JPH08250910A - High frequency circuit and impedance adjustment method for the high frequency circuit - Google Patents
High frequency circuit and impedance adjustment method for the high frequency circuitInfo
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- JPH08250910A JPH08250910A JP7050051A JP5005195A JPH08250910A JP H08250910 A JPH08250910 A JP H08250910A JP 7050051 A JP7050051 A JP 7050051A JP 5005195 A JP5005195 A JP 5005195A JP H08250910 A JPH08250910 A JP H08250910A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は高周波回路に係り、詳
しくはインピーダンス整合をとることが可能な高周波回
路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency circuit, and more particularly to a high frequency circuit capable of impedance matching.
【０００２】[0002]
【従来の技術】マイクロ波、ミリ波のような高周波で使
用される装置、例えば整流装置、増幅装置、発振装置
等、またはその他の高周波回路において、信号伝送線路
としてマイクロストリップ線路が用いられることが多
い。このマイクロストリップ線路のインピーダンスは線
路相互でのカップリング、回路基板自体のインピーダン
スのばらつき等の影響で変化し設計値からずれることが
多い。又、例えば整流装置、増幅装置、発振装置等のよ
うに半導体素子を含む回路においては、この半導体素子
によって半導体素子に接続するマイクロストリップ線路
のインピーダンスが変化する。さらに、高周波回路を外
部回路、例えば同軸ケーブル等に接続した場合も接続し
たマイクロストリップ線路のインピーダンスは変化す
る。これらの原因によるインピーダンスの不整合によっ
て高周波の反射が生じ、装置の特性が充分に出ないこと
がある。これを防ぐために高周波回路にはインピーダン
ス整合用のスタブが設けられるのが一般的である。2. Description of the Related Art Microstrip lines are used as signal transmission lines in devices used in high frequencies such as microwaves and millimeter waves, such as rectifiers, amplifiers, oscillators, and other high frequency circuits. Many. The impedance of the microstrip line is often deviated from the design value due to the influence of coupling between the lines and variations in impedance of the circuit board itself. Further, in a circuit including a semiconductor element such as a rectifying device, an amplifying device, an oscillating device, etc., the impedance of the microstrip line connected to the semiconductor element changes due to this semiconductor element. Furthermore, when the high-frequency circuit is connected to an external circuit such as a coaxial cable, the impedance of the connected microstrip line changes. Due to impedance mismatch due to these causes, high frequency reflection may occur, and the characteristics of the device may not be sufficiently obtained. In order to prevent this, the high frequency circuit is generally provided with a stub for impedance matching.
【０００３】このスタブを用いたインピーダンス整合技
術の一つとして、特開昭５８−１８４８０１号公報、特
開昭６１−１３３７０２号公報、特開平３−１９４０２
号公報等にて開示されている手法がある。これは、図６
に示すように、基板３０上に整合調整用導体片３１を多
数並べて配置し、必要な数の導体片３１およびマイクロ
ストリップ線路３２をボンディングワイヤ３３等で電気
的に接続して整合スタブとするものである。As one of impedance matching techniques using this stub, Japanese Patent Laid-Open Nos. 58-184801, 61-133702, and 3-19402 are available.
There is a method disclosed in Japanese Patent Publication. This is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a large number of matching adjustment conductor pieces 31 are arranged side by side on the substrate 30, and a required number of conductor pieces 31 and microstrip lines 32 are electrically connected by bonding wires 33 or the like to form a matching stub. Is.
【０００４】又、他のインピーダンス整合方法として、
予め長くスタブを製作しておき、調整時にレーザ等でト
リミングして長さを調整する方法がある（特開平２−９
４９０２号公報）。As another impedance matching method,
There is a method in which a long stub is manufactured in advance and the length is adjusted by trimming with a laser or the like at the time of adjustment (Japanese Patent Laid-Open No. 2-9).
4902 publication).
【０００５】さらに、他のインピーダンス整合方法とし
て、基板におけるマイクロストリップ線路を形成する面
にアース面を形成し、基板上にチップタイプスタブを配
置して整合調整する方法がある（特開平６−１１２７０
６号公報）。Further, as another impedance matching method, there is a method in which a ground surface is formed on the surface of the substrate on which the microstrip line is formed, and a chip type stub is arranged on the substrate for matching adjustment (Japanese Patent Laid-Open No. 6-11270).
No. 6).
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図６に示すイ
ンピーダンス整合方法は周波数が非常に高くなった場合
用いることは難しい。なぜなら、周波数が高くなり波長
が短くなってくると整合スタブの全長が短くなり、前記
の整合調整用導体片３１も短くする必要が生じる。全イ
ンピーダンス領域で整合調整を行うためにはλ／２のス
タブが必要となる。この長さは例えば、２１ＧＨｚで動
作する回路で基板誘電率１０、板厚０．４ｍｍの場合、
波長は２．６ｍｍであり、λ／２は１．３ｍｍとなる。
ところが、調整時に前記整合調整用導体片３１を電気的
に接続する場合、ボンディングパッド分の大きさを確保
しなければならないが、このことを考慮すると現実的に
可能な導体片３１の大きさは最も小さい場合でも０．３
ｍｍ以上になる。この大きさでは整合スタブは４分割し
かされず精度よい調整はできない。However, the impedance matching method shown in FIG. 6 is difficult to use when the frequency becomes very high. This is because as the frequency becomes higher and the wavelength becomes shorter, the total length of the matching stub becomes shorter, and it becomes necessary to shorten the matching adjusting conductor piece 31 as well. A stub of λ / 2 is required to perform matching adjustment in the entire impedance region. For example, in the case of a circuit operating at 21 GHz and a substrate dielectric constant of 10 and a plate thickness of 0.4 mm,
The wavelength is 2.6 mm and λ / 2 is 1.3 mm.
However, in the case of electrically connecting the matching adjustment conductor piece 31 at the time of adjustment, it is necessary to secure the size of the bonding pad, but in consideration of this, the size of the conductor piece 31 that is practically possible is 0.3 even the smallest
mm or more. With this size, the matching stub is only divided into four, and accurate adjustment cannot be performed.
【０００７】又、特開平２−９４９０２号公報に示され
ているようにレーザトリミング等によりスタブ長を調整
する方法では一方向の調整、即ち整合調整用スタブを短
くする方向の調整しかできず、効率最大の長さを見つけ
ることが困難である。Further, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-94902, the method of adjusting the stub length by laser trimming or the like can only make adjustment in one direction, that is, in the direction of shortening the alignment adjusting stub. Efficiency It is difficult to find the maximum length.
【０００８】又、特開平６−１１２７０６号公報に示さ
れている方法はあまり現実的ではない。なぜなら、
（１）このチップタイプスタブ形成には複雑なプロセス
が必要であること、（２）チップタイプスタブのアース
導体からの端子の引き出しが困難であるばかりか（この
公報には具体的な引き出し方法、製造方法が記されてい
ない）、（３）精度良い接地が困難であることである。
この（３）の接地精度が不良であるとインピーダンスが
変化して高周波の反射が生じ、このことによっても整合
調整の精度が落ちる。又、前記（１）とも関係のあるこ
とであるが、先に述べたように用いる周波数が高くな
り、即ち波長が短くなってくると整合スタブの全長が短
くなるため、このチップタイプスタブの長さも短くしな
ければならないがこのように複雑なスタブでは精度良い
長さの設定が困難であり、従って精度よい整合調整が困
難となる。さらに、このような不具合点に加え、チップ
タイプスタブを位置精度良く設置することも困難であ
る。チップタイプスタブの設置精度の悪さは直ちに整合
調整精度の悪さを招くという問題にもつながる。Further, the method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-112706 is not very realistic. Because
(1) A complicated process is required to form this chip-type stub, and (2) it is difficult to draw the terminal from the ground conductor of the chip-type stub (in this publication, a specific drawing method, (The manufacturing method is not described), and (3) it is difficult to accurately ground.
If the grounding accuracy of (3) is poor, the impedance changes and high-frequency reflection occurs, which also decreases the accuracy of matching adjustment. Also, although it is related to the above (1), as the frequency used, that is, the wavelength becomes shorter, the total length of the matching stub becomes shorter as described above. However, it is difficult to accurately set the length with such a complicated stub, and thus it is difficult to perform accurate alignment adjustment. Further, in addition to such a problem, it is difficult to install the chip type stub with high positional accuracy. Poor installation accuracy of the chip type stub immediately leads to a problem of poor alignment adjustment accuracy.
【０００９】そこで、この発明の目的は、用いる周波数
が高くなった場合でも精度よい整合調整ができ、又、２
方向、即ち整合スタブを短くする方向と長くする方向の
整合調整を容易でき、さらに、高精度に位置決めを行う
ことができる高周波回路および高周波回路のインピーダ
ンス調整方法を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to perform accurate matching adjustment even when the frequency used becomes high, and
(EN) Provided are a high-frequency circuit and a high-frequency circuit impedance adjusting method, which can facilitate matching adjustment in a direction, that is, a direction in which a matching stub is shortened and a direction in which the matching stub is lengthened, and can perform positioning with high accuracy.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基台と、前記基台上に配置され、高周波伝送線路が
形成された線路形成基板と、所望のスタブ特性を有し、
前記基台上において前記線路形成基板に当接した状態で
同基台上に配置されたスタブ基板とを備えた高周波回路
をその要旨とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a base, a line forming substrate arranged on the base and having a high frequency transmission line formed thereon, and having desired stub characteristics.
A gist of a high-frequency circuit includes a stub substrate disposed on the base while being in contact with the line forming substrate on the base.
【００１１】請求項２に記載の発明は、スタブ特性の異
なる複数のスタブ基板を用意し、高周波伝送線路が形成
された線路形成基板を基台上に配置した状態で、前記複
数のスタブ基板のうちの任意のスタブ基板を前記線路形
成基板に当接した状態で基台上に配置してインピーダン
ス調整を行うようにした高周波回路のインピーダンス調
整方法をその要旨とする。According to a second aspect of the present invention, a plurality of stub substrates having different stub characteristics are prepared, and the line forming substrate on which the high frequency transmission line is formed is arranged on the base, and The gist is a method of adjusting the impedance of a high-frequency circuit in which any stub substrate is placed on a base in a state of being in contact with the line forming substrate to perform impedance adjustment.
【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明におけるスタブ長を異ならせることによりスタブ
特性を異ならせた高周波回路のインピーダンス調整方法
をその要旨とする。A third aspect of the present invention has as its gist an impedance adjusting method for a high frequency circuit in which the stub characteristics are made different by making the stub lengths different from each other in the second aspect.
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項２に記載
の発明におけるスタブの位置を異ならせることによりス
タブ特性を異ならせた高周波回路のインピーダンス調整
方法をその要旨とする。A fourth aspect of the present invention has as its gist an impedance adjusting method for a high-frequency circuit in which the stub characteristic in the second aspect is changed by changing the position of the stub.
【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項２に記載
の発明におけるスタブ基板の誘電率を異ならせることに
よりスタブ特性を異ならせた高周波回路のインピーダン
ス調整方法をその要旨とする。A fifth aspect of the present invention has as its gist an impedance adjusting method for a high frequency circuit in which the stub characteristics are made different by making the dielectric constants of the stub substrates in the second aspect different.
【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項２に記載
の発明におけるスタブ基板は高周波伝送線路の一部を含
むものである高周波回路のインピーダンス調整方法をそ
の要旨とする。A sixth aspect of the present invention has as its gist an impedance adjusting method for a high frequency circuit, wherein the stub substrate in the second aspect includes a part of the high frequency transmission line.
【００１６】請求項７に記載の発明は、請求項２に記載
の発明におけるスタブ基板は線路形成基板と材質、板厚
が同一である高周波回路のインピーダンス調整方法をそ
の要旨とする。A seventh aspect of the present invention has as its gist an impedance adjusting method for a high-frequency circuit in which the stub substrate according to the second aspect has the same material and thickness as the line forming substrate.
【００１７】[0017]
【作用】請求項１に記載の発明によれば、基台上におい
て所望のスタブ特性を有するスタブ基板が線路形成基板
に当接した状態で配置される。よって、周波数が高くな
った際にもその周波数に応じた特性を有するスタブ基板
を配置すればよい。又、スタブ基板を付け替えることに
よって整合調整を行うことにより２方向の調整、即ちス
タブ長を短くする方向と長くする方向の調整が可能とな
り、最大効率となる高周波回路を容易に構築することが
できる。又、スタブ基板が線路形成基板に当接した状態
で配置されるので、高精度に位置決めされる。According to the first aspect of the invention, the stub substrate having desired stub characteristics is arranged on the base in a state of being in contact with the line forming substrate. Therefore, even when the frequency becomes high, a stub substrate having characteristics according to the frequency may be arranged. Also, by adjusting the matching by replacing the stub board, adjustment in two directions, that is, adjustment in the direction of shortening the stub length and adjustment in the direction of increasing the stub length, is possible, and a high-frequency circuit with maximum efficiency can be easily constructed. . Further, since the stub board is arranged in contact with the line forming board, the stub board is positioned with high accuracy.
【００１８】請求項２，３，４，５に記載の発明によれ
ば、スタブ特性の異なる複数のスタブ基板が用意され、
線路形成基板を基台上に配置した状態で、任意のスタブ
基板が線路形成基板に当接した状態で基台上に配置され
てインピーダンス調整が行われる。よって、周波数が高
くなってスタブ特性（例えばスタブ長）を細かく変化さ
せなければならなくなっても、スタブ特性を細かく変化
させたスタブ基板を用いて精度良い整合調整が可能とな
る。又、「スタブ基板を付け替える」という方法をとる
ことによって整合調整を行うため２方向の調整、即ちス
タブ長を短くする方向と長くする方向の調整が可能とな
り、効率が最大となる点を容易に得ることができる。
又、スタブ基板が線路形成基板に当接した状態で配置さ
れるので高精度に位置決めが行われる。According to the invention described in claims 2, 3, 4, and 5, a plurality of stub substrates having different stub characteristics are prepared,
Impedance adjustment is performed by arranging the line forming substrate on the base in a state where any stub substrate is in contact with the line forming substrate while the line forming substrate is arranged on the base. Therefore, even if the frequency becomes high and the stub characteristics (for example, the stub length) have to be finely changed, accurate matching adjustment can be performed by using the stub substrate having the finely changed stub characteristics. Further, since the adjustment is performed by adopting the method of "replacement of the stub board", the adjustment in two directions, that is, the adjustment in the direction of shortening the stub length and the adjustment in the direction of increasing the stub length, can be easily performed, and the point of maximizing the efficiency can be easily achieved. Obtainable.
Further, since the stub board is arranged in contact with the line forming board, the positioning is performed with high accuracy.
【００１９】請求項６に記載の発明によれば、請求項２
に記載の発明の作用に加え、スタブ基板は高周波伝送線
路の一部を含むものとしたので、その高周波伝送線路の
一部からスタブが延設され、スタブ長が非常に短い場合
も容易に適用できる。According to the invention of claim 6, claim 2
In addition to the effect of the invention described in (3), since the stub substrate includes a part of the high-frequency transmission line, the stub is extended from a part of the high-frequency transmission line and is easily applied even when the stub length is very short. it can.
【００２０】請求項７に記載の発明によれば、請求項２
に記載の発明の作用に加え、スタブ基板は線路形成基板
と材質、板厚が同一であるので、スタブ基板は線路形成
基板と同一の基板で製作でき、容易に低コストで製作で
きる。According to the invention of claim 7, claim 2
In addition to the function of the invention described in (1), since the stub substrate is made of the same material and has the same plate thickness as the line forming substrate, the stub substrate can be manufactured by the same substrate as the line forming substrate, and can be easily manufactured at low cost.
【００２１】[0021]
（第１実施例）以下、この発明を具体化した第１実施例
を図面に従って説明する。(First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２２】図１には、本実施例の高周波回路の斜視図
を示すとともに、図２に高周波回路の平面図を示す。本
実施例の高周波回路１は、２１ＧＨｚの高周波整流回路
に適用したものである。FIG. 1 is a perspective view of the high frequency circuit of this embodiment, and FIG. 2 is a plan view of the high frequency circuit. The high frequency circuit 1 of the present embodiment is applied to a 21 GHz high frequency rectification circuit.
【００２３】この回路１は、例えばマイクロマシン駆動
のための電力を高周波の形、即ち無索で伝送する際に用
いられ、高周波をマイクロマシンのアクチュエータ駆動
に必要な直流に変換する働きをする。The circuit 1 is used, for example, when transmitting electric power for driving a micromachine in the form of a high frequency, that is, without a cord, and serves to convert the high frequency into a direct current necessary for driving an actuator of the micromachine.
【００２４】以下、より詳細に説明していく。基台とし
ての真鍮製の基板ホルダ２は長方形の板状をなしてい
る。この基板ホルダ２の上には、整流用の高周波ダイオ
ード（チップ）３、線路形成基板４、スタブ基板５、線
路形成基板６、線路形成基板７、スタブ基板８が配置さ
れている。線路形成基板４、スタブ基板５、線路形成基
板６、線路形成基板７、スタブ基板８はそれぞれアルミ
ナよりなり、長方形状をなし、かつ、同一の厚さとなっ
ている。具体的には、３８５μｍの厚さとなっている。
線路形成基板４とスタブ基板５と線路形成基板６とはそ
の長辺での側面が当接した状態で並設されている。又、
線路形成基板７とスタブ基板８とはその長辺での側面が
当接した状態で並設されている。さらに、基板４，５，
６と基板７，８との間には四角形をなすチップ状の高周
波ダイオード３が配置され、高周波ダイオード３の側面
と基板６，７の側面とが当接している。The details will be described below. The brass substrate holder 2 as a base has a rectangular plate shape. On the substrate holder 2, a high-frequency diode (chip) 3 for rectification, a line forming substrate 4, a stub substrate 5, a line forming substrate 6, a line forming substrate 7, and a stub substrate 8 are arranged. Each of the line forming substrate 4, the stub substrate 5, the line forming substrate 6, the line forming substrate 7, and the stub substrate 8 is made of alumina, has a rectangular shape, and has the same thickness. Specifically, the thickness is 385 μm.
The line forming substrate 4, the stub substrate 5, and the line forming substrate 6 are arranged side by side with their long sides in contact with each other. or,
The line forming substrate 7 and the stub substrate 8 are arranged side by side with their long side surfaces in contact with each other. Furthermore, the substrates 4, 5,
A rectangular chip-shaped high-frequency diode 3 is arranged between 6 and the substrates 7 and 8, and the side surface of the high-frequency diode 3 and the side surfaces of the substrates 6 and 7 are in contact with each other.
【００２５】基板４，５，６の上面には高周波ダイオー
ド３に向かって直線的に延びるマイクロストリップ線路
（高周波伝送線路）９が形成され、このマイクロストリ
ップ線路９の幅が３８０μｍとなっている。又、線路形
成基板４のマイクロストリップ線路９ａとスタブ基板５
のマイクロストリップ線路９ｂとは、熱圧着法等によっ
て幅が３００μｍの金リボン１０で電気的に接続されて
いる。スタブ基板５のマイクロストリップ線路９ｂと線
路形成基板６のマイクロストリップ線路９ｃとは、熱圧
着法等によって幅が３００μｍの金リボン１１で電気的
に接続されている。さらに、線路形成基板６のマイクロ
ストリップ線路９ｃと高周波ダイオード３とはボンディ
ングワイヤ等によって電気的に接続されている。Microstrip lines (high-frequency transmission lines) 9 extending linearly toward the high-frequency diode 3 are formed on the upper surfaces of the substrates 4, 5 and 6, and the width of the microstrip lines 9 is 380 μm. In addition, the microstrip line 9a of the line forming substrate 4 and the stub substrate 5
The microstrip line 9b is electrically connected with a gold ribbon 10 having a width of 300 μm by a thermocompression bonding method or the like. The microstrip line 9b of the stub substrate 5 and the microstrip line 9c of the line forming substrate 6 are electrically connected by a gold ribbon 11 having a width of 300 μm by a thermocompression bonding method or the like. Further, the microstrip line 9c of the line forming substrate 6 and the high frequency diode 3 are electrically connected by a bonding wire or the like.
【００２６】そして、図２においてマイクロストリップ
線路９の左側にはアンテナ等が設置され、アンテナに入
射した高周波はマイクロストリップ線路９に沿って伝搬
してくる。An antenna or the like is installed on the left side of the microstrip line 9 in FIG. 2, and the high frequency incident on the antenna propagates along the microstrip line 9.
【００２７】線路形成基板７の上面には高周波ダイオー
ド３に向かって直線的に延びるマイクロストリップ線路
（高周波伝送線路）１２が形成され、このマイクロスト
リップ線路１２の幅が３８０μｍとなっている。線路形
成基板７のマイクロストリップ線路１２と高周波ダイオ
ード３とはボンディングワイヤ等によって電気的に接続
されている。A microstrip line (high frequency transmission line) 12 linearly extending toward the high frequency diode 3 is formed on the upper surface of the line forming substrate 7, and the width of the microstrip line 12 is 380 μm. The microstrip line 12 of the line forming substrate 7 and the high frequency diode 3 are electrically connected by a bonding wire or the like.
【００２８】スタブ基板５の上面には整合調整用のオー
プンスタブ１３が形成され、このオープンスタブ１３は
マイクロストリップ線路９から直交する方向に延びてい
る。このオープンスタブ１３の幅はマイクロストリップ
線路９と同じく３８０μｍｍである。又、オープンスタ
ブ１３の長さＬ１に関しては後で説明する。An open stub 13 for adjusting adjustment is formed on the upper surface of the stub substrate 5, and the open stub 13 extends in a direction orthogonal to the microstrip line 9. The width of this open stub 13 is 380 μm, which is the same as that of the microstrip line 9. The length L1 of the open stub 13 will be described later.
【００２９】スタブ基板８の上面には整合調整用のオー
プンスタブ１４が形成され、このオープンスタブ１４は
マイクロストリップ線路１２と同一方向に延びている。
このオープンスタブ１４の幅はマイクロストリップ線路
１２と同じく３８０μｍｍである。又、オープンスタブ
１４の長さＬ２に関しては後で説明する。オープンスタ
ブ１４と線路形成基板７のマイクロストリップ線路１２
とは、熱圧着法等によって幅３００μｍの金リボン１５
で電気的に接続されている。An open stub 14 for alignment adjustment is formed on the upper surface of the stub substrate 8, and the open stub 14 extends in the same direction as the microstrip line 12.
The width of the open stub 14 is 380 μm, which is the same as that of the microstrip line 12. The length L2 of the open stub 14 will be described later. Open stub 14 and microstrip line 12 of line forming substrate 7
Is a gold ribbon 15 with a width of 300 μm formed by thermocompression bonding.
It is electrically connected with.
【００３０】線路形成基板６の上面にはスタブ１６が形
成され、スタブ１６は線路１７にてマイクロストリップ
線路９と接続されている。線路１７におけるスタブ１６
側の先端部からは直流引き出し線１８が延設され、直流
引き出し線１８はパッド１９と接続されている。この線
路１７、スタブ１６、直流引き出し線１８、パッド１９
は整流された直流を取り出すためのものである。A stub 16 is formed on the upper surface of the line forming substrate 6, and the stub 16 is connected to the microstrip line 9 by a line 17. Stub 16 on track 17
A DC lead wire 18 is extended from the end portion on the side, and the DC lead wire 18 is connected to a pad 19. This line 17, stub 16, DC lead wire 18, pad 19
Is for taking out the rectified direct current.
【００３１】同様に、線路形成基板７の上面にはスタブ
２０が形成され、スタブ２０は線路２１にてマイクロス
トリップ線路１２と接続されている。線路２１における
スタブ２０側の先端部からは直流引き出し線２２が延設
され、直流引き出し線２２はパッド２３と接続されてい
る。この線路２１、スタブ２０、直流引き出し線２２、
パッド２３は整流された直流を取り出すためのものであ
る。Similarly, a stub 20 is formed on the upper surface of the line forming substrate 7, and the stub 20 is connected to the microstrip line 12 by a line 21. A DC lead wire 22 extends from the tip of the line 21 on the stub 20 side, and the DC lead wire 22 is connected to a pad 23. The line 21, the stub 20, the DC lead wire 22,
The pad 23 is for taking out the rectified direct current.
【００３２】ここで、線路１７、２１はマイクロストリ
ップ線路９，１２より高インピーダンスとなっていて、
その幅が３５μｍｍで、長さが１．３ｍｍである。又、
スタブ１６，２０はマイクロストリップ線路９，１２よ
り低インピーダンスとなっていて、その幅が６００μｍ
で、長さが１．３ｍｍである。Here, the lines 17 and 21 have higher impedance than the microstrip lines 9 and 12,
Its width is 35 μmm and its length is 1.3 mm. or,
The stubs 16 and 20 have lower impedance than the microstrip lines 9 and 12, and their width is 600 μm.
And the length is 1.3 mm.
【００３３】又、この線路１７とスタブ１６とにより中
心周波数２１ＧＨｚの高周波フィルタが形成されるとと
もに、線路２１とスタブ２０とにより中心周波数２１Ｇ
Ｈｚの高周波フィルタが形成されている。そして、この
２つのフィルタにより高周波は当該フィルタ形成領域を
通過することができず、整流された直流のみが、線路１
７とスタブ１６の接続部、および、線路２１とスタブ２
０の接続部から直流引き出し線１８、２２を介してパッ
ド１９、２３から取り出すことができる。直流引き出し
線１８、２２の幅は３５μｍｍで長さは任意であるが、
本実施例では３ｍｍ程度とした。又、パッド１９，２３
の大きさは任意であるが、本実施例では縦１ｍｍ、横
０．８ｍｍとした。A high frequency filter having a center frequency of 21 GHz is formed by the line 17 and the stub 16, and a center frequency of 21 G is formed by the line 21 and the stub 20.
A high frequency filter of Hz is formed. Then, due to these two filters, high frequencies cannot pass through the filter forming region, and only the rectified direct current is transmitted to the line 1
7 and the connection of the stub 16, and the line 21 and the stub 2
It is possible to take out from the pads 19 and 23 from the connection portion of 0 through the DC lead lines 18 and 22. The width of the DC lead wires 18 and 22 is 35 μmm and the length is arbitrary,
In this embodiment, it is about 3 mm. Also, the pads 19, 23
The size is arbitrary, but in this embodiment, the length is 1 mm and the width is 0.8 mm.
【００３４】パッド１９とパッド２３にはアクチュエー
タ等の所望の負荷２４の端子が接続されている。線路
９，１２，１７，２１、スタブ１３，１４，１６，２０
はＡｕよりなり、膜厚は３μｍである。又、直流引出し
のための線１８，２２、パッド１９，２０もＡｕよりな
り、膜厚は３μｍである。A terminal of a desired load 24 such as an actuator is connected to the pads 19 and 23. Lines 9, 12, 17, 21, stubs 13, 14, 16, 20
Is Au and has a film thickness of 3 μm. The wires 18 and 22 for drawing out the direct current and the pads 19 and 20 are also made of Au and have a film thickness of 3 μm.
【００３５】基板４〜８の裏面にはＣｕ膜等の金属膜２
５が形成されている。金属膜２５の厚さ（Ｃｕの膜厚）
は５μｍである。真鍮製の基板ホルダ２と基板４〜８と
は、基板４〜８の裏面の金属膜２５およびＡｇペースト
にて電気的にも物理的にも接合されており、基板ホルダ
２を接地することによって基板４〜８の裏面の金属膜２
５が接地される。尚、この真鍮性基板ホルダ２と基板
４，６，７との接合は半田付けにより行ってもよい。基
板５，８はスタブ調整完了後に最適な長さのスタブを持
つ基板を半田付けによりホルダ２に接合してもよい。A metal film 2 such as a Cu film is formed on the back surfaces of the substrates 4 to 8.
5 is formed. Thickness of metal film 25 (Cu film thickness)
Is 5 μm. The brass substrate holder 2 and the substrates 4 to 8 are electrically and physically joined by the metal film 25 on the back surface of the substrates 4 to 8 and Ag paste, and the substrate holder 2 is grounded. Metal film 2 on the back surface of substrates 4 to 8
5 is grounded. The brass substrate holder 2 and the substrates 4, 6, 7 may be joined by soldering. After the stub adjustment is completed, the substrates 5 and 8 may be joined to the holder 2 by soldering substrates having stubs having an optimum length.
【００３６】オープンスタブ１３と線路１７の間隔は
１．３ｍｍであり、線路１７と高周波ダイオード３の距
離、および高周波ダイオード３と線路２１の距離はそれ
ぞれ１ｍｍである。線路形成基板４は縦が６ｍｍで、横
が２．５ｍｍであり、スタブ基板５は縦が６ｍｍで横が
１ｍｍ、線路形成基板６は縦が６ｍｍで横が２ｍｍ、線
路形成基板７は縦が６ｍｍで横が１ｍｍ、スタブ基板８
は縦が６ｍｍで横が４ｍｍである。本実施例の回路全体
では縦が７ｍｍで横が１２．５ｍｍである。The distance between the open stub 13 and the line 17 is 1.3 mm, and the distance between the line 17 and the high frequency diode 3 and the distance between the high frequency diode 3 and the line 21 are 1 mm. The line forming substrate 4 has a length of 6 mm and a width of 2.5 mm. The stub substrate 5 has a length of 6 mm and a width of 1 mm. The line forming substrate 6 has a length of 6 mm and a width of 2 mm. 6 mm, 1 mm wide, stub board 8
Has a length of 6 mm and a width of 4 mm. The entire circuit of this embodiment has a length of 7 mm and a width of 12.5 mm.
【００３７】オープンスタブ１３が形成されたスタブ基
板５は、オープンスタブ１３の長さＬ１の異なるものが
多数用意されている。つまり、図３に示すように、オー
プンスタブ１３の長さＬ１がＬ１ａのスタブ基板５ａ、
Ｌ１ｂのスタブ基板５ｂ、・・・、Ｌ１ｉのスタブ基板
５ｉが用意されている。又、オープンスタブ１４が形成
されたスタブ基板８は、オープンスタブ１４の長さＬ２
の異なるものが多数用意されている。そして、スタブ基
板５，８を付け替えることによってインピーダンスの整
合調整が行われ、そのうちの最適長さＬ１，Ｌ２となっ
た基板が配置されている。As the stub substrate 5 on which the open stubs 13 are formed, a large number of stubs having different lengths L1 of the open stubs 13 are prepared. That is, as shown in FIG. 3, the length S1 of the open stub 13 is L1a, and the stub substrate 5a,
L1b stub boards 5b, ..., L1i stub boards 5i are prepared. Further, the stub substrate 8 on which the open stub 14 is formed has a length L2 of the open stub 14.
There are many different ones. Then, impedance matching adjustment is performed by replacing the stub substrates 5 and 8, and the substrates having the optimum lengths L1 and L2 are arranged.
【００３８】又、オープンスタブ１３，１４が形成され
たスタブ基板５，８をアルミナに代えてＧａＡｓ（誘電
率：１３）を用いた場合、スタブの長さは１０％、幅は
２０％小さくできる。つまり、スタブ基板と線路形成基
板における材質（誘電率）と厚さの少なくともいずれか
一方を変えることによって、スタブの全長、幅を変える
ことができる。If GaAs (dielectric constant: 13) is used instead of alumina for the stub substrates 5 and 8 on which the open stubs 13 and 14 are formed, the stub length can be reduced by 10% and the width can be reduced by 20%. . That is, the total length and width of the stub can be changed by changing at least one of the material (dielectric constant) and thickness of the stub substrate and the line forming substrate.
【００３９】次に、インピーダンスの整合調整の方法を
詳細に説明する。まず、基板ホルダ２の上に高周波ダイ
オード３と線路形成基板４，６，７とスタブ基板５，８
を図１に示すように当接した状態にて固定する。そし
て、オープンスタブ１３の長さＬ１が「０」であるスタ
ブ基板５を用意し、そのスタブ基板５を取り付けた状態
でオープンスタブ１４の長さＬ２の最適化する。つま
り、オープンスタブ１４の長さＬ２を適当に選びその長
さを有するスタブ基板８を取り付ける。又、前記負荷２
４の前後に電圧計を取り付ける。そして、所望の周波数
の高周波（本実施例では２１ＧＨｚ）を図２の左側から
マイクロストリップ線路９に入射する。このときの電圧
計の示す値を読む。Next, a method of impedance matching adjustment will be described in detail. First, the high frequency diode 3, the line forming substrates 4, 6 and 7 and the stub substrates 5 and 8 are provided on the substrate holder 2.
Are fixed in a contact state as shown in FIG. Then, the stub substrate 5 in which the length L1 of the open stub 13 is “0” is prepared, and the length L2 of the open stub 14 is optimized with the stub substrate 5 attached. That is, the length L2 of the open stub 14 is appropriately selected and the stub substrate 8 having that length is attached. Also, the load 2
Attach voltmeters before and after 4. Then, a high frequency wave having a desired frequency (21 GHz in this embodiment) is incident on the microstrip line 9 from the left side of FIG. Read the value indicated by the voltmeter at this time.
【００４０】次に、他のオープンスタブ１４の長さＬ２
となっているスタブ基板８を取り替える。そして、所望
の周波数の高周波（２１ＧＨｚ）をマイクロストリップ
線路９に入射してこのときの電圧計の示す値を読む。こ
れを繰り返して電圧計の示す値が最高になるオープンス
タブ１４の長さＬ２を選ぶ。電圧計の示す値が最高にな
るオープンスタブ１４の長さＬ２が最適なスタブ長であ
る。Next, the length L2 of the other open stub 14
The stub board 8 which has become is replaced. Then, a high frequency (21 GHz) having a desired frequency is incident on the microstrip line 9 and the value indicated by the voltmeter at this time is read. By repeating this, the length L2 of the open stub 14 that maximizes the value indicated by the voltmeter is selected. The length L2 of the open stub 14 at which the value indicated by the voltmeter is the highest is the optimum stub length.
【００４１】次に、オープンスタブ１３の長さＬ１の最
適化を行う。まず、オープンスタブ１４の長さＬ２とし
て先に決定した最適な値を持つスタブ基板８を取り付け
た状態でオープンスタブ１３の長さＬ１を最適化する。
つまり、オープンスタブ１３の長さＬ１を適当に選びそ
の長さを有するスタブ基板５を取り付けるとともに、前
記負荷２４の前後に電圧計を取り付ける。そして、所望
の周波数の高周波（２１ＧＨｚ）をマイクロストリップ
線路９に入射し、このときの電圧計の示す値を読む。引
き続き、他のオープンスタブ１３の長さＬ１となってい
るスタブ基板５を取り替え、所望の周波数の高周波（２
１ＧＨｚ）をマイクロストリップ線路９に入射してこの
ときの電圧計の示す値を読む。これを繰り返して電圧計
の示す値が最高になるオープンスタブ１３の長さＬ１を
選ぶ。電圧計の示す値が最高になるオープンスタブ１３
の長さＬ１が最適なスタブ長である。Next, the length L1 of the open stub 13 is optimized. First, the length L1 of the open stub 13 is optimized with the stub substrate 8 having the optimum value previously determined as the length L2 of the open stub 14 attached.
That is, the length L1 of the open stub 13 is appropriately selected, the stub substrate 5 having the length is attached, and a voltmeter is attached before and after the load 24. Then, a high frequency (21 GHz) having a desired frequency is made incident on the microstrip line 9, and the value indicated by the voltmeter at this time is read. Subsequently, the stub substrate 5 having the length L1 of the other open stub 13 is replaced, and a high frequency (2
1 GHz) is incident on the microstrip line 9 and the value indicated by the voltmeter at this time is read. By repeating this, the length L1 of the open stub 13 that maximizes the value indicated by the voltmeter is selected. Open stub 13 with the highest voltmeter reading
L1 is the optimum stub length.
【００４２】尚、電気的接続に金リボン１０，１１，１
５を用いることにより接続部のインピーダンスは再現性
よく繋ぐことができるので、スタブ基板５，８の付け替
えによるインピーダンスの変化は無視できる。The gold ribbons 10, 11, 1 are used for electrical connection.
Since the impedance of the connection portion can be connected with good reproducibility by using 5, the change in the impedance due to the replacement of the stub boards 5 and 8 can be ignored.
【００４３】ここで、基板４〜８の接続は超音波熱圧着
法等によって金ワイヤーで行ってもよい。ただし、スタ
ブ基板５，８の付け替えによるインピーダンス変化に注
意を要する。Here, the substrates 4 to 8 may be connected with a gold wire by an ultrasonic thermocompression bonding method or the like. However, attention must be paid to the impedance change due to the replacement of the stub boards 5 and 8.
【００４４】このようにして高周波回路の整合調整を行
うことができる。次に、このように調整が終わった整流
回路の動作について説明する。高周波ダイオード３の向
きを図２において右向き（左がアノード、右がカソード
となるよう) に配置した場合について説明する。マイク
ロストリップ線路９に沿って図１の左から右へ高周波は
伝搬してくる。In this way, the matching adjustment of the high frequency circuit can be performed. Next, the operation of the rectifier circuit thus adjusted will be described. The case where the high-frequency diode 3 is arranged rightward in FIG. 2 (the left is the anode and the right is the cathode) will be described. A high frequency wave propagates along the microstrip line 9 from left to right in FIG.
【００４５】この高周波が生む電場によって高周波ダイ
オード３の右側に対して左側の電位が高くなったとき、
高周波ダイオード３に順方向のバイアスが掛かったこと
になり電流は高周波ダイオード３を通過し、負荷２４で
消費される。逆に、回路の左側の電位が低くなった時、
高周波ダイオード３に逆バイアスが掛かったことになり
電流は高周波ダイオード３を通過することができない。
即ち、この回路に接続された負荷２４には電流は右から
左にのみ流れることになる。このようにして整流動作が
行われる。When the electric potential generated on the left side of the high frequency diode 3 becomes higher than that on the right side of the high frequency diode 3 by the electric field generated by the high frequency,
Since the forward bias is applied to the high frequency diode 3, the current passes through the high frequency diode 3 and is consumed by the load 24. Conversely, when the potential on the left side of the circuit becomes low,
Since the high frequency diode 3 is reverse-biased, the current cannot pass through the high frequency diode 3.
That is, the current flows through the load 24 connected to this circuit only from right to left. In this way, the rectifying operation is performed.
【００４６】このように本実施例では、ハイブリッド回
路基板を分割し、スタブを含む部分を基板ごと取り替え
ることによりインピーダンス整合調整を行うようにし
た。つまり、スタブ特性、即ち、スタブ長の異なる複数
のスタブ基板５，８をそれぞれ用意し、線路形成基板
４，６，７を基板ホルダ２上に配置した状態で、任意の
スタブ基板５，８を、線路形成基板４，６，７に当接し
た状態で基板ホルダ２上に配置して、インピーダンス調
整が行われる。よって、周波数が高くなってスタブ長を
細かく変化させなければならなくなっても、スタブ長を
細かく変化させたスタブ基板を多種製作しておき、これ
を付け替えることによって精度良い整合調整が可能とな
る。又、「スタブ基板を付け替える」という方法をとる
ことによって整合調整を行うため２方向の調整、即ちス
タブ長を短くする方向と長くする方向の調整が可能とな
り、効率が最大となる点を容易に得ることができる。
又、スタブ基板５，８を線路形成基板４，６，７に当接
した状態で配置しているので、高精度に位置決めでき
る。さらに、基板ごとスタブを取り替えるために再現性
のよい調整が可能となる。As described above, in this embodiment, the impedance matching adjustment is performed by dividing the hybrid circuit board and replacing the part including the stub with the board. That is, a plurality of stub substrates 5 and 8 having different stub characteristics, that is, stub lengths are prepared respectively, and in a state where the line forming substrates 4, 6 and 7 are arranged on the substrate holder 2, an arbitrary stub substrate 5 or 8 is formed. , Is placed on the substrate holder 2 in a state of being in contact with the line forming substrates 4, 6, 7 and impedance adjustment is performed. Therefore, even if the frequency becomes high and the stub length has to be finely changed, various stub substrates having finely changed stub lengths may be manufactured, and the stub substrates may be replaced with each other to perform accurate matching adjustment. Further, since the adjustment is performed by adopting the method of "replacement of the stub board", the adjustment in two directions, that is, the adjustment in the direction of shortening the stub length and the adjustment in the direction of increasing the stub length, can be easily performed, and the point of maximizing the efficiency can be easily achieved. Obtainable.
Further, since the stub boards 5 and 8 are arranged in contact with the line forming boards 4, 6 and 7, the positioning can be performed with high accuracy. Furthermore, since the stubs are replaced together with the substrate, adjustment with good reproducibility is possible.
【００４７】又、スタブ基板５はマイクロストリップ線
路９の一部９ｂを含むものとしたので、そのマイクロス
トリップ線路９の一部９ｂからスタブ１３を延設して、
スタブ長を非常に短くすることができる。Since the stub substrate 5 includes the part 9b of the microstrip line 9, the stub 13 is extended from the part 9b of the microstrip line 9.
The stub length can be very short.
【００４８】又、スタブ基板５，８は線路形成基板４，
６，７とは、材質（誘電率）、板厚が同一であるので、
スタブ基板５，８は線路形成基板４，６，７と同一の基
板で製作でき、容易に低コストで製作できる。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。The stub boards 5 and 8 are line forming boards 4 and
Since 6 and 7 have the same material (dielectric constant) and plate thickness,
The stub boards 5 and 8 can be manufactured using the same boards as the line forming boards 4, 6 and 7, and can be easily manufactured at low cost. (Second Embodiment) Next, the second embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.
【００４９】前記実施例では、スタブ長の異なる基板を
予め用意しておき、各基板を差し替えることによりイン
ピーダンス整合を行ったが、ダイオードからの距離が異
なるスタブを有する基板を予め用意しておき、各基板を
差し替えることによりインピーダンス整合を行ってもよ
い。つまり、図４に示すように、幅は同一であるがスタ
ブ１３の位置が異なるスタブ基板２６ａ，２６ｂ・・・
２６ｉを用意し（図４では基板の右側面からの距離Ｈが
異なっている）、この基板を差し替えていってもよい。 （第３実施例）次に、第３実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。In the above embodiment, substrates having different stub lengths were prepared in advance, and impedance matching was performed by replacing each substrate. However, substrates having stubs having different distances from the diodes were prepared in advance, Impedance matching may be performed by replacing each substrate. That is, as shown in FIG. 4, the stub boards 26a, 26b ...
26i may be prepared (the distance H from the right side surface of the substrate is different in FIG. 4) and this substrate may be replaced. (Third Embodiment) Next, the third embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.
【００５０】前記第１実施例では、スタブ長の異なる基
板を予め用意しておき、各基板を差し替えることにより
インピーダンス整合を行ったが、誘電率の異なる材料か
らなる基板を予め用意しておき、各基板を差し替えるこ
とによりインピーダンス整合を行ってもよい。即ち、図
５に示すように、スタブの長さおよび位置が同一である
が、材料の異なるスタブ基板２７ａ，２７ｂ・・・２７
ｉを用意し、この基板を差し替えていってもよい。In the first embodiment, substrates having different stub lengths were prepared in advance, and impedance matching was performed by replacing each substrate. However, substrates made of materials having different dielectric constants were prepared in advance. Impedance matching may be performed by replacing each substrate. That is, as shown in FIG. 5, stub substrates 27a, 27b, ... 27 having the same stub length and position but different materials are used.
i may be prepared and this substrate may be replaced.
【００５１】この発明の他の態様としては、上記実施例
においては高周波伝送線路およびスタブはマイクロスト
リップ型としたが、高周波伝送線路およびスタブはユニ
プレーナ型としてもよい。In another embodiment of the present invention, the high frequency transmission line and the stub are of the microstrip type in the above embodiment, but the high frequency transmission line and the stub may be of the uniplanar type.
【００５２】又、上記実施例では高周波整流回路の最適
化について述べたが、上記実施例に限らず様々な高周波
回路の整合調整に適用するようにしてもよい。Further, in the above embodiment, the optimization of the high frequency rectifier circuit is described, but the present invention is not limited to the above embodiment and may be applied to the matching adjustment of various high frequency circuits.
【００５３】[0053]
【発明の効果】以上詳述したように請求項１に記載の発
明によれば、スタブ長を短くする方向と長くする方向の
調整や高精度な調整が行われた高周波回路とすることが
できる。As described in detail above, according to the invention described in claim 1, it is possible to provide a high-frequency circuit which is adjusted in a direction in which the stub length is shortened and in a direction in which the stub length is increased and which is highly accurately adjusted. .
【００５４】請求項２，３，４，５に記載の発明によれ
ば、高精度で、スタブ長を短くする方向と長くする方向
の調整を行うことができる。請求項６に記載の発明によ
れば、請求項２に記載の発明の効果に加え、スタブ長が
非常に短い場合も容易に適用できる。According to the invention described in claims 2, 3, 4, and 5, it is possible to perform the adjustment in the direction of shortening the stub length and the direction of increasing the stub length with high accuracy. According to the invention described in claim 6, in addition to the effect of the invention described in claim 2, it can be easily applied even when the stub length is very short.
【００５５】請求項７に記載の発明によれば、請求項２
に記載の発明の効果に加え、容易に低コストで製作でき
る。According to the invention of claim 7, claim 2
In addition to the effects of the invention described in (1), it can be easily manufactured at low cost.
【図１】 第１実施例の高周波回路の斜視図。FIG. 1 is a perspective view of a high frequency circuit according to a first embodiment.
【図２】 高周波回路の平面図。FIG. 2 is a plan view of a high frequency circuit.
【図３】 スタブ基板の斜視図。FIG. 3 is a perspective view of a stub substrate.
【図４】 第２実施例におけるスタブ基板の斜視図。FIG. 4 is a perspective view of a stub board according to a second embodiment.
【図５】 第３実施例におけるスタブ基板の斜視図。FIG. 5 is a perspective view of a stub board according to a third embodiment.
【図６】 従来の技術を示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing a conventional technique.
２…基板ホルダ、４…線路形成基板、５…スタブ基板、
６…線路形成基板、７…線路形成基板、８…スタブ基
板、９…マイクロストリップ線路、１２…マイクロスト
リップ線路、１３…オープンスタブ、１４…オープンス
タブ2 ... Substrate holder, 4 ... Line forming substrate, 5 ... Stub substrate,
6 ... Line forming substrate, 7 ... Line forming substrate, 8 ... Stub substrate, 9 ... Microstrip line, 12 ... Microstrip line, 13 ... Open stub, 14 ... Open stub
Claims (7)
路形成基板と、 所望のスタブ特性を有し、前記基台上において前記線路
形成基板に当接した状態で同基台上に配置されたスタブ
基板とを備えたことを特徴とする高周波回路。1. A base, a line forming substrate arranged on the base and having a high-frequency transmission line formed thereon, having desired stub characteristics, and contacting the line forming substrate on the base. A high-frequency circuit, comprising: a stub substrate arranged on the same base in a state.
用意し、高周波伝送線路が形成された線路形成基板を基
台上に配置した状態で、前記複数のスタブ基板のうちの
任意のスタブ基板を前記線路形成基板に当接した状態で
基台上に配置してインピーダンス調整を行うようにした
ことを特徴とする高周波回路のインピーダンス調整方
法。2. A plurality of stub substrates having different stub characteristics are prepared, and any stub substrate among the plurality of stub substrates is placed in a state where a line forming substrate having a high-frequency transmission line is arranged on a base. An impedance adjusting method for a high-frequency circuit, comprising: arranging on a base in a state of being in contact with the line forming substrate to perform impedance adjustment.
特性を異ならせた請求項２に記載の高周波回路のインピ
ーダンス調整方法。3. The impedance adjusting method for a high frequency circuit according to claim 2, wherein the stub characteristics are made different by making the stub length different.
タブ特性を異ならせた請求項２に記載の高周波回路のイ
ンピーダンス調整方法。4. The impedance adjusting method for a high frequency circuit according to claim 2, wherein the stub characteristics are changed by changing the position of the stub.
よりスタブ特性を異ならせた請求項２に記載の高周波回
路のインピーダンス調整方法。5. The impedance adjusting method for a high frequency circuit according to claim 2, wherein the stub characteristics are made different by making the dielectric constants of the stub substrates different.
むものである請求項２に記載の高周波回路のインピーダ
ンス調整方法。6. The impedance adjusting method for a high frequency circuit according to claim 2, wherein the stub substrate includes a part of the high frequency transmission line.
が同一である請求項２に記載の高周波回路のインピーダ
ンス調整方法。7. The impedance adjusting method for a high frequency circuit according to claim 2, wherein the stub substrate is made of the same material and has the same thickness as the line forming substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7050051A JPH08250910A (en) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | High frequency circuit and impedance adjustment method for the high frequency circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7050051A JPH08250910A (en) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | High frequency circuit and impedance adjustment method for the high frequency circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250910A true JPH08250910A (en) | 1996-09-27 |
Family
ID=12848203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7050051A Pending JPH08250910A (en) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | High frequency circuit and impedance adjustment method for the high frequency circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08250910A (en) |
-
1995
- 1995-03-09 JP JP7050051A patent/JPH08250910A/en active Pending
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