JPH08264404A - Process system and device producing method using it - Google Patents
Process system and device producing method using itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイス生産など
に適した処理システムに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing system suitable for semiconductor device production.
【０００２】[0002]
【従来の技術】露光装置の露光光として有望視されてい
るＸ線は大気等による減衰が著しいため、超高真空に保
たれたビームダクト通って露光室に導入される。露光室
は、Ｘ線の減衰を防ぐ一方でウエハやマスクの放熱を促
進するためにヘリウムガス等の減圧雰囲気に保たれた減
圧チャンバであり、減圧雰囲気の圧力、温度およびヘリ
ウムガスの純度等は、ウエハの露光面におけるＸ線のＸ
線強度の変動を防ぐために極めて高精度に制御される。
特にヘリウムガスの純度は、チャンバの気密性によるリ
ークや、チャンバの内壁やマスクの保持装置やウエハの
位置決めステージ等に用いられるエアベアリング等から
漏出するガスによって低下するため、これらの不純ガス
を希釈して減圧チャンバのヘリウムガスの純度を、例え
ば９９．９％以上に保つには、常時９９．９９９９％以
上の高純度のヘリウムガスを減圧チャンバに導入する必
要がある。2. Description of the Related Art X-rays, which are regarded as promising as exposure light for an exposure apparatus, are introduced into an exposure chamber through a beam duct kept in an ultrahigh vacuum because they are significantly attenuated by the atmosphere. The exposure chamber is a decompression chamber kept in a decompressed atmosphere of helium gas or the like in order to promote the heat dissipation of the wafer or mask while preventing the attenuation of X-rays. , X-ray X on the exposed surface of the wafer
It is controlled with extremely high precision to prevent fluctuations in line intensity.
In particular, the purity of helium gas is reduced by gas leaking from the airtightness of the chamber and gas leaking from the inner wall of the chamber, the air bearing used for the mask holding device, the wafer positioning stage, etc. In order to maintain the purity of the helium gas in the decompression chamber at, for example, 99.9% or higher, it is necessary to constantly introduce the high-purity helium gas at 99.9999% or higher into the decompression chamber.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら従来
の技術によれば、高純度のヘリウムガスを常時供給しな
ければならないために、また供給するヘリウムガスは露
光チャンバでしか利用しないために、ヘリウムガスの利
用効率が悪い。高価なヘリウムガスの大量の消費は、ラ
ンニングコストの増大につながってしまう。However, according to the prior art, since the high-purity helium gas must be constantly supplied, and the supplied helium gas is used only in the exposure chamber, Inefficient use. The large consumption of expensive helium gas leads to an increase in running cost.
【０００４】本発明は上記課題を解決すべくなされたも
のであり、雰囲気ガスの利用効率を高めることでランニ
ングコストの低減をはかった処理システムの提供を目的
とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a processing system in which the running cost is reduced by increasing the utilization efficiency of atmospheric gas.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の処理システムの好ましい形態は、第１の処理を行う
第１処理チャンバと、第２の処理を行う第２の処理チャ
ンバと、該第１の処理チャンバ使用した雰囲気ガスを該
第２処理チャンバに導入して再利用する手段を有するこ
とを特徴とするものである。A preferred embodiment of a processing system of the present invention which solves the above problems is a first processing chamber for performing a first processing, a second processing chamber for performing a second processing, and It is characterized in that it has means for introducing the atmosphere gas used in the first processing chamber into the second processing chamber and reusing it.
【０００６】[0006]
＜実施例１＞本発明の実施例である、自動化された半導
体デバイスの生産ラインについて、図１を用いて説明す
る。同図において、露光室である第１チャンバ１０１
は、基板保持手段であるウエハ位置決めステージ１２１
やマスク保持装置１２２を収容している。そして、シン
クロトロン放射源等の放射源Ｓから発生した放射光（Ｘ
線）を、超高真空の状態で第１チャンバへ導入するため
のビームライン１０２と、第１チャンバの減圧雰囲気を
ビームライン１０２の超高真空雰囲気から遮断するため
のＸ線透過窓１０３が設けられている。ビームライン１
０２を通過しＸ線透過窓１０３を経て第１チャンバ内へ
導入されたＸ線は、マスク保持装置１２２に保持された
マスク１２３を経てウエハ位置決めステージ１２１上の
被露光基板であるウエハ１２４を露光する。なお、露光
に使用する放射光はＸ線に限らず、真空紫外線などでも
よい。Example 1 An automated semiconductor device production line, which is an example of the present invention, will be described with reference to FIG. In the figure, a first chamber 101, which is an exposure chamber
Is a wafer positioning stage 121 which is a substrate holding means.
And a mask holding device 122. Then, the radiated light (X
Beam) for introducing into the first chamber in an ultrahigh vacuum state, and an X-ray transmission window 103 for shutting off the depressurized atmosphere of the first chamber from the ultrahigh vacuum atmosphere of the beamline 102. Has been. Beam line 1
X-rays that have passed through 02 and have been introduced into the first chamber via the X-ray transmission window 103 pass through the mask 123 held by the mask holding device 122 and expose the wafer 124 that is the substrate to be exposed on the wafer positioning stage 121. To do. The radiated light used for exposure is not limited to X-rays, and may be vacuum ultraviolet rays.
【０００７】一方、第２チャンバ１３０はコーターデベ
ロッパーを有しており、ウエハに対してレジスト塗布処
理を行うコーター１３１と、露光処理後のウエハの現像
処理を行うデベロッパー１３２とが１つのチャンバ内に
設けられている。さらに、第１チャンバ１０１と第２チ
ャンバ１３０との間でウエハを受け渡し搬送するための
インライン・インターフェース１３３が設けられてい
る。また、第２チャンバ１３０に接続されたＡＧＶ(Aut
omated Guided Vehicle) 経路１３４は、第２チャンバ
１３０と他の処理装置との間でウエハの搬送を行うため
のものである。On the other hand, the second chamber 130 has a coater developer, and a coater 131 for performing resist coating processing on a wafer and a developer 132 for developing the wafer after the exposure processing are provided in one chamber. It is provided. Further, an in-line interface 133 for transferring and transferring the wafer between the first chamber 101 and the second chamber 130 is provided. In addition, the AGV (Aut connected to the second chamber 130
The omated guided vehicle) path 134 is for carrying a wafer between the second chamber 130 and another processing apparatus.
【０００８】以上の構成の生産ラインにおいて、ＡＧＶ
経路１３４から搬入されたウエハは、図中の経路Ａに沿
って、すなわち第２チャンバ１３０のコーター１３１、
インライン・インターフェース１３３を経て、第１チャ
ンバ１０１の露光装置に導入される。そして露光処理が
済んだら、図中の経路Ｂに沿って、すなわち第１チャン
バ１０１からインライン・インターフェース１３３、第
２チャンバ１３０のデベロッパー１３２を経て、ＡＧＶ
経路１３４に搬出される。In the production line having the above structure, the AGV
The wafer carried in from the path 134 is along the path A in the figure, that is, the coater 131 of the second chamber 130,
It is introduced into the exposure apparatus of the first chamber 101 via the in-line interface 133. After the exposure process, the AGV is moved along the path B in the figure, that is, from the first chamber 101 to the in-line interface 133 and the developer 132 of the second chamber 130.
It is carried out to the route 134.
【０００９】本実施例では、ウエハに塗布する感光剤で
あるレジストとして、解像度が高い化学増幅型のレジス
トの使用を想定している。しかし化学増幅型レジストは
大気中で酸化し、解像度や感度が変化してしまうため、
第１チャンバ１０１、第２チャンバ１３０、さらにはイ
ンライン・インターフェース１３３内を不活性ガスであ
るヘリウムガスを満たすとによって酸化を防止してい
る。In this embodiment, it is assumed that a chemically amplified resist having a high resolution is used as a resist which is a photosensitive agent applied to a wafer. However, chemically amplified resist oxidizes in the air, changing resolution and sensitivity,
The first chamber 101, the second chamber 130, and the in-line interface 133 are filled with helium gas which is an inert gas to prevent oxidation.
【００１０】次に、本実施例の空調系の詳細について説
明する。Next, details of the air conditioning system of this embodiment will be described.
【００１１】第１チャンバ１０１には、チャンバ内のガ
スを排気して外部に排出するための第１の排気ライン１
０４と、チャンバの減圧度を微調節するための第２の排
気ライン１０６が接続されている。第１の排気ライン１
０４には第１の真空ポンプ１０４ａと開閉バルブ１０４
ｂが設けられ、第２の排気ライン１０６には第２の真空
ポンプ１０６ａと流量制御バルブ１０６ｂが設けられて
いる。コントローラ１０６ｃは、第１チャンバ１０１の
内部圧力を検出する圧力センサ１１０５の検出出力に基
づいて流量制御バルブ１０６ｂを制御する。また、第１
チャンバ１０１に高純度のヘリウムを供給するために、
開閉バルブ１１３ｂを有する第１のヘリウムガス導入ラ
イン１１３、及び開度を調整可能な流量制御バルブ１１
４ｂを有する第２のヘリウムガス導入ライン１１４が、
第１チャンバに接続されている。The first chamber 101 has a first exhaust line 1 for exhausting gas in the chamber and discharging the gas to the outside.
04, and a second exhaust line 106 for finely adjusting the degree of pressure reduction in the chamber. First exhaust line 1
Reference numeral 04 denotes a first vacuum pump 104a and an opening / closing valve 104.
b is provided, and the second exhaust line 106 is provided with a second vacuum pump 106a and a flow rate control valve 106b. The controller 106c controls the flow rate control valve 106b based on the detection output of the pressure sensor 1105 that detects the internal pressure of the first chamber 101. Also, the first
In order to supply high purity helium to the chamber 101,
A first helium gas introduction line 113 having an opening / closing valve 113b, and a flow rate control valve 11 capable of adjusting the opening degree
A second helium gas introduction line 114 having 4b
It is connected to the first chamber.
【００１２】第１の排気ライン１０４によって第１チャ
ンバ１０１内を所定の真空度に排気した後、第１のヘリ
ウムガス導入ライン１１３の開閉バルブ１１３ｂを開い
て第１チャンバが所定の減圧圧力（例えば２００００Ｐ
ａ（１５０Ｔｏｒｒ））になるまで比較的大流量のヘリ
ウムガスを供給し、開閉バルブ１１３ｂを閉じる。第１
チャンバ１０１は、チャンバ壁の継ぎ目などから外部の
エアがリークして混入したり、あるいはウエハ位置決め
ステージ１２１のエアベアリング等から漏出する不純ガ
スによって、チャンバ内のヘリウムガスの純度が低下す
るおそれがあり、これは露光精度の低下の要因となる。
そこで、第２の排気ライン１０６による排気と第２のヘ
リウムガス導入ライン１１４によるヘリウムガスの補充
を継続することによって、ヘリウム純度が９９．９％よ
りも低下しないように保つようにする。After the first chamber 101 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the first exhaust line 104, the opening / closing valve 113b of the first helium gas introduction line 113 is opened to set the first chamber at a predetermined reduced pressure (eg, 20000P
A relatively large flow rate of helium gas is supplied until the pressure reaches a (150 Torr), and the opening / closing valve 113b is closed. First
In the chamber 101, there is a possibility that the external air leaks from the seam of the chamber wall or the like and is mixed in, or the purity of the helium gas in the chamber is lowered due to the impure gas leaking from the air bearing of the wafer positioning stage 121. However, this causes a decrease in exposure accuracy.
Therefore, by continuing the exhaustion through the second exhaust line 106 and the replenishment of the helium gas through the second helium gas introduction line 114, the helium purity is maintained so as not to drop below 99.9%.
【００１３】第２の排気ライン１０６によって第１チャ
ンバ１０１から排気されたヘリウムは、コンプレッサ１
０７ａで圧縮してタンク１０７ｂに回収される。タンク
１０７ｂからの供給されるヘリウムは、フィルタ１０７
ｃで不純物を取り除いて精製し、レギュレータ１０７ｄ
で減圧して、ヘリウム供給ライン１０７を通って第２チ
ャンバ１３０に導入される。フィルタ１０７ｃは、ガス
中のゴミや塵などの微粒子を取り除く微粒子フィルタ、
およびアミン等の化学物質を取り除くケミカルフィルタ
の両方を備えている。The helium exhausted from the first chamber 101 by the second exhaust line 106 is transferred to the compressor 1
It is compressed at 07a and collected in the tank 107b. Helium supplied from the tank 107b is filtered by the filter 107.
Purify by removing impurities with c, regulator 107d
Then, the pressure is reduced by, and the gas is introduced into the second chamber 130 through the helium supply line 107. The filter 107c is a particulate filter that removes particulates such as dust and dust in the gas,
And a chemical filter that removes chemical substances such as amines.
【００１４】第２チャンバ１３０で行うレジスト塗布処
理および現像処理は、第１チャンバ１０１での露光処理
に比べると高純度のヘリウムを必要としないため、第１
チャンバからの排気ガスを純度精製せずに第２チャンバ
１３０に導入している。コーター１３１によるレジスト
塗布処理、及びデベロッパー１３２による現像処理を行
う際には、第２チャンバ１３０内は大気圧もしくは減圧
雰囲気とされる。The resist coating process and the developing process performed in the second chamber 130 do not require helium of high purity as compared with the exposure process in the first chamber 101.
The exhaust gas from the chamber is introduced into the second chamber 130 without being purified. When the resist coating process by the coater 131 and the developing process by the developer 132 are performed, the inside of the second chamber 130 is set to the atmospheric pressure or the reduced pressure atmosphere.
【００１５】第２のチャンバ１３０から排気ライン１０
９には、第２チャンバ１３０の排気を行う真空ポンプ１
０９ａ、排気したヘリウムガスを圧縮するコンプレッサ
１１１ａ、これに接続されたタンク１１１ｂが設けら
れ、ヘリウムガスはタンク１１１ｂに貯蔵される。タン
ク１１１ｂから供給されたヘリウムガスはフィルタ１１
１ｃによって不純物を取り除いて精製し、恒温槽１１１
ｄによって所定の温度に調節する。フィルタ１１１ｃ
は、ガス中のゴミや塵などの微粒子を取り除く微粒子フ
ィルタ、およびアミン等の化学物質を取り除くケミカル
フィルタの両方を備えている。From the second chamber 130 to the exhaust line 10
9 is a vacuum pump 1 for exhausting the second chamber 130.
09a, a compressor 111a for compressing the exhausted helium gas, and a tank 111b connected thereto are provided, and the helium gas is stored in the tank 111b. The helium gas supplied from the tank 111b is filtered by the filter 11
Purified by removing impurities with 1c
Adjust to a predetermined temperature by d. Filter 111c
Is equipped with both a fine particle filter for removing fine particles such as dust and dust in the gas and a chemical filter for removing chemical substances such as amines.
【００１６】ここで、タンク１１１ｂと恒温槽１１１ｄ
の間には、タンク１１１ｂから供給されるヘリウムガス
の一部を高純度に精製したうえで恒温槽１１１ｄへ導入
するためのヘリウムガス精製分岐ライン１１２が設けら
れており、このライン１１２には、ヘリウムガスの精製
器１１２ａと流量制御バルブ１１２ｂが設けられてい
る。精製器１１２ａは例えば、活性ガスの気体分子をト
ラップし不活性ガスのみを透過させるフィルタを用い
て、不活性ガスであるヘリウムの純度を向上させるもの
である。第２チャンバ１３０で使用され環流したヘリウ
ムガスは、第１チャンバ及び第２チャンバでの処理で純
度が低下したものであるため、フィルタ１１１ｃおよび
精製器１１２ａによって精製することでクリーン度及び
ガス純度を向上させたうえで第１チャンバへ導入してい
る。Here, the tank 111b and the constant temperature bath 111d
A helium gas refining branch line 112 for refining a part of the helium gas supplied from the tank 111b to a high purity and introducing it into the constant temperature bath 111d is provided between these lines. A helium gas purifier 112a and a flow control valve 112b are provided. The purifier 112a improves the purity of helium, which is an inert gas, by using a filter that traps gas molecules of the active gas and allows only the inert gas to pass through. The purity of the helium gas that has been used in the second chamber 130 and has been refluxed has been reduced in the processing in the first chamber and the second chamber. After being improved, it is introduced into the first chamber.
【００１７】また、第２チャンバ１３０からの排気ライ
ンには、排出されたヘリウムガスの純度を測定する純度
センサ１１０が設けられており、コントローラ１１２ｃ
は純度センサ１１０の検出出力に基づいて流量制御バル
ブ１１２ｂの開度を制御して、精製器１１２ａに分岐さ
れるヘリウムガスの流量を変化させることによって、精
製手段の精製能力を変化させている。これにより、高い
純度管理を要する第１チャンバ１０１内に供給するヘリ
ウムガスの純度を極めて高精度かつ迅速に制御すること
ができる。なお、純度センサ１１０としては、直接的に
気体純度を検知する方式のもの、もしくは気体中の音速
と温度を測定することでその純度を間接的に検知する方
式のものなどがあり、いずれの方式のものでも使用でき
る。Further, the exhaust line from the second chamber 130 is provided with a purity sensor 110 for measuring the purity of the discharged helium gas, and the controller 112c.
Controls the opening of the flow rate control valve 112b based on the detection output of the purity sensor 110 to change the flow rate of the helium gas branched to the purifier 112a, thereby changing the refining capability of the refining means. As a result, the purity of the helium gas supplied into the first chamber 101, which requires high purity control, can be controlled extremely accurately and quickly. As the purity sensor 110, there are a type that directly detects the purity of gas and a type that indirectly detects the purity by measuring the speed of sound and temperature in the gas. It can also be used.
【００１８】なお、以上の説明では、第１チャンバを露
光装置、第２チャンバをコーターデベロッパーとした例
を示したが、半導体生産ラインには、これら以外にもチ
ャンバを必要とする処理装置、例えばスパッタ装置、Ｃ
ＶＤ装置、エピタキシャル装置、拡散装置、アニーリン
グ装置、検査装置などがあり、以上の実施例と同様に適
用可能である。すなわち、第１チャンバ及び第２チャン
バのそれぞれを、露光装置、コーター装置、デベロッパ
装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、エピタキシャル装
置、拡散装置、アニーリング装置、検査装置のいずれか
の組み合わせとすることができる。また、第１と第２の
チャンバを同一の装置としても良い。いずれにせよ、第
１チャンバで使用した雰囲気ガスを第２チャンバに導入
し、第２チャンバの使用済みの雰囲気ガスを精製した後
に再度第１チャンバに導入することで、ガスを有効利用
することができる。ここで、第１チャンバの装置は第２
チャンバの装置よりも、より高いクリーン度およびガス
純度を必要とする装置とすることが好ましい。また雰囲
気ガスとしては、ヘリウム(He)に限らず、窒素(N2)やア
ルゴン(Ar) などの不活性ガスを使用することもでき
る。In the above description, an example in which the first chamber is the exposure apparatus and the second chamber is the coater developer has been shown. However, in the semiconductor production line, a processing apparatus that requires a chamber other than these, for example, Sputtering device, C
There are a VD device, an epitaxial device, a diffusion device, an annealing device, an inspection device, and the like, and they can be applied in the same manner as the above embodiments. That is, each of the first chamber and the second chamber can be any combination of an exposure device, a coater device, a developer device, a sputtering device, a CVD device, an epitaxial device, a diffusion device, an annealing device, and an inspection device. Further, the first and second chambers may be the same device. In any case, the atmospheric gas used in the first chamber is introduced into the second chamber, the used atmospheric gas in the second chamber is purified, and then introduced into the first chamber again, whereby the gas can be effectively used. it can. Here, the device in the first chamber is
It is preferable to use a device that requires higher cleanliness and gas purity than the chamber device. The atmosphere gas is not limited to helium (He), but an inert gas such as nitrogen (N 2 ) or argon (Ar) can be used.
【００１９】以上の本実施例の作用効果を以下に説明す
る。The operation and effect of the above embodiment will be described below.
【００２０】第１チャンバ１０１で行う露光処理は、第
２チャンバ１３０で行うレジスト塗布処理や現像処理よ
りも、高いクリーン度及び純度の雰囲気ガスを必要とす
る。また、第２チャンバで行うレジスト塗布処理や現像
処理は、第１チャンバで行う露光処理に比べて雰囲気ガ
スのクリーン度及び純度を大きく劣化させる。これらの
理由から、先に第１チャンバに高純度の雰囲気ガスを供
給し、そこで使用されたガスを第２チャンバに導入して
再利用している。The exposure process performed in the first chamber 101 requires an atmosphere gas having a higher degree of cleanliness and purity than the resist coating process and the development process performed in the second chamber 130. Further, the resist coating process and the developing process performed in the second chamber greatly deteriorate the cleanness and the purity of the atmospheric gas as compared with the exposure process performed in the first chamber. For these reasons, the high-purity atmosphere gas is first supplied to the first chamber, and the gas used there is introduced into the second chamber for reuse.
【００２１】そして、第２チャンバで使用されたガスを
精製してクリーン度及び純度を向上させて、再び第１チ
ャンバに導入することで、ガスの利用効率を向上させて
いる。雰囲気ガスがヘリウム等の高価なガスであれば、
ランニングコストの低減に極めて大きな効果を発揮す
る。Then, the gas used in the second chamber is purified to improve the cleanliness and purity, and is introduced into the first chamber again, thereby improving the gas utilization efficiency. If the atmosphere gas is an expensive gas such as helium,
It is extremely effective in reducing running costs.
【００２２】また、第１チャンバ及び第２チャンバで使
用された雰囲気ガスの純度を測定して、これに応じて精
製の能力を調整しているので、雰囲気ガスの純度をより
一層高精度に管理することができる。Further, since the purities of the atmospheric gases used in the first chamber and the second chamber are measured and the purifying ability is adjusted accordingly, the purity of the atmospheric gases can be controlled with higher accuracy. can do.
【００２３】＜実施例２＞次に上記処理システムでの処
理工程を含む生産工程によるデバイスの生産方法の実施
例を説明する。<Embodiment 2> Next, an embodiment of a method for producing a device by a production process including a treatment process in the treatment system will be described.
【００２４】図２は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。FIG. 2 shows a flow of manufacturing microdevices (semiconductor chips such as IC and LSI, liquid crystal panels, CCDs, thin film magnetic heads, micromachines, etc.). Step 1
In (Circuit design), a circuit of a semiconductor device is designed.
In step 2 (mask manufacturing), a mask having the designed circuit pattern is manufactured. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip by using the wafer manufactured in step 4, such as an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), and the like. including. In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【００２５】図３は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）では上記コーターを用いてウエハに感
光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明し
た露光装置を用いてマスクの回路パターンをウエハに焼
付露光する。ステップ１７（現像）では上記デベロッパ
ーを用いて露光したウエハを現像する。ステップ１８
（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削
り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチング
が済んで不要となったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重
に回路パターンが形成される。FIG. 3 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted in the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer using the coater. In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed on the wafer by exposure using the above-described exposure apparatus. In step 17 (development), the exposed wafer is developed using the developer. Step 18
In (etching), parts other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００２６】本実施例の生産方法を用いれば、高集積度
の半導体デバイスを低コストに生産することができる。By using the production method of this embodiment, a highly integrated semiconductor device can be produced at low cost.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、雰囲気ガスの利用効率
を高めることでランニングコストの低減をはかることが
できる。この本発明の処理システムを用いてデバイスを
製造すれば、低コストなデバイスを生産することができ
る。According to the present invention, the running cost can be reduced by increasing the utilization efficiency of the atmospheric gas. If a device is manufactured using this processing system of the present invention, a low-cost device can be manufactured.
【図１】実施例のを説明する説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating an example.
【図２】半導体デバイスの製造方法のフローを示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a flow of a method for manufacturing a semiconductor device.
【図３】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process.
【符号の説明】 １０１ 第１チャンバ（露光装置） １０２ ビームライン １０３ Ｘ線透過窓 １０４ 第１チャンバの第１の排気ライン １０４ａ １０６ａ ９ａ 真空ポンプ １０４ｂ １０９ｂ １１３ｂ 開閉バルブ １０５ 圧力センサ １０６ 第１チャンバの第２の排気ライン １０６ｂ １１２ｂ １１４ｂ 流量制御バルブ １０６ｃ １１２ｃ コントローラ １０７ 第２チャンバへのヘリウムガス供給ライン １０７ａ １１１ａ コンプレッサ １０７ｂ １１１ｂ ヘリウムタンク １０７ｃ １１１ｃ 微粒子フィルタ １０７ｄ レギュレータ １０９ 第２チャンバの排気ライン １１０ 純度センサ １１１ 第２のヘリウムガス供給ライン １１１ｄ 恒温槽 １１２ ヘリウムガス精製分岐ライン １１２ａ ヘリウム精製器 １１３ 第１チャンバへの第１のヘリウムガス導入ライ
ン １１４ 第１チャンバへの第２のヘリウムガス導入ライ
ン １２１ ウエハ位置決めステージ １２２ マスク保持装置 １２３ マスク １２４ ウエハ １３０ 第２チャンバ（コーターデベロッパー） １３１ コーター １３２ デベロッパー １３３ インライン・インターフェース １３４ ＡＧＶ経路 Ａ Ｂ ウエハの処理経路 Ｓ シンクロトロン放射源[Explanation of reference numerals] 101 first chamber (exposure device) 102 beam line 103 X-ray transmission window 104 first exhaust line of the first chamber 104a 106a 9a vacuum pump 104b 109b 113b opening / closing valve 105 pressure sensor 106 first chamber first chamber 2 exhaust line 106b 112b 114b flow control valve 106c 112c controller 107 helium gas supply line to the second chamber 107a 111a compressor 107b 111b helium tank 107c 111c particulate filter 107d regulator 109 second chamber exhaust line 110 purity sensor 111 second Helium gas supply line 111d Constant temperature bath 112 Helium gas refining branch line 112a Helium purifier 113 First helium to first chamber Gas introduction line 114 Second helium gas introduction line to first chamber 121 Wafer positioning stage 122 Mask holding device 123 Mask 124 wafer 130 Second chamber (coater developer) 131 coater 132 developer 133 In-line interface 134 AGV path AB wafer Processing path of S synchrotron radiation source
Claims (9)
第２の処理を行う第２の処理チャンバと、該第１の処理
チャンバ使用した雰囲気ガスを該第２処理チャンバに導
入して再利用する手段を有することを特徴とする処理シ
ステム。1. A first processing chamber for performing a first processing,
A processing system comprising: a second processing chamber for performing a second processing; and a means for introducing the atmosphere gas used in the first processing chamber into the second processing chamber for reuse.
を再び第１処理チャンバに循環させる手段を有すること
を特徴とする請求項１記載の処理システム。2. The processing system according to claim 1, further comprising means for circulating the atmospheric gas used in the second processing chamber into the first processing chamber again.
を有することを特徴とする請求項２記載の処理システ
ム。3. The processing system according to claim 2, further comprising a refining means for refining the circulating atmospheric gas.
有し、該測定手段の出力に基づいて精製手段の精製能力
を調整することを特徴とする請求項３記載の処理システ
ム。4. The processing system according to claim 3, further comprising a measuring means for measuring the purity of the atmospheric gas, and adjusting the refining ability of the refining means based on the output of the measuring means.
り、第２の処理は基板に対する塗布処理もしくは基板に
対する現像処理であることを特徴とする請求項１記載の
処理システム。5. The processing system according to claim 1, wherein the first process is an exposure process for the substrate, and the second process is a coating process for the substrate or a developing process for the substrate.
雰囲気とされることを特徴とする請求項１乃至５のいず
れか記載の処理システム。6. The processing system according to claim 1, wherein at least one of the processing chambers has a reduced pressure atmosphere.
徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の処理システ
ム。7. The processing system according to claim 1, wherein the atmospheric gas is an inert gas.
とする請求項７記載の処理システム。8. The processing system according to claim 7, wherein the atmosphere gas is helium.
ステムを用いてデバイスを生産することを特徴とするデ
バイス生産方法。9. A device manufacturing method, characterized in that a device is manufactured by using the processing system according to claim 1.
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| EP00201366A EP1026549B1 (en) | 1994-04-08 | 1995-03-31 | Processing system adapted for semiconductor device manufacture |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616898B2 (en) | 1998-02-25 | 2003-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus with pressure control and gas recirculation system |
| KR100427163B1 (en) * | 1997-06-11 | 2004-07-07 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Processing system |
| CN110553146A (en) * | 2019-08-23 | 2019-12-10 | 无锡爱邦辐射技术有限公司 | Gas supply device for supplying nitrogen to electron accelerator |
-
1995
- 1995-03-28 JP JP06961195A patent/JP3416326B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427163B1 (en) * | 1997-06-11 | 2004-07-07 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Processing system |
| US6616898B2 (en) | 1998-02-25 | 2003-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus with pressure control and gas recirculation system |
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| US7566422B2 (en) | 1998-02-25 | 2009-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus with tanks storing helium gas and method of manufacturing device using exposure apparatus |
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| JP3416326B2 (en) | 2003-06-16 |
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