JPH08272077A - 検査装置およびこれを用いた露光装置やデバイス生産方法 - Google Patents
検査装置およびこれを用いた露光装置やデバイス生産方法Info
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- JPH08272077A JPH08272077A JP7333695A JP7333695A JPH08272077A JP H08272077 A JPH08272077 A JP H08272077A JP 7333695 A JP7333695 A JP 7333695A JP 7333695 A JP7333695 A JP 7333695A JP H08272077 A JPH08272077 A JP H08272077A
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- Japan
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- inspection
- pellicle
- signal
- exposure
- inspection apparatus
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便にして高精度に検査面の表面状態を検査
することができる検査装置を提供すること。 【構成】 ペリク2ル付きレチクル1の検査面に光を照
射する手段と、検査面から生じた光を受光するセンサ1
1bを含む光学系9bと、センサ11bからの信号に電
気的な低帯域カットフィルタを施すフィルタ手段13
と、を有することを特徴とする。
することができる検査装置を提供すること。 【構成】 ペリク2ル付きレチクル1の検査面に光を照
射する手段と、検査面から生じた光を受光するセンサ1
1bを含む光学系9bと、センサ11bからの信号に電
気的な低帯域カットフィルタを施すフィルタ手段13
と、を有することを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は検査装置、例えば半導体
製造装置で使用されるレチクルやフォトマスクに付着す
る異物を検出する表面状態検査装置に関するものであ
る。
製造装置で使用されるレチクルやフォトマスクに付着す
る異物を検出する表面状態検査装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】IC等の半導体デバイスの製造工程にお
いては、レチクル又はフォトマスク等の基板上に形成さ
れている露光用の回路パターンを半導体焼き付け装置
(ステッパ又はマスクアライナ)によりレジストが塗布
されたウエハ面上に転写して製造している。
いては、レチクル又はフォトマスク等の基板上に形成さ
れている露光用の回路パターンを半導体焼き付け装置
(ステッパ又はマスクアライナ)によりレジストが塗布
されたウエハ面上に転写して製造している。
【0003】この際、基板面上にパターン欠陥やゴミ等
の異物が存在すると、本体のパターンと共に異物も転写
されてしまい、IC製造の歩留を低下させる原因となっ
てくる。特にレチクルを使用し、ステップ・アンド・リ
ピート方法により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼き付ける場合、レチクル面上に有害な一個の異物が
存在していると該異物の陰影がウエハ全面に焼き付けら
れてしまいIC製造工程の歩留を大きく低下させる原因
となってくる。
の異物が存在すると、本体のパターンと共に異物も転写
されてしまい、IC製造の歩留を低下させる原因となっ
てくる。特にレチクルを使用し、ステップ・アンド・リ
ピート方法により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼き付ける場合、レチクル面上に有害な一個の異物が
存在していると該異物の陰影がウエハ全面に焼き付けら
れてしまいIC製造工程の歩留を大きく低下させる原因
となってくる。
【0004】そのためIC製造工程においては基板上の
異物の存在を検出して除去することが不可欠となってお
り、従来より種々の検査方法が提案されている。一般に
は異物が等方的に光を散乱する性質を利用する方法が多
く用いられている。
異物の存在を検出して除去することが不可欠となってお
り、従来より種々の検査方法が提案されている。一般に
は異物が等方的に光を散乱する性質を利用する方法が多
く用いられている。
【0005】レチクルやフォトマスクの検査は、大別し
てパターニングされた基板面(パターン面)を検査する
方式(パターン面検査方式)と、その裏面のパターンの
無いブランク面、あるいは防塵用に基板に装着されたペ
リクル面を検査する方式(ペリクル面検査方式)とに分
けられる。
てパターニングされた基板面(パターン面)を検査する
方式(パターン面検査方式)と、その裏面のパターンの
無いブランク面、あるいは防塵用に基板に装着されたペ
リクル面を検査する方式(ペリクル面検査方式)とに分
けられる。
【0006】例えば特開昭62−188949号公報で
は、例えばパターン面とペリクル面といった積層する複
数の検査面に対して光束を走査して、各検査面を見込む
ように各検出手段を設けることによって、積層する複数
の面を同時に検査する検査装置が提案されている。
は、例えばパターン面とペリクル面といった積層する複
数の検査面に対して光束を走査して、各検査面を見込む
ように各検出手段を設けることによって、積層する複数
の面を同時に検査する検査装置が提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとしている課題】今後の更なる高解
像度化に対応するためには、パターン面上に集光照射さ
せる集光光束径をさらに絞り、照射輝度を上げることに
よって異物からの散乱光強度を上げる手法が有効である
が、そのためには照射光束のNAを大きくすることが好
ましい。また、回路パターンからのノイズ散乱光を低減
させるためには、レチクルに対する照射角度及び受光角
度を共に小さくする(レチクル面と照射または受光光軸
のなす角度を小さくする)ことが好ましい。
像度化に対応するためには、パターン面上に集光照射さ
せる集光光束径をさらに絞り、照射輝度を上げることに
よって異物からの散乱光強度を上げる手法が有効である
が、そのためには照射光束のNAを大きくすることが好
ましい。また、回路パターンからのノイズ散乱光を低減
させるためには、レチクルに対する照射角度及び受光角
度を共に小さくする(レチクル面と照射または受光光軸
のなす角度を小さくする)ことが好ましい。
【0008】ところが、照射光束のNAを大きくしてな
おかつレチクルに対する入射角度を小さくしてゆくと、
ペリクル面上での入射光束径が大きくなってしまう。す
ると、光束の一部がペリクル枠に当たる可能性が高ま
る。すると、その部分から散乱光が発生し、ペリクル面
を見込む検出光学系に入り込み、ペリクル枠近傍にてペ
デスタルの盛り上がりを引き起こしてしまう(図7参
照)。
おかつレチクルに対する入射角度を小さくしてゆくと、
ペリクル面上での入射光束径が大きくなってしまう。す
ると、光束の一部がペリクル枠に当たる可能性が高ま
る。すると、その部分から散乱光が発生し、ペリクル面
を見込む検出光学系に入り込み、ペリクル枠近傍にてペ
デスタルの盛り上がりを引き起こしてしまう(図7参
照)。
【0009】つまり、ペリクル枠近傍では、純粋な異物
からの散乱光信号に上記のペデスタルの盛り上がり出力
分が加算されてしまい、正確な異物の大きさを検知する
ことが困難となる。これは検査面の検査可能な領域が狭
くなることを意味する。
からの散乱光信号に上記のペデスタルの盛り上がり出力
分が加算されてしまい、正確な異物の大きさを検知する
ことが困難となる。これは検査面の検査可能な領域が狭
くなることを意味する。
【0010】本発明は上記従来の技術が有する課題を解
決するものであり、簡便にして高精度に検査面の表面状
態を検査することができる検査装置を提供すること、さ
らには、この検査装置を用いた露光装置やデバイス生産
方法などをすることを目的とするものである。
決するものであり、簡便にして高精度に検査面の表面状
態を検査することができる検査装置を提供すること、さ
らには、この検査装置を用いた露光装置やデバイス生産
方法などをすることを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の検査装置は、検査面に光を照射する手段と、検査面
から生じた光を受光するセンサを含む光学系と、該セン
サからの信号に電気的な低帯域カットフィルタを施すフ
ィルタ手段と、を有することを特徴とするものである。
明の検査装置は、検査面に光を照射する手段と、検査面
から生じた光を受光するセンサを含む光学系と、該セン
サからの信号に電気的な低帯域カットフィルタを施すフ
ィルタ手段と、を有することを特徴とするものである。
【0012】ここで、検査面は例えば積層する複数の面
の少なくとも一つである。また、検査対象は例えばペリ
クル付きレチクルであり、複数の積層する面は、第1の
面がペリクル面であり、第2の面がレチクル面である。
ペリクルはペリクル枠を介して設けられている。
の少なくとも一つである。また、検査対象は例えばペリ
クル付きレチクルであり、複数の積層する面は、第1の
面がペリクル面であり、第2の面がレチクル面である。
ペリクルはペリクル枠を介して設けられている。
【0013】また、本発明の露光装置は、上記の検査装
置を用いて基板の検査を行う手段と、該検査された基板
を用いて露光転写処理を行う手段とを有することを特徴
とするものである。
置を用いて基板の検査を行う手段と、該検査された基板
を用いて露光転写処理を行う手段とを有することを特徴
とするものである。
【0014】また、本発明のデバイス生産方法は、上記
露光装置を用いてデバイスを生産することを特徴とする
ものである。
露光装置を用いてデバイスを生産することを特徴とする
ものである。
【0015】
<実施例1>図1は本発明の第1の実施例の構成図であ
る。レーザ光源4から射出したレーザビーム6をビーム
エキスパンダ5にて幅広の平行光束に変換し、振動ミラ
ー又はポリゴンミラー等の光走査手段7とf−θレンズ
8で偏向する。この偏向光束を、所定の入射NA及び入
射角Ψでペリクル面2を透過させ、レチクルのパターン
が形成されるパターン面1a上に集光する。9aはパタ
ーン面を見込む検出光学系であり、10aは集光光学
系、11aはフォトマルチプライヤ等の光電変換素子で
ある。また、9bはペリクル面を見込む検出光学系であ
り、同様に10bは集光光学系、11bはフォトマルチ
プライヤ等の光電変換素子である。
る。レーザ光源4から射出したレーザビーム6をビーム
エキスパンダ5にて幅広の平行光束に変換し、振動ミラ
ー又はポリゴンミラー等の光走査手段7とf−θレンズ
8で偏向する。この偏向光束を、所定の入射NA及び入
射角Ψでペリクル面2を透過させ、レチクルのパターン
が形成されるパターン面1a上に集光する。9aはパタ
ーン面を見込む検出光学系であり、10aは集光光学
系、11aはフォトマルチプライヤ等の光電変換素子で
ある。また、9bはペリクル面を見込む検出光学系であ
り、同様に10bは集光光学系、11bはフォトマルチ
プライヤ等の光電変換素子である。
【0016】ペリクル面2上のレーザビーム照明領域1
7上に異物が存在した場合、この異物によってほぼ等方
的に散乱光が発生する。散乱光は集光光学系10bによ
りフォトマルチプライヤ11bの受光面に導光する。
7上に異物が存在した場合、この異物によってほぼ等方
的に散乱光が発生する。散乱光は集光光学系10bによ
りフォトマルチプライヤ11bの受光面に導光する。
【0017】I/V変換アンプ12にてフォトマルチプ
ライヤ11bからの電流値を電圧値に変換する。次いで
低帯域カットフィルタ13によりペリクル枠からのノイ
ズ成分である低周波信号成分を低減する。低帯域成分カ
ットフィルタ13は後述するように、異物信号とペリク
ル枠の散乱光によるノイズ信号との信号周波数帯域の違
いを利用して、ペリクル枠信号のノイズ出力を十分に低
下させ、かつ異物信号を低下させない周波数帯域に設定
してある。
ライヤ11bからの電流値を電圧値に変換する。次いで
低帯域カットフィルタ13によりペリクル枠からのノイ
ズ成分である低周波信号成分を低減する。低帯域成分カ
ットフィルタ13は後述するように、異物信号とペリク
ル枠の散乱光によるノイズ信号との信号周波数帯域の違
いを利用して、ペリクル枠信号のノイズ出力を十分に低
下させ、かつ異物信号を低下させない周波数帯域に設定
してある。
【0018】その後にA/Dコンバータ14によりアナ
ログ信号からデジタル信号に変換する。そして信号処理
部15では、異物の大きさや存在位置判別(マッピン
グ)等の処理を行う。
ログ信号からデジタル信号に変換する。そして信号処理
部15では、異物の大きさや存在位置判別(マッピン
グ)等の処理を行う。
【0019】以上の検出動作は、不図示のステージ機構
を用いて、レチクルを相対的に光走査方向に対して略垂
直方向(矢印方向)に移動させながら行うことで、レチ
クル全面の検査をなしている。
を用いて、レチクルを相対的に光走査方向に対して略垂
直方向(矢印方向)に移動させながら行うことで、レチ
クル全面の検査をなしている。
【0020】次に、本実施例の検出原理の詳細を説明す
る。
る。
【0021】フォトマルチプライヤからの信号は、図3
に示すように、Y方向の照射光束径と光走査速度により
決定される時系列的な信号として得られる。同図はペリ
クル面上のY方向についての光走査1ラインの信号の出
方を分かりやすくしたものであり、図3(a)は異物か
らの信号の様子を、図3(b)は照射光束の端部がペリ
クル枠にさしかかっている場合のノイズ信号の出力を示
したものである。
に示すように、Y方向の照射光束径と光走査速度により
決定される時系列的な信号として得られる。同図はペリ
クル面上のY方向についての光走査1ラインの信号の出
方を分かりやすくしたものであり、図3(a)は異物か
らの信号の様子を、図3(b)は照射光束の端部がペリ
クル枠にさしかかっている場合のノイズ信号の出力を示
したものである。
【0022】図3(a)に示すように、ペリクル上の異
物は20〜30μm と小さいために、異物信号の時間幅
tpは、Y方向の照射光束径Φと光走査速度νより、次
式(1)のようになる。
物は20〜30μm と小さいために、異物信号の時間幅
tpは、Y方向の照射光束径Φと光走査速度νより、次
式(1)のようになる。
【0023】tp = Φ/ν ・・・・・・・・ (1) 今、Φ=1.5mm 、ν= 1×105mm/sec と設定すると、時
間幅tp はおよそ15μsec であり、周波数では約66Khz
となる。
間幅tp はおよそ15μsec であり、周波数では約66Khz
となる。
【0024】一方、ペリクル枠にさしかかったときに発
生するノイズ信号の時間幅tnは連続的であり、ペリク
ル枠のY方向の長さLYを照射光束が横切る時間で決ま
り、次式(2)のようになる。
生するノイズ信号の時間幅tnは連続的であり、ペリク
ル枠のY方向の長さLYを照射光束が横切る時間で決ま
り、次式(2)のようになる。
【0025】tn= LY/ν ・・・・・・・・・ (2) LYが少なくとも100mm 以上として、時間幅tnは 1 mse
c であり、周波数は1Khzとなる。
c であり、周波数は1Khzとなる。
【0026】上記のように、異物信号がパルス的な比較
的高周波信号であるのに対して、ペリクル枠からのノイ
ズ信号はかなりの低周波信号であることがわかる。
的高周波信号であるのに対して、ペリクル枠からのノイ
ズ信号はかなりの低周波信号であることがわかる。
【0027】この信号帯域の違いを利用して、低帯域カ
ットフィルタのカットオフ周波数を約10Khz 程度に設
定すれば、異物信号の強度を低下させず不要なペリクル
枠のノイズ信号を低減させることができる。図4のグラ
フ図は本実施例で使用する低帯域カットフィルタの周波
数特性を示す。
ットフィルタのカットオフ周波数を約10Khz 程度に設
定すれば、異物信号の強度を低下させず不要なペリクル
枠のノイズ信号を低減させることができる。図4のグラ
フ図は本実施例で使用する低帯域カットフィルタの周波
数特性を示す。
【0028】図2のグラフ図は、図4に示したような低
帯域成分カットフィルタを通過した後の信号出力の様子
を表したものである。従来の図7のものに比べて、検査
領域に入り込んでくるペリクル枠近傍のペデスタルの盛
り上がりが、低帯域成分カットフィルタの作用にて低減
され、純粋な異物信号出力VPを捕らえることができ
る。そのために検査領域内の中心部とペリクル枠近傍部
とにある異物を同等の高い精度で検出することができ
る。
帯域成分カットフィルタを通過した後の信号出力の様子
を表したものである。従来の図7のものに比べて、検査
領域に入り込んでくるペリクル枠近傍のペデスタルの盛
り上がりが、低帯域成分カットフィルタの作用にて低減
され、純粋な異物信号出力VPを捕らえることができ
る。そのために検査領域内の中心部とペリクル枠近傍部
とにある異物を同等の高い精度で検出することができ
る。
【0029】なお本実施例では、ペリクル枠に対して平
行となるように光走査する構成例を挙げたが、ペリクル
枠に対して斜め方向に光走査を行う場合、あるいは入射
光束を固定し検査基板を回転または直線移動させること
によって検査基板全面の検査を行う場合などでも、低帯
域カットフィルタのカットオフ周波数を適当な周波数に
設定することで同等の効果を得ることができる。
行となるように光走査する構成例を挙げたが、ペリクル
枠に対して斜め方向に光走査を行う場合、あるいは入射
光束を固定し検査基板を回転または直線移動させること
によって検査基板全面の検査を行う場合などでも、低帯
域カットフィルタのカットオフ周波数を適当な周波数に
設定することで同等の効果を得ることができる。
【0030】また、本実施例の別の作用効果として、低
帯域カットフィルタを設けたことによって、レチクルの
パターン面の検査において、連続的な回路パターンノイ
ズと特異パルス的な異物信号の弁別を容易にしている。
すなわち、規則性を有していている回路パターンから生
成される連続的な散乱光と、異物からのパルス的な散乱
光の信号とは信号帯域が異なるため、低周波カットフィ
ルタによって回路パターンからのノイズ信号を低減し
て、異物信号の検出S/N比を向上させることができ
る。
帯域カットフィルタを設けたことによって、レチクルの
パターン面の検査において、連続的な回路パターンノイ
ズと特異パルス的な異物信号の弁別を容易にしている。
すなわち、規則性を有していている回路パターンから生
成される連続的な散乱光と、異物からのパルス的な散乱
光の信号とは信号帯域が異なるため、低周波カットフィ
ルタによって回路パターンからのノイズ信号を低減し
て、異物信号の検出S/N比を向上させることができ
る。
【0031】以上のように、低周波カットフィルタによ
って、ペリクル枠や回路パターンなどからの不要光を効
果的に除去して、高いS/N比で異物検査を行うことが
できる。
って、ペリクル枠や回路パターンなどからの不要光を効
果的に除去して、高いS/N比で異物検査を行うことが
できる。
【0032】<実施例2>図5はシリコンウエハ上にレ
チクルやフォトマスク等の原版の回路パターンを焼付け
て半導体デバイスを製造する製造システムの実施例を示
す図である。システムは大まかに、露光装置、原版収納
装置、原版検査装置、コントローラを有し、これらはク
リーンルーム内に配置される。
チクルやフォトマスク等の原版の回路パターンを焼付け
て半導体デバイスを製造する製造システムの実施例を示
す図である。システムは大まかに、露光装置、原版収納
装置、原版検査装置、コントローラを有し、これらはク
リーンルーム内に配置される。
【0033】901はエキシマレーザのような遠紫外光
源であり、902は照明系ユニットであって、露光位置
E.P.にセットされた原版を上部から同時(一括)に
所定のNA(開口数)で照明する働きを持つ。909は
原版上に形成された回路パターンをシリコンのウエハ9
10上に転写するための超高解像度レンズ系(もしくは
ミラー系)であり、焼付時にはウエハは移動ステージ9
11のステップ送りに従って1ショット毎ずらしながら
露光を繰り返す。900は露光動作に先立って原版とウ
エハを位置合わせするためのアライメント光学系であ
り、少なくとも1つの原版観察用顕微鏡系を有してい
る。以上の部材によって露光装置が構成されている。
源であり、902は照明系ユニットであって、露光位置
E.P.にセットされた原版を上部から同時(一括)に
所定のNA(開口数)で照明する働きを持つ。909は
原版上に形成された回路パターンをシリコンのウエハ9
10上に転写するための超高解像度レンズ系(もしくは
ミラー系)であり、焼付時にはウエハは移動ステージ9
11のステップ送りに従って1ショット毎ずらしながら
露光を繰り返す。900は露光動作に先立って原版とウ
エハを位置合わせするためのアライメント光学系であ
り、少なくとも1つの原版観察用顕微鏡系を有してい
る。以上の部材によって露光装置が構成されている。
【0034】一方、914は原版収納装置であり、内部
に複数の原版を収納する。913は原版検査装置であ
り、先の各実施例のいずれかの構成を含んでいる。この
原版検査装置913は、選択された原版が原版収納装置
914から引き出されて露光位置E.P.にセットされ
る前に原版上の異物検査を行なうもので、異物検査の原
理及び動作については前述のいずれかの実施例と同一で
ある。コントローラ918はシステム全体のシーケンス
を制御するためのもので、原版収納装置914、原版検
査装置913の動作指令、並びに露光装置の基本動作で
あるアライメント・露光・ウエハのステップ送り等のシ
ーケンス等を制御する。
に複数の原版を収納する。913は原版検査装置であ
り、先の各実施例のいずれかの構成を含んでいる。この
原版検査装置913は、選択された原版が原版収納装置
914から引き出されて露光位置E.P.にセットされ
る前に原版上の異物検査を行なうもので、異物検査の原
理及び動作については前述のいずれかの実施例と同一で
ある。コントローラ918はシステム全体のシーケンス
を制御するためのもので、原版収納装置914、原版検
査装置913の動作指令、並びに露光装置の基本動作で
あるアライメント・露光・ウエハのステップ送り等のシ
ーケンス等を制御する。
【0035】以下、本実施例のシステムを用いた半導体
デバイスの生産工程を示す。まず、原版収納装置914
から使用する原版を取り出し原版検査装置913にセッ
トする。次に、原版検査装置913で原版上の異物検査
を行なう。検査の結果、異物が無いことが確認されたら
この原版を露光装置の露光位置E.P.にセットする。
次に、移動ステージ911上に被露光体であるシリコン
ウエハ910をセットする。そしてステップ&リピート
方式によって移動ステージ911のステップ送りに従っ
て1ショット毎ずらしながらシリコンウエハの各領域に
原版パターンを縮小投影して露光を繰り返す。1枚のシ
リコンウエハ上に露光が済んだら、これを収容して新た
なシリコンウエハを供給し、同様にステップ&リピート
方式で原版パターンの露光を繰り返す。露光の済んだ露
光済シリコンウエハは本システムとは別に設けられた装
置で現像やエッチングなどの処理がなされる。この後
に、ダイシング、ワイヤボンディング、パッケージング
等のアッセンブリ工程を経て、半導体デバイスが製造さ
れる。本実施例によれば、従来は生産が難しかった非常
に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デバイス
を生産することができる。
デバイスの生産工程を示す。まず、原版収納装置914
から使用する原版を取り出し原版検査装置913にセッ
トする。次に、原版検査装置913で原版上の異物検査
を行なう。検査の結果、異物が無いことが確認されたら
この原版を露光装置の露光位置E.P.にセットする。
次に、移動ステージ911上に被露光体であるシリコン
ウエハ910をセットする。そしてステップ&リピート
方式によって移動ステージ911のステップ送りに従っ
て1ショット毎ずらしながらシリコンウエハの各領域に
原版パターンを縮小投影して露光を繰り返す。1枚のシ
リコンウエハ上に露光が済んだら、これを収容して新た
なシリコンウエハを供給し、同様にステップ&リピート
方式で原版パターンの露光を繰り返す。露光の済んだ露
光済シリコンウエハは本システムとは別に設けられた装
置で現像やエッチングなどの処理がなされる。この後
に、ダイシング、ワイヤボンディング、パッケージング
等のアッセンブリ工程を経て、半導体デバイスが製造さ
れる。本実施例によれば、従来は生産が難しかった非常
に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デバイス
を生産することができる。
【0036】<実施例3>図6は半導体デバイスを製造
するための原版の洗浄検査システムの実施例を示す図で
ある。システムは大まかに、原版収納装置、洗浄装置、
乾燥装置、検査装置、コントローラを有し、これらはク
リーンチャンバ内に配置される。
するための原版の洗浄検査システムの実施例を示す図で
ある。システムは大まかに、原版収納装置、洗浄装置、
乾燥装置、検査装置、コントローラを有し、これらはク
リーンチャンバ内に配置される。
【0037】920は原版収納装置であり、内部に複数
の原版を収納し洗浄すべき原版を供給する。921は洗
浄装置であり、純水によって原版の洗浄を行なう。92
2は乾燥装置であり、洗浄された原版を乾燥させる。9
23は原版検査装置であり、先の各実施例のいずれかの
構成を含んでおり、前記実施例のいずれかの方法を用い
て洗浄された原版上の異物検査を行なう。924はコン
トローラでシステム全体のシーケンス制御を行なう。
の原版を収納し洗浄すべき原版を供給する。921は洗
浄装置であり、純水によって原版の洗浄を行なう。92
2は乾燥装置であり、洗浄された原版を乾燥させる。9
23は原版検査装置であり、先の各実施例のいずれかの
構成を含んでおり、前記実施例のいずれかの方法を用い
て洗浄された原版上の異物検査を行なう。924はコン
トローラでシステム全体のシーケンス制御を行なう。
【0038】以下、動作について説明する。まず、原版
収納装置920から洗浄すべき原版を取り出し、これを
洗浄装置921に供給する。洗浄装置921で洗浄され
た原版は乾燥装置922に送られて乾燥させる。乾燥が
済んだら検査装置923に送られ、検査装置923にお
いては先の実施例のいずれかの方法を用いて原版上の異
物を検査する。検査の結果、異物が確認されなければ、
原版を原版収納装置920に戻す。又、異物が確認され
た場合は、この原版を洗浄装置921に戻して洗浄・乾
燥動作を行なった後に再度検査を行ない、異物が完全に
除去されるまでこれを繰り返す。そして完全に洗浄がな
された原版を原版収納装置920に戻す。
収納装置920から洗浄すべき原版を取り出し、これを
洗浄装置921に供給する。洗浄装置921で洗浄され
た原版は乾燥装置922に送られて乾燥させる。乾燥が
済んだら検査装置923に送られ、検査装置923にお
いては先の実施例のいずれかの方法を用いて原版上の異
物を検査する。検査の結果、異物が確認されなければ、
原版を原版収納装置920に戻す。又、異物が確認され
た場合は、この原版を洗浄装置921に戻して洗浄・乾
燥動作を行なった後に再度検査を行ない、異物が完全に
除去されるまでこれを繰り返す。そして完全に洗浄がな
された原版を原版収納装置920に戻す。
【0039】この後に、この洗浄された原版を露光装置
にセットして、シリコンウエハ上に原版の回路パターン
を焼付けて半導体デバイスを製造する。これによって従
来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有す
る高集積度半導体デバイスを製造することができる。
にセットして、シリコンウエハ上に原版の回路パターン
を焼付けて半導体デバイスを製造する。これによって従
来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有す
る高集積度半導体デバイスを製造することができる。
【0040】
【発明の効果】以上の本発明によれば、不要光の影響を
効果的に抑えることができ、検査面の広い領域にて精度
の高い異物検査が可能となる。特にペリクル枠を有する
レチクルの検査において優れた効果を発揮する。
効果的に抑えることができ、検査面の広い領域にて精度
の高い異物検査が可能となる。特にペリクル枠を有する
レチクルの検査において優れた効果を発揮する。
【図1】本発明の実施例の装置の構成図である。
【図2】検査位置に対応した信号出力の様子を示す図で
ある。
ある。
【図3】異物信号とペリクル枠信号との信号の出方の差
を示す図である。
を示す図である。
【図4】低帯域カットフィルタの周波数特性の一例を示
す図である。
す図である。
【図5】検査装置を有する露光装置の実施例の構成図で
ある。
ある。
【図6】検査装置を有する洗浄装置の実施例の構成図で
ある。
ある。
【図7】従来例の信号出力の様子を示す図である。
1 レチクル 2 ペリクル 3 ペリクル枠 4 レーザ光源 5 ビームエキスパンダ 6 レーザビーム 7 光走査手段 8 f−θレンズ 9a 検出系(パターン面用) 9b 検出系(ペリクル面用) 10a 集光光学系(パターン面用) 10b 集光光学系(ペリクル面用) 11a フォトマルチプライヤ(パターン面用) 11b フォトマルチプライヤ(ペリクル面用) 12 I/V変換アンプ 13 低帯域カットフィルタ 14 A/Dコンバータ 15 信号処理部 16 同期信号検出器 20 異物 P1 異物信号
Claims (7)
- 【請求項1】 検査面に光を照射する手段と、検査面か
ら生じた光を受光するセンサを含む光学系と、該センサ
からの信号に電気的な低帯域カットフィルタを施すフィ
ルタ手段と、を有することを特徴とする検査装置。 - 【請求項2】 検査面は積層する複数の面の少なくとも
一つであることを特徴とする請求項1記載の検査装置。 - 【請求項3】 検査対象はペリクル付きレチクルであ
り、複数の積層する面は、第1の面がペリクル面であ
り、第2の面がレチクル面であることを特徴とする請求
項2記載の検査装置。 - 【請求項4】 ペリクルはペリクル枠を介して設けられ
ていることを特徴とする請求項3記載の検査装置。 - 【請求項5】 検査面と照射光とを相対移動させる手段
を有することを特徴とする請求項1記載の検査装置。 - 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか記載の検査装
置を用いて基板の検査を行う手段と、該検査された基板
を用いて露光転写処理を行う手段とを有することを特徴
とする露光装置。 - 【請求項7】 請求項6記載の露光装置を用いてデバイ
スを生産することを特徴とするデバイス生産方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7333695A JPH08272077A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 検査装置およびこれを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7333695A JPH08272077A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 検査装置およびこれを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08272077A true JPH08272077A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13515230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7333695A Withdrawn JPH08272077A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 検査装置およびこれを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08272077A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008032581A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査装置及び表面検査方法 |
JP2013506149A (ja) * | 2009-09-24 | 2013-02-21 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 時間差レチクル検査 |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7333695A patent/JPH08272077A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008032581A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査装置及び表面検査方法 |
JP2013506149A (ja) * | 2009-09-24 | 2013-02-21 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 時間差レチクル検査 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |