JPH08288296A - 半導体製造装置の基板加熱装置 - Google Patents
半導体製造装置の基板加熱装置Info
- Publication number
- JPH08288296A JPH08288296A JP8053787A JP5378796A JPH08288296A JP H08288296 A JPH08288296 A JP H08288296A JP 8053787 A JP8053787 A JP 8053787A JP 5378796 A JP5378796 A JP 5378796A JP H08288296 A JPH08288296 A JP H08288296A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- substrate
- panel heater
- substrate heating
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造装置の基板加熱装置に於けるタクト
タイムの大幅な短縮、装置のコンパクト化を目的とす
る。 【解決手段】真空槽25内にヒータ支持枠を32設け、
該ヒータ支持枠内に複数段パネルヒータ40を設け、各
パネルヒータの間に被処理基板23を支持可能とし、被
処理基板を複数枚同時に加熱可能としたのでタクトタイ
ムが大幅に短縮し、又加熱源をパネルヒータとしたので
基板加熱ユニットがコンパクトとなる。
タイムの大幅な短縮、装置のコンパクト化を目的とす
る。 【解決手段】真空槽25内にヒータ支持枠を32設け、
該ヒータ支持枠内に複数段パネルヒータ40を設け、各
パネルヒータの間に被処理基板23を支持可能とし、被
処理基板を複数枚同時に加熱可能としたのでタクトタイ
ムが大幅に短縮し、又加熱源をパネルヒータとしたので
基板加熱ユニットがコンパクトとなる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基板表面に薄膜の生
成、エッチング等の処理をして半導体を製造する半導体
製造工程に於いて基板を予熱する基板加熱装置に関する
ものである。
成、エッチング等の処理をして半導体を製造する半導体
製造工程に於いて基板を予熱する基板加熱装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】基板表面の処理を行う前工程として、基
板を処理温度迄予熱する工程がある。
板を処理温度迄予熱する工程がある。
【0003】図10、図11に於いて従来の基板加熱装
置について説明する。
置について説明する。
【0004】真空槽1は容器本体2と上蓋3から成り、
上蓋3の下側に絶縁台4を介して加熱ランプ5が設けら
れ、該加熱ランプ5の下方に遠赤外線放射板10が設け
られる。前記容器本体2の底面に台座6を介して冷却板
7が設けられ、該冷却板7に絶縁台8を介して加熱ラン
プ9が設けられ、加熱ランプ9の上方に遠赤外線放射板
11が設けられている。
上蓋3の下側に絶縁台4を介して加熱ランプ5が設けら
れ、該加熱ランプ5の下方に遠赤外線放射板10が設け
られる。前記容器本体2の底面に台座6を介して冷却板
7が設けられ、該冷却板7に絶縁台8を介して加熱ラン
プ9が設けられ、加熱ランプ9の上方に遠赤外線放射板
11が設けられている。
【0005】前記容器本体2の底面を昇降ロッド12が
貫通し、昇降ロッド12の貫通箇所はベローズ13が設
けられ気密となっており、下端には昇降シリンダ(図示
せず)が連結されている。前記昇降ロッド12の上端に
は支持ピンベース14が固着されている。該支持ピンベ
ース14には4本の支持ピン15が立設され、該支持ピ
ン15は前記冷却板7、遠赤外線放射板11を貫通して
遠赤外線放射板11の上方に突出している。
貫通し、昇降ロッド12の貫通箇所はベローズ13が設
けられ気密となっており、下端には昇降シリンダ(図示
せず)が連結されている。前記昇降ロッド12の上端に
は支持ピンベース14が固着されている。該支持ピンベ
ース14には4本の支持ピン15が立設され、該支持ピ
ン15は前記冷却板7、遠赤外線放射板11を貫通して
遠赤外線放射板11の上方に突出している。
【0006】前記上蓋3には冷却水路17が形成され、
該冷却水路17には給排管18が連通し、前記冷却板7
には冷却水路19が形成され、該冷却水路19には給排
管20が連通され、前記給排管18、給排管20は図示
しない冷却源に連通されている。又、前記加熱ランプ
5、加熱ランプ9は前記上蓋3、容器本体2底部にそれ
ぞれ気密に設けられた電流導入端子21を介して図示し
ない電源に接続されている。尚、図中22は被処理基板
23搬入、搬出用の基板搬送口である。
該冷却水路17には給排管18が連通し、前記冷却板7
には冷却水路19が形成され、該冷却水路19には給排
管20が連通され、前記給排管18、給排管20は図示
しない冷却源に連通されている。又、前記加熱ランプ
5、加熱ランプ9は前記上蓋3、容器本体2底部にそれ
ぞれ気密に設けられた電流導入端子21を介して図示し
ない電源に接続されている。尚、図中22は被処理基板
23搬入、搬出用の基板搬送口である。
【0007】図示しない搬送アームにより基板搬送口2
2より搬入された被処理基板23は、図示しない昇降シ
リンダによる支持ピンベース14の昇降により、搬送ア
ームから支持ピン15に移載される。前記被処理基板2
3は前記遠赤外線放射板10と遠赤外線放射板11との
間に支持された状態で加熱される。
2より搬入された被処理基板23は、図示しない昇降シ
リンダによる支持ピンベース14の昇降により、搬送ア
ームから支持ピン15に移載される。前記被処理基板2
3は前記遠赤外線放射板10と遠赤外線放射板11との
間に支持された状態で加熱される。
【0008】前記加熱ランプ5、加熱ランプ9に通電さ
れ、遠赤外線放射板10、遠赤外線放射板11が加熱さ
れ、該遠赤外線放射板10、遠赤外線放射板11からの
輻射熱により前記被処理基板23が加熱される。加熱後
の被処理基板23は図示しない搬送用アームにより前記
基板搬送口22より搬出される。
れ、遠赤外線放射板10、遠赤外線放射板11が加熱さ
れ、該遠赤外線放射板10、遠赤外線放射板11からの
輻射熱により前記被処理基板23が加熱される。加熱後
の被処理基板23は図示しない搬送用アームにより前記
基板搬送口22より搬出される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】基板加熱装置での被処
理基板の加熱時間(タクトタイム)は、半導体製造装置
の生産性にも影響するが、上記した従来の基板加熱装置
では被処理基板を1枚ずつ加熱しており、一枚の被処理
基板毎に、基板昇温時間、搬入搬出の為の搬送時間が必
要とされ、而も昇温速度は基板に熱歪みを生じない様に
行う等の制約があり、1枚の被処理基板に要されるタク
トタイムの大幅な短縮は望めないという問題があった。
理基板の加熱時間(タクトタイム)は、半導体製造装置
の生産性にも影響するが、上記した従来の基板加熱装置
では被処理基板を1枚ずつ加熱しており、一枚の被処理
基板毎に、基板昇温時間、搬入搬出の為の搬送時間が必
要とされ、而も昇温速度は基板に熱歪みを生じない様に
行う等の制約があり、1枚の被処理基板に要されるタク
トタイムの大幅な短縮は望めないという問題があった。
【0010】本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造装
置の基板加熱装置に於けるタクトタイムの大幅な短縮を
可能としようとするものであり、更に装置のコンパクト
化を併せて図ろうとするものである。
置の基板加熱装置に於けるタクトタイムの大幅な短縮を
可能としようとするものであり、更に装置のコンパクト
化を併せて図ろうとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空槽内にヒ
ータ支持枠を設け、該ヒータ支持枠内に複数段対面パネ
ルヒータを設け、各対面パネルヒータの間に被処理基板
を支持可能とした半導体製造装置の基板加熱装置であ
り、又前記対面パネルヒータの両端部に側面パネルヒー
タを設けた半導体製造装置の基板加熱装置であり、又ヒ
ータ支持枠に溝を刻設し、該溝に対面パネルヒータを挿
入させ、対面パネルヒータ側面の中央を固定し、対面パ
ネルヒータの側面両端部に断熱カラーを設け、該断熱カ
ラーを介して前記溝に嵌合した半導体製造装置の基板加
熱装置であり、又ヒータ支持枠側に基板受けを設け、被
処理基板の一辺側で被処理基板を受載可能とすると共に
対面パネルヒータに被処理基板の他辺をガイドする基板
ガイドピンを植設した半導体製造装置の基板加熱装置で
あり、又パネルヒータはヒータ素線を埋設したアルミニ
ウム製の鋳込型パネルヒータである半導体製造装置の基
板加熱装置であり、又側面パネルヒータが発熱体であ
り、該側面パネルヒータを少なくともヒータ支持枠の側
枠に対して断熱して設け、前記左右の側面パネルヒータ
に掛渡して対面パネルヒータを設け、該対面パネルヒー
タが前記側面パネルヒータに熱伝導により加熱される半
導体製造装置の基板加熱装置であり、又側面パネルヒー
タに棚部を設け、該棚部に対面パネルヒータの端部が乗
置する様にすると共に前記対面パネルヒータの端部を前
記棚部に押圧する手段を設けた半導体製造装置の基板加
熱装置であり、押圧手段が前記対面パネルヒータの端部
に乗置されるヒータ押えと、該ヒータ押えと前記棚部と
に嵌合するヒータクランパと、該ヒータクランパに螺合
し、前記ヒータ押えを前記対面パネルヒータに押圧する
押え螺子とから成る半導体製造装置の基板加熱装置であ
り、又ヒータ支持枠に反射板を設けた半導体製造装置の
基板加熱装置であり、更に真空槽の側壁より被処理基板
を搬入可能とし、ヒータ支持枠を真空槽底板を気密に貫
通する支柱を介して支持し、該支柱の下端をスクリュー
ロッドに連結し、該スクリューロッドに連結した昇降モ
ータにより前記ヒータ支持枠を昇降可能とした半導体製
造装置の基板加熱装置に係るものである。而して、被処
理基板を複数枚同時に加熱可能としたのでタクトタイム
が大幅に短縮し、又加熱源をパネルヒータとしたので基
板加熱ユニットがコンパクトとなる。
ータ支持枠を設け、該ヒータ支持枠内に複数段対面パネ
ルヒータを設け、各対面パネルヒータの間に被処理基板
を支持可能とした半導体製造装置の基板加熱装置であ
り、又前記対面パネルヒータの両端部に側面パネルヒー
タを設けた半導体製造装置の基板加熱装置であり、又ヒ
ータ支持枠に溝を刻設し、該溝に対面パネルヒータを挿
入させ、対面パネルヒータ側面の中央を固定し、対面パ
ネルヒータの側面両端部に断熱カラーを設け、該断熱カ
ラーを介して前記溝に嵌合した半導体製造装置の基板加
熱装置であり、又ヒータ支持枠側に基板受けを設け、被
処理基板の一辺側で被処理基板を受載可能とすると共に
対面パネルヒータに被処理基板の他辺をガイドする基板
ガイドピンを植設した半導体製造装置の基板加熱装置で
あり、又パネルヒータはヒータ素線を埋設したアルミニ
ウム製の鋳込型パネルヒータである半導体製造装置の基
板加熱装置であり、又側面パネルヒータが発熱体であ
り、該側面パネルヒータを少なくともヒータ支持枠の側
枠に対して断熱して設け、前記左右の側面パネルヒータ
に掛渡して対面パネルヒータを設け、該対面パネルヒー
タが前記側面パネルヒータに熱伝導により加熱される半
導体製造装置の基板加熱装置であり、又側面パネルヒー
タに棚部を設け、該棚部に対面パネルヒータの端部が乗
置する様にすると共に前記対面パネルヒータの端部を前
記棚部に押圧する手段を設けた半導体製造装置の基板加
熱装置であり、押圧手段が前記対面パネルヒータの端部
に乗置されるヒータ押えと、該ヒータ押えと前記棚部と
に嵌合するヒータクランパと、該ヒータクランパに螺合
し、前記ヒータ押えを前記対面パネルヒータに押圧する
押え螺子とから成る半導体製造装置の基板加熱装置であ
り、又ヒータ支持枠に反射板を設けた半導体製造装置の
基板加熱装置であり、更に真空槽の側壁より被処理基板
を搬入可能とし、ヒータ支持枠を真空槽底板を気密に貫
通する支柱を介して支持し、該支柱の下端をスクリュー
ロッドに連結し、該スクリューロッドに連結した昇降モ
ータにより前記ヒータ支持枠を昇降可能とした半導体製
造装置の基板加熱装置に係るものである。而して、被処
理基板を複数枚同時に加熱可能としたのでタクトタイム
が大幅に短縮し、又加熱源をパネルヒータとしたので基
板加熱ユニットがコンパクトとなる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
第1の実施の形態を説明する。
第1の実施の形態を説明する。
【0013】真空槽25の底板25bを気密に貫通する
中空の支柱26を設け、該支柱26の上端に基板加熱ユ
ニット27を設け、該支柱26は真空槽25の下側に設
けられたエレベータ28の昇降台29に立設されてい
る。前記真空槽25の内面には反射板60が設けられ、
又図示しないが真空槽25内の温度を測定する熱電対が
設けられている。前記真空槽25の天井板25a、底板
25bには冷却水路が形成され、該冷却水路に冷却水が
導入され、前記天井板25a、底板25bを所定温度に
冷却している。
中空の支柱26を設け、該支柱26の上端に基板加熱ユ
ニット27を設け、該支柱26は真空槽25の下側に設
けられたエレベータ28の昇降台29に立設されてい
る。前記真空槽25の内面には反射板60が設けられ、
又図示しないが真空槽25内の温度を測定する熱電対が
設けられている。前記真空槽25の天井板25a、底板
25bには冷却水路が形成され、該冷却水路に冷却水が
導入され、前記天井板25a、底板25bを所定温度に
冷却している。
【0014】前記基板加熱ユニット27を説明する。
【0015】前記支柱26の上端に設けられたフランジ
30に台座31を固着し、該台座31にヒータ支持枠3
2を取付ける。該ヒータ支持枠32は2本の下ビーム3
3、該下ビーム33に立設された1組の側枠34、該側
枠34の上端に掛渡された2本の上ビーム35から構成
され、前記下ビーム33がボルト36により前記台座3
1に固定され、又前記側枠34の上端には前記ヒータ支
持枠32の天板を形成する如く反射板37が設けられて
いる。前記側枠34は3本の側柱を有し、該3本の側柱
の内側面にはそれぞれ所要ピッチで所要数の溝38を刻
設し、中央の側柱には該溝38の位置に合致した前記固
定孔39が穿設されている。
30に台座31を固着し、該台座31にヒータ支持枠3
2を取付ける。該ヒータ支持枠32は2本の下ビーム3
3、該下ビーム33に立設された1組の側枠34、該側
枠34の上端に掛渡された2本の上ビーム35から構成
され、前記下ビーム33がボルト36により前記台座3
1に固定され、又前記側枠34の上端には前記ヒータ支
持枠32の天板を形成する如く反射板37が設けられて
いる。前記側枠34は3本の側柱を有し、該3本の側柱
の内側面にはそれぞれ所要ピッチで所要数の溝38を刻
設し、中央の側柱には該溝38の位置に合致した前記固
定孔39が穿設されている。
【0016】対面パネルヒータ40はヒータ素線を埋設
したアルミニウム製の鋳込型パネルヒータであり、該対
面パネルヒータ40の各側面には2本の断熱カラー41
が固定ピン42により固定され、該断熱カラー41は前
記溝38に摺動自在に嵌合可能とする。前記各溝38に
前記断熱カラー41を介して対面パネルヒータ40を挿
入し、該対面パネルヒータ40は前記固定孔39に断熱
カラー48を介して挿通した固定ピン42により前記ヒ
ータ支持枠32に固定される。又、前記左右の断熱カラ
ー41の両端面間の距離は対峙する前記溝38の底面間
の距離より小さくしてある。而して、前記対面パネルヒ
ータ40は前記固定ピン42を中心に前後方向、左右
(幅)方向のいずれにも膨脹が許容される様になってい
る。
したアルミニウム製の鋳込型パネルヒータであり、該対
面パネルヒータ40の各側面には2本の断熱カラー41
が固定ピン42により固定され、該断熱カラー41は前
記溝38に摺動自在に嵌合可能とする。前記各溝38に
前記断熱カラー41を介して対面パネルヒータ40を挿
入し、該対面パネルヒータ40は前記固定孔39に断熱
カラー48を介して挿通した固定ピン42により前記ヒ
ータ支持枠32に固定される。又、前記左右の断熱カラ
ー41の両端面間の距離は対峙する前記溝38の底面間
の距離より小さくしてある。而して、前記対面パネルヒ
ータ40は前記固定ピン42を中心に前後方向、左右
(幅)方向のいずれにも膨脹が許容される様になってい
る。
【0017】前記対面パネルヒータ40の上面4箇所に
基板ガイドピン43を植設し、前記側枠34の側柱内の
前記各基板ガイドピン43の上端に対応した位置に断熱
材から成る基板受け44を設ける。該基板受け44は前
記基板ガイドピン43の上端と一致した棚面44aと該
棚面44aから幅広方向に傾斜したガイド面44bを有
する。
基板ガイドピン43を植設し、前記側枠34の側柱内の
前記各基板ガイドピン43の上端に対応した位置に断熱
材から成る基板受け44を設ける。該基板受け44は前
記基板ガイドピン43の上端と一致した棚面44aと該
棚面44aから幅広方向に傾斜したガイド面44bを有
する。
【0018】前記台座31の両側面には電流導入端子4
5が所要数植設された端子板46が固着され、前記端子
板46と前記対面パネルヒータ40とが接続され、更に
前記電流導入端子45に接続された電源ケーブル47は
前記支柱26の内部を挿通して図示しない電源に接続さ
れている。
5が所要数植設された端子板46が固着され、前記端子
板46と前記対面パネルヒータ40とが接続され、更に
前記電流導入端子45に接続された電源ケーブル47は
前記支柱26の内部を挿通して図示しない電源に接続さ
れている。
【0019】次に、前記エレベータ28を説明する。
【0020】前記真空槽25の下面にブラケット50を
固着し、該ブラケット50に減速機付昇降モータ51を
取付け、又減速機付昇降モータ51の出力軸にはスクリ
ューロッド52を連結する。前記昇降台29は図示しな
いガイドロッドに嵌合し、昇降自在となっており、該昇
降台29はナットブロック53を介して前記スクリュー
ロッド52に螺合している。前記支柱26は前記昇降台
29に立設され、前記真空槽25の底板25bを遊貫し
ており、前記支柱26の貫通部は該支柱26に被着され
たベローズ54により気密となっている。
固着し、該ブラケット50に減速機付昇降モータ51を
取付け、又減速機付昇降モータ51の出力軸にはスクリ
ューロッド52を連結する。前記昇降台29は図示しな
いガイドロッドに嵌合し、昇降自在となっており、該昇
降台29はナットブロック53を介して前記スクリュー
ロッド52に螺合している。前記支柱26は前記昇降台
29に立設され、前記真空槽25の底板25bを遊貫し
ており、前記支柱26の貫通部は該支柱26に被着され
たベローズ54により気密となっている。
【0021】図中、55は前記被処理基板23を搬入搬
出する搬送ロボット(図示せず)の搬送アームであり、
56は該搬送アーム先端の基板受載板、57は基板搬送
口である。
出する搬送ロボット(図示せず)の搬送アームであり、
56は該搬送アーム先端の基板受載板、57は基板搬送
口である。
【0022】以下、作動を説明する。
【0023】減速機付昇降モータ51により基板加熱ユ
ニット27を最下位値迄降下させた状態で、前記搬送ア
ーム55の基板受載板56に被処理基板23を受載し、
前記基板搬送口57より真空槽25内に搬入する。前記
減速機付昇降モータ51により基板加熱ユニット27を
若干上昇させ、基板受け44に被処理基板23を受載す
る。真空槽25上昇の過程で前記基板ガイドピン43に
より被処理基板23のY方向の位置合わせ、前記基板受
け44のガイド面44bによりX方向の位置合わせがな
される。ここで、基板ガイドピン43は対面パネルヒー
タ40に植設されており、前記対面パネルヒータ40の
熱膨張により位置変化があるが、その位置は熱膨張分を
見越して位置設定がなされており、又前記基板受け44
はヒータ支持枠32側に設けられているので、対面パネ
ルヒータ40の熱膨張の影響を受けない。従って、被処
理基板23の位置決めの再現性が保証される。
ニット27を最下位値迄降下させた状態で、前記搬送ア
ーム55の基板受載板56に被処理基板23を受載し、
前記基板搬送口57より真空槽25内に搬入する。前記
減速機付昇降モータ51により基板加熱ユニット27を
若干上昇させ、基板受け44に被処理基板23を受載す
る。真空槽25上昇の過程で前記基板ガイドピン43に
より被処理基板23のY方向の位置合わせ、前記基板受
け44のガイド面44bによりX方向の位置合わせがな
される。ここで、基板ガイドピン43は対面パネルヒー
タ40に植設されており、前記対面パネルヒータ40の
熱膨張により位置変化があるが、その位置は熱膨張分を
見越して位置設定がなされており、又前記基板受け44
はヒータ支持枠32側に設けられているので、対面パネ
ルヒータ40の熱膨張の影響を受けない。従って、被処
理基板23の位置決めの再現性が保証される。
【0024】前記搬送アーム55が真空槽25より後退
すると、前記減速機付昇降モータ51が駆動して基板加
熱ユニット27を所定量上昇させ、2段目の被処理基板
23挿入位置となる。尚、前記基板受載板56より被処
理基板23を基板受け44に移載する時の基板加熱ユニ
ット27の上昇量と2段目の被処理基板23挿入位置と
する上昇量の和は、前記溝38間のピッチに等しくな
る。
すると、前記減速機付昇降モータ51が駆動して基板加
熱ユニット27を所定量上昇させ、2段目の被処理基板
23挿入位置となる。尚、前記基板受載板56より被処
理基板23を基板受け44に移載する時の基板加熱ユニ
ット27の上昇量と2段目の被処理基板23挿入位置と
する上昇量の和は、前記溝38間のピッチに等しくな
る。
【0025】而して、上記被処理基板23の搬入動作を
繰返して前記基板加熱ユニット27の全ての挿入位置に
被処理基板23を挿入する。
繰返して前記基板加熱ユニット27の全ての挿入位置に
被処理基板23を挿入する。
【0026】前記電源ケーブル47、電流導入端子45
を介して前記各対面パネルヒータ40に電力を供給して
該対面パネルヒータ40を加熱し、輻射熱により前記被
処理基板23を加熱する。尚、前記反射板60、反射板
37により輻射熱の拡散が防止されるので熱効率が向上
する。
を介して前記各対面パネルヒータ40に電力を供給して
該対面パネルヒータ40を加熱し、輻射熱により前記被
処理基板23を加熱する。尚、前記反射板60、反射板
37により輻射熱の拡散が防止されるので熱効率が向上
する。
【0027】加熱完了後、被処理基板23を真空槽25
より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動作を行
う。
より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動作を行
う。
【0028】上述した様に、本実施の形態では複数の被
処理基板23を一度に加熱するので、タクトタイムTA
(sec)は、基板昇温時間TH (sec)、基板の搬入搬出に
要する搬送時間t(sec)、一度に加熱できる基板枚数n
(枚)とすると以下の式により求められ、複数枚同時加
熱によりタクトイタイムの大幅な短縮を行える。
処理基板23を一度に加熱するので、タクトタイムTA
(sec)は、基板昇温時間TH (sec)、基板の搬入搬出に
要する搬送時間t(sec)、一度に加熱できる基板枚数n
(枚)とすると以下の式により求められ、複数枚同時加
熱によりタクトイタイムの大幅な短縮を行える。
【0029】
【数1】TA =(TH +t)/n
【0030】次に、図6〜図9により第2の実施の形態
を示す。図6〜図9に於いて、図1〜図5中で示したも
のと同様のものには同符号を付してある。又、エレベー
タ28、真空槽25については上記実施の形態と同様で
あるので詳細は省略し、以下は基板加熱ユニット27に
ついて説明する。
を示す。図6〜図9に於いて、図1〜図5中で示したも
のと同様のものには同符号を付してある。又、エレベー
タ28、真空槽25については上記実施の形態と同様で
あるので詳細は省略し、以下は基板加熱ユニット27に
ついて説明する。
【0031】前記支柱26の上端に固着されたフランジ
30にヒータ支持枠62を設ける。該ヒータ支持枠62
は4本の下ビーム63、該下ビーム63の端部に立設さ
れた1組の側枠64、該側枠64の上端に掛渡された3
本の上ビーム65から構成され、前記下ビーム63がボ
ルト66により前記フランジ30に固定される。
30にヒータ支持枠62を設ける。該ヒータ支持枠62
は4本の下ビーム63、該下ビーム63の端部に立設さ
れた1組の側枠64、該側枠64の上端に掛渡された3
本の上ビーム65から構成され、前記下ビーム63がボ
ルト66により前記フランジ30に固定される。
【0032】前記下ビーム63と下ビーム63との間に
は反射板67が設けられ、又前記上ビーム65と上ビー
ム65との間には前記ヒータ支持枠62の天板を形成す
る如く反射板68が設けられ、前記側枠64には反射板
69が設けられている。
は反射板67が設けられ、又前記上ビーム65と上ビー
ム65との間には前記ヒータ支持枠62の天板を形成す
る如く反射板68が設けられ、前記側枠64には反射板
69が設けられている。
【0033】前記側枠64の内側には所要の間隙を明
け、側面パネルヒータ70が設けられる。該側面パネル
ヒータ70としては、ヒータ素線を埋設したアルミニウ
ム製の鋳込型パネルヒータ等が用いられる。前記側面パ
ネルヒータ70は支持ピン71を介して前記下ビーム6
3に乗置し、前記支持ピン71は下ビーム63に植設さ
れる。又該側面パネルヒータ70の側面には断熱材であ
るスペーサ72が螺着され、該スペーサ72に前記側枠
64を遊貫したヒータ固定ボルト74が螺着され、該ヒ
ータ固定ボルト74と前記側枠64との間には断熱カラ
ー73が介設され、前記側面パネルヒータ70は前記ヒ
ータ支持枠62に対して断熱され設けられる。
け、側面パネルヒータ70が設けられる。該側面パネル
ヒータ70としては、ヒータ素線を埋設したアルミニウ
ム製の鋳込型パネルヒータ等が用いられる。前記側面パ
ネルヒータ70は支持ピン71を介して前記下ビーム6
3に乗置し、前記支持ピン71は下ビーム63に植設さ
れる。又該側面パネルヒータ70の側面には断熱材であ
るスペーサ72が螺着され、該スペーサ72に前記側枠
64を遊貫したヒータ固定ボルト74が螺着され、該ヒ
ータ固定ボルト74と前記側枠64との間には断熱カラ
ー73が介設され、前記側面パネルヒータ70は前記ヒ
ータ支持枠62に対して断熱され設けられる。
【0034】前記側面パネルヒータ70の内側には上下
方向に所要の間隔で全長に亘り棚部75が所要段(本実
施の形態では7段)突設され、左右の棚部75に対面パ
ネルヒータ76が掛渡り乗載され、更に対面パネルヒー
タ76の端部を挾持する様に前記棚部75に対向するヒ
ータ押え77が乗置される。該ヒータ押え77の端部に
段差78が形成され、該段差78と前記棚部75の端部
とにコの字状のヒータクランパ80が嵌合される。該ヒ
ータクランパ80には上方より押え螺子81が螺入さ
れ、該押え螺子81を締込むことで前記ヒータ押え77
が前記対面パネルヒータ76に押圧される。
方向に所要の間隔で全長に亘り棚部75が所要段(本実
施の形態では7段)突設され、左右の棚部75に対面パ
ネルヒータ76が掛渡り乗載され、更に対面パネルヒー
タ76の端部を挾持する様に前記棚部75に対向するヒ
ータ押え77が乗置される。該ヒータ押え77の端部に
段差78が形成され、該段差78と前記棚部75の端部
とにコの字状のヒータクランパ80が嵌合される。該ヒ
ータクランパ80には上方より押え螺子81が螺入さ
れ、該押え螺子81を締込むことで前記ヒータ押え77
が前記対面パネルヒータ76に押圧される。
【0035】前記棚部75と棚部75との間にコの字状
の基板受け82を配設し、前記側面パネルヒータ70を
貫通したボルト83により前記基板受け82を側面パネ
ルヒータ70に固着する。前記基板受け82の両端の中
心側突出部は前記被処理基板23の載置部82aとなっ
ており、該載置部82aの基部には傾斜部82bが形成
され、該傾斜部82bにより前記被処理基板23載置時
の位置合わせ作用が生ずる。
の基板受け82を配設し、前記側面パネルヒータ70を
貫通したボルト83により前記基板受け82を側面パネ
ルヒータ70に固着する。前記基板受け82の両端の中
心側突出部は前記被処理基板23の載置部82aとなっ
ており、該載置部82aの基部には傾斜部82bが形成
され、該傾斜部82bにより前記被処理基板23載置時
の位置合わせ作用が生ずる。
【0036】前記側面パネルヒータ70の中間位置に熱
電対85を設け、側面パネルヒータ70の温度の検出を
行い、又前記各対面パネルヒータ76の下面所要位置、
例えば中央に熱電対86を設け、前記対面パネルヒータ
76の温度の検出を行う。前記熱電対85、熱電対86
の配線は前記側面パネルヒータ70に対する給電用のケ
ーブルと共にケーブル固定金具87に一旦固定され、更
にケーブルベア88を通ってハーメチックシール(図示
せず)を介して大気側に導き出される。
電対85を設け、側面パネルヒータ70の温度の検出を
行い、又前記各対面パネルヒータ76の下面所要位置、
例えば中央に熱電対86を設け、前記対面パネルヒータ
76の温度の検出を行う。前記熱電対85、熱電対86
の配線は前記側面パネルヒータ70に対する給電用のケ
ーブルと共にケーブル固定金具87に一旦固定され、更
にケーブルベア88を通ってハーメチックシール(図示
せず)を介して大気側に導き出される。
【0037】以下、図1を参照して作動を説明する。
【0038】減速機付昇降モータ51により前記基板加
熱ユニット27を最下位値迄降下させ、その状態で前記
搬送アーム55の基板受載板56に被処理基板23を受
載し、前記基板搬送口57より真空槽25内に搬入す
る。前記減速機付昇降モータ51により前記基板加熱ユ
ニット27を若干上昇させ、基板受け82に被処理基板
23を受載する。上記した様に、前記傾斜部82bが基
板受け82に対する被処理基板23の芯ずれを修正す
る。
熱ユニット27を最下位値迄降下させ、その状態で前記
搬送アーム55の基板受載板56に被処理基板23を受
載し、前記基板搬送口57より真空槽25内に搬入す
る。前記減速機付昇降モータ51により前記基板加熱ユ
ニット27を若干上昇させ、基板受け82に被処理基板
23を受載する。上記した様に、前記傾斜部82bが基
板受け82に対する被処理基板23の芯ずれを修正す
る。
【0039】前記搬送アーム55が真空槽25より後退
すると、前記減速機付昇降モータ51が駆動して基板加
熱ユニット27を所定量上昇させ、2段目の被処理基板
23挿入位置となる。尚、前記基板受載板56より被処
理基板23を前記基板受け82に移載する時の基板加熱
ユニット27の上昇量と2段目の被処理基板23挿入位
置とする上昇量の和は、前記棚部75間のピッチに等し
くなる。又、該第2の実施の形態では前記対面パネルヒ
ータ76をヒータを埋設しない単なる輻射放熱板とした
ので前記棚部75間のピッチは更に小さくなり、前記エ
レベータ28の昇降動作量は大幅に小さくなり装置の小
型化が促進される。
すると、前記減速機付昇降モータ51が駆動して基板加
熱ユニット27を所定量上昇させ、2段目の被処理基板
23挿入位置となる。尚、前記基板受載板56より被処
理基板23を前記基板受け82に移載する時の基板加熱
ユニット27の上昇量と2段目の被処理基板23挿入位
置とする上昇量の和は、前記棚部75間のピッチに等し
くなる。又、該第2の実施の形態では前記対面パネルヒ
ータ76をヒータを埋設しない単なる輻射放熱板とした
ので前記棚部75間のピッチは更に小さくなり、前記エ
レベータ28の昇降動作量は大幅に小さくなり装置の小
型化が促進される。
【0040】而して、上記被処理基板23の搬入動作を
繰返して前記基板加熱ユニット27の全ての挿入位置に
被処理基板23を挿入する。
繰返して前記基板加熱ユニット27の全ての挿入位置に
被処理基板23を挿入する。
【0041】前記電源ケーブルを介して前記各側面パネ
ルヒータ70に電力を供給して該側面パネルヒータ70
を加熱し、輻射熱により前記被処理基板23を側方から
加熱する。更に、前記側面パネルヒータ70は棚部75
を介して熱伝導により前記対面パネルヒータ76を加熱
する。前記側面パネルヒータ70と前記棚部75間の接
触圧は前記押え螺子81の締込みで適正な値に保持さ
れ、前記側面パネルヒータ70と前記棚部75間の熱伝
導は良好に行われる。該対面パネルヒータ76は輻射熱
により前記被処理基板23の上下両面より加熱し、前記
被処理基板23は上下方向、左右方向から熱せられるの
で被処理基板23が大型化しても均一に加熱することが
できる。尚、前記対面パネルヒータ76は均熱板として
の機能も有し、被処理基板23の温度分布の不均一を解
消する。
ルヒータ70に電力を供給して該側面パネルヒータ70
を加熱し、輻射熱により前記被処理基板23を側方から
加熱する。更に、前記側面パネルヒータ70は棚部75
を介して熱伝導により前記対面パネルヒータ76を加熱
する。前記側面パネルヒータ70と前記棚部75間の接
触圧は前記押え螺子81の締込みで適正な値に保持さ
れ、前記側面パネルヒータ70と前記棚部75間の熱伝
導は良好に行われる。該対面パネルヒータ76は輻射熱
により前記被処理基板23の上下両面より加熱し、前記
被処理基板23は上下方向、左右方向から熱せられるの
で被処理基板23が大型化しても均一に加熱することが
できる。尚、前記対面パネルヒータ76は均熱板として
の機能も有し、被処理基板23の温度分布の不均一を解
消する。
【0042】更に、前記側面パネルヒータ70の加熱温
度、前記対面パネルヒータ76の加熱温度はそれぞれ熱
電対85、熱電対86により検出され、図示しない制御
装置により加熱温度が制御される。
度、前記対面パネルヒータ76の加熱温度はそれぞれ熱
電対85、熱電対86により検出され、図示しない制御
装置により加熱温度が制御される。
【0043】前記対面パネルヒータ76は被処理基板2
3に汚染を与えない様、アルミニウム、ステンレス鋼、
カーボン、SiC、Poly−Si、Singe−Si
等の材質が選択され、又輻射効果を高める為、適宜セラ
ミックコートを施す。
3に汚染を与えない様、アルミニウム、ステンレス鋼、
カーボン、SiC、Poly−Si、Singe−Si
等の材質が選択され、又輻射効果を高める為、適宜セラ
ミックコートを施す。
【0044】尚、前記反射板67、反射板68、反射板
69、反射板60により輻射熱の拡散が防止されるので
熱効率が向上する。
69、反射板60により輻射熱の拡散が防止されるので
熱効率が向上する。
【0045】加熱完了後、被処理基板23を真空槽25
より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動作を行
う。
より搬出する場合は、前述した搬入動作と逆動作を行
う。
【0046】尚、上記第1の実施の形態に於いて第2の
実施例で示した側面パネルヒータ70を設けることが可
能であることは言う迄もない。
実施例で示した側面パネルヒータ70を設けることが可
能であることは言う迄もない。
【0047】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、被処理
基板の複数枚同時加熱が可能となり、タクトタイムが大
幅な短縮となり、又従来の加熱ランプと遠赤外線放射板
に代えパネルヒータとしたので加熱ユニットがコンパク
トとなる等の優れた効果を発揮する。
基板の複数枚同時加熱が可能となり、タクトタイムが大
幅な短縮となり、又従来の加熱ランプと遠赤外線放射板
に代えパネルヒータとしたので加熱ユニットがコンパク
トとなる等の優れた効果を発揮する。
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す側断面図であ
る。
る。
【図2】同前第1の実施の形態の基板加熱ユニットの分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図3】同前基板加熱ユニットの部分側面図である。
【図4】同前基板加熱ユニットの一部を破断した部分正
面図である。
面図である。
【図5】同前基板加熱ユニットの正面図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態の基板加熱ユニット
の分解斜視図である。
の分解斜視図である。
【図7】同前基板加熱ユニットの一部を破断した部分正
面図である。
面図である。
【図8】図6のA部拡大図である。
【図9】図7のB部拡大図である。
【図10】従来例の正断面図である。
【図11】従来例の側断面図である。
23 被処理基板 25 真空槽 26 支柱 27 基板加熱ユニット 28 エレベータ 32 ヒータ支持枠 37 反射板 40 対面パネルヒータ 43 基板ガイドピン 44 基板受け 51 減速機付昇降モータ 52 スクリューロッド 54 ベローズ 62 ヒータ支持枠 67 反射板 68 反射板 69 反射板 70 側面パネルヒータ 72 スペーサ 75 棚部 76 対面パネルヒータ 77 ヒータ押え
Claims (10)
- 【請求項1】 真空槽内にヒータ支持枠を設け、該ヒー
タ支持枠内に複数段対面パネルヒータを設け、各対面パ
ネルヒータの間に被処理基板を支持可能としたことを特
徴とする半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項2】 前記対面パネルヒータの両端部に側面パ
ネルヒータを設けた請求項1の半導体製造装置の基板加
熱装置。 - 【請求項3】 ヒータ支持枠に溝を刻設し、該溝に対面
パネルヒータを挿入させ、対面パネルヒータ側面の中央
を固定し、対面パネルヒータの側面両端部に断熱カラー
を設け、該断熱カラーを介して前記溝に嵌合した請求項
1の半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項4】 ヒータ支持枠側に基板受けを設け、被処
理基板の一辺側で被処理基板を受載可能とすると共に対
面パネルヒータに被処理基板の他辺をガイドする基板ガ
イドピンを植設した請求項1の半導体製造装置の基板加
熱装置。 - 【請求項5】 パネルヒータはヒータ素線を埋設したア
ルミニウム製の鋳込型パネルヒータである請求項1〜請
求項4の半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項6】 側面パネルヒータが発熱体であり、該側
面パネルヒータを少なくともヒータ支持枠の側枠に対し
て断熱して設け、前記左右の側面パネルヒータに掛渡し
て対面パネルヒータを設け、該対面パネルヒータが前記
側面パネルヒータに熱伝導により加熱される請求項2の
半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項7】 側面パネルヒータに棚部を設け、該棚部
に対面パネルヒータの端部が乗置する様にすると共に前
記対面パネルヒータの端部を前記棚部に押圧する手段を
設けた請求項6の半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項8】 押圧手段が前記対面パネルヒータの端部
に乗置されるヒータ押えと、該ヒータ押えと前記棚部と
に嵌合するヒータクランパと、該ヒータクランパに螺合
し、前記ヒータ押えを前記対面パネルヒータに押圧する
押え螺子とから成る請求項7の半導体製造装置の基板加
熱装置。 - 【請求項9】 ヒータ支持枠に反射板を設けた請求項
1、請求項2の半導体製造装置の基板加熱装置。 - 【請求項10】 真空槽の側壁より被処理基板を搬入可
能とし、ヒータ支持枠を真空槽底板を気密に貫通する支
柱を介して支持し、該支柱の下端をスクリューロッドに
連結し、該スクリューロッドに連結した昇降モータによ
り前記ヒータ支持枠を昇降可能とした請求項1〜請求項
9の半導体製造装置の基板加熱装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8053787A JPH08288296A (ja) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 半導体製造装置の基板加熱装置 |
KR1019960033130A KR100245260B1 (ko) | 1996-02-16 | 1996-08-09 | 반도체 제조장치의 기판 가열장치 |
US08/694,875 US5850071A (en) | 1996-02-16 | 1996-08-09 | Substrate heating equipment for use in a semiconductor fabricating apparatus |
TW85109959A TW315490B (ja) | 1995-02-17 | 1996-08-15 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-53373 | 1995-02-17 | ||
JP5337395 | 1995-02-17 | ||
JP8053787A JPH08288296A (ja) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 半導体製造装置の基板加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08288296A true JPH08288296A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=26394083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8053787A Pending JPH08288296A (ja) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 半導体製造装置の基板加熱装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08288296A (ja) |
TW (1) | TW315490B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11288943A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板加熱装置 |
JP2000031070A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-01-28 | Ulvac Corp | a−Si薄膜形成装置 |
WO2000034986A1 (en) * | 1998-12-10 | 2000-06-15 | Steag Rtp Systems, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
JP2001068434A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Ebara Corp | 銅めっき装置 |
JP2005537632A (ja) * | 2002-02-11 | 2005-12-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 加熱基板支持体 |
KR100572304B1 (ko) * | 1998-09-22 | 2006-08-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 증착설비 |
JP2014130900A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shimadzu Corp | 加熱装置 |
KR102435555B1 (ko) * | 2022-04-07 | 2022-08-23 | 주식회사 세미노바 | 웨이퍼 pvd 공정용 디가스 장치 |
-
1996
- 1996-02-16 JP JP8053787A patent/JPH08288296A/ja active Pending
- 1996-08-15 TW TW85109959A patent/TW315490B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11288943A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板加熱装置 |
JP2000031070A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-01-28 | Ulvac Corp | a−Si薄膜形成装置 |
KR100572304B1 (ko) * | 1998-09-22 | 2006-08-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 증착설비 |
WO2000034986A1 (en) * | 1998-12-10 | 2000-06-15 | Steag Rtp Systems, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
US6310328B1 (en) | 1998-12-10 | 2001-10-30 | Mattson Technologies, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
US6610967B2 (en) | 1998-12-10 | 2003-08-26 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
US6727474B2 (en) | 1998-12-10 | 2004-04-27 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
JP2001068434A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Ebara Corp | 銅めっき装置 |
JP2005537632A (ja) * | 2002-02-11 | 2005-12-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 加熱基板支持体 |
JP2014130900A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shimadzu Corp | 加熱装置 |
KR102435555B1 (ko) * | 2022-04-07 | 2022-08-23 | 주식회사 세미노바 | 웨이퍼 pvd 공정용 디가스 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW315490B (ja) | 1997-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100245260B1 (ko) | 반도체 제조장치의 기판 가열장치 | |
CN1135905C (zh) | 炉侧壁温度控制*** | |
US5778968A (en) | Method for heating or cooling wafers | |
US5716207A (en) | Heating furnace | |
CN1293600C (zh) | 用于均匀加热衬底的腔室 | |
US6751999B2 (en) | Method and apparatus for forming metallic materials | |
JPH11506821A (ja) | 不活性ガス基板温度調節装置及びその方法 | |
JPH08288296A (ja) | 半導体製造装置の基板加熱装置 | |
CN101510512A (zh) | 加热设备、加热方法以及半导体装置制造方法 | |
JPH1095089A (ja) | ラミネート装置 | |
JPH09232297A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH1064921A (ja) | 半導体製造装置の基板加熱装置 | |
KR100831906B1 (ko) | 온도 제어실 및 그 온도 제어실을 이용한 진공 처리 장치 | |
KR101804394B1 (ko) | 유리 성형 장치 | |
KR20020081053A (ko) | 기판 열처리 장치 | |
JPH11204443A (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
JP2631370B2 (ja) | 薄板状体の加熱装置 | |
KR100839678B1 (ko) | 열 처리 방법 및 열 처리 장치 | |
KR930010481B1 (ko) | 진공가열 처리장치 | |
KR102663828B1 (ko) | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 | |
JP3096965B2 (ja) | 基板加熱方法及び基板加熱炉 | |
JPH05160046A (ja) | 基板加熱方法及びその装置 | |
JP7441905B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH08139084A (ja) | 基板加熱装置 | |
JP2002144076A (ja) | リフロー炉及びその処理方法 |