JPH08260158A - Substrate treating device - Google Patents

Substrate treating device

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Publication number
JPH08260158A
JPH08260158A JP8029896A JP2989696A JPH08260158A JP H08260158 A JPH08260158 A JP H08260158A JP 8029896 A JP8029896 A JP 8029896A JP 2989696 A JP2989696 A JP 2989696A JP H08260158 A JPH08260158 A JP H08260158A
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JP
Japan
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tank
exhaust
substrate
processing apparatus
inner tank
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP8029896A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsuhiko Suda
敦彦 須田
Tomohiko Okayama
智彦 岡山
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Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH08260158A publication Critical patent/JPH08260158A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To provide a substrate treating device which has a two-vessel structure having an inside vessel and an outside vessel and is capable of preventing the flow of reactive gases, etc., into the outside vessel. CONSTITUTION: This substrate treating device has the outside vessel 40 and the inside vessel 30. The inside vessel 30 has a cathode 120 and an anode 130. A reactive gas introducing pipe 28 is communicated with the inside of the inside vessel 30. The anode 130 has a substrate stage 35 and an anode heater 33. The lower wall 32 of the inside vessel around the anode heater 33 is provided with discharge holes 49 enclosing the substrate stage 35. The anode heater 33 is provided with a discharge vessel 37 thereunder. The inside of this discharge vessel 37 is communicated with the inside of the inside vessel 30 with the discharge holes 49. The discharge vessel 37 is provided with an inside discharge pipe 39 in communication with the inside thereof. This inside discharge pipe 39 is positioned in the central part of the substrate stage 35 in plane view. A bottom plate 211 of the outside vessel 40 is provided with an outside discharge pipe 41. The inside discharge pipe 39 is loosely fitted to this outside discharge pipe 41. The inside discharge pipe 39 is projected by a length L2 from the inside wall 214 of the bottom plate 211.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置に関
し、特に外槽と内槽とを有する２槽構造のプラズマＣＶ
Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a plasma CV having a two tank structure having an outer tank and an inner tank.
D (Chemical Vapor Depositi
on) device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程の１つに、基板上に成膜
を行うプラズマＣＶＤ工程がある。この工程において
は、気密な処理室に１対の平行平板型の電極を相対向し
て設け、これらの電極の一方の上に基板を載置し、この
処理室内に反応ガスを供給しつつ１対の電極間に高周波
電力を印加してプラズマを発生させてガス分子をプラズ
マにより励起させて基板表面に薄膜を形成する。2. Description of the Related Art One of semiconductor manufacturing processes is a plasma CVD process for forming a film on a substrate. In this step, a pair of parallel plate type electrodes are provided facing each other in an airtight processing chamber, a substrate is placed on one of these electrodes, and a reaction gas is supplied to the processing chamber while supplying a reaction gas. High-frequency power is applied between the pair of electrodes to generate plasma and gas molecules are excited by the plasma to form a thin film on the substrate surface.

【０００３】また、近年、プラズマを利用して処理室内
を清掃するガスクリーニング方法が注目を集めている。
この方法は、ＮＦ3 等のクリーニングガスを処理室内に
供給しながら、電極間に高周波電力を印加してプラズマ
を発生させ、クリーニングガス分子をプラズマにより励
起して、成膜時に電極表面や処理室内に付着・堆積した
反応副生成物をエッチング除去するものである。In recent years, a gas cleaning method for cleaning the inside of the processing chamber using plasma has been attracting attention.
In this method, while supplying a cleaning gas such as NF 3 into the processing chamber, high-frequency electric power is applied between the electrodes to generate plasma, and the cleaning gas molecules are excited by the plasma, so that the electrode surface and the processing chamber are deposited during film formation. The reaction by-products adhering to and depositing on the surface are removed by etching.

【０００４】このガスクリーニング方法は、成膜後に処
理室を降温し、その後大気開放して処理室を分解し、そ
の洗浄を行い、その後処理室を組立て、真空引きし、そ
の後処理室の温度を上昇させるという従来のクリーニン
グ方法に比較して、処理室の温度降下、大気開放、分
解、組立て、真空排気および温度上昇といった付随的な
工程を省略できるために、稼働率向上に非常に有効であ
る。In this gas cleaning method, the temperature of the processing chamber is lowered after the film formation, and then the atmosphere is opened to disassemble the processing chamber, the cleaning is performed, the processing chamber is assembled and then evacuated, and then the temperature of the processing chamber is raised. Compared with the conventional cleaning method of raising the temperature, it is very effective in improving the operating rate because it is possible to omit ancillary steps such as temperature drop in the processing chamber, opening to the atmosphere, disassembly, assembly, evacuation and temperature rise. .

【０００５】プラズマＣＶＤ装置において、これら成膜
とガスクリーニングとを効率よく行うための処理室の構
造として、内槽と外槽とを有する２層構造が提案されて
いる。このように内槽を設けることにより、発生するプ
ラズマを内槽内に限定することができる。その結果、成
膜を内槽内で限定して行えるようになり、プラズマ密度
を上げて成膜の効率化を図ることができる。さらに、ガ
スクリーニングを行う際においても、クリーニングの高
効率化が図れる。In the plasma CVD apparatus, a two-layer structure having an inner tank and an outer tank has been proposed as a structure of a processing chamber for efficiently performing the film formation and the gas cleaning. By providing the inner tank in this way, the generated plasma can be limited to the inner tank. As a result, the film formation can be limited in the inner tank, and the plasma density can be increased to improve the film formation efficiency. Furthermore, when performing gas cleaning, it is possible to improve the efficiency of cleaning.

【０００６】図８は、このような従来の２槽構造のプラ
ズマＣＶＤ装置の概略断面図である。このプラズマＣＶ
Ｄ装置３００は、外槽１５と内槽１２とを有する処理槽
１を備えている。FIG. 8 is a schematic sectional view of such a conventional plasma CVD apparatus having a two-chamber structure. This plasma CV
The D device 300 includes a processing tank 1 having an outer tank 15 and an inner tank 12.

【０００７】処理槽１の天井板１０１には内槽壁２が設
けられ、内槽壁２の内部には絶縁体３を介してカソード
４が設けられている。このカソード４はその内部に中空
部７を有している。カソード４の上部には反応ガス導入
管５が中空部７と連通して設けられている。カソード４
の下部にはシャワープレート１０６が設けられており、
このシャワープレート１０６には、反応ガス導入管５か
ら中空部７に導入された反応ガスを分散供給するための
多数のガス分散孔６が設けられている。An inner tank wall 2 is provided on the ceiling plate 101 of the processing tank 1, and a cathode 4 is provided inside the inner tank wall 2 via an insulator 3. The cathode 4 has a hollow portion 7 inside. A reaction gas introducing pipe 5 is provided above the cathode 4 so as to communicate with the hollow portion 7. Cathode 4
Shower plate 106 is provided in the lower part of
The shower plate 106 is provided with a large number of gas dispersion holes 6 for dispersing and supplying the reaction gas introduced into the hollow portion 7 from the reaction gas introduction pipe 5.

【０００８】処理槽１の下方にはカソード４と対向して
アノード９が昇降可能に設けられている。アノード９上
にはサセプタ１０が設けられ、サセプタ１０上には基板
１１が載置される。アノード９が上昇すると、サセプタ
１０も上昇して内槽壁２の下端開口部を閉塞する。それ
によって、外槽空間１５１と内槽空間１２１とを分離す
る。サセプタ１０の周辺には内槽空間１２１と外槽空間
１５１とを連通する内槽排気孔１３が所定数設けられて
いる。また、処理槽１の底板１０２の隅の一箇所には外
槽排気孔１４が設けられている。なお、この図８におい
ては、処理槽１に設けられる基板搬入／搬出口を省略し
ている。また、反応ガス導入管には高周波電源８が接続
され、アノード９は接地されている。An anode 9 is provided below the processing tank 1 so as to face the cathode 4 and can be moved up and down. A susceptor 10 is provided on the anode 9, and a substrate 11 is placed on the susceptor 10. When the anode 9 rises, the susceptor 10 also rises to close the lower end opening of the inner tank wall 2. Thereby, the outer tank space 151 and the inner tank space 121 are separated. A predetermined number of inner tank exhaust holes 13 that communicate the inner tank space 121 and the outer tank space 151 are provided around the susceptor 10. Further, an outer tank exhaust hole 14 is provided at one corner of the bottom plate 102 of the processing tank 1. Note that, in FIG. 8, the substrate loading / unloading port provided in the processing tank 1 is omitted. A high frequency power source 8 is connected to the reaction gas introducing pipe, and an anode 9 is grounded.

【０００９】このプラズマＣＶＤ装置３００を使用し
て、成膜を行う場合には、アノード９を下げた状態で基
板１１をサセプタ１０上に載置し、その後アノード９を
上昇させて内槽壁２の下端開口部を閉塞して、内槽空間
１２１を画成する。その後、外槽排気孔１４、外槽空間
１５１および内槽排気孔１３を介して内槽１２内を排気
しながら、反応ガス導入管５から反応ガスを導入しガス
分散孔６により反応ガスを分散供給して内槽１２内を所
定の圧力に制御しつつ、高周波電源８よりカソード４、
アノード９間に高周波電力を印加して、プラズマを発生
させて基板１１上に成膜を行う。発生するプラズマは内
槽空間１２１という狭小な空間に限定されるために高密
度となり、高密度プラズマにより高効率で成膜が行え
る。反応後のガスは、内槽排気孔１３を経て外槽空間１
５１に流出し、さらに外槽排気孔１４を経て処理槽１外
に排出される。When a film is formed using this plasma CVD apparatus 300, the substrate 11 is placed on the susceptor 10 with the anode 9 lowered, and then the anode 9 is raised to raise the inner tank wall 2. The lower tank opening is closed to define the inner tank space 121. Thereafter, while exhausting the inside of the inner tank 12 through the outer tank exhaust hole 14, the outer tank space 151 and the inner tank exhaust hole 13, the reaction gas is introduced from the reaction gas introduction pipe 5 and the reaction gas is dispersed by the gas dispersion hole 6. While supplying and controlling the pressure in the inner tank 12 to a predetermined pressure, the high frequency power source 8 causes the cathode 4,
A high frequency power is applied between the anodes 9 to generate plasma to form a film on the substrate 11. The generated plasma has a high density because it is limited to a small space such as the inner tank space 121, and the high density plasma enables highly efficient film formation. The gas after the reaction passes through the inner tank exhaust hole 13 and the outer tank space 1
It flows out to 51 and is further discharged to the outside of the processing tank 1 through the outer tank exhaust hole 14.

【００１０】また、このプラズマＣＶＤ装置３００を使
用して、ガスクリーニングを行う場合には、基板１１を
サセプタ１０上に載置しない状態でアノード９により内
槽壁２の下端開口部を閉塞して、内槽空間１２１を画成
する。その後、外槽排気孔１４、外槽空間１５１および
内槽排気孔１３を介して内槽１２内を排気しながら、反
応ガス導入管５からＮＦ3 等のクリーニングガスを供給
して内槽１２内を所定の圧力に制御しつつ、高周波電源
８よりカソード４、アノード９間に高周波電力を印加し
て、プラズマを発生させて内槽１２内に付着・堆積した
反応副生成物をエッチング除去する。この場合において
も、発生するプラズマは内槽空間１２１という狭小な空
間に限定されるために高密度となるので、高効率でガス
クリーニングが行える。反応後のガスは、内槽排気孔１
３を経て外槽空間１５１に流出し、さらに外槽排気孔１
４を経て処理槽１外に排出される。When performing gas cleaning using this plasma CVD apparatus 300, the lower end opening of the inner tank wall 2 is closed by the anode 9 in a state where the substrate 11 is not placed on the susceptor 10. , The inner tank space 121 is defined. After that, while exhausting the inside of the inner tank 12 through the outer tank exhaust hole 14, the outer tank space 151 and the inner tank exhaust hole 13, the cleaning gas such as NF 3 is supplied from the reaction gas introducing pipe 5 to the inside of the inner tank 12. While controlling the pressure to a predetermined value, high-frequency power is applied between the cathode 4 and the anode 9 from the high-frequency power source 8 to generate plasma, and the reaction by-product attached / deposited in the inner tank 12 is removed by etching. Even in this case, the generated plasma has a high density because it is limited to the narrow space of the inner tank space 121, so that the gas cleaning can be performed with high efficiency. The gas after the reaction is the inner tank exhaust hole 1
3 to flow into the outer tank space 151, and further to the outer tank exhaust hole 1
It is discharged to the outside of the processing tank 1 via 4.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のプラズマＣＶＤ装置３００では、反応ガス導入管５
から内槽１２内に導入されたガスは、内槽排気孔１３を
経由して、外槽空間１５１内に流出し、その後、処理槽
１の底板１０２に設けられた外槽排気孔１４から処理槽
１外に流出する。従って、内槽排気孔１３から流出した
反応ガスや反応副生成物が外槽空間１５１内に流出し、
外槽１５の内壁に反応副生成物が付着してしまい、外槽
１５の定期的な清掃が必要となり、その分プラズマＣＶ
Ｄ装置３００の稼働率を下げてしまうという問題があっ
た。However, in the conventional plasma CVD apparatus 300, the reaction gas introducing pipe 5 is used.
The gas introduced from the inside into the inner tank 12 flows out into the outer tank space 151 via the inner tank exhaust hole 13, and then is processed from the outer tank exhaust hole 14 provided in the bottom plate 102 of the processing tank 1. It flows out of the tank 1. Therefore, the reaction gas and the reaction by-products flowing out from the inner tank exhaust hole 13 flow out into the outer tank space 151,
The reaction by-product adheres to the inner wall of the outer tank 15, and the outer tank 15 needs to be regularly cleaned.
There is a problem that the operating rate of the D device 300 is reduced.

【００１２】従って、本発明の主な目的は、内槽と外槽
とを有する２槽構造の基板処理装置において、反応ガス
や反応副生成物が外槽内に流れ込むことを防止できる基
板処理装置を提供することにある。Therefore, a main object of the present invention is a substrate processing apparatus having a two-tank structure having an inner tank and an outer tank, which can prevent reaction gas and reaction by-products from flowing into the outer tank. To provide.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、外槽
と、前記外槽内に設けられた内槽と、前記内槽内に連通
する反応ガス導入管と、少なくとも前記外槽の内壁面ま
で延在すると共に、前記内槽内に連通可能に設けられた
第１の排気管と、前記外槽に設けられた排気孔と、前記
排気孔に連通する第２の排気管と、を有することを特徴
とする基板処理装置が提供される。According to the present invention, an outer tank, an inner tank provided in the outer tank, a reaction gas introducing pipe communicating with the inner tank, and at least the inner tank A first exhaust pipe that extends to the wall surface and is provided so as to be able to communicate with the inner tank, an exhaust hole provided in the outer tank, and a second exhaust pipe that communicates with the exhaust hole. A substrate processing apparatus having the above is provided.

【００１４】このように、外槽内に内槽を設け、その内
槽内に連通可能に設けられた第１の排気管を外槽の内壁
面まで延在させることにより、内槽から流出する反応ガ
スは、外槽の内壁面よりも外側に排気されるようにな
る。従って、反応ガス、反応副生成物およびエッチング
残渣等が外槽内に流れ込むことが防止され、外槽の内壁
に反応副生成物が付着することが防止される。その結
果、メンテナンス時に外槽を清掃する必要がなくなり、
その分、基板処理装置の稼働率を上げることができる。As described above, the inner tank is provided in the outer tank, and the first exhaust pipe provided in the inner tank so as to communicate with the inner tank extends to the inner wall surface of the outer tank, thereby flowing out from the inner tank. The reaction gas is exhausted to the outside of the inner wall surface of the outer tank. Therefore, the reaction gas, the reaction by-product, the etching residue and the like are prevented from flowing into the outer tank, and the reaction by-product is prevented from adhering to the inner wall of the outer tank. As a result, there is no need to clean the outer tank during maintenance,
The operating rate of the substrate processing apparatus can be increased accordingly.

【００１５】また、外槽に排気孔を設け、この排気孔に
連通する第２の排気管を設けているから、外槽内も減圧
にすることができるので、内槽の放熱が抑制される。そ
の結果、内槽をホットウォール状態に維持することがで
きるので、内槽の内壁に剥離しやすい反応副生成物が発
生せず、パーティクルの発生が防止できる。Further, since the outer tank is provided with the exhaust hole and the second exhaust pipe communicating with the exhaust hole is provided, the pressure inside the outer tank can be reduced, and hence the heat radiation from the inner tank is suppressed. . As a result, the inner tank can be maintained in a hot wall state, so that a reaction by-product which is easily peeled off does not occur on the inner wall of the inner tank, and the generation of particles can be prevented.

【００１６】さらに、このように、内槽を設けることに
より、基板処理装置がプラズマ処理装置である場合に
は、成膜やガスクリーニング等の基板処理時に発生する
プラズマを内槽内に限定することができる。その結果、
プラズマ密度を上げることができて、成膜やガスエッチ
ングを効率よく行うことができる。Further, by providing the inner tank as described above, when the substrate processing apparatus is a plasma processing apparatus, the plasma generated during the substrate processing such as film formation and gas cleaning is limited to the inner tank. You can as a result,
The plasma density can be increased, and film formation and gas etching can be efficiently performed.

【００１７】また、外槽を設けているので、本発明の基
板処理装置とロードロック等の他の槽との接続が容易と
なる。Since the outer tank is provided, the substrate processing apparatus of the present invention can be easily connected to another tank such as a load lock.

【００１８】好ましくは、第１の排気管の前端が外槽に
設けられた排気孔内に挿入され、第１の排気管の前端が
外槽の内壁面よりも外側に突出し、第１の排気管とこの
排気孔との間には隙間が形成されている。Preferably, the front end of the first exhaust pipe is inserted into an exhaust hole provided in the outer tank, and the front end of the first exhaust pipe projects outside the inner wall surface of the outer tank, so that the first exhaust gas is discharged. A gap is formed between the pipe and this exhaust hole.

【００１９】このように、第１の排気管の前端を外槽に
設けられた排気孔内に挿入し、第１の排気管とこの排気
孔との間に隙間を形成することにより、外槽に設けられ
た排気孔に連通する第２の排気管を介して内槽および外
槽の両方を排気できる。In this way, the front end of the first exhaust pipe is inserted into the exhaust hole provided in the outer tank, and a gap is formed between the first exhaust pipe and this exhaust hole, whereby the outer tank is formed. Both the inner tank and the outer tank can be exhausted through the second exhaust pipe communicating with the exhaust hole provided in the.

【００２０】そして、この場合に、第１の排気管の前端
を外槽の内壁面よりも外側に突出させることによって、
第１の排気管と排気孔との間の隙間から反応副生成物に
起因するパーティクルが外槽内に逆拡散することを有効
に防止できる。Then, in this case, by making the front end of the first exhaust pipe project outside the inner wall surface of the outer tank,
It is possible to effectively prevent the particles due to the reaction by-product from back-diffusing into the outer tank through the gap between the first exhaust pipe and the exhaust hole.

【００２１】また、この第１の排気管とこの排気孔との
間の隙間を狭めておくことにより、第１の排気管と排気
孔との間の隙間から反応副生成物に起因するパーティク
ルが外槽内に逆拡散することを有効に防止できる。Further, by narrowing the gap between the first exhaust pipe and the exhaust hole, particles caused by the reaction by-product are generated from the gap between the first exhaust pipe and the exhaust hole. It is possible to effectively prevent back diffusion into the outer tank.

【００２２】さらに、このように外槽に設けられた排気
孔に連通する第２の排気管を介して内槽および外槽の両
方を排気できるから、外槽内に連通する圧力検出器を設
け、内槽内に連通する圧力検出器は設けなくても、内槽
内の圧力を外槽内に連通する圧力検出器により間接的に
測定できる。そして、圧力検出器は外槽内に連通して設
けられているのみで内槽内に連通しては設けられてはい
ないので、圧力検出器はプラズマに晒されることもな
く、また、反応副生成物が付着することも防止される。
その結果、圧力検出精度の経時的な劣化が防止される。Further, since both the inner tank and the outer tank can be exhausted through the second exhaust pipe communicating with the exhaust hole provided in the outer tank in this way, a pressure detector communicating with the outer tank is provided. Even if a pressure detector communicating with the inner tank is not provided, the pressure inside the inner tank can be indirectly measured by the pressure detector communicating with the outer tank. Since the pressure detector is provided only in communication with the outer tank but not in communication with the inner tank, the pressure detector is not exposed to plasma, and the reaction Product adhesion is also prevented.
As a result, the pressure detection accuracy is prevented from deteriorating with time.

【００２３】なお、このように、外槽に設けられた排気
孔に連通する第２の排気管を介して内槽および外槽の両
方を排気するのではなく、内槽内に連通可能な第１の排
気管を備える排気ラインを、外槽に連通する第２の排気
管を備える排気ラインとは独立して排気可能な排気ライ
ンとすることもできる。As described above, instead of exhausting both the inner tank and the outer tank through the second exhaust pipe communicating with the exhaust hole provided in the outer tank, the first tank which can communicate with the inner tank is provided. The exhaust line having one exhaust pipe may be an exhaust line capable of exhausting independently of the exhaust line having the second exhaust pipe communicating with the outer tank.

【００２４】また、基板処理装置が内槽内に設けられた
基板載置部をさらに有し、内槽は基板載置部を取り囲む
第２の排気孔を有し、第２の排気孔は第１の排気管と連
通可能であることが好ましい。Further, the substrate processing apparatus further has a substrate mounting portion provided in the inner tank, and the inner tank has a second exhaust hole surrounding the substrate mounting portion, and the second exhaust hole is the second exhaust hole. It is preferable that it can communicate with one exhaust pipe.

【００２５】この場合に、基板処理装置が外槽内に設け
られた排気槽をさらに有し、排気槽は内槽の下に設けら
れ、内槽内は第２の排気孔により排気槽内と連通され、
第１の排気管は排気槽内と連通されていることが好まし
い。In this case, the substrate processing apparatus further has an exhaust tank provided in the outer tank, the exhaust tank is provided under the inner tank, and the inner tank is connected to the exhaust tank by the second exhaust hole. Communicated,
The first exhaust pipe is preferably communicated with the inside of the exhaust tank.

【００２６】そして、好ましくは、第１の排気管が、基
板載置部を平面的に見て基板載置部のほぼ中央において
排気槽内と連通している。このように、第１の排気管が
基板載置部のほぼ中央において、排気槽内と連通するこ
とにより、内槽内は基板載置部を取り囲んで設けられた
第２の排気孔によりほぼ均一に排気される。従って、基
板載置部に載置された基板上のガスの流れが均一とな
り、その結果、基板上に成膜される膜の膜厚や諸特性が
均一となる。従って、歩留まりも向上し、生産性も向上
する。Further, preferably, the first exhaust pipe communicates with the inside of the exhaust tank at approximately the center of the substrate mounting portion when the substrate mounting portion is seen in a plan view. In this way, the first exhaust pipe communicates with the inside of the exhaust tank at approximately the center of the substrate mounting portion, so that the inside of the inner tank is substantially uniform due to the second exhaust holes that surround the substrate mounting portion. Exhausted to. Therefore, the gas flow on the substrate placed on the substrate placing section becomes uniform, and as a result, the film thickness and various characteristics of the film formed on the substrate become uniform. Therefore, the yield is improved and the productivity is also improved.

【００２７】このように、第１の排気管が、基板載置部
を平面的に見て基板載置部のほぼ中央において排気槽内
と連通していることがより好ましいが、第１の排気管
が、第２の排気孔のうち互いに最も離れた一対の第２の
排気孔管間の距離Ｌの１／４の長さの半径（Ｌ／４）を
有し、基板載置部を平面的に見て基板載置部の中央を中
心とする円内において、排気管内と連通していても、内
槽内は基板載置部を取り囲んで設けられた第２の排気孔
によりほぼ均一に排気される。従って、基板載置部に載
置された基板上のガスの流れが均一となり、その結果、
基板上に成膜される膜の膜厚や諸特性が均一となる。基
板載置部の中央からＬ／４の距離を超える位置において
第１の排気管を排気槽内と連通させると、膜厚や諸特性
の均一性が悪くなってしまう。As described above, it is more preferable that the first exhaust pipe communicates with the inside of the exhaust tank at approximately the center of the substrate mounting portion when the substrate mounting portion is seen in a plan view. The tube has a radius (L / 4) having a length of 1/4 of a distance L between a pair of second exhaust hole tubes that are the most distant from each other among the second exhaust holes, and the substrate mounting portion is a flat surface. In the circle centered on the center of the substrate mounting portion, the inner chamber is almost evenly formed by the second exhaust holes surrounding the substrate mounting portion even when communicating with the exhaust pipe. Exhausted. Therefore, the gas flow on the substrate placed on the substrate placing section becomes uniform, and as a result,
The film thickness and various characteristics of the film formed on the substrate become uniform. If the first exhaust pipe communicates with the inside of the exhaust tank at a position exceeding the distance L / 4 from the center of the substrate platform, the uniformity of the film thickness and various characteristics will deteriorate.

【００２８】また、基板載置部が平面的に見て実質的に
矩形状である場合には、第１の排気管を複数設け、これ
ら複数の第１の排気管を、矩形の対角線上であって矩形
の中央に対して点対称な位置において排気槽内と連通す
るように形成することも好ましい。このようにすれば、
基板載置部を取り囲んで設けられた第２の排気孔からの
排気を、これら複数の第１の排気管によりほぼ均等に分
割して行うことになり、加えて、複数の第１の排気管の
それぞれの近傍の第２の排気孔は、複数の第１の排気管
のそれぞれとほぼ等距離に配置されるから、内槽内は、
基板載置部を取り囲んで設けられた第２の排気孔からそ
れぞれほぼ均一に排気される。従って、基板載置部上に
載置された基板上のガスの流れが均一となり、その結
果、基板上に成膜される膜の膜厚や諸特性が均一とな
る。従って、歩留まりも向上し、生産性も向上する。When the substrate mounting portion is substantially rectangular in plan view, a plurality of first exhaust pipes are provided, and the plurality of first exhaust pipes are arranged on a diagonal line of the rectangle. Therefore, it is also preferable to form it so as to communicate with the inside of the exhaust tank at a position symmetrical with respect to the center of the rectangle. If you do this,
Exhaust from the second exhaust hole provided around the substrate mounting portion is performed by the plurality of first exhaust pipes substantially evenly divided, and in addition, the plurality of first exhaust pipes are provided. Since the second exhaust holes in the vicinity of each of the first exhaust pipes are arranged at substantially the same distance as each of the plurality of first exhaust pipes,
The gas is exhausted substantially uniformly from the second exhaust holes provided around the substrate mounting portion. Therefore, the gas flow on the substrate placed on the substrate placing section becomes uniform, and as a result, the film thickness and various characteristics of the film formed on the substrate become uniform. Therefore, the yield is improved and the productivity is also improved.

【００２９】そして、基板処理装置がプラズマ処理装置
である場合には、外槽が、下外槽と上外槽とを備え、上
外槽にカソードおよびアノードの一方が取り付けられ、
カソードおよびアノードの前記一方を囲繞して上外槽に
内槽上側壁が取り付けられ、カソードおよびアノードの
他方が外槽内を昇降可能に設けられ、カソードおよびア
ノードの前記他方が基板載置部を備え、カソードおよび
カソードの前記他方の周囲に内槽上側壁と対応する内槽
下側壁が取り付けられ、基板載置部を取り囲んで内槽下
側壁に第２の排気孔が設けられ、第２の排気孔は第１の
排気管と連通可能であり、カソードおよびアノードの前
記他方が上昇することにより、カソード、アノード、内
槽上側壁および内槽下側壁により内槽を構成し、カソー
ドおよびアノードの前記他方が上昇して内槽を形成した
際に、第１の排気管が少なくとも外槽の内壁面まで延在
していることが好ましい。When the substrate processing apparatus is a plasma processing apparatus, the outer tank is provided with a lower outer tank and an upper outer tank, and one of the cathode and the anode is attached to the upper outer tank,
The inner tank upper side wall is attached to the upper outer tank so as to surround the one of the cathode and the anode, the other of the cathode and the anode is provided so as to be able to move up and down in the outer tank, and the other of the cathode and the anode serves as a substrate mounting portion. An inner tank lower side wall corresponding to the inner tank upper side wall is attached around the cathode and the other side of the cathode, and a second exhaust hole is provided in the inner tank lower side wall so as to surround the substrate mounting portion. The exhaust hole can communicate with the first exhaust pipe, and the other of the cathode and the anode rises to form an inner tank by the cathode, the anode, the inner tank upper side wall and the inner tank lower side wall, and the cathode and the anode It is preferable that the first exhaust pipe extends at least up to the inner wall surface of the outer tank when the other one rises to form the inner tank.

【００３０】そして、カソードおよびアノードの前記他
方が上昇して内槽を形成した際に、第１の排気管の前端
が排気孔内に挿入され、第１の排気管の前端が外槽の内
壁面よりも外側に突出し、第１の排気管と排気孔との間
には隙間が形成されていることが好ましい。When the other one of the cathode and the anode rises to form the inner tank, the front end of the first exhaust pipe is inserted into the exhaust hole, and the front end of the first exhaust pipe is inserted into the outer tank. It is preferable that a gap be formed between the first exhaust pipe and the exhaust hole so as to project outward from the wall surface.

【００３１】また、外槽内に設けられた排気槽をさらに
有し、排気槽はアノードおよびカソードの前記他方の下
に設けられ、内槽内は第２の排気孔により排気槽内と連
通され、第１の排気管は排気槽内と連通されていること
が好ましい。Further, an exhaust tank provided in the outer tank is further provided, the exhaust tank is provided under the other of the anode and the cathode, and the inner tank is communicated with the exhaust tank by the second exhaust hole. The first exhaust pipe is preferably in communication with the inside of the exhaust tank.

【００３２】また、本発明によれば、外槽と、前記外槽
内に設けられた内槽と、前記内槽内に連通する反応ガス
導入管と、前記外槽に設けられた第１の排気孔と、前記
内槽内に設けられた基板載置部と、前記基板載置部を取
り囲んで前記内槽に設けられた第２の排気孔とを有し、
前記内槽は前記第２の排気孔を介して前記外槽と連通
し、前記第１の排気孔は前記基板載置部を平面的に見た
場合に前記基板載置部のほぼ中央部に位置していること
を特徴とする基板処理装置が提供される。Further, according to the present invention, the outer tank, the inner tank provided in the outer tank, the reaction gas introduction pipe communicating with the inner tank, and the first tank provided in the outer tank. An exhaust hole, a substrate mounting portion provided in the inner tank, and a second exhaust hole provided in the inner tank surrounding the substrate mounting portion,
The inner tank communicates with the outer tank through the second exhaust hole, and the first exhaust hole is provided at a substantially central portion of the substrate mounting portion when the substrate mounting portion is viewed in plan. A substrate processing apparatus is provided which is characterized by being located.

【００３３】このように、外槽に設けられた第１の排気
孔が基板載置部のほぼ中央に設られているから、内槽内
は基板載置部を取り囲んで設けられた第２の排気孔によ
りほぼ均一に排気される。従って、基板載置部に載置さ
れた基板上のガスの流れが均一となり、その結果、基板
上に成膜される膜の膜厚や諸特性が均一となる。従っ
て、歩留まりも向上し、生産性も向上する。As described above, since the first exhaust hole provided in the outer tank is provided substantially in the center of the substrate mounting portion, the second tank provided in the inner tank surrounds the substrate mounting portion. The air is exhausted through the exhaust holes almost uniformly. Therefore, the gas flow on the substrate placed on the substrate placing section becomes uniform, and as a result, the film thickness and various characteristics of the film formed on the substrate become uniform. Therefore, the yield is improved and the productivity is also improved.

【００３４】さらに、また、本発明によれば、外槽と、
前記外槽内に設けられた内槽と、前記内槽に連通する反
応ガス導入管と、前記外槽に設けられた第１の排気孔
と、前記内槽内に設けられた基板載置部と、前記基板載
置部を取り囲んで前記内槽に設けられた第２の排気孔
と、前記外槽内に設けられた排気槽と、前記排気槽に設
けられた第３の排気孔とを有し、前記排気槽は前記内槽
の下に設けられ、前記内槽内は前記第２の排気孔を介し
て前記排気槽内と連通し、前記第３の排気孔は前記基板
載置部を平面的に見た場合に前記基板載置部のほぼ中央
部に位置していることを特徴とする基板処理装置が提供
される。Furthermore, according to the present invention, an outer tank,
An inner tank provided in the outer tank, a reaction gas introducing pipe communicating with the inner tank, a first exhaust hole provided in the outer tank, and a substrate mounting portion provided in the inner tank. A second exhaust hole provided in the inner tank surrounding the substrate mounting portion, an exhaust tank provided in the outer tank, and a third exhaust hole provided in the exhaust tank. The exhaust tank is provided below the inner tank, the inside of the inner tank communicates with the inside of the exhaust tank through the second exhaust hole, and the third exhaust hole includes the substrate mounting portion. There is provided a substrate processing apparatus characterized in that the substrate processing unit is located substantially at the center of the substrate mounting unit when viewed in plan view.

【００３５】このように、排気槽に設けられた第３の排
気孔が基板載置部のほぼ中央に設られているから、内槽
内は基板載置部を取り囲んで設けられた第２の排気孔に
よりほぼ均一に排気される。従って、基板載置部に載置
された基板上のガスの流れが均一となり、その結果、基
板上に成膜される膜の膜厚や諸特性が均一となる。従っ
て、歩留まりも向上し、生産性も向上する。As described above, since the third exhaust hole provided in the exhaust tank is provided substantially in the center of the substrate mounting portion, the second tank provided in the inner tank surrounds the substrate mounting portion. The air is exhausted through the exhaust holes almost uniformly. Therefore, the gas flow on the substrate placed on the substrate placing section becomes uniform, and as a result, the film thickness and various characteristics of the film formed on the substrate become uniform. Therefore, the yield is improved and the productivity is also improved.

【００３６】本発明の基板処理装置は、好ましくはプラ
ズマ処理装置として使用され、さらに好ましくは、プラ
ズマＣＶＤ装置として使用される。The substrate processing apparatus of the present invention is preferably used as a plasma processing apparatus, and more preferably used as a plasma CVD apparatus.

【００３７】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、特に好ま
しくは、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）や半導体装置の製
造に使用される。The plasma CVD apparatus of the present invention is particularly preferably used for manufacturing a liquid crystal display (LCD) or a semiconductor device.

【００３８】[0038]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００３９】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００を説明する
ための断面図であり、図２は、図１のＡＡ矢視平面図で
ある。(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view for explaining a plasma CVD apparatus 100 according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plane taken along the line AA of FIG. It is a figure.

【００４０】本発明の第１の実施の形態のプラズマＣＶ
Ｄ装置１００は処理槽２０を備えており、処理槽２０は
外槽４０と内槽３０とを備えた２槽構造となっている。Plasma CV according to the first embodiment of the present invention
The D device 100 includes a processing tank 20, and the processing tank 20 has a two-tank structure including an outer tank 40 and an inner tank 30.

【００４１】処理槽２０は、処理槽本体２１と天井蓋２
２とを備えている。天井蓋２２はその断面が凸字状とな
っており、中央に形成された凹部に絶縁体２３を介して
カソード１２０が設けられている。カソード１２０は、
カソードヒータ２４とシャワープレート２６と反応ガス
導入管２８とを備えている。カソードヒータ２４は、棒
状の抵抗加熱式ヒータ線２５がアルミニウム部材１２１
内に埋め込まれて構成されている。カソードヒータ２４
とシャワープレート２６との間には間隙２７が形成され
ている。間隙２７には反応ガス導入管２８が連通してい
る。シャワープレート２６には多数のガス分散孔２９が
配設され、反応ガス導入管２８より導入された反応ガス
をガス分散孔２９により内槽３０内に分散供給し、その
結果、基板載置台３５上に載置された基板３６上に反応
ガスを均一に供給するようになっている。The processing tank 20 comprises a processing tank main body 21 and a ceiling lid 2.
2 is provided. The ceiling cover 22 has a convex cross section, and a cathode 120 is provided in a recess formed in the center through an insulator 23. The cathode 120 is
A cathode heater 24, a shower plate 26, and a reaction gas introduction pipe 28 are provided. In the cathode heater 24, the rod-shaped resistance heating type heater wire 25 is the aluminum member 121.
It is embedded inside. Cathode heater 24
A gap 27 is formed between the shower plate 26 and the shower plate 26. A reaction gas introduction pipe 28 communicates with the gap 27. A large number of gas dispersion holes 29 are provided in the shower plate 26, and the reaction gas introduced from the reaction gas introduction pipe 28 is dispersedly supplied into the inner tank 30 through the gas dispersion holes 29, and as a result, on the substrate mounting table 35. The reaction gas is uniformly supplied onto the substrate 36 placed on the substrate.

【００４２】内槽３０には、カソード１２０と対向して
アノード１３０が設けられている。アノード１３０はア
ノードヒータ３３とアノードヒータ３３上に設けられた
基板載置台３５とを備えている。アノードヒータ３３
は、棒状の抵抗加熱式ヒータ線３４がアルミニウム部材
１３１内に埋め込まれて構成されている。カソード１２
０とアノード１３０とによりいわゆる平行平板型の電極
を構成している。カソード１２０には高周波電源４６が
接続されており、アノード１３０は接地されており、カ
ソード１２０とアノード１３０との間に高周波電力を印
加できるようになっている。The inner tank 30 is provided with an anode 130 facing the cathode 120. The anode 130 includes an anode heater 33 and a substrate mounting table 35 provided on the anode heater 33. Anode heater 33
Has a rod-shaped resistance heating type heater wire 34 embedded in an aluminum member 131. Cathode 12
0 and the anode 130 constitute a so-called parallel plate type electrode. A high frequency power supply 46 is connected to the cathode 120, and an anode 130 is grounded so that high frequency power can be applied between the cathode 120 and the anode 130.

【００４３】アノードヒータ３３は昇降ロッド４２の上
端に固着されており、昇降ロッド４２を昇降させること
によって昇降する。昇降ロッド４２はエアシリンダ（図
示せず。）を昇降させることによって昇降する。なお、
昇降ロッド４２は、処理槽本体２１の底板２１１を気密
かつ昇降自在に貫通して設けられている。The anode heater 33 is fixed to the upper end of the elevating rod 42, and is elevated by elevating the elevating rod 42. The elevating rod 42 is moved up and down by moving an air cylinder (not shown) up and down. In addition,
The elevating rod 42 is provided so as to penetrate the bottom plate 211 of the processing tank main body 21 in an airtight manner and to be movable up and down.

【００４４】天井蓋２２の周囲の下面には絶縁体２３を
囲繞する内槽上側壁３１が固着されている。アノードヒ
ータ３３の周囲には、内槽上側壁３１と対応して、内槽
下側壁３２が固着されている。内槽下側壁３２はアノー
ドヒータ３３を昇降させることによって昇降し、アノー
ドヒータ３３が上昇すると内槽下側壁３２も上昇して内
槽上側壁３１と当接する。このようにして、カソード１
２０、アノード１３０、内槽上側壁３１および内槽下側
壁３２により内槽３０が構成される。An inner tank upper side wall 31 that surrounds the insulator 23 is fixed to the lower surface around the ceiling lid 22. An inner tank lower side wall 32 is fixed around the anode heater 33 so as to correspond to the inner tank upper side wall 31. The inner tank lower side wall 32 moves up and down by raising and lowering the anode heater 33, and when the anode heater 33 rises, the inner tank lower side wall 32 also rises and contacts the inner tank upper side wall 31. In this way, the cathode 1
The inner tank 30 is composed of 20, the anode 130, the inner tank upper side wall 31 and the inner tank lower side wall 32.

【００４５】内槽下側壁３２には、図２に示すように、
所定の間隔で排気孔４９が、基板載置台３５の外周の全
周にわたって設けられている。アノードヒータ３３の下
には集気槽３８が設けられており、集気槽３８の側板３
８２の上部は内槽下側壁３２の下部に固着されている。
アノードヒータ３３、内槽下側壁３２および集気槽３８
により排気槽３７が構成され、その内部には排気室１３
７が画成される。排気室１３７は排気孔４９を介して内
槽３０と連通している。集気槽３８の底板３８１には、
内排気管３９が排気室１３７と連通して設けられてい
る。内排気管３９は、図２に示すように、平面的に見
て、基板載置台３５の中央部に位置している。処理槽本
体２１、天井蓋２２、内槽上側壁３１、内槽下側壁３
２、集気槽３８および内排気管３９により外槽空間１４
０が画成されている。On the lower wall 32 of the inner tank, as shown in FIG.
Exhaust holes 49 are provided at predetermined intervals over the entire outer circumference of the substrate mounting table 35. An air collecting tank 38 is provided below the anode heater 33, and the side plate 3 of the air collecting tank 38 is provided.
The upper part of 82 is fixed to the lower part of the inner tank lower side wall 32.
Anode heater 33, inner tank lower side wall 32 and air collection tank 38
The exhaust chamber 37 is constituted by the
7 is defined. The exhaust chamber 137 communicates with the inner tank 30 via the exhaust hole 49. On the bottom plate 381 of the air collection tank 38,
An inner exhaust pipe 39 is provided so as to communicate with the exhaust chamber 137. As shown in FIG. 2, the inner exhaust pipe 39 is located in the central portion of the substrate mounting table 35 when seen in a plan view. Processing tank main body 21, ceiling lid 22, inner tank upper side wall 31, inner tank lower side wall 3
2, the outer tank space 14 by the air collection tank 38 and the inner exhaust pipe 39
0 is defined.

【００４６】基板載置台３５およびアノードヒータ３３
を貫通してリフトピン４３が昇降可能に設けられ、リフ
トピン４３により基板載置台３５上に載置された基板３
６が、基板載置台３５から持ち上げられるようになって
いる。リフトピン４３は昇降ロッド４４の上端に固着さ
れており、昇降ロッド４４を昇降させることによって昇
降する。昇降ロッド４４はエアシリンダ（図示せず。）
を昇降させることによって昇降する。なお、昇降ロッド
４４は、処理槽本体２１の底板２１１を気密かつ昇降自
在に貫通して設けられている。The substrate mounting table 35 and the anode heater 33
A lift pin 43 is provided so as to be capable of moving up and down through the substrate 3 and is placed on the substrate mounting table 35 by the lift pin 43.
6 is lifted from the substrate mounting table 35. The lift pin 43 is fixed to the upper end of the elevating rod 44 and moves up and down by elevating the elevating rod 44. The lifting rod 44 is an air cylinder (not shown).
Raise and lower by moving up and down. In addition, the elevating rod 44 is provided so as to penetrate the bottom plate 211 of the processing tank main body 21 in an airtight manner and to be vertically movable.

【００４７】処理槽本体２１の底板２１１の中央部には
外排気管４１が外槽空間１４０と連通して設けられてい
る。内排気管３９は外排気管４１と同心円状に外排気管
４１に遊嵌して設けられている。内排気管３９は、処理
槽本体２１の底板２１１の中央部に設けられた孔２１６
および外排気管４１内に挿入されている。内排気管３９
の外壁３９１と底板２１１の孔２１６の内壁２１５およ
び外排気管４１の内壁４１１との間には隙間Ｌ１があ
る。この隙間Ｌ１の距離を約８．５ｍｍとしている。こ
のように隙間Ｌ１を狭めておくことにより、内排気管３
９と底板２１１の孔２１６および外排気管４１との隙間
Ｌ１から反応副生成物に起因するパーティクルが外槽空
間１４０内に逆拡散することを有効に防止できる。な
お、隙間Ｌ１の距離は、好ましくは５ｍｍ乃至１０ｍｍ
の範囲とする。また、底板２１１の孔２１６の内壁２１
５および外排気管４１の内壁４１１は同一面を形成する
ように設けられている。底板２１１の孔２１６の直径お
よび外排気管４１の内径Ｄ２は６０ｍｍであり、内排気
管３９の内径Ｄ１は４０ｍｍである。An outer exhaust pipe 41 is provided at the center of the bottom plate 211 of the processing tank body 21 so as to communicate with the outer tank space 140. The inner exhaust pipe 39 is provided concentrically with the outer exhaust pipe 41 by loosely fitting the outer exhaust pipe 41. The inner exhaust pipe 39 is provided with a hole 216 provided at the center of the bottom plate 211 of the processing tank body 21.
And it is inserted in the outer exhaust pipe 41. Inner exhaust pipe 39
There is a gap L1 between the outer wall 391 of the above, the inner wall 215 of the hole 216 of the bottom plate 211 and the inner wall 411 of the outer exhaust pipe 41. The distance of this gap L1 is about 8.5 mm. By thus narrowing the gap L1, the inner exhaust pipe 3
It is possible to effectively prevent the particles due to the reaction by-product from back-diffusing into the outer tank space 140 from the gap L1 between the hole 9 of the bottom plate 211 and the outer exhaust pipe 41. The distance of the gap L1 is preferably 5 mm to 10 mm.
Range. In addition, the inner wall 21 of the hole 216 of the bottom plate 211
5 and the inner wall 411 of the outer exhaust pipe 41 are provided so as to form the same plane. The diameter of the hole 216 of the bottom plate 211 and the inner diameter D2 of the outer exhaust pipe 41 are 60 mm, and the inner diameter D1 of the inner exhaust pipe 39 is 40 mm.

【００４８】また、内排気管３９を、底板２１１の内壁
２１４よりも長さＬ２だけ突出させている。この長さＬ
２を５ｍｍとしている。このように内排気管３９を、底
板２１１の内壁２１４よりも長さＬ２だけ突出させてお
くことにより、内排気管３９と底板２１１の孔２１６お
よび外排気管４１との隙間から反応副生成物に起因する
パーティクルが外槽空間１４０内に逆拡散することを有
効に防止できる。なお、この長さＬ２は、好ましくは３
ｍｍ乃至８ｍｍとする。Further, the inner exhaust pipe 39 is projected from the inner wall 214 of the bottom plate 211 by a length L2. This length L
2 is 5 mm. In this way, by projecting the inner exhaust pipe 39 by the length L2 from the inner wall 214 of the bottom plate 211, the reaction by-product is generated from the gap between the inner exhaust pipe 39 and the hole 216 of the bottom plate 211 and the outer exhaust pipe 41. It is possible to effectively prevent the particles due to the above from being diffused back into the outer tank space 140. The length L2 is preferably 3
mm to 8 mm.

【００４９】外排気管４１は真空ポンプ（図示せず。）
に接続されている。外排気管４１の途中には圧力調整弁
（図示せず。）が設けられている。The outer exhaust pipe 41 is a vacuum pump (not shown).
It is connected to the. A pressure control valve (not shown) is provided in the middle of the outer exhaust pipe 41.

【００５０】天井蓋２２の周辺部を貫通し外槽空間１４
０に連通して圧力検出器４５が設けられている。The outer tank space 14 is formed by penetrating the peripheral portion of the ceiling lid 22.
A pressure detector 45 is provided so as to communicate with 0.

【００５１】処理槽本体２１の側板２１２、２１３には
基板搬入／搬出口４８、１４８がそれぞれ設けられ、基
板搬入／搬出口４８、１４８にはゲート弁４７、１４７
がそれぞれ取付けられている。Substrate loading / unloading ports 48, 148 are provided on the side plates 212, 213 of the processing tank main body 21, respectively, and gate valves 47, 147 are installed in the substrate loading / unloading ports 48, 148.
Are respectively attached.

【００５２】成膜時およびガスエッチング時には、内槽
３０内は、外排気管４１、内排気管３９、排気室１３７
および排気孔４９を介して排気され、外槽空間１４０
は、内排気管３９の外壁３９１と底板２１１の孔２１６
の内壁２１５および外排気管４１の内壁４１１との間の
隙間ならびに外排気管４１を介して排気される。このよ
うに内槽３０内および外槽空間１４０を排気しながら、
反応ガス導入管２８から成膜用の反応ガスまたはガスエ
ッチング用の反応ガスを内槽３０内に導入して内槽３０
内および外槽空間１４０をそれぞれ所定の圧力に制御す
る。During film formation and gas etching, inside the inner tank 30, the outer exhaust pipe 41, the inner exhaust pipe 39, and the exhaust chamber 137 are formed.
And exhausted through the exhaust hole 49, and the outer tank space 140
Is the outer wall 391 of the inner exhaust pipe 39 and the hole 216 of the bottom plate 211.
Is exhausted through the gap between the inner wall 215 and the inner wall 411 of the outer exhaust pipe 41 and the outer exhaust pipe 41. In this way, while exhausting the inside of the inner tank 30 and the outer tank space 140,
A reaction gas for film formation or a reaction gas for gas etching is introduced from the reaction gas introduction pipe 28 into the inner tank 30 to
The inner and outer tank spaces 140 are controlled to have respective predetermined pressures.

【００５３】この際、外槽空間１４０の圧力は圧力検出
器４５によって測定され、圧力検出器４５の測定結果は
圧力制御器（図示せず。）に入力される。圧力制御器
（図示せず。）は、圧力検出器４５の測定結果が設定し
た目標値となるように、圧力調整弁（図示せず。）の開
度を調整する。内槽３０内の圧力は外槽空間１４０の圧
力を制御することによって間接的に制御される。なお、
内槽３０と外槽空間１４０との圧力差は、外排気管４１
のコンダクタンス、内排気管３９のコンダクタンス、排
気室１３７のコンダクタンス、排気孔４９のコンダクタ
ンス、内排気管３９と底板２１１の孔２１６および外排
気管４１との隙間のコンダクタンスおよび反応ガス導入
管２８から導入される反応ガスの流量によって決定され
る。従って、予めこれらのコンダクタンスを求めておく
ことで内槽３０内の圧力制御も精度よく行うことができ
る。At this time, the pressure in the outer tank space 140 is measured by the pressure detector 45, and the measurement result of the pressure detector 45 is input to a pressure controller (not shown). The pressure controller (not shown) adjusts the opening of the pressure regulating valve (not shown) so that the measurement result of the pressure detector 45 reaches the set target value. The pressure in the inner tank 30 is indirectly controlled by controlling the pressure in the outer tank space 140. In addition,
The pressure difference between the inner tank 30 and the outer tank space 140 is equal to the outer exhaust pipe 41.
Of the inner exhaust pipe 39, the conductance of the exhaust chamber 137, the conductance of the exhaust hole 49, the conductance of the gap between the inner exhaust pipe 39 and the hole 216 of the bottom plate 211 and the outer exhaust pipe 41, and the reaction gas introduction pipe 28. It is determined by the flow rate of the reaction gas. Therefore, by obtaining these conductances in advance, it is possible to accurately control the pressure in the inner tank 30.

【００５４】上述のように、外槽空間１４０を減圧にす
るので、内槽３０の放熱が抑制される。その結果、内槽
３０をホットウォール状態に維持することができるの
で、内槽３０の内壁に剥離しやすい反応副生成物が発生
せず、パーティクルの発生が防止できる。As described above, the outer tank space 140 is depressurized, so that the heat dissipation of the inner tank 30 is suppressed. As a result, since the inner tank 30 can be maintained in a hot wall state, a reaction by-product that is easily peeled off does not occur on the inner wall of the inner tank 30, and the generation of particles can be prevented.

【００５５】また、内槽下側壁３２がアノードヒータ３
３に固着され、集気槽３８がこの内槽下側壁３２に固着
されているので、アノードヒータ３３からの熱が熱伝導
により内槽下側壁３２および集気槽３８にも伝達され、
アノードヒータ３３、内槽下側壁３２および集気槽３８
から構成される排気槽３７もホットウォール状態に維持
することができるので、排気槽３７の内壁に剥離しやす
い反応副生成物が発生せず、パーティクルの発生が防止
できる。Further, the lower wall 32 of the inner tank is the anode heater 3
3 and the air collecting tank 38 is fixed to the inner tank lower side wall 32, the heat from the anode heater 33 is also transferred to the inner tank lower side wall 32 and the air collecting tank 38 by heat conduction.
Anode heater 33, inner tank lower side wall 32 and air collection tank 38
Since the exhaust tank 37 configured by can also be maintained in a hot wall state, a reaction by-product that easily peels off does not occur on the inner wall of the exhaust tank 37, and the generation of particles can be prevented.

【００５６】さらに、このように、内槽３０を設けるこ
とにより、成膜時やガスクリーニング時に発生するプラ
ズマを内槽３０内に限定することができる。その結果、
プラズマ密度を上げることができて、成膜やガスエッチ
ングを効率よく行うことができる。Furthermore, by providing the inner tank 30 as described above, plasma generated during film formation or gas cleaning can be limited to the inside of the inner tank 30. as a result,
The plasma density can be increased, and film formation and gas etching can be efficiently performed.

【００５７】内槽３０から流出する反応ガスは、内槽下
側壁３２に設けられた排気孔４９、排気室１３７、およ
び内排気管３９を介して、処理槽本体２１の底板２１１
の内壁２１４よりも外側の外排気管４１内に排気され
る。従って、反応ガス、反応副生成物およびエッチング
残渣等が外槽空間１４０内に流れ込むことが防止され、
外槽４０の内壁に反応副生成物が付着することが防止さ
れる。その結果、メンテナンス時に外槽４０を清掃する
必要がなくなり、その分、プラズマＣＶＤ装置１００の
稼働率を上げることができる。The reaction gas flowing out from the inner tank 30 passes through the exhaust hole 49 provided in the lower wall 32 of the inner tank, the exhaust chamber 137, and the inner exhaust pipe 39, and the bottom plate 211 of the processing tank main body 21.
The air is exhausted into the outer exhaust pipe 41 outside the inner wall 214. Therefore, the reaction gas, the reaction by-product, the etching residue, etc. are prevented from flowing into the outer tank space 140,
The reaction by-product is prevented from adhering to the inner wall of the outer tank 40. As a result, it is not necessary to clean the outer tub 40 during maintenance, and the operating rate of the plasma CVD apparatus 100 can be increased accordingly.

【００５８】内排気管３９は、図２に示すように、平面
的に見て、基板載置台３５の中央部に位置しているか
ら、内槽３０は、内槽下側壁３２に設けられた複数の排
気孔４９のそれぞれからほぼ均一に排気される。従っ
て、基板載置台３５上に載置された基板３６上のガスの
流れが均一となり、その結果、基板３６上に成膜される
膜の膜厚や諸特性が均一となる。従って、歩留まりも向
上し、生産性も向上する。As shown in FIG. 2, the inner exhaust pipe 39 is located at the center of the substrate mounting table 35 in plan view, so that the inner tank 30 is provided on the inner tank lower side wall 32. The gas is exhausted substantially uniformly from each of the plurality of exhaust holes 49. Therefore, the gas flow on the substrate 36 placed on the substrate platform 35 becomes uniform, and as a result, the film thickness and various characteristics of the film formed on the substrate 36 become uniform. Therefore, the yield is improved and the productivity is also improved.

【００５９】さらに、アノードヒータ３３の底面１３２
と集気槽３８の底板３８１の上面３８３との距離Ｈ１を
約５０ｍｍとしている。このようにアノードヒータ３３
と集気槽３８との距離をある程度以上とっているので、
排気孔４９のうち内排気管３９からもっとも離れた排気
孔４９１、４９２と内排気管３９との距離Ｌ３と、排気
孔４９のうち内排気管３９にもっとも近い排気孔４９
３、４９４と内排気管３９との距離Ｌ４との比をより小
さくでき、その分、内槽３０は内槽下側壁３２に設けら
れた複数の排気孔４９のそれぞれからより均一に排気さ
れるようになる。Further, the bottom surface 132 of the anode heater 33
The distance H1 between the air collecting tank 38 and the upper surface 383 of the bottom plate 381 of the air collecting tank 38 is about 50 mm. In this way, the anode heater 33
Since the distance between the air collection tank 38 and
The distance L3 between the inner exhaust pipe 39 and the exhaust holes 491, 492 that are farthest from the inner exhaust pipe 39 among the exhaust holes 49, and the exhaust hole 49 closest to the inner exhaust pipe 39 among the exhaust holes 49.
The ratio of the distance L4 between the inner exhaust pipe 39 and the inner pipes 3 and 494 can be made smaller, and the inner tank 30 is exhausted more uniformly from each of the plurality of exhaust holes 49 provided in the lower wall 32 of the inner tank. Like

【００６０】なお、図８に示した従来のプラズマＣＶＤ
装置３００では、反応ガス導入管５から内槽１２内に導
入されたガスは、内槽排気孔１３を経由して、外槽空間
１５１内に流出し、その後、処理槽１の底板１０２の隅
の一箇所に設けられた単一の外槽排気孔１４から処理槽
１の外に流出する。従って、内槽１２内のガスは、外槽
排気孔１４に近い内槽排気孔１３からより多く流出し、
外槽排気孔１４から遠い内槽排気孔１３からより少なく
流出する。その結果、内槽１２内のガスの流れ分布に不
均一が生じる。そして、この不均一は、反応ガス導入管
５から導入するガス流量を増加させてより多くのガスを
外槽排出孔１４から排出しようとすると一層大きくな
る。ガス流量を増加させることは、成膜やガスクリーニ
ングの高速化、ひいては、ＣＶＤ装置の稼働率の向上、
生産性の向上につながるので、非常に重要なことである
が、この図１に示すプラズマＣＶＤ装置３００では、ガ
ス流量を増大させると、ガスの流れの不均一性も増大す
るという問題があった。The conventional plasma CVD shown in FIG.
In the apparatus 300, the gas introduced from the reaction gas introduction pipe 5 into the inner tank 12 flows out into the outer tank space 151 via the inner tank exhaust hole 13, and then the corner of the bottom plate 102 of the processing tank 1. It flows out of the processing tank 1 from a single outer tank exhaust hole 14 provided at one location. Therefore, the gas in the inner tank 12 flows out more from the inner tank exhaust hole 13 near the outer tank exhaust hole 14,
A smaller amount flows out from the inner tank exhaust hole 13 far from the outer tank exhaust hole 14. As a result, the gas flow distribution in the inner tank 12 becomes non-uniform. Then, this nonuniformity is further increased when the flow rate of the gas introduced from the reaction gas introduction pipe 5 is increased to discharge more gas from the outer tank discharge hole 14. Increasing the gas flow rate accelerates film formation and gas cleaning, and thus improves the operating rate of the CVD device.
This is very important because it leads to improvement in productivity. However, in the plasma CVD apparatus 300 shown in FIG. 1, when the gas flow rate is increased, the nonuniformity of the gas flow also increases. .

【００６１】これに対して、本実施の形態のＣＶＤ装置
１００においては、内排気管３９は、平面的に見て、基
板載置台３５の中央部に位置しているから、ガス流量を
増大させても、内槽３０は内槽下側壁３２に設けられた
複数の排気孔４９のそれぞれからほぼ均一に排気され
て、基板３６上のガスの流れが均一となる。さらに、こ
の内排気管３９は外排気孔４１内に挿入されているの
で、外排気孔４１を介して効率的に内槽３０内を排気す
ることができ、ガスの大流量化に優れて対応可能であ
る。On the other hand, in the CVD apparatus 100 of the present embodiment, the inner exhaust pipe 39 is located in the central portion of the substrate mounting table 35 in plan view, so that the gas flow rate is increased. However, the inner tank 30 is exhausted substantially uniformly from each of the plurality of exhaust holes 49 provided in the inner tank lower side wall 32, and the gas flow on the substrate 36 becomes uniform. Further, since the inner exhaust pipe 39 is inserted into the outer exhaust hole 41, the inside of the inner tank 30 can be efficiently exhausted through the outer exhaust hole 41, which is excellent in increasing the flow rate of gas. It is possible.

【００６２】なお、内排気管３９の位置は、基板載置台
３５の中央部であることがより好ましいが、相対向する
排気孔４９間の距離のうち最大間隔Ｌ、この場合には対
角上に存在する排気孔４９１、４９２間の距離Ｌの１／
２以下の距離（Ｌ／２）の直径を有し、基板載置台３５
の中央部を中心とする円内であれば、内槽３０は内槽下
側壁３２に設けられた複数の排気孔４９のそれぞれから
ほぼ均一に排気され、基板載置台３５上に載置された基
板３６上のガスの流れが均一となり、その結果、基板３
６上に成膜される膜も膜厚や諸特性の均一性がほぼ保た
れる。基板載置台３５の中央部から、Ｌ／４の距離を超
える位置に内排気管３９を設けると、膜厚や諸特性の均
一性が悪くなってしまう。The position of the inner exhaust pipe 39 is more preferably at the center of the substrate mounting table 35, but the maximum distance L of the distances between the exhaust holes 49 facing each other, in this case diagonally above. Of the distance L between the exhaust holes 491 and 492 existing in
The substrate mounting table 35 has a diameter of a distance (L / 2) of 2 or less.
Within a circle centered on the center of the inner tank 30, the inner tank 30 is evacuated substantially uniformly from each of the plurality of exhaust holes 49 provided in the inner tank lower side wall 32 and placed on the substrate mounting table 35. The gas flow over the substrate 36 becomes uniform, so that the substrate 3
The film formed on 6 has substantially the same film thickness and various characteristics. If the inner exhaust pipe 39 is provided at a position exceeding the distance L / 4 from the central portion of the substrate mounting table 35, the film thickness and the uniformity of various characteristics will deteriorate.

【００６３】圧力検出器４５は、外槽空間１４０に連通
して設けられているので、プラズマに晒されることもな
く、また、反応副生成物が付着することもない。その結
果、圧力検出精度の経時的な劣化が防止される。Since the pressure detector 45 is provided so as to communicate with the outer tank space 140, it is not exposed to plasma and the reaction by-products are not attached. As a result, the pressure detection accuracy is prevented from deteriorating with time.

【００６４】また、外槽４０を設けているので、このプ
ラズマＣＶＤ装置１００とロードロック槽等の他の槽と
の接続が容易となる。Since the outer tank 40 is provided, the plasma CVD apparatus 100 can be easily connected to another tank such as a load lock tank.

【００６５】次に、このような構成のプラズマＣＶＤ装
置１００の操作を説明する。Next, the operation of the plasma CVD apparatus 100 having such a configuration will be described.

【００６６】基板３６の搬入時には、エアシリンダ（図
示せず。）により、昇降ロッド４２を降下させてアノー
ドヒータ３３、基板載置台３５、内槽下側壁３２および
集気槽３８を降下させて、内槽３０を開放する。また、
エアシリンダ（図示せず。）により昇降ロッド４４を動
作させ、リフトピン４３を基板載置台３５よりも突出さ
せておく。外排気管４１および内排気管３９を介して処
理槽２０内を所定の真空度に排気しておく。At the time of loading the substrate 36, an elevating rod 42 is lowered by an air cylinder (not shown) to lower the anode heater 33, the substrate mounting table 35, the inner tank lower side wall 32, and the air collecting tank 38. The inner tank 30 is opened. Also,
An elevating rod 44 is operated by an air cylinder (not shown) so that the lift pin 43 is projected from the substrate mounting table 35. The inside of the processing tank 20 is evacuated to a predetermined vacuum degree via the outer exhaust pipe 41 and the inner exhaust pipe 39.

【００６７】ゲート弁４７を開き、移載機（図示せ
ず。）により基板３６を基板搬入／搬出口４８から内槽
３０内に搬入し、基板３６をリフトピン４３上に載せ
る。移載機が処理槽２０の外に後退した後、ゲート弁４
７を閉じる。その後、エアシリンダ（図示せず。）によ
り昇降ロッド４４を降下させ、基板３６を基板載置台３
５上に載置する。その後、エアシリンダ（図示せず。）
により、昇降ロッド４２を上昇させてアノードヒータ３
３、基板載置台３５、内槽下側壁３２および集気槽３８
を上昇させて、内槽下側壁３２の上部を内槽上側壁３１
の下部に当接させて内槽３０を閉じる。The gate valve 47 is opened, the substrate 36 is loaded into the inner tank 30 from the substrate loading / unloading port 48 by a transfer machine (not shown), and the substrate 36 is placed on the lift pins 43. After the transfer machine retreats out of the processing tank 20, the gate valve 4
Close 7. Then, the elevating rod 44 is lowered by an air cylinder (not shown) to place the substrate 36 on the substrate mounting table 3
Place on top of 5. Then, an air cylinder (not shown).
To raise the elevating rod 42 to raise the anode heater 3
3, substrate mounting table 35, inner tank lower side wall 32 and air collection tank 38
To raise the upper part of the inner tank lower side wall 32 to the inner tank upper side wall 31.
The inner tank 30 is closed by bringing it into contact with the lower part of.

【００６８】その後、内槽３０内を、内層下側壁３２に
設けられた排気孔４９、排気室１３７、内排気管３９お
よび外排気管４１を介して排気し、外槽空間１４０を、
内排気管３９の外壁３９１と底板２１１の孔２１６の内
壁２１５および外排気管４１の内壁４１１との間の隙間
ならびに外排気管４１を介して排気する。このように内
槽３０内および外槽空間１４０を排気しながら、反応ガ
ス導入管２８から成膜用の反応ガスを内槽３０内に導入
して内槽３０内および外槽空間１４０をそれぞれ所定の
圧力に制御しつつ、高周波電源４６よりカソード１２
０、アノード１３０間に高周波電力を印加してプラズマ
を発生させて、基板３６上への成膜を行う。成膜時にお
いては、反応ガスや反応副生成物は、排気孔４９、排気
室１３７および内排気管３９を介して直接外排気管４１
内に排気される。Then, the inside of the inner tank 30 is exhausted through the exhaust holes 49, the exhaust chamber 137, the inner exhaust pipe 39 and the outer exhaust pipe 41 provided in the inner layer lower side wall 32, and the outer tank space 140 is
Gas is exhausted through the gap between the outer wall 391 of the inner exhaust pipe 39, the inner wall 215 of the hole 216 of the bottom plate 211 and the inner wall 411 of the outer exhaust pipe 41 and the outer exhaust pipe 41. In this way, while exhausting the inner tank 30 and the outer tank space 140, the reaction gas for film formation is introduced into the inner tank 30 from the reaction gas introducing pipe 28 to predetermined the inner tank 30 and the outer tank space 140, respectively. While controlling the pressure of the cathode 12 from the high frequency power source 46
A high frequency power is applied between the anode 130 and the anode 130 to generate plasma to form a film on the substrate 36. At the time of film formation, the reaction gas and the reaction by-products are directly exhausted through the exhaust hole 49, the exhaust chamber 137 and the inner exhaust pipe 39 to the outer exhaust pipe 41.
Exhausted inside.

【００６９】成膜が終わると、反応ガスの供給が止めら
れ、内槽３０内および外槽空間１４０が内排気管３９、
外排気管４１等を介して排気される。When the film formation is completed, the supply of the reaction gas is stopped, and the inner tank 30 and the outer tank space 140 are evacuated to the inner exhaust pipe 39,
It is exhausted through the outer exhaust pipe 41 and the like.

【００７０】その後、アノードヒータ３３を下降させ、
リフトピン４３を上昇させることにより、基板載置台３
５から基板３６を持ち上げる。Then, the anode heater 33 is lowered,
By raising the lift pins 43, the substrate mounting table 3
Lift the substrate 36 from 5.

【００７１】その後、ゲート弁１４７を開き、移載機
（図示せず。）により基板３６を基板搬入／搬出口１４
８から搬出する。After that, the gate valve 147 is opened, and the substrate 36 is loaded / unloaded by the transfer device (not shown).
Carry out from 8.

【００７２】ガスクリーニングを行うには、基板３６を
基板載置台３５上に載置しない状態で、昇降ロッド４２
を上昇させてアノードヒータ３３、基板載置台３５、内
槽下側壁３２および集気槽３８を上昇させて、内槽下側
壁３２の上部を内槽上側壁３１の下部に当接させて内槽
３０を閉じる。In order to perform the gas cleaning, the lifting rod 42 is placed without placing the substrate 36 on the substrate platform 35.
To raise the anode heater 33, the substrate mounting table 35, the inner tank lower side wall 32, and the air collecting tank 38, and bring the upper part of the inner tank lower side wall 32 into contact with the lower part of the inner tank upper side wall 31. Close 30.

【００７３】その後、内槽３０内を、内層下側壁３２に
設けられた排気孔４９、排気室１３７、内排気管３９お
よび外排気管４１を介して排気し、外槽空間１４０を、
内排気管３９の外壁３９１と底板２１１の孔２１６の内
壁２１５および外排気管４１の内壁４１１との間の隙間
ならびに外排気管４１を介して排気しながら、反応ガス
導入管２８からＮＦ3 等のクリーニングガスを内槽３０
内に導入して内槽３０内および外槽空間１４０をそれぞ
れ所定の圧力に制御しつつ、高周波電源４６よりカソー
ド１２０、アノード１３０間に高周波電力を印加してプ
ラズマを発生させて、内槽３０の内壁に付着・堆積した
反応副生成物をエッチング除去する。ガスクリーニング
時においては、クリーニング残渣は、排気孔４９、排気
室１３７および内排気管３９を介して直接外排気管４１
内に排気される。ガスクリーニングが終わると、クリー
ニングガスの供給が止められ、内槽３０内および外槽空
間１４０が内排気管３９、外排気管４１等を介して排気
される。Thereafter, the inside of the inner tank 30 is evacuated through the exhaust holes 49, the exhaust chamber 137, the inner exhaust pipe 39 and the outer exhaust pipe 41 provided in the inner layer lower side wall 32, and the outer tub space 140 is
While evacuating through the gap between the outer wall 391 of the inner exhaust pipe 39, the inner wall 215 of the hole 216 of the bottom plate 211 and the inner wall 411 of the outer exhaust pipe 41, and exhausting through the outer exhaust pipe 41, the reaction gas introduction pipe 28 is supplied with NF 3 or the like. Cleaning gas of the inner tank 30
While being introduced into the inner tank 30 and controlling the inner tank 30 and the outer tank space 140 to a predetermined pressure, high-frequency power is applied from the high-frequency power supply 46 between the cathode 120 and the anode 130 to generate plasma. The reaction by-products adhering to and depositing on the inner wall of the are removed by etching. At the time of gas cleaning, the cleaning residue directly passes through the exhaust hole 49, the exhaust chamber 137, and the inner exhaust pipe 39 to the outer exhaust pipe 41.
Exhausted inside. When the gas cleaning is finished, the supply of the cleaning gas is stopped, and the inner tank 30 and the outer tank space 140 are exhausted through the inner exhaust pipe 39, the outer exhaust pipe 41, and the like.

【００７４】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００を説明する
ための断面図であり、図４は、図３のＢＢ矢視平面図で
ある。(Second Embodiment) FIG. 3 is a sectional view for explaining a plasma CVD apparatus 100 according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view taken along the line BB of FIG. It is a figure.

【００７５】本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００
では、アノードヒータ３３を昇降させる昇降ロッド４２
１は、アノードヒータ３３の中央部に設けられている。
従って、アノードヒータ３３が熱膨張を起こしても、そ
れによって昇降ロッド４２１の昇降動作に影響を与える
ことはない。Plasma CVD apparatus 100 of the present embodiment
Then, an elevating rod 42 that elevates and lowers the anode heater 33.
1 is provided at the center of the anode heater 33.
Therefore, even if the anode heater 33 thermally expands, it does not affect the lifting operation of the lifting rod 421.

【００７６】また、４個の内排気管１３９、２３９、３
３９および４３９が設けられている。これらの内排気管
１３９、２３９、３３９および４３９は、基板載置台３
５の対角線上であって、基板載置台３５の中央から基板
載置台の４隅にそれぞれ向かう線上であって基板載置第
３５の中央から等しい距離の位置にそれぞれ設けられて
いる。従って、基板載置台３５の外周の周囲の内槽下側
壁３２に設けられた複数の排気孔４９からの排気を、こ
れらの内排気管１３９、２３９、３３９および４３９に
よりほぼ４分割して行うことになり、加えて、各内排気
管１３９、２３９、３３９および４３９近傍の排気孔４
９は、各内排気管１３９、２３９、３３９および４３９
とそれぞれほぼ等距離に配置されるから、内槽３０は、
内槽下側壁３２に設けられた複数の排気孔４９のそれぞ
れからほぼ均一に排気される。従って、基板載置台３５
上に載置された基板３６上のガスの流れが均一となり、
その結果、基板３６上に成膜される膜の膜厚や諸特性が
均一となる。従って、歩留まりも向上し、生産性も向上
する。Also, the four inner exhaust pipes 139, 239, 3
39 and 439 are provided. The inner exhaust pipes 139, 239, 339 and 439 are used for the substrate mounting table 3
5 on the diagonal line from the center of the substrate mounting table 35 to the four corners of the substrate mounting table 35, and at the same distance from the center of the substrate mounting table 35. Therefore, the exhaust from the plurality of exhaust holes 49 provided in the inner tank lower side wall 32 around the outer periphery of the substrate mounting table 35 should be performed by dividing these exhaust pipes 139, 239, 339 and 439 into approximately four parts. In addition, the exhaust holes 4 near the inner exhaust pipes 139, 239, 339 and 439.
Reference numeral 9 denotes each inner exhaust pipe 139, 239, 339 and 439.
The inner tank 30 is
The gas is exhausted substantially uniformly from each of the plurality of exhaust holes 49 provided in the lower wall 32 of the inner tank. Therefore, the substrate mounting table 35
The gas flow on the substrate 36 placed on the top surface becomes uniform,
As a result, the film thickness and various characteristics of the film formed on the substrate 36 become uniform. Therefore, the yield is improved and the productivity is also improved.

【００７７】処理槽本体２１の底板２１１には、これら
の内排気管１３９、２３９、３３９および４３９の位置
に対応して外排気管１４１、２４１、３４１および４４
１がそれぞれ外槽空間１４０と連通して設けられてい
る。内排気管１３９、２３９、３３９および４３９は外
排気管１４１、２４１、３４１および４４１とそれぞれ
同心円状に外排気管１４１、２４１、３４１および４４
１にそれぞれ遊嵌して設けられている。以下、内排気管
１３９、２３９、３３９および４３９のうち、内排気管
１３９を例にとって説明するが、残りの内排気管２３
９、３３９および４３９についても内排気管１３９の場
合と同じである。内排気管１３９は処理槽本体２１の底
板２１１に設けられた孔２１７および外排気管１４１内
に挿入されている。内排気管１３９の外壁３９３と底板
２１１の孔２１７の内壁２１８および外排気管１４１の
内壁４１３との間には隙間Ｌ１０がある。この隙間Ｌ１
０の距離を約４．５ｍｍとしている。このように隙間Ｌ
１０を狭めておくことにより、内排気管１３９と底板２
１１の孔２１７および外排気管１４１との隙間Ｌ１０か
ら反応副生成物に起因するパーティクルが外槽空間１４
０内に逆拡散することを有効に防止できる。なお、この
隙間Ｌ１０の距離は、好ましくは３ｍｍ乃至６ｍｍとす
る。また、底板２１１の孔２１７の内壁２１８および外
排気管１４１の内壁４１３は同一面を形成するように設
けられている。底板２１１の孔２１７の直径および外排
気管１４１の内径Ｄ２１は３３ｍｍであり、内排気管１
３９の内径Ｄ１１は２１ｍｍである。On the bottom plate 211 of the processing tank main body 21, outer exhaust pipes 141, 241, 341 and 44 are arranged corresponding to the positions of these inner exhaust pipes 139, 239, 339 and 439.
1 is provided so as to communicate with the outer tub space 140, respectively. The inner exhaust pipes 139, 239, 339 and 439 are arranged concentrically with the outer exhaust pipes 141, 241, 341 and 441, respectively.
1 are loosely fitted to each other. Hereinafter, of the inner exhaust pipes 139, 239, 339 and 439, the inner exhaust pipe 139 will be described as an example, but the remaining inner exhaust pipes 23
The same applies to 9, 339 and 439 as for the inner exhaust pipe 139. The inner exhaust pipe 139 is inserted into the hole 217 provided in the bottom plate 211 of the processing tank main body 21 and the outer exhaust pipe 141. There is a gap L10 between the outer wall 393 of the inner exhaust pipe 139, the inner wall 218 of the hole 217 of the bottom plate 211 and the inner wall 413 of the outer exhaust pipe 141. This gap L1
The distance of 0 is about 4.5 mm. Thus the gap L
By narrowing 10 the inner exhaust pipe 139 and the bottom plate 2
From the gap L10 between the hole 217 of No. 11 and the outer exhaust pipe 141, particles resulting from the reaction by-products are generated in the outer tank space 14
It is possible to effectively prevent despreading within 0. The distance of the gap L10 is preferably 3 mm to 6 mm. The inner wall 218 of the hole 217 of the bottom plate 211 and the inner wall 413 of the outer exhaust pipe 141 are provided so as to form the same plane. The diameter of the hole 217 of the bottom plate 211 and the inner diameter D21 of the outer exhaust pipe 141 are 33 mm.
The inner diameter D11 of 39 is 21 mm.

【００７８】また、内排気管１３９を、底板２１１の内
壁２１４よりも長さＬ２０だけ突出させている。この長
さＬ２０を５ｍｍとしている。このように内排気管１３
９を、底板２１１の内壁２１４よりも長さＬ２０だけ突
出させておくことにより、内排気管１３９と底板２１１
の孔２１７および外排気管１４１との隙間から反応副生
成物に起因するパーティクルが外槽空間１４０内に逆拡
散することを有効に防止できる。なお、この距離Ｌ２０
は、好ましくは３ｍｍ乃至８ｍｍとする。Further, the inner exhaust pipe 139 is projected from the inner wall 214 of the bottom plate 211 by a length L20. This length L20 is 5 mm. In this way, the inner exhaust pipe 13
By projecting 9 from the inner wall 214 of the bottom plate 211 by a length L20, the inner exhaust pipe 139 and the bottom plate 211
It is possible to effectively prevent particles resulting from the reaction by-product from back-diffusing into the outer tank space 140 from the gap between the hole 217 and the outer exhaust pipe 141. In addition, this distance L20
Is preferably 3 mm to 8 mm.

【００７９】内槽３０から流出する反応ガスは、内槽下
側壁３２に設けられた排気孔４９、排気室１３７、なら
びに内排気管１３９、２３９、３３９および４３９を介
して、処理槽本体２１の底板２１１の内壁２１４よりも
外側の外排気管１４１、２４１、３４１および４４１内
にそれぞれ排気される。従って、反応ガス、反応副生成
物およびエッチング残渣等が外槽空間１４０内に流れ込
むことが防止され、外槽４０の内壁に反応副生成物が付
着することが防止される。その結果、メンテナンス時に
外槽４０を清掃する必要がなくなり、その分、プラズマ
ＣＶＤ装置１００の稼働率を上げることができる。The reaction gas flowing out of the inner tank 30 passes through the exhaust hole 49, the exhaust chamber 137, and the inner exhaust pipes 139, 239, 339 and 439 provided in the inner tank lower side wall 32, and the reaction gas of the processing tank main body 21. The air is exhausted into the outer exhaust pipes 141, 241, 341 and 441 outside the inner wall 214 of the bottom plate 211. Therefore, the reaction gas, the reaction by-product, the etching residue, etc. are prevented from flowing into the outer tank space 140, and the reaction by-product is prevented from adhering to the inner wall of the outer tank 40. As a result, it is not necessary to clean the outer tub 40 during maintenance, and the operating rate of the plasma CVD apparatus 100 can be increased accordingly.

【００８０】外排気管２４１、３４１および４４１は、
外排気管１４１の途中に接続されており、外排気管１４
１は真空ポンプ（図示せず。）に接続されている。外排
気管１４１の途中には圧力調整弁（図示せず。）が設け
られている。The outer exhaust pipes 241, 341 and 441 are
The external exhaust pipe 141 is connected in the middle of the external exhaust pipe 141.
1 is connected to a vacuum pump (not shown). A pressure adjusting valve (not shown) is provided in the middle of the outer exhaust pipe 141.

【００８１】上記に加えて、本実施の形態のプラズマＣ
ＶＤ装置１００では、リフトピン４３を個々のロッドの
上部にそれぞれ固着するのではなく、複数のリフトピン
４３をリフトピン支持部材１４３上に搭載し、このリフ
トピン支持部材１４３を昇降させることによってリフト
ピンを昇降させて、基板３６を昇降させている点が、第
１の実施の形態の場合と異なるが、他の点は同様であ
る。In addition to the above, plasma C of the present embodiment
In the VD device 100, the lift pins 43 are not fixed to the upper portions of the individual rods, but a plurality of lift pins 43 are mounted on the lift pin support member 143, and the lift pin support members 143 are moved up and down to lift the lift pins. The point that the substrate 36 is raised and lowered is different from that of the first embodiment, but the other points are the same.

【００８２】（第３の実施の形態）図５は、本発明の第
３の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００を説明する
ための断面図である。(Third Embodiment) FIG. 5 is a sectional view for explaining a plasma CVD apparatus 100 according to a third embodiment of the present invention.

【００８３】上記第１および第２の実施の形態では、内
排気管３９を外排気管４１に遊嵌させて、内槽３０も外
排気管４１を介して排気したが、本実施の形態のプラズ
マＣＶＤ装置１００では、内排気管５３９を処理槽本体
２１の底板２１１を貫通させて処理槽本体２１の外側ま
で延在させ、また、処理槽本体２１の底板２１１の他の
箇所に外排気管５１１を外槽空間１４０に連通させて設
けて、内槽３０、外槽４０それぞれに排気ラインを別個
に設けた点が第１および第２の実施の形態と異なるが、
他の点は同様である。この場合には、内槽３０の排気ラ
インに圧力検出器４５１を別個に設けて内槽３０内の圧
力を測定するようにしている。In the first and second embodiments, the inner exhaust pipe 39 is loosely fitted in the outer exhaust pipe 41, and the inner tank 30 is also exhausted through the outer exhaust pipe 41. In the plasma CVD apparatus 100, the inner exhaust pipe 539 penetrates the bottom plate 211 of the processing bath main body 21 to extend to the outside of the processing bath main body 21, and the outer exhaust pipe is provided at another portion of the bottom plate 211 of the processing bath main body 21. 511 is provided so as to communicate with the outer tank space 140, and an exhaust line is separately provided for each of the inner tank 30 and the outer tank 40, which is different from the first and second embodiments.
The other points are the same. In this case, a pressure detector 451 is separately provided in the exhaust line of the inner tank 30 to measure the pressure in the inner tank 30.

【００８４】（第４の実施の形態）図６は、本発明の第
４の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００を説明する
ための断面図である。(Fourth Embodiment) FIG. 6 is a sectional view for explaining a plasma CVD apparatus 100 according to a fourth embodiment of the present invention.

【００８５】上記第２の実施の形態では、排気槽３７お
よび排気孔４９を設けて、排気槽３７および排気孔４９
を介して内槽３０内を排気したが、本実施の形態では、
排気槽３７および排気孔４９を設けずに、内排気管５３
９、６３９を直接内槽３０内に連通させて、内槽３０内
を内排気管５３９、６３９および外排気管５４１、６４
１によって排気するようにした点が第２の実施の形態と
異なるが、他の点は同様である。In the second embodiment, the exhaust tank 37 and the exhaust hole 49 are provided, and the exhaust tank 37 and the exhaust hole 49 are provided.
Although the inside of the inner tank 30 was evacuated through the
The inner exhaust pipe 53 is provided without providing the exhaust tank 37 and the exhaust hole 49.
9, 639 are directly communicated with the inner tank 30 so that the inner tank 30 has inner exhaust pipes 539, 639 and outer exhaust pipes 541, 64.
1 is different from the second embodiment in that exhaust is performed, but the other points are the same.

【００８６】本実施の形態においても、内排気管５３９
および６３９は外排気管５４１および６４１とそれぞれ
同心円状に外排気管５４１および６４１にそれぞれ遊嵌
して設けられている。以下、内排気管５３９および６３
９のうち、内排気管５３９を例にとって説明するが、内
排気管６３９についても内排気管５３９の場合と同じで
ある。内排気管５３９は処理槽本体２１の底板２１１に
設けられた孔２２１および外排気管５４１内に挿入され
ている。内排気管５３９の外壁５９３と底板２１１の孔
２２１の内壁２２２および外排気管５４１の内壁５１３
との間には隙間Ｌ３０がある。この隙間Ｌ３０を狭めて
おくことにより、内排気管５３９と底板２１１の孔２２
１および外排気管５４１との隙間Ｌ３０から反応副生成
物に起因するパーティクルが外槽空間１４０内に逆拡散
することを有効に防止できる。また、底板２１１の孔２
２１の内壁２２２および外排気管５４１の内壁５１３は
同一面を形成するように設けられている。Also in this embodiment, the inner exhaust pipe 539
And 639 are provided concentrically with the outer exhaust pipes 541 and 641, respectively, and are loosely fitted in the outer exhaust pipes 541 and 641. Below, the inner exhaust pipes 539 and 63
Of the nine, the inner exhaust pipe 539 will be described as an example, but the inner exhaust pipe 639 is the same as the case of the inner exhaust pipe 539. The inner exhaust pipe 539 is inserted into the hole 221 provided in the bottom plate 211 of the processing tank main body 21 and the outer exhaust pipe 541. The outer wall 593 of the inner exhaust pipe 539, the inner wall 222 of the hole 221 of the bottom plate 211, and the inner wall 513 of the outer exhaust pipe 541.
There is a gap L30 between. By narrowing this gap L30, the inner exhaust pipe 539 and the hole 22 of the bottom plate 211 are formed.
It is possible to effectively prevent the particles due to the reaction by-products from back-diffusing into the outer tank space 140 from the gap L30 between the first and outer exhaust pipes 541. Also, the holes 2 of the bottom plate 211
The inner wall 222 of 21 and the inner wall 513 of the outer exhaust pipe 541 are provided so as to form the same plane.

【００８７】また、内排気管５３９を、底板２１１の内
壁２１４よりも長さＬ４０だけ突出させている。このよ
うに内排気管５３９を、底板２１１の内壁２１４よりも
長さＬ４０だけ突出させておくことにより、内排気管５
３９と底板２１１の孔２２１および外排気管５４１との
隙間から反応副生成物に起因するパーティクルが外槽空
間１４０内に逆拡散することを有効に防止できる。Further, the inner exhaust pipe 539 is projected from the inner wall 214 of the bottom plate 211 by a length L40. In this way, the inner exhaust pipe 539 is protruded from the inner wall 214 of the bottom plate 211 by the length L40, so that the inner exhaust pipe 539
It is possible to effectively prevent particles resulting from the reaction by-product from back-diffusing into the outer tank space 140 from the gap between the hole 39 of the bottom plate 211 and the outer exhaust pipe 541.

【００８８】内槽３０から流出する反応ガスは、内排気
管５３９および６３９を介して、処理槽本体２１の底板
２１１の内壁２１４よりも外側の外排気管５４１、６４
１内にそれぞれ排気される。従って、反応ガス、反応副
生成物およびエッチング残渣等が外槽空間１４０内に流
れ込むことが防止され、外槽４０の内壁に反応副生成物
が付着することが防止される。その結果、メンテナンス
時に外槽４０を清掃する必要がなくなり、その分、プラ
ズマＣＶＤ装置１００の稼働率を上げることができる。The reaction gas flowing out from the inner tank 30 passes through the inner exhaust pipes 539 and 639, and the outer exhaust pipes 541 and 64 outside the inner wall 214 of the bottom plate 211 of the processing bath main body 21.
1 is exhausted respectively. Therefore, the reaction gas, the reaction by-product, the etching residue, etc. are prevented from flowing into the outer tank space 140, and the reaction by-product is prevented from adhering to the inner wall of the outer tank 40. As a result, it is not necessary to clean the outer tub 40 during maintenance, and the operating rate of the plasma CVD apparatus 100 can be increased accordingly.

【００８９】外排気管６４１は、外排気管５４１の途中
に接続されており、外排気管５４１は真空ポンプ（図示
せず。）に接続されている。外排気管５４１の途中には
圧力調整弁（図示せず。）が設けられている。The outer exhaust pipe 641 is connected in the middle of the outer exhaust pipe 541, and the outer exhaust pipe 541 is connected to a vacuum pump (not shown). A pressure control valve (not shown) is provided in the middle of the outer exhaust pipe 541.

【００９０】図７は、本発明のプラズマＣＶＤ装置１０
０が使用されるＬＣＤ用枚葉式プラズマＣＶＤ装置２０
０の一例を説明するためのブロック図である。FIG. 7 shows a plasma CVD apparatus 10 of the present invention.
Single-wafer plasma CVD apparatus for LCD 20 in which 0 is used
2 is a block diagram for explaining an example of 0. FIG.

【００９１】ＬＣＤ用枚葉式プラズマＣＶＤ装置２００
には、カセットスタンドＳ１、Ｓ２、大気用搬送ロボッ
トＴ１、Ｔ５、真空用搬送ロボットＴ２、Ｔ３、Ｔ４、
ロードロック室Ｌ１、Ｌ２、成膜室Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、
基板加熱室Ｈが設けられている。本発明のプラズマＣＶ
Ｄ装置１００は、成膜室Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３に使用され
る。Single wafer plasma CVD apparatus 200 for LCD
Include cassette stands S1 and S2, atmospheric transfer robots T1 and T5, vacuum transfer robots T2, T3, and T4.
Load lock chambers L1, L2, film forming chambers R1, R2, R3,
A substrate heating chamber H is provided. Plasma CV of the present invention
The D device 100 is used in the film forming chambers R1, R2, and R3.

【００９２】カセットスタンドＳ１には、通常ガラス基
板を最大２０枚まで入れることができるカセット（図示
せず。）が置かれる。大気用搬送ロボットＴ１によりカ
セットスタンドＳ１に置かれたカセット（図示せず。）
からガラス基板を１枚だけ取り出してロードロック室Ｌ
１に搬送する。その後、ロードロック室Ｌ１を大気圧か
ら真空にした後、真空用搬送ロボットＴ２により基板加
熱室Ｈにガラス基板を搬送する。基板加熱室Ｈでガラス
基板を成膜温度にまで加熱し、その後、真空用搬送ロボ
ットＴ２により成膜室Ｒ１に搬送する。その後、本発明
のプラズマＣＶＤ装置を用いた成膜室Ｒ１で、例えば窒
化珪素膜（ＳｉＮ膜）の成膜を行い、成膜後、基板を真
空用搬送ロボットＴ３により本発明のプラズマＣＶＤ装
置を用いた成膜室Ｒ２に搬送する。成膜室Ｒ２において
も、成膜室Ｒ１と同様にして、例えばアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）膜の成膜を行い、成膜後、基板真空用
搬送ロボットＴ４により本発明のプラズマＣＶＤ装置を
用いた成膜室Ｒ３に搬送する。成膜室Ｒ３においても、
成膜室Ｒ１と同様にして、例えばドープトアモルファス
シリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜の成膜を行い、成膜後、基
板を真空用搬送ロボットＴ４によりロードロック室Ｌ２
に搬送する。ロードロック室Ｌ２でガラス基板の冷却を
すると共に真空から大気に戻す。その後、大気用搬送ロ
ボットＴ５によりカセットスタンドＳ２に置かれたカセ
ット（図示せず。）にガラス基板を収容する。A cassette (not shown) that can store up to 20 glass substrates is usually placed on the cassette stand S1. A cassette (not shown) placed on the cassette stand S1 by the atmospheric transfer robot T1.
Remove only one glass substrate from the load lock chamber L
Transport to 1. Then, after the load lock chamber L1 is evacuated from atmospheric pressure, the vacuum transfer robot T2 transfers the glass substrate to the substrate heating chamber H. The glass substrate is heated to the film forming temperature in the substrate heating chamber H, and then transferred to the film forming chamber R1 by the vacuum transfer robot T2. After that, for example, a silicon nitride film (SiN film) is formed in the film forming chamber R1 using the plasma CVD apparatus of the present invention, and after the film formation, the substrate is transferred to the plasma CVD apparatus of the present invention by the vacuum transfer robot T3. The film is transferred to the used film forming chamber R2. In the film forming chamber R2, for example, an amorphous silicon (a-Si) film is formed in the same manner as in the film forming chamber R1, and after the film formation, the plasma CVD apparatus of the present invention is used by the substrate vacuum transfer robot T4. The film is transferred to the film forming chamber R3. Also in the film forming chamber R3,
In the same manner as the film forming chamber R1, for example, a doped amorphous silicon (n + a-Si) film is formed, and after the film formation, the substrate is loaded by the vacuum transfer robot T4 into the load lock chamber L2.
Transport to. The glass substrate is cooled in the load lock chamber L2, and the vacuum is returned to the atmosphere. After that, the glass substrate is accommodated in the cassette (not shown) placed on the cassette stand S2 by the atmospheric transfer robot T5.

【００９３】[0093]

【実施例】次に本発明のプラズマＣＶＤ装置１００を使
用してプラズマＣＶＤ法により成膜を行った実施例を説
明する。EXAMPLE Next, an example of forming a film by the plasma CVD method using the plasma CVD apparatus 100 of the present invention will be described.

【００９４】（第１の実施例）図１、２に示す本発明の
第１の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００を使用し
て、基板載置台３５上に３５０ｍｍ×４５０ｍｍ、厚さ
１．１ｍｍのガラス基板３６を載置し、反応ガス導入管
２８からＳｉＨ4 、ＮＨ3 およびＮ2 を供給してガラス
基板３６上に窒化珪素膜（ＳｉＮ膜）を成膜した。上記
各ガスの流量比は一定として、全流量を変化させて、膜
厚均一性と成膜速度とを評価した。なお、成膜時に印加
した高周波電力は全ガス流量に適した大きさとし、成膜
時圧力は０．４Ｔｏｒｒとした。基板端１０ｍｍの幅の
部分を除くガラス基板の内側の領域を均等に２５分割し
て、光学式膜厚計を用いて分割した各領域の膜厚を測定
して、膜厚均一性を評価した。膜厚均一性は、次式によ
り求めた。(First Example) Using the plasma CVD apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 2, 350 mm × 450 mm and a thickness of 1.1 mm are placed on the substrate mounting table 35. The glass substrate 36 was placed, and SiH 4 , NH 3 and N 2 were supplied from the reaction gas introducing pipe 28 to form a silicon nitride film (SiN film) on the glass substrate 36. The film thickness uniformity and the film formation rate were evaluated by changing the total flow rate while keeping the flow rate ratio of each gas constant. The high frequency power applied during film formation was set to a magnitude suitable for the total gas flow rate, and the film formation pressure was 0.4 Torr. The inner region of the glass substrate excluding the width of 10 mm at the substrate edge was equally divided into 25 parts, and the film thickness of each divided region was measured using an optical film thickness meter to evaluate the film thickness uniformity. . The film thickness uniformity was calculated by the following formula.

【００９５】[0095]

【数１】膜厚均一性＝［（最大膜厚−最小膜厚）／（最
大膜厚＋最小膜厚）］×１００[Equation 1] Film thickness uniformity = [(maximum film thickness-minimum film thickness) / (maximum film thickness + minimum film thickness)] × 100

【００９６】また、成膜速度は、成膜した膜をエッチン
グ液により基板から剥離して膜厚を求め、この膜厚を成
膜時間で除して求めた。The film formation rate was obtained by peeling the formed film from the substrate with an etching solution to obtain the film thickness, and dividing this film thickness by the film formation time.

【００９７】このようにして得られた結果を表１に示
す。The results thus obtained are shown in Table 1.

【００９８】[0098]

【表１】 [Table 1]

【００９９】（第２の実施例）図３、４に示す本発明の
第２の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００を使用し
て、第１の実施例の場合と同様にして成膜し、膜厚均一
性と成膜速度を求めた。その結果を表２に示す。(Second Example) Using the plasma CVD apparatus 100 according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS. 3 and 4, a film is formed in the same manner as in the first example, The film thickness uniformity and the film formation rate were obtained. The results are shown in Table 2.

【０１００】[0100]

【表２】 [Table 2]

【０１０１】（比較例）図８に示す従来のプラズマＣＶ
Ｄ装置を使用して、第１の実施例の場合と同様にして成
膜し、膜厚均一性と成膜速度を求めた。その結果を表３
に示す。(Comparative Example) Conventional plasma CV shown in FIG.
Film formation was performed using the D apparatus in the same manner as in the case of the first embodiment, and the film thickness uniformity and the film formation rate were obtained. The results are shown in Table 3.
Shown in

【０１０２】[0102]

【表３】 [Table 3]

【０１０３】これらの表１乃至表３から明らかなよう
に、本発明のプラズマＣＶＤ装置を使用した場合には、
高速で成膜した場合においても、優れた膜厚均一性が得
られている。As is clear from Tables 1 to 3, when the plasma CVD apparatus of the present invention is used,
Excellent film thickness uniformity is obtained even when the film is formed at a high speed.

【０１０４】[0104]

【発明の効果】本発明によれば、内槽から流出する反応
ガスは、外槽の内壁面よりも外側に排気されるようにな
る。従って、反応ガス、反応副生成物およびエッチング
残渣等が外槽内に流れ込むことが防止され、外槽の内壁
に反応副生成物が付着することが防止される。その結
果、メンテナンス時に外槽を清掃する必要がなくなり、
その分、基板処理装置の稼働率を上げることができる。According to the present invention, the reaction gas flowing out from the inner tank is exhausted to the outside of the inner wall surface of the outer tank. Therefore, the reaction gas, the reaction by-product, the etching residue and the like are prevented from flowing into the outer tank, and the reaction by-product is prevented from adhering to the inner wall of the outer tank. As a result, there is no need to clean the outer tank during maintenance,
The operating rate of the substrate processing apparatus can be increased accordingly.

【０１０５】また、内槽内の基板載置部を取り囲む排気
孔を設け、排気孔からの排気をほぼ均一に行えるように
排気管を設けることにより、内槽内は基板載置部を取り
囲んで設けられた排気孔によりほぼ均一に排気される。
従って、基板載置部に載置された基板上のガスの流れが
均一となり、その結果、基板上に成膜される膜の膜厚や
諸特性が均一となる。従って、歩留まりも向上し、生産
性も向上する。Further, by providing an exhaust hole surrounding the substrate mounting portion in the inner tank and providing an exhaust pipe so that the exhaust from the exhaust hole can be performed substantially uniformly, the substrate mounting portion is surrounded in the inner tank. Exhaust holes provided provide substantially uniform exhaust.
Therefore, the gas flow on the substrate placed on the substrate placing section becomes uniform, and as a result, the film thickness and various characteristics of the film formed on the substrate become uniform. Therefore, the yield is improved and the productivity is also improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の第１の実施の形態のプラズマＣＶＤ装
置を説明するための断面図である。FIG. 1 is a sectional view for explaining a plasma CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図２】図１のＡＡ矢視平面図である。FIG. 2 is a plan view taken along the line AA of FIG.

【図３】本発明の第２の実施の形態のプラズマＣＶＤ装
置を説明するための断面図である。FIG. 3 is a sectional view for explaining a plasma CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図４】図３のＢＢ矢視平面図である。FIG. 4 is a plan view taken along the line BB of FIG.

【図５】本発明の第３の実施の形態のプラズマＣＶＤ装
置を説明するための断面図である。FIG. 5 is a sectional view for explaining a plasma CVD apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図６】本発明の第４の実施の形態のプラズマＣＶＤ装
置を説明するための断面図である。FIG. 6 is a sectional view for explaining a plasma CVD apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図７】本発明のプラズマＣＶＤ装置が使用されるＬＣ
Ｄ用枚葉式プラズマＣＶＤ装置の一例を説明するための
ブロック図である。FIG. 7 is an LC in which the plasma CVD apparatus of the present invention is used.
It is a block diagram for explaining an example of a single wafer type plasma CVD device for D.

【図８】従来のプラズマＣＶＤ装置を説明するための概
略断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view for explaining a conventional plasma CVD apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２０…処理槽 ２１…処理槽本体 ２２…天井蓋 ２３…絶縁体 ２４…カソードヒータ ２５、３４…ヒータ線 ２６…シャワープレート ２７…間隙 ２８…反応ガス導入管 ２９…ガス分散孔 ３０…内槽 ３１…内槽上側壁 ３２…内槽下側壁 ３３…アノードヒータ ３５…基板載置台 ３６…基板 ３７…排気槽 ３８…集気槽 ３９、１３９、２３９、３３９、４３９、５３９、６３
９…内排気管 ４０…外槽 ４１、１４１、２４１、３４１、４４１、５４１、６４
１…外排気管 ４２、４２１…昇降ロッド ４３…リフトピン ４４…ロッド ４５、４５１…圧力検出器 ４６…高周波電源 ４７、１４７…ゲート弁 ４８、１４８…基板搬入／搬出口 ４９、４９１、４９２、４９３、４９４…排気孔 １２０…カソード １２１、１３１…アルミニウム部材 １３０…アノード １３２…底面 １３７…排気室 １４０…外槽空間 １４３…リフトピン支持部材 ２１１…底板 ２１２、２１３…側板 ２１４、２１５、２１８…内壁 ２１６、２１７…孔 ３８１…底板 ３８２…側板 ３８３…上面 ３９１、３９３…外壁 ４１１、４１３…内壁 Ｈ１…距離 Ｌ１、Ｌ１０、Ｌ３０…隙間 Ｌ２、Ｌ２０、Ｌ４０…長さ Ｄ１、Ｄ２、Ｄ１１、Ｄ２１…内径 １００、３００…プラズマＣＶＤ装置 ２００…ＬＣＤ用枚葉式プラズマＣＶＤ装置 Ｓ１、Ｓ２…カセットスタンド Ｔ１、Ｔ５…大気用搬送ロボット Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４…真空用搬送ロボット Ｌ１、Ｌ２…ロードロック槽 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３…成膜槽 Ｈ…基板加熱槽20 ... Processing tank 21 ... Processing tank main body 22 ... Ceiling lid 23 ... Insulator 24 ... Cathode heater 25, 34 ... Heater wire 26 ... Shower plate 27 ... Gap 28 ... Reaction gas introduction pipe 29 ... Gas dispersion hole 30 ... Inner tank 31 ... Inner tank upper side wall 32 ... Inner tank lower side wall 33 ... Anode heater 35 ... Substrate mounting table 36 ... Substrate 37 ... Exhaust tank 38 ... Air collection tank 39, 139, 239, 339, 439, 539, 63
9 ... Inner exhaust pipe 40 ... Outer tank 41, 141, 241, 341, 441, 541, 64
1 ... Outer exhaust pipe 42, 421 ... Lifting rod 43 ... Lift pin 44 ... Rod 45, 451 ... Pressure detector 46 ... High frequency power supply 47, 147 ... Gate valve 48, 148 ... Substrate loading / unloading port 49, 491, 492, 493 494 ... Exhaust hole 120 ... Cathode 121, 131 ... Aluminum member 130 ... Anode 132 ... Bottom 137 ... Exhaust chamber 140 ... Outer tank space 143 ... Lift pin support member 211 ... Bottom plate 212, 213 ... Side plates 214, 215, 218 ... Inner wall 216 217 ... Hole 381 ... Bottom plate 382 ... Side plate 383 ... Top surface 391, 393 ... Outer wall 411, 413 ... Inner wall H1 ... Distance L1, L10, L30 ... Gap L2, L20, L40 ... Length D1, D2, D11, D21 ... Inner diameter 100, 300 ... Plasma CVD device 200 ... Single wafer type plasma C for LCD D device S1, S2 ... cassette stand T1, T5 ... air conveyance robot T2, T3, T4 ... vacuum transfer robot L1, L2 ... load lock chamber R1, R2, R3 ... film forming chamber H ... substrate heating tank

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】外槽と、 前記外槽内に設けられた内槽と、 前記内槽内に連通する反応ガス導入管と、 少なくとも前記外槽の内壁面まで延在すると共に、前記
内槽内に連通可能に設けられた第１の排気管と、 前記外槽に設けられた排気孔と、 前記排気孔に連通する第２の排気管と、 を有することを特徴とする基板処理装置。1. An outer tank, an inner tank provided in the outer tank, a reaction gas introducing pipe communicating with the inner tank, extending at least to an inner wall surface of the outer tank, and the inner tank. A substrate processing apparatus comprising: a first exhaust pipe provided so as to be able to communicate with each other; an exhaust hole provided in the outer tank; and a second exhaust pipe communicating with the exhaust hole. 【請求項２】前記第１の排気管の前端が前記排気孔内に
挿入され、前記第１の排気管の前端が前記外槽の内壁面
よりも外側に突出し、前記第１の排気管と前記排気孔と
の間には隙間が形成されていることを特徴とする請求項
１記載の基板処理装置。2. A front end of the first exhaust pipe is inserted into the exhaust hole, and a front end of the first exhaust pipe projects outward from an inner wall surface of the outer tank, The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a gap is formed between the exhaust hole and the exhaust hole. 【請求項３】前記第２の排気管を備える第１の排気ライ
ンと、 前記第１の排気管を備え前記第１の排気ラインとは独立
して排気可能な第２の排気ラインとをさらに有すること
を特徴とする請求項１記載の基板処理装置。3. A first exhaust line provided with the second exhaust pipe, and a second exhaust line provided with the first exhaust pipe and capable of exhausting independently of the first exhaust line. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: 【請求項４】前記外槽内に連通する圧力検出器をさらに
有し、前記内槽内に連通する圧力検出器は設けないこと
を特徴とする請求項２記載の基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a pressure detector communicating with the outer tank, and not providing a pressure detector communicating with the inner tank. 【請求項５】前記基板処理装置が、前記内槽内に設けら
れた基板載置部をさらに有し、前記内槽は前記基板載置
部を取り囲む第２の排気孔を有し、前記第２の排気孔は
前記第１の排気管と連通可能であることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。5. The substrate processing apparatus further includes a substrate mounting portion provided in the inner tank, the inner tank having a second exhaust hole surrounding the substrate mounting portion, 5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second exhaust hole can communicate with the first exhaust pipe. 【請求項６】前記基板処理装置が前記外槽内に設けられ
た排気槽をさらに有し、前記排気槽は前記内槽の下に設
けられ、前記内槽内は前記第２の排気孔により前記排気
槽内と連通され、前記第１の排気管は前記排気槽内と連
通されていることを特徴とする請求項５記載の基板処理
装置。6. The substrate processing apparatus further comprises an exhaust tank provided inside the outer tank, the exhaust tank being provided below the inner tank, and the inside of the inner tank being formed by the second exhaust hole. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the substrate is connected to the inside of the exhaust tank, and the first exhaust pipe is connected to the inside of the exhaust tank. 【請求項７】前記第１の排気管が、前記基板載置部を平
面的に見て前記基板載置部のほぼ中央において前記排気
槽内と連通していることを特徴とする請求項６記載の基
板処理装置。7. The first exhaust pipe communicates with the inside of the exhaust tank at substantially the center of the substrate mounting portion when the substrate mounting portion is seen in a plan view. The substrate processing apparatus described. 【請求項８】前記第１の排気管が、前記第２の排気孔の
うち互いに最も離れた一対の第２の排気孔間の距離Ｌの
１／４の長さの半径（Ｌ／４）を有し、前記基板載置部
を平面的に見て前記基板載置部の中央を中心とする円内
において、前記排気槽内と連通していることを特徴とす
る請求項６記載の基板処理装置。8. A radius (L / 4) having a length of 1/4 of a distance L between a pair of second exhaust holes of the second exhaust holes that are most distant from each other among the second exhaust holes. 7. The substrate according to claim 6, wherein the substrate mounting portion communicates with the inside of the exhaust tank within a circle centered on the center of the substrate mounting portion when seen in a plan view. Processing equipment. 【請求項９】前記第１の排気管が複数設けられており、
前記基板載置部が平面的に見て実質的に矩形状であり、
前記複数の第１の排気管が、前記矩形の対角線上であっ
て前記矩形の中央に対して点対称な位置において前記排
気槽内と連通していることを特徴とする請求項６記載の
基板処理装置。9. A plurality of the first exhaust pipes are provided,
The substrate mounting portion is substantially rectangular when viewed in plan,
7. The substrate according to claim 6, wherein the plurality of first exhaust pipes communicate with the inside of the exhaust tank at positions that are point-symmetrical with respect to a center of the rectangle on a diagonal line of the rectangle. Processing equipment. 【請求項１０】前記基板処理装置がプラズマ処理装置で
あり、 前記外槽が、下外槽と上外槽とを備え、 前記上外槽にカソードおよびアノードの一方が取り付け
られ、 前記カソードおよびアノードの前記一方を囲繞して前記
上外槽に内槽上側壁が取り付けられ、 前記カソードおよびアノードの他方が前記外槽内を昇降
可能に設けられ、 前記カソードおよびアノードの前記他方が基板載置部を
備え、 前記カソードおよびカソードの前記他方の周囲に前記内
槽上側壁と対応する内槽下側壁が取り付けられ、 前記基板載置部を取り囲んで前記内槽下側壁に第２の排
気孔が設けられ、前記第２の排気孔は前記第１の排気管
と連通可能であり、 前記カソードおよび前記アノードの前記他方が上昇する
ことにより、前記カソード、前記アノード、前記内槽上
側壁および前記内槽下側壁により前記内槽を構成し、 前記カソードおよび前記アノードの前記他方が上昇して
前記内槽を形成した際に、前記第１の排気管が少なくと
も前記外槽の前記内壁面まで延在していることを特徴と
する請求項１記載の基板処理装置。10. The substrate processing apparatus is a plasma processing apparatus, the outer tank is provided with a lower outer tank and an upper outer tank, and one of a cathode and an anode is attached to the upper outer tank, and the cathode and the anode. An upper wall of the inner tank is attached to the upper outer tank so as to surround the one of the two, and the other of the cathode and the anode is provided so as to be able to move up and down in the outer tank, and the other of the cathode and the anode is the substrate mounting portion. An inner tank lower side wall corresponding to the inner tank upper side wall is attached around the cathode and the other side of the cathode, and a second exhaust hole is provided in the inner tank lower side wall so as to surround the substrate mounting portion. The second exhaust hole is capable of communicating with the first exhaust pipe, and the other of the cathode and the anode is moved upward, whereby the cathode, the anode, the The inner tank is constituted by the tank upper side wall and the inner tank lower side wall, and when the other one of the cathode and the anode rises to form the inner tank, the first exhaust pipe is at least the outer tank. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus extends to the inner wall surface. 【請求項１１】前記カソードおよび前記アノードの前記
他方が上昇して前記内槽を形成した際に、前記第１の排
気管の前端が前記排気孔内に挿入され、前記第１の排気
管の前端が前記外槽の内壁面よりも外側に突出し、前記
第１の排気管と前記排気孔との間には隙間が形成されて
いることを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。11. The front end of the first exhaust pipe is inserted into the exhaust hole when the other one of the cathode and the anode rises to form the inner tank. 11. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein a front end projects outward from an inner wall surface of the outer tank, and a gap is formed between the first exhaust pipe and the exhaust hole. 【請求項１２】前記外槽内に設けられた排気槽をさらに
有し、前記排気槽は前記アノードおよび前記カソードの
前記他方の下に設けられ、前記内槽内は前記第２の排気
孔により前記排気槽内と連通され、前記第１の排気管は
前記排気槽内と連通されていることを特徴とする請求項
１０または１１記載の基板処理装置。12. An exhaust tank provided inside the outer tank, wherein the exhaust tank is provided below the other of the anode and the cathode, and the inside of the inner tank is formed by the second exhaust hole. The substrate processing apparatus according to claim 10 or 11, wherein the substrate is connected to the inside of the exhaust tank, and the first exhaust pipe is connected to the inside of the exhaust tank. 【請求項１３】外槽と、 前記外槽内に設けられた内槽と、 前記内槽内に連通する反応ガス導入管と、 前記外槽に設けられた第１の排気孔と、 前記内槽内に設けられた基板載置部と、 前記基板載置部を取り囲んで前記内槽に設けられた第２
の排気孔とを有し、 前記内槽は前記第２の排気孔を介して前記外槽と連通
し、前記第１の排気孔は前記基板載置部を平面的に見た
場合に前記基板載置部のほぼ中央部に位置していること
を特徴とする基板処理装置。13. An outer tank, an inner tank provided in the outer tank, a reaction gas introducing pipe communicating with the inner tank, a first exhaust hole provided in the outer tank, and the inner tank. A substrate mounting portion provided in the tank, and a second member provided in the inner tank surrounding the substrate mounting portion.
Exhaust hole, the inner tank communicates with the outer tank through the second exhaust hole, and the first exhaust hole is the substrate when the substrate mounting portion is viewed in a plan view. A substrate processing apparatus, characterized in that the substrate processing apparatus is located substantially in the center of the mounting portion. 【請求項１４】外槽と、 前記外槽内に設けられた内槽と、 前記内槽内に連通する反応ガス導入管と、 前記外槽に設けられた第１の排気孔と、 前記内槽内に設けられた基板載置部と、 前記基板載置部を取り囲んで前記内槽に設けられた第２
の排気孔と、 前記外槽内に設けられた排気槽と、 前記排気槽に設けられた第３の排気孔とを有し、 前記排気槽は前記内槽の下に設けられ、前記内槽内は前
記第２の排気孔を介して前記排気槽内と連通し、前記第
３の排気孔は前記基板載置部を平面的に見た場合に前記
基板載置部のほぼ中央部に位置していることを特徴とす
る基板処理装置。14. An outer tank, an inner tank provided in the outer tank, a reaction gas introducing pipe communicating with the inner tank, a first exhaust hole provided in the outer tank, and the inner tank. A substrate mounting portion provided in the tank, and a second member provided in the inner tank surrounding the substrate mounting portion.
An exhaust hole, an exhaust tank provided in the outer tank, and a third exhaust hole provided in the exhaust tank, the exhaust tank being provided under the inner tank, The inside communicates with the inside of the exhaust tank through the second exhaust hole, and the third exhaust hole is located substantially in the center of the substrate placing part when the substrate placing part is viewed in plan. A substrate processing apparatus characterized in that. 【請求項１５】前記基板処理装置がプラズマ処理装置で
あることを特徴とする請求項１乃至９、１３および１４
のいずれかに記載の基板処理装置。15. The substrate processing apparatus is a plasma processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is a plasma processing apparatus.
The substrate processing apparatus according to any one of 1. 【請求項１６】前記基板処理装置がプラズマＣＶＤ装置
であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに
記載の基板処理装置。16. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is a plasma CVD apparatus.
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