JPH08288296A - 半導体製造装置の基板加熱装置 - Google Patents
半導体製造装置の基板加熱装置Info
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- JPH08288296A JPH08288296A JP8053787A JP5378796A JPH08288296A JP H08288296 A JPH08288296 A JP H08288296A JP 8053787 A JP8053787 A JP 8053787A JP 5378796 A JP5378796 A JP 5378796A JP H08288296 A JPH08288296 A JP H08288296A
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- heater
- substrate
- panel heater
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造装置の基板加熱装置に於けるタクト
タイムの大幅な短縮、装置のコンパクト化を目的とす
る。 【解決手段】真空槽２５内にヒータ支持枠を３２設け、
該ヒータ支持枠内に複数段パネルヒータ４０を設け、各
パネルヒータの間に被処理基板２３を支持可能とし、被
処理基板を複数枚同時に加熱可能としたのでタクトタイ
ムが大幅に短縮し、又加熱源をパネルヒータとしたので
基板加熱ユニットがコンパクトとなる。
タイムの大幅な短縮、装置のコンパクト化を目的とす
る。 【解決手段】真空槽２５内にヒータ支持枠を３２設け、
該ヒータ支持枠内に複数段パネルヒータ４０を設け、各
パネルヒータの間に被処理基板２３を支持可能とし、被
処理基板を複数枚同時に加熱可能としたのでタクトタイ
ムが大幅に短縮し、又加熱源をパネルヒータとしたので
基板加熱ユニットがコンパクトとなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板表面に薄膜の生
成、エッチング等の処理をして半導体を製造する半導体
製造工程に於いて基板を予熱する基板加熱装置に関する
ものである。
成、エッチング等の処理をして半導体を製造する半導体
製造工程に於いて基板を予熱する基板加熱装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】基板表面の処理を行う前工程として、基
板を処理温度迄予熱する工程がある。
板を処理温度迄予熱する工程がある。
【０００３】図１０、図１１に於いて従来の基板加熱装
置について説明する。
置について説明する。
【０００４】真空槽１は容器本体２と上蓋３から成り、
上蓋３の下側に絶縁台４を介して加熱ランプ５が設けら
れ、該加熱ランプ５の下方に遠赤外線放射板１０が設け
られる。前記容器本体２の底面に台座６を介して冷却板
７が設けられ、該冷却板７に絶縁台８を介して加熱ラン
プ９が設けられ、加熱ランプ９の上方に遠赤外線放射板
１１が設けられている。
上蓋３の下側に絶縁台４を介して加熱ランプ５が設けら
れ、該加熱ランプ５の下方に遠赤外線放射板１０が設け
られる。前記容器本体２の底面に台座６を介して冷却板
７が設けられ、該冷却板７に絶縁台８を介して加熱ラン
プ９が設けられ、加熱ランプ９の上方に遠赤外線放射板
１１が設けられている。
【０００５】前記容器本体２の底面を昇降ロッド１２が
貫通し、昇降ロッド１２の貫通箇所はベローズ１３が設
けられ気密となっており、下端には昇降シリンダ（図示
せず）が連結されている。前記昇降ロッド１２の上端に
は支持ピンベース１４が固着されている。該支持ピンベ
ース１４には４本の支持ピン１５が立設され、該支持ピ
ン１５は前記冷却板７、遠赤外線放射板１１を貫通して
遠赤外線放射板１１の上方に突出している。
貫通し、昇降ロッド１２の貫通箇所はベローズ１３が設
けられ気密となっており、下端には昇降シリンダ（図示
せず）が連結されている。前記昇降ロッド１２の上端に
は支持ピンベース１４が固着されている。該支持ピンベ
ース１４には４本の支持ピン１５が立設され、該支持ピ
ン１５は前記冷却板７、遠赤外線放射板１１を貫通して
遠赤外線放射板１１の上方に突出している。
【０００６】前記上蓋３には冷却水路１７が形成され、
該冷却水路１７には給排管１８が連通し、前記冷却板７
には冷却水路１９が形成され、該冷却水路１９には給排
管２０が連通され、前記給排管１８、給排管２０は図示
しない冷却源に連通されている。又、前記加熱ランプ
５、加熱ランプ９は前記上蓋３、容器本体２底部にそれ
ぞれ気密に設けられた電流導入端子２１を介して図示し
ない電源に接続されている。尚、図中２２は被処理基板
２３搬入、搬出用の基板搬送口である。
該冷却水路１７には給排管１８が連通し、前記冷却板７
には冷却水路１９が形成され、該冷却水路１９には給排
管２０が連通され、前記給排管１８、給排管２０は図示
しない冷却源に連通されている。又、前記加熱ランプ
５、加熱ランプ９は前記上蓋３、容器本体２底部にそれ
ぞれ気密に設けられた電流導入端子２１を介して図示し
ない電源に接続されている。尚、図中２２は被処理基板
２３搬入、搬出用の基板搬送口である。
【０００７】図示しない搬送アームにより基板搬送口２
２より搬入された被処理基板２３は、図示しない昇降シ
リンダによる支持ピンベース１４の昇降により、搬送ア
ームから支持ピン１５に移載される。前記被処理基板２
３は前記遠赤外線放射板１０と遠赤外線放射板１１との
間に支持された状態で加熱される。
２より搬入された被処理基板２３は、図示しない昇降シ
リンダによる支持ピンベース１４の昇降により、搬送ア
ームから支持ピン１５に移載される。前記被処理基板２
３は前記遠赤外線放射板１０と遠赤外線放射板１１との
間に支持された状態で加熱される。
【０００８】前記加熱ランプ５、加熱ランプ９に通電さ
れ、遠赤外線放射板１０、遠赤外線放射板１１が加熱さ
れ、該遠赤外線放射板１０、遠赤外線放射板１１からの
輻射熱により前記被処理基板２３が加熱される。加熱後
の被処理基板２３は図示しない搬送用アームにより前記
基板搬送口２２より搬出される。
れ、遠赤外線放射板１０、遠赤外線放射板１１が加熱さ
れ、該遠赤外線放射板１０、遠赤外線放射板１１からの
輻射熱により前記被処理基板２３が加熱される。加熱後
の被処理基板２３は図示しない搬送用アームにより前記
基板搬送口２２より搬出される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】基板加熱装置での被処
理基板の加熱時間（タクトタイム）は、半導体製造装置
の生産性にも影響するが、上記した従来の基板加熱装置
では被処理基板を１枚ずつ加熱しており、一枚の被処理
基板毎に、基板昇温時間、搬入搬出の為の搬送時間が必
要とされ、而も昇温速度は基板に熱歪みを生じない様に
行う等の制約があり、１枚の被処理基板に要されるタク
トタイムの大幅な短縮は望めないという問題があった。
理基板の加熱時間（タクトタイム）は、半導体製造装置
の生産性にも影響するが、上記した従来の基板加熱装置
では被処理基板を１枚ずつ加熱しており、一枚の被処理
基板毎に、基板昇温時間、搬入搬出の為の搬送時間が必
要とされ、而も昇温速度は基板に熱歪みを生じない様に
行う等の制約があり、１枚の被処理基板に要されるタク
トタイムの大幅な短縮は望めないという問題があった。
【００１０】本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造装
置の基板加熱装置に於けるタクトタイムの大幅な短縮を
可能としようとするものであり、更に装置のコンパクト
化を併せて図ろうとするものである。
置の基板加熱装置に於けるタクトタイムの大幅な短縮を
可能としようとするものであり、更に装置のコンパクト
化を併せて図ろうとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空槽内にヒ
ータ支持枠を設け、該ヒータ支持枠内に複数段対面パネ
ルヒータを設け、各対面パネルヒータの間に被処理基板
を支持可能とした半導体製造装置の基板加熱装置であ
り、又前記対面パネルヒータの両端部に側面パネルヒー
タを設けた半導体製造装置の基板加熱装置であり、又ヒ
ータ支持枠に溝を刻設し、該溝に対面パネルヒータを挿
入させ、対面パネルヒータ側面の中央を固定し、対面パ
ネルヒータの側面両端部に断熱カラーを設け、該断熱カ
ラーを介して前記溝に嵌合した半導体製造装置の基板加
熱装置であり、又ヒータ支持枠側に基板受けを設け、被
処理基板の一辺側で被処理基板を受載可能とすると共に
対面パネルヒータに被処理基板の他辺をガイドする基板
ガイドピンを植設した半導体製造装置の基板加熱装置で
あり、又パネルヒータはヒータ素線を埋設したアルミニ
ウム製の鋳込型パネルヒータである半導体製造装置の基
板加熱装置であり、又側面パネルヒータが発熱体であ
り、該側面パネルヒータを少なくともヒータ支持枠の側
枠に対して断熱して設け、前記左右の側面パネルヒータ
に掛渡して対面パネルヒータを設け、該対面パネルヒー
タが前記側面パネルヒータに熱伝導により加熱される半
導体製造装置の基板加熱装置であり、又側面パネルヒー
タに棚部を設け、該棚部に対面パネルヒータの端部が乗
置する様にすると共に前記対面パネルヒータの端部を前
記棚部に押圧する手段を設けた半導体製造装置の基板加
熱装置であり、押圧手段が前記対面パネルヒータの端部
に乗置されるヒータ押えと、該ヒータ押えと前記棚部と
に嵌合するヒータクランパと、該ヒータクランパに螺合
し、前記ヒータ押えを前記対面パネルヒータに押圧する
押え螺子とから成る半導体製造装置の基板加熱装置であ
り、又ヒータ支持枠に反射板を設けた半導体製造装置の
基板加熱装置であり、更に真空槽の側壁より被処理基板
を搬入可能とし、ヒータ支持枠を真空槽底板を気密に貫
通する支柱を介して支持し、該支柱の下端をスクリュー
ロッドに連結し、該スクリューロッドに連結した昇降モ
ータにより前記ヒータ支持枠を昇降可能とした半導体製
造装置の基板加熱装置に係るものである。而して、被処
理基板を複数枚同時に加熱可能としたのでタクトタイム
が大幅に短縮し、又加熱源をパネルヒータとしたので基
板加熱ユニットがコンパクトとなる。
ータ支持枠を設け、該ヒータ支持枠内に複数段対面パネ
ルヒータを設け、各対面パネルヒータの間に被処理基板
を支持可能とした半導体製造装置の基板加熱装置であ
り、又前記対面パネルヒータの両端部に側面パネルヒー
タを設けた半導体製造装置の基板加熱装置であり、又ヒ
ータ支持枠に溝を刻設し、該溝に対面パネルヒータを挿
入させ、対面パネルヒータ側面の中央を固定し、対面パ
ネルヒータの側面両端部に断熱カラーを設け、該断熱カ
ラーを介して前記溝に嵌合した半導体製造装置の基板加
熱装置であり、又ヒータ支持枠側に基板受けを設け、被
処理基板の一辺側で被処理基板を受載可能とすると共に
対面パネルヒータに被処理基板の他辺をガイドする基板
ガイドピンを植設した半導体製造装置の基板加熱装置で
あり、又パネルヒータはヒータ素線を埋設したアルミニ
ウム製の鋳込型パネルヒータである半導体製造装置の基
板加熱装置であり、又側面パネルヒータが発熱体であ
り、該側面パネルヒータを少なくともヒータ支持枠の側
枠に対して断熱して設け、前記左右の側面パネルヒータ
に掛渡して対面パネルヒータを設け、該対面パネルヒー
タが前記側面パネルヒータに熱伝導により加熱される半
導体製造装置の基板加熱装置であり、又側面パネルヒー
タに棚部を設け、該棚部に対面パネルヒータの端部が乗
置する様にすると共に前記対面パネルヒータの端部を前
記棚部に押圧する手段を設けた半導体製造装置の基板加
熱装置であり、押圧手段が前記対面パネルヒータの端部
に乗置されるヒータ押えと、該ヒータ押えと前記棚部と
に嵌合するヒータクランパと、該ヒータクランパに螺合
し、前記ヒータ押えを前記対面パネルヒータに押圧する
押え螺子とから成る半導体製造装置の基板加熱装置であ
り、又ヒータ支持枠に反射板を設けた半導体製造装置の
基板加熱装置であり、更に真空槽の側壁より被処理基板
を搬入可能とし、ヒータ支持枠を真空槽底板を気密に貫
通する支柱を介して支持し、該支柱の下端をスクリュー
ロッドに連結し、該スクリューロッドに連結した昇降モ
ータにより前記ヒータ支持枠を昇降可能とした半導体製
造装置の基板加熱装置に係るものである。而して、被処
理基板を複数枚同時に加熱可能としたのでタクトタイム
が大幅に短縮し、又加熱源をパネルヒータとしたので基
板加熱ユニットがコンパクトとなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
第１の実施の形態を説明する。
第１の実施の形態を説明する。
【００１３】真空槽２５の底板２５ｂを気密に貫通する
中空の支柱２６を設け、該支柱２６の上端に基板加熱ユ
ニット２７を設け、該支柱２６は真空槽２５の下側に設
けられたエレベータ２８の昇降台２９に立設されてい
る。前記真空槽２５の内面には反射板６０が設けられ、
又図示しないが真空槽２５内の温度を測定する熱電対が
設けられている。前記真空槽２５の天井板２５ａ、底板
２５ｂには冷却水路が形成され、該冷却水路に冷却水が
導入され、前記天井板２５ａ、底板２５ｂを所定温度に
冷却している。
中空の支柱２６を設け、該支柱２６の上端に基板加熱ユ
ニット２７を設け、該支柱２６は真空槽２５の下側に設
けられたエレベータ２８の昇降台２９に立設されてい
る。前記真空槽２５の内面には反射板６０が設けられ、
又図示しないが真空槽２５内の温度を測定する熱電対が
設けられている。前記真空槽２５の天井板２５ａ、底板
２５ｂには冷却水路が形成され、該冷却水路に冷却水が
導入され、前記天井板２５ａ、底板２５ｂを所定温度に
冷却している。
【００１４】前記基板加熱ユニット２７を説明する。
【００１５】前記支柱２６の上端に設けられたフランジ
３０に台座３１を固着し、該台座３１にヒータ支持枠３
２を取付ける。該ヒータ支持枠３２は２本の下ビーム３
３、該下ビーム３３に立設された１組の側枠３４、該側
枠３４の上端に掛渡された２本の上ビーム３５から構成
され、前記下ビーム３３がボルト３６により前記台座３
１に固定され、又前記側枠３４の上端には前記ヒータ支
持枠３２の天板を形成する如く反射板３７が設けられて
いる。前記側枠３４は３本の側柱を有し、該３本の側柱
の内側面にはそれぞれ所要ピッチで所要数の溝３８を刻
設し、中央の側柱には該溝３８の位置に合致した前記固
定孔３９が穿設されている。
３０に台座３１を固着し、該台座３１にヒータ支持枠３
２を取付ける。該ヒータ支持枠３２は２本の下ビーム３
３、該下ビーム３３に立設された１組の側枠３４、該側
枠３４の上端に掛渡された２本の上ビーム３５から構成
され、前記下ビーム３３がボルト３６により前記台座３
１に固定され、又前記側枠３４の上端には前記ヒータ支
持枠３２の天板を形成する如く反射板３７が設けられて
いる。前記側枠３４は３本の側柱を有し、該３本の側柱
の内側面にはそれぞれ所要ピッチで所要数の溝３８を刻
設し、中央の側柱には該溝３８の位置に合致した前記固
定孔３９が穿設されている。
【００１６】対面パネルヒータ４０はヒータ素線を埋設
したアルミニウム製の鋳込型パネルヒータであり、該対
面パネルヒータ４０の各側面には２本の断熱カラー４１
が固定ピン４２により固定され、該断熱カラー４１は前
記溝３８に摺動自在に嵌合可能とする。前記各溝３８に
前記断熱カラー４１を介して対面パネルヒータ４０を挿
入し、該対面パネルヒータ４０は前記固定孔３９に断熱
カラー４８を介して挿通した固定ピン４２により前記ヒ
ータ支持枠３２に固定される。又、前記左右の断熱カラ
ー４１の両端面間の距離は対峙する前記溝３８の底面間
の距離より小さくしてある。而して、前記対面パネルヒ
ータ４０は前記固定ピン４２を中心に前後方向、左右
（幅）方向のいずれにも膨脹が許容される様になってい
る。
したアルミニウム製の鋳込型パネルヒータであり、該対
面パネルヒータ４０の各側面には２本の断熱カラー４１
が固定ピン４２により固定され、該断熱カラー４１は前
記溝３８に摺動自在に嵌合可能とする。前記各溝３８に
前記断熱カラー４１を介して対面パネルヒータ４０を挿
入し、該対面パネルヒータ４０は前記固定孔３９に断熱
カラー４８を介して挿通した固定ピン４２により前記ヒ
ータ支持枠３２に固定される。又、前記左右の断熱カラ
ー４１の両端面間の距離は対峙する前記溝３８の底面間
の距離より小さくしてある。而して、前記対面パネルヒ
ータ４０は前記固定ピン４２を中心に前後方向、左右
（幅）方向のいずれにも膨脹が許容される様になってい
る。
【００１７】前記対面パネルヒータ４０の上面４箇所に
基板ガイドピン４３を植設し、前記側枠３４の側柱内の
前記各基板ガイドピン４３の上端に対応した位置に断熱
材から成る基板受け４４を設ける。該基板受け４４は前
記基板ガイドピン４３の上端と一致した棚面４４ａと該
棚面４４ａから幅広方向に傾斜したガイド面４４ｂを有
する。
基板ガイドピン４３を植設し、前記側枠３４の側柱内の
前記各基板ガイドピン４３の上端に対応した位置に断熱
材から成る基板受け４４を設ける。該基板受け４４は前
記基板ガイドピン４３の上端と一致した棚面４４ａと該
棚面４４ａから幅広方向に傾斜したガイド面４４ｂを有
する。
【００１８】前記台座３１の両側面には電流導入端子４
５が所要数植設された端子板４６が固着され、前記端子
板４６と前記対面パネルヒータ４０とが接続され、更に
前記電流導入端子４５に接続された電源ケーブル４７は
前記支柱２６の内部を挿通して図示しない電源に接続さ
れている。
５が所要数植設された端子板４６が固着され、前記端子
板４６と前記対面パネルヒータ４０とが接続され、更に
前記電流導入端子４５に接続された電源ケーブル４７は
前記支柱２６の内部を挿通して図示しない電源に接続さ
れている。
【００１９】次に、前記エレベータ２８を説明する。
【００２０】前記真空槽２５の下面にブラケット５０を
固着し、該ブラケット５０に減速機付昇降モータ５１を
取付け、又減速機付昇降モータ５１の出力軸にはスクリ
ューロッド５２を連結する。前記昇降台２９は図示しな
いガイドロッドに嵌合し、昇降自在となっており、該昇
降台２９はナットブロック５３を介して前記スクリュー
ロッド５２に螺合している。前記支柱２６は前記昇降台
２９に立設され、前記真空槽２５の底板２５ｂを遊貫し
ており、前記支柱２６の貫通部は該支柱２６に被着され
たベローズ５４により気密となっている。
固着し、該ブラケット５０に減速機付昇降モータ５１を
取付け、又減速機付昇降モータ５１の出力軸にはスクリ
ューロッド５２を連結する。前記昇降台２９は図示しな
いガイドロッドに嵌合し、昇降自在となっており、該昇
降台２９はナットブロック５３を介して前記スクリュー
ロッド５２に螺合している。前記支柱２６は前記昇降台
２９に立設され、前記真空槽２５の底板２５ｂを遊貫し
ており、前記支柱２６の貫通部は該支柱２６に被着され
たベローズ５４により気密となっている。
【００２１】図中、５５は前記被処理基板２３を搬入搬
出する搬送ロボット（図示せず）の搬送アームであり、
５６は該搬送アーム先端の基板受載板、５７は基板搬送
口である。
出する搬送ロボット（図示せず）の搬送アームであり、
５６は該搬送アーム先端の基板受載板、５７は基板搬送
口である。
【００２２】以下、作動を説明する。
【００２３】減速機付昇降モータ５１により基板加熱ユ
ニット２７を最下位値迄降下させた状態で、前記搬送ア
ーム５５の基板受載板５６に被処理基板２３を受載し、
前記基板搬送口５７より真空槽２５内に搬入する。前記
減速機付昇降モータ５１により基板加熱ユニット２７を
若干上昇させ、基板受け４４に被処理基板２３を受載す
る。真空槽２５上昇の過程で前記基板ガイドピン４３に
より被処理基板２３のＹ方向の位置合わせ、前記基板受
け４４のガイド面４４ｂによりＸ方向の位置合わせがな
される。ここで、基板ガイドピン４３は対面パネルヒー
タ４０に植設されており、前記対面パネルヒータ４０の
熱膨張により位置変化があるが、その位置は熱膨張分を
見越して位置設定がなされており、又前記基板受け４４
はヒータ支持枠３２側に設けられているので、対面パネ
ルヒータ４０の熱膨張の影響を受けない。従って、被処
理基板２３の位置決めの再現性が保証される。
ニット２７を最下位値迄降下させた状態で、前記搬送ア
ーム５５の基板受載板５６に被処理基板２３を受載し、
前記基板搬送口５７より真空槽２５内に搬入する。前記
減速機付昇降モータ５１により基板加熱ユニット２７を
若干上昇させ、基板受け４４に被処理基板２３を受載す
る。真空槽２５上昇の過程で前記基板ガイドピン４３に
より被処理基板２３のＹ方向の位置合わせ、前記基板受
け４４のガイド面４４ｂによりＸ方向の位置合わせがな
される。ここで、基板ガイドピン４３は対面パネルヒー
タ４０に植設されており、前記対面パネルヒータ４０の
熱膨張により位置変化があるが、その位置は熱膨張分を
見越して位置設定がなされており、又前記基板受け４４
はヒータ支持枠３２側に設けられているので、対面パネ
ルヒータ４０の熱膨張の影響を受けない。従って、被処
理基板２３の位置決めの再現性が保証される。
【００２４】前記搬送アーム５５が真空槽２５より後退
すると、前記減速機付昇降モータ５１が駆動して基板加
熱ユニット２７を所定量上昇させ、２段目の被処理基板
２３挿入位置となる。尚、前記基板受載板５６より被処
理基板２３を基板受け４４に移載する時の基板加熱ユニ
ット２７の上昇量と２段目の被処理基板２３挿入位置と
する上昇量の和は、前記溝３８間のピッチに等しくな
る。
すると、前記減速機付昇降モータ５１が駆動して基板加
熱ユニット２７を所定量上昇させ、２段目の被処理基板
２３挿入位置となる。尚、前記基板受載板５６より被処
理基板２３を基板受け４４に移載する時の基板加熱ユニ
ット２７の上昇量と２段目の被処理基板２３挿入位置と
する上昇量の和は、前記溝３８間のピッチに等しくな
る。
【００２５】而して、上記被処理基板２３の搬入動作を
繰返して前記基板加熱ユニット２７の全ての挿入位置に
被処理基板２３を挿入する。
繰返して前記基板加熱ユニット２７の全ての挿入位置に
被処理基板２３を挿入する。
【００２６】前記電源ケーブル４７、電流導入端子４５
を介して前記各対面パネルヒータ４０に電力を供給して
該対面パネルヒータ４０を加熱し、輻射熱により前記被
処理基板２３を加熱する。尚、前記反射板６０、反射板
３７により輻射熱の拡散が防止されるので熱効率が向上
する。
を介して前記各対面パネルヒータ４０に電力を供給して
該対面パネルヒータ４０を加熱し、輻射熱により前記被
処理基板２３を加熱する。尚、前記反射板６０、反射板
３７により輻射熱の拡散が防止されるので熱効率が向上
する。
【００２７】加熱完了後、被処理基板２３を真空槽２５
より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動作を行
う。
より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動作を行
う。
【００２８】上述した様に、本実施の形態では複数の被
処理基板２３を一度に加熱するので、タクトタイムＴA
(sec）は、基板昇温時間ＴH (sec）、基板の搬入搬出に
要する搬送時間ｔ(sec）、一度に加熱できる基板枚数ｎ
（枚）とすると以下の式により求められ、複数枚同時加
熱によりタクトイタイムの大幅な短縮を行える。
処理基板２３を一度に加熱するので、タクトタイムＴA
(sec）は、基板昇温時間ＴH (sec）、基板の搬入搬出に
要する搬送時間ｔ(sec）、一度に加熱できる基板枚数ｎ
（枚）とすると以下の式により求められ、複数枚同時加
熱によりタクトイタイムの大幅な短縮を行える。
【００２９】
【数１】ＴA ＝（ＴH ＋ｔ）／ｎ
【００３０】次に、図６〜図９により第２の実施の形態
を示す。図６〜図９に於いて、図１〜図５中で示したも
のと同様のものには同符号を付してある。又、エレベー
タ２８、真空槽２５については上記実施の形態と同様で
あるので詳細は省略し、以下は基板加熱ユニット２７に
ついて説明する。
を示す。図６〜図９に於いて、図１〜図５中で示したも
のと同様のものには同符号を付してある。又、エレベー
タ２８、真空槽２５については上記実施の形態と同様で
あるので詳細は省略し、以下は基板加熱ユニット２７に
ついて説明する。
【００３１】前記支柱２６の上端に固着されたフランジ
３０にヒータ支持枠６２を設ける。該ヒータ支持枠６２
は４本の下ビーム６３、該下ビーム６３の端部に立設さ
れた１組の側枠６４、該側枠６４の上端に掛渡された３
本の上ビーム６５から構成され、前記下ビーム６３がボ
ルト６６により前記フランジ３０に固定される。
３０にヒータ支持枠６２を設ける。該ヒータ支持枠６２
は４本の下ビーム６３、該下ビーム６３の端部に立設さ
れた１組の側枠６４、該側枠６４の上端に掛渡された３
本の上ビーム６５から構成され、前記下ビーム６３がボ
ルト６６により前記フランジ３０に固定される。
【００３２】前記下ビーム６３と下ビーム６３との間に
は反射板６７が設けられ、又前記上ビーム６５と上ビー
ム６５との間には前記ヒータ支持枠６２の天板を形成す
る如く反射板６８が設けられ、前記側枠６４には反射板
６９が設けられている。
は反射板６７が設けられ、又前記上ビーム６５と上ビー
ム６５との間には前記ヒータ支持枠６２の天板を形成す
る如く反射板６８が設けられ、前記側枠６４には反射板
６９が設けられている。
【００３３】前記側枠６４の内側には所要の間隙を明
け、側面パネルヒータ７０が設けられる。該側面パネル
ヒータ７０としては、ヒータ素線を埋設したアルミニウ
ム製の鋳込型パネルヒータ等が用いられる。前記側面パ
ネルヒータ７０は支持ピン７１を介して前記下ビーム６
３に乗置し、前記支持ピン７１は下ビーム６３に植設さ
れる。又該側面パネルヒータ７０の側面には断熱材であ
るスペーサ７２が螺着され、該スペーサ７２に前記側枠
６４を遊貫したヒータ固定ボルト７４が螺着され、該ヒ
ータ固定ボルト７４と前記側枠６４との間には断熱カラ
ー７３が介設され、前記側面パネルヒータ７０は前記ヒ
ータ支持枠６２に対して断熱され設けられる。
け、側面パネルヒータ７０が設けられる。該側面パネル
ヒータ７０としては、ヒータ素線を埋設したアルミニウ
ム製の鋳込型パネルヒータ等が用いられる。前記側面パ
ネルヒータ７０は支持ピン７１を介して前記下ビーム６
３に乗置し、前記支持ピン７１は下ビーム６３に植設さ
れる。又該側面パネルヒータ７０の側面には断熱材であ
るスペーサ７２が螺着され、該スペーサ７２に前記側枠
６４を遊貫したヒータ固定ボルト７４が螺着され、該ヒ
ータ固定ボルト７４と前記側枠６４との間には断熱カラ
ー７３が介設され、前記側面パネルヒータ７０は前記ヒ
ータ支持枠６２に対して断熱され設けられる。
【００３４】前記側面パネルヒータ７０の内側には上下
方向に所要の間隔で全長に亘り棚部７５が所要段（本実
施の形態では７段）突設され、左右の棚部７５に対面パ
ネルヒータ７６が掛渡り乗載され、更に対面パネルヒー
タ７６の端部を挾持する様に前記棚部７５に対向するヒ
ータ押え７７が乗置される。該ヒータ押え７７の端部に
段差７８が形成され、該段差７８と前記棚部７５の端部
とにコの字状のヒータクランパ８０が嵌合される。該ヒ
ータクランパ８０には上方より押え螺子８１が螺入さ
れ、該押え螺子８１を締込むことで前記ヒータ押え７７
が前記対面パネルヒータ７６に押圧される。
方向に所要の間隔で全長に亘り棚部７５が所要段（本実
施の形態では７段）突設され、左右の棚部７５に対面パ
ネルヒータ７６が掛渡り乗載され、更に対面パネルヒー
タ７６の端部を挾持する様に前記棚部７５に対向するヒ
ータ押え７７が乗置される。該ヒータ押え７７の端部に
段差７８が形成され、該段差７８と前記棚部７５の端部
とにコの字状のヒータクランパ８０が嵌合される。該ヒ
ータクランパ８０には上方より押え螺子８１が螺入さ
れ、該押え螺子８１を締込むことで前記ヒータ押え７７
が前記対面パネルヒータ７６に押圧される。
【００３５】前記棚部７５と棚部７５との間にコの字状
の基板受け８２を配設し、前記側面パネルヒータ７０を
貫通したボルト８３により前記基板受け８２を側面パネ
ルヒータ７０に固着する。前記基板受け８２の両端の中
心側突出部は前記被処理基板２３の載置部８２ａとなっ
ており、該載置部８２ａの基部には傾斜部８２ｂが形成
され、該傾斜部８２ｂにより前記被処理基板２３載置時
の位置合わせ作用が生ずる。
の基板受け８２を配設し、前記側面パネルヒータ７０を
貫通したボルト８３により前記基板受け８２を側面パネ
ルヒータ７０に固着する。前記基板受け８２の両端の中
心側突出部は前記被処理基板２３の載置部８２ａとなっ
ており、該載置部８２ａの基部には傾斜部８２ｂが形成
され、該傾斜部８２ｂにより前記被処理基板２３載置時
の位置合わせ作用が生ずる。
【００３６】前記側面パネルヒータ７０の中間位置に熱
電対８５を設け、側面パネルヒータ７０の温度の検出を
行い、又前記各対面パネルヒータ７６の下面所要位置、
例えば中央に熱電対８６を設け、前記対面パネルヒータ
７６の温度の検出を行う。前記熱電対８５、熱電対８６
の配線は前記側面パネルヒータ７０に対する給電用のケ
ーブルと共にケーブル固定金具８７に一旦固定され、更
にケーブルベア８８を通ってハーメチックシール（図示
せず）を介して大気側に導き出される。
電対８５を設け、側面パネルヒータ７０の温度の検出を
行い、又前記各対面パネルヒータ７６の下面所要位置、
例えば中央に熱電対８６を設け、前記対面パネルヒータ
７６の温度の検出を行う。前記熱電対８５、熱電対８６
の配線は前記側面パネルヒータ７０に対する給電用のケ
ーブルと共にケーブル固定金具８７に一旦固定され、更
にケーブルベア８８を通ってハーメチックシール（図示
せず）を介して大気側に導き出される。
【００３７】以下、図１を参照して作動を説明する。
【００３８】減速機付昇降モータ５１により前記基板加
熱ユニット２７を最下位値迄降下させ、その状態で前記
搬送アーム５５の基板受載板５６に被処理基板２３を受
載し、前記基板搬送口５７より真空槽２５内に搬入す
る。前記減速機付昇降モータ５１により前記基板加熱ユ
ニット２７を若干上昇させ、基板受け８２に被処理基板
２３を受載する。上記した様に、前記傾斜部８２ｂが基
板受け８２に対する被処理基板２３の芯ずれを修正す
る。
熱ユニット２７を最下位値迄降下させ、その状態で前記
搬送アーム５５の基板受載板５６に被処理基板２３を受
載し、前記基板搬送口５７より真空槽２５内に搬入す
る。前記減速機付昇降モータ５１により前記基板加熱ユ
ニット２７を若干上昇させ、基板受け８２に被処理基板
２３を受載する。上記した様に、前記傾斜部８２ｂが基
板受け８２に対する被処理基板２３の芯ずれを修正す
る。
【００３９】前記搬送アーム５５が真空槽２５より後退
すると、前記減速機付昇降モータ５１が駆動して基板加
熱ユニット２７を所定量上昇させ、２段目の被処理基板
２３挿入位置となる。尚、前記基板受載板５６より被処
理基板２３を前記基板受け８２に移載する時の基板加熱
ユニット２７の上昇量と２段目の被処理基板２３挿入位
置とする上昇量の和は、前記棚部７５間のピッチに等し
くなる。又、該第２の実施の形態では前記対面パネルヒ
ータ７６をヒータを埋設しない単なる輻射放熱板とした
ので前記棚部７５間のピッチは更に小さくなり、前記エ
レベータ２８の昇降動作量は大幅に小さくなり装置の小
型化が促進される。
すると、前記減速機付昇降モータ５１が駆動して基板加
熱ユニット２７を所定量上昇させ、２段目の被処理基板
２３挿入位置となる。尚、前記基板受載板５６より被処
理基板２３を前記基板受け８２に移載する時の基板加熱
ユニット２７の上昇量と２段目の被処理基板２３挿入位
置とする上昇量の和は、前記棚部７５間のピッチに等し
くなる。又、該第２の実施の形態では前記対面パネルヒ
ータ７６をヒータを埋設しない単なる輻射放熱板とした
ので前記棚部７５間のピッチは更に小さくなり、前記エ
レベータ２８の昇降動作量は大幅に小さくなり装置の小
型化が促進される。
【００４０】而して、上記被処理基板２３の搬入動作を
繰返して前記基板加熱ユニット２７の全ての挿入位置に
被処理基板２３を挿入する。
繰返して前記基板加熱ユニット２７の全ての挿入位置に
被処理基板２３を挿入する。
【００４１】前記電源ケーブルを介して前記各側面パネ
ルヒータ７０に電力を供給して該側面パネルヒータ７０
を加熱し、輻射熱により前記被処理基板２３を側方から
加熱する。更に、前記側面パネルヒータ７０は棚部７５
を介して熱伝導により前記対面パネルヒータ７６を加熱
する。前記側面パネルヒータ７０と前記棚部７５間の接
触圧は前記押え螺子８１の締込みで適正な値に保持さ
れ、前記側面パネルヒータ７０と前記棚部７５間の熱伝
導は良好に行われる。該対面パネルヒータ７６は輻射熱
により前記被処理基板２３の上下両面より加熱し、前記
被処理基板２３は上下方向、左右方向から熱せられるの
で被処理基板２３が大型化しても均一に加熱することが
できる。尚、前記対面パネルヒータ７６は均熱板として
の機能も有し、被処理基板２３の温度分布の不均一を解
消する。
ルヒータ７０に電力を供給して該側面パネルヒータ７０
を加熱し、輻射熱により前記被処理基板２３を側方から
加熱する。更に、前記側面パネルヒータ７０は棚部７５
を介して熱伝導により前記対面パネルヒータ７６を加熱
する。前記側面パネルヒータ７０と前記棚部７５間の接
触圧は前記押え螺子８１の締込みで適正な値に保持さ
れ、前記側面パネルヒータ７０と前記棚部７５間の熱伝
導は良好に行われる。該対面パネルヒータ７６は輻射熱
により前記被処理基板２３の上下両面より加熱し、前記
被処理基板２３は上下方向、左右方向から熱せられるの
で被処理基板２３が大型化しても均一に加熱することが
できる。尚、前記対面パネルヒータ７６は均熱板として
の機能も有し、被処理基板２３の温度分布の不均一を解
消する。
【００４２】更に、前記側面パネルヒータ７０の加熱温
度、前記対面パネルヒータ７６の加熱温度はそれぞれ熱
電対８５、熱電対８６により検出され、図示しない制御
装置により加熱温度が制御される。
度、前記対面パネルヒータ７６の加熱温度はそれぞれ熱
電対８５、熱電対８６により検出され、図示しない制御
装置により加熱温度が制御される。
【００４３】前記対面パネルヒータ７６は被処理基板２
３に汚染を与えない様、アルミニウム、ステンレス鋼、
カーボン、ＳｉＣ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｓｉｎｇｅ−Ｓｉ
等の材質が選択され、又輻射効果を高める為、適宜セラ
ミックコートを施す。
３に汚染を与えない様、アルミニウム、ステンレス鋼、
カーボン、ＳｉＣ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｓｉｎｇｅ−Ｓｉ
等の材質が選択され、又輻射効果を高める為、適宜セラ
ミックコートを施す。
【００４４】尚、前記反射板６７、反射板６８、反射板
６９、反射板６０により輻射熱の拡散が防止されるので
熱効率が向上する。
６９、反射板６０により輻射熱の拡散が防止されるので
熱効率が向上する。
【００４５】加熱完了後、被処理基板２３を真空槽２５
より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動作を行
う。
より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動作を行
う。
【００４６】尚、上記第１の実施の形態に於いて第２の
実施例で示した側面パネルヒータ７０を設けることが可
能であることは言う迄もない。
実施例で示した側面パネルヒータ７０を設けることが可
能であることは言う迄もない。
【００４７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、被処理
基板の複数枚同時加熱が可能となり、タクトタイムが大
幅な短縮となり、又従来の加熱ランプと遠赤外線放射板
に代えパネルヒータとしたので加熱ユニットがコンパク
トとなる等の優れた効果を発揮する。
基板の複数枚同時加熱が可能となり、タクトタイムが大
幅な短縮となり、又従来の加熱ランプと遠赤外線放射板
に代えパネルヒータとしたので加熱ユニットがコンパク
トとなる等の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す側断面図であ
る。
る。
【図２】同前第１の実施の形態の基板加熱ユニットの分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図３】同前基板加熱ユニットの部分側面図である。
【図４】同前基板加熱ユニットの一部を破断した部分正
面図である。
面図である。
【図５】同前基板加熱ユニットの正面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態の基板加熱ユニット
の分解斜視図である。
の分解斜視図である。
【図７】同前基板加熱ユニットの一部を破断した部分正
面図である。
面図である。
【図８】図６のＡ部拡大図である。
【図９】図７のＢ部拡大図である。
【図１０】従来例の正断面図である。
【図１１】従来例の側断面図である。
２３ 被処理基板 ２５ 真空槽 ２６ 支柱 ２７ 基板加熱ユニット ２８ エレベータ ３２ ヒータ支持枠 ３７ 反射板 ４０ 対面パネルヒータ ４３ 基板ガイドピン ４４ 基板受け ５１ 減速機付昇降モータ ５２ スクリューロッド ５４ ベローズ ６２ ヒータ支持枠 ６７ 反射板 ６８ 反射板 ６９ 反射板 ７０ 側面パネルヒータ ７２ スペーサ ７５ 棚部 ７６ 対面パネルヒータ ７７ ヒータ押え
Claims (10)
- 【請求項１】 真空槽内にヒータ支持枠を設け、該ヒー
タ支持枠内に複数段対面パネルヒータを設け、各対面パ
ネルヒータの間に被処理基板を支持可能としたことを特
徴とする半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項２】 前記対面パネルヒータの両端部に側面パ
ネルヒータを設けた請求項１の半導体製造装置の基板加
熱装置。 - 【請求項３】 ヒータ支持枠に溝を刻設し、該溝に対面
パネルヒータを挿入させ、対面パネルヒータ側面の中央
を固定し、対面パネルヒータの側面両端部に断熱カラー
を設け、該断熱カラーを介して前記溝に嵌合した請求項
１の半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項４】 ヒータ支持枠側に基板受けを設け、被処
理基板の一辺側で被処理基板を受載可能とすると共に対
面パネルヒータに被処理基板の他辺をガイドする基板ガ
イドピンを植設した請求項１の半導体製造装置の基板加
熱装置。 - 【請求項５】 パネルヒータはヒータ素線を埋設したア
ルミニウム製の鋳込型パネルヒータである請求項１〜請
求項４の半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項６】 側面パネルヒータが発熱体であり、該側
面パネルヒータを少なくともヒータ支持枠の側枠に対し
て断熱して設け、前記左右の側面パネルヒータに掛渡し
て対面パネルヒータを設け、該対面パネルヒータが前記
側面パネルヒータに熱伝導により加熱される請求項２の
半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項７】 側面パネルヒータに棚部を設け、該棚部
に対面パネルヒータの端部が乗置する様にすると共に前
記対面パネルヒータの端部を前記棚部に押圧する手段を
設けた請求項６の半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項８】 押圧手段が前記対面パネルヒータの端部
に乗置されるヒータ押えと、該ヒータ押えと前記棚部と
に嵌合するヒータクランパと、該ヒータクランパに螺合
し、前記ヒータ押えを前記対面パネルヒータに押圧する
押え螺子とから成る請求項７の半導体製造装置の基板加
熱装置。 - 【請求項９】 ヒータ支持枠に反射板を設けた請求項
１、請求項２の半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項１０】 真空槽の側壁より被処理基板を搬入可
能とし、ヒータ支持枠を真空槽底板を気密に貫通する支
柱を介して支持し、該支柱の下端をスクリューロッドに
連結し、該スクリューロッドに連結した昇降モータによ
り前記ヒータ支持枠を昇降可能とした請求項１〜請求項
９の半導体製造装置の基板加熱装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8053787A JPH08288296A (ja) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 半導体製造装置の基板加熱装置 |
| KR1019960033130A KR100245260B1 (ko) | 1996-02-16 | 1996-08-09 | 반도체 제조장치의 기판 가열장치 |
| US08/694,875 US5850071A (en) | 1996-02-16 | 1996-08-09 | Substrate heating equipment for use in a semiconductor fabricating apparatus |
| TW85109959A TW315490B (ja) | 1995-02-17 | 1996-08-15 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-53373 | 1995-02-17 | ||
| JP5337395 | 1995-02-17 | ||
| JP8053787A JPH08288296A (ja) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 半導体製造装置の基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288296A true JPH08288296A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=26394083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8053787A Pending JPH08288296A (ja) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 半導体製造装置の基板加熱装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288296A (ja) |
| TW (1) | TW315490B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11288943A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板加熱装置 |
| JP2000031070A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-01-28 | Ulvac Corp | ａ−Ｓｉ薄膜形成装置 |
| WO2000034986A1 (en) * | 1998-12-10 | 2000-06-15 | Steag Rtp Systems, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
| JP2001068434A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Ebara Corp | 銅めっき装置 |
| JP2005537632A (ja) * | 2002-02-11 | 2005-12-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 加熱基板支持体 |
| KR100572304B1 (ko) * | 1998-09-22 | 2006-08-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 증착설비 |
| JP2014130900A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shimadzu Corp | 加熱装置 |
| KR102435555B1 (ko) * | 2022-04-07 | 2022-08-23 | 주식회사 세미노바 | 웨이퍼 pvd 공정용 디가스 장치 |
-
1996
- 1996-02-16 JP JP8053787A patent/JPH08288296A/ja active Pending
- 1996-08-15 TW TW85109959A patent/TW315490B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11288943A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板加熱装置 |
| JP2000031070A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-01-28 | Ulvac Corp | ａ−Ｓｉ薄膜形成装置 |
| KR100572304B1 (ko) * | 1998-09-22 | 2006-08-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 증착설비 |
| WO2000034986A1 (en) * | 1998-12-10 | 2000-06-15 | Steag Rtp Systems, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
| US6310328B1 (en) | 1998-12-10 | 2001-10-30 | Mattson Technologies, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
| US6610967B2 (en) | 1998-12-10 | 2003-08-26 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
| US6727474B2 (en) | 1998-12-10 | 2004-04-27 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
| JP2001068434A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Ebara Corp | 銅めっき装置 |
| JP2005537632A (ja) * | 2002-02-11 | 2005-12-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 加熱基板支持体 |
| JP2014130900A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shimadzu Corp | 加熱装置 |
| KR102435555B1 (ko) * | 2022-04-07 | 2022-08-23 | 주식회사 세미노바 | 웨이퍼 pvd 공정용 디가스 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW315490B (ja) | 1997-09-11 |
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