JPH08213299A - Pattern exposure device - Google Patents
Pattern exposure deviceInfo
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- JPH08213299A JPH08213299A JP7014792A JP1479295A JPH08213299A JP H08213299 A JPH08213299 A JP H08213299A JP 7014792 A JP7014792 A JP 7014792A JP 1479295 A JP1479295 A JP 1479295A JP H08213299 A JPH08213299 A JP H08213299A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体用のフォ
トマスク原盤や半導体上のレジストにパターンを露光す
るパターン露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern exposure apparatus for exposing a pattern on a photomask master for a semiconductor or a resist on a semiconductor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、フォトマスク原盤にパターンを露
光して描画するパターン露光装置においては、露光源と
して波長３６４ｎｍのＡｒレーザを用いるものが知られ
ている。このＡｒレーザを露光源としたパターン露光装
置においては、このＡｒレーザから出射されるレーザ光
をＮ．Ａ値が高い対物レンズで集光する。そして、この
集光したレーザビームを、レジストを塗布したガラス原
盤いわゆるフォトマスク原盤上で高速に走査して露光を
行い、パターンを描画する。2. Description of the Related Art Conventionally, in a pattern exposure apparatus for exposing a pattern on a photomask master to draw a pattern, one using an Ar laser having a wavelength of 364 nm as an exposure source is known. In a pattern exposure apparatus using this Ar laser as an exposure source, the laser light emitted from this Ar laser is converted into N.V. Focus with an objective lens with a high A value. Then, this focused laser beam is scanned at high speed on a resist-coated glass master disk, a so-called photomask master disk, to perform exposure to draw a pattern.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のＡｒ
レーザを用いたパターン露光装置を用いて、例えば、容
量が２５６Ｍｂｙｔｅｓの読み出し及び書き込みを行う
メモリであるＤＲＡＭ（dynamic RAM)等のためのパター
ンをフォトマスク原盤に描画するときには、以下の問題
点が生じる。By the way, the above-mentioned Ar
When a pattern exposure apparatus using a laser is used to draw a pattern for a DRAM (dynamic RAM), which is a memory for reading and writing with a capacity of 256 Mbytes, on a photomask master, the following problems occur. .
【０００４】先ず、２５６ＭｂｙｔｅｓのＤＲＡＭ等の
パターンを描画するときには、０．２５μｍ以下の設計
ルールを必要とする。具体的には、０．２５μｍ以下の
半導体デバイスを製造する場合において、ステッパによ
る縮小転写露光を前提とするならば、対応するフォトマ
スク原盤上の最小線幅は、縮小率が１／４又は１／５で
あるときに１〜１．２μｍとなる。しかし、実際には、
転写パターンのエッジ部の補正、即ちエッジ部が光の回
折によって丸味を帯びるのを回避するためにエッジ部を
角型に近づけることを行うための近接効果補正用パター
ンや、解像性向上のための位相シフタ膜パターンを描画
することが必須となりつつある。これらのパターンの最
小サイズはマスク上で約０．３〜０．４μｍであること
が要求される。First, a design rule of 0.25 μm or less is required when drawing a pattern of a 256 Mbytes DRAM or the like. Specifically, in the case of manufacturing a semiconductor device of 0.25 μm or less, if reduction transfer exposure by a stepper is presupposed, the minimum line width on the corresponding photomask master has a reduction ratio of 1/4 or 1 When it is / 5, it becomes 1 to 1.2 μm. But actually,
Correction of the edge part of the transfer pattern, that is, a proximity effect correction pattern for making the edge part closer to a square shape in order to prevent the edge part from being rounded due to diffraction of light, and for improving resolution. It is becoming indispensable to draw the phase shifter film pattern. The minimum size of these patterns is required to be about 0.3-0.4 μm on the mask.
【０００５】ここで、Ａｒレーザのパターン露光装置に
おいて、実用的な範囲内で可能な限り高いＮ．Ａ値をも
つ対物レンズとして、例えばＮ．Ａ値が０．６の対物レ
ンズを用いても集光レーザビームのスポット径は０．５
μｍ程度であり、上記近接効果補正用ターンや位相シフ
タ膜パターンを描画するための集光レーザビームのスポ
ット径よりも大きいため、上記近接効果補正用ターンや
位相シフタ膜パターンの描画には対応することができな
い。Here, in the Ar laser pattern exposure apparatus, the N.V. As an objective lens having an A value, for example, N.I. Even if an objective lens with an A value of 0.6 is used, the spot diameter of the focused laser beam is 0.5.
Since it is about μm and is larger than the spot diameter of the focused laser beam for drawing the proximity effect correcting turn and the phase shifter film pattern, it corresponds to the drawing of the proximity effect correcting turn and the phase shifter film pattern. I can't.
【０００６】また、Ａｒレーザの波長３６４ｎｍに用い
る半導体用のｉ線（波長３６５ｎｍ）用レジストの感度
は１００ｍＪ／ｃｍ2 であり、比較的低いため、十分な
パターン描画処理速度を確保するのに必要なビーム走査
速度は１０ｍ／秒以上である。このビーム走査速度で露
光を行うためのレーザ出力としては、１Ｗ以上の高い値
が必要となる。このような高出力のＡｒレーザは、一般
的には高価、大型であり、かつ消費電力が大きいので、
設備投資やランニングコストがかさむ。Further, the sensitivity of the resist for i-line (wavelength 365 nm) for semiconductors used for the wavelength 364 nm of Ar laser is 100 mJ / cm 2, which is relatively low, and therefore necessary to secure a sufficient pattern drawing processing speed. The beam scanning speed is 10 m / sec or more. As a laser output for performing exposure at this beam scanning speed, a high value of 1 W or more is required. Since such a high-power Ar laser is generally expensive, large, and consumes a large amount of power,
Capital investment and running costs are high.
【０００７】さらに、解像力の向上に効果のある位相シ
フトマスクのパターンの露光時においては、ガラス原盤
上に形成されているＣｒパターンの上に、二酸化ケイ素
（ＳｉＯ2 ）等から成る位相シフタ膜のパターンを高精
度で重ね合わせる必要がある。このときの位置合わせ用
の目印マークいわゆるアライメント・マークの位置検出
用にも高輝度のレーザ光を用いるが、このレーザ光には
パターンを描画するＡｒレーザとは別の波長５３２ｎｍ
のレーザ光を用いている。よって、パターン描画用のレ
ーザ装置と位置検出用のレーザ装置とを備えることにな
り、パターン露光装置全体は複雑で大型なものとなって
いる。Further, during the exposure of the pattern of the phase shift mask which is effective in improving the resolution, the Cr pattern formed on the glass master is coated with a phase shifter film made of silicon dioxide (SiO 2 ) or the like. It is necessary to overlay the patterns with high accuracy. At this time, high-intensity laser light is also used for detecting the position of the mark for alignment, so-called alignment mark. This laser light has a wavelength of 532 nm different from that of the Ar laser for drawing a pattern.
The laser light of is used. Therefore, a laser device for pattern drawing and a laser device for position detection are provided, and the entire pattern exposure device is complicated and large.
【０００８】そこで、本発明は上述の実情に鑑み、小型
で廉価な、集光レーザビームのスポット径の精度を高め
ることができるパターン露光装置を提供するものであ
る。In view of the above situation, the present invention provides a pattern exposure apparatus which is compact and inexpensive and which can improve the precision of the spot diameter of a focused laser beam.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係るパターン露
光装置は、２次元パターンを形成すべき被露光媒体と、
半導体素子から成るレーザ光源と、上記レーザ光源から
のレーザ光を用いて、このレーザ光の第２高調波を発生
する第２高調波発生手段と、上記第２高調波発生手段か
らの第２高調波レーザ光を用いて、上記レーザ光の第４
高調波を発生する第４高調波発生手段と、上記第４高調
波発生手段からの第４高調波レーザ光の強度を、上記２
次元パターンに応じて制御する制御信号を出力する光強
度制御信号発生手段と、上記光強度制御信号発生手段か
らの制御信号に基づいて、上記第４高調波発生手段から
の第４高調波レーザ光の強度を制御する光強度制御手段
と、上記光強度制御手段により強度が制御されたレーザ
光を上記被露光媒体に対して相対的に走査させる走査手
段と、上記走査手段により走査されたレーザ光を上記被
露光媒体上に集光する集光手段と、上記第２高調波発生
手段からの第２高調波レーザ光を上記被露光媒体上に導
いて、２次元パターンを形成する際の位置合わせ用目印
の位置を検出する位置検出手段と、上記位置検出手段か
らの検出信号を用いて上記被露光媒体を移動させる移動
制御手段とから成ることにより上述した課題を解決す
る。A pattern exposure apparatus according to the present invention comprises an exposed medium on which a two-dimensional pattern is to be formed,
A laser light source composed of a semiconductor element, a second harmonic generation means for generating a second harmonic of the laser light using the laser light from the laser light source, and a second harmonic generation means for the second harmonic generation means. Of the above-mentioned laser light by using a wave laser light
The fourth harmonic generating means for generating a higher harmonic and the intensity of the fourth harmonic laser light from the fourth harmonic generating means are calculated as described above.
A light intensity control signal generating means for outputting a control signal for controlling according to the dimension pattern, and a fourth harmonic laser light from the fourth harmonic generating means based on the control signal from the light intensity control signal generating means. Intensity control means for controlling the intensity of the laser beam, scanning means for scanning the laser beam whose intensity is controlled by the light intensity control means relative to the exposed medium, and laser light scanned by the scanning means. Means for converging light on the medium to be exposed, and alignment for forming a two-dimensional pattern by guiding the second harmonic laser light from the second harmonic generating means onto the medium to be exposed. The above-mentioned problem is solved by comprising position detecting means for detecting the position of the mark and movement control means for moving the exposed medium using the detection signal from the position detecting means.
【００１０】ここで、上記走査手段は回転多面鏡及びス
キャンレンズから成り、上記光強度制御手段からのレー
ザ光を等速直線走査させることを特徴とする。The scanning means is composed of a rotary polygon mirror and a scan lens, and is characterized in that the laser light from the light intensity control means is linearly scanned at a constant speed.
【００１１】また、上記被露光媒体は、半導体のフォト
マスク原盤又は半導体上のレジストであることを特徴と
する。The medium to be exposed is a semiconductor photomask master or a resist on the semiconductor.
【００１２】[0012]
【作用】本発明においては、半導体素子のレーザ光源か
ら出射されるレーザ光の第２高調波レーザ光を用いて第
４高調波レーザ光を発生し、この第４高調波レーザ光の
強度を描画する２次元パターンに応じて制御し、被露光
媒体に対して走査させることにより、被露光媒体に集光
されるレーザビームのスポット径をより小さくし、精密
な２次元パターンを形成することができる。In the present invention, the fourth harmonic laser light is generated by using the second harmonic laser light of the laser light emitted from the laser light source of the semiconductor element, and the intensity of the fourth harmonic laser light is drawn. The spot diameter of the laser beam focused on the exposure medium can be further reduced by controlling the scanning according to the two-dimensional pattern to be formed, and a precise two-dimensional pattern can be formed. .
【００１３】また、被露光媒体への２次元パターンの形
成の際には、上記第２高調波レーザ光を用いて位置合わ
せ用目印の位置を検出し、レーザビームが所定の位置に
集光されるように被露光媒体を移動制御することによ
り、単一のレーザ光源によって２次元パターンの形成及
び位置合わせを行うことができる。When the two-dimensional pattern is formed on the medium to be exposed, the position of the alignment mark is detected by using the second harmonic laser light, and the laser beam is focused on a predetermined position. By controlling the movement of the medium to be exposed in this manner, it is possible to form and align a two-dimensional pattern with a single laser light source.
【００１４】また、回転多面鏡及びスキャンレンズを用
いて第４高調波レーザ光を等速直線走査させることによ
り、２次元パターンの形成を高速に行うことができる。Further, the fourth harmonic laser beam is linearly scanned at a constant speed by using the rotary polygon mirror and the scan lens, whereby the two-dimensional pattern can be formed at high speed.
【００１５】また、上記被露光媒体は、半導体のフォト
マスク原盤又は半導体上のレジストであり、２次元パタ
ーンを直接に形成する。The exposed medium is a semiconductor photomask master or a resist on a semiconductor, and directly forms a two-dimensional pattern.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例について、図
面を参照しながら説明する。図１には、本発明に係るパ
ターン露光装置の概略的な構成を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a pattern exposure apparatus according to the present invention.
【００１７】図１のパターン露光装置は、被露光媒体と
してフォトマスク原盤１５を用い、レーザ光源であるレ
ーザ光を出射するＹＡＧレーザ光源１と、この出射され
たレーザ光を入射して第２高調波を発生する第２高調波
発生手段であるＹＡＧ２倍波発生ユニット２と、この第
２高調波発生によるレーザ光を入射して第４高調波を発
生する第４高調波発生手段であるＹＡＧ４倍波発生ユニ
ット４と、この第４高調波発生によるレーザ光を分割す
るレーザビーム分割光学系６と、この分割された複数の
レーザビームの強度を変調するための制御信号を出力す
る光強度制御信号発生手段である信号波形発生ユニット
８と、信号波形発生ユニット８からの制御信号を用いて
上記分割されたレーザビームの光強度を制御する光強度
制御手段である光変調ユニット７と、走査手段である、
ビームエキスパンダ１０を介したレーザビームを等速度
に偏向するポリゴンミラー１１及びこの等速度に偏向さ
れたレーザビームを集光するｆθレンズ１２と、この集
光されたレーザビームをフォトマスク原盤１５上に集光
する集光手段である対物レンズ１４とから構成される２
次元パターン露光系、及び上記ＹＡＧ２倍発生ユニット
２からの第２高調波を用いて上記フォトマスク原盤１５
上の照明を行うと共に位置合わせ用目印マークの位置を
計測する位置検出手段であるアライメント光学系２０
と、このアライメント光学系２０からの信号を用いてＸ
Ｙステージ１７の移動制御を行う移動手段であるＸＹス
テージ制御系ユニット１８とから構成されるものであ
り、ＹＡＧレーザ光源１からのレーザ光を用いてフォト
マスク原盤１５に描画されるパターンの位置制御を行う
と共に、ＸＹステージ１７上のフォトマスク原盤１５を
精密なレーザ光で露光して２次元パターンを描画するも
のである。The pattern exposure apparatus of FIG. 1 uses a photomask master 15 as a medium to be exposed, a YAG laser light source 1 which emits a laser beam which is a laser light source, and a second harmonic which receives the emitted laser beam. YAG quadrupling unit 2 which is a second harmonic generation unit that is a second harmonic generation unit that generates a wave, and YAG quadruple generation that is a fourth harmonic generation unit that generates a fourth harmonic by injecting laser light generated by the second harmonic generation. A wave generation unit 4, a laser beam splitting optical system 6 for splitting the laser light generated by the fourth harmonic generation, and a light intensity control signal for outputting a control signal for modulating the intensity of the plurality of split laser beams. A signal waveform generating unit 8 which is a generating means, and a light which is a light intensity controlling means for controlling the light intensity of the divided laser beam using a control signal from the signal waveform generating unit 8. A regulating unit 7, a scanning means,
A polygon mirror 11 for deflecting the laser beam passing through the beam expander 10 at a constant velocity, an fθ lens 12 for condensing the laser beam deflected at the constant velocity, and the condensed laser beam on the photomask master 15. 2 composed of an objective lens 14 which is a condensing means for condensing
The photomask master 15 using the two-dimensional pattern exposure system and the second harmonic from the YAG double generation unit 2
An alignment optical system 20 which is position detecting means for illuminating the upper part and measuring the position of the alignment mark.
And using the signal from this alignment optical system 20
The Y stage 17 is composed of an XY stage control system unit 18, which is a moving unit for controlling the movement of the Y stage 17, and controls the position of a pattern drawn on the photomask master 15 using the laser light from the YAG laser light source 1. In addition, the photomask master 15 on the XY stage 17 is exposed with a precise laser beam to draw a two-dimensional pattern.
【００１８】ＹＡＧレーザ光源１は、例えばレーザ媒質
（レーザロッド）としてＮｄ：ＹＡＧを備え、半導体レ
ーザ素子による波長８０８ｎｍの励起用レーザ光が端面
励起されることにより、波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡ
Ｇレーザ連続発振光が発生されて出射される。このレー
ザ光は、非線形光学結晶例えばＫＴＰ（ＫＴｉＯＰ
Ｏ4 ）を利用したＹＡＧ２倍波発生ユニット２に入射さ
れる。The YAG laser light source 1 includes, for example, Nd: YAG as a laser medium (laser rod), and the semiconductor laser device end-pumps the laser light for excitation having a wavelength of 808 nm to generate Nd: YA having a wavelength of 1064 nm.
G laser continuous wave light is generated and emitted. This laser light is transmitted through a nonlinear optical crystal such as KTP (KTiOP).
It is incident on the YAG second harmonic generation unit 2 using O 4 ).
【００１９】このＹＡＧ２倍波発生ユニット２では、入
射されたレーザ光の２倍の周波数である波長５３２ｎｍ
の第２高調波レーザ光いわゆるグリーンレーザ光が発生
される。この第２高調波レーザ光の大部分はＹＡＧ４倍
波発生ユニット４に入射されるが、その一部はハーフミ
ラー３によって分岐され、アライメント光学系２０に入
射される。In this YAG second harmonic generation unit 2, a wavelength of 532 nm which is twice the frequency of the incident laser light is used.
The second harmonic laser light of the so-called green laser light is generated. Most of the second harmonic laser light is incident on the YAG fourth harmonic generation unit 4, but a part of the second harmonic laser light is branched by the half mirror 3 and incident on the alignment optical system 20.
【００２０】上記ＹＡＧ４倍波発生ユニット４は、波長
変換素子として非線形光学結晶例えばＢＢＯ（β−Ｂａ
ＢＯ3 ）が共振器内に置かれた構成となっており、入射
された第２高調波レーザ光を用いて遠紫外線波長域の波
長２６６ｎｍである第４高調波レーザ光いわゆる遠紫外
線レーザ光が発生される。The YAG fourth harmonic generation unit 4 is a nonlinear optical crystal such as BBO (β-Ba) as a wavelength conversion element.
BO 3 ) is placed in the resonator, and the second harmonic laser light that is incident is used to generate a fourth harmonic laser light having a wavelength of 266 nm in the far ultraviolet wavelength range, that is, a far ultraviolet laser light. Is generated.
【００２１】このように、上記ＹＡＧレーザ光源１、Ｙ
ＡＧ２倍波発生ユニット２、及びＹＡＧ４倍波発生ユニ
ット４によって紫外（ＵＶ）レーザ光源が構成されてい
る。この紫外レーザ光源の具体的な構成は図２に示すも
のである。As described above, the YAG laser light source 1, Y
An ultraviolet (UV) laser light source is configured by the AG second harmonic generation unit 2 and the YAG fourth harmonic generation unit 4. The specific configuration of this ultraviolet laser light source is shown in FIG.
【００２２】この図２においては、励起用光源素子とし
て図示しないレーザダイオード等の半導体レーザ素子か
らの波長８０８ｎｍの励起用レーザ光が、１／４波長板
（ＱＷＰ）３１の入射面から例えばＮｄ：ＹＡＧを用い
たレーザ媒質３２に入射される。In FIG. 2, a pumping laser beam having a wavelength of 808 nm from a semiconductor laser device such as a laser diode (not shown) as a pumping light source device is incident from the incident surface of the quarter-wave plate (QWP) 31 to, for example, Nd: It is incident on the laser medium 32 using YAG.
【００２３】ここで、上記１／４波長板３１の入射面に
は、上記励起用レーザ光を透過し、レーザ媒質３２で発
生する波長１０６４ｎｍの基本波レーザ光を反射するよ
うな波長選択性を持った反射面いわゆるダイクロイック
ミラーが形成されている。Here, the incident surface of the quarter-wave plate 31 has wavelength selectivity such that the excitation laser light is transmitted and the fundamental wave laser light having a wavelength of 1064 nm generated in the laser medium 32 is reflected. A so-called dichroic mirror having a reflecting surface is formed.
【００２４】上記レーザ媒質３２で発生した波長１０６
４ｎｍの基本波レーザ光は、フィルタ３３によってその
出力が調節されて折り返しミラー３５で反射された後、
アウトプットカプラ３６を介して例えばＫＴＰより成る
非線形光学結晶素子３７に入射されることにより、第２
高調波発生（ＳＨＧ）が行われる。この第２高調波発生
による波長５３２ｎｍの第２高調波レーザ光は、ミラー
４０で反射された後、ミラー３８で反射される。尚、こ
の第２高調波レーザ光の一部は、図１に示すように分岐
されてアライメント光学系２０に入射されるものであ
る。The wavelength 106 generated by the laser medium 32
The output of the 4 nm fundamental-wave laser light is adjusted by the filter 33 and is reflected by the folding mirror 35.
By being incident on the nonlinear optical crystal element 37 made of, for example, KTP via the output coupler 36,
Harmonic generation (SHG) is performed. The second harmonic laser light having a wavelength of 532 nm generated by the second harmonic generation is reflected by the mirror 40 and then by the mirror 38. Incidentally, a part of the second harmonic laser light is branched as shown in FIG. 1 and is incident on the alignment optical system 20.
【００２５】上記ミラー３８で反射されたレーザ光は、
レンズ３９を介して光アイソレータ４１に入射される。The laser light reflected by the mirror 38 is
It is incident on the optical isolator 41 via the lens 39.
【００２６】この光アイソレータ４１は、入射された第
２高調波レーザ光の半導体レーザ素子への戻り光を回避
するものである。この光アイソレータ４１を通過した第
２高調波レーザ光は、電気光学位相変調器（ＥＯＭ）４
２に入射されて位相変調が施される。即ち、出力される
遠紫外線レーザ光の強度変調が行われる。この強度変調
された第２高調波レーザ光は外部共振器５０に入射され
る。The optical isolator 41 is for avoiding the returning of the incident second harmonic laser light to the semiconductor laser element. The second harmonic laser light that has passed through the optical isolator 41 is electro-optical phase modulator (EOM) 4
The light is incident on the laser beam 2 and is subjected to phase modulation. That is, the intensity modulation of the output far-ultraviolet laser light is performed. The intensity-modulated second harmonic laser light is incident on the external resonator 50.
【００２７】上記外部共振器５０は、反射手段として、
凹面ミラー５１、アウトプットカプラ５２、及び反射ミ
ラー５４、５５を備えることにより構成される。また、
この外部共振器５０の光路内には、例えばＢＢＯ等の非
線形光学結晶より成る波長変換素子５３が配置される。
これにより、この外部共振器５０では第４高調波発生が
行われて、波長２６６ｎｍの遠紫外線レーザ光が発生さ
れる。The external resonator 50 serves as a reflecting means.
It is configured by including a concave mirror 51, an output coupler 52, and reflection mirrors 54 and 55. Also,
In the optical path of the external resonator 50, a wavelength conversion element 53 made of a nonlinear optical crystal such as BBO is arranged.
As a result, fourth harmonic generation is performed in the external resonator 50, and far-ultraviolet laser light having a wavelength of 266 nm is generated.
【００２８】また、この外部共振器５０では、上位凹面
ミラー５１の位置決めを行うためにボイスコイルモータ
（ＶＣＭ）を用いており、このＶＣＭによって凹面ミラ
ー５１の位置を移動制御することにより、外部共振器５
０内の光路長を微小変化させることができるようになさ
れている。Further, in this external resonator 50, a voice coil motor (VCM) is used for positioning the upper concave mirror 51, and the VCM controls the movement of the position of the concave mirror 51 so that the external resonance occurs. Bowl 5
The optical path length within 0 can be minutely changed.
【００２９】具体的には、凹面ミラー５１に入射された
第２高調波レーザ光は光検出器４４に送られて検出され
る。この光検出器４４からの検出信号はロッキング回路
４５に送られ、このロッキング回路４５によってＶＣＭ
が駆動制御されることにより凹面ミラー５１の位置が制
御される。Specifically, the second harmonic laser light incident on the concave mirror 51 is sent to the photodetector 44 and detected. The detection signal from the photodetector 44 is sent to the locking circuit 45, and the locking circuit 45 causes the VCM to operate.
Is controlled to control the position of the concave mirror 51.
【００３０】これにより、外部共振器５０の共振周波数
が制御されて、第２高調波レーザ光を効率良く外部共振
器５０内に引き込み、遠紫外線レーザ光を安定して発生
させることができる。また、ロッキング回路４５では、
電気光学位相変調器４２の位相変調の制御も行う。As a result, the resonance frequency of the external resonator 50 is controlled, the second harmonic laser light can be efficiently drawn into the external resonator 50, and the far-ultraviolet laser light can be stably generated. Further, in the locking circuit 45,
It also controls the phase modulation of the electro-optic phase modulator 42.
【００３１】上述のような紫外レーザ光源から出射され
る遠紫外線レーザ光は、図１のアテネータ５を介すこと
によってその出力が調整されて、レーザビーム分割光学
系ユニット６に入射される。The output of the far-ultraviolet laser light emitted from the ultraviolet laser light source as described above is adjusted by passing through the attenuator 5 of FIG. 1 and is incident on the laser beam splitting optical system unit 6.
【００３２】このレーザビーム分割光学系ユニット６で
は、入射された遠紫外線レーザ光を複数の等しいパワー
のマルチビームに分割する。よって、このレーザビーム
分割光学系ユニット６は、例えばいくつかのハーフミラ
ーを組み合わせた構造とすることが考えられる。この実
施例においては、上記アテネータ５を介したレーザビー
ムを４本のビームに分割している。The laser beam splitting optical system unit 6 splits the incident far ultraviolet laser light into a plurality of multi-beams having the same power. Therefore, the laser beam splitting optical system unit 6 may have a structure in which several half mirrors are combined, for example. In this embodiment, the laser beam passed through the attenuator 5 is divided into four beams.
【００３３】上記レーザビーム分割光学系６から出射さ
れたマルチビームは、光変調ユニット７に入力されて、
それぞれ独立に高速変調される。上記光変調ユニット７
には例えばＡＯＭ（音響光学変調素子）が用いられてお
り、信号波形発生ユニット８から与えられた電気パルス
信号によって振幅変調された１次回折光を取り出すもの
である。即ち、この信号波形発生ユニット８によって、
露光により描画する２次元パターンに応じた信号のＯＮ
／ＯＦＦ制御が行われる。The multi-beams emitted from the laser beam splitting optical system 6 are input to the light modulation unit 7,
Each is independently modulated at high speed. The light modulation unit 7
For example, an AOM (acousto-optic modulator) is used for extracting the first-order diffracted light whose amplitude is modulated by the electric pulse signal given from the signal waveform generating unit 8. That is, by this signal waveform generation unit 8,
Signal ON according to the two-dimensional pattern drawn by exposure
/ OFF control is performed.
【００３４】上記高速変調されたマルチレーザビーム
は、折り返しミラー９を介してビームエキスパンダ１０
に入力される。このビームエキスパンダ１０では、入力
されたマルチレーザビームをコリメートして、口径が数
ｍｍのビームに変換する。この変換されたマルチレーザ
ビームは、等速で高速回転を行っている回転多面鏡いわ
ゆるポリゴンミラー１１のファセットに入射されて、等
速度に偏向される。The high-speed modulated multi-laser beam is passed through a folding mirror 9 and a beam expander 10 is provided.
Is input to In this beam expander 10, the input multi-laser beam is collimated and converted into a beam having a diameter of several mm. The converted multi-laser beam is incident on the facet of the rotating polygon mirror, which is a polygon mirror 11, rotating at a constant speed and at a high speed, and is deflected at a constant speed.
【００３５】さらに、上記等速度に偏向されたマルチレ
ーザビームは、スキャン（走査）レンズであるｆθレン
ズ１２によって直線走査するように補正される。この等
速直線走査する、集光されたマルチレーザビームの焦点
面は、上記ｆθレンズ１２と対物レンズ１４との間に形
成され、また、そのスポット径は数μｍである。これら
の集光レーザビームは、ダイクロイックミラー１３を通
過し、高いＮ．Ａ値を持つ対物レンズ１４によって、レ
ジストが塗布されたフォトマスク原盤１５上に１／２０
の倍率で結像され、回折限界のスポット径となるまで集
光される。このようなレーザビームが、対物レンズ１４
の視野内で等速度で直線走査される。Further, the multi-laser beam deflected at the constant velocity is corrected by the fθ lens 12 which is a scanning lens so as to be linearly scanned. The focal plane of the focused multi-laser beam, which is subjected to the constant-velocity linear scanning, is formed between the fθ lens 12 and the objective lens 14, and its spot diameter is several μm. These focused laser beams pass through the dichroic mirror 13 and have a high N.V. 1/20 on the photomask master 15 coated with the resist by the objective lens 14 having the A value.
The image is formed at a magnification of, and the light is condensed until the spot diameter reaches the diffraction limit. Such a laser beam is generated by the objective lens 14
Is linearly scanned at a constant speed within the field of view.
【００３６】ここで、上記フォトマスク原盤１５は、ガ
ラス基板上にスパッタ法によってＣｒ膜が成膜され、さ
らに、その上に膜厚０．５μｍ程度の遠紫外線レーザ光
に感光する化学増幅タイプのフォトレジストが均一に塗
布されたものである。Here, the photomask master 15 is of a chemical amplification type in which a Cr film is formed on a glass substrate by a sputtering method, and further, a 0.5 μm-thick far-ultraviolet laser beam is exposed to the Cr film. The photoresist is uniformly applied.
【００３７】このフォトマスク原盤１５は、原盤チャッ
キングユニット１６上に真空吸着されている。また、こ
の原盤チャッキングユニット１６は、精密に移動制御さ
れるＸＹステージ１７に積載されている。The photomask master 15 is vacuum-adsorbed on the master chucking unit 16. The master chucking unit 16 is loaded on an XY stage 17 whose movement is precisely controlled.
【００３８】このＸＹステージ１７は、ＸＹステージ制
御系ユニット１８によって駆動制御され、上記集光レー
ザビームはフォトレジスト原盤１５上の所望の位置に照
射される。The XY stage 17 is driven and controlled by an XY stage control system unit 18, and the condensed laser beam is applied to a desired position on the photoresist master 15.
【００３９】具体的には、マルチレーザビームの走査方
向とほぼ垂直な方向にＸＹステージ１７を駆動し、ラス
タースキャン方式でマルチレーザビームを同時にスキャ
ンして塗り潰し描画を行うことにより、任意の２次元パ
ターンを描画する。Specifically, the XY stage 17 is driven in a direction substantially perpendicular to the scanning direction of the multi-laser beam, and the multi-laser beam is simultaneously scanned by the raster scan method to perform painting and drawing, so that an arbitrary two-dimensional shape is obtained. Draw a pattern.
【００４０】次に、アライメント光学系２０について説
明する。Next, the alignment optical system 20 will be described.
【００４１】上記ＹＡＧ２倍波発生ユニット２で発生
し、ハーフミラー３により分岐されたＹＡＧ２倍波レー
ザ光、即ち第２高調波レーザ光は、ミラー２２で反射さ
れて回転拡散板２３に入射される。The YAG second-harmonic laser light generated by the YAG second-harmonic generating unit 2 and branched by the half mirror 3, that is, the second harmonic laser light, is reflected by the mirror 22 and is incident on the rotary diffusion plate 23. .
【００４２】この回転拡散板２３では、入射された第２
高調波レーザ光のコヒーレンス度を低下させ、干渉ノイ
ズを抑えている。この回転拡散板２３から出射されたレ
ーザ光は、ミラー２４で反射されて照明均一化ユニット
２５に入射される。この照明均一化ユニット２５では、
フォトレジスト原盤１５上を照射するレーザ光のスポッ
ト径領域である数十μｍの領域を均一な照明分布で照明
するように、入射されたレーザ光の調整を行う。In this rotary diffusion plate 23, the second
The coherence of the harmonic laser light is reduced, and the interference noise is suppressed. The laser light emitted from the rotary diffusion plate 23 is reflected by the mirror 24 and enters the illumination uniformizing unit 25. In this illumination uniformization unit 25,
The incident laser light is adjusted so that a region of several tens of μm, which is a spot diameter region of the laser light radiated on the photoresist master 15, is illuminated with a uniform illumination distribution.
【００４３】この照明均一化ユニット２５を通過したレ
ーザ光は、ハーフミラー２１を介し、ダイクロイックミ
ラー１３によって反射される。即ち、このダイクロイッ
クミラー１３は、波長２６６ｎｍの第４高調波レーザ光
を透過し、波長５３２ｎｍの第２高調波レーザ光を反射
するようなコーティングが施されているものである。The laser light passing through the illumination uniformizing unit 25 is reflected by the dichroic mirror 13 via the half mirror 21. That is, the dichroic mirror 13 is provided with a coating that transmits the fourth harmonic laser beam having a wavelength of 266 nm and reflects the second harmonic laser beam having a wavelength of 532 nm.
【００４４】上記ダイクロイックミラー１３によって反
射されたレーザ光は、対物レンズ１４を通過してフォト
レジスト原盤１５上を照明する。The laser light reflected by the dichroic mirror 13 passes through the objective lens 14 and illuminates the photoresist master 15.
【００４５】このようにして、フォトレジスト原盤１５
上のアライメント・マーク及びその周辺部が第２高調波
レーザ光で照明される。In this way, the photoresist master 15
The upper alignment mark and its periphery are illuminated with the second harmonic laser light.
【００４６】上記照明されたアライメント・マーク及び
その周辺部のイメージは、反射光として対物レンズ１４
を通過して、ダイクロイックミラー１３及びハーフミラ
ー２１で反射され、リレーレンズ２６によりＣＣＤ撮像
ユニット２７内の電荷結像素子いわゆるＣＣＤから成る
撮像素子上に結像される。このＣＣＤ撮像ユニット２７
では、結像されたイメージを電気信号として得る。この
電気信号は画像処理ユニット２８に送られて、アライメ
ント・マークの位置が計測される。そして、この計測値
に基づいたＸＹステージ１７の駆動制御信号がＸＹステ
ージ制御系ユニット１８に送られる。The image of the illuminated alignment mark and its periphery is reflected by the objective lens 14 as reflected light.
After passing through, the light is reflected by the dichroic mirror 13 and the half mirror 21, and is imaged by the relay lens 26 on an image pickup device composed of a so-called CCD in a CCD image pickup unit 27. This CCD image pickup unit 27
Then, the formed image is obtained as an electric signal. This electric signal is sent to the image processing unit 28 to measure the position of the alignment mark. Then, a drive control signal for the XY stage 17 based on the measured values is sent to the XY stage control system unit 18.
【００４７】このＸＹステージ制御系ユニット１８で
は、上記送られる駆動制御信号を用いて、第４高調波レ
ーザ光の集光レーザビームがフォトマスク原盤１５上の
所定の露光位置に結像されるようにＸＹステージ１７を
駆動する。In the XY stage control system unit 18, the drive laser control signal sent above is used so that the focused laser beam of the fourth harmonic laser light is imaged at a predetermined exposure position on the photomask master 15. Then, the XY stage 17 is driven.
【００４８】パターンの描画をする際には、このＸＹス
テージの駆動が行われた後に２次元パターンの露光、即
ち描画が行われる。When the pattern is drawn, the two-dimensional pattern is exposed, that is, drawn after the XY stage is driven.
【００４９】上述したように、アライメント光学系２０
において、第２高調波レーザ光を用いてアライメント・
マークの位置検出を行うことにより、具体的には、例え
ば、位相シフトマスク製作において、既にガラス原盤上
に形成されたＣｒパターンに対して位相シフタ膜のパタ
ーンを高精度に重ね合わせることができる。As described above, the alignment optical system 20
Alignment using the second harmonic laser light at
By detecting the position of the mark, specifically, for example, in the production of the phase shift mask, the pattern of the phase shifter film can be accurately superimposed on the Cr pattern already formed on the glass master.
【００５０】次に、上述した実施例の２次元パターン露
光装置において、フォトレジストとして遠紫外線感光用
の化学増幅タイプのレジストを適用した場合に第４高調
波レーザ光を発生する紫外レーザ光源の２次元パターン
の露光に必要な出力等の算出値を、従来の２次元パター
ンの露光に用いられているＡｒレーザ光源に必要な出力
等の値と比較して表１に示す。Next, in the two-dimensional pattern exposure apparatus of the above-mentioned embodiment, when a chemical amplification type resist for deep UV exposure is applied as a photoresist, an ultraviolet laser light source 2 for generating a fourth harmonic laser beam is used. Table 1 shows the calculated values such as the output required for the exposure of the two-dimensional pattern and the values required for the Ar laser light source used for the exposure of the conventional two-dimensional pattern.
【００５１】[0051]
【表１】 [Table 1]
【００５２】この表１のｃに示す光学系の効率は、図１
のレーザビーム分割光学系ユニット６において、第４高
調波レーザ光を表１のｄに示すように３２本のマルチレ
ーザビームに分割する場合の、レーザビーム分割光学系
ユニット６及び光変調ユニット７等による損失を考慮し
た値である。The efficiency of the optical system shown in c of Table 1 is shown in FIG.
In the laser beam splitting optical system unit 6, the laser beam splitting optical system unit 6 and the optical modulation unit 7 etc. when the fourth harmonic laser light is split into 32 multi-laser beams as shown in d of Table 1. It is a value considering the loss due to.
【００５３】また、露光を行うためのレーザビームのス
ポットサイズは、Ｎ．Ａの値が０．６０の対物レンズを
用いた場合の値を示す。The spot size of the laser beam for exposure is N. The value when the objective lens whose A value is 0.60 is used is shown.
【００５４】また、ビームエネルギ密度、即ちレジスト
感度は、表１のｋに示すように、化学増幅タイプ、ｉ線
レジストで、それぞれ紫外レーザ光源では１０ｍＪ／ｃ
ｍ2、Ａｒレーザ光源では１００ｍＪ／ｃｍ2 の値と
し、これに対応する表１のｉに示すビームパワー密度か
ら表１のｅに示す１本当たりのビームパワーを求めて、
最終的に、表１のｂに示すように、要求されるレーザ光
源出力を算出している。このように、Ａｒレーザ光源で
は１．２Ｗ程度の高出力が必要であるのに対して、この
実施例の２次元パターン露光装置では１．２Ｗの約１／
１３である８９ｍＷの出力で十分である。The beam energy density, that is, the resist sensitivity is, as shown in k of Table 1, a chemically amplified type and an i-line resist, each of which has an ultraviolet laser light source of 10 mJ / c.
m 2 for an Ar laser light source, a value of 100 mJ / cm 2 was set, and the beam power per beam shown in e of Table 1 was calculated from the corresponding beam power density shown in i of Table 1,
Finally, the required laser light source output is calculated as shown in b of Table 1. As described above, the Ar laser light source requires a high output of about 1.2 W, whereas the two-dimensional pattern exposure apparatus of this embodiment has a power output of about 1 / 1.2 W.
An output of 89 mW, which is 13, is sufficient.
【００５５】尚、上述したレーザ媒質としては、Ｎｄ：
ＹＡＧに限定されるものではなく、Ｎｄ：ＹＶＯ4 、Ｎ
ｄ：ＢＥＬ、ＬＮＰ等がある。また、非線形光学結晶素
子には、ＫＴＰやＢＢＯの他に、ＬＮ、ＱＰＭ ＬＮ、
ＬＢＯ、ＫＮ等がある。As the above laser medium, Nd:
Not limited to YAG, Nd: YVO 4 , N
d: BEL, LNP and the like. In addition to KTP and BBO, LN, QPM LN,
There are LBO, KN, etc.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係るパターン露光装置は、２次元パターンを形成す
べき被露光媒体と、半導体素子から成るレーザ光源と、
上記レーザ光源からのレーザ光を用いて、このレーザ光
の第２高調波を発生する第２高調波発生手段と、上記第
２高調波発生手段からの第２高調波レーザ光を用いて、
上記レーザ光の第４高調波を発生する第４高調波発生手
段と、上記第４高調波発生手段からの第４高調波レーザ
光の強度を、上記２次元パターンに応じて制御する制御
信号を出力する光強度制御信号発生手段と、上記光強度
制御信号発生手段からの制御信号に基づいて、上記第４
高調波発生手段からの第４高調波レーザ光の強度を制御
する光強度制御手段と、上記光強度制御手段により強度
が制御されたレーザ光を上記被露光媒体に対して相対的
に走査させる走査手段と、上記走査手段により走査され
たレーザ光を上記被露光媒体上に集光する集光手段と、
上記第２高調波発生手段からの第２高調波レーザ光を上
記被露光媒体上に導いて、２次元パターンを形成する際
の位置合わせ用目印の位置を検出する位置検出手段と、
上記位置検出手段からの検出信号を用いて上記被露光媒
体を移動させる移動制御手段とから成ることにより、被
露光媒体に集光するレーザビームとして短波長の遠紫外
線レーザ光を用いており、従来のパターン露光装置に用
いられているＡｒレーザ光源と比較して、Ｎ．Ａ値が
０．６の対物レンズにおけるレーザビームのスポット径
をより小さな値である０．３６μｍまで絞ることができ
るので、より微細な設計ルールにおけるフォトマスク原
盤の２次元パターン精度の要求を満足することができ
る。また、ｉ線用レジストよりも約１０倍の感度をもつ
化学増幅タイプのレジストを適用することができる。さ
らに、レーザビームのスポット径の縮小に伴って、レー
ザビーム内の光照射密度が従来よりも約１．３倍向上す
ることにより、１０ｍ／ｓｅｃ．以上のレーザビームの
走査速度でフォトレジスト原盤を露光するために必要な
レーザ光源の出力は、Ａｒレーザ光源の約１／１３の１
００ｍＷ以下でもよく、極めて小型、かつ低消費電力の
第４高調波レーザ光を利用することができる。As is apparent from the above description, the pattern exposure apparatus according to the present invention comprises an exposed medium on which a two-dimensional pattern is to be formed, a laser light source including a semiconductor element,
Using the laser light from the laser light source, the second harmonic generating means for generating the second harmonic of the laser light, and the second harmonic laser light from the second harmonic generating means,
A fourth harmonic generating means for generating a fourth harmonic of the laser light, and a control signal for controlling the intensity of the fourth harmonic laser light from the fourth harmonic generating means according to the two-dimensional pattern. Based on the output light intensity control signal generating means and the control signal from the light intensity control signal generating means, the fourth
Light intensity control means for controlling the intensity of the fourth harmonic laser light from the harmonic generation means, and scanning for scanning the laser light whose intensity is controlled by the light intensity control means relative to the exposed medium. Means, and a condensing means for condensing the laser light scanned by the scanning means onto the exposed medium,
Position detecting means for guiding the second harmonic laser light from the second harmonic generating means onto the medium to be exposed to detect the position of the alignment mark when forming a two-dimensional pattern,
A far-ultraviolet laser beam having a short wavelength is used as a laser beam to be focused on the medium to be exposed by including a movement control unit that moves the medium to be exposed by using a detection signal from the position detecting unit. In comparison with the Ar laser light source used in the pattern exposure apparatus of N. Since the spot diameter of the laser beam in the objective lens having an A value of 0.6 can be narrowed down to a smaller value of 0.36 μm, the requirement of the two-dimensional pattern accuracy of the photomask master according to a finer design rule is satisfied. be able to. Further, a chemically amplified resist having a sensitivity about 10 times higher than that of the i-ray resist can be applied. Further, as the spot diameter of the laser beam is reduced, the light irradiation density in the laser beam is improved by about 1.3 times as compared with the conventional one, and thus 10 m / sec. The output of the laser light source required for exposing the photoresist master at the above laser beam scanning speed is about 1/13 of that of the Ar laser light source.
It may be 00 mW or less, and it is possible to use the fourth harmonic laser light having an extremely small size and low power consumption.
【００５７】あるいは、第４高調波レーザ光のレーザ光
源出力をＡｒレーザ光源の出力と同様の１Ｗとすれば、
ビーム走査速度は約１３０倍の約１３０ｍ／ｓｅｃ．と
いう超高速にすることも原理的には可能であり、生産性
の大幅な向上を期待することができる。Alternatively, if the laser light source output of the fourth harmonic laser light is set to 1 W, which is the same as the output of the Ar laser light source,
The beam scanning speed is about 130 times, about 130 m / sec. In principle, it is possible to achieve ultra-high speed, and it is possible to expect a significant improvement in productivity.
【００５８】さらに、パターンの重ね合わせの際に必要
となるアライメント・マークの位置検出用に第２高調波
レーザ光を分岐させて用いており、単一のレーザ光源に
よってパターンの露光及びアライメント・マークの位置
検出の２つの機能を兼ねることができるので、装置の小
型化を計ることができる。Further, the second harmonic laser light is branched and used for detecting the position of the alignment mark which is required when the patterns are superposed, and the exposure of the pattern and the alignment mark are performed by a single laser light source. Since the two functions of position detection can be combined, the size of the device can be reduced.
【００５９】また、上記走査手段は回転多面鏡及びスキ
ャンレンズから成り、上記光強度制御手段からのレーザ
光を等速直線走査させることにより、２次元パターンの
形成を高速に行うことができる。Further, the scanning means is composed of a rotary polygon mirror and a scan lens, and the laser beam from the light intensity control means is linearly scanned at a constant speed, whereby a two-dimensional pattern can be formed at high speed.
【００６０】上記被露光媒体は、半導体のフォトマスク
原盤又は半導体上のレジストであることにより、２次元
パターンを被露光媒体に直接に描写することができる。The exposure medium is a semiconductor photomask master or a resist on the semiconductor, so that a two-dimensional pattern can be directly drawn on the exposure medium.
【図１】本発明に係るパターン露光装置の概略的な構成
を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a pattern exposure apparatus according to the present invention.
【図２】紫外レーザ光源の概略的な構成を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of an ultraviolet laser light source.
１ ＹＡＧレーザ光源 ２ ＹＡＧ２倍波発生ユニット ３ ハーフミラー ４ ＹＡＧ４倍波発生ユニット ５ アテネータ ６ レーザビーム分割光学系ユニット ７ 光変調ユニット ８ 信号波形発生ユニット ９ 折り返しミラー １０ ビームエキスパンダ １１ ポリゴンミラー １２ ｆθレンズ １３ ダイクロイックミラー １４ 対物レンズ １５ フォトマスク原盤 １６ 原盤チャッキングユニット １７ ＸＹステージ １８ ＸＹステージ制御系ユニット ２３ 回転拡散板 ２５ 照明均一化ユニット ２６ リレーレンズ ２７ ＣＣＤ撮像ユニット ２８ 画像処理ユニット 1 YAG laser light source 2 YAG 2nd harmonic generation unit 3 Half mirror 4 YAG 4th harmonic generation unit 5 Attenuator 6 Laser beam splitting optical system unit 7 Light modulation unit 8 Signal waveform generation unit 9 Folding mirror 10 Beam expander 11 Polygon mirror 12 fθ lens 13 Dichroic mirror 14 Objective lens 15 Photomask master 16 Master chucking unit 17 XY stage 18 XY stage control system unit 23 Rotating diffusion plate 25 Illumination uniforming unit 26 Relay lens 27 CCD imaging unit 28 Image processing unit
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｈ０１Ｓ 3/091 3/101 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２５ Ｌ Ｈ０１Ｓ 3/091 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical display location G03F 9/00 H01S 3/091 3/101 H01L 21/30 525 L H01S 3/091
Claims (3)
と、 半導体素子から成るレーザ光源と、 上記レーザ光源からのレーザ光を用いて、このレーザ光
の第２高調波を発生する第２高調波発生手段と、 上記第２高調波発生手段からの第２高調波レーザ光を用
いて、上記レーザ光の第４高調波を発生する第４高調波
発生手段と、 上記第４高調波発生手段からの第４高調波レーザ光の強
度を、上記２次元パターンに応じて制御する制御信号を
出力する光強度制御信号発生手段と、 上記光強度制御信号発生手段からの制御信号に基づい
て、上記第４高調波発生手段からの第４高調波レーザ光
の強度を制御する光強度制御手段と、 上記光強度制御手段により強度が制御されたレーザ光を
上記被露光媒体に対して相対的に走査させる走査手段
と、 上記走査手段により走査されたレーザ光を上記被露光媒
体上に集光する集光手段と、 上記第２高調波発生手段からの第２高調波レーザ光を上
記被露光媒体上に導いて、２次元パターンを形成する際
の位置合わせ用目印の位置を検出する位置検出手段と、 上記位置検出手段からの検出信号を用いて上記被露光媒
体を移動させる移動制御手段とから成ることを特徴とす
るパターン露光装置。1. A medium to be exposed to form a two-dimensional pattern, a laser light source including a semiconductor element, and a second harmonic that generates a second harmonic of the laser light by using the laser light from the laser light source. Wave generating means, fourth harmonic generating means for generating a fourth harmonic of the laser light by using the second harmonic laser light from the second harmonic generating means, and the fourth harmonic generating means Based on the control signal from the light intensity control signal generating means for outputting a control signal for controlling the intensity of the fourth harmonic laser light from the light intensity control signal generating means according to the two-dimensional pattern. A light intensity control unit that controls the intensity of the fourth harmonic laser beam from the fourth harmonic generation unit, and a laser beam whose intensity is controlled by the light intensity control unit is scanned relative to the exposed medium. Scanning means to Converging means for converging the laser light scanned by the scanning means on the exposed medium, and second harmonic laser light from the second harmonic generating means are guided onto the exposed medium to form a two-dimensional image. A pattern characterized by comprising position detection means for detecting the position of the alignment mark when forming the pattern, and movement control means for moving the exposed medium using the detection signal from the position detection means. Exposure equipment.
レンズから成り、上記光強度制御手段からのレーザ光を
等速直線走査させることを特徴とする請求項１記載のパ
ターン露光装置。2. The pattern exposure apparatus according to claim 1, wherein said scanning means comprises a rotary polygon mirror and a scan lens, and linearly scans the laser light from said light intensity control means.
ク原盤又は半導体上のレジストであることを特徴とする
請求項１記載のパターン露光装置。3. The pattern exposure apparatus according to claim 1, wherein the medium to be exposed is a semiconductor photomask master or a resist on a semiconductor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7014792A JPH08213299A (en) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | Pattern exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7014792A JPH08213299A (en) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | Pattern exposure device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213299A true JPH08213299A (en) | 1996-08-20 |
Family
ID=11870914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7014792A Withdrawn JPH08213299A (en) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | Pattern exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213299A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059859A (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Device and method for irradiating laser and method for manufacturing semiconductor device |
| KR100467307B1 (en) * | 2001-12-13 | 2005-01-24 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | Laser drawing apparatus and laser drawing method |
| JP2015210517A (en) * | 2014-09-09 | 2015-11-24 | 株式会社ニコン | Pattern drawing apparatus, pattern drawing method, and device manufacturing method |
| JP2018136553A (en) * | 2018-03-23 | 2018-08-30 | 株式会社ニコン | Pattern drawing device |
| JP2022517785A (en) * | 2019-01-14 | 2022-03-10 | ビュージックス コーポレーション | Digital writing of large grating patterns |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP7014792A patent/JPH08213299A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020402 |