JPH08236419A - Positioning method - Google Patents
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- JPH08236419A JPH08236419A JP7036432A JP3643295A JPH08236419A JP H08236419 A JPH08236419 A JP H08236419A JP 7036432 A JP7036432 A JP 7036432A JP 3643295 A JP3643295 A JP 3643295A JP H08236419 A JPH08236419 A JP H08236419A
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、露光装置でマスク上の
パターンを感光基板上に露光する際の感光基板の位置決
め方法に関し、特に露光装置のステージ上で感光基板の
回転方向の位置決めを行う場合に適用して好適なもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of positioning a photosensitive substrate when a pattern on a mask is exposed on the photosensitive substrate by an exposure device, and particularly, the photosensitive substrate is positioned in a rotational direction on a stage of the exposure device. It is suitable for application in some cases.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等の製造に
使用されるステッパー等の投影露光装置においては、マ
スクとしてのレチクル上に形成された回路パターンを感
光基板としてのウエハ（又はガラスプレート等）上のフ
ォトレジスト層に高い重ね合わせ精度で転写するため
に、レチクルとウエハとを高精度に位置合わせ（アライ
メント）することが求められている。2. Description of the Related Art In a projection exposure apparatus such as a stepper used for manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device, a circuit pattern formed on a reticle as a mask has a wafer (or a glass plate, etc.) as a photosensitive substrate. In order to transfer to the upper photoresist layer with high overlay accuracy, it is required to align the reticle and the wafer with high accuracy.
【０００３】このためのアライメントセンサとしては、
特開平５−２１３１４号公報に開示されているように、
レーザー光をウエハ上のドット列状のアライメントマー
クに照射し、そのマークにより回折又は散乱された光を
用いてそのマークの位置を検出するＬＳＡ（Laser Step
Alignment）方式、ハロゲンランプを光源とする波長帯
域幅の広い光で照明して撮像したアライメントマークの
画像データを画像処理して計測するＦＩＡ(Field Image
Alignment）方式、あるいはウエハ上の回折格子状のア
ライメントマークに、周波数を僅かに変えたレーザー光
を２方向から照射し、発生した２つの回折光を干渉さ
せ、その位相からアライメントマークの位置を計測する
ＬＩＡ(Laser Interferometric Alignment）方式等のア
ライメントセンサがある。また、アライメント方式は、
投影光学系を介してウエハの位置を測定するＴＴＬ（ス
ルー・ザ・レンズ）方式、投影光学系及びレチクルを介
してレチクルとウエハとの位置関係を測定するＴＴＲ
（スルー・ザ・レチクル）方式、及び投影光学系を介す
ることなく直接ウエハの位置を測定するオフ・アクシス
方式に大別される。As an alignment sensor for this purpose,
As disclosed in JP-A-5-21314,
An LSA (Laser Step) that irradiates a laser beam on a dot-line-shaped alignment mark on the wafer and detects the position of the mark using the light diffracted or scattered by the mark.
Alignment) method, FIA (Field Image) that measures the image data of the alignment mark imaged by illuminating it with light with a wide wavelength band using a halogen lamp as the light source.
Alignment) method or a diffraction grating-like alignment mark on the wafer is irradiated with laser light with slightly different frequencies from two directions, the two generated diffracted lights are made to interfere, and the position of the alignment mark is measured from the phase. There is an alignment sensor such as a LIA (Laser Interferometric Alignment) system. Also, the alignment method is
A TTL (through-the-lens) method that measures the position of the wafer through the projection optical system, and a TTR that measures the positional relationship between the reticle and the wafer through the projection optical system and the reticle.
It is roughly classified into a (through the reticle) method and an off-axis method in which the position of the wafer is directly measured without using a projection optical system.
【０００４】これらのアライメントセンサによりウエハ
ステージ上に載置されたウエハの少なくとも２点の位置
検出を行うことにより、並進方向ばかりでなく回転方向
の位置（回転角）の検出も行われる。ウエハの回転角の
計測にも使用されるセンサとしては、ＴＴＬ方式でＬＩ
Ａ(Laser Interferometric Alignment）方式、ＴＴＬ方
式でＬＳＡ（Laser Step Alignment）方式、又はオフ・
アクシス方式でＦＩＡ(Field Image Alignment）方式の
アライメントセンサ等がある。By detecting the positions of at least two points of the wafer mounted on the wafer stage by these alignment sensors, not only the translational direction but also the rotational direction position (rotation angle) is detected. As the sensor used for measuring the rotation angle of the wafer, LI
A (Laser Interferometric Alignment) method, TTL method with LSA (Laser Step Alignment) method, or off
There is an FIA (Field Image Alignment) type alignment sensor or the like.
【０００５】投影露光装置に対しては、これらのアライ
メントセンサの検出結果よりレチクルとウエハとを高精
度に位置合わせすると同時に、このアライメントにかか
る時間を短縮し、高い生産性（スループット）を維持す
ることも求められている。従ってウエハをウエハステー
ジへ搬送する段階から最終露光に至るすべての段階で生
産性を高めることが必要となる。ここで、従来の露光装
置における最終的なアライメントに至る前のウエハの受
け渡し工程における動作について、図５を参照して説明
する。With respect to the projection exposure apparatus, the reticle and the wafer are aligned with high precision based on the detection results of these alignment sensors, and at the same time, the time required for this alignment is shortened and high productivity (throughput) is maintained. It is also required. Therefore, it is necessary to improve productivity at all stages from the stage of transporting the wafer to the wafer stage to the final exposure. Here, the operation in the wafer transfer process before reaching the final alignment in the conventional exposure apparatus will be described with reference to FIG.
【０００６】図５は、従来の露光装置におけるウエハの
受け渡し機構を説明するためのウエハステージ周辺の構
成を示し、この図５においてウエハ搬送装置から、Ｘス
テージ１１上の伸縮機構２０を介して設けられたセンタ
ーアップ１９上にウエハ６が受け渡された状態が示され
ている。センターアップ１９は、試料台９、θ回転補正
機構８、及びウエハホルダ７の開口に遊嵌する３本のス
ピンドル部（図５ではその内２本のスピンドル部１９
ａ，１９ｂを示す）を有し、伸縮機構２０の上下の移動
により３本のスピンドル部がウエハ６の受け渡しに対応
してウエハ６を上下させるようになっている。また、セ
ンターアップ１９のウエハの裏面との３箇所の接触部は
外部の真空ポンプにより吸引（真空吸引）されており、
センターアップ１９を上下させるときにウエハ６がずれ
ないようになっている。FIG. 5 shows a structure around a wafer stage for explaining a wafer transfer mechanism in a conventional exposure apparatus. In FIG. 5, the wafer transfer apparatus is provided via an expansion / contraction mechanism 20 on an X stage 11. The state where the wafer 6 is delivered on the center up 19 is shown. The center-up 19 includes three spindle parts (two of which are spindle parts 19 in FIG. 5) that are loosely fitted in the openings of the sample table 9, the θ rotation correction mechanism 8 and the wafer holder 7.
a and 19b are shown), and the vertical movement of the expansion / contraction mechanism 20 causes the three spindles to move the wafer 6 up and down in response to the transfer of the wafer 6. Further, three contact portions of the center-up 19 with the back surface of the wafer are sucked (vacuum suction) by an external vacuum pump,
The wafer 6 is prevented from shifting when the center up 19 is moved up and down.
【０００７】ウエハ６がウエハホルダ７上に真空吸着に
より静置された後、アライメントセンサによってウエハ
６の両端に形成されているアライメントマークの検出信
号を生成し、例えばその検出信号がピークとなるとき
の、試料台９の端部に固定された移動鏡１３と外部のレ
ーザ干渉計とにより計測される試料台９の座標を求める
ことにより、ウエハステージ系の座標系上での回転誤差
を算出する。その結果に基づいて試料台９上のθ回転補
正機構（θテーブル）８を駆動してウエハ６の回転誤差
を取り除き、レチクルとウエハ６との回転方向の位置合
わせを行う構成となっている。After the wafer 6 is placed on the wafer holder 7 by vacuum suction, an alignment sensor generates a detection signal for the alignment marks formed at both ends of the wafer 6, and when the detection signal reaches a peak, for example. The rotation error on the coordinate system of the wafer stage system is calculated by obtaining the coordinates of the sample stage 9 measured by the movable mirror 13 fixed to the end of the sample stage 9 and the external laser interferometer. Based on the result, the θ rotation correction mechanism (θ table) 8 on the sample table 9 is driven to eliminate the rotation error of the wafer 6, and the reticle and the wafer 6 are aligned in the rotational direction.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】以上の如き従来の技術
においては、ウエハステージ系の座標系の基準となる移
動鏡１３を設置した試料台９とウエハ６との間にウエハ
を回転させるためのθ回転補正機構８が設けられている
ので、ウエハ６を吸着するウエハホルダ７の真空系の吸
着力が弱い場合にウエハ６の横ずれが発生したり、試料
台９上に複雑な機構を設けてあるのでステージ全体の剛
性が弱くなったり、ステージ全体の重量が増すことによ
りステージ制御性能が向上しないという不都合があっ
た。そこで、例えばθ回転補正機構を試料台９の下に配
置することも考えられるが、θ回転補正機構を駆動して
ウエハ６の回転角を調整する時に、試料台９上の移動鏡
１３に当たるレーザ干渉計の光ビームの角度が変化する
ので、θ回転補正機構の回転角が制限され、例えばウエ
ハのプリアライメント精度が悪い場合、それを十分に修
正できないという不都合がある。In the conventional technique as described above, the wafer is rotated between the sample stage 9 and the wafer 6 on which the movable mirror 13 serving as the reference of the coordinate system of the wafer stage system is installed. Since the θ rotation correction mechanism 8 is provided, lateral displacement of the wafer 6 occurs when the suction force of the vacuum system of the wafer holder 7 that sucks the wafer 6 is weak, and a complicated mechanism is provided on the sample table 9. Therefore, the rigidity of the entire stage is weakened, and the weight of the entire stage is increased, so that the stage control performance is not improved. Therefore, for example, a θ rotation correction mechanism may be arranged below the sample table 9, but when the θ rotation correction mechanism is driven to adjust the rotation angle of the wafer 6, a laser that strikes the movable mirror 13 on the sample table 9 is used. Since the angle of the light beam of the interferometer changes, the rotation angle of the θ rotation correction mechanism is limited. For example, if the wafer pre-alignment accuracy is poor, there is the inconvenience that it cannot be corrected sufficiently.
【０００９】また、従来の技術において、ＬＳＡ方式や
ＬＩＡ方式のように回折光検出型のアライメントセンサ
を使用した場合、ウエハ６上のアライメントマークと位
置検出用の光ビームとの傾斜角に応じて特有の検出誤差
が生ずることがある。図６は、アライメントマークにレ
ーザビームが照射されている状態を説明するためのもの
で、図６（ａ）は、ＬＩＡ用のアライメントマーク（格
子状マーク）にレーザビームが照射され、、図６（ｂ）
は、ＬＳＡ用のアライメントマーク（点列状マーク）に
レーザビームが照射されている状態を示す。この図６
（ａ）に示すように、ＬＩＡ方式のアライメント系では
格子状のアライメントマークに対して２方向から矩形の
照明領域をもつレーザビームを照射して、アライメント
マークからの２つの回折光の干渉光の位相に基づいてウ
エハを位置決めするものである。図６（ａ）において、
左右方向に所定ピッチで形成された格子状マーク２５の
長手方向（非計測方向）に沿った中心軸２５Ｙに対して
レーザビームの照射領域２６はΔθA だけ傾いて入射し
ている。Further, in the prior art, when a diffracted light detection type alignment sensor such as the LSA method or the LIA method is used, it depends on the tilt angle between the alignment mark on the wafer 6 and the position detecting light beam. A specific detection error may occur. FIG. 6 is for explaining a state where the alignment mark is irradiated with the laser beam, and FIG. 6A shows that the alignment mark (lattice mark) for LIA is irradiated with the laser beam. (B)
Shows the state where the laser beam is applied to the alignment mark (dotted mark) for LSA. This Figure 6
As shown in (a), in the LIA type alignment system, a lattice-shaped alignment mark is irradiated with a laser beam having a rectangular illumination area from two directions, and interference light of two diffracted lights from the alignment mark is generated. The wafer is positioned based on the phase. In FIG. 6 (a),
The irradiation region 26 of the laser beam is incident at an inclination of Δθ A with respect to the central axis 25Y along the longitudinal direction (non-measurement direction) of the grid-like marks 25 formed at a predetermined pitch in the left-right direction.
【００１０】また、図６（ｂ）に示すように、ＬＳＡ方
式のアライメント系では複数の小さな正方形のパターン
を上下方向に所定ピッチで並べた点列状マーク２７でス
リット状の照射領域２８に集光されるレーザビームを走
査して、そのマークからの回折光の光量が最大になる位
置を検出するものである。図６（ｂ）において、点列状
マーク２７の配列方向（非計測方向）に沿った中心軸２
７Ｙに対してレーザビームのスリット状の照射領域２８
の長辺方向の中心軸２８ＹはΔθB だけ傾いて入射して
いる。Further, as shown in FIG. 6B, in the LSA type alignment system, a plurality of small square patterns are gathered in a slit-shaped irradiation region 28 by dot-like marks 27 arranged in a vertical direction at a predetermined pitch. The laser beam emitted is scanned to detect the position where the amount of diffracted light from the mark is maximum. In FIG. 6B, the central axis 2 along the arrangement direction (non-measuring direction) of the dot array marks 27.
Irradiation area 28 of laser beam slit shape for 7Y
The central axis 28Y in the long side direction is incident with an inclination of Δθ B.
【００１１】従って、図６（ａ）及び図６（ｂ）どちら
の場合もアライメントマークとレーザビームとの傾き角
による検出位置誤差が発生することがある。即ち、アラ
イメントマーク上にはフォトレジストが塗布されている
ので、そのマークの非計測方向の位置によるフォトレジ
ストの膜厚等の相違により戻り回折光の強弱が発生する
と、マークの位置が戻り光の強い方向にシフトして検出
されるため、図６（ａ）のＬＩＡ方式での検出誤差は最
大で、格子状マーク２５の長手方向の長さＬ３と角度Δ
θA との積であるＬ３×ΔθA となる。また、図６
（ｂ）のＬＳＡ方式での検出誤差は最大で、点列状マー
ク２７の長さＬ４と角度ΔθB との積であるＬ４×Δθ
B となる。しかしながら、従来の技術ではこれらの検出
誤差が容易には除去できないという不都合があった。Therefore, in both cases of FIG. 6A and FIG. 6B, a detected position error may occur due to the tilt angle between the alignment mark and the laser beam. That is, since the photoresist is coated on the alignment mark, if the intensity of the returning diffracted light is increased due to the difference in the film thickness of the photoresist due to the position of the mark in the non-measurement direction, the position of the mark is Since the detection is performed by shifting in a strong direction, the detection error in the LIA method of FIG. 6A is the maximum, and the length L3 in the longitudinal direction of the lattice mark 25 and the angle Δ.
L3 × Δθ A , which is the product of θ A. In addition, FIG.
The maximum detection error in the LSA method of (b) is L4 × Δθ, which is the product of the length L4 of the point array mark 27 and the angle Δθ B.
It becomes B. However, the conventional technique has a disadvantage that these detection errors cannot be easily removed.
【００１２】本発明は斯かる点に鑑み、回折光検出型の
アライメントセンサの光ビームとアライメント用のマー
クとの回転誤差によって生じる検出誤差が除去でき、高
精度にウエハを位置決めできる位置決め方法を提供する
ことを目的とする。本発明は更に、ウエハステージの構
成が簡略化でき、それによりウエハステージの剛性向上
及び軽量化を図ることができ、結果としてウエハの位置
決めを高速且つ高精度に行うことができる位置決め方法
を提供することを目的とする。In view of the above point, the present invention provides a positioning method capable of removing a detection error caused by a rotation error between a light beam of an alignment sensor of a diffracted light detection type and an alignment mark, and positioning a wafer with high accuracy. The purpose is to do. The present invention further provides a positioning method capable of simplifying the configuration of the wafer stage, thereby improving the rigidity and weight of the wafer stage, and as a result, positioning the wafer at high speed and with high accuracy. The purpose is to
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明による第１の位置
決め方法は、所定方向（Ｙ方向）に移動自在な基板ステ
ージ（３０，２９，１０，１１，１２）上に保持された
感光基板（６）上にマスクパターン（１）を転写する際
の前処理工程として、その基板ステージのその所定方向
における位置を計測すると共にその感光基板（６）上に
形成されたマーク（４６Ｙ）に帯状光束（４２Ｙ）を照
射してその基板ステージに対するその感光基板（６）の
位置を検出し、この検出結果に基づいてその感光基板
（６）をその基板ステージ上に位置決めする位置決め方
法において、その帯状光束（４２Ｙ）の長手方向（Ｘ’
方向）とその所定方向（Ｙ方向）との関係を計測し（ス
テップ１０１）、その帯状光束（４２Ｙ）の長手方向と
その所定方向との関係に基づいてそのマスクパターン
（１）とその感光基板（６）とを相対的に移動させる
（ステップ１０２）ものである。According to a first positioning method of the present invention, a photosensitive substrate (30, 29, 10, 11, 12) held on a substrate stage (30, 29, 10, 11, 12) movable in a predetermined direction (Y direction). 6) As a pretreatment step when transferring the mask pattern (1) onto the mask pattern (1), the position of the substrate stage in the predetermined direction is measured, and the band-shaped light flux is applied to the mark (46Y) formed on the photosensitive substrate (6). (42Y) is irradiated to detect the position of the photosensitive substrate (6) with respect to the substrate stage, and the photosensitive substrate (6) is positioned on the substrate stage based on the detection result. Longitudinal direction of (42Y) (X '
Direction) and its predetermined direction (Y direction) are measured (step 101), and based on the relationship between the longitudinal direction of the band-shaped light beam (42Y) and its predetermined direction, the mask pattern (1) and its photosensitive substrate. (6) and (6) are moved relative to each other (step 102).
【００１４】この場合、その帯状光束（４２Ｙ）の長手
方向とその所定方向との関係に基づいて、その基板ステ
ージ上にその感光基板（６）を位置決めすることが好ま
しい。また、本発明による第２の位置決め方法は、基板
ホルダ（３０）上に保持された感光基板（６）上にマス
クパターン（１）を転写する際の前処理工程として、所
定の二次元座標系（Ｘ，Ｙ）を基準としてその基板ホル
ダ（３０）上にその感光基板（６）を位置決めする位置
決め方法において、その基板ホルダ（３０）上に載置さ
れたその感光基板（６）のその座標系に対する回転誤差
（ΔθN ）を求め（ステップ１０９）、その基板ホルダ
（３０）からその感光基板（６）を離脱させ（ステップ
１１２）、その回転誤差を補正するようにその感光基板
（６）を回転させた（ステップ１１３）後、再びその感
光基板（６）をその基板ホルダ（３０）上に載置する
（ステップ１１４）ものである。In this case, it is preferable to position the photosensitive substrate (6) on the substrate stage based on the relationship between the longitudinal direction of the band-shaped light beam (42Y) and its predetermined direction. Further, the second positioning method according to the present invention uses a predetermined two-dimensional coordinate system as a pretreatment step when the mask pattern (1) is transferred onto the photosensitive substrate (6) held on the substrate holder (30). In the positioning method of positioning the photosensitive substrate (6) on the substrate holder (30) with reference to (X, Y), the coordinates of the photosensitive substrate (6) placed on the substrate holder (30). A rotation error (Δθ N ) with respect to the system is obtained (step 109), the photosensitive substrate (6) is detached from the substrate holder (30) (step 112), and the photosensitive substrate (6) is corrected so as to correct the rotation error. After rotating (step 113), the photosensitive substrate (6) is placed on the substrate holder (30) again (step 114).
【００１５】この場合、その感光基板（６）のその回転
誤差の補正後にその感光基板（６）のその二次元座標系
に対する微少回転誤差（Δθ’）を計測し（ステップ１
１５）、この微少回転誤差を補正するようにそのマスク
パターン（１）を回転させる（ステップ１１６）ことが
好ましい。In this case, after the rotation error of the photosensitive substrate (6) is corrected, the minute rotation error (Δθ ') of the photosensitive substrate (6) with respect to the two-dimensional coordinate system is measured (step 1
15) It is preferable to rotate the mask pattern (1) so as to correct this slight rotation error (step 116).
【００１６】[0016]
【作用】斯かる本発明の第１の位置決め方法によれば、
例えば図４に示すように、アライメントセンサからの帯
状光束（４２Ｙ）の長手方向（Ｘ’方向）と基板ステー
ジの座標系との回転角θLSAYが計測され、その基板ステ
ージの所定の移動方向（Ｙ方向）に対して回転角θLSAY
だけ例えばマスクパターン及び感光基板が回転される。
従って、アライメントセンサからの帯状光束（４２Ｙ）
の方向に合わせて感光基板（６）を回転することになる
ため、アライメントを行うことによってその帯状光束と
感光基板（６）上のマークとの回転誤差はなくなり、位
置検出誤差が除去される。According to such a first positioning method of the present invention,
For example, as shown in FIG. 4, the rotation angle θ LSAY between the longitudinal direction (X ′ direction) of the band-shaped light flux (42Y) from the alignment sensor and the coordinate system of the substrate stage is measured, and the predetermined movement direction of the substrate stage ( Rotation angle θ LSAY
Only, for example, the mask pattern and the photosensitive substrate are rotated.
Therefore, the band-shaped light flux (42Y) from the alignment sensor
Since the photosensitive substrate (6) is rotated in accordance with the direction, the alignment error eliminates the rotation error between the band-shaped light beam and the mark on the photosensitive substrate (6), and the position detection error is removed.
【００１７】また、帯状光束（４２Ｙ）の長手方向と所
定方向との関係を考慮して、その基板ステージ上に感光
基板（６）を位置決めする場合には、基板ステージ上で
感光基板（６）上のマークとアライメントセンサからの
帯状光束との回転誤差を低減できる。また、本発明の第
２の位置決め方法によれば、感光基板（６）の所定の座
標系に対する回転誤差（ΔθN ）を求め、基板ホルダ
（３０）から感光基板（６）を離脱させ、その回転誤差
を補正するように感光基板（６）を回転させた後、再び
感光基板（６）を基板ホルダ（３０）上に載置するの
で、基板ステージ側に回転補正機構が不要となり、基板
ステージの剛性向上及び軽量化が行われる。When the photosensitive substrate (6) is positioned on the substrate stage in consideration of the relationship between the longitudinal direction of the band-shaped light flux (42Y) and the predetermined direction, the photosensitive substrate (6) is placed on the substrate stage. A rotation error between the upper mark and the band-shaped light flux from the alignment sensor can be reduced. Further, according to the second positioning method of the present invention, the rotation error (Δθ N ) of the photosensitive substrate (6) with respect to the predetermined coordinate system is obtained, and the photosensitive substrate (6) is detached from the substrate holder (30). After rotating the photosensitive substrate (6) so as to correct the rotation error, the photosensitive substrate (6) is placed on the substrate holder (30) again, so that the rotation correcting mechanism is not required on the substrate stage side, and the substrate stage The rigidity and weight are improved.
【００１８】また、感光基板（６）の回転誤差の補正後
に感光基板（６）の二次元座標系に対する微少回転誤差
（Δθ’）を計測し、この微少回転誤差を補正するよう
にそのマスクパターン（１）を回転させる場合には、例
えば基板ステージ側に微少回転誤差を補正する機構を設
けることなく、迅速に回転方向の位置合わせが行われ
る。Further, after the rotation error of the photosensitive substrate (6) is corrected, a minute rotation error (Δθ ′) of the photosensitive substrate (6) with respect to the two-dimensional coordinate system is measured, and the mask pattern is corrected so as to correct this minute rotation error. When (1) is rotated, the alignment in the rotation direction is quickly performed without providing a mechanism for correcting a minute rotation error on the substrate stage side, for example.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、本発明による位置決め方法の一実施例
につき、図１〜図４を参照して説明する。本例は、レチ
クル上のパターンを投影光学系を介してウエハ上の各シ
ョット領域に縮小して投影するステッパー型の投影露光
装置でウエハの交換を行う場合に本発明を適用したもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the positioning method according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In this example, the present invention is applied when a wafer is replaced by a stepper type projection exposure apparatus that reduces and projects a pattern on a reticle onto each shot area on the wafer via a projection optical system.
【００２０】図２は、本例の投影露光装置の概略構成を
示し、この図２において、水銀灯等からなる光源、フラ
イアイレンズ、及びコンデンサレンズ等を含む照明光学
系ＩＡからの照明光ＩＬのもとで、レチクル１上のパタ
ーンが投影光学系３を介してウエハ６の各ショット領域
上に投影露光される。ここで図２において、投影光学系
３の光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内
で図２の紙面に垂直にＹ軸を、図２の紙面に平行にＸ軸
を取る。FIG. 2 shows a schematic structure of the projection exposure apparatus of this example. In FIG. 2, the illumination light IL from the illumination optical system IA including a light source such as a mercury lamp, a fly-eye lens, a condenser lens and the like. Initially, the pattern on the reticle 1 is projected and exposed onto each shot area of the wafer 6 via the projection optical system 3. In FIG. 2, the Z axis is taken parallel to the optical axis AX of the projection optical system 3, the Y axis is perpendicular to the plane of FIG. 2 in the plane perpendicular to the Z axis, and the X axis is parallel to the plane of FIG. I take the.
【００２１】レチクル１は、レチクル架台３１上に載置
されたレチクルステージ３２上に保持されている。レチ
クルステージ３２は不図示のレチクル駆動系によりＸＹ
平面での並進移動及びθ方向（回転方向）への回転がで
きるようになっている。レチクルステージ３２上の端部
にはＸ方向、Ｙ方向共に移動鏡３３が設置されており、
移動鏡３３とレチクル架台３１上に固定されたレーザ干
渉計３４とによってレチクルステージ３２のＸ方向、Ｙ
方向の位置が例えば０．０１μｍ程度の分解能で常時検
出され、同時にレチクルステージ３２の回転角も検出さ
れている。レーザ干渉計３４の測定値はステージ制御系
１６に送られ、ステージ制御系１６はその情報に基づい
てレチクル架台３１上のレチクル駆動系を制御する。ま
た、ステージ制御系１６から中央制御系１８にレーザ干
渉計３４の測定値の情報が供給されており、中央制御系
１８はその情報に基づいてステージ制御系１６を制御す
る構成となっている。The reticle 1 is held on a reticle stage 32 mounted on a reticle stand 31. The reticle stage 32 is moved in XY by a reticle drive system (not shown).
Translation on a plane and rotation in the θ direction (rotation direction) are possible. A moving mirror 33 is installed at the end of the reticle stage 32 in both the X and Y directions.
The movable mirror 33 and the laser interferometer 34 fixed on the reticle mount 31 cause the reticle stage 32 to move in the X and Y directions.
The position in the direction is constantly detected with a resolution of, for example, about 0.01 μm, and at the same time, the rotation angle of the reticle stage 32 is also detected. The measurement value of the laser interferometer 34 is sent to the stage control system 16, and the stage control system 16 controls the reticle drive system on the reticle mount 31 based on the information. The stage control system 16 supplies information on the measurement value of the laser interferometer 34 to the central control system 18, and the central control system 18 controls the stage control system 16 based on the information.
【００２２】一方ウエハ６は、ウエハＸステージ１１上
の試料台２９に固定されたウエハホルダ３０上に真空吸
着により保持されている。試料台２９はウエハ６の光軸
ＡＸ方向（Ｚ方向）への位置及びチルト（傾き）を補正
するＺチルト駆動部（本例では３個のそれぞれＺ方向に
移動される部材よりなる）１０に支持され、Ｚチルト駆
動部１０はＸステージ１１上に固定されている。また、
Ｘステージ１１はＹステージ１２上に載置され、Ｙステ
ージ１２はウエハベース１４上に載置され、それぞれ不
図示のウエハステージ駆動系を介してＸ方向及びＹ方向
に移動できるように構成されている。また、試料台２９
上の端部にはＬ字型の移動鏡１３が固定され、この移動
鏡１３と移動鏡１３に対応する方向に配置されたレーザ
干渉計１７とにより試料台２９のＸ方向、Ｙ方向の座標
及び回転角が検出される。レーザ干渉計１７により計測
される座標（Ｘ，Ｙ）により規定される座標系をウエハ
ステージの座標系（Ｘ，Ｙ）と呼ぶ。On the other hand, the wafer 6 is held by vacuum suction on a wafer holder 30 fixed to a sample table 29 on the wafer X stage 11. The sample table 29 is mounted on a Z tilt drive unit (which is composed of three members each moved in the Z direction in this example) 10 for correcting the position and tilt of the wafer 6 in the optical axis AX direction (Z direction). The Z tilt drive unit 10 is supported and fixed on the X stage 11. Also,
The X stage 11 is placed on a Y stage 12, and the Y stage 12 is placed on a wafer base 14 so as to be movable in the X and Y directions via a wafer stage drive system (not shown). There is. In addition, the sample table 29
An L-shaped moving mirror 13 is fixed to the upper end, and the moving mirror 13 and a laser interferometer 17 arranged in a direction corresponding to the moving mirror 13 coordinate the sample table 29 in the X and Y directions. And the rotation angle is detected. The coordinate system defined by the coordinates (X, Y) measured by the laser interferometer 17 is called the wafer stage coordinate system (X, Y).
【００２３】レーザ干渉計１７の測定値はステージ制御
系１６に送られ、ステージ制御系１６はその情報に基づ
いてウエハステージ駆動系を制御する。また、ステージ
制御系１６から中央制御系１８にレーザ干渉計１７の測
定値の情報が供給されており、中央制御系１８はその情
報に基づいてステージ制御系１６を制御する構成となっ
ている。また、ウエハステージの近傍にはウエハを受け
渡しするためのウエハ搬送装置３９（図３参照）が配置
され、ウエハステージ内にはウエハの受け渡し機構が備
えられているが、これについては後で詳しく説明する。The measurement value of the laser interferometer 17 is sent to the stage control system 16, and the stage control system 16 controls the wafer stage drive system based on the information. The stage control system 16 supplies the central control system 18 with information on the measurement value of the laser interferometer 17, and the central control system 18 controls the stage control system 16 based on the information. Further, a wafer transfer device 39 (see FIG. 3) for transferring the wafer is arranged near the wafer stage, and a wafer transfer mechanism is provided in the wafer stage, which will be described in detail later. To do.
【００２４】更に、本例の投影露光装置にはレチクル４
とウエハ６との位置合わせを行うためのＴＴＬ方式のＬ
ＳＡ（Laser Step Alignment）方式のアライメントセン
サ４、及びオフ・アクシス方式でＦＩＡ（撮像方式）方
式のアライメントセンサ５が備えられている。なお、ア
ライメントセンサ４の中には、ＬＩＡ(Laser Interfero
metric Alignment）方式のアライメントセンサも並列に
組み込まれているが、以下ではＬＳＡ方式のアライメン
トセンサを使用するものとして説明する。アライメント
時には、これらのアライメントセンサ４，５の何れかに
よりウエハ６上に形成されたウエハマークの位置を検出
し、その検出結果に基づき、常時ウエハ６の各ショット
領域に前工程で形成されたパターンとレチクル上のパタ
ーンとを正確に位置合わせする。これらのアライメント
センサ４，５からの検出信号はアライメント制御系１５
によって処理され、アライメント制御系１５は中央制御
系１８により制御されている。また、試料台２９上に、
表面がウエハ６の表面と同じ高さになるように基準マー
ク部材４３が固定され、基準マーク部材４３の表面にア
ライメントの基準となるマークが形成されている。Further, in the projection exposure apparatus of this example, the reticle 4 is used.
Of the TTL method for aligning the wafer 6 with the wafer 6.
An SA (Laser Step Alignment) type alignment sensor 4 and an off-axis type FIA (imaging type) type alignment sensor 5 are provided. In addition, in the alignment sensor 4, LIA (Laser Interfero
Although a metric alignment (alignment) type alignment sensor is also installed in parallel, the following description will be made assuming that an LSA type alignment sensor is used. At the time of alignment, the position of the wafer mark formed on the wafer 6 is detected by any of these alignment sensors 4 and 5, and the pattern formed in the previous step in each shot area of the wafer 6 is always based on the detection result. And the pattern on the reticle are accurately aligned. Detected signals from these alignment sensors 4 and 5 are the alignment control system 15
The alignment control system 15 is controlled by the central control system 18. In addition, on the sample table 29,
The reference mark member 43 is fixed so that the surface thereof is at the same height as the surface of the wafer 6, and a mark serving as a reference for alignment is formed on the surface of the reference mark member 43.
【００２５】以上のように、ステージ制御系１６及びア
ライメント制御系１５は中央制御系１８により制御さ
れ、中央制御系１８が投影露光装置の全体を統轄的に制
御して、一定のシーケンスで露光動作が行われる構成と
なっている。次に、ウエハ搬送系及びウエハステージ上
のウエハの受け渡し機構について図３を参照して説明す
る。なお、ウエハステージはウエハホルダ３０、試料台
２９、Ｚチルト駆動部１０、Ｘステージ１１、Ｙステー
ジ１２、及びウエハベース１４をまとめて総称するもの
である。As described above, the stage control system 16 and the alignment control system 15 are controlled by the central control system 18, and the central control system 18 centrally controls the entire projection exposure apparatus to perform the exposure operation in a fixed sequence. Is performed. Next, the wafer transfer system and the wafer transfer mechanism on the wafer stage will be described with reference to FIG. The wafer stage is a collective term for the wafer holder 30, the sample table 29, the Z tilt drive unit 10, the X stage 11, the Y stage 12, and the wafer base 14.
【００２６】図３（ａ）は本例のウエハ搬送系及びウエ
ハステージ周辺の構成の平面図、図３（ｂ）はその側面
図を示す。図３（ａ）及び（ｂ）において、ウエハステ
ージの−Ｘ方向の上方には、ウエハを受け渡しするため
のウエハ搬送装置３９が配置されている。ウエハ搬送装
置３９はＸ方向に直列に並んだウエハアーム２１，２
２、それらのウエハアーム２１，２２を所定の位置まで
スライドさせるスライダー２３、及びウエハアーム２
１，２２を駆動する不図示のアーム駆動系から構成され
ている。２つのウエハアーム２１，２２は共にＵ字状の
平板部を有し、それらの上表面にウエハが載置されるよ
うになっている。これらの２つのウエハアーム２１，２
２により露光後のウエハをアンロードすると同時に次の
ウエハをロードすることができるようになっている。FIG. 3A is a plan view of the structure around the wafer transfer system and the wafer stage of this example, and FIG. 3B is a side view thereof. In FIGS. 3A and 3B, a wafer transfer device 39 for delivering a wafer is arranged above the wafer stage in the −X direction. The wafer transfer device 39 has wafer arms 21 and 2 arranged in series in the X direction.
2, a slider 23 for sliding the wafer arms 21 and 22 to a predetermined position, and the wafer arm 2
It is configured by an arm drive system (not shown) that drives the motors 1 and 22. Each of the two wafer arms 21 and 22 has a U-shaped flat plate portion, and the wafer is placed on the upper surface thereof. These two wafer arms 21,2
2 allows the wafer after exposure to be unloaded and the next wafer to be loaded at the same time.
【００２７】ウエハアーム２１，２２は、ローダ制御装
置２４からの指令に基づき、スライダー２３に沿って、
ウエハがウエハステージ系に受け渡されるローディング
ポジションまで移動し、ウエハアーム２２により露光さ
れた前のウエハ６Ａを搬出する。次にウエハアーム２１
により次に露光するウエハ６をウエハステージ上に移動
し、センターアップ３８上に載置する。図３は、スライ
ダー２３上のウエハアーム２２に前のウエハ６Ａが載置
され、ウエハアーム２１からセンタアップ３８にウエハ
６が渡された状態を示している。The wafer arms 21 and 22 are moved along the slider 23 based on a command from the loader controller 24.
The wafer moves to the loading position where it is transferred to the wafer stage system, and the wafer 6A that has not been exposed by the wafer arm 22 is unloaded. Next, the wafer arm 21
Then, the wafer 6 to be exposed next is moved onto the wafer stage and placed on the center-up 38. FIG. 3 shows a state where the previous wafer 6A is placed on the wafer arm 22 on the slider 23 and the wafer 6 is transferred from the wafer arm 21 to the center-up 38.
【００２８】センターアップ３８は、Ｘステージ１１上
に設けられた伸縮機構３５に支持され、試料台２９、及
びウエハホルダ３０の開口に遊嵌する３本のスピンドル
部３８ａ〜３８ｃを有し、伸縮機構３５の上下方向（Ｚ
方向）への移動により３本のスピンドル部３８ａ〜３８
ｃがウエハ６を上下させてウエハ６の受け渡しが行われ
る。３本のスピンドル部３８ａ〜３８ｃの先端にはそれ
ぞれ真空吸着の吸着孔が形成され、それらの先端はウエ
ハの受け渡し時にはウエハアーム２１，２２との間で受
け渡しのできる高さまで移動し、ウエハをウエハホルダ
７上に載置する際には、ウエハホルダ７の表面より低い
位置まで移動する。また、スピンドル部３８ａ〜３８ｃ
の先端を真空吸引することにより、センターアップ３８
を上下させるときにウエハ６がずれないようになってい
る。The center-up 38 is supported by the expansion / contraction mechanism 35 provided on the X stage 11, and has three spindle portions 38a to 38c which are loosely fitted in the opening of the sample holder 29 and the wafer holder 30. 35 vertical direction (Z
Direction), the three spindles 38a-38
c moves the wafer 6 up and down, and the wafer 6 is delivered. Vacuum suction holes are formed at the tips of the three spindles 38a to 38c, and the tips move to a height at which they can be delivered to and from the wafer arms 21 and 22 when the wafer is delivered, and the wafer is held in the wafer holder 7. When the wafer holder 7 is placed on the upper surface, it moves to a position lower than the surface of the wafer holder 7. Further, the spindle portions 38a to 38c
Center up 38 by vacuuming the tip of
The wafer 6 is prevented from shifting when moving up and down.
【００２９】また、伸縮機構３５はその中心軸３５Ｚを
中心としてＸＹ平面上で回転自在に支持され、Ｘステー
ジ１１上に設けられた回転駆動系３６により回転する駆
動軸３７と係合して、回転駆動系３６を制御する中央制
御系１８からの指令により所望の角度まで回転できるよ
うになっている。この回転駆動系３６、駆動軸３７、及
び伸縮機構３５からなる回転系は十分な分解能を持って
おり、０．１ｍｒａｄの精度でウエハ６を回転させるこ
とができる。Further, the expansion / contraction mechanism 35 is rotatably supported on the XY plane about its central axis 35Z, and engages with a drive shaft 37 which is rotated by a rotary drive system 36 provided on the X stage 11, A central control system 18 for controlling the rotary drive system 36 can rotate the desired angle by a command. The rotary system including the rotary drive system 36, the drive shaft 37, and the expansion / contraction mechanism 35 has a sufficient resolution and can rotate the wafer 6 with an accuracy of 0.1 mrad.
【００３０】次に、本例の投影露光装置における位置決
めの動作の一例につき図１を参照して説明する。本発明
においては、先ず、ステップ１０１において図２の基準
マーク部材４３上の基準マークを用いて、ウエハステー
ジの座標系（Ｘ，Ｙ）に対するアライメントセンサ４の
レーザビームの傾きを求める。ここでは、ＬＳＡ方式の
アライメントセンサ４の帯状（スリット状）のレーザビ
ームのウエハステージの座標系（Ｘ，Ｙ）に対する傾き
の状態及び傾き角を計算する例について図４を参照して
説明する。この場合、アライメントセンサ４はＹ軸用で
あるが、不図示のＸ軸用のＬＳＡ方式のアライメントセ
ンサからも基準マーク部材４３上にレーザビームが照射
されているものとする。なお、ＬＩＡ方式についても同
様である。Next, an example of the positioning operation in the projection exposure apparatus of this example will be described with reference to FIG. In the present invention, first, in step 101, the inclination of the laser beam of the alignment sensor 4 with respect to the coordinate system (X, Y) of the wafer stage is obtained using the reference mark on the reference mark member 43 of FIG. Here, an example of calculating the tilt state and tilt angle of the belt-shaped (slit-shaped) laser beam of the LSA alignment sensor 4 with respect to the coordinate system (X, Y) of the wafer stage will be described with reference to FIG. In this case, the alignment sensor 4 is for the Y axis, but it is assumed that the laser beam is also applied to the reference mark member 43 from the LSA type alignment sensor for the X axis (not shown). The same applies to the LIA method.
【００３１】図４（ａ）は、基準マーク部材４３上にア
ライメントセンサ４から投影されたレーザビームの状
態、図４（ｂ）はレーザビームの傾き角の計算方法を説
明する模式図を示す。この図４（ａ）において、基準マ
ーク部材４３の中心Ｃを原点としたＸ，Ｙ座標の上にそ
れぞれＸ軸及びＹ軸に平行な点列状の基準マーク４１
Ｙ，４１Ｘが形成されている。これに対しアライメント
用のＹ，Ｘ方向の位置をそれぞれ検出するレーザビーム
４２Ｙ，４２Ｘの長手方向に平行な座標をＸ’，Ｙ’座
標とすると、Ｘ’，Ｙ’座標はウエハステージのＸ，Ｙ
座標に対してそれぞれθLSAY，θLSAXだけ傾いている。FIG. 4A shows the state of the laser beam projected from the alignment sensor 4 on the reference mark member 43, and FIG. 4B shows a schematic diagram for explaining the method of calculating the tilt angle of the laser beam. In FIG. 4A, the reference marks 41 in the form of a dot array parallel to the X-axis and the Y-axis on the X and Y coordinates with the center C of the reference mark member 43 as the origin.
Y and 41X are formed. On the other hand, assuming that the coordinates parallel to the longitudinal direction of the laser beams 42Y and 42X for detecting the positions in the Y and X directions for alignment are X ′ and Y ′ coordinates, the X ′ and Y ′ coordinates are the X and Y of the wafer stage. Y
They are inclined by θ LSAY and θ LSAX , respectively, with respect to the coordinates.
【００３２】先ず回転誤差θLSAXを検出するためには、
例えば図４（ｂ）のように順次ウエハステージをＹ方向
にＬだけステッピングさせて、基準マーク４１Ｘでレー
ザビーム４２Ｘを走査してそれぞれ基準マーク４１Ｘの
位置を検出する。帯状のレーザビーム４２ＸのＹ’座標
軸に対してウエハステージのＹ座標軸が傾いているため
に、Ｙ方向にＬだけ離して走査したときの基準マーク４
１ＸのＸ座標値が異なってくる。基準マーク４１の２箇
所で測定されたＸ座標値をそれぞれｘ1 ，ｘ2とする
と、ｘ1 −ｘ2 ＝Δｘとして、回転誤差θLSAXはΔｘ／
Ｌで求められる。同様に、Ｘ座標軸に対するＸ’座標軸
の回転誤差θLSAYも計測される。また、ＬＩＡ方式のア
ライメントマークに対するレーザビームの回転誤差θ
LIAX及びθLI AYも同様に求められる。First, in order to detect the rotation error θ LSAX ,
For example, as shown in FIG. 4B, the wafer stage is sequentially stepped in the Y direction by L and the reference mark 41X is scanned with the laser beam 42X to detect the position of the reference mark 41X. Since the Y coordinate axis of the wafer stage is tilted with respect to the Y ′ coordinate axis of the belt-shaped laser beam 42X, the reference mark 4 when the laser beam 42X is scanned while being separated by L in the Y direction.
The X coordinate value of 1X is different. Assuming that the X coordinate values measured at two points of the reference mark 41 are x 1 and x 2 , respectively, x 1 −x 2 = Δx, and the rotation error θ LSAX is Δx /
Required by L. Similarly, the rotation error θ LSAY of the X ′ coordinate axis with respect to the X coordinate axis is also measured. Also, the rotation error θ of the laser beam with respect to the LIA alignment mark
LIAX and θ LI AY are calculated similarly.
【００３３】ＬＳＡ方式及びＬＩＡ方式のアライメント
センサからのレーザビームの回転誤差の値を中央制御系
１８において記憶する。なお、新しいウエハをウエハカ
セットからウエハアーム２１，２２に載せ換える前にウ
エハ外周のオリエンテーションフラット（切り欠き部）
の検出により、各ウエハを例えば５０μｍ（３σ）程度
にプリアライメントする機構（不図示）は、ウエハステ
ージの座標系（Ｘ，Ｙ）に対して回転誤差がないように
調整されているものとする。The central control system 18 stores the value of the rotation error of the laser beam from the LSA type and LIA type alignment sensors. It should be noted that the orientation flat (cutout portion) on the outer circumference of the wafer before transferring a new wafer from the wafer cassette onto the wafer arms 21 and 22.
It is assumed that a mechanism (not shown) for pre-aligning each wafer to, for example, about 50 μm (3σ) by the detection of is adjusted so that there is no rotation error with respect to the coordinate system (X, Y) of the wafer stage. .
【００３４】この状態で、ステップ１０２において、Ｌ
ＳＡ方式のアライメントセンサ４を使用するものとし
て、レチクル１をウエハステージの座標系（Ｘ，Ｙ）に
対して回転誤差θLSAX及びθLSAYの平均値（θLSAX＋θ
LSAY）／２分だけ回転する。次に、座標系（Ｘ，Ｙ）を
角度（θLSAX＋θLSAY）／２だけ回転した座標系をステ
ージ座標系として、以後はこのステージ座標系を基準と
してウエハステージを駆動する。次に、ステップ１０３
においてウエハの順序を示す変数Ｎを１に設定する。な
お、１ロット内のウエハ枚数をＭとする。次に、ステッ
プ１０４で図３に示すように、１枚目のウエハ６をウエ
ハカセットより取り出し、プリアライメント機構によっ
て５０μｍ程度の位置決め誤差に追い込んだ後、ウエハ
６をウエハアーム２１にて搬送する。次に、ステップ１
０５にてウエハステージをローディングポジション（ウ
エハの受け渡し位置）に移動させ、ステップ１０６で変
数Ｎが１かどうか判定し、変数Ｎが１の場合ステップ１
０７に進む。変数Ｎが１でない場合はステップ１１９に
進む。In this state, in step 102, L
Assuming that the SA type alignment sensor 4 is used, the reticle 1 is rotated with respect to the wafer stage coordinate system (X, Y), and the average value of the rotational errors θ LSAX and θ LSAY (θ LSAX + θ
LSAY ) / Rotate for 2 minutes. Then, a coordinate system obtained by rotating the coordinate system (X, Y) by an angle (θ LSAX + θ LSAY ) / 2 is used as a stage coordinate system, and thereafter, the wafer stage is driven with this stage coordinate system as a reference. Then, step 103
In, a variable N indicating the order of wafers is set to 1. The number of wafers in one lot is M. Next, in step 104, as shown in FIG. 3, the first wafer 6 is taken out from the wafer cassette, and after a positioning error of about 50 μm is driven by the pre-alignment mechanism, the wafer 6 is transferred by the wafer arm 21. Next, step 1
At 05, the wafer stage is moved to the loading position (wafer transfer position), and at step 106, it is determined whether or not the variable N is 1. If the variable N is 1, then step 1
Proceed to 07. If the variable N is not 1, the process proceeds to step 119.
【００３５】ステップ１０７では、ウエハアーム２１上
のウエハ６をウエハホルダ３０上に移動する。そして次
のステップ１０８において、ウエハ６をセンターアップ
３８に受け渡し、受け渡し終了後ウエハアーム２１を引
き抜いて、センターアップ３８を下げる。このとき、ス
テップ１０１で求めたアライメント用のレーザビームの
傾き角の平均値（θLSAX＋θLSAY）／２分だけ、回転駆
動系３６を駆動してセンタアップ３８を回転させる。こ
の回転誤差補正はロット内の全てのウエハについて行わ
れる。ウエハ６がウエハホルダ３０上に到着した時点
で、センターアップ３８側の吸引動作を停止し、ウエハ
ホルダ３０側の吸引動作を開始することでウエハ６がウ
エハホルダ３０上に固定される。この場合、図３（ａ）
に示すように、ウエハ６の左右に位置合わせ用のＬＳＡ
方式のアライメントマーク４５Ｘ，４５Ｙ及び４４Ｘ，
４４Ｙが形成されている。また、ウエハ６上の各ショッ
ト領域ＳＡにはそれぞれ最終アライメント用のＬＳＡ方
式のウエハマーク４６Ｘ，４６Ｙが付設されている。In step 107, the wafer 6 on the wafer arm 21 is moved onto the wafer holder 30. Then, in the next step 108, the wafer 6 is delivered to the center-up 38, and after the delivery is completed, the wafer arm 21 is pulled out to lower the center-up 38. At this time, the rotation drive system 36 is driven by the average value (θ LSAX + θ LSAY ) / 2 of the tilt angle of the alignment laser beam obtained in step 101 to rotate the center-up 38. This rotation error correction is performed on all the wafers in the lot. When the wafer 6 arrives on the wafer holder 30, the suction operation on the center-up 38 side is stopped and the suction operation on the wafer holder 30 side is started, so that the wafer 6 is fixed on the wafer holder 30. In this case, FIG.
As shown in FIG.
System alignment marks 45X, 45Y and 44X,
44Y is formed. Further, each shot area SA on the wafer 6 is provided with LSA type wafer marks 46X and 46Y for final alignment.
【００３６】次に、ステップ１０９で、ウエハステージ
を駆動し、図３（ａ）のウエハ６上のアライメントマー
ク４４Ｘ，４４Ｙ及び４５Ｘ，４５ＹをＬＳＡ方式のア
ライメントセンサ４及び不図示のＸ軸用のアライメント
センサにて計測する。この場合、例えばウエハの両端に
ある２つのアライメントマーク４５Ｙ，４４Ｙの計測結
果のステージ座標系のＹ軸での座標値をｙ3 ，ｙ4 とす
れば、これらの座標値及び２つの基準マーク４５Ｙ，４
４Ｙ同志の間隔ＬＹから、ステージ座標系に対するウエ
ハ６の回転誤差は（ｙ4 −ｙ3 ）／ＬＹで求められる。
この値を回転誤差Δθ1 （ウエハがＮ枚目の場合は回転
誤差ΔθN ）とする。このようにして、ラフな回転誤差
計測が行われたことになる。Next, at step 109, the wafer stage is driven to set the alignment marks 44X, 44Y and 45X, 45Y on the wafer 6 in FIG. 3A to the LSA type alignment sensor 4 and the X axis (not shown). Measure with the alignment sensor. In this case, for example, if the coordinate values on the Y axis of the stage coordinate system of the measurement results of the two alignment marks 45Y and 44Y at both ends of the wafer are y 3 and y 4 , these coordinate values and the two reference marks 45Y are set. , 4
The rotation error of the wafer 6 with respect to the stage coordinate system is calculated by (y 4 −y 3 ) / LY from the 4Y interval LY.
This value is defined as a rotation error Δθ 1 (or rotation error Δθ N for the Nth wafer). In this way, rough rotation error measurement is performed.
【００３７】次に、ステップ１１０で、今はＮ枚目のウ
エハのローディングを行っているものとして、センター
アップ３８によって回転補正された角度をθT とする。
変数Ｎが１のときには、θT ＝（θLSAX＋θLSAY）／２
である。そして、計測された回転誤差ΔθN とその回転
補正された角度との和を絶対回転誤差ΘN とする。即
ち、次式が成立する。Next, in step 110, it is assumed that the Nth wafer is being loaded now, and the angle corrected by the center up 38 is set to θ T.
When the variable N is 1, θ T = (θ LSAX + θ LSAY ) / 2
Is. Then, the sum of the measured rotation error Δθ N and the rotation-corrected angle is defined as the absolute rotation error Θ N. That is, the following equation is established.
【００３８】ΘN ＝θT ＋ΔθN 次に、１枚目のウエハからＮ枚目のウエハまでの絶対回
転誤差ΘN の平均値である新たな平均回転誤差θT （＝
（Θ1 ＋Θ2 ＋…＋ΘN ）／Ｎ）を求める。次に、ステ
ップ１１１で回転誤差ΔθN が許容誤差範囲内かどうか
を判別する。この許容誤差範囲は例えばオペレータより
入力されるが、アライメントセンサ４のレーザビームの
傾きの許容値で決定される数値である。ここで、回転誤
差ΔθNが許容誤差範囲内のときはステップ１１５に進
み、許容誤差範囲外のときはステップ１１２に進む。Θ N = θ T + Δθ N Next, a new average rotation error θ T (=, which is the average value of the absolute rotation error Θ N from the first wafer to the Nth wafer.
(Θ 1 + Θ 2 + ... + Θ N ) / N) is calculated. Next, at step 111, it is judged if the rotation error Δθ N is within the allowable error range. This allowable error range is input by the operator, for example, but is a numerical value determined by the allowable value of the inclination of the laser beam of the alignment sensor 4. Here, if the rotation error Δθ N is within the allowable error range, the process proceeds to step 115, and if it is outside the allowable error range, the process proceeds to step 112.
【００３９】ステップ１１２では、ウエハホルダ３０の
吸引動作を停止し、センターアップ３８の吸引動作を開
始してウエハを吸着し、持ち上げる。ここで、ステップ
１１３においてセンターアップ３８の回転によって回転
誤差ΔθN を修正するようにウエハを回転させる。補正
後ステップ１１４において、センターアップ３８を下げ
てセンターアップ３８の吸引動作を停止し、ウエハをウ
エハホルダ３０上に再設置し、ウエハホルダ３０での吸
引動作を行ってウエハをウエハホルダ３０上に固定す
る。そして、ステップ１１５に進む。In step 112, the suction operation of the wafer holder 30 is stopped and the suction operation of the center-up 38 is started to suck and lift the wafer. Here, in step 113, the wafer is rotated so that the rotation error Δθ N is corrected by the rotation of the center-up 38. In post-correction step 114, the center-up 38 is lowered to stop the suction operation of the center-up 38, the wafer is reinstalled on the wafer holder 30, and the wafer holder 30 performs the suction operation to fix the wafer on the wafer holder 30. Then, it proceeds to step 115.
【００４０】ステップ１１５では、アライメントセンサ
４等によりステージ座標系に対するウエハの回転誤差の
高精度な計測（ファイン計測）を実施する。この場合、
例えばウエハ上の複数個のショット領域に付設されたウ
エハマークの位置を統計処理して回転誤差を求めるた
め、ステップ１０９における計測結果に比較してより正
確な回転誤差が得られることになる。ここで、このファ
イン計測により得られたウエハのステージ座標系に対す
る回転誤差をΔθ’（残留誤差）とする。この結果に基
づき、次のステップ１１６において、レチクルステージ
３２を駆動して回転誤差Δθ’分だけレチクル１を回転
する。これによりレチクルパターンに対するウエハの各
ショット領域の回転誤差が除去される。そして、その他
の誤差をウエハステージの位置を補正することで除去
し、順次露光を実施する。In step 115, highly accurate measurement (fine measurement) of the rotation error of the wafer with respect to the stage coordinate system is performed by the alignment sensor 4 and the like. in this case,
For example, since the rotation error is calculated by statistically processing the positions of the wafer marks attached to a plurality of shot areas on the wafer, a more accurate rotation error can be obtained as compared with the measurement result in step 109. Here, the rotation error of the wafer with respect to the stage coordinate system obtained by this fine measurement is Δθ ′ (residual error). Based on this result, in the next step 116, the reticle stage 32 is driven to rotate the reticle 1 by the rotation error Δθ ′. As a result, the rotation error of each shot area of the wafer with respect to the reticle pattern is removed. Then, other errors are removed by correcting the position of the wafer stage, and exposure is sequentially performed.
【００４１】１枚目のウエハの露光が終了後、ステップ
１１７でウエハの順序を示す変数Ｎを１だけ増加し、Ｎ
＝２としてステップ１１８に進み、ステップ１１８でＮ
＝Ｍであるかどうかを判定する。Ｎ≠Ｍである場合は再
びステップ１０４からのシーケンスを繰り返す。ステッ
プ１１８においてＮ＝Ｍと判定された場合は終了とな
る。After the exposure of the first wafer is completed, the variable N indicating the order of the wafers is incremented by 1 in step 117 to obtain N
= 2, the process proceeds to step 118, and at step 118 N
= M is determined. If N ≠ M, the sequence from step 104 is repeated again. If N = M is determined in step 118, the process ends.
【００４２】ここで、ステップ１０６において変数Ｎが
１でないときのシーケンスを説明する。変数Ｎが１でな
いときは前述のようにステップ１１９に進む。ウエハホ
ルダ３０上には前のウエハが載置されているので、ここ
でウエハを次のウエハと交換する。ステップ１１９で先
ず、ウエハホルダ３０の吸引動作を停止し、センターア
ップ３８の吸引動作を開始してウエハを吸着し、持ち上
げる。次に、ステップ１２０において、搬出用のウエハ
アーム（ウエハアーム２２）にウエハを載せ換え、搬入
用のウエハアーム（ウエハアーム２１）上のウエハをウ
エハホルダ３０上に移動し、センターアップ３８上にウ
エハを移す。Now, the sequence when the variable N is not 1 in step 106 will be described. If the variable N is not 1, the process proceeds to step 119 as described above. Since the previous wafer is placed on the wafer holder 30, the wafer is replaced with the next wafer here. In step 119, first, the suction operation of the wafer holder 30 is stopped, and the suction operation of the center up 38 is started to suck and lift the wafer. Next, in step 120, the wafer is transferred onto the carry-out wafer arm (wafer arm 22), the wafer on the carry-in wafer arm (wafer arm 21) is moved onto the wafer holder 30, and the wafer is moved onto the center-up 38.
【００４３】ここで、ステップ１２１においてセンター
アップ３８の吸引を開始してウエハをセンターアップ３
８上に固定させた後、センターアップ３８の回転によっ
てそれまでの平均回転誤差θT を修正するようにウエハ
を回転させ、ウエハの回転誤差を補正する。補正後、ス
テップ１２２において、センターアップ３８を下げてセ
ンターアップ３８の吸引動作を停止し、ウエハをウエハ
ホルダ３０上に再設置し、ウエハホルダ３０での吸引動
作を行ってウエハをウエハホルダ３０上に固定する。そ
して、ステップ１０９に進み、回転誤差ΔθN の計測を
行う。Here, in step 121, suction of the center-up 38 is started to center the wafer 3
Then, the wafer is rotated so that the average rotation error θ T up to then is corrected by the rotation of the center-up 38, and the rotation error of the wafer is corrected. After the correction, in step 122, the center-up 38 is lowered to stop the suction operation of the center-up 38, the wafer is reinstalled on the wafer holder 30, and the suction operation is performed by the wafer holder 30 to fix the wafer on the wafer holder 30. . Then, in step 109, the rotation error Δθ N is measured.
【００４４】以上のように、変数Ｎが１でないときは、
既に前のウエハの計測を終えているので平均回転誤差θ
T が求められている。一般的にウエハの回転誤差は、ウ
エハ上のアライメントマークを形成した工程の露光装置
とのマッチング誤差と、プリアライメント誤差とによっ
て決定される。従って、同一ロットでは一定の回転誤差
が発生している可能性が高く、そのため、予め補正すべ
き回転誤差を推定する方法としてステップ１１０に示す
ように、それまでの絶対回転誤差Θ1 ，Θ2 ，…，ΘN
の平均値（平均回数誤差）θT を求めている。As described above, when the variable N is not 1,
Since the measurement of the previous wafer has already been completed, the average rotation error θ
T is required. Generally, the rotation error of the wafer is determined by the matching error with the exposure apparatus in the process of forming the alignment mark on the wafer and the pre-alignment error. Therefore, there is a high possibility that a constant rotation error has occurred in the same lot. Therefore, as shown in step 110 as a method of estimating the rotation error to be corrected in advance, the absolute rotation errors Θ 1 and Θ 2 up to that point are calculated. ，… ， Θ N
The average value (error of the number of averages) θ T is calculated.
【００４５】ステップ１０９でアライメントセンサによ
りウエハの回転誤差を計測する前に、ステップ１２１に
おいてこれを予め補正することで、ウエハをウエハホル
ダ３０に搭載後、ステップ１１２〜１１４のように再搭
載する確率が少なくなるようにしている。この一連の動
作が１１９〜１２２に示されており、ウエハ枚数が増え
る程、平均回転誤差θT の信頼性が高まり、ステップ１
１２〜１１４へ進む頻度が減ることになる。この一連の
シーケンスによってアライメントセンサのレーザビーム
の傾きによる回転誤差が少なく、更に高いスループット
（生産性）でウエハへの露光が行われる。Before measuring the rotation error of the wafer by the alignment sensor in step 109, by correcting this in advance in step 121, the probability of re-mounting the wafer in steps 112 to 114 after mounting the wafer on the wafer holder 30 is increased. I try to reduce it. This series of operations is shown in 119 to 122. As the number of wafers increases, the reliability of the average rotation error θ T increases, and step 1
The frequency of proceeding to 12 to 114 will be reduced. By this series of sequences, the rotation error due to the inclination of the laser beam of the alignment sensor is small, and the wafer is exposed with higher throughput (productivity).
【００４６】以上のように本例においては、アライメン
トセンサ４のレーザビームの方向を基準としてウエハ６
及びレチクル１の回転角を決定するので、ウエハ上のア
ライメントマーク及びウエハマークとレーザビームとの
傾きによる回転誤差の発生を防止することができる。ま
た、レーザビームの傾きに合わせてウエハ６の回転角を
決定するので、レーザビームの傾きを機械的及び光学的
に高精度に合わせる必要がなくコストが低減できる。ま
た、Ｘステージ１１上のセンターアップ３８に回転する
機能を設け、回転誤差を補正するシステムを設けたの
で、試料台２９の軽量化及びウエハステージにおけるよ
り高い剛性性が達成される。従って、ウエハステージの
ステッピング時の静定精度が向上し静定時間も短縮され
る。As described above, in this example, the wafer 6 is set with the direction of the laser beam of the alignment sensor 4 as a reference.
Also, since the rotation angle of the reticle 1 is determined, it is possible to prevent the occurrence of a rotation error due to the alignment mark on the wafer and the inclination between the wafer mark and the laser beam. Further, since the rotation angle of the wafer 6 is determined according to the inclination of the laser beam, it is not necessary to adjust the inclination of the laser beam with high precision mechanically and optically, and the cost can be reduced. Further, since the center up 38 on the X stage 11 is provided with a function of rotating and a system for correcting a rotation error is provided, the weight of the sample table 29 and higher rigidity of the wafer stage are achieved. Therefore, the accuracy of settling at the time of stepping the wafer stage is improved and the settling time is shortened.
【００４７】更に、本例の回転誤差を計測するシステム
によれば、ウエハの推定回転誤差を１枚のウエハの結果
で決めるのではなく複数枚のウエハの平均した平均回転
誤差θT で決めるので、ウエハステージ上でセンターア
ップ３８の回転機能を利用してウエハを回転し直すこと
が少なくなり、スループット（生産性）が向上する。ま
た、センターアップ３８を下げるのとほぼ同時に回転補
正を行い、残留誤差（回転誤差Δθ’）をレチクルステ
ージ３２により補正するので、同様にスループットが向
上する。Further, according to the system for measuring the rotation error of this example, the estimated rotation error of the wafer is determined not by the result of one wafer but by the average rotation error θ T averaged over a plurality of wafers. By using the rotation function of the center-up 38 on the wafer stage, the wafer is less likely to be rotated again, and the throughput (productivity) is improved. Further, since the rotation correction is performed almost at the same time as the center up 38 is lowered and the residual error (rotation error Δθ ′) is corrected by the reticle stage 32, the throughput is similarly improved.
【００４８】例えば、図５に示すような従来の方法では
ラフアライメントにより回転誤差を計測後、試料台９上
のウエハのθ回転補正機構８によってウエハの回転を補
正していた。これに要する時間は１〜２秒であるのに対
し、本例のシステムではセンターアップ３８を下げるの
と同時に許容誤差内になるように予め回転補正を行うの
で、そのような時間が発生しない。但し、ロットの先頭
付近では数枚のウエハをウエハホルダ上で再載置するた
めに時間を要するが、学習効果でロット内のウエハ枚数
が多いほど再載置する回数及び時間が減少し、本発明の
効果が高くなる。For example, in the conventional method as shown in FIG. 5, after the rotation error is measured by rough alignment, the wafer rotation is corrected by the wafer θ rotation correction mechanism 8 on the sample stage 9. Although the time required for this is 1 to 2 seconds, in the system of this example, such a time does not occur because the center up 38 is lowered and at the same time the rotation correction is performed in advance so as to be within the allowable error. However, it takes time to remount several wafers on the wafer holder near the beginning of the lot, but the learning effect reduces the number and time of remounting as the number of wafers in the lot increases. Will be more effective.
【００４９】また、図５に示す従来の投影露光装置に
は、移動鏡１３が載置された試料台９とウエハ６との間
に駆動系としてのウエハのθ回転補正機構８が存在する
が、本例では移動鏡１３とウエハ６との間に駆動システ
ムがないためステッピング精度の安定性が高まる。な
お、本発明はステップ・アンド・リピート型の露光装置
のみでなく、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装
置等あらゆる分野に適用できる。Further, in the conventional projection exposure apparatus shown in FIG. 5, there is a wafer θ rotation correction mechanism 8 as a drive system between the sample stage 9 on which the movable mirror 13 is placed and the wafer 6. In this example, since there is no drive system between the movable mirror 13 and the wafer 6, the stability of stepping accuracy is improved. The present invention can be applied not only to the step-and-repeat type exposure apparatus but also to various fields such as a step-and-scan type exposure apparatus.
【００５０】このように本発明は上述実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.
【００５１】[0051]
【発明の効果】本発明による第１の位置決め方法によれ
ば、感光基板（ウエハ）上のマークの方向を帯状光束の
長手の方向に対応して調節することができ、その帯状光
束とマークとの回転誤差に基づく検出誤差が除去でき
る。また、例えば帯状光束の方向に合わせて感光基板の
回転角を決定することができるので、帯状光束の方向を
機械的又は光学的に高精度に調節する必要がなくコスト
が低減できる利点がある。According to the first positioning method of the present invention, the direction of the mark on the photosensitive substrate (wafer) can be adjusted in accordance with the longitudinal direction of the band-shaped light beam, and the band-shaped light beam and the mark can be adjusted. The detection error based on the rotation error can be eliminated. Further, for example, since the rotation angle of the photosensitive substrate can be determined according to the direction of the band-shaped light beam, there is an advantage that the direction of the band-shaped light beam does not need to be mechanically or optically adjusted with high precision, and the cost can be reduced.
【００５２】また、帯状光束の長手方向と所定方向との
関係を考慮して、基板ステージ上に感光基板を位置決め
する場合には、感光基板を基板ステージに載せた時点で
感光基板とマスクパターンとの方向の調整が終了し、基
板ステージの方向を調節する必要がない。従ってスルー
プット（生産性）が向上すると共に基板ステージにマス
クパターンと感光基板との方向を調節する機構を必要と
しない。When the photosensitive substrate is positioned on the substrate stage in consideration of the relationship between the longitudinal direction of the band-shaped light flux and the predetermined direction, when the photosensitive substrate is placed on the substrate stage, the photosensitive substrate and the mask pattern are removed. The adjustment of the direction is completed and it is not necessary to adjust the direction of the substrate stage. Therefore, the throughput (productivity) is improved, and the substrate stage does not require a mechanism for adjusting the direction of the mask pattern and the photosensitive substrate.
【００５３】また、本発明の第２の位置決め方法によれ
ば、基板ホルダに再置された時点で感光基板の所定の座
標系に対する回転誤差が補正され、感光基板の位置合わ
せが迅速に行われスループットが向上する。また、感光
基板の回転誤差の補正後に感光基板の二次元座標系に対
する微少回転誤差を計測し、この微少回転誤差を補正す
るようにマスクパターンを回転させる場合には、例えば
基板ステージ側に微少回転誤差を補正する機構を必要と
しない。従って基板ステージの軽量化及び剛性のアップ
が可能となり、基板ステージのステッピング時の静定精
度が向上し静定時間も短縮する。また基板ステージ側で
行うより補正動作が簡単になる利点もある。According to the second positioning method of the present invention, the rotation error of the photosensitive substrate with respect to the predetermined coordinate system is corrected when the photosensitive substrate is repositioned on the substrate holder, so that the photosensitive substrate can be quickly aligned. Throughput is improved. Further, after the rotation error of the photosensitive substrate is corrected, a minute rotation error of the photosensitive substrate with respect to the two-dimensional coordinate system is measured, and when the mask pattern is rotated so as to correct this minute rotation error, for example, a minute rotation is performed on the substrate stage side. No error correction mechanism is required. Therefore, it is possible to reduce the weight and rigidity of the substrate stage, improve the accuracy of static determination during stepping of the substrate stage, and shorten the static determination time. There is also an advantage that the correction operation is simpler than that performed on the substrate stage side.
【図１】本発明による位置合わせ方法の一実施例を説明
するためのフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart for explaining an embodiment of a positioning method according to the present invention.
【図２】図１の位置合わせ方法を実施するための投影露
光装置の一例の概略構成を示す図である。2 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a projection exposure apparatus for carrying out the alignment method of FIG.
【図３】図２の投影露光装置で用いられるウエハ搬送装
置及びウエハの受け渡し機構を示す図である。3 is a diagram showing a wafer transfer device and a wafer transfer mechanism used in the projection exposure apparatus of FIG.
【図４】図１のレーザビームとウエハ上の基準マークと
の回転誤差を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a rotation error between the laser beam of FIG. 1 and a reference mark on a wafer.
【図５】従来の投影露光装置に用いられるウエハの受け
渡し機構を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a wafer transfer mechanism used in a conventional projection exposure apparatus.
【図６】従来の投影露光装置におけるアライメント用の
ＬＩＡ及びＬＳＡのマークとビームとの傾きを示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram showing tilts of alignment LIA and LSA marks and beams for alignment in a conventional projection exposure apparatus.
１ レチクル ＡＸ 光軸 ＩＬ 照明光 ３ 投影光学系 ３４ レーザ干渉計（レチクル用） ４ ＬＩＡ用のアライメントセンサ ５ ＬＳＡ用のアライメントセンサ ６ ウエハ １０ Ｚチルト駆動部 １１ Ｘステージ １２ Ｙステージ １５ アライメント制御系 １６ ステージ制御系 １７ レーザ干渉計（ウエハ用） １８ 中央制御系 ２９ 試料台 ３０ ウエハホルダ ３５ 伸縮機構 ３６ 回転駆動系 ３７ 回転体 ３８ センターアップ ４１Ｘ，４１Ｙ 基準マーク（基準板） ４４Ｘ，４４Ｙ 基準マーク（ウエハ） 1 reticle AX optical axis IL illumination light 3 projection optical system 34 laser interferometer (for reticle) 4 alignment sensor for LIA 5 alignment sensor for LSA 6 wafer 10 Z tilt drive unit 11 X stage 12 Y stage 15 alignment control system 16 Stage control system 17 Laser interferometer (for wafer) 18 Central control system 29 Sample table 30 Wafer holder 35 Expansion / contraction mechanism 36 Rotation drive system 37 Rotating body 38 Center up 41X, 41Y Reference mark (reference plate) 44X, 44Y Reference mark (wafer)
Claims (4)
保持された感光基板上にマスクパターンを転写する際の
前処理工程として、前記基板ステージの前記所定方向に
おける位置を計測すると共に前記感光基板上に形成され
たマークに帯状光束を照射して前記基板ステージに対す
る前記感光基板の位置を検出し、該検出結果に基づいて
前記感光基板を前記基板ステージ上に位置決めする位置
決め方法において、 前記帯状光束の長手方向と前記所定方向との関係を計測
し、前記帯状光束の長手方向と前記所定方向との関係に
基づいて前記マスクパターンと前記感光基板とを相対的
に移動させることを特徴とする位置決め方法。1. As a pretreatment step when a mask pattern is transferred onto a photosensitive substrate held on a substrate stage movable in a predetermined direction, the position of the substrate stage in the predetermined direction is measured and the photosensitive substrate is moved. In a positioning method of irradiating a mark formed on the substrate with a band-shaped light beam to detect the position of the photosensitive substrate with respect to the substrate stage, and positioning the photosensitive substrate on the substrate stage based on the detection result, Of the longitudinal direction of the strip-shaped light flux and the predetermined direction are measured, and the mask pattern and the photosensitive substrate are moved relative to each other based on the relationship between the longitudinal direction of the band-shaped light beam and the predetermined direction. Method.
との関係に基づいて、前記基板ステージ上に前記感光基
板を位置決めすることを特徴とする請求項１記載の位置
決め方法。2. The positioning method according to claim 1, wherein the photosensitive substrate is positioned on the substrate stage based on the relationship between the longitudinal direction of the band-shaped light beam and the predetermined direction.
マスクパターンを転写する際の前処理工程として、所定
の二次元座標系を基準として前記基板ホルダ上に前記感
光基板を位置決めする位置決め方法において、 前記基板ホルダ上に載置された前記感光基板の前記二次
元座標系に対する回転誤差を求め、 前記基板ホルダから前記感光基板を離脱させ、前記回転
誤差を補正するように前記感光基板を回転させた後、再
び前記感光基板を前記基板ホルダ上に載置することを特
徴とする位置決め方法。3. A positioning method for positioning the photosensitive substrate on the substrate holder with reference to a predetermined two-dimensional coordinate system as a pretreatment step when a mask pattern is transferred onto the photosensitive substrate held on the substrate holder. In, the rotational error of the photosensitive substrate placed on the substrate holder with respect to the two-dimensional coordinate system is obtained, the photosensitive substrate is detached from the substrate holder, and the photosensitive substrate is rotated to correct the rotational error. After that, the photosensitive substrate is mounted on the substrate holder again.
前記感光基板の前記二次元座標系に対する微少回転誤差
を計測し、 該微少回転誤差を補正するように前記マスクパターンを
回転させることを特徴とする請求項３記載の位置決め方
法。4. A method of measuring a minute rotation error of the photosensitive substrate with respect to the two-dimensional coordinate system after correcting the rotation error of the photosensitive substrate, and rotating the mask pattern so as to correct the minute rotation error. The positioning method according to claim 3.
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