JPH08288384A - 配線装置 - Google Patents
配線装置Info
- Publication number
- JPH08288384A JPH08288384A JP7087220A JP8722095A JPH08288384A JP H08288384 A JPH08288384 A JP H08288384A JP 7087220 A JP7087220 A JP 7087220A JP 8722095 A JP8722095 A JP 8722095A JP H08288384 A JPH08288384 A JP H08288384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- layer wiring
- air bridge
- upper layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/7682—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing the dielectric comprising air gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4821—Bridge structure with air gap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5221—Crossover interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5381—Crossover interconnections, e.g. bridge stepovers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エアブリッジ配線がつぶれた場合にも下層配
線とのショートが起こりにくく、さらにエアブリッジ配
線のつぶれやたわみを防止するために機械的強度を向上
させた、信頼性の高い配線装置を提供することを目的と
する。 【構成】 基板１上に例えば厚み２μｍの下部配線２と
例えば厚み３μｍのエアブリッジ配線７が形成され、下
部配線２とエアブリッジ配線７の交差部分のみ、例えば
厚み０．３μｍの下層配線８を配置する。下層配線８の
例としては、ソース、ドレイン電極、ゲート電極、ある
いはＭＩＭ下地電極等がある。 【効果】 エアブリッジ配線と、その直下の下層配線と
の間隔を従来と比べて大きくしたので、エアブリッジ配
線がつぶれた場合にも下層配線に接触しにくく、ショー
トを防止する効果がある。
線とのショートが起こりにくく、さらにエアブリッジ配
線のつぶれやたわみを防止するために機械的強度を向上
させた、信頼性の高い配線装置を提供することを目的と
する。 【構成】 基板１上に例えば厚み２μｍの下部配線２と
例えば厚み３μｍのエアブリッジ配線７が形成され、下
部配線２とエアブリッジ配線７の交差部分のみ、例えば
厚み０．３μｍの下層配線８を配置する。下層配線８の
例としては、ソース、ドレイン電極、ゲート電極、ある
いはＭＩＭ下地電極等がある。 【効果】 エアブリッジ配線と、その直下の下層配線と
の間隔を従来と比べて大きくしたので、エアブリッジ配
線がつぶれた場合にも下層配線に接触しにくく、ショー
トを防止する効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、特にＭ
ＭＩＣ（マイクロ波用混成集積回路）等に用いられる配
線装置に関するものである。
ＭＩＣ（マイクロ波用混成集積回路）等に用いられる配
線装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置、特にＭＭＩＣ等
に用いられる配線装置には、配線容量を低減する目的で
空気を層間絶縁物としたエアブリッジ配線が用いられて
いる。図１２は、従来の基本的なエアブリッジ配線の製
造工程を示す断面図である。図において、１は基板、２
は下層配線である下部配線、３はＳｉＮ保護膜、４は下
層レジスト、５はメッキ給電層、６は上層レジスト、７
は上層配線であるエアブリッジ配線をそれぞれ示す。従
来の基本的なエアブリッジ配線の製造工程を図について
説明する。まず、基板１に下部配線２を形成する（図１
２−ａ）。次に、表面保護膜、例えばＳｉＮ保護膜３を
形成し（図１２−ｂ）、不要な部分をエッチングにより
除去する（図１２−ｃ）。この上に、下層レジストパタ
ーン４を形成し（図１２−ｄ）、スパッタによりＴｉ／
Ａｕメッキ給電層５を形成する（図１２−ｅ）。次に上
層レジストパターン６を形成し、エアブリッジ配線７と
なるＡｕの電解メッキを行う（図１２−ｆ）。上層レジ
ストパターン６を除去し、メッキ給電層５の不要部分を
イオンミリングで除去する（図１２−ｇ）。下層レジス
ト４を除去し、エアブリッジ配線７が形成される（図１
２−ｈ）。
に用いられる配線装置には、配線容量を低減する目的で
空気を層間絶縁物としたエアブリッジ配線が用いられて
いる。図１２は、従来の基本的なエアブリッジ配線の製
造工程を示す断面図である。図において、１は基板、２
は下層配線である下部配線、３はＳｉＮ保護膜、４は下
層レジスト、５はメッキ給電層、６は上層レジスト、７
は上層配線であるエアブリッジ配線をそれぞれ示す。従
来の基本的なエアブリッジ配線の製造工程を図について
説明する。まず、基板１に下部配線２を形成する（図１
２−ａ）。次に、表面保護膜、例えばＳｉＮ保護膜３を
形成し（図１２−ｂ）、不要な部分をエッチングにより
除去する（図１２−ｃ）。この上に、下層レジストパタ
ーン４を形成し（図１２−ｄ）、スパッタによりＴｉ／
Ａｕメッキ給電層５を形成する（図１２−ｅ）。次に上
層レジストパターン６を形成し、エアブリッジ配線７と
なるＡｕの電解メッキを行う（図１２−ｆ）。上層レジ
ストパターン６を除去し、メッキ給電層５の不要部分を
イオンミリングで除去する（図１２−ｇ）。下層レジス
ト４を除去し、エアブリッジ配線７が形成される（図１
２−ｈ）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の配線装置のエア
ブリッジ配線は前記のように構成されており、配線容量
を低減するために空気を層間絶縁物としているため、機
械的強度の点で問題があった。例えば、エアブリッジ配
線形成後の製造工程でエアブリッジ配線表面に力がかか
った場合に、エアブリッジ配線がつぶれる等の問題があ
った。また、エアブリッジ配線の接続距離が１００μｍ
以上になると、エアブリッジ配線の自重によりエアブリ
ッジ配線が下方向にたわむという問題もあった。エアブ
リッジ配線がつぶれた場合、下部配線と接触し、例えば
ＩＣ等の配線装置の動作不良を起こす等、信頼性に問題
があった。
ブリッジ配線は前記のように構成されており、配線容量
を低減するために空気を層間絶縁物としているため、機
械的強度の点で問題があった。例えば、エアブリッジ配
線形成後の製造工程でエアブリッジ配線表面に力がかか
った場合に、エアブリッジ配線がつぶれる等の問題があ
った。また、エアブリッジ配線の接続距離が１００μｍ
以上になると、エアブリッジ配線の自重によりエアブリ
ッジ配線が下方向にたわむという問題もあった。エアブ
リッジ配線がつぶれた場合、下部配線と接触し、例えば
ＩＣ等の配線装置の動作不良を起こす等、信頼性に問題
があった。
【０００４】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、エアブリッジ配線がつぶれた
場合にも下層配線とのショートが起こりにくく、さらに
エアブリッジ配線のつぶれやたわみを防止するために機
械的強度を向上させた、信頼性の高い配線装置を提供す
ることを目的とする。
るためになされたもので、エアブリッジ配線がつぶれた
場合にも下層配線とのショートが起こりにくく、さらに
エアブリッジ配線のつぶれやたわみを防止するために機
械的強度を向上させた、信頼性の高い配線装置を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる配線装
置は、基板上に形成された複数個の電極を互いに接続
し、交差部分およびその近傍が空間によって隔てられた
下層配線および上層配線を備え、下層配線の高さが、上
層配線との交差部分のみ他の部分よりも低く形成されて
いるものである。また、下層配線は、少なくとも上層配
線との交差部分を上記下層配線よりもさらに下層に形成
したものである。また、下層配線は、少なくとも上層配
線との交差部分を基板に形成された導電層にしたもので
ある。さらに、導電層は、イオン注入またはエピタキシ
ャル成長により形成したものである。
置は、基板上に形成された複数個の電極を互いに接続
し、交差部分およびその近傍が空間によって隔てられた
下層配線および上層配線を備え、下層配線の高さが、上
層配線との交差部分のみ他の部分よりも低く形成されて
いるものである。また、下層配線は、少なくとも上層配
線との交差部分を上記下層配線よりもさらに下層に形成
したものである。また、下層配線は、少なくとも上層配
線との交差部分を基板に形成された導電層にしたもので
ある。さらに、導電層は、イオン注入またはエピタキシ
ャル成長により形成したものである。
【０００６】また、下層配線と上層配線を、基板表面に
形成した窪みの中に形成したものである。また、上層配
線の線長方向に１本または複数本の溝を形成したもので
ある。また、上層配線の断面形状を、Ｈ型にしたもので
ある。また、上層配線に複数個の穴を設けたものであ
る。また、上層配線に、上層配線を硬質化するためのＣ
ｕイオン等の元素イオンを注入したものである。また、
上層配線表面に、上層配線の機械的強度を向上させるた
めのＴａ膜等の金属膜を形成したものである。
形成した窪みの中に形成したものである。また、上層配
線の線長方向に１本または複数本の溝を形成したもので
ある。また、上層配線の断面形状を、Ｈ型にしたもので
ある。また、上層配線に複数個の穴を設けたものであ
る。また、上層配線に、上層配線を硬質化するためのＣ
ｕイオン等の元素イオンを注入したものである。また、
上層配線表面に、上層配線の機械的強度を向上させるた
めのＴａ膜等の金属膜を形成したものである。
【０００７】
【作用】この発明における配線装置は、下層配線の高さ
が、上層配線との交差部分のみ他の部分よりも低く形成
されており、上層配線と下層配線との間隔が従来より大
きいため、上層配線がたわんだりつぶされたりした場合
にも下層配線に接触しにくく、ショートが起こりにく
い。また、下層配線は、少なくとも上層配線との交差部
分を基板に形成された導電層にしたので、下層配線に基
板との段差がなく、上層配線がつぶされて導電層に接触
した場合にも、従来の下層配線が有する段差の角部分の
絶縁膜の破れから生じるショートが起こらない。
が、上層配線との交差部分のみ他の部分よりも低く形成
されており、上層配線と下層配線との間隔が従来より大
きいため、上層配線がたわんだりつぶされたりした場合
にも下層配線に接触しにくく、ショートが起こりにく
い。また、下層配線は、少なくとも上層配線との交差部
分を基板に形成された導電層にしたので、下層配線に基
板との段差がなく、上層配線がつぶされて導電層に接触
した場合にも、従来の下層配線が有する段差の角部分の
絶縁膜の破れから生じるショートが起こらない。
【０００８】また、下層配線と上層配線を、基板表面に
形成した窪みの中に形成したので、上層配線の高さが基
板表面に対して従来よりも低くなり、上層配線のつぶれ
を防止できる。また、上層配線の線長方向に１本または
複数本の溝を形成することにより、上層配線の機械的強
度が向上し、上層配線のつぶれ、たわみ等が防止でき
る。また、上層配線の断面形状をＨ型にすることによ
り、上層配線の機械的強度が向上し、上層配線のつぶ
れ、たわみ等が防止できる。また、上層配線に複数個の
穴を設けることにより、上層配線が軽量化でき、自重に
よるたわみを防止できる。また、上層配線に、上層配線
を硬質化するためのＣｕイオン等の元素イオンを注入し
たので、上層配線の機械的強度が向上し、上層配線のつ
ぶれ、たわみ等が防止できる。また、上層配線表面に、
上層配線の機械的強度を向上させるためのＴａ膜等の金
属膜を形成したので、上層配線のつぶれ、たわみ等が防
止できる。
形成した窪みの中に形成したので、上層配線の高さが基
板表面に対して従来よりも低くなり、上層配線のつぶれ
を防止できる。また、上層配線の線長方向に１本または
複数本の溝を形成することにより、上層配線の機械的強
度が向上し、上層配線のつぶれ、たわみ等が防止でき
る。また、上層配線の断面形状をＨ型にすることによ
り、上層配線の機械的強度が向上し、上層配線のつぶ
れ、たわみ等が防止できる。また、上層配線に複数個の
穴を設けることにより、上層配線が軽量化でき、自重に
よるたわみを防止できる。また、上層配線に、上層配線
を硬質化するためのＣｕイオン等の元素イオンを注入し
たので、上層配線の機械的強度が向上し、上層配線のつ
ぶれ、たわみ等が防止できる。また、上層配線表面に、
上層配線の機械的強度を向上させるためのＴａ膜等の金
属膜を形成したので、上層配線のつぶれ、たわみ等が防
止できる。
【０００９】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１−ａはこの発明の一実施例である配線装置の
エアブリッジ配線を示す平面図、図１−ｂはａ−ａ’線
断面図、図１−ｃはｂ−ｂ’線断面図である。図におい
て、８は下層配線である下部配線２よりもさらに下にあ
る下層配線を示す。なお、図示していないが、通常基板
表面および下層配線表面にはＳｉＮ等の保護膜が形成さ
れている。図１に示すように、基板１上に形成された例
えば厚み２μｍの下部配線２は、例えば厚み３μｍのエ
アブリッジ配線７との交差部分のみ下部配線２よりもさ
らに下層に形成されている例えば厚み０．３μｍの下層
配線８より形成されており、エアブリッジ配線７直下以
外の領域に形成されている下部配線２よりも一段低く構
成されている。下層配線８の例としては、ソース、ドレ
イン電極、ゲート電極、あるいはＭＩＭ下地電極等があ
る。本実施例によれば、エアブリッジ配線７と、その直
下の下層配線８との間隔を従来と比べて大きくしたの
で、エアブリッジ配線７がつぶれた場合にも下層配線８
に接触しにくく、ショートを防止する効果がある。ま
た、本実施例におけるエアブリッジ配線７は、従来の製
造工程より工程数を増やすことなく、マスクの変更のみ
で製造できる利点がある。
する。図１−ａはこの発明の一実施例である配線装置の
エアブリッジ配線を示す平面図、図１−ｂはａ−ａ’線
断面図、図１−ｃはｂ−ｂ’線断面図である。図におい
て、８は下層配線である下部配線２よりもさらに下にあ
る下層配線を示す。なお、図示していないが、通常基板
表面および下層配線表面にはＳｉＮ等の保護膜が形成さ
れている。図１に示すように、基板１上に形成された例
えば厚み２μｍの下部配線２は、例えば厚み３μｍのエ
アブリッジ配線７との交差部分のみ下部配線２よりもさ
らに下層に形成されている例えば厚み０．３μｍの下層
配線８より形成されており、エアブリッジ配線７直下以
外の領域に形成されている下部配線２よりも一段低く構
成されている。下層配線８の例としては、ソース、ドレ
イン電極、ゲート電極、あるいはＭＩＭ下地電極等があ
る。本実施例によれば、エアブリッジ配線７と、その直
下の下層配線８との間隔を従来と比べて大きくしたの
で、エアブリッジ配線７がつぶれた場合にも下層配線８
に接触しにくく、ショートを防止する効果がある。ま
た、本実施例におけるエアブリッジ配線７は、従来の製
造工程より工程数を増やすことなく、マスクの変更のみ
で製造できる利点がある。
【００１０】実施例２．図２−ａは、この発明の実施例
２である配線装置のエアブリッジ配線を示す平面図、図
２−ｂはａ−ａ’線断面図、図２−ｃはｂ−ｂ’線断面
図である。図において、９は基板１に形成した導電層で
ある抵抗層である。抵抗層９は、イオン注入または、エ
ピタキシャル成長等の方法により形成する。本実施例で
は、エアブリッジ配線７の直下の下部配線２に、実施例
１に示した下層配線８に代わって、導電層である抵抗層
９を配置したので、実施例１よりもさらにエアブリッジ
配線７との間隔を大きくすることができる。また、従来
の下部配線のように段差がないため、エアブリッジ配線
がつぶれて接触した場合にも、下層配線の段差の角の絶
縁膜の破れから生じるショートが起こらない。
２である配線装置のエアブリッジ配線を示す平面図、図
２−ｂはａ−ａ’線断面図、図２−ｃはｂ−ｂ’線断面
図である。図において、９は基板１に形成した導電層で
ある抵抗層である。抵抗層９は、イオン注入または、エ
ピタキシャル成長等の方法により形成する。本実施例で
は、エアブリッジ配線７の直下の下部配線２に、実施例
１に示した下層配線８に代わって、導電層である抵抗層
９を配置したので、実施例１よりもさらにエアブリッジ
配線７との間隔を大きくすることができる。また、従来
の下部配線のように段差がないため、エアブリッジ配線
がつぶれて接触した場合にも、下層配線の段差の角の絶
縁膜の破れから生じるショートが起こらない。
【００１１】実施例３．図３は、この発明の実施例３で
ある配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。
図に示すように、基板１表面をエッチングして形成され
た例えば深さ５〜８μｍの窪み１０の中に、例えば厚み
３〜５μｍのエアブリッジ配線７と例えば厚み２μｍの
下部配線２を配置する。エアブリッジ７の形成方法は従
来例と同様である。本実施例では、エアブリッジ配線７
を窪み１０の中に形成するので、基板１表面に対してエ
アブリッジの高さを従来構造より低くできる。このた
め、エアブリッジ配線７がつぶれにくくなる。
ある配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。
図に示すように、基板１表面をエッチングして形成され
た例えば深さ５〜８μｍの窪み１０の中に、例えば厚み
３〜５μｍのエアブリッジ配線７と例えば厚み２μｍの
下部配線２を配置する。エアブリッジ７の形成方法は従
来例と同様である。本実施例では、エアブリッジ配線７
を窪み１０の中に形成するので、基板１表面に対してエ
アブリッジの高さを従来構造より低くできる。このた
め、エアブリッジ配線７がつぶれにくくなる。
【００１２】実施例４．図４は、本発明の実施例４であ
る配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。図
において、１１は、エアブリッジ配線表面の線長方向に
１本の溝を形成したもので、断面形状が上向きの凹型で
あるエアブリッジ配線である。製造方法を図について説
明する。図５は、本実施例におけるエアブリッジ配線１
１の製造工程のフローを示す図である。従来方法と同様
にして下部配線２を形成した基板１上に（図５−ａ）、
下層レジスト４および例えばＴｉ／Ａｕよりなるメッキ
給電層５を形成し（図５−ｂ）、さらにその上に上層レ
ジスト６を形成する（図５−ｃ）。この上層レジスト６
表面および側面にメッキ給電層５をスパッタにより形成
し（図５−ｄ）、イオンミリングによりメッキ給電層５
の不要部分を除去する（図５−ｅ）。これにＡｕの電解
メッキを行うと、メッキ給電層５が残っている部分にメ
ッキが形成されるので、メッキの断面形状が上向きの凹
型となる（図５−ｆ）。上層レジスト６を除去し（図５
−ｇ）、さらにイオンミリングでメッキ給電層５の不要
部分を除去し（図５−ｈ）、下層レジスト４を除去する
ことで、断面形状が上向きの凹型のエアブリッジ配線１
１が形成される（図５−ｉ）。本実施例によれば、エア
ブリッジ配線の断面を凹型にすることで、機械的強度が
向上する効果がある。
る配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。図
において、１１は、エアブリッジ配線表面の線長方向に
１本の溝を形成したもので、断面形状が上向きの凹型で
あるエアブリッジ配線である。製造方法を図について説
明する。図５は、本実施例におけるエアブリッジ配線１
１の製造工程のフローを示す図である。従来方法と同様
にして下部配線２を形成した基板１上に（図５−ａ）、
下層レジスト４および例えばＴｉ／Ａｕよりなるメッキ
給電層５を形成し（図５−ｂ）、さらにその上に上層レ
ジスト６を形成する（図５−ｃ）。この上層レジスト６
表面および側面にメッキ給電層５をスパッタにより形成
し（図５−ｄ）、イオンミリングによりメッキ給電層５
の不要部分を除去する（図５−ｅ）。これにＡｕの電解
メッキを行うと、メッキ給電層５が残っている部分にメ
ッキが形成されるので、メッキの断面形状が上向きの凹
型となる（図５−ｆ）。上層レジスト６を除去し（図５
−ｇ）、さらにイオンミリングでメッキ給電層５の不要
部分を除去し（図５−ｈ）、下層レジスト４を除去する
ことで、断面形状が上向きの凹型のエアブリッジ配線１
１が形成される（図５−ｉ）。本実施例によれば、エア
ブリッジ配線の断面を凹型にすることで、機械的強度が
向上する効果がある。
【００１３】実施例５．図６は、本発明の実施例５であ
る配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。図
において、１１はエアブリッジ配線裏面の線長方向に１
本の溝を形成したもので、断面形状が下向きの凹型であ
るエアブリッジ配線である。製造方法を図について説明
する。図７は、本実施例におけるエアブリッジ配線１１
の製造工程のフローを示す図である。従来方法と同様に
して下部配線２を形成した基板１上に（図７−ａ）、２
回の写真製版により下層レジスト４を形成し、その上に
例えばＴｉ／Ａｕよりなるメッキ給電層５を形成する
（図７−ｂ）。さらに、例えば厚み１０μｍの上層レジ
スト６を形成し（図７−ｃ）、Ａｕの電解メッキを行う
（図７−ｄ）。上層レジスト６を除去し（図７−ｅ）、
さらにイオンミリングでメッキ給電層５の不要部分を除
去し（図７−ｆ）、下層レジスト４を除去することで、
断面形状が下向きの凹型のエアブリッジ配線が形成され
る（図７−ｇ）。本実施例によれば、実施例４と同様
に、エアブリッジ配線の断面を凹型にすることで、機械
的強度が向上する効果がある。
る配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。図
において、１１はエアブリッジ配線裏面の線長方向に１
本の溝を形成したもので、断面形状が下向きの凹型であ
るエアブリッジ配線である。製造方法を図について説明
する。図７は、本実施例におけるエアブリッジ配線１１
の製造工程のフローを示す図である。従来方法と同様に
して下部配線２を形成した基板１上に（図７−ａ）、２
回の写真製版により下層レジスト４を形成し、その上に
例えばＴｉ／Ａｕよりなるメッキ給電層５を形成する
（図７−ｂ）。さらに、例えば厚み１０μｍの上層レジ
スト６を形成し（図７−ｃ）、Ａｕの電解メッキを行う
（図７−ｄ）。上層レジスト６を除去し（図７−ｅ）、
さらにイオンミリングでメッキ給電層５の不要部分を除
去し（図７−ｆ）、下層レジスト４を除去することで、
断面形状が下向きの凹型のエアブリッジ配線が形成され
る（図７−ｇ）。本実施例によれば、実施例４と同様
に、エアブリッジ配線の断面を凹型にすることで、機械
的強度が向上する効果がある。
【００１４】実施例６．図８は、本発明の実施例６であ
る配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。図
において、１２はエアブリッジ配線７の表面の線長方向
に形成された溝である。本実施例では、エアブリッジ配
線７表面の線長方向にイオンミリングまたはエッチング
等により複数の溝１２を形成し、エアブリッジ配線の機
械的強度を向上させるとともに、エアブリッジ配線を軽
量化し、エアブリッジのたわみなどを減少させる効果が
ある。
る配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。図
において、１２はエアブリッジ配線７の表面の線長方向
に形成された溝である。本実施例では、エアブリッジ配
線７表面の線長方向にイオンミリングまたはエッチング
等により複数の溝１２を形成し、エアブリッジ配線の機
械的強度を向上させるとともに、エアブリッジ配線を軽
量化し、エアブリッジのたわみなどを減少させる効果が
ある。
【００１５】実施例７．図９は、本発明の実施例７であ
る配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。図
において、１３はエアブリッジ配線の表面と裏面の線長
方向にそれぞれ１本の溝を形成したもので、断面形状が
Ｈ型であるエアブリッジ配線である。製造方法を図につ
いて説明する。図１０は、本実施例におけるエアブリッ
ジ配線１３の製造工程のフローを示す図である。従来方
法と同様にして下部配線２を形成した基板１上に（図１
０−ａ）、２回の写真製版により下層レジスト４を形成
し、その上に例えばＴｉ／Ａｕよりなるメッキ給電層５
を形成する（図１０−ｂ）。さらに、例えば厚み１０μ
ｍの上層レジスト６を形成し（図１０−ｃ）、この上層
レジスト６表面および側面にメッキ給電層５をスパッタ
により形成し（図１０−ｄ）、イオンミリングによりメ
ッキ給電層５の不要部分を除去する（図１０−ｅ）。こ
れにＡｕの電解メッキを行うと、メッキ給電層５が残っ
ている部分にメッキが形成されるので、メッキの断面形
状がＨ型となる（図１０−ｆ）。上層レジスト６を除去
し（図１０−ｇ）、さらにイオンミリングでメッキ給電
層５の不要部分を除去した後（図１０−ｈ）、下層レジ
スト４を除去することで、断面形状がＨ型のエアブリッ
ジ配線１３が形成される（図１０−ｉ）。本実施例によ
れば、エアブリッジ配線の断面をＨ型にすることで、機
械的強度が向上する効果がある。
る配線装置のエアブリッジ配線を示す断面図である。図
において、１３はエアブリッジ配線の表面と裏面の線長
方向にそれぞれ１本の溝を形成したもので、断面形状が
Ｈ型であるエアブリッジ配線である。製造方法を図につ
いて説明する。図１０は、本実施例におけるエアブリッ
ジ配線１３の製造工程のフローを示す図である。従来方
法と同様にして下部配線２を形成した基板１上に（図１
０−ａ）、２回の写真製版により下層レジスト４を形成
し、その上に例えばＴｉ／Ａｕよりなるメッキ給電層５
を形成する（図１０−ｂ）。さらに、例えば厚み１０μ
ｍの上層レジスト６を形成し（図１０−ｃ）、この上層
レジスト６表面および側面にメッキ給電層５をスパッタ
により形成し（図１０−ｄ）、イオンミリングによりメ
ッキ給電層５の不要部分を除去する（図１０−ｅ）。こ
れにＡｕの電解メッキを行うと、メッキ給電層５が残っ
ている部分にメッキが形成されるので、メッキの断面形
状がＨ型となる（図１０−ｆ）。上層レジスト６を除去
し（図１０−ｇ）、さらにイオンミリングでメッキ給電
層５の不要部分を除去した後（図１０−ｈ）、下層レジ
スト４を除去することで、断面形状がＨ型のエアブリッ
ジ配線１３が形成される（図１０−ｉ）。本実施例によ
れば、エアブリッジ配線の断面をＨ型にすることで、機
械的強度が向上する効果がある。
【００１６】実施例８．図１１は、本発明の実施例８で
ある配線装置のエアブリッジ配線を示す斜視図である。
図において、１４は例えばイオンミリング等によりエア
ブリッジ配線部に設けられた穴である。穴１４は、エア
ブリッジ配線裏面に貫通していても、あるいは有底でも
良く、さらに、何個でも良い。本実施例によれば、エア
ブリッジ配線７の機械的強度を保ちながら軽量化を図る
ことができ、自重によりエアブリッジがたわむことを防
ぐ。
ある配線装置のエアブリッジ配線を示す斜視図である。
図において、１４は例えばイオンミリング等によりエア
ブリッジ配線部に設けられた穴である。穴１４は、エア
ブリッジ配線裏面に貫通していても、あるいは有底でも
良く、さらに、何個でも良い。本実施例によれば、エア
ブリッジ配線７の機械的強度を保ちながら軽量化を図る
ことができ、自重によりエアブリッジがたわむことを防
ぐ。
【００１７】実施例９．また、エアブリッジ配線の機械
的強度を向上させるための手法として、エアブリッジ配
線に用いられている金属の材質に応じて、これを硬質化
するためのイオンを注入する方法がある。エアブリッジ
配線の材質が例えばＡｕの場合、Ｃｕイオン等が有効で
ある。
的強度を向上させるための手法として、エアブリッジ配
線に用いられている金属の材質に応じて、これを硬質化
するためのイオンを注入する方法がある。エアブリッジ
配線の材質が例えばＡｕの場合、Ｃｕイオン等が有効で
ある。
【００１８】実施例１０．また、エアブリッジ配線の機
械的強度を向上させるための別の手法として、エアブリ
ッジ表面にＴａ膜等の金属膜を形成する方法もある。
械的強度を向上させるための別の手法として、エアブリ
ッジ表面にＴａ膜等の金属膜を形成する方法もある。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、エア
ブリッジ配線と下層配線との間隔が従来よりも大きくな
るよう構成したので、エアブリッジ配線がたわんだりつ
ぶされたりした場合にも下層配線に接触しにくく、ショ
ートが起こりにくい、信頼性の高い配線装置が得られ
る。
ブリッジ配線と下層配線との間隔が従来よりも大きくな
るよう構成したので、エアブリッジ配線がたわんだりつ
ぶされたりした場合にも下層配線に接触しにくく、ショ
ートが起こりにくい、信頼性の高い配線装置が得られ
る。
【００２０】また、エアブリッジ配線の線長方向に１本
または複数本の溝を設けたので、エアブリッジ配線の機
械的強度が向上し、外圧に対して強く、つぶれにくくな
る効果がある。
または複数本の溝を設けたので、エアブリッジ配線の機
械的強度が向上し、外圧に対して強く、つぶれにくくな
る効果がある。
【００２１】また、エアブリッジ配線に複数個の穴を設
けたので、エアブリッジ配線の機械的強度を保ちながら
軽量化を図ることができ、エアブリッジ配線の自重によ
るたわみを防止できる。
けたので、エアブリッジ配線の機械的強度を保ちながら
軽量化を図ることができ、エアブリッジ配線の自重によ
るたわみを防止できる。
【図１】 ａはこの発明の一実施例である配線装置のエ
アブリッジ配線を示す平面図、ｂ、ｃは断面模式図であ
る。
アブリッジ配線を示す平面図、ｂ、ｃは断面模式図であ
る。
【図２】 ａはこの発明の実施例２である配線装置のエ
アブリッジ配線を示す平面図、ｂ、ｃは断面模式図であ
る。
アブリッジ配線を示す平面図、ｂ、ｃは断面模式図であ
る。
【図３】 この発明の実施例３である配線装置のエアブ
リッジ配線を示す断面模式図である。
リッジ配線を示す断面模式図である。
【図４】 この発明の実施例４である配線装置のエアブ
リッジ配線を示す断面模式図である。
リッジ配線を示す断面模式図である。
【図５】 この発明の実施例４である配線装置のエアブ
リッジ配線の製造方法を示す断面模式図である。
リッジ配線の製造方法を示す断面模式図である。
【図６】 この発明の実施例５である配線装置のエアブ
リッジ配線を示す断面模式図である。
リッジ配線を示す断面模式図である。
【図７】 この発明の実施例５である配線装置のエアブ
リッジ配線の製造方法を示す断面模式図である。
リッジ配線の製造方法を示す断面模式図である。
【図８】 この発明の実施例６である配線装置のエアブ
リッジ配線を示す断面模式図である。
リッジ配線を示す断面模式図である。
【図９】 この発明の実施例７である配線装置のエアブ
リッジ配線を示す断面模式図である。
リッジ配線を示す断面模式図である。
【図１０】 この発明の実施例７である配線装置のエア
ブリッジ配線の製造方法を示す断面模式図である。
ブリッジ配線の製造方法を示す断面模式図である。
【図１１】 この発明の実施例８である配線装置のエア
ブリッジ配線を示す斜視図である。
ブリッジ配線を示す斜視図である。
【図１２】 従来の配線装置のエアブリッジ配線を示す
断面模式図である。
断面模式図である。
１ 基板、２ 下部配線、３ ＳｉＮ保護膜、４ 下層
レジスト、５ メッキ給電層、６ 上層レジスト、７
エアブリッジ配線、８ 下層配線、９ 活性層、１０
窪み、１１ 凹型エアブリッジ、１２ 溝、１３ Ｈ型
エアブリッジ、１４ 穴。
レジスト、５ メッキ給電層、６ 上層レジスト、７
エアブリッジ配線、８ 下層配線、９ 活性層、１０
窪み、１１ 凹型エアブリッジ、１２ 溝、１３ Ｈ型
エアブリッジ、１４ 穴。
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に形成された複数個の電極を互い
に接続し、交差部分およびその近傍が空間によって隔て
られた下層配線および上層配線を備え、上記下層配線の
高さが、上記上層配線との交差部分のみ他の部分よりも
低く形成されていることを特徴とする配線装置。 - 【請求項２】 下層配線は、少なくとも上層配線との交
差部分が上記下層配線よりもさらに下層に形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の配線装置。 - 【請求項３】 下層配線は、少なくとも上層配線との交
差部分が基板に形成された導電層であることを特徴とす
る請求項１記載の配線装置。 - 【請求項４】 導電層は、イオン注入またはエピタキシ
ャル成長により形成されていることを特徴とする請求項
３記載の配線装置。 - 【請求項５】 基板上に形成された複数個の電極を互い
に接続し、交差部分およびその近傍が空間によって隔て
られた下層配線および上層配線を備え、上記下層配線と
上記上層配線を、基板表面に形成した窪みの中に形成し
たことを特徴とする配線装置。 - 【請求項６】 基板上に形成された複数個の電極を互い
に接続し、交差部分およびその近傍が空間によって隔て
られた下層配線および上層配線を備え、上記上層配線の
線長方向に１本または複数本の溝を形成したことを特徴
とする配線装置。 - 【請求項７】 基板上に形成された複数個の電極を互い
に接続し、交差部分およびその近傍が空間によって隔て
られた下層配線および上層配線を備え、上記上層配線の
断面形状が、Ｈ型であることを特徴とする配線装置。 - 【請求項８】 基板上に形成された複数個の電極を互い
に接続し、交差部分およびその近傍が空間によって隔て
られた下層配線および上層配線を備え、上記上層配線に
複数個の穴を設けたことを特徴とする配線装置。 - 【請求項９】 基板上に形成された複数個の電極を互い
に接続し、交差部分およびその近傍が空間によって隔て
られた下層配線および上層配線を備え、上記上層配線
に、上記上層配線を硬質化するためのＣｕイオン等の元
素イオンを注入したことを特徴とする配線装置。 - 【請求項１０】 基板上に形成された複数個の電極を互
いに接続し、交差部分およびその近傍が空間によって隔
てられた下層配線および上層配線を備え、上記上層配線
表面に上記上層配線の機械的強度を向上させるためのＴ
ａ膜等の金属膜を形成したことを特徴とする配線装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08722095A JP3359780B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 配線装置 |
| US08/629,535 US5677574A (en) | 1995-04-12 | 1996-04-09 | Airbridge wiring structure for MMIC |
| DE19614584A DE19614584C2 (de) | 1995-04-12 | 1996-04-12 | Verbesserter Luftbrückenverdrahtungsaufbau für integrierte monolithische Mikrowellenschaltung (MMIC) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08722095A JP3359780B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 配線装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288384A true JPH08288384A (ja) | 1996-11-01 |
| JP3359780B2 JP3359780B2 (ja) | 2002-12-24 |
Family
ID=13908826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08722095A Expired - Lifetime JP3359780B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-12 | 配線装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5677574A (ja) |
| JP (1) | JP3359780B2 (ja) |
| DE (1) | DE19614584C2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270617A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010056388A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE102011084482A1 (de) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zum Herstellen einer Luftbrücke |
| US8766445B2 (en) | 2011-10-12 | 2014-07-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US9018672B2 (en) | 2012-11-26 | 2015-04-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device comprising a semiconductor element having two electrodes |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576976B2 (en) | 1997-01-03 | 2003-06-10 | Integrated Device Technology, Inc. | Semiconductor integrated circuit with an insulation structure having reduced permittivity |
| DE19734509C2 (de) | 1997-08-08 | 2002-11-07 | Infineon Technologies Ag | Leistungstransistorzelle |
| US6169331B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-01-02 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for electrically coupling bond pads of a microelectronic device |
| US6217783B1 (en) * | 1998-12-01 | 2001-04-17 | Visteon Global Technologies, Inc. | Method for strengthening air bridge circuits |
| US6475703B2 (en) * | 1998-12-01 | 2002-11-05 | Visteon Global Technologies, Inc. | Method for constructing multilayer circuit boards having air bridges |
| US6798064B1 (en) | 2000-07-12 | 2004-09-28 | Motorola, Inc. | Electronic component and method of manufacture |
| CN1579018A (zh) * | 2001-08-29 | 2005-02-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有凸起桥的集成电路器件及其制造方法 |
| US20050011673A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Wong Marvin Glenn | Methods for producing air bridges |
| US6915054B2 (en) * | 2003-07-15 | 2005-07-05 | Agilent Technologies, Inc. | Methods for producing waveguides |
| US20060009038A1 (en) | 2004-07-12 | 2006-01-12 | International Business Machines Corporation | Processing for overcoming extreme topography |
| US10381542B2 (en) * | 2015-04-30 | 2019-08-13 | International Business Machines Corporation | Trilayer Josephson junction structure with small air bridge and no interlevel dielectric for superconducting qubits |
| EP3951848A4 (en) * | 2019-03-29 | 2023-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4834686A (ja) * | 1971-09-09 | 1973-05-21 | ||
| JPS60161675A (ja) * | 1984-02-02 | 1985-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS6143449A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Hitachi Ltd | 配線パタ−ンの形成方法 |
| JPS61133645A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-20 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| IT1184723B (it) * | 1985-01-28 | 1987-10-28 | Telettra Lab Telefon | Transistore mesfet con strato d'aria tra le connessioni dell'elettrodo di gate al supporto e relativo procedimento difabbricazione |
| JPS6265346A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63300542A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS6481343A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Nec Corp | Manufacture of integrated circuit |
| US4933743A (en) * | 1989-03-11 | 1990-06-12 | Fairchild Semiconductor Corporation | High performance interconnect system for an integrated circuit |
| JP2856778B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1999-02-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の配線構造 |
| US5281769A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Dewall plating technique |
| JPH05304221A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-11-16 | Fuji Electric Co Ltd | 大電流集積回路 |
| JPH0722583A (ja) * | 1992-12-15 | 1995-01-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層回路装置 |
| US5539227A (en) * | 1993-11-24 | 1996-07-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Multi-layer wiring |
-
1995
- 1995-04-12 JP JP08722095A patent/JP3359780B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-09 US US08/629,535 patent/US5677574A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-12 DE DE19614584A patent/DE19614584C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270617A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010056388A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE102011084482A1 (de) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zum Herstellen einer Luftbrücke |
| JP2012089536A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | エアブリッジの製造方法 |
| US8440538B2 (en) | 2010-10-15 | 2013-05-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing airbridge |
| US8766445B2 (en) | 2011-10-12 | 2014-07-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US9018672B2 (en) | 2012-11-26 | 2015-04-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device comprising a semiconductor element having two electrodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5677574A (en) | 1997-10-14 |
| DE19614584C2 (de) | 2003-11-27 |
| JP3359780B2 (ja) | 2002-12-24 |
| DE19614584A1 (de) | 1996-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08288384A (ja) | 配線装置 | |
| US6605861B2 (en) | Semiconductor device | |
| DE60126960T2 (de) | Verbesserter rissunterbrecher für halbleiterchips | |
| US4866008A (en) | Methods for forming self-aligned conductive pillars on interconnects | |
| US5132775A (en) | Methods for and products having self-aligned conductive pillars on interconnects | |
| US6784478B2 (en) | Junction capacitor structure and fabrication method therefor in a dual damascene process | |
| US4996133A (en) | Self-aligned tungsten-filled via process and via formed thereby | |
| JPS5847858B2 (ja) | 配線装置およびその製造方法 | |
| US4308090A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| DE4320286A1 (de) | Verfahren zum elektrischen Kontaktieren des Aktivbereichs einer Halbleiteranordnung | |
| DE10253938A1 (de) | Bonding-Pad-Struktur einer Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
| US5985746A (en) | Process for forming self-aligned conductive plugs in multiple insulation levels in integrated circuit structures and resulting product | |
| KR100554210B1 (ko) | 자기 정렬 상호접속 비아를 이용하는 이중 다마신법 | |
| KR0169713B1 (ko) | 집적회로에서 적층 배열된 배선 레벨에 포함된 소자간 결선들 사이에 콘택을 자기정렬방식으로 제조하는 방법 | |
| WO1994025986A1 (de) | Halbleiterbauelement mit stromanschlüssen für hohe integrationsdichte | |
| EP0394722A2 (en) | Multilevel metallization for VLSI and method for forming the same | |
| US5924006A (en) | Trench surrounded metal pattern | |
| US5296407A (en) | Method of manufacturing a contact structure for integrated circuits | |
| US6337517B1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating same | |
| KR20090117908A (ko) | 패시베이션 층의 무결성을 개선하는 방법 | |
| DE19500392A1 (de) | Integrierte Schaltungsstruktur und Verfahren zu deren Herstellung | |
| US7122440B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
| US20040195652A1 (en) | Semiconductor device having inductor | |
| KR890011035A (ko) | 집적회로 제조방법 및 전기접속 형성방법 | |
| DE102004037336B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schicht-Anordnung und Schicht-Anordnung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071011 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081011 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091011 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091011 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101011 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111011 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121011 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131011 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |