JPH08274246A - リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法Info
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- JPH08274246A JPH08274246A JP7074336A JP7433695A JPH08274246A JP H08274246 A JPH08274246 A JP H08274246A JP 7074336 A JP7074336 A JP 7074336A JP 7433695 A JP7433695 A JP 7433695A JP H08274246 A JPH08274246 A JP H08274246A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性の向上を図るリードフレームおよびそ
れを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法を
提供する。 【構成】 リードフレーム1におけるリード部1aの表
面において、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクラン
プ部に接触する箇所に絶縁性フィルム4が設置され、絶
縁性フィルム4が細巾の枠状に形成されたダムバーであ
り、絶縁性フィルム4はその弾性率が100MPa以上
1.3GPa以下、好ましくは、100MPa以上0.9GPa以下
の範囲で形成され、樹脂封止時に、ダムバーである絶縁
性フィルム4は金型のクランプ部によってリード部1a
間に押し込まれ、封止樹脂の流出を防ぐ。
れを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法を
提供する。 【構成】 リードフレーム1におけるリード部1aの表
面において、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクラン
プ部に接触する箇所に絶縁性フィルム4が設置され、絶
縁性フィルム4が細巾の枠状に形成されたダムバーであ
り、絶縁性フィルム4はその弾性率が100MPa以上
1.3GPa以下、好ましくは、100MPa以上0.9GPa以下
の範囲で形成され、樹脂封止時に、ダムバーである絶縁
性フィルム4は金型のクランプ部によってリード部1a
間に押し込まれ、封止樹脂の流出を防ぐ。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、リードフレームのリード部に絶縁性部材を
設置し、樹脂によって封止を行うリードフレームおよび
それを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法
に関するものである。
関し、特に、リードフレームのリード部に絶縁性部材を
設置し、樹脂によって封止を行うリードフレームおよび
それを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【0003】半導体集積回路装置は高集積化、多機能化
に伴い多ピン化の傾向にある。このような多ピン化に対
応するパッケージ技術として、特開昭58−28841
号公報に記載されているように、金型のキャビティ周縁
部に沿ってポリイミド樹脂などの可圧縮性絶縁テープを
リードフレーム上に配し、金型のクランプ時に前記可圧
縮性絶縁テープをリードフレーム間に押し込み、樹脂の
流出を防止するダムを形成させる方法がある。
に伴い多ピン化の傾向にある。このような多ピン化に対
応するパッケージ技術として、特開昭58−28841
号公報に記載されているように、金型のキャビティ周縁
部に沿ってポリイミド樹脂などの可圧縮性絶縁テープを
リードフレーム上に配し、金型のクランプ時に前記可圧
縮性絶縁テープをリードフレーム間に押し込み、樹脂の
流出を防止するダムを形成させる方法がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術において、前記ポリイミド樹脂などの可圧縮性絶縁テ
ープを金型のクランプ時にリードフレーム間に押し込む
際に、前記可圧縮性絶縁テープが硬いと、リードフレー
ムに損傷を生じる。
術において、前記ポリイミド樹脂などの可圧縮性絶縁テ
ープを金型のクランプ時にリードフレーム間に押し込む
際に、前記可圧縮性絶縁テープが硬いと、リードフレー
ムに損傷を生じる。
【0005】これにより、リードフレームが変形し、イ
ンナリードやダイパッドに変位を生じる。また、ボンデ
ィングワイヤの変位、または樹脂中におけるボイドの発
生を引き起こす。
ンナリードやダイパッドに変位を生じる。また、ボンデ
ィングワイヤの変位、または樹脂中におけるボイドの発
生を引き起こす。
【0006】その結果、半導体集積回路装置の電気特性
が低下するという問題が発生する。さらに、半導体集積
回路装置の本体部の反りが大きくなり、成形後のアウタ
リードが平坦に並ばないという問題がある。
が低下するという問題が発生する。さらに、半導体集積
回路装置の本体部の反りが大きくなり、成形後のアウタ
リードが平坦に並ばないという問題がある。
【0007】そこで、本発明の目的は、信頼性の向上を
図るリードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路
装置ならびにその製造方法を提供することにある。
図るリードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路
装置ならびにその製造方法を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0010】すなわち、本発明によるリードフレーム
は、そのリード部の表裏面の少なくともどちらか一方の
面において、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクラン
プ部に接触する箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁
性部材の弾性率が100MPa以上 1.3GPa以下である。
は、そのリード部の表裏面の少なくともどちらか一方の
面において、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクラン
プ部に接触する箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁
性部材の弾性率が100MPa以上 1.3GPa以下である。
【0011】さらに、本発明によるリードフレームは、
そのリード部の表裏面の少なくともどちらか一方の面に
おいて、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部
に接触する箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部
材の弾性率が100MPa以上0.9GPa以下である。
そのリード部の表裏面の少なくともどちらか一方の面に
おいて、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部
に接触する箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部
材の弾性率が100MPa以上0.9GPa以下である。
【0012】なお、本発明によるリードフレームは、前
記絶縁性部材の体積抵抗率が5×1015Ω・cm以上で
ある。
記絶縁性部材の体積抵抗率が5×1015Ω・cm以上で
ある。
【0013】さらに、本発明によるリードフレームは、
前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フィルムによって形成さ
れたダムバーである。
前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フィルムによって形成さ
れたダムバーである。
【0014】また、本発明による半導体集積回路装置
は、前記リードフレームに搭載された半導体素子が樹脂
封止されているものである。
は、前記リードフレームに搭載された半導体素子が樹脂
封止されているものである。
【0015】なお、本発明による半導体集積回路装置の
製造方法は、半導体素子を搭載するリードフレームのリ
ード部の表裏面の少なくともどちらか一方の面におい
て、樹脂封止時に金型のクランプ部に接触する箇所に、
注入部材を用いて絶縁性部材である液状樹脂を吐出させ
て塗布した後、樹脂封止するものである。
製造方法は、半導体素子を搭載するリードフレームのリ
ード部の表裏面の少なくともどちらか一方の面におい
て、樹脂封止時に金型のクランプ部に接触する箇所に、
注入部材を用いて絶縁性部材である液状樹脂を吐出させ
て塗布した後、樹脂封止するものである。
【0016】
【作用】上記した手段によれば、リードフレームのリー
ド部の表裏面の少なくともどちらか一方の面において、
樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触す
る箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性
率が100MPa以上 1.3GPa以下であることにより、リ
ードフレームが樹脂封止時に金型によってクランプされ
ても、リードフレームへの損傷を低減し、リードフレー
ムの変形を防止することができる。さらに、樹脂封止時
の樹脂漏れを防止することもできる。
ド部の表裏面の少なくともどちらか一方の面において、
樹脂封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触す
る箇所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性
率が100MPa以上 1.3GPa以下であることにより、リ
ードフレームが樹脂封止時に金型によってクランプされ
ても、リードフレームへの損傷を低減し、リードフレー
ムの変形を防止することができる。さらに、樹脂封止時
の樹脂漏れを防止することもできる。
【0017】また、前記絶縁性部材の弾性率が100M
Pa以上 0.9GPa以下であることにより、インナリードの
変形をさらに低減することができる。
Pa以上 0.9GPa以下であることにより、インナリードの
変形をさらに低減することができる。
【0018】なお、前記絶縁性部材の体積抵抗率が5×
1015Ω・cm以上であることにより、リードフレーム
におけるリード間のショートなどの電気的不良を低減す
ることができる。
1015Ω・cm以上であることにより、リードフレーム
におけるリード間のショートなどの電気的不良を低減す
ることができる。
【0019】また、前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フィ
ルムによって形成されたダムバーであることにより、前
記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹脂封止時の
樹脂漏れを防止することができる。
ルムによって形成されたダムバーであることにより、前
記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹脂封止時の
樹脂漏れを防止することができる。
【0020】さらに、前記リードフレームに搭載された
半導体素子が樹脂封止されている半導体集積回路装置で
あることにより、半導体集積回路装置の電気特性の低下
を防止でき、また、半導体集積回路装置の本体部の反り
を低減できるため、成形後のアウタリードを平坦に配置
することができる。
半導体素子が樹脂封止されている半導体集積回路装置で
あることにより、半導体集積回路装置の電気特性の低下
を防止でき、また、半導体集積回路装置の本体部の反り
を低減できるため、成形後のアウタリードを平坦に配置
することができる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【0022】図1は本発明のリードフレームの構造の一
実施例を示す平面図、図2は図1に示す本発明のリード
フレームにおける金型クランプ時のA−A断面の構造の
一実施例を示す部分断面図、図3は本発明の半導体集積
回路装置の構造の一実施例を示す断面図、図4は本発明
のリードフレームに設置された絶縁性フィルムの樹脂封
止温度における弾性率とインナリード変位量との関係の
一実施例を示す試験結果図、図5は本発明のリードフレ
ームに設置された絶縁性フィルムの樹脂封止温度におけ
る弾性率とダイパッド変位量との関係の一実施例を示す
試験結果図、図6は本発明のリードフレームに設置され
た絶縁性フィルムの樹脂封止温度における弾性率と封止
樹脂漏れの発生率との関係の一実施例を示す試験結果
図、図7は本発明のリードフレームに設置された絶縁性
フィルムの高温試験データの一例を示す試験結果図であ
る。
実施例を示す平面図、図2は図1に示す本発明のリード
フレームにおける金型クランプ時のA−A断面の構造の
一実施例を示す部分断面図、図3は本発明の半導体集積
回路装置の構造の一実施例を示す断面図、図4は本発明
のリードフレームに設置された絶縁性フィルムの樹脂封
止温度における弾性率とインナリード変位量との関係の
一実施例を示す試験結果図、図5は本発明のリードフレ
ームに設置された絶縁性フィルムの樹脂封止温度におけ
る弾性率とダイパッド変位量との関係の一実施例を示す
試験結果図、図6は本発明のリードフレームに設置され
た絶縁性フィルムの樹脂封止温度における弾性率と封止
樹脂漏れの発生率との関係の一実施例を示す試験結果
図、図7は本発明のリードフレームに設置された絶縁性
フィルムの高温試験データの一例を示す試験結果図であ
る。
【0023】まず、本実施例のリードフレームの構造に
ついて説明すると、リードフレーム1におけるリード部
1aの表面(ここでは、半導体素子2を搭載する側の面
を表面といい、以降、その反対側の面を裏面という)に
おいて、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型3のクランプ
部に接触する箇所(以降、モールドラインという)に絶
縁性部材である絶縁性フィルム4が設置されているもの
である。
ついて説明すると、リードフレーム1におけるリード部
1aの表面(ここでは、半導体素子2を搭載する側の面
を表面といい、以降、その反対側の面を裏面という)に
おいて、樹脂封止時に樹脂成形を行う金型3のクランプ
部に接触する箇所(以降、モールドラインという)に絶
縁性部材である絶縁性フィルム4が設置されているもの
である。
【0024】ここで、本実施例による絶縁性部材は、細
巾の絶縁性フィルム4によって形成されたダムバーであ
り、その弾性率(本実施例で説明する弾性率は、縦弾性
率である)が100MPa以上 1.3GPa以下の範囲で形成
されている。
巾の絶縁性フィルム4によって形成されたダムバーであ
り、その弾性率(本実施例で説明する弾性率は、縦弾性
率である)が100MPa以上 1.3GPa以下の範囲で形成
されている。
【0025】これは、樹脂封止の際の金型3のクランプ
時にリードフレーム1の変形によって発生するダイパッ
ド変位量1bは、0.2 mm程度が許容範囲とされているた
め、絶縁性フィルム4の弾性率を図5に示すように 1.3
GPa以下とすることにより、前記ダイパッド変位量1b
を0.2 mm以内に抑えるものである。
時にリードフレーム1の変形によって発生するダイパッ
ド変位量1bは、0.2 mm程度が許容範囲とされているた
め、絶縁性フィルム4の弾性率を図5に示すように 1.3
GPa以下とすることにより、前記ダイパッド変位量1b
を0.2 mm以内に抑えるものである。
【0026】また、絶縁性フィルム4の弾性率を図6に
示すように、100MPa以上とすることにより、樹脂封
止の際の封止樹脂漏れの発生率を0%にすることができ
る。すなわち、前記弾性率が100MPaより小さい時に
は、封止樹脂漏れが発生しており、100MPaより大き
いと、封止樹脂漏れは発生していない。
示すように、100MPa以上とすることにより、樹脂封
止の際の封止樹脂漏れの発生率を0%にすることができ
る。すなわち、前記弾性率が100MPaより小さい時に
は、封止樹脂漏れが発生しており、100MPaより大き
いと、封止樹脂漏れは発生していない。
【0027】これにより、絶縁性フィルム4の弾性率を
100MPa以上 1.3GPa以下の範囲にする。
100MPa以上 1.3GPa以下の範囲にする。
【0028】なお、樹脂封止の際の金型3のクランプ時
にリードフレーム1の変形によって発生するインナリー
ド変位量1cは、0.1 mm程度が許容範囲とされているた
め、絶縁性フィルム4の弾性率を図4に示すように 0.9
GPa以下とすることにより、前記インナリード変位量1
cを0.1 mm以内に抑えることができる。
にリードフレーム1の変形によって発生するインナリー
ド変位量1cは、0.1 mm程度が許容範囲とされているた
め、絶縁性フィルム4の弾性率を図4に示すように 0.9
GPa以下とすることにより、前記インナリード変位量1
cを0.1 mm以内に抑えることができる。
【0029】つまり、本実施例によるリードフレーム1
に設置する絶縁性フィルム4の弾性率は、100MPa以
上 1.3GPa以下、好ましくは、100MPa以上 0.9GPa
以下である。
に設置する絶縁性フィルム4の弾性率は、100MPa以
上 1.3GPa以下、好ましくは、100MPa以上 0.9GPa
以下である。
【0030】したがって、絶縁性フィルム4の弾性率を
100MPa以上 0.9GPa以下とすることにより、インナ
リード変位量1cおよびダイパッド変位量1bを所定値
以内とすることができ、さらに、樹脂封止時の封止樹脂
漏れを防止することができる。
100MPa以上 0.9GPa以下とすることにより、インナ
リード変位量1cおよびダイパッド変位量1bを所定値
以内とすることができ、さらに、樹脂封止時の封止樹脂
漏れを防止することができる。
【0031】また、絶縁性フィルム4の体積抵抗率を5
×1015Ω・cm以上とすることにより、リードフレー
ム1におけるリード部1a間のショートなどの電気的不
良をさらに低減することができる。
×1015Ω・cm以上とすることにより、リードフレー
ム1におけるリード部1a間のショートなどの電気的不
良をさらに低減することができる。
【0032】これは、図7の試験結果図に示すように、
前記体積抵抗率が5×1015Ω・cm、および6×10
15Ω・cmの場合は、不良数が零であり、3×1015Ω
・cmの場合は、吸湿時間700H、1000H において不良が
発生しているため、前記体積抵抗率を5×1015Ω・c
m以上にする。
前記体積抵抗率が5×1015Ω・cm、および6×10
15Ω・cmの場合は、不良数が零であり、3×1015Ω
・cmの場合は、吸湿時間700H、1000H において不良が
発生しているため、前記体積抵抗率を5×1015Ω・c
m以上にする。
【0033】なお、図7に示す試験結果図は、エポキシ
系の液状樹脂によってダムバーを形成し、85℃/85
%RHの高温環境において、吸湿時間を100H〜1000H と
して、リード部1a間電流の測定により不良の有無を調
査したものである。この時、前記リード部1a間電流が
150μA に達したものを不良と判定した。
系の液状樹脂によってダムバーを形成し、85℃/85
%RHの高温環境において、吸湿時間を100H〜1000H と
して、リード部1a間電流の測定により不良の有無を調
査したものである。この時、前記リード部1a間電流が
150μA に達したものを不良と判定した。
【0034】ここで、本実施例の絶縁性部材である絶縁
性フィルム4の体積抵抗率は5×1015Ω・cm以上で
あるが、絶縁性フィルム4の弾性率が100MPa以上
1.3GPa以下、または、100MPa以上 0.9GPa以下で
あれば、前記体積抵抗率は5×1015Ω・cmよりも小
さくてもよい。
性フィルム4の体積抵抗率は5×1015Ω・cm以上で
あるが、絶縁性フィルム4の弾性率が100MPa以上
1.3GPa以下、または、100MPa以上 0.9GPa以下で
あれば、前記体積抵抗率は5×1015Ω・cmよりも小
さくてもよい。
【0035】また、本実施例による絶縁性フィルム4
は、リードフレーム1のリード部1a上のモールドライ
ンに合わせて貼付したものである。したがって、四角形
の枠状を成すものである。
は、リードフレーム1のリード部1a上のモールドライ
ンに合わせて貼付したものである。したがって、四角形
の枠状を成すものである。
【0036】さらに、絶縁性フィルム4は、例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリ
フェニレンスルフェイト、ポリブチレンテレフタレート
などの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化樹脂
をそれぞれ単独あるいは二種類以上混合して形成したも
のである。
リエチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリ
フェニレンスルフェイト、ポリブチレンテレフタレート
などの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化樹脂
をそれぞれ単独あるいは二種類以上混合して形成したも
のである。
【0037】なお、本実施例による半導体集積回路装置
は、絶縁性フィルム4が設置されたリードフレーム1に
搭載した半導体素子2が樹脂封止されているQFP(Qu
ad Flat Package)タイプのものであり、その構成につい
て説明すると、半導体素子2を搭載するダイパッド1d
を有しかつリード部1aの前記モールドライン上に絶縁
性部材である絶縁性フィルム4が設置されたリードフレ
ーム1と、半導体素子2およびボンディングワイヤ5を
含んだその周辺部を封止する封止樹脂6とによって構成
されている。
は、絶縁性フィルム4が設置されたリードフレーム1に
搭載した半導体素子2が樹脂封止されているQFP(Qu
ad Flat Package)タイプのものであり、その構成につい
て説明すると、半導体素子2を搭載するダイパッド1d
を有しかつリード部1aの前記モールドライン上に絶縁
性部材である絶縁性フィルム4が設置されたリードフレ
ーム1と、半導体素子2およびボンディングワイヤ5を
含んだその周辺部を封止する封止樹脂6とによって構成
されている。
【0038】ここで、ダイパッド1dは、タブ吊りリー
ド1gによって支持されている。また、ボンディングワ
イヤ5は、その代わりにはんだボールなどを使用しても
よく、さらに、前記半導体集積回路装置は、樹脂封止形
であれば他のSOP(SmallOutline Package)やSOJ
(Small Outline J-leaded Package) タイプなどのもの
であってもよい。
ド1gによって支持されている。また、ボンディングワ
イヤ5は、その代わりにはんだボールなどを使用しても
よく、さらに、前記半導体集積回路装置は、樹脂封止形
であれば他のSOP(SmallOutline Package)やSOJ
(Small Outline J-leaded Package) タイプなどのもの
であってもよい。
【0039】次に、本実施例による半導体集積回路装置
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【0040】まず、接着剤などを塗布した絶縁性部材で
ある絶縁性フィルム4を金型3などによって切断して形
成する。つまり、リードフレーム1の前記モールドライ
ンに沿う四角形でかつ細巾の枠状に形成する。
ある絶縁性フィルム4を金型3などによって切断して形
成する。つまり、リードフレーム1の前記モールドライ
ンに沿う四角形でかつ細巾の枠状に形成する。
【0041】続いて、絶縁性フィルム4をリードフレー
ム1の所定位置、すなわちリード部1aの前記モールド
ライン上に載置し、加熱、圧着することにより、絶縁性
フィルム4をリードフレーム1に設置する。
ム1の所定位置、すなわちリード部1aの前記モールド
ライン上に載置し、加熱、圧着することにより、絶縁性
フィルム4をリードフレーム1に設置する。
【0042】さらに、リードフレーム1のダイパッド1
dに接着剤などを介して半導体素子2を固定し、インナ
リード1eと半導体素子2とをAuなどのボンディング
ワイヤ5によって電気的に接続する。
dに接着剤などを介して半導体素子2を固定し、インナ
リード1eと半導体素子2とをAuなどのボンディング
ワイヤ5によって電気的に接続する。
【0043】その後、封止樹脂6によって半導体素子2
とその周辺部を封止する。この時、金型3のクランプに
よって、絶縁性フィルム4はリード部1a間に押し込ま
れダムの役割をする。
とその周辺部を封止する。この時、金型3のクランプに
よって、絶縁性フィルム4はリード部1a間に押し込ま
れダムの役割をする。
【0044】したがって、前記ダムバーである絶縁性フ
ィルム4によって封止樹脂6の流出を防止する。
ィルム4によって封止樹脂6の流出を防止する。
【0045】次に、本実施例のリードフレームおよびそ
れを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法に
よって得られる効果について説明する。
れを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法に
よって得られる効果について説明する。
【0046】すなわち、リードフレーム1のリード部1
aの表裏面の少なくともどちらか一方の面において、樹
脂封止時に樹脂成形を行う金型3のクランプ部に接触す
る箇所(モールドライン)に絶縁性フィルム4が設置さ
れ、絶縁性フィルム4の弾性率が100MPa以上 1.3G
Pa以下であることにより、リードフレーム1が樹脂封止
時に金型3によってクランプされても、リードフレーム
1への損傷を低減し、リードフレーム1の変形を防止す
ることができる。さらに、樹脂封止時の樹脂漏れを防止
することもできる。
aの表裏面の少なくともどちらか一方の面において、樹
脂封止時に樹脂成形を行う金型3のクランプ部に接触す
る箇所(モールドライン)に絶縁性フィルム4が設置さ
れ、絶縁性フィルム4の弾性率が100MPa以上 1.3G
Pa以下であることにより、リードフレーム1が樹脂封止
時に金型3によってクランプされても、リードフレーム
1への損傷を低減し、リードフレーム1の変形を防止す
ることができる。さらに、樹脂封止時の樹脂漏れを防止
することもできる。
【0047】これにより、インナリード1eまたはダイ
パッド1dが変位することを防止できるため、ボンディ
ングワイヤ5の変形や封止樹脂6中のボイドの発生を防
ぐことができる。
パッド1dが変位することを防止できるため、ボンディ
ングワイヤ5の変形や封止樹脂6中のボイドの発生を防
ぐことができる。
【0048】また、絶縁性フィルム4の弾性率が100
MPa以上 0.9GPa以下であることにより、インナリード
1eの変形をさらに低減することができる。
MPa以上 0.9GPa以下であることにより、インナリード
1eの変形をさらに低減することができる。
【0049】なお、絶縁性フィルム4の体積抵抗率が5
×1015Ω・cm以上であることにより、リードフレー
ム1におけるリード部1a間のショートなどの電気的不
良を低減することができる。
×1015Ω・cm以上であることにより、リードフレー
ム1におけるリード部1a間のショートなどの電気的不
良を低減することができる。
【0050】さらに、本実施例の絶縁性部材が細巾の絶
縁性フィルム4によって形成されたダムバーであること
により、前記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹
脂封止時の樹脂漏れを防止することができる。
縁性フィルム4によって形成されたダムバーであること
により、前記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹
脂封止時の樹脂漏れを防止することができる。
【0051】また、リードフレーム1に搭載された半導
体素子2が樹脂封止されている半導体集積回路装置であ
ることにより、前記半導体集積回路装置の電気特性の低
下を防止でき、また、前記半導体集積回路装置の本体部
の反りを低減できるため、成形後のアウタリード1fを
平坦に配置することができる。
体素子2が樹脂封止されている半導体集積回路装置であ
ることにより、前記半導体集積回路装置の電気特性の低
下を防止でき、また、前記半導体集積回路装置の本体部
の反りを低減できるため、成形後のアウタリード1fを
平坦に配置することができる。
【0052】これにより、前記半導体集積回路装置の信
頼性の向上を図ることができる。
頼性の向上を図ることができる。
【0053】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0054】例えば、前記実施例で説明した絶縁性部材
は絶縁性フィルムであったが、前記絶縁性部材は、前記
実施例で説明した範囲の弾性率または体積抵抗率を有す
るものであれば、絶縁性テープなどであってもよく、さ
らに、ポッティングによる液状樹脂によって形成された
ダムバーなどであってもよい。
は絶縁性フィルムであったが、前記絶縁性部材は、前記
実施例で説明した範囲の弾性率または体積抵抗率を有す
るものであれば、絶縁性テープなどであってもよく、さ
らに、ポッティングによる液状樹脂によって形成された
ダムバーなどであってもよい。
【0055】また、リードフレームにおいて、前記絶縁
性部材を設置する箇所は、リードフレームのリード部の
モールドライン上であれば、その表裏どちらの面でもよ
く、さらに、両方の面に厚さを薄くして設置してもよ
い。
性部材を設置する箇所は、リードフレームのリード部の
モールドライン上であれば、その表裏どちらの面でもよ
く、さらに、両方の面に厚さを薄くして設置してもよ
い。
【0056】なお、図8は前記ポッティングによる液状
樹脂を用いた場合のリードフレームの製造工程を示す図
である。
樹脂を用いた場合のリードフレームの製造工程を示す図
である。
【0057】これは、半導体素子2を搭載するリードフ
レーム1のリード部1aの表裏面の少なくともどちらか
一方の面において、樹脂封止時に金型3のクランプ部に
接触する箇所(モールドライン)に、絶縁性部材である
液状樹脂8を吐出させて塗布した後、樹脂封止するもの
である。
レーム1のリード部1aの表裏面の少なくともどちらか
一方の面において、樹脂封止時に金型3のクランプ部に
接触する箇所(モールドライン)に、絶縁性部材である
液状樹脂8を吐出させて塗布した後、樹脂封止するもの
である。
【0058】この時、液状樹脂8の塗布には、シリンジ
などの注入部材7を用い、その先端のノズルから液状樹
脂8を吐出するものである。
などの注入部材7を用い、その先端のノズルから液状樹
脂8を吐出するものである。
【0059】また、液状樹脂8の塗布の代わりに、リー
ドフレーム1におけるダムバーの必要な箇所に、窓を設
けたシルクスクリーンやメタルマスクなどを用いて、ス
キージ(へら)によって他の樹脂などの絶縁性部材を塗
布してもよい。
ドフレーム1におけるダムバーの必要な箇所に、窓を設
けたシルクスクリーンやメタルマスクなどを用いて、ス
キージ(へら)によって他の樹脂などの絶縁性部材を塗
布してもよい。
【0060】これによっても、前記実施例で説明したリ
ードフレームと同様の効果を得ることができる。
ードフレームと同様の効果を得ることができる。
【0061】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0062】(1).リードフレームのリード部の表裏
面の少なくともどちらか一方の面において、樹脂封止時
に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触する箇所に絶
縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性率が100
MPa以上 1.3GPa以下であることにより、リードフレー
ムが樹脂封止時に金型によってクランプされても、リー
ドフレームへの損傷を低減し、リードフレームの変形を
防止することができる。さらに、樹脂封止時の樹脂漏れ
を防止することもできる。
面の少なくともどちらか一方の面において、樹脂封止時
に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触する箇所に絶
縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性率が100
MPa以上 1.3GPa以下であることにより、リードフレー
ムが樹脂封止時に金型によってクランプされても、リー
ドフレームへの損傷を低減し、リードフレームの変形を
防止することができる。さらに、樹脂封止時の樹脂漏れ
を防止することもできる。
【0063】これにより、インナリードまたはダイパッ
ドが変位することを防止できるため、ボンディングワイ
ヤの変形や樹脂中のボイドの発生を防ぐことができる。
ドが変位することを防止できるため、ボンディングワイ
ヤの変形や樹脂中のボイドの発生を防ぐことができる。
【0064】(2).前記絶縁性部材の弾性率が100
MPa以上 0.9GPa以下であることにより、インナリード
の変形をさらに低減することができる。
MPa以上 0.9GPa以下であることにより、インナリード
の変形をさらに低減することができる。
【0065】(3).前記絶縁性部材の体積抵抗率が5
×1015Ω・cm以上であることにより、リードフレー
ムにおけるリード間のショートなどの電気的不良を低減
することができる。
×1015Ω・cm以上であることにより、リードフレー
ムにおけるリード間のショートなどの電気的不良を低減
することができる。
【0066】(4).前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フ
ィルムによって形成されたダムバーであることにより、
前記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹脂封止時
の樹脂漏れを防止することができる。
ィルムによって形成されたダムバーであることにより、
前記ダムバーを切断する必要がなく、かつ、樹脂封止時
の樹脂漏れを防止することができる。
【0067】(5).前記リードフレームに搭載された
半導体素子が樹脂封止されている半導体集積回路装置で
あることにより、半導体集積回路装置の電気特性の低下
を防止でき、また、半導体集積回路装置の本体部の反り
を低減できるため、成形後のアウタリードを平坦に配置
することができる。これにより、半導体集積回路装置の
信頼性の向上を図ることができる。
半導体素子が樹脂封止されている半導体集積回路装置で
あることにより、半導体集積回路装置の電気特性の低下
を防止でき、また、半導体集積回路装置の本体部の反り
を低減できるため、成形後のアウタリードを平坦に配置
することができる。これにより、半導体集積回路装置の
信頼性の向上を図ることができる。
【図1】本発明のリードフレームの構造の一実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図2】図1に示す本発明のリードフレームにおける金
型クランプ時のA−A断面の構造の一実施例を示す部分
断面図である。
型クランプ時のA−A断面の構造の一実施例を示す部分
断面図である。
【図3】本発明の半導体集積回路装置の構造の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図4】本発明のリードフレームに設置された絶縁性フ
ィルムの樹脂封止温度における弾性率とインナリード変
位量との関係の一実施例を示す試験結果図である。
ィルムの樹脂封止温度における弾性率とインナリード変
位量との関係の一実施例を示す試験結果図である。
【図5】本発明のリードフレームに設置された絶縁性フ
ィルムの樹脂封止温度における弾性率とダイパッド変位
量との関係の一実施例を示す試験結果図である。
ィルムの樹脂封止温度における弾性率とダイパッド変位
量との関係の一実施例を示す試験結果図である。
【図6】本発明のリードフレームに設置された絶縁性フ
ィルムの樹脂封止温度における弾性率と封止樹脂漏れの
発生率との関係の一実施例を示す試験結果図である。
ィルムの樹脂封止温度における弾性率と封止樹脂漏れの
発生率との関係の一実施例を示す試験結果図である。
【図7】本発明のリードフレームに設置された絶縁性フ
ィルムの高温試験データの一例を示す試験結果図であ
る。
ィルムの高温試験データの一例を示す試験結果図であ
る。
【図8】本発明の他の実施例であるリードフレームを用
いた半導体集積回路装置の製造方法の一例を示す平面図
である。
いた半導体集積回路装置の製造方法の一例を示す平面図
である。
1 リードフレーム 1a リード部 1b ダイパッド変位量 1c インナリード変位量 1d ダイパッド 1e インナリード 1f アウタリード 1g タブ吊りリード 2 半導体素子 3 金型 4 絶縁性フィルム(絶縁性部材) 5 ボンディングワイヤ 6 封止樹脂 7 注入部材 8 液状樹脂(絶縁性部材)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊池 卓 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (7)
- 【請求項1】 半導体素子を搭載して樹脂封止されるリ
ードフレームであって、前記リードフレームのリード部
の表裏面の少なくともどちらか一方の面において、樹脂
封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触する箇
所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性率が
100MPa以上 1.3GPa以下であることを特徴とするリ
ードフレーム。 - 【請求項2】 半導体素子を搭載して樹脂封止されるリ
ードフレームであって、前記リードフレームのリード部
の表裏面の少なくともどちらか一方の面において、樹脂
封止時に樹脂成形を行う金型のクランプ部に接触する箇
所に絶縁性部材が設置され、前記絶縁性部材の弾性率が
100MPa以上 0.9GPa以下であることを特徴とするリ
ードフレーム。 - 【請求項3】 請求項1または2記載のリードフレーム
であって、前記絶縁性部材の体積抵抗率が5×1015Ω
・cm以上であることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項4】 請求項1,2または3記載のリードフレ
ームであって、前記絶縁性部材が細巾の絶縁性フィルム
によって形成されたダムバーであることを特徴とするリ
ードフレーム。 - 【請求項5】 請求項1,2または3記載のリードフレ
ームであって、前記絶縁性部材がポッティングによる液
状樹脂によって形成されたダムバーであることを特徴と
するリードフレーム。 - 【請求項6】 請求項1,2,3,4または5記載のリ
ードフレームに搭載された半導体素子が樹脂封止されて
いることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項7】 半導体素子が樹脂によって封止される半
導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体素子
を搭載するリードフレームのリード部の表裏面の少なく
ともどちらか一方の面において、樹脂封止時に金型のク
ランプ部に接触する箇所に、注入部材を用いて絶縁性部
材である液状樹脂を吐出させて塗布した後、樹脂封止す
ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7074336A JPH08274246A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7074336A JPH08274246A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08274246A true JPH08274246A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13544185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7074336A Pending JPH08274246A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08274246A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008056044A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 熱媒体加熱装置およびそれを用いた車両用空調装置 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7074336A patent/JPH08274246A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008056044A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 熱媒体加熱装置およびそれを用いた車両用空調装置 |
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