JPH08225952A - 表面をメタライズするための方法および還元溶液 - Google Patents

表面をメタライズするための方法および還元溶液

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JPH08225952A
JPH08225952A JP33791295A JP33791295A JPH08225952A JP H08225952 A JPH08225952 A JP H08225952A JP 33791295 A JP33791295 A JP 33791295A JP 33791295 A JP33791295 A JP 33791295A JP H08225952 A JPH08225952 A JP H08225952A
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reducing agent
reducing solution
circuit board
agent
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JP33791295A
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Yaroslaw A Magera
ヤロスロー・エイ・マジェラ
Jovica Savic
ジョビカ・サビック
Vernon L Brown
バーノン・エル・ブラウン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板上にブリッジを生じることなく精細
に間隔をあけた導体、パッドおよびビアを作成可能にす
る。 【解決手段】 ２つの誘電体層化され順次処理される回
路基板（１００）の選択された領域をメタライズする方
法は光画定により樹脂Ａ（２０４）を露出する。樹脂Ａ
は該樹脂中に一様に混合された１０重量パーセント以下
のＣｕ２Ｏ粒子（３００）を含む。回路基板は還元溶液
で噴霧されてＣｕ０またはＣｕＨが支配的な触媒アイラ
ンド（３０１）を形成する。回路基板は次に無電解めっ
きされて樹脂Ａが露出した所に、導体、パッドまたはビ
アを形成する。前記還元剤は主還元剤、２次還元剤およ
び捕捉剤を含む。前記還元溶液は好ましくは１０以上の
ｐＨを有する。主還元剤は好ましくはホウ化水素であ
る。２次還元剤は好ましくはヨウ化物であり、捕捉剤は
好ましくはＥＤＴＡであるキレート剤である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的には物質の金
属被覆またはメタライズ（ｍｅｔａｌｌｉｚｉｎｇ）の
分野に関し、かつより特定的には触媒アイランドを生成
するために還元溶液を使用して物質をメタライズするプ
ロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】回路基板を選択的にメタライズするプロ
セスは米国特許第５，１６１，１４４号（本発明と同じ
譲受人に譲渡された）に記載されておりかつこの特許の
開示はここに参照のため導入される。このプロセスは米
国特許第５，２６０，１７０号（本発明と同じ譲受人に
譲渡）に記載されているように、２つの誘電体層化し
た、順次的に処理される回路基板に関連して使用され
る。この回路基板プロセスは順次的な被着および２つの
樹脂（ｒｅｓｉｎｓ）に開口を光画定（ｐｈｏｔｏ−ｄ
ｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）することからなる。樹脂Ａと称さ
れる第１の樹脂は活性化されたとき、金属との無電解め
っきを促進する、ここでは充填材（ｆｉｌｌｅｒ）と称
される材料が充填され、樹脂Ｂと称される第２の樹脂は
そのような充填材を含まない。次におのおのの樹脂が光
化学的にパターニングされたとき、樹脂Ｂは樹脂Ａの上
で、樹脂Ｂに生成された開口は「チャネル」と称される
領域を規定し、樹脂Ａおよび樹脂Ｂに生成された重なっ
た開口は下の金属層へと開く「ウエル」と称されるより
深い領域を規定する。この構造が樹脂Ａ内にまたは表面
に含まれる分子または粒子を変更または活性化するプロ
セスにさらされたとき、前記チャネルおよびウエルは無
電解めっき金属によりコーティングされて、パッド、ビ
アおよび導体のような、金属構造物（ｍｅｔａｌｌｉｃ
ｆｅａｔｕｒｅｓ）を形成する。
【０００３】回路基板を作る上で無電解めっきされた金
属が前記画定されたパッド、ビアおよび導体に閉じ込め
られまたは制約されることが重要である。そうでなけれ
ば、回路基板は短絡部分を含みかつ他の望ましくない特
性をもつことになる。樹脂Ａの表面における分子を活性
化するための１つのプロセスは回路基板をホウ化水素
（ｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ）の還元剤（ｒｅｄｕｃｉｎ
ｇ ａｇｅｎｔ）に浸すことを含む。好ましい場合は、
樹脂Ａ中の分子または粒子は乾燥樹脂（ｄｒｙｒｅｓｉ
ｎ）の１０重量％より小さい濃度でのＣｕ２Ｏ分子であ
る。Ｃｕ２Ｏ分子が前記ホウ化水素にさらされるとき、
該Ｃｕ２Ｏ分子はＣｕまたはＣｕＨに変換される。銅が
このアクティブ状態にあるとき（Ｃｕ，ＣｕＨ）、それ
は無電解めっきに対して触媒的になる。樹脂Ａ中の分子
の量が限られているとき、導体を形成するのに必要な無
電解めっきで連続的なラインを形成するには不十分な数
の触媒サイトが存在する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】回路基板がコンベアベ
ルトによって運ばれる連続的な生産の用途に対しては、
還元剤を適切な方法、すなわち、噴霧（ｓｐｒａｙｉｎ
ｇ）によって施すことができることが必要である。噴霧
はアクティブな銅を分子サイトから離れて広げる有利な
効果を有する。この噴霧は連続的な導体の形成を可能に
する。しかしながら、噴霧は露出された樹脂Ａの領域に
閉じ込められない。その結果、噴霧動作が画定されたパ
ッド、ビアおよび導体に対し注意深く施されない場合に
ブリッジが生じる。制御された噴霧は研究室ではうまく
働くが、生産環境では実用的ではない。その結果、精巧
に間隔をあけた導体、ビアおよびパッドを生成するため
に樹脂Ｂ上に触媒的アイランドを形成することなく樹脂
Ａ上に大きな触媒的アイランド（ｃａｔａｌｙｔｉｃ
ｉｓｌａｎｄｓ）を形成する方法および還元溶液の必要
性が存在する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、基板（２０２）の少なくとも第１
の面をメタライズする方法が提供され、該方法は、
（ａ）樹脂（２０４）を複数の小さな金属酸化物粒子
（３００）と実質的に一様に混合することによって前記
基板（２０２）を形成する段階と、（ｂ）前記小さな金
属酸化物粒子（３００）を前記第１の面の近くに露出す
る段階と、（ｃ）主還元剤、２次還元剤、および捕捉剤
を含む水性還元溶液を前記基板（２０２）の第１の面に
付与して前記露出した金属酸化物粒子（３００）を触媒
粒子の孤立したアイランド領域（３０１）に変換し、そ
れによって前記第１の面が毎平方あたり１０６オームよ
り大きな表面抵抗を持つようにする段階、そして（ｄ）
前記基板（２０２）の前記第１の面のアイランド領域
（３０１）を所定の厚さに無電解メタライズすることに
よって、隣接するアイランド領域が相互接続されるよう
にする段階、を含んでいる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、回路基板１０
０の部分的斜視図が示されており、該回路基板１００は
本発明の方法および還元溶液（ｒｅｄｕｃｉｎｇ ｓｏ
ｌｕｔｉｏｎ）を使用して選択的にメタライズされてい
る。回路基板１００は図示のごとく多層回路基板とする
ことができ、あるいは頭部面および底部面に回路を有す
る両面回路基板とすることもできる。さらに、本発明の
方法は、平坦な面または３次元的な面を有する、プラス
チックおよび他の伝統的な基板をメタライズするために
使用できる。
【０００７】図１の回路基板１００は導体２１０，２１
１，２１２を含みかつ１つまたはそれ以上の回路層２０
３、回路層２０３上に配置された樹脂（ｒｅｓｉｎ）２
０４、および樹脂２０４上に配置された樹脂２０５から
構成され、これらは図６の断面図にさらに詳細に示され
ている。導体２１０および２１１は図１および図６に示
されるように樹脂２０５の対応する開口または「チャネ
ル」に配置されている。導体２１２は樹脂２０５および
２０４の深いチャネルまたは溝に配置されかつ導体２３
１に電気的に接続している。ビア２１３が樹脂２０５お
よび２０４の開口または「ウエル」に配置され、かつ導
体２２９に電気的に接続されている。回路層２０３は導
体２２９，２３０および２３１を含む。
【０００８】基板２０２は絶縁材料、例えば、プラスチ
ック、木材、複合材、マイラー、セラミック、絶縁層で
覆われた金属、または任意の他の適切な物質の絶縁構
造、から構成される。樹脂２０４および２０５は任意の
適切な樹脂でよく、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹
脂、エラストマー、複合材、または積層材、ポリオレフ
ィン、ビニル、ポリスチレン、ポリアミド、アクリル樹
脂、ポリウレタン、または飽和ポリエステル熱可塑性樹
脂の１つまたは混合物、あるいは硬化した石炭酸、不飽
和ポリエステル、エポキシ、またはポリイミドプレポリ
マーの１つまたは混合物のような任意の適切な樹脂とす
ることができる。
【０００９】本発明によれば、樹脂２０４は複数の小さ
な金属酸化物粒子と実質的に一様に混合され、それによ
って前記金属酸化物の重量パーセントが１０パーセント
より少なくなるようにされる。多層回路の用途に使用さ
れる場合、樹脂２０４は好ましくは以下の４つの性質、
すなわち、（１）完成した誘電体層の誘電率の大きな劣
化がないこと、（２）めっきされた領域から離れてバル
クまたは表面抵抗の大きな劣化がないこと、（３）樹脂
の光化学的画定（ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌｄｅｆｉ
ｎｉｔｉｏｎ）および解像性に関する悪影響がないこ
と、および（４）アプリケーションまたはフロー特性に
関する悪影響がないこと、を持つことが好ましい。前記
好ましい実施例では、図７の酸化銅（ｃｕｐｒｏｕｓ
ｏｘｉｄｅ）粒子が樹脂２０４と一様に混合される。酸
化銅はほぼ２８の誘電率を有する。樹脂２０４は典型的
には酸化銅なしにはほぼ２〜５の誘電率を有し、かつ重
量パーセントで１０パーセントの酸化銅と混合されたと
きやや高い誘電率を有する。好ましい実施例では１０重
量パーセントの酸化銅が使用されたが、結果として得ら
れる樹脂２０４の誘電率の増大が受入れ可能である用途
にはより多くの量の酸化銅を使用することができる。他
の充填材（ｆｉｌｌｅｒ）はアメリカ合衆国、ニュー・
ジャージー州の、ジョンソン−マシー（Ｊｏｈｎｓｏｎ
Ｍａｔｔｈｅｙ）で製造されかつ入手可能なＣＡＴ−
１０である。しかしながら、酸化銅がＣＡＴ−１０より
好ましく、それはＣＡＴ−１０は触媒点を提供するのみ
であるため比較的長い（１時間余り）の無電解めっきイ
ニシエイション時間（ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ ｔｉｍ
ｅ）を有するためである。イニシエイションは活性化さ
れたＣｕ２Ｏおよび連続的な銅めっきと共にただちに始
まり、典型的には１５分未満で生じる。
【００１０】本発明を使用することにより、ほぼ２５マ
イクロメータまたはそれ以下で分離された導体２１０，
２１１および２１２を有する回路基板１００が製造でき
る。さらに、直径が２５マイクロメータの相互接続ビア
が大量生産できる。パターンの分解能は樹脂システムの
光画定（ｐｈｏｔｏｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）、光解像性
およびリソグラフプロセスによって規制される。樹脂２
０４に実質的に一様に混合された酸化銅粒子を使用する
ことにより、回路基板の誘電率は実質的に基板２０２の
ものと同じになり、かつ表面抵抗は毎平方あたり少なく
とも１０１３オームであり、これは酸化銅粒子３００の
重量パーセントが１０パーセントより小さいからであ
る。
【００１１】図２〜図６を参照すると、図１の回路基板
１００のＡ−Ａ線に沿った断面図が示されており、回路
基板１００の製造の間の選択された各段階を示してい
る。図６は、図１の完成した回路基板１００のはんだマ
スクのない状態に対応する。最初に図２に示されるよう
に、基板２０２がメタライズされて、導体２２９，２３
０および２３１を備えた、回路層２０３またはプリフォ
ーム回路層２０３が基板２０２に付着される。次に、基
板２０２および回路層２０３は樹脂２０４で覆われる。
好ましい実施例では、樹脂２０４は前に述べた２つの誘
電体プロセスの樹脂Ａである。樹脂２０４は選択された
樹脂を図７の複数の小さな金属酸化物粒子３００と一様
に混合することによって形成され、この場合前記金属酸
化物の重量パーセントは１０パーセントより小さくされ
る。好ましい実施例では、樹脂２０４は前に述べた樹脂
から選択され、かつ金属酸化物粒子３００は好ましくは
０．０５マイクロメータの直径から１０マイクロメータ
の直径におよぶサイズの酸化銅粒子である。
【００１２】図３において、樹脂２０４はフォトパター
ニングされて回路層２０３の、それぞれ、対応する導体
２３１および２２９を露出する溝またはチャネル２２２
およびウエル２２０を形成する。図４において、樹脂２
０４、チャネル２２２およびウエル２２０は樹脂２０５
で覆われる。好ましい実施例では、樹脂２０５は前に述
べた２つの誘電体プロセスの樹脂Ｂでありかつ同様に前
に述べた樹脂から選択される。図５において、樹脂２０
５はフォトパターニングされてチャネル２２１および再
開口（ｒｅ−ｏｐｅｎｉｎｇ）チャネル２２２およびウ
エル２２０を形成する。次に、樹脂２０４の露出面の近
くの金属酸化物粒子３００（図７を参照）が、アルカリ
過マンガン酸塩（ａｌｋａｌｉｎｅ ｐｅｒｍａｎｇａ
ｎａｔｅ）または反応性イオンエッチングのような、適
切な処理によって露出される。次に、後により詳細に説
明する還元溶液が噴霧（または他の適切な付与手段）に
よってチャネル２２１および２２２そしてウエル２２０
の表面に付与され樹脂２０４の面の露出した金属酸化物
粒子３００を毎平方あたり１０６オームより大きな表面
抵抗を有する触媒膜（触媒アイランド）のアイランド領
域３０１に変換する。その後、チャネル２２１および２
２２ならびにウエル２２０は適切に処理されかつ無電解
メタライズされて、ほぼ１０マイクロメータの表面メタ
リゼイション厚さを有する、図１および図６に示される
導体２１０，２１１および２１２、ならびにビア２１３
を形成する。
【００１３】ＣｕまたはＣｕＨの、活性銅（ａｃｔｉｖ
ｅ ｃｏｐｐｅｒ）のアイランドを形成するため還元溶
液が前記Ｃｕ２Ｏ粒子３００に付与される。これらのア
イランド３０１は無電解バスによる銅被着のための触媒
である。前記還元溶液は３つの要素、（１）主還元剤、
（２）２次還元剤、および（３）捕捉剤（ｃａｐｔｕｒ
ｉｎｇ ａｇｅｎｔ）、を含む。主還元剤はプラス１の
酸化状態、Ｃｕ＋、における銅を選択的に低減する。好
ましい主還元剤は水素化ホウ素ナトリウム（ｓｏｄｉｕ
ｍ ｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ）、ＮａＢＨ４、である。
２次還元剤はプラス２の酸化状態、Ｃｕ＋＋、の銅と好
んで反応し、かつそれをプラス１の酸化状態、Ｃｕ＋、
に低減する。好ましい２次還元剤はヨー化ナトリウム、
ＮａＩ、である。捕捉剤はキレート（ｃｈｅｌａｔｅ）
または錯体剤（ｃｏｍｐｌｅｘｉｎｇ ａｇｅｎｔ）で
あり、これは溶液中の銅のプラス２の酸化状態、Ｃｕ
＋＋、を保持する。好ましい捕捉剤はＥＤＴＡである。
【００１４】好ましい実施例では、前記還元溶液は混合
されて濃度０．００１〜１．０モルの水素化ホウ素ナト
リウム、ＮａＢＨ４、０．０〜０．２５モルのヨー化ナ
トリウム、および濃度０．０〜０．２５モルのＥＤＴＡ
が存在するようにする。水酸化ナトリウム、ＮａＯＨ、
が前記溶液に加えられて少なくとも１０のｐＨを生成す
る。より高いｐＨは水素化ホウ素ナトリウム、ＮａＢＨ
４、を安定化し、その結果触媒アイランド３０１のカバ
レージをより少なくする。ｐＨが増大するに応じて、前
記ヨー化物がより活性的でなくなる。より低いｐＨはＮ
ａＢＨ４の分解およびＥＤＴＡのプロトン付加により触
媒アイランド３０１の制御されない成長を生じる。この
還元溶液は比較的短い期間の後に触媒アイランド３０１
の寸法を安定させる結果となる。還元溶液を回路基板１
００に噴霧することは触媒材料のはねかけまたはスプラ
ッタ（ｓｐｌａｔｔｅｒｉｎｇ）あるいは過剰な広がり
を生じることはない。
【００１５】還元溶液の種々の種（ｓｐｅｃｉｅｓ）の
化学反応は次のように行われる。還元溶液が樹脂２０４
に接触するとき、前記捕捉剤ＥＤＴＡが絶えずおのおの
の露出した金属酸化物、Ｃｕ２Ｏ、の粒子３００の部分
を溶解しかつトラップまたは捕捉する（ｔｒａｐｓ）。
同時に、主還元剤、ＮａＢＨ４、はおのおのの金属酸化
物粒子の面のいくらかを無電解めっきに対して活性的な
触媒サイトに変換する。一方、溶液中の前記捕捉された
金属イオンは移動性のものでありかつ溶液中にある間に
いくらかの距離にわたり分配され得る。前記２次還元
剤、ＮａＩ、は捕捉された金属イオンの酸化状態を還元
しこれは前記捕捉剤と金属イオンとの間の結合を弱め
る。この弱められた種（ｓｐｅｃｉｅｓ）が付加的な主
還元剤の存在する状態で触媒粒子に接触したとき、前記
活性粒子がさらに前記弱められた移動性の種の金属イオ
ンの還元をトリガする。金属被着は膜成長のための核形
成サイトとして作用する活性粒子の回りに発生する。５
分より短い、短時間の後に、金属種の溶解と被着との間
で定常状態が達成される。その結果、もとの粒子の回り
にのみ形成するアイランド構造が得られる。触媒アイラ
ンドを形成することは首尾よく導体パターンを生成する
のに必要な特徴機能である。
【００１６】
【実施例】
１．米国特許第５，２６０，１７０号に記載されたよう
な、２つの誘電体層化した、順次処理される回路基板の
サンプルが準備された。１組のサンプルが０．０１５モ
ルのホウ化水素のみの還元溶液に１０秒間、１分間およ
び５分間置かれ、そして第２の組のサンプルが０．０１
５モルのホウ化水素および０．２５モルのＥＤＴＡ還元
溶液中に同じ時間の間置かれた。両方の還元溶液は１２
のｐＨを有していた。次に前記サンプルは脱イオン水で
すすがれた。その後ただちに前記サンプルはイオンパラ
ジウム溶液中に１０秒間置かれた。次に、前記サンプル
はすすがれかつ乾燥された。最後に、前記サンプルはシ
ップレイ４５００（Ｓｈｉｐｌｅｙ ４５００）無電解
銅バスに２分間置かれた。前記サンプルはめっき（ｐｌ
ａｔｉｎｇ）が開始されたことおよび場所を判定するた
めに走査電子顕微鏡で観察された。測定基準はサンプル
の表面におけるイニシエイションサイトの密度の可視的
判定である。
【００１７】パラジウム処理および無電解バスの目的は
触媒アイランドの観察ができるようにすることであっ
た。前記３つのホウ化水素のみの還元サンプルの結果は
低い密度のイニシエイションサイトであった。還元時間
の増大とともに開始サイトのほんのわずかな増大があっ
た。
【００１８】前記ホウ化水素およびＥＤＴＡ還元サンプ
ルで１０秒間還元されたものはホウ化水素のみの還元と
同じ開始密度を示した。１分間のホウ化水素およびＥＤ
ＴＡ還元サンプルは開始サイトの著しい増大を示しかつ
前記５分間の還元サンプルはほぼ連続的なめっきを示し
た。
【００１９】２．米国特許第５，２６０，１７０号に記
載された、２つの誘電体層化された、順次処理される回
路基板の第２の組のサンプルが用意された。これらのサ
ンプルは３つの異なる還元化学剤において還元された。
すなわち、（１）０．０１５モルのＮａＢＨ４、（２）
０．０１５モルのＮａＢＨ４および０．２５モルのＥＤ
ＴＡ、および（３）０．０１４モルのＮａＢＨ４、０．
０２５モルのＥＤＴＡおよびＫＩ、である。３つすべて
の還元剤は１２のｐＨを有していた。これらのサンプル
は前記還元剤中に１０秒、１分、５分および１５分の間
浸された。次に前記サンプルは脱イオン水によってすす
がれた。その直後に前記サンプルは１０秒間イオンパラ
ジウム溶液中に置かれた。次に、前記サンプルはすすが
れかつ乾燥された。最後に、前記サンプルはシップレー
４５００無電解銅バス中に２分間置かれた。前記サンプ
ルは選択的なめっきおよびオーバプレート（ｏｖｅｒｐ
ｌａｔｉｎｇ）に対し光学的顕微鏡で観察された。
【００２０】ホウ化水素のみの還元剤は１０秒および１
分間について何らのめっきも示さなかった。選択的なめ
っきは５分および１５分について検出されかつ還元時間
の増大とともにカバレージが増大した。いずれのサンプ
ルに関してもオーバプレートは観察されなかった。
【００２１】前記ホウ化水素およびＥＤＴＡの還元剤は
１０秒でめっきは見られず、１分、５分および１５分に
おいて選択的めっきが見られた。カバレージは時間とと
もに増大しかついずれのサンプルにもオーバプレートは
観察されなかった。
【００２２】最後に、前記ホウ化水素、ＥＤＴＡおよび
ＫＩのものは１０秒、１分および５分において選択的め
っきを示した。オーバプレートは１５分において観察さ
れた。カバレージはすべてのサンプルにおいて時間とと
もに増大した。
【００２３】
【発明の効果】要するに、本発明は製造環境において２
つの誘電体層化した順次処理される回路基板上に触媒的
アイランド３０１を製作するのに適した方法および還元
溶液を提供する。この方法および還元溶液を使用するこ
とによって、ブリッジを生じることなく、回路基板上に
精細に間隔をあけた導体、パッドおよびビアが作成でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法を使用して選択的にメタライズさ
れた、回路基板１００を示す部分的斜視図である。
【図２】図１の回路基板１００をその製造の間に、Ａ−
Ａ線に沿って示す断面図である。
【図３】図１の回路基板１００を、その製造の間に、Ａ
−Ａ線に沿って示す他の断面図である。
【図４】図１の回路基板１００を、その製造の間に、Ａ
−Ａ線に沿って示す他の断面図である。
【図５】図１の回路基板１００を、その製造の間に、Ａ
−Ａ線に沿って示す他の断面図である。
【図６】図１の回路基板１００を、その製造の間に、Ａ
−Ａ線に沿って示す他の断面図である。
【図７】図５における回路基板１００のチャネル２２１
の面を示す拡大図である。
【符号の説明】
１００ 回路基板 ２０２ 基板 ２０３ 回路層 ２０４，２０５ 樹脂 ２１０，２１１，２１２ 導体 ２２９，２３０，２３１ 導体 ２２０ ウエル ２２１，２２２ チャネル ３００ 酸化銅粒子 ３０１ アイランド領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バーノン・エル・ブラウン アメリカ合衆国イリノイ州60010、バーリ ントン、ディープウッド・ロード アール アール７

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板（２０２）の少なくとも第１の面を
    メタライズする方法であって、 （ａ）樹脂（２０４）に複数の小さな金属酸化物粒子
    （３００）を実質的に一様に混合することによって前記
    基板（２０２）を形成する段階、 （ｂ）前記第１の面近くに前記小さな金属酸化物粒子
    （３００）を露出する段階、 （ｃ）水性還元剤であって、（ｉ）主還元剤、（ｉｉ）
    ２次還元剤、および（ｉｉｉ）捕捉剤、を含むものを前
    記基板（２０２）の前記第１の面に付与して前記露出し
    た金属酸化物粒子（３００）を触媒粒子の孤立したアイ
    ランド領域（３０１）に変換する段階であって、前記第
    １の面は毎平方あたり１０６オームより大きな表面抵抗
    を有するもの、そして （ｄ）前記基板（２０２）の第１の面の前記アイランド
    領域（３０１）を所定の厚さに無電解メタライズし、そ
    れによって隣接アイランド領域が相互接続されるように
    する段階、 を具備することを特徴とする基板（２０２）の少なくと
    も第１の面をメタライズする方法。
  2. 【請求項２】 前記段階（ｃ）はさらに１０以上のｐＨ
    を持つよう前記水性還元溶液を混合する段階を含むこと
    を特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記水性還元溶液を混合する段階はさら
    にプラス１酸化状態における金属に好んで反応するグル
    ープから前記主還元剤を選択する段階を含むことを特徴
    とする請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記主還元剤を選択する段階はホウ化水
    素を選択する段階を含むことを特徴とする請求項３に記
    載の方法。
  5. 【請求項５】 前記水性還元溶液を混合する段階はさら
    にプラス２の酸化状態における金属に好んで反応しかつ
    それをプラス１の酸化状態に還元するグループから前記
    ２次還元剤を選択する段階を含むことを特徴とする請求
    項２に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記２次還元剤を選択する段階はヨー化
    物を選択する段階を含むことを特徴とする請求項５に記
    載の方法。
  7. 【請求項７】 前記水性還元溶液を混合する段階はさら
    にキレート化剤および錯体剤を含むグループから捕捉剤
    を選択する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載
    の方法。
  8. 【請求項８】 前記捕捉剤はＥＤＴＡであることを特徴
    とする請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 表面上に触媒アイランド（３０１）を作
    成する方法において使用する還元溶液であって、 ０．００１から１．０モルまでの濃度を有するホウ化水
    素、 ０．０から０．２５モルまでの濃度を有するヨー化物、
    および ０．０から０．２５モルまでの濃度を有するキレート化
    剤、 を具備する還元溶液。
  10. 【請求項１０】 前記還元溶液のｐＨは水酸化物により
    １０以上のｐＨに調整されることを特徴とする請求項９
    に記載の還元溶液。
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