JPH08221828A - 低反射面を有する光記録担体 - Google Patents
低反射面を有する光記録担体Info
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- JPH08221828A JPH08221828A JP7029222A JP2922295A JPH08221828A JP H08221828 A JPH08221828 A JP H08221828A JP 7029222 A JP7029222 A JP 7029222A JP 2922295 A JP2922295 A JP 2922295A JP H08221828 A JPH08221828 A JP H08221828A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスクなどの光磁気記録担体において、
信号の読み出し側面の入射光及び／或いは反射光の記録
面への到達効率を高めて、より明瞭な記録信号を読み出
すことが可能なものを提供すること。 【構成】 レーザ光線の入射光及び／或いは反射光によ
り読み出し得る光記録担体上に、前記入射光及び／或い
は反射光の波長に相当するレーザ光線の記録面への到達
効率を高めるために、基板表面にＳｉＯ2 の超微粒子層
を設けるようにしたものであり、これにより、屈折率を
連続的に変化させて反射光を低減できる。又、前記超微
粒子層を転写することで、低反射面の再現が容易とな
り、更に、半球形状の微細な凹部に、更に屈折率の小さ
い物質を充填することで反射率をおさえるとともに汚れ
の付着しにくいものとなる。転写するための母型に金属
メッキ層を利用するスタンパーを用いると精度の高い転
写を行なうことができる。
信号の読み出し側面の入射光及び／或いは反射光の記録
面への到達効率を高めて、より明瞭な記録信号を読み出
すことが可能なものを提供すること。 【構成】 レーザ光線の入射光及び／或いは反射光によ
り読み出し得る光記録担体上に、前記入射光及び／或い
は反射光の波長に相当するレーザ光線の記録面への到達
効率を高めるために、基板表面にＳｉＯ2 の超微粒子層
を設けるようにしたものであり、これにより、屈折率を
連続的に変化させて反射光を低減できる。又、前記超微
粒子層を転写することで、低反射面の再現が容易とな
り、更に、半球形状の微細な凹部に、更に屈折率の小さ
い物質を充填することで反射率をおさえるとともに汚れ
の付着しにくいものとなる。転写するための母型に金属
メッキ層を利用するスタンパーを用いると精度の高い転
写を行なうことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録担体の記録
の読み出し側における光の表面反射防止技術に関する。
の読み出し側における光の表面反射防止技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録担体はディスク状のものが一
般的であり収納性が良いものである。従って光磁気記録
担体は光ディスクと呼ばれている。その用途により再生
専用ディスク、書き込み可能型ディスク、書換え可能型
ディスクがある。基板の記録面にはデータの転写あるい
は書き込みが行なわれ、この記録をレーザ光で読み出し
て再生する。
般的であり収納性が良いものである。従って光磁気記録
担体は光ディスクと呼ばれている。その用途により再生
専用ディスク、書き込み可能型ディスク、書換え可能型
ディスクがある。基板の記録面にはデータの転写あるい
は書き込みが行なわれ、この記録をレーザ光で読み出し
て再生する。
【０００３】光磁気記録担体の書き込みや読み出しに用
いるレーザ光は太陽光と異なり、単一波長で且つ重量を
持たない光であり、直進性と集光性のきわめて優れた光
であるとされている。波長も発光源によって異なるが、
光磁気記録あるいは再生においては、６３３ｎｍ、８３
０ｎｍなどのレーザ光線が多く用いられており、これら
レーザ光線は、可視光の波長範囲の上限近傍にある。
いるレーザ光は太陽光と異なり、単一波長で且つ重量を
持たない光であり、直進性と集光性のきわめて優れた光
であるとされている。波長も発光源によって異なるが、
光磁気記録あるいは再生においては、６３３ｎｍ、８３
０ｎｍなどのレーザ光線が多く用いられており、これら
レーザ光線は、可視光の波長範囲の上限近傍にある。
【０００４】レーザ光は透明体を透過するときその透明
体の屈折率に従い屈折し、鏡面では反射する。光記録担
体はピットの長短で信号を記録するが、ピットの深さを
０．１μｍ程度に設定しており、信号の読み出しにおい
て、レーザスポットをピット部分及びその周辺に亘り照
射した際、光路差で生ずる反射光の干渉によりピット部
分の反射光が減少することを利用し、この反射光の有無
とピットの長さをディジタル信号に変換するようになっ
ている。
体の屈折率に従い屈折し、鏡面では反射する。光記録担
体はピットの長短で信号を記録するが、ピットの深さを
０．１μｍ程度に設定しており、信号の読み出しにおい
て、レーザスポットをピット部分及びその周辺に亘り照
射した際、光路差で生ずる反射光の干渉によりピット部
分の反射光が減少することを利用し、この反射光の有無
とピットの長さをディジタル信号に変換するようになっ
ている。
【０００５】レーザ光が透明体を透過する際、レーザ光
全てが透過する訳ではなくその一部は表面で反射する。
反射率は物質固有の屈折率を基に算出できる。フレネル
の公式 Ｒ＝｛（ｎｇ−ｎ0）(ｎｇ＋ｎ0)}2 を用いて光ディスクに用いられている樹脂であるポリカ
ーボネート，アクリルの反射率を計算すると、それぞれ
片面で５．２％、３．９％となる。現状光ディスクにお
いては透明部材表面の反射防止対策は行なわれていな
い。ここでｎｇは基材の屈折率、ｎ0 は空気屈折率であ
る。
全てが透過する訳ではなくその一部は表面で反射する。
反射率は物質固有の屈折率を基に算出できる。フレネル
の公式 Ｒ＝｛（ｎｇ−ｎ0）(ｎｇ＋ｎ0)}2 を用いて光ディスクに用いられている樹脂であるポリカ
ーボネート，アクリルの反射率を計算すると、それぞれ
片面で５．２％、３．９％となる。現状光ディスクにお
いては透明部材表面の反射防止対策は行なわれていな
い。ここでｎｇは基材の屈折率、ｎ0 は空気屈折率であ
る。
【０００６】光ディスクの読み出し側に位置する透明部
材の表面の反射を低減する方法として、光の干渉を利用
する方法、例えば金属類を真空蒸着法により薄膜として
形成し反射光の干渉を行なわしめる手法は好ましくな
く、屈折率を連続的に変化させて反射光を低減する方法
の方が光の位相に影響を及ぼさないため有利である。
材の表面の反射を低減する方法として、光の干渉を利用
する方法、例えば金属類を真空蒸着法により薄膜として
形成し反射光の干渉を行なわしめる手法は好ましくな
く、屈折率を連続的に変化させて反射光を低減する方法
の方が光の位相に影響を及ぼさないため有利である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする課題
は、光ディスクの読み出し側に連続的に屈折率が変化す
る層を形成することで、低反射面を有するものを提供せ
んとするものである。
は、光ディスクの読み出し側に連続的に屈折率が変化す
る層を形成することで、低反射面を有するものを提供せ
んとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光線の
入射光及び／或いはその反射光により読み出される記録
を有する担体上に、前記光線の入射光及び／或いはその
反射光の波長に相当するレーザ光線の記録面への到達効
率及び記録面からの反射光の到達効率を高めるための屈
折率が連続的に変化する超微粒子層を少なくとも一部に
設けるものである。
入射光及び／或いはその反射光により読み出される記録
を有する担体上に、前記光線の入射光及び／或いはその
反射光の波長に相当するレーザ光線の記録面への到達効
率及び記録面からの反射光の到達効率を高めるための屈
折率が連続的に変化する超微粒子層を少なくとも一部に
設けるものである。
【０００９】又、上記超微粒子にＳｉＯ2 を用いるよう
にする。
にする。
【００１０】第二の発明は、超微粒子層を母型にして表
面形状を転写して成る層を形成することである。
面形状を転写して成る層を形成することである。
【００１１】更に、転写された面の微細な凹部に、該凹
部を構成する物質の屈折率より小さな屈折率を有する物
質を充填して光線の到達率を高めるようにする。
部を構成する物質の屈折率より小さな屈折率を有する物
質を充填して光線の到達率を高めるようにする。
【００１２】又、超微粒子層を転写して得られる転写面
を母型にして、半球形状の微細な凸部を連設して連続的
に屈折率を変化させるものである。
を母型にして、半球形状の微細な凸部を連設して連続的
に屈折率を変化させるものである。
【００１３】
【実施例１】アクリル樹脂を基板とするコンパクトディ
スク上面を純水で洗浄し乾燥後、該コンパクトディスク
をエチルシリケート，エタノール，ＩＰＡ，ＭＥＫなど
と、エチルシリケートを加水分解させるための水と硝酸
などが混合された溶液（Ｓ４０８，旭硝子(株)製）と８
０ｎｍの粒径をもつＳｉＯ2 をエタノールに２０ｗｔ％
分散させた混合溶液に浸し、垂直に毎秒０．９８ｍｍの
速度で引上げ、揮発成分が蒸発した後、６０℃で３０分
加熱乾燥した。その表面は紫色の色調を示すものであっ
た。この状況を模式的に図１に示す。１はＳｉＯ2 の超
微粒子、２はアクリル樹脂基板、３は記録面、４はアル
ミ反射膜、５は保護コート材である。
スク上面を純水で洗浄し乾燥後、該コンパクトディスク
をエチルシリケート，エタノール，ＩＰＡ，ＭＥＫなど
と、エチルシリケートを加水分解させるための水と硝酸
などが混合された溶液（Ｓ４０８，旭硝子(株)製）と８
０ｎｍの粒径をもつＳｉＯ2 をエタノールに２０ｗｔ％
分散させた混合溶液に浸し、垂直に毎秒０．９８ｍｍの
速度で引上げ、揮発成分が蒸発した後、６０℃で３０分
加熱乾燥した。その表面は紫色の色調を示すものであっ
た。この状況を模式的に図１に示す。１はＳｉＯ2 の超
微粒子、２はアクリル樹脂基板、３は記録面、４はアル
ミ反射膜、５は保護コート材である。
【００１４】透明部材の表面における反射光を低減させ
るために、連続的に屈折率を変化させる仕組みを図２を
用いて説明する。空気側から基板方向へ向けて任意の位
置の微小深さｄｘに対する屈折率は、空気の屈折率Ｎ
ｏ、粒子の屈折率Ｎｇ、粒子の体積Ｖｄｘとすると微小
深さの平均的屈折率Ｎｄｘは次式で示して良い。 Ｎｄｘ＝Ｎｇ・Ｖｄｘ＋Ｎｏ（１−Ｖｄｘ） 従ってＳｉＯ2 の微粒子１を固着する固着剤６の屈折率
を基板２の屈折率に等しいか近似するものとするのが好
ましい。このようにして空気の屈折率：１から基板の屈
折率へ順次変化させることができる。
るために、連続的に屈折率を変化させる仕組みを図２を
用いて説明する。空気側から基板方向へ向けて任意の位
置の微小深さｄｘに対する屈折率は、空気の屈折率Ｎ
ｏ、粒子の屈折率Ｎｇ、粒子の体積Ｖｄｘとすると微小
深さの平均的屈折率Ｎｄｘは次式で示して良い。 Ｎｄｘ＝Ｎｇ・Ｖｄｘ＋Ｎｏ（１−Ｖｄｘ） 従ってＳｉＯ2 の微粒子１を固着する固着剤６の屈折率
を基板２の屈折率に等しいか近似するものとするのが好
ましい。このようにして空気の屈折率：１から基板の屈
折率へ順次変化させることができる。
【００１５】図２からすると微粒子の直径が大きい方が
良いように見えるが、実験的には粒子径が６００ｎｍ程
度のもの以上で乱反射が目立ち始める。逆に粒子径が１
０ｎｍ以下になると表面の形状が平滑になり反射光が増
加する。微粒子を直径１０ｎｍから６００ｎｍの間で５
０ｎｍの間隔毎に設けたものを設定実験して反射率を考
察した結果、５０ｎｍから２００ｎｍの間の粒径が適切
であることが判明した。特に本発明に関しては、光ディ
スクに使用されるレーザ光の波長が６００ｎｍから８０
０ｎｍの範囲であるから、この近辺で反射光が低くなる
ことが望ましい。反射率の測定をする場合、図１の状態
での測定はできないので、別途同一素材を用い図３に示
すように、超微粒子を固着した面に対し反対側の面を平
面となし黒色に着色して光の吸収面７を作り、試験体８
とした。２−１はアクリル樹脂板である。ここで微粒子
の直径８０ｎｍを使用したときの反射率を図４の曲線Ａ
に示す。６００ｎｍから８００ｎｍの範囲で反射率は
０．５％以下となっている。
良いように見えるが、実験的には粒子径が６００ｎｍ程
度のもの以上で乱反射が目立ち始める。逆に粒子径が１
０ｎｍ以下になると表面の形状が平滑になり反射光が増
加する。微粒子を直径１０ｎｍから６００ｎｍの間で５
０ｎｍの間隔毎に設けたものを設定実験して反射率を考
察した結果、５０ｎｍから２００ｎｍの間の粒径が適切
であることが判明した。特に本発明に関しては、光ディ
スクに使用されるレーザ光の波長が６００ｎｍから８０
０ｎｍの範囲であるから、この近辺で反射光が低くなる
ことが望ましい。反射率の測定をする場合、図１の状態
での測定はできないので、別途同一素材を用い図３に示
すように、超微粒子を固着した面に対し反対側の面を平
面となし黒色に着色して光の吸収面７を作り、試験体８
とした。２−１はアクリル樹脂板である。ここで微粒子
の直径８０ｎｍを使用したときの反射率を図４の曲線Ａ
に示す。６００ｎｍから８００ｎｍの範囲で反射率は
０．５％以下となっている。
【００１６】
【実施例２】本実施例では転写により光記録担体に反射
防止層を形成した例を説明する。直径１２ｃｍ、厚さ５
ｍｍの光学用ガラス円板を用意し純水で洗浄乾燥させ
る。実施例１に用いた溶液のうち８０ｎｍのＳｉＯ2 超
微粒子に替えて１００ｎｍの粒径の超微粒子を２０ｗｔ
％分散させた溶液に前記ガラス円板を浸漬し、垂直に速
度０．７ｍｍ／秒で引き上げた。揮発成分が蒸発した
後、３００℃で一時間加熱した。そして室温になる迄減
温してガラス板を加熱炉から取り出し、超音波洗浄して
これを母型として準備する。ＶＤあるいはＣＤの記録面
を転写する際、射出成形の一方の母型として上記母型を
使用した。その成型面を図５に断面として模式的に示
す。成型面９はＳｉＯ2 の球面のほぼ半分を転写した状
況である。２−２はアクリル樹脂板である。この面の反
射率を測定する場合、図５の状態では測定できないので
別途図６のようにアクリル樹脂板２−２の片側に凹凸の
成型面９を形成し他の側を平面となし、該平面を黒色に
着色して光の吸収面７からなる試験体１０を作り成形面
９の反射率を測定したところ図４に示す曲線Ｂとして結
果を得た。この場合波長５５０ｎｍ近辺で最も低い反射
率を示している。本実施例では超微粒子の形状を転写す
る関係上超微粒子はＳｉＯ2 に限らず、ＺｒＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 なども使用できる。但し球形が好ましい。
防止層を形成した例を説明する。直径１２ｃｍ、厚さ５
ｍｍの光学用ガラス円板を用意し純水で洗浄乾燥させ
る。実施例１に用いた溶液のうち８０ｎｍのＳｉＯ2 超
微粒子に替えて１００ｎｍの粒径の超微粒子を２０ｗｔ
％分散させた溶液に前記ガラス円板を浸漬し、垂直に速
度０．７ｍｍ／秒で引き上げた。揮発成分が蒸発した
後、３００℃で一時間加熱した。そして室温になる迄減
温してガラス板を加熱炉から取り出し、超音波洗浄して
これを母型として準備する。ＶＤあるいはＣＤの記録面
を転写する際、射出成形の一方の母型として上記母型を
使用した。その成型面を図５に断面として模式的に示
す。成型面９はＳｉＯ2 の球面のほぼ半分を転写した状
況である。２−２はアクリル樹脂板である。この面の反
射率を測定する場合、図５の状態では測定できないので
別途図６のようにアクリル樹脂板２−２の片側に凹凸の
成型面９を形成し他の側を平面となし、該平面を黒色に
着色して光の吸収面７からなる試験体１０を作り成形面
９の反射率を測定したところ図４に示す曲線Ｂとして結
果を得た。この場合波長５５０ｎｍ近辺で最も低い反射
率を示している。本実施例では超微粒子の形状を転写す
る関係上超微粒子はＳｉＯ2 に限らず、ＺｒＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 なども使用できる。但し球形が好ましい。
【００１７】
【実施例３】実施例２で説明した図６に示される片面に
凹凸状の成形面９を形成したアクリル樹脂板２−２にお
いて、成形面９の凹面に対し、アクリル樹脂の屈折率よ
り小さい屈折率を有する樹脂を充填する。アクリル樹脂
に対する二次密着は強固なものが得にくいところである
が、１００ｎｍという微小な凹面自体にアンカー効果が
期待できることに加えて紫外線による表面改質も行なっ
た。塗布液として屈折率１．３６のフッ素系コーティン
グ剤（フロラードＦＣ−７２２、住友スリーエム(株)
製）を使用した。膜厚調整と凹部への流入を容易にする
ために、溶剤フロリナート（同社製）で、３０％希釈を
行ないディッピング法で塗布した。模式図を図７に断面
図として示す。１１はフッ素系コーティング膜である。
この試験体１０ａの表面反射率を図４における曲線Ｃで
示す。傾向としては実施例２と同様であるが形状による
屈折率の連続的変化に加え、空気との界面に１．３６と
いう低屈折率物質が存在するため、試験体１０ａの反射
率は６００ｍｍ近辺で０．１％程度改善された。又、表
面に指紋などの汚れが付着しにくい点など実用面で有効
である。
凹凸状の成形面９を形成したアクリル樹脂板２−２にお
いて、成形面９の凹面に対し、アクリル樹脂の屈折率よ
り小さい屈折率を有する樹脂を充填する。アクリル樹脂
に対する二次密着は強固なものが得にくいところである
が、１００ｎｍという微小な凹面自体にアンカー効果が
期待できることに加えて紫外線による表面改質も行なっ
た。塗布液として屈折率１．３６のフッ素系コーティン
グ剤（フロラードＦＣ−７２２、住友スリーエム(株)
製）を使用した。膜厚調整と凹部への流入を容易にする
ために、溶剤フロリナート（同社製）で、３０％希釈を
行ないディッピング法で塗布した。模式図を図７に断面
図として示す。１１はフッ素系コーティング膜である。
この試験体１０ａの表面反射率を図４における曲線Ｃで
示す。傾向としては実施例２と同様であるが形状による
屈折率の連続的変化に加え、空気との界面に１．３６と
いう低屈折率物質が存在するため、試験体１０ａの反射
率は６００ｍｍ近辺で０．１％程度改善された。又、表
面に指紋などの汚れが付着しにくい点など実用面で有効
である。
【００１８】
【実施例４】先の実施例で示したガラス基板上にＳｉＯ
2 の直径１００ｎｍである超微粒子を固着した母型を用
いてスタンパーを作成し転写する手法を説明する。図８
に示すように実施例２で用いた母型１２を超音波洗浄後
真空蒸着によりニッケル蒸着層１３を形成する。この蒸
着層を電極として、ニッケルメッキを行ないニッケルメ
ッキ層１４を形成する。この工程は光ディスク原盤作成
工程と同様である。該メッキ層１４を剥離しスタンパー
１５を得る。線膨張係数を近似させるためニッケル合金
板１６を鏡面研磨したものに、スタンパー１５を耐熱接
着剤で接着し母型１７を得る（図９）。母型１７を用い
てアクリル樹脂を射出成形し試験体１８（図１０）を得
る。該試験体１８に黒色に塗装した光吸収面７を施して
成形面１９の反射率を測定し図４における曲線Ｄを得
た。この曲線の傾向は、ＳｉＯ2 の超微粒子の直径が１
２０ｎｍでガラス基板上に一層配列された反射光の傾向
に類似する。これは微細な凸部を構成する材質がＳｉＯ
2 と異なり、アクリル樹脂であることが一因と考えられ
る。
2 の直径１００ｎｍである超微粒子を固着した母型を用
いてスタンパーを作成し転写する手法を説明する。図８
に示すように実施例２で用いた母型１２を超音波洗浄後
真空蒸着によりニッケル蒸着層１３を形成する。この蒸
着層を電極として、ニッケルメッキを行ないニッケルメ
ッキ層１４を形成する。この工程は光ディスク原盤作成
工程と同様である。該メッキ層１４を剥離しスタンパー
１５を得る。線膨張係数を近似させるためニッケル合金
板１６を鏡面研磨したものに、スタンパー１５を耐熱接
着剤で接着し母型１７を得る（図９）。母型１７を用い
てアクリル樹脂を射出成形し試験体１８（図１０）を得
る。該試験体１８に黒色に塗装した光吸収面７を施して
成形面１９の反射率を測定し図４における曲線Ｄを得
た。この曲線の傾向は、ＳｉＯ2 の超微粒子の直径が１
２０ｎｍでガラス基板上に一層配列された反射光の傾向
に類似する。これは微細な凸部を構成する材質がＳｉＯ
2 と異なり、アクリル樹脂であることが一因と考えられ
る。
【００１９】上述のようにスタンパーを基板としての平
板やロールに固定し利用することができるために、光磁
気記録担体に限らず透明なフィルム、板などの表面に微
細凹凸面を形成できることになり、レンズ、ショーケー
ス、電子機器の数値表示パネル、太陽電池の表面材に使
用することができるようになるなど一層用途範囲が拡大
する。
板やロールに固定し利用することができるために、光磁
気記録担体に限らず透明なフィルム、板などの表面に微
細凹凸面を形成できることになり、レンズ、ショーケー
ス、電子機器の数値表示パネル、太陽電池の表面材に使
用することができるようになるなど一層用途範囲が拡大
する。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の反射防止
層を有する光ディスクなどの光磁気記録担体はレーザ光
の基板表面における反射光を低減させるとともに、記録
面からの反射光の到達効率を向上させるので記録をより
明瞭に読み出すことができる。これは空気とディスク表
面の干渉光が少ないのに起因している。
層を有する光ディスクなどの光磁気記録担体はレーザ光
の基板表面における反射光を低減させるとともに、記録
面からの反射光の到達効率を向上させるので記録をより
明瞭に読み出すことができる。これは空気とディスク表
面の干渉光が少ないのに起因している。
【図１】ＳｉＯ2 からなる超微粒子層をアクリル樹脂基
板に設けた光記録担体を模式的に示す断面図。
板に設けた光記録担体を模式的に示す断面図。
【図２】図１の超微粒子層を拡大して示す模式断面図。
【図３】超微粒子層による光の透過率を試験するための
試験体の模式断面図。
試験体の模式断面図。
【図４】各試験体（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）における光の波長
と透過率の関係を示す曲線図。
と透過率の関係を示す曲線図。
【図５】超微粒子層を転写により設けた例を示す光記録
担体を模式的に示す断面図。
担体を模式的に示す断面図。
【図６】転写により得られる記録担体の透過率を試験す
るための試験体の模式断面図。
るための試験体の模式断面図。
【図７】転写により得られた微細凹部に屈折率の異なる
別の物質を充填した状態を示す試験体の模式断面図。
別の物質を充填した状態を示す試験体の模式断面図。
【図８】図３に示す母型に蒸着層を設け、更にその上に
メッキ層を設けたものを示す模式断面図。
メッキ層を設けたものを示す模式断面図。
【図９】図８よりメッキ層を剥離したスタンパーをニッ
ケル合金板に接着して母型とした状態を示す模式断面
図。
ケル合金板に接着して母型とした状態を示す模式断面
図。
【図１０】図９に示す母型を用いて射出成形したアクリ
ル樹脂の試験体を示す模式断面図。
ル樹脂の試験体を示す模式断面図。
１ ＳｉＯ2 の超微粒子 ２，２−１，２−２ アクリル樹脂基板 ３ 記録面 ７ 光の吸収面 ８，１０，１８ 試験体 ９ 成型面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年７月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】レーザ光が透明体を透過する際、レーザ光
全てが透過する訳ではなくその一部は表面で反射する。
反射率は物質固有の屈折率を基に算出できる。フレネル
の公式 Ｒ＝｛（ｎｇ−ｎ0）／(ｎｇ＋ｎ0）｝2 を用いて光ディスクに用いられている樹脂であるポリカ
ーボネート，アクリルの反射率を計算すると、それぞれ
片面で５．２％、３．９％となる。現状光ディスクにお
いては透明部材表面の反射防止対策は行なわれていな
い。ここでｎｇは基材の屈折率、ｎ0 は空気屈折率であ
る。
全てが透過する訳ではなくその一部は表面で反射する。
反射率は物質固有の屈折率を基に算出できる。フレネル
の公式 Ｒ＝｛（ｎｇ−ｎ0）／(ｎｇ＋ｎ0）｝2 を用いて光ディスクに用いられている樹脂であるポリカ
ーボネート，アクリルの反射率を計算すると、それぞれ
片面で５．２％、３．９％となる。現状光ディスクにお
いては透明部材表面の反射防止対策は行なわれていな
い。ここでｎｇは基材の屈折率、ｎ0 は空気屈折率であ
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】
【実施例３】実施例２で説明した図６に示される片面に
凹凸状の成形面９を形成したアクリル樹脂板２−２にお
いて、成形面９の凹面に対し、アクリル樹脂の屈折率よ
り小さい屈折率を有する樹脂を充填する。アクリル樹脂
に対する二次密着は強固なものが得にくいところである
が、１００ｎｍという微少な凹面自体にアンカー効果が
期待できることに加えて紫外線による表面改質も行なっ
た。塗布液として屈折率１．３６のフッ素系コーティン
グ剤（フロラードＦＣ−７２２、住友スリーエム（株）
製）を使用した。膜厚調整と凹部への流入を容易にする
ために、溶剤フロリナート（同社製）で、３０％希釈を
行ないディッピング法で塗布した。模式図を図７に断面
図として示す。１１はフッ素系コーティング膜である。
この試験体１０ａの表面反射率を図４における曲線Ｃで
示す。傾向としては実施例２と同様であるが形状による
屈折率の連続的変化に加え、空気との界面に１．３６と
いう低屈折率物質が存在するため、試験体１０ａの反射
率は６００ｎｍ近辺で０．１％程度改善された。又、表
面に指紋などの汚れが付着しにくい点など実用面で有効
である。
凹凸状の成形面９を形成したアクリル樹脂板２−２にお
いて、成形面９の凹面に対し、アクリル樹脂の屈折率よ
り小さい屈折率を有する樹脂を充填する。アクリル樹脂
に対する二次密着は強固なものが得にくいところである
が、１００ｎｍという微少な凹面自体にアンカー効果が
期待できることに加えて紫外線による表面改質も行なっ
た。塗布液として屈折率１．３６のフッ素系コーティン
グ剤（フロラードＦＣ−７２２、住友スリーエム（株）
製）を使用した。膜厚調整と凹部への流入を容易にする
ために、溶剤フロリナート（同社製）で、３０％希釈を
行ないディッピング法で塗布した。模式図を図７に断面
図として示す。１１はフッ素系コーティング膜である。
この試験体１０ａの表面反射率を図４における曲線Ｃで
示す。傾向としては実施例２と同様であるが形状による
屈折率の連続的変化に加え、空気との界面に１．３６と
いう低屈折率物質が存在するため、試験体１０ａの反射
率は６００ｎｍ近辺で０．１％程度改善された。又、表
面に指紋などの汚れが付着しにくい点など実用面で有効
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (6)
- 【請求項１】 レーザ光線の入射光及び／或いはその反
射光により読み出し得る記録を有する担体上に、前記光
線の入射光及び／或いはその反射光の波長に相当するレ
ーザ光線の記録面への到達効率及び記録面からの反射光
の到達効率を高めるための屈折率が連続的に変化する超
微粒子層を少なくとも一部に設けてなる記録担体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の超微粒子がＳｉＯ2 で
あることを特徴とする記録担体。 - 【請求項３】 請求項１の記録担体の超微粒子層を転写
してなる層を有する記録担体。 - 【請求項４】 請求項３において記録担体の超微粒子層
を転写して得られる微細な凹部に、該凹部を構成する物
質の屈折率より小さな屈折率を有する物質を充填してな
る記録担体。 - 【請求項５】 請求項１に記載の超微粒子層を転写して
得られる転写面を母型とし半球形状の繊細な凸部を設け
てなる記録担体。 - 【請求項６】 請求項１に記載の超微粒子層を転写して
得られる転写面を母型とし半球形状の繊細な凸部を設け
てなる透明樹脂フィルム又は板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7029222A JPH08221828A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 低反射面を有する光記録担体 |
| CN96190116A CN1146810A (zh) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 凸超微粒子的表面结构 |
| KR1019960705880A KR970702504A (ko) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | 볼록 초미립자면 구조 |
| US08/732,482 US6075652A (en) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | Convex-microgranular surface structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7029222A JPH08221828A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 低反射面を有する光記録担体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08221828A true JPH08221828A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12270193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7029222A Pending JPH08221828A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 低反射面を有する光記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08221828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437918B1 (en) | 1996-07-22 | 2002-08-20 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of manufacturing flat plate microlens and flat plate microlens |
| US7126905B2 (en) | 2000-09-29 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and information recording/reproducing apparatus to increase recording density |
-
1995
- 1995-02-17 JP JP7029222A patent/JPH08221828A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437918B1 (en) | 1996-07-22 | 2002-08-20 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of manufacturing flat plate microlens and flat plate microlens |
| US7126905B2 (en) | 2000-09-29 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and information recording/reproducing apparatus to increase recording density |
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