JPH08249726A - 多層の光ディスク - Google Patents
多層の光ディスクInfo
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- JPH08249726A JPH08249726A JP7284097A JP28409795A JPH08249726A JP H08249726 A JPH08249726 A JP H08249726A JP 7284097 A JP7284097 A JP 7284097A JP 28409795 A JP28409795 A JP 28409795A JP H08249726 A JPH08249726 A JP H08249726A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24035—Recording layers
- G11B7/24038—Multiple laminated recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な光記録／再生装置を使用して高密度情
報の記録／再生が出来る複数の光記録層を有する多層の
光ディスクを提供する。 【解決手段】 光ピックアップ装置のレーザビームが光
ディスクの上部から入射する場合、この光ディスクは上
部から、下部に所定パターンの第１記録層の形成された
保護層、上記レーザビームが所定の反射率で一部反射・
一部透過されるコーティング層、下部に所定パターンの
第２記録層の形成された誘電体層、及び上記レーザビー
ムを全反射させる反射層が逐次積層形成される。第１及
び第２記録層の間に所定の反射率を有するコーティング
層を形成することで、コーティング層から反射した第１
記録層の情報を有するレーザビームの光量に比べてコー
ティング層を透過した後反射層で反射された第２記録層
の情報を有するレーザビームの光量の方がより少なくな
る。このような各記録層間の光量の差異は光ピックアッ
プ装置のフォトディテクターによって検出されたＲＦ信
号の大きさを変化させて各記録層が区別され記録／再生
が出来るようになる。
報の記録／再生が出来る複数の光記録層を有する多層の
光ディスクを提供する。 【解決手段】 光ピックアップ装置のレーザビームが光
ディスクの上部から入射する場合、この光ディスクは上
部から、下部に所定パターンの第１記録層の形成された
保護層、上記レーザビームが所定の反射率で一部反射・
一部透過されるコーティング層、下部に所定パターンの
第２記録層の形成された誘電体層、及び上記レーザビー
ムを全反射させる反射層が逐次積層形成される。第１及
び第２記録層の間に所定の反射率を有するコーティング
層を形成することで、コーティング層から反射した第１
記録層の情報を有するレーザビームの光量に比べてコー
ティング層を透過した後反射層で反射された第２記録層
の情報を有するレーザビームの光量の方がより少なくな
る。このような各記録層間の光量の差異は光ピックアッ
プ装置のフォトディテクターによって検出されたＲＦ信
号の大きさを変化させて各記録層が区別され記録／再生
が出来るようになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層の光ディスクに
関し、より詳細には、簡単な光記録／再生装置に使用し
て、高密度の情報を記録／再生し得る、複数の光記録層
を有する多層の光ディスクに関するものである。
関し、より詳細には、簡単な光記録／再生装置に使用し
て、高密度の情報を記録／再生し得る、複数の光記録層
を有する多層の光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、光学カード及びディスクのような
形態の光学記録媒体としては通常コンパクトディスク及
びレーザディスク等のような光ディスクが広く市販され
ている。このような光学データ媒体は、ＣＤの小型化、
又はビデオディスクと兼用可能なＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ
Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の記録
を可能にするために高データ密度である必要がある。
形態の光学記録媒体としては通常コンパクトディスク及
びレーザディスク等のような光ディスクが広く市販され
ている。このような光学データ媒体は、ＣＤの小型化、
又はビデオディスクと兼用可能なＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ
Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の記録
を可能にするために高データ密度である必要がある。
【０００３】光学データ媒体が高データ密度であるため
の方法としては先ず、判読レーザがより細密なビーム直
径でフォーカシングする方法がある。しかし、レーザを
フォーカシングする対物レンズの口径寸法（ＮＡ：Ｎｕ
ｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）の実際可能な最大
値は約０．６である。レーザの波長を短くしても同様な
結果が得られるが、実際において半導体レーザの波長に
は限界がある。もう一つは、光学ディスク内でＶ溝を利
用して高密度を達成する方法であるが、これについては
Ｎａｇａｓｈｉｍａ等のＵＳＰ４、５６９、０３８（１
９８６.2 .４）に開示されている。
の方法としては先ず、判読レーザがより細密なビーム直
径でフォーカシングする方法がある。しかし、レーザを
フォーカシングする対物レンズの口径寸法（ＮＡ：Ｎｕ
ｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）の実際可能な最大
値は約０．６である。レーザの波長を短くしても同様な
結果が得られるが、実際において半導体レーザの波長に
は限界がある。もう一つは、光学ディスク内でＶ溝を利
用して高密度を達成する方法であるが、これについては
Ｎａｇａｓｈｉｍａ等のＵＳＰ４、５６９、０３８（１
９８６.2 .４）に開示されている。
【０００４】従来の技術を利用して光学ディスク上に記
録可能なデータの容量は次の通りである。３．５インチ
のカセットケースの中に入った光学ディスクの場合、デ
ィスクの直径は約８６ｍｍであり、データの貯蔵領域は
２５ｍｍ乃至４１ｍｍである。６７０ｎｍの波長を有す
るレーザがＮＡ０．５５の対物レンズに加えられたと想
定すれば、０．８μｍ（Ｖ溝のピッチが１．６μｍ）の
トラックピッチ、及び０．４７μｍのビット長さを有す
るフォーマットされていない一面の容量は１．１Ｇｂｙ
ｔｅｓである。基準ＣＤフォーマットを使用する場合、
一面のフォーマットされた容量は１２ｃｍのＣＤと同一
な５５０Ｍｂ程度である。
録可能なデータの容量は次の通りである。３．５インチ
のカセットケースの中に入った光学ディスクの場合、デ
ィスクの直径は約８６ｍｍであり、データの貯蔵領域は
２５ｍｍ乃至４１ｍｍである。６７０ｎｍの波長を有す
るレーザがＮＡ０．５５の対物レンズに加えられたと想
定すれば、０．８μｍ（Ｖ溝のピッチが１．６μｍ）の
トラックピッチ、及び０．４７μｍのビット長さを有す
るフォーマットされていない一面の容量は１．１Ｇｂｙ
ｔｅｓである。基準ＣＤフォーマットを使用する場合、
一面のフォーマットされた容量は１２ｃｍのＣＤと同一
な５５０Ｍｂ程度である。
【０００５】普通の印刷物として提供される情報が未来
にＣＤ−ＲＯＭまたは他の光学データ媒体上に提供され
る時には、情報の読み取りだけではなく、現在資料媒体
に記録可能なように、情報記録媒体に記録可能にするの
が必須かつ便利であろう。これを可能にする方法はディ
スクを読出し／書込み可能領域に分割する方法であり、
ここで記録層はディスクの内部領域に形成し、ディスク
の外部領域の金属反射層にはリードオンリーデータ領域
を形成する。しかし、このような方法は、リードオンリ
ーデータ領域を減少させるため、単一ディスク上に分布
され得る情報の量を制限する結果をもたらす。
にＣＤ−ＲＯＭまたは他の光学データ媒体上に提供され
る時には、情報の読み取りだけではなく、現在資料媒体
に記録可能なように、情報記録媒体に記録可能にするの
が必須かつ便利であろう。これを可能にする方法はディ
スクを読出し／書込み可能領域に分割する方法であり、
ここで記録層はディスクの内部領域に形成し、ディスク
の外部領域の金属反射層にはリードオンリーデータ領域
を形成する。しかし、このような方法は、リードオンリ
ーデータ領域を減少させるため、単一ディスク上に分布
され得る情報の量を制限する結果をもたらす。
【０００６】上記のように、光学ディスク及び光学カー
ド等のような光学媒体は小型かつ高容量のものが要求さ
れる。上述のように、光ディスク等のような光学媒体の
単位面積当たりの情報密度を向上するために、両面に記
録層を有する両面光ディスク及び複数のデータ記録層を
有する多層の光ディスク等が開発されている。
ド等のような光学媒体は小型かつ高容量のものが要求さ
れる。上述のように、光ディスク等のような光学媒体の
単位面積当たりの情報密度を向上するために、両面に記
録層を有する両面光ディスク及び複数のデータ記録層を
有する多層の光ディスク等が開発されている。
【０００７】例えば、Ｔａｋａｈａｒａ ｅｔ ａｌ．
のアメリカ特許第４、８３９、８８１号（１９８９.6 .
１３）には両面に記録層を有する両面光ディスク及びこ
の両面光ディスクの上、下面に沿って光ピックアップを
移動させながら記録／再生を実行するＵ字型ガイドアセ
ンブリーを有する光ピックアップ移送装置に関して記載
されている。
のアメリカ特許第４、８３９、８８１号（１９８９.6 .
１３）には両面に記録層を有する両面光ディスク及びこ
の両面光ディスクの上、下面に沿って光ピックアップを
移動させながら記録／再生を実行するＵ字型ガイドアセ
ンブリーを有する光ピックアップ移送装置に関して記載
されている。
【０００８】しかし、このようなＵ字型ガイドアセンブ
リーを有する光ピックアップ移送装置は構造面において
複雑であるので、製品の小型化が困難であり、また製品
のコスト上昇をもたらすとの問題点がある。又、日本国
特願昭５９−２２８７４３号の日本国特開昭６１−１０
７５５２号（１９８６.5 .２６）公報には複数の磁気光
学記録層を有する磁気光学ディスクについて記載されて
いる。この磁気光学ディスクによれば、それぞれの磁気
光学記録層からの情報が記録及び再生され、これによっ
てディスクの単位面積当たりの記録可能な情報の密度が
著しく増加するようになる。
リーを有する光ピックアップ移送装置は構造面において
複雑であるので、製品の小型化が困難であり、また製品
のコスト上昇をもたらすとの問題点がある。又、日本国
特願昭５９−２２８７４３号の日本国特開昭６１−１０
７５５２号（１９８６.5 .２６）公報には複数の磁気光
学記録層を有する磁気光学ディスクについて記載されて
いる。この磁気光学ディスクによれば、それぞれの磁気
光学記録層からの情報が記録及び再生され、これによっ
てディスクの単位面積当たりの記録可能な情報の密度が
著しく増加するようになる。
【０００９】しかし、上記のように複数の記録層を有す
る通常の光学ディスクはそれぞれの記録層から記録され
た情報を読み取るためにそれぞれ異なる波長を有するレ
ーザビームを発生するレーザ光源を必要とする。又、上
記通常のディスクは各々の記録層によって反射された互
いに異なる波長のレーザビームに適切な複数のディテク
ターを必要とするので、情報は互いに異なる波長を有す
る反射ビームのＫｅｒｒ回転角の変化に基づいて判読さ
れる。従って、この通常の情報判読又は再生装置は構成
面において複雑かつ高価なものとなる。
る通常の光学ディスクはそれぞれの記録層から記録され
た情報を読み取るためにそれぞれ異なる波長を有するレ
ーザビームを発生するレーザ光源を必要とする。又、上
記通常のディスクは各々の記録層によって反射された互
いに異なる波長のレーザビームに適切な複数のディテク
ターを必要とするので、情報は互いに異なる波長を有す
る反射ビームのＫｅｒｒ回転角の変化に基づいて判読さ
れる。従って、この通常の情報判読又は再生装置は構成
面において複雑かつ高価なものとなる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、簡単
な光記録／再生装置を使用して、高密度の情報を記録／
再生し得る、複数の光記録層を有する多層の光ディスク
を提供することにある。
な光記録／再生装置を使用して、高密度の情報を記録／
再生し得る、複数の光記録層を有する多層の光ディスク
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、光ピックアップ装置で発生する所定波長
のレーザビームを利用して記録／再生が実行する多層の
光ディスクにおいて、上記レーザビームがディスクの上
部から入射する場合、上部から、保護層；上記保護層の
下部に形成された所定パターンの第１記録層；上記レー
ザビームが所定の反射率で一部反射・一部透過されるコ
ーティング層；誘電体層；該誘電体層の下部に形成され
た所定パターンの第２記録層；及び上記レーザビームを
全反射させる反射層；を逐次積層形成することによっ
て、上記光ピックアップ装置に反射されたレーザビーム
の光量の差異に依って上記複数の記録層の情報をそれぞ
れ記録／再生する多層の光ディスクを提供する。
めに本発明は、光ピックアップ装置で発生する所定波長
のレーザビームを利用して記録／再生が実行する多層の
光ディスクにおいて、上記レーザビームがディスクの上
部から入射する場合、上部から、保護層；上記保護層の
下部に形成された所定パターンの第１記録層；上記レー
ザビームが所定の反射率で一部反射・一部透過されるコ
ーティング層；誘電体層；該誘電体層の下部に形成され
た所定パターンの第２記録層；及び上記レーザビームを
全反射させる反射層；を逐次積層形成することによっ
て、上記光ピックアップ装置に反射されたレーザビーム
の光量の差異に依って上記複数の記録層の情報をそれぞ
れ記録／再生する多層の光ディスクを提供する。
【００１２】又、上記多層の光ディスクは、上記レーザ
ビームがディスクの上部から入射する場合、上記第２記
録層の下部と反射層との間に、上部から、レーザビーム
が所定の反射率で一部反射・一部透過されるコーティン
グ層；誘電体層；該誘電体層の下部に形成された所定パ
ターンの記録層；を数回繰り返し積層形成する。
ビームがディスクの上部から入射する場合、上記第２記
録層の下部と反射層との間に、上部から、レーザビーム
が所定の反射率で一部反射・一部透過されるコーティン
グ層；誘電体層；該誘電体層の下部に形成された所定パ
ターンの記録層；を数回繰り返し積層形成する。
【００１３】又、上記の目的を達成するために本発明
は、光ピックアップ装置の互いに異なる波長を有する第
１及び第２レーザビームを利用して記録／再生が実行さ
れる多層の光ディスクにおいて、上記第１又は第２レー
ザビームがディスクの上部から入射する場合、上部か
ら、保護層；該保護層の下部に形成された所定パターン
の第１記録層；上記第１レーザビームは所定の反射率で
一部反射・一部透過され、上記第２レーザビームは全透
過される第１コーティング層；第１誘電体層；該第１誘
電体層の下部に形成された所定パターンの第２記録層；
上記第２レーザビームが所定の反射率で一部反射・一部
透過され、上記第１レーザビームは全透過される第２コ
ーティング層；第２誘電体層；該第２誘電体層の下部に
形成された所定パターンの第３記録層；上記第１レーザ
ビームは全反射させ、第２レーザビームは全透過させる
第１反射層；第３誘電体層；該第３誘電体層の下部に形
成された所定パターンの第４記録層；上記第２レーザビ
ームを全反射させる第２反射層；を逐次積層形成するこ
とによって、上記反射されたレーザビームの光量の差異
に依って上記複数の記録層の情報をそれぞれ記録／再生
する多層の光ディスクを提供する。
は、光ピックアップ装置の互いに異なる波長を有する第
１及び第２レーザビームを利用して記録／再生が実行さ
れる多層の光ディスクにおいて、上記第１又は第２レー
ザビームがディスクの上部から入射する場合、上部か
ら、保護層；該保護層の下部に形成された所定パターン
の第１記録層；上記第１レーザビームは所定の反射率で
一部反射・一部透過され、上記第２レーザビームは全透
過される第１コーティング層；第１誘電体層；該第１誘
電体層の下部に形成された所定パターンの第２記録層；
上記第２レーザビームが所定の反射率で一部反射・一部
透過され、上記第１レーザビームは全透過される第２コ
ーティング層；第２誘電体層；該第２誘電体層の下部に
形成された所定パターンの第３記録層；上記第１レーザ
ビームは全反射させ、第２レーザビームは全透過させる
第１反射層；第３誘電体層；該第３誘電体層の下部に形
成された所定パターンの第４記録層；上記第２レーザビ
ームを全反射させる第２反射層；を逐次積層形成するこ
とによって、上記反射されたレーザビームの光量の差異
に依って上記複数の記録層の情報をそれぞれ記録／再生
する多層の光ディスクを提供する。
【００１４】又、上記多層の光ディスクは、上記第１又
は第２レーザビームがディスクの上部から入射する場
合、上記第３記録層の下部と第１反射層との間に、上部
から、第１レーザビームは所定の反射率で一部反射・一
部透過され、第２レーザビームは全透過されるコーティ
ング層；誘電体層；所定パターンの記録層；第２レーザ
ビームは所定の反射率で一部反射・一部透過され、第１
レーザビームは全透過されるコーティング層；他の誘電
体層；他の所定パターンの記録層；を逐次数回繰り返し
積層して形成する。
は第２レーザビームがディスクの上部から入射する場
合、上記第３記録層の下部と第１反射層との間に、上部
から、第１レーザビームは所定の反射率で一部反射・一
部透過され、第２レーザビームは全透過されるコーティ
ング層；誘電体層；所定パターンの記録層；第２レーザ
ビームは所定の反射率で一部反射・一部透過され、第１
レーザビームは全透過されるコーティング層；他の誘電
体層；他の所定パターンの記録層；を逐次数回繰り返し
積層して形成する。
【００１５】
【作用】上記のように、本発明による多層の光ディスク
によれば、多層の各記録層の間に所定反射率のコーティ
ング層を形成することによって、コーティング層から反
射された上部記録層の情報を有するレーザビームの光量
に比べてコーティング層を透過した下部記録層の情報を
有するレーザビームの光量の方がより少なくなる。この
ような各記録層間の光量の差異は光ピックアップ装置に
おいてフォトディテクターによって検出されたＲＦ信号
の大きさの変化を発生するため、このＲＦ信号の大きさ
に依って多層の光ディスクの各記録層を区別して記録及
び／又は再生を実行し得るようになる。
によれば、多層の各記録層の間に所定反射率のコーティ
ング層を形成することによって、コーティング層から反
射された上部記録層の情報を有するレーザビームの光量
に比べてコーティング層を透過した下部記録層の情報を
有するレーザビームの光量の方がより少なくなる。この
ような各記録層間の光量の差異は光ピックアップ装置に
おいてフォトディテクターによって検出されたＲＦ信号
の大きさの変化を発生するため、このＲＦ信号の大きさ
に依って多層の光ディスクの各記録層を区別して記録及
び／又は再生を実行し得るようになる。
【００１６】多層の光ディスクの各記録層の記録及び再
生が同一波長の単一レーザ光源によって行われ、また各
記録層に対応する光量の大きさが互いに異なるという事
実に基づいて行われるので、各記録層間の間隔はディス
ク製作の際適宜に決定され、この間隔に対応するフォー
カシング方向への対物レンズの調整のみでもフォーカス
が制御されるので、ディスクの製作が簡単になる。
生が同一波長の単一レーザ光源によって行われ、また各
記録層に対応する光量の大きさが互いに異なるという事
実に基づいて行われるので、各記録層間の間隔はディス
ク製作の際適宜に決定され、この間隔に対応するフォー
カシング方向への対物レンズの調整のみでもフォーカス
が制御されるので、ディスクの製作が簡単になる。
【００１７】従って、本発明による多層の光ディスク
は、従来の簡単な光記録／再生装置を大きく変えること
なく情報の記録／再生が出来、同時に高密度情報の記録
／再生が出来るとの利点がある。
は、従来の簡単な光記録／再生装置を大きく変えること
なく情報の記録／再生が出来、同時に高密度情報の記録
／再生が出来るとの利点がある。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の多層の光ディスクを詳細に説明する。実施例１ 図１は本発明の実施例１による多層の光ディスクの概略
断面図である。図１に示すように、本発明の実施例１に
よる光ディスク１０は、ディスク１０の上部から、下面
に所定パターンの第１記録層１１０の形成された保護層
１０１が形成され、上記第１記録層１１０の下部には所
定波長（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）のレーザビーム
が０．５の反射率で半反射半透過されるコーティング層
１１２が形成される。このコーティング層１１２の下部
には、下面に所定パターンの第２記録層１２０の形成さ
れた誘電体層１１１が形成され、この下部には上記レー
ザビームを全反射させる反射層１２１が逐次積層され
る。
の多層の光ディスクを詳細に説明する。実施例１ 図１は本発明の実施例１による多層の光ディスクの概略
断面図である。図１に示すように、本発明の実施例１に
よる光ディスク１０は、ディスク１０の上部から、下面
に所定パターンの第１記録層１１０の形成された保護層
１０１が形成され、上記第１記録層１１０の下部には所
定波長（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）のレーザビーム
が０．５の反射率で半反射半透過されるコーティング層
１１２が形成される。このコーティング層１１２の下部
には、下面に所定パターンの第２記録層１２０の形成さ
れた誘電体層１１１が形成され、この下部には上記レー
ザビームを全反射させる反射層１２１が逐次積層され
る。
【００１９】尚、第１記録層１１０と第２記録層１２０
との間の間隔はディスク製作の際適宜に設定され、その
間隔に対応する対物レンズのフォーカシング方向への調
整によって各記録層の再生が可能になる。第１記録層及
び第２記録層の各情報はディスクから反射されたレーザ
ビームの光量によって区別される。以下、本発明による
多層の光ディスクの動作を説明する。
との間の間隔はディスク製作の際適宜に設定され、その
間隔に対応する対物レンズのフォーカシング方向への調
整によって各記録層の再生が可能になる。第１記録層及
び第２記録層の各情報はディスクから反射されたレーザ
ビームの光量によって区別される。以下、本発明による
多層の光ディスクの動作を説明する。
【００２０】図１に示す光ディスク１０の上部にはこの
ディスクを記録及び／又は再生するための光ピックアッ
プ装置が配置される（図示せず）。この光ピックアップ
装置内のレーザダイオードから所定波長λ１（一般に７
８０〜８６０ｎｍ）のレーザビームが上記光ディスク１
０の上部に向かって照射される。このレーザビームは保
護層１０１及び第１記録層１１０を透過し、続いて反射
率０．５のコーティング層１１２を通過しながら上記ビ
ームの内１／２は透過され、残りの１／２は反射される
ようになる。
ディスクを記録及び／又は再生するための光ピックアッ
プ装置が配置される（図示せず）。この光ピックアップ
装置内のレーザダイオードから所定波長λ１（一般に７
８０〜８６０ｎｍ）のレーザビームが上記光ディスク１
０の上部に向かって照射される。このレーザビームは保
護層１０１及び第１記録層１１０を透過し、続いて反射
率０．５のコーティング層１１２を通過しながら上記ビ
ームの内１／２は透過され、残りの１／２は反射される
ようになる。
【００２１】ここで、反射された１／２のレーザビーム
は再び光ピックアップに帰還し、この光ピックアップで
はこのレーザビームから情報処理、フォーカシング又は
トラッキング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔまでの
デジタル信号）を検出して再生する。光ピックアップ内
のフォトディテクターによって検出された信号はＲＦ増
幅器を介して普通１Ｖ±０．２Ｖの電圧として再生され
る。
は再び光ピックアップに帰還し、この光ピックアップで
はこのレーザビームから情報処理、フォーカシング又は
トラッキング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔまでの
デジタル信号）を検出して再生する。光ピックアップ内
のフォトディテクターによって検出された信号はＲＦ増
幅器を介して普通１Ｖ±０．２Ｖの電圧として再生され
る。
【００２２】一方、透過された１／２のレーザビームは
続いて誘電体層１１１及び第２記録層１２０を透過し、
上記第２記録層１２０の下部の全反射層１２１で反射す
る。この反射ビームは上記第２記録層１２０及び誘電体
層を再び透過した後、上記反射率０．５のコーティング
層１１２を通過しながら上記反射ビームの内１／２は透
過され、残りの１／２は反射される。
続いて誘電体層１１１及び第２記録層１２０を透過し、
上記第２記録層１２０の下部の全反射層１２１で反射す
る。この反射ビームは上記第２記録層１２０及び誘電体
層を再び透過した後、上記反射率０．５のコーティング
層１１２を通過しながら上記反射ビームの内１／２は透
過され、残りの１／２は反射される。
【００２３】従って、最初に照射されたレーザビームの
内１／２×１／２（即ち、１／４）が光ピックアップに
帰還するようになり、上部層（即ち、第１記録層１１
０）の信号を再生しようとする場合において、１ＶのＲ
Ｆ信号が発生するようにＲＦ増幅器を制御したならば、
下部層（即ち、第２記録層１２０）の信号を再生する場
合には、出力信号はほぼ半分（０．５Ｖ）までに減少す
るだろう。
内１／２×１／２（即ち、１／４）が光ピックアップに
帰還するようになり、上部層（即ち、第１記録層１１
０）の信号を再生しようとする場合において、１ＶのＲ
Ｆ信号が発生するようにＲＦ増幅器を制御したならば、
下部層（即ち、第２記録層１２０）の信号を再生する場
合には、出力信号はほぼ半分（０．５Ｖ）までに減少す
るだろう。
【００２４】そのため、ＲＦ信号の大きさに依って第１
記録層又は第２記録層の記録／再生が出来るようにな
る。実施例２ 図２は本発明の実施例２による多層の光ディスクの概略
断面図である。図２に示すように、本発明の実施例２に
よる光ディスク２０は、ディスク２０の上部から、下面
に所定パターンの第１記録層２１０の形成された保護層
２０１が形成される。上記第１記録層２１０の下部には
所定波長（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）のレーザビー
ムが、例えば０．５の反射率で半反射・半透過される第
１コーティング層２１２が形成され、この第１コーティ
ング層２１２の下部には、下面に所定パターンの第２記
録層２２０の形成された第１誘電体層２１１が形成され
る。この第２記録層２２０の下部には上記レーザビーム
が、例えば０．５の反射率で半反射・半透過される第２
コーティング層２２２が形成され、この第２コーティン
グ層２２２の下部には、下面に所定パターンの第３記録
層２３０の形成された第２誘電体層２２１が形成され
る。この第３記録層２３０の下部には上記レーザビーム
を全反射させる反射層２３１が逐次積層される。
記録層又は第２記録層の記録／再生が出来るようにな
る。実施例２ 図２は本発明の実施例２による多層の光ディスクの概略
断面図である。図２に示すように、本発明の実施例２に
よる光ディスク２０は、ディスク２０の上部から、下面
に所定パターンの第１記録層２１０の形成された保護層
２０１が形成される。上記第１記録層２１０の下部には
所定波長（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）のレーザビー
ムが、例えば０．５の反射率で半反射・半透過される第
１コーティング層２１２が形成され、この第１コーティ
ング層２１２の下部には、下面に所定パターンの第２記
録層２２０の形成された第１誘電体層２１１が形成され
る。この第２記録層２２０の下部には上記レーザビーム
が、例えば０．５の反射率で半反射・半透過される第２
コーティング層２２２が形成され、この第２コーティン
グ層２２２の下部には、下面に所定パターンの第３記録
層２３０の形成された第２誘電体層２２１が形成され
る。この第３記録層２３０の下部には上記レーザビーム
を全反射させる反射層２３１が逐次積層される。
【００２５】一方、上記第１、第２、及び第３記録層２
１０、２２０、２３０間の間隔はディスク製作の際適宜
に設定され、この間隔に対応する対物レンズのフォーカ
シング方向への調整によって各記録層の再生が出来るよ
うになる。第１記録層、第２記録層及び第３記録層のそ
れぞれの情報はディスクから反射されたレーザビームの
光量によって区別される。
１０、２２０、２３０間の間隔はディスク製作の際適宜
に設定され、この間隔に対応する対物レンズのフォーカ
シング方向への調整によって各記録層の再生が出来るよ
うになる。第１記録層、第２記録層及び第３記録層のそ
れぞれの情報はディスクから反射されたレーザビームの
光量によって区別される。
【００２６】以下、本実施例による多層の光ディスクの
動作を説明する。図２に示す光ディスク２０の上部に
は、図１と同様に該ディスクを記録及び／又は再生する
ための光ピックアップ装置が配置される（図示せず）。
この光ピックアップ装置内のレーザダイオードから所定
波長λ１（一般に、７８０〜８６０ｎｍ）のレーザビー
ムが上記光ディスク２０の上部に向かって照射される。
動作を説明する。図２に示す光ディスク２０の上部に
は、図１と同様に該ディスクを記録及び／又は再生する
ための光ピックアップ装置が配置される（図示せず）。
この光ピックアップ装置内のレーザダイオードから所定
波長λ１（一般に、７８０〜８６０ｎｍ）のレーザビー
ムが上記光ディスク２０の上部に向かって照射される。
【００２７】このレーザビームは保護層２０１及び第１
記録層２１０を透過し、続いて反射率０．５の第１コー
ティング層２１２を通過しながら上記ビームの内１／２
は反射され、残りの１／２は透過される。ここで、第１
コーティング層２１２から反射された１／２のレーザビ
ームは再び光ピックアップに帰還し、実施例１と同様
に、光ピックアップではこのレーザビームから第１記録
層２１０に対する情報処理、フォーカシング又はトラッ
キング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔまでのデジタ
ル信号）を検出して再生する。
記録層２１０を透過し、続いて反射率０．５の第１コー
ティング層２１２を通過しながら上記ビームの内１／２
は反射され、残りの１／２は透過される。ここで、第１
コーティング層２１２から反射された１／２のレーザビ
ームは再び光ピックアップに帰還し、実施例１と同様
に、光ピックアップではこのレーザビームから第１記録
層２１０に対する情報処理、フォーカシング又はトラッ
キング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔまでのデジタ
ル信号）を検出して再生する。
【００２８】尚、第１コーティング層２１２を通じて透
過された１／２のレーザビームは第１誘電体層２１１及
び第２記録層２２０を順に透過し、続いて上記第２記録
層２２０の下部の反射率０．５の第２コーティング層２
２２を通過しながら上記ビームの内１／２は透過され、
残りの１／２は反射される。従って、最初に照射された
レーザビームの内１／２×１／２（即ち、１／４）が上
記第２コーティング層２２２から反射され光ピックアッ
プに帰還する。これにより、最上部層（即ち、第１記録
層２１０）の信号を再生しようとする場合において、１
ＶのＲＦ信号が発生するようにＲＦ増幅器を制御したな
らば、その下部層（即ち、第２記録層２２０）の信号を
再生する場合には、出力信号はほぼ半分（０．５Ｖ）ま
でに減少するだろう。
過された１／２のレーザビームは第１誘電体層２１１及
び第２記録層２２０を順に透過し、続いて上記第２記録
層２２０の下部の反射率０．５の第２コーティング層２
２２を通過しながら上記ビームの内１／２は透過され、
残りの１／２は反射される。従って、最初に照射された
レーザビームの内１／２×１／２（即ち、１／４）が上
記第２コーティング層２２２から反射され光ピックアッ
プに帰還する。これにより、最上部層（即ち、第１記録
層２１０）の信号を再生しようとする場合において、１
ＶのＲＦ信号が発生するようにＲＦ増幅器を制御したな
らば、その下部層（即ち、第２記録層２２０）の信号を
再生する場合には、出力信号はほぼ半分（０．５Ｖ）ま
でに減少するだろう。
【００２９】一方、第２コーティング層２２２を通じて
透過された１／２のレーザビーム（即ち、最初に照射さ
れたレーザビームの内１／４）は第２誘電体層２２１及
び第３記録層２３０を順に透過し、続いてこの透過した
レーザビームは上記第３記録層２３０の下部の全反射層
２３１で全反射する。この反射ビームは上記第３記録層
２３０及び第２誘電体層２２１を再び透過した後、上記
反射率０．５の第２コーティング層２２２を通過しなが
ら上記反射ビームの内１／２のみが透過されるようにな
る。即ち、最初に照射されたレーザビームの内１／８
（＝１／４×１／２）のみが透過されるようになる。こ
の１／８のレーザビームは続いて第２記録層２２０及び
第１誘電体層２１１を透過した後、上記反射率０．５の
第１コーテインク層２１２を通過しながら上記反射ビー
ムの内１／２のみが透過されるようになる。即ち、最初
に照射されたレーザビームの内１／１６（＝１／８×１
／２）のみが透過されて光ピックアップに帰還する。こ
れにより、最上部層（即ち、第１記録層２１０）の信号
を再生しようとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発
生するようにＲＦ増幅器を制御したならば、最下部層
（即ち、第３記録層２３０）の信号を再生する場合に
は、出力信号はほぼ１／８（約１／８Ｖ）程度まで１に
減少するだろう そとため、光ピックアップのフォトディテクターによっ
て検出されたＲＦ信号のそれぞれの大きさに依って第
１、第２又は第３記録層の記録／再生が出来るようにな
る。
透過された１／２のレーザビーム（即ち、最初に照射さ
れたレーザビームの内１／４）は第２誘電体層２２１及
び第３記録層２３０を順に透過し、続いてこの透過した
レーザビームは上記第３記録層２３０の下部の全反射層
２３１で全反射する。この反射ビームは上記第３記録層
２３０及び第２誘電体層２２１を再び透過した後、上記
反射率０．５の第２コーティング層２２２を通過しなが
ら上記反射ビームの内１／２のみが透過されるようにな
る。即ち、最初に照射されたレーザビームの内１／８
（＝１／４×１／２）のみが透過されるようになる。こ
の１／８のレーザビームは続いて第２記録層２２０及び
第１誘電体層２１１を透過した後、上記反射率０．５の
第１コーテインク層２１２を通過しながら上記反射ビー
ムの内１／２のみが透過されるようになる。即ち、最初
に照射されたレーザビームの内１／１６（＝１／８×１
／２）のみが透過されて光ピックアップに帰還する。こ
れにより、最上部層（即ち、第１記録層２１０）の信号
を再生しようとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発
生するようにＲＦ増幅器を制御したならば、最下部層
（即ち、第３記録層２３０）の信号を再生する場合に
は、出力信号はほぼ１／８（約１／８Ｖ）程度まで１に
減少するだろう そとため、光ピックアップのフォトディテクターによっ
て検出されたＲＦ信号のそれぞれの大きさに依って第
１、第２又は第３記録層の記録／再生が出来るようにな
る。
【００３０】実施例３ 図３は本発明の実施例３による多層の光ディスクの概略
断面図である。図３に示すように、本発明の実施例３に
よる光ディスク３０は、ディスク３０の上部から、下面
に所定パターンの第１記録層３１０の形成された保護層
３０１が形成される。上記第１記録層３１０の下部に
は、所定波長（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）の第１レ
ーザビームλ１は、例えば、０．５の反射率で半反射・
半透過され、他の所定波長（例えば、７８０〜８６０ｎ
ｍ）の第２レーザビームλ２は全透過される第１コーテ
ィング層３１２が形成され、この第１コーティング層３
１２の下部には、下面に所定パターンの第２記録層３２
０の形成された第１誘電体層３１１が形成される。この
第２記録層３２０の下部には、第２レーザビームλ２
は、例えば、０．５の反射率で半反射・半透過され第１
レーザビームλ１は全透過される第２コーティング層３
２２が形成され、この第２コーティング層３２２の下部
には、下面に所定パターンの第３記録層３３０の形成さ
れた第２誘電体層３２１が形成される。この第３記録層
３３０の下部には、上記第１レーザビームλ１は全反射
させ、第２レーザビームλ２は全透過させる第１反射層
３３２が形成され、この第１反射層３３２の下部には、
下面に所定パターンの第４記録層３４０の形成された第
３誘電体層３３１が形成される。この第４記録層３４０
の下部には上記第２レーザビームλ２を全反射させる第
２反射層３４１が逐次積層される。
断面図である。図３に示すように、本発明の実施例３に
よる光ディスク３０は、ディスク３０の上部から、下面
に所定パターンの第１記録層３１０の形成された保護層
３０１が形成される。上記第１記録層３１０の下部に
は、所定波長（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）の第１レ
ーザビームλ１は、例えば、０．５の反射率で半反射・
半透過され、他の所定波長（例えば、７８０〜８６０ｎ
ｍ）の第２レーザビームλ２は全透過される第１コーテ
ィング層３１２が形成され、この第１コーティング層３
１２の下部には、下面に所定パターンの第２記録層３２
０の形成された第１誘電体層３１１が形成される。この
第２記録層３２０の下部には、第２レーザビームλ２
は、例えば、０．５の反射率で半反射・半透過され第１
レーザビームλ１は全透過される第２コーティング層３
２２が形成され、この第２コーティング層３２２の下部
には、下面に所定パターンの第３記録層３３０の形成さ
れた第２誘電体層３２１が形成される。この第３記録層
３３０の下部には、上記第１レーザビームλ１は全反射
させ、第２レーザビームλ２は全透過させる第１反射層
３３２が形成され、この第１反射層３３２の下部には、
下面に所定パターンの第４記録層３４０の形成された第
３誘電体層３３１が形成される。この第４記録層３４０
の下部には上記第２レーザビームλ２を全反射させる第
２反射層３４１が逐次積層される。
【００３１】ここで、第１記録層３１０と第２記録層３
２０との間の間隔は、第１及び第２レーザビームの波長
λ１、λ２の各焦点距離（１／ｆ＝（ｎ1 −１）（１／
Ｒ1−１／Ｒ2 ）が互いに異なるため発生する軸上色収
差現象を利用して、光ピックアップの対物レンズを経た
上記第１及び第２レーザビームが上記焦点距離に応じて
第１記録層３１０及び第２記録層３２０にそれぞれフォ
ーカシングされ得るように決定される。第３記録層３３
０と第４記録層３４０との間の間隔も上記と同様に軸上
色収差現象を利用して決定される。
２０との間の間隔は、第１及び第２レーザビームの波長
λ１、λ２の各焦点距離（１／ｆ＝（ｎ1 −１）（１／
Ｒ1−１／Ｒ2 ）が互いに異なるため発生する軸上色収
差現象を利用して、光ピックアップの対物レンズを経た
上記第１及び第２レーザビームが上記焦点距離に応じて
第１記録層３１０及び第２記録層３２０にそれぞれフォ
ーカシングされ得るように決定される。第３記録層３３
０と第４記録層３４０との間の間隔も上記と同様に軸上
色収差現象を利用して決定される。
【００３２】一方、第１記録層３１０と第３記録層３３
０との間の間隔はディスク製作の際適宜に設定され、そ
の間隔に対応する対物レンズのフォーカシング方向への
調整によって各記録層を再生し得るようになる。第１記
録層及び第３記録層の各情報はディスクから反射したレ
ーザビームの光量によって区別される。第２記録層３２
０と第４記録層３４０との間の間隔も第１と第３記録層
との間の間隔と同様に決定される。
０との間の間隔はディスク製作の際適宜に設定され、そ
の間隔に対応する対物レンズのフォーカシング方向への
調整によって各記録層を再生し得るようになる。第１記
録層及び第３記録層の各情報はディスクから反射したレ
ーザビームの光量によって区別される。第２記録層３２
０と第４記録層３４０との間の間隔も第１と第３記録層
との間の間隔と同様に決定される。
【００３３】以下、本実施例による多層の光ディスクの
動作を説明する。図３に示す光ディスク３０の上部には
図１と同様にこのディスクを記録及び／又は再生するた
めの光ピックアップ装置が配置される（図示せず）。こ
の光ヒックアップ装置内には互いに異なる波長λ１、λ
２を発生する第１及び第２レーザダイオードが設置され
る。
動作を説明する。図３に示す光ディスク３０の上部には
図１と同様にこのディスクを記録及び／又は再生するた
めの光ピックアップ装置が配置される（図示せず）。こ
の光ヒックアップ装置内には互いに異なる波長λ１、λ
２を発生する第１及び第２レーザダイオードが設置され
る。
【００３４】先ず、波長λ１（一般に、７８０〜８６０
ｎｍ）を有する第１レーザビームが上記光ディスク３０
の上部に向かって照射される場合、この第１レーザビー
ムは保護層３０１及び第１記録層３１０を透過し、続い
て（第１レーザビームに対する反射率が０．５で、第２
レーザビームは全透過させる）第１コーティング層３１
２を通過しながら上記第１レーザビームの内１／２は反
射され、残りの１／２は透過される。
ｎｍ）を有する第１レーザビームが上記光ディスク３０
の上部に向かって照射される場合、この第１レーザビー
ムは保護層３０１及び第１記録層３１０を透過し、続い
て（第１レーザビームに対する反射率が０．５で、第２
レーザビームは全透過させる）第１コーティング層３１
２を通過しながら上記第１レーザビームの内１／２は反
射され、残りの１／２は透過される。
【００３５】ここで、第１コーティング層３１２から反
射された１／２の第１レーザビームは再び光ピックアッ
プに帰還し、第１実施例と同様に、光ピックアップでは
このレーザビームから第１記録層３１０に対する情報処
理、フォーカシング又はトラッキング信号としてＲＦ信
号（３Ｔ〜１１Ｔまでのデジタル信号）を検出して再生
する。
射された１／２の第１レーザビームは再び光ピックアッ
プに帰還し、第１実施例と同様に、光ピックアップでは
このレーザビームから第１記録層３１０に対する情報処
理、フォーカシング又はトラッキング信号としてＲＦ信
号（３Ｔ〜１１Ｔまでのデジタル信号）を検出して再生
する。
【００３６】尚、第１コーティング層３１２を通じて透
過された１／２の第１レーザビームは第１誘電体層３１
１及び第２記録層３２０を順に透過し、続いて上記第２
記録層３２０の下部の（第１レーザビームは全透過さ
せ、第２レーザビームに対する反射率は０．５である）
第２コーティング層３２２を全透過する。次に、上記第
１レーザビームはその下部の第２誘電体層３２１及び第
３記録層３３０を順に透過し、続いて上記第３記録層３
３０の下部の（第１レーザビームは全反射させ、第２レ
ーザビームは全透過させる）第１反射層３３２から全反
射される。この全反射された第１レーザビームは再び第
３記録層３３０、第２誘電体層３２１、第２コーティン
グ層３２２、第２記録層３２０、第１誘電体層３１１を
順に透過する。この透過した第１レーザビームは上記第
１コーティング層３１２を通過しながら上記ビームの内
１／２のみが透過される。即ち、最初の第１レーザビー
ムの１／４のみが光ピックアップ装置に回帰する。
過された１／２の第１レーザビームは第１誘電体層３１
１及び第２記録層３２０を順に透過し、続いて上記第２
記録層３２０の下部の（第１レーザビームは全透過さ
せ、第２レーザビームに対する反射率は０．５である）
第２コーティング層３２２を全透過する。次に、上記第
１レーザビームはその下部の第２誘電体層３２１及び第
３記録層３３０を順に透過し、続いて上記第３記録層３
３０の下部の（第１レーザビームは全反射させ、第２レ
ーザビームは全透過させる）第１反射層３３２から全反
射される。この全反射された第１レーザビームは再び第
３記録層３３０、第２誘電体層３２１、第２コーティン
グ層３２２、第２記録層３２０、第１誘電体層３１１を
順に透過する。この透過した第１レーザビームは上記第
１コーティング層３１２を通過しながら上記ビームの内
１／２のみが透過される。即ち、最初の第１レーザビー
ムの１／４のみが光ピックアップ装置に回帰する。
【００３７】このようにして、第１レーザビームによっ
て上部層（即ち、第１記録層３１０）の信号を再生しよ
うとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発生するよう
にＲＦ増幅器を制御したならば、下部層（即ち、第３記
録層３３０）の信号は出力信号がほぼ半分（０．５Ｖ）
までに減少するだろう。更に、他の波長λ２（一般に、
７８０〜８６０ｎｍ）の第２レーザビームが上記光ディ
スク３０の上部に向かって照射される場合、この第２レ
ーザビームは保護層３０１、第１記録層３１０、（第１
レーザビームに対する反射率が０．５で、第２レーザビ
ームは全透過させる）第１コーティング層３１２、第１
誘電体層３１１、及び第２記録層３２０を順に透過す
る。その後、この透過した第２レーザビームは、（第２
レーザビームに対する反射率が０．５で、第１レーザビ
ームは全透過させる）第２コーティング層３２２を通過
しながらこの第２レーザビームの１／２は反射され、残
りの１／２は透過される。
て上部層（即ち、第１記録層３１０）の信号を再生しよ
うとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発生するよう
にＲＦ増幅器を制御したならば、下部層（即ち、第３記
録層３３０）の信号は出力信号がほぼ半分（０．５Ｖ）
までに減少するだろう。更に、他の波長λ２（一般に、
７８０〜８６０ｎｍ）の第２レーザビームが上記光ディ
スク３０の上部に向かって照射される場合、この第２レ
ーザビームは保護層３０１、第１記録層３１０、（第１
レーザビームに対する反射率が０．５で、第２レーザビ
ームは全透過させる）第１コーティング層３１２、第１
誘電体層３１１、及び第２記録層３２０を順に透過す
る。その後、この透過した第２レーザビームは、（第２
レーザビームに対する反射率が０．５で、第１レーザビ
ームは全透過させる）第２コーティング層３２２を通過
しながらこの第２レーザビームの１／２は反射され、残
りの１／２は透過される。
【００３８】ここで、第２コーティング層３２２から反
射された１／２の第２レーザビームは再び光ピックアッ
プに帰還し、光ピックアップではこの第２レーザビーム
から第２記録層３２０に対する情報処理、フォーカシン
グ又はトラッキング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔ
までのデジタル信号）を検出して再生する。一方、第２
コーティング層３２２を通じて透過された１／２の第２
レーザビームは第２誘電体層３２１、第３記録層３３
０、（第２レーザビームは全透過させ、第１レーザビー
ムは全反射させる）第１反射層３３２、第３誘電体層３
３１、及び第４記録層３４０を順に透過する。この透過
した第２レーザビームは（第２レーザビームを全反射さ
せる）第２反射層３４１で全反射された後、第４記録層
３４０、第３誘電体層３３１、第１反射層３３２、第３
記録層３３０、第２誘電体層３２１を順に透過する。こ
の透過した第２レーザビームは（第２レーザビームに対
する反射率が０．５で、第１レーザビームは全透過させ
る）上記第２コーティング層３２２を通過しながら上記
第２レーザビームの内１／２のみが透過される。即ち、
最初の第２レーザビームの内１／４のみが光ピックアッ
プ装置に回帰する。
射された１／２の第２レーザビームは再び光ピックアッ
プに帰還し、光ピックアップではこの第２レーザビーム
から第２記録層３２０に対する情報処理、フォーカシン
グ又はトラッキング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔ
までのデジタル信号）を検出して再生する。一方、第２
コーティング層３２２を通じて透過された１／２の第２
レーザビームは第２誘電体層３２１、第３記録層３３
０、（第２レーザビームは全透過させ、第１レーザビー
ムは全反射させる）第１反射層３３２、第３誘電体層３
３１、及び第４記録層３４０を順に透過する。この透過
した第２レーザビームは（第２レーザビームを全反射さ
せる）第２反射層３４１で全反射された後、第４記録層
３４０、第３誘電体層３３１、第１反射層３３２、第３
記録層３３０、第２誘電体層３２１を順に透過する。こ
の透過した第２レーザビームは（第２レーザビームに対
する反射率が０．５で、第１レーザビームは全透過させ
る）上記第２コーティング層３２２を通過しながら上記
第２レーザビームの内１／２のみが透過される。即ち、
最初の第２レーザビームの内１／４のみが光ピックアッ
プ装置に回帰する。
【００３９】このようにして、第２レーザビームによっ
て上部層（即ち、第２記録層３２０）の信号を再生しよ
うとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発生するよう
にＲＦ増幅器を制御したならば、下部層（即ち、第４記
録層３４０）の信号は出力信号の大きさがほぼ半分
（０．５Ｖ）までになるだろう。従って、光ピックアッ
プのフォトディテクターによって検出されたＲＦ信号の
それぞれの大きさに依って第１乃至第４記録層の記録／
再生が全部出来るようになる。
て上部層（即ち、第２記録層３２０）の信号を再生しよ
うとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発生するよう
にＲＦ増幅器を制御したならば、下部層（即ち、第４記
録層３４０）の信号は出力信号の大きさがほぼ半分
（０．５Ｖ）までになるだろう。従って、光ピックアッ
プのフォトディテクターによって検出されたＲＦ信号の
それぞれの大きさに依って第１乃至第４記録層の記録／
再生が全部出来るようになる。
【００４０】実施例４ 図４は本発明の実施例４による多層の光ディスクの概略
断面図である。図４に示すように、本実施例による光デ
ィスク４０は、ディスク４０の上部から、下面に所定パ
ターンの第１記録層４１０の形成された保護層４０１が
形成される。この第１記録層４１０の下部には所定波長
（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）の第１レーザビームλ
１は、例えば、０．５の反射率で半反射・半透過され、
他の所定の波長（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）の第２
レーザビームλ２は全透過される第１コーティング層４
１２が形成され、この第１コーティング層４１２の下部
には、下面に所定パターンの第２記録層４２０の形成さ
れた第１誘電体層４１１が形成される。この第２記録層
４２０の下部には第２レーザビームλ２は、例えば、
０．５の反射率で半反射・半透過され第１レーザビーム
λ１は全透過される第２コーティング層４２２が形成さ
れ、この第２コーティング層４２２の下部には、下面に
所定パターンの第３記録層４３０の形成された第２誘電
体層４２１が形成される。この第３記録層４３０の下部
には、第１レーザビームλ１が、例えば、０．５の反射
率で半反射・半透過され、第２レーザビームλ２は全透
過される第３コーティング層４３２が形成され、この第
３コーティング層４３２の下部には、下面に所定パター
ンの第４記録層４４０の形成された第３誘電体層４３１
が形成される。この第４記録層４４０の下部には第２レ
ーザビームλ２は、例えば、０．５の反射率で半反射・
半透過され、第１レーザビームλ１は全透過される第４
コーティング層４４２が形成され、この第４コーティン
グ層４４２の下部には、下面に所定パターンの第５記録
層４５０の形成された第４誘電体層４４１が形成され
る。この第５記録層４５０の下部には、上記第１レーザ
ビームλ１は全反射させ、第２レーザビームλ２は全透
過させる第１反射層４５２が形成され、この第１反射層
４５２の下部には、下面に所定パターンの第６記録層４
６０の形成された第５誘電体層４５１が形成される。こ
の第６記録層４６０の下部には上記第２レーザビームλ
２を全反射させる第２反射層４６１が逐次積層される。
断面図である。図４に示すように、本実施例による光デ
ィスク４０は、ディスク４０の上部から、下面に所定パ
ターンの第１記録層４１０の形成された保護層４０１が
形成される。この第１記録層４１０の下部には所定波長
（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）の第１レーザビームλ
１は、例えば、０．５の反射率で半反射・半透過され、
他の所定の波長（例えば、７８０〜８６０ｎｍ）の第２
レーザビームλ２は全透過される第１コーティング層４
１２が形成され、この第１コーティング層４１２の下部
には、下面に所定パターンの第２記録層４２０の形成さ
れた第１誘電体層４１１が形成される。この第２記録層
４２０の下部には第２レーザビームλ２は、例えば、
０．５の反射率で半反射・半透過され第１レーザビーム
λ１は全透過される第２コーティング層４２２が形成さ
れ、この第２コーティング層４２２の下部には、下面に
所定パターンの第３記録層４３０の形成された第２誘電
体層４２１が形成される。この第３記録層４３０の下部
には、第１レーザビームλ１が、例えば、０．５の反射
率で半反射・半透過され、第２レーザビームλ２は全透
過される第３コーティング層４３２が形成され、この第
３コーティング層４３２の下部には、下面に所定パター
ンの第４記録層４４０の形成された第３誘電体層４３１
が形成される。この第４記録層４４０の下部には第２レ
ーザビームλ２は、例えば、０．５の反射率で半反射・
半透過され、第１レーザビームλ１は全透過される第４
コーティング層４４２が形成され、この第４コーティン
グ層４４２の下部には、下面に所定パターンの第５記録
層４５０の形成された第４誘電体層４４１が形成され
る。この第５記録層４５０の下部には、上記第１レーザ
ビームλ１は全反射させ、第２レーザビームλ２は全透
過させる第１反射層４５２が形成され、この第１反射層
４５２の下部には、下面に所定パターンの第６記録層４
６０の形成された第５誘電体層４５１が形成される。こ
の第６記録層４６０の下部には上記第２レーザビームλ
２を全反射させる第２反射層４６１が逐次積層される。
【００４１】ここで、第１記録層４１０と第２記録層４
２０との間の間隔は、他の実施例と同様に、第１及び第
２レーザビームの波長λ１，λ２の各焦点距離（１／ｆ
＝（ｎ1 −１）（１／Ｒ1 −１／Ｒ2 ）が互いに異なる
ため発生する軸上色収差現象を利用して、光ピックアッ
プの対物レンズを経た上記第１及び第２レーザビームが
上記焦点距離に応じて第１記録層４１０及び第２記録層
４２０にそれぞれフォーカシングされ得るように決定さ
れる。第３記録層４３０及び第４記録層４４０との間、
及び第５記録層４５０と第６記録層４６０との間の間隔
も上記と同様に軸上色収差現象を利用して決定される。
２０との間の間隔は、他の実施例と同様に、第１及び第
２レーザビームの波長λ１，λ２の各焦点距離（１／ｆ
＝（ｎ1 −１）（１／Ｒ1 −１／Ｒ2 ）が互いに異なる
ため発生する軸上色収差現象を利用して、光ピックアッ
プの対物レンズを経た上記第１及び第２レーザビームが
上記焦点距離に応じて第１記録層４１０及び第２記録層
４２０にそれぞれフォーカシングされ得るように決定さ
れる。第３記録層４３０及び第４記録層４４０との間、
及び第５記録層４５０と第６記録層４６０との間の間隔
も上記と同様に軸上色収差現象を利用して決定される。
【００４２】尚、第１記録層４１０、第３記録層４３
０、第５記録層４５０間の間隔はディスク製作の際適宜
に設定され、この間隔に対応する対物レンズのフォーカ
シング方向への調整によって各記録層を再生し得るよう
になる。第１、第３、及び第５記録層の各情報はディス
クから反射されたレーザビームの光量によって区別され
る。第２記録層４２０、第４記録層４４０、及び第６記
録層４６０間の間隔も第１、第３、及び第５記録層間の
間隔と同様に決定される。
０、第５記録層４５０間の間隔はディスク製作の際適宜
に設定され、この間隔に対応する対物レンズのフォーカ
シング方向への調整によって各記録層を再生し得るよう
になる。第１、第３、及び第５記録層の各情報はディス
クから反射されたレーザビームの光量によって区別され
る。第２記録層４２０、第４記録層４４０、及び第６記
録層４６０間の間隔も第１、第３、及び第５記録層間の
間隔と同様に決定される。
【００４３】以下、本実施例による多層の光ディスクの
動作を説明する。図４に示す光ディスク４０の上部には
図１と同様にこのディスクを記録及び／又は再生するた
めの光ピックアップ装置が配置される（図示せず）。こ
の光ピックアップ装置内には互いに異なる波長λ１、λ
２を発生する第１及び第２レーザダイオードが設置され
る。
動作を説明する。図４に示す光ディスク４０の上部には
図１と同様にこのディスクを記録及び／又は再生するた
めの光ピックアップ装置が配置される（図示せず）。こ
の光ピックアップ装置内には互いに異なる波長λ１、λ
２を発生する第１及び第２レーザダイオードが設置され
る。
【００４４】先ず、波長λ１（一般に、７８０〜８６０
ｎｍ）の第１レーザビームが上記光ディスク４０の上部
に向かって照射される場合、この第１レーザビームは保
護層４０１及び第１記録層４１２を透過し、続いて（第
１レーザビームに対する反射率が０．５である）第１コ
ーティング層４１０を通過しながら上記第１レーザビー
ムの内１／２は反射され、残りの１／２は透過される。
ｎｍ）の第１レーザビームが上記光ディスク４０の上部
に向かって照射される場合、この第１レーザビームは保
護層４０１及び第１記録層４１２を透過し、続いて（第
１レーザビームに対する反射率が０．５である）第１コ
ーティング層４１０を通過しながら上記第１レーザビー
ムの内１／２は反射され、残りの１／２は透過される。
【００４５】ここで、第１コーティング層４１２から反
射された１／２の第１レーザビームは再び光ピックアッ
プに帰還し、実施例１と同様に、光ピックアップではこ
のレーザビームから第１記録層４１０に対する情報処
理、フォーカシング又はトラッキング信号としてＲＦ信
号（３Ｔ〜１１Ｔまでのデジタル信号）を検出して再生
する。
射された１／２の第１レーザビームは再び光ピックアッ
プに帰還し、実施例１と同様に、光ピックアップではこ
のレーザビームから第１記録層４１０に対する情報処
理、フォーカシング又はトラッキング信号としてＲＦ信
号（３Ｔ〜１１Ｔまでのデジタル信号）を検出して再生
する。
【００４６】尚、第１コーティング層４１２を通じて透
過された１／２の第１レーザビームは第１誘電体層４１
１及び第２記録層４２０を順に透過し、続いて上記第２
記録層４２０の下部の（第１レーザビームを全透過さ
せ、第２レーザビームに対する反射率が０．５である）
第２コーティング層４２２を全透過する。次に、上記第
１レーザビームはその下部の第２誘電体層４２１及び第
３記録層４３０を順に透過し、続いて上記第３記録層４
３０の下部の（第１レーザビームに対する反射率が０．
５で、第２レーザビームを全透過させる）第３コーティ
ング層４３２を通過しながらその透過された１／２の第
１レーザビームの内１／２は反射され、残りの１／２は
透過される。
過された１／２の第１レーザビームは第１誘電体層４１
１及び第２記録層４２０を順に透過し、続いて上記第２
記録層４２０の下部の（第１レーザビームを全透過さ
せ、第２レーザビームに対する反射率が０．５である）
第２コーティング層４２２を全透過する。次に、上記第
１レーザビームはその下部の第２誘電体層４２１及び第
３記録層４３０を順に透過し、続いて上記第３記録層４
３０の下部の（第１レーザビームに対する反射率が０．
５で、第２レーザビームを全透過させる）第３コーティ
ング層４３２を通過しながらその透過された１／２の第
１レーザビームの内１／２は反射され、残りの１／２は
透過される。
【００４７】この第３コーティング層４３２から反射さ
れた第１レーザビーム（即ち、最初の第１レーザビーム
の１／４）は再び第３記録層４３０、第２誘電体層４２
１、第２コーティング層４２２、第２記録層４２０、第
１誘電体層４１１を順に透過する。このビームは第１コ
ーティング層４１２を通過しながらそのビームの内１／
２のみが透過されて光ピックアップに帰還する。即ち、
最初の第１レーザビームの内１／８（＝１／４×１／
２）のみが帰還するようになる。光ピックアップではこ
のレーザビームから第３記録層４３０に対する情報処
理、フォーカシング又はトラッキング信号としてＲＦ信
号（３Ｔ〜１１Ｔまでのデジタル信号）を検出して再生
する。
れた第１レーザビーム（即ち、最初の第１レーザビーム
の１／４）は再び第３記録層４３０、第２誘電体層４２
１、第２コーティング層４２２、第２記録層４２０、第
１誘電体層４１１を順に透過する。このビームは第１コ
ーティング層４１２を通過しながらそのビームの内１／
２のみが透過されて光ピックアップに帰還する。即ち、
最初の第１レーザビームの内１／８（＝１／４×１／
２）のみが帰還するようになる。光ピックアップではこ
のレーザビームから第３記録層４３０に対する情報処
理、フォーカシング又はトラッキング信号としてＲＦ信
号（３Ｔ〜１１Ｔまでのデジタル信号）を検出して再生
する。
【００４８】尚、第３コーティング層４３２から透過さ
れた第１レーザビーム（即ち、最初の第１レーザビーム
の内１／４）は第３誘電体層４３１、第４記録層４４
０、（第１レーザビームを全透過させる）第４コーティ
ング層４４２、第４誘電体層４４１、第５記録層４５０
を順に透過した後、第１反射層４５２から全反射され
る。この全反射された第１レーザビームは再び逆行し
て、第３コーティング層４３２を通過しながら上記ビー
ムの内１／２のみが透過され、この透過されたビームは
引き続き進行して第１コーティング層４１２を通過しな
がら１／２のみが透過して光ピックアップに帰還する。
即ち、最初の第１のレーザビームの内１／１６（＝１／
４×１／２×１／２）のみが帰還する。
れた第１レーザビーム（即ち、最初の第１レーザビーム
の内１／４）は第３誘電体層４３１、第４記録層４４
０、（第１レーザビームを全透過させる）第４コーティ
ング層４４２、第４誘電体層４４１、第５記録層４５０
を順に透過した後、第１反射層４５２から全反射され
る。この全反射された第１レーザビームは再び逆行し
て、第３コーティング層４３２を通過しながら上記ビー
ムの内１／２のみが透過され、この透過されたビームは
引き続き進行して第１コーティング層４１２を通過しな
がら１／２のみが透過して光ピックアップに帰還する。
即ち、最初の第１のレーザビームの内１／１６（＝１／
４×１／２×１／２）のみが帰還する。
【００４９】このようにして、第１レーザビームによっ
て最上部層（即ち、第１記録層４１０）の信号を再生し
ようとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発生するよ
うにＲＦ増幅器を制御すれば、最下部層（即ち、第５記
録層４５０）の信号は出力信号がほぼ１／８（１／８
Ｖ）までに減少する。更に、他の波長λ２（一般に、７
８０〜８６０ｎｍ）の第２レーザビームが上記光ディス
ク４０の上部に向かって照射される場合、この第２レー
ザビームは保護層４０１、第１記録層４１０、（第１レ
ーザビームに対する反射率が０．５で、第２レーザビー
ムは全透過させる）第１コーティング層４１２、第１誘
電体層４１１、及び第２記録層４２０を順に透過する。
その後、この透過した第２レーザビームは、（第２レー
ザビームに対する反射率が０．５で、第１レーザビーム
は全透過させる）第２コーティング層４２２を通過しな
がら上記第２レーザビームの内１／２は反射され、残り
の１／２は透過される。
て最上部層（即ち、第１記録層４１０）の信号を再生し
ようとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発生するよ
うにＲＦ増幅器を制御すれば、最下部層（即ち、第５記
録層４５０）の信号は出力信号がほぼ１／８（１／８
Ｖ）までに減少する。更に、他の波長λ２（一般に、７
８０〜８６０ｎｍ）の第２レーザビームが上記光ディス
ク４０の上部に向かって照射される場合、この第２レー
ザビームは保護層４０１、第１記録層４１０、（第１レ
ーザビームに対する反射率が０．５で、第２レーザビー
ムは全透過させる）第１コーティング層４１２、第１誘
電体層４１１、及び第２記録層４２０を順に透過する。
その後、この透過した第２レーザビームは、（第２レー
ザビームに対する反射率が０．５で、第１レーザビーム
は全透過させる）第２コーティング層４２２を通過しな
がら上記第２レーザビームの内１／２は反射され、残り
の１／２は透過される。
【００５０】ここで、第２コーティング層４２２から反
射された１／２の第２レーザビームは再び光ピックアッ
プに帰還し、光ピックアップではこの第２レーザビーム
から第２記録層４２０に対する情報処理、フォーカシン
グ又はトラッキング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔ
までのデジタル信号）を検出して再生する。一方、第２
コーティング層４２２を通じて透過された１／２の第２
レーザビームは第２誘電体層４２１、第３記録層４３０
を順に透過し、続いて上記第３記録層４３０の下部の
（第２レーザビームは全透過させ、第１レーザビームに
対する反射率は０．５である）第３コーティング層４３
２を全透過する。次に、上記第２レーザビームはその下
部の第３誘電体層４３１及び第４記録層４４０を順に透
過し、続いて上記第４記録層４４０の下部の（第２レー
ザビームに対する反射率が０．５で、第１レーザビーム
は全反射させる）第４コーティング層４４２を通過しな
がら上記透過した１／２の第２レーザビームの内１／２
は反射され、残りの１／２は透過される。
射された１／２の第２レーザビームは再び光ピックアッ
プに帰還し、光ピックアップではこの第２レーザビーム
から第２記録層４２０に対する情報処理、フォーカシン
グ又はトラッキング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔ
までのデジタル信号）を検出して再生する。一方、第２
コーティング層４２２を通じて透過された１／２の第２
レーザビームは第２誘電体層４２１、第３記録層４３０
を順に透過し、続いて上記第３記録層４３０の下部の
（第２レーザビームは全透過させ、第１レーザビームに
対する反射率は０．５である）第３コーティング層４３
２を全透過する。次に、上記第２レーザビームはその下
部の第３誘電体層４３１及び第４記録層４４０を順に透
過し、続いて上記第４記録層４４０の下部の（第２レー
ザビームに対する反射率が０．５で、第１レーザビーム
は全反射させる）第４コーティング層４４２を通過しな
がら上記透過した１／２の第２レーザビームの内１／２
は反射され、残りの１／２は透過される。
【００５１】この第４コーティング層４４２から反射さ
れた第２レーザビーム（即ち、最初の第２レーザビー
ム）の内１／４は逆行して、第２コーティング層４２２
を通過しながらそのビームの内１／２のみが透過されて
光ピックアップに帰還する。即ち、最初の第２レーザビ
ームの内１／８（＝１／４×１／２）のみが帰還するよ
うになる。光ピックアップではこのレーザビームから第
４記録層４４０に対する情報処理、フォーカシング又は
トラッキング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔまでの
デジタル信号）を検出して再生する。
れた第２レーザビーム（即ち、最初の第２レーザビー
ム）の内１／４は逆行して、第２コーティング層４２２
を通過しながらそのビームの内１／２のみが透過されて
光ピックアップに帰還する。即ち、最初の第２レーザビ
ームの内１／８（＝１／４×１／２）のみが帰還するよ
うになる。光ピックアップではこのレーザビームから第
４記録層４４０に対する情報処理、フォーカシング又は
トラッキング信号としてＲＦ信号（３Ｔ〜１１Ｔまでの
デジタル信号）を検出して再生する。
【００５２】尚、第４コーティング層４４２から透過さ
れた第２レーザビーム（即ち、最初の第２レーザビー
ム）の内１／４は第４誘電体層４４１、第５記録層４５
０、（第１レーザビームは全反射させ、第２レーザビー
ムは全透過させる）第１反射層４５２、第５誘電体層４
５１、第６記録層４６０を順に透過した後、第２反射層
４６１から全反射される。この全反射された第２レーザ
ビームは逆行して、第４コーティング層４４２を通過し
ながら上記ビームの内１／２のみが透過され、この透過
されたビームは引き続き進行して第２コーティング層４
２２を通過しながら１／２のみが透過して光ピックアッ
プに帰還する。即ち、最初の第２レーザビームの内１／
１６（＝１／４×１／２×１／２）のみが帰還する。
れた第２レーザビーム（即ち、最初の第２レーザビー
ム）の内１／４は第４誘電体層４４１、第５記録層４５
０、（第１レーザビームは全反射させ、第２レーザビー
ムは全透過させる）第１反射層４５２、第５誘電体層４
５１、第６記録層４６０を順に透過した後、第２反射層
４６１から全反射される。この全反射された第２レーザ
ビームは逆行して、第４コーティング層４４２を通過し
ながら上記ビームの内１／２のみが透過され、この透過
されたビームは引き続き進行して第２コーティング層４
２２を通過しながら１／２のみが透過して光ピックアッ
プに帰還する。即ち、最初の第２レーザビームの内１／
１６（＝１／４×１／２×１／２）のみが帰還する。
【００５３】このようにして、第２レーザビームによっ
て上部層（即ち、第２記録層４２０）の信号を再生しよ
うとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発生するよう
にＲＦ増幅器を制御すれば、最下部層（即ち、第６記録
層４６０）の信号は出力信号がほぼ１／８（１／８Ｖ）
程度までに減少する。従って、光ピックアップのフォト
ディテクターによって検出されたＲＦ信号のそれぞれの
大きさに依って第２、第４又は第６記録層の記録／再生
が全部出来るようになる。
て上部層（即ち、第２記録層４２０）の信号を再生しよ
うとする場合において、１ＶのＲＦ信号が発生するよう
にＲＦ増幅器を制御すれば、最下部層（即ち、第６記録
層４６０）の信号は出力信号がほぼ１／８（１／８Ｖ）
程度までに減少する。従って、光ピックアップのフォト
ディテクターによって検出されたＲＦ信号のそれぞれの
大きさに依って第２、第４又は第６記録層の記録／再生
が全部出来るようになる。
【００５４】
【発明の効果】上記のように、本発明による多層の光デ
ィスクによれば、多層の各記録層の間に所定反射率のコ
ーティング層を形成することによって、コーティング層
から反射した上部記録層の情報を有するレーザビームの
光量に比べてコーティング層を透過した下部記録層の情
報を有するレーザビームの光量の方がより少なくなる。
このような各記録層間の光量の差異は光ピックアップ装
置のフォトディテクターによって検出されたＲＦ信号の
大きさの変化を発生するので、このＲＦ信号の大きさに
依って多層の光ディスクの各記録層を区別して記録及び
／又は再生が出来るようになる。
ィスクによれば、多層の各記録層の間に所定反射率のコ
ーティング層を形成することによって、コーティング層
から反射した上部記録層の情報を有するレーザビームの
光量に比べてコーティング層を透過した下部記録層の情
報を有するレーザビームの光量の方がより少なくなる。
このような各記録層間の光量の差異は光ピックアップ装
置のフォトディテクターによって検出されたＲＦ信号の
大きさの変化を発生するので、このＲＦ信号の大きさに
依って多層の光ディスクの各記録層を区別して記録及び
／又は再生が出来るようになる。
【００５５】多層の光ディスクの各記録層の記録及び再
生が同一波長の単一レーザ光源によって行われ、又各記
録層に対応する光量の大きさが互いに異なるという事実
に基づいて行われるので、各記録層間の間隔はディスク
の製作の際適宜に決定され、この間隔に対応するフォー
カシング方向への対物レンズの調整によってフォーカス
の制御ができるので、ディスクの製作が簡単になる。
生が同一波長の単一レーザ光源によって行われ、又各記
録層に対応する光量の大きさが互いに異なるという事実
に基づいて行われるので、各記録層間の間隔はディスク
の製作の際適宜に決定され、この間隔に対応するフォー
カシング方向への対物レンズの調整によってフォーカス
の制御ができるので、ディスクの製作が簡単になる。
【００５６】従って、本発明による多層の光ディスクは
従来の間隔な光記録／再生装置を大きく変えることなく
情報の記録／再生が出来、また高密度情報の記録／再生
が出来るとの利点がある。尚、本発明は上述実施例に限
定されず当業者の通常の知識を逸脱しない範囲でその変
形又は改良が可能であるのは勿論である。
従来の間隔な光記録／再生装置を大きく変えることなく
情報の記録／再生が出来、また高密度情報の記録／再生
が出来るとの利点がある。尚、本発明は上述実施例に限
定されず当業者の通常の知識を逸脱しない範囲でその変
形又は改良が可能であるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１による多層の光ディスクの概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】本発明の実施例２による多層の光ディスクの概
略断面図である。
略断面図である。
【図３】本発明の実施例３による多層の光ディスクの概
略断面図である。
略断面図である。
【図４】本発明の実施例４による多層の光ディスクの概
略断面図である。
略断面図である。
１０，２０，３０，４０ 光ディスク １０１，２０１，３０１，４０１ 光ディスク １１０，１２０，２１０，２２０，２３０，３１０，３
２０，３３０，３４０，４１０，４２０，４３０，４４
０，４５０，４６０ 記録層 １１１，２１１，２２１，３１１，３２１，３３１，４
１１，４２１，４３１，４４１，４５１ 誘電体層 １１２，２１２，２２２，３１２，３２２，４１２，４
２２，４３２，４４２コーティング層 １２１，２３１，３３２，３４１，４５２，４６１ 反
射層
２０，３３０，３４０，４１０，４２０，４３０，４４
０，４５０，４６０ 記録層 １１１，２１１，２２１，３１１，３２１，３３１，４
１１，４２１，４３１，４４１，４５１ 誘電体層 １１２，２１２，２２２，３１２，３２２，４１２，４
２２，４３２，４４２コーティング層 １２１，２３１，３３２，３４１，４５２，４６１ 反
射層
Claims (4)
- 【請求項１】 光ピックアップ装置で発生する所定波長
のレーザビームを利用して記録／再生が実行される多層
の光ディスクにおいて、 上記レーザビームがディスクの上部から入射する場合、
上部から、 保護層；上記保護層の下部に形成された所定パターンの
第１記録層；上記レーザビームが所定の反射率で一部反
射・一部透過されるコーティング層；誘電体層；上記誘
電体層の下部に形成された所定パターンの第２記録層；
及び上記レーザビームを全反射させる反射層；を逐次積
層形成することによって、 上記光ピックアップ装置に反射されたレーザビームの光
量の差異に依って上記複数の記録層の情報をそれぞれ記
録／再生することを特徴とする多層の光ディスク。 - 【請求項２】 上記多層の光ディスクは、上記レーザビ
ームがディスクの上部から入射する場合、上記第２記録
層の下部と反射層との間に、上部から、 上記レーザビームが所定の反射率で一部反射・一部透過
されるコーティング層；誘電体層；及び上記誘電体層の
下部に形成された所定パターンの記録層；を数回繰り返
し積層形成することを特徴とする請求項１記載の多層の
光ディスク。 - 【請求項３】 光ピックアップ装置で発生する互いに異
なる波長を有する第１及び第２レーザビームを利用して
記録／再生が実行される多層の光ディスクにおいて、 上記第１又は第２レーザビームがディスクの上部から入
射する場合、上部から、 保護層；上記保護層の下部に形成された所定パターンの
第１記録層；上記第１レーザビームが第１の反射率で一
部反射・一部透過され、上記第２レーザビームは全透過
される第１コーティング層；第１誘電体層；上記第１誘
電体層の下部に形成された所定パターンの第２記録層；
上記第２レーザビームが第２の反射率で一部反射・一部
透過され、上記第１レーザビームは全透過される第２コ
ーティング層；第２誘電体層；上記第２誘電体層の下部
に形成された所定パターンの第３記録層；上記第１レー
ザビームは全反射させ、上記第２レーザビームは全透過
させる第１反射層；第３誘電体層；上記第３誘電体層の
下部に形成された所定パターンの第４記録層；及び上記
第２レーザビームを全反射させる第２反射層；を逐次積
層形成することによって、 上記光ピックアップ装置で反射された第１及び第２レー
ザビームの光量の差異に依って上記複数の記録層の情報
をそれぞれ記録／再生することを特徴とする多層の光デ
ィスク。 - 【請求項４】 上記多層の光ディスクは、上記レーザビ
ームがディスクの上部から入射する場合、上記第３記録
層の下部と第１反射層との間に、上部から、 第１レーザビームが所定の反射率で一部反射・一部透過
され、第２レーザビームは全透過されるコーティング
層；誘電体層；所定パターンの記録層；第２レーザビー
ムが所定の反射率で一部反射・一部透過され、第１レー
ザビームは全透過されるコーティング層；他の誘電体
層；及び他の所定パターンの記録層；を逐次数回繰り返
し積層形成することを特徴とする請求項３記載の多層の
光ディスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940028328A KR960015450A (ko) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 다층 광 디스크 |
| KR28328/1994 | 1994-10-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08249726A true JPH08249726A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=19396662
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5764621A (ja) |
| JP (1) | JPH08249726A (ja) |
| KR (1) | KR960015450A (ja) |
| CN (1) | CN1151071A (ja) |
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1994
- 1994-10-31 KR KR1019940028328A patent/KR960015450A/ko not_active Application Discontinuation
-
1995
- 1995-10-31 CN CN95119902A patent/CN1151071A/zh active Pending
- 1995-10-31 US US08/550,790 patent/US5764621A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-31 JP JP7284097A patent/JPH08249726A/ja active Pending
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