JPH08242031A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 変位センサの投光部に用いる半導体レーザ駆
動回路において、レーザダイオードの発光強度を外部入
力により制御できるようにすること。 【構成】 スイッチング回路１で電源をパルス化し、そ
の電源をレーザ駆動部５を介して発光部６に供給する。
レーザダイオードＬＤの光出力はフォトダイオードＰＤ
によってモニタされ、そのモニタ電圧が誤差増幅回路３
にフィードバックされる。演算増幅器ＯＰは基準電圧発
生回路２の基準信号とモニタ電圧とを比較し、誤差信号
をトランジスタＴｒ１に与える。このときＦＥＴのソー
スに制御信号が入力されると、その値がフォトダイオー
ドＰＤの出力端で加算される。ここでの加算値が基準信
号と等しくなるようフィードバック回路が動作するの
で、制御信号の増加又は減少により、レーザビームの強
度が減少又は増加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザビームの強度を
外部入力により制御する半導体レーザ駆動回路に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】検知物体の位置、移動、又は種類を検出
するために各種の変位センサが用いられている。変位セ
ンサは一般にレーザビームを出射する投光部と、検知物
体から反射光を受光する受光部とを含んで構成される。
そして投光部には半導体レーザが用いられ、これを駆動
するために半導体レーザ駆動回路が設けられている。

【０００３】半導体レーザ駆動回路も連続光（ＣＷ光）
を出力するものと、パルス光を出力するものがある。い
ずれもレーザダイオードＬＤの温度上昇による光出力変
化を防止するために、レーザダイオードＬＤを保持する
ステムにフォトダイオードＰＤを取付け、フォトダイオ
ードＰＤの出力電流をモニタすることにより、レーザダ
イオードＬＤの光出力の安定化を図る補償回路が設けら
れている。

【０００４】図６はこのような機能を有する従来の半導
体レーザ駆動回路の一例である。この半導体レーザ駆動
回路は大きく分けて、スイッチング回路１、基準電圧発
生回路２、誤差増幅回路３、充放電回路４、レーザ駆動
部５、発光部６を含んで構成される。

【０００５】発光部６からスイッチング回路１にかけて
その構成を説明する。発光部６は同一ステムに取付けら
れたレーザダイオードＬＤとフォトダイオードＰＤ（受
光素子）を有し、レーザダイオードＬＤのカソード側に
保護抵抗Ｒ１が接続され、フォトダイオードＰＤのアノ
ード側にモニタ用抵抗Ｒ２が接続されている。これらの
抵抗Ｒ１，Ｒ２の片端は共にＧＮＤラインに接続され、
レーザダイオードＬＤのアノード側とフォトダイオード
ＰＤのカソード側は共通接続されている。

【０００６】レーザ駆動部５は発光部６に駆動電流を供
給する回路であり、ＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１で構
成される。トランジスタＴｒ１のエミッタは発光部６
に、コレクタはスイッチング回路１の出力端に、ベース
は誤差増幅回路３の出力端に夫々接続される。充放電回
路４は抵抗Ｒ３とコンデンサＣ１の並列接続体で構成さ
れ、コンデンサＣ１の充電及び放電によりレーザダイオ
ードＬＤのパルス電流の立ち上がり及び立ち下がり時定
数を規定する回路である。

【０００７】誤差増幅回路３は、抵抗Ｒ２の両端から得
られるモニタ信号Ｖｍと、基準電圧発生回路２で発生し
た基準信号Ｖｒとが入力され、それらの差分値を増幅し
て補正信号を生成する回路である。誤差増幅回路３内の
演算増幅器ＯＰは、その非反転入力端にモニタ信号Ｖｍ
が入力され、反転入力端に基準信号Ｖｒが入力されると
それらの差分値を増幅し、誤差信号Ｖｅをトランジスタ
Ｔｒ２のベースに供給する。ＮＰＮ型のトランジスタＴ
ｒ２のコレクタとスイッチング回路１の出力端の間に
は、抵抗Ｒ４とダイオードＤ２とが直列に接続されてい
る。またトランジスタＴｒ２のエミッタは抵抗Ｒ５を介
してＧＮＤラインに接続されている。そしてダイオード
Ｄ２のカソード側とＧＮＤライン間に充放電回路４が接
続される。尚、演算増幅器ＯＰの出力端と反転入力端に
ノイズ防止用のコンデンサＣ２が接続されている。

【０００８】基準電圧発生回路２は誤差増幅回路３に対
して基準信号（パルス）Ｖｒを発生する回路である。ス
イッチング回路１の出力端とＧＮＤライン間に抵抗Ｒ８
と定電圧ダイオードＤ３が直列に接続され、定電圧ダイ
オードＤ３の基準電圧と等しい波高値を持つ電圧パルス
が定電圧ダイオードＤ３の両端に発生する。このパルス
は抵抗Ｒ６、Ｒ７で電圧が分圧され、演算増幅器ＯＰの
反転入力端に基準信号Ｖｒとして与えられる。

【０００９】スイッチング回路１は電源（電圧＋Ｖｃ）
を入力パルスＳＰに基づいて開閉する回路であり、スイ
ッチングのトランジスタＴｒ３と抵抗Ｒ９により構成さ
れる。ここでは例えばトランジスタＴｒ３をＰＮＰ型と
すると、入力パルスＳＰがＬレベル時にオン状態にな
り、エミッタに接続された抵抗Ｒ９を介してコレクタ側
にパルス電圧が供給される。

【００１０】このように構成された従来の半導体レーザ
駆動回路の動作について説明する。先ず電源電圧Ｖｃを
トランジスタＴｒ３でスイッチングすることにより、電
圧Ｖｃを有するパルス電圧を基準電圧発生回路２、誤差
増幅回路３、レーザ駆動部５に供給する。入力パルスＳ
ＰがＬレベルのとき、トランジスタＴｒ３が導通し、抵
抗Ｒ４とダイオードＤ２とを介して充放電回路４のコン
デンサＣ１が充電される。このときの充電電流はトラン
ジスタＴｒ２の導通状態によって変化するが、今仮に演
算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅが０Ｖとすると、
トランジスタＴｒ２はオフか、又はバイアス電流程度で
動作するものとする。この場合は充電完了後のトランジ
スタＴｒ１のベース電圧Ｖｂ１は次の（１）式の値とな
る。 Ｖｂ１＝（Ｒ３＋ｒ２）／（Ｒ３＋Ｒ４＋ｒ２）・Ｖｃ・・・（１） 但しｒ２はダイオードＤ２のオン時の順方向抵抗とす
る。

【００１１】この場合の電圧Ｖｂ１の値は、エミッタ負
荷を持つトランジタＴｒ１を導通させる値であり、レー
ザダイオードＬＤに駆動電流が供給される。レーザダイ
オードＬＤが発光すると、フォトダイオードＰＤにレー
ザ発光強度に比例したモニタ電流Ｉｍが流れる。この電
流Ｉｍは抵抗Ｒ２により電圧に変換され、次の（２）式
のモニタ信号Ｖｍが演算増幅器ＯＰの非反転入力端に入
力される。 Ｖｍ＝Ｉｍ・Ｒ２・・・（２）

【００１２】一方、入力パルスＳＰのＬレベル時に、次
の（３）式で示すよな基準信号Ｖｒが演算増幅器ＯＰの
反転入力端に与えられている。 Ｖｒ＝Ｒ６／（Ｒ６＋Ｒ７）・Ｖｚ・・・（３） 但しＶｚはダイオードＤ３の基準電圧とする。

【００１３】一般に、演算増幅器ＯＰがリニア領域で外
部回路を通して負帰還のかかった状態で動作していると
きは、非反転入力端と反転入力端の電圧が相等しくなる
ようその出力値が制御される。一方、トランジスタＴｒ
２は演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅで動作する
ので、誤差信号Ｖｅの値が正であればトランジスタＴｒ
２のエミッタ電流は増加する。誤差信号Ｖｅの値が負で
あればトランジスタＴｒ２のエミッタ電流は減少する。
このためトランジスタＴｒ１のベース電圧Ｖｂ１は、誤
差信号Ｖｅの値が正であれば下降し、負であれば上昇す
る。誤差信号Ｖｅの値が正とは、レーダダイオードＬＤ
の発光強度が基準値より高いことを意味し、誤差信号Ｖ
ｅの値が負とは発光強度が基準値より低いことを意味す
る。従って基準信号Ｖｒとモニタ信号Ｖｍの値とのバラ
ンスが取れているときは、レーザダイオードＬＤの発光
強度は、基準信号発生回路２で生成される基準信号Ｖｒ
に比例した値に制御されることなる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】以上のようにフォトダ
イオードＰＤから出力されるモニタ電流Ｉｍの値を一定
に保つことにより、レーザダイオードＬＤの発光強度を
一定値に制御している。ここでにレーザダイオードＬＤ
の発光強度を変化させる場合を考える。変位センタの検
知物体の表面状態はその種類によって多様に変化する。
特に検知物体の種類が変わり、反射率が大幅に変化する
と、その都度発光部６の発光強度を調節しなければなら
ない。ところが図６に示すような構成であれば、レーザ
ダイオードＬＤの発光強度を変化させるには、誤差増幅
回路３に入力する基準信号Ｖｒの値を変化させるか、ま
たはフォトダイオードＰＤによるモニタ信号Ｖｍの値を
変化させなければならない。

【００１５】ここで基準信号Ｖｒの値を変化させる方法
について簡単に説明する。発光部６の発光強度を大きく
するには基準信号Ｖｒの値を大きくし、発光強度を小さ
くするには基準信号Ｖｒの値を小さくすればよい。しか
し基準信号Ｖｒの電圧は通常１Ｖ前後であり、１Ｖより
大きくすると制御が困難になる。又基準信号Ｖｒの電圧
を小さくすると、演算増幅器ＯＰのオフセット電圧の影
響を受け易くなる。このため基準信号Ｖｒの値を変化さ
せて発光強度を制御する場合、制御範囲が限定されると
いう欠点があった。

【００１６】次にモニタ信号Ｖｍの値を変化させる方法
であるが、基本的には抵抗Ｒ２を固定抵抗から可変抵抗
に代えればよい。しかしこの場合、抵抗Ｒ２の抵抗値を
変えるためには、調整ねじを直接手で操作しなければな
らず、小型の変位センサに取り付けられる半導体レーザ
駆動装置においては調整の作業性に問題がある。又電源
の電圧Ｖｃを制御することも考えられるが、変位センサ
に用いる電源電圧は規定の値になっており、この部分で
の調整は実際上不可能であった。

【００１７】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであって、電気信号によってレーザダイオ
ードＬＤの発光強度を設定でき、且つ温度補償や発光強
度の安定化のための補償回路のついた半導体レーザ駆動
回路を実現することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明はレーザ光を出力
するレーザ発光素子と、レーザ発光素子の発光強度をモ
ニタする受光素子と、レーザ発光素子を駆動するレーザ
駆動部と、基準信号を生成する基準電圧発生部と、基準
電圧発生部の基準信号と受光素子のモニタ信号とが入力
され、これらの信号を差動増幅し、その差分信号を制御
信号としてレーザ駆動部に出力する誤差増幅部と、を具
備する半導体レーザ駆動回路であって、レーザ発光素子
の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、誤
差増幅部に入力されるモニタ信号に、発光強度制御信号
を重畳させる発光強度制御部を設けたことを特徴とする
ものである。

【００１９】

【作用】このような特徴を有する本発明によれば、レー
ザ発光素子がレーザ駆動部によりレーザ光を出力する
と、受光素子はレーザ発光素子の発光強度に比例したモ
ニタ信号を発生する。誤差増幅部は基準電圧発生部の基
準信号と受光素子のモニタ信号とが入力されると、これ
らの信号を差動増幅してその差分信号を制御信号として
レーザ駆動部に出力する。このとき発光強度制御部によ
りレーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信
号が入力されると、誤差増幅部に入力されるモニタ信号
に発光強度制御信号を重畳させる。こうすると外部入力
により、レーザ発光素子の発光強度を制御することがで
きる。

【００２０】

【実施例】本発明の第１実施例における半導体レーザ駆
動回路について図１〜図３を参照しつつ説明する。尚、
従来例と同一ブロック及び同一信号名は同一の符号をつ
け、それらの詳細な説明は省略する。図１は第１実施例
の半導体レーザ駆動回路を基本構成を示すブロック図で
ある。本図に示すように半導体レーザ駆動回路は、スイ
ッチング回路１、基準電圧発生回路２、レーザ駆動部
５、発光部６を有することは従来例と同様である。従来
例と異なる部分は、発光強度制御部７Ａが設けられ、そ
の出力である第１の制御電流ＩｄがフォトダイオードＰ
Ｄのモニタ電流Ｉｍに加算され、その加算電流が第２の
制御電流Ｉｐとして誤差増幅回路３に与えられることで
ある。

【００２１】発光強度制御部７Ａは電界効果型トランジ
スタ（以下、ＦＥＴという）で構成される。ＦＥＴのド
レイン電極はスイッチング回路１の出力端に接続され、
ソース電極は加算回路に接続されている。そしてゲート
電極に発光強度を調整するための発光強度制御信号Ｖｇ
が入力される。

【００２２】図２はＦＥＴの入出力特性を示したグラフ
である。本図に示すように、ＦＥＴのゲート・ソース間
電圧である制御信号Ｖｇを変化させることにより、ドレ
イン電流である制御電流Ｉｄを制御することができる。

【００２３】ＦＥＴがオフ状態であると、ドレイン電流
である制御電流Ｉｄは流れず、次の（４）式が成り立
つ。 Ｉｐ＝Ｉｍ・・・（４） ＦＥＴがオン状態になって制御電流Ｉｄが流れ、モニタ
電流がＩｍ’に変化したとすると、次の（５）式が成り
立つ。 Ｉｐ＝Ｉｍ’＋Ｉｄ・・・（５）

【００２４】基準電圧発生回路２の出力（基準信号Ｖ
ｒ）が変化しない限り、誤差増幅回路３の動作原理によ
り制御電流Ｉｐの値は変化しない。このためモニタ電流
Ｉｍ’は次の（６）式に示すようにＩｍに比べて制御電
流Ｉｄの値分だけ減少する。 Ｉｍ’＝Ｉｐ−Ｉｄ・・・（６） このためレーザダイオードＬＤの発光強度は制御電流Ｉ
ｄの相当分だけ小さくなる。こうして制御信号Ｖｇの変
化により、レーザダイオードＬＤの発光強度を制御する
ことができる。

【００２５】以上のような動作原理を有する半導体レー
ザ駆動回路の具体例を図３に示す。本図において、従来
例の図６と異なる部分は、スイッチング回路１の出力端
とフォトダイオードＰＤのアノード側との間に、前述し
たＦＥＴを設けたことである。図１の場合と同様にＦＥ
Ｔのゲート電極に制御信号Ｖｇを与えると、スイッチン
グ回路１が導通しているときドレイン電流が流れる。こ
の電流を制御電流Ｉｄとすると、フォトダイオードＰＤ
のモニタ電流Ｉｍと加算され、抵抗Ｒ２を介してＧＮＤ
側に流れる。従って抵抗Ｒ２の端子電圧をモニタ電圧Ｖ
ｍとすると、この電圧が演算増幅器ＯＰの非反転入力端
に入力される。

【００２６】外部から入力される制御信号Ｖｇを大きく
すると、ＦＥＴのドレイン電流が大きくなるので、演算
増幅器ＯＰに入力されるモニタ信号Ｖｍの値は次の
（７）式のようになる。 Ｖｍ＝Ｒ２・（Ｉｍ＋Ｉｄ）・・・（７） 前述したように演算増幅器ＯＰの正及び負の入力が同じ
になるように帰還回路が動作するので、モニタ信号Ｖｍ
の値が増加すれば、演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号
Ｖｅの値は大きくなる。従ってトランジスタＴｒ１のベ
ース電圧が低下し、レーザダイオードＬＤの発光強度は
低下する。このように制御信号Ｖｇの値を変化させるこ
とにより、発光部６の発光強度を制御することができ
る。本実施例の場合、制御信号Ｖｇが大きくなれば発光
部６の発光強度は小さくなる。

【００２７】このように第１実施例によれば、遠隔から
制御信号Ｖｇを操作して発光強度を制御することがで
き、近接センサそのものを調整しなくて済む。また付加
する回路もＦＥＴだけであり、使用実績の高い従来の回
路をそのまま活かすことができる。

【００２８】次に本発明の第２実施例における半導体レ
ーザ駆動回路について図４、図５を参照しつつ説明す
る。尚、第１実施例と同一ブロック及び同一信号名は同
一の符号をつけ、それらの詳細な説明は省略する。図４
は第２実施例の半導体レーザ駆動回路を基本構成を示す
ブロック図ある。本図に示すように半導体レーザ駆動回
路は、スイッチング回路１、基準電圧発生回路２、誤差
増幅回路３、レーザ駆動部５、発光部６、発光強度制御
部７Ｂを有することは第１実施例と同様である。

【００２９】発光強度制御部７ＢはＦＥＴで構成され、
そのソース電極はＧＮＤに接続され、ドレイン電極は誤
差増幅回路３の非反転入力端に接続されている。又ゲー
ト電極に発光強度を制御する制御信号Ｖｈ（発光強度制
御信号）が入力される。フォトダイオードＰＤから得ら
れるモニタ電流Ｉｍから、ＦＥＴのドレイン電流である
第１の制御電流Ｉｄが減算され、その減算結果である第
２の制御電流Ｉｐが誤差増幅回路３に供給されること
が、本実施例の特徴である。

【００３０】さてＦＥＴがオフ状態であると、制御電流
Ｉｄは流れず、次の（８）式が成り立つ。 Ｉｐ＝Ｉｍ・・・（８） ＦＥＴがオン状態になって制御電流Ｉｄが流れ、モニタ
電流がＩｍ’に変化したとすると、次の（９）式が成り
立つ。 Ｉｐ＝Ｉｍ’−Ｉｄ・・・（９）

【００３１】基準電圧発生回路２の出力（基準信号Ｖ
ｒ）が変化しない限り、誤差増幅回路３の動作原理によ
り制御電流Ｉｐの値は変化しない。このためモニタ電流
Ｉｍ’は次の（１０）式に示すように、Ｉｍに比べて制
御電流Ｉｄの値分だけ増加する。 Ｉｍ’＝Ｉｐ＋Ｉｄ・・・（１０） このためレーザダイオードＬＤの発光強度は制御電流Ｉ
ｄの相当分だけ大きくなる。

【００３２】以上のような動作原理を有する半導体レー
ザ駆動回路の具体例を図５に示す。本図において図３と
異なる部分は、フォトダイオードＰＤのアノード側とＧ
ＮＤとの間にＦＥＴと抵抗Ｒ１０を直列に設けたことで
ある。図３と同様にＦＥＴのゲート電極に制御信号Ｖｈ
を与えると、スイッチング回路１が導通している限り、
トランジスタＴｒ１も導通する。フォトダイオードＰＤ
のモニタ電流をＩｍとすると、その電流の一部はＦＥＴ
の方へ流れる。このため抵抗Ｒ２に流れる制御電流Ｉｐ
が減少し、その端子電圧（モニタ電圧Ｖｍ）は減少す
る。

【００３３】外部から入力される制御信号Ｖｈを大きく
すると、ＦＥＴのソース電流が大きくなるので、演算増
幅器ＯＰに入力されるモニタ信号Ｖｍの値は次の（１
１）式のようになる。 Ｖｍ＝Ｒ２・（Ｉｍ−Ｉｄ）・・・（１１） 前述したようには演算増幅器ＯＰの正及び負の入力が同
じになるように帰還回路が動作するので、モニタ信号Ｖ
ｍの値が減少すれば、演算増幅器ＯＰの出力する誤差信
号Ｖｅの値は小さくなる。従ってトランジスタＴｒ１の
ベース電圧が上昇し、レーザダイオードＬＤの発光強度
は増加する。よって制御信号Ｖｈの値を変化させること
により、発光部６の発光強度を制御することができる。
本実施例の場合、制御信号Ｖｈの値と発光部６の発光強
度の関係はほぼ正比例する。

【００３４】以上の第１及び第２実施例では、スイッチ
ング回路１の動作により、レーザダイオードＬＤをパル
ス駆動する場合を述べたが、直流変調方式の半導体レー
ザ駆動回路についても同様の効果が得られ。この場合、
スイッチング回路１の入力パルスＳＰがＬレベルになっ
た場合の動作と同等と考えればよく、レーザダイオード
ＬＤの直流発光強度は、制御信号Ｖｇ、Ｖｈによって同
様の制御が可能である。従ってスイッチング回路１は本
発明の必須構成要素ではない。

【００３５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の半
導体レーザ駆動回路に一部に発光強度制御部を付加する
だけで、レーザ発光素子の発光強度を外部の入力信号に
より制御することができる。この場合誤差増幅部のオフ
セット電圧の影響を受けることなく、レーザ発光素子の
発光強度を増加方向及び減少方向に調整できる。従って
この半導体レーザ駆動回路を変位センサに用いた場合、
検知物体の反射面の性質に併せてレーザ発光素子の強度
を遠隔から調整できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例における半導体レーザ駆動
回路の基本構成図である。

【図２】本発明の各実施例に用いられるＦＥＴの入出力
特性図である。

【図３】第１実施例の半導体レーザ駆動回路の具体例を
示す回路図である。

【図４】本発明の第２実施例における半導体レーザ駆動
回路の基本構成図である。

【図５】第２実施例の半導体レーザ駆動回路の具体例を
示す回路図である。

【図６】従来例の半導体レーザ駆動回路の構成を示す回
路図である。

【符号の説明】

１ スイッチング回路 ２ 基準電圧発生回路 ３ 誤差増幅回路 ４ 充放電回路 ５ レーザ駆動部 ６ 発光部 ７Ａ，７Ｂ 発光強度制御部 Ｒ１〜Ｒ１０ 抵抗 Ｃ１，Ｃ２ コンデンサ Ｔｒ１〜Ｔｒ３ トランジスタ ＬＤ レーザダイオード ＰＤ フォトダイオード Ｄ３ 定電圧ダイオード Ｖｍ モニタ信号 Ｖｒ 基準信号 Ｖｅ 誤差信号 Ｖｇ，Ｖｈ 制御信号 Ｉｄ 第１の制御電流 Ｉｐ 第２の制御電流 Ｉｍ モニタ電流

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 張 立岩 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光を発光するレーザ発光素子と、 前記レーザ発光素子の発光強度をモニタする受光素子
   と、 前記レーザ発光素子を駆動するレーザ駆動部と、 基準信号を生成する基準電圧発生部と、 前記基準電圧発生部の基準信号と前記受光素子のモニタ
   信号とが入力され、これらの信号を差動増幅し、その差
   分信号を制御信号として前記レーザ駆動部に出力する誤
   差増幅部と、を具備する半導体レーザ駆動回路におい
   て、 前記レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御
   信号が入力され、前記誤差増幅部に入力されるモニタ信
   号に、前記発光強度制御信号を重畳させる発光強度制御
   部を設けたことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
2. 【請求項２】 前記発光強度制御部は、 前記レーザ駆動部の電源ラインにドレイン電極が接続さ
   れ、前記受光素子のモニタ端子にソース電極が接続され
   た電界効果型トランジスタを含み、前記電界効果型トラ
   ンジスタのゲート電極に前記レーザ発光素子の発光強度
   を調整する発光強度制御信号が入力され、前記誤差増幅
   部に入力するモニタ信号に前記発光強度制御信号を加算
   するものであることを特徴とする請求項１記載の半導体
   レーザ駆動回路。
3. 【請求項３】 前記発光強度制御部は、 前記受光素子のモニタ出力端にドレイン電極が接続さ
   れ、前記レーザ駆動部のグランドラインにソース電極が
   接続された電界効果型トランジスタを含み、前記電界効
   果型トランジスタのゲート電極に前記レーザ発光素子の
   発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、前記
   モニタ信号から前記発光強度制御信号を減算するもので
   あることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ駆動
   回路。