KR100363924B1 - Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping photoresists using the same - Google Patents

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Abstract

(a) 알칸올아민류, (b) 당류, (c) 수용성 유기용매, (d)벤조트리아졸 또는 그 유도체, 및 (e) 물을 함유하여 이루어지는 포토 레지스트용 박리액 조성물, 및 이것을 사용한 포토 레지스트 박리방법이 개시된다. 본 발명에 의하면, 특히 액정패널소자의 제조에 바람직하게 사용되는, 포토 레지스트막의 박리성이 우수하면서, 금속배선, 무기재료층의 양자를 형성한 기판의 부식방지성이 우수한 포토 레지스트용 박리액 조성물, 및 이것을 사용한 포토 레지스트 박리방법이 제공된다.A peeling liquid composition for photoresists comprising (a) alkanolamines, (b) sugars, (c) water-soluble organic solvents, (d) benzotriazole or derivatives thereof, and (e) water, and photoresist using the same A peeling method is disclosed. Advantageous Effects of Invention According to the present invention, a peeling liquid composition for photoresist that is excellent in the peelability of a photoresist film, which is particularly preferably used for the manufacture of liquid crystal panel elements, and excellent in corrosion protection of a substrate on which both metal wiring and an inorganic material layer are formed. And a photoresist stripping method using the same.

Description

포토 레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 이용한 포토 레지스트 박리방법{PHOTORESIST STRIPPING LIQUID COMPOSITIONS AND A METHOD OF STRIPPING PHOTORESISTS USING THE SAME}Photoresist stripper composition for photoresist and photoresist stripping method using same {PHOTORESIST STRIPPING LIQUID COMPOSITIONS AND A METHOD OF STRIPPING PHOTORESISTS USING THE SAME}

본 발명은 포토 레지스트액 조성물 및 이것을 이용한 포토 레지스트 박리방법에 관한 것이다. 더욱 자세히 설명하게는 IC 또는 LSI 등의 반도체소자 또는 액정패널소자의 제조에 바람직하게 사용되는, 포토 레지스트막의 박리성이 우수하고, 기판에 대한 부식방지성이 우수한 포토 레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 이용한 포토 레지스트 박리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist liquid composition and a photoresist stripping method using the same. More specifically, the photoresist stripper composition for photoresist, which is preferably used for the manufacture of semiconductor devices or liquid crystal panel devices such as IC or LSI, and excellent in corrosion resistance to a substrate, and using the same It relates to a photoresist stripping method.

IC 또는 LSI 등의 반도체소자 또는 액정패널소자는 기판상에 증착 등에 의하여 형성된 도전성 금속막 또는 절연막상에 포토 레지스트를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광, 현상처리하여 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 이 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막이나 절연막을 선택적으로 에칭하고, 미세회로를 형성한 후에 필요 없는 포토 레지스트층을 박리액으로 제거하여 제조된다.A semiconductor element such as an IC or LSI or a liquid crystal panel element is uniformly coated with a photoresist on a conductive metal film or an insulating film formed by vapor deposition on a substrate, and selectively exposed and developed to form a photoresist pattern. The conductive metal film or the insulating film is selectively etched using the pattern as a mask, and after the formation of the microcircuit, the unnecessary photoresist layer is removed by a stripping solution.

현재의 포토 리소그래피기술에 있어서, 포토 레지스트막을 박리하는 기술은 패턴의 미세화, 기판 다층화의 진행, 기판표면에 형성된 재질의 변화에 대응하여보다 엄격한 조건을 충족시킬 것이 요구되어 오고 있다.In the current photolithography technique, the technique of peeling the photoresist film has been required to meet more stringent conditions in response to the miniaturization of the pattern, the progress of the multilayered substrate, and the change of the material formed on the substrate surface.

특히 액정표시소자의 제조에 있어서는 금속배선과, 폴리실리콘막, 비정질 실리콘막 등의 무기재료층이 형성된 기판을 사용하는 점에서, 이들 금속배선, 무기재료층의 양자에 부식을 일으키지 않고 박리할 수 있는 박리액의 개발이 바람직하다.In particular, in the manufacture of liquid crystal display devices, since a metal wiring and a substrate on which inorganic material layers such as a polysilicon film and an amorphous silicon film are formed are used, the metal wiring and the inorganic material layer can be peeled off without causing corrosion. Development of a stripping solution is preferred.

종래부터, 포토 레지스트용 박리액 조성물로는, 예를 들어 알칸올아민류, 알콕시알킬아민류 또는 알콕시알칸올아민류, 글리콜모노알킬에테르, 당 또는 당알코올류, 및 물로 이루어지는 레지스트 박리제 조성물 (일본 공개특허공보 평8-190205 호), 알칸올아민류, 알콕시알킬아민류 또는 알콕시알칸올아민류, 산이미드류, 당 또는 당알코올류, 및 물로 이루어지는 레지스트 박리제 조성물 (일본 공개특허공보 평8-202051 호), 알칸올아민류, 알콕시알킬아민류 또는 알콕시알칸올아민류, 글리콜모노알킬에테르, 당 또는 당알코올류, 제 4 급 암모늄 수산화물, 및 물로 이루어지는 레지스트 박리제 조성물 (일본 공개특허공보 평8-262746 호), 알칸올아민류, 알콕시아민류 또는 알콕시알칸올아민류, 히드록실아민류, 당 또는 당알코올류, 계면활성제, 및 물로 이루어지는 레지스트 박리제 조성물 (일본 공개특허공보 평9-54442 호), 알칸올아민류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, 당 또는 당알코올류, N,N-디에틸히드록실아민, 및 물로 이루어지는 레지스트용 박리액 조성물 (일본 공개특허공보 평9-152721 호), pKa 가 7.5 ~ 13 인 아민류, 히드록실아민류, 수용성 유기용매, 부식방지제, 및 물로 이루어지는 레지스트용 박리액 조성물 (일본 공개특허공보 평9-96911 호) 등을 들 수 있다.Conventionally, as a peeling liquid composition for photoresists, the resist peeling agent composition which consists of alkanolamines, alkoxyalkylamines or alkoxyalkanolamines, glycol monoalkyl ether, sugar or sugar alcohols, and water, for example Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-190205), alkanolamines, alkoxyalkylamines or alkoxyalkanolamines, acid imides, sugars or sugar alcohols, and resist resist releasing agent compositions (JP-A-8-202051), alkanols Resist stripper composition (Japanese Patent Laid-Open No. 8-262746), alkanolamines, consisting of amines, alkoxyalkylamines or alkoxyalkanolamines, glycol monoalkyl ethers, sugars or sugar alcohols, quaternary ammonium hydroxides, and water Alkoxyamines or alkoxyalkanolamines, hydroxylamines, sugars or sugar alcohols, surfactants, and water A resist stripper for resist consisting of a resist stripper composition (Japanese Patent Laid-Open No. 9-54442), alkanolamines, diethylene glycol monoalkyl ethers, sugars or sugar alcohols, N, N-diethylhydroxylamine, and water A composition for removing a resist composition comprising a composition (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-152721), an amine having a pKa of 7.5 to 13, a hydroxylamine, a water-soluble organic solvent, a corrosion inhibitor, and water (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-96911) ), And the like.

그러나, 상기 각 공보에 기재된 조성물에서는, 금속배선과 폴리실리콘막 등의 무기재료층의 양자를 형성한 기판상의 포토 레지스트층을 박리하는데는 기판에 대한 불리함이 있어 바람직하지 못하다.However, in the composition described in each of the above publications, there is a disadvantage in that it is disadvantageous for the substrate to peel off the photoresist layer on the substrate on which both the metal wiring and the inorganic material layer such as the polysilicon film are formed.

본 발명의 목적은 특히 금속배선과 폴리실리콘막 등의 무기재료층의 양자를 형성하여 이루어지는 기판상에 형성된 포토 레지스트층의 박리성이 특히 우수함과 동시에, 이 기판의 부식방지성이 우수한 포토 레지스트용 박리액 조성물, 및 이것을 이용한 포토 레지스트 박리방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a photoresist layer which is particularly excellent in peelability of a photoresist layer formed on a substrate formed of both an inorganic material layer such as a metal wiring and a polysilicon film, and also excellent in corrosion resistance of the substrate. A peeling liquid composition and the photoresist peeling method using the same are provided.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (a) 알칸올아민류, (b) 당류, (c) 수용성 유기용매, (d) 벤조트리아졸 또는 그 유도체, 및 (e) 물을 함유하여 이루어지는 포토 레지스트용 박리액 조성물을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a photoresist comprising (a) alkanolamines, (b) sugars, (c) water-soluble organic solvents, (d) benzotriazole or derivatives thereof, and (e) water. A release solution composition for a solvent is provided.

또한, 본 발명은 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판상에 형성된 포토 레지스트의 박리를 위한, 상기 포토 레지스트용 박리액 조성물의 사용에 제공한다.In addition, the present invention provides the use of the above-mentioned stripper liquid composition for photoresist for stripping the photoresist formed on the substrate on which the metal wiring and the inorganic material layer are formed.

그리고, 본 발명은And, the present invention

(Ⅰ) 기판상에 포토 레지스트층을 형성하는 공정,(I) forming a photoresist layer on a substrate,

(Ⅱ) 이 포토 레지스트층을 선택적으로 노광하는 공정,(II) selectively exposing this photoresist layer,

(Ⅲ) 노광후의 포토 레지스트층을 현상하여 포토 레지스트패턴을 형성하는 공정,(III) developing the photoresist layer after exposure to form a photoresist pattern;

(Ⅳ) 이 포토 레지스트패턴을 마스크로 하여 이 기판을 에칭하는 공정, 및(IV) etching the substrate using the photoresist pattern as a mask, and

(Ⅴ) 에칭공정 후의 포토 레지스트패턴을 상기 포토 레지스트용 박리액 조성물을 사용하여 기판에서 박리하는 공정(V) Process of peeling the photoresist pattern after an etching process from a board | substrate using the said peeling liquid composition for photoresists.

을 포함한 포토 레지스트 박리방법을 제공한다.It provides a photoresist stripping method comprising a.

(a) 성분의 알칸올아민류로는, 구체적으로는 예를 들어 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 에틸아미노에탄올, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등을 들 수 있고, 그 중에서도 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올이 바람직하게 사용된다. 이것들은 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 2 종류를 조합하여 사용할 수도 있다.Specific examples of the alkanolamines of the component (a) include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, ethylaminoethanol, dimethylaminoethanol, diethylaminoethanol, and 2- (2-aminoethoxy). Ethanol etc. are mentioned, Especially, monoethanolamine and 2- (2-aminoethoxy) ethanol are used preferably. These may be used independently or may be used in combination of 2 types.

(b) 성분으로서의 당류는 일반적으로 Cn(H2O)m으로 표시되는 이른바 당 또는, 이들 당의 카르보닐기를 환원시켜 얻어지는 당알코올 등이 사용되고, 구체적으로는 D-소르비톨, 아라비톨, 만니톨, 크실리톨, 자당, 전분 등을 들 수 있고, 그 중에서도 크실리톨, D-소르비톨이 바람직하다. 이것들은 단독으로 사용할 수 있고, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.As the saccharide as the component (b), a so-called sugar generally represented by C n (H 2 O) m or a sugar alcohol obtained by reducing a carbonyl group of these sugars is used, and specifically, D-sorbitol, arabitol, mannitol, and chloro Silyl, sucrose, starch, etc. are mentioned, Especially, xylitol and D-sorbitol are preferable. These can be used individually or can also be used in combination of 2 or more type.

(c) 성분으로서의 수용성 유기용매는 물과 혼화성이 있는 유기용매이면 되고, 다른 (a), (b), (d) 성분을 용해시킨 것이면 임의로 사용할 수 있다. 이러한 수용성 유기용매로는, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류; 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-히드록시에틸)술폰, 테트라메틸렌술폰 등의 술폰류; N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸아세토아미드, N-메틸아세토아미드, N,N-디에틸아세토아미드 등의 아미드류; N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-프로필-2-피롤리돈, N-히드록시메틸-2-피롤리돈, N-히드록시에틸-2-피롤리돈 등의 락탐류;1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논류; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜 또는, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르 (알킬은 탄소원자수 1 ~ 6 의 저급알킬) 등의 다가 알코올류, 및 그 유도체를 들 수 있다. 이것들은 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 2 종 이상을 결합하여 사용할 수도 있다. 이것들 중에서 디메틸술폭시드, N-메틸-2-피롤리돈, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 중에서 선택된 적어도 1 종이 더욱 우수한 박리성능을 갖는 등의 점에서 바람직하게 사용된다. 나아가서는 디메틸술폭시드, N-메틸-2-피롤리돈 또는 이것들의 혼합용매가 특히 고온상태에서의 박리액의 보존안정성을 고려할 때 보다 바람직하다.The water-soluble organic solvent as the component (c) may be any organic solvent which is miscible with water, and any other component (a), (b), or (d) can be used. As such a water-soluble organic solvent, sulfoxides, such as dimethyl sulfoxide; Sulfones such as dimethyl sulfone, diethyl sulfone, bis (2-hydroxyethyl) sulfone and tetramethylene sulfone; Amides such as N, N-dimethylformamide, N-methylformamide, N, N-dimethylacetoamide, N-methylacetoamide and N, N-diethylacetoamide; N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N-hydroxymethyl-2-pyrrolidone, N-hydroxyethyl-2- Lactams such as pyrrolidone; 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diisopropyl-2-imidazolidinone and the like Imidazolidinones; Ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol methyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol or diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol mono Polyhydric alcohols, such as diethylene glycol monoalkyl ether (alkyl is C1-C6 lower alkyl), such as ethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, and diethylene glycol monobutyl ether, and its derivative (s) are mentioned. These may be used independently or may be used in combination of 2 or more type. Of these, at least one selected from dimethyl sulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone and diethylene glycol monobutyl ether is preferably used in view of having more excellent peeling performance. Furthermore, dimethyl sulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone or a mixed solvent thereof are more preferable in consideration of the storage stability of the stripping solution, especially at a high temperature.

(d) 성분으로서의 벤조트리아졸 또는 그 유도체로는, 하기 일반식 (Ⅰ)As benzotriazole or derivatives thereof as the component (d), the following general formula (I)

[식중, Q 는 수소원자, 수산기, 치환 또는 미치환된 탄소원자수 1 ~ 10 의 탄화수소기 (단, 그 구조 중에 아미드결합, 에스테르결합을 가지고 있을 수도 있다), 아리일기, 또는 하기식 (Ⅱ)[Wherein Q is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (however, may have an amide bond or ester bond in its structure), an aryl group, or the following formula (II)

(식중, R3은 탄소원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타내고; R4, R5는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 또는 탄소원자수 1 ~ 6 의 히드록시알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타낸다)(Wherein R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydroxyalkyl group or an alkoxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms)

으로 표시되는 기를 나타내고; R1, R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 미치환된 탄소원자수 1 ~ 10 의 탄화수소기, 카르복실기, 아미노기, 수산기, 시아노기, 포르밀기, 술포닐알킬기, 또한 술포기를 나타낸다]로 표시되는 화합물이 바람직하게 사용된다.Represents a group represented by; R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a carboxyl group, an amino group, a hydroxyl group, a cyano group, a formyl group, a sulfonylalkyl group, and a sulfo group]. The compound to be used is preferably used.

「탄화수소기」는 탄소원자와 수소원자로 이루어지는 유기기이다. 본 발명에 있어서, 상기 기 Q, R1, R2의 각 정의 중에서 탄화수소기로는 방향족 탄화수수소기 또는 지방족 탄화수소기의 어느 하나일 수도 있고, 또한 포화, 불포화결합을 가지고 있을 수도 있으며, 나아가 직쇄, 분지쇄의 어느 하나일 수도 있다. 치환 탄화수소기로는, 예를 들어 히드록시알킬기, 알콕실알킬기 등을 예시할 수 있다.A "hydrocarbon group" is an organic group which consists of a carbon atom and a hydrogen atom. In the present invention, in each definition of the groups Q, R 1 and R 2 , the hydrocarbon group may be either an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group, and may have a saturated or unsaturated bond, and further, a straight chain, It may be either branched chain. As a substituted hydrocarbon group, a hydroxyalkyl group, an alkoxylalkyl group, etc. can be illustrated, for example.

또한, 상기 일반식 (Ⅰ) 중에서, Q 로는 특히 상기 식 (Ⅱ) 로 표시되는 기인 것이 바람직하다. 그 중에서도 식 (Ⅱ) 중에서, R4, R5로는 각각 독립적으로 탄소원자수 1 ~ 6 의 히드록시알킬기 또는 알콕시알킬기를 선택하는 것이 바람직하다. 또한, R4, R5의 적어도 어느 한쪽이 탄소원자수 1 ~ 6 의 알킬기인 경우, 이러한 조성의 벤조트리아졸 및 그 유도체의 물성은 수용성이 결여되나, 이 화합물을 용해시키는 다른 성분이 박리액 중에 존재하는 경우에 바람직하게 사용할 수 있다.Moreover, in said general formula (I), it is especially preferable that it is group represented by said formula (II) as Q. Especially, it is preferable to select a C1-C6 hydroxyalkyl group or an alkoxyalkyl group as R <4> , R <5> each independently in Formula (II). In addition, when at least one of R 4 and R 5 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, the physical properties of benzotriazole and its derivatives having such a composition lack water solubility, but other components dissolving the compound are present in the stripping solution. When present, it can use preferably.

또한, 상기 일반식 (Ⅰ) 중에서, Q 로서 수소원자, 탄소원자수 1 ~ 3 의 알킬기 (즉, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기), 탄소원자수 1 ~ 3 의 히드록시알킬기, 수산기 등도 바람직하게 사용할 수 있다.In the above general formula (I), hydrogen atom, alkyl group having 1 to 3 carbon atoms (that is, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group), hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, hydroxyl group and the like are also preferable. Can be used.

벤조트리아졸 및 그 유도체로는, 구체적으로는 예를 들어 벤조트리아졸, 5,6-디메틸벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 1-아미노벤조트리아졸, 1-페닐벤조트리아졸, 1-히드록시메틸벤조트리아졸, 1-벤조트리아졸카르복실산메틸, 5-벤조트리아졸카르복실산, 1-메톡시-벤조트리아졸, 1-(2,2-디히드록시에틸)-벤조트리아졸, 1-(2,3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 또는「일가메트」시리즈로서 치바ㆍ스페셜리티ㆍ케미칼즈에서 시판하는 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 2,2'-{[(5-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄, 또는 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스프로판 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메톡시벤조트리아졸, 1-(2,2-디히드록시에틸)벤조트리아졸, 1-(1,2-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(2,3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 및 2,2'-{[(5-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올 등이, 금속배선과 폴리실리콘막 등의 무기재료층의 양자를 형성한 기판의 부식방지효과, 박리성효과 등의 점에서 바람직하게 사용할 수 있다.Specific examples of the benzotriazole and its derivatives include benzotriazole, 5,6-dimethylbenzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, 1-methylbenzotriazole, 1-aminobenzotriazole, 1-phenylbenzotriazole, 1-hydroxymethylbenzotriazole, methyl 1-benzotriazolecarboxylic acid, 5-benzotriazolecarboxylic acid, 1-methoxy-benzotriazole, 1- (2,2 -Dihydroxyethyl) -benzotriazole, 1- (2,3-dihydroxypropyl) benzotriazole, or 2,2 '-{[available from Chiba Specialty Chemicals as series "Ilgamet" (4-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino} bisethanol, 2,2 '-{[(5-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino} Bisethanol, 2,2 '-{[(4-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino} bisethane, or 2,2'-{[(4-methyl-1H-benzotria Zol-1-yl) methyl] imino} bispropane etc. are mentioned. Among these, benzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, 1-methoxybenzotriazole, 1- (2,2-dihydroxyethyl) benzotriazole, 1- (1,2-dihydroxypropyl ) Benzotriazole, 1- (2,3-dihydroxypropyl) benzotriazole, 2,2 '-{[(4-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino} bisethanol , And 2,2 '-{[(5-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino} bisethanol and the like form both of metal wiring and an inorganic material layer such as a polysilicon film. It can use suitably from a corrosion prevention effect of a board | substrate, a peelability effect, etc.

(d) 성분은 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.(d) A component may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

(e) 성분으로서의 물은 (a) 성분 등에 필연적으로 함유되어 있는 것도 유효하나, 더욱 첨가하여 그 배합량을 조정할 수도 있다.Although water as (e) component is necessarily contained in (a) component etc., it is effective, but can also add it and adjust the compounding quantity.

상기 (a) ~ (e) 성분을 포함하는 본 발명의 포토 레지스트 박리액 조성물 중, 각 성분의 배합량은 아래와 같다.The compounding quantity of each component in the photoresist stripping liquid composition of this invention containing said (a)-(e) component is as follows.

(a) 성분의 배합량의 상한은 40 중량가 바람직하고, 특히 30 중량가 바람직하다. 또한, 하한은 5 중량가 바람직하고, 특히 10 중량가 바람직하다.40 weights are preferable and, as for the upper limit of the compounding quantity of (a) component, 30 weights are especially preferable. Moreover, 5 weight is preferable and, as for a minimum, 10 weight is especially preferable.

(b) 성분의 배합량의 상한은 30 중량가 바람직하고, 특히 25 중량가 바람직하다. 또한, 하한은 2 중량가 바람직하고, 특히 5 중량가 바람직하다.30 weights are preferable and, as for the upper limit of the compounding quantity of (b) component, 25 weights are especially preferable. Moreover, 2 weight is preferable and, as for a minimum, 5 weight is especially preferable.

(c) 성분의 배합량의 상한은 50 중량가 바람직하고, 특히 40 중량가 바람직하다. 또한, 하한은 5 중량가 바람직하다.50 weights are preferable and, as for the upper limit of the compounding quantity of (c) component, 40 weights are especially preferable. In addition, as for a minimum, 5 weight is preferable.

(d) 성분의 배합량의 상한은 5 중량가 바람직하고, 특히 3 중량가 바람직하다. 또한, 하한은 0.01 중량가 바람직하고, 특히 0.05 중량가 바람직하다.5 weight is preferable and, as for the upper limit of the compounding quantity of (d) component, 3 weight is especially preferable. Moreover, 0.01 weight is preferable and, as for a minimum, 0.05 weight is especially preferable.

또한, (e) 성분은 잔부를 차지한다.In addition, (e) component occupies remainder.

본 발명은 (a) ~ (e) 성분을 전술한 배합비율의 범위로 함으로써, 포토 레지스트 박리성, 금속배선 및 폴리실리콘막 등의 무기재료층에 대한 부식방지성이 더 한층 우수한 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, by making the components (a) to (e) within the above-described compounding ratios, the effect of further excellent anti-corrosion property to inorganic material layers such as photoresist stripping property, metal wiring and polysilicon film can be obtained. have.

특히 이중에서도, (b) 성분 및 (d) 성분의 배합량을 상기 범위내로 함으로써, 금속배선 및 무기재료층에 대한 부식방지를 보다 더 효과적으로 달성할 수 있다.In particular, by preventing the amount of the component (b) and the component (d) within the above range, corrosion prevention of the metal wiring and the inorganic material layer can be more effectively achieved.

본 발명의 박리액 조성물은, 상기 (a) ~ (e) 성분에 부가하여, 필요에 따라서 포토 레지스트막에 대한 박리성을 보다 더 향상시키기 위하여, 본 발명의 다른 효과를 저해하지 않는 범위에서 히드록실아민, N,N-디에틸히드록실아민 [N(C2H5)2OH]을 더 배합할 수도 있다.The peeling liquid composition of this invention adds to the said (a)-(e) component, and if necessary, in order to improve the peelability with respect to a photoresist film further, it is a hydride in the range which does not inhibit the other effect of this invention. a hydroxylamine, N, N- diethyl hydroxylamine [N (C 2 H 5) 2 OH] may be further blended.

본 발명의 포토 레지스트용 박리액 조성물은 네가티브형 및 포지티브형 포토 레지스트를 포함하여 알칼리 수용액으로 현상할 수 있는 포토 레지스트에 유리하게 사용할 수 있다. 이러한 포토 레지스트로는, (ⅰ) 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락수지를 함유하는 포지티브형 포토 레지스트, (ⅱ) 노광에 의하여 산을 발생시키는 화합물, 산에 의하여 분해되고 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대되는 화합물 및 알칼리 가용성수지를 함유하는 포지티브형 레지스트, (ⅲ) 노광에 의하여 산을 발생시키는 화합물, 산에 의하여 분해되고 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대되는 기를 가지는 알칼리 가용성수지를 함유하는 포지티브형 포토 레지스트, 및 (ⅳ) 빛에 의하여 산을 발생시키는 화합물, 가교제 및 알칼리 가용성수지를 함유하는 네가티브형 포토 레지스트 등을 들 수 있으나, 이것들에 한정되는 것은 아니다.The peeling liquid composition for photoresists of the present invention can be advantageously used for photoresists that can be developed with an aqueous alkali solution, including negative and positive photoresists. Such photoresists include (i) a positive photoresist containing a naphthoquinone diazide compound and a novolak resin, (ii) a compound which generates an acid upon exposure, and a solubility in an aqueous alkali solution decomposed by an acid. Positive photoresist containing a positive type resist containing an increased compound and an alkali soluble resin, (i) a compound generating an acid by exposure, an alkali soluble resin having a group decomposed by an acid and having increased solubility in an aqueous alkali solution. Although a resist and the compound which generate | occur | produces an acid by light, a negative photoresist containing a crosslinking agent, and alkali-soluble resin, etc. are mentioned, It is not limited to these.

본 발명의 포토 레지스트 박리방법은,The photoresist stripping method of the present invention,

(Ⅰ) 기판상에 포토 레지스트층을 형성하는 공정,(I) forming a photoresist layer on a substrate,

(Ⅱ) 상기 포토 레지스트층을 선택적으로 노광하는 공정,(II) selectively exposing the photoresist layer,

(Ⅲ) 노광후의 포토 레지스트층을 현상하여 포토 레지스트패턴을 형성하는 공정,(III) developing the photoresist layer after exposure to form a photoresist pattern;

(Ⅳ) 상기 포토 레지스트패턴을 마스크로 하여 이 기판을 에칭하는 공정, 및(IV) etching the substrate with the photoresist pattern as a mask, and

(Ⅴ) 에칭공정 후의 포토 레지스트패턴을 상기 포토 레지스트용 박리액 조성물을 사용하여 기판에서 박리하는 공정(V) Process of peeling the photoresist pattern after an etching process from a board | substrate using the said peeling liquid composition for photoresists.

을 포함한다.It includes.

본 발명에서는 특히 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판상에 형성된 포토 레지스트의 박리에 있어서, 포토 레지스트의 박리성, 기판의 부식방지성의 양자에 우수하다는 특유의 효과를 가진다.In the present invention, in particular, the peeling of the photoresist formed on the substrate on which the metal wiring and the inorganic material layer are formed has a unique effect of being excellent in both the peeling property of the photoresist and the corrosion resistance of the substrate.

금속배선으로는 알루미늄 (Al); 알루미늄-규소 (Al-Si), 알루미늄-규소-구리 (Al-Si-Cu) 등의 알루미늄합금 (Al 합금); 순티탄 (Ti) ; 티탄나이트라이드 (TiN), 티탄텅스텐 (TiW) 등의 티탄합금 (Ti 합금); 순구리 (Cu) 등을 들 수 있는데, 이것들에 한정되는 것만은 아니다.Examples of the metal wiring include aluminum (Al); Aluminum alloys (Al alloys) such as aluminum-silicon (Al-Si) and aluminum-silicon-copper (Al-Si-Cu); Pure titanium (Ti); Titanium alloys (Ti alloys) such as titanium nitride (TiN) and titanium tungsten (TiW); Pure copper (Cu) etc. can be mentioned, It is not limited to these.

무기재료층으로는 특히 액정소자를 제조하는 경우, 폴리실리콘막, 비정질 폴리실리콘막 등의 반도체재료로 이루어지는 층을 들 수 있는데, 이 예시들에 한정되는 것은 아니다. 종래의 박리액 조성물에서는 포토 레지스트의 박리성과, 금속배선 및 이들 무기재료로 이루어지는 층을 가지는 기판의 부식방지성의 양립이 곤란하였으나, 본 발명에서는 이들 효과의 양립을 달성할 수 있었다.Examples of the inorganic material layer include a layer made of a semiconductor material such as a polysilicon film and an amorphous polysilicon film when the liquid crystal device is manufactured, but is not limited to these examples. In the conventional peeling liquid composition, it is difficult to achieve both the peelability of the photoresist and the corrosion resistance of the substrate having the metal wiring and the layer made of these inorganic materials, but in the present invention, both effects can be achieved.

본 발명에서는 특히 상기 포토 레지스트의 박리 공정인 (Ⅴ) 박리 공정시에 금속배선 및 무기재료층과 박리액과의 접촉에 있어서 본 발명의 효과를 유리하게 거둘 수 있다.In the present invention, the effect of the present invention can be advantageously achieved in the contact between the metal wiring and the inorganic material layer and the peeling liquid, particularly in the peeling step (V) which is the peeling step of the photoresist.

포토 레지스트층의 형성, 노광, 현상, 및 에칭 처리는, 모두 관용적인 수단으로서 특별히 한정되지는 않는다. 에칭은 습식에칭, 건식에칭 모두가 사용될 수 있으나, 본 발명의 박리액 조성물은 습식에칭 후의 포토 레지스트막의 박리에 특히 바람직하게 사용할 수 있다. 특히 액정패널소자 등에 사용되는 유리기판 등에 있어서는, 에칭액 (에천트) 으로는 인산, 질산, 아세트산 등의 산성 에칭액이 바람직하게 사용된다.Formation, exposure, development, and etching of the photoresist layer are not particularly limited as conventional means. Etching may be used for both wet etching and dry etching, but the stripper composition of the present invention can be particularly preferably used for peeling off the photoresist film after wet etching. In particular, in a glass substrate used for a liquid crystal panel element or the like, an acidic etching solution such as phosphoric acid, nitric acid, acetic acid or the like is preferably used as the etching solution (etchant).

또한, 상기 (Ⅲ) 의 현상 공정, (Ⅴ) 의 박리 공정 후, 관용적으로 실시되는 정수나 저급 알코올 등을 사용한 린스처리 및 건조처리를 실시할 수도 있다.Moreover, after the developing process of (III) and the peeling process of (V), the rinse process and the drying process using the purified water, lower alcohol, etc. which are conventionally performed can also be performed.

박리처리는 통상적으로 침지법, 샤워법에 의하여 실시된다. 박리시간은 박리하기에 충분한 시간이면 되고, 특별히 한정되지 않는다.The peeling treatment is usually carried out by an immersion method or a shower method. The peeling time should just be sufficient time to peel, and is not specifically limited.

다음으로, 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 이때 본 발명은 이들 예에 의하여 조금도 한정되는 것은 아니다. 또한, 배합량은 특기하지 않는 한 중량이다.Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited at all by these examples. In addition, a compounding quantity is a weight unless it mentions specially.

실시예 1 ~ 13, 비교예 1 ~ 3Examples 1 to 13, Comparative Examples 1 to 3

Al 합금배선 및 폴리실리콘막이 형성된 SiO2기판상에 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락수지로 이루어지는 포지티브형 레지스트인 THMR-iP 3300 (도쿄 오우까 고오교 (주) 제조) 을 스피너로 도포하고, 90 ℃ 에서 90 초 동안 프리베이크하여 막두께가 2.0 ㎛ 인 포토 레지스트층을 형성하였다. 이 포토 레지스트층을 NSR-2005i10D (니콘 (주) 제조) 를 사용하여 마스크패턴을 통하여 노광하고, 2.38 중량% 의 테트라메틸암모늄히드록시드 (TMAH) 수용액으로 현상하고, 포토 레지스트패턴을 형성하였다. 이어서 120 ℃ 에서 90 초 동안을 포스트베이크하였다.THMR-iP 3300 (manufactured by Tokyo-Ohkyo Kogyo Co., Ltd.), a positive resist made of a naphthoquinone diazide compound and a novolak resin, was coated on a SiO 2 substrate having an Al alloy wiring and a polysilicon film formed thereon with a spinner. Prebaking was carried out at 90 DEG C for 90 seconds to form a photoresist layer having a film thickness of 2.0 mu m. This photoresist layer was exposed through a mask pattern using NSR-2005i10D (manufactured by Nikon Corporation), developed with a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) to form a photoresist pattern. It was then postbaked at 120 ° C. for 90 seconds.

다음으로, 상기 조건으로 형성한 포토 레지스트패턴을 가지는 기판을, 인산, 질산, 아세트산의 혼산계의 부식제에 의하여 습식에칭처리를 하고, 그 후에 정수로 세정하였다.Subsequently, the substrate having the photoresist pattern formed under the above conditions was wet etched with a caustic agent of a mixed acid of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, and then washed with purified water.

상기 처리가 끝난 기판에 대하여, 표 1 에 나타낸 각 조성의 박리액 조성물 (60 ℃ 로 유지) 을 샤워법에 의하여 불어넣음으로써, 각각 포토 레지스트막을 박리처리하였다. 박리처리 후의 기판을 정수로 충분히 린스처리하고, 이 때의 포토 레지스트막의 박리성, Al 배선의 부식 상태, 및 폴리실리콘막의 부식 상태를 SEM (주사형 전자현미경) 사진으로 관찰하여 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.The photoresist film was peeled off, respectively, by blowing the peeling liquid composition (keeping at 60 degreeC) of each composition shown in Table 1 by the shower method with respect to the said processed board | substrate. The board | substrate after a peeling process was fully rinsed with purified water, and the peelability of the photoresist film at this time, the corrosion state of Al wiring, and the corrosion state of the polysilicon film were observed and evaluated by SEM (scanning electron microscope) photograph. The results are shown in Table 2.

또한, Al 합금배선 및 폴리실리콘막의 부식 상태는 각각 아래와 같이 평가하였다.In addition, the corrosion states of the Al alloy wiring and the polysilicon film were evaluated as follows.

[Al 합금배선 및 폴리실리콘막의 부식 상태][Corrosion State of Al Alloy Wiring and Polysilicon Film]

A: 부식이 관찰되지 않음A: No corrosion observed

B: 부식이 관찰됨B: Corrosion observed

포토 레지스트 박리액의 조성 (중량%)Composition of Photoresist Stripping Solution (wt%) (a) 성분(a) component (b) 성분(b) ingredients (c) 성분(c) component (d) 성분(d) component (e) 성분(e) component 기타 성분Other ingredients 실시예1Example 1 MEA(17.5)MEA (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) NMP(17.4)NMP (17.4) BT-GL(0.1)BT-GL (0.1) (45)(45) -- 실시예2Example 2 AEE(17.5)AEE (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) DMSO(17)DMSO (17) BT-GL(0.5)BT-GL (0.5) (45)(45) -- 실시예3Example 3 MEA(17.5)MEA (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) DMBE(16.5)DMBE (16.5) BT-GL(1.0)BT-GL (1.0) (45)(45) -- 실시예4Example 4 MEA(17.5)MEA (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) NMP(12)NMP (12) BT-GL(0.5)BT-GL (0.5) (40)40 DEHA(10)DEHA (10) 실시예5Example 5 AEE(17.5)AEE (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) DMBE(12.4)DMBE (12.4) BT-GL(0.1)BT-GL (0.1) (40)40 DEHA(10)DEHA (10) 실시예6Example 6 MEA(17.5)MEA (17.5) D-소르비톨(20)D-sorbitol (20) NMP(17.4)NMP (17.4) BT-OH(0.5)BT-OH (0.5) (45)(45) -- 실시예7Example 7 MEA(17.5)MEA (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) NMP(17.4)NMP (17.4) BT(0.1)BT (0.1) (45)(45) -- 실시예8Example 8 MEA(17.5)MEA (17.5) D-소르비톨(20)D-sorbitol (20) NMP(12.4)NMP (12.4) BT-GL(0.1)BT-GL (0.1) (40)40 HA(10)HA (10) 실시예9Example 9 MEA(17.5)MEA (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) NMP(12.4)NMP (12.4) BT-MT(0.1)BT-MT (0.1) (40)40 HA(10)HA (10) 실시예10Example 10 MEA(17.5)MEA (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) NMP(12.4)NMP (12.4) 「일가메트-42」 (0.1)Ilgamet-42 (0.1) (45)(45) -- 실시예11Example 11 AEE(17.5)AEE (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) NMP(12)NMP (12) 「일가메트-42」 (0.5)Ilgamet-42 (0.5) (40)40 DEHA(10)DEHA (10) 실시예12Example 12 MEA(17.5)MEA (17.5) 크실리톨(10)Xylitol (10) NMP(27.4)NMP (27.4) BT-GL(0.1)BT-GL (0.1) (45)(45) -- 실시예13Example 13 AEE(17.5)AEE (17.5) 크실리톨(15)Xylitol (15) DMBE(22.4)DMBE (22.4) 「일가메트-42」 (0.1)Ilgamet-42 (0.1) (45)(45) -- 비교예1Comparative Example 1 MEA(17.5)MEA (17.5) 크실리톨(20)Xylitol (20) NMP(12.5)NMP (12.5) -- (40)40 DEHA(10)DEHA (10) 비교예2Comparative Example 2 AEE(17.5)AEE (17.5) -- NMP(22)NMP (22) BT-GL(0.5)BT-GL (0.5) (50)50 DEHA(10)DEHA (10) 비교예3Comparative Example 3 MEA(17.5)MEA (17.5) D-소르비톨(20)D-sorbitol (20) DMBE(17.5)DMBE (17.5) -- (45)(45) --

또한, 표 1 중에서 MEA 는 모노에탄올아민을; AEE 는 2-(2-아미노에톡시)에탄올을; NMP 는 N-메틸-2-피롤리돈을; DMSO 는 디메틸술폭시드를; DMBE 는 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를; BT-GL 은 1-(1,2-디히드록시프로필)벤조트리아졸을;BT-OH 는 1-히드록시벤조트리아졸을; BT 는 벤조트리아졸을; BT-MT 는 1-메톡시벤조트리아졸을; DEHA 는 N,N-디에틸히드록실아민을; HA 는 히드록실아민을;「일가메트-42」는 2,2-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올을 각각 나타낸다.In addition, in Table 1, MEA is monoethanolamine; AEE is 2- (2-aminoethoxy) ethanol; NMP is N-methyl-2-pyrrolidone; DMSO is dimethyl sulfoxide; DMBE is diethylene glycol monobutyl ether; BT-GL is 1- (1,2-dihydroxypropyl) benzotriazole; BT-OH is 1-hydroxybenzotriazole; BT is benzotriazole; BT-MT represents 1-methoxybenzotriazole; DEHA is N, N-diethylhydroxylamine; HA represents hydroxylamine; "Ilgamet-42" represents 2,2-{[(4-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino} bisethanol, respectively.

Al 합금의 부식상태Corrosion State of Al Alloy 폴리실리콘의 부식상태Corrosion State of Polysilicon 실시예 1Example 1 AA AA 실시예 2Example 2 AA AA 실시예 3Example 3 AA AA 실시예 4Example 4 AA AA 실시예 5Example 5 AA AA 실시예 6Example 6 AA AA 실시예 7Example 7 AA AA 실시예 8Example 8 AA AA 실시예 9Example 9 AA AA 실시예 10Example 10 AA AA 실시예 11Example 11 AA AA 실시예 12Example 12 AA AA 실시예 13Example 13 AA AA 비교예 1Comparative Example 1 AA BB 비교예 2Comparative Example 2 BB AA 비교예 3Comparative Example 3 AA BB

표 2 의 결과에서 밝혀진 바와 같이 실시예 1 ~ 13 에서는 Al 합금, 폴리실리콘의 양자의 부식방지성이 우수한 것이 확인되었다. 한편, 비교예 1 ~ 3 의 어떠한 것에 있어서도 Al 합금, 폴리실리콘의 양자의 부식방지효과는 얻을 수 없다. 또한, 실시예 1 ~ 13, 비교예 1 ~ 3 의 어느 것이나 양호한 포토 레지스트 박리성을 나타내었다.As is clear from the results of Table 2, in Examples 1 to 13, it was confirmed that the corrosion resistance of both the Al alloy and the polysilicon was excellent. On the other hand, in any of Comparative Examples 1 to 3, the corrosion preventing effect of both Al alloy and polysilicon cannot be obtained. Moreover, all of Examples 1-13 and Comparative Examples 1-3 showed favorable photoresist peelability.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 포토 레지스트의 박리성이 우수함과 동시에, 금속배선, 무기재료층의 양자를 형성한 기판의 부식방지성이 우수한 포토 레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토 레지스트 박리방법이 제공된다. 본 발명은 특히 액정패널소자의 제조 등에 사용되는 기판상에 형성된 포토 레지스트층의 박리에 바람직하게 사용된다.As described in detail above, according to the present invention, a peeling liquid composition for photoresist and a photoresist using the same, which are excellent in peelability of the photoresist and excellent in corrosion resistance of the substrate on which both the metal wiring and the inorganic material layer are formed. A peeling method is provided. The present invention is particularly preferably used for peeling a photoresist layer formed on a substrate used for the production of a liquid crystal panel element or the like.

Claims (8)

(a) 알칸올아민류, (b) 당류, (c) 수용성 유기용매, (d) 벤조트리아졸 또는 그 유도체, 및 (e) 물을 함유하여 이루어지는, 포토 레지스트용 박리액 조성물.A peeling liquid composition for photoresists comprising (a) alkanolamines, (b) sugars, (c) water-soluble organic solvents, (d) benzotriazole or derivatives thereof, and (e) water. 제 1 항에 있어서, (c) 성분이 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, N-메틸-2-피롤리돈, 및 디메틸술폭시드 중에서 선택된 적어도 1 종인, 포토 레지스트용 박리액 조성물.The peeling liquid composition for photoresists of Claim 1 whose (c) component is at least 1 sort (s) chosen from diethylene glycol monoalkyl ether, N-methyl- 2-pyrrolidone, and dimethyl sulfoxide. 제 1 항에 있어서, (d) 성분이 하기 일반식 (Ⅰ)A component according to claim 1, wherein the component (d) is represented by the following general formula (I) [식중, Q 는 수소원자, 수산기, 치환 또는 비치환된 탄소원자수 1 ~ 10 의 탄화수소기 (단, 그 구조 중에 아미드결합, 에스테르결합을 가지고 있을 수도 있다), 아릴기, 또는 하기식 (Ⅱ)[Wherein Q is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (however, may have an amide bond or ester bond in its structure), an aryl group, or the following formula (II) (식중, R3은 탄소원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타내고; R4, R5는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 또는 탄소원자수 1 ~ 6 의 히드록시알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타낸다)(Wherein R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydroxyalkyl group or an alkoxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms) 으로 표시되는 기를 나타내고; R1, R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 탄소원자수 1 ~ 10 의 탄화수소기, 카르복실기, 아미노기, 수산기, 시아노기, 포르밀기, 술포닐알킬기, 또한 술포기를 나타낸다]Represents a group represented by; R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a carboxyl group, an amino group, a hydroxyl group, a cyano group, a formyl group, a sulfonylalkyl group, or a sulfo group] 으로 표시되는 화합물인, 포토 레지스트용 박리액 조성물.Peeling liquid composition for photoresists which is a compound represented by these. 제 1 항에 있어서, (d) 성분이 벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메톡시벤조트리아졸, 1-(2,2-디히드록시에틸)벤조트리아졸, 1-(1,2-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(2,3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 및 2,2'-{[(5-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올 중에서 선택된 적어도 1 종인, 포토 레지스트용 박리액 조성물.The compound according to claim 1, wherein the component (d) is benzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, 1-methoxybenzotriazole, 1- (2,2-dihydroxyethyl) benzotriazole, 1- ( 1,2-dihydroxypropyl) benzotriazole, 1- (2,3-dihydroxypropyl) benzotriazole, 2,2 '-{[(4-methyl-1H-benzotriazol-1-yl ) Methyl] imino} bisethanol and 2,2 '-{[(5-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino} bisethanol, which is at least one selected from Composition. 제 1 항에 있어서, (a) 성분이 5 ~ 40 중량, (b) 성분이 2 ~ 30 중량, (c) 성분이 5 ~ 50 중량, (d) 성분이 0.01 ~5 중량배합되고, 잔부가 (e) 성분인, 포토 레지스트용 박리액 조성물.The composition according to claim 1, wherein the component (a) is 5 to 40 weights, the component (b) is 2 to 30 weights, the component (c) is 5 to 50 weights, and the component (d) is 0.01 to 5 weights, The peeling liquid composition for photoresists which is (e) component. 삭제delete (Ⅰ) 기판상에 포토 레지스트층을 형성하는 공정,(I) forming a photoresist layer on a substrate, (Ⅱ) 상기 포토 레지스트층을 선택적으로 노광하는 공정,(II) selectively exposing the photoresist layer, (Ⅲ) 노광후의 포토 레지스트층을 현상하여 포토 레지스트패턴을 형성하는 공정,(III) developing the photoresist layer after exposure to form a photoresist pattern; (Ⅳ) 상기 포토 레지스트패턴을 마스크로 하여 이 기판을 에칭하는 공정, 및(IV) etching the substrate with the photoresist pattern as a mask, and (Ⅴ) 에칭공정 후의 포토 레지스트패턴을, 제 1 항 내지 제 6 항의 어느 한 항에 기재된 포토 레지스트용 박리액 조성물을 사용하여 기판에서 박리시키는 공정(V) Process of peeling off the photoresist pattern after an etching process from a board | substrate using the peeling liquid composition for photoresists in any one of Claims 1-6. 을 포함하는, 포토 레지스트 박리방법.Photoresist stripping method comprising a. 제 7 항에 있어서, 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판을 사용하는 포토 레지스트 박리방법.8. The photoresist stripping method according to claim 7, wherein a substrate on which metal wiring and an inorganic material layer are formed is used.
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