JPH08236679A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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JPH08236679A
JPH08236679A JP4023695A JP4023695A JPH08236679A JP H08236679 A JPH08236679 A JP H08236679A JP 4023695 A JP4023695 A JP 4023695A JP 4023695 A JP4023695 A JP 4023695A JP H08236679 A JPH08236679 A JP H08236679A
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JP
Japan
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lead frame
metal plate
semiconductor device
outer peripheral
peripheral portion
Prior art date
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Pending
Application number
JP4023695A
Other languages
English (en)
Inventor
Takaharu Yonemoto
隆治 米本
Tatsuya Otaka
達也 大高
Isao Yamagishi
功 山岸
Shigeji Takahagi
茂治 高萩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPH08236679A publication Critical patent/JPH08236679A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】リードフレームと放熱用金属板の外周部間の絶
縁距離を大きくすることにより、リードフレームに貼り
付けた放熱用金属板の外周部とリードフレーム間で起こ
るショートを防止する。 【構成】予め接着剤2を塗布した金属板を用意し、これ
から所定形状の金属板3を打抜きながらリードフレーム
1に貼り合わせて半導体装置用リードフレームを形成す
る。リードフレーム1には、これに貼り合わされる金属
板3の外周部3aと対向する箇所に、金属板3から離れ
る方向に曲げ部6を設け、金属板外周部3aとリードフ
レーム1間の絶縁距離を増大させる。ダウンセット加工
法により曲げ部6を容易に形成するために、曲げ部6の
高さを0.1mm以上とするとよい。また、マイグレーシ
ョンによるショートを有効に防止するために、曲げ部の
始点を金属板3の外周部3aより0.3mm以上内側の箇
所とするとよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに絶縁層
を介して金属板を貼り合わせた半導体装置用リードフレ
ームに係り、特に金属板とリードフレーム間のショート
事故をなくすようにしたものに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、素子の高密度化、高速化にともな
って、放熱性を高めた半導体装置用リードフレームの開
発が盛んになっている。放熱性を高めるためにヒートス
プレッダとして機能する金属板をリードフレームの厚さ
方向に積層するが、特に最近になって、予め接着剤を塗
布した金属板を用意し、これを金型で所定の形状に打抜
きながらリードフレームに貼り合わせる方法が注目され
るようになってきた。これによれば、金属板を低コスト
でリードフレームに貼り合わせることができるという利
点がある。
【0003】図2は、そのようにして貼り合された半導
体装置用リードフレーム構造の代表例であり、中央にデ
バイスホール5を有するリードフレーム1のインナリー
ド1aに、デバイスホール5を塞ぐように接着剤2を塗
布した金属板3が貼り合わされている。なお、半導体チ
ップは金属板3上のデバイスホール5内で接着される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】リードフレームに放熱
用の金属板を貼り合わせた半導体装置用リードフレーム
で特に問題となるのは、金属板とリード間の電気的なシ
ョートである。図2のC部の拡大図である図3に示すよ
うに、リードフレーム1と接着剤付金属板3とが重なっ
た図中Aの部分については、介在させる接着剤2に電気
絶縁性の高い、たとえば熱可塑性ポリイミド系接着剤を
用いることで問題を解決できる。
【0005】しかし、金属板3の外周部3aがリードフ
レーム1に対向する図中Bの箇所では、その両者の絶縁
最短距離は必然的に接着剤2の厚みだけとなるが、接着
剤2の厚みは一般に20μm程度とかなり薄いため、次
のような問題が発生する。
【0006】(1)接着剤付金属板を打抜き加工した場
合に発生する金属の打抜きばりが離脱するなどして発生
した導電性異物が、金属板外周部とリードフレーム間に
載る等して、金属板とリードフレーム間をショートさせ
る。
【0007】(2)半導体装置用リードフレームは、半
導体素子を搭載後パッケージ化されるが、パッケージの
レジンの吸湿が大きくなると、特にリードフレームと金
属板が共に銅で構成されている場合、リードフレーム側
にかかる電位の関係で、リードフレーム側から金属板側
に向かって金属が析出するマイグレーションが発生し
て、金属板とリードフレーム間をショートさせる。
【0008】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消して、金属板の外周部とリードフレーム間で起
こるショートを防止することが可能な半導体装置用リー
ドフレームを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムに絶縁層を介して金属板を貼り合わせた半導体装置用
リードフレームにおいて、貼り合わされる金属板の外周
部と対向する箇所のリードフレームに、金属板から離れ
る方向に曲げ部を設け、金属板外周部とリードフレーム
間の絶縁距離を増大するようにしたものである。
【0010】また、本発明は、接着剤を予め塗布した金
属板を所定形状に打抜きながらリードフレームに貼り合
わせた半導体装置用リードフレームにおいて、貼り合わ
される金属板の外周部と対向する箇所のリードフレーム
に、金属板から離れる方向に曲げ部を設け、金属板外周
部とリードフレーム間の絶縁距離を増大するようにした
ものである。
【0011】
【作用】本発明のように、金属板の外周部と対向する箇
所のリードフレームに曲げ部を設けると、曲げ部を設け
なかった場合に、それまで絶縁層の厚さ分だけであった
金属板外周部からリードフレームへの絶縁距離が、曲げ
部の高さ分だけ増大する。したがって、金属板とリード
フレームとがショートする危険性が低減する。また、リ
ードフレームと金属板外周部とが曲げ部の高さ分だけ離
れているので、金属板側に金属が析出していく形で生じ
るマイグレーションによるリードフレームと金属板間の
ショートも回避できる。
【0012】また、本発明のように、接着剤付きの金属
板を打抜きながらリードフレームに貼り合わせる場合、
打抜き時に発生した打抜きばり等の導電性ばりが、その
まま貼り合わせ時に持ち込まれるが、金属板外周部の対
向箇所のリードフレームに曲げ部を設けてあるので、導
電性ばりによる金属板とリードフレーム間のショートを
有効に回避できる。
【0013】ここで、曲げ部の高さは0.1mm以上とす
ることが好ましい。0.1mmより小さいとダウンセット
法による曲げ加工が難しくなるからである。また、曲げ
部の始点は金属板外周部より0.3mm以上内側の箇所と
することが好ましい。0.3mmより外側の箇所とする
と、マイグレーションによるショートを有効に回避でき
ない場合が生じるからである。
【0014】
【実施例】図1は、本発明の実施例による半導体装置用
リードフレームの金属板の貼り合わせ状況を示す断面図
である。これは、絶縁層である接着剤2を片面に予め塗
布した金属板を用意する。接着剤2としては例えば電気
絶縁性の高い熱可塑性ポリイミド系接着剤を使用する。
また、金属板には熱伝導性の高い銅を用いる。この金属
板を金型で打抜いて所定の形状の金属板3を形成し、そ
の打抜いて形成した金属板3を、そのまま連続してリー
ドフレーム1に貼り合わせたものである。金属板3の貼
り合わせ位置は、デバイスホール5に隣接したインナリ
ード1aである。なお、リードフレーム1にも金属板3
の材料と同じ銅を用いる。
【0015】図示するように、貼り合わされる金属板3
の外周部3aと対向する箇所のリードフレーム1に、金
属板3と離れる方向に曲げた曲げ部6を設けてある。こ
の曲げ部6を設けることにより、リードフレーム1と金
属板3の外周部3aとの間に間隙7が形成され、金属板
外周部3aとリードフレーム1間の絶縁距離が増大す
る。
【0016】本実施例では、曲げ部6の始点は金属板3
の外周部3aより0.3mm内側の箇所としている。曲げ
部6の始点を、この程度内側にもってくれば、マイグレ
ーションによるリードフレーム1と金属板3間のショー
トを有効に防止できる。また曲げ部6の深さは0.1mm
とした。この程度の曲げであれば、従来より行われてい
るダウンセット法による曲げ加工を用いれば、曲げ部6
を容易に形成することができる。
【0017】このようにリードフレーム1に曲げ部6を
設けることにより、金属が露出している金属板外周部3
aとリードフレーム1の最短絶縁距離は、接着剤2の厚
さに曲げ部6の高さを加えた距離となる。
【0018】したがって、曲げ部を持たない従来のもの
では、その最短絶縁距離が接着剤2の厚みに対応した2
0μmであるのに対し、本実施例のものでは、 最短絶縁距離=接着剤の厚み20μm+曲げ部の高さ100μm =120μm と大幅に増大する。
【0019】これにより、金属板を打抜くときに通常発
生する打抜きばりなどの導電性ばりが、貼り合わせ時
に、リードフレーム1と金属板3の外周部3aとに接触
してショートするのを有効に回避することができる。ま
た、本実施例のようにリードフレーム1と金属板3とが
共に銅で構成されている場合には、パッケージレジンの
吸湿に起因してマイグレーション(マイグレーションは
リードフレーム1側から金属板3側に向かって銅が析出
していく形で生じる)が発生しやすくなるが、本実施例
ではリードフレーム1から金属板3までの水平距離は3
00μm以上、また垂直距離は100μm以上もあるた
め、マイグレーションによる銅の析出が発生しても、そ
れによるリードフレーム1と金属板3とのショートを有
効に防止することができる。また、リードフレームおよ
び金属板を共に銅で構成した場合について説明したが、
リードフレームは42合金、銅合金等他の金属材料であ
ってもよく、また金属板もアルミニウム、鉄など他の金
属材料でよい。
【0020】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、リード
フレームに曲げ部を設けて、金属板外周部からリードフ
レームへの絶縁距離を、絶縁層の厚さに加えて曲げ部の
高さ分だけ増大するようにしたので、金属板とリードフ
レームとがショートする危険性を低減できる。また、主
に金属板側に金属が析出していく形で生じるマイグレー
ションによるリードフレームと金属板間のショートも回
避できる。
【0021】請求項2に記載の発明によれば、接着剤付
金属板を打抜きながらリードフレームに貼り合わせる構
造のリードフレームに適用したので、打抜き時に発生し
て貼り合わせ時にそのまま持込まれる導電性異物による
金属板とリードフレーム間のショートを有効に回避する
ことができる。
【0022】請求項3に記載の発明によれば、曲げ部の
高さを所定値以上となるように規定したので、ダウンセ
ット法による曲げ加工が容易となる。
【0023】請求項4に記載の発明によれば、曲げ部の
始点を金属板外周部より所定値以上内側になるように規
定したので、マイグレーションによるリードフレームと
金属板間のショートをより有効に回避することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置用リードフレームの実施例
を説明するための接着剤付金属板の貼り合わせ状況を示
す断面図である。
【図2】従来例の半導体装置用リードフレームの接着剤
付金属板の貼り合わせ状況を示す断面図の断面図。
【図3】図2のC部拡大図。
【符号の説明】
1 リードフレーム 1a インナリード 2 接着剤 3 金属板 3a 外周部 4 ハーフエッチ部 5 デバイスホール 6 曲げ部 7 リードフレームと金属板の間隙
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高萩 茂治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】リードフレームに絶縁層を介して金属板を
    貼り合わせた半導体装置用リードフレームにおいて、貼
    り合わされる金属板の外周部と対向する箇所のリードフ
    レームに、金属板から離れる方向に曲げた曲げ部を設け
    て、金属板外周部とリードフレーム間の絶縁距離を増大
    するようにしたことを特徴とする半導体装置用リードフ
    レーム。
  2. 【請求項2】接着剤を予め塗布した金属板を所定形状に
    打抜きながらリードフレームに貼り合わせた半導体装置
    用リードフレームにおいて、貼り合わされる金属板の外
    周部と対向する箇所のリードフレームに、金属板から離
    れる方向に曲げた曲げ部を設けて、金属板外周部とリー
    ドフレーム間の絶縁距離を増大するようにしたことを特
    徴とする半導体装置用リードフレーム。
  3. 【請求項3】上記曲げ部の高さを0.1mm以上とした請
    求項1または2に記載の半導体装置用リードフレーム。
  4. 【請求項4】上記曲げ部の始点を金属板の外周部より
    0.3mm以上内側の箇所とした請求項1ないし3のいず
    れかに記載の半導体装置用リードフレーム。
JP4023695A 1995-02-28 1995-02-28 半導体装置用リードフレーム Pending JPH08236679A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124400A (ja) * 2001-10-10 2003-04-25 Fuji Electric Co Ltd 半導体パワーモジュールおよびその製造方法
JP2009111154A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体モジュール
JP2009212269A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Denso Corp モールドパッケージおよびその製造方法
EP2899754A3 (en) * 2014-01-27 2015-10-07 Samsung Electronics Co., Ltd Semiconductor device

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US9711435B2 (en) 2014-01-27 2017-07-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device

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