JPH08262746A - Photoresist stripping agent composition and stripping method - Google Patents
Photoresist stripping agent composition and stripping methodInfo
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- JPH08262746A JPH08262746A JP6974695A JP6974695A JPH08262746A JP H08262746 A JPH08262746 A JP H08262746A JP 6974695 A JP6974695 A JP 6974695A JP 6974695 A JP6974695 A JP 6974695A JP H08262746 A JPH08262746 A JP H08262746A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造工
程におけるフォトレジスト層を剥離するための剥離剤組
成物及びフォトレジスト剥離方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stripping agent composition for stripping a photoresist layer in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit and a photoresist stripping method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路は、無機質基体上にフォ
トレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成
し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非
マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路
を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体上か
ら剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成し
た後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣物を無
機質基体上から剥離する方法によって製造される。2. Description of the Related Art In a semiconductor integrated circuit, a photoresist is coated on an inorganic substrate, a pattern is formed by exposure and development, and then the photoresist pattern is used as a mask to etch the inorganic substrate in a non-masked area to form a fine pattern. It is manufactured by a method of peeling the photoresist film from the inorganic substrate after forming a circuit, or a method of forming a fine circuit in the same manner and then ashing and peeling the remaining resist residue from the inorganic substrate. It
【０００３】従来、これらの方法のフォトレジスト剥離
液としては、酸性剥離剤とアルカリ剥離剤とが一般的に
使用されている。酸性剥離剤としては、例えばベンゼン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸
等のアリールスルホン酸類、フェノール類及び塩素系有
機溶剤からなる剥離剤（米国特許３，５８２，４０１
号）、ナフタレン等の芳香族炭化水素類、フェノール
類、及びアリールスルホン酸類から成る剥離剤（特開昭
６２−３５３５７号）等が挙げられる。これらの酸性剥
離剤は剥離力が弱く、また微細配線加工の配線材料に多
用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作用が強いの
で、近年の寸法精度が厳しい微細加工には好ましくな
い。またこれらの酸性剥離液は、水に対する溶解度が低
いため、フォトレジスト剥離の後にアルコールのような
有機溶剤でリンスし、次いで水洗を行う必要があり、工
程が煩雑になる等の問題を有している。Conventionally, an acidic stripping agent and an alkaline stripping agent have been generally used as photoresist stripping solutions for these methods. As the acidic stripping agent, for example, a stripping agent comprising aryl sulfonic acids such as benzene sulfonic acid, toluene sulfonic acid, xylene sulfonic acid, phenols and a chlorine-based organic solvent (US Pat. No. 3,582,401)
No.), naphthalene and other aromatic hydrocarbons, phenols, and aryl sulfonic acids (Japanese Patent Laid-Open No. 62-35357). These acidic stripping agents have a weak stripping force and have a strong corrosive action on aluminum, copper, etc., which are often used as wiring materials for fine wiring processing, and are therefore not preferable for fine processing with severe dimensional accuracy in recent years. Further, since these acidic stripping solutions have low solubility in water, it is necessary to rinse with an organic solvent such as alcohol after stripping the photoresist, and then wash with water, which has a problem that the process becomes complicated. There is.
【０００４】一方、アルカリ性剥離液はアルカノールア
ミンまたはポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサ
イド付加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキ
ルエーテルから成る剥離剤（特開昭６２−４９３５５
号）、ジメチルスルホキシドを主成分とし、ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロ
キシ化合物から成る剥離剤（特開昭６４−４２６５３
号）等が挙げられる。しかしながら上記のアルカリ性剥
離剤は、使用時に吸湿した水分によりアミンが解離して
アルカリ性を呈し、剥離の後にアルコール等の有機溶剤
を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ
性を呈する。またアルカリ性剥離剤は微細配線加工の配
線材料に多用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作
用が強く、近年寸法精度が厳しい超微細配線の加工には
好ましくない。更にアルカリ性剥離剤はフォトレジスト
剥離の後にアルコール等の有機溶剤によるリンスが必要
で、酸性剥離剤の場合と同様、工程が複雑になる等の問
題を有している。On the other hand, the alkaline stripping solution is a stripping agent consisting of an ethylene oxide adduct of an alkanolamine or polyalkylenepolyamine, a sulfone compound and a glycol monoalkyl ether (JP-A-62-49355).
No.), a release agent comprising dimethyl sulfoxide as a main component and a diethylene glycol monoalkyl ether and a nitrogen-containing organic hydroxy compound (JP-A-64-42653).
No.) and the like. However, the above-mentioned alkaline release agent exhibits alkalinity due to the dissociation of amine due to moisture absorbed during use, and exhibits alkalinity when washed with water without using an organic solvent such as alcohol after peeling. Further, the alkaline release agent has a strong corrosive effect on aluminum, copper, etc., which are often used as wiring materials for fine wiring processing, and is not preferable for processing ultrafine wiring, which has a severe dimensional accuracy in recent years. Further, the alkaline stripping agent requires rinsing with an organic solvent such as alcohol after stripping the photoresist, and has a problem that the process becomes complicated as in the case of the acidic stripping agent.
【０００５】更に近年、配線工程における超微細化に伴
い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用した
フォトレジストが変質する傾向にあり、先に述べた酸性
剥離液、あるいはアルカリ性剥離液では剥離性が弱く、
フォトレジストが無機質基体上に残存するという問題が
生じている。従ってこのような問題を防止するために、
レジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物の剥離が容易
で、しかもその際配線材料を腐食しないような剥離剤が
要求される。Further, in recent years, with the ultra-miniaturization in the wiring process, the etching conditions of the wiring material have become stricter, and the photoresist used tends to deteriorate, and the acid stripping solution or alkaline stripping solution described above has a releasability. Is weak,
There is a problem that the photoresist remains on the inorganic substrate. Therefore, in order to prevent such problems,
A peeling agent is required which can easily peel off the resist film, the resist layer, and the resist residue, and at the time, does not corrode the wiring material.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における上記の如き剥離剤の問題点を解決し、無機
質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチン
グ後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッ
チング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残
渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際
配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能であり、更
にリンス液としてアルコールの様な有機溶媒を使用する
必要がなく、水のみでリンスすることができ、構成度の
回路配線を製造できるようなフォトレジスト剥離剤組成
物を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the stripping agent in the prior art, and to apply a photoresist film coated on an inorganic substrate or a photo-resist coated on an inorganic substrate. The photoresist layer remaining after dry etching of the resist film or the photoresist residue remaining after ashing after dry etching can be easily peeled off at a low temperature in a short time, and the wiring material is not corroded at all. A photoresist stripper composition that can be microfabricated and that does not require the use of an organic solvent such as alcohol as a rinse liquid, can be rinsed only with water, and can be used to produce circuit wiring having a degree of composition Is to provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、アルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシ
アルカノールアミン類と、グリコールモノアルキルエー
テル類と、糖類または糖アルコール類、更に第四級アン
モニウム水酸化物を含む水溶液からなる剥離剤組成物
が、半導体集積回路の製造工程におけるフォトレジスト
を低温でかつ短時間で容易に剥離できること、さらに該
剥離剤組成物は配線材料を全く腐食しない非腐食性と作
業の簡便性を備えた極めて優れた特性を有することを見
い出し本発明に到達した。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that alkanolamines, alkoxyalkylamines or alkoxyalkanolamines, and glycol monoalkyl ethers , A sugar or a sugar alcohol, and a stripping agent composition comprising an aqueous solution further containing a quaternary ammonium hydroxide, the photoresist in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit can be easily stripped at a low temperature and in a short time. The present inventors have found that the agent composition has extremely excellent characteristics including non-corrosiveness that does not corrode wiring materials at all and convenience of work, and arrived at the present invention.
【０００８】即ち本発明は、(1) 一般式 Ｒ1 Ｒ2 −Ｎ
Ｃm Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜
４のアルキル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素
原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル
基、メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は２
〜４の整数）で表されるアルカノールアミン類、アルコ
キシアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を
５〜４５重量％、(2) 一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q
−Ｒ4 （Ｒ4 は水素または炭素数１〜４のアルキル基、
p は２〜３の整数、q は１〜３の整数）で表されるグリ
コールモノアルキルエーテルを１〜２５重量％、(3) 糖
類または糖アルコール類を０．５〜１５重量％、(4) 一
般式［（Ｒ5 ）3 Ｎ−Ｒ6 ］+ ＯＨ- （Ｒ5 は炭素数１
〜４のアルキル基、Ｒ6 は炭素数１〜４のアルキル基ま
たはヒドロキシアルキル基）で表される第四級アンモニ
ウム水酸化物 ０．０１〜１０重量％を含み、残部が水
であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物で
ある。That is, the present invention provides (1) the general formula R 1 R 2 --N
C m H 2m OR 3 (R 1 and R 2 are hydrogen atoms, having 1 to 1 carbon atoms.
4 alkyl group or hydroxyethyl group, R 3 is hydrogen atom, alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, hydroxyethyl group, methoxyethyl group or ethoxyethyl group, m is 2
5 to 45% by weight of alkanolamines, alkoxyamines or alkoxyalkanolamines represented by the formula ( 4 ) (2) the general formula R 4 — (C p H 2p O) q
—R 4 (R 4 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
p is an integer of 2 to 3, q is an integer of 1 to 3) 1 to 25% by weight of glycol monoalkyl ether, (3) 0.5 to 15% by weight of sugar or sugar alcohol, (4 ) general formula [(R 5) 3 N- R 6] + OH - (R 5 is C 1 -C
To an alkyl group of 4 to 4, R 6 is 0.01 to 10% by weight of a quaternary ammonium hydroxide represented by an alkyl group or a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and the balance is water. It is a characteristic photoresist stripping composition.
【０００９】本発明において一般式 Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm
Ｈ2mＯＲ3 で表されるアルカノールアミン類、アルコキ
シアルキルアミン類、またはアルコキシアルカノールア
ミン類としては、例えばエタノールアミン、Ｎ−メチル
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエ
タノールアミン、プロパノールアミン、Ｎ−メチルプロ
パノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミ
ン、Ｎ−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
プロパノールアミン、２−メトキシエチルアミン、２−
エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、
３−エトキシプロピルアミン、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、２−（２−アミノエトキシ）プロパノ
ール、２−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２
−プロパノール等が挙げられる。上記アルカノールアミ
ン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアルカ
ノールアミン類の中でエタノールアミン、Ｎ−メチルエ
タノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノー
ルアミン等が好適に用いられる。これらのアルカノール
アミン類、アルコキシアルキルアミン類、アルコキシア
ルカノールアミン類の濃度範囲は全溶液中５〜４５重量
％であり、好ましくは１０〜４０重量％である。アルカ
ノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類、または
アルコキシアルカノールアミン類の濃度が該範囲よりも
低い場合には、フォトレジストの剥離速度が遅く、また
該範囲よりも高い場合には、配線材料の腐食を防止でき
ない。In the present invention, the general formula R 1 R 2 --NC m
Examples of the alkanolamines, alkoxyalkylamines, or alkoxyalkanolamines represented by H 2m OR 3 include ethanolamine, N-methylethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N-ethylethanolamine, N. , N-diethylethanolamine, propanolamine, N-methylpropanolamine, N, N-dimethylpropanolamine, N-ethylpropanolamine, N, N-dimethylpropanolamine, 2-methoxyethylamine, 2-
Ethoxyethylamine, 3-methoxypropylamine,
3-ethoxypropylamine, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, 2- (2-aminoethoxy) propanol, 2-amino-1-propanol, 1-amino-2
-Propanol and the like. Among the above-mentioned alkanolamines, alkoxyalkylamines and alkoxyalkanolamines, ethanolamine, N-methylethanolamine, 2- (2-aminoethoxy) ethanolamine and the like are preferably used. The concentration range of these alkanolamines, alkoxyalkylamines and alkoxyalkanolamines is 5 to 45% by weight, preferably 10 to 40% by weight, based on the total solution. When the concentration of alkanolamines, alkoxyalkylamines, or alkoxyalkanolamines is lower than the range, the photoresist peeling speed is slow, and when it is higher than the range, corrosion of wiring materials is prevented. Can not.
【００１０】また一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ
4 で表されるグリコールアルキルエーテルとしては、例
えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジピロピ
レングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。これ
らのグリコールアルキルエーテルの濃度の範囲は全溶液
中１〜２５重量％であり、好ましくは５〜２０重量％で
ある。グリコールアルキルエーテルが該濃度範囲より低
い場合には配線材料の腐食が進行し、また該濃度範囲よ
り高い場合にはフォトレジストの剥離速度が低下する。[0010] Formula R 4 - (C p H 2p O) q -R
The glycol alkyl ether represented by 4 , for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether,
Diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether,
Examples include dipropylene glycol monoethyl ether and dipyropyrene glycol dimethyl ether. The concentration range of these glycol alkyl ethers is 1 to 25% by weight, preferably 5 to 20% by weight, based on the total solution. When the glycol alkyl ether is lower than the concentration range, the wiring material is corroded, and when the glycol alkyl ether is higher than the concentration range, the peeling rate of the photoresist decreases.
【００１１】本発明において使用される糖類としては、
単糖類、多糖類等の糖類の他、具体的には例えば炭素数
３〜６のグリセリンアルデヒド、トレオース、アラビノ
ース、キシロース、リボース、シブロース、キシルロー
ス、グルコース、マンノース、ガラクトース、タガトー
ス、アロース、アルトース、グロース、イドース、タロ
ース、ソルボース、プシコース、果糖等が挙げられる。
また本発明において使用される糖アルコール類として
は、トレイトール、エリトリトール、アドニトール、ア
ラビトール、キシリトール、タリトール、ソルビトー
ル、マンニトール、イジトール、ズルシトール等が挙げ
られる。これらの糖類および糖アルコール類の中、グル
コース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マ
ンニトール、キシリトール等が溶解性あるいは分解性な
どの点から好適である。これらの糖類または糖アルコー
ル類は全溶液中０．１〜１５重量％、好ましくは１〜１
０重量％の濃度範囲で使用され、糖類または糖アルコー
ル類が該範囲より低い場合には配線材料の腐食を充分に
防止できない。一方、該濃度範囲よりも高くても格別な
利点はなく、経済的な面から得策ではない。The saccharides used in the present invention include:
In addition to sugars such as monosaccharides and polysaccharides, specifically, for example, glycerinaldehyde having 3 to 6 carbon atoms, threose, arabinose, xylose, ribose, cibrose, xylulose, glucose, mannose, galactose, tagatose, allose, altose, gulose. , Idose, talose, sorbose, psicose, fructose and the like.
Examples of sugar alcohols used in the present invention include threitol, erythritol, adonitol, arabitol, xylitol, talitol, sorbitol, mannitol, iditol, dulcitol and the like. Among these sugars and sugar alcohols, glucose, mannose, galactose, sorbitol, mannitol, xylitol and the like are preferable from the viewpoint of solubility or degradability. These sugars or sugar alcohols are contained in the total solution in an amount of 0.1 to 15% by weight, preferably 1 to 1
When it is used in a concentration range of 0% by weight and the sugars or sugar alcohols are lower than the range, corrosion of the wiring material cannot be sufficiently prevented. On the other hand, even if the concentration is higher than the range, there is no particular advantage and it is not economically advantageous.
【００１２】本発明に使用される一般式［（Ｒ5 ）3 Ｎ
−Ｒ6 ］+ ＯＨ- で表される第四級アンモニウム水酸化
物としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアン
モニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウム
ヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキ
シド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウ
ムヒドロキシド、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）
アンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。これらの第
四級アンモニウム水酸化物の中で特にテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）及びトリメチル（２
−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドが好適
である。これらの第四級アンモニウム水酸化物の濃度の
範囲は、全溶液中０．０１〜１０重量％であり、好まし
くは０．１〜５重量％である。第四級アンモニウム水酸
化物が該濃度範囲より低い場合には、フォトレジストの
剥離速度が低下し、また該濃度範囲より高い場合には配
線材料の腐食が進行する。The general formula [(R 5 ) 3 N used in the present invention is as follows.
Examples of the quaternary ammonium hydroxide represented by —R 6 ] + OH − include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide. , Dimethyldiethylammonium hydroxide, trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, triethyl (2-hydroxyethyl)
Ammonium hydroxide and the like can be mentioned. Among these quaternary ammonium hydroxides, especially tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and trimethyl (2
-Hydroxyethyl) ammonium hydroxide is preferred. The concentration range of these quaternary ammonium hydroxides is 0.01 to 10% by weight, preferably 0.1 to 5% by weight in the total solution. If the concentration of the quaternary ammonium hydroxide is lower than the concentration range, the peeling rate of the photoresist decreases, and if it is higher than the concentration range, the corrosion of the wiring material proceeds.
【００１３】フォトレジスト膜が塗布される無機質基体
としては、シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、
アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タ
ングステン、窒化チタン、タングステン等の半導体配線
材料あるいはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジ
ウム−リン等の化合物半導体、さらにＬＣＤのガラス基
板等が挙げられる。本発明のフォトレジスト剥離剤は、
無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無
機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッ
チング後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライ
エッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジス
ト残渣物等の無機質基体上のフォトレジスト膜を剥離す
る際に用いられ、これらの剥離を行う際には、必要に応
じて適宜加熱あるいは超音波等を併用することができ
る。また本発明に係る剥離剤による処理方法は、浸漬法
が一般的であるが、その他の方法、例えばスプレーによ
る方法などを使用してもよい。本発明による剥離剤の処
理後のリンスとしては、アルコールの様な有機溶媒を使
用する必要はなく、水でリンスするだけで充分である。As the inorganic substrate to which the photoresist film is applied, silicon, polysilicon, silicon oxide film,
Examples thereof include semiconductor wiring materials such as aluminum, aluminum alloys, titanium, titanium-tungsten, titanium nitride, and tungsten, compound semiconductors such as gallium-arsenic, gallium-phosphorus, and indium-phosphorus, and glass substrates for LCDs. The photoresist remover of the present invention is
A photoresist film applied on an inorganic substrate, a photoresist layer remaining on a photoresist film applied on an inorganic substrate after dry etching, or an inorganic substrate such as a photoresist residue remaining after ashing after dry etching It is used when peeling off the photoresist film, and when these peeling are carried out, heating or ultrasonic waves can be appropriately used together if necessary. The treatment method with the release agent according to the present invention is generally a dipping method, but other methods such as a spray method may be used. As the rinse after the treatment of the stripping agent according to the present invention, it is not necessary to use an organic solvent such as alcohol, and it is sufficient to rinse with water.
【００１４】[0014]
【実施例】次に実施例及び比較例により本発明を更に具
体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により制
限されるものではない。EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples. However, the present invention is not limited to these examples.
【００１５】実施例１〜９、比較例１〜４ 図１はレジスト膜４をマスクとしてドライエッチングを
行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断
面を示す。図１において半導体装置基板１は酸化膜２に
被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護膜
５が形成されている。図１の半導体装置を表１に示す組
成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスして
乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。レジス
ト膜４及び残渣物５の剥離性と、アルミニウム（Ａｌ）
配線体３の腐食性について評価を行った結果を表１に示
す。なおＳＥＭ観察による評価基準は次の通りである。 （剥離性）◎：完全に除去された。 △：一部残存物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性）◎：腐食は全く認められなかった。 △：一部腐食が認められた。 ×：激しい腐食が認められた。Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 FIG. 1 shows a cross section of a semiconductor device in which an aluminum wiring body 3 is formed by dry etching using the resist film 4 as a mask. In FIG. 1, a semiconductor device substrate 1 is covered with an oxide film 2, and a side wall protective film 5 is formed during dry etching. The semiconductor device of FIG. 1 was immersed in a release agent having the composition shown in Table 1 for a predetermined time, rinsed with ultrapure water, dried, and observed with an electron microscope (SEM). Removability of the resist film 4 and the residue 5 and aluminum (Al)
Table 1 shows the results of evaluation of the corrosiveness of the wiring body 3. The evaluation criteria by SEM observation are as follows. (Peelability) A: Completely removed. Δ: Some residual material was observed. X: Most of them remained. (Corrosion) A: No corrosion was observed at all. Δ: Some corrosion was observed. X: Severe corrosion was recognized.
【００１６】実施例１０〜１５、比較例５〜８ 図２は実施例１で用いた半導体装置を酸素プラズマを用
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定の時間浸漬した後、超純水でリ
ンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残渣物５の剥離性及びアルミニウム（Ａｌ）配線体
３の腐食性について評価を行った結果を表２に示す。Examples 10 to 15 and Comparative Examples 5 to 8 FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor device used in Example 1 in which resist ashing is performed using oxygen plasma and the resist film 4 of FIG. 1 is removed. Indicates. In FIG. 2, the residue (sidewall protective deposition film) 5 is not removed by oxygen-based plasma, and the upper side of the residue 5 is only deformed so as to open to the center of the aluminum wiring body 3. The semiconductor device after the resist ashing of FIG. 2 was immersed in a stripping agent having the composition shown in Table 2 for a predetermined time, rinsed with ultrapure water, dried, and observed with an electron microscope (SEM). It was Table 2 shows the results of evaluation of the peelability of the residue 5 and the corrosiveness of the aluminum (Al) wiring body 3.
【００１７】[0017]
【発明の効果】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を
使用することにより、無機質基体上に塗布されたフォト
レジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレ
ジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジス
ト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い
残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間
に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超
微細加工が可能であり、更にリンス液としてアルコール
の様な有機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンス
することができ、高精度の回路配線を製造できる。EFFECTS OF THE INVENTION By using the photoresist stripper composition of the present invention, a photoresist film coated on an inorganic substrate or a photoresist remaining after dry etching a photoresist film coated on an inorganic substrate. Layers or photoresist residues remaining after ashing after dry etching can be easily peeled off at low temperature in a short time, at which time ultrafine processing is possible without corroding wiring materials. As a result, it is not necessary to use an organic solvent such as alcohol, and it is possible to rinse only with water, and it is possible to manufacture a highly accurate circuit wiring.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】[0019]
【表２】 [Table 2]
【図１】断面図レジスト膜４をマスクとしてドライエッ
チングを行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体
装置の断面を示す。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a cross section of a semiconductor device in which an aluminum wiring body 3 is formed by dry etching using a resist film 4 as a mask.
【図２】断面図図１の半導体装置を酸素プラズマを用い
てレジストアッシングを行い、レジスト膜４を除去した
半導体装置の断面図を示す。FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor device of FIG. 1 in which resist ashing is performed using oxygen plasma to remove the resist film 4.
１：半導体装置基板 ２：酸化膜 ３：アルミニウム配線体 ４：レジスト膜 ５：側壁保護堆積膜（残渣物） 1: Semiconductor device substrate 2: Oxide film 3: Aluminum wiring body 4: Resist film 5: Side wall protection deposition film (residue)
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成８年１月２５日[Submission date] January 25, 1996
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１６[Correction target item name] 0016
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１６】実施例１０〜１８、比較例５〜８ 図２は実施例１で用いた半導体装置を酸素プラズマを用
いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４を
除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては残
渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは除去さ
れず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中心に
対して開くように変形されているだけである。図２のレ
ジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２表に
示す組成の剥離剤に所定の時間浸漬した後、超純水でリ
ンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残渣物５の剥離性及びアルミニウム（Ａｌ）配線体
３の腐食性について評価を行った結果を表２に示す。Examples 10 to 18 and Comparative Examples 5 to 8 FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor device used in Example 1 in which resist ashing was performed using oxygen plasma and the resist film 4 in FIG. 1 was removed. Indicates. In FIG. 2, the residue (sidewall protective deposition film) 5 is not removed by oxygen-based plasma, and the upper side of the residue 5 is only deformed so as to open to the center of the aluminum wiring body 3. The semiconductor device after the resist ashing of FIG. 2 was immersed in a stripping agent having the composition shown in Table 2 for a predetermined time, rinsed with ultrapure water, dried, and observed with an electron microscope (SEM). It was Table 2 shows the results of evaluation of the peelability of the residue 5 and the corrosiveness of the aluminum (Al) wiring body 3.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１９[Correction target item name] 0019
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１９】[0019]
【表２】 [Table 2]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 英俊 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱 瓦斯化学株式会社新潟研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hidetoshi Ikeda Niigata City, Niigata City, Tayuhama, Niiwari 182, Niigata Research Center Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. Niigata Research Center
Claims (5)
（Ｒ1 及びＲ2 は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基
またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原子、炭素数１
〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチ
ル基またはエトキシエチル基、m は２〜４の整数）で表
されるアルカノールアミン類、アルコキシアミン類また
はアルコキシアルカノールアミン類を５〜４５重量％、
(2) 一般式 Ｒ4 −（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ4 （Ｒ4 は水
素または炭素数１〜４のアルキル基、p は２〜３の整
数、q は１〜３の整数）で表されるグリコールモノアル
キルエーテルを１〜２５重量％、(3) 糖類または糖アル
コール類を０．５〜１５重量％、(4) 一般式［（Ｒ5 ）
3 Ｎ−Ｒ6 ］+ ＯＨ- （Ｒ5 は炭素数１〜４のアルキル
基、Ｒ6 は炭素数１〜４のアルキル基またはヒドロキシ
アルキル基）で表される第四級アンモニウム水酸化物
０．０１〜１０重量％を含み、残部が水であることを特
徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。1. A general formula R 1 R 2 —NC m H 2m OR 3
(R 1 and R 2 are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyethyl group, R 3 is a hydrogen atom, a carbon number 1
Alkanolamines, alkoxyamines or alkoxyalkanolamines represented by an alkyl group, a hydroxyethyl group, a methoxyethyl group or an ethoxyethyl group, m is an integer of 2 to 4;
(2) the general formula R 4 - (C p H 2p O) q -R 4 (R 4 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, p is 2-3 integer, q is an integer of 1 to 3) 1 to 25% by weight of glycol monoalkyl ether represented by the formula (3) 0.5 to 15% by weight of sugars or sugar alcohols, (4) the general formula [(R 5 )
3 N−R 6 ] + OH − (R 5 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 6 is an alkyl group or hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
A photoresist stripper composition comprising 0.01 to 10% by weight and the balance being water.
ォトレジストを剥離することを特徴とするフォトレジス
ト剥離方法。2. A photoresist stripping method comprising stripping a photoresist using the stripping agent composition according to claim 1.
膜を剥離する請求項２に記載のフォトレジスト剥離方
法。3. The photoresist stripping method according to claim 2, wherein the photoresist film coated on the inorganic substrate is stripped.
マスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層を剥離する請求
項２に記載のフォトレジスト剥離方法。4. The photoresist stripping method according to claim 2, wherein a mask is formed on the inorganic substrate using a photoresist film, and the non-masked region is dry-etched to strip the masked photoresist layer.
マスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層をさらにアッシ
ングを行い、残存するフォトレジスト残部を剥離する請
求項２に記載のフォトレジスト剥離方法。5. A mask is formed on an inorganic substrate using a photoresist film, a non-mask region is dry-etched, the mask-formed photoresist layer is further ashed, and the remaining photoresist residue is peeled off. Item 3. The photoresist stripping method according to Item 2.
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