JPH08227623A - Manufacture of transparent conductive film - Google Patents
Manufacture of transparent conductive filmInfo
- Publication number
- JPH08227623A JPH08227623A JP7032740A JP3274095A JPH08227623A JP H08227623 A JPH08227623 A JP H08227623A JP 7032740 A JP7032740 A JP 7032740A JP 3274095 A JP3274095 A JP 3274095A JP H08227623 A JPH08227623 A JP H08227623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- film
- conductive film
- heat shrinkage
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、透明導電性フィルム
の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、この
発明は、耐屈曲性に優れた透明導電性フィルムの製造方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a transparent conductive film. More specifically, the present invention relates to a method for producing a transparent conductive film having excellent flex resistance.
【０００２】[0002]
【従来の技術とその課題】従来より、コンピュータ周辺
機器や、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス
ディスプレイなどの各種デバイス等には、透明導電性フ
ィルムが用いられてきている。これらの透明導電性フィ
ルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
等の透明高分子フィルム表面の片面もしくは両面に、酸
化インジウム、酸化すず、あるいは、これらの混合物の
透明導電層を設けたものや、透明高分子フィルムに、導
電性塗料を塗布したものなど知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, transparent conductive films have been used in computer peripherals, various devices such as liquid crystal displays and electroluminescent displays. These transparent conductive films include polyethylene terephthalate (PET)
It is known that one or both surfaces of the transparent polymer film such as indium oxide, tin oxide, or a transparent conductive layer of a mixture thereof is provided, or a transparent polymer film coated with a conductive paint. ing.
【０００３】これらの透明導電性フィルムには、長尺の
連続加工や、打ち抜き加工が可能であり、フレキシブル
な形状を得ることができるという特徴があり、この特徴
から、加工工程途中で折り曲げられたり湾曲した状態で
用いられたりしている。しかしながら、実際上には、従
来の透明導電性フィルムの場合には、加工途中等におい
て透明導電層にクラックが発生し、表面抵抗が増大した
り、導電層が断線することがあり、加工歩留の低下に大
きな影響を与えていた。[0003] These transparent conductive films are characterized in that they can be subjected to long continuous processing and punching processing, and that a flexible shape can be obtained. Due to this characteristic, they can be bent during processing. It is also used in a curved state. However, in practice, in the case of a conventional transparent conductive film, cracks may occur in the transparent conductive layer during processing, surface resistance may increase, or the conductive layer may be broken, resulting in processing yield. Had a great impact on the decline of.
【０００４】そこで、このような従来の透明導電性フィ
ルムの欠点を解消し、耐屈曲性を向上させるための方策
として、たとえば＜ａ＞透明導電層のＸ線回折の半価巾
とピークハイトの比から結晶性の範囲を特定のものとす
る方法（特開昭６３−９０６）や、＜ｂ＞アンダーコー
ト層を設ける方法（特開平１−１２６６５）、＜ｃ＞結
晶粒径を０．３μｍ以下とする方法（特開平２−１９４
９４３）等の様々な方法が提案されている。Therefore, as a measure for eliminating the drawbacks of the conventional transparent conductive film and improving the bending resistance, for example, <a> the half-value width and the peak height of the X-ray diffraction of the transparent conductive layer are reduced. A method of making the range of crystallinity specific from the ratio (JP-A-63-906), a method of providing a <b> undercoat layer (JP-A-1-12665), and a <c> grain size of 0.3 μm. The following method (JP-A-2-194)
943) and various other methods have been proposed.
【０００５】しかしながら、＜ａ＞結晶性の範囲を規定
する方法では、その結晶性の範囲を特定のものとするた
めに基材を高温に加熱することから、基材が変形した
り、オリゴマーが生成して透過率が低下したりする問題
があり、さらにこの方法の場合には、成膜速度が著しく
低く、生産性が悪くなるという問題があった。また、＜
ｂ＞アンダーコート（ＡＣ）層を設ける方法では、耐屈
曲性が多少は向上させるものの、依然として、不十分で
あった。However, in the method of defining the range of <a> crystallinity, since the base material is heated to a high temperature in order to make the range of crystallinity specific, the base material is deformed or oligomers are formed. There is a problem in that the film is formed and the transmittance is lowered. Further, in the case of this method, there is a problem that the film forming rate is extremely low and the productivity is deteriorated. Also, <
b> The method of providing the undercoat (AC) layer improved bending resistance to some extent, but was still insufficient.
【０００６】さらに、＜ｃ＞結晶粒径を０．３μｍ以下
にする方法では、同様に耐屈曲性に関してそれなりの効
果があるものの、結晶粒径の制御には、非常に多くの時
間と労力がかかり、効率の良い生産方法とは言いがたい
のが実情であった。この発明は、以上の通りの事情に鑑
みてなされたものであり、従来方法の欠点を克服し、非
常に簡便な方法で、耐屈曲性に優れた、透明導電性フィ
ルムを製造することのできる新しい方法を提供すること
を目的としている。Further, the method <c> of setting the crystal grain size to 0.3 μm or less also has a certain effect on the bending resistance, but controlling the crystal grain size requires a great deal of time and labor. In reality, it is difficult to say that this is an efficient and efficient production method. The present invention has been made in view of the circumstances as described above, overcoming the drawbacks of the conventional method, a very simple method, excellent in bending resistance, it is possible to produce a transparent conductive film It aims to provide a new way.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、１５０℃、３０分加熱した後の
流れ方向の熱収縮率が０．１５％〜１．２％の透明高分
子フィルムを基材とし、少なくともその片面に、易接着
性高分子樹脂を０．１〜１０μｍの厚みで配設し、その
樹脂層の上に金属および／または金属酸化物の透明導電
層を形成した後に、１２０℃〜２００℃の温度で熱処理
し、１５０℃、３０分加熱した後の流れ方向の熱収縮率
を０．１％以下とすることを特徴とする透明導電性フィ
ルムの製造方法を提供する。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a transparent film having a heat shrinkage in the flow direction of 0.15% to 1.2% after heating at 150 ° C. for 30 minutes. A molecular film is used as a base material, and an easily-adhesive polymer resin is provided on at least one surface of the film with a thickness of 0.1 to 10 μm, and a transparent conductive layer of metal and / or metal oxide is formed on the resin layer. After that, heat treatment is performed at a temperature of 120 ° C. to 200 ° C., and a heat shrinkage rate in the flow direction after heating at 150 ° C. for 30 minutes is set to 0.1% or less, a method for producing a transparent conductive film. provide.
【０００８】この場合の基材として用いる透明導電性フ
ィルムとしては、透明性を有し、かつ、耐熱性に優れた
ものが望ましく、たとえば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリカー
ボネート、ポリアミド、ポリイミドなどを例示すること
ができる。The transparent conductive film used as the substrate in this case is preferably transparent and excellent in heat resistance. For example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polysulfone, poly Examples thereof include ether sulfone, polyether ether ketone, polyether imide, polycarbonate, polyamide, and polyimide.
【０００９】このような透明高分子フィルムについて
は、透明導電層を配設する前の特性として、１５０℃、
３０分加熱後の流れ方向の熱収縮率が０．１５〜１．２
％の範囲にあるものを用いることとする。そして、この
ような透明高分子フィルムの少なくとも片面には、アン
ダーコート（ＡＣ）層として易接着性高分子樹脂層を配
設する。With respect to such a transparent polymer film, as a characteristic before the transparent conductive layer is provided, 150 ° C.
Heat shrinkage in the flow direction after heating for 30 minutes is 0.15 to 1.2
Those within the range of% shall be used. Then, an easily-adhesive polymer resin layer is provided as an undercoat (AC) layer on at least one surface of such a transparent polymer film.
【００１０】透明高分子フィルムの熱収縮率が０．１５
％よりも小さい場合や、１．２％よりも大きい場合は、
加工工程途中において、透明高分子フィルムが折り曲げ
られたり、湾曲した状態で用いられると、表面抵抗が増
大したり、透明導電層内で断線が生じたりすることがあ
りうる。またさらに、アニール処理後に、カールが非常
に大きくなり、そのため、加工工程中での取り扱いが非
常に難しくなる。The heat shrinkage of the transparent polymer film is 0.15
If less than%, or more than 1.2%,
If the transparent polymer film is used in a bent or curved state during the processing step, surface resistance may increase or disconnection may occur in the transparent conductive layer. Furthermore, after the annealing treatment, the curl becomes very large, which makes it very difficult to handle during the processing step.
【００１１】もちろん、基材としての上記の透明高分子
フィルムについては、その厚みに特段の制限はなく、熱
収縮率が上記の範囲にあれば、目的とする透明導電性フ
ィルムの用途、性能等に応じて決めることができる。エ
レクトロニクス機器、ディスプレイ等への応用を考える
と、通常は、３００μｍ程度の厚みのものまでが一般的
に考慮される。Of course, the transparent polymer film as a substrate is not particularly limited in its thickness, and if the heat shrinkage ratio is within the above range, the intended use, performance, etc. of the transparent conductive film. Can be decided according to. Considering application to electronic devices, displays, etc., generally, a thickness up to about 300 μm is generally considered.
【００１２】また、この発明におけるＡＣ層である易接
着性高分子樹脂層には、ポリエステル樹脂、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ウレタンアクリル樹脂、シリコン
アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂などの公知のものを
はじめとする各種のものを用いることができる。そし
て、ＡＣ層は、その厚みを０．１〜１０μｍの範囲とす
るが、この層の形成は、塗布等として実施することがで
き、ロールコータ、グラビアコーター、バーコーターな
どの方法によって塗布することができる。易接着性高分
子樹脂層の厚みが０．１μｍより小さい場合、または１
０μｍを超える場合には、いずれも、この発明による所
期目的の実現が難しくなる。より好ましくは、その厚み
は０．５〜５μｍ、さらには１〜３μｍ程度とする。The easily adhesive polymer resin layer which is the AC layer in the present invention includes well-known ones such as polyester resin, acrylic resin, methacrylic resin, urethane acrylic resin, silicon acrylic resin, polysiloxane resin and the like. Various kinds of materials can be used. The AC layer has a thickness in the range of 0.1 to 10 μm, but this layer can be formed by coating or the like, and it can be coated by a method such as a roll coater, a gravure coater, or a bar coater. You can When the thickness of the easily adhesive polymer resin layer is less than 0.1 μm, or 1
If it exceeds 0 μm, it is difficult to achieve the intended purpose of the present invention. More preferably, the thickness is 0.5 to 5 μm, further 1 to 3 μm.
【００１３】この易接着性高分子樹脂層の表面に配設す
る金属および／または金属酸化物の透明導電層には、
金、銀、銅、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウ
ム−酸化スズ混合物（ＩＴＯ）などを用いることができ
る。透明導電層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法などの種々の方
法を用いることができる。The transparent conductive layer of metal and / or metal oxide provided on the surface of the easily-adhesive polymer resin layer comprises:
Gold, silver, copper, indium oxide, tin oxide, an indium oxide-tin oxide mixture (ITO), or the like can be used. As a method for forming the transparent conductive layer, various methods such as a vacuum vapor deposition method, a sputtering method and an ion plating method can be used.
【００１４】透明導電層の厚みも、用途や所要の導電特
性に応じて決めることができ、たとえば５０〜２０００
Å程度の範囲を目安とすることができる。またこの発明
では、この透明導電層を形成した後、１２０℃〜２００
℃の温度で、たとえば１分〜３０分間アニール処理す
る。このような処理により、透明導電性積層フィルムの
熱収縮率を０．１％以下とすることで加工工程途中の乾
燥工程やヒートプレス工程などの加熱による収縮がほと
んどなく、寸法安定性が非常に良好となる。アニール処
理の温度が１２０℃未満の場合、あるいは２００℃を超
える場合には、いずれもこの発明の所期目的の実現は難
しくなる。The thickness of the transparent conductive layer can also be determined according to the intended use and required conductive characteristics, and is, for example, 50 to 2000.
A range of about Å can be used as a guide. Moreover, in this invention, after forming this transparent conductive layer, 120 degreeC-200
Annealing is performed at a temperature of ° C for 1 minute to 30 minutes, for example. By such a treatment, the heat-shrinkage rate of the transparent conductive laminated film is set to 0.1% or less, so that there is almost no shrinkage due to heating in the drying step or heat-pressing step in the processing step, and the dimensional stability is very high. It will be good. When the annealing temperature is lower than 120 ° C. or higher than 200 ° C., it is difficult to achieve the intended purpose of the present invention.
【００１５】１２０〜２００℃の温度、１〜３０分のア
ニール処理が好ましい要件として提示される。An annealing treatment at a temperature of 120 to 200 ° C. for 1 to 30 minutes is presented as a preferable requirement.
【００１６】[0016]
【作用】この発明においては、上記の通り、基材となる
透明高分子フィルムの熱収縮率を０．１５％〜１．２％
とすることや、０．１〜１０μｍの厚みの易接着性高分
子樹脂層を設けること、さらには、透明導電層の形成後
に１２０〜２００℃の温度でアニールして熱収縮率を
０．１％以下とすることに本質的な特徴があり、その結
果、従来のように結晶性の範囲を特定のものとしたり、
結晶粒径を０．３μｍ以下にすることなしに、耐屈曲性
を大きく向上させることができる。In the present invention, as described above, the heat shrinkage of the transparent polymer film as the base material is 0.15% to 1.2%.
Or providing an easily-adhesive polymer resin layer having a thickness of 0.1 to 10 μm, and further annealing at a temperature of 120 to 200 ° C. after forming the transparent conductive layer so that the heat shrinkage rate is 0.1. There is an essential feature in making it less than or equal to%, and as a result, the crystallinity range is specified as in the past,
The bending resistance can be greatly improved without setting the crystal grain size to 0.3 μm or less.
【００１７】すなわち、この発明によって、折り曲げ
や、湾曲という動作が加えられたとしても、クラックの
発生はなく、表面抵抗の変化は極小なものに抑えられる
という、耐屈曲性に優れた透明導電性フィルムが得られ
ることになる。以下、実施例を示し、さらに詳しくこの
発明について説明する。That is, according to the present invention, even if an operation such as bending or bending is applied, a crack is not generated, and a change in surface resistance can be suppressed to a minimal value. A film will be obtained. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
【００１８】[0018]
【実施例】実施例１ 透明高分子フィルムとしての厚さ１２５μｍのＰＥＴフ
ィルムを基板とし、そのＰＥＴフィルムの片面にシロキ
サン系縮合物からなる易接着剤（大八化学工業（株）製
Ｓｉコート８０１Ａ）を厚み１μｍで塗布し、易接着性
高分子樹脂層を形成した。この場合のフィルム基材の１
５０℃、３０分加熱後の流れ方向の熱収縮率は０．１６
％であった。 Example 1 A PET film having a thickness of 125 μm as a transparent polymer film was used as a substrate, and an easy-adhesive agent made of a siloxane-based condensate was used on one side of the PET film (Si coat 801A manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd.). ) Was applied in a thickness of 1 μm to form an easily adhesive polymer resin layer. 1 of the film substrate in this case
Thermal shrinkage in the flow direction after heating at 50 ° C for 30 minutes is 0.16
%Met.
【００１９】この易接着性高分子樹脂層を有したＰＥＴ
フィルムを、チャンバー内に設置し、１×１０-5Ｔｏｒ
ｒ排気後、アルゴン分圧６×１０-4Ｔｏｒｒおよび酸素
分圧２×１０-4Ｔｏｒｒの条件下において、ＩＴＯ蒸発
源を用いて高周波励起イオンプレーティング法により、
膜厚が４００Åの透明導電層としてのＩＴＯ層を、易接
着性高分子樹脂層の上に成膜した。その後、この透明導
電性フィルムを、熱風循環式乾燥機中で、１５０℃、５
分間アニール処理し、その透明導電性フィルムの熱収縮
率を０．０７％とした。PET having this easily adhesive polymer resin layer
The film is placed in the chamber and 1 × 10 −5 Tor
After evacuation, under a condition of argon partial pressure of 6 × 10 −4 Torr and oxygen partial pressure of 2 × 10 −4 Torr, by high frequency excitation ion plating method using an ITO evaporation source,
An ITO layer having a film thickness of 400Å as a transparent conductive layer was formed on the easily adhesive polymer resin layer. Then, this transparent conductive film was heated at 150 ° C. for 5 hours in a hot air circulation dryer.
Annealing treatment was performed for a minute, and the heat shrinkage rate of the transparent conductive film was set to 0.07%.
【００２０】このようにして得られた透明導電性フィル
ムの屈曲試験を行い、表面抵抗の変化を調べた。製造過
程における流れ方向を基準として、生成された透明導電
性フィルムを、１０ｍｍ巾×６０ｍｍ長でサンプリング
し、透明導電層が成膜されている面の中央部の１ｃｍ2
をマスクした後、銀をその透明導電層の表面に蒸着し
た。The bending test of the transparent conductive film thus obtained was conducted to examine the change in surface resistance. Based on the flow direction in the manufacturing process, the produced transparent conductive film was sampled with a width of 10 mm and a length of 60 mm, and 1 cm 2 at the center of the surface on which the transparent conductive layer was formed.
After masking, silver was deposited on the surface of the transparent conductive layer.
【００２１】そして、まずはじめに、四探針法によっ
て、マスクをして銀が蒸着されなかった部分の表面抵抗
（Ｒ0 ）を測定した。その後、図１に示すように、この
フィルム試料（１）の短辺の一方を試料固定治具（４）
に固定し、もう一方に１００ｇの荷重（３）を掛けて銀
が蒸着されていない部分を６ｍｍφの真円棒（２）に沿
わせ、１０秒間９０度に曲げ、この操作を１０秒おきに
１０回繰り返し、屈曲を解放後に表面抵抗（Ｒ）を測定
した。Then, first, the surface resistance (R 0 ) of a portion where silver was not vapor-deposited with a mask was measured by the four-point probe method. Then, as shown in FIG. 1, one of the short sides of the film sample (1) was fixed to the sample fixing jig (4).
Then, apply a load (3) of 100 g to the other side, put the part where silver is not vapor-deposited along the 6 mmφ round bar (2), bend it at 90 degrees for 10 seconds, and repeat this operation every 10 seconds. Repeated 10 times, the surface resistance (R) was measured after releasing the bending.
【００２２】以上の操作からＲ／Ｒ0 を算出した結果
は、表１に示した通りであり、製造された透明導電性フ
ィルムのＲ／Ｒ0 の値は、１．０６であり、非常に小さ
い値であった。実施例２ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮
率が０．９１％のものに代え、実施例１と同様の製造方
法にて透明導電性フィルム（熱収縮率０．０８）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムの表面抵抗比を
実施例１と同様の方法で測定した。その結果は、表１に
示した通りで、Ｒ／Ｒ0 ＝１．０３であり、非常に小さ
い値であった。実施例３ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮
率が１．２０％のものに代え、実施例１と同様の製造方
法にて透明導電性フィルム（熱収縮率０．０８）を作成
した。そして、この透明導電性フィルムの表面抵抗比を
実施例１と同様の方法で測定した。その結果は、表１に
示した通りで、Ｒ／Ｒ0 ＝１．０２であり、非常に小さ
い値であった。実施例４ 実施例１において、易接着性高分子樹脂層の厚みを５μ
ｍとなるように塗布した。The result of calculating R / R 0 from the above operation is as shown in Table 1, and the value of R / R 0 of the produced transparent conductive film is 1.06, which is very high. It was a small value. Example 2 The PET film used in Example 1 was replaced with a film having a heat shrinkage rate in the flow direction of 0.91%, and a transparent conductive film (heat shrinkage rate 0.08% was obtained by the same manufacturing method as in Example 1). )created. Then, the surface resistance ratio of this transparent conductive film was measured by the same method as in Example 1. As a result, as shown in Table 1, R / R 0 = 1.03, which was a very small value. Example 3 The PET film used in Example 1 was replaced with a film having a heat shrinkage ratio of 1.20% in the flow direction, and a transparent conductive film (heat shrinkage ratio of 0.08) was produced by the same manufacturing method as in Example 1. )created. Then, the surface resistance ratio of this transparent conductive film was measured by the same method as in Example 1. As a result, as shown in Table 1, R / R 0 = 1.02, which was a very small value. Example 4 In Example 1, the thickness of the easily adhesive polymer resin layer was 5 μm.
It was applied so that it would be m.
【００２３】アニール処理後の熱収縮率は０．０８であ
った。また、この場合のＲ／Ｒ0 の値は１．０５であっ
た。実施例５ 実施例２において、易接着性高分子樹脂層の厚みを０．
５μｍとした。アニール処理後の熱収縮率は０．０９で
あった。The heat shrinkage ratio after the annealing treatment was 0.08. The value of R / R 0 in this case was 1.05. Example 5 In Example 2, the thickness of the easily adhesive polymer resin layer was set to 0.
It was 5 μm. The heat shrinkage ratio after the annealing treatment was 0.09.
【００２４】Ｒ／Ｒ0 は１．０４であった。実施例６ 実施例１において、ＩＴＯ膜の厚みを３００Åとし、ア
ニール処理を１２０℃、２分間とした。アニール処理後
の熱収縮率は０．１０で、Ｒ／Ｒ0 は１．０３であっ
た。実施例７ 実施例１において、ウレタンアクリル樹脂を易接着性高
分子樹脂層に用いた。R / R 0 was 1.04. Example 6 In Example 1, the thickness of the ITO film was 300 Å, and the annealing treatment was 120 ° C. for 2 minutes. The thermal contraction rate after annealing was 0.10 and R / R 0 was 1.03. Example 7 In Example 1, urethane acrylic resin was used for the easily adhesive polymer resin layer.
【００２５】この場合のアニール処理後の熱収縮率は
０．０９であった。Ｒ／Ｒ0 の値は１．０８と小さかっ
た。比較例１ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮
率が非常に小さい０．０４％のものに代え、実施例１と
同様の製造方法にて透明導電性フィルム（熱収縮率０．
０１）を作成した。そして、この透明導電性フィルムの
表面抵抗比を実施例１と同様の方法で測定した。その結
果は、表１に示した通りで、Ｒ／Ｒ0 ＝３．３であり、
非常に大きな値であった。比較例２ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮
率が小さい０．１１％のものに代え、実施例１と同様の
製造方法にて透明導電性フィルム（熱収縮率０．０２）
を作成した。そして、この透明導電性フィルムの表面抵
抗比を実施例１と同様の方法で測定した。その結果は、
表１に示した通りで、Ｒ／Ｒ0 ＝８．１であり、非常に
大きな値であった。比較例３ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮
率が小さい０．１１％のものに代え、実施例１と同様の
製造方法にて透明導電性フィルムを作成した。この場
合、透明導電層成膜の後のアニール処理を行わなかっ
た。そして、この透明導電性フィルムの表面抵抗比を実
施例１と同様の方法で測定した。その結果は、表１に示
した通りで、Ｒ／Ｒ0 ＝１１．０であり、非常に大きな
値であった。 比較例４ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮
率が０．１８％のものに代え、実施例１と同様の製造方
法にて透明導電性フィルムを作成した。この場合、透明
導電層成膜の後のアニール処理を行わなかった。そし
て、この透明導電性フィルムの表面抵抗比を実施例１と
同様の方法で測定した。その結果は、表１に示した通り
で、Ｒ／Ｒ0 ＝８．２であり、非常に大きな値であっ
た。比較例５ 実施例２で用いた流れ方向の熱収縮率が０．９１％のＰ
ＥＴフィルムに、実施例１と同様の製造方法にて透明導
電性フィルムを作成した。この場合、透明導電層成膜の
後のアニール処理を行わなかった。そして、この透明導
電性フィルムの表面抵抗比を実施例１と同様の方法で測
定した。その結果は、表１に示した通りで、Ｒ／Ｒ0 ＝
５．０であり、非常に大きな値であった。比較例６ 実施例３で用いた流れ方向の熱収縮率が１．２０％のＰ
ＥＴフィルムに、実施例１と同様の製造方法にて透明導
電性フィルムを作成した。この場合、透明導電層成膜の
後のアニール処理を行わなかった。そして、この透明導
電性フィルムの表面抵抗比を実施例１と同様の方法で測
定した。その結果は、表１に示した通りで、Ｒ／Ｒ0 ＝
４．０であり、非常に大きな値であった。比較例７ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、易接着剤を塗工し
ていない流れ方向の熱収縮率が０．８０％のものに代
え、実施例１と同様の製造方法にて透明導電性フィルム
（熱収縮率０．１０）を作成した。そして、この透明導
電性フィルムの表面抵抗比を実施例１と同様の方法で測
定した。その結果は、表１に示した通りで、Ｒ／Ｒ0 ＝
２．５であり、非常に大きな値であった。比較例８ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮
率が大きい１．５９％のものに代え、実施例１と同様の
製造方法にて透明導電性フィルム（熱収縮率０．１０）
を作成した。そして、この透明導電性フィルムの表面抵
抗比を実施例１と同様の方法で測定した。その結果は、
表１に示した通りで、Ｒ／Ｒ0 ＝７．１であり、非常に
大きな値であった。比較例９ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮
率が非常に大きい４．０２％のものに代え、実施例１と
同様の製造方法にて透明導電性フィルムを作成した。こ
の場合、透明導電層成膜の後のアニール処理を行わなか
った。そして、この透明導電性フィルムの表面抵抗比を
実施例１と同様の方法で測定した。その結果は、表１に
示した通り、Ｒ／Ｒ0 ＝２５であり、非常に大きな値で
あった。 比較例１０ 実施例１で用いたＰＥＴフィルムを、流れ方向の熱収縮
率が非常に大きい４．０２％のものに代え、実施例１と
同様の製造方法にて透明導電性フィルム（熱収縮率０．
１１）を作成した。そして、この透明導電性フィルムの
表面抵抗比を実施例１と同様の方法で測定したが、表１
に示した通り、カールが大きく測定不可能であった。比較例１１ 実施例１において、易接着性高分子樹脂層の厚みを１５
μｍとした。In this case, the heat shrinkage rate after the annealing treatment is
It was 0.09. R / R0The value of is as small as 1.08
Was.Comparative Example 1 The PET film used in Example 1 was heat-shrinked in the flow direction.
Instead of the very small 0.04%,
A transparent conductive film (heat shrinkage of 0.
01) was created. And of this transparent conductive film
The surface resistance ratio was measured by the same method as in Example 1. That conclusion
The fruits are as shown in Table 1, R / R0= 3.3,
It was a very large value.Comparative example 2 The PET film used in Example 1 was heat-shrinked in the flow direction.
The same as in Example 1 was used instead of the small one of 0.11%.
Transparent conductive film (heat shrinkage 0.02)
It was created. And, the surface resistance of this transparent conductive film
The resistance ratio was measured by the same method as in Example 1. The result is
As shown in Table 1, R / R0= 8.1, which is very
It was a great value.Comparative Example 3 The PET film used in Example 1 was heat-shrinked in the flow direction.
The same as in Example 1 was used instead of the small one of 0.11%.
A transparent conductive film was prepared by the manufacturing method. This place
When the transparent conductive layer is formed, do not anneal
Was. Then, the surface resistance ratio of this transparent conductive film is measured.
The measurement was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
As I did, R / R0= 11.0, which is very large
It was a value. Comparative Example 4 The PET film used in Example 1 was heat-shrinked in the flow direction.
The same manufacturing method as in Example 1 except that the rate is 0.18%
A transparent conductive film was prepared by the method. Transparent in this case
No annealing treatment was performed after the conductive layer was formed. Soshi
Then, the surface resistance ratio of this transparent conductive film was determined as in Example 1.
It measured by the same method. The results are as shown in Table 1.
And R / R0= 8.2, which is a very large value.
Was.Comparative Example 5 P used in Example 2 having a heat shrinkage in the flow direction of 0.91%
A transparent conductive film was formed on the ET film by the same manufacturing method as in Example 1.
An electronic film was created. In this case, the transparent conductive layer deposition
The subsequent annealing process was not performed. And this transparent guide
The surface resistance ratio of the electroconductive film was measured by the same method as in Example 1.
Decided The results are shown in Table 1, R / R0=
The value was 5.0, which was a very large value.Comparative Example 6 P with thermal shrinkage of 1.20% in the flow direction used in Example 3
A transparent conductive film was formed on the ET film by the same manufacturing method as in Example 1.
An electronic film was created. In this case, the transparent conductive layer deposition
The subsequent annealing process was not performed. And this transparent guide
The surface resistance ratio of the electroconductive film was measured by the same method as in Example 1.
Decided The results are shown in Table 1, R / R0=
It was 4.0, which was a very large value.Comparative Example 7 The PET film used in Example 1 was coated with an easy adhesive.
Not having a thermal shrinkage of 0.80% in the flow direction
In the same manufacturing method as in Example 1, a transparent conductive film
(Heat contraction rate 0.10) was created. And this transparent guide
The surface resistance ratio of the electroconductive film was measured by the same method as in Example 1.
Decided The results are shown in Table 1, R / R0=
It was 2.5, which was a very large value.Comparative Example 8 The PET film used in Example 1 was heat-shrinked in the flow direction.
The same as in Example 1 except that the ratio of 1.59% is large.
Transparent conductive film (heat shrinkage rate 0.10)
It was created. And, the surface resistance of this transparent conductive film
The resistance ratio was measured by the same method as in Example 1. The result is
As shown in Table 1, R / R0= 7.1, which is very
It was a great value.Comparative Example 9 The PET film used in Example 1 was heat-shrinked in the flow direction.
The rate is 4.02%, which is very high, and
A transparent conductive film was prepared by the same manufacturing method. This
In case of, do not perform the annealing treatment after the transparent conductive layer is formed.
It was. And the surface resistance ratio of this transparent conductive film
The measurement was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
As shown, R / R0= 25, which is a very large value
there were. Comparative Example 10 The PET film used in Example 1 was heat-shrinked in the flow direction.
The rate is 4.02%, which is very high, and
A transparent conductive film (heat shrinkage of 0.
11) was created. And of this transparent conductive film
The surface resistance ratio was measured by the same method as in Example 1 and Table 1
As shown in, the curl was too large to be measured.Comparative Example 11 In Example 1, the thickness of the easily adhesive polymer resin layer was 15
μm.
【００２６】アニール処理後の熱収縮率は０．０９であ
った。しかし、Ｒ／Ｒ0 は３．５と大きな値であった。The heat shrinkage ratio after the annealing treatment was 0.09. However, R / R 0 was a large value of 3.5.
【００２７】[0027]
【表１】 [Table 1]
【００２８】この表１から明らかなように、この発明の
実施例は、比較例に比べて、屈曲試験による透明導電性
フィルムの表面抵抗変化が１．１倍未満と非常に小さい
ことが確認された。比較例１，２，３は、ＰＥＴフィル
ムの熱収縮率が０．１５％よりも小さいため、屈曲試験
による透明導電性フィルムの表面抵抗変化が大きく増加
した。一方、比較例４，５，６は、アニール処理を行わ
なかったため、屈曲試験による透明導電性フィルムの表
面抵抗変化が、非常に大きく増大してしまった。また、
比較例７は、ＰＥＴフィルムに易接着剤が塗工されてい
ないため、屈曲試験による透明導電性フィルムの表面抵
抗変化が、非常に大きく変化してしまった。また、比較
例８，９は、ＰＥＴフィルムの熱収縮率が１．２％より
も大きいため、屈曲試験による透明導電性フィルムの表
面抵抗が大きく増加した。また、比較例１０は、ＰＥＴ
フィルムの熱収縮率が１．２％よりも大きいため、アニ
ール後のカールが非常に大きく、使用不可能であった。As is clear from Table 1, it was confirmed that in the examples of the present invention, the change in surface resistance of the transparent conductive film by the bending test was less than 1.1 times as much as that in the comparative examples. It was In Comparative Examples 1, 2, and 3, the heat shrinkage rate of the PET film was smaller than 0.15%, and thus the change in surface resistance of the transparent conductive film due to the bending test was significantly increased. On the other hand, in Comparative Examples 4, 5 and 6, since the annealing treatment was not performed, the surface resistance change of the transparent conductive film due to the bending test was significantly increased. Also,
In Comparative Example 7, since the PET film was not coated with the easy-adhesive, the change in the surface resistance of the transparent conductive film due to the bending test was significantly changed. Further, in Comparative Examples 8 and 9, the heat shrinkage rate of the PET film was larger than 1.2%, so that the surface resistance of the transparent conductive film by the bending test was significantly increased. In addition, Comparative Example 10 is PET
Since the heat shrinkage of the film was larger than 1.2%, the curl after annealing was so large that it was unusable.
【００２９】もちろん、この発明は、以上の例によって
限定されるものではなく、細部については様々な態様が
可能であることは言うまでもない。Of course, the present invention is not limited to the above examples, and it goes without saying that various details can be made.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明に
よって、屈曲による透明導電層の表面抵抗の増加を抑制
することが可能となり、耐屈曲性に優れた透明導電性フ
ィルムの提供が可能となる。そして、この透明導電性フ
ィルムを用いることにより、加工工程等における透明導
電性フィルムにかかる負荷に起因する表面抵抗の増大
や、透明導電層の断線などを防止することが可能とな
る。As described in detail above, according to the present invention, it is possible to suppress an increase in the surface resistance of the transparent conductive layer due to bending, and it is possible to provide a transparent conductive film having excellent bending resistance. . By using this transparent conductive film, it is possible to prevent an increase in surface resistance due to a load applied to the transparent conductive film in a processing step or the like, and a disconnection of the transparent conductive layer.
【図１】実施例においての屈曲試験方法を示した概略図
である。FIG. 1 is a schematic view showing a bending test method in Examples.
１ 試料 ２ 真円棒 ３ 荷重 ４ 試料固定治具 1 sample 2 round bar 3 load 4 sample fixing jig
Claims (1)
の熱収縮率が０．１５％〜１．２％である透明高分子フ
ィルムを基材とし、少なくともその片面に、易接着性高
分子樹脂を０．１〜１０μｍの厚みで配設し、その樹脂
層の上に金属および／または金属酸化物の透明導電層を
形成した後に、１２０℃〜２００℃の温度で熱処理し、
１５０℃、３０分加熱した後の流れ方向の熱収縮率を
０．１％以下とすることを特徴とする透明導電性フィル
ムの製造方法。1. A transparent polymer film having a heat shrinkage in the flow direction of 0.15% to 1.2% after being heated at 150 ° C. for 30 minutes, which is used as a base material, and at least one surface thereof has high adhesiveness. A molecular resin is provided with a thickness of 0.1 to 10 μm, and after forming a transparent conductive layer of metal and / or metal oxide on the resin layer, heat treatment is performed at a temperature of 120 ° C. to 200 ° C.,
A method for producing a transparent conductive film, wherein the heat shrinkage in the flow direction after heating at 150 ° C. for 30 minutes is 0.1% or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032740A JPH08227623A (en) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | Manufacture of transparent conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032740A JPH08227623A (en) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | Manufacture of transparent conductive film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227623A true JPH08227623A (en) | 1996-09-03 |
Family
ID=12367243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7032740A Pending JPH08227623A (en) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | Manufacture of transparent conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08227623A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003049135A (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-21 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | Easily adhesive polyester film for ito film |
| JP2004010911A (en) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | Method for forming transparent conductive film, and article having transparent conductive film |
| US7972684B2 (en) | 2004-08-20 | 2011-07-05 | Teijin Limited | Transparent conductive laminated body and transparent touch-sensitive panel |
| JP2012199215A (en) * | 2010-07-06 | 2012-10-18 | Nitto Denko Corp | Transparent conductive film and method of producing the same |
-
1995
- 1995-02-21 JP JP7032740A patent/JPH08227623A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003049135A (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-21 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | Easily adhesive polyester film for ito film |
| JP2004010911A (en) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | Method for forming transparent conductive film, and article having transparent conductive film |
| US7972684B2 (en) | 2004-08-20 | 2011-07-05 | Teijin Limited | Transparent conductive laminated body and transparent touch-sensitive panel |
| JP2012199215A (en) * | 2010-07-06 | 2012-10-18 | Nitto Denko Corp | Transparent conductive film and method of producing the same |
| JP2015193934A (en) * | 2010-07-06 | 2015-11-05 | 日東電工株式会社 | Transparent conductive film and method of producing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101991545B1 (en) | Transparent electroconductive film and manufacturing method therefor | |
| US6212057B1 (en) | Flexible thin film capacitor having an adhesive film | |
| JP2003151358A (en) | Transparent conductive film and touch panel | |
| KR20150059798A (en) | Transparent conductive film and manufacturing method therefor | |
| JPH03183759A (en) | Laminated plastic film and its production | |
| JPH02173129A (en) | Method for surface treatment of polyimide to improve receptivity to metallic layer | |
| JPH08227623A (en) | Manufacture of transparent conductive film | |
| JP2003533890A (en) | Etching method for producing electrodes | |
| EP4040126A1 (en) | Electroconductive film, method for manufacturing same, temperature sensor film, and method for manufacturing same | |
| CN1098025C (en) | Surface coating for insulative materials, method of obtaining it and its appcation to shlelding insulative cases | |
| JPH02276630A (en) | Transparent conductive laminate and manufacture thereof | |
| JP3501820B2 (en) | Transparent conductive film with excellent flexibility | |
| JPH08222030A (en) | Transparent conductive film | |
| JPS6039090B2 (en) | Method of forming transparent conductive film | |
| JP3751805B2 (en) | Method for forming metal thin film | |
| JPH08332697A (en) | Metal polymer film | |
| JPS6143805B2 (en) | ||
| JPS6346526B2 (en) | ||
| JP3501819B2 (en) | Transparent conductive film with excellent flatness | |
| JPH1166969A (en) | Transparent conductive film | |
| JP3447122B2 (en) | Flexible circuit board having metal oxide layer | |
| JP2002367436A (en) | Transparent conductive laminate | |
| JP2001030409A (en) | Production of transparent conductive laminate | |
| JP2002343151A (en) | Manufacturing method of laminated substrate of transparent conductive film | |
| JPS59204542A (en) | Method of forming transparent conductive film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040727 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041124 |