JPH08274403A - 半導体レーザ - Google Patents

半導体レーザ

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JPH08274403A
JPH08274403A JP7785695A JP7785695A JPH08274403A JP H08274403 A JPH08274403 A JP H08274403A JP 7785695 A JP7785695 A JP 7785695A JP 7785695 A JP7785695 A JP 7785695A JP H08274403 A JPH08274403 A JP H08274403A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 活性層が量子井戸構造を採る半導体レーザに
おいて、確実に自励発振が生じることができるようにす
る。 【構成】 少なくとも第1のクラッド層2と、量子井戸
構造による活性層3と、第2のクラッド層4a,4b
と、活性層3にストライプ状の電流注入領域を形成する
ストライプ状の電流通路を形成する電流狭搾層5とが形
成されてなる実屈折率導波型の半導体レーザにおいて、
電流通路のストライプ幅が2μm〜5μm、水平方向の
実効的屈折率の差が1×10-3〜5×10-3、活性層3
のストライプ状の電流注入領域より外側での上記量子井
戸構造の1ウエル当たりの光閉じ込め係数γと、ウエル
数nとが、γ×n>0.09となるように選定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザに係わ
る。
【0002】
【従来の技術】コンパクトディスク、レーザディスク等
の光ディスク用とか、通信用の半導体レーザにおいて
は、そのシステムの光学系から反射されたレーザ光が半
導体レーザ自身に戻ることにより、半導体レーザの発振
状態が不安定になる現象いわゆる戻り光誘起雑音の増大
が問題となる。
【0003】このような戻り光誘起雑音の低減化をはか
る方法としては、一般に半導体レーザの駆動において、
高周波重畳を行ってパルス発光を行わせるという回路的
に対処する方法が採られている。一方、半導体レーザ自
体に自励発振を起こさせる構成とするものの提案もなさ
れている。これら、回路的方法、半導体レーザにおける
自励発振によるもののいづれのものも、半導体レーザの
発振波長スペクトルをマルチモード化し、かつスペクト
ル線幅の拡大をはかるものである。
【0004】しかしながら、上述の回路的方法による場
合は、回路内に高周波回路が必要となることから、構成
の複雑化、システムの大型化を来すのみならず、価格の
低減化が充分にはかれないという多くの問題が生じる。
【0005】これに対し、半導体レーザにおける自励発
振構成を採る場合は、上述した回路的方法に比し、格段
に構成の簡略化、小型化、価格の低廉化をはかることが
できる。この半導体レーザにおいて自励発振を生じさせ
る条件は、その活性層に対するストライプ状の電流注入
領域の幅を2μm〜5μmとし、その水平方向の実効屈
折率差を1×10-3〜5×10-3に選定する。
【0006】ところで、半導体レーザにおいて、そのし
きい値電流Ithの低減化、したがって低消費電力化をは
かるに、活性層を量子井戸構造とすることが考えられ
る。ところが、このように活性層を量子井戸構造とする
半導体レーザの場合、上述した電流注入領域の幅、水平
方向の実効屈折率差の選定によっても自励発振を起こさ
せることができない。これは、量子井戸構造では、その
量子井戸幅(量子井戸を構成する薄膜半導体層の厚さ)
を20nm以下としなければならないものであり、この
場合、自励発振を起こさせるための可飽和吸収体として
の効果が小さく上述の条件の選定のみでは、自励発振が
なされない場合が生じ、縦モードが利得ガイドレーザと
同様のマルチモードとなったり、或いはシングルモード
となる場合がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、活性層が量
子井戸構造を採る半導体レーザにおいて、確実に自励発
振が生じることができるようにした半導体レーザを提供
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも第
1のクラッド層と、量子井戸構造による活性層と、第2
のクラッド層と、上記活性層にストライプ状の電流注入
領域を形成するストライプ状の電流通路を形成する電流
狭搾層とが形成されてなる実屈折率導波型の半導体レー
ザにおいて、電流通路のストライプ幅が2μm〜5μ
m、水平方向の実効的屈折率の差が1×10-3〜5×1
-3、活性層のストライプ状の電流注入領域より外側で
の上記量子井戸構造の1ウエル当たりの光閉じ込め係数
γと、ウエル数nとが、下記(数1)となるように選定
する。
【0009】
【数1】γ×n>0.09
【0010】
【作用】本発明構成では、上記(数1)の特定によっ
て、活性層におけるストライプ状の電流注入領域の外側
での垂直方向光強度分布における光強度の割合を制限す
るものであり、このようにすることによって量子井戸構
造による活性層の電流注入領域の外側において可飽和吸
収体としての動作を確実に生じさせることができて、自
励発振動作がなされる。
【0011】
【実施例】図面を参照して本発明による半導体レーザの
実施例を詳細に説明する。本発明による半導体レーザ
は、実屈折率導波型の半導体レーザであって、この例に
おいては、図1にその一実施例の概略断面図を示すよう
に、第1導電型例えばn型のGaAs基板1上に、基板
1と同導電型のn型の第1のクラッド層2と、量子井戸
構造例えば多重量子井戸構造(MQW)による活性層3
と、第2導電型例えばp型の第2の下層クラッド層4a
とが形成され、その上の両側部に第1導電型の例えばn
型の電流狭窄層5が形成され、これら電流狭窄層5間に
光閉じ込め層6と、さらにこれの上に第2の上層クラッ
ド層4bが形成されてなる。電流狭窄層5上と、第2の
上層クラッド層4B上にはそれぞれ第2導電型の第1お
よび第2のキャップ層7および8が形成され、これの上
に一方の電極9がオーミックに被着形成され、基板1の
裏面には他方の電極10がオーミックに被着形成され
る。
【0012】そして、本発明による半導体レーザは、上
述したように実屈折率導波型とされるものであって、こ
れがため電流狭窄層5は活性層3からの発振光を吸収す
ることのない、すなわち活性層3のウエル層のエネルギ
ーバンドギャップより大なるバンドギャップを有する化
合物半導体によって構成する。
【0013】また、本発明においては、電流狭窄層5に
よって挟みこまれて形成される電流通路のストライプ幅
が2μm〜5μmとし、活性層3における水平方向の実
効的屈折率の差を1×10-3〜5×10-3とし、活性層
3のストライプ状の電流注入領域より外側での上記量子
井戸構造の1ウエル当たりの光閉じ込め係数γと、ウエ
ル数nとが、γ×n>0.09の関係にあるようにす
る。
【0014】更に、上述の本発明による半導体レーザを
詳細に説明するが、その理解を容易にするために、その
製造手順を図2〜図5を参照して説明する。先ず、図2
に示すように、この例においては、第1導電型例えばn
型のGaAs基板1上に、例えばMOCVD(Metal Or
ganic Chemical Vapor Deposition)によって第1の連続
エピタキシャル成長を行う。この第1の連続エピタキシ
ャル成長は、図示しないが必要に応じてバッファ層をエ
ピタキシーし、続いて基板1と同導電型のn型のAlx
Ga1-x Asよりなる第1のクラッド層2と、MQWに
よる活性層3と、第2導電型例えばp型のAlx Ga
1-x Asよりなる第2の下層クラッド層4aと、Aly
Ga1-y Asよりなり後述するウエットエッチングのエ
ッチングストッパとしての機能を有する光閉じ込め層6
と、これと同導電型を有しAlx Ga1-x Asよりなる
第2の上層クラッド層4bとを順次エピタキシャル成長
する。
【0015】光閉じ込め層6は、クラッド層4bよりそ
のAl量が小にすなわち、x>y、例えば、上述の構成
において、x=0.47、y=0.3に選定される。
【0016】この第1のエピタキシャル成長の後に、図
3に示すように、第2導電型の上層クラッド層4bに対
し、その中央部において、図3の紙面と直交する方向に
延びるストライプ状にエッチングレジスト(図示せず)
を形成し、このレジストによって覆われている部分をス
トライプ状に残し、その両側の上層クラッド層4bをウ
エットエッチングによって除去する。このときのエッチ
ングは、クラッド層4bに比し、その下層の光閉じ込め
層6のAl添加量が小であることを利用して、Al添加
量の小なるAlGaAsに対して低いエッチングレート
を示すエッチングによって行う。つまり、エッチングレ
ジストをマスクとしてクラッド層4bに対するエッチン
グを行うとき、光閉じ込め層6をエッチングストッパー
として機能させ、そのエッチングが光閉じ込め層6に達
することによってエッチング速度が低下した位置でエッ
チングを停止するものであり、このようにすることによ
ってクラッド層4bのみの選択的エッチングを行う。
【0017】次に、この外部に露呈した光閉じ込め層6
をエッチング除去する。このようにして、光閉じ込め層
6とこれの上に形成された第2の上層クラッド層4bに
よってストライプ状の最終的に電流通路となる突起を形
成する。次に、この突起上のエッチングレジストを除去
し、図4に示すように、第2のエピタキシャル成長を行
う。この第2のエピタキシャル成長は、ストライプ状突
起の両側のエッチング溝を埋込むように第1の導電型の
n型のAlx Ga1-x Asよりなる電流狭窄層5と、続
いてこれの上に例えばGaAsよりなる第2導電型の第
1のキャップ層7を同様に例えばMOCVDによってエ
ピタキシーする。
【0018】図5に示すように、第2の上層クラッド層
4b上の第1のキャップ層7と電流狭窄層5とを、例え
ばクラッド層4bの表面を一部エッチングするように選
択的にエッチングする。
【0019】その後、第3のエピタキシャル成長を行っ
て、図1に示すように、外部に露呈した電流通路を構成
する第2の上層のクラッド層4b上に差し渡って同様に
第2の導電型の例えばp型のGaAsよりなる第2のキ
ャップ層8を例えば全面的にエピタキシーする。
【0020】そして、第2のキャップ層8上に一方の電
極、この例ではp側の電極9をオーミックに被着する。
基板1の裏面には、この例ではn側の電極10がオーミ
ックに被着される。
【0021】活性層3のMQW構造部は、例えば、ウェ
ル層をAlz Ga1-z Asにより、バリア層をAlU
1-U Asとする。
【0022】そして、上述の構成において、x>y>
z,x>u>zとする。このようにすることによって光
閉じ込め層6による水平方向の実効屈折率差を生じさ
せ、更に活性層3からの発振光が電流狭窄層に吸収され
ることがない実効屈折率導波路構成となるようにする。
【0023】この構成において、前述したように、図1
に示すストライプ幅W(電流通路すなわちこの電流狭窄
層間の下端の幅)は2μm〜5μmとし、主として光閉
じ込め層6の存在によって活性層3に生じる実効的屈折
率の差Δn、すなわち活性層3の電流注入領域とこれよ
り外側の実効屈折率の差Δnを1×10-3〜5×10 -3
とする。また、活性層3を構成するMQWの1ウエル当
たりの光閉じ込め係数γと、ウエル数nとを、γ×n>
0.09とする。
【0024】この構成において、電極9および10間に
所定の順方向電圧を印加することによって自励発振が生
じた。これは、図1で示すMQWによる活性層3の電流
注入領域より外側部Aに所要の光分布領域が形成されて
可飽和吸収体として動作する領域が形成されたことに因
る。
【0025】実施例1 上述の図1の構成において、第2の上層のクラッド層4
bの厚さを1.5μmとし、第2の下層のクラッド層4
aの厚さを0.25μmとし、光閉じ込め層6の厚さを
70nmとし、ストライプ幅を3μmとした。また、活
性層3を3層のウエルを有するMQW構造とし、このM
QWを挟んでその上下に厚さ50nmのガイド層をエピ
タキシーした。そして、MQWのウエル数nは3とし、
このウエルは、厚さ10nmのAl0.12Ga0.88As薄
膜層とし、バリア層は厚さ5.5nmのAl0.3 Ga
0.7 Asの薄膜層とし、ガイド層は厚さ50nmの同様
のAl0.3 Ga0.7 As薄膜層とした。図6は、この実
施例1におけるエネルギーバンドモデル図の伝導帯の下
端を示したものである。この実施例1による半導体レー
ザは、Δn=3×10-3となり、γ×n=0.033×
3=0.099となる。そして、この半導体レーザでは
自励発振が生じた。
【0026】実施例2 実施例1と同様の構成とするものの、この実施例では光
閉じ込め層6の厚さを90nmとし、活性層3のウエル
数を4層とした。この実施例2による半導体レーザは、
γ×nが0.036×4=0.144となり、自励発振
が生じた。
【0027】実施例3 実施例1と同様の構成とするものの、この実施例では光
閉じ込め層6の厚さを65nmとし、活性層3のウエル
数を4層とし、各ウエルの厚さを7nmとした。この実
施例3による半導体レーザは、γ×nが0.023×4
=0.092となり、この半導体レーザにおいても自励
発振が生じた。
【0028】比較例1 上述の実施例1と同様の構成によるものの、この比較例
1では光閉じ込め層の厚さを55とし、活性層3のウエ
ル数を3層とし、各ウエルの厚さを7nmとした。この
比較例1による半導体レーザは、γ×nが0.022×
3=0.066となり、この半導体レーザにおいても自
励発振が生じなかった。
【0029】比較例2 上述の実施例1と同様の構成によるものの、この比較例
2では光閉じ込め層の厚さを50とし、活性層3のウエ
ル数を2層とし、各ウエルの厚さを10nmとした。こ
の比較例1による半導体レーザは、γ×nが0.030
×2=0.060となり、この半導体レーザにおいても
自励発振が生じなかった。
【0030】上述の実施例1〜3および比較例1および
2の各部の構成と、水平方向の実効的屈折率の差Δn、
γ×nの各値と、自励発振の可(○印)、不可(×)と
を下記表1に列記する。
【0031】
【表1】
【0032】すなわち、上述した本発明構成によれば、
活性層3に図1において領域Aをもって示すように、電
流狭窄層5によって規制された電流通路からの電流注入
領域より外側において、所要の光分布領域を形成するこ
とができ、此処に可飽和吸収体領域を形成することがで
きることによって自励発振を生じさせることができるも
のである。
【0033】尚、本発明による半導体レーザは上述した
例に限られるものではなく、種々の変形変更を行うこと
ができる。例えば、図7AおよびBに示すように、第2
の下層クラッド層4a、第2の上層クラッド層4b、電
流狭窄層5を異なるAl組成とし、第2の上層クラッド
層4bと電流狭窄層5を互いに異なるAl組成とするこ
とができ、この場合図7Bに示すように、光閉じ込め層
6を省略することができる。図7AおよびBにおいて、
図1と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省
略するが、図7Aに示す例では、第2の下層クラッド層
4aがAlx Ga1-x Asにより構成され、第2の上層
クラッド層4bがAlx1Ga1-x1Asにより構成され、
電流狭窄層5Alx2Ga1-x2Asにより構成され、光閉
じ込め層6がAly Ga1-y Asにより構成され、x1
≧y,x2 >yとしたものである。図7Bにおいては、
第2の下層クラッド層4a、第2の上層クラッド層4
b、電流狭窄層5を図7Bと同様に異なるAl組成と
し、第2の上層クラッド層4bと電流狭窄層5を互いに
異なるAl組成とするものであるが、この場合x2 >x
1 であって光閉じ込め層6を省略している。
【0034】また、本発明による半導体レーザの構造
は、上述した各例に限定されるものではなく、例えば図
8Aに示すように、光閉じ込め層6や、キャップ層7を
電流狭窄層5上に跨がって全面的に形成するとか、図8
Bに示すように、電流狭窄層を省略する構成とすること
もできる。図8AおよびBにおいて、図1および図7
A,Bと対応する部分には同一符号を付して重複説明を
省略する。
【0035】また、図示の例では第1導電型がn型で、
第2導電型がp型である場合を示したものであるが、こ
れと逆導電型に選定するとか、上述の構成に限られるも
のではなく、例えば上述の構成において第2のキャップ
層8を省略するなどの変形変更を行うことができる。
【0036】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、消費
電力の低減化をはかって活性層において、MQW構成を
とった場合において、確実に自励発振がなされる半導体
レーザを構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体レーザの一実施例の概略断
面図である。
【図2】本発明による半導体レーザの一実施例を説明す
るに供するその一製造方法の一工程における概略断面図
である。
【図3】本発明による半導体レーザの一実施例を説明す
るに供するその一製造方法の一工程における概略断面図
である。
【図4】本発明による半導体レーザの一実施例を説明す
るに供するその一製造方法の一工程における概略断面図
である。
【図5】本発明による半導体レーザの一実施例を説明す
るに供するその一製造方法の一工程における概略断面図
である。
【図6】本発明による半導体レーザの実施例1の活性層
近傍のエネルギーバンドのモデル図である。
【図7】Aは本発明による半導体レーザーの他の実施例
の概略断面図である。Bは本発明による半導体レーザー
の他の実施例の概略断面図である。
【図8】Aは本発明による半導体レーザーの他の実施例
の概略断面図である。Bは本発明による半導体レーザー
の他の実施例の概略断面図である。
【符号の説明】
1 基板 2 第1のクラッド層 3 活性層 4a 第2の下層クラッド層 4b 第2の上層クラッド層 5 電流狭窄層 6 光閉じ込め層 A 可飽和吸収体領域

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも第1のクラッド層と、量子井
    戸構造による活性層と、第2のクラッド層と、上記活性
    層にストライプ状の電流注入領域を形成するストライプ
    状の電流通路を形成する電流狭搾層とが形成されてなる
    実屈折率導波型の半導体レーザにおいて、 上記電流通路のストライプ幅が2μm〜5μm、 水平方向の実効的屈折率の差が1×10-3〜5×1
    -3、 上記活性層のストライプ状の電流注入領域より外側での
    上記量子井戸構造の1ウエル当たりの光閉じ込め係数γ
    と、ウエル数nとが、γ×n>0.09としたことを特
    徴とする半導体レーザ。
  2. 【請求項2】 ストライプ状電流通路が、その両側に上
    記電流狭窄層が配置されて形成され、上記電流狭窄層に
    よって挟まれた上記電流通路に、光閉じ込め層が形成さ
    れてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体レー
    ザ。
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