酸化物の被膜を形成するこ
とを特徴とするプラスチックスシートからなる包装材料
にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。 ６． 高周波電極が平滑な平面状の外面を有する１ケの
電極である、５項に記載されたプラスチックスシートか
らなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を
被覆する方法。 ７． アース電極が平滑な平面状の外面を有する１ケの
電極である、１項または６項に記載されたプラスチック
スシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸
化物薄膜を被覆する方法。 ８． 珪素化合物重合体被膜が、屈折率２．０〜２．３
で膜厚が０．００５μｍ〜０．０５μｍであり、珪素酸
化物被膜が屈折率１．４〜１．５で膜厚が３００〜２０
００Åである、５項ないし７項のいずれか１項に記載さ
れたプラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断
性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。」に関す
る。
プラスチックスシートからなる包装材料の一面に対向し
て被覆面との距離が１０ｍｍ以下でほぼ一定である高周
波電極を設置し、またシートの他の面に対向して被覆面
との距離が高周波電極と被覆面の距離より大きくほぼ一
定であるアース電極をシートを介して高周波電極に対向
して配置して、ＣＶＤ法により生成した珪素酸化物のプ
ラズマをシートと電極の間に導入して放電ガス圧０．０
００５〜０．０５ｔｏｒｒでシート表面に均一の膜厚に
付着させることを特徴とするプラスチックスシートから
なる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被
覆する方法。 ２． 高周波電極が平滑な平面状の外面を有する１ケの
電極である、１項に記載されたプラスチックスシートか
らなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を
被覆する方法。 ３． アース電極が平滑な平面状の外面を有する１ケの
電極である、１項または２項に記載されたプラスチック
スシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸
化物薄膜を被覆する方法。 ４． プラスチックスシートからなる包装材料に形成し
た珪素酸化物薄膜が屈折率１．４〜１．５で膜厚が３０
０〜２０００Åである、１項ないし３項のいずれか１項
に記載されたプラスチックスシートからなる包装材料に
ガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。 ５． 珪素酸化物薄膜の製膜温度よりＴ．Ｇ．が高いプ
ラスチックスシートからなる包装材料の一面に対向して
被覆面との距離が１０ｍｍ以下でほぼ一定である高周波
電極を設置し、またシートの他の面に対向して被覆面と
の距離が高周波電極と被覆面の距離より大きくほぼ一定
であるアース電極をシートを介して高周波電極に対向し
て配置して、低温プラズマ法により少くとも珪素、酸
素、炭素からなる有機シリコン化合物をプラズマとな
し、該プラズマをシートと電極の間に供給し、ガス圧３
×１０−３〜３×１０−２ｔｏｒｒで重合してシートの
表面に珪素化合物薄膜を形成し、ついでＣＶＤ法により
生成した珪素酸化物のプラズマをシートと電極の間に導
入して放電ガス圧０．０００５〜０．０５ｔｏｏｒで珪
素化合物重合体薄膜上に珪素酸化物の被膜を形成するこ
とを特徴とするプラスチックスシートからなる包装材料
にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。 ６． 高周波電極が平滑な平面状の外面を有する１ケの
電極である、５項に記載されたプラスチックスシートか
らなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を
被覆する方法。 ７． アース電極が平滑な平面状の外面を有する１ケの
電極である、１項または６項に記載されたプラスチック
スシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸
化物薄膜を被覆する方法。 ８． 珪素化合物重合体被膜が、屈折率２．０〜２．３
で膜厚が０．００５μｍ〜０．０５μｍであり、珪素酸
化物被膜が屈折率１．４〜１．５で膜厚が３００〜２０
００Åである、５項ないし７項のいずれか１項に記載さ
れたプラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断
性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。」に関す
る。
【０００５】
【作用】本発明の特殊の作用を奏する第１の特徴は、シ
ート状包装材料の一面に対向して被覆面との距離が１０
ｍｍ以下でほぼ一定である高周波電極を設置し、またシ
ートの他の面にはシートの被覆面と電極表面の距離が高
周波電極と被覆面の距離より大きくほぼ一定であるアー
ス電極をシートを介して高周波電極と対向して配置した
ことである。電極とシート表面の距離を一定に保つのは
電界強度分布を一定とするためである。高周波電極とシ
ート被覆面との距離は１０ｍｍ以下でなければならな
い。１０ｍｍ以上となると電界強度が弱く、緻密な膜が
形成されないなどの問題が生ずるからである。
ート状包装材料の一面に対向して被覆面との距離が１０
ｍｍ以下でほぼ一定である高周波電極を設置し、またシ
ートの他の面にはシートの被覆面と電極表面の距離が高
周波電極と被覆面の距離より大きくほぼ一定であるアー
ス電極をシートを介して高周波電極と対向して配置した
ことである。電極とシート表面の距離を一定に保つのは
電界強度分布を一定とするためである。高周波電極とシ
ート被覆面との距離は１０ｍｍ以下でなければならな
い。１０ｍｍ以上となると電界強度が弱く、緻密な膜が
形成されないなどの問題が生ずるからである。
【０００６】本発明の第２の特徴は、一ケの高周波電極
と一ケのアース電極をシートを介して対向して配置する
ことである。このような一対の電極を併用することによ
り電界の強度分布は精密に一定となり形成される被膜の
厚さは均一となり、さらに膜質は緻密で均質となる。
と一ケのアース電極をシートを介して対向して配置する
ことである。このような一対の電極を併用することによ
り電界の強度分布は精密に一定となり形成される被膜の
厚さは均一となり、さらに膜質は緻密で均質となる。
【０００７】本発明の第３の特徴は、ＣＶＤ法を用い珪
素酸化物のプラズマを生成させて放電ガス圧を０．００
０５〜０．０５ｔｏｒｒで容器内表面に被覆を行なうこ
とである。ガス圧がこの範囲内でないと緻密な膜が形成
されないなどの問題が生ずるからである。
素酸化物のプラズマを生成させて放電ガス圧を０．００
０５〜０．０５ｔｏｒｒで容器内表面に被覆を行なうこ
とである。ガス圧がこの範囲内でないと緻密な膜が形成
されないなどの問題が生ずるからである。
【０００８】本発明の第４の特徴は被覆を行うプラスチ
ックスシートとして珪素酸化物薄膜の製膜温度よりＴ．
Ｇ．が高いプラスチックス材料で形成したシートを使用
することである。超精密な薄膜を形成するためには製膜
時にはシートの変形を避けなければならないからであ
る。このような第１の特徴〜第４の特徴が組合されて、
珪素酸化物のプラズマは電極とシートの間に導入され
る。この間の電界強度分布が一定であるのでプラズマ濃
度が一定となり珪素酸化物は緻密な、均一な厚みでシー
ト上に析出し被覆される。
ックスシートとして珪素酸化物薄膜の製膜温度よりＴ．
Ｇ．が高いプラスチックス材料で形成したシートを使用
することである。超精密な薄膜を形成するためには製膜
時にはシートの変形を避けなければならないからであ
る。このような第１の特徴〜第４の特徴が組合されて、
珪素酸化物のプラズマは電極とシートの間に導入され
る。この間の電界強度分布が一定であるのでプラズマ濃
度が一定となり珪素酸化物は緻密な、均一な厚みでシー
ト上に析出し被覆される。
【０００９】こうして緻密で一定の厚みの珪素酸化物被
膜が形成されるのである。高周波電極もアース電極も夫
々１ケでなければならず、電極を複数個使用することは
避けなければならない。アース電極の外面が平滑で平面
状であると均一な厚みの被覆が行えるので好ましい。複
数個の電極を用いると、ＣＶＤ法を用いても緻密で、均
一な被膜は形成できない。何故緻密で、均一な被膜が形
成されないのか本発明者は種々研究した。例えば図３に
示すように複数の電極をシートの表面に配置し、ＣＶＤ
法により珪素酸化物を被覆したところ被膜の厚さはシー
トを一定速度で、搬送することによって均一になった
が、ガス遮断性に優れた膜は形成されなかった。
膜が形成されるのである。高周波電極もアース電極も夫
々１ケでなければならず、電極を複数個使用することは
避けなければならない。アース電極の外面が平滑で平面
状であると均一な厚みの被覆が行えるので好ましい。複
数個の電極を用いると、ＣＶＤ法を用いても緻密で、均
一な被膜は形成できない。何故緻密で、均一な被膜が形
成されないのか本発明者は種々研究した。例えば図３に
示すように複数の電極をシートの表面に配置し、ＣＶＤ
法により珪素酸化物を被覆したところ被膜の厚さはシー
トを一定速度で、搬送することによって均一になった
が、ガス遮断性に優れた膜は形成されなかった。
【００１０】本発明者は複数本の電極を用いたため、夫
々の電極の有する電界強度分布が互いに干渉して影響
し、電界強度及びプラズマの濃度が変化するため、シー
トを固定した場合、膜のガス遮断性が向上せずまた膜厚
も均一にならない。シートを搬送した場合、膜厚は均一
になるが、膜のバリヤー性は向上しないと考えている。
本発明はＣＶＤ法を用いるが、高周波、交流そして直流
を用いたＣＶＤ法等が使用される。
々の電極の有する電界強度分布が互いに干渉して影響
し、電界強度及びプラズマの濃度が変化するため、シー
トを固定した場合、膜のガス遮断性が向上せずまた膜厚
も均一にならない。シートを搬送した場合、膜厚は均一
になるが、膜のバリヤー性は向上しないと考えている。
本発明はＣＶＤ法を用いるが、高周波、交流そして直流
を用いたＣＶＤ法等が使用される。
【００１１】本発明により形成される珪素酸化物被膜は
屈折率が１．４〜１．５で膜厚が３００〜２０００Åで
ある。膜厚が３００Å以下では連続膜が得られず、ガス
遮断性が向上せず、また２０００Å以上被覆してもあま
りガス遮断性の向上がみられず、逆に膜が内部応力によ
って破壊するなどの問題が生ずる。本発明でＣＶＤ法で
珪素酸化物プラズマを形成するために使用する材料は、
ＳｉＨ４とＮＯｘガスや酸素ガスまたＴＥＯＳ（テトラ
エトキシシラン）及びＨＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキ
サン）等有機珪素化合物とＮＯｘや酸素ガスまたプラズ
マ補助ガスとしてＨｅ、Ａｒ等も使用される。このよう
にして形成された珪素酸化物被膜は優れたガス遮断効果
を奏し、通常の用途には非常に優れたシート状包装材料
となる。
屈折率が１．４〜１．５で膜厚が３００〜２０００Åで
ある。膜厚が３００Å以下では連続膜が得られず、ガス
遮断性が向上せず、また２０００Å以上被覆してもあま
りガス遮断性の向上がみられず、逆に膜が内部応力によ
って破壊するなどの問題が生ずる。本発明でＣＶＤ法で
珪素酸化物プラズマを形成するために使用する材料は、
ＳｉＨ４とＮＯｘガスや酸素ガスまたＴＥＯＳ（テトラ
エトキシシラン）及びＨＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキ
サン）等有機珪素化合物とＮＯｘや酸素ガスまたプラズ
マ補助ガスとしてＨｅ、Ａｒ等も使用される。このよう
にして形成された珪素酸化物被膜は優れたガス遮断効果
を奏し、通常の用途には非常に優れたシート状包装材料
となる。
【００１２】本発明はまた、珪素酸化物薄膜の製膜温度
よりＴ．Ｇ．が高いプラスチックスシートからなる包装
材料の一面に対向して被覆面との距離が１０ｍｍ以下で
ほぼ一定である高周波電極を設置し、またシートの他の
面に対向して被覆面との距離が高周波電極と被覆面の距
離より大きくほぼ一定であるアース電極をシートを介し
て高周波電極に対向して配置して、低温プラズマ法によ
り少くとも珪素、酸素、炭素からなる有機シリコン化合
物をプラズマとなし、該プラズマをシートと電極の間に
供給し、ガス圧３×１０−３〜３×１０−２ｔｏｒｒで
重合してシートの表面に珪素化合物重合体薄膜を形成
し、ついでＣＶＤ法により生成した珪素酸化物のプラズ
マをシートと電極の間に導入して放電ガス圧０．０００
５〜０．０５ｔｏｒｒで珪素化合物重合体薄膜上に珪素
酸化物の被膜を形成することを特徴とするプラスチック
スシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸
化物薄膜を被覆する方法も包含する。この二層からなる
被膜はガス遮断性が優れるとともに水蒸気透過量が０．
１ｇ／ｍ２ｄａｙ以下の非常に高い水蒸気遮断効果を奏
する。この珪素化合物被膜と珪素酸化物被膜を、シート
を介して対向配置された高周波電極とアース電極を配設
して形成すると両被膜とも均一な被膜が形成されるの
で、ガス遮断性が著しく向上する。
よりＴ．Ｇ．が高いプラスチックスシートからなる包装
材料の一面に対向して被覆面との距離が１０ｍｍ以下で
ほぼ一定である高周波電極を設置し、またシートの他の
面に対向して被覆面との距離が高周波電極と被覆面の距
離より大きくほぼ一定であるアース電極をシートを介し
て高周波電極に対向して配置して、低温プラズマ法によ
り少くとも珪素、酸素、炭素からなる有機シリコン化合
物をプラズマとなし、該プラズマをシートと電極の間に
供給し、ガス圧３×１０−３〜３×１０−２ｔｏｒｒで
重合してシートの表面に珪素化合物重合体薄膜を形成
し、ついでＣＶＤ法により生成した珪素酸化物のプラズ
マをシートと電極の間に導入して放電ガス圧０．０００
５〜０．０５ｔｏｒｒで珪素化合物重合体薄膜上に珪素
酸化物の被膜を形成することを特徴とするプラスチック
スシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸
化物薄膜を被覆する方法も包含する。この二層からなる
被膜はガス遮断性が優れるとともに水蒸気透過量が０．
１ｇ／ｍ２ｄａｙ以下の非常に高い水蒸気遮断効果を奏
する。この珪素化合物被膜と珪素酸化物被膜を、シート
を介して対向配置された高周波電極とアース電極を配設
して形成すると両被膜とも均一な被膜が形成されるの
で、ガス遮断性が著しく向上する。
【００１３】何故この二種の層がこの順序で積層される
とこのような特別の効果が奏されるのかその学問的解明
は必ずしも充分ではないが、本発明は反復再現する作用
効果を奏する。本発明者は、珪素酸化物層のガス遮断効
果は、被覆基体上に供給される珪素酸化物微粒子の安定
定着性によるとことろが大きいと考える。即ち供給され
た粒子はプラスチックス基体上を移動し最も安定な場所
で安定化し定着する。この場合プラスチックス基体の上
に珪素、炭素、酸素を含む珪素化合物の重合体被膜が形
成されていると珪素酸化物微粒子は良好に安定化し定着
する。そしてその分布は均一となり、安定化した珪素酸
化物粒子の上にさらに珪素酸化物微粒子が積み重なって
珪素酸化物被覆が形成されるので緊密な被覆となるから
であると考えている。また高周波電極層の珪素化合物重
合体被膜とアース層の珪素酸化物被膜が夫々特定の屈折
率の範囲内にあると０．１ｇ／ｍ２ｄａｙ以下の超水蒸
気ガス遮断性を示すことについてはより定着性の高い、
欠陥の少い緊密な被膜となるからであると考えている。
とこのような特別の効果が奏されるのかその学問的解明
は必ずしも充分ではないが、本発明は反復再現する作用
効果を奏する。本発明者は、珪素酸化物層のガス遮断効
果は、被覆基体上に供給される珪素酸化物微粒子の安定
定着性によるとことろが大きいと考える。即ち供給され
た粒子はプラスチックス基体上を移動し最も安定な場所
で安定化し定着する。この場合プラスチックス基体の上
に珪素、炭素、酸素を含む珪素化合物の重合体被膜が形
成されていると珪素酸化物微粒子は良好に安定化し定着
する。そしてその分布は均一となり、安定化した珪素酸
化物粒子の上にさらに珪素酸化物微粒子が積み重なって
珪素酸化物被覆が形成されるので緊密な被覆となるから
であると考えている。また高周波電極層の珪素化合物重
合体被膜とアース層の珪素酸化物被膜が夫々特定の屈折
率の範囲内にあると０．１ｇ／ｍ２ｄａｙ以下の超水蒸
気ガス遮断性を示すことについてはより定着性の高い、
欠陥の少い緊密な被膜となるからであると考えている。
【００１４】第１の有機珪素化合物重合体被覆層は高周
波電極層中の珪素、炭素、酸素の組成において、珪素１
５％以上、炭素２０％以上そして残りが酸素を含有し、
０．００５μｍ〜０．０５μｍの薄い層である。被覆層
の厚みがこれより厚くなるとガス遮断性が悪くなる。
波電極層中の珪素、炭素、酸素の組成において、珪素１
５％以上、炭素２０％以上そして残りが酸素を含有し、
０．００５μｍ〜０．０５μｍの薄い層である。被覆層
の厚みがこれより厚くなるとガス遮断性が悪くなる。
【００１５】このような特殊な有機珪素化合物重合体被
覆は例えば、ヘキサメチルジシラン等の有機珪素化合物
モノマーをプラズマ化し、プラスチックス基体上で重合
することによって形成することが出来る。この重合時の
ガス圧を３×１０−３から３×１０−２ｔｏｒｒに調節
することによって形成される被膜の屈折率を２．０〜
２．３にすることが出来る。従来、他の用途ではあるが
知られているプラズマＣＶＤ法は放電ガス圧が０．数ｔ
ｏｒｒから数＋ｔｏｒｒの範囲であるから本発明で用い
るプラズマＣＶＤ法が特殊であることがわかる。
覆は例えば、ヘキサメチルジシラン等の有機珪素化合物
モノマーをプラズマ化し、プラスチックス基体上で重合
することによって形成することが出来る。この重合時の
ガス圧を３×１０−３から３×１０−２ｔｏｒｒに調節
することによって形成される被膜の屈折率を２．０〜
２．３にすることが出来る。従来、他の用途ではあるが
知られているプラズマＣＶＤ法は放電ガス圧が０．数ｔ
ｏｒｒから数＋ｔｏｒｒの範囲であるから本発明で用い
るプラズマＣＶＤ法が特殊であることがわかる。
【００１６】本発明で使用する有機シリコン化合物モノ
マーとしてはビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシ
シラン、フェニルトリメトキシシラン、オクタメチルシ
クロテトラシロキサン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、１１３３−テトラメチルジシ
ロキサン、ヘキサンメチルジシロキサン等である。
マーとしてはビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシ
シラン、フェニルトリメトキシシラン、オクタメチルシ
クロテトラシロキサン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、１１３３−テトラメチルジシ
ロキサン、ヘキサンメチルジシロキサン等である。
【００１７】
【実施例】本発明をわかり易いように実施例をあげて説
明する。
明する。
【００１８】実施例１ 図５は本発明で使用した有機シリコン化合物被膜を形成
する高周波プラズマＣＶＤ装置である。この装置はシラ
ンや常温液体モノマーを気体状態で導入する導入口６及
び酸素ガス導入口７を備えた直径６０ｃｍのステンレス
製ベルジャー型真空チャンバー１と日本電子株式会社
製、高周波電源５（１３．５６ＭＨｚ、１．５ＫＷ、Ｊ
ＥＨ−０１Ｂ）及びマッチングボックス４そして直径１
３ｃｍの円盤状高周波電極３、直径２０ｃｍ、高さ１．
５ｃｍの円筒状アース電極２、両電極間に設置した試料
用治具８等からなっている。この図５の装置は、有機珪
素化合物被覆とガス遮断層であるシリコン酸化物膜の被
覆の両方を行なうことが出来る。真空ポンプは油回転ポ
ンプと油拡散ポンプを使用し、前処理及び成膜中は常に
ポンプを引き続け、前処理及び薄膜被覆試験を行なっ
た。常温液体モノマーとしては、ヘキサメチルジシロキ
サン（以下ＨＭＤＳＯという）、反応ガスとしては、酸
素ガスを使用した。これ等のガスはそれぞれ別ルートで
チャンバー内に導入され、アース電極内で混合されチャ
ンバー内に放出される。アース電極と高周波電極は平行
（距離７ｃｍ）に配置し、１００μのポリカーボネート
（以下ＰＣと記す）シートを絶縁性試料治具によって、
高周波電極とアース電極間（高周波電極より５ｍｍ）に
設置した。油回転ポンプと油拡散ポンプによりチャンバ
ー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒ（電離真空計）
まで真空に引き、チャンバー内真空度が２×１０−３ｔ
ｏｒｒになるまで酸素ガスを導入し、続いてチャンバー
内真空度が４×１０−３ｔｏｒｒになるまでＨＭＤＳＯ
蒸気を導入した。高周波電源より入射電力２００Ｗをマ
ッチングボックスを経由し、チャンバー内に導入し、酸
素とＨＭＤＳＯの混合プラズマを発生させ、２分間保持
し、ＰＣ試料上に酸化珪素物膜を形成した。この積層体
の水蒸気透過量をＭｏｃｏｎ社製水蒸気透過量測定器で
測定し、表１に示した。
する高周波プラズマＣＶＤ装置である。この装置はシラ
ンや常温液体モノマーを気体状態で導入する導入口６及
び酸素ガス導入口７を備えた直径６０ｃｍのステンレス
製ベルジャー型真空チャンバー１と日本電子株式会社
製、高周波電源５（１３．５６ＭＨｚ、１．５ＫＷ、Ｊ
ＥＨ−０１Ｂ）及びマッチングボックス４そして直径１
３ｃｍの円盤状高周波電極３、直径２０ｃｍ、高さ１．
５ｃｍの円筒状アース電極２、両電極間に設置した試料
用治具８等からなっている。この図５の装置は、有機珪
素化合物被覆とガス遮断層であるシリコン酸化物膜の被
覆の両方を行なうことが出来る。真空ポンプは油回転ポ
ンプと油拡散ポンプを使用し、前処理及び成膜中は常に
ポンプを引き続け、前処理及び薄膜被覆試験を行なっ
た。常温液体モノマーとしては、ヘキサメチルジシロキ
サン（以下ＨＭＤＳＯという）、反応ガスとしては、酸
素ガスを使用した。これ等のガスはそれぞれ別ルートで
チャンバー内に導入され、アース電極内で混合されチャ
ンバー内に放出される。アース電極と高周波電極は平行
（距離７ｃｍ）に配置し、１００μのポリカーボネート
（以下ＰＣと記す）シートを絶縁性試料治具によって、
高周波電極とアース電極間（高周波電極より５ｍｍ）に
設置した。油回転ポンプと油拡散ポンプによりチャンバ
ー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒ（電離真空計）
まで真空に引き、チャンバー内真空度が２×１０−３ｔ
ｏｒｒになるまで酸素ガスを導入し、続いてチャンバー
内真空度が４×１０−３ｔｏｒｒになるまでＨＭＤＳＯ
蒸気を導入した。高周波電源より入射電力２００Ｗをマ
ッチングボックスを経由し、チャンバー内に導入し、酸
素とＨＭＤＳＯの混合プラズマを発生させ、２分間保持
し、ＰＣ試料上に酸化珪素物膜を形成した。この積層体
の水蒸気透過量をＭｏｃｏｎ社製水蒸気透過量測定器で
測定し、表１に示した。
【００１９】実施例２及び比較例１ 高周波電極及びアース電極間に設置する試料の位置を高
周波電極基板上、３、５、７、９、２３そして４０ｍｍ
に設置したこと以外は実施例１と同じ条件で、ＰＣ試料
上に酸化珪素物膜を形成し、水蒸気透過量を測定し、表
１に実施例１と共に示した。
周波電極基板上、３、５、７、９、２３そして４０ｍｍ
に設置したこと以外は実施例１と同じ条件で、ＰＣ試料
上に酸化珪素物膜を形成し、水蒸気透過量を測定し、表
１に実施例１と共に示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】実施例３及び比較例２ 試料に厚みが１００μ〜２８０μでガラス転移温度（以
下Ｔｇと記す）が−１５℃から１０５℃のプラスチック
シートを使用したこと以外は実施例１と同じ条件で、試
料上に酸化珪素物膜を形成し、水蒸気透過量を測定し、
表２に示した。光ファイバー式温度計により試料表面の
温度を測定した結果、この条件では４５℃であった。
下Ｔｇと記す）が−１５℃から１０５℃のプラスチック
シートを使用したこと以外は実施例１と同じ条件で、試
料上に酸化珪素物膜を形成し、水蒸気透過量を測定し、
表２に示した。光ファイバー式温度計により試料表面の
温度を測定した結果、この条件では４５℃であった。
【００２２】
【表２】
【００２３】実施例４ 図５に示した装置内の高周波電極、アース電極そして試
料基板ホルダーを取り外し、図１に示すような幅が１０
ｃｍ長さが２０ｃｍの角形高周波電極と幅が１０ｃｍ長
さが２０ｃｍの角形アース電極そして高周波電極上２ｍ
ｍの位置を分速１０ｃｍの速度で移動する１００μのＰ
Ｃ（ポリカーボネート）シートを配置したこと以外は実
施例１と同じ条件で、ＰＣ試料上に酸化珪素膜を形成
し、膜厚、膜の屈折率をエリプソメーターで測定し、表
３に示した。またこの積層体の水蒸気透過量は０．０３
ｇ／ｍ２ｄａｙ ａｔ４０℃９０％ＲＨであった。膜厚
の単位はオングストロームである。
料基板ホルダーを取り外し、図１に示すような幅が１０
ｃｍ長さが２０ｃｍの角形高周波電極と幅が１０ｃｍ長
さが２０ｃｍの角形アース電極そして高周波電極上２ｍ
ｍの位置を分速１０ｃｍの速度で移動する１００μのＰ
Ｃ（ポリカーボネート）シートを配置したこと以外は実
施例１と同じ条件で、ＰＣ試料上に酸化珪素膜を形成
し、膜厚、膜の屈折率をエリプソメーターで測定し、表
３に示した。またこの積層体の水蒸気透過量は０．０３
ｇ／ｍ２ｄａｙ ａｔ４０℃９０％ＲＨであった。膜厚
の単位はオングストロームである。
【００２４】
【表３】
【００２５】比較例３ 図３に示すような幅１０ｃｍ、長さ５ｃｍの高周波電極
４ケを３ｃｍの間隔をもってシート状下２ｍｍに配置
し、またアース電極は幅１０ｃｍ、長さ３０ｃｍで、シ
ート状試料上５０ｍｍに配置したこと以外は実施例４と
同じ条件で珪素酸化物膜を被覆した結果、膜厚はどの測
定点でも９５０Åから１０２０Åであったが、積層体の
水蒸気透過量は２〜５ｇ／ｍ２ｄａｙ ａｔ４０℃９０
％ＲＨであった。
４ケを３ｃｍの間隔をもってシート状下２ｍｍに配置
し、またアース電極は幅１０ｃｍ、長さ３０ｃｍで、シ
ート状試料上５０ｍｍに配置したこと以外は実施例４と
同じ条件で珪素酸化物膜を被覆した結果、膜厚はどの測
定点でも９５０Åから１０２０Åであったが、積層体の
水蒸気透過量は２〜５ｇ／ｍ２ｄａｙ ａｔ４０℃９０
％ＲＨであった。
【００２６】実施例５ シート状ポリエチレンナフタレート（以下ＰＥＮと記
す）製試料を使用し、図５に示す装置を使用して、シー
ト表面にＨＭＤＳＯ重合体被膜と珪素酸化物被膜を形成
した。被膜方法はシート材料にＰＥＮ、高周波電極と試
料表面間距離が２ｍｍであること及び、以下に記す条件
以外は実施例１と同じ条件で被覆を行った。油回転ポン
プと油拡散ポンプによりチャンバー内真空度を２〜３×
１０−５ｔｏｒｒ（電離真空計）まで真空に引き、チャ
ンバー内真空度が４×１０−３ｔｏｒｒになるまでＨＭ
ＤＳＯ蒸気を導入した。高周波電源より入射電力４００
Ｗをマッチングボックスを経由し、チャンバー内に導入
し、ＨＭＤＳＯのプラズマを発生させ、１分間保持し、
シート状ＰＥＮ試料表面にＨＭＤＳＯ重合体被膜を形成
した。続いて油回転ポンプと油拡散ポンプによりチャン
バー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒまで真空に引
き、実施例１と同様にして、ＨＭＤＳＯ重合膜の上に珪
素酸化物の被膜を形成した。この薄膜を被覆した有底円
筒形状容器の水蒸気透過量を測定した結果、０．０２ｇ
／ｍ２ｄａｙ（４０℃９０％ＲＨ）であった。
す）製試料を使用し、図５に示す装置を使用して、シー
ト表面にＨＭＤＳＯ重合体被膜と珪素酸化物被膜を形成
した。被膜方法はシート材料にＰＥＮ、高周波電極と試
料表面間距離が２ｍｍであること及び、以下に記す条件
以外は実施例１と同じ条件で被覆を行った。油回転ポン
プと油拡散ポンプによりチャンバー内真空度を２〜３×
１０−５ｔｏｒｒ（電離真空計）まで真空に引き、チャ
ンバー内真空度が４×１０−３ｔｏｒｒになるまでＨＭ
ＤＳＯ蒸気を導入した。高周波電源より入射電力４００
Ｗをマッチングボックスを経由し、チャンバー内に導入
し、ＨＭＤＳＯのプラズマを発生させ、１分間保持し、
シート状ＰＥＮ試料表面にＨＭＤＳＯ重合体被膜を形成
した。続いて油回転ポンプと油拡散ポンプによりチャン
バー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒまで真空に引
き、実施例１と同様にして、ＨＭＤＳＯ重合膜の上に珪
素酸化物の被膜を形成した。この薄膜を被覆した有底円
筒形状容器の水蒸気透過量を測定した結果、０．０２ｇ
／ｍ２ｄａｙ（４０℃９０％ＲＨ）であった。
【００２７】実施例６ 図５に示した装置内の高周波電極、アース電極そして試
料基板ホルダーを取り外し、図２に示すような幅が１０
ｃｍ、直径１３ｃｍの円筒形型高周波電極と幅が１０ｃ
ｍ、直径が２３ｃｍの半円筒形型アース電極そして高周
波電極上を分速１０ｃｍの速度で移動する１００μのＰ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シートを配置した
こと以外は実施例１と同じ条件で、ＰＥＴ試料上に酸化
珪素膜を形成し、膜厚、膜の屈折率をエリプソメーター
で測定し、表４に示した。またこの積層体の水蒸気透過
量は０．０３ｇ／ｍ２ｄａｙ ａｔ４０℃９０％ＲＨで
あった。膜厚の単位はオングストロームである。
料基板ホルダーを取り外し、図２に示すような幅が１０
ｃｍ、直径１３ｃｍの円筒形型高周波電極と幅が１０ｃ
ｍ、直径が２３ｃｍの半円筒形型アース電極そして高周
波電極上を分速１０ｃｍの速度で移動する１００μのＰ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シートを配置した
こと以外は実施例１と同じ条件で、ＰＥＴ試料上に酸化
珪素膜を形成し、膜厚、膜の屈折率をエリプソメーター
で測定し、表４に示した。またこの積層体の水蒸気透過
量は０．０３ｇ／ｍ２ｄａｙ ａｔ４０℃９０％ＲＨで
あった。膜厚の単位はオングストロームである。
【００２８】
【表４】
【００２９】比較例４ 図４に示した幅１０ｃｍ、直径１３ｃｍの円筒形型高周
波電極と同型のアース電極を５ｃｍ離して配置した以外
は実施例６と同じ条件でＰＥＴ試料上に酸化珪素膜を形
成し、膜厚及び水蒸気透過量を測定した。その結果、膜
厚は９２０Åから９８０Åの範囲で均一であったが、膜
の水蒸気透過量は１〜２ｇ／ｍ２ｄａｙａｔ４０℃９０
％ＲＨとガス遮断性性能は低かった。
波電極と同型のアース電極を５ｃｍ離して配置した以外
は実施例６と同じ条件でＰＥＴ試料上に酸化珪素膜を形
成し、膜厚及び水蒸気透過量を測定した。その結果、膜
厚は９２０Åから９８０Åの範囲で均一であったが、膜
の水蒸気透過量は１〜２ｇ／ｍ２ｄａｙａｔ４０℃９０
％ＲＨとガス遮断性性能は低かった。
【００３０】実施例７ １００μのシート状環状オレフィンコポリマー（ＣＯ
Ｃ）を試料とし、図５に示す装置を使用して、シート状
試料表面にＨＭＤＳＯ重合体被膜と珪素酸化物被膜を形
成した。被膜方法は試料材料と以下に記す条件以外は実
施例５と同じ条件として被覆を行った。油回転ポンプと
油拡散ポンプによりチャンバー内真空度を２〜３×１０
−５ｔｏｒｒ（電離真空計による）まで真空に引き、チ
ャンバー内真空度が３×１０− ３ｔｏｒｒ〜１０×１０
−３ｔｏｒｒになるまでＨＭＤＳＯ蒸気を導入した。高
周波電源より入射電力４００Ｗをチャンバーに導入し、
ＨＭＤＳＯのプラズマを発生させ、１分間保持し、有底
円筒形状容器の外面にＨＭＤＳＯ重合体被膜を形成し
た。続いて油回転ポンプと油拡散ポンプによりチャンバ
ー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒまで真空に引
き、実施例６と同様にして、ＨＭＤＳＯ重合膜の上に珪
素酸化物の被膜を形成した。これら被膜を被覆した有底
円筒形状容器の膜の屈折率、膜厚をエリプソメーター
で、そして重量法により、水蒸気透過量を測定し、表５
に示した。
Ｃ）を試料とし、図５に示す装置を使用して、シート状
試料表面にＨＭＤＳＯ重合体被膜と珪素酸化物被膜を形
成した。被膜方法は試料材料と以下に記す条件以外は実
施例５と同じ条件として被覆を行った。油回転ポンプと
油拡散ポンプによりチャンバー内真空度を２〜３×１０
−５ｔｏｒｒ（電離真空計による）まで真空に引き、チ
ャンバー内真空度が３×１０− ３ｔｏｒｒ〜１０×１０
−３ｔｏｒｒになるまでＨＭＤＳＯ蒸気を導入した。高
周波電源より入射電力４００Ｗをチャンバーに導入し、
ＨＭＤＳＯのプラズマを発生させ、１分間保持し、有底
円筒形状容器の外面にＨＭＤＳＯ重合体被膜を形成し
た。続いて油回転ポンプと油拡散ポンプによりチャンバ
ー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒまで真空に引
き、実施例６と同様にして、ＨＭＤＳＯ重合膜の上に珪
素酸化物の被膜を形成した。これら被膜を被覆した有底
円筒形状容器の膜の屈折率、膜厚をエリプソメーター
で、そして重量法により、水蒸気透過量を測定し、表５
に示した。
【００３１】
【表５】
【００３２】 （註） ＨＭＤＳＯ濃度の単位；×１０−３ｔｏｒｒ 膜厚の単位；オングストローム 水蒸気透過量の単位；ｇ／ｍ２ｄａｙ，ａｔ４０℃９０
％ＲＨ
％ＲＨ
【００３３】比較例５ ＨＭＤＳＯの濃度が１．５×１０−３ｔｏｒｒ及び２０
×１０−３ｔｏｒｒそしてＨＭＤＳＯ膜の被覆時間が
０．２及び５分であること以外は実施例７と同じシート
形状ＣＯＣ試料の表面に被覆したＨＭＤＳＯ膜の屈折率
及び膜厚をエリプソメーターで測定し、またＨＭＤＳＯ
膜と珪素酸化積層膜の水蒸気透過量を重量法で測定し、
表６に示した。
×１０−３ｔｏｒｒそしてＨＭＤＳＯ膜の被覆時間が
０．２及び５分であること以外は実施例７と同じシート
形状ＣＯＣ試料の表面に被覆したＨＭＤＳＯ膜の屈折率
及び膜厚をエリプソメーターで測定し、またＨＭＤＳＯ
膜と珪素酸化積層膜の水蒸気透過量を重量法で測定し、
表６に示した。
【００３４】
【表６】
【００３５】 （註） ＨＭＤＳＯ濃度の単位；×１０−３ｔｏｒｒ ＨＭＤＳＯ膜の膜厚；オングストローム 二層膜の水蒸気透過量の単位；ｇ／ｍ２ｄａｙ，ａｔ４
０℃９０％ＲＨ
０℃９０％ＲＨ
【００３６】実施例８ シート状環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）を試料と
し、図５に示す装置を使用して、シート状試料表面にＨ
ＭＤＳＯ重合体被膜と珪素酸化物被膜を形成した。被膜
方法は試料材料と以下に記す条件以外は実施例７と同じ
条件として被覆を行った。油回転ポンプと油拡散ポンプ
によりチャンバー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒ
（電離真空計による）まで真空に引き、チャンバー内真
空度が４×１０−３ｔｏｒｒになるまでＨＭＤＳＯ蒸気
を導入した。高周波電源より入射電力４００Ｗをチャン
バーに導入し、ＨＭＤＳＯのプラズマを発生させ、１分
間保持し、シート状ＣＯＣ試料表面にＨＭＤＳＯ重合体
被膜を形成した。続いて油回転ポンプと油拡散ポンプに
よりチャンバー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒま
で真空に引き、ＨＭＤＳＯ蒸気と酸素の濃度比（電離真
空計によるチャンバー内真空度の比率；ＨＭＤＳＯ／酸
素）を０．５〜２．５の範囲で、かつ酸化珪素膜の被覆
時間を５〜２０分以外は実施例６と同様にして、ＨＭＤ
ＳＯ重合膜の上に珪素酸化物の被膜を形成した。これら
被膜を被覆したシート状ＣＯＣ試料上の膜の屈折率、膜
厚をエリプソメーターで、そして重量法により、水蒸気
透過量を測定し、表７に示した。
し、図５に示す装置を使用して、シート状試料表面にＨ
ＭＤＳＯ重合体被膜と珪素酸化物被膜を形成した。被膜
方法は試料材料と以下に記す条件以外は実施例７と同じ
条件として被覆を行った。油回転ポンプと油拡散ポンプ
によりチャンバー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒ
（電離真空計による）まで真空に引き、チャンバー内真
空度が４×１０−３ｔｏｒｒになるまでＨＭＤＳＯ蒸気
を導入した。高周波電源より入射電力４００Ｗをチャン
バーに導入し、ＨＭＤＳＯのプラズマを発生させ、１分
間保持し、シート状ＣＯＣ試料表面にＨＭＤＳＯ重合体
被膜を形成した。続いて油回転ポンプと油拡散ポンプに
よりチャンバー内真空度を２〜３×１０−５ｔｏｒｒま
で真空に引き、ＨＭＤＳＯ蒸気と酸素の濃度比（電離真
空計によるチャンバー内真空度の比率；ＨＭＤＳＯ／酸
素）を０．５〜２．５の範囲で、かつ酸化珪素膜の被覆
時間を５〜２０分以外は実施例６と同様にして、ＨＭＤ
ＳＯ重合膜の上に珪素酸化物の被膜を形成した。これら
被膜を被覆したシート状ＣＯＣ試料上の膜の屈折率、膜
厚をエリプソメーターで、そして重量法により、水蒸気
透過量を測定し、表７に示した。
【００３７】
【表７】
【００３８】 （註） 酸化珪素膜の膜厚の単位；オングストローム 二層膜の水蒸気透過量の単位；ｇ／ｍ２ｄａｙ，ａｔ４
０℃９０％ＲＨ
０℃９０％ＲＨ
【００３９】比較例６ ＨＭＤＳＯ蒸気と酸素の濃度比（電離真空計によるチャ
ンバー内真空度の比率；ＨＭＤＳＯ／酸素）を０．２〜
５で、かつ酸化珪素の被覆時間を２分及び２５分以外は
実施例８と同様にして、ＨＭＤＳＯ重合膜の上に珪素酸
化物の被膜を形成した。これら被膜を被覆したシート形
状ＣＯＣ試料表面上の膜の屈折率、膜厚をエリプソメー
ターで、そして重量法により測定し、表８に示した。
ンバー内真空度の比率；ＨＭＤＳＯ／酸素）を０．２〜
５で、かつ酸化珪素の被覆時間を２分及び２５分以外は
実施例８と同様にして、ＨＭＤＳＯ重合膜の上に珪素酸
化物の被膜を形成した。これら被膜を被覆したシート形
状ＣＯＣ試料表面上の膜の屈折率、膜厚をエリプソメー
ターで、そして重量法により測定し、表８に示した。
【００４０】
【表８】
【００４１】 （註） 酸化珪素膜の膜厚単位；オングストローム 二層膜の水蒸気透過量の単位；ｇ／ｍ２ｄａｙ，ａｔ４
０℃９０％ＲＨ
０℃９０％ＲＨ
【００４２】
【発明の効果】本発明は立体形状のプラスチックス包装
材料に均一の膜厚で一定範囲の屈折率の珪素酸化物薄膜
を形成するので、ガスバリヤ性の優れた包装材を提供す
ることが出来る。
材料に均一の膜厚で一定範囲の屈折率の珪素酸化物薄膜
を形成するので、ガスバリヤ性の優れた包装材を提供す
ることが出来る。
【図１】本発明の実施例の説明図である。
【図２】本発明の実施例の高周波電極とアース電極の説
明図である。
明図である。
【図３】比較例の説明図である。
【図４】比較の高周波電極とアース電極の説明図であ
る。
る。
【図５】ＣＶＤ装置の説明図である。
１ 円筒状容器 ２ アース電極 ３ 高周波電極 ４ マッチングボックス ５ 高周波電源 ６ ガス入口 ７ ガス入口 ８ 試料用治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｊ 7/06 Ｃ０８Ｊ 7/06 Ｚ Ｃ２３Ｃ 16/50 Ｃ２３Ｃ 16/50
Claims (8)
- 【請求項１】 珪素酸化物薄膜の製膜温度よりＴ．Ｇ．
が高いプラスチックスシートからなる包装材料の一面に
対向して被覆面との距離が１０ｍｍ以下でほぼ一定であ
る高周波電極を設置し、またシートの他の面に対向して
被覆面との距離が高周波電極と被覆面の距離より大きく
ほぼ一定であるアース電極をシートを介して高周波電極
に対向して配置して、ＣＶＤ法により生成した珪素酸化
物のプラズマをシートと電極の間に導入して放電ガス圧
０．０００５〜０．０５ｔｏｒｒでシート表面に均一の
膜厚に付着させることを特徴とするプラスチックスシー
トからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄
膜を被覆する方法。 - 【請求項２】 高周波電極が平滑な平面状の外面を有す
る１ケの電極である、請求項１に記載されたプラスチッ
クスシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素
酸化物薄膜を被覆する方法。 - 【請求項３】 アース電極が平滑な平面状の外面を有す
る１ケの電極である、請求項１または２に記載されたプ
ラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断性に優
れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。 - 【請求項４】 プラスチックスシートからなる包装材料
に形成した珪素酸化物薄膜が屈折率１．４〜１．５で膜
厚が３００〜２０００Åである、請求項１ないし３のい
ずれか１項に記載されたプラスチックスシートからなる
包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆す
る方法。 - 【請求項５】 珪素酸化物薄膜の製膜温度よりＴ．Ｇ．
が高いプラスチックスシートからなる包装材料の一面に
対向して被覆面との距離が１０ｍｍ以下でほぼ一定であ
る高周波電極を設置し、またシートの他の面に対向して
被覆面との距離が高周波電極と被覆面の距離より大きく
ほぼ一定であるアース電極をシートを介して高周波電極
に対向して配置して、低温プラズマ法により少くとも珪
素、酸素、炭素からなる有機シリコン化合物をプラズマ
となし、該プラズマをシートと電極の間に供給し、ガス
圧３×１０−３〜３×１０−２ｔｏｒｒで重合してシー
トの表面に珪素化合物薄膜を形成し、ついでＣＶＤ法に
より生成した珪素酸化物のプラズマをシートと電極の間
に導入して放電ガス圧０．０００５〜０．０５ｔｏｏｒ
で珪素化合物重合体薄膜上に珪素酸化物の被膜を形成す
ることを特徴とするプラスチックスシートからなる包装
材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方
法。 - 【請求項６】 高周波電極が平滑な平面状の外面を有す
る１ケの電極である、請求項５に記載されたプラスチッ
クスシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素
酸化物薄膜を被覆する方法。 - 【請求項７】 アース電極が平滑な平面状の外面を有す
る１ケの電極である、請求項１または６に記載されたプ
ラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断性に優
れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。 - 【請求項８】 珪素化合物重合体被膜が、屈折率２．０
〜２．３で膜厚が０．００５μｍ〜０．０５μｍであ
り、珪素酸化物被膜が屈折率１．４〜１．５で膜厚が３
００〜２０００Åである、請求項５ないし７のいずれか
１項に記載されたプラスチックスシートからなる包装材
料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7130941A JPH08290517A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | プラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7130941A JPH08290517A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | プラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08290517A true JPH08290517A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=15046264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7130941A Pending JPH08290517A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | プラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08290517A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007204853A (ja) * | 2007-02-26 | 2007-08-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明バリアフィルムの製造方法 |
| JP2009220482A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Toppan Printing Co Ltd | 透明バリアフィルムおよびその製造方法 |
| JP2009274251A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Toppan Printing Co Ltd | 透明バリアフィルムおよびその製造方法 |
| WO2012002150A1 (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガスバリア膜、及びガスバリア膜の形成方法 |
Citations (3)
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| JPH05345831A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | ガス遮断性プラスチックス材の製造方法 |
| JPH0732531A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-03 | Kuwabara Yasunaga | 透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-04-20 JP JP7130941A patent/JPH08290517A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031216 |