JPH0827908B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH0827908B2 JPH0827908B2 JP1029103A JP2910389A JPH0827908B2 JP H0827908 B2 JPH0827908 B2 JP H0827908B2 JP 1029103 A JP1029103 A JP 1029103A JP 2910389 A JP2910389 A JP 2910389A JP H0827908 B2 JPH0827908 B2 JP H0827908B2
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- magnetic
- alloy film
- gap
- head
- metal
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はVTR等の磁気ヘッド及びその製造方法に関す
るものである。
るものである。
従来の技術 従来より磁気ギャップ近傍にFe−Si−Al（センダス
ト）合金やCo−Nb−Zr等の非晶質合金を用い、バックコ
アにMn−Znフェライトを用いたメタルインギャップ（MI
G）ヘッドが知られている。これは飽和磁束密度（４πM
s）の高い金属磁性合金膜を磁気ギャップ近傍に位置す
るような構成のヘッドとする事によりフェライト単体よ
りなる磁気ヘッドに比べて主に記録特性の改善をはかろ
うとするものである。第２図にこのようなMIGタイプヘ
ッドの１例を示す。図中１はフェライトバックコア、２
は金属磁性合金膜、３はSiO2等よりなる磁気ギャップ
部、４はコア接着用ガラス部である。
ト）合金やCo−Nb−Zr等の非晶質合金を用い、バックコ
アにMn−Znフェライトを用いたメタルインギャップ（MI
G）ヘッドが知られている。これは飽和磁束密度（４πM
s）の高い金属磁性合金膜を磁気ギャップ近傍に位置す
るような構成のヘッドとする事によりフェライト単体よ
りなる磁気ヘッドに比べて主に記録特性の改善をはかろ
うとするものである。第２図にこのようなMIGタイプヘ
ッドの１例を示す。図中１はフェライトバックコア、２
は金属磁性合金膜、３はSiO2等よりなる磁気ギャップ
部、４はコア接着用ガラス部である。
発明が解決しようとうる課題 しかしながらこのような構成のヘッドの金属磁性膜と
してFe−Si−Al系合金やCo−Nb−Zr系非晶質合金等の従
来よりヘッドコア材として用いられているものを用いる
と、第１図に示された金属磁性膜部２とフェライトコア
部１との界面５にAlが偏析したり、Nb,Zr等がフェライ
トの酸素を奪ったりして変質層が生じ、疑似ギャップと
なってヘッドの特性を損なう問題点があった。又Fe−Si
−Al系合金膜は磁気異方性の制御が困難でヘッド化した
場合特性のばらつきが生じ易く、Co−Nb−Zr系非晶質合
金膜は磁界中熱処理により磁気異方性の制御が可能なも
のの全ての熱処理工程を磁界中で行なわないと異方性が
消えてしまうという問題点や飽和磁化の高いものは結晶
化温度が低く500℃近傍でのガラス接着工程が困難であ
るという問題点があった。
してFe−Si−Al系合金やCo−Nb−Zr系非晶質合金等の従
来よりヘッドコア材として用いられているものを用いる
と、第１図に示された金属磁性膜部２とフェライトコア
部１との界面５にAlが偏析したり、Nb,Zr等がフェライ
トの酸素を奪ったりして変質層が生じ、疑似ギャップと
なってヘッドの特性を損なう問題点があった。又Fe−Si
−Al系合金膜は磁気異方性の制御が困難でヘッド化した
場合特性のばらつきが生じ易く、Co−Nb−Zr系非晶質合
金膜は磁界中熱処理により磁気異方性の制御が可能なも
のの全ての熱処理工程を磁界中で行なわないと異方性が
消えてしまうという問題点や飽和磁化の高いものは結晶
化温度が低く500℃近傍でのガラス接着工程が困難であ
るという問題点があった。
本発明は、このような従来技術の課題を解決すること
を目的とする。
を目的とする。
課題を解決するための手段 本発明にかかる磁気ヘッドは、金属合金膜部に次式で
しめされた組成を有する合金膜 TaMbXcNd、 ……（１） を用いて変質層の低減をはかる。
しめされた組成を有する合金膜 TaMbXcNd、 ……（１） を用いて変質層の低減をはかる。
ただしＴはFe,Co,Niよりなる群から選択された少なく
とも１種の金属、ＭはNb,Zr,Ti,Ta,Hf,Cr,Mo,W,Mnより
なる群から選択された少なくとも１種の金属、ＸはB,S
i,Geよりなる群より選択された少なくとも１種の半金属
・半導体、Ｎは窒素であってa,b,c,dは原子パーセント
を表し、それぞれ 65≦ａ≦93 ……（２） 4≦ｂ≦20 ……（３） 1≦ｃ≦20 ……（４） 2≦ｄ≦20 ……（５） ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝100 ……（６） である。
とも１種の金属、ＭはNb,Zr,Ti,Ta,Hf,Cr,Mo,W,Mnより
なる群から選択された少なくとも１種の金属、ＸはB,S
i,Geよりなる群より選択された少なくとも１種の半金属
・半導体、Ｎは窒素であってa,b,c,dは原子パーセント
を表し、それぞれ 65≦ａ≦93 ……（２） 4≦ｂ≦20 ……（３） 1≦ｃ≦20 ……（４） 2≦ｄ≦20 ……（５） ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝100 ……（６） である。
また本発明は、ギャップ近傍が、次式 TaMbXcNd、 （ただしＴはFe,Co,Niよりなる群から選択された少なく
とも１種の金属、ＭはNb,Zr,Ti,Ta,Hf,Cr,Mo,W,Mnより
なる群から選択された少なくとも１種の金属、ＸはB,
Si,Geよりなる群より選択された少なくとも１種の半金
属・半導体、ＮはＮ（窒素）であってa,b,c,dは原子パ
ーセントを表わし、それぞれ 65≦ａ≦93 4≦ｂ≦20 1≦ｃ≦20 2≦ｄ≦20 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝100 である） で示された組成の磁性合金膜で、その他のコア部が主に
フェライトで構成されている磁気ヘッドの作成法におい
て、フェライト基板上に該合金膜をスパッタ法等により
蒸着し、該合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ
平行に、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる
方向に磁界を印加し、該フェライト基板のキュリー温度
以上で熱処理した後、通常のヘッド作製加工を行い、該
フェライト基板がバックコア、該合金膜部が磁気ギャッ
プ面を含むフロントコアとなるように磁気ヘッドを構成
する事を特徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
とも１種の金属、ＭはNb,Zr,Ti,Ta,Hf,Cr,Mo,W,Mnより
なる群から選択された少なくとも１種の金属、ＸはB,
Si,Geよりなる群より選択された少なくとも１種の半金
属・半導体、ＮはＮ（窒素）であってa,b,c,dは原子パ
ーセントを表わし、それぞれ 65≦ａ≦93 4≦ｂ≦20 1≦ｃ≦20 2≦ｄ≦20 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝100 である） で示された組成の磁性合金膜で、その他のコア部が主に
フェライトで構成されている磁気ヘッドの作成法におい
て、フェライト基板上に該合金膜をスパッタ法等により
蒸着し、該合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ
平行に、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる
方向に磁界を印加し、該フェライト基板のキュリー温度
以上で熱処理した後、通常のヘッド作製加工を行い、該
フェライト基板がバックコア、該合金膜部が磁気ギャッ
プ面を含むフロントコアとなるように磁気ヘッドを構成
する事を特徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
また、本発明磁気ヘッドの製造方法ではMIGヘッドの
作製工程の特徴を活かし、反磁界係数の小さい状態で上
記の合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ平行
に、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる方向
に磁界を印加し、フェライト基板のキュリー温度以上で
熱処理を行なう。
作製工程の特徴を活かし、反磁界係数の小さい状態で上
記の合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ平行
に、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる方向
に磁界を印加し、フェライト基板のキュリー温度以上で
熱処理を行なう。
作用 上記の構成においては磁性合金膜部に特殊な窒化合金
膜を用いる事により、フェライトバックコア部との反応
が低減するため変質層が生じ難くなり疑似ギャップの問
題が改善される。更に上述の熱処理により磁気ヘッドの
高周波特性の向上と特性の均一化が可能となる。
膜を用いる事により、フェライトバックコア部との反応
が低減するため変質層が生じ難くなり疑似ギャップの問
題が改善される。更に上述の熱処理により磁気ヘッドの
高周波特性の向上と特性の均一化が可能となる。
実施例 以下に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
（１）式において合金膜が軟磁性を示すには ａ≦94,5≦ｂ＋ｃ ……（７） である事が必要であり、合金膜が高飽和磁化を有するに
は 65≦a,b≦20,c≦20 ……（８） である事が望ましい。又フェライトとの反応を防ぎ疑似
ギャップを低減するには ２≦ｄ ……（９） である事が必要で、かつより望ましくは ３≦ｃ＋ｄ ……（10） である事がわかった。更に熱処理により窒素が膜から解
離するのを防ぐためには ４≦ｂ ……（11） である事が必要であり、合金膜の内部応力を抑えて膜が
基板より剥離しないためには ｄ≦20 ……（12） である事が望ましい。以上（７）−（12）式より（２）
−（６）式の条件式が得られた。
は 65≦a,b≦20,c≦20 ……（８） である事が望ましい。又フェライトとの反応を防ぎ疑似
ギャップを低減するには ２≦ｄ ……（９） である事が必要で、かつより望ましくは ３≦ｃ＋ｄ ……（10） である事がわかった。更に熱処理により窒素が膜から解
離するのを防ぐためには ４≦ｂ ……（11） である事が必要であり、合金膜の内部応力を抑えて膜が
基板より剥離しないためには ｄ≦20 ……（12） である事が望ましい。以上（７）−（12）式より（２）
−（６）式の条件式が得られた。
この窒化合金膜の軟磁気特性を更に改善するには、少
なくとも作製時において膜厚方向即ち成膜方向に組成変
調された窒化合金膜 Ta′Mb′Xc′Nd′、 ……（１′） を用いる事が望ましい。ただしT,M,X,Nは（１）式記載
のものと同じであり、ａ′,b′,c′,d′は膜厚方向に変
動するそれぞれの構成元素の平均組成で原子パーセント
で 65≦ａ′≦93 ……（２′） 4≦ｂ′≦20 ……（３′） 1≦ｃ′≦20 ……（４′） 2≦ｄ′≦20 ……（５′） ａ′＋ｂ′＋ｃ′＋ｄ′＝100 ……（６′） であり、限定理由は（２）−（６）の場合と同様であ
る。このような組成変調膜（広い意味で積層構造膜も含
む）は優れた軟磁性を示し、作製法としては周期的に窒
素ガスを混合した反応スパッタ法等により窒化層と非窒
化層を積層する事により積層構造のものが、又この膜を
熱処理する事により組成変調構造もしくは積層構造のも
のが得られる。従来の非晶質合金では活性なNb,Zr等が
界面でフェライトの酸素を奪って変質層を生じていた
が、これらの窒化合金膜ではNbやZr等が窒素と選択的に
結合しているため変質層が発生しにくくなっている。同
時に（１）もしくは（１′）式においてこれらのＭ元
素、即ちNb,Zr,Ti,Ta,Hf等が窒素との結合力が大である
ため、高温の熱処理においても窒素が膜から解離せず膜
質及び膜の諸特性の安定性に寄与している。（１）もし
くは（１′）式においてＸ元素はＭ元素のようにフェラ
イトの酸素を奪うことはなく窒素と結合してフェライト
と磁性合金膜との反応を押え疑似ギャップの低減に寄与
している。
なくとも作製時において膜厚方向即ち成膜方向に組成変
調された窒化合金膜 Ta′Mb′Xc′Nd′、 ……（１′） を用いる事が望ましい。ただしT,M,X,Nは（１）式記載
のものと同じであり、ａ′,b′,c′,d′は膜厚方向に変
動するそれぞれの構成元素の平均組成で原子パーセント
で 65≦ａ′≦93 ……（２′） 4≦ｂ′≦20 ……（３′） 1≦ｃ′≦20 ……（４′） 2≦ｄ′≦20 ……（５′） ａ′＋ｂ′＋ｃ′＋ｄ′＝100 ……（６′） であり、限定理由は（２）−（６）の場合と同様であ
る。このような組成変調膜（広い意味で積層構造膜も含
む）は優れた軟磁性を示し、作製法としては周期的に窒
素ガスを混合した反応スパッタ法等により窒化層と非窒
化層を積層する事により積層構造のものが、又この膜を
熱処理する事により組成変調構造もしくは積層構造のも
のが得られる。従来の非晶質合金では活性なNb,Zr等が
界面でフェライトの酸素を奪って変質層を生じていた
が、これらの窒化合金膜ではNbやZr等が窒素と選択的に
結合しているため変質層が発生しにくくなっている。同
時に（１）もしくは（１′）式においてこれらのＭ元
素、即ちNb,Zr,Ti,Ta,Hf等が窒素との結合力が大である
ため、高温の熱処理においても窒素が膜から解離せず膜
質及び膜の諸特性の安定性に寄与している。（１）もし
くは（１′）式においてＸ元素はＭ元素のようにフェラ
イトの酸素を奪うことはなく窒素と結合してフェライト
と磁性合金膜との反応を押え疑似ギャップの低減に寄与
している。
これらの窒化合金膜は従来の非晶質合金と異なり熱的
に安定なため500℃以上での高温熱処理が可能である。
又この窒化合金膜はFe−Si−Alのような結晶質合金と異
なり磁界中熱処理による磁気異方性の制御が可能で、か
つ一度高温で磁界中熱処理して異方性をつけておけば無
磁界中でもそれより低温での熱処理ではこの磁気異方性
が消えにくいという特徴を有している。本発明ではこの
窒化合金膜の特徴とMIGヘッド作製工程が磁界中熱処理
に適している点に着目し高周波特性に優れ特性の均一な
磁気ヘッドの製造法を開発した。
に安定なため500℃以上での高温熱処理が可能である。
又この窒化合金膜はFe−Si−Alのような結晶質合金と異
なり磁界中熱処理による磁気異方性の制御が可能で、か
つ一度高温で磁界中熱処理して異方性をつけておけば無
磁界中でもそれより低温での熱処理ではこの磁気異方性
が消えにくいという特徴を有している。本発明ではこの
窒化合金膜の特徴とMIGヘッド作製工程が磁界中熱処理
に適している点に着目し高周波特性に優れ特性の均一な
磁気ヘッドの製造法を開発した。
以下に本発明磁気ヘッドの製造法の一例を第１図を用
いて説明する。
いて説明する。
通常メタルインギャプと呼ばれる構造の磁気ヘッドは
同図に示したような加工工程を経て作製される。図中１
−４の記号に対応するものは第２図のものと同じであ
る。同図（ｃ）において磁気ヘッドの磁路はこの場合、
巻線穴６の周りのＸ−Ｚ面内を主に通って構成されＹ方
向に磁化容易軸を有する事が特性上望ましい。しかしな
がらこの形状でＹ方向に磁界を印加して熱処理してもこ
の方向に磁気異方性をつけるのは困難である。この理由
は磁性合金膜部２のX,Y,Z方向の寸法はほぼ同程度でＹ
方向に対する反磁界係数が極めて大きくこれに打ち勝つ
ためには数千Oeの磁界が必要で、これは実際の工程上困
難だからである。しかし同図（ａ）もしくは（ｂ）の形
状の時、即ちフェライト基板１上にスパッタ法等により
窒化合金膜２を蒸着した状態（ａ）もしくはＸ−Ｙ面を
ギャップ面とすべく研磨した状態（ｂ）で図中のＹ方
向、即ちギャップ面３′に平行で、ギャップの深さ方向
Ｘと直角方向に磁界を印加してフェライト基板のキュリ
ー温度以上で熱処理すれば磁化容易軸をＹ方向につける
事が可能である。この時磁性合金膜部のＹ方向の反磁界
係数は小さく印加磁界は数百Oeで十分である。なおフェ
ライトのキュリー温度は300℃以下であるのでこれ以上
の温度で熱処理すればフェライト基板部の反磁界の寄与
はまったくない。又Ｙ方向の磁気異方性の大きさはＹ方
向の固定磁界中熱処理と、Ｘ−Ｙ面内、即ちギャップ面
内での回転磁界中熱処理を組み合わす等により任意に制
御する事が可能である。次に同図（ｂ）に示したバーの
半分に同図（ｂ′）に示したような巻線溝加工を施し、
ギャップ面３′にSiO2等のギャップ材３を形成した後、
ガラス４により（ｂ）および（ｂ′）に示した両コアを
接合して（ｃ）に示したような磁気ヘッドが得られる。
通常このガラスボンディングは480℃近傍で行なわれる
ので、上述の磁界中熱処理をこの温度より高めに設定し
て500〜650℃で行なっておけばＹ方向につけられた磁気
異方性はこの無磁界中のガラスボンディング工程により
消失する事はない。従来の非晶質合金では500℃以上の
熱的安定性に難があったためこのような高温磁界中熱処
理工程は不可能であった。
同図に示したような加工工程を経て作製される。図中１
−４の記号に対応するものは第２図のものと同じであ
る。同図（ｃ）において磁気ヘッドの磁路はこの場合、
巻線穴６の周りのＸ−Ｚ面内を主に通って構成されＹ方
向に磁化容易軸を有する事が特性上望ましい。しかしな
がらこの形状でＹ方向に磁界を印加して熱処理してもこ
の方向に磁気異方性をつけるのは困難である。この理由
は磁性合金膜部２のX,Y,Z方向の寸法はほぼ同程度でＹ
方向に対する反磁界係数が極めて大きくこれに打ち勝つ
ためには数千Oeの磁界が必要で、これは実際の工程上困
難だからである。しかし同図（ａ）もしくは（ｂ）の形
状の時、即ちフェライト基板１上にスパッタ法等により
窒化合金膜２を蒸着した状態（ａ）もしくはＸ−Ｙ面を
ギャップ面とすべく研磨した状態（ｂ）で図中のＹ方
向、即ちギャップ面３′に平行で、ギャップの深さ方向
Ｘと直角方向に磁界を印加してフェライト基板のキュリ
ー温度以上で熱処理すれば磁化容易軸をＹ方向につける
事が可能である。この時磁性合金膜部のＹ方向の反磁界
係数は小さく印加磁界は数百Oeで十分である。なおフェ
ライトのキュリー温度は300℃以下であるのでこれ以上
の温度で熱処理すればフェライト基板部の反磁界の寄与
はまったくない。又Ｙ方向の磁気異方性の大きさはＹ方
向の固定磁界中熱処理と、Ｘ−Ｙ面内、即ちギャップ面
内での回転磁界中熱処理を組み合わす等により任意に制
御する事が可能である。次に同図（ｂ）に示したバーの
半分に同図（ｂ′）に示したような巻線溝加工を施し、
ギャップ面３′にSiO2等のギャップ材３を形成した後、
ガラス４により（ｂ）および（ｂ′）に示した両コアを
接合して（ｃ）に示したような磁気ヘッドが得られる。
通常このガラスボンディングは480℃近傍で行なわれる
ので、上述の磁界中熱処理をこの温度より高めに設定し
て500〜650℃で行なっておけばＹ方向につけられた磁気
異方性はこの無磁界中のガラスボンディング工程により
消失する事はない。従来の非晶質合金では500℃以上の
熱的安定性に難があったためこのような高温磁界中熱処
理工程は不可能であった。
このようにして作製した磁気ヘッドは優れた特性を示
す。これはギャップ近傍の磁性合金膜部に理想的な磁気
異方性を持たせる事が出来るからである。この磁気異方
性が大きすぎると高周波特性は良くなるものの合金膜の
透磁率が低下してヘッドの再生効率が悪くなるので磁界
中熱処理条件を調整して最適化する必要がある。これは
熱処理時間・温度の調整、及び固定磁界中と回転磁界中
熱処理の組合せ等により任意の大きさの磁気異方性に制
御する事が可能である。
す。これはギャップ近傍の磁性合金膜部に理想的な磁気
異方性を持たせる事が出来るからである。この磁気異方
性が大きすぎると高周波特性は良くなるものの合金膜の
透磁率が低下してヘッドの再生効率が悪くなるので磁界
中熱処理条件を調整して最適化する必要がある。これは
熱処理時間・温度の調整、及び固定磁界中と回転磁界中
熱処理の組合せ等により任意の大きさの磁気異方性に制
御する事が可能である。
以下更に具体的実施例により本発明の効果の説明を行
なう。
なう。
＜実施例１＞ スパッタ法によりMn−Znフェライト基板上に厚さ８μ
ｍのFe−Si−Al合金膜及びCo−Nb−Zr非晶質合金膜を形
成し、第２図に示したようなMIGタイプの磁気ヘッドを
作製した。次にターゲットにCo−Mn−Nb−Ｂ及びFe−Nb
−Si−Ｂ合金板を用い、N2ガスをArガスに混合してスパ
ッタすることにより膜組成でCo70Mn6Nb7B15N2及びFe76N
b8Si2B12N2なる厚さ８μｍの窒化合金膜を同様にMn−Zn
フェライト基板上に形成した。更に同上のターゲットを
用い、スパッタ中にArガス中にN2ガスを周期的に混合す
ることによりCo−Mn−Nb−B/Co−Mn−Nb−Ｂ−Ｎ及びFe
−Nb−Si−B/Fe−Nb−Si−Ｂ−Ｎなる非窒化層と窒化層
よりなる総厚８μm,1層の層厚が約100Aの組成変調膜をM
n−Znフェライト基板上に形成した。この時N2ガスの分
圧比を変えることにより平均膜組成として〈Co70Mn6Nb7
B15N2〉，〈Co66Mn6Nb6B14N8〉及び〈Co63Mn5Nb5B
13N14〉；〈Fe76Nb8Si2B12N2〉〈Fe72Nb7Si2B11N8〉及
び〈Fe68Nb6Si2B10N14〉を得た。このようにしてMn−Zn
フェライト基板上に形成した種々の窒化合金膜を用い、
第１図に示したような工程を経てMIGタイプの磁気ヘッ
ドを作製した。同図（ａ）の工程ではこの形状のものを
520℃で１時間熱処理し、この時外部より500Oeの磁界を
Ｙ方向に固定して印加したもの、Ｙ方向に30分固定した
後30分Ｘ−Ｙ面内で回転したもの、及び磁界を印加しな
いで行なったものの３種類の熱処理をした。また同図
（ｃ）のガラスボンディング工程は480℃無磁界中で行
なった。以上のように作製した種々の磁気ヘッドを通常
のVTRデッキに取り付け、メタルテープを用いてそれら
の特性比較を行なった。なお、どのヘッドも磁気ギャッ
プとトラック幅はそれぞれ0.25μｍ及び20μｍに統一し
た。結果を表−１に示す。
ｍのFe−Si−Al合金膜及びCo−Nb−Zr非晶質合金膜を形
成し、第２図に示したようなMIGタイプの磁気ヘッドを
作製した。次にターゲットにCo−Mn−Nb−Ｂ及びFe−Nb
−Si−Ｂ合金板を用い、N2ガスをArガスに混合してスパ
ッタすることにより膜組成でCo70Mn6Nb7B15N2及びFe76N
b8Si2B12N2なる厚さ８μｍの窒化合金膜を同様にMn−Zn
フェライト基板上に形成した。更に同上のターゲットを
用い、スパッタ中にArガス中にN2ガスを周期的に混合す
ることによりCo−Mn−Nb−B/Co−Mn−Nb−Ｂ−Ｎ及びFe
−Nb−Si−B/Fe−Nb−Si−Ｂ−Ｎなる非窒化層と窒化層
よりなる総厚８μm,1層の層厚が約100Aの組成変調膜をM
n−Znフェライト基板上に形成した。この時N2ガスの分
圧比を変えることにより平均膜組成として〈Co70Mn6Nb7
B15N2〉，〈Co66Mn6Nb6B14N8〉及び〈Co63Mn5Nb5B
13N14〉；〈Fe76Nb8Si2B12N2〉〈Fe72Nb7Si2B11N8〉及
び〈Fe68Nb6Si2B10N14〉を得た。このようにしてMn−Zn
フェライト基板上に形成した種々の窒化合金膜を用い、
第１図に示したような工程を経てMIGタイプの磁気ヘッ
ドを作製した。同図（ａ）の工程ではこの形状のものを
520℃で１時間熱処理し、この時外部より500Oeの磁界を
Ｙ方向に固定して印加したもの、Ｙ方向に30分固定した
後30分Ｘ−Ｙ面内で回転したもの、及び磁界を印加しな
いで行なったものの３種類の熱処理をした。また同図
（ｃ）のガラスボンディング工程は480℃無磁界中で行
なった。以上のように作製した種々の磁気ヘッドを通常
のVTRデッキに取り付け、メタルテープを用いてそれら
の特性比較を行なった。なお、どのヘッドも磁気ギャッ
プとトラック幅はそれぞれ0.25μｍ及び20μｍに統一し
た。結果を表−１に示す。
表−１に示した実験結果より本発明構成の磁気ヘッド
においては、疑似ギャップの影響により生ずる再生出力
のうねりが低減し、従来の問題点が大幅に改善されてい
る事がわかる。又単層の窒化合金膜を用いるよりも組成
変調窒化合金膜を用いた方が再生出力上有利である事が
わかる。更には本発明の磁界中熱処理工程を用いて作製
したヘッドは優れた特性を示すが、特に固定磁界中熱処
理をしたものは再生出力の周波数特性に優れ、又固定磁
界中熱処理と回転磁界中熱処理を組み合わせたものは高
い再生出力を示す事がわかる。
においては、疑似ギャップの影響により生ずる再生出力
のうねりが低減し、従来の問題点が大幅に改善されてい
る事がわかる。又単層の窒化合金膜を用いるよりも組成
変調窒化合金膜を用いた方が再生出力上有利である事が
わかる。更には本発明の磁界中熱処理工程を用いて作製
したヘッドは優れた特性を示すが、特に固定磁界中熱処
理をしたものは再生出力の周波数特性に優れ、又固定磁
界中熱処理と回転磁界中熱処理を組み合わせたものは高
い再生出力を示す事がわかる。
＜実施例２＞ ターゲットに、Co−Nb−Zr−B,Co−Nb−Hf−B,Co−Ti
−Ta−B,Co−Mo−Cr−Zr−B,Co−Nb−B,Fe−Nb−Si,Fe
−Ni−Ｗ−Nb−Geを用い、実施例１と同様の方法で窒化
層と非窒化層よりなる組成変調窒化合金膜を反応スパッ
タ法によりMn−Znフェライト基板上に形成した。総膜厚
はすべて８μｍとし、組成変調波長及び窒素含有量はN2
ガスの混合周期及び分圧比を制御することにより変化さ
せた。これらを用いて実施例１と同様の方法でMIGタイ
プの磁気ヘッドを作製しその諸特性を同様の方法で測定
した。ただし熱処理は600℃で前半30分を固定磁界中
で、後半15分を回転磁界中で行なった。結果を表−２に
示す。
−Ta−B,Co−Mo−Cr−Zr−B,Co−Nb−B,Fe−Nb−Si,Fe
−Ni−Ｗ−Nb−Geを用い、実施例１と同様の方法で窒化
層と非窒化層よりなる組成変調窒化合金膜を反応スパッ
タ法によりMn−Znフェライト基板上に形成した。総膜厚
はすべて８μｍとし、組成変調波長及び窒素含有量はN2
ガスの混合周期及び分圧比を制御することにより変化さ
せた。これらを用いて実施例１と同様の方法でMIGタイ
プの磁気ヘッドを作製しその諸特性を同様の方法で測定
した。ただし熱処理は600℃で前半30分を固定磁界中
で、後半15分を回転磁界中で行なった。結果を表−２に
示す。
表中の相対再生出力比は表−１のFe−Si−Alヘッドを
0dbとして比較を行なった。
0dbとして比較を行なった。
表−２に示した結果より窒化により疑似ギャップによ
る再生出力のうねりが低減しており、又合金膜の窒素含
有量が多いほどこの効果が大である事が表−1,表−２に
しめした結果よりわかる。更には組成変調波長（＝窒化
層１層の層厚＋非窒化層１層の層厚）があまり長くなる
とヘッドの再生出力が低下する傾向がある事がわかる。
る再生出力のうねりが低減しており、又合金膜の窒素含
有量が多いほどこの効果が大である事が表−1,表−２に
しめした結果よりわかる。更には組成変調波長（＝窒化
層１層の層厚＋非窒化層１層の層厚）があまり長くなる
とヘッドの再生出力が低下する傾向がある事がわかる。
発明の効果 以上述べたように本発明は、MIGヘッド特有の疑似ギ
ャップの問題を低減し、かつ周波数特性に優れた磁気ヘ
ッドを可能にするものである。
ャップの問題を低減し、かつ周波数特性に優れた磁気ヘ
ッドを可能にするものである。
第１図は本発明のMIGタイプヘッドの製造方法の１例を
示す工程図、第２図は従来の単純な構造のMIGタイプの
磁気ヘッドの１例を示す正面図である。 １……フェライト、２……磁性合金膜、３……磁気ギャ
ップ、４……ボンディングガラス、５……磁性合金膜部
とフェライトコア部との界面、６……巻線穴。
示す工程図、第２図は従来の単純な構造のMIGタイプの
磁気ヘッドの１例を示す正面図である。 １……フェライト、２……磁性合金膜、３……磁気ギャ
ップ、４……ボンディングガラス、５……磁性合金膜部
とフェライトコア部との界面、６……巻線穴。
Claims (2)
- 【請求項１】バックコアがフェライト、磁気ギャップ近
傍が磁性合金膜よりなり、前記フェライトと前記磁性合
金膜との界面が前記磁気ギャップ面にほぼ平行なMIG
（メタルインギャップ）型磁気ヘッドにおいて、磁気ギ
ャップ近傍に次式 TaMbXcNd（ただしＴはFe,Co,Niよりなる群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＭはNb,Zr,Ti,Ta,Hf,Cr,Mo,
W,Mnよりなる群から選択された少なくとも１種の金属、
ＸはB,Si,Geよりなる群より選択された少なくとも１種
の半金属・半導体、Ｎは窒素であり、a,b,c,dは原子パ
ーセントを表し、それぞれ 65≦ａ≦93,4≦ｂ≦20,1≦ｃ≦20,2≦ｄ≦20,a＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＝100である） で示された組成の磁性合金膜を用いて、疑似ギャップの
低減をはかることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】磁気ギャップ近傍の磁性合金膜が成膜方向
に組成変調されており、次式 Ta′Mb′Xc′Nd′（ただしＴはFe,Co,Niよりなる群から
選択された少なくとも１種の金属、ＭはNb,Zr,Ti,Ta,H
f,Cr,Mo,W,Mnよりなる群から選択された少なくとも１種
の金属、ＸはB,Si,Geよりなる群より選択された少なく
とも１種の半金属・半導体、Ｎは窒素であり、ａ′,
b′,c′,d′は原子パーセントを表し、それぞれ 65≦ａ′≦93,4≦ｂ′≦20,1≦ｃ′≦20,2≦ｄ′≦20,
a′＋ｂ′＋ｃ′＋ｄ′＝100である） で示された平均組成を有することを特徴とする請求項１
記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029103A JPH0827908B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 磁気ヘッド |
| US07/475,209 US5084795A (en) | 1989-02-08 | 1990-02-05 | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| EP90102423A EP0382195B1 (en) | 1989-02-08 | 1990-02-07 | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| DE69020000T DE69020000T2 (de) | 1989-02-08 | 1990-02-07 | Magnetkopf und Verfahren zu seiner Herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029103A JPH0827908B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208811A JPH02208811A (ja) | 1990-08-20 |
| JPH0827908B2 true JPH0827908B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=12267008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1029103A Expired - Lifetime JPH0827908B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827908B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2798315B2 (ja) * | 1990-07-13 | 1998-09-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 複合磁気ヘッド |
| JPH04252406A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JP2579063B2 (ja) * | 1990-11-19 | 1997-02-05 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ヘッド |
| JPH04141809A (ja) * | 1990-10-02 | 1992-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 滋気ヘッド |
| CN1209311C (zh) | 2001-03-08 | 2005-07-06 | 松下电器产业株式会社 | 用于磁头的密封玻璃、磁头和磁记录/再现设备 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62266709A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JP2790451B2 (ja) * | 1987-04-10 | 1998-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 窒素を含む軟磁性合金膜 |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP1029103A patent/JPH0827908B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02208811A (ja) | 1990-08-20 |
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Legal Events
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