JPH08239494A - ポリオレフィン系陽イオン交換膜の製造法 - Google Patents

ポリオレフィン系陽イオン交換膜の製造法

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JPH08239494A
JPH08239494A JP4317195A JP4317195A JPH08239494A JP H08239494 A JPH08239494 A JP H08239494A JP 4317195 A JP4317195 A JP 4317195A JP 4317195 A JP4317195 A JP 4317195A JP H08239494 A JPH08239494 A JP H08239494A
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JP
Japan
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film
exchange membrane
ion exchange
polyolefin
membrane
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JP4317195A
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English (en)
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Haruhiko Oya
晴彦 大矢
Yoshiteru Kageyama
芳輝 景山
Masato Nakajima
正人 中島
Kanji Sato
完二 佐藤
Akira Shibata
瑛 芝田
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 極めて少ない電子線量の照射によっても、イ
オン交換膜として十分な架橋度を持ち、かつ酸化劣化に
対しても耐久性を有するポリオレフィン系イオン交換膜
を製造する方法の提供。 【構成】 ポリオレフィンフィルムを紫外線照射下にク
ロロスルホン化合物と接触させ、次いで水あるいはアル
カリ性水溶液と接触させることによりスルホン酸基を導
入し、その後電子線を照射して架橋させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばレドックスフロ
ー電池、燃料電池、亜鉛−ハロゲン型電池、食塩電解、
水分解、等における各種隔膜として使用可能な、ポリオ
レフィン系陽イオン交換膜の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】レドックスフロー電池、燃料電池、亜鉛
−ハロゲン型電池、食塩電解、水分解等において使用さ
れるイオン交換膜は、樹脂材質により分類すれば、大き
くは炭化水素系イオン交換膜とフッソ系イオン交換膜と
に分けられる。炭化水素系イオン交換膜の代表例である
スチレン−ジビニルベンゼン系陽イオン交換膜は、スチ
レン−ジビニルベンゼン共重合母体など、重合によって
得られた架橋膜を濃硫酸またはクロルスルホン酸を用い
てスルホン化することによって造られる。しかし、この
ような炭化水素系イオン交換膜からなる隔膜は、安価に
大量供給できるものではあるものの、フッソ系イオン交
換膜からなる隔膜に比較すると、耐酸化性に劣り、酸化
力の強い液体が使用される場合には、耐久性に劣るとい
う欠点がある。一方、フッソ系の隔膜は耐酸化性を有す
るものの極めて高コストであるという問題がある。
【0003】従って、安価で耐酸化性を有する隔膜の開
発が種々の分野で切望されているが、そのような隔膜の
出現を切望されている具体例としては、バナジウム型レ
ドックスフロー電池に使用される隔膜を挙げることがで
きる。バナジウム型レドックスフロー電池は、常温、常
圧で操作が可能な大容量の据置型2次電池として注目さ
れているが、工業化に当たって克服しなければならない
大きな技術的課題は、バナジウム電解液、とりわけ五価
のバナジウム電解液が極めて高い酸化力を有することに
より、イオン交換膜の酸化劣化を起こすことである。例
えば、代表的な陽イオン交換膜として多用され、しかも
安価なスチレン・ジビニルベンゼン系イオン交換膜は、
バナジウムレドックスフロー電池用の隔膜として使用し
た場合には、隔膜の酸化劣化があって耐久性がないこ
と、および フッソ系の隔膜は長期間使用しても酸化劣
化は見られないが、電力貯蔵用電池として極めて厳しい
経済性を要求されるレドックスフロー電池おいては、コ
スト面より使用できないことが報告されている(野崎
ら、The 31th Battery Symposium,Japan, 3C10, 301(19
90))。
【0004】一般に、安価で耐酸化性を有するポリマー
としては、ポリオレフィンフィルムが知られている。し
かし、これをベース材料としてイオン交換膜を作製した
場合には、種々の問題があってイオン交換膜としては使
用できなかった。例えば、ポリエチレンフィルムを濃硫
酸でスルホン化して得られる陽イオン交換膜では、ポリ
エチレンの3次元の架橋が不十分であるため、液に浸漬
すると膨潤が起こり、イオン交換樹脂としての安定性に
乏しく使用できない。一方、3次元の架橋を増やすた
め、ポリエチレンフィルムに予め電子線等の放射線を照
射して架橋する方法も知られている。しかし、イオン交
換膜として使用するには、ゲル分率が90%以上の高い
架橋度が要求されるのに対し、例えば20Mrad程度の比
較的少量の照射量では、ゲル分率が高々70%程度であ
り、90%以上の十分な架橋度を得るために数百Mrad以
上の大量の照射量を必要とすることが知られている(佐
々木ら、“放射線照射によるプラスチックの改質”材料
加工8号,165頁(1973年)アグネ発行)。その
ため得られた膜は、極めて高価なものとなりレドックス
電池陽隔膜など安価で耐久性の隔膜を大量供給すること
を前提とした用途には不適である。
【0005】従って、低コストのポリオレフィン系イオ
ン交換膜を得るには、極めて少ない放射線量の照射によ
っても、イオン交換膜として十分な架橋度を持ち、かつ
酸化劣化に対しても耐久性を有するポリオレフィン系イ
オン交換膜の製造法の開発が、切望されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ポリオレフ
ィンフィルムをベース樹脂としたイオン交換膜の製造法
において、極めて少ない放射線照射量においても、イオ
ン交換膜として十分な架橋度を持ち、かつ酸化劣化に対
して耐久性を有するような低コストで大量生産可能なイ
オン交換膜の製造法を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、スルホ
ン酸基を導入したポリオレフィンフィルムに、電子線を
照射して架橋させることにより、極めて少ない放射線照
射量によっても、イオン交換膜として十分な架橋度を持
ち、かつ耐酸化性を有するポリオレフィン系陽イオン交
換膜を製造することができる。本発明に使用されるポリ
オレフィンフィルムは、炭素数2〜8のオレフィンのホ
モポリマーあるいはそれらのオレフィンのコポリマーの
フィルムが用いられる。これらのフィルムの例として
は、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、
エチレンプロピレン共重合体フィルム、ポリブテンフィ
ルム、エチレンブテン共重合体フィルム、ポリペンテン
フィルム、ポリヘキセンフィルム等を挙げることができ
る。また、本発明に使用されるポリオレフィンフィルム
として、ポリオレフィンの側鎖に、オレフィン基やハロ
ゲン基がついたものを使用することも可能である。使用
されるフィルムの厚さは、0.1〜300μmの範囲で
あり、好ましくは1〜200μmの範囲である。
【0008】ポリオレフィンフィルムは、四塩化炭素溶
液に1〜3昼夜浸漬し、該フィルムを膨潤させて、反応
に供することが好ましい。ポリオレフィンフィルムへの
スルホン酸基導入方法としては、ポリオレフィンフィル
ムを紫外線照射下にクロロスルホン化合物と接触させ、
次いで、水あるいはアルカリ性水溶液と接触させて加水
分解することにより、スルホン酸基を導入したポリオレ
フィンフィルムを得ることができる。具体的には、ポリ
オレフィンフィルムを、通常、窒素、ヘリウム等の不活
性ガス雰囲気下に、SO2Cl2、SO2HCl等のクロ
ロスルホン化合物(通常ガスが好ましく用いられる)と
接触させ、該フィルムと該化合物との反応により、該フ
ィルムにクロロスルホン基が導入される。その際に使用
される紫外線源としては、通常、プラズマ、水銀ランプ
等を挙げることができる。紫外線の照度は、通常、1万
〜3万ルクス程度が用いられ、照射時間は、0.1〜1
0時間、好ましくは0.5〜3時間である。ポリオレフ
ィンフィルムへのスルホン基の導入は、上記のクロロス
ルホン化したポリオレフィンフィルムを、水あるいはア
ルカリ性水溶液に浸漬し、クロロスルホン基を加水分解
することにより行われる。
【0009】スルホン基を導入したポリオレフィンフィ
ルムの架橋は電子線の照射により行われる。使用される
電子線は、該フィルムにラジカルを発生させポリオレフ
ィン分子間の架橋を起こさせるものであればよい。電子
線源としては、低エネルギー加速器などが使用すること
ができる。照射する電子線量は、ポリオレフィンフィル
ムの材質によっても異なるが、1〜30Mrad、好ましく
は5〜20Mradである。照射量が1Mrad未満と、ポリオ
レフィンの架橋が不十分であり、30Mradを越えるとス
ルホン基が分解して膜機能が低下するので好ましくな
い。照射は、空気中、酸素雰囲気中、窒素雰囲気中のい
ずれでも行うことができる。
【0010】得られた膜の架橋度の測定は、架橋した膜
のゲル分率を尺度として用いた。ゲル分率の測定は膜を
キシレン溶媒中で8時間煮沸抽出した後、50℃で4時
間減圧乾燥させ、ゲルの重量を測定し、最初の膜の重量
との重量%で算出した。本発明の方法によれば、得られ
るイオン交換膜のゲル分率は、通常85%以上、好まし
くは95%以上であり、極めて少ない電子線量により、
このような高い架橋度が実現できる。
【0011】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明す
るが、本発明は以下の実施例に特に限定されるものでは
ない。 実施例1 バナジウムレドックスフロー電池用隔膜として使用され
るイオン交換膜の製造およびその評価を実施した例を下
記に示す。イオン交換膜の製造 20μmのポリエチレンフィルム(三菱油化(株)製ユ
カロンハード)を四塩化炭素溶液中に2昼夜浸漬し、フ
ィルムを膨潤させてイオン交換膜の製造に供した。該フ
ィルムのクロロスルホン化反応は、アクリル樹脂製のケ
ース内を、室温下、SO2Clガスと窒素ガスを容積比
で1:4となる雰囲気となるようにして、超高圧水銀灯
(ウシオ電気(株)、UI−501C)を用いて、2
2,000ルクスの紫外線を1時間照射した。次いで、
この得られたフィルムを5%NaOH水溶液に4時間浸
漬することにより、該フィルムに形成したクロロスルホ
ン基を加水分解し、該フィルムにスルホン基を導入して
陽イオン交換ポリエチレンフィルム膜を作製した。この
交換膜の架橋を行うため、電子線源として低エネルギー
加速器(最大出力300KeV、100mA)を用い、
放射線量10Mradで膜の架橋を行った。赤外スペクトル
により測定したこの膜の架橋後のスルホン基導入量は
3.8 mmol/g膜であった。
【0012】イオン交換膜の性能評価 上記のようにして製造された膜の架橋度は、該膜のゲル
分率を尺度として用いた。ゲル分率の測定は膜をキシレ
ン溶媒中でフッ石とともに24時間煮沸抽出した後、1
2時間減圧乾燥させ、ゲルの重量を測定し、ゲル分率
(%){ゲルとして残った重量(g)/最初の膜の重量
(g)×100}を算出した。なお、キシレン溶液中で
24時間抽出したのは、ポリマーがゾル状態になるのを
防止するためである。測定の結果、ゲル分率は98.7
%であり、イオン交換要領は3.6(meq/g膜)で
あり、輸率は94%であった。膜抵抗は、2モルKCl
溶液中で測定した。クロロスルホン化を行なわないとき
の抵抗は4kΩ・cm2であったが、スルホン基導入後
電子線の照射前の膜抵抗は0.53Ω・cm2であり、照
射後においても、0.51Ω・cm2であった。このよう
に、陽イオン交換膜として優れた性能を有する。膜の耐
久性の測定は、バナジウムレドックスフロー電池用電解
液として使用され、極めて高い酸化性を有する2モルV
25・2M硫酸水溶液に6カ月浸漬することにより行っ
た。その結果、膜の機械的破損は全く見られなかった。
【0013】実施例2 実施例1のイオン交換膜の製造において、クロロスルホ
ン化における紫外線照射時間を120分とした他は実施
例1と同様にしてイオン交換膜を作製した。得られたイ
オン交換膜のスルホン基導入量は、3.9mmol/g膜で
あり、ゲル分率は99.1%であった。イオン交換容量
は3.7(meq/g膜)であり、輸率は95%であっ
た。膜抵抗は0.53Ω・cm2であった。膜の耐久性に
ついても、膜の機械的破損は全くみられなかった。
【0014】比較例1 紫外線照射の架橋度へ及ぼす影響を調べるために、実施
例1のイオン交換膜の製造においてクロロスルホン化の
際に紫外線照射を行わなかった他は、実施例1と同様に
してイオン交換膜を作製した。このイオン交換膜のゲル
分率を測定した結果、57%であり、イオン交換膜とし
ての架橋度を満たしていなかった。
【0015】比較例2 比較例1のイオン交換膜の製造において、電子線照射の
照射量を50Mradに変えた他は、比較例1と同様にして
イオン交換膜を作成した。このイオン交換膜のゲル分率
を測定した結果、76%であり、この場合もイオン交換
膜としての架橋度を満たしていなかった。
【0016】比較例3 実施例1におけるイオン交換膜の製造において、電子線
の照射を行わなかった他は、実施例1と全く同様にして
イオン交換膜を作成した。この隔膜のゲル分率は28%
であった。この場合もイオン交換膜としての架橋度を満
たしておらず、隔膜としての使用は不適であった。
【0017】比較例4 実施例2におけるイオン交換膜の製造において、電子線
の照射を行わなかった他は、実施例2と全く同様にして
イオン交換膜を作製した。この隔膜のゲル分率は40%
であった。この場合もイオン交換膜としての架橋度を満
たしておらず、隔膜としての使用は不適であった。
【0018】比較例5 イオン交換膜作製用のポリエチレンフィルムとして、実
施例1で使用したポリエチレンフィルムに、予め、10
Mradの電子線照射を行ったもの及び40Mradの電子線照
射を行った2種類のフィルムを作製した。これらのフィ
ルムを使用してスルホン化後の電子線照射を行わなかっ
た他は、実施例1と同様にしてイオン交換膜を作製し
た。これらのフィルムのゲル分率を測定した結果、10
Mradの電子線照射では41%であり、50Mradの電子線
照射においても、43%と小さく、いずれも隔膜として
の架橋度を満たしておらず、イオン交換膜としての使用
は不適であった。
【0019】
【発明の効果】本発明の方法によれば、極めて少ない放
射線量の照射によっても、イオン交換膜として十分な架
橋度を持ち、かつ酸化劣化に対しても耐久性を有するポ
リオレフィン系イオン交換膜の製造がかのうであり、得
られたポリオレフィン系陽イオン交換膜は、レドックス
フロー電池、燃料電池、亜鉛−ハロゲン型電池、食塩電
解、水分、等における各種隔膜として使用可能である。
中でも、電解液との長期接触においても耐久性を要し、
かつ低コスト性を要求されるバナジウムレドックスフロ
ー電池用隔膜として好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C08L 23/02 LDD C08L 23/02 LDD (72)発明者 佐藤 完二 茨城県稲敷郡阿見町中央八丁目3番1号 鹿島北共同発電株式会社V電池開発室内 (72)発明者 芝田 瑛 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 三 菱化学株式会社機能資材カンパニー内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スルホン酸基を導入したポリオレフィン
    フィルムに、電子線を照射し、架橋させることを特徴と
    するポリオレフィン系陽イオン交換膜の製造法。
  2. 【請求項2】 前記スルホン酸基を導入したポリオレフ
    ィンフィルムが、ポリオレフィンフィルムを紫外線照射
    下にクロロスルホン化合物と接触させ、次いで水あるい
    はアルカリ性水溶液と接触させることにより、スルホン
    酸基を導入したものである請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 電子線が1〜30Mradの線量で前記ポリ
    オレフィンフィルムに照射される請求項1記載の方法。
JP4317195A 1995-03-02 1995-03-02 ポリオレフィン系陽イオン交換膜の製造法 Pending JPH08239494A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10172600A (ja) * 1996-12-10 1998-06-26 Tokuyama Corp バナジウム系レドックスフロー電池用隔膜
WO2000049069A1 (en) * 1999-02-16 2000-08-24 Mikael Paronen Polymer membrane and a process for the production thereof
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