JPH11233426A - Gas purity control method and gas purity control system, and semiconductor aligner and manufacture of device using the gas purity control system - Google Patents
Gas purity control method and gas purity control system, and semiconductor aligner and manufacture of device using the gas purity control systemInfo
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- JPH11233426A JPH11233426A JP10044392A JP4439298A JPH11233426A JP H11233426 A JPH11233426 A JP H11233426A JP 10044392 A JP10044392 A JP 10044392A JP 4439298 A JP4439298 A JP 4439298A JP H11233426 A JPH11233426 A JP H11233426A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、減圧された密閉容
器内の雰囲気ガス純度を管理するガス純度管理方法およ
びガス純度管理システム、ならびに該ガス純度管理シス
テムを適用した半導体露光装置およびデバイス製造方法
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas purity management method and a gas purity management system for managing the purity of an atmospheric gas in a closed vessel under reduced pressure, and a semiconductor exposure apparatus and a device manufacturing method using the gas purity management system. It is about.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体露光装置の露光光として使用され
るＸ線は、大気等による減衰が著しいため、超高真空に
保たれたビームダクトを通って露光室に導入されてい
る。そして、露光室は、Ｘ線の減衰を防ぐために、そし
てウエハ等の基板やマスクの放熱を促進するために、ヘ
リウムガス等の減圧雰囲気に保持された減圧チャンバー
であり、減圧雰囲気の圧力、温度および雰囲気ガスの純
度等は、基板の露光面におけるＸ線強度の変動を防ぐた
めに高精度に制御することが必要となっている。特に、
雰囲気ガスの純度は、チャンバーの気密性によるリー
ク、あるいはチャンバー内に配置されるマスクの保持装
置や基板の位置決めステージ等に用いられるエアベアリ
ング等から漏出するガス等によって低下し、その結果と
して、Ｘ線透過量を低下させ、露光装置として精度劣化
やスループットの低下を引き起こしてしまう。2. Description of the Related Art X-rays used as exposure light of a semiconductor exposure apparatus are introduced into an exposure chamber through a beam duct maintained in an ultra-high vacuum, because the X-rays are significantly attenuated by the atmosphere or the like. The exposure chamber is a decompression chamber that is held in a decompressed atmosphere of helium gas or the like in order to prevent attenuation of X-rays and to promote heat radiation of a substrate such as a wafer or a mask. In addition, it is necessary to control the purity and the like of the atmosphere gas with high accuracy in order to prevent the fluctuation of the X-ray intensity on the exposure surface of the substrate. Especially,
The purity of the atmospheric gas is reduced by leak due to airtightness of the chamber or gas leaking from an air bearing or the like used for a mask holding device or a substrate positioning stage arranged in the chamber, and as a result, X This reduces the amount of transmitted light, which causes a deterioration in accuracy and a decrease in throughput as an exposure apparatus.
【０００３】このような減圧された密閉容器内の雰囲気
ガスの純度の低下を抑え、雰囲気ガスの純度を保つため
の方法としては、例えば、特開平２−９８１２０号公報
に開示されているように密閉容器内の雰囲気ガスのリー
ク量の任意倍数分の高純度ガスを流入する方法、あるい
はガス精製器を備えた循環系を持ち循環ガスを精製する
ことにより密閉容器内のガス純度を維持する方法などが
知られている。As a method for suppressing a decrease in the purity of the atmosphere gas in the depressurized closed container and maintaining the purity of the atmosphere gas, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-98120, A method in which high-purity gas of an arbitrary multiple of the leak amount of the atmospheric gas in the closed container is introduced, or a method in which a circulating system equipped with a gas purifier is used to maintain the gas purity in the closed container by purifying the circulating gas. Etc. are known.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来技術において、密閉容器内の雰囲気ガスのリ
ーク量の任意倍数分の高純度ガスを流入する方法におい
ては、例えば、リーク量が０．０１４Torr・ｌ／sec の
密閉容器内の雰囲気ガスを９９．９９％の高純度に維持
したい場合、約１４０Torr・ｌ／sec の高純度ガスを密
閉容器内に流入させる必要があり、高価なヘリウムガス
等の高純度ガスを大量に消費してしまい、ランニングコ
ストの増大につながってしまう。However, in the above-mentioned prior art, in a method of flowing a high-purity gas of an arbitrary multiple of the leak amount of the atmospheric gas in the closed container, for example, the leak amount is set to be 0. When it is desired to maintain a high purity gas of 99.99% in an atmosphere gas in a closed container of 014 Torr · l / sec, it is necessary to make a high purity gas of about 140 Torr · l / sec flow into the closed container. , Etc., consumes a large amount of high purity gas, leading to an increase in running costs.
【０００５】また、ガス精製器により不純ガスを吸着さ
せるガス循環系を用いる場合においては、ガス精製器に
吸着不可能な気体が存在するために、ガス精製器に吸着
されない気体がガス循環系内に蓄積され、時間とともに
雰囲気ガスの純度が低下してゆき、要求されるガス純度
を維持することが困難であった。In the case of using a gas circulating system in which an impurity gas is adsorbed by a gas purifier, a gas that cannot be adsorbed by the gas purifier contains gas that cannot be adsorbed by the gas purifier. And the purity of the atmospheric gas gradually decreases with time, making it difficult to maintain the required gas purity.
【０００６】そこで、本発明は、上記の従来技術の有す
る未解決の課題に鑑みてなされたものであって、高純度
ガスの消費量を極力抑え、要求するガス純度を得ること
ができるガス純度管理方法およびガス純度管理システ
ム、ならびに該ガス純度管理システムを適用した半導体
露光装置およびデバイス製造方法を提供することを目的
とするものである。Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned unsolved problems of the prior art, and is intended to minimize the consumption of high-purity gas and to achieve the required gas purity. It is an object to provide a management method, a gas purity management system, and a semiconductor exposure apparatus and a device manufacturing method to which the gas purity management system is applied.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のガス純度管理方法は、ガス純度と圧力を管
理される減圧された密閉容器とガス精製器を有するガス
循環系を備えたガス純度管理システムにおいて、ガス精
製器に吸着されない不純気体の所定倍量の高純度ガスを
密閉容器内へ流入させ、該密閉容器内のガス純度を維持
することを特徴とする。In order to achieve the above object, a gas purity control method according to the present invention comprises a gas circulation system having a depressurized closed vessel for controlling gas purity and pressure and a gas purifier. The gas purity management system is characterized in that a predetermined amount of high-purity gas that is not adsorbed by the gas purifier is flowed into the closed container in a predetermined amount to maintain the gas purity in the closed container.
【０００８】また、本発明のガス純度管理方法において
は、ガス循環系のガス精製器により再生されたガスの純
度を計測し、その計測値に基づいて、再生されたガスお
よび高純度ガスの密閉容器内への供給流量をそれぞれ制
御して、該密閉容器内のガス純度を維持することが好ま
しい。Further, in the gas purity control method of the present invention, the purity of the regenerated gas is measured by a gas purifier in a gas circulation system, and the regenerated gas and the high-purity gas are sealed based on the measured value. It is preferable to control the supply flow rate into the container to maintain the gas purity in the closed container.
【０００９】さらに、本発明のガス純度管理システム
は、ガス純度と圧力を管理される減圧された密閉容器と
ガス精製器を有するガス循環系を備えたガス純度管理シ
ステムにおいて、ガス循環系に循環ガス中の不純物を吸
着するガス精製器とガスを循環させる循環手段を備え、
さらに、所定流量の高純度ガスを密閉容器内に供給する
ガス供給手段と、密閉容器内のガスを排出する排出手段
と、密閉容器内圧力を計測する圧力計測手段と、該圧力
計測手段の計測値を基にガスの排気流量を制御して密閉
容器内圧力を所望の値に保つガス排気量制御手段とを備
えていることを特徴とする。Further, the gas purity management system of the present invention is a gas purity management system comprising a gas circulation system having a depressurized closed vessel for controlling gas purity and pressure and a gas purifier, wherein the gas circulation system has a gas circulation system. A gas purifier that adsorbs impurities in the gas and a circulating means for circulating the gas,
Further, gas supply means for supplying a high-purity gas of a predetermined flow rate into the closed vessel, discharge means for discharging the gas in the closed vessel, pressure measuring means for measuring the pressure in the closed vessel, and measurement by the pressure measuring means Gas exhaust amount control means for controlling the exhaust flow rate of the gas based on the value to keep the pressure in the closed vessel at a desired value.
【００１０】そして、本発明のガス純度管理システムに
おいては、ガス精製器により再生されたガスの純度を計
測する純度計測手段と、該純度計測手段による計測結果
に基づいて再生されたガスの供給流量を制御する再生さ
れたガスの流量制御手段と、該純度計測手段による計測
結果に基づいて高純度ガスの供給手段を制御する流量制
御手段をさらに備えていることが好ましい。In the gas purity management system according to the present invention, a purity measuring means for measuring the purity of the gas regenerated by the gas purifier, and a supply flow rate of the gas regenerated based on the measurement result by the purity measuring means It is preferable to further comprise a flow control means for controlling the flow rate of the regenerated gas, and a flow control means for controlling the supply means for the high-purity gas based on the measurement result by the purity measuring means.
【００１１】さらに、本発明の半導体露光装置は、ガス
純度と圧力を管理される減圧された密閉容器とガス精製
器を有するガス循環系を備えた半導体露光装置におい
て、ガス循環系に循環ガス中の不純物を吸着するガス精
製器とガスを循環させる循環手段を備え、さらに、所定
流量の高純度ガスを密閉容器内に供給するガス供給手段
と、密閉容器内のガスを排出する排出手段と、密閉容器
内圧力を計測する圧力計測手段と、該圧力計測手段の計
測値を基にガスの排気流量を制御して密閉容器内圧力を
所望の値に保つガス排気量制御手段とを備えていること
を特徴とする。Further, according to the present invention, there is provided a semiconductor exposure apparatus having a gas circulation system having a depressurized closed container for controlling gas purity and pressure and a gas purifier. A gas purifier that adsorbs impurities and a circulating unit that circulates the gas, further, a gas supply unit that supplies a high-purity gas of a predetermined flow rate into the closed container, and a discharge unit that discharges the gas in the closed container, Pressure measuring means for measuring the pressure in the closed vessel, and gas exhaust control means for controlling the gas exhaust flow rate based on the measured value of the pressure measuring means to keep the pressure in the closed vessel at a desired value. It is characterized by the following.
【００１２】そして、本発明の半導体露光装置において
は、ガス精製器により再生されたガスの純度を計測する
純度計測手段と、該純度計測手段による計測結果に基づ
いて再生されたガスの供給流量を制御する再生されたガ
スの流量制御手段と、該純度計測手段による計測結果に
基づいて高純度ガス供給手段を制御する流量制御手段を
さらに備えていることが好ましい。In the semiconductor exposure apparatus according to the present invention, the purity measuring means for measuring the purity of the gas regenerated by the gas purifier, and the supply flow rate of the regenerated gas based on the result of the measurement by the purity measuring means. It is preferable that the apparatus further includes a flow control means for controlling the flow of the regenerated gas to be controlled, and a flow control means for controlling the high-purity gas supply means based on the measurement result by the purity measuring means.
【００１３】さらに、本発明のデバイス製造方法は、請
求項５または６記載の半導体露光装置を用いてデバイス
を製造することを特徴とする。Furthermore, a device manufacturing method according to the present invention is characterized in that a device is manufactured using the semiconductor exposure apparatus according to the fifth or sixth aspect.
【００１４】[0014]
【作用】本発明のガス純度管理方法およびガス純度管理
システムによれば、密閉容器内の雰囲気ガスを真空ポン
プ等のガス循環器によりガス循環系に導入し、ガス循環
系に設けられたガス精製器を通して密閉容器内へ循環さ
せ、ガス精製器で精製されない不活性ガス等の不純気体
量が要求されるガス純度に影響を与えない程度となるよ
うに、例えば不純気体の所定倍量の高純度ガスを密閉容
器内に流入させる。そして、密閉容器内圧力を圧力計に
て計測し、その計測値が所定圧力になるように排気流量
制御弁を制御してガスの排気量を調整して密閉容器内圧
力を所定圧力に維持する。これにより、高純度ガスの消
費量を抑え、要求される雰囲気ガスの純度を安定して達
成することができる。According to the gas purity management method and the gas purity management system of the present invention, the atmosphere gas in the closed vessel is introduced into the gas circulation system by a gas circulator such as a vacuum pump, and the gas purification system provided in the gas circulation system is provided. Circulates through a vessel into a closed vessel, so that the amount of impurity gas such as inert gas not purified by the gas purifier does not affect the required gas purity. The gas flows into the closed container. Then, the pressure in the closed vessel is measured by a pressure gauge, and the exhaust flow rate control valve is controlled so that the measured value becomes a predetermined pressure, the amount of exhaust gas is adjusted, and the pressure in the closed vessel is maintained at the predetermined pressure. . Thereby, the consumption of the high-purity gas can be suppressed, and the required purity of the atmosphere gas can be stably achieved.
【００１５】さらに、ガス循環系に設けられたガス精製
器により精製された再生ガスの純度をガス純度検出計で
計測して、その計測値を基に、再生ガスおよび高純度ガ
スの密閉容器内へのそれぞれの供給流量を制御すること
により、より精密な雰囲気ガスの純度管理が可能とな
り、さらにヘリウムガスの消費量の削減が可能となる。Further, the purity of the regenerated gas purified by a gas purifier provided in the gas circulation system is measured by a gas purity detector, and based on the measured value, the regenerated gas and the high purity gas are sealed in a closed container. By controlling the supply flow rates to the respective atmospheres, it is possible to more precisely control the purity of the atmosphere gas and to further reduce the helium gas consumption.
【００１６】また、前述のガス純度管理システムを半導
体露光装置に適用することにより、雰囲気ガス純度の変
動を抑えて安定した雰囲気ガス純度を保ち、高純度のヘ
リウムガスの消費量を削減でき、ランニングコストの低
減を図ることができるとともに、Ｘ線等の露光光の減衰
をなくし、高精度の露光が可能となる。Further, by applying the above-mentioned gas purity management system to a semiconductor exposure apparatus, fluctuations in atmospheric gas purity can be suppressed, stable atmospheric gas purity can be maintained, and consumption of high-purity helium gas can be reduced. The cost can be reduced, and the exposure light such as X-rays is not attenuated, so that high-precision exposure can be performed.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１８】図１は、本発明のガス純度管理システムの
一実施例を半導体露光装置に適用した状態を図示する模
式図であり、半導体露光装置は、減圧チャンバー１内に
収容された基板保持手段である基板位置決めステージ２
およびマスク保持装置３と、露光手段であるシンクロト
ロン放射光等のＸ線の光源Ｓから発せられたＸ線を超高
真空の状態で減圧チャンバー１へ導入するためのビーム
ダクト４と、減圧チャンバー１の減圧雰囲気をビームダ
クト４の超高真空雰囲気から遮断するためのベリリウム
窓５を有している。ビームダクト４を通りベリリウム窓
５を経て減圧チャンバー１内へ導入されたＸ線は、マス
ク保持装置３に保持されたマスク６を経て基板位置決め
ステージ２上に保持されているウエハ等の基板７を露光
する。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a state in which an embodiment of a gas purity management system according to the present invention is applied to a semiconductor exposure apparatus. The semiconductor exposure apparatus includes a substrate holding unit housed in a decompression chamber 1. Substrate positioning stage 2
And a mask holding device 3, a beam duct 4 for introducing X-rays emitted from an X-ray light source S such as synchrotron radiation as exposure means into the decompression chamber 1 in an ultra-high vacuum state, and a decompression chamber. 1 has a beryllium window 5 for isolating the reduced pressure atmosphere from the ultra-high vacuum atmosphere of the beam duct 4. The X-rays introduced into the decompression chamber 1 through the beryllium window 5 through the beam duct 4 pass through a mask 6 held by a mask holding device 3 to a substrate 7 such as a wafer held on a substrate positioning stage 2. Expose.
【００１９】減圧チャンバー１の減圧雰囲気を制御する
減圧雰囲気ガス純度管理システムの構成は、減圧チャン
バー１内の圧力を計測する圧力センサ９の出力に基づい
て減圧チャンバー１の真空度を調整する手段である排気
ライン８と、減圧チャンバー１内に雰囲気ガスであるヘ
リウムを供給する雰囲気ガス供給手段であるヘリウムガ
ス供給ライン１０と、減圧チャンバー１内のガスをガス
精製器１１内に取り込む循環排気ライン１２と、ガス精
製器１１を通過した後に温調ユニット１３を通り減圧チ
ャンバー１内に雰囲気ガスを供給する循環供給ライン１
４を備えている。The configuration of the reduced-pressure atmosphere gas purity control system for controlling the reduced-pressure atmosphere in the reduced-pressure chamber 1 is a means for adjusting the degree of vacuum in the reduced-pressure chamber 1 based on the output of the pressure sensor 9 for measuring the pressure in the reduced-pressure chamber 1. A certain exhaust line 8, a helium gas supply line 10 as an atmosphere gas supply means for supplying helium as an atmosphere gas into the decompression chamber 1, and a circulating exhaust line 12 for taking the gas in the decompression chamber 1 into the gas purifier 11. And a circulating supply line 1 for supplying an atmospheric gas into the decompression chamber 1 through the temperature control unit 13 after passing through the gas purifier 11.
4 is provided.
【００２０】排気ライン８は、排気用の真空ポンプ１５
と排気流量制御弁１６とコントローラ１７を有し、コン
トローラ１７は減圧チャンバー内圧力を計測する圧力セ
ンサ９の出力に基づいて排気流量制御弁１６の開度を制
御し、これによって減圧チャンバー１の真空度を調整す
る。ヘリウムガス供給ライン１０は、供給流量制御弁１
８とヘリウムガスを所定の温度に調節する温調ユニット
１９と高純度ヘリウムボンベ２０を有し、供給流量制御
弁１８の開度は、リークガス量に占める非精製気体量が
所望の雰囲気ガス純度に影響を与えない程度になるよう
な量の高純度のヘリウムガスを供給するように設定され
ており、すなわち、リークガス量に占める非精製気体量
が所望の雰囲気ガス純度を乱さないように設定されてお
り、これによって、減圧チャンバー１内の雰囲気を維持
する。循環排気ライン１２は、ドライポンプ等の循環用
の真空ポンプ２１とガス精製器１１を有し、これによっ
て減圧チャンバー１内のヘリウムガスをガス精製器１１
を送り込みガス精製を行なう。循環供給ライン１４は、
精製されたヘリウムガスを所定の温度に調節する温調ユ
ニット１３を有し、ガス精製器１１で精製されたヘリウ
ムガスを再び減圧チャンバー１内へ供給する。The exhaust line 8 is provided with an exhaust vacuum pump 15
And an exhaust flow control valve 16 and a controller 17. The controller 17 controls the opening degree of the exhaust flow control valve 16 based on the output of the pressure sensor 9 that measures the pressure in the decompression chamber, thereby controlling the vacuum of the decompression chamber 1. Adjust the degree. The helium gas supply line 10 is provided with the supply flow control valve 1
8 and a temperature control unit 19 for adjusting the helium gas to a predetermined temperature, and a high-purity helium cylinder 20. It is set so as to supply a high-purity helium gas in such an amount as to have no influence, that is, the amount of the non-purified gas occupying the leak gas amount is set so as not to disturb the desired atmospheric gas purity. Accordingly, the atmosphere in the decompression chamber 1 is maintained. The circulating exhaust line 12 includes a circulating vacuum pump 21 such as a dry pump and a gas purifier 11.
To perform gas purification. The circulation supply line 14
It has a temperature control unit 13 for adjusting the purified helium gas to a predetermined temperature, and supplies the helium gas purified by the gas purifier 11 into the decompression chamber 1 again.
【００２１】次に、本実施例の動作を説明する。先ず、
基板７およびマスク６を減圧チャンバー１内に搬入し基
板位置決めステージ２およびマスク保持装置３にそれぞ
れセットする。そして、減圧チャンバー１を排気ライン
８によって所定の真空度（例えば、１×１０-3Torr）に
排気した後、ヘリウムガス供給ライン１０の供給流量制
御弁１８を全開にして減圧チャンバー１の雰囲気ガスで
あるヘリウムガスがヘリウムボンベ２０から所定の圧力
（例えば、１５０Torr）より若干高めになるまでヘリウ
ムガスを供給し、その後、供給流量制御弁１８を閉じ
る。そして、循環排気ライン１２と循環供給ライン１４
により雰囲気ヘリウムガスを循環させ、循環系が定常状
態に落ち着いたところで供給流量制御弁１８を設定開度
にし、所定流量のヘリウムガスを補充しながら排気ライ
ン８によって減圧チャンバー１の真空度を調整して所定
の雰囲気圧力を維持する。ここで、排気ライン８のコン
トローラ１７は、減圧チャンバー１内の圧力を計測する
圧力センサ９の計測出力に基づいて、減圧チャンバー内
圧力が所定の圧力となるように排気流量制御弁１９の開
度を制御して、減圧チャンバー１の真空度を調整して所
定の雰囲気圧力を維持する。Next, the operation of this embodiment will be described. First,
The substrate 7 and the mask 6 are carried into the decompression chamber 1 and set on the substrate positioning stage 2 and the mask holding device 3, respectively. After evacuating the decompression chamber 1 to a predetermined degree of vacuum (for example, 1 × 10 −3 Torr) by the exhaust line 8, the supply flow control valve 18 of the helium gas supply line 10 is fully opened to open the atmosphere gas in the decompression chamber 1. The helium gas is supplied from the helium cylinder 20 until the pressure becomes slightly higher than a predetermined pressure (for example, 150 Torr), and then the supply flow control valve 18 is closed. The circulation exhaust line 12 and the circulation supply line 14
Helium gas is circulated, and when the circulation system has settled down to a steady state, the supply flow control valve 18 is set to the opening degree, and the degree of vacuum of the decompression chamber 1 is adjusted by the exhaust line 8 while replenishing a predetermined flow rate of helium gas. To maintain a predetermined atmospheric pressure. Here, the controller 17 of the exhaust line 8 operates the opening degree of the exhaust flow control valve 19 based on the measurement output of the pressure sensor 9 for measuring the pressure in the decompression chamber 1 so that the pressure in the decompression chamber becomes a predetermined pressure. Is controlled to adjust the degree of vacuum of the decompression chamber 1 to maintain a predetermined atmospheric pressure.
【００２２】減圧チャンバー１の減圧雰囲気をこのよう
に制御したうえで、ウエハ等の基板７の露光を開始す
る。基板７の露光中においても減圧チャンバー１や減圧
配管系におけるリークにより減圧雰囲気が乱される恐れ
があるため、ヘリウムガス供給ライン１０からの所定量
のヘリウムガス供給と排気ライン８による真空度の調節
および循環排気ライン１２と循環供給ライン１４による
ヘリウムガスの循環を継続する。After controlling the reduced-pressure atmosphere in the reduced-pressure chamber 1 in this way, exposure of the substrate 7 such as a wafer is started. Even during exposure of the substrate 7, a reduced pressure atmosphere may be disturbed by leaks in the reduced pressure chamber 1 and the reduced pressure piping system. The circulation of the helium gas through the circulation exhaust line 12 and the circulation supply line 14 is continued.
【００２３】このように、密閉された減圧チャンバー１
内の雰囲気ガスは、循環用の真空ポンプ２１によって循
環排気ラインに導入され、ガス精製器１１を通して循環
供給ラインから減圧チャンバー１内へ戻される。このと
きの循環するガスの成分にはガス精製器１１で精製され
ない不活性ガス等の気体が含まれており、この不純気体
量が要求するガス純度に影響を与えない程度の割合にな
るような量の高純度ガスをヘリウム供給ライン１０から
減圧チャンバー１内に流入させる。そして、減圧チャン
バー１内の圧力を圧力センサ９にて計測し、その値が所
定圧力となるように排気用真空ポンプ１５の前に配置し
た排気流量制御弁１６を制御する。これによって、高純
度のガスの消費量を押さえ、要求される雰囲気ガス純度
を得ることができる。As described above, the closed decompression chamber 1
The atmospheric gas inside is introduced into a circulation exhaust line by a circulation vacuum pump 21, and is returned from a circulation supply line into the decompression chamber 1 through a gas purifier 11. The components of the circulating gas at this time include a gas such as an inert gas that is not purified by the gas purifier 11, and the amount of the impure gas is such that the required gas purity is not affected. An amount of high-purity gas flows from the helium supply line 10 into the decompression chamber 1. Then, the pressure in the decompression chamber 1 is measured by the pressure sensor 9, and the exhaust flow control valve 16 disposed in front of the exhaust vacuum pump 15 is controlled so that the value becomes a predetermined pressure. As a result, the consumption of high-purity gas can be suppressed, and the required atmospheric gas purity can be obtained.
【００２４】また、循環排気ライン１２と循環供給ライ
ン１４により構成されるヘリウムガス循環ラインを複数
設けることにより、あるいは循環排気ライン１２の径を
太くすることによって、雰囲気ガスの精製効率を上げる
ことができる。Further, by providing a plurality of helium gas circulation lines constituted by the circulation exhaust line 12 and the circulation supply line 14, or by increasing the diameter of the circulation exhaust line 12, the purification efficiency of the atmosphere gas can be increased. it can.
【００２５】以上のように構成された本実施例により、
ガス純度と圧力を管理される減圧される密閉容器とガス
精製器を有するガス循環系を持つ純度管理システムにお
いて、ガス精製器に吸着されない不純気体（非精製気
体）の所定倍量の高純度ガスを流入させることで、高純
度ヘリウムガスの消費量を、従来のものと比較して１／
１００程度に削減でき、さらに、ガス精製器を持つヘリ
ウムガス循環系を有する装置と比較して雰囲気ガスの純
度のばらつきを抑えることができる。With the present embodiment configured as described above,
In a purity control system having a gas circulation system having a depressurized closed vessel for controlling gas purity and pressure and a gas purifier, a high-purity gas having a predetermined amount of an impurity gas (non-purified gas) not adsorbed by the gas purifier. , The consumption of high-purity helium gas is reduced by 1 /
It can be reduced to about 100, and the variation in the purity of the atmospheric gas can be suppressed as compared with an apparatus having a helium gas circulation system having a gas purifier.
【００２６】そして、このようなガス純度管理システム
を半導体露光装置に適用することにより、雰囲気ガス純
度の変動を抑えて安定した雰囲気ガス純度を保ち、高純
度のヘリウムガスの消費量を削減でき、ランニングコス
トの低減を図ることができるとともに、Ｘ線等の露光光
の減衰をなくし、高精度の露光が可能となる。By applying such a gas purity control system to a semiconductor exposure apparatus, it is possible to suppress fluctuations in atmospheric gas purity, maintain stable atmospheric gas purity, and reduce consumption of high-purity helium gas. The running cost can be reduced, and the exposure light such as X-rays can be prevented from being attenuated, so that highly accurate exposure can be performed.
【００２７】図２は、本発明のガス純度管理システムの
他の実施例を半導体露光装置に適用した状態を図示する
模式図であり、本実施例における半導体露光装置は、図
１に図示する半導体露光装置と同様の構造を有してお
り、同一部材には同一符号を付し、その詳細な説明は省
略する。FIG. 2 is a schematic diagram showing a state in which another embodiment of the gas purity management system of the present invention is applied to a semiconductor exposure apparatus. The semiconductor exposure apparatus in this embodiment is the same as the semiconductor exposure apparatus shown in FIG. It has the same structure as the exposure apparatus, and the same members are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００２８】本実施例における減圧チャンバーの減圧雰
囲気を制御する減圧雰囲気ガス純度管理システムの構成
は、減圧チャンバー１の真空度を調整する手段である排
気ライン８と、減圧チャンバー１内のガスをガス精製器
１１内に取り込む循環排気ライン３０と、減圧チャンバ
ー１内の雰囲気ガスであるヘリウムガスを供給するメイ
ン供給ライン３１と、ヘリウムボンベ２０からメイン供
給ライン３１へヘリウムガスを供給するヘリウムガス供
給ライン３２と、ガス精製器１１からメイン供給ライン
３１へ精製された再生ヘリウムガスを供給する循環供給
ライン３３を備えている。The configuration of the reduced-pressure atmosphere gas purity control system for controlling the reduced-pressure atmosphere in the reduced-pressure chamber according to the present embodiment includes an exhaust line 8 serving as a means for adjusting the degree of vacuum in the reduced-pressure chamber 1 and a gas in the reduced-pressure chamber 1. A circulating exhaust line 30 that takes in the purifier 11, a main supply line 31 that supplies helium gas as an atmospheric gas in the decompression chamber 1, and a helium gas supply line that supplies helium gas from the helium cylinder 20 to the main supply line 31. 32 and a circulating supply line 33 that supplies purified helium gas from the gas purifier 11 to the main supply line 31.
【００２９】排気ライン８は、前述の実施例と同様に、
排気用の真空ポンプ１５と排気流量制御弁１６とコント
ローラ１７を有し、コントローラ１７は減圧チャンバー
内圧力を計測する圧力センサ９の出力に基づいて排気流
量制御弁１６の開度を制御し、これによって減圧チャン
バー１の真空度を調整する。循環排気ライン３０は、循
環用の真空ポンプ２１とガス精製器１１を有し、これに
よって減圧チャンバー１内のヘリウムガスをガス精製器
１１を送り込みガス精製を行なう。循環供給ライン３３
は、第１の供給流量制御弁３５と再生ヘリウムタンク３
６とガス純度検出計３７とコントローラ３８を有し、コ
ントローラ３８は、再生ヘリウムタンク３６に蓄積され
た再生ヘリウムの純度をガス純度検出計３７により検出
し、その検出値を基に第１の供給流量制御弁３５の開度
を制御し、メイン供給ライン３１への再生ヘリウムガス
の供給量を制御する。ヘリウムガス供給ライン３２は、
第２の供給流量制御弁３９とヘリウムボンベ２０を有
し、第２の供給流量制御弁３９は、ガス純度検出計３７
の検出値を基にコントローラ３８によって、その開度が
制御され、メイン供給ライン３１への高純度ヘリウムガ
スの供給量を制御する。メイン供給ライン３１は、供給
流量制御弁１８とヘリウムガスを所定の温度に調節する
温調ユニット１９を有し、ガス純度検出計３７の検出値
に基づいて制御された循環供給ライン３３およびヘリウ
ムガス供給ライン３２からそれぞれ供給される再生ヘリ
ウムガスと高純度ヘリウムガスを混合して、供給流量制
御弁１８の設定開度に応じた流量とし、そして、温調ユ
ニット１９により温度を整えた上で減圧チャンバー１内
へ流入させる構成となっている。なお、本実施例におけ
る減圧雰囲気ガス純度管理システムにおいて、図１に図
示する前記実施例の部材と同様の作用をする部材には同
一の符号を付して説明する。The exhaust line 8 is, as in the previous embodiment,
It has a vacuum pump 15 for exhaust, an exhaust flow control valve 16, and a controller 17. The controller 17 controls the opening degree of the exhaust flow control valve 16 based on the output of the pressure sensor 9 that measures the pressure in the decompression chamber. Adjusts the degree of vacuum of the decompression chamber 1. The circulating exhaust line 30 has a circulating vacuum pump 21 and a gas purifier 11, and sends helium gas in the decompression chamber 1 to the gas purifier 11 to perform gas purification. Circulation supply line 33
Is the first supply flow control valve 35 and the regenerated helium tank 3
6, a gas purity detector 37, and a controller 38. The controller 38 detects the purity of the regenerated helium stored in the regenerated helium tank 36 by the gas purity detector 37, and performs the first supply based on the detected value. The opening of the flow control valve 35 is controlled to control the supply amount of the regenerated helium gas to the main supply line 31. The helium gas supply line 32
It has a second supply flow control valve 39 and a helium cylinder 20, and the second supply flow control valve 39 has a gas purity detector 37.
The opening of the helium gas is controlled by the controller 38 based on the detected value of the helium gas, and the supply amount of the high-purity helium gas to the main supply line 31 is controlled. The main supply line 31 has a supply flow control valve 18 and a temperature control unit 19 for adjusting the helium gas to a predetermined temperature, and a circulating supply line 33 and a helium gas controlled based on a value detected by a gas purity detector 37. The regenerated helium gas and the high-purity helium gas respectively supplied from the supply line 32 are mixed to obtain a flow rate corresponding to the set opening of the supply flow control valve 18, and the temperature is adjusted by the temperature control unit 19, and then the pressure is reduced. It is configured to flow into the chamber 1. In the system for controlling the purity of a gas under reduced pressure in this embodiment, members having the same functions as those of the embodiment shown in FIG.
【００３０】次に、本実施例の動作を説明する。減圧チ
ャンバー１を排気ライン８によって所定の真空度（例え
ば、１×１０-3Torr）に排気した後、ヘリウムガス供給
ライン３２の第２の供給流量制御弁３９およびメイン供
給ライン３１の供給流量制御弁１８を全開にして減圧チ
ャンバー１の雰囲気ガスであるヘリウムガスが所定の圧
力（例えば、１５０Torr）より若干高めになるまでヘリ
ウムガスを供給し、その後、第２の供給流量制御弁３９
を閉じる。次いで、第１の供給流量制御弁３５を開き、
循環排気ライン３０と循環供給ライン３３およびメイン
供給ライン３１により雰囲気ヘリウムガスを循環させ、
この循環系が定常状態に落ち着いたところで供給流量制
御弁１８を設定開度にし、そして、第１および第２の供
給流量制御弁３５，３９をコントローラ３８により制御
して所定流量のヘリウムガスを補充しながら排気ライン
８によって減圧チャンバー１の真空度を調整して所定の
雰囲気圧力を維持する。減圧チャンバー１の減圧雰囲気
をこのように制御した上で、ウエハ等の基板７の露光を
開始する。そして、本実施例においては、循環排気ライ
ン３０の循環用の真空ポンプ２１により取り込まれるヘ
リウムガスはガス精製器１１により精製され、再生され
たヘリウムガスは再生ヘリウムタンク３６に溜められ
る。その再生ヘリウムガスのガス純度はガス純度検出計
３７により検出され、コントローラ３８は、ガス純度検
出計３７のデータを基に第１の供給流量制御弁３５およ
び第２の供給流量制御弁３９の開度を制御し、ヘリウム
ガス供給ライン３２からの高純度ヘリウムガスの供給
と、循環排気ライン３０および循環供給ライン３３によ
る再生ヘリウムガスの供給を制御する。これによって、
ヘリウムボンベ２０からの高純度ヘリウムガスの過剰供
給を防止することができる。Next, the operation of this embodiment will be described. After the decompression chamber 1 is evacuated to a predetermined degree of vacuum (for example, 1 × 10 −3 Torr) by the exhaust line 8, the second supply flow control valve 39 of the helium gas supply line 32 and the supply flow control of the main supply line 31 are controlled. The valve 18 is fully opened to supply helium gas until the helium gas, which is the atmospheric gas in the decompression chamber 1, becomes slightly higher than a predetermined pressure (for example, 150 Torr), and then the second supply flow control valve 39
Close. Next, the first supply flow control valve 35 is opened,
The atmosphere helium gas is circulated through the circulation exhaust line 30, the circulation supply line 33, and the main supply line 31,
When the circulation system has settled down to a steady state, the supply flow control valve 18 is set to the set opening degree, and the first and second supply flow control valves 35 and 39 are controlled by the controller 38 to replenish the helium gas at a predetermined flow rate. While maintaining the predetermined atmospheric pressure, the degree of vacuum in the decompression chamber 1 is adjusted by the exhaust line 8. After controlling the reduced-pressure atmosphere of the reduced-pressure chamber 1 in this way, exposure of the substrate 7 such as a wafer is started. In this embodiment, the helium gas taken in by the circulating vacuum pump 21 in the circulating exhaust line 30 is purified by the gas purifier 11, and the regenerated helium gas is stored in the regenerated helium tank 36. The gas purity of the regenerated helium gas is detected by the gas purity detector 37, and the controller 38 opens the first supply flow control valve 35 and the second supply flow control valve 39 based on the data of the gas purity detector 37. The supply of the high-purity helium gas from the helium gas supply line 32 and the supply of the regenerated helium gas through the circulation exhaust line 30 and the circulation supply line 33 are controlled. by this,
Excessive supply of high-purity helium gas from the helium cylinder 20 can be prevented.
【００３１】以上のように、本実施例により、再生ヘリ
ウムガスの純度を計測する手段と、該再生ヘリウムガス
の流量制御手段と、ガス供給手段の制御手段とを有する
ことで、より精密な雰囲気ガスの純度管理が可能とな
り、さらにヘリウムガスの消費量の削減が可能となる。As described above, according to this embodiment, by providing the means for measuring the purity of the regenerated helium gas, the flow rate control means for the regenerated helium gas, and the control means for the gas supply means, a more precise atmosphere can be obtained. The gas purity can be controlled, and the consumption of helium gas can be further reduced.
【００３２】次に、上述した半導体露光装置を利用した
デバイスの製造方法の実施形態を説明する。Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described semiconductor exposure apparatus will be described.
【００３３】図３は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。FIG. 3 shows a micro device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head,
2 shows a flow of manufacturing a micromachine or the like. Step 1
In (Circuit Design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. Step 3 (wafer manufacturing)
Then, a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【００３４】図４は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハにレジストを塗布する。
ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハの複数のショット領域
に並べて焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光
したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。FIG. 4 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 1
In step 5 (resist processing), a resist is applied to the wafer.
Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to align the circuit pattern of the mask on a plurality of shot areas of the wafer and perform printing exposure. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００３５】このようなデバイスの製造方法を用いれ
ば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コ
ストに製造することができる。By using such a device manufacturing method, it is possible to manufacture a highly integrated device, which was conventionally difficult to manufacture, at low cost.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のガス純度
管理方法およびガス純度管理システムによれば、安定し
た雰囲気ガス純度を保ち、純度の変動を抑え、高純度の
ヘリウムガスの消費量を削減できる。As described above, according to the gas purity control method and gas purity control system of the present invention, the stable atmosphere gas purity is maintained, the fluctuation of the purity is suppressed, and the consumption of high-purity helium gas is reduced. Can be reduced.
【００３７】また、本発明のガス純度管理システムを適
用した半導体露光装置によれば、雰囲気ガス純度の変動
を抑えて安定した雰囲気ガス純度を保つことができ、高
純度のヘリウムガスの消費量を削減でき、ランニングコ
ストの低減を図ることができるとともに、Ｘ線等の露光
光の減衰をなくし、高精度の露光が可能となる。Further, according to the semiconductor exposure apparatus to which the gas purity control system of the present invention is applied, the fluctuation of the atmospheric gas purity can be suppressed, the stable atmospheric gas purity can be maintained, and the consumption of high-purity helium gas can be reduced. This makes it possible to reduce the running cost, reduce exposure light such as X-rays, and perform high-precision exposure.
【００３８】本発明のガス純度管理方法およびガス純度
管理システムは、前述した実施例に示したように半導体
露光装置に特に有効であるが、同様に高精度なガス純度
管理が必要な減圧密閉容器を持つ装置に効果がある。Although the gas purity control method and gas purity control system of the present invention are particularly effective for a semiconductor exposure apparatus as shown in the above-described embodiment, similarly, a high-pressure closed container requiring high-precision gas purity control. This is effective for devices that have
【図１】半導体露光装置に適用した本発明のガス純度管
理システムの一実施例を図示する模式図である。FIG. 1 is a schematic view illustrating one embodiment of a gas purity management system of the present invention applied to a semiconductor exposure apparatus.
【図２】半導体露光装置に適用した本発明のガス純度管
理システムの他の実施例を図示する模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating another embodiment of the gas purity management system of the present invention applied to a semiconductor exposure apparatus.
【図３】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャー
トである。FIG. 3 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a semiconductor device.
【図４】ウエハプロセスを示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a wafer process.
１ 減圧チャンバー ２ 基板位置決めステージ ３ マスク保持装置 ４ ビームダクト ５ ベリリウム窓 ６ マスク ７ 基板 ８ 排気ライン ９ 圧力センサ １０ ヘリウムガス供給ライン １１ ガス精製器 １２ 循環排気ライン １３ 温調ユニット １４ 循環供給ライン １５ （排気用）真空ポンプ １６ 排気流量制御弁 １７ コントローラ １８ 供給流量制御弁 １９ 温調ユニット ２０ ヘリウムボンベ ２１ （循環用）真空ポンプ ３０ 循環排気ライン ３１ メイン供給ライン ３２ ヘリウムガス供給ライン ３３ 循環供給ライン ３５ 第１の供給流量制御弁 ３６ 再生ヘリウムタンク ３７ ガス純度検出計 ３８ コントローラ ３９ 第２の供給流量制御弁 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Decompression chamber 2 Substrate positioning stage 3 Mask holding device 4 Beam duct 5 Beryllium window 6 Mask 7 Substrate 8 Exhaust line 9 Pressure sensor 10 Helium gas supply line 11 Gas purifier 12 Circulation exhaust line 13 Temperature control unit 14 Circulation supply line 15 ( Vacuum pump 16 Exhaust flow control valve 17 Controller 18 Supply flow control valve 19 Temperature control unit 20 Helium cylinder 21 (Circulation) vacuum pump 30 Circulating exhaust line 31 Main supply line 32 Helium gas supply line 33 Circulation supply line 35 First supply flow control valve 36 Regenerated helium tank 37 Gas purity detector 38 Controller 39 Second supply flow control valve
Claims (7)
密閉容器とガス精製器を有するガス循環系を備えたガス
純度管理システムにおいて、ガス精製器に吸着されない
不純気体の所定倍量の高純度ガスを密閉容器内へ流入さ
せ、該密閉容器内のガス純度を維持することを特徴とす
るガス純度管理方法。In a gas purity management system having a gas circulation system having a depressurized closed vessel for controlling gas purity and pressure and a gas purifier, a gas having a predetermined amount higher than that of an impurity gas not adsorbed by the gas purifier. A gas purity management method, comprising: flowing a purity gas into a closed container and maintaining the gas purity in the closed container.
たガスの純度を計測し、その計測値に基づいて、再生さ
れたガスおよび高純度ガスの密閉容器内への供給流量を
それぞれ制御して、該密閉容器内のガス純度を維持する
ことを特徴とする請求項１記載のガス純度管理方法。2. A method for measuring the purity of a regenerated gas by a gas purifier in a gas circulation system, and controlling the supply flow rates of the regenerated gas and the high-purity gas into a closed container based on the measured values. The gas purity management method according to claim 1, wherein the gas purity in the closed container is maintained.
密閉容器とガス精製器を有するガス循環系を備えたガス
純度管理システムにおいて、ガス循環系に循環ガス中の
不純物を吸着するガス精製器とガスを循環させる循環手
段を備え、さらに、所定流量の高純度ガスを密閉容器内
に供給するガス供給手段と、密閉容器内のガスを排出す
る排出手段と、密閉容器内圧力を計測する圧力計測手段
と、該圧力計測手段の計測値を基にガスの排気流量を制
御して密閉容器内圧力を所望の値に保つガス排気量制御
手段とを備えていることを特徴とするガス純度管理シス
テム。3. A gas purification system comprising a gas circulation system having a depressurized closed container for controlling gas purity and pressure and a gas purifier, wherein the gas circulation system adsorbs impurities in the circulating gas. A gas supply means for supplying a high-purity gas of a predetermined flow rate into the closed vessel, a discharge means for discharging the gas in the closed vessel, and measuring the pressure in the closed vessel. Gas purity, comprising: a pressure measuring means; and a gas exhaust amount controlling means for controlling a gas exhaust flow rate based on a measured value of the pressure measuring means to maintain a pressure inside the closed vessel at a desired value. Management system.
を計測する純度計測手段と、該純度計測手段による計測
結果に基づいて再生されたガスの供給流量を制御する再
生されたガスの流量制御手段と、該純度計測手段による
計測結果に基づいて高純度ガスの供給手段を制御する流
量制御手段をさらに備えていることを特徴とする請求項
３記載のガス純度管理システム。4. A purity measuring means for measuring the purity of the gas regenerated by the gas purifier, and a flow rate control of the regenerated gas for controlling a supply flow rate of the regenerated gas based on the measurement result by the purity measuring means. 4. The gas purity management system according to claim 3, further comprising means, and a flow control means for controlling a high-purity gas supply means based on a measurement result by said purity measuring means.
密閉容器とガス精製器を有するガス循環系を備えた半導
体露光装置において、ガス循環系に循環ガス中の不純物
を吸着するガス精製器とガスを循環させる循環手段を備
え、さらに、所定流量の高純度ガスを密閉容器内に供給
するガス供給手段と、密閉容器内のガスを排出する排出
手段と、密閉容器内圧力を計測する圧力計測手段と、該
圧力計測手段の計測値を基にガスの排気流量を制御して
密閉容器内圧力を所望の値に保つガス排気量制御手段と
を備えていることを特徴とする半導体露光装置。5. A semiconductor exposure apparatus provided with a gas circulation system having a depressurized closed vessel for controlling gas purity and pressure and a gas purification system, wherein the gas circulation system adsorbs impurities in the circulating gas. A gas supply means for supplying a high-purity gas of a predetermined flow rate into the closed vessel, a discharge means for discharging the gas in the closed vessel, and a pressure for measuring the pressure in the closed vessel. A semiconductor exposure apparatus comprising: a measuring unit; and a gas exhaust amount controlling unit that controls a gas exhaust flow rate based on a measurement value of the pressure measuring unit to maintain a pressure in the closed vessel at a desired value. .
を計測する純度計測手段と、該純度計測手段による計測
結果に基づいて再生されたガスの供給流量を制御する再
生されたガスの流量制御手段と、該純度計測手段による
計測結果に基づいて高純度ガス供給手段を制御する流量
制御手段をさらに備えていることを特徴とする請求項５
記載の半導体露光装置。6. A purity measuring means for measuring the purity of the gas regenerated by the gas purifier, and a flow rate control of the regenerated gas for controlling a supply flow rate of the regenerated gas based on a result of the measurement by the purity measuring means. And means for controlling a high-purity gas supply means based on a result of the measurement by the purity measuring means.
The semiconductor exposure apparatus according to claim 1.
を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス
製造方法。7. A device manufacturing method, comprising manufacturing a device using the semiconductor exposure apparatus according to claim 5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10044392A JPH11233426A (en) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Gas purity control method and gas purity control system, and semiconductor aligner and manufacture of device using the gas purity control system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10044392A JPH11233426A (en) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Gas purity control method and gas purity control system, and semiconductor aligner and manufacture of device using the gas purity control system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233426A true JPH11233426A (en) | 1999-08-27 |
Family
ID=12690245
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10044392A Withdrawn JPH11233426A (en) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Gas purity control method and gas purity control system, and semiconductor aligner and manufacture of device using the gas purity control system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233426A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001093319A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Nikon Corporation | Gas supply system, exposure device, and method of producing device |
| US6881268B2 (en) | 2000-01-06 | 2005-04-19 | Ebara Corporation | Method and apparatus for forming required gas atmosphere |
| US8705185B2 (en) | 2005-07-14 | 2014-04-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical element |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP10044392A patent/JPH11233426A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
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| US6881268B2 (en) | 2000-01-06 | 2005-04-19 | Ebara Corporation | Method and apparatus for forming required gas atmosphere |
| WO2001093319A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Nikon Corporation | Gas supply system, exposure device, and method of producing device |
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