JPH08195129A - 高圧ケーブル - Google Patents
高圧ケーブルInfo
- Publication number
- JPH08195129A JPH08195129A JP557995A JP557995A JPH08195129A JP H08195129 A JPH08195129 A JP H08195129A JP 557995 A JP557995 A JP 557995A JP 557995 A JP557995 A JP 557995A JP H08195129 A JPH08195129 A JP H08195129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductive layer
- voltage
- resistance value
- cable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性及び作業性が向上する高圧ケーブルを
提供する。 【構成】 導体１の絶縁体２上に外部半導電層３を有す
るケーブルにおいて、前記外部半導電層３を、縁切り部
誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響が許容
できる程度の抵抗値を有する内側半導電層６と、縁切り
するときに除去され、充電電流による発熱や発生電圧が
無視し得る抵抗値を有する外側半導電層７とで形成す
る。
提供する。 【構成】 導体１の絶縁体２上に外部半導電層３を有す
るケーブルにおいて、前記外部半導電層３を、縁切り部
誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響が許容
できる程度の抵抗値を有する内側半導電層６と、縁切り
するときに除去され、充電電流による発熱や発生電圧が
無視し得る抵抗値を有する外側半導電層７とで形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高圧ケーブル、特に長尺
の超高圧ＣＶケーブル等で、クロスボンドの関係等でケ
ーブルの部分で金属遮蔽層等を縁切りする必要のある場
合に適用するケーブルに関するものである。
の超高圧ＣＶケーブル等で、クロスボンドの関係等でケ
ーブルの部分で金属遮蔽層等を縁切りする必要のある場
合に適用するケーブルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高圧ケーブルは、導体上に内部半導電
層、絶縁層、外部半導電層、金属遮蔽層、防食層等を順
次設けてなる。高圧ケーブルは、ＣＶ化と共に長尺化が
図られており、クロスボンドの関係等でケーブルの途中
に金属遮蔽層を縁切りするケーブル接続部を設ける場合
がある。
層、絶縁層、外部半導電層、金属遮蔽層、防食層等を順
次設けてなる。高圧ケーブルは、ＣＶ化と共に長尺化が
図られており、クロスボンドの関係等でケーブルの途中
に金属遮蔽層を縁切りするケーブル接続部を設ける場合
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ケーブル接
続部の金属遮蔽層を縁切りする場合、外部半導電層も一
緒に除去し、そしてその半導電層端部にケーブル導体側
からの電界が集中し易い事を考慮して外部半導電層と金
属遮蔽層の縁切り部に絶縁補強層を設けるようにしてい
た。このため、施工作業にかなりの費用と時間を要して
いた。特に、ＣＶケーブルでは、外部半導電層削り部上
の絶縁補強層および縁切り部を作るために、ＥＭＪと同
様の施工、管理および機材、施工日数を必要としてい
る。
続部の金属遮蔽層を縁切りする場合、外部半導電層も一
緒に除去し、そしてその半導電層端部にケーブル導体側
からの電界が集中し易い事を考慮して外部半導電層と金
属遮蔽層の縁切り部に絶縁補強層を設けるようにしてい
た。このため、施工作業にかなりの費用と時間を要して
いた。特に、ＣＶケーブルでは、外部半導電層削り部上
の絶縁補強層および縁切り部を作るために、ＥＭＪと同
様の施工、管理および機材、施工日数を必要としてい
る。
【０００４】外部半導電層は異常電圧を考慮して除去し
ていたが、金属遮蔽層のみを縁切りして、外部半導電層
については縁切りしないことができれば、これにより施
工時間を大幅に短縮することが可能となる。しかし、縁
切り部誘起電圧による発熱や充電電流による発熱等およ
び常時、異常時に加わる電圧等に耐える必要がある。
ていたが、金属遮蔽層のみを縁切りして、外部半導電層
については縁切りしないことができれば、これにより施
工時間を大幅に短縮することが可能となる。しかし、縁
切り部誘起電圧による発熱や充電電流による発熱等およ
び常時、異常時に加わる電圧等に耐える必要がある。
【０００５】そこで、本発明は、このような事情を考慮
してなされたものであり、その目的は、信頼性が向上
し、かつ、作業性が向上する高圧ケーブルを提供するこ
とにある。
してなされたものであり、その目的は、信頼性が向上
し、かつ、作業性が向上する高圧ケーブルを提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の高圧ケーブル
は、導体の絶縁体上に外部半導電層を有するケーブルに
おいて、前記外部半導電層を、縁切り部誘起電圧や充電
電流により発生する熱による影響が許容できる程度の抵
抗値を有する内側半導電層と、縁切りするときに除去さ
れ、充電電流による発熱や発生電圧が無視し得る抵抗値
を有する外側半導電層とで形成したものである。
は、導体の絶縁体上に外部半導電層を有するケーブルに
おいて、前記外部半導電層を、縁切り部誘起電圧や充電
電流により発生する熱による影響が許容できる程度の抵
抗値を有する内側半導電層と、縁切りするときに除去さ
れ、充電電流による発熱や発生電圧が無視し得る抵抗値
を有する外側半導電層とで形成したものである。
【０００７】また、導体の絶縁体上に外部半導電層を有
するケーブルにおいて、前記外部半導電層を、縁切り部
誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響が許容
できる程度の抵抗値を有する内側半導電層と、充電電流
による発熱や発生電圧が無視し得る抵抗値を有する外側
半導電層とで形成し、その内側半導電層を残して部分的
に外側半導電層を除去して外側半導電層の縁切り部上に
補強絶縁層を設け、その補強絶縁層の外周を絶縁筒で縁
切りした外筒で覆ったものである。
するケーブルにおいて、前記外部半導電層を、縁切り部
誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響が許容
できる程度の抵抗値を有する内側半導電層と、充電電流
による発熱や発生電圧が無視し得る抵抗値を有する外側
半導電層とで形成し、その内側半導電層を残して部分的
に外側半導電層を除去して外側半導電層の縁切り部上に
補強絶縁層を設け、その補強絶縁層の外周を絶縁筒で縁
切りした外筒で覆ったものである。
【０００８】さらに、導体の絶縁体上に外部半導電層を
有するケーブルにおいて、前記外部半導電層を、縁切り
部誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響が許
容できる程度の抵抗値を有する内側押出半導電層と、充
電電流による発熱や発生電圧が無視し得る抵抗値を有す
る半導電性テープ若しくは銅線入り半導電性テープより
なる外側半導電層とで形成し、その内側半導電層を残し
て部分的に外側半導電層を除去して外側半導電層の縁切
り部の外周に絶縁テープ若しくは絶縁テープと導電性テ
ープとを巻いてこれをモールドし、この補強絶縁された
部分の外周を絶縁筒で縁切りしたものである。
有するケーブルにおいて、前記外部半導電層を、縁切り
部誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響が許
容できる程度の抵抗値を有する内側押出半導電層と、充
電電流による発熱や発生電圧が無視し得る抵抗値を有す
る半導電性テープ若しくは銅線入り半導電性テープより
なる外側半導電層とで形成し、その内側半導電層を残し
て部分的に外側半導電層を除去して外側半導電層の縁切
り部の外周に絶縁テープ若しくは絶縁テープと導電性テ
ープとを巻いてこれをモールドし、この補強絶縁された
部分の外周を絶縁筒で縁切りしたものである。
【０００９】
【作用】外部半導電層を内側と外側の二層構造とし、内
側（絶縁体に接する部分）は比較的高抵抗の半導電層、
外側は比較的低抵抗の半導電層とし、内側半導電層はそ
のままの状態で残して外側半導電層のみを除去して遮蔽
層縁切り部を構成するので、主絶縁の信頼性が向上し、
かつ作業性が向上する高圧ケーブルが得られる。
側（絶縁体に接する部分）は比較的高抵抗の半導電層、
外側は比較的低抵抗の半導電層とし、内側半導電層はそ
のままの状態で残して外側半導電層のみを除去して遮蔽
層縁切り部を構成するので、主絶縁の信頼性が向上し、
かつ作業性が向上する高圧ケーブルが得られる。
【００１０】また、外側半導電層の縁切り部上に補強絶
縁層を設けることで、異常電圧に対して十分に対応する
ことができ、その補強絶縁層の外周を絶縁筒で縁切りし
た外筒で覆うので、縁切り部の構造が簡単である。
縁層を設けることで、異常電圧に対して十分に対応する
ことができ、その補強絶縁層の外周を絶縁筒で縁切りし
た外筒で覆うので、縁切り部の構造が簡単である。
【００１１】さらに、内側半導電層が押出半導電層であ
ると共に、外側半導電層が半導電性テープ若しくは導銅
線入り半導電性テープであると、外側半導電層のみを容
易に除去することができる。また、外側半導電層の縁切
り部の外周に絶縁テープ若しくは絶縁テープと導電性テ
ープとを巻いてこれをモールドすることで、簡単な構造
で、しかも十分に異常電圧に対して対応することができ
る縁切り部を有する。
ると共に、外側半導電層が半導電性テープ若しくは導銅
線入り半導電性テープであると、外側半導電層のみを容
易に除去することができる。また、外側半導電層の縁切
り部の外周に絶縁テープ若しくは絶縁テープと導電性テ
ープとを巻いてこれをモールドすることで、簡単な構造
で、しかも十分に異常電圧に対して対応することができ
る縁切り部を有する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳述する。
詳述する。
【００１３】本実施例では高圧ケーブルとして 500ｋＶ
ＣＶケーブル 1×2500mm2 （絶縁厚さ27mm）の場合に
ついて述べる。
ＣＶケーブル 1×2500mm2 （絶縁厚さ27mm）の場合に
ついて述べる。
【００１４】図１において、１は導体を示し、この導体
１の絶縁体２上に外部半導電層３、金属シース４、防食
層５が順次設けられている。半導電層は、図示していな
いが導体１と絶縁体２との間にも電界を緩和する目的で
設けられている。すなわち、ケーブルの絶縁体２の等電
位線を同心状にすること及び導体１と絶縁体２、絶縁体
２と外部遮蔽との間を隙間なく埋めて部分放電の発生を
防ぐことである。外部半導電層３は、内側と外側の二層
構造に形成され、内側（絶縁体に接する部分）は比較的
高抵抗の半導電層６、外側は比較的低抵抗の半導電層７
が設けられている。内側半導電層６は、例えば半導電性
ポリエチレンで、絶縁体（例えばポリエチレン絶縁体）
２と同時に押し出し、導体１上の半導電層（内部半導電
層）と合わせて形成される。この場合、内側半導電層６
は押出外部半導電層となる。外側半導電層７は、充電電
流による発熱および発生電圧が無視し得る抵抗値（低抵
抗値）を有するもので、単なる導電性テープ若しくは金
属線入りや金属線巻き遮蔽層（低抵抗導電性ゴム引きテ
ープ、銅線入り導電性ゴム引きテープ、導電性ゴム引き
テープ巻き上に銅線横巻きを施した層等）により形成さ
れ、例えば半導電性ゴム引きの繊維テープを使用して形
成される。この外側半導電層７は縁切りするときに除去
され、内側半導電層６はそのままの状態で残して縁切り
部が構成される。このため、内側半導電層６は、縁切り
部誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響が許
容できる程度の抵抗値、つまり縁切り部に必要な抵抗値
を有するようにする。
１の絶縁体２上に外部半導電層３、金属シース４、防食
層５が順次設けられている。半導電層は、図示していな
いが導体１と絶縁体２との間にも電界を緩和する目的で
設けられている。すなわち、ケーブルの絶縁体２の等電
位線を同心状にすること及び導体１と絶縁体２、絶縁体
２と外部遮蔽との間を隙間なく埋めて部分放電の発生を
防ぐことである。外部半導電層３は、内側と外側の二層
構造に形成され、内側（絶縁体に接する部分）は比較的
高抵抗の半導電層６、外側は比較的低抵抗の半導電層７
が設けられている。内側半導電層６は、例えば半導電性
ポリエチレンで、絶縁体（例えばポリエチレン絶縁体）
２と同時に押し出し、導体１上の半導電層（内部半導電
層）と合わせて形成される。この場合、内側半導電層６
は押出外部半導電層となる。外側半導電層７は、充電電
流による発熱および発生電圧が無視し得る抵抗値（低抵
抗値）を有するもので、単なる導電性テープ若しくは金
属線入りや金属線巻き遮蔽層（低抵抗導電性ゴム引きテ
ープ、銅線入り導電性ゴム引きテープ、導電性ゴム引き
テープ巻き上に銅線横巻きを施した層等）により形成さ
れ、例えば半導電性ゴム引きの繊維テープを使用して形
成される。この外側半導電層７は縁切りするときに除去
され、内側半導電層６はそのままの状態で残して縁切り
部が構成される。このため、内側半導電層６は、縁切り
部誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響が許
容できる程度の抵抗値、つまり縁切り部に必要な抵抗値
を有するようにする。
【００１５】これは、遮蔽層縁切り部で内側層を残した
場合の問題点が １．縁切り部誘起電圧による発熱（押出外部半導電層抵
抗が小さい程大） ２．充電電流による発熱（押出外部半導電層抵抗が大き
い程大） ３．系統の異常電圧 であるからである。
場合の問題点が １．縁切り部誘起電圧による発熱（押出外部半導電層抵
抗が小さい程大） ２．充電電流による発熱（押出外部半導電層抵抗が大き
い程大） ３．系統の異常電圧 であるからである。
【００１６】具体的には、図２に示すように、内側半導
電層６を残して部分的に外側半導電層７及び金属シース
４等を切断除去して、この除去部を絶縁筒８で縁切りし
た外筒９で覆った構造の縁切り部１０の場合について述
べると次のようになる。尚、図２中１１は外筒９の端部
をシールする防水、防食シール部を示す。また、内側半
導電層６は同時押し出しにより形成させたものとする。
電層６を残して部分的に外側半導電層７及び金属シース
４等を切断除去して、この除去部を絶縁筒８で縁切りし
た外筒９で覆った構造の縁切り部１０の場合について述
べると次のようになる。尚、図２中１１は外筒９の端部
をシールする防水、防食シール部を示す。また、内側半
導電層６は同時押し出しにより形成させたものとする。
【００１７】縁切り部誘起電圧による発熱については、
内側半導電層６（押出外部半導電層）の厚さ（図２中の
ｔ）を 1mm、縁切り部１０の電極間距離（図２中のｌ）
を30cmとすると、俵積、クロスボンド布設、送電容量 1
500MVA/cct時の、ケーブル長さと縁切り部電極間誘起電
圧、押出外部半導電層の体積固有抵抗と発熱量の関係は
図７に示すようになる。ここで、押出外部半導電層の発
熱を、導体発熱量0.30w/cm、アルミ被覆の場合のシース
損0.38w/cm、に対して0.3w/cm まで許容するものとし、
クロスボンドスパン長を 2000m以上（１クロスボンド長
6000m程度）にするものとすると、図７より押出外部半
導電層の体積抵抗を約 3×103 Ωcm以上にする必要があ
る。
内側半導電層６（押出外部半導電層）の厚さ（図２中の
ｔ）を 1mm、縁切り部１０の電極間距離（図２中のｌ）
を30cmとすると、俵積、クロスボンド布設、送電容量 1
500MVA/cct時の、ケーブル長さと縁切り部電極間誘起電
圧、押出外部半導電層の体積固有抵抗と発熱量の関係は
図７に示すようになる。ここで、押出外部半導電層の発
熱を、導体発熱量0.30w/cm、アルミ被覆の場合のシース
損0.38w/cm、に対して0.3w/cm まで許容するものとし、
クロスボンドスパン長を 2000m以上（１クロスボンド長
6000m程度）にするものとすると、図７より押出外部半
導電層の体積抵抗を約 3×103 Ωcm以上にする必要があ
る。
【００１８】充電電流による発熱については、図８にお
いて、許容発熱量を 0.3w/cmとすると、体積抵抗は 5×
104 Ωcm以下にする必要がある。
いて、許容発熱量を 0.3w/cmとすると、体積抵抗は 5×
104 Ωcm以下にする必要がある。
【００１９】なお、充電電流のうち径方向に流れる分に
ついては、図９に示すように、押出外部半導電層の体積
抵抗が107 Ωcm以下であれば、発熱の影響はほとんどな
い。
ついては、図９に示すように、押出外部半導電層の体積
抵抗が107 Ωcm以下であれば、発熱の影響はほとんどな
い。
【００２０】よって、押出外部半導電層として体積抵抗
が 3×103 〜 5×104 Ωcmで厚さが1mmの半導電層のケ
ーブルを用い、金属遮蔽層縁切り部では押出外部半導電
層はそのまま残し、電極間距離を30cmとすれば発熱量は
おおよそ 0.3w/cm以下となる。
が 3×103 〜 5×104 Ωcmで厚さが1mmの半導電層のケ
ーブルを用い、金属遮蔽層縁切り部では押出外部半導電
層はそのまま残し、電極間距離を30cmとすれば発熱量は
おおよそ 0.3w/cm以下となる。
【００２１】また、押出外部半導電層発熱量を0.1w/cm
以下にするには、図７，図８から体積抵抗は 8×103 Ω
cm以上、 2×104 Ωcm以下にする必要がある。
以下にするには、図７，図８から体積抵抗は 8×103 Ω
cm以上、 2×104 Ωcm以下にする必要がある。
【００２２】これにより、ケーブルの電圧サイズ、クロ
スボンド長、許容発熱量、電極間長が変れば、押出外部
半導電層の必要な体積抵抗も異なるので、線路およびケ
ーブルの条件に応じて最適な体積抵抗範囲を求めて、ケ
ーブルの設計、製造をするようにする。
スボンド長、許容発熱量、電極間長が変れば、押出外部
半導電層の必要な体積抵抗も異なるので、線路およびケ
ーブルの条件に応じて最適な体積抵抗範囲を求めて、ケ
ーブルの設計、製造をするようにする。
【００２３】従って、ケーブルの外部半導電層３を、縁
切り部誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響
を許容できる程度の抵抗値を有する内側半導電層６と、
縁切りするときに除去され、充電電流による発熱や発生
電圧が無視し得る抵抗値を有する外側半導電層７とで形
成することにより、外部半導電層３を残して構成した場
合における遮蔽層縁切り部誘起電圧や充電電流により発
生する熱による影響を許容できる程度に防止することが
できる。又、内側半導電層６を押出半導電層で構成する
と共に、外側半導電層７を半導電性テープ若しくは銅線
入り半導電性テープで形成することで、外側半導電層７
のみを容易に除去することができる。このため、ケーブ
ルの途中の任意の場所に遮蔽層縁切り部１０を設けるこ
とが容易となる。特に超高圧ＣＶケーブルでは、外部半
導電層を削ることに接続部並の施工と管理と作業時間と
が必要であったが、本発明ケーブルを使用して押出外部
半導電層を残すことにより、作業環境の管理と作業時間
が大幅に低減される。これによって、信頼性が向上し、
かつ作業性が向上する高圧ケーブルが得られることにな
る。
切り部誘起電圧や充電電流により発生する熱による影響
を許容できる程度の抵抗値を有する内側半導電層６と、
縁切りするときに除去され、充電電流による発熱や発生
電圧が無視し得る抵抗値を有する外側半導電層７とで形
成することにより、外部半導電層３を残して構成した場
合における遮蔽層縁切り部誘起電圧や充電電流により発
生する熱による影響を許容できる程度に防止することが
できる。又、内側半導電層６を押出半導電層で構成する
と共に、外側半導電層７を半導電性テープ若しくは銅線
入り半導電性テープで形成することで、外側半導電層７
のみを容易に除去することができる。このため、ケーブ
ルの途中の任意の場所に遮蔽層縁切り部１０を設けるこ
とが容易となる。特に超高圧ＣＶケーブルでは、外部半
導電層を削ることに接続部並の施工と管理と作業時間と
が必要であったが、本発明ケーブルを使用して押出外部
半導電層を残すことにより、作業環境の管理と作業時間
が大幅に低減される。これによって、信頼性が向上し、
かつ作業性が向上する高圧ケーブルが得られることにな
る。
【００２４】また、異常電圧に対しては従来から提案さ
れているように内側半導電層６（押出外部半導電層）上
を補強したり、アレスタを設置する等の方法もあるが、
これらの対応で不十分の場合もある。又、遮蔽層縁切り
部の押出外部半導電層のみの部分については、外部半導
電層抵抗が大きいので、導体遮蔽層間印加電圧の一部
が、外部半導電層外部に洩れ出ることが考えられる。縁
切り部の押出外部半導電層のみの長さをｇ＝30cmとし
て、図１０に示す浮動電位計算モデルに基づいて押出外
部半導電層中央部の電位を算出すると図１１のようにな
る。押出外部半導電層の体積抵抗を 5×105 Ωcm（前記
実施例の最大値）とすると、商用周波電圧に対しては0.
1 ％以下、雷インパルス電圧に対しては数％となる。こ
のため、図２のような押出外部半導電層が裸もしくは若
干の絶縁補強のみでは困難となることがある。このた
め、押出外部半導電層上に図３に示すようなストレスコ
ーンやテープ巻きモールド法による補強絶縁層を縁切り
部１０に設けるようにすることが好ましい。
れているように内側半導電層６（押出外部半導電層）上
を補強したり、アレスタを設置する等の方法もあるが、
これらの対応で不十分の場合もある。又、遮蔽層縁切り
部の押出外部半導電層のみの部分については、外部半導
電層抵抗が大きいので、導体遮蔽層間印加電圧の一部
が、外部半導電層外部に洩れ出ることが考えられる。縁
切り部の押出外部半導電層のみの長さをｇ＝30cmとし
て、図１０に示す浮動電位計算モデルに基づいて押出外
部半導電層中央部の電位を算出すると図１１のようにな
る。押出外部半導電層の体積抵抗を 5×105 Ωcm（前記
実施例の最大値）とすると、商用周波電圧に対しては0.
1 ％以下、雷インパルス電圧に対しては数％となる。こ
のため、図２のような押出外部半導電層が裸もしくは若
干の絶縁補強のみでは困難となることがある。このた
め、押出外部半導電層上に図３に示すようなストレスコ
ーンやテープ巻きモールド法による補強絶縁層を縁切り
部１０に設けるようにすることが好ましい。
【００２５】例えば、図３に示すように、内側半導電層
６を残して部分的に外側半導電層７及び金属シース４等
を切断除去した縁切り部（内側半導電層６上の縁切り
部）１０にプレモールドのゴム製の電界緩和絶縁補強層
（ストレスコーン）１２を設ける。すなわち、除去され
た外側半導電層７の端部にそれぞれ電極１３を設け、こ
れら電極１３を絶縁補強体１４で覆い、この絶縁補強体
１４を絶縁筒８で縁切りした外筒９で覆った構造の縁切
り部１０とする。このように外側半導電層７の縁切り部
１０にストレスコーン１２を設けることで、簡単な構造
で異常電圧に対して十分に対応することができる。これ
によって、縁切り部１０の構造が簡単でしかも異常電圧
に対して十分に対応することができる高圧ケーブルが得
られる。
６を残して部分的に外側半導電層７及び金属シース４等
を切断除去した縁切り部（内側半導電層６上の縁切り
部）１０にプレモールドのゴム製の電界緩和絶縁補強層
（ストレスコーン）１２を設ける。すなわち、除去され
た外側半導電層７の端部にそれぞれ電極１３を設け、こ
れら電極１３を絶縁補強体１４で覆い、この絶縁補強体
１４を絶縁筒８で縁切りした外筒９で覆った構造の縁切
り部１０とする。このように外側半導電層７の縁切り部
１０にストレスコーン１２を設けることで、簡単な構造
で異常電圧に対して十分に対応することができる。これ
によって、縁切り部１０の構造が簡単でしかも異常電圧
に対して十分に対応することができる高圧ケーブルが得
られる。
【００２６】また、図４に示すように縁切り部（剥取り
部）１０における内側半導電層６上に導電性テープ２０
を巻き、これにより縁切り部１０の抵抗を必要な値に設
定する。このようにしても、簡単な構造で異常電圧に対
して十分に対応することができる。さらに、図５に示す
ように縁切り部１０における内側半導電層６上を絶縁テ
ープ２１等により絶縁補強する。この際、絶縁テープ２
１と共に導電性テープを巻いてモールドすることが望ま
しい。このように、縁切り部１０における内側半導電層
６上にテープ２１を巻きこれをモールドすることで、簡
単な構造で異常電圧に対して十分に対応することができ
る。さらにまた、図６に示すように縁切り部１０におけ
る内側半導電層６上に絶縁層２２を設けると共に、この
絶縁層２２上にさらに低抵抗半導電層２３を設けるよう
にする。この低抵抗半導電層２３はテープ外部半導電層
（外側半導電層７）縁切り部の片側のテープ外部半導電
層に接続し、反対側のテープ外部半導電層とは絶縁して
おくようにする。このようにしても、簡単な構造で異常
電圧に対して十分に対応することができる。
部）１０における内側半導電層６上に導電性テープ２０
を巻き、これにより縁切り部１０の抵抗を必要な値に設
定する。このようにしても、簡単な構造で異常電圧に対
して十分に対応することができる。さらに、図５に示す
ように縁切り部１０における内側半導電層６上を絶縁テ
ープ２１等により絶縁補強する。この際、絶縁テープ２
１と共に導電性テープを巻いてモールドすることが望ま
しい。このように、縁切り部１０における内側半導電層
６上にテープ２１を巻きこれをモールドすることで、簡
単な構造で異常電圧に対して十分に対応することができ
る。さらにまた、図６に示すように縁切り部１０におけ
る内側半導電層６上に絶縁層２２を設けると共に、この
絶縁層２２上にさらに低抵抗半導電層２３を設けるよう
にする。この低抵抗半導電層２３はテープ外部半導電層
（外側半導電層７）縁切り部の片側のテープ外部半導電
層に接続し、反対側のテープ外部半導電層とは絶縁して
おくようにする。このようにしても、簡単な構造で異常
電圧に対して十分に対応することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば次のような
優れた効果を奏する。
優れた効果を奏する。
【００２８】(1) 請求項１の構成によれば、信頼性が
向上し、かつ作業性が向上する高圧ケーブルが得られ
る。
向上し、かつ作業性が向上する高圧ケーブルが得られ
る。
【００２９】(2) 請求項２，３の構成によれば、信頼
性及び作業性が向上し、簡単な構造でしかも異常電圧に
対して十分に対応することができる縁切り部を有する高
圧ケーブルが得られる。
性及び作業性が向上し、簡単な構造でしかも異常電圧に
対して十分に対応することができる縁切り部を有する高
圧ケーブルが得られる。
【図１】本発明の高圧ケーブルの一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の高圧ケーブルの途中に縁切り部を設け
る一例を示す断面図である。
る一例を示す断面図である。
【図３】本発明の高圧ケーブルの途中に縁切り部を設け
る好適な一例を示す断面図である。
る好適な一例を示す断面図である。
【図４】本発明の高圧ケーブルの途中に縁切り部を設け
る他の例を示す断面図である。
る他の例を示す断面図である。
【図５】本発明の高圧ケーブルの途中に縁切り部を設け
る他の例を示す断面図である。
る他の例を示す断面図である。
【図６】本発明の高圧ケーブルの途中に縁切り部を設け
る他の例を示す断面図である。
る他の例を示す断面図である。
【図７】シース誘起電圧におけるケーブル長さと外部半
導電層の発熱量との関係を示す図である。
導電層の発熱量との関係を示す図である。
【図８】長さ方向に流れる充電電流による半導電層体積
抵抗と外部半導電層の発熱量との関係を示す図である。
抵抗と外部半導電層の発熱量との関係を示す図である。
【図９】径方向に流れる充電電流による半導電層体積抵
抗と外部半導電層の発熱量との関係を示す図である。
抗と外部半導電層の発熱量との関係を示す図である。
【図１０】浮動電位計算モデルの一例を示す構成図であ
る。
る。
【図１１】密度（ρ）と浮動電位との関係を示す図であ
る。
る。
１ 導体 ２ 絶縁体 ３ 外部半導電層 ４ 金属シース ５ 防食層 ６ 内側半導電層 ７ 外側半導電層 ８ 絶縁筒 ９ 外筒 １０ 縁切り部 １１ 防水防食シール部 １２ ストレスコーン １３ 電極 １４ 補強絶縁体
Claims (3)
- 【請求項１】 導体の絶縁体上に外部半導電層を有する
ケーブルにおいて、前記外部半導電層を、縁切り部誘起
電圧や充電電流により発生する熱による影響が許容でき
る程度の抵抗値を有する内側半導電層と、縁切りすると
きに除去され、充電電流による発熱や発生電圧が無視し
得る抵抗値を有する外側半導電層とで形成したことを特
徴とする高圧ケーブル。 - 【請求項２】 導体の絶縁体上に外部半導電層を有する
ケーブルにおいて、前記外部半導電層を、縁切り部誘起
電圧や充電電流により発生する熱による影響が許容でき
る程度の抵抗値を有する内側半導電層と、充電電流によ
る発熱や発生電圧が無視し得る抵抗値を有する外側半導
電層とで形成し、その内側半導電層を残して部分的に外
側半導電層を除去して外側半導電層の縁切り部上に補強
絶縁層を設け、その補強絶縁層の外周を絶縁筒で縁切り
した外筒で覆ったことを特徴とする高圧ケーブル。 - 【請求項３】 導体の絶縁体上に外部半導電層を有する
ケーブルにおいて、前記外部半導電層を、縁切り部誘起
電圧や充電電流により発生する熱による影響が許容でき
る程度の抵抗値を有する内側押出半導電層と、充電電流
による発熱や発生電圧が無視し得る抵抗値を有する半導
電性テープ若しくは銅線入り半導電性テープよりなる外
側半導電層とで形成し、その内側半導電層を残して部分
的に外側半導電層を除去して外側半導電層の縁切り部の
外周に絶縁テープ若しくは絶縁テープと導電性テープと
を巻いてこれをモールドし、この補強絶縁された部分の
外周を絶縁筒で縁切りした外筒で覆ったことを特徴とす
る高圧ケーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP557995A JPH08195129A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 高圧ケーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP557995A JPH08195129A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 高圧ケーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195129A true JPH08195129A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11615148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP557995A Pending JPH08195129A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 高圧ケーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195129A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018528746A (ja) * | 2015-08-04 | 2018-09-27 | ネクサン | 金属シースとｈｖｄｃ ｍｉケーブルを電気的に分離する方法 |
| EP3324642B1 (en) * | 2015-07-16 | 2023-12-13 | Sony Group Corporation | Receiving device, transmitting device, and data processing method |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP557995A patent/JPH08195129A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3324642B1 (en) * | 2015-07-16 | 2023-12-13 | Sony Group Corporation | Receiving device, transmitting device, and data processing method |
| JP2018528746A (ja) * | 2015-08-04 | 2018-09-27 | ネクサン | 金属シースとｈｖｄｃ ｍｉケーブルを電気的に分離する方法 |
| EP3128630B1 (en) * | 2015-08-04 | 2024-02-21 | Nexans | Method for electrical separation of the metallic sheath a hvdc mi cable |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20070064667A (ko) | 기하학적 스트레스 릴리프 요소를 고전압 케이블 종단장치로 이송하는 방법 | |
| US11006484B2 (en) | Shielded fluoropolymer wire for high temperature skin effect trace heating | |
| KR20160088780A (ko) | 조인트슬리브 및 중간접속구조 | |
| JP5903701B2 (ja) | 直流ケーブル用終端接続部 | |
| JP5606252B2 (ja) | ポリマー套管 | |
| US3828114A (en) | Synthetic resin sleeve with embedded stress control screen for high-voltage cables | |
| JPH08195129A (ja) | 高圧ケーブル | |
| JP2009033960A (ja) | 絶縁成形体およびこれを用いた接続部材の接続部 | |
| CN215183141U (zh) | 一种电力抢修用中压搭接盘卷电缆 | |
| US3792191A (en) | Enclosure for conductor of electrical transmission system | |
| JP6428224B2 (ja) | 電力ケーブル用ポリマー接続部及び鉄道車両 | |
| KR101550030B1 (ko) | 초고압 전력케이블 절연접속함의 보호 및 절연 원통관 | |
| JPH08122401A (ja) | 長距離電力ケーブル線路の耐電圧試験方法 | |
| JP6628245B2 (ja) | アルミニウム導体ケーブルの端末接続部 | |
| CN209929940U (zh) | 一种高压交联聚乙烯绝缘电缆模塑式绝缘接头 | |
| JP3281557B2 (ja) | 電力ケーブルプレハブ形絶縁接続部 | |
| JPS5832448Y2 (ja) | 絶縁接続部の遮蔽縁切り部 | |
| JP7240606B2 (ja) | 電力ケーブルの中間接続構造 | |
| JP5238016B2 (ja) | 接続母線 | |
| KR200177486Y1 (ko) | 절연케이블 | |
| US20060081393A1 (en) | Modular skirt systems and method of using | |
| KR20220077592A (ko) | 전력케이블의 중간접속함 | |
| JP2545830B2 (ja) | ゴム・プラスチツク絶縁交流電力ケ−ブル | |
| JP3571143B2 (ja) | 金属被架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル | |
| KR20230175124A (ko) | 직류 전력케이블 시스템 |