JPH08203865A - Plasma treating device - Google Patents
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- JPH08203865A JPH08203865A JP7007906A JP790695A JPH08203865A JP H08203865 A JPH08203865 A JP H08203865A JP 7007906 A JP7007906 A JP 7007906A JP 790695 A JP790695 A JP 790695A JP H08203865 A JPH08203865 A JP H08203865A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に係
り、特に、半導体素子基板等をエッチング処理するのに
好適なプラズマ処理装置に関わる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly to a plasma processing apparatus suitable for etching a semiconductor element substrate or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置は、例えば特公
平4−69414 号公報，特開平4−133322号公報，日立評論
７１巻５号，３３〜３８頁（１９８９）に記載された電
子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用したマイクロ波
導入方式のプラズマ処理装置、及び特開昭55−38043 号
に記載された高周波印加方式の平行平板型プラズマ処理
装置がある。マイクロ波導入方式のプラズマ処理装置に
は、更に高周波を基板電極に印加することにより、電極
に負の自己バイアス（プラズマに対して）を発生させる
タイプもある。平行平板型プラズマ処理装置方式におい
ては、一つの印加された高周波がプラズマ生成及び自己
バイアス誘起の二つの機能を果たしている。この基板電
極の自己バイアスを制御することにより、シースでのイ
オン加速を変化させ、プロセスの最適化を図ることがで
きる。2. Description of the Related Art A conventional plasma processing apparatus is disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 4-69414, Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-133322, Hitachi Review Paper No. 71, No. 5, pages 33 to 38 (1989). There is a microwave introduction type plasma processing apparatus utilizing (ECR), and a high frequency application type parallel plate type plasma processing apparatus described in JP-A-55-38043. There is also a microwave processing type plasma processing apparatus in which a high frequency is further applied to the substrate electrode to generate a negative self-bias (with respect to plasma) in the electrode. In the parallel plate type plasma processing apparatus method, one applied high frequency wave fulfills two functions of plasma generation and self-bias induction. By controlling the self-bias of the substrate electrode, the ion acceleration in the sheath can be changed to optimize the process.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】プラズマ中のイオンは
電子に比べ動きにくく、通常、プラズマ処理装置壁面は
プラズマに対して負の電位をもつ。この結果、イオンが
プラズマとプラズマ処理装置壁面との間のシースを横切
り壁面に衝突するので、その壁面は損傷を受ける。ま
た、基板電極に発生させた負の自己バイアスは、イオン
による電極およびその近傍に位置する壁面の損傷を一層
増加させる。イオン衝突により壁面がこのようにスパッ
タされると、電極表面状態の変化及び壁材物質の浮遊な
どが起こる。電極表面の損傷は、プラズマ状態を変化さ
せ、また壁材物質の浮遊は処理装置内のプラズマ化学反
応に影響を及ぼす可能性がある。Ions in plasma are more difficult to move than electrons, and the wall surface of the plasma processing apparatus usually has a negative potential with respect to the plasma. As a result, the ions traverse the sheath between the plasma and the wall surface of the plasma processing apparatus and collide with the wall surface, so that the wall surface is damaged. Further, the negative self-bias generated in the substrate electrode further increases the damage of the electrode and the wall surface located in the vicinity thereof due to the ions. When the wall surface is thus sputtered by ion collision, the state of the electrode surface changes and the wall material floats. Damage to the electrode surface can change the plasma state and the suspension of wall material can affect plasma chemistry within the processing equipment.
【０００４】プラズマ処理装置が主に使われている半導
体デバイスの製造においては、最近、デバイスの微小化
とともにプロセスの条件が一段と厳しくなる傾向があ
る。このため、イオン衝撃によるプラズマ処理装置内の
壁面の損傷、それに起因するプロセス条件の変化は、プ
ラズマ処理装置の経時変化を顕在化させ、半導体デバイ
スの製造における歩留まりを低下させる。このようなプ
ラズマ処理装置の経時変化に対しては、壁材の選択，電
極形状の改善、及び壁面に対する保護膜の被覆などが対
策として考えられる。しかし、壁面損傷に対する検出機
構はこれまで考えられていない。In the manufacture of semiconductor devices in which plasma processing apparatuses are mainly used, the process conditions tend to become more severe with the miniaturization of devices these days. Therefore, the damage of the wall surface in the plasma processing apparatus due to the ion bombardment and the change in the process condition caused by the damage make the change over time of the plasma processing apparatus manifest and reduce the yield in the manufacturing of semiconductor devices. Regarding such changes with time of the plasma processing apparatus, selection of wall material, improvement of electrode shape, and coating of a protective film on the wall surface can be considered as countermeasures. However, a detection mechanism for wall damage has not been considered so far.
【０００５】本発明の目的は、経時変化を予防でき、被
処理材に対して安定した処理を行うことができるプラズ
マ処理装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of preventing a change with time and performing stable processing on a material to be processed.
【０００６】本発明の他の目的は、経時変化を予防でき
ると共に保護膜の損傷度合を知ることができるプラズマ
処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of preventing a change with time and knowing the degree of damage of a protective film.
【０００７】本発明の他の目的は、トレーサー物質の設
置を簡便に行うことができるプラズマ処理装置を提供す
ることにある。Another object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus which can easily install a tracer substance.
【０００８】本発明の他の目的は、イオンの衝突による
損傷をより正確に計測できるプラズマ処理装置を提供す
ることにある。Another object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of more accurately measuring damage due to collision of ions.
【０００９】本発明の他の目的は、トレーサー物質によ
る被処理材の処理への影響の度合を少なくできるプラズ
マ処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of reducing the degree of influence of the tracer substance on the processing of the material to be processed.
【００１０】本発明の他の目的は、イオンによる損傷部
を特定できるプラズマ処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of identifying a damaged portion due to ions.
【００１１】本発明の他の目的は、損傷の時間的な進行
度合を知ることができるプラズマ処理装置を提供するこ
とにある。Another object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of knowing the degree of damage over time.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する請求
項１の発明の特徴は、被処理材保持部材，電極、及び反
応室側壁の少なくとも１つの表面部分に設けられたトレ
ーサー物質と，このトレーサー物質を計測する手段とを
備えたことにある。To achieve the above object, the features of the invention according to claim 1 are: a member for holding a material to be treated, an electrode, and a tracer substance provided on at least one surface portion of a side wall of a reaction chamber; And a means for measuring the tracer substance.
【００１３】上記他の目的を達成する請求項２の発明の
特徴は、被処理材保持部材，電極、及び反応室側壁の表
面に形成された少なくとも１つの保護膜内に設けられた
トレーサー物質と，トレーサー物質を計測する手段とを
備えたことにある。A second aspect of the present invention that achieves the above-mentioned other object is to provide a member to be treated, an electrode, and a tracer substance provided in at least one protective film formed on the surface of the side wall of the reaction chamber. , And means for measuring tracer substances.
【００１４】上記他の目的を達成する請求項３の発明の
特徴は、被処理材保持部材，電極、及び反応室側壁の少
なくとも１つの表面に取り付けられた、トレーサー物質
を含む小片と，トレーサー物質を計測する手段とを備え
たことにある。A third aspect of the present invention that achieves the above-mentioned other object is that the tracer substance-containing small piece attached to at least one surface of the member to be treated, the electrode, and the side wall of the reaction chamber, and the tracer substance. And means for measuring.
【００１５】上記他の目的を達成する請求項４の発明の
特徴は、被処理材保持部材，電極、及び反応室側壁の表
面に形成された少なくとも１つの保護膜に取り付けられ
た、トレーサー物質を含む小片と，トレーサー物質を計
測する手段とを備えたことにある。In order to achieve the above other object, the feature of the invention of claim 4 is that the tracer substance is attached to the member to be treated, the electrode, and at least one protective film formed on the surface of the side wall of the reaction chamber. It is equipped with a small piece containing it and a means for measuring the tracer substance.
【００１６】上記他の目的を達成する請求項５の発明の
特徴は、トレーサー物質を含む小片の材質および表面状
態を、小片を取り付ける部分の材質及び表面状態と実質
的に同じくしたことにある。The feature of the invention of claim 5 that achieves the above-mentioned other object is that the material and surface condition of the small piece containing the tracer substance are substantially the same as the material and surface condition of the portion to which the small piece is attached.
【００１７】上記他の目的を達成する請求項６の発明の
特徴は、トレーサー物質が希ガスであることにある。A feature of the invention of claim 6 for attaining the above other object is that the tracer substance is a rare gas.
【００１８】上記他の目的を達成する請求項７の発明の
特徴は、トレーサー物質が被処理材保持部材，電極及び
反応室側壁の少なくとも１つを構成する元素またはその
同位体であることにある。The feature of the invention of claim 7 that achieves the above-mentioned other object is that the tracer substance is an element constituting at least one of the member to be treated holding member, the electrode and the side wall of the reaction chamber, or an isotope thereof. .
【００１９】上記他の目的を達成する請求項８の発明の
特徴は、トレーサー物質が保護膜を構成する元素または
その同位体であることにある。A feature of the invention of claim 8 that achieves the above-mentioned other object is that the tracer substance is an element constituting the protective film or an isotope thereof.
【００２０】上記他の目的を達成する請求項９の発明の
特徴は、トレーサー物質の設置位置によって異なるトレ
ーサー物質を用いたことにある。The feature of the invention of claim 9 that achieves the above other object is that different tracer substances are used depending on the installation position of the tracer substance.
【００２１】上記他の目的を達成する請求項１０の発明
の特徴は、複数のトレーサー物質の深さを変えて被処理
材保持部材，電極、及び反応室側壁の少なくとも１つに
設けたことにある。[0021] A feature of the invention of claim 10 for achieving the above-mentioned other object is that the depths of a plurality of tracer substances are changed and provided on at least one of the member to be treated holding member, the electrode and the side wall of the reaction chamber. is there.
【００２２】[0022]
【作用】請求項１の発明は、被処理材保持部材，電極、
及び反応室側壁の少なくとも１つの表面部分にトレーサ
ー物質を設けているので、トレーサー物質を設けた上記
部材がイオンの衝突による損傷を受けることによってト
レーサー物質が浮遊する。このトレーサー物質を計測す
ることによって上記部材の損傷を知ることができ、上記
部材の交換時期を知ることができる。このため、上記部
材の交換を適切に行うことができるので、被処理材保持
部材手段に保持された被処理材の経時変化を防止でき被
処理材を安定に処理できる。According to the first aspect of the invention, the member to be treated holding member, the electrode,
Since the tracer substance is provided on at least one surface portion of the side wall of the reaction chamber, the tracer substance floats when the member provided with the tracer substance is damaged by the collision of ions. By measuring the tracer substance, it is possible to know the damage to the member and the replacement time of the member. For this reason, since the above members can be appropriately exchanged, the material to be processed held by the material to be processed holding member means can be prevented from changing with time, and the material to be processed can be stably processed.
【００２３】請求項２の発明は、トレーサー物質を保護
膜内に設けているので、上記のように経時変化を予防で
きると共に保護膜の損傷度合を知ることができる。According to the second aspect of the present invention, since the tracer substance is provided in the protective film, it is possible to prevent the change with time as described above and to know the degree of damage to the protective film.
【００２４】請求項３の発明は、トレーサー物質を含む
小片を、被処理材保持部材，電極、及び反応室側壁の少
なくとも１つの表面に取り付けるので、請求項１の作用
と共に、トレーサー物質の上記部材への設置を簡便に行
うことができる。According to the invention of claim 3, a small piece containing a tracer substance is attached to at least one surface of the member to be treated, the electrode, and the side wall of the reaction chamber. Can be easily installed.
【００２５】請求項４の発明は、トレーサー物質を含む
小片を、被処理材保持部材，電極、及び反応室側壁の表
面に形成された少なくとも１つの保護膜に取り付けるの
で、請求項２の作用と共に、トレーサー物質の上記部材
への設置を簡便に行うことができる。According to the invention of claim 4, the small piece containing the tracer substance is attached to at least one protective film formed on the surface of the member to be treated holding member, the electrode and the side wall of the reaction chamber. The tracer substance can be easily installed on the member.
【００２６】請求項５の発明は、トレーサー物質を含む
小片の材質および表面状態を、小片を取り付ける部分の
材質及び表面状態と実質的に同じくしているので、小片
を取り付けた部材の表面状態を模擬でき、その部材にお
けるイオンの衝突による損傷をより正確に計測できる。According to the invention of claim 5, the material and the surface condition of the small piece containing the tracer substance are substantially the same as the material and the surface condition of the portion to which the small piece is attached. It can be simulated, and the damage due to the collision of ions on the member can be measured more accurately.
【００２７】請求項６の発明は、トレーサー物質として
被処理材への影響が最も少ない希ガスを用いているの
で、希ガスがプラズマ中に浮遊しても被処理材の処理へ
の影響の度合が最も少ない。According to the sixth aspect of the invention, since the rare gas that has the least influence on the material to be treated is used as the tracer substance, the degree of the influence on the treatment of the material to be treated even if the rare gas floats in the plasma. Is the least.
【００２８】請求項７の発明は、トレーサー物質として
被処理材保持部材，電極及び反応室側壁の少なくとも１
つを構成する元素またはその同位体を用いているので、
トレーサー物質がプラズマ中に浮遊しても被処理材の処
理への影響の度合が少ない。請求項８の発明は、トレー
サー物質として保護膜を構成する元素またはその同位体
を用いるので、トレーサー物質がプラズマ中に浮遊して
も被処理材の処理への影響の度合が少ない。According to a seventh aspect of the present invention, at least one of the member to be treated holding member, the electrode and the side wall of the reaction chamber is used as the tracer substance.
Since it uses the elements that make up
Even if the tracer substance floats in the plasma, the influence on the treatment of the material to be treated is small. According to the invention of claim 8, since the element constituting the protective film or its isotope is used as the tracer substance, even if the tracer substance floats in the plasma, the influence on the treatment of the material to be treated is small.
【００２９】請求項９の発明は、トレーサー物質の設置
位置によって異なるトレーサー物質を用いているので、
イオンによる損傷部から異なる種類のトレーサー物質が
プラズマ中に浮遊し、イオンによる損傷部を特定でき
る。Since the invention according to claim 9 uses different tracer substances depending on the installation position of the tracer substance,
Tracer substances of different types float in the plasma from the ion-damaged portion, and the ion-damaged portion can be identified.
【００３０】請求項１０の発明は、複数のトレーサー物
質の深さを変えて被処理材保持部材，電極、及び反応室
側壁の少なくとも１つに設けているので、損傷の時間的
な進行度合を知ることができる。According to the tenth aspect of the present invention, since the depths of the plurality of tracer substances are changed and provided on at least one of the member to be treated holding member, the electrode, and the side wall of the reaction chamber, the degree of temporal progress of damage can be improved. I can know.
【００３１】[0031]
【実施例】本発明の一実施例であるプラズマ処理装置
（例えばＥＣＲプラズマエッチング装置）を図１により
説明する。本実施例は、磁場中のマイクロ波放電プラズ
マを利用して、被処理材である試料（ウェハ）１３の表
面のエッチングを行うプラズマ処理装置である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A plasma processing apparatus (for example, an ECR plasma etching apparatus) which is an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The present embodiment is a plasma processing apparatus that uses microwave discharge plasma in a magnetic field to etch the surface of a sample (wafer) 13 that is a material to be processed.
【００３２】本実施例のプラズマ処理装置は、マイクロ
波電源２０に接続される導波管２１、及び真空容器１０
を有する。石英ベルジャー２３が、真空容器１０と導波
管２１との間に介在する。真空容器１０及び石英ベルジ
ャー２３は、反応容器を形成する。試料台（試料ホルダ
ー）１２が、絶縁材１６を介して真空容器１０に取り付
けられる。試料台１２は、ブロッキング・コンデンサ１
４に接続される。ブロッキング・コンデンサ１４は、接
地されている高周波電源１５に接続される。真空容器１
０も、接地されている。真空ポンプ４２は、真空容器１
０内の空間に連絡される。処理ガス供給源４０が、バル
ブ４１を介して真空容器１０内の空間に連絡される。ア
ース電極１１が、試料台１２を取り囲んで配置され、真
空容器１０に接続される。石英ベルジャー２３の近傍
で、導波管２１の外側に磁場コイル２２が配置される。
分光器２及び質量分析装置３が設けられる。４は、分光
器２及び質量分析装置３の出力を表示する表示装置であ
る。分光窓５が石英ベルジャー２３近傍で導波管２１に
設けられる。分光器２が、分光窓５に接続され、石英ベ
ルジャー２３を介して反応室２４内の物質が出す光を入
力する。質量分析装置３は、反応室２４内のガスを導入
して質量分析を行う。石英ベルジャー２３より下方の領
域が、反応室２４である。The plasma processing apparatus according to this embodiment includes a waveguide 21 connected to a microwave power source 20 and a vacuum container 10.
Have. A quartz bell jar 23 is interposed between the vacuum container 10 and the waveguide 21. The vacuum container 10 and the quartz bell jar 23 form a reaction container. A sample table (sample holder) 12 is attached to the vacuum container 10 via an insulating material 16. The sample stage 12 is a blocking capacitor 1
4 is connected. The blocking capacitor 14 is connected to a high frequency power supply 15 which is grounded. Vacuum container 1
0 is also grounded. The vacuum pump 42 is the vacuum container 1
The space within 0 is contacted. A processing gas supply source 40 is connected to the space inside the vacuum container 10 via a valve 41. A ground electrode 11 is arranged surrounding the sample stage 12 and is connected to the vacuum container 10. A magnetic field coil 22 is arranged outside the waveguide 21 near the quartz bell jar 23.
A spectroscope 2 and a mass spectrometer 3 are provided. A display device 4 displays the outputs of the spectroscope 2 and the mass spectrometer 3. The spectral window 5 is provided in the waveguide 21 near the quartz bell jar 23. The spectroscope 2 is connected to the spectroscopic window 5 and inputs the light emitted by the substance in the reaction chamber 24 via the quartz bell jar 23. The mass spectrometer 3 introduces the gas in the reaction chamber 24 to perform mass spectrometry. The region below the quartz bell jar 23 is the reaction chamber 24.
【００３３】反応容器内は、真空ポンプ４２によって真
空に保持される。マイクロ波電源２０から出力されたマ
イクロ波が、導波管２１により、放電空間を形成する反
応室２４内に導入される。磁場コイル２２によって形成
された磁力線３１により生じる電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）を利用して、反応室２４内で処理ガス供給源
４０から供給された処理ガスを効率よくプラズマ化する
ことができる。電子はイオン３０に比べ動きやすいた
め、生成されたプラズマは反応容器内の壁面に対して相
対的に正の電位をもつ。更に、高周波電源１５から高周
波が試料台（ホルダー）１２に印加される。試料台１２
には負の自己バイアスがかかる。この自己バイアスによ
りイオン３０がシースを横切って試料台１２上面に設置
された試料１３に引き込まれる。試料１３に表面で、異
方性をもったエッチングが進行する。通常、ＥＣＲ用の
磁力線３１は試料台１２に向かって拡散している。この
ため、磁力線３１に運動を束縛されたイオン３０は、試
料台１２のみならずそれを取り囲むアース電極１１に衝
突し、試料台１２及びアース電極１１に損傷を与える可
能性がある。The inside of the reaction vessel is maintained in vacuum by the vacuum pump 42. The microwave output from the microwave power source 20 is introduced into the reaction chamber 24 forming the discharge space by the waveguide 21. By utilizing electron cyclotron resonance (ECR) generated by the magnetic field lines 31 formed by the magnetic field coil 22, the processing gas supplied from the processing gas supply source 40 in the reaction chamber 24 can be efficiently turned into plasma. Since the electrons move more easily than the ions 30, the generated plasma has a positive potential relative to the wall surface inside the reaction container. Further, a high frequency is applied to the sample stage (holder) 12 from the high frequency power supply 15. Sample table 12
Has a negative self-bias. Due to this self-bias, the ions 30 are drawn into the sample 13 placed on the upper surface of the sample table 12 across the sheath. Anisotropic etching proceeds on the surface of the sample 13. Normally, the magnetic field lines 31 for ECR are diffused toward the sample table 12. Therefore, the ions 30 whose movement is restricted by the magnetic force lines 31 may collide not only with the sample stage 12 but also with the ground electrode 11 surrounding the sample stage 12 and damage the sample stage 12 and the ground electrode 11.
【００３４】本実施例は、アース電極上部の損傷度合を
検出する手段として、トレーサー１をアース電極１１の
上端部に埋め込んでいる。図２に示すように、トレーサ
ー１は、アース電極１１の上面から予め定められた深さ
の位置に埋め込まれている。トレーサーとしては、例え
ばＨｅ，ＡｒまたはＸｅなどの希ガス、或いはアース電
極１１または真空容器１０を構成する元素の同位体を用
いる。トレーサー１は、例えばイオン打ち込みによって
所定の深さに埋め込まれる。トレーサー１として希ガス
を用いる場合は、処理ガスとは異なる種類のガスを用い
る。処理ガスと同じ種類のガスをトレーサー１に用いた
場合には、後述するように、質量分析装置３及び分光器
２で測定してもトレーサー１か処理ガスであるかを判別
できなくなり、アース電極１１の損傷の度合を知ること
ができない。特に、処理ガスとしてＡｒが用いられる場
合が多いので、このときは他の希ガスを用いる。In this embodiment, the tracer 1 is embedded in the upper end portion of the earth electrode 11 as a means for detecting the degree of damage to the upper portion of the earth electrode. As shown in FIG. 2, the tracer 1 is embedded in a position of a predetermined depth from the upper surface of the ground electrode 11. As the tracer, for example, a rare gas such as He, Ar, or Xe, or an isotope of an element forming the earth electrode 11 or the vacuum container 10 is used. The tracer 1 is embedded at a predetermined depth by, for example, ion implantation. When a rare gas is used as the tracer 1, a gas different from the processing gas is used. When a gas of the same type as the processing gas is used for the tracer 1, as will be described later, it becomes impossible to determine whether the tracer 1 or the processing gas is measured by the mass spectrometer 3 and the spectroscope 2. I cannot know the degree of damage of 11. In particular, since Ar is often used as the processing gas, another rare gas is used at this time.
【００３５】イオン３０の衝突によってアース電極１１
上面の損傷がトレーサー１の位置まで進むと、トレーサ
ー１がプラズマ中に浮遊する。トレーサー１は決められ
た特性（質量，発光スペクトルなど）を有しているの
で、浮遊したトレーサー１が質量分析装置３及び分光器
２によって測定される。トレーサー１の測定値が設定値
に達したときにその測定値が表示装置４に表示される。
浮遊したトレーサー１の設定値は実験等により予め求め
ておく。表示装置４に浮遊トレーサー１の存在が表示さ
れたとき、プラズマ処理装置が停止される。停止後に、
例えばアース電極１１の交換等の適当な処置を行う。浮
遊したトレーサー１の測定により、アース電極１１の損
傷の度合（トレーサー１が埋め込まれている深さまでの
損傷）を知ることができる。トレーサーに希ガス、或い
はアース電極１１または真空容器１０を構成する元素の
同位体を用いているので、半導体デバイスの製造プロセ
スに悪影響を与えない。The collision of the ions 30 causes the earth electrode 11
When the damage on the upper surface progresses to the position of the tracer 1, the tracer 1 floats in the plasma. Since the tracer 1 has predetermined characteristics (mass, emission spectrum, etc.), the floating tracer 1 is measured by the mass spectrometer 3 and the spectroscope 2. When the measured value of the tracer 1 reaches the set value, the measured value is displayed on the display device 4.
The set value of the floating tracer 1 is obtained in advance by experiments or the like. When the presence of the floating tracer 1 is displayed on the display device 4, the plasma processing apparatus is stopped. After stopping
Appropriate measures such as replacement of the ground electrode 11 are performed. By measuring the floating tracer 1, the degree of damage to the ground electrode 11 (damage to the depth where the tracer 1 is embedded) can be known. Since a trace gas or an isotope of the element forming the earth electrode 11 or the vacuum container 10 is used for the tracer, it does not adversely affect the manufacturing process of the semiconductor device.
【００３６】アース電極１１の損傷が進みアース電極１
１の表面の凹凸の度合が大きくなると、プラズマの性質
が変化し、試料台１２上に設置されている試料１３のエ
ッチングレートが変化する（プラズマ処理装置の経時変
化）。すなわち、試料１２上面の周辺部でのエッチング
レートが大きくなりその中央部におけるエッチングレー
トが小さくなる。本実施例は、トレーサー１を検出する
ことによってアース電極１１の交換をプラズマ処理装置
の経時変化が生じる前に行うことができ、プラズマ処理
装置の経時変化を未然に防止できる。このため、被処理
材である試料に対して安定した処理を行うことができ、
試料上面でのエッチングレートはほぼ一様になる。トレ
ーサー１の埋め込み深さは、プラズマ処理装置の経時変
化が生じる損傷に達しない範囲で設定される。The earth electrode 11 is damaged and the earth electrode 1 is damaged.
When the degree of the unevenness of the surface of No. 1 becomes large, the property of plasma changes, and the etching rate of the sample 13 installed on the sample table 12 changes (time-dependent change of the plasma processing apparatus). That is, the etching rate in the peripheral portion of the upper surface of the sample 12 is increased and the etching rate in the central portion is decreased. In the present embodiment, by detecting the tracer 1, the ground electrode 11 can be replaced before the plasma processing apparatus changes with time, and the plasma processing apparatus can be prevented from changing with time. Therefore, it is possible to perform stable processing on the sample that is the material to be processed,
The etching rate on the upper surface of the sample becomes almost uniform. The embedding depth of the tracer 1 is set in such a range that the plasma processing apparatus is not damaged by the aging.
【００３７】トレーサー１は、アース電極１１以外でイ
オン３０が到達する部分、例えば試料台１２及び真空容
器１０の側壁の表面部に埋め込んでもよい。これによっ
て、真空容器１０の側壁等のイオン到達部における損傷
度合を検出することができる。トレーサー１は、アース
電極１１，試料台１２及び真空容器１０側壁の少なくと
も１つの表面部に設けられる。The tracer 1 may be embedded in a portion other than the earth electrode 11 where the ions 30 reach, such as the surface of the sample stage 12 and the side wall of the vacuum vessel 10. This makes it possible to detect the degree of damage at the ion arrival portion such as the side wall of the vacuum container 10. The tracer 1 is provided on at least one surface portion of the ground electrode 11, the sample table 12, and the side wall of the vacuum container 10.
【００３８】イオン３０の衝突によるアース電極１１の
損傷を防止するためにアース電極１１の上面を図３に示
すように保護膜７で被ってもよい。この場合、トレーサ
ー１は、保護膜７内に埋め込まれる。保護膜７内へのト
レーサー１の埋め込みは、保護膜７の形成時に、特定の
時期及び時間間隔でトレーサー１を混入すればよい。保
護膜７内にトレーサー１を埋め込む場合は、トレーサー
１としては上記の物質以外に保護膜を構成する元素の同
位体を用いてもよい。保護膜７は、アルミナ及びムライ
ト（アルミニウム，ケイ素及び酸素を含むセラミック）
などの半導体デバイスの製造プロセスに悪影響を与えな
い物質を用いる。図３の場合でも、前述した効果を得る
ことができる。保護膜７は、アース電極１１，試料台１
２及び真空容器１０側壁の少なくとも１つの表面に形成
される。これらの保護膜７の少なくとも１つにトレーサ
ー１が埋め込まれる。In order to prevent the earth electrode 11 from being damaged by the collision of the ions 30, the upper surface of the earth electrode 11 may be covered with a protective film 7 as shown in FIG. In this case, the tracer 1 is embedded in the protective film 7. The tracer 1 may be embedded in the protective film 7 by mixing the tracer 1 at a specific time and time interval when the protective film 7 is formed. When the tracer 1 is embedded in the protective film 7, as the tracer 1, an isotope of an element forming the protective film may be used in addition to the above substances. The protective film 7 is made of alumina and mullite (ceramic containing aluminum, silicon and oxygen).
A substance that does not adversely affect the semiconductor device manufacturing process is used. Even in the case of FIG. 3, the effects described above can be obtained. The protective film 7 includes the ground electrode 11 and the sample table 1
2 and at least one surface of the side wall of the vacuum chamber 10. The tracer 1 is embedded in at least one of these protective films 7.
【００３９】本発明の他の実施例であるプラズマ処理装
置を図４を用いて説明する。本実施例のプラズマ処理装
置は、図１の構造でアース電極１１へトレーサー１を埋
め込む代わりに数種類のトレーサーを埋め込んだ小片８
ａ，８ｂ，８ｃ及び８ｄをアース電極１１及び試料台１
２に取り付けたものである。トレーサー１ａが埋め込ま
れた小片８ａがアース電極１１の上面外周部に設置され
る。トレーサー１ｂが埋め込まれた小片８ｂが、アース
電極１１の上面内周部に設置される。トレーサー１ｃが
埋め込まれた小片８ｃがアース電極１１の側面部に設置
される。トレーサー１ｄが埋め込まれた小片８ｄが試料
台１２の上面に設置されている。各小片の材質及び表面
状態は、設置位置における材質及び表面状態と一致して
いる。試料台１２の表面等に保護膜が形成される場合
は、前述の小片を保護膜の上に設置する。A plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the plasma processing apparatus of the present embodiment, instead of embedding the tracer 1 in the earth electrode 11 in the structure shown in FIG.
a, 8b, 8c and 8d are connected to the earth electrode 11 and the sample table 1
It is attached to 2. The small piece 8a in which the tracer 1a is embedded is installed on the outer peripheral portion of the upper surface of the ground electrode 11. The small piece 8b in which the tracer 1b is embedded is installed on the inner circumference of the upper surface of the ground electrode 11. The small piece 8c in which the tracer 1c is embedded is installed on the side surface of the ground electrode 11. A small piece 8d in which the tracer 1d is embedded is installed on the upper surface of the sample table 12. The material and surface condition of each piece are the same as the material and surface condition at the installation position. When a protective film is formed on the surface of the sample table 12, the above-mentioned small pieces are placed on the protective film.
【００４０】イオン３０は、アース電極１１及び試料台
１２だけでなく各小片の表面にも衝突する。或る小片が
イオン３０の衝突によってトレーサーの埋め込み位置ま
で損傷を受けた場合には、そのトレーサーが、プラズマ
中に浮遊し、前述の実施例のように質量分析装置３及び
分光器２によって測定される。これらの測定値は表示装
置４に表示される。小片設置位置周辺のアース電極１１
表面等の損傷そのものを検知できる。各小片ごとに埋め
込まれているトレーサーの種類が異なるので、プラズマ
中に浮遊するトレーサーの種類を特定することによっ
て、損傷を受けている場所を特定できる。本実施例は、
図１の実施例で得られる効果も生じる。異なる種類のト
レーサーが埋め込まれた上記小片を、真空容器１０の側
壁のうちイオン３０が到達する部分における表面に設置
してもよい。図１の実施例においても、本実施例のよう
に、アース電極１１の上面部，アース電極１１の側面部
及び試料台１２の上面部に埋め込むトレーサーの種類を
変えてもよい。The ions 30 collide not only with the ground electrode 11 and the sample stage 12 but also with the surface of each small piece. When a small piece is damaged by the collision of the ions 30 to the embedded position of the tracer, the tracer floats in the plasma and is measured by the mass spectrometer 3 and the spectroscope 2 as in the above-described embodiment. It These measured values are displayed on the display device 4. Earth electrode 11 around the small piece installation position
It can detect damage such as the surface itself. Since the type of tracer embedded in each small piece is different, it is possible to identify the damaged place by identifying the type of tracer floating in the plasma. In this embodiment,
The effect obtained in the embodiment of FIG. 1 is also produced. The small pieces in which different kinds of tracers are embedded may be installed on the surface of the side wall of the vacuum container 10 where the ions 30 reach. Also in the embodiment of FIG. 1, the type of tracer to be embedded in the upper surface portion of the ground electrode 11, the side surface portion of the ground electrode 11 and the upper surface portion of the sample table 12 may be changed as in this embodiment.
【００４１】トレーサーの埋め込み状態の他の実施例を
図５に示す。この図は、複数種類のトレーサーを埋め込
んだアース電極１１の上面部の構造を示している。すな
わち、異なった種類のトレーサー１ａ及び１ｂがアース
電極１１の上面を被った保護膜７内で所定の深さに埋め
込まれている。アース電極１１の上面部の損傷によりプ
ラズマ中に浮遊したトレーサー１ａ及び１ｂを質量分析
装置３及び分光器２によって測定する。これらのトレー
サーを同じに測定することによってアース電極１１の保
護膜７の損傷度合の検出精度を高めることができる。Another embodiment of the embedded state of the tracer is shown in FIG. This figure shows the structure of the upper surface of the earth electrode 11 in which a plurality of types of tracers are embedded. That is, different kinds of tracers 1a and 1b are embedded in the protective film 7 covering the upper surface of the ground electrode 11 to a predetermined depth. The tracers 1a and 1b suspended in the plasma due to damage to the upper surface of the earth electrode 11 are measured by the mass spectrometer 3 and the spectroscope 2. By measuring these tracers in the same manner, it is possible to improve the detection accuracy of the degree of damage to the protective film 7 of the ground electrode 11.
【００４２】トレーサー１ａ及びトレーサー１ｂを図６
に示すように保護膜７内に多層状に埋め込んでもよい。
損傷の進行によって最初にトレーサー１ｂがプラズマ中
に浮遊しその後トレーサー１ａが浮遊する。トレーサー
１ｂが検出された時点における時間とトレーサー１ａが
検出された時点における時間との差を求め、トレーサー
１ａの埋め込み位置とトレーサー１ｂの埋め込み位置と
の間隔を上記時間差で割ることによって、保護膜７にお
ける損傷の時間的な進行度合を知ることができる。The tracer 1a and the tracer 1b are shown in FIG.
As shown in FIG. 5, the protective film 7 may be embedded in multiple layers.
As the damage progresses, the tracer 1b first floats in the plasma, and then the tracer 1a floats. The difference between the time when the tracer 1b is detected and the time when the tracer 1a is detected is obtained, and the interval between the embedding position of the tracer 1a and the embedding position of the tracer 1b is divided by the above time difference to obtain the protective film 7 It is possible to know the temporal progress of the damage in.
【００４３】図５及び図６に示すトレーサー１ａ及び１
ｂの配置は、アース電極１１以外に形成された保護膜７
の内部，アース電極１１の上面部，アース電極１１の側
面部及び試料台１２の上面部のいずれに埋め込んでもよ
い。Tracers 1a and 1 shown in FIGS.
The arrangement of b is such that the protective film 7 other than the ground electrode 11 is formed.
It may be embedded in any of the inside, the upper surface of the ground electrode 11, the side surface of the ground electrode 11, and the upper surface of the sample table 12.
【００４４】トレーサーは図７に示すように設けてもよ
い。この例は、アース電極１１の表面に複数のトレーサ
ーの層を形成したものである。このような構成は、試料
台１２等の他のイオンによる衝突によって損傷を受ける
部分に適用してもよい。本例は、トレーサーとしてケイ
素の含有量が異なる５種類のムライト２６ａ，26ｂ，２
６ｃ，２６ｄ及び２６ｅをアース電極１１の表面に層状
に設けたものである。これらのムライトは、保護膜であ
り、アース電極１１に近い程ケイ素の含有量が増加す
る。イオンの衝突による損傷は、反応室２４内のガスに
接してケイ素の含有量が少ないムライト２６ａからムラ
イト２６ｅに向かって進行する。ムライトが損傷を受け
るとムライトを構成する元素がプラズマ中に浮遊する。
ケイ素の含有量が多いムライトが損傷を受けるので、プ
ラズマ中に浮遊するケイ素の量が増加する。ケイ素の量
の増加は、質量分析装置３等によって計測される。この
ため、プラズマ中に浮遊するケイ素の量の計測値に基づ
いて、どのムライト層まで損傷を受けているかを知るこ
とができる。本実施例は、図６の例と同じように損傷の
時間的な進行度合を知ることができる。The tracer may be provided as shown in FIG. In this example, a plurality of tracer layers are formed on the surface of the ground electrode 11. Such a configuration may be applied to a portion such as the sample table 12 that is damaged by collision with other ions. In this example, five kinds of mullite 26a, 26b, 2 having different silicon contents are used as tracers.
6c, 26d and 26e are provided on the surface of the ground electrode 11 in layers. These mullites are protective films, and the content of silicon increases as they are closer to the ground electrode 11. The damage due to the collision of ions progresses from the mullite 26a having a low silicon content to the mullite 26e in contact with the gas in the reaction chamber 24. When the mullite is damaged, the elements that make up the mullite float in the plasma.
Mullite, which is high in silicon content, is damaged, thus increasing the amount of silicon suspended in the plasma. The increase in the amount of silicon is measured by the mass spectrometer 3 or the like. Therefore, it is possible to know which mullite layer is damaged, based on the measured value of the amount of silicon floating in the plasma. In the present embodiment, the degree of damage over time can be known as in the example of FIG.
【００４５】本発明の他の実施例である平行平板型反応
性エッチング装置を図８に示す。図１の実施例と同じ構
成は、同一符号で示す。図１のプラズマ処理装置と異な
る点は、マイクロ波を真空容器１０内の反応室に導入す
る構成を有しなく、試料台である基板ホルダー２５、及
びこれに対向して設けられた対向電極１７を有すること
である。基板ホルダー２５は、絶縁材１６を介して真空
容器１０に取り付けられる。対向電極１７も、真空容器
１０に取り付けられる。高周波電源装置１５が基板ホル
ダー２５に接続されており、対向電極１７と基板ホルダ
ー２５との間に高周波が印加される。処理ガス供給源４
０から真空容器１０内に導かれた処理ガスは、対向電極
１７と基板ホルダー２５との間でその高周波によってプ
ラズマ化される。同時に、基板ホルダー２５には自己バ
イアスが生じる。このため、プラズマ中のイオンが、基
板ホルダー２５の上面及び基板ホルダー２５上に設置さ
れた試料である基板２６に衝突する。このイオンによっ
て基板２６のエッチングが進行する。FIG. 8 shows a parallel plate type reactive etching apparatus which is another embodiment of the present invention. The same components as those in the embodiment of FIG. 1 are designated by the same reference numerals. 1 is different from the plasma processing apparatus of FIG. 1 in that it does not have a structure for introducing microwaves into the reaction chamber in the vacuum container 10, and has a substrate holder 25 as a sample table and a counter electrode 17 provided opposite thereto. Is to have. The substrate holder 25 is attached to the vacuum container 10 via the insulating material 16. The counter electrode 17 is also attached to the vacuum container 10. The high frequency power supply device 15 is connected to the substrate holder 25, and a high frequency is applied between the counter electrode 17 and the substrate holder 25. Process gas supply source 4
The processing gas introduced into the vacuum container 10 from 0 is turned into plasma by the high frequency between the counter electrode 17 and the substrate holder 25. At the same time, the substrate holder 25 is self-biased. Therefore, the ions in the plasma collide with the upper surface of the substrate holder 25 and the substrate 26 that is a sample installed on the substrate holder 25. The etching of the substrate 26 proceeds by these ions.
【００４６】基板２６周辺の基板ホルダー２５上面は、
イオンの衝突によって損傷を受ける。対向電極１７，そ
の基板ホルダー２５の上面部及び反応容器である真空容
器１０の側壁部に、種類の異なったトレーサー１ａ，１
ｂ，１ｃがそれぞれ埋め込まれている。図８に示されて
いないが、それぞれ部材のイオンによる損傷によってプ
ラズマ中に浮遊したトレーサーは、図１の実施例と同様
に質量分析装置等の計測器で測定され、その測定結果が
表示装置に表示される。本実施例は、図４の実施例で得
られる効果を生じる。The upper surface of the substrate holder 25 around the substrate 26 is
Damaged by ion bombardment. Tracers 1a, 1 of different types are provided on the counter electrode 17, the upper surface of the substrate holder 25 thereof, and the side wall of the vacuum container 10 which is a reaction container.
b and 1c are embedded respectively. Although not shown in FIG. 8, the tracers floating in the plasma due to the damage of the respective members by the ions are measured by a measuring instrument such as a mass spectrometer like the embodiment of FIG. 1, and the measurement results are displayed on the display device. Is displayed. This embodiment produces the effect obtained in the embodiment of FIG.
【００４７】上記の各実施例ではＥＣＲプラズマエッチ
ング装置及び平行平板型反応性エッチング装置について
述べたが、本発明はこれら以外のプラズマ処理装置に適
用し得ることは言うまでもない。Although the ECR plasma etching apparatus and the parallel plate type reactive etching apparatus have been described in the above embodiments, it is needless to say that the present invention can be applied to other plasma processing apparatuses.
【００４８】[0048]
【発明の効果】請求項１の発明によれば、イオンによる
損傷を受けた部材の交換を適切に行うことができるの
で、被処理材保持部材手段に保持された被処理材の経時
変化を防止でき被処理材を安定に処理できる。According to the first aspect of the present invention, since the member damaged by the ions can be properly replaced, the material to be processed held by the member to be processed holding member means can be prevented from changing with time. Therefore, the material to be treated can be stably treated.
【００４９】請求項２の発明によれば、上記のように経
時変化を予防できると共に保護膜の損傷度合を知ること
ができる。According to the second aspect of the invention, it is possible to prevent the change with time as described above and to know the degree of damage to the protective film.
【００５０】請求項３の発明によれば、更に、被処理材
保持部材，電極、及び反応室側壁の少なくとも１つへの
トレーサー物質の設置を簡便に行うことができる。According to the third aspect of the invention, the tracer substance can be easily installed on at least one of the member to be treated holding member, the electrode, and the side wall of the reaction chamber.
【００５１】請求項４の発明によれば、更に、被処理材
保持部材，電極、及び反応室側壁の表面に形成された少
なくとも１つへのトレーサー物質の設置を簡便に行うこ
とができる。According to the invention of claim 4, further, the tracer substance can be easily installed on at least one of the member to be treated holding member, the electrode, and the surface of the side wall of the reaction chamber.
【００５２】請求項５の発明によれば、小片が取り付け
られた部材におけるイオンの衝突による損傷をより正確
に計測できる。According to the invention of claim 5, it is possible to more accurately measure the damage due to the collision of ions in the member to which the small piece is attached.
【００５３】請求項６の発明によれば、希ガスを用いて
いるので、被処理材の処理への影響の度合が最も少な
い。According to the sixth aspect of the present invention, since the rare gas is used, the degree of influence on the processing of the material to be processed is the smallest.
【００５４】請求項７の発明によれば、トレーサー物質
がプラズマ中に浮遊しても被処理材の処理への影響の度
合が少ない。According to the invention of claim 7, even if the tracer substance floats in the plasma, the influence on the treatment of the material to be treated is small.
【００５５】請求項８の発明によれば、トレーサー物質
がプラズマ中に浮遊しても被処理材の処理への影響の度
合が少ない。According to the invention of claim 8, even if the tracer substance floats in the plasma, the influence on the treatment of the material to be treated is small.
【００５６】請求項９の発明によれば、トレーサー物質
の設置位置によって異なるトレーサー物質を用いている
ので、イオンによる損傷部を特定できる。According to the ninth aspect of the present invention, since different tracer substances are used depending on the installation position of the tracer substance, it is possible to specify the damaged portion due to the ions.
【００５７】請求項１０の発明によれば、トレーサー物
質を設けている部材の損傷の時間的な進行度合を知るこ
とができる。According to the tenth aspect of the present invention, it is possible to know the degree of temporal progress of damage to the member provided with the tracer substance.
【図１】本発明の一実施例であるマイクロ波方式プラズ
マ処理装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a microwave plasma processing apparatus that is an embodiment of the present invention.
【図２】図１のアース電極表面部におけるトレーサーの
埋め込み状態を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a tracer embedded in the surface portion of the ground electrode of FIG.
【図３】アース電極表面部におけるトレーサーの埋め込
み状態の他の例を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing another example of the embedded state of the tracer on the surface portion of the ground electrode.
【図４】本発明の他の実施例であるマイクロ波方式プラ
ズマ処理装置の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a microwave type plasma processing apparatus which is another embodiment of the present invention.
【図５】トレーサーの埋め込み状態の他の実施例の説明
図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of another embodiment of a tracer embedded state.
【図６】トレーサーの埋め込み状態の他の実施例の説明
図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of another embodiment of a tracer embedded state.
【図７】アース電極におけるトレーサーの他の設置状態
を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing another installation state of the tracer on the ground electrode.
【図８】本発明の他の実施例である平行平板型プラズマ
処理装置の構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of a parallel plate type plasma processing apparatus which is another embodiment of the present invention.
１，１ａ，１ｂ，１ｃ…トレーサー、２…分光器、３…
質量分析装置、４…表示装置、７…保護膜、８ａ，８
ｂ，８ｃ，８ｄ…小片、１０…真空容器、１１…アース
電極、１２…試料台、１３…試料、１５…高周波電源、
１６…絶縁材、１７…対向電極、２０…マイクロ波電
源、２１…導波管、２２…磁場コイル、２３…石英ベル
ジャー、４０…処理ガス供給源、４１…バルブ、４２…
真空ポンプ。1, 1a, 1b, 1c ... Tracer, 2 ... Spectrometer, 3 ...
Mass spectrometer, 4 ... Display device, 7 ... Protective film, 8a, 8
b, 8c, 8d ... Small pieces, 10 ... Vacuum container, 11 ... Ground electrode, 12 ... Sample stand, 13 ... Sample, 15 ... High frequency power supply,
16 ... Insulating material, 17 ... Counter electrode, 20 ... Microwave power source, 21 ... Waveguide, 22 ... Magnetic field coil, 23 ... Quartz bell jar, 40 ... Processing gas supply source, 41 ... Valve, 42 ...
Vacuum pump.
Claims (10)
ガスをプラズマ化する手段と，前記反応室内に配置され
て前記反応室の側壁に取り付けられると共に被処理材を
保持する被処理材保持部材と，前記被処理材保持部材に
対向して配置され前記反応室の側壁に取り付けられる電
極と，前記被処理材保持部材，前記電極、及び前記反応
室側壁の少なくとも１つの表面部分に設けられたトレー
サー物質と，前記トレーサー物質を計測する手段とを備
えたことを特徴とするプラズマ処理装置。1. A reaction chamber, a means for converting a processing gas introduced into the reaction chamber into plasma, a material to be processed which is disposed in the reaction chamber, is attached to a side wall of the reaction chamber, and holds a material to be processed. A holding member, an electrode arranged to face the material-to-be-treated holding member and attached to a side wall of the reaction chamber, and provided on at least one surface portion of the material-to-be-treated holding member, the electrode, and the reaction chamber side wall. A plasma processing apparatus comprising: the tracer substance obtained and a means for measuring the tracer substance.
ガスをプラズマ化する手段と，前記反応室内に配置され
て前記反応室の側壁に取り付けられると共に被処理材を
保持する被処理材保持部材と，前記被処理材保持部材に
対向して配置され前記反応室の側壁に取り付けられる電
極と，前記被処理材保持部材，前記電極、及び前記反応
室側壁の表面に形成された少なくとも１つの保護膜内に
設けられたトレーサー物質と，前記トレーサー物質を計
測する手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装
置。2. A reaction chamber, a means for converting the processing gas introduced into the reaction chamber into plasma, a material to be processed which is disposed in the reaction chamber and attached to a side wall of the reaction chamber, and which holds the material to be processed. A holding member, an electrode that is disposed to face the material-to-be-treated holding member and is attached to a side wall of the reaction chamber, a member-to-be-treated holding member, the electrode, and at least one formed on the surface of the reaction chamber side wall. A plasma processing apparatus comprising: a tracer substance provided in one protective film; and means for measuring the tracer substance.
ガスをプラズマ化する手段と，前記反応室内に配置され
て前記反応室の側壁に取り付けられると共に被処理材を
保持する被処理材保持部材と，前記被処理材保持部材に
対向して配置され前記反応室の側壁に取り付けられる電
極と，前記被処理材保持部材，前記電極、及び前記反応
室側壁の少なくとも１つの表面に取り付けられた、トレ
ーサー物質を含む小片と，前記トレーサー物質を計測す
る手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。3. A reaction chamber, a means for converting the processing gas introduced into the reaction chamber into plasma, a material to be processed which is disposed in the reaction chamber and attached to a side wall of the reaction chamber, and which holds the material to be processed. A holding member, an electrode that is arranged to face the material-to-be-treated holding member and is attached to a side wall of the reaction chamber, and a member that is attached to at least one surface of the material-to-be-treated holding member, the electrode, and the reaction chamber side wall. A plasma processing apparatus comprising: a small piece containing a tracer substance; and means for measuring the tracer substance.
ガスをプラズマ化する手段と，前記反応室内に配置され
て前記反応室の側壁に取り付けられると共に被処理材を
保持する被処理材保持部材と，前記被処理材保持部材に
対向して配置され前記反応室の側壁に取り付けられる電
極と，前記被処理材保持部材，前記電極、及び前記反応
室側壁の表面に形成された少なくとも１つの保護膜に取
り付けられた、トレーサー物質を含む小片と、前記トレ
ーサー物質を計測する手段とを備えたことを特徴とする
プラズマ処理装置。4. A reaction chamber, a means for converting a processing gas introduced into the reaction chamber into plasma, a material to be processed which is disposed in the reaction chamber and attached to a side wall of the reaction chamber, and which holds a material to be processed. A holding member, an electrode that is disposed to face the material-to-be-treated holding member and is attached to a side wall of the reaction chamber, a member-to-be-treated holding member, the electrode, and at least one formed on the surface of the reaction chamber side wall. A plasma processing apparatus comprising: a small piece containing a tracer substance attached to one protective film; and means for measuring the tracer substance.
片を取り付ける部分の材質及び表面状態と実質的に同じ
くした請求項３または４のプラズマ処理装置。5. The plasma processing apparatus according to claim 3, wherein the material and surface condition of the small piece are substantially the same as the material and surface condition of the portion to which the small piece is attached.
１，２，３または４のプラズマ処理装置。6. A plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the tracer substance is a rare gas.
材，前記電極及び前記反応室側壁の少なくとも１つを構
成する元素またはその同位体である請求項１，２，３ま
たは４のプラズマ処理装置。7. A plasma processing apparatus according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein the tracer substance is an element or an isotope thereof constituting at least one of the member to be processed holding member, the electrode and the side wall of the reaction chamber. .
る元素またはその同位体である請求項１，２，３または
４のプラズマ処理装置。8. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the tracer substance is an element that constitutes the protective film or an isotope thereof.
なる前記トレーサー物質を用いた請求項１，２，３また
は４のプラズマ処理装置。9. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the tracer substance is different depending on the installation position of the tracer substance.
記被処理材保持部材，前記電極、及び前記反応室側壁の
少なくとも１つに設けた請求項１，２，３または４のプ
ラズマ処理装置。10. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of tracer substances are provided on at least one of the member to be processed holding member, the electrode, and the side wall of the reaction chamber by changing the depth. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7007906A JPH08203865A (en) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | Plasma treating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7007906A JPH08203865A (en) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | Plasma treating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203865A true JPH08203865A (en) | 1996-08-09 |
Family
ID=11678608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7007906A Pending JPH08203865A (en) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | Plasma treating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203865A (en) |
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1995
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