JPH08278625A - Production of photomask - Google Patents
Production of photomaskInfo
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- JPH08278625A JPH08278625A JP8106395A JP8106395A JPH08278625A JP H08278625 A JPH08278625 A JP H08278625A JP 8106395 A JP8106395 A JP 8106395A JP 8106395 A JP8106395 A JP 8106395A JP H08278625 A JPH08278625 A JP H08278625A
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- photomask
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- chromium
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、より微細化されたパタ
ーンの縮小投影露光に適した、短波長の光源のステッパ
ーに使用できる、フォトマスクの製造方法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a photomask which is suitable for reduction projection exposure of a finer pattern and which can be used as a stepper for a light source of short wavelength.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のフォトマスク、特にハードマスク
と一般に呼ばれるフォトマスクは、透明なガラス基板の
表面に、遮光性金属薄膜を形成して、この遮光性金属薄
膜を、リソグラフィー技術によってパターン化して製造
したものである。2. Description of the Related Art A conventional photomask, particularly a photomask generally called a hard mask, is formed by forming a light-shielding metal thin film on the surface of a transparent glass substrate and patterning this light-shielding metal thin film by a lithography technique. It is manufactured.
【０００３】ここで図５（ａ）〜（ｆ）に従来のリソグ
ラフィー技術を用いたフォトマスクの製造工程を示す。
以下工程に従って説明する。透明基板１１に遮光性金属
薄膜１２を形成し（図１（ａ）参照）、遮光性金属薄膜
１２上にレジストを塗布し、プレベークを行い、レジス
ト層１３を形成する（図１（ｂ）参照）。このレジスト
層１３を電子ビーム２２で露光し（図１（ｃ）参照）、
現像、ポストベークを行い、レジストパターン１３ａを
形成する（図１（ｄ）参照）。このレジストパターン１
３ａをレジストにして遮光性金属薄膜１２をエッチング
する（図１（ｅ）参照）。さらに、レジスト剥離、洗浄
を行い遮光パターン１２ａが形成され、フォトマスクが
製造される（図１（ｆ）参照）。Here, FIGS. 5A to 5F show a photomask manufacturing process using a conventional lithography technique.
The process will be described below. A light-shielding metal thin film 12 is formed on the transparent substrate 11 (see FIG. 1A), a resist is applied on the light-shielding metal thin film 12 and prebaked to form a resist layer 13 (see FIG. 1B). ). This resist layer 13 is exposed to an electron beam 22 (see FIG. 1 (c)),
Development and post-baking are performed to form a resist pattern 13a (see FIG. 1D). This resist pattern 1
The light-shielding metal thin film 12 is etched by using 3a as a resist (see FIG. 1E). Further, the resist is stripped and washed to form the light shielding pattern 12a, and the photomask is manufactured (see FIG. 1F).
【０００４】しかし前記リソグラフィーによるパターニ
ング方法は工程数が多く複雑であった。その改善方法と
して特開昭５８−１８２２３２において、酸素プラズマ
雰囲気中にさらした後、レーザ光を選択的に照射し、レ
ジストレスでパターニングを行なう試みがなされてい
る。However, the patterning method by lithography has many steps and is complicated. As a method for improving it, in JP-A-58-182232, an attempt has been made to perform resistless patterning after exposing to an oxygen plasma atmosphere and then selectively irradiating laser light.
【０００５】また別の試みとして、特開昭５７−７９３
８ではフォトマスクブランクをエッチング液中に浸せき
した状態で、遮光層にレーザ光を選択的に照射し、その
照射領域をエッチング除去しパターニングを行なう試み
がなされている。As another attempt, Japanese Patent Laid-Open No. 57-793.
No. 8, an attempt has been made to perform patterning by selectively irradiating the light-shielding layer with laser light in a state where the photomask blank is immersed in an etching solution, and etching away the irradiated region.
【０００６】一方、従来のＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素
子の製造工程においては、シリコンウェハーの表面にパ
ターンを露光する際、レチクルパターンを縮小投影露光
するために、ステッパーと称する縮小投影露光装置が用
いられている。このステッパーの光源として、可視領域
のｇ線（波長４３６ｎｍ）、又は紫外線領域のｉ線（波
長３６５ｎｍ）が使用されており、最近はより短波長で
あるＫｒＦ（フッ化クリプトン）エキシマレーザ（波長
２４８ｎｍ）などが使用されている。On the other hand, in the conventional manufacturing process of semiconductor devices such as IC and LSI, when a pattern is exposed on the surface of a silicon wafer, a reduction projection exposure apparatus called a stepper is used to perform reduction projection exposure of a reticle pattern. Has been. As the light source of this stepper, g-line (wavelength 436 nm) in the visible region or i-line (wavelength 365 nm) in the ultraviolet region is used, and recently KrF (krypton fluoride) excimer laser (wavelength 248 nm), which has a shorter wavelength, is used. ) Are used.
【０００７】また最近は、前記の半導体素子の著しい高
密度化に伴って、縮小投影露光に使用されるフォトマス
クのパターンは、より一層の微細化及び寸法制御の正確
さが要求されてきている。Further, recently, with the remarkable increase in the density of the above-mentioned semiconductor elements, the pattern of the photomask used for the reduction projection exposure is required to be further miniaturized and the dimension control accuracy. .
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】現在までに提案されて
いるレーザー描画パターニングプロセスではレーザー描
画を行う際、遮光性金属薄膜のついたマスクブランクを
エッチング液に浸せきした状態でレーザー描画する必要
があるというように、レーザー描画工程で制約条件が付
加されており、露光装置及び装置環境としては必ずしも
好ましい状態ではない。具体的には光学パスの途中に余
分の障害になるような雰囲気があると光の屈折、回折、
干渉が起こり微細パターンの再現性では問題となる。In the laser drawing patterning process proposed up to now, it is necessary to carry out laser drawing in a state in which a mask blank with a light-shielding metal thin film is immersed in an etching solution when performing laser drawing. As described above, a constraint condition is added in the laser drawing process, and it is not necessarily a preferable state as an exposure apparatus and apparatus environment. Specifically, if there is an extra obstacle in the middle of the optical path, light refraction, diffraction,
Interference causes problems in reproducibility of fine patterns.
【０００９】本発明は以上のような問題を改善すべく鋭
意検討されたもので、普通の大気中でレジストレスのパ
ターニングを行うための遮光性金属薄膜及びレーザー光
源の選定を行い、レーザー照射部と非照射部の選択エッ
チング性を利用してレジストレスでパターニングを行う
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法を提供するこ
とを課題とする。The present invention has been earnestly studied in order to improve the above-mentioned problems, and a light-shielding metal thin film and a laser light source for performing resistless patterning in ordinary air are selected, and a laser irradiation part is selected. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a photomask, which is characterized by performing resistless patterning by utilizing the selective etching property of the non-irradiated portion.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】以上のような問題を解決
するために、本発明は図１、２に示すように、透明基板
上に、遮光性金属薄膜を形成したフォトマスクブランク
にエキシマレーザを選択的に照射してパターンを作成す
ることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, uses an excimer laser on a photomask blank in which a light-shielding metal thin film is formed on a transparent substrate. Is selectively irradiated to create a pattern, which is a method for manufacturing a photomask.
【００１１】また前記遮光性金属薄膜の材料が、クロム
又は窒化クロムでありエキシマレーザ照射部のウエット
エッチング速度が非照射部より遅くなることを利用して
パターニングを行なうことを特徴とするフォトマスクの
製造方法である。The photomask is characterized in that the material of the light-shielding metal thin film is chromium or chromium nitride, and that the patterning is performed by utilizing the fact that the wet etching rate of the excimer laser irradiation portion is slower than that of the non-irradiation portion. It is a manufacturing method.
【００１２】また前記遮光性金属薄膜の材料が、窒化酸
化クロム又は酸化クロムでありエキシマレーザ照射部の
ウエットエッチング速度が非照射部より速くなることを
利用してパターニングを行うことを特徴とするフォトマ
スクの製造方法である。Further, the material for the light-shielding metal thin film is chromium nitride oxide or chromium oxide, and patterning is performed by utilizing the fact that the wet etching rate of the excimer laser irradiation portion is faster than that of the non-irradiation portion. It is a method of manufacturing a mask.
【００１３】以下、本発明の構成をさらに詳細に説明す
る。図１に遮光性金属薄膜の材料にクロム又は窒化クロ
ムを用いたフォトマスクブランクにエキシマレーザを選
択的に照射することで、エキシマレーザ照射部２ａが非
照射部よりエッチング速度が遅くなることを利用して、
レジストレスでパターニングを行なう、本発明のフォト
マスクの製造方法の工程を示す。The structure of the present invention will be described in more detail below. FIG. 1 shows that the etching speed of the excimer laser irradiation part 2a becomes slower than that of the non-irradiation part by selectively irradiating the photomask blank using chromium or chromium nitride as the material of the light-shielding metal thin film with the excimer laser. do it,
The steps of the method for manufacturing a photomask of the present invention for performing resistless patterning will be described.
【００１４】図２に遮光性金属薄膜の材料に窒化酸化ク
ロム又は酸化クロムを用いたフォトマスクブランクにエ
キシマレーザを選択的に照射し、エキシマレーザ照射部
３ａが非照射部よりエッチング速度が速くなることを利
用して、レジストレスでパターニングを行なう、本発明
のフォトマスクの製造方法の工程を示す。In FIG. 2, a photomask blank using chromium nitride oxide or chromium oxide as the material of the light-shielding metal thin film is selectively irradiated with excimer laser, and the excimer laser irradiation part 3a has a higher etching rate than the non-irradiation part. Taking advantage of this, the steps of the method for manufacturing a photomask of the present invention for performing resistless patterning will be described.
【００１５】ここで本発明にエキシマレーザ照射部が非
照射部よりエッチング速度が速くなる又は遅くなる現象
は、レーザ光を照射したことが直接の原因となって、エ
ッチング工程においてエッチング速度がレーザ光照射部
分で変化することをいい、エッチング速度調整の条件は
遮光性金属膜の材料及びエキシマレーザ光の光源の波長
と照射エネルギー密度によって決まる。In the present invention, the phenomenon that the excimer laser-irradiated portion has a faster or slower etching rate than the non-irradiated portion is directly caused by the irradiation of the laser beam, and the etching rate in the etching step is the laser beam. It means that it changes in the irradiated portion, and the condition for adjusting the etching rate is determined by the material of the light-shielding metal film, the wavelength of the light source of the excimer laser light, and the irradiation energy density.
【００１６】遮光性金属膜の膜厚は５０ｎｍ以上、好ま
しくは８０〜１５０ｎｍ程度である。なお、膜厚は必ず
しもこの範囲内に限られないが、通常は以下の理由で用
いない。すなわち、５０ｎｍよりも薄いと、成膜時には
厚さむらやピンホール等の欠陥が発生しやすくなる。ま
た十分な遮光性が得られなくなる。ただし前記の欠陥を
成膜技術の向上等により克服できれば、膜厚は５０ｎｍ
より薄くても支障はない。１５０ｎｍより厚いと、成膜
時間やエッチング時間が長くなり、さらにはエッチング
の際にパターニングを施しにくくなるが、成膜技術やエ
ッチング技術の向上により前記の欠点を克服できれば、
１５０ｎｍより厚くても支障はない。The thickness of the light-shielding metal film is 50 nm or more, preferably about 80 to 150 nm. Although the film thickness is not necessarily limited to this range, it is not usually used for the following reason. That is, if the thickness is less than 50 nm, defects such as uneven thickness and pinholes are likely to occur during film formation. In addition, sufficient light blocking effect cannot be obtained. However, if the above defects can be overcome by improving the film forming technology, the film thickness will be 50 nm.
There is no problem if it is thinner. If it is thicker than 150 nm, the film formation time and the etching time become long, and further, it becomes difficult to perform patterning at the time of etching, but if the film formation technique and the etching technique are improved, the above drawbacks can be overcome.
There is no problem even if it is thicker than 150 nm.
【００１７】この遮光性金属膜を形成するにはスパッタ
法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンアシス
ト法等が挙げられる。To form this light-shielding metal film, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, an ion assist method or the like can be used.
【００１８】またエキシマレーザの光源は特に限定はし
ないが、通常は波長２４８ｎｍのＫｒＦ（フッ化クリプ
トン）エキシマレーザが用いられる。他に波長１９３ｎ
ｍのＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザもある
が、ＡｒＦの方は光学系に用いることのできる材料が少
ないことから、技術的な解決があれば光源として用いる
ことができる。ただしＡｒＦエキシマレーザ光を用いる
場合には、ＫｒＦエキシマレーザ光より高エネルギーで
あることを考慮して使用する必要がある。The light source of the excimer laser is not particularly limited, but a KrF (krypton fluoride) excimer laser having a wavelength of 248 nm is usually used. Other wavelength 193n
There is also an ArF (argon fluoride) excimer laser of m. However, since ArF has few materials that can be used for an optical system, it can be used as a light source if there is a technical solution. However, when using the ArF excimer laser light, it is necessary to use it in consideration of having higher energy than the KrF excimer laser light.
【００１９】またＫｒＦエキシマレーザ光を照射する際
のエネルギー密度は重要である。強すぎる場合は遮光性
金属膜にクラック等が生ずる。また透明性基板にもクラ
ック等の影響を与える。さらに弱すぎる場合にはウェッ
トエッチング時にエッチング速度の変化が起きなくなっ
てしまいパターニングを行なえなくなる。The energy density when irradiating the KrF excimer laser light is important. If it is too strong, cracks or the like occur in the light-shielding metal film. In addition, the transparent substrate is also affected by cracks and the like. If it is too weak, the etching rate does not change during wet etching and patterning cannot be performed.
【００２０】具体的には図３に示すようにウエットエッ
チング速度の変化が起きる。クロム膜又は窒化クロム膜
は通常５〜１０ｍＪ／ｃｍ2 ・ｐｕｌｓｅのエネルギー
密度のＫｒＦエキシマレーザ光を１００パルス照射する
と、照射領域のウェットエッチング速度は遅くなる（〜
１／５倍程度）性質がある。Specifically, the wet etching rate changes as shown in FIG. When a chromium film or a chromium nitride film is irradiated with 100 pulses of KrF excimer laser light having an energy density of usually 5 to 10 mJ / cm 2 · pulse, the wet etching rate in the irradiation region becomes slow (~
(About 1/5 times).
【００２１】窒化酸化クロム膜は通常２〜５ｍＪ／ｃｍ
2 ・ｐｕｌｓｅのエネルギー密度のＫｒＦエキシマレー
ザ光を５０パルス照射するとエッチング速度が速くなる
（〜５倍程度）性質がある。Chromium oxynitride film is usually 2-5 mJ / cm
Irradiating 50 pulses of KrF excimer laser light having an energy density of 2 · pulse has a property of increasing the etching rate (up to about 5 times).
【００２２】この理由としては、クロム膜又は窒化クロ
ム膜は膜中の不完全結合や水素がエキシマレーザ光照射
によって減少し、膜が緻密になる結果エッチング速度が
遅くなる。また窒化酸化クロム膜はエキシマレーザ光照
射により、非結合状態に遷移し結合が切断される結果、
エッチング速度が速くなる。The reason for this is that in the chromium film or the chromium nitride film, imperfect bonds and hydrogen in the film are reduced by the excimer laser light irradiation, and the film becomes dense, resulting in a slow etching rate. In addition, as a result of excimer laser irradiation, the chromium oxynitride film transitions to a non-bonded state and the bond is broken
The etching rate becomes faster.
【００２３】遮光性金属膜にＫｒＦエキシマレーザ光を
選択的に照射する方法としては、図４に示すように、Ｘ
Ｙステージ３０、３３の移動によって行う。このＸＹス
テージは任意の位置にＫｒＦエキシマレーザ光を照射す
る為のものであるから、その目的が達成するならばどの
ような機構でもよい。さらに集光レンズ３１はレーザ光
のエネルギー密度の調整とフォーカスを合わせるために
用いる。また縮小投影露光装置を用いることにより、レ
ーザービームの強度調整ができるため、エッチング速度
のコントロールが容易になる。As a method of selectively irradiating the light-shielding metal film with the KrF excimer laser light, as shown in FIG.
This is performed by moving the Y stages 30 and 33. Since this XY stage is for irradiating KrF excimer laser light on an arbitrary position, any mechanism may be used as long as the purpose is achieved. Further, the condenser lens 31 is used for adjusting the energy density of laser light and for focusing. Moreover, since the intensity of the laser beam can be adjusted by using the reduction projection exposure apparatus, the etching rate can be easily controlled.
【００２４】さらに描画速度を向上させるために、一括
露光方式を採用する。この際使用される一括露光マスク
は波長２４８ｎｍで透過率の高い基板を用いたフォトマ
スク２９を用いる。In order to further improve the drawing speed, the collective exposure method is adopted. As the collective exposure mask used at this time, a photomask 29 using a substrate having a high transmittance at a wavelength of 248 nm is used.
【００２５】ウェットエッチングに用いるエッチング液
は、硝酸セリウムアンモニウム１６５ｇ、過塩素酸（７
０％）４３ｍｌ、純水１０００ｍｌの混合液を用いて、
パターニングを行う。The etchant used for wet etching is cerium ammonium nitrate 165 g and perchloric acid (7
0%) 43 ml and pure water 1000 ml,
Perform patterning.
【００２６】[0026]
【作用】前記の性質を利用して、エキシマレーザ光を選
択的に照射し、エキシマレーザ光照射部が非照射部より
エッチング速度が遅く又は速くなることを利用し、レジ
ストレスでパターニングすることによりフォトマスクの
製造工程の短縮が可能となった。By utilizing the above property, the excimer laser light is selectively irradiated, and the fact that the etching speed of the excimer laser light irradiation part is slower or faster than that of the non-irradiation part is used to perform resistless patterning. It has become possible to shorten the photomask manufacturing process.
【００２７】[0027]
〈実施例１〉洗浄済みのフォトマスク用の石英ガラス基
板の表面に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（徳田製作
所（株）製）を用いて、クロムターゲットを用いてアル
ゴンガス流量が２０ＳＣＣＭ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕ
ｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｅ Ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔ
ｅ）、ＤＣパワーが約８００Ｗ、スパッタ放電時の圧力
が約６×１０-1Ｐａの条件で、膜厚が約１００ｎｍのク
ロム膜を形成した。Example 1 A DC magnetron sputtering device (manufactured by Tokuda Mfg. Co., Ltd.) was used on the surface of a quartz glass substrate for a photomask that had been cleaned, and a chromium target was used, and an argon gas flow rate was 20 SCCM (Standard Cu).
big centimeter Per Minute
e), a chromium film having a thickness of about 100 nm was formed under the conditions that the DC power was about 800 W and the pressure during sputter discharge was about 6 × 10 −1 Pa.
【００２８】図４に示すように、前記クロム膜に、予め
用意されている一括図形マスクのパターンを介して、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ光を１０ｍＪ／ｃｍ2 ・ｐｕｌｓｅ
のエネルギー密度で約１００パルス照射し、クロム膜に
パターン描画を繰り返し行なった。As shown in FIG. 4, K is formed on the chromium film through a pattern of a collective pattern mask prepared in advance.
rF excimer laser light 10 mJ / cm 2 · pulse
The pattern was repeatedly drawn on the chromium film by irradiating about 100 pulses with the energy density of.
【００２９】次にこのパターン描画を行なったフォトマ
スクブランクを、硝酸セリウムアンモニウム１６５ｇ、
過塩素酸（７０％）４３ｍｌ、純水１０００ｍｌの比率
で混合したエッチング液中に浸せきし、クロム膜のウエ
ットエッチングを行った。Next, a photomask blank on which this pattern was drawn was used, 165 g of cerium ammonium nitrate,
The chrome film was wet-etched by immersing it in an etching solution mixed with 43 ml of perchloric acid (70%) and 1000 ml of pure water.
【００３０】エッチング終了後、洗浄及び乾燥を行い、
ＫｒＦエキシマレーザ光を照射した部分はパターンとし
て残り、非照射部はクロム膜が除去されフォトマスクが
作成できた。After completion of etching, cleaning and drying are performed,
The portion irradiated with the KrF excimer laser light remained as a pattern, and the chromium film was removed in the non-irradiated portion, and a photomask could be formed.
【００３１】〈実施例２〉洗浄済みのフォトマスク用の
石英ガラス基板の表面に、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング装置を用いて、クロムターゲットを用いてアルゴン
ガス流量約２０ＳＣＣＭ、窒素ガス流量１０ＳＣＣＭ、
酸素ガス流量５ＳＣＣＭ、パワー８００Ｗ、スパッタ圧
９×１０-1Ｐａの条件で、膜厚が約１００ｎｍの窒化酸
化クロム膜を形成した。<Embodiment 2> A DC magnetron sputtering apparatus was used on the surface of a quartz glass substrate for a cleaned photomask, a chromium target was used and an argon gas flow rate was about 20 SCCM and a nitrogen gas flow rate was 10 SCCM.
A chromium nitride oxide film having a film thickness of about 100 nm was formed under the conditions of an oxygen gas flow rate of 5 SCCM, a power of 800 W, and a sputtering pressure of 9 × 10 −1 Pa.
【００３２】次に前記窒化酸化クロム膜に、予め用意さ
れている一括図形マスクのパターンを介して、ＫｒＦエ
キシマレーザ光を５ｍＪ／ｃｍ2 ・ｐｕｌｓｅのエネル
ギー密度で約５０パルス照射し、窒化酸化クロム膜にパ
ターン描画を繰り返し行なった。Next, the chromium nitride oxide film is irradiated with KrF excimer laser light at an energy density of 5 mJ / cm 2 · pulse for about 50 pulses through a pattern of a batch pattern mask prepared in advance, and the chromium nitride oxide film is irradiated. The pattern drawing was repeated on the film.
【００３３】次にこのパターン描画を行なったフォトマ
スクブランクを、実施例１と同様の薬品と混合比で作成
したエッチング液中に浸せきし、窒化酸化クロム膜のウ
エットエッチングを行なった。Next, the photomask blank on which this pattern was drawn was dipped in an etching solution prepared with the same chemicals and mixing ratio as in Example 1, and the chromium nitride oxide film was wet-etched.
【００３４】エッチング修了後、洗浄及び乾燥を行い、
ＫｒＦエキシマレーザ光を照射した部分は除去され、非
照射部は窒化酸化クロム膜がパターンとして残り、フォ
トマスクができた。After completion of etching, cleaning and drying are performed,
The portion irradiated with the KrF excimer laser light was removed, and the non-irradiated portion was left with a chromium nitride oxide film as a pattern, and a photomask was formed.
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明によれば、フォトマスクブランク
の遮光性金属薄膜にエキシマレーザ光を選択的に照射
し、遮光性金属薄膜のウエットエッチング速度が変化す
ることを利用して、パターンを作成できることにより、
レジストレスでフォトマスクの作成が可能になり、フォ
トマスク製造工程の短縮が可能となった。またエキシマ
レーザを利用することで微細パターンの形成が可能とな
った。According to the present invention, a light-shielding metal thin film of a photomask blank is selectively irradiated with excimer laser light to change the wet etching rate of the light-shielding metal thin film, thereby forming a pattern. By being able to
Photomasks can be created without a resist, and the photomask manufacturing process can be shortened. Further, it becomes possible to form a fine pattern by using an excimer laser.
【００３６】[0036]
【図１】本発明のフォトマスク（クロム、窒化クロム）
の製造方法を示す工程図である。FIG. 1 is a photomask of the present invention (chromium, chromium nitride).
FIG. 7 is a process drawing showing the manufacturing method of FIG.
【図２】本発明のフォトマスク（窒化酸化クロム、酸化
クロム）の製造方法を示す工程図である。FIG. 2 is a process drawing showing a method for producing a photomask (chromium nitride oxide, chromium oxide) of the present invention.
【図３】クロム膜、窒化クロム膜のエキシマレーザー照
射エネルギー密度に対するエッチング速度の変化を示す
図である。FIG. 3 is a diagram showing a change in etching rate with respect to an excimer laser irradiation energy density of a chromium film and a chromium nitride film.
【図４】本発明の実施例におけるパターン描画方法を示
す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a pattern drawing method according to an embodiment of the present invention.
【図５】従来のリソグラフィ技術を用いたフォトマスク
製造工程を示す。FIG. 5 shows a photomask manufacturing process using a conventional lithography technique.
１、１１…透明基板 ２ …クロム膜 ２ａ…エキシマレーザー照射によりエッチング速度の変
化したクロム膜 ２ｂ…クロムパターン ３ …窒化酸化クロム膜 ３ａ…エキシマレーザー照射によりエッチング速度の変
化した窒化酸化クロム膜 ３ｂ…窒化酸化クロムパターン １０、２０、４０…フォトマスクブランク １２ …遮光性金属薄膜 １２ａ…遮光パターン １３ …レジスト層 １３ａ…レジストパターン ２１ …ＫｒＦエキシマレーザ光 ２２ …電子線 ２３ …ＫｒＦエキシマレーザ発振装置 ２４ …ビームエキスパンダー ２５ …反射ミラー ２６ …フライアイレンズ ２７ …アパーチャー ２８ …コンデンサーレンズ ２９ …一括露光用マスク ３０ …ＸＹステージ ３１ …集光レンズ ３２ …フォトマスクブランク ３３ …ＸＹステージ1, 11 ... Transparent substrate 2 ... Chromium film 2a ... Chromium film 2b ... Etching rate changed by excimer laser irradiation ... Chromium pattern 3 ... Chromium oxynitride film 3a ... Chromium nitride oxide film 3b ... Etching rate changed by excimer laser irradiation Chromium oxynitride pattern 10, 20, 40 ... Photomask blank 12 ... Shading metal thin film 12a ... Shading pattern 13 ... Resist layer 13a ... Resist pattern 21 ... KrF excimer laser light 22 ... Electron beam 23 ... KrF excimer laser oscillator 24 ... Beam expander 25 ... Reflecting mirror 26 ... Fly eye lens 27 ... Aperture 28 ... Condenser lens 29 ... Batch exposure mask 30 ... XY stage 31 ... Condensing lens 32 ... Photomask blank 33 ... XY stage
Claims (3)
ォトマスクブランクに、エキシマレーザを選択的に照射
して、エッチング処理し、パターン作成することを特徴
とするフォトマスクの製造方法。1. A method of manufacturing a photomask, which comprises selectively irradiating an excimer laser on a photomask blank having a light-shielding metal thin film formed on a transparent substrate, performing an etching process to form a pattern.
クロム又は窒化クロムからなり、エキシマレーザ照射部
のウエットエッチング速度が非照射部より遅くなること
を利用して、パターニングを行うことを特徴とするフォ
トマスクの製造方法。2. The material of the light-shielding metal thin film according to claim 1,
A method of manufacturing a photomask, comprising patterning by using that the wet etching rate of an excimer laser-irradiated portion is slower than that of a non-irradiated portion, which is made of chromium or chromium nitride.
窒化酸化クロム又は酸化クロムからなり、エキシマレー
ザ照射部のウエットエッチング速度が非照射部より速く
なることを利用して、パターニングを行うことを特徴と
するフォトマスクの製造方法。3. The material of the light-shielding metal thin film according to claim 1,
A method of manufacturing a photomask, which comprises performing patterning by utilizing the fact that a wet etching rate of an excimer laser-irradiated portion is higher than that of a non-irradiated portion, which is made of chromium nitride oxide or chromium oxide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106395A JPH08278625A (en) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | Production of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH08278625A (en) |
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- 1995-04-06 JP JP8106395A patent/JPH08278625A/en active Pending
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