JPH08262444A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH08262444A JPH08262444A JP6362495A JP6362495A JPH08262444A JP H08262444 A JPH08262444 A JP H08262444A JP 6362495 A JP6362495 A JP 6362495A JP 6362495 A JP6362495 A JP 6362495A JP H08262444 A JPH08262444 A JP H08262444A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 対向する第１のガラス基板５１ａと第２のガ
ラス基板５１ｂに第１の表示画素用電極５２ａと第２の
表示画素用電極５２ｂと、表示画素用電極上に第１の液
晶配向層５３ａと第２の液晶配向層５３ｂとガラス基板
間に設ける液晶層５５とを備え、液晶配向層５３ｂの膜
厚に表示画素に複数の膜厚領域を設ける。 【効果】 表示画素中の液晶配向層あるいは絶縁膜層に
複数の膜厚領域あるいは膜厚勾配を形成することによ
り、それぞれの表示画素内に液晶配向層あるいは絶縁膜
層の膜厚の違いによる複数のしきい値電圧領域あるいは
しきい値電圧勾配が形成されるため、一定の電圧の信号
を加えたときに表示画素毎には、それぞれの液晶配向層
あるいは絶縁膜層の膜厚に従った電圧が液晶層に印加さ
れ、１表示画素内が異なる電圧で駆動される領域の混合
となるために、複数の駆動電圧による視野角特性の合成
となり、すなわち視野角が改善される。
ラス基板５１ｂに第１の表示画素用電極５２ａと第２の
表示画素用電極５２ｂと、表示画素用電極上に第１の液
晶配向層５３ａと第２の液晶配向層５３ｂとガラス基板
間に設ける液晶層５５とを備え、液晶配向層５３ｂの膜
厚に表示画素に複数の膜厚領域を設ける。 【効果】 表示画素中の液晶配向層あるいは絶縁膜層に
複数の膜厚領域あるいは膜厚勾配を形成することによ
り、それぞれの表示画素内に液晶配向層あるいは絶縁膜
層の膜厚の違いによる複数のしきい値電圧領域あるいは
しきい値電圧勾配が形成されるため、一定の電圧の信号
を加えたときに表示画素毎には、それぞれの液晶配向層
あるいは絶縁膜層の膜厚に従った電圧が液晶層に印加さ
れ、１表示画素内が異なる電圧で駆動される領域の混合
となるために、複数の駆動電圧による視野角特性の合成
となり、すなわち視野角が改善される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、文字や記号やその他の
画像表示を行うパッシブ駆動あるいはアクティブ駆動を
行う液晶表示装置の構成に関し、とくにその視野角特性
を改善する技術に関係する液晶表示装置に関する。
画像表示を行うパッシブ駆動あるいはアクティブ駆動を
行う液晶表示装置の構成に関し、とくにその視野角特性
を改善する技術に関係する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に液晶表示装置は、一対の表示画素
用電極を有するガラス基板上に均一な膜厚のポリイミド
からなる液晶配向層を設け、一定の間隙を保つよう互い
のガラス基板をはり合わせ、その間隙に液晶材料を封入
して液晶層を設けている。
用電極を有するガラス基板上に均一な膜厚のポリイミド
からなる液晶配向層を設け、一定の間隙を保つよう互い
のガラス基板をはり合わせ、その間隙に液晶材料を封入
して液晶層を設けている。
【０００３】以下に図５を用いて、一般的なパッシブ駆
動を行う液晶表示装置の構造を説明する。図５は従来例
におけるパッシブ駆動の液晶表示装置を示す断面図であ
る。
動を行う液晶表示装置の構造を説明する。図５は従来例
におけるパッシブ駆動の液晶表示装置を示す断面図であ
る。
【０００４】第１のガラス基板５１ａと第２のガラス基
板５１ｂには、それぞれ第１の表示画素用電極５２ａと
第２の表示画素用電極５２ｂを設ける。
板５１ｂには、それぞれ第１の表示画素用電極５２ａと
第２の表示画素用電極５２ｂを設ける。
【０００５】さらに第１の表示画素用電極５２ａと第２
の表示画素用電極５２ｂの上には、それぞれ所定の方向
に綿布を用いてラビング処理をした第１の液晶配向層５
３ａと第２の液晶配向層５３ｂを設ける。
の表示画素用電極５２ｂの上には、それぞれ所定の方向
に綿布を用いてラビング処理をした第１の液晶配向層５
３ａと第２の液晶配向層５３ｂを設ける。
【０００６】さらにシール材料５４を使用して、第１の
ガラス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとを対向し
てはり合わせて、その間隙に液晶層５５を封入するよう
に設ける。
ガラス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとを対向し
てはり合わせて、その間隙に液晶層５５を封入するよう
に設ける。
【０００７】つぎに以上の構成の液晶表示装置の平面パ
ターン形状を説明する。図６は一般的なパッシブ駆動の
液晶表示装置を示す平面図である。
ターン形状を説明する。図６は一般的なパッシブ駆動の
液晶表示装置を示す平面図である。
【０００８】液晶表示装置は、第１のガラス基板５１ａ
の上に設ける第１の表示画素用電極５２ａと、第２のガ
ラス基板５１ｂの上に設ける第２の表示画素用電極５２
ｂに駆動電圧を印加することにより、その間隙に封入さ
れる液晶層に電界を印加して液晶表示を行うものであ
る。
の上に設ける第１の表示画素用電極５２ａと、第２のガ
ラス基板５１ｂの上に設ける第２の表示画素用電極５２
ｂに駆動電圧を印加することにより、その間隙に封入さ
れる液晶層に電界を印加して液晶表示を行うものであ
る。
【０００９】したがって、第１の表示画素用電極５２ａ
と第２の表示画素用電極５２ｂとが平面的で重なる領域
である斜線部分のそれぞれが実際に点灯して表示を行う
表示画素５７になる。
と第２の表示画素用電極５２ｂとが平面的で重なる領域
である斜線部分のそれぞれが実際に点灯して表示を行う
表示画素５７になる。
【００１０】つぎに以上のように構成する液晶表示装置
の製造方法について図５と図６とを用いて簡単に説明す
る。
の製造方法について図５と図６とを用いて簡単に説明す
る。
【００１１】まず、スパッタリング法や真空蒸着法によ
り片面の全面に透明電極膜を形成した第１のガラス基板
５１ａと第２のガラス基板５１ｂを所定のパターンのフ
ォトマスクを用いて露光処理と、現像処理と、エッチン
グ処理により、所定の電極パターン、すなわち第１の表
示画素用電極５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとを
形成する。
り片面の全面に透明電極膜を形成した第１のガラス基板
５１ａと第２のガラス基板５１ｂを所定のパターンのフ
ォトマスクを用いて露光処理と、現像処理と、エッチン
グ処理により、所定の電極パターン、すなわち第１の表
示画素用電極５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとを
形成する。
【００１２】その後、第１の表示画素用電極５２ａと第
２の表示画素用電極５２ｂとの上面に、それぞれポリイ
ミドワニスをフレキソ印刷法により均一な膜厚で形成す
る。
２の表示画素用電極５２ｂとの上面に、それぞれポリイ
ミドワニスをフレキソ印刷法により均一な膜厚で形成す
る。
【００１３】その後、ポリイミドワニスの焼成処理を行
い、配向膜とする。つぎに所定の方向に綿布で一定方向
に表面を擦るラビング処理を行い、第１の液晶配向層５
３ａと第２の液晶配向層５３ｂとを形成する。
い、配向膜とする。つぎに所定の方向に綿布で一定方向
に表面を擦るラビング処理を行い、第１の液晶配向層５
３ａと第２の液晶配向層５３ｂとを形成する。
【００１４】その後、所定の間隙を保つよう、第１のガ
ラス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとをシール材
料５４によってはり合わせ、その間隙に液晶材料を真空
注入法により注入して液晶層５５を形成して、液晶表示
装置を得る。
ラス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとをシール材
料５４によってはり合わせ、その間隙に液晶材料を真空
注入法により注入して液晶層５５を形成して、液晶表示
装置を得る。
【００１５】つぎに以上の説明の構成と異なる構造の液
晶表示装置について図７を用いて説明する。図７は、液
晶配向層と表示画素用電極との間に絶縁膜層を設ける従
来例におけるパッシブ駆動の液晶表示装置を示す断面図
である。
晶表示装置について図７を用いて説明する。図７は、液
晶配向層と表示画素用電極との間に絶縁膜層を設ける従
来例におけるパッシブ駆動の液晶表示装置を示す断面図
である。
【００１６】図７に示すように、第２の表示画素用電極
５２ｂと第２の液晶配向層５３ｂとの間に設ける絶縁膜
層５６は、一般に上下ショートと呼ばれる不良を防止す
るために設けられるものである。
５２ｂと第２の液晶配向層５３ｂとの間に設ける絶縁膜
層５６は、一般に上下ショートと呼ばれる不良を防止す
るために設けられるものである。
【００１７】上下ショート不良は液晶表示装置製造工
程、とくにガラス基板を対向してはり合わせる工程にお
いて、雰囲気中や製造装置などから発生するチリやホコ
リの導電性微小異物がガラス基板間にはさみ込まれ、そ
の導電性微小異物が液晶配向層を突き破ることで、第１
の表示画素用電極５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂ
とが、この導電性微小異物を介して発生するショート不
良である。
程、とくにガラス基板を対向してはり合わせる工程にお
いて、雰囲気中や製造装置などから発生するチリやホコ
リの導電性微小異物がガラス基板間にはさみ込まれ、そ
の導電性微小異物が液晶配向層を突き破ることで、第１
の表示画素用電極５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂ
とが、この導電性微小異物を介して発生するショート不
良である。
【００１８】そこで液晶配向層と表示画素用電極との間
に、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの硬い無機絶縁膜、
あるいは有機系シリコンなどを焼成してなる硬い絶縁膜
からなる絶縁膜層５６を設ける。
に、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの硬い無機絶縁膜、
あるいは有機系シリコンなどを焼成してなる硬い絶縁膜
からなる絶縁膜層５６を設ける。
【００１９】この絶縁膜層５６を設けることにより、導
電性微小異物がガラス基板間にはさみ込まれても、この
絶縁膜層５６が突き破られることはない。
電性微小異物がガラス基板間にはさみ込まれても、この
絶縁膜層５６が突き破られることはない。
【００２０】このことにより、第１の表示画素用電極５
２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとがショートするこ
となく、上下ショート不良の発生を防止することができ
る。
２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとがショートするこ
となく、上下ショート不良の発生を防止することができ
る。
【００２１】この絶縁膜層５６の製造方法としては、第
２の表示画素用電極５２ｂ上にフレキソ印刷法により有
機系シリコンワニスを均一な膜厚に形成し、その後焼成
して絶縁膜層５６を形成する。
２の表示画素用電極５２ｂ上にフレキソ印刷法により有
機系シリコンワニスを均一な膜厚に形成し、その後焼成
して絶縁膜層５６を形成する。
【００２２】さらに絶縁膜層５６上に、ポリイミドワニ
スをフレキソ印刷法により均一な膜厚に形成し、その後
焼成処理して液晶配向層５３を形成する処理工程以外
は、前述の図５を用いて説明した液晶表示装置の構造と
同様であるので詳細な説明は省略する。
スをフレキソ印刷法により均一な膜厚に形成し、その後
焼成処理して液晶配向層５３を形成する処理工程以外
は、前述の図５を用いて説明した液晶表示装置の構造と
同様であるので詳細な説明は省略する。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の図
５と図７のような構成による従来技術の液晶表示装置で
は、第１の表示画素用電極５２ａと第２の表示画素用電
極５２ｂ上の第１の液晶配向層５３ａと第１の液晶配向
層５３ｂと絶縁膜層５６とは、均一な膜厚で構成してい
る。
５と図７のような構成による従来技術の液晶表示装置で
は、第１の表示画素用電極５２ａと第２の表示画素用電
極５２ｂ上の第１の液晶配向層５３ａと第１の液晶配向
層５３ｂと絶縁膜層５６とは、均一な膜厚で構成してい
る。
【００２４】このため、表示画面内の液晶のしきい値電
圧がそれぞれの表示画素で同一となり、それぞれの表示
画素５７は駆動電圧に従った均一な輝度を示すことにな
る。
圧がそれぞれの表示画素で同一となり、それぞれの表示
画素５７は駆動電圧に従った均一な輝度を示すことにな
る。
【００２５】電圧と透過率とを示す図８のグラフを用い
て、しきい値電圧の定義を示す。しきい値電圧とは、液
晶表示装置に電圧を走査印加した際の透過率変化におけ
る変化点を意味し、その液晶表示装置が何ボルトで点灯
するかを意味する。
て、しきい値電圧の定義を示す。しきい値電圧とは、液
晶表示装置に電圧を走査印加した際の透過率変化におけ
る変化点を意味し、その液晶表示装置が何ボルトで点灯
するかを意味する。
【００２６】ここでは、明から暗の間で変化する透過光
量を１００％とした際に、透過光量が１０％変化して、
９０％となったところの電圧をしきい値電圧としてい
る。
量を１００％とした際に、透過光量が１０％変化して、
９０％となったところの電圧をしきい値電圧としてい
る。
【００２７】画面内で同一なしきい値電圧を有する従来
の液晶表示装置に駆動信号を加えて表示を行うと、均一
な表示は得られる。
の液晶表示装置に駆動信号を加えて表示を行うと、均一
な表示は得られる。
【００２８】しかしながら、このような従来の液晶表示
装置では液晶層の配向方向に伴うコントラストの視野角
依存性が生じて、見る方向によっては階調反転やコント
ラストの急激な減少によって表示品位を著しく落とすこ
ととなる。
装置では液晶層の配向方向に伴うコントラストの視野角
依存性が生じて、見る方向によっては階調反転やコント
ラストの急激な減少によって表示品位を著しく落とすこ
ととなる。
【００２９】パソコン表示などの表示画面を大型化する
ときには、とくにこのような視野角依存性を改良するこ
とが望まれている。
ときには、とくにこのような視野角依存性を改良するこ
とが望まれている。
【００３０】以上の従来例の説明ではパッシブ駆動の液
晶表示装置について説明したが、それぞれの表示画素部
分にアクティブ素子を有するアクティブ駆動の液晶表示
装置においても以上の説明と同様の欠点が発生する。
晶表示装置について説明したが、それぞれの表示画素部
分にアクティブ素子を有するアクティブ駆動の液晶表示
装置においても以上の説明と同様の欠点が発生する。
【００３１】本発明の目的は、上記問題点を解決し、視
野角の広い液晶表示装置の構造を提供することである。
野角の広い液晶表示装置の構造を提供することである。
【００３２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の液晶表示装置においては下記の手段を採用
する。
め、本発明の液晶表示装置においては下記の手段を採用
する。
【００３３】本発明の液晶表示装置は、第１のガラス基
板および第２のガラス基板の両方のガラス基板、あるい
はそのうちの少なくとも一方のガラス基板上の表示画素
用電極上の液晶配向層の膜厚に表示画素毎に複数の膜厚
領域を設ける構造か、あるいは液晶配向層の膜厚に表示
画素毎に膜厚勾配を設けることを特徴とする。
板および第２のガラス基板の両方のガラス基板、あるい
はそのうちの少なくとも一方のガラス基板上の表示画素
用電極上の液晶配向層の膜厚に表示画素毎に複数の膜厚
領域を設ける構造か、あるいは液晶配向層の膜厚に表示
画素毎に膜厚勾配を設けることを特徴とする。
【００３４】本発明の液晶表示装置は、第１のガラス基
板および第２のガラス基板の両方のガラス基板上あるい
は、そのうちの少なくとも一方のガラス基板上の表示画
素用電極上の絶縁膜層の膜厚に表示画素毎に複数の膜厚
領域を設ける構造か、あるいは絶縁膜層の膜厚に表示画
素毎に膜厚勾配を設けることを特徴とする。
板および第２のガラス基板の両方のガラス基板上あるい
は、そのうちの少なくとも一方のガラス基板上の表示画
素用電極上の絶縁膜層の膜厚に表示画素毎に複数の膜厚
領域を設ける構造か、あるいは絶縁膜層の膜厚に表示画
素毎に膜厚勾配を設けることを特徴とする。
【００３５】
【作用】上記のような構造からどのような理由から、し
きい値電圧を変化させることができるのかを、図２を用
いて説明する。図２のグラフは、液晶配向層の膜厚を変
化させたときの液晶表示装置のしきい値電圧変化を示
す。
きい値電圧を変化させることができるのかを、図２を用
いて説明する。図２のグラフは、液晶配向層の膜厚を変
化させたときの液晶表示装置のしきい値電圧変化を示
す。
【００３６】液晶配向層は絶縁材料であるため、第１の
表示画素用電極と第２の表示画素用電極間に印加された
電圧は、誘電体である配向膜層と液晶層との電気容量比
率により電圧分圧される。
表示画素用電極と第２の表示画素用電極間に印加された
電圧は、誘電体である配向膜層と液晶層との電気容量比
率により電圧分圧される。
【００３７】液晶配向層の膜厚が厚くなるにしたがい、
液晶層に加わる電圧は小さくなる。したがって、図２の
グラフに示すように、液晶配向層の膜厚が厚くなるにと
もなってしきい値電圧が上昇する。
液晶層に加わる電圧は小さくなる。したがって、図２の
グラフに示すように、液晶配向層の膜厚が厚くなるにと
もなってしきい値電圧が上昇する。
【００３８】図２のグラフにおける曲線の勾配は、液晶
配向層と液晶層との誘電率によって変化する。
配向層と液晶層との誘電率によって変化する。
【００３９】さらに、図７を用いて説明した上下ショー
ト対策に用いる絶縁膜層も誘電体となるため、液晶配向
層のときと同様に膜厚変化に伴いしきい値電圧が変化す
る。
ト対策に用いる絶縁膜層も誘電体となるため、液晶配向
層のときと同様に膜厚変化に伴いしきい値電圧が変化す
る。
【００４０】本発明はこのような知見から得られた表示
画素上の液晶配向層の膜厚変化と、上下ショート不良対
策の絶縁膜層の膜厚変化によるこのしきい値電圧変化を
利用するものである。
画素上の液晶配向層の膜厚変化と、上下ショート不良対
策の絶縁膜層の膜厚変化によるこのしきい値電圧変化を
利用するものである。
【００４１】本発明によりそれぞれの表示画素中の液晶
配向層に複数の膜厚領域あるいは膜厚勾配を設けること
により、それぞれの表示画素内に液晶配向層の膜厚の違
いによる複数のしきい値電圧領域、あるいはしきい値電
圧勾配を得ることができる。
配向層に複数の膜厚領域あるいは膜厚勾配を設けること
により、それぞれの表示画素内に液晶配向層の膜厚の違
いによる複数のしきい値電圧領域、あるいはしきい値電
圧勾配を得ることができる。
【００４２】このため、一定の電圧の信号を加えたとき
に表示画素毎に、それぞれの液晶配向層の膜厚にしたが
った電圧が液晶層に印加され、液晶配向層の膜厚にした
がった液晶分子の立ち方となる。
に表示画素毎に、それぞれの液晶配向層の膜厚にしたが
った電圧が液晶層に印加され、液晶配向層の膜厚にした
がった液晶分子の立ち方となる。
【００４３】そして実質的には、１表示画素内が異なる
電圧で駆動される領域の混合となるために、複数の電圧
によりコントラスト調整された表示の合成、すなわち視
野角特性を改善することができる。
電圧で駆動される領域の混合となるために、複数の電圧
によりコントラスト調整された表示の合成、すなわち視
野角特性を改善することができる。
【００４４】さらにまた、液晶配向層の下層に上下ショ
ート対策の絶縁膜層を設けるときにも、それぞれの表示
画素中の絶縁膜層に複数の膜厚領域あるいは膜厚勾配を
設ける。
ート対策の絶縁膜層を設けるときにも、それぞれの表示
画素中の絶縁膜層に複数の膜厚領域あるいは膜厚勾配を
設ける。
【００４５】このことにより、液晶配向層のときと同様
に、複数のしきい値電圧領域あるいはしきい値電圧勾配
を得ることができ、視野角特性を改善することができ
る。
に、複数のしきい値電圧領域あるいはしきい値電圧勾配
を得ることができ、視野角特性を改善することができ
る。
【００４６】
【実施例】以下に図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。本発明の実施例における液晶表示装置の断面構造を
図１の断面図に示す。さらに図６の平面図に液晶表示装
置の平面パターン形状を示す。なお以下の説明では、パ
ッシブ駆動の液晶表示装置を例にして説明する。
る。本発明の実施例における液晶表示装置の断面構造を
図１の断面図に示す。さらに図６の平面図に液晶表示装
置の平面パターン形状を示す。なお以下の説明では、パ
ッシブ駆動の液晶表示装置を例にして説明する。
【００４７】図１に示すように、第１のガラス基板５１
ａと第２のガラス基板５１ｂとの上には、透明電極膜と
して酸化インジュウムスズ（ＩＴＯ）からなる第１の表
示画素用電極５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとを
設ける。
ａと第２のガラス基板５１ｂとの上には、透明電極膜と
して酸化インジュウムスズ（ＩＴＯ）からなる第１の表
示画素用電極５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとを
設ける。
【００４８】さらに第１の表示画素用電極５２ａと第２
の表示画素用電極５２ｂとの上面には、それぞれポリイ
ミドからなる第１の液晶配向層５３ａと、第２の液晶配
向層５３ｂとを設ける。
の表示画素用電極５２ｂとの上面には、それぞれポリイ
ミドからなる第１の液晶配向層５３ａと、第２の液晶配
向層５３ｂとを設ける。
【００４９】とくに第２の液晶配向層５３ｂには、それ
ぞれの表示画素５７毎に、３０ｎｍの膜厚領域と、１３
０ｎｍの膜厚領域とを面積比でおよそ５０％ずつに設け
る。なお図６の平面図では液晶配向層の図示は省略して
ある。
ぞれの表示画素５７毎に、３０ｎｍの膜厚領域と、１３
０ｎｍの膜厚領域とを面積比でおよそ５０％ずつに設け
る。なお図６の平面図では液晶配向層の図示は省略して
ある。
【００５０】さらに均一な間隙を保つようにエポキシ接
着剤からなるシール材料５４により第１のガラス基板５
１ａと第２のガラス基板５１ｂとを重ね合わせ、その間
隙に液晶材料を注入して液晶層５５を設ける。
着剤からなるシール材料５４により第１のガラス基板５
１ａと第２のガラス基板５１ｂとを重ね合わせ、その間
隙に液晶材料を注入して液晶層５５を設ける。
【００５１】第１の表示画素用電極５２ａと第２の表示
画素用電極５２ｂとが重なり合う領域、すなわち図６に
示す表示画素５７単位毎に膜厚３０ｎｍの膜厚領域と１
３０ｎｍの膜厚領域との膜厚の異なる領域を設けてい
る。
画素用電極５２ｂとが重なり合う領域、すなわち図６に
示す表示画素５７単位毎に膜厚３０ｎｍの膜厚領域と１
３０ｎｍの膜厚領域との膜厚の異なる領域を設けてい
る。
【００５２】以上のように構成する液晶表示装置につい
て、以下にその構造を形成するための製造方法を示す。
て、以下にその構造を形成するための製造方法を示す。
【００５３】フォトリソグラフィー処理とエッチング処
理とを行って得られた、所定のパターンの第１の表示画
素用電極５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとを、そ
れぞれ設ける第１のガラス基板５１ａと第２のガラス基
板５１ｂの表示領域全体にフレキソ印刷法によりポリイ
ミドワニスを形成する。
理とを行って得られた、所定のパターンの第１の表示画
素用電極５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとを、そ
れぞれ設ける第１のガラス基板５１ａと第２のガラス基
板５１ｂの表示領域全体にフレキソ印刷法によりポリイ
ミドワニスを形成する。
【００５４】そして第２のガラス基板５１ｂのみプリベ
ークを行い、ポリイミドワニスの焼成処理を行う。
ークを行い、ポリイミドワニスの焼成処理を行う。
【００５５】その後、ポリイミドワニス上の全面にフォ
トレジストを回転塗布法により形成し、フォトレジスト
のプリベーク処理を行う。
トレジストを回転塗布法により形成し、フォトレジスト
のプリベーク処理を行う。
【００５６】その後、それぞれの表示画素５７の半分の
領域を遮蔽するフォトマスクを使用して、露光処理と現
像処理とを行い、フォトレジストをパターニングする。
領域を遮蔽するフォトマスクを使用して、露光処理と現
像処理とを行い、フォトレジストをパターニングする。
【００５７】つぎにパターニングしたフォトレジストを
エッチングマスクに用いてポリイミドワニスのエッチン
グを行う。このポリイミドワニスのエッチングは、ヒド
ラジンをエッチング液として用いて行う。その後、フォ
トレジストを剥離する。
エッチングマスクに用いてポリイミドワニスのエッチン
グを行う。このポリイミドワニスのエッチングは、ヒド
ラジンをエッチング液として用いて行う。その後、フォ
トレジストを剥離する。
【００５８】ここでエッチング時間を全膜厚のエッチン
グ完了時間から３０ｎｍ残存するように時間調整する。
この結果、それぞれの表示画素５７に、膜厚差を有する
第２の液晶配向層５３ｂを形成することができる。
グ完了時間から３０ｎｍ残存するように時間調整する。
この結果、それぞれの表示画素５７に、膜厚差を有する
第２の液晶配向層５３ｂを形成することができる。
【００５９】その後、温度２００℃で１時間焼成処理す
ることにより、最終的にそれぞれ表示画素５７の半分領
域が膜厚１３０ｎｍとなり、エッチング処理した残り半
分領域で３０ｎｍの膜厚を有する第２の液晶配向層５３
ｂを得ることができる。
ることにより、最終的にそれぞれ表示画素５７の半分領
域が膜厚１３０ｎｍとなり、エッチング処理した残り半
分領域で３０ｎｍの膜厚を有する第２の液晶配向層５３
ｂを得ることができる。
【００６０】さらに、第１のガラス基板５１ａは、ポリ
イミドワニスをフレキソ印刷法により形成後、温度２０
０℃で１時間の焼成処理を行い、第１の液晶配向層５３
ａを形成する。
イミドワニスをフレキソ印刷法により形成後、温度２０
０℃で１時間の焼成処理を行い、第１の液晶配向層５３
ａを形成する。
【００６１】その後、第１のガラス基板５１ａと第２の
ガラス基板５１ｂ上の第１の液晶配向層５３ａと第２の
液晶配向層５３ｂ表面を綿布を巻いたロールにより所定
の方向で回転ラビング処理して、配向処理した第１の液
晶配向層５３ａと第２の液晶配向層５３ｂとを得る。
ガラス基板５１ｂ上の第１の液晶配向層５３ａと第２の
液晶配向層５３ｂ表面を綿布を巻いたロールにより所定
の方向で回転ラビング処理して、配向処理した第１の液
晶配向層５３ａと第２の液晶配向層５３ｂとを得る。
【００６２】その後、５μｍの間隙を保つよう、第１の
ガラス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとをシール
材料５４によりはり合わせ、液晶材料をその間隙に真空
注入法により注入して液晶層５５を形成して液晶表示装
置を得る。
ガラス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとをシール
材料５４によりはり合わせ、液晶材料をその間隙に真空
注入法により注入して液晶層５５を形成して液晶表示装
置を得る。
【００６３】本発明で使用する液晶配向層を構成するポ
リイミドワニスの膜厚と、その液晶配向層膜厚の変化に
よる液晶表示装置のしきい値電圧との関係を図２のグラ
フに示す。
リイミドワニスの膜厚と、その液晶配向層膜厚の変化に
よる液晶表示装置のしきい値電圧との関係を図２のグラ
フに示す。
【００６４】図２のグラフに示すように、誘電材料の液
晶配向層と液晶層の電気容量との比から液晶層に加わる
電圧は、分圧されて変化し、しきい値電圧が液晶配向層
の膜厚増加にしたがい上昇している。
晶配向層と液晶層の電気容量との比から液晶層に加わる
電圧は、分圧されて変化し、しきい値電圧が液晶配向層
の膜厚増加にしたがい上昇している。
【００６５】したがって、本発明の実施例による液晶表
示装置では、厚さ３０ｎｍの液晶配向層領域と厚さ１３
０ｎｍの液晶配向層領域で絶縁層となる液晶配向層によ
り、しきい値電圧は０．１２Ｖの差を生じている。
示装置では、厚さ３０ｎｍの液晶配向層領域と厚さ１３
０ｎｍの液晶配向層領域で絶縁層となる液晶配向層によ
り、しきい値電圧は０．１２Ｖの差を生じている。
【００６６】そのために本発明の液晶表示装置を駆動し
たときには、１表示画素を２種類の駆動電圧で駆動した
こととなり、それぞれの駆動電圧による視野角特性を合
成した視野角特性を示す。これにより液晶表示装置は広
視野角表示を実現することができる。
たときには、１表示画素を２種類の駆動電圧で駆動した
こととなり、それぞれの駆動電圧による視野角特性を合
成した視野角特性を示す。これにより液晶表示装置は広
視野角表示を実現することができる。
【００６７】図３のグラフに、コントラスト−視野角特
性を本発明の実施例と従来例とを比較として示す。
性を本発明の実施例と従来例とを比較として示す。
【００６８】コントラスト１以下の領域が表示が階調反
転する視角を示すが、図３から明らかなように、従来技
術に比較して、反転に対しておよそ１０度の視野角が改
善している。
転する視角を示すが、図３から明らかなように、従来技
術に比較して、反転に対しておよそ１０度の視野角が改
善している。
【００６９】本発明の実施例における液晶表示装置で
は、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理とによ
り液晶配向層の膜厚を変化させたが、精密なフレキソ印
刷法による複数回のフレキソ印刷法を用いても、液晶配
向層の膜厚を変化させて形成することは可能である。
は、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理とによ
り液晶配向層の膜厚を変化させたが、精密なフレキソ印
刷法による複数回のフレキソ印刷法を用いても、液晶配
向層の膜厚を変化させて形成することは可能である。
【００７０】さらに、以上の実施例の説明では第２のガ
ラス基板５１ｂ上の第２の液晶配向層５３ｂの膜厚を２
種類の膜厚で変化させた例で説明したが、第１のガラス
基板５１ａ上の第１の液晶配向層５３ａの膜厚を、複数
種類の膜厚になるように変化させてもよい。
ラス基板５１ｂ上の第２の液晶配向層５３ｂの膜厚を２
種類の膜厚で変化させた例で説明したが、第１のガラス
基板５１ａ上の第１の液晶配向層５３ａの膜厚を、複数
種類の膜厚になるように変化させてもよい。
【００７１】さらに、第１のガラス基板５１ａ上の第１
の液晶配向層５３ａと第２のガラス基板５１ｂ上の第２
の液晶配向層５３ｂとの膜厚を、複数種類の膜厚になる
ように変化させてもよい。
の液晶配向層５３ａと第２のガラス基板５１ｂ上の第２
の液晶配向層５３ｂとの膜厚を、複数種類の膜厚になる
ように変化させてもよい。
【００７２】さらに、本発明の実施例の説明では、第１
のガラス基板と第２のガラス基板とには表示画素用電極
を設けるパッシブ型液晶表示装置で示したが、それぞれ
の表示画素単位毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜
ダイオード（ＴＦＤ）のアクティブ素子を設けるアクテ
ィブ駆動の液晶表示装置にも適用できる。
のガラス基板と第２のガラス基板とには表示画素用電極
を設けるパッシブ型液晶表示装置で示したが、それぞれ
の表示画素単位毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜
ダイオード（ＴＦＤ）のアクティブ素子を設けるアクテ
ィブ駆動の液晶表示装置にも適用できる。
【００７３】ガラス基板上にＴＦＴやＴＦＤのアクティ
ブ素子を設けるアクティブ駆動の液晶表示装置において
も、以上の説明と同様の効果を有し、広視野角特性の表
示が可能となる。
ブ素子を設けるアクティブ駆動の液晶表示装置において
も、以上の説明と同様の効果を有し、広視野角特性の表
示が可能となる。
【００７４】つぎに本発明の第２の実施例における液晶
表示装置の構造を、図４を用いて説明する。図４は、本
発明の第２の実施例における液晶表示装置を示す断面図
である。
表示装置の構造を、図４を用いて説明する。図４は、本
発明の第２の実施例における液晶表示装置を示す断面図
である。
【００７５】図４に示すように、第１のガラス基板５１
ａと第２のガラス基板５１ｂとの上面には、透明電極と
してＩＴＯからなる第１の表示画素用電極５２ａと第２
の表示画素用電極５２ｂとを設ける。
ａと第２のガラス基板５１ｂとの上面には、透明電極と
してＩＴＯからなる第１の表示画素用電極５２ａと第２
の表示画素用電極５２ｂとを設ける。
【００７６】第１のガラス基板５１ａ上の第１の表示画
素用電極５２ａ上には、ポリイミドからなる第１の液晶
配向層５３ａを設ける。
素用電極５２ａ上には、ポリイミドからなる第１の液晶
配向層５３ａを設ける。
【００７７】さらに第２のガラス基板５１ｂ上の第２の
表示画素用電極５２ｂ上には、それぞれの表示画素５７
毎に膜厚が７０ｎｍと１７０ｎｍの２種の膜厚領域を有
する絶縁膜層４６を設ける。なおこの絶縁膜層４６は、
有機シリコン系の絶縁膜で構成する。
表示画素用電極５２ｂ上には、それぞれの表示画素５７
毎に膜厚が７０ｎｍと１７０ｎｍの２種の膜厚領域を有
する絶縁膜層４６を設ける。なおこの絶縁膜層４６は、
有機シリコン系の絶縁膜で構成する。
【００７８】さらにその絶縁膜層４６上に、ポリイミド
膜からなる第２の液晶配向層５３ｂを設ける。
膜からなる第２の液晶配向層５３ｂを設ける。
【００７９】この絶縁膜層４６は、液晶表示装置の製造
工程において混入する可能性のある金属などの導電性微
小異物による第１の表示画素用電極５２ａと第２の表示
画素用電極５２ｂとの間のショート、すなわち上下ショ
ート不良防止目的で形成している。
工程において混入する可能性のある金属などの導電性微
小異物による第１の表示画素用電極５２ａと第２の表示
画素用電極５２ｂとの間のショート、すなわち上下ショ
ート不良防止目的で形成している。
【００８０】さらに第１のガラス基板５１ａには、第１
の表示画素用電極５２ａと、第１の液晶配向層５３ａと
を設ける。
の表示画素用電極５２ａと、第１の液晶配向層５３ａと
を設ける。
【００８１】そして均一な間隙を保つようにエポキシ接
着剤からなるシール材料５４によって、第１のガラス基
板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとを対向するように
重ね合わせ、その間隙に液晶材料を封入して液晶層５５
を設ける。
着剤からなるシール材料５４によって、第１のガラス基
板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとを対向するように
重ね合わせ、その間隙に液晶材料を封入して液晶層５５
を設ける。
【００８２】以上のように構成される液晶表示装置につ
いて以下に、その構造を形成するための製造方法を示
す。
いて以下に、その構造を形成するための製造方法を示
す。
【００８３】フォトリソグラフィー処理とエッチング処
理とを行って、所定のパターンの第１の表示画素用電極
５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとを、第１のガラ
ス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとのそれぞれ設
ける。
理とを行って、所定のパターンの第１の表示画素用電極
５２ａと第２の表示画素用電極５２ｂとを、第１のガラ
ス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとのそれぞれ設
ける。
【００８４】その後、第２のガラス基板５１ａ上の第１
の表示画素用電極５２ａ上の全面にフレキソ印刷法によ
り有機シリコン系材料を形成し、仮乾燥処理を行う。
の表示画素用電極５２ａ上の全面にフレキソ印刷法によ
り有機シリコン系材料を形成し、仮乾燥処理を行う。
【００８５】その後、それぞれの表示画素５７の半分の
領域にのみ印刷できる印刷版を用いて、仮乾燥処理した
有機シリコン系材料上にさらに重ねて有機シリコン系材
料を印刷法により形成する。
領域にのみ印刷できる印刷版を用いて、仮乾燥処理した
有機シリコン系材料上にさらに重ねて有機シリコン系材
料を印刷法により形成する。
【００８６】その後、温度２５０℃で２時間焼成する。
このことにより、それぞれの表示画素５７毎に膜厚が、
７０ｎｍと１７０ｎｍの２種の膜厚を有する絶縁膜層４
６を形成する。
このことにより、それぞれの表示画素５７毎に膜厚が、
７０ｎｍと１７０ｎｍの２種の膜厚を有する絶縁膜層４
６を形成する。
【００８７】その後、絶縁膜層４６の上面に、液晶配向
層材料としてポリイミドワニスを印刷法により形成し、
温度２００℃で焼成処理して、第２の液晶配向層５３ｂ
を形成する。
層材料としてポリイミドワニスを印刷法により形成し、
温度２００℃で焼成処理して、第２の液晶配向層５３ｂ
を形成する。
【００８８】さらに、第１のガラス基板５１ａの第１の
表示画素用電極５２ａの上面には、ポリイミドワニスを
フレキソ印刷法により形成した後、温度２００℃で焼成
処理を行う。この結果、第１の液晶配向層５３ａを形成
する。
表示画素用電極５２ａの上面には、ポリイミドワニスを
フレキソ印刷法により形成した後、温度２００℃で焼成
処理を行う。この結果、第１の液晶配向層５３ａを形成
する。
【００８９】その後、第１のガラス基板５１ａと第２の
ガラス基板５１ｂ上の第１の液晶配向層５３ａと第２の
液晶配向層５３ｂとを綿布を巻いたロールにより所定の
方向で回転ラビング処理し、配向処理した第１の液晶配
向層５３ａと第２の液晶配向層５３ｂとを得る。
ガラス基板５１ｂ上の第１の液晶配向層５３ａと第２の
液晶配向層５３ｂとを綿布を巻いたロールにより所定の
方向で回転ラビング処理し、配向処理した第１の液晶配
向層５３ａと第２の液晶配向層５３ｂとを得る。
【００９０】その後、５μｍの間隙を保つように、第１
のガラス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとを対向
するように配置し、シール材料５４によりはり合わせ
る。
のガラス基板５１ａと第２のガラス基板５１ｂとを対向
するように配置し、シール材料５４によりはり合わせ
る。
【００９１】その後、液晶材料を第１のガラス基板５１
ａと第２のガラス基板５１ｂとの間隙に真空注入法によ
り注入して、液晶層５５を形成して液晶表示装置を得る
ことができる。
ａと第２のガラス基板５１ｂとの間隙に真空注入法によ
り注入して、液晶層５５を形成して液晶表示装置を得る
ことができる。
【００９２】本発明の実施例の液晶表示装置では、膜厚
が７０ｎｍの絶縁膜層４６領域と、膜厚が１７０ｎｍの
絶縁膜層４６領域とで、しきい値電圧に０．１２Ｖの差
を生じる。
が７０ｎｍの絶縁膜層４６領域と、膜厚が１７０ｎｍの
絶縁膜層４６領域とで、しきい値電圧に０．１２Ｖの差
を生じる。
【００９３】そのために本発明の液晶表示装置を駆動し
たときには、１表示画素を２種類の駆動電圧で駆動した
こととなり、それぞれの駆動電圧による視野角特性を合
成した視野角特性を示す。これにより広視野角表示を有
する液晶表示装置を実現することができる。
たときには、１表示画素を２種類の駆動電圧で駆動した
こととなり、それぞれの駆動電圧による視野角特性を合
成した視野角特性を示す。これにより広視野角表示を有
する液晶表示装置を実現することができる。
【００９４】さらに、以上の図４を用いて説明した実施
例では、第２のガラス基板５１ｂの第２の表示画素用電
極５２ｂと第２の液晶配向層５３ｂとの間に設ける絶縁
膜層４６の膜厚を２種類の膜厚で変化させた例で説明し
た。
例では、第２のガラス基板５１ｂの第２の表示画素用電
極５２ｂと第２の液晶配向層５３ｂとの間に設ける絶縁
膜層４６の膜厚を２種類の膜厚で変化させた例で説明し
た。
【００９５】しかしながら、第１のガラス基板５１ａの
第１の表示画素用電極５２ａと第１の液晶配向層５３ａ
との間に絶縁膜層を設けて、その絶縁膜層の膜厚を複数
種類の膜厚になるように変化させてもよい。
第１の表示画素用電極５２ａと第１の液晶配向層５３ａ
との間に絶縁膜層を設けて、その絶縁膜層の膜厚を複数
種類の膜厚になるように変化させてもよい。
【００９６】さらに、第１のガラス基板５１ａの第１の
表示画素用電極５２ａと第１の液晶配向層５３ａとの間
に絶縁膜層を設けて、さらに第２のガラス基板５１ｂの
第２の表示画素用電極５２ｂと第２の液晶配向層５３ｂ
との間に絶縁膜層を設けてもよい。
表示画素用電極５２ａと第１の液晶配向層５３ａとの間
に絶縁膜層を設けて、さらに第２のガラス基板５１ｂの
第２の表示画素用電極５２ｂと第２の液晶配向層５３ｂ
との間に絶縁膜層を設けてもよい。
【００９７】このように、第１のガラス基板５１ａと第
２のガラス基板５１ｂとの両方の絶縁膜層の膜厚を、複
数種類の膜厚になるように変化させてもよい。
２のガラス基板５１ｂとの両方の絶縁膜層の膜厚を、複
数種類の膜厚になるように変化させてもよい。
【００９８】さらに、図４を用いて説明した実施例で
は、パッシブ型液晶表示装置で示したが、第１のガラス
基板５１ａあるいは第２のガラス基板５１ｂの表示画素
単位毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード
（ＴＦＤ）などのアクティブ素子を設けるアクティブ駆
動の液晶表示装置にも適用できる。
は、パッシブ型液晶表示装置で示したが、第１のガラス
基板５１ａあるいは第２のガラス基板５１ｂの表示画素
単位毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード
（ＴＦＤ）などのアクティブ素子を設けるアクティブ駆
動の液晶表示装置にも適用できる。
【００９９】ガラス基板上にＴＦＴやＴＦＤのアクティ
ブ素子を設けるアクティブ駆動の液晶表示装置において
も、以上の説明と同様の効果を有し、広視野角特性の表
示が可能となる。
ブ素子を設けるアクティブ駆動の液晶表示装置において
も、以上の説明と同様の効果を有し、広視野角特性の表
示が可能となる。
【０１００】さらにまた、図４を用いて説明した実施例
では、上下ショート対策の絶縁膜層４６の膜厚を、それ
ぞれの表示画素内で変化させる例で説明した。
では、上下ショート対策の絶縁膜層４６の膜厚を、それ
ぞれの表示画素内で変化させる例で説明した。
【０１０１】しかしながら、ガラス基板上に表示画素用
電極を設け、この表示画素用電極上に染色したゼラチン
のカラーフィルターあるいは合成樹脂中に顔料を分散さ
せたカラーフィルターを設け、さらにこのカラーフィル
ター上に平坦化の役割をもつ合成樹脂層を設ける基板に
よる、パッシブ駆動あるいはアクティブ駆動のカラー液
晶表示装置において、カラーフィルター上の合成樹脂層
を絶縁膜層として適用し、その絶縁膜層の膜厚を変化す
ることによっても、以上の説明と同様の広視野角特性の
表示が可能となる効果が得られる。
電極を設け、この表示画素用電極上に染色したゼラチン
のカラーフィルターあるいは合成樹脂中に顔料を分散さ
せたカラーフィルターを設け、さらにこのカラーフィル
ター上に平坦化の役割をもつ合成樹脂層を設ける基板に
よる、パッシブ駆動あるいはアクティブ駆動のカラー液
晶表示装置において、カラーフィルター上の合成樹脂層
を絶縁膜層として適用し、その絶縁膜層の膜厚を変化す
ることによっても、以上の説明と同様の広視野角特性の
表示が可能となる効果が得られる。
【０１０２】さらに図１と図４とを用いて説明した実施
例では、第２のガラス基板上の第２の液晶配向層あるい
は絶縁膜層の膜厚差を２種類としたが、膜厚差を３種類
以上にしても、以上の説明と同様の広視野角特性の表示
が可能となるという効果が得られる。
例では、第２のガラス基板上の第２の液晶配向層あるい
は絶縁膜層の膜厚差を２種類としたが、膜厚差を３種類
以上にしても、以上の説明と同様の広視野角特性の表示
が可能となるという効果が得られる。
【０１０３】さらにまた、液晶配向層や絶縁膜層の膜厚
差を有する膜厚領域の種類を、連続的に無限に増やした
とき、すなわち表示画素毎に液晶配向層あるいは絶縁膜
層に膜厚勾配を形成しても、以上の説明と同様の効果が
得られる。
差を有する膜厚領域の種類を、連続的に無限に増やした
とき、すなわち表示画素毎に液晶配向層あるいは絶縁膜
層に膜厚勾配を形成しても、以上の説明と同様の効果が
得られる。
【０１０４】この膜厚勾配は、たとえばフレキソ印刷法
において、表示画素単位ごとに版厚を連続的に変化させ
たフレキソ版を用いて形成することができる。
において、表示画素単位ごとに版厚を連続的に変化させ
たフレキソ版を用いて形成することができる。
【０１０５】またこの膜厚勾配は、フォトリソグラフィ
ー法において、表示画素単位ごとに連続的に露光量を変
化させるようなフォトマスクを用いて、液晶配向層ある
いは絶縁膜層をパターニングすることにより形成するこ
ともできる。
ー法において、表示画素単位ごとに連続的に露光量を変
化させるようなフォトマスクを用いて、液晶配向層ある
いは絶縁膜層をパターニングすることにより形成するこ
ともできる。
【０１０６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置によれば、それぞれの表示画素毎の液晶配向層ある
いは絶縁膜層に複数の膜厚領域を形成することにより、
あるいはまた、それぞれの表示画素毎に膜厚勾配を設け
る。
装置によれば、それぞれの表示画素毎の液晶配向層ある
いは絶縁膜層に複数の膜厚領域を形成することにより、
あるいはまた、それぞれの表示画素毎に膜厚勾配を設け
る。
【０１０７】このことにより、それぞれの表示画素がそ
れぞれの表示画素上の液晶配向層あるいは絶縁膜層膜厚
変化にしたがった複数の駆動電圧により駆動されること
になる。したがって表示は、複数の駆動電圧の視角特性
の合成となり、視野角特性が拡大し、広視野角特性の液
晶表示装置を実現することができる。
れぞれの表示画素上の液晶配向層あるいは絶縁膜層膜厚
変化にしたがった複数の駆動電圧により駆動されること
になる。したがって表示は、複数の駆動電圧の視角特性
の合成となり、視野角特性が拡大し、広視野角特性の液
晶表示装置を実現することができる。
【図１】本発明の実施例における液晶表示装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に用いた液晶配向層の膜厚とし
きい値電圧の関係を示すグラフである。
きい値電圧の関係を示すグラフである。
【図３】本発明の実施例における液晶表示装置のコント
ラストの視野角特性を従来例と比較したグラフである。
ラストの視野角特性を従来例と比較したグラフである。
【図４】本発明の実施例における液晶表示装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図６】本発明と従来の液晶表示装置の構成を示す平面
図である。
図である。
【図７】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図８】液晶表示装置におけるしきい値電圧の定義を示
す図である。
す図である。
【図９】液晶表示装置の液晶配向層の膜厚としきい値電
圧の関係を示すグラフである。
圧の関係を示すグラフである。
４６ 絶縁膜層 ５１ａ 第１のガラス基板 ５１ｂ 第２のガラス基板 ５２ａ 第１の表示画素用電極 ５２ｂ 第２の表示画素用電極 ５３ａ 第１の液晶配向層 ５３ｂ 第２の液晶配向層 ５４ シール材料 ５５ 液晶層 ５７ 表示画素
Claims (20)
- 【請求項１】 表示画素用電極と表示画素用電極上に液
晶配向層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、液晶
配向層の膜厚は表示画素毎に複数の膜厚領域を設けるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 対向する第１のガラス基板と第２のガラ
ス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に液晶配向
層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、液晶配向層
の膜厚は表示画素毎に複数の膜厚領域を設けることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 対向する第１のガラス基板と第２のガラ
ス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に液晶配向
層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、第１のガラ
ス基板の液晶配向層の膜厚は表示画素毎に複数の膜厚領
域を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 対向する第１のガラス基板と第２のガラ
ス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に液晶配向
層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、第２のガラ
ス基板の液晶配向層の膜厚は表示画素毎に複数の膜厚領
域を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 対向する第１のガラス基板と第２のガラ
ス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に液晶配向
層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、第１のガラ
ス基板と第２のガラス基板との液晶配向層の膜厚は表示
画素毎に複数の膜厚領域を設けることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項６】 表示画素用電極と表示画素用電極上に液
晶配向層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、液晶
配向層の膜厚は表示画素毎に膜厚勾配を設けることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 対向する第１のガラス基板と第２のガラ
ス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に液晶配向
層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、液晶配向層
の膜厚は表示画素毎に膜厚勾配を設けることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項８】 対向する第１のガラス基板と第２のガラ
ス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に液晶配向
層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、第１のガラ
ス基板の液晶配向層の膜厚は表示画素毎に膜厚勾配を設
けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 対向する第１のガラス基板と第２のガラ
ス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に液晶配向
層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、第２のガラ
ス基板の液晶配向層の膜厚は表示画素毎に膜厚勾配を設
けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】 対向する第１のガラス基板と第２のガ
ラス基板に表示画素用電極とこの表示画素用電極上に液
晶配向層とガラス基板間に設ける液晶層とを備え、第１
のガラス基板と第２のガラス基板との液晶配向層の膜厚
は表示画素毎に膜厚勾配を設けることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項１１】 表示画素用電極と表示画素用電極上に
絶縁膜層と絶縁膜上に液晶配向層とガラス基板間に設け
る液晶層とを備え、絶縁膜層の膜厚は表示画素毎に複数
の膜厚領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１２】 対向する第１のガラス基板と第２のガ
ラス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に絶縁膜
層と絶縁膜層上の液晶配向層とガラス基板間に設ける液
晶層とを備え、絶縁膜層の膜厚は表示画素毎に複数の膜
厚領域を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１３】 対向する第１のガラス基板と第２のガ
ラス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に絶縁膜
層と絶縁膜層上の液晶配向層とガラス基板間に設ける液
晶層とを備え、第１のガラス基板の絶縁膜層の膜厚は表
示画素毎に複数の膜厚領域を設けることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１４】 対向する第１のガラス基板と第２のガ
ラス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に絶縁膜
層と絶縁膜層上の液晶配向層とガラス基板間に設ける液
晶層とを備え、第２のガラス基板の絶縁膜層の膜厚は表
示画素毎に複数の膜厚領域を設けることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１５】 対向する第１のガラス基板と第２のガ
ラス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に絶縁膜
層と絶縁膜層上の液晶配向層とガラス基板間に設ける液
晶層とを備え、第１のガラス基板と第２のガラス基板と
の絶縁膜層の膜厚は表示画素毎に複数の膜厚領域を設け
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１６】 表示画素用電極と表示画素用電極上に
絶縁膜層と絶縁膜層上に液晶配向層とガラス基板間に設
ける液晶層とを備え、絶縁膜層の膜厚は表示画素毎に膜
厚勾配を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１７】 対向する第１のガラス基板と第２のガ
ラス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に絶縁膜
層と絶縁膜層上に液晶配向層とガラス基板間に設ける液
晶層とを備え、絶縁膜層の膜厚は表示画素毎に膜厚勾配
を設けることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１８】 対向する第１のガラス基板と第２のガ
ラス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に絶縁膜
層と絶縁膜層上に液晶配向層とガラス基板間に設ける液
晶層とを備え、第１のガラス基板の絶縁膜層の膜厚は表
示画素毎に膜厚勾配を設けることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項１９】 対向する第１のガラス基板と第２のガ
ラス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に絶縁膜
層と絶縁膜層上に液晶配向層とガラス基板間に設ける液
晶層とを備え、第２のガラス基板の絶縁膜層の膜厚は表
示画素毎に膜厚勾配を設けることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項２０】 対向する第１のガラス基板と第２のガ
ラス基板に表示画素用電極と表示画素用電極上に絶縁膜
層と絶縁膜層上に液晶配向層とガラス基板間に設ける液
晶層とを備え、第１のガラス基板と第２のガラス基板と
の絶縁膜層の膜厚は表示画素毎に膜厚勾配を設けること
を特徴とする液晶表示装置。
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|---|---|---|---|
| JP6362495A JP3545086B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 液晶表示装置 |
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|---|---|---|---|
| JP6362495A JP3545086B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 液晶表示装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262444A true JPH08262444A (ja) | 1996-10-11 |
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| JP (1) | JP3545086B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08286189A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-11-01 | Nec Corp | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
| KR19990011943A (ko) * | 1997-07-25 | 1999-02-18 | 손욱 | 계조화 액정 표시 소자 |
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| US8223309B2 (en) | 2009-10-13 | 2012-07-17 | Au Optronics Corporation | Display panel having different thickness of alignment layers in different regions |
| CN102650762A (zh) * | 2011-08-04 | 2012-08-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示面板母板及其制造方法 |
| US8289493B2 (en) | 2009-10-13 | 2012-10-16 | Au Optronics Corporation | Display panel having different thickness of alignment layers in different regions |
| CN102955295A (zh) * | 2009-10-23 | 2013-03-06 | 友达光电股份有限公司 | 主动组件阵列基板、显示面板以及显示面板的制作方法 |
| JP2020109441A (ja) * | 2019-01-04 | 2020-07-16 | 凸版印刷株式会社 | 調光装置、および、調光シート |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP6362495A patent/JP3545086B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3545086B2 (ja) | 2004-07-21 |
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