JPH08286064A - 高分子光導波路の作製方法 - Google Patents
高分子光導波路の作製方法Info
- Publication number
- JPH08286064A JPH08286064A JP9377495A JP9377495A JPH08286064A JP H08286064 A JPH08286064 A JP H08286064A JP 9377495 A JP9377495 A JP 9377495A JP 9377495 A JP9377495 A JP 9377495A JP H08286064 A JPH08286064 A JP H08286064A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- core
- refractive index
- optical waveguide
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多様なニーズに合わせ、しかも、大量、少量
生産に関わり無く、高性能な導波路型光素子を安価で簡
便に作製できる作製法を提供することを目的とする。 【構成】 高分子光導波路の作製方法は、基板上にクラ
ッドとなる高分子からなる第１層を形成する工程と、該
第１層よりも屈折率が高い高分子からなる第２層を形成
する工程と、該第２層の一部をダイシングゾー等でもっ
て機械的に切削除去することによってコア部を形成する
工程と、該コア部より屈折率が低い高分子材料でコア部
を覆う第３層を形成する工程とを有する。
生産に関わり無く、高性能な導波路型光素子を安価で簡
便に作製できる作製法を提供することを目的とする。 【構成】 高分子光導波路の作製方法は、基板上にクラ
ッドとなる高分子からなる第１層を形成する工程と、該
第１層よりも屈折率が高い高分子からなる第２層を形成
する工程と、該第２層の一部をダイシングゾー等でもっ
て機械的に切削除去することによってコア部を形成する
工程と、該コア部より屈折率が低い高分子材料でコア部
を覆う第３層を形成する工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信分野、光情報処
理分野において使用される光デバイスを構成する導波路
型光学素子の作製方法に関するもので、特に屈曲性に富
む高分子材料を用いた高分子光導波路の作製方法に関す
る。
理分野において使用される光デバイスを構成する導波路
型光学素子の作製方法に関するもので、特に屈曲性に富
む高分子材料を用いた高分子光導波路の作製方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光通信分野、光情報処理分野において使
用される光デバイスを構成する導波路型光学素子は、石
英ガラス、誘電体結晶ＬＮｂＯ3 等の材料からなるもの
である。また、この導波路型光学素子の作成方法は、一
般にＬＳＩプロセスでよく用いられるフォトリソグラフ
ィおよびドライエッチングプロセスの組合せにより微細
加工を施す工程を有する。したがって、高性能な導波路
型光素子を作製することが可能である（例えば文献：河
内正夫 Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ２２巻３９１ページ（１９９０
年）参照せよ）。また、生産コストを下げることを目的
として、同様なプロセスで素子を作製する際に、より安
価な材料である高分子材料を用いる試みもなされている
（文献今村他 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ ２７巻１３４２ページ（１９９１年））。また、最
近、金型を用いた高分子材料を用いた光導波路の作製が
実施されている。
用される光デバイスを構成する導波路型光学素子は、石
英ガラス、誘電体結晶ＬＮｂＯ3 等の材料からなるもの
である。また、この導波路型光学素子の作成方法は、一
般にＬＳＩプロセスでよく用いられるフォトリソグラフ
ィおよびドライエッチングプロセスの組合せにより微細
加工を施す工程を有する。したがって、高性能な導波路
型光素子を作製することが可能である（例えば文献：河
内正夫 Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ２２巻３９１ページ（１９９０
年）参照せよ）。また、生産コストを下げることを目的
として、同様なプロセスで素子を作製する際に、より安
価な材料である高分子材料を用いる試みもなされている
（文献今村他 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ ２７巻１３４２ページ（１９９１年））。また、最
近、金型を用いた高分子材料を用いた光導波路の作製が
実施されている。
【０００３】ところで、近年のＬＳＩ作製プロセスの発
展は著しく、例えばシリコン基板上に作製された多数の
回路チップを切り放すための手段としてダイシングソー
が開発されている。このダイシングソーは高性能のシリ
コン切削機（例えば、ディスコ社製）として知られてい
る。また、最近では、このダイシングソーに用いられる
刃の厚さを、高精度に任意の厚さ（５μｍ程度）に制御
することが可能となっている。また切削位置精度も、
０．１μｍ程度まで制御できるようになった。
展は著しく、例えばシリコン基板上に作製された多数の
回路チップを切り放すための手段としてダイシングソー
が開発されている。このダイシングソーは高性能のシリ
コン切削機（例えば、ディスコ社製）として知られてい
る。また、最近では、このダイシングソーに用いられる
刃の厚さを、高精度に任意の厚さ（５μｍ程度）に制御
することが可能となっている。また切削位置精度も、
０．１μｍ程度まで制御できるようになった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の作
成方法は、製造プロセスが繁雑なこと、作製装置が高価
なことから、大量生産には適さず、また生産コストを大
幅に削減することは困難である。
成方法は、製造プロセスが繁雑なこと、作製装置が高価
なことから、大量生産には適さず、また生産コストを大
幅に削減することは困難である。
【０００５】ところで、最近、金型を用いた高分子材料
を用いた光導波路の作製も実施されている。しかし、金
型を用いた方法は、大量生産には適しているが、金型の
作製が高価で時問がかかる。したがって、少量多品極の
様々な用途に対応する方法としては適さない。
を用いた光導波路の作製も実施されている。しかし、金
型を用いた方法は、大量生産には適しているが、金型の
作製が高価で時問がかかる。したがって、少量多品極の
様々な用途に対応する方法としては適さない。
【０００６】さらに、無機材料を用いた光導波路に比
ベ、高分子材料が屈曲性に富むことから、高分子材料を
用いれば、フレキシブルな光導波路が作製できると考え
られていたが、実際には安価で簡便な方法でフレキシブ
ルな導波路を作製する方法はなかった。
ベ、高分子材料が屈曲性に富むことから、高分子材料を
用いれば、フレキシブルな光導波路が作製できると考え
られていたが、実際には安価で簡便な方法でフレキシブ
ルな導波路を作製する方法はなかった。
【０００７】したがって、本発明は上記問題点を解決
し、多様なニーズに合わせ、しかも、大量、少量生産に
関わり無く、高性能な導波路型光素子を安価で簡便に作
製できる作製法を提供することを目的とする。
し、多様なニーズに合わせ、しかも、大量、少量生産に
関わり無く、高性能な導波路型光素子を安価で簡便に作
製できる作製法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第一の発明にもとづく高分子光導波路の作製方法
は、基板上にクラッドとなる高分子からなる第１層を形
成する工程と、該第１層よりも屈折率が高い高分子から
なる第２層を形成する工程と、該第２層の一部を機械的
に切削除去することによってコア部を形成する工程と、
該コア部より屈折率が低い高分子材料でコア部を覆う第
３層を形成する工程とを有することを特徴とする。
に、第一の発明にもとづく高分子光導波路の作製方法
は、基板上にクラッドとなる高分子からなる第１層を形
成する工程と、該第１層よりも屈折率が高い高分子から
なる第２層を形成する工程と、該第２層の一部を機械的
に切削除去することによってコア部を形成する工程と、
該コア部より屈折率が低い高分子材料でコア部を覆う第
３層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００９】好ましくは、コア部より屈折率が低い高分
子材料でコア部を覆う第３層を形成する工程の後に、基
板を除去する工程が設けられている。
子材料でコア部を覆う第３層を形成する工程の後に、基
板を除去する工程が設けられている。
【００１０】好ましくは、第２層の一部を機械的に切削
除去することによってコア部を形成する工程では、ダイ
シングソーを用いて切削を行う。
除去することによってコア部を形成する工程では、ダイ
シングソーを用いて切削を行う。
【００１１】また、上記課題を解決するために、第二の
発明にもとづく高分子光導波路の作製方法は、基板上に
クラッドとなる高分子よりなる第１層を形成する工程
と、該第１層の一部を機械的に切削除去して、該第１層
に溝部を形成する工程と、該溝部に該第１層よりも屈折
率が高いコア用高分子材料を流し込む工程と、該コア用
高分子材料の不要部分を除去してコア部を作製する工程
と、該コア部より屈折率が低い高分子材料でコア部を覆
う第２層を形成する工程とを有することを特徴とする。
発明にもとづく高分子光導波路の作製方法は、基板上に
クラッドとなる高分子よりなる第１層を形成する工程
と、該第１層の一部を機械的に切削除去して、該第１層
に溝部を形成する工程と、該溝部に該第１層よりも屈折
率が高いコア用高分子材料を流し込む工程と、該コア用
高分子材料の不要部分を除去してコア部を作製する工程
と、該コア部より屈折率が低い高分子材料でコア部を覆
う第２層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】好ましくは、コア部より屈折率が低い高分
子材料でコア部を覆う第２層を形成する工程の後に、基
板を除去する工程が設けられている。
子材料でコア部を覆う第２層を形成する工程の後に、基
板を除去する工程が設けられている。
【００１３】また、好ましくは、第１層の一部を機械的
に切削除去して該第１層に溝部を形成する工程では、ダ
イシングソーを用いて切削を行う。
に切削除去して該第１層に溝部を形成する工程では、ダ
イシングソーを用いて切削を行う。
【００１４】
【実施例】本発明にもとづく高分子光導波路の作製方法
は、（１）材料的にコストが低く、加工が容易な高分子
材料が用いられること、（２）素子を構成する導波路作
製ブロセスにおいて、大がかりな装置を必要としないこ
と、（３）光を導波させる導波路のコア部分を、ダイシ
ングソー等の機械的切削で直接作製すること等を特徴と
している。本発明では、好ましくはダイシングソーの位
置精度と刃の厚さ制御性に注目し、ダイシングソーを高
分子材料を用いた光材料の作製に用いる。
は、（１）材料的にコストが低く、加工が容易な高分子
材料が用いられること、（２）素子を構成する導波路作
製ブロセスにおいて、大がかりな装置を必要としないこ
と、（３）光を導波させる導波路のコア部分を、ダイシ
ングソー等の機械的切削で直接作製すること等を特徴と
している。本発明では、好ましくはダイシングソーの位
置精度と刃の厚さ制御性に注目し、ダイシングソーを高
分子材料を用いた光材料の作製に用いる。
【００１５】図１は、本発明にもとづく高分子光導波路
の作成方法を説明するための模式的断面図である。図１
中、（ａ）は高分子層を基板上に積層する工程を説明す
るための図、（ｂ）は所望の形状からなるコアを形成す
る工程を説明するための図、（ｃ）は再びクラッド層を
設ける工程を説明するための図である。
の作成方法を説明するための模式的断面図である。図１
中、（ａ）は高分子層を基板上に積層する工程を説明す
るための図、（ｂ）は所望の形状からなるコアを形成す
る工程を説明するための図、（ｃ）は再びクラッド層を
設ける工程を説明するための図である。
【００１６】本発明にもとづく高分子光導波路の作成方
法は、まず基板１上にスピンコート、デイッピング等の
手段を用いて屈曲性に富む高分子材料からなるクラッド
層２を積層する。つづいて、該クラッド層２上により一
層屈折率の高い高分子材料からなるクラッド層３を積層
する（図１（ａ））。つぎに、所望の形状のコア部分４
を残すように、コア部分の両側をダイシングソー５ある
いは、それと同等の機能を有する機械的切削法により除
去する（図１（ｂ））。その後、作製された滞部分とコ
アの上方部分が覆われるように、再びクラッド材料６を
塗布する（図１（ｃ））。
法は、まず基板１上にスピンコート、デイッピング等の
手段を用いて屈曲性に富む高分子材料からなるクラッド
層２を積層する。つづいて、該クラッド層２上により一
層屈折率の高い高分子材料からなるクラッド層３を積層
する（図１（ａ））。つぎに、所望の形状のコア部分４
を残すように、コア部分の両側をダイシングソー５ある
いは、それと同等の機能を有する機械的切削法により除
去する（図１（ｂ））。その後、作製された滞部分とコ
アの上方部分が覆われるように、再びクラッド材料６を
塗布する（図１（ｃ））。
【００１７】上記コア部分４の寸法は、光導波路の導波
特性に大きな影響を与える。光通信波長帯である１．３
μｍおよび１．５５μｍにおいて使用するためには、マ
ルチモード導波路で数１０μｍ角、シングルモード導波
路で数μｍ角の矩形のコアを有する導波路の作製が求め
られる。ところで、上記作製法では、コア部分４の寸法
は、ダイシングソーの刃の厚さ精度よりも、むしろ切削
する刃の位置精度に依存する。ダイシングソーの位置精
度は、０．１μｍ程度有り、コア作製に必要な精度とし
て十分である。コア形状は、ダイシングソーの切削断面
の形状に依存する。実際に、高分子をダイシングソーで
切削した断面の垂直性も良く、なめらかであり、矩形導
波路のコアとして使用可能である。
特性に大きな影響を与える。光通信波長帯である１．３
μｍおよび１．５５μｍにおいて使用するためには、マ
ルチモード導波路で数１０μｍ角、シングルモード導波
路で数μｍ角の矩形のコアを有する導波路の作製が求め
られる。ところで、上記作製法では、コア部分４の寸法
は、ダイシングソーの刃の厚さ精度よりも、むしろ切削
する刃の位置精度に依存する。ダイシングソーの位置精
度は、０．１μｍ程度有り、コア作製に必要な精度とし
て十分である。コア形状は、ダイシングソーの切削断面
の形状に依存する。実際に、高分子をダイシングソーで
切削した断面の垂直性も良く、なめらかであり、矩形導
波路のコアとして使用可能である。
【００１８】図２は、本発明にもとづく高分子光導波路
の作成方法の第２例を説明するための図である。図中、
（ａ）は高分子クラッド層を基板上に積層し、つづいて
所望の形状からなるコアを形成する工程を説明するため
の図、（ｂ）はクラッド層の高分子よりも屈折率の高い
コア高分子を塗布する工程を説明するための図、（ｃ）
はコア形成後にクラッド材料を塗布する工程を説明する
ための図である。
の作成方法の第２例を説明するための図である。図中、
（ａ）は高分子クラッド層を基板上に積層し、つづいて
所望の形状からなるコアを形成する工程を説明するため
の図、（ｂ）はクラッド層の高分子よりも屈折率の高い
コア高分子を塗布する工程を説明するための図、（ｃ）
はコア形成後にクラッド材料を塗布する工程を説明する
ための図である。
【００１９】この作成方法では、まず基板７上にスピン
コート、デイッピング等の手段によりクラッドとして用
いる高分子８を塗布し、所望の形状のコア部分を、ダイ
シングソー９あるいは、それと同等の機能を有する機械
的切削法により除去する（図１（ａ））。次に、クラッ
ドの高分子より屈折率の高いコア用高分子１０を、コア
部分が埋まるように、塗布する（図１（ｂ））。そし
て、余分のコア用高分子を除去してコア１１を形成す
る。その後、再びクラッド材料１２を塗布する（図１
（ｃ））。この作製法では、コアサイズは、ダイシング
ソーの刃の厚さ精度に依存する。ダイシングソーの刃の
厚さは、５μｍ程度から１μｍ程度の精度で任意の厚さ
のものを得ることが可能であり、コア作製の精度として
十分である。コア形状は、ダイシングソーの切削断面の
形状に依存する。実際に、高分子をダイシングソーで切
削した断面の垂直性も良く、また表面はなめらかであ
り、矩形導波路のコアとして使用可能である。また、切
削された、高分子溝の幅は、ダイシングソーの刃よりも
３〜５μｍ程度広くなる。これは、用いる刃と、切削さ
れる高分子の組合せによって異なるが、刃と実際に作製
された溝幅の関係を最初に求めておけば、再現性が良い
ため精度の良い加工が可能である。以上、図１および図
２を参照して、基板上に屈曲性のない光導波路を作製す
る方法について説明した。
コート、デイッピング等の手段によりクラッドとして用
いる高分子８を塗布し、所望の形状のコア部分を、ダイ
シングソー９あるいは、それと同等の機能を有する機械
的切削法により除去する（図１（ａ））。次に、クラッ
ドの高分子より屈折率の高いコア用高分子１０を、コア
部分が埋まるように、塗布する（図１（ｂ））。そし
て、余分のコア用高分子を除去してコア１１を形成す
る。その後、再びクラッド材料１２を塗布する（図１
（ｃ））。この作製法では、コアサイズは、ダイシング
ソーの刃の厚さ精度に依存する。ダイシングソーの刃の
厚さは、５μｍ程度から１μｍ程度の精度で任意の厚さ
のものを得ることが可能であり、コア作製の精度として
十分である。コア形状は、ダイシングソーの切削断面の
形状に依存する。実際に、高分子をダイシングソーで切
削した断面の垂直性も良く、また表面はなめらかであ
り、矩形導波路のコアとして使用可能である。また、切
削された、高分子溝の幅は、ダイシングソーの刃よりも
３〜５μｍ程度広くなる。これは、用いる刃と、切削さ
れる高分子の組合せによって異なるが、刃と実際に作製
された溝幅の関係を最初に求めておけば、再現性が良い
ため精度の良い加工が可能である。以上、図１および図
２を参照して、基板上に屈曲性のない光導波路を作製す
る方法について説明した。
【００２０】つぎに、屈曲性を有する光導波路の作製方
法について説明する。
法について説明する。
【００２１】基板として、銅やアルミニウムを蒸着等で
積層した基板を用いる。そして、図１または図２に従っ
て光導波路を作製し、最後に、銅や、アルミニウムを溶
かして基板から、高分子導波路部分のみを剥離すればよ
い。銅は塩化第２鉄水溶液や塩酸溶液で、アルミニウム
はリン酸溶液中に浸せば、容易に溶けて、基板から高分
子導波路部分を剥離できる。これらの溶液は、多くの高
分子を変質させることがほとんどないため、光の導波特
性に影響を与えない。以下実施例により本発明を具体的
に述べる。
積層した基板を用いる。そして、図１または図２に従っ
て光導波路を作製し、最後に、銅や、アルミニウムを溶
かして基板から、高分子導波路部分のみを剥離すればよ
い。銅は塩化第２鉄水溶液や塩酸溶液で、アルミニウム
はリン酸溶液中に浸せば、容易に溶けて、基板から高分
子導波路部分を剥離できる。これらの溶液は、多くの高
分子を変質させることがほとんどないため、光の導波特
性に影響を与えない。以下実施例により本発明を具体的
に述べる。
【００２２】＜実施例１＞図１に示す工程にもとづい
て、高分子光導波路（シングルモード光導波路）を作製
する方法の一例を説明する。
て、高分子光導波路（シングルモード光導波路）を作製
する方法の一例を説明する。
【００２３】ここでは、光導波路を、波長１．３μｍ以
上でシングルモード動作させるため、比屈折率差△＝
０．３％となるようにする。そのため、クラッド用高分
子としては、重水素化ポリメチルメタクリレートとフッ
素化メタクリレート（モル比＝９６．５：３．５）の共
重合体（屈折率：１．４７７７）、コア用高分子として
は重水素化ポリメチルメタクリレート（屈祈率：１．４
８２１）を用いた。この高分子を、それぞれ、クロロベ
ンゼンとキシレンの混合溶液に溶かし、溶液状とした。
上でシングルモード動作させるため、比屈折率差△＝
０．３％となるようにする。そのため、クラッド用高分
子としては、重水素化ポリメチルメタクリレートとフッ
素化メタクリレート（モル比＝９６．５：３．５）の共
重合体（屈折率：１．４７７７）、コア用高分子として
は重水素化ポリメチルメタクリレート（屈祈率：１．４
８２１）を用いた。この高分子を、それぞれ、クロロベ
ンゼンとキシレンの混合溶液に溶かし、溶液状とした。
【００２４】シリコン基板上に、クラッド用高分子を、
約２５μｍ厚にスピンコートした。ベーク乾燥処理後、
コア用高分子を約８μｍ厚にスピンコートした。次に、
５０μｍ幅のダイシングソーを用い、幅８μｍのコア部
分が残るようにコア部分の両側を切削した。最後に、コ
ア部分を覆うように、２５μｍ厚にクラッド用ポリマー
をスピンコートし、埋め込み型導波路を作製した。この
ようにしてできた光導波路を５ｃｍの長さに切断し断面
を顕微鏡で観察したところ、高さ８μｍ、幅８μｍのコ
ア部分の矩形パタンが見られた。波長１．３μｍのレー
ザー光を入射し、導波路がシングルモード動作すること
を確認した。このときの伝搬損失は、０．７４ｄＢであ
り、良好な導波特性を示した。
約２５μｍ厚にスピンコートした。ベーク乾燥処理後、
コア用高分子を約８μｍ厚にスピンコートした。次に、
５０μｍ幅のダイシングソーを用い、幅８μｍのコア部
分が残るようにコア部分の両側を切削した。最後に、コ
ア部分を覆うように、２５μｍ厚にクラッド用ポリマー
をスピンコートし、埋め込み型導波路を作製した。この
ようにしてできた光導波路を５ｃｍの長さに切断し断面
を顕微鏡で観察したところ、高さ８μｍ、幅８μｍのコ
ア部分の矩形パタンが見られた。波長１．３μｍのレー
ザー光を入射し、導波路がシングルモード動作すること
を確認した。このときの伝搬損失は、０．７４ｄＢであ
り、良好な導波特性を示した。
【００２５】＜実施例２＞図１に示す工程にもとづい
て、高分子光導波路（シングルモード光導波路）フィル
ムを作製する。この実施例では、銅が２００ｎｍ蒸着さ
れたシリコン基板を用いる。また、波長１．３μｍ以上
でシングルモード動作させるため、比屈折率差△＝０．
３％となるように、クラッド用高分子としては重水素化
ポリメチルメタクリレートとフッ素化メタクリレート
（モル比＝９６．５：３．５）の共重合体（屈折率：
１．４７７７）、コア用高分子としては重水素化ポリメ
チルメタクリレート（屈折率：１．４８２１）を用い
た。この高分子を、それぞれ、クロロベンゼンとキシレ
ンの混合溶液に溶かし、溶液状とした。銅が２００ｎｍ
蒸着されたシリコン基板上にクラッド用高分子を、約２
５μｍ厚にスピンコートした。ベーク乾燥処理後、コア
用高分子を約８μｍ厚にスピンコートした。次に、５０
μｍ幅のダイシングソーを用い、幅８μｍのコア部分が
残るようにコア部分の両側を切削した。最後に、コア部
分を覆うように、２５μｍ厚にクラッド用ポリマーをス
ピンコートし、埋め込み型導波路を作製した。この導波
路を、２０モル％の塩酸溶液中に浸し、銅を溶解してシ
リコン基板より剥離し、蒸留水で良く洗浄し乾燥した。
このようにしてできた光導波路フィルムを５ｃｍの長さ
に切断し、断面を顕微鏡で観察したところ、高さ８μ
ｍ、幅８μｍのコア部分の矩形パタンが見られた。波長
１．３μｍのレーザー光を人射し、導波路がシングルモ
ード動作することを確認した。このときの伝搬損失は、
０．７５ｄＢであり、良好な導波特性を示した。
て、高分子光導波路（シングルモード光導波路）フィル
ムを作製する。この実施例では、銅が２００ｎｍ蒸着さ
れたシリコン基板を用いる。また、波長１．３μｍ以上
でシングルモード動作させるため、比屈折率差△＝０．
３％となるように、クラッド用高分子としては重水素化
ポリメチルメタクリレートとフッ素化メタクリレート
（モル比＝９６．５：３．５）の共重合体（屈折率：
１．４７７７）、コア用高分子としては重水素化ポリメ
チルメタクリレート（屈折率：１．４８２１）を用い
た。この高分子を、それぞれ、クロロベンゼンとキシレ
ンの混合溶液に溶かし、溶液状とした。銅が２００ｎｍ
蒸着されたシリコン基板上にクラッド用高分子を、約２
５μｍ厚にスピンコートした。ベーク乾燥処理後、コア
用高分子を約８μｍ厚にスピンコートした。次に、５０
μｍ幅のダイシングソーを用い、幅８μｍのコア部分が
残るようにコア部分の両側を切削した。最後に、コア部
分を覆うように、２５μｍ厚にクラッド用ポリマーをス
ピンコートし、埋め込み型導波路を作製した。この導波
路を、２０モル％の塩酸溶液中に浸し、銅を溶解してシ
リコン基板より剥離し、蒸留水で良く洗浄し乾燥した。
このようにしてできた光導波路フィルムを５ｃｍの長さ
に切断し、断面を顕微鏡で観察したところ、高さ８μ
ｍ、幅８μｍのコア部分の矩形パタンが見られた。波長
１．３μｍのレーザー光を人射し、導波路がシングルモ
ード動作することを確認した。このときの伝搬損失は、
０．７５ｄＢであり、良好な導波特性を示した。
【００２６】＜実施例３＞図１に示す工程にもとづい
て、高分子光導波路（マルチモード光導波路）を作製す
る方法を説明する。クラッド用高分子としては、エポキ
シ系紫外線（ＵＶ）硬化樹脂（屈折率：１．５１１）、
コア用高分子としては屈折率の異なるエポキシ系ＵＶ硬
化樹脂（屈折率：１．５６０）を用いた。クラッド用高
分子を、約５０μｍ厚にスピンコートし、ＵＶを照射し
て硬化させた。次に、コア用高分子を約５０μｍ厚にス
ピンコートし、ＵＶを照射し硬化させた。次に、１００
μｍ幅のダイシングソーを用い、幅５０μｍのコア部分
が残るようにコア部分の両側を切削した。最後に、コア
を覆うように、５０μｍ厚にクラッド用ポリマーをスピ
ンコートし、ＵＶを照射して硬化させ、埋め込み型導波
路を作製した。
て、高分子光導波路（マルチモード光導波路）を作製す
る方法を説明する。クラッド用高分子としては、エポキ
シ系紫外線（ＵＶ）硬化樹脂（屈折率：１．５１１）、
コア用高分子としては屈折率の異なるエポキシ系ＵＶ硬
化樹脂（屈折率：１．５６０）を用いた。クラッド用高
分子を、約５０μｍ厚にスピンコートし、ＵＶを照射し
て硬化させた。次に、コア用高分子を約５０μｍ厚にス
ピンコートし、ＵＶを照射し硬化させた。次に、１００
μｍ幅のダイシングソーを用い、幅５０μｍのコア部分
が残るようにコア部分の両側を切削した。最後に、コア
を覆うように、５０μｍ厚にクラッド用ポリマーをスピ
ンコートし、ＵＶを照射して硬化させ、埋め込み型導波
路を作製した。
【００２７】このようにしてできた光導波路を５ｃｍの
長さに切断し断面を顕微鏡で観察したところ、高さ５０
μｍ、幅５０μｍのコア部分の矩形パタンが見られた。
波長１．３μｍのレーザー光を入射したときの伝搬損失
は、２．５ｄＢであり、良好な導波特性を示した。
長さに切断し断面を顕微鏡で観察したところ、高さ５０
μｍ、幅５０μｍのコア部分の矩形パタンが見られた。
波長１．３μｍのレーザー光を入射したときの伝搬損失
は、２．５ｄＢであり、良好な導波特性を示した。
【００２８】＜実施例４＞図１に示す工程にもとづい
て、高分子光導波路（マルチモード光導波路）アレイフ
ィルムを作製する方法を説明する。基板として、銅が２
００ｎｍ蒸着されたシリコン基板を用いた。また、クラ
ッド用高分子としては、エポキシ系紫外線（ＵＶ）硬化
樹脂（屈折率：１．５１１）を用い、一方コア用高分子
としては屈折率の異なるエポキシ系ＵＶ硬化樹脂（屈折
率：１．５６０）を用いた。はじめに、クラッド用高分
子を、約５０μｍ厚にスピンコートし、ＵＶを照射して
硬化させた。つぎに、コア用高分子を約５０μｍ厚にス
ピンコートし、ＵＶを照射し硬化させた。その後、２０
０μｍ幅のダイシングソーを用い、２５０μｍピッチで
５回、コア層部分を切削することによって、４７μｍ幅
のコアを４本形成した。最後に、コアを覆うように、５
０μｍ厚にクラッド用ポリマーをスピンコートし、ＵＶ
を照射して硬化させ、埋め込み型導波路を作製した。こ
の導波路を、２０モル％の塩酸溶液中に浸し、銅を溶解
してシリコン基板より剥離し、蒸留水で良く洗浄し乾燥
した。このようにしてできた光導波路アレイフィルムを
５ｃｍの長さに切断し、その断面を顕微鏡で観察したと
ころ、高さ５０μｍ、幅４７μｍのコア部分の矩形パタ
ンが４本見られた。波長１．３μｍのレーザー光を入射
したときの各導波路の伝搬損失は、平均で２．５ｄＢで
あり、良好な導波特性を示した。
て、高分子光導波路（マルチモード光導波路）アレイフ
ィルムを作製する方法を説明する。基板として、銅が２
００ｎｍ蒸着されたシリコン基板を用いた。また、クラ
ッド用高分子としては、エポキシ系紫外線（ＵＶ）硬化
樹脂（屈折率：１．５１１）を用い、一方コア用高分子
としては屈折率の異なるエポキシ系ＵＶ硬化樹脂（屈折
率：１．５６０）を用いた。はじめに、クラッド用高分
子を、約５０μｍ厚にスピンコートし、ＵＶを照射して
硬化させた。つぎに、コア用高分子を約５０μｍ厚にス
ピンコートし、ＵＶを照射し硬化させた。その後、２０
０μｍ幅のダイシングソーを用い、２５０μｍピッチで
５回、コア層部分を切削することによって、４７μｍ幅
のコアを４本形成した。最後に、コアを覆うように、５
０μｍ厚にクラッド用ポリマーをスピンコートし、ＵＶ
を照射して硬化させ、埋め込み型導波路を作製した。こ
の導波路を、２０モル％の塩酸溶液中に浸し、銅を溶解
してシリコン基板より剥離し、蒸留水で良く洗浄し乾燥
した。このようにしてできた光導波路アレイフィルムを
５ｃｍの長さに切断し、その断面を顕微鏡で観察したと
ころ、高さ５０μｍ、幅４７μｍのコア部分の矩形パタ
ンが４本見られた。波長１．３μｍのレーザー光を入射
したときの各導波路の伝搬損失は、平均で２．５ｄＢで
あり、良好な導波特性を示した。
【００２９】＜実施例５＞図２に示す工程にもとづい
て、高分子光導波路（シングルモード光導波路）を作製
する方法を説明する。波長１．３μｍ以上でシングルモ
ード動作させるため、比屈折率差△＝０．３％となるよ
うに、クラッド用高分子としては、重水素化ボリメチル
メタクリレートとフッ素化メタクリレート（モル比＝９
６．５：３．５）の共重合体（屈折率：１．４７７
７）、コア用高分子としては重水素化ポリメチルメタク
リレート（屈折率：１．４８２１）を用いた。この高分
子を、それぞれ、クロロベンゼンとキシレンの混合溶液
に溶かし、溶液状とした。
て、高分子光導波路（シングルモード光導波路）を作製
する方法を説明する。波長１．３μｍ以上でシングルモ
ード動作させるため、比屈折率差△＝０．３％となるよ
うに、クラッド用高分子としては、重水素化ボリメチル
メタクリレートとフッ素化メタクリレート（モル比＝９
６．５：３．５）の共重合体（屈折率：１．４７７
７）、コア用高分子としては重水素化ポリメチルメタク
リレート（屈折率：１．４８２１）を用いた。この高分
子を、それぞれ、クロロベンゼンとキシレンの混合溶液
に溶かし、溶液状とした。
【００３０】シリコン基板上に、クラッド用高分子を、
約３０μｍ厚にスピンコートした。ベーク乾燥処理後、
次に、５μｍ幅の刃を有するダイシングソーを用い、深
さ８／ｍの溝を作製した。実際に作製された溝は、幅８
μｍ、深さ８μｍであった。コア用高分子を溝が埋まる
ように、スピンコートし、余分のコア用高分子を酸素の
プラズマエッチングによりに除去した。最後に、２５μ
ｍ厚にクラッド用ポリマーをスピンコートし、埋め込み
型導波路を作製した。このようにしてできた光導波路を
５ｃｍの長さに切断し、断面を顕微鏡で観察したとこ
ろ、高さ８μｍ、幅８μｍのコア部分の矩形パタンが見
られた。波長１．３μｍのレーザー光を入射し、導波路
がシングルモード動作することを確認し、このときの伝
搬損失は、０．８１ｄＢであり、良好な導波特性を示し
た。
約３０μｍ厚にスピンコートした。ベーク乾燥処理後、
次に、５μｍ幅の刃を有するダイシングソーを用い、深
さ８／ｍの溝を作製した。実際に作製された溝は、幅８
μｍ、深さ８μｍであった。コア用高分子を溝が埋まる
ように、スピンコートし、余分のコア用高分子を酸素の
プラズマエッチングによりに除去した。最後に、２５μ
ｍ厚にクラッド用ポリマーをスピンコートし、埋め込み
型導波路を作製した。このようにしてできた光導波路を
５ｃｍの長さに切断し、断面を顕微鏡で観察したとこ
ろ、高さ８μｍ、幅８μｍのコア部分の矩形パタンが見
られた。波長１．３μｍのレーザー光を入射し、導波路
がシングルモード動作することを確認し、このときの伝
搬損失は、０．８１ｄＢであり、良好な導波特性を示し
た。
【００３１】＜実施例６＞図２に示す工程にもとづい
て、高分子光導波路（シングルモード光導波路）を作製
する方法を説明する。基板として、アルミニウムが２０
０ｎｍ蒸着されたシリコン基板を用いる。波長１．３μ
ｍ以上でシングルモード動作させるため、比屈折率差△
＝０．３％となるように、クラッド用高分子としては、
重水素化ボリメチルメタクリレートとフッ素化メタクリ
レート（モル比＝９６．５：３．５）の共重合体（屈折
率：１．４７７７）を用い、一方コア用高分子としては
重水素化ボリメチルメタクリレート（屈折率：１．４８
２１）を用いた。この高分子を、それぞれ、クロロベン
ゼンとキシレンの混合溶液に溶かし、溶液状とした。ア
ルミニウムが２００ｎｍ蒸着されたシリコン基板上に、
クラッド用高分子を、約３０μｍ厚にスピンコートし
た。ベーク乾燥処理後、次に、５μｍ幅の刃を有するダ
イシングソーを用い、深さ８μｍの溝を作製した。実際
に作製された溝は、幅８μｍ、深さ８μｍであった。コ
ア用高分子を溝が埋まるように、スピンコートし、余分
のコア用高分子を酸素のプラズマエッチングによりに除
去した。最後に、２５μｍ厚にクラッド用ポリマーをス
ピンコートし、埋め込み型導波路を作製し、２０モル％
のリン酸溶液中に浸し、高分子光導波路部分をシリコン
基板より剥離し、蒸留水で良く洗浄し乾燥した。このよ
うにしてできた光導波路フィルムを５ｃｍの長さに切断
し、断面を顕微鏡で観察したところ、高さ８μｍ、幅８
μｍのコア部分の矩形パタンが見られた。波長１．３μ
ｍのレーザー光を入射し、導波路がシングルモード動作
することを確認した。このときの伝搬損失は、０．８５
ｄＢであり、良好な導波特性を示した。
て、高分子光導波路（シングルモード光導波路）を作製
する方法を説明する。基板として、アルミニウムが２０
０ｎｍ蒸着されたシリコン基板を用いる。波長１．３μ
ｍ以上でシングルモード動作させるため、比屈折率差△
＝０．３％となるように、クラッド用高分子としては、
重水素化ボリメチルメタクリレートとフッ素化メタクリ
レート（モル比＝９６．５：３．５）の共重合体（屈折
率：１．４７７７）を用い、一方コア用高分子としては
重水素化ボリメチルメタクリレート（屈折率：１．４８
２１）を用いた。この高分子を、それぞれ、クロロベン
ゼンとキシレンの混合溶液に溶かし、溶液状とした。ア
ルミニウムが２００ｎｍ蒸着されたシリコン基板上に、
クラッド用高分子を、約３０μｍ厚にスピンコートし
た。ベーク乾燥処理後、次に、５μｍ幅の刃を有するダ
イシングソーを用い、深さ８μｍの溝を作製した。実際
に作製された溝は、幅８μｍ、深さ８μｍであった。コ
ア用高分子を溝が埋まるように、スピンコートし、余分
のコア用高分子を酸素のプラズマエッチングによりに除
去した。最後に、２５μｍ厚にクラッド用ポリマーをス
ピンコートし、埋め込み型導波路を作製し、２０モル％
のリン酸溶液中に浸し、高分子光導波路部分をシリコン
基板より剥離し、蒸留水で良く洗浄し乾燥した。このよ
うにしてできた光導波路フィルムを５ｃｍの長さに切断
し、断面を顕微鏡で観察したところ、高さ８μｍ、幅８
μｍのコア部分の矩形パタンが見られた。波長１．３μ
ｍのレーザー光を入射し、導波路がシングルモード動作
することを確認した。このときの伝搬損失は、０．８５
ｄＢであり、良好な導波特性を示した。
【００３２】＜実施例７＞図２に示す工程にもとづい
て、高分子光導波路（マルチモード光導波路）を作製す
る方法を説明する。クラッド用高分子としては、エポキ
シ系紫外線（ＵＶ）硬化樹脂（屈折率：１．５１１）、
コア用高分子としては屈折率の異なるエポキシ系ＵＶ硬
化樹脂（屈折率：１．５６０）を用いた。クラッド用高
分子を、約１００μｍ厚にスピンコートし、ＵＶを照射
し硬化させた。次に、５０μｍ幅の刃を有するダイシン
グソーを用い、深さ５０μｍの溝を作製した。実際に作
製された溝は、幅５３μｍ、深さ５０μｍであった。コ
ア用高分子を溝が埋まるようにスピンコートし、ＵＶを
照射し硬化させた後、余分のコア用高分子を酸素のプラ
ズマエッチングによりに除去した。最後に、５０μｍ厚
にクラッド用ポリマーをスピンコートし、ＵＶを照射し
硬化させ埋め込み型導波路を作製した。このようにして
できた光導波路を５ｃｍの長さに切断し断面を顕微鏡で
観察したところ、高さ５０μｍ、幅５３μｍのコア部分
の矩形パタンが見られた。波長１．３μｍのレーザー光
を入射したときの伝搬損失は、２．７ｄＢであり、良好
な導波特性を示した。
て、高分子光導波路（マルチモード光導波路）を作製す
る方法を説明する。クラッド用高分子としては、エポキ
シ系紫外線（ＵＶ）硬化樹脂（屈折率：１．５１１）、
コア用高分子としては屈折率の異なるエポキシ系ＵＶ硬
化樹脂（屈折率：１．５６０）を用いた。クラッド用高
分子を、約１００μｍ厚にスピンコートし、ＵＶを照射
し硬化させた。次に、５０μｍ幅の刃を有するダイシン
グソーを用い、深さ５０μｍの溝を作製した。実際に作
製された溝は、幅５３μｍ、深さ５０μｍであった。コ
ア用高分子を溝が埋まるようにスピンコートし、ＵＶを
照射し硬化させた後、余分のコア用高分子を酸素のプラ
ズマエッチングによりに除去した。最後に、５０μｍ厚
にクラッド用ポリマーをスピンコートし、ＵＶを照射し
硬化させ埋め込み型導波路を作製した。このようにして
できた光導波路を５ｃｍの長さに切断し断面を顕微鏡で
観察したところ、高さ５０μｍ、幅５３μｍのコア部分
の矩形パタンが見られた。波長１．３μｍのレーザー光
を入射したときの伝搬損失は、２．７ｄＢであり、良好
な導波特性を示した。
【００３３】＜実施例８＞図２に示す工程にもとづい
て、高分子光導波路（マルチモード光導波路）を作製す
る方法を説明する。クラッド用高分子としては、エポキ
シ系紫外線（ＵＶ）硬化樹脂（屈折率：１．５１）、コ
ア用高分子としては屈折率の異なるエポキシ系ＵＶ硬化
樹脂（屈折率：１．５６０）を用いた。クラッド用高分
子を、約１００μｍ厚にスピンコートし、ＵＶを照射し
硬化させた。次に、５０μｍ幅の刃を有するダイシング
ソーを用い、深さ５０μｍの溝を作製した。実際に作製
された溝は、幅５３μｍ、深さ５０μｍであった。コア
用高分子を滞が埋まるようにスピンコートし、プラスチ
ック製のへらを用いて、溝部分に充填された以外の余分
なコア用高分子を除去した後、ＵＶを照射して硬化させ
た。最後に、５０μｍ厚にクラッド用ポリマーをスピン
コートし、ＵＶを照射し硬化させ埋め込み型導波路を作
製した。このようにしてできた光導波路を５ｃｍの長さ
に切断し断面を顕微鏡で観察したところ、高さ５０μ
ｍ、幅５３μｍのコア部分の矩形パタンが見られた。波
長１．３μｍのレーザー光を入射したときの伝搬損失
は、２．８ｄＢであり、良好な導波特性を示した。
て、高分子光導波路（マルチモード光導波路）を作製す
る方法を説明する。クラッド用高分子としては、エポキ
シ系紫外線（ＵＶ）硬化樹脂（屈折率：１．５１）、コ
ア用高分子としては屈折率の異なるエポキシ系ＵＶ硬化
樹脂（屈折率：１．５６０）を用いた。クラッド用高分
子を、約１００μｍ厚にスピンコートし、ＵＶを照射し
硬化させた。次に、５０μｍ幅の刃を有するダイシング
ソーを用い、深さ５０μｍの溝を作製した。実際に作製
された溝は、幅５３μｍ、深さ５０μｍであった。コア
用高分子を滞が埋まるようにスピンコートし、プラスチ
ック製のへらを用いて、溝部分に充填された以外の余分
なコア用高分子を除去した後、ＵＶを照射して硬化させ
た。最後に、５０μｍ厚にクラッド用ポリマーをスピン
コートし、ＵＶを照射し硬化させ埋め込み型導波路を作
製した。このようにしてできた光導波路を５ｃｍの長さ
に切断し断面を顕微鏡で観察したところ、高さ５０μ
ｍ、幅５３μｍのコア部分の矩形パタンが見られた。波
長１．３μｍのレーザー光を入射したときの伝搬損失
は、２．８ｄＢであり、良好な導波特性を示した。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にもとづく
高分子光導波路の作製方法は、（１）材料的にコストが
低く、加工が容易な高分子材料が用いられること、
（２）素子を構成する導波路作製ブロセスにおいて、大
がかりな装置を必要としないこと、（３）光を導波させ
る導波路のコア部分を、ダイシングソー等の機械的切削
で直接作製すること等を特徴としている。また、本発明
では、好ましくはダイシングソーの位置精度と刃の厚さ
制御性に注目し、ダイシングソーを高分子材料を用いた
光材料の作製に用いる。したがって、本発明により作製
した光導波路は、良好な光導波特性を示し、多量、少量
に関わらず、高分子光導波路が、簡便に安価に作製する
ことが可能となる。
高分子光導波路の作製方法は、（１）材料的にコストが
低く、加工が容易な高分子材料が用いられること、
（２）素子を構成する導波路作製ブロセスにおいて、大
がかりな装置を必要としないこと、（３）光を導波させ
る導波路のコア部分を、ダイシングソー等の機械的切削
で直接作製すること等を特徴としている。また、本発明
では、好ましくはダイシングソーの位置精度と刃の厚さ
制御性に注目し、ダイシングソーを高分子材料を用いた
光材料の作製に用いる。したがって、本発明により作製
した光導波路は、良好な光導波特性を示し、多量、少量
に関わらず、高分子光導波路が、簡便に安価に作製する
ことが可能となる。
【図１】本発明にもとづく高分子光導波路の作成方法を
説明するための模式的断面図で、（ａ）は高分子層を基
板上に積層する工程を説明するための図、（ｂ）は所望
の形状からなるコアを形成する工程を説明するための
図、（ｃ）は再びクラッド層を設ける工程を説明するた
めの図である。
説明するための模式的断面図で、（ａ）は高分子層を基
板上に積層する工程を説明するための図、（ｂ）は所望
の形状からなるコアを形成する工程を説明するための
図、（ｃ）は再びクラッド層を設ける工程を説明するた
めの図である。
【図２】本発明にもとづく高分子光導波路の作成方法の
第２例を説明するための図で、（ａ）は高分子クラッド
層を基板上に積層し、つづいて所望の形状からなるコア
を形成する工程を説明するための図、（ｂ）はクラッド
層の高分子よりも屈折率の高いコア高分子を塗布する工
程を説明するための図、（ｃ）はコア形成後にクラッド
材料を塗布する工程を説明するための図である。
第２例を説明するための図で、（ａ）は高分子クラッド
層を基板上に積層し、つづいて所望の形状からなるコア
を形成する工程を説明するための図、（ｂ）はクラッド
層の高分子よりも屈折率の高いコア高分子を塗布する工
程を説明するための図、（ｃ）はコア形成後にクラッド
材料を塗布する工程を説明するための図である。
１ 基板 ２ クラッド用高分子 ３ コア用高分子 ４ コア ５ ダイシングソー ６ クラッド用高分子 ７ 基板 ８ クラッド用高分子 ９ ダイシングソー １０ コア用高分子 １１ コア １２ クラッド用高分子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今村 三郎 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上にクラッドとなる高分子からなる
第１層を形成する工程と、 該第１層よりも屈折率が高い高分子からなる第２層を形
成する工程と、 該第２層の一部を機械的に切削除去することによってコ
ア部を形成する工程と、 該コア部より屈折率が低い高分子材料で前記コア部を覆
う第３層を形成する工程とを有することを特徴とする高
分子光導波路の作製方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、 前記コア部より屈折率が低い高分子材料で前記コア部を
覆う第３層を形成する工程の後に、前記基板を除去する
工程が設けられたことを特徴とする高分子光導波路の作
製方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の方法において、 前記第２層の一部を機械的に切削除去することによって
コア部を形成する工程では、ダイシングソーを用いて前
記切削を行うことを特徴とする高分子光導波路の作製方
法。 - 【請求項４】 基板上にクラッドとなる高分子よりなる
第１層を形成する工程と、 該第１層の一部を機械的に切削除去して、該第１層に溝
部を形成する工程と、 該溝部に該第１層よりも屈折率が高いコア用高分子材料
を流し込む工程と、 該コア用高分子材料の不要部分を除去してコア部を作製
する工程と、 該コア部より屈折率が低い高分子材料で前記コア部を覆
う第２層を形成する工程とを有することを特徴とする高
分子光導波路の作製方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の方法において、 前記コア部より屈折率が低い高分子材料で前記コア部を
覆う第２層を形成する工程の後に、前記基板を除去する
工程が設けられたことを特徴とする高分子光導波路の作
製方法。 - 【請求項６】 請求項４または５記載の方法において、 前記第１層の一部を機械的に切削除去して該第１層に溝
部を形成する工程では、ダイシングソーを用いて前記切
削を行うことを特徴とする高分子光導波路の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9377495A JPH08286064A (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 高分子光導波路の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9377495A JPH08286064A (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 高分子光導波路の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08286064A true JPH08286064A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14091778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9377495A Pending JPH08286064A (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 高分子光導波路の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08286064A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10170738A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
| JPH10170739A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
| WO2003091776A1 (fr) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Central Glass Company, Limited | Guide d'ondes optique en resine et son procede de fabrication |
| WO2005116705A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Omron Corporation | 光分岐器及びその製造方法 |
| JP2006317659A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Hata Kensaku:Kk | 光通信用光導波路基板 |
| WO2008012351A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Iee International Electronics & Engineering S.A. | Method of producing a film-type sensor |
| WO2008078680A1 (ja) | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Mitsui Chemicals, Inc. | 光電気混載基板およびその製造方法 |
| JP2008292823A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路の製造方法 |
| US7620285B2 (en) | 2007-09-20 | 2009-11-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide with a colored layer and method for manufacturing the same |
| US7695652B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-04-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide and method for manufacturing the same |
| US7702206B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-04-20 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide and method for manufacturing the same |
| US7738755B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-06-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical waveguide film and photoelectric film |
| US7747115B2 (en) | 2007-09-12 | 2010-06-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide device and light outputting module |
| US7769264B2 (en) | 2008-08-15 | 2010-08-03 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide with position recognition mark and method for producing the same |
| KR101047199B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2011-07-06 | (주)인터플렉스 | 광도파로 제조 방법 |
| US8364001B2 (en) | 2008-12-26 | 2013-01-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Polymer optical waveguide and method for production thereof |
-
1995
- 1995-04-19 JP JP9377495A patent/JPH08286064A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10170738A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
| JPH10170739A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
| WO2003091776A1 (fr) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Central Glass Company, Limited | Guide d'ondes optique en resine et son procede de fabrication |
| US7335875B2 (en) | 2004-05-27 | 2008-02-26 | Omron Corporation | Optical branching unit, and method of manufacturing the same |
| WO2005116705A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Omron Corporation | 光分岐器及びその製造方法 |
| JP2006317659A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Hata Kensaku:Kk | 光通信用光導波路基板 |
| US7738755B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-06-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical waveguide film and photoelectric film |
| WO2008012351A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Iee International Electronics & Engineering S.A. | Method of producing a film-type sensor |
| US8175424B2 (en) | 2006-12-26 | 2012-05-08 | Mitsui Chemicals, Inc. | Electrical and optical hybrid board and manufacturing method of the same |
| WO2008078680A1 (ja) | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Mitsui Chemicals, Inc. | 光電気混載基板およびその製造方法 |
| JP5512131B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2014-06-04 | 三井化学株式会社 | 光電気混載基板およびその製造方法 |
| JP2008292823A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路の製造方法 |
| US8961839B2 (en) | 2007-05-25 | 2015-02-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Production method of optical waveguide |
| US7747115B2 (en) | 2007-09-12 | 2010-06-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide device and light outputting module |
| US7620285B2 (en) | 2007-09-20 | 2009-11-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide with a colored layer and method for manufacturing the same |
| US7695652B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-04-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide and method for manufacturing the same |
| US7702206B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-04-20 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide and method for manufacturing the same |
| US7769264B2 (en) | 2008-08-15 | 2010-08-03 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide with position recognition mark and method for producing the same |
| US8364001B2 (en) | 2008-12-26 | 2013-01-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Polymer optical waveguide and method for production thereof |
| KR101047199B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2011-07-06 | (주)인터플렉스 | 광도파로 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100415625B1 (ko) | 이온 교환법을 이용한 평면형 광도파로 제조 방법 | |
| US7050691B2 (en) | Optical waveguide and method of manufacturing the same | |
| JPH08286064A (ja) | 高分子光導波路の作製方法 | |
| KR100976671B1 (ko) | 광도파로의 제조 방법 | |
| KR100872244B1 (ko) | 필름상 광도파로의 제조 방법 | |
| EP2098897B1 (en) | Method of manufacturing optical waveguide device using die cutting | |
| US6847773B2 (en) | Optical waveguide and method for manufacturing the same | |
| KR100943561B1 (ko) | 파장 필터 제조 방법 | |
| JP2599497B2 (ja) | 平板型プラスチック光導波路 | |
| KR100935866B1 (ko) | 에폭시 수지를 이용한 광 도파로 및 그 제조방법 | |
| JP2000035524A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| EP1778462B1 (en) | Method for manufacturing optical devices | |
| JP2007133026A (ja) | Ｖ溝付き光導波路の製造方法 | |
| KR100678342B1 (ko) | 광도파로 소자 제조 방법 | |
| JPH08327844A (ja) | 光導波路の作製方法 | |
| KR100491053B1 (ko) | 폴리머 광소자 제조방법 | |
| JP2006011211A (ja) | 高分子光導波路の製造方法、それに用いる鋳型及びその製造方法 | |
| KR100322130B1 (ko) | 광도파로 제조방법 | |
| JP2004078084A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP2004226576A (ja) | 光学部品およびその製造方法 | |
| JP2001228350A (ja) | 高分子光導波路製造方法 | |
| JP2002350665A (ja) | 空間反射型構造を有する光集積回路の製造方法および光集積回路 | |
| JP2000321456A (ja) | ポリイミド光導波路の作製方法 | |
| JPS6028323B2 (ja) | 光ビーム用波長分割多重化・分波装置の製造方法 | |
| KR19990012248A (ko) | 광도파로 소자의 제작방법 |