JPH08279455A - パターン形成方法およびパターン形成装置 - Google Patents
パターン形成方法およびパターン形成装置Info
- Publication number
- JPH08279455A JPH08279455A JP7083735A JP8373595A JPH08279455A JP H08279455 A JPH08279455 A JP H08279455A JP 7083735 A JP7083735 A JP 7083735A JP 8373595 A JP8373595 A JP 8373595A JP H08279455 A JPH08279455 A JP H08279455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- pattern
- chamber
- light
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板のパターン寸法の面内のばらつき
を低減する。 【構成】 半導体基板１５上にフォトレジストを塗布す
る工程と、このフォトレジストに所望のパターンを露光
する工程と、Ｎ2 雰囲気下で半導体基板１５を加熱する
工程と、加熱した半導体基板１５にＵＶ光１６を照射す
る工程と、現像を行って半導体基板１５にパターンを形
成する工程と含むパターン形成方法であって、ＵＶ光１
６を照射する工程で半導体基板１５をＵＶ光１６の照射
方向を軸心にして回転させる。これにより、半導体基板
１５に照射されるＵＶ光１６の照射むらを低減でき、半
導体基板１５の面内のパターン寸法の均一性を向上させ
ることができる。
を低減する。 【構成】 半導体基板１５上にフォトレジストを塗布す
る工程と、このフォトレジストに所望のパターンを露光
する工程と、Ｎ2 雰囲気下で半導体基板１５を加熱する
工程と、加熱した半導体基板１５にＵＶ光１６を照射す
る工程と、現像を行って半導体基板１５にパターンを形
成する工程と含むパターン形成方法であって、ＵＶ光１
６を照射する工程で半導体基板１５をＵＶ光１６の照射
方向を軸心にして回転させる。これにより、半導体基板
１５に照射されるＵＶ光１６の照射むらを低減でき、半
導体基板１５の面内のパターン寸法の均一性を向上させ
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板上にフォ
トリソグラフィ技術によりパターンを形成するパターン
形成方法およびパターン形成装置に関するものである。
トリソグラフィ技術によりパターンを形成するパターン
形成方法およびパターン形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ技術により半導体基
板上にパターンを形成する際、フォトレジストの寸法を
目的の寸法に仕上げ、かつ半導体基板上の面内の寸法の
ばらつきを抑えることは重要な課題である。前述の寸法
のばらつきを抑える方法の一つとしてＲＥＬ(Resolutio
n Enhancement Lithography)がある。図４に従来のＲＥ
Ｌによるパターン形成装置の構成図を示す。すなわち、
このパターン形成装置は、ＵＶ光源４１、波長選択ミラ
ー４２、シャッタ４３、インテグレータ４４、反射鏡４
５、チャンバ４６、Ｎ2 吹き出しノズル４７、ホットプ
レート４８を備えている。チャンバ４６内はノズル４７
から吹き出したＮ2 によりＮ2 雰囲気となっている。ま
た、ステッパにより露光されたフォトレジストを塗布し
た半導体基板４９はホットプレート４８に固定され、光
源４１からのＵＶ光は矢印のように進み半導体基板４９
上に一括照射される。この後半導体基板４９はアルカリ
現像液によって処理され、フォトレジストによるパター
ンが形成される。
板上にパターンを形成する際、フォトレジストの寸法を
目的の寸法に仕上げ、かつ半導体基板上の面内の寸法の
ばらつきを抑えることは重要な課題である。前述の寸法
のばらつきを抑える方法の一つとしてＲＥＬ(Resolutio
n Enhancement Lithography)がある。図４に従来のＲＥ
Ｌによるパターン形成装置の構成図を示す。すなわち、
このパターン形成装置は、ＵＶ光源４１、波長選択ミラ
ー４２、シャッタ４３、インテグレータ４４、反射鏡４
５、チャンバ４６、Ｎ2 吹き出しノズル４７、ホットプ
レート４８を備えている。チャンバ４６内はノズル４７
から吹き出したＮ2 によりＮ2 雰囲気となっている。ま
た、ステッパにより露光されたフォトレジストを塗布し
た半導体基板４９はホットプレート４８に固定され、光
源４１からのＵＶ光は矢印のように進み半導体基板４９
上に一括照射される。この後半導体基板４９はアルカリ
現像液によって処理され、フォトレジストによるパター
ンが形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例の構成では、半導体基板４９がホットプレー
ト４８上に固定されており、またＮ2 吹き出しノズル４
７がチャンバ４６に固定されているため、ＵＶ光の照射
むらやチャンバ４６内のＮ2 雰囲気の微妙なむらにより
半導体基板４９の面内でパターン寸法がばらつくという
問題があった。
うな従来例の構成では、半導体基板４９がホットプレー
ト４８上に固定されており、またＮ2 吹き出しノズル４
７がチャンバ４６に固定されているため、ＵＶ光の照射
むらやチャンバ４６内のＮ2 雰囲気の微妙なむらにより
半導体基板４９の面内でパターン寸法がばらつくという
問題があった。
【０００４】したがって、この発明の目的は、半導体基
板のパターン寸法の面内のばらつきを低減できるパター
ン形成方法およびパターン形成装置を提供することであ
る。
板のパターン寸法の面内のばらつきを低減できるパター
ン形成方法およびパターン形成装置を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のパターン
形成方法は、半導体基板上にフォトレジストを塗布する
工程と、このフォトレジストに所望のパターンを露光す
る工程と、Ｎ2 雰囲気下で半導体基板を加熱する工程
と、加熱した半導体基板にＵＶ光を照射する工程と、現
像を行って半導体基板にパターンを形成する工程と含む
パターン形成方法であって、ＵＶ光を照射する工程で半
導体基板をＵＶ光の照射方向を軸心にして回転させるこ
とを特徴するものである。
形成方法は、半導体基板上にフォトレジストを塗布する
工程と、このフォトレジストに所望のパターンを露光す
る工程と、Ｎ2 雰囲気下で半導体基板を加熱する工程
と、加熱した半導体基板にＵＶ光を照射する工程と、現
像を行って半導体基板にパターンを形成する工程と含む
パターン形成方法であって、ＵＶ光を照射する工程で半
導体基板をＵＶ光の照射方向を軸心にして回転させるこ
とを特徴するものである。
【０００６】請求項２記載のパターン形成装置は、チャ
ンバ内に開口するようにＮ2 吹き出しノズルを設け、チ
ャンバ内に配置した半導体基板上にフォトレジストを塗
布し、このフォトレジストに所望のパターンを露光し、
ノズルからチャンバ内にＮ2を吹き出しこのＮ2 雰囲気
下で半導体基板を加熱してＵＶ光を照射し、現像を行っ
て半導体基板にパターンを形成するパターン形成装置で
あって、半導体基板をＵＶ光の照射方向を軸心にして回
転させる機構を備えたものである。
ンバ内に開口するようにＮ2 吹き出しノズルを設け、チ
ャンバ内に配置した半導体基板上にフォトレジストを塗
布し、このフォトレジストに所望のパターンを露光し、
ノズルからチャンバ内にＮ2を吹き出しこのＮ2 雰囲気
下で半導体基板を加熱してＵＶ光を照射し、現像を行っ
て半導体基板にパターンを形成するパターン形成装置で
あって、半導体基板をＵＶ光の照射方向を軸心にして回
転させる機構を備えたものである。
【０００７】請求項３記載のパターン形成方法は、チャ
ンバ内に配置した半導体基板上にフォトレジストを塗布
する工程と、このフォトレジストに所望のパターンを露
光する工程と、チャンバ内にＮ2 を吹き出しこのＮ2 雰
囲気下で半導体基板を加熱する工程と、加熱した半導体
基板にＵＶ光を照射する工程と、現像を行って半導体基
板にパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法
であって、Ｎ2 の吹き出し位置を半導体基板の略中央に
直交する軸を軸心にして回転させることを特徴とするも
のである。
ンバ内に配置した半導体基板上にフォトレジストを塗布
する工程と、このフォトレジストに所望のパターンを露
光する工程と、チャンバ内にＮ2 を吹き出しこのＮ2 雰
囲気下で半導体基板を加熱する工程と、加熱した半導体
基板にＵＶ光を照射する工程と、現像を行って半導体基
板にパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法
であって、Ｎ2 の吹き出し位置を半導体基板の略中央に
直交する軸を軸心にして回転させることを特徴とするも
のである。
【０００８】請求項４記載のパターン形成装置は、チャ
ンバ内に開口するようにＮ2 吹き出しノズルを設け、チ
ャンバ内に配置した半導体基板上にフォトレジストを塗
布し、このフォトレジストに所望のパターンを露光し、
ノズルからチャンバ内にＮ2を吹き出しこのＮ2 雰囲気
下で半導体基板を加熱してＵＶ光を照射し、現像を行っ
て半導体基板にパターンを形成するパターン形成装置で
あって、ノズルを半導体基板の略中央に直交する軸を軸
心にして回転させる機構を備えたものである。
ンバ内に開口するようにＮ2 吹き出しノズルを設け、チ
ャンバ内に配置した半導体基板上にフォトレジストを塗
布し、このフォトレジストに所望のパターンを露光し、
ノズルからチャンバ内にＮ2を吹き出しこのＮ2 雰囲気
下で半導体基板を加熱してＵＶ光を照射し、現像を行っ
て半導体基板にパターンを形成するパターン形成装置で
あって、ノズルを半導体基板の略中央に直交する軸を軸
心にして回転させる機構を備えたものである。
【０００９】
【作用】請求項１の構成によれば、ＵＶ光を照射する工
程で半導体基板をＵＶ光の照射方向を軸心にして回転さ
せることにより、半導体基板に照射されるＵＶ光の照射
むらを低減でき、半導体基板面内のパターン寸法の均一
性を向上させることができる。
程で半導体基板をＵＶ光の照射方向を軸心にして回転さ
せることにより、半導体基板に照射されるＵＶ光の照射
むらを低減でき、半導体基板面内のパターン寸法の均一
性を向上させることができる。
【００１０】請求項２の構成によれば、半導体基板をＵ
Ｖ光の照射方向を軸心にして回転させる機構を備えてい
るので、ＵＶ光を照射する際に半導体基板を回転させる
ことにより、半導体基板に照射されるＵＶ光の照射むら
を低減でき、請求項１と同様の作用が得られる。請求項
３の構成によれば、チャンバ内に吹き出すＮ2 の吹き出
し位置を、半導体基板の略中央に直交する軸を軸心にし
て回転させることにより、チャンバ内のＮ2 雰囲気むら
を低減できる。この状態で半導体基板を加熱しＵＶ光を
照射するので、半導体基板面内のパターン寸法の均一性
を向上させることができる。
Ｖ光の照射方向を軸心にして回転させる機構を備えてい
るので、ＵＶ光を照射する際に半導体基板を回転させる
ことにより、半導体基板に照射されるＵＶ光の照射むら
を低減でき、請求項１と同様の作用が得られる。請求項
３の構成によれば、チャンバ内に吹き出すＮ2 の吹き出
し位置を、半導体基板の略中央に直交する軸を軸心にし
て回転させることにより、チャンバ内のＮ2 雰囲気むら
を低減できる。この状態で半導体基板を加熱しＵＶ光を
照射するので、半導体基板面内のパターン寸法の均一性
を向上させることができる。
【００１１】請求項４の構成によれば、チャンバ内に開
口するように設けたＮ2 吹き出しノズルを、半導体基板
の略中央に直交する軸を軸心にして回転させる機構を備
えているので、ノズルを回転させることにより、チャン
バ内のＮ2 雰囲気むらを低減できる。この状態で半導体
基板を加熱しＵＶ光を照射することにより、請求項３と
同様の作用が得られる。
口するように設けたＮ2 吹き出しノズルを、半導体基板
の略中央に直交する軸を軸心にして回転させる機構を備
えているので、ノズルを回転させることにより、チャン
バ内のＮ2 雰囲気むらを低減できる。この状態で半導体
基板を加熱しＵＶ光を照射することにより、請求項３と
同様の作用が得られる。
【００１２】
【実施例】この発明の第１の実施例を図１に基づいて説
明する。図１はこの発明の第１の実施例のパターン形成
装置の概念図である。このパターン形成装置も従来例と
同様に、フォトリソグラフィ技術によりパターンを形成
するものである。また、パターン寸法のばらつきを低減
するため、Ｎ2 雰囲気下で半導体基板を加熱する工程
と、加熱した半導体基板にＵＶ光を照射する工程とを有
するＲＥＬプロセスを備えている。なお、ＵＶ光源、波
長選択ミラー、シャッタ、インテグレータ、反射鏡の構
成は図示省略したが図４の従来例と同様である。
明する。図１はこの発明の第１の実施例のパターン形成
装置の概念図である。このパターン形成装置も従来例と
同様に、フォトリソグラフィ技術によりパターンを形成
するものである。また、パターン寸法のばらつきを低減
するため、Ｎ2 雰囲気下で半導体基板を加熱する工程
と、加熱した半導体基板にＵＶ光を照射する工程とを有
するＲＥＬプロセスを備えている。なお、ＵＶ光源、波
長選択ミラー、シャッタ、インテグレータ、反射鏡の構
成は図示省略したが図４の従来例と同様である。
【００１３】また、図１に示すように、Ｎ2 吹き出しノ
ズル１２がチャンバ１３内に開口するように設けられ、
チャンバ１３内をＮ2 雰囲気で満たすことができる。ま
た、チャンバ１３内に配置したホットプレート１１の上
に半導体基板１５が固定される。そして、この半導体基
板１５をＵＶ光１６の照射方向を軸心にして回転する機
構を備えている。この場合、ホットプレート１１の中心
にモータ１４を連結し、このモータ１４の作動により半
導体基板１５がホットプレート１１とともにＵＶ光１６
の照射方向を軸心にして回転する。ＲＥＬプロセス適用
時の半導体基板１５の回転数は１０〜５０ｒｐｍ程度で
ある。
ズル１２がチャンバ１３内に開口するように設けられ、
チャンバ１３内をＮ2 雰囲気で満たすことができる。ま
た、チャンバ１３内に配置したホットプレート１１の上
に半導体基板１５が固定される。そして、この半導体基
板１５をＵＶ光１６の照射方向を軸心にして回転する機
構を備えている。この場合、ホットプレート１１の中心
にモータ１４を連結し、このモータ１４の作動により半
導体基板１５がホットプレート１１とともにＵＶ光１６
の照射方向を軸心にして回転する。ＲＥＬプロセス適用
時の半導体基板１５の回転数は１０〜５０ｒｐｍ程度で
ある。
【００１４】このパターン形成装置の動作時には、半導
体基板１５上にフォトレジストを塗布し、フォトレジス
ト膜に所望のパターンを露光した後、ノズル１２からＮ
2 を吹き出してチャンバ１３内をＮ2 雰囲気で満たして
おき、半導体基板１５をホットプレート１１で加熱す
る。そして、半導体基板１５をホットプレート１１とと
もにモータ１４により１０〜５０ｒｐｍ程度の回転数で
回転させる。この状態でＵＶ光１６を照射する。これに
より、ＵＶ光１６の照射むらを低減できる。この後、半
導体基板１５をアルカリ現像液によって処理し、フォト
レジストによるパターンが形成される。
体基板１５上にフォトレジストを塗布し、フォトレジス
ト膜に所望のパターンを露光した後、ノズル１２からＮ
2 を吹き出してチャンバ１３内をＮ2 雰囲気で満たして
おき、半導体基板１５をホットプレート１１で加熱す
る。そして、半導体基板１５をホットプレート１１とと
もにモータ１４により１０〜５０ｒｐｍ程度の回転数で
回転させる。この状態でＵＶ光１６を照射する。これに
より、ＵＶ光１６の照射むらを低減できる。この後、半
導体基板１５をアルカリ現像液によって処理し、フォト
レジストによるパターンが形成される。
【００１５】この実施例では、ＵＶ光１６を照射する工
程で半導体基板１５をＵＶ光１６の照射方向を軸心にし
てモータ１４により回転させることにより、半導体基板
１５に照射されるＵＶ光１６の照射むらを低減でき、半
導体基板１５の面内のパターン寸法の均一性を向上させ
ることができる。第２の実施例を図２に基づいて説明す
る。この実施例では、ホットプレート２１がチャンバ２
３内に固定されており、Ｎ2 吹き出しノズル２２が半導
体基板１５の略中央に直交する軸を軸心にして回転する
機構を備えている。この場合、チャンバ２３内に開口す
る一対のノズル２２，２２が連結パイプ２２ａを介して
連結されている。そして、この連結パイブ２２ａの中央
にモータ２４を連結し、このモータ２４の作動により一
対のノズル２２，２２が半導体基板１５の略中央に直交
する軸を軸心にしてかつチャンバ２３の内周面に沿って
回転する。その他の構成は第１の実施例と同様である。
程で半導体基板１５をＵＶ光１６の照射方向を軸心にし
てモータ１４により回転させることにより、半導体基板
１５に照射されるＵＶ光１６の照射むらを低減でき、半
導体基板１５の面内のパターン寸法の均一性を向上させ
ることができる。第２の実施例を図２に基づいて説明す
る。この実施例では、ホットプレート２１がチャンバ２
３内に固定されており、Ｎ2 吹き出しノズル２２が半導
体基板１５の略中央に直交する軸を軸心にして回転する
機構を備えている。この場合、チャンバ２３内に開口す
る一対のノズル２２，２２が連結パイプ２２ａを介して
連結されている。そして、この連結パイブ２２ａの中央
にモータ２４を連結し、このモータ２４の作動により一
対のノズル２２，２２が半導体基板１５の略中央に直交
する軸を軸心にしてかつチャンバ２３の内周面に沿って
回転する。その他の構成は第１の実施例と同様である。
【００１６】このパターン形成装置の動作時には、半導
体基板１５上にフォトレジストを塗布し、フォトレジス
ト膜に所望のパターンを露光した後、ノズル２２からチ
ャンバ２３内にＮ2 を吹き出すとともにノズル２２をモ
ータ２４により回転させる。、このようにチャンバ２３
内をＮ2 雰囲気で満たした状態で、半導体基板１５をホ
ットプレート２１で加熱し、この加熱した半導体基板１
５にＵＶ光１６を照射する。この後、半導体基板１５を
アルカリ現像液によって処理し、フォトレジストによる
パターンが形成される。
体基板１５上にフォトレジストを塗布し、フォトレジス
ト膜に所望のパターンを露光した後、ノズル２２からチ
ャンバ２３内にＮ2 を吹き出すとともにノズル２２をモ
ータ２４により回転させる。、このようにチャンバ２３
内をＮ2 雰囲気で満たした状態で、半導体基板１５をホ
ットプレート２１で加熱し、この加熱した半導体基板１
５にＵＶ光１６を照射する。この後、半導体基板１５を
アルカリ現像液によって処理し、フォトレジストによる
パターンが形成される。
【００１７】この実施例では、チャンバ２３内に開口す
るように設けたノズル２２を、半導体基板の略中央に直
交する軸を軸心にしてモータ２４により回転させること
により、チャンバ２３内のＮ2 雰囲気むらを低減でき
る。この状態で半導体基板１５を加熱しＵＶ光１６を照
射するので、半導体基板１５の面内のパターン寸法の均
一性を向上させることができる。
るように設けたノズル２２を、半導体基板の略中央に直
交する軸を軸心にしてモータ２４により回転させること
により、チャンバ２３内のＮ2 雰囲気むらを低減でき
る。この状態で半導体基板１５を加熱しＵＶ光１６を照
射するので、半導体基板１５の面内のパターン寸法の均
一性を向上させることができる。
【００１８】また、上記実施例の作用効果を調べるため
に、従来例と実施例の装置を用いパターン形成を行っ
た。なお、第１の実施例の装置および第２の実施例の装
置では、いずれの装置を用いても同様の結果が得られる
ため一括して実施例の装置とした。フォトレジストはシ
プレイ社のS-1400を用い、これを半導体基板上に1.22μ
ｍ塗布し、通常の露光を行った上で、それぞれの装置を
用いて現像を行った。
に、従来例と実施例の装置を用いパターン形成を行っ
た。なお、第１の実施例の装置および第２の実施例の装
置では、いずれの装置を用いても同様の結果が得られる
ため一括して実施例の装置とした。フォトレジストはシ
プレイ社のS-1400を用い、これを半導体基板上に1.22μ
ｍ塗布し、通常の露光を行った上で、それぞれの装置を
用いて現像を行った。
【００１９】その結果を図３に示す。同図において、縦
軸はパターン寸法（μｍ）、横軸は半導体基板１５の面
内の位置を示すウエハポジション（ｍｍ）である。図３
から明らかなように従来例の装置では半導体基板面内の
寸法のばらつきの差が最大約0.08μｍに対して実施例の
装置を用いると最大約0.04μｍとなり５０％ばらつきを
低減することができる。
軸はパターン寸法（μｍ）、横軸は半導体基板１５の面
内の位置を示すウエハポジション（ｍｍ）である。図３
から明らかなように従来例の装置では半導体基板面内の
寸法のばらつきの差が最大約0.08μｍに対して実施例の
装置を用いると最大約0.04μｍとなり５０％ばらつきを
低減することができる。
【００２０】なお、第１の実施例と第２の実施例を合わ
せた構成にしてもよい。またノズル１２，２２の数は何
個でもよい。
せた構成にしてもよい。またノズル１２，２２の数は何
個でもよい。
【００２１】
【発明の効果】請求項１のパターン形成方法によれば、
ＵＶ光を照射する工程で半導体基板をＵＶ光の照射方向
を軸心にして回転させることにより、半導体基板に照射
されるＵＶ光の照射むらを低減でき、半導体基板面内の
パターン寸法の均一性を向上させることができる。この
ため、半導体装置の信頼性が向上する。
ＵＶ光を照射する工程で半導体基板をＵＶ光の照射方向
を軸心にして回転させることにより、半導体基板に照射
されるＵＶ光の照射むらを低減でき、半導体基板面内の
パターン寸法の均一性を向上させることができる。この
ため、半導体装置の信頼性が向上する。
【００２２】請求項２のパターン形成装置によれば、半
導体基板をＵＶ光の照射方向を軸心にして回転させる機
構を備えているので、ＵＶ光を照射する際に半導体基板
を回転させることにより、半導体基板に照射されるＵＶ
光の照射むらを低減でき、請求項１と同様の効果が得ら
れる。請求項３のパターン形成方法によれば、チャンバ
内に吹き出すＮ2 の吹き出し位置を、半導体基板の略中
央に直交する軸を軸心にして回転させることにより、チ
ャンバ内のＮ2 雰囲気むらを低減できる。この状態で半
導体基板を加熱しＵＶ光を照射するので、半導体基板面
内のパターン寸法の均一性を向上させることができる。
このため、半導体装置の信頼性が向上する。
導体基板をＵＶ光の照射方向を軸心にして回転させる機
構を備えているので、ＵＶ光を照射する際に半導体基板
を回転させることにより、半導体基板に照射されるＵＶ
光の照射むらを低減でき、請求項１と同様の効果が得ら
れる。請求項３のパターン形成方法によれば、チャンバ
内に吹き出すＮ2 の吹き出し位置を、半導体基板の略中
央に直交する軸を軸心にして回転させることにより、チ
ャンバ内のＮ2 雰囲気むらを低減できる。この状態で半
導体基板を加熱しＵＶ光を照射するので、半導体基板面
内のパターン寸法の均一性を向上させることができる。
このため、半導体装置の信頼性が向上する。
【００２３】請求項４のパターン形成装置によれば、チ
ャンバ内に開口するように設けたＮ 2 吹き出しノズル
を、半導体基板の略中央に直交する軸を軸心にして回転
させる機構を備えているので、ノズルを回転させること
により、チャンバ内のＮ2 雰囲気むらを低減できる。こ
の状態で半導体基板を加熱しＵＶ光を照射することによ
り、請求項３と同様の効果が得られる。
ャンバ内に開口するように設けたＮ 2 吹き出しノズル
を、半導体基板の略中央に直交する軸を軸心にして回転
させる機構を備えているので、ノズルを回転させること
により、チャンバ内のＮ2 雰囲気むらを低減できる。こ
の状態で半導体基板を加熱しＵＶ光を照射することによ
り、請求項３と同様の効果が得られる。
【図１】この発明の第１の実施例のパターン形成装置の
概念図である。
概念図である。
【図２】第２の実施例のパターン形成装置の概念図であ
る。
る。
【図３】この発明の作用効果を示すグラフである。
【図４】従来例の概念図である。
１１ ホットプレート １２ Ｎ2 吹き出しノズル １３ チャンバ １４ モータ １５ 半導体基板 １６ ＵＶ光
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上にフォトレジストを塗布す
る工程と、このフォトレジストに所望のパターンを露光
する工程と、Ｎ2 雰囲気下で前記半導体基板を加熱する
工程と、加熱した前記半導体基板にＵＶ光を照射する工
程と、現像を行って前記半導体基板にパターンを形成す
る工程と含むパターン形成方法であって、前記ＵＶ光を
照射する工程で前記半導体基板を前記ＵＶ光の照射方向
を軸心にして回転させることを特徴するパターン形成方
法。 - 【請求項２】 チャンバ内に開口するようにＮ2 吹き出
しノズルを設け、前記チャンバ内に配置した半導体基板
上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに所
望のパターンを露光し、前記ノズルから前記チャンバ内
にＮ2 を吹き出しこのＮ2 雰囲気下で前記半導体基板を
加熱してＵＶ光を照射し、現像を行って前記半導体基板
にパターンを形成するパターン形成装置であって、前記
半導体基板を前記ＵＶ光の照射方向を軸心にして回転さ
せる機構を備えたパターン形成装置。 - 【請求項３】 チャンバ内に配置した半導体基板上にフ
ォトレジストを塗布する工程と、このフォトレジストに
所望のパターンを露光する工程と、前記チャンバ内にＮ
2 を吹き出しこのＮ2 雰囲気下で前記半導体基板を加熱
する工程と、加熱した前記半導体基板にＵＶ光を照射す
る工程と、現像を行って前記半導体基板にパターンを形
成する工程とを含むパターン形成方法であって、前記Ｎ
2 の吹き出し位置を前記半導体基板の略中央に直交する
軸を軸心にして回転させることを特徴とするパターン形
成方法。 - 【請求項４】 チャンバ内に開口するようにＮ2 吹き出
しノズルを設け、前記チャンバ内に配置した半導体基板
上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに所
望のパターンを露光し、前記ノズルから前記チャンバ内
にＮ2 を吹き出しこのＮ2 雰囲気下で前記半導体基板を
加熱してＵＶ光を照射し、現像を行って前記半導体基板
にパターンを形成するパターン形成装置であって、前記
ノズルを前記半導体基板の略中央に直交する軸を軸心に
して回転させる機構を備えたパターン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7083735A JPH08279455A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7083735A JPH08279455A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279455A true JPH08279455A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13810793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7083735A Pending JPH08279455A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08279455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100291667B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 광통신용 반도체칩의 금속접합 방법 |
-
1995
- 1995-04-10 JP JP7083735A patent/JPH08279455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100291667B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 광통신용 반도체칩의 금속접합 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6688784B1 (en) | Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure | |
| US10522428B2 (en) | Critical dimension control by use of a photo agent | |
| TW202004362A (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體 | |
| US6830389B2 (en) | Parallel plate development with the application of a differential voltage | |
| JPH08279455A (ja) | パターン形成方法およびパターン形成装置 | |
| US5902716A (en) | Exposure method and apparatus | |
| JPH07105336B2 (ja) | レジスト現像方法 | |
| WO2001082001A1 (en) | Lithography system with device for exposing the periphery of a wafer | |
| JP7348456B2 (ja) | 較正されたトリム量を用いて限界寸法を補正するための方法 | |
| US6634805B1 (en) | Parallel plate development | |
| JPH0750680B2 (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JP2002148809A (ja) | レジスト基板の製造方法及びレジスト基板 | |
| JP2000260687A (ja) | 加熱処理方法及び加熱処理装置 | |
| JPH0750679B2 (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JPH07161628A (ja) | 周辺露光装置 | |
| JPH0750681B2 (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JPH0750677B2 (ja) | ウエハ周辺露光方法 | |
| JPH0521336A (ja) | ウエハの縁取り露光装置 | |
| JPH0425114A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP2617923B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0750676B2 (ja) | ウエハ周辺露光方法 | |
| JPH0817708A (ja) | 樹脂膜剥離方法及び装置とマスク及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0464171B2 (ja) | ||
| JPH1195450A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH05343297A (ja) | 露光方法および露光装置 |