JPH08277461A - Sputtering device and formation of dielectric film - Google Patents
Sputtering device and formation of dielectric filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング装置およ
び誘電体膜の成膜方法に関し、更に詳しくは、高い誘電
率を有する誘電体膜を得るためのスパッタリング装置お
よび誘電体膜の成膜方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus and a dielectric film forming method, and more particularly to a sputtering apparatus and a dielectric film forming method for obtaining a dielectric film having a high dielectric constant.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の誘電体膜を得るためのスパッタリ
ング装置としては図２に示すスパッタリング装置ａが知
られている。2. Description of the Related Art As a conventional sputtering apparatus for obtaining a dielectric film, a sputtering apparatus a shown in FIG. 2 is known.
【０００３】図２示のスパッタリング装置ａにおいて、
ｂは金属製の真空チャンバー、ｃは目的とする誘電体膜
を得るためのセラミックスターゲット、ｄはスパッタカ
ソード、ｅはスパッタカソードｄをアース電位である真
空チンバーｂから絶縁するための絶縁板、ｆはアースシ
ールド、ｇは防着板、ｈは表面に誘電体膜を成膜するた
めセラミックスターゲットｃに対向配置された基板、ｉ
は基板ｈを加熱するヒータを備えた基板ホルダー、ｊは
真空チャンバーの排気口バルブ、ｋはスパッタガスを真
空チャンバーｂ内に導入するためのガス導入パイプ、ｌ
は真空チャンバーｂをアース電位にするためのアース
板、ｍはスパッタカソードｄに電力を印加するためのＲ
Ｆ電源を示す。In the sputtering apparatus a shown in FIG. 2,
b is a metal vacuum chamber, c is a ceramic target for obtaining a target dielectric film, d is a sputter cathode, e is an insulating plate for insulating the sputter cathode d from a vacuum timbre b which is a ground potential, f Is an earth shield, g is an adhesion-preventing plate, h is a substrate placed to face a ceramic target c to form a dielectric film on the surface, i
Is a substrate holder provided with a heater for heating the substrate h, j is an exhaust port valve of the vacuum chamber, k is a gas introduction pipe for introducing a sputter gas into the vacuum chamber b, l
Is a ground plate for bringing the vacuum chamber b to the ground potential, m is R for applying power to the sputter cathode d
F power source is shown.
【０００４】これら装置部品のうち防着板ｇはスパッタ
リングされたセラミックスターゲットｃのスパッタ粒子
が飛散し、真空チャンバーｂ内のいたるところに付着し
て内壁が汚染されることを防ぐため基板ｈとターゲット
ｃの周囲に設置されているのが一般的である。Among these parts of the apparatus, the deposition-preventing plate g prevents the sputtered particles of the sputtered ceramics target c from scattering and adhering everywhere in the vacuum chamber b to contaminate the inner wall of the substrate h and the target. It is generally installed around c.
【０００５】そして、ある程度長時間、基板ｈ上に誘電
体膜を成膜しても防着板ｇが設置されているため、真空
チャンバーｂの内壁はほとんど汚れず、防着板ｇが基板
ｈとターゲットｃの周囲に配置された装置部品のアース
シールドｆおよびガス導入パイプｋの先端部分を除いて
基板ｈ以外の部分にセラミックスターゲットｃの膜が付
着するのを妨げている。Even if the dielectric film is formed on the substrate h for a certain period of time, since the deposition preventive plate g is installed, the inner wall of the vacuum chamber b is hardly soiled, and the deposition preventive plate g is kept on the substrate h. The film of the ceramic target c is prevented from adhering to parts other than the substrate h except the ground shield f of the device parts arranged around the target c and the tip part of the gas introduction pipe k.
【０００６】また、適当な成膜時間の経過後、セラミッ
クスターゲットｃの膜が付着した防着板ｇ、アースシー
ルドｆおよびガス導入パイプｋの先端部分を交換する
か、或いは防着板ｇを取り外して洗浄することで、繰り
返し成膜を続行することが出来る。After an appropriate film formation time, the tip of the deposition-inhibiting plate g, the earth shield f and the gas introduction pipe k to which the film of the ceramic target c is attached is replaced or the deposition-inhibiting plate g is removed. By performing cleaning by using this method, it is possible to continue film formation repeatedly.
【０００７】防着板ｇおよびガス導入パイプｋは一般に
例えばステンレス材のような金属材料で作製されている
ことが多く、真空チャンバーｂの内壁に取付けられてい
るので、その電位はアース電位である。また、アースシ
ールドｆは当然アース電位である。Since the deposition preventive plate g and the gas introduction pipe k are generally made of a metal material such as stainless steel and are attached to the inner wall of the vacuum chamber b, their potentials are ground potential. . Further, the earth shield f is naturally at earth potential.
【０００８】基板ｈとセラミックスターゲットｃの周囲
に配置されたこれらのアース電位の装置部品のプラズマ
が存在する空間側の表面にセラミックスターゲットｃか
ら飛び出したスパッタ粒子が堆積すると、堆積した膜が
絶縁性膜である場合には、スパッタ開始後、しばらくし
た後、絶縁性膜が堆積する側の表面において、小さなア
ーキングが発生し始め、このアーキングはやがてそれら
表面のいたるところで起こり始める。放電を停止し、こ
れら装置部品の表面を観察すると、アーキングが生じた
跡がそれら表面に残り、同時に白っぽい粉が付着してい
た。このような粉は真空チャンバーｂ内を汚染し、多く
の場合成膜する基板ｈにも取り込まれるので好ましくな
い。When sputtered particles jumping out from the ceramic target c are deposited on the surface of the space of the device parts of the earth potential arranged around the substrate h and the ceramic target c on the side where the plasma exists, the deposited film has an insulating property. In the case of a film, a small amount of arcing will start to occur on the surface on which the insulating film is to be deposited, a short time after the start of sputtering, and this arcing will eventually begin to occur all over those surfaces. When the discharge was stopped and the surfaces of these device parts were observed, traces of arcing remained on those surfaces, and at the same time whitish powder adhered. Such powder pollutes the inside of the vacuum chamber b and is often taken into the substrate h for film formation, which is not preferable.
【０００９】この粉の発生原因は以下のメカニズムによ
る。アース電位である装置部品のプラズマが存在する空
間側の表面に絶縁性膜が堆積し始める。一方、防着板ｇ
の内側表面とセラミックスターゲットｃおよび基板ｈに
囲まれた空間はプラズマが広がっており、マグネトロン
スパッタ法の場合にはセラミックスターゲットｃ表面の
漏洩磁場強度にもよるが、いずれにしても成膜速度を速
くするためにスパッタカソードｄに印加するパワーが大
きくなると防着板ｇの付近までプラズマは広がる。The cause of generation of this powder is due to the following mechanism. An insulating film starts to be deposited on the surface of the space of the device component, which is at the ground potential, where the plasma exists. On the other hand, the protective plate g
Plasma spreads in the space surrounded by the inner surface of the ceramic target c and the substrate h, and in the case of the magnetron sputtering method, it depends on the leakage magnetic field strength on the surface of the ceramic target c, but in any case, the deposition rate is When the power applied to the sputter cathode d is increased to increase the speed, the plasma spreads to the vicinity of the deposition preventive plate g.
【００１０】この時、堆積する膜が金属膜の場合には何
ら問題は生じないが、絶縁性膜の場合には次のような現
象が起こる。At this time, no problem occurs when the deposited film is a metal film, but when the film is an insulating film, the following phenomenon occurs.
【００１１】即ち、これら装置部品の表面に絶縁性膜が
堆積し、その絶縁性膜がプラズマに晒されている、もし
くはプラズマが近傍に存在しているとその位置でのプラ
ズマ電位により絶縁性膜の表面には正または負の電荷が
蓄積される。That is, when an insulating film is deposited on the surfaces of these device parts and the insulating film is exposed to plasma, or when plasma is present in the vicinity, the insulating film is caused by the plasma potential at that position. Positive or negative charges are accumulated on the surface of the.
【００１２】一般的にその電荷の絶対値は数Ｖから数十
Ｖ程度チャージアップする。これら装置部品の表面には
当初ごく薄い膜が堆積するが、ごく薄い膜では膜が絶縁
破壊する電圧、即ち、耐圧が低く、その時にこのような
電荷が絶縁性膜表面に蓄積すると、これら装置部品がア
ース電位であるため、絶縁性膜表面の電荷は膜の厚さ方
向にアース電位側へと膜を絶縁破壊しながら移動する。Generally, the absolute value of the charge is charged up from several V to several tens of V. Initially, an extremely thin film is deposited on the surface of these device parts. However, if the extremely thin film has a low dielectric breakdown voltage, that is, withstand voltage is low, and if such charges accumulate on the surface of the insulating film, these devices are Since the component is at the ground potential, the charge on the surface of the insulating film moves to the ground potential side in the thickness direction of the film while dielectrically breaking the film.
【００１３】絶縁破壊された箇所にはピンホールや膜剥
離が生じ、その部分は再び装置部品の金属アース面が露
出する。そして再びその部分に絶縁性膜が堆積し始める
と、前記と同様に膜表面のチャージアップと膜の絶縁破
壊を繰り返し、これら装置部品の表面がいたるところで
この状態を繰り返す。即ち、先に述べた防着板ｇ、アー
スシールドｆおよびガス導入パイプｋの先端部分の表面
のいたるところで生じる小さなアーキングはこの状態が
発生しているのである。Pinholes and film peeling occur at the location of the dielectric breakdown, and the metal ground surface of the device component is exposed again at that location. When the insulating film starts to be deposited again on that portion, charge-up of the film surface and dielectric breakdown of the film are repeated in the same manner as described above, and this state is repeated everywhere on the surfaces of these device parts. That is, this state is caused by the small arcing that occurs everywhere on the surfaces of the tip of the adhesion-preventing plate g, the earth shield f, and the gas introduction pipe k described above.
【００１４】この時、絶縁性膜は絶縁破壊によりミクロ
に膜が剥離するのでこれら装置部品の表面はいたるとこ
ろから剥離した細かい粉が発生している。このような粉
は成膜ダストとなり基板ｈ上に堆積させる誘電体膜中に
混入し、成膜不良を引き起こすので好ましくない。At this time, since the insulating film is microscopically peeled off due to dielectric breakdown, fine powder peeled off is generated everywhere on the surfaces of these device parts. Such powder is not preferable because it becomes film-forming dust and mixes in the dielectric film deposited on the substrate h to cause film-forming failure.
【００１５】従って、このようなダストが発生しないよ
うにするために、 Ｉ 絶縁性膜上に電荷が蓄積しないようにする。特に、
防着板ｇの内側表面がプラズマに晒されないように防着
板ｇとターゲットｃの間の距離を出来るだけ離すか、プ
ラズマが広がらないようにする。 II 絶縁性膜上に電荷が蓄積されても、その電荷がアー
ス電位に向って放電し、絶縁破壊を起こさないようにす
る。 の２通りの手段がある。Therefore, in order to prevent the generation of such dust, the charge is prevented from accumulating on the I insulating film. In particular,
The distance between the deposition-inhibiting plate g and the target c should be as far as possible so that the inner surface of the deposition-inhibiting plate g is not exposed to the plasma, or the plasma will not spread. II Even if electric charge is accumulated on the insulating film, prevent the electric charge from discharging toward the ground potential and causing dielectric breakdown. There are two ways.
【００１６】[0016]
【発明が解決しようとする課題】前記Ｉの手段に関して
は真空チャンバー内の寸法的な制約があり、無限に離す
ことは出来ないし、また、長時間連続成膜し続けるとや
がては絶縁性膜を破壊する印加電界を与えるだけの電荷
が防着板ｇ内面に堆積した絶縁性膜表面に蓄積してしま
う。一方、前記IIの手段に対しては例えば防着板ｇをア
ース電位にしない、即ち、防着板ｇを絶縁板で真空チャ
ンバーのアース電位から切りはなしてやったり、防着板
ｇそのものを金属材料ではなく、絶縁体材料で作製すれ
ば絶縁性膜上に蓄積された電荷をアース電位に放電する
ことが出来なくなり、堆積した絶縁性膜の表面に蓄積さ
れたままで絶縁破壊を引き起こさないのではないかとい
うことは容易に予想できる。With respect to the above-mentioned means I, there is a dimensional limitation in the vacuum chamber and it is not possible to separate them indefinitely, and if continuous film formation is continued for a long time, an insulating film will eventually be formed. An electric charge enough to give an applied electric field to be destroyed is accumulated on the surface of the insulating film deposited on the inner surface of the adhesion preventing plate g. On the other hand, for the means of II, for example, the deposition preventive plate g is not set to the ground potential, that is, the deposition preventive plate g is cut off from the ground potential of the vacuum chamber by an insulating plate, or the deposition preventive plate g itself is made of metal. If it is made of an insulating material instead of a material, it will not be possible to discharge the charge accumulated on the insulating film to the ground potential, and it will not cause dielectric breakdown as it is accumulated on the surface of the deposited insulating film. It is easy to predict whether or not there is.
【００１７】しかし、実際にはプラズマの発生はスパッ
タカソードと周囲のアースとの間に電流が流れることに
よって放電が維持されるわけであるから、前記のように
スパッタカソードの周囲にアース電位が極端に少ない場
合、放電が不安定で、極端な場合放電が持続できなくな
ってしまうという問題がある。However, in actuality, since the discharge of plasma is maintained by the flow of a current between the sputter cathode and the surrounding earth, as described above, the earth potential is extremely high around the sputter cathode. If the amount is very small, the discharge is unstable, and in the extreme case, the discharge cannot be sustained.
【００１８】本発明はかかる前記問題点を解消し、基板
とターゲットの周囲に配置された装置部品からの発塵が
なく、かつ安定した放電が維持出来るスパッタリング装
置および誘電体膜の成膜方法を提供することを目的とす
る。The present invention solves the above-mentioned problems and provides a sputtering apparatus and a method for forming a dielectric film, in which dust is not generated from the apparatus parts arranged around the substrate and the target and stable discharge can be maintained. The purpose is to provide.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、対向する基板とターゲットの周囲にアース電位
の装置部品を備え、セラミックスターゲットを用いて基
板上に誘電体膜を得るスパッタリング装置において、前
記装置部品の少なくともプラズマが存在する空間側の表
面が絶縁体で覆われていることを特徴とする。A sputtering apparatus of the present invention is a sputtering apparatus which comprises a substrate and a target which are opposed to each other and is provided with a device component having a ground potential, and which uses a ceramic target to obtain a dielectric film on the substrate. It is characterized in that at least the surface of the device component on the space side where plasma is present is covered with an insulator.
【００２０】また、前記絶縁体はＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、
ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、Ｂ4Ｃ等の絶縁性セラミッ
クスをＣＶＤ法、ＰＶＤ法、スパッタ法、塗布法または
溶射法によりコーティングしてもよい。更に、その厚み
は0.1μｍ〜5000μｍ程度としてもよい。The insulator is Al 2 O 3 , TiO 2 ,
Insulating ceramics such as SiO 2 , ZrO 2 , MgO and B 4 C may be coated by the CVD method, PVD method, sputtering method, coating method or thermal spraying method. Further, the thickness may be about 0.1 μm to 5000 μm.
【００２１】また、前記誘電体膜をＳｒＴｉＯ3、Ｂａ
ＴｉＯ3、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、（Ｐｂ
Ｌａ）ＴｉＯ3、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3、（ＰｂＬａ)(Ｚ
ｒＴｉ）Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5のいずれかとしてもよい。Further, the dielectric film is formed of SrTiO 3 , Ba
TiO 3 , (BaSr) TiO 3 , PbTiO 3 , (Pb
La) TiO 3 , Pb (ZrTi) O 3 , (PbLa) (Z
It may be either rTi) O 3 or Ta 2 O 5 .
【００２２】本発明の誘電体膜の成膜方法は、前記スパ
ッタリング装置を用いて行うものであり、更に詳しく
は、対向する基板とターゲットの周囲にアース電位の装
置部品を備えるスパッタリング装置を用いて、セラミッ
クスターゲットにスパッタリングを施して基板上に誘電
体膜を成膜する誘電体膜の成膜方法において、前記スパ
ッタリング装置は前記装置部品の少なくともプラズマが
存在する空間側の表面が絶縁体で覆われている装置であ
り、前記誘電体膜はＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、（Ｂａ
Ｓｒ）ＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、（ＰｂＬａ）ＴｉＯ3、
Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3、（ＰｂＬａ)(ＺｒＴｉ）Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5のいずれかであることを特徴とする。The method for forming a dielectric film according to the present invention is carried out by using the above-mentioned sputtering apparatus. More specifically, the method for forming a dielectric film is provided by using a sputtering apparatus provided with a ground potential apparatus component around the opposing substrate and target. In a method of forming a dielectric film, which comprises sputtering a ceramic target to form a dielectric film on a substrate, in the sputtering device, at least a space-side surface of the device component where plasma is present is covered with an insulator. The dielectric film is SrTiO 3 , BaTiO 3 , (Ba
Sr) TiO 3 , PbTiO 3 , (PbLa) TiO 3 ,
Pb (ZrTi) O 3 , (PbLa) (ZrTi) O 3 , T
characterized in that it is either a 2 O 5.
【００２３】この時、装置部品の少なくともプラズマが
存在する空間側の表面を覆う絶縁体はＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ
2、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、Ｂ4Ｃ等の絶縁性セラミ
ックスをＣＶＤ法、ＰＶＤ法、スパッタ法、塗布法また
は溶射法によりコーティングしてもよい。更に、その厚
みは0.1μｍ〜5000μｍ程度としてもよい。At this time, the insulator covering at least the surface of the device component on the space side where plasma exists is Al 2 O 3 or TiO 2.
Insulating ceramics such as 2 , SiO 2 , ZrO 2 , MgO and B 4 C may be coated by the CVD method, PVD method, sputtering method, coating method or thermal spraying method. Further, the thickness may be about 0.1 μm to 5000 μm.
【００２４】[0024]
【作用】セラミックスターゲットを用いてスパッタリン
グ法にて誘電体膜を成膜する本発明のスパッタリング装
置は、対向する基板とターゲットの周囲に配置されたア
ース電位の装置部品のプラズマが存在する空間側の表面
が絶縁体層に覆われているので、該絶縁体層にスパッタ
膜が堆積し始め、その表面に電荷が蓄積されても、その
電荷が作る電界よりも耐圧の高い絶縁体層が既に存在す
るため、電荷が装置部品のアース電位側へ向って放電せ
ず、従って、スパッタ膜と絶縁体層を絶縁破壊しないの
で、粉やダストを発生せず、真空チャンバー内は清浄な
雰囲気で成膜が行える。The sputtering apparatus of the present invention for forming a dielectric film by a sputtering method using a ceramics target has a space side in which plasma of apparatus components of earth potential arranged around the opposing substrate and the target exists. Since the surface is covered with an insulating layer, a sputtered film begins to be deposited on the insulating layer, and even if electric charges are accumulated on the surface, an insulating layer with a higher withstand voltage than the electric field created by the electric charges already exists. Therefore, the electric charge does not discharge toward the ground potential side of the device parts, and therefore the sputtered film and the insulating layer are not dielectrically broken, so that no powder or dust is generated and the vacuum chamber is formed in a clean atmosphere. Can be done.
【００２５】また、スパッタリング装置の前記装置部品
は絶縁体層をはさんではいるが、その厚さがあまり厚く
ない場合には誘電体膜が堆積してもＲＦ的にはアース電
位となり得るので、長時間安定した放電が維持出来る。Further, although the above-mentioned device parts of the sputtering device sandwich the insulating layer, if the thickness thereof is not so thick, even if the dielectric film is deposited, it may be ground potential in terms of RF. Stable discharge can be maintained for a long time.
【００２６】その結果、ダストの混入が極めて少ない誘
電体膜が基板上に成膜される。As a result, a dielectric film containing very little dust is formed on the substrate.
【００２７】[0027]
【実施例】本発明において、防着板やアースシールド等
の装置部品の少なくともプラズマが存在する空間側の表
面を被覆する絶縁体である絶縁性セラミックス膜の厚さ
を0.1μｍないし5000μｍとしたのは、絶縁性セラミッ
クス膜の厚さが0.1μｍに満たない場合は、耐圧が低く
蓄積された電荷により絶縁性セラミックス膜もろとも絶
縁破壊されるために発塵の原因となり、また、絶縁性セ
ラミックス膜の厚さが5000μｍを超えた場合は、アース
電位が厚いセラミックス膜を介して存在するのでアース
が不十分となり、ＲＦプラズマが安定放電できないから
である。EXAMPLES In the present invention, the thickness of the insulating ceramics film, which is an insulator covering at least the surface of the device parts such as the adhesion-preventing plate and the earth shield on the space side where plasma is present, is set to 0.1 μm to 5000 μm. When the thickness of the insulating ceramic film is less than 0.1 μm, the insulating voltage of the insulating ceramic film is low because the dielectric breakdown of the insulating ceramic film and the accumulated electric charges causes dust generation. If the thickness exceeds 5,000 μm, the earth potential is present through the thick ceramic film and the earth is insufficient, so that the RF plasma cannot be stably discharged.
【００２８】次に添付図面に従って本発明の誘電体膜の
成膜方法の具体的実施例を比較例と共に説明する。Next, specific examples of the method for forming a dielectric film of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings together with comparative examples.
【００２９】実施例１ 図１は本発明のスパッタリング装置１の１実施例を示
す。Example 1 FIG. 1 shows an example of a sputtering apparatus 1 of the present invention.
【００３０】図中、２は金属製の真空チャンバー、３は
目的とする誘電体膜を得るためのセラミックスターゲッ
ト、４はスパッタカソード、５はスパッタカソード４を
アース電位である真空チンバー２から絶縁するための絶
縁板、６はアースシールド、７は防着板、８は表面に誘
電体膜を成膜するための基板、９は基板８を加熱するヒ
ータを備えた基板ホルダー、１０は真空チャンバーの排
気口バルブ、１１はスパッタガスを真空チャンバー内に
導入するためのガス導入パイプ、１２は真空チャンバー
２をアース電位にするためのアース板、１３はスパッタ
カソード３に電力を印加するためのＲＦ電源を示す。In the figure, 2 is a vacuum chamber made of metal, 3 is a ceramic target for obtaining a target dielectric film, 4 is a sputtering cathode, and 5 is a sputtering cathode 4 which is insulated from a vacuum timbre 2 which is a ground potential. An insulating plate, 6 is a ground shield, 7 is a protective plate, 8 is a substrate for forming a dielectric film on the surface, 9 is a substrate holder equipped with a heater for heating the substrate 8, and 10 is a vacuum chamber. An exhaust port valve, 11 is a gas introduction pipe for introducing sputter gas into the vacuum chamber, 12 is a ground plate for bringing the vacuum chamber 2 to the ground potential, and 13 is an RF power source for applying power to the sputter cathode 3. Indicates.
【００３１】前記装置構成は従来のスパッタリング装置
と変わりはないが、本発明の特徴に従って、基板８とセ
ラミックスターゲット３の周囲に配置されたアース電位
の装置部品の一つである防着板７を厚さ2mmのステンレ
ス材（ＳＵＳ３０４）で作製し、そのプラズマが存在す
る空間１４側の表面７ａ並びにその他の装置部品である
ガス導入パイプ１１の表面１１ａに溶射法により厚さ50
μｍのＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）の絶縁性セラミッ
クス膜１５を夫々形成した。The structure of the apparatus is the same as that of the conventional sputtering apparatus, but according to the feature of the present invention, the deposition-preventing plate 7 which is one of the equipment components of the ground potential arranged around the substrate 8 and the ceramic target 3 is provided. It is made of a stainless steel material (SUS304) having a thickness of 2 mm and has a thickness of 50 on the surface 7a on the side of the space 14 in which the plasma exists and on the surface 11a of the gas introduction pipe 11 which is another device component by a thermal spraying method.
An insulating ceramic film 15 of Al 2 O 3 (aluminum oxide) having a thickness of μm was formed, respectively.
【００３２】また、プラズマが存在しない防着板７の裏
面７ｂ側に銅（Ｃｕ）板を用いて真空チャンバー２を介
して結線してアース板１２により電気的にアース電位と
なるようにした。Further, a copper (Cu) plate is used on the back surface 7b side of the deposition-inhibiting plate 7 where plasma is not present, and is connected through the vacuum chamber 2 so that the earth plate 12 electrically brings it to the ground potential.
【００３３】また、アースシールド５は真空チャンバー
２に絶縁板１６を介して接続して真空チャンバー２と絶
縁状態とし、アース電位の真空チャンバー２から電気的
にフローティング電位としたために、特にその表面に絶
縁性膜を形成しなかった。Further, since the earth shield 5 is connected to the vacuum chamber 2 via the insulating plate 16 so as to be insulated from the vacuum chamber 2 and is electrically floating from the vacuum chamber 2 having the ground potential, the surface of the earth shield 5 is particularly No insulating film was formed.
【００３４】また、基板ホルダー９もフローティング電
位であるため、特にその表面に絶縁性膜を形成しなかっ
た。Since the substrate holder 9 also has a floating potential, no insulating film is formed on its surface.
【００３５】そして、本実施例ではセラミックスターゲ
ット３として直径150mm、厚さ4mmのＳｒＴｉＯ3（チタ
ン酸ストロンチウム）を用い、該セラミックスターゲッ
ト３をスパッタリング装置１の真空チャンバー２内に取
付けた。In this embodiment, SrTiO 3 (strontium titanate) having a diameter of 150 mm and a thickness of 4 mm was used as the ceramic target 3, and the ceramic target 3 was mounted in the vacuum chamber 2 of the sputtering apparatus 1.
【００３６】また、基板８として３インチシリコンウェ
ハを用い、基板８を基板ホルダー９に保持した。基板の
電位はフローティング電位である。A 3-inch silicon wafer was used as the substrate 8, and the substrate 8 was held by the substrate holder 9. The potential of the substrate is a floating potential.
【００３７】また、セラミックスターゲット３表面から
防着板７表面までの距離Ａを55mm、セラミックスターゲ
ット３端から防着板７の側面までの距離Ｂを45mmとし
た。The distance A from the surface of the ceramic target 3 to the surface of the deposition preventive plate 7 was 55 mm, and the distance B from the end of the ceramic target 3 to the side surface of the deposition preventive plate 7 was 45 mm.
【００３８】そして、真空チャンバー２内を排気口バル
ブ１０より圧力１×10-4Ｐａまで排気した後、ガス導入
パイプ１１より20％Ｏ2（酸素）ガスを混合したＡｒ
（アルゴン）ガスから成るスパッタガスを真空チャンバ
ー２内に導入し、スパッタガス圧力0.5Ｐａとし、スパ
ッタ電力500WのＲＦスパッタリング法によりセラミック
スターゲット３にスパッタリングを施して、基板ホルダ
ー９により温度400℃に加熱した基板８上に膜厚200nmの
ＳｒＴｉＯ3膜を成膜した。Then, the inside of the vacuum chamber 2 was exhausted to a pressure of 1 × 10 −4 Pa from the exhaust port valve 10, and then Ar mixed with 20% O 2 (oxygen) gas was supplied from the gas introduction pipe 11.
A sputtering gas consisting of (argon) gas is introduced into the vacuum chamber 2, the sputtering gas pressure is 0.5 Pa, the ceramic target 3 is sputtered by the RF sputtering method with a sputtering power of 500 W, and the substrate holder 9 is heated to a temperature of 400 ° C. A 200 nm thick SrTiO 3 film was formed on the substrate 8.
【００３９】そして、成膜中の放電状態および防着板７
の表面７ａ、アースシールド６の表面６ａ、ガス導入パ
イプ１１の表面１１ａの状態を目視により観察したとこ
ろ、防着板表面、アースシールド表面、ガス導入パイプ
表面は何ら変化がなく、プラズマの状態も安定してい
た。The discharge state during film formation and the deposition preventive plate 7
The surface 7a, the surface 6a of the earth shield 6, and the surface 11a of the gas introduction pipe 11 were visually observed. It was stable.
【００４０】また、基板８上に成膜されたＳｒＴｉＯ3
膜中の大きさ0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダス
トモニタで測定したところ、大きさ0.5μｍ以上のダス
トの数の増加は成膜前に比べて１６個であった。The SrTiO 3 film formed on the substrate 8
When the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the film was measured by a laser dust monitor, the increase in the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more was 16 as compared with that before film formation.
【００４１】比較例１ 図２に示す従来の装置を用い、防着板ｇを厚さ2mmのス
テンレス材（ＳＵＳ３０４）で作製し、両面ともアース
電位の金属表面が露出した状態とし、また、表面には絶
縁体膜を何ら被覆していないアースシールドｆおよびガ
ス導入パイプｋを用いた以外は、前記実施例１と同様の
方法でＲＦスパッタリングを行って、基板上にＳｒＴｉ
Ｏ3膜を成膜した。Comparative Example 1 Using the conventional apparatus shown in FIG. 2, the deposition-inhibitory plate g was made of a stainless steel material (SUS304) having a thickness of 2 mm, and both surfaces were exposed to the ground potential metal surface. RF sputtering was performed in the same manner as in Example 1 except that the ground shield f and the gas introduction pipe k, which were not covered with an insulating film, were used for SrTi on the substrate.
An O 3 film was formed.
【００４２】そして、成膜中の放電状態および防着板表
面、アースシールド表面、ガス導入パイプ表面の状態を
目視により観察したところ、放電開始約３０秒後よりプ
ラズマが存在する防着板表面、アースシールド表面、ガ
ス導入パイプ表面で小さな輝点が観察され始め、時間の
経時と共にその個数および範囲とも拡大し、約２分後に
は防着板表面、アースシールド表面、ガス導入パイプ表
面のほぼ全面にアーキングによる輝点が観察された。Then, the discharge state during film formation and the state of the surface of the deposition preventive plate, the surface of the earth shield, and the surface of the gas introduction pipe were visually observed. Small luminescent spots begin to be observed on the surface of the earth shield and the gas introduction pipe, and the number and range increase with the passage of time, and after about 2 minutes, almost the entire surface of the adhesion-preventing plate surface, the earth shield surface, and the surface of the gas introduction pipe. A bright spot due to arcing was observed.
【００４３】放電開始60分経過した後、放電を停止し、
真空チャンバーｂ内を大気開放して、プラズマが存在し
ていた防着板の表面、アースシールド表面、ガス導入パ
イプ表面を観察したところ、3〜60mm程度の長さの稲妻
のような異常放電跡が多数確認でき、小さな白い粉状の
ものが付着していた。この粉はＳｒＴｉＯ3の微粉であ
った。After 60 minutes from the start of discharge, the discharge was stopped,
When the inside of the vacuum chamber b was opened to the atmosphere and the surface of the deposition-preventing plate where plasma was present, the surface of the earth shield, and the surface of the gas introduction pipe were observed, abnormal discharge traces like lightning with a length of about 3 to 60 mm were observed. Were confirmed, and small white powdery substances were attached. This powder was a fine powder of SrTiO 3 .
【００４４】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
中の大きさ0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダスト
モニタで測定したところ、ダストの増加は５２２個であ
った。When the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the SrTiO 3 film formed on the substrate was measured with a laser dust monitor, the increase in dust was 522.
【００４５】比較例２ 図２に示す従来の装置を用い、防着板ｇを厚さ2mmのス
テンレス材（ＳＵＳ３０４）で作製し、両面ともアース
電位の金属表面が露出した状態とし、また、表面には絶
縁体膜を何ら被覆していないアースシールドｆおよびガ
ス導入パイプｋを用い、また、アースシールドｆおよび
防着板ｇは真空チャンバーｂに絶縁板（図示しないが図
１の絶縁板１６に同じ）を介して接続して真空チャンバ
ーｂと絶縁状態とし、アース電位の真空チャンバーｂか
ら電気的にフローティング電位とした以外は、前記実施
例１と同様の方法でＲＦスパッタリングを行って、基板
上にＳｒＴｉＯ3膜を成膜した。Comparative Example 2 Using the conventional apparatus shown in FIG. 2, the deposition preventive plate g was made of a stainless steel material (SUS304) having a thickness of 2 mm, and both surfaces were exposed to the ground potential metal surface. A grounding shield f and a gas introducing pipe k which are not covered with an insulating film are used for the above, and the grounding shield f and the deposition-preventing plate g are provided in a vacuum chamber b as an insulating plate (not shown in FIG. RF sputtering was performed in the same manner as in Example 1 except that the vacuum chamber b was electrically insulated from the vacuum chamber b by being connected via the same), and the vacuum chamber b at the ground potential was electrically floating. A SrTiO 3 film was formed on the substrate.
【００４６】そして、成膜中の放電状態および防着板表
面、アースシールド表面、ガス導入パイプ表面の状態を
目視により観察したところ、放電開始約直後より防着
板、基板、セラミックスターゲット、アースシールドで
囲まれた空間のプラズマはゆらゆらと動き、しばしば防
着板等の隙間から火柱状にプラズマが吹き出していた。
また、放電開始約３分後からプラズマが点灯し始め、時
間の経過と共に消えている割合が高くなっていった。ま
た、放電中、防着板等の裏面にはアーキング等の異常は
認められなかった。いずれにしても放電は不安定な状態
であった。Then, the discharge state during film formation and the state of the deposition preventive plate surface, the ground shield surface, and the gas introduction pipe surface were visually observed. As a result, the deposition preventive plate, the substrate, the ceramic target, and the earth shield were observed immediately after the start of discharge. The plasma in the space surrounded by fluctuated, and the plasma was often blown out in the form of a fire pillar through the gaps in the deposition prevention plate.
Also, about 3 minutes after the start of discharge, the plasma started to light up, and the rate of extinction increased with the passage of time. Further, during discharge, no abnormality such as arcing was observed on the back surface of the deposition preventive plate. In any case, the discharge was in an unstable state.
【００４７】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
中の大きさ0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダスト
モニタで測定したところ、ダストの増加は１１個であっ
た。When the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the SrTiO 3 film formed on the substrate was measured by a laser dust monitor, the increase in dust was 11 particles.
【００４８】しかし、実施例１と同様に60分間成膜した
が、得られた膜厚は110nmしかなく、成膜速度が不安定
であった。However, when a film was formed for 60 minutes as in Example 1, the film thickness obtained was only 110 nm and the film formation rate was unstable.
【００４９】実施例２ 防着板７の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａ
に溶射法により形成するＡｌ2Ｏ3の絶縁性セラミックス
膜１５の厚さを表１に示すように種々変化させた防着
板、ガス導入パイプを用いた以外は、前記実施例１と同
様の方法で基板８上にＳｒＴｉＯ3膜を成膜した。Example 2 Surface 7a of deposition-inhibiting plate 7 and surface 11a of gas introducing pipe 11
The same as in Example 1 except that a deposition preventive plate and a gas introduction pipe in which the thickness of the insulating ceramic film 15 of Al 2 O 3 formed by the thermal spraying method was variously changed as shown in Table 1 were used. A SrTiO 3 film was formed on the substrate 8 by the method.
【００５０】そして、成膜中の放電中のプラズマ状態お
よび防着板７の表面７ａ、アースシールド６の表面６
ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａの異常放電状態を
目視により観察し、その結果を表１に示す。The plasma state during discharge during film formation, the surface 7a of the deposition preventive plate 7, and the surface 6 of the earth shield 6
a, the abnormal discharge state of the surface 11a of the gas introduction pipe 11 was visually observed, and the results are shown in Table 1.
【００５１】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
中の大きさ0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダスト
モニタで測定し、その結果を表１に示す。The number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the SrTiO 3 film formed on the substrate was measured with a laser dust monitor, and the results are shown in Table 1.
【００５２】[0052]
【表１】 [Table 1]
【００５３】表１から明らかなように、防着板７の表面
７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａに形成したＡｌ
2Ｏ3製の絶縁性セラミックス膜１５の厚さが本発明の0.
1μｍ〜5000μｍの範囲内において、防着板７の表面７
ａやガス導入パイプ１１の表面１１ａ上で異常放電はな
く、また、プラズマの状態も安定しているので、膜中に
ダストが取り込まれたり成膜速度が不安定にならないこ
とが確認された。As is clear from Table 1, Al formed on the surface 7a of the deposition preventive plate 7 and the surface 11a of the gas introduction pipe 11
The thickness of the insulating ceramic film 15 made of 2 O 3 is 0.
Within the range of 1 μm to 5000 μm, the surface 7 of the deposition preventive plate 7
It was confirmed that there was no abnormal discharge on the surface a of the gas introduction pipe 11 or a, and the plasma state was stable, so that dust was not taken into the film and the deposition rate was not unstable.
【００５４】前述のように、実施例１においてプラズマ
が存在する空間側の防着板やその他の装置部品の表面に
スパッタされたＳｒＴｉＯ3膜が形成され、その表面に
はプラズマの影響により正または負の電荷が蓄積される
が、アース電位である防着板の金属面との間、即ち防着
板表面にＡｌ2Ｏ3の絶縁性セラミックス膜が50μｍの厚
さで形成されているため絶縁体層の耐圧が高く、その電
荷はアースに逃げることができなく、絶縁破壊を引き起
こさない。As described above, in Example 1, the sputtered SrTiO 3 film is formed on the surface of the deposition-inhibitory plate or other device parts on the side of the space where the plasma exists, and the surface is positively or negatively affected by the plasma. Negative charges are accumulated, but insulation is maintained because the insulating ceramic film of Al 2 O 3 is formed with a thickness of 50 μm between the metal surface of the adhesion-preventing plate, which is at ground potential, that is, the surface of the adhesion-preventing plate. The body layer has a high breakdown voltage, and its electric charge cannot escape to the ground, causing no dielectric breakdown.
【００５５】従って、その時の小さなアーキングのよう
な異常や、極端なダストの発生を引き起こさない。ま
た、防着板の裏面側、即ちプラズマが存在しない側がア
ース電位であり、Ａｌ2Ｏ3の絶縁体層をはさんではいる
が、その厚さが50μmとあまり厚くないためＲＦプラズ
マはゆらいだり、点滅したりすることなく、安定放電が
維持出来る。Therefore, the abnormality such as a small arcing at that time and the generation of extreme dust are not caused. Also, the back side of the deposition preventive plate, that is, the side on which plasma does not exist is at earth potential and sandwiches the Al 2 O 3 insulator layer, but its thickness is not as thick as 50 μm, so RF plasma fluctuates. , Stable discharge can be maintained without blinking.
【００５６】一方、比較例１において基板上へのＳｒＴ
ｉＯ3膜の成膜中に、プラズマが存在する空間側の防着
板、アースシールド、ガス導入パイプの表面にスパッタ
されたセラミックスターゲット材のＳｒＴｉＯ3膜が形
成され、その表面には正または負の電荷が蓄積され始め
る。On the other hand, in Comparative Example 1, SrT on the substrate
During the formation of the iO 3 film, the SrTiO 3 film of the ceramic target material sputtered is formed on the surface of the space side where plasma is present, the earth shield, and the gas introduction pipe, and the surface is positive or negative. The electric charge of starts to accumulate.
【００５７】この防着板、アースシールド、ガス導入パ
イプの表面にはまだ、ごく薄い膜厚のＳｒＴｉＯ3膜し
か形成されていないので、表面に蓄積された電荷がつく
る電界によってこのＳｒＴｉＯ3膜は絶縁破壊を起こし
て、電荷がアースに放電すると同時に、このＳｒＴｉＯ
3膜は粉状になって飛び散り、下地アース金属面が露出
する。更に、スパッタが続いているのでその露出した部
分に再びＳｒＴｉＯ3膜が堆積するが、同様に再び絶縁
破壊を繰り返す。その時、防着板表面等に異常放電跡が
発生してしまう。このような状態が防着板、アースシー
ルド等の表面一面に発生するので飛び散った粉がダスト
となってしまう。[0057] The deposition preventing plate, the earth shield, still on the surface of the gas introduction pipe, because it is not formed only a very thin film thickness of the SrTiO 3 film, the SrTiO 3 film by an electric field the charges accumulated in the surface is made is Dielectric breakdown occurs, and the electric charge is discharged to the ground, and at the same time, this SrTiO 3
3 The film becomes powder and scatters, exposing the ground metal surface. Further, since sputtering continues, the SrTiO 3 film is deposited again on the exposed portion, but the dielectric breakdown is repeated again in the same manner. At that time, an abnormal discharge mark is generated on the surface of the deposition preventive plate or the like. Since such a state occurs on the entire surface of the deposition preventive plate, the earth shield, etc., the scattered powder becomes dust.
【００５８】また、比較例２においてはセラミックスタ
ーゲットの周囲にアース電位が存在しないので、プラズ
マが安定せず、ゆらやぎや点滅するので成膜速度が一定
にならないから、実用上使用することは出来ない。Further, in Comparative Example 2, since the earth potential does not exist around the ceramic target, the plasma is not stable, and the fluctuation or blinking causes the film forming speed to be not constant, so that it can be practically used. Absent.
【００５９】実施例２において防着板、ガス導入パイプ
等の表面に形成されたＡｌ2Ｏ3の絶縁性セラミックス膜
の厚さが0.05μｍと薄い場合は、溶射法では完全にピン
ホールフリーな膜ではなく、所々でアース面が僅かに露
出しているので、このような薄い箇所ではアーキングを
起こしてＡｌ2Ｏ3の絶縁性セラミックス膜やその上に堆
積した薄いＳｒＴｉＯ3膜が絶縁破壊を起こしている
が、次第にＡｌ2Ｏ3の絶縁性セラミックス膜の上にＳｒ
ＴｉＯ3膜が堆積して防着板等の表面が絶縁されると実
施例１と同じ理由で異常放電がなくなり放電が安定す
る。In Example 2, when the thickness of the insulating ceramics film of Al 2 O 3 formed on the surface of the deposition preventive plate, the gas introduction pipe, etc. was as thin as 0.05 μm, it was completely pinhole-free by the thermal spraying method. Since the ground plane is slightly exposed in some places, not in the film, arcing occurs in such a thin place, and the insulating ceramic film of Al 2 O 3 or the thin SrTiO 3 film deposited on it causes dielectric breakdown. Although it is caused, Sr is gradually formed on the insulating ceramic film of Al 2 O 3.
When the TiO 3 film is deposited and the surface of the deposition preventive plate or the like is insulated, abnormal discharge disappears and the discharge becomes stable for the same reason as in Example 1.
【００６０】Ａｌ2Ｏ3の絶縁性セラミックス膜の厚さが
0.1μｍから5000μｍまでは防着板、ガス導入パイプの
表面が十分に絶縁されており、かつ防着板、ガス導入パ
イプは絶縁性セラミックス膜を介しているが、ＲＦ的な
アース電位になっているので安定放電が維持出来る。こ
れはプラズマと防着板等のアース電位の間に絶縁性セラ
ミックス膜が存在するが、ＲＦ放電時にはこの絶縁性セ
ラミックス膜があまり厚くないと時はアース電位として
機能出来る。しかし、絶縁体である絶縁性セラミックス
膜のＡｌ2Ｏ3の膜厚が10000μｍまで厚くなるとプラズ
マの周囲にはＲＦ的にも十分なアース電位がなく、放電
が不安定になる。The thickness of the Al 2 O 3 insulating ceramic film is
From 0.1 μm to 5000 μm, the surfaces of the deposition preventive plate and the gas introduction pipe are sufficiently insulated, and the deposition preventive plate and the gas introduction pipe have an insulating ceramic film, but they are at an RF ground potential. The stable discharge can be maintained. This is because an insulating ceramic film exists between the plasma and the ground potential of the deposition preventive plate or the like, but can function as the ground potential when the insulating ceramic film is not so thick during RF discharge. However, when the film thickness of Al 2 O 3 of the insulating ceramic film, which is an insulator, is increased to 10,000 μm, there is not enough ground potential in terms of RF around the plasma, and the discharge becomes unstable.
【００６１】実施例３ 防着板７の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａ
に形成する絶縁性セラミックス膜１５を、溶射Ａｌ2Ｏ3
膜の代わりに、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）
法により形成した厚さ0.1μｍＴｉＯ2（ 酸化チタン）
膜とした以外は、前記実施例１と同様の方法で基板８上
にＳｒＴｉＯ3膜を成膜した。Example 3 Surface 7a of adhesion-preventing plate 7 and surface 11a of gas introducing pipe 11
An insulating ceramic film 15 to be formed, spraying Al 2 O 3
CVD (Chemical Vapor Deposition) instead of film
0.1μm thick TiO 2 (titanium oxide)
An SrTiO 3 film was formed on the substrate 8 in the same manner as in Example 1 except that the film was used.
【００６２】そして、成膜中の放電状態および防着板７
の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａの状態を
目視により観察したところ、防着板表面、ガス導入パイ
プ表面は異常放電はなく、プラズマの状態も安定してい
た。The discharge state during film formation and the deposition preventive plate 7
Visual observation of the surface 7a and the surface 11a of the gas introduction pipe 11 revealed that there was no abnormal discharge on the surface of the deposition preventing plate and the surface of the gas introduction pipe, and the plasma state was stable.
【００６３】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
中の大きさ0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダスト
モニタで測定したところ、ダストの増加は２７個であっ
た。When the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the SrTiO 3 film formed on the substrate was measured with a laser dust monitor, the increase in dust was 27.
【００６４】また、得られたＳｒＴｉＯ3膜の膜厚は200
nmであった。The thickness of the obtained SrTiO 3 film is 200
was nm.
【００６５】実施例４ 防着板７の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａ
に形成する絶縁性セラミックス膜１５を、溶射Ａｌ2Ｏ3
膜の代わりに、これらの表面にヘキサメチルジシロキサ
ンを塗布後焼成して形成した厚さ10μｍのＳｉＯ2（酸
化ケイ素）膜としたした以外は、前記実施例１と同様の
方法で基板８上にＳｒＴｉＯ3膜を成膜した。Example 4 Surface 7a of deposition-inhibiting plate 7 and surface 11a of gas introducing pipe 11
An insulating ceramic film 15 to be formed, spraying Al 2 O 3
Instead of the film, a 10 μm-thick SiO 2 (silicon oxide) film formed by applying hexamethyldisiloxane on these surfaces and then baking the same was used on the substrate 8 in the same manner as in Example 1 above. A SrTiO 3 film was formed on the substrate.
【００６６】そして、成膜中の放電状態および防着板７
の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａの状態を
目視により観察したところ、防着板表面、ガス導入パイ
プ表面は異常放電はなく、プラズマの状態も安定してい
た。The discharge state during film formation and the deposition preventive plate 7
Visual observation of the surface 7a and the surface 11a of the gas introduction pipe 11 revealed that there was no abnormal discharge on the surface of the deposition preventing plate and the surface of the gas introduction pipe, and the plasma state was stable.
【００６７】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
中の大きさ0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダスト
モニタで測定したところ、ダストの増加は８個であっ
た。When the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the SrTiO 3 film formed on the substrate was measured by a laser dust monitor, the increase in dust was 8.
【００６８】また、60分間の成膜後得られたＳｒＴｉＯ
3膜の膜厚を測定したところ200nmであった。Also, the SrTiO 3 obtained after the film formation for 60 minutes
The film thickness of the three films was measured and found to be 200 nm.
【００６９】実施例５ 防着板７の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａ
に形成する絶縁性セラミックス膜１５を、溶射Ａｌ2Ｏ3
膜の代わりに、スパッタリング法により形成した厚さ5
μｍのＺｒＯ2（酸化ジルコニウム）膜とした以外は、
前記実施例１と同様の方法で基板８上にＳｒＴｉＯ3膜
を成膜した。Example 5 Surface 7a of deposition-inhibiting plate 7 and surface 11a of gas introducing pipe 11
An insulating ceramic film 15 to be formed, spraying Al 2 O 3
Instead of a film, a thickness of 5 formed by the sputtering method
except that a ZrO 2 (zirconium oxide) film of μm was used.
A SrTiO 3 film was formed on the substrate 8 by the same method as in Example 1.
【００７０】そして、成膜中の放電状態および防着板７
の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａの状態を
目視により観察したところ、防着板表面、ガス導入パイ
プ表面は異常放電はなく、プラズマの状態も安定してい
た。The discharge state during film formation and the deposition preventive plate 7
Visual observation of the surface 7a and the surface 11a of the gas introduction pipe 11 revealed that there was no abnormal discharge on the surface of the deposition preventing plate and the surface of the gas introduction pipe, and the plasma state was stable.
【００７１】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
中の大きさ0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダスト
モニタで測定したところ、ダストの増加は３０個であっ
た。When the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the SrTiO 3 film formed on the substrate was measured with a laser dust monitor, the increase in dust was 30.
【００７２】また、得られたＳｒＴｉＯ3膜の膜厚は200
nmであった。The thickness of the obtained SrTiO 3 film is 200
was nm.
【００７３】実施例６ 防着板７の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａ
に形成する絶縁性セラミックス膜１５を、溶射Ａｌ2Ｏ3
膜の代わりに、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）
法により形成した厚さ50μmのＭｇＯ（酸化マグネシウ
ム）膜とした以外は、前記実施例１と同様の方法で基板
８上にＳｒＴｉＯ3膜を成膜した。Example 6 Surface 7a of deposition-inhibiting plate 7 and surface 11a of gas introducing pipe 11
An insulating ceramic film 15 to be formed, spraying Al 2 O 3
PVD (Physical Vapor Deposition) instead of membrane
A SrTiO 3 film was formed on the substrate 8 in the same manner as in Example 1 except that the MgO (magnesium oxide) film having a thickness of 50 μm formed by the method was used.
【００７４】そして、成膜中の放電状態および防着板７
の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａの状態を
目視により観察したところ、防着板表面、ガス導入パイ
プ表面は異常放電はなく、プラズマの状態も安定してい
た。The discharge state during film formation and the deposition preventive plate 7
Visual observation of the surface 7a and the surface 11a of the gas introduction pipe 11 revealed that there was no abnormal discharge on the surface of the deposition preventing plate and the surface of the gas introduction pipe, and the plasma state was stable.
【００７５】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
中の大きさ0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダスト
モニタで測定したところ、ダストの増加は１５個であっ
た。When the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the SrTiO 3 film formed on the substrate was measured by a laser dust monitor, the increase in dust was 15.
【００７６】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
の膜厚は200nmであった。The film thickness of the SrTiO 3 film formed on the substrate was 200 nm.
【００７７】実施例７ 防着板７の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａ
に形成する絶縁性セラミックス膜１５を、溶射Ａｌ2Ｏ3
膜の代わりに、スパッタリング法により形成した厚さ0.
2μmのＢ4Ｃ（炭化ホウ素）膜とした以外は、前記実施
例１と同様の方法で基板８上にＳｒＴｉＯ3膜を成膜し
た。Example 7 Surface 7a of adhesion-preventing plate 7 and surface 11a of gas introducing pipe 11
An insulating ceramic film 15 to be formed, spraying Al 2 O 3
Instead of a film, a thickness of 0.
An SrTiO 3 film was formed on the substrate 8 in the same manner as in Example 1 except that the B 4 C (boron carbide) film having a thickness of 2 μm was used.
【００７８】そして、成膜中の放電状態および防着板７
の表面７ａ、アースシールド６の表面６ａ、ガス導入パ
イプ１１の表面１１ａの状態を目視により観察したとこ
ろ、防着板表面、アースシールド表面、ガス導入パイプ
表面は異常放電はなく、プラズマの状態も安定してい
た。Then, the discharge state during the film formation and the deposition preventive plate 7
The surface 7a, the surface 6a of the earth shield 6, and the surface 11a of the gas introduction pipe 11 were visually observed. As a result, there was no abnormal discharge on the surface of the deposition prevention plate, the surface of the earth shield, or the surface of the gas introduction pipe, and the state of plasma It was stable.
【００７９】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
中の大きさ0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダスト
モニタで測定したところ、ダストの数の増加は３４個で
あった。When the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the SrTiO 3 film formed on the substrate was measured with a laser dust monitor, the increase in the number of dust particles was 34.
【００８０】また、基板上に成膜されたＳｒＴｉＯ3膜
の膜厚は200nmであった。The film thickness of the SrTiO 3 film formed on the substrate was 200 nm.
【００８１】実施例８〜１４ セラミックスターゲット３材としてＳｒＴｉＯ3の代わ
りにＢａＴｉＯ3（チタン酸バリウム）、（ＢａＳｒ）
ＴｉＯ3（チタン酸ストロンチウムバリウム）、ＰｂＴ
ｉＯ3（チタン酸鉛）、（ＰｂＬａ）ＴｉＯ3（チタン酸
鉛ランタン）、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3（ジルコン酸チタ
ン酸鉛）、（ＰｂＬａ)(ＺｒＴｉ）Ｏ3（ジルコン酸チ
タン酸鉛ランタン）、Ｔａ2Ｏ5（酸化タンタル）のいず
れかのセラミックスターゲットを用いた以外は、前記実
施例１と同様の方法で基板８上にＢａＴｉＯ3膜、（Ｂ
ａＳｒ）ＴｉＯ3膜、ＰｂＴｉＯ3膜、（ＰｂＬａ）Ｔｉ
Ｏ3膜、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3膜、（ＰｂＬａ)(ＺｒＴ
ｉ）Ｏ3膜、Ｔａ2Ｏ5膜のいずれかを成膜した。Examples 8 to 14 BaTiO 3 (barium titanate), (BaSr) was used as the ceramic target 3 material instead of SrTiO 3.
TiO 3 (strontium barium titanate), PbT
iO 3 (lead titanate), (PbLa) TiO 3 (lanthanum lead titanate), Pb (ZrTi) O 3 (lead zirconate titanate), (PbLa) (ZrTi) O 3 (lead lanthanum titanate zirconate) , Ta 2 O 5 (tantalum oxide) is used as the BaTiO 3 film on the substrate 8 in the same manner as in Example 1 except that (B)
aSr) TiO 3 film, PbTiO 3 film, (PbLa) Ti
O 3 film, Pb (ZrTi) O 3 film, (PbLa) (ZrT
i) Either an O 3 film or a Ta 2 O 5 film was formed.
【００８２】そして、成膜中の放電状態および防着板７
の表面７ａ、ガス導入パイプ１１の表面１１ａの状態を
目視により観察したところ、いずれの場合も防着板表
面、ガス導入パイプ表面は異常放電はなく、プラズマの
状態も安定していた。The discharge state during film formation and the deposition preventive plate 7
The surface 7a and the surface 11a of the gas introduction pipe 11 were visually observed, and in any case, the surface of the deposition-inhibitory plate and the surface of the gas introduction pipe were free from abnormal discharge, and the plasma state was stable.
【００８３】また、基板上に成膜された各膜中の大きさ
0.5μｍ以上のダストの数をレーザーダストモニタで測
定したところ、ＢａＴｉＯ3膜のダストの増加は７個で
あり、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3膜のダストの増加は１９個
であり、ＰｂＴｉＯ3膜のダストの増加は１８個であ
り、（ＰｂＬａ）ＴｉＯ3膜のダストの増加は３３個で
あり、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3膜のダストの増加は２２個
であり、（ＰｂＬａ)(ＺｒＴｉ）Ｏ3膜のダストの増加
は３０個であり、Ｔａ2Ｏ5膜のダストの増加は４０個で
あった。The size of each film formed on the substrate
When the number of dust particles of 0.5 μm or more was measured with a laser dust monitor, the increase in dust of the BaTiO 3 film was 7, the increase in dust of the (BaSr) TiO 3 film was 19, and the increase in dust of the PbTiO 3 film was found. Of 18 is increased, the dust of the (PbLa) TiO 3 film is increased by 33, the dust of the Pb (ZrTi) O 3 film is increased by 22 and the (PbLa) (ZrTi) O 3 film is increased. The increase in the number of dust particles was 30 and that in the Ta 2 O 5 film was 40.
【００８４】実施例８〜１４の結果から明らかなよう
に、いずれのセラミックスターゲット材を用いた場合も
成膜中は異常放電はなく安定したプラズマ状態が得ら
れ、成膜された各膜の膜厚も再現性があり、安定した成
膜速度が得られた。As is clear from the results of Examples 8 to 14, no matter which ceramic target material was used, there was no abnormal discharge during film formation and a stable plasma state was obtained. The thickness was also reproducible, and a stable film formation rate was obtained.
【００８５】また、基板上に成膜された各膜中のダスト
の増加量はいずれも１０〜４０個程度と低いレベルであ
った。Further, the amount of increase in dust in each film formed on the substrate was as low as about 10 to 40 particles.
【００８６】実施例１５ 防着板７を厚さ2mmのステンレス材（ＳＵＳ３０４）で
作製し、図１とは異なり、アース電位にするための端子
部（10mm×10mm）を除くすべての面に溶射法により厚さ
５０μｍのＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）の絶縁性セラ
ミックス膜を形成した。また、アースシールド６も図１
とは異なり、アース電位の真空チャンバー２に絶縁板１
６を介さず直接取り付けてアース電位とし、真空チャン
バー２に接する面以外のすべての面にＡｌ2Ｏ3（酸化ア
ルミニウム）を５０μｍ溶射した以外は、前記実施例１
と同様の方法でＲＦスパッタリングを行って、基板上に
ＳｒＴｉＯ3膜を形成した。Example 15 The deposition preventive plate 7 was made of a stainless steel material (SUS304) having a thickness of 2 mm, and unlike the case of FIG. By the method, an insulating ceramic film of Al 2 O 3 (aluminum oxide) having a thickness of 50 μm was formed. The earth shield 6 is also shown in FIG.
In contrast to the earth potential vacuum chamber 2 insulation plate 1
Example 1 except that it was directly attached without using 6 to obtain a ground potential, and Al 2 O 3 (aluminum oxide) was sprayed to 50 μm on all surfaces other than the surface in contact with the vacuum chamber 2.
RF sputtering was performed in the same manner as in 1. to form a SrTiO 3 film on the substrate.
【００８７】そして、成膜中の放電状態および防着板表
面、アースシールド表面、ガス導入パイプ表面の状態を
目視により観察したところ、放電およびプラズマ状態は
安定しており、防着板表面、アースシールド表面、ガス
導入パイプ表面は特に異常なかった。Then, when the discharge state during film formation and the states of the deposition preventive plate surface, the ground shield surface, and the gas introduction pipe surface were visually observed, the discharge and plasma conditions were stable, and the deposition preventive plate surface, the ground The surface of the shield and the surface of the gas introduction pipe were not abnormal.
【００８８】また、基板８上に成膜されたＳｒＴｉＯ3
膜中の大きさ0.5μm以上のダストの数をレーザーダスト
モニタで測定したところ、大きさ0.5μm以上のダストの
増加は１０個であった。In addition, SrTiO 3 formed on the substrate 8
When the number of dust particles having a size of 0.5 μm or more in the film was measured by a laser dust monitor, the increase in dust particles having a size of 0.5 μm or more was 10.
【００８９】なお、上記の実施例では防着板７をすべて
ステンレス材で作製しているが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、導電性材料であればよく、アルミニ
ウムやアルミニウム合金またはチタンやチタン合金で作
製してもよい。また、その他の装置部品であるアースシ
ールドやガス導入パイプも導電性材料で作製されている
ことは言うまでもない。In the above embodiment, the deposition-preventing plate 7 is made entirely of stainless steel, but the present invention is not limited to this, and any conductive material may be used, such as aluminum, aluminum alloy or It may be made of titanium or titanium alloy. Further, it goes without saying that the other equipment parts such as the earth shield and the gas introduction pipe are also made of a conductive material.
【００９０】[0090]
【発明の効果】本発明のスパッタリング装置によるとき
は、誘電体膜をセラミックスターゲットをスパッタリン
グ法にてスパッタして基板上に誘電体膜を成膜する装置
において、対向する基板とターゲットの周囲に配置され
たアース電位の装置部品のプラズマが存在する空間側の
表面が絶縁体層に覆われているので、該絶縁体層にスパ
ッタ膜が堆積し始め、その表面に電荷が蓄積されても、
その電荷が作る電界よりも耐圧の高い絶縁体層が既に存
在するため、電荷が装置部品のアース電位側へ向って放
電しないから、スパッタ膜と絶縁体層を絶縁破壊しない
ので、粉やダストを発生せず、真空チャンバー内は清浄
な雰囲気で成膜が行える。また、スパッタリング装置の
前記装置部品はアース電位であるため絶縁体層をはさん
ではいるが、その厚さがあまり厚くない場合には、誘電
体膜が堆積してもＲＦ的にアース電位となり得るので、
安定したプラズマ放電が得られて、異常放電やダストが
極めて少なく、長時間安定した放電が維持出来るスパッ
タリング装置を提供出来る効果がある。According to the sputtering device of the present invention, in a device for forming a dielectric film on a substrate by sputtering a dielectric film on a ceramic target by a sputtering method, the dielectric film is arranged around the opposing substrate and target. Since the surface on the space side where the plasma of the device component of the ground potential is present is covered with the insulator layer, even if a sputtered film starts to be deposited on the insulator layer and electric charges are accumulated on the surface,
Since there is already an insulator layer whose breakdown voltage is higher than the electric field created by the charges, the charges do not discharge toward the ground potential side of the device parts, so the sputtered film and the insulator layer do not undergo dielectric breakdown, so dust and dust are not generated. It does not occur, and the film can be formed in a clean atmosphere in the vacuum chamber. Further, since the above-mentioned device parts of the sputtering device are grounded, they are sandwiched between the insulating layers, but if the thickness is not so thick, even if a dielectric film is deposited, they may be RF-grounded. So
There is an effect that a stable plasma discharge can be obtained, abnormal discharge and dust are extremely small, and a sputtering device capable of maintaining stable discharge for a long time can be provided.
【００９１】また、前記装置部品を金属材料とし、かつ
プラズマが存在する空間側の表面の前記絶縁体をＣＶＤ
法、ＰＶＤ法、スパッタ法、塗布法、または溶射法によ
り0.1 μｍ〜5000μｍの厚さにコーティングしたＡｌ2
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、Ｂ4Ｃから
成る絶縁性セラミックス膜のいずれかとするときは、金
属材料がアース電位として、また、コーティングしたこ
れらの膜が絶縁体層として働くので、異常放電やダスト
が極めて少なく、安定したプラズマ放電が得られる。Further, the apparatus parts are made of a metal material, and the insulator on the surface on the space side where plasma is present is CVD.
2 coated to a thickness of 0.1 μm to 5000 μm by a sputtering method, a PVD method, a sputtering method, a coating method, or a thermal spraying method.
When any one of the insulating ceramic films made of O 3 , TiO 2 , SiO 2 , ZrO 2 , MgO, and B 4 C is used, the metal material acts as a ground potential, and these coated films act as an insulator layer. Therefore, stable plasma discharge can be obtained with extremely little abnormal discharge and dust.
【００９２】本発明の誘電体膜の成膜方法によるとき
は、前記装置部品のプラズマが存在する空間側の表面を
絶縁体層で被覆したスパッタリング装置を用いて、セラ
ミックスターゲットをスパッタリング法にてスパッタし
て基板上に誘電体膜を成膜するようにしたので、該絶縁
体層にスパッタ膜が堆積し始め、その表面に電荷が蓄積
されても、その電荷が作る電界よりも耐圧の高い絶縁体
層が既に存在するため、電荷が装置部品のアース電位側
へ向って放電しないから、スパッタ膜と絶縁体層を絶縁
破壊しないので、粉やダストを発生せず、真空チャンバ
ー内は清浄な雰囲気で成膜を行え、また、スパッタリン
グ装置の前記装置部品はアース電位であるため絶縁体層
をはさんではいるが、その厚さがあまり厚くない場合に
は、誘電体膜が堆積してもＲＦ的にはアース電位となり
得るので、長時間安定した放電が維持出来るので、異常
放電やダストが極めて少なく、安定したプラズマ放電が
得られて基板上に誘電体膜を極めて容易に成膜する効果
がある。According to the method for forming a dielectric film of the present invention, a ceramic target is sputtered by a sputtering method using a sputtering apparatus in which the surface of the apparatus component on the space side where plasma exists is covered with an insulating layer. Since the dielectric film is formed on the substrate by this, even if the sputtered film starts to be deposited on the insulator layer and the electric charge is accumulated on the surface of the insulator layer, the insulation film has a higher withstand voltage than the electric field created by the electric charge. Since the body layer is already present, the electric charge does not discharge toward the ground potential side of the device parts, so there is no dielectric breakdown between the sputtered film and the insulator layer, so no powder or dust is generated, and the vacuum chamber has a clean atmosphere. Can be used to form a film, and since the above-mentioned equipment parts of the sputtering device are at the ground potential and sandwich the insulator layer, if the thickness is not very thick, a dielectric film is deposited. However, since it can be ground potential in terms of RF, stable discharge can be maintained for a long time, abnormal discharge and dust are extremely small, stable plasma discharge can be obtained, and a dielectric film can be formed on a substrate very easily. Has the effect of
【００９３】また、前記装置部品を金属材料とし、かつ
プラズマが存在する空間側の表面の前記絶縁体をＣＶＤ
法、ＰＶＤ法、スパッタ法、塗布法、または溶射法によ
り0.1 μｍ〜5000μｍの厚さにコーティングしたＡｌ2
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、Ｂ4Ｃから
成る絶縁性セラミックス膜のいずれかとするときは、金
属材料がアース電位として、また、コーティングしたこ
れらの膜が絶縁体層として働くので、異常放電やダスト
が極めて少なく、安定したプラズマ放電が得られる。Further, the apparatus parts are made of a metal material, and the insulator on the surface on the space side where plasma is present is CVD.
2 coated to a thickness of 0.1 μm to 5000 μm by a sputtering method, a PVD method, a sputtering method, a coating method, or a thermal spraying method.
When any one of the insulating ceramic films made of O 3 , TiO 2 , SiO 2 , ZrO 2 , MgO, and B 4 C is used, the metal material acts as a ground potential, and these coated films act as an insulator layer. Therefore, stable plasma discharge can be obtained with extremely little abnormal discharge and dust.
【図１】 本発明のスパッタリング装置の１実施例の該
略図、FIG. 1 is a schematic view of an embodiment of the sputtering apparatus of the present invention,
【図２】 従来のＲＦスパッタリング装置の該略図。FIG. 2 is a schematic view of a conventional RF sputtering apparatus.
１ スパッタリング装置、 ２ 真空チャンバ
ー、３ セラミックスターゲット、 ４ スパッ
タカソード、５ 絶縁板、 ６ アースシール
ド、６ａ アースシールド表面、７ 防着板、
７ａ 防着板表面、８ 基板、 ９ 基板ホル
ダー、 １０ 排気口バルブ、１１ ガス導入パイ
プ、 １１ａ ガス導入パイプ表面、１２ アー
ス板、 １３ ＲＦ電源、１４ プラズマが存在
する空間、１５ 絶縁体、絶縁性セラミックス膜、
１６ 絶縁板。1 sputtering device, 2 vacuum chamber, 3 ceramics target, 4 sputter cathode, 5 insulating plate, 6 ground shield, 6a ground shield surface, 7 deposition plate,
7a Anti-adhesion plate surface, 8 Substrate, 9 Substrate holder, 10 Exhaust port valve, 11 Gas introduction pipe, 11a Gas introduction pipe surface, 12 Earth plate, 13 RF power supply, 14 Plasma space, 15 Insulator, Insulation Ceramics film,
16 Insulation plate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鄒 紅▲こう▼ 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 石川 道夫 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Zu Hong ▲ Kou ▼ Yokota, Yamatake-cho, Sanmu-gun, Chiba 523 Japan Vacuum Technology Co., Ltd. Chiba Institute for Supermaterials (72) Inventor Michio Ishikawa Yokota, Yamatake-cho, Sanmu-gun, Chiba 523 Japan Vacuum Technology Co., Ltd. Chiba Institute for Materials Research
Claims (5)
ス電位の装置部品を備え、セラミックスターゲットを用
いて基板上に誘電体膜を得るスパッタリング装置におい
て、前記装置部品の少なくともプラズマが存在する空間
側の表面が絶縁体で覆われていることを特徴とするスパ
ッタリング装置。1. A sputtering apparatus comprising a substrate and a target which are opposed to each other and a device component having a ground potential around the target, and a ceramic target is used to obtain a dielectric film on the substrate. A sputtering apparatus having a surface covered with an insulator.
ッタ法、塗布法または溶射法により0.1μｍ〜5000μｍ
の厚さにコーティングしたＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、Ｂ4Ｃから成る絶縁性セラミッ
クス膜のいずれかであることを特徴とする請求項第１項
に記載のスパッタリング装置。2. The insulator is 0.1 μm to 5000 μm formed by a CVD method, a PVD method, a sputtering method, a coating method or a thermal spraying method.
2 O 3 , TiO 2 and Si coated to thickness
The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the sputtering apparatus is any one of insulating ceramic films made of O 2 , ZrO 2 , MgO, and B 4 C.
Ｏ3、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、（ＰｂＬ
ａ）ＴｉＯ3、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3、（ＰｂＬａ）（Ｚ
ｒＴｉ）Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5のいずれかであることを特徴と
する請求項第１項または第２項に記載のスパッタリング
装置。3. The dielectric film is SrTiO 3 , BaTi
O 3 , (BaSr) TiO 3 , PbTiO 3 , (PbL
a) TiO 3 , Pb (ZrTi) O 3 , (PbLa) (Z
The sputtering apparatus according to claim 1 or 2, wherein the sputtering apparatus is one of rTi) O 3 and Ta 2 O 5 .
ス電位の装置部品を備えるスパッタリング装置を用い
て、セラミックスターゲットにスパッタリングを施して
基板上に誘電体膜を成膜する誘電体膜の成膜方法におい
て、前記スパッタリング装置は前記装置部品の少なくと
もプラズマが存在する空間側の表面が絶縁体で覆われて
いる装置であり、前記誘電体膜はＳｒＴｉＯ3、ＢａＴ
ｉＯ3、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、（ＰｂＬ
ａ）ＴｉＯ3、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3、（ＰｂＬａ)(Ｚｒ
Ｔｉ）Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5のいずれかであることを特徴とす
る誘電体膜の成膜方法。4. A method of forming a dielectric film, wherein a ceramic target is sputtered to form a dielectric film on a substrate by using a sputtering device having a device component having a ground potential around the opposing substrate and the target. In the above-mentioned, the sputtering apparatus is an apparatus in which at least the surface of the apparatus component on the space side where plasma exists is covered with an insulator, and the dielectric film is SrTiO 3 , BaT.
iO 3 , (BaSr) TiO 3 , PbTiO 3 , (PbL
a) TiO 3 , Pb (ZrTi) O 3 , (PbLa) (Zr
Ti) O 3 or Ta 2 O 5 is a method for forming a dielectric film.
ッタ法、塗布法または溶射法により0.1μｍ〜5000μｍ
の厚さにコーティングしたＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、Ｂ4Ｃから成る絶縁性セラミッ
クス膜のいずれかであることを特徴とする請求項第４項
に記載の誘電体膜の成膜方法。5. The insulator is 0.1 μm to 5000 μm formed by a CVD method, a PVD method, a sputtering method, a coating method or a thermal spraying method.
2 O 3 , TiO 2 and Si coated to thickness
5. The method for forming a dielectric film according to claim 4, wherein the dielectric film is any one of insulating ceramic films made of O 2 , ZrO 2 , MgO, and B 4 C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8124495A JPH08277461A (en) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | Sputtering device and formation of dielectric film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8124495A JPH08277461A (en) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | Sputtering device and formation of dielectric film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08277461A true JPH08277461A (en) | 1996-10-22 |
Family
ID=13741008
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8124495A Pending JPH08277461A (en) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | Sputtering device and formation of dielectric film |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08277461A (en) |
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- 1995-04-06 JP JP8124495A patent/JPH08277461A/en active Pending
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