JPH08179098A - X線集光光学系 - Google Patents

X線集光光学系

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JPH08179098A
JPH08179098A JP32211994A JP32211994A JPH08179098A JP H08179098 A JPH08179098 A JP H08179098A JP 32211994 A JP32211994 A JP 32211994A JP 32211994 A JP32211994 A JP 32211994A JP H08179098 A JPH08179098 A JP H08179098A
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JP
Japan
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ray
optical system
mirror
schult
schwarz
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Application number
JP32211994A
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English (en)
Inventor
Kazuteru Tsuchida
一輝 土田
Masahiro Fujima
正博 藤間
Hitoshi Shimizu
清水  仁
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 シュワルツシュルトX線集光系において、空
間分解能を低下させずに大面積のX線光源像を結像可能
とし、また、必要に応じて特定の領域のみを選択して観
測できる光学系を提供すること。 【構成】 X線光源5からの射出光は可回転平面ミラー
3により光路を曲げられ、シュワルツシュルト光学系を
構成する小口径の凸面鏡1に入射され、大面積の凹面鏡
2により反射されてX線集光点6にX線像を球面収差が
小さい状態で縮小して結像される。また可回転平面ミラ
ー3を駆動装置4により回転駆動並びに首振り運動させ
るように駆動することにより2次元走査を行ない、大面
積のX線像を結像させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム加熱により
高融点金属を蒸発させる装置等の電子ビームプロファイ
ルモニター用のX線集光光学系、あるいは、半導体リソ
グラフィにおけるX線露光装置におけるX線集光光学系
に係り、特に大面積のX線像を高分解で結像するX線集
光光学系に関する。
【0002】
【従来の技術】これまで半導体リソグラフィや電子ビー
ムモニターの分野では、2次元的に拡がったX線像の集
光結像光学系として、 ・ピンホール結像系 ・ゾーンプレートによる直入射結像系、 ・ウオルター型等の斜入射結像系、 ・金属多層膜コーテイングによる直入射反射型結像系、 が検討されてきた。この中で、ピンホール結像系はあら
ゆる波長のX線2次元分布像を撮ることができるが、空
間分解能を向上させようとすると集光系が暗くなるとい
う本質的な問題を抱えており、また、ゾーンプレートに
よる直入射結像系および図2にその構成を示す斜入射光
学系は、大面積のX線像の結像特性が良くないという問
題があった。図2において7は、斜入射ミラー(ウオル
ター型)、8は、X線生成用ターゲット(金)、9は大
出力ガラスレーザ光、11は、2次元X線検出器であ
る。
【0003】一方、金属多層膜コーテイングした金属ミ
ラーを用いたX線直入射集光系は、上記の各結像系に比
べ空間分解能が良いので、半導体リソグラフでのX線集
光系として種々の光学系が検討されてきた。
【0004】この直入射型X線結像系の結像特性は、基
本的には可視領域の特性と同様であるので、可視領域で
物点上の広い範囲で良好な空間分解能を持つことが知ら
れているカセグレン式光学系(放物凹面と双曲凸面で構
成)が、大面積X線集光用光学系として適当と考えられ
る。
【0005】しかし、X線用のミラーの反射率は可視領
域のミラーに比べ面粗さに敏感であり、波長が約5nmの
X線を集光する場合には、ミラーの平均粗さが0.5nm以
上になると反射率が大幅に低下してしまう。したがっ
て、X線用のミラーとしては、表面粗さ精度が高くでき
る球面ミラーを組み合わせたシュワルツシュルト型集光
系(凹凸の2枚の球面鏡の組合せで、凹面ミラーと凸面
ミラーの曲率中心が同一点となるようにミラーを設置さ
せ球面収差を最小としたもの)が、直入射型X線集光用
光学系として適当と考えられている(図3(a))。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち、
シュワルツシュルト型集光系の代表例として大阪大学が
製作したシュワルツシュルト型集光系を例に、従来のX
線集光光学系の問題点を示す。
【0007】阪大が採用した拡大光学系は、凹面ミラー
と凸面ミラーの曲率中心を同一点となるようにミラーを
設置しており(図3(a))、このとき球面収差を光線追
跡法で評価すると、図4(a)に示すように良い空間分解
能が得られることがわかる。(阪大の光学系は顕微鏡の
配置となっているが、光源から出たX線が凹面鏡の中心
より離れたところに入射すると、集光点はミラーの球面
収差により最大で0.3mmだけ後にずれるが、これによる
焦点面上での像のぼけは約2.2μmと十分小さく、球面収
差は小さい。)このシュワルツシュルト型光学系を、X
線リソグラフィやX線プロファイルモニター用の縮小光
学系とするために、光源と凹面鏡との距離を大きくと
り、光学系を拡大光学系から縮小光学系とする場合(図
3(b)、縮小率約1/15の時)、図4(b)に示すように空
間分解能が大幅に低下してしまうという問題があった。
即ち、図に示すような配置の球面収差は拡大光学系の30
倍も大きく、焦点面上では0.78mmしか得られなかった。
このことより、シュワルツシュルト光学系では、単純に
ミラーの間隔を変えて拡大率を調整するだけでは、球面
収差が大きくなり実用にならないという問題があった。
【0008】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、シュワルツシュルトX線集光系において、
空間分解能を低下させずに大面積のX線光源像を結像可
能とし、また、必要に応じて特定の領域のみを選択して
観測できるX線集光光学系並びにこのX線集光光学系を
適用した応用装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の第1のX線集光
光学系は、小口径の凸面鏡と大面積の凹面鏡をそれぞれ
の曲率中心が同一点となるように設置したシュワルツシ
ュルト光学系を有するX線集光光学系において、前記小
口径の凸面鏡を対物レンズとすると共に、前記シュワル
ツシュルト光学系の光軸に対して所定の角度をなすよう
に配置された平面ミラーと、該平面ミラーの前記シュワ
ルツシュルト光学系の光軸に対する設定角度を調整する
駆動手段とを有することを特徴とする。
【0010】また本発明の第2のX線集光光学系は、小
口径の凸面鏡と大面積の凹面鏡をそれぞれの曲率中心が
同一点となるように設置したシュワルツシュルト光学系
を有するX線集光光学系において、前記小口径の凸面鏡
を対物レンズとすると共に、前記シュワルツシュルト光
学系の光軸に対して所定の角度をなすように配置された
平面ミラーと、該平面ミラーの前記シュワルツシュルト
光学系の光軸に対する設定角度を調整する駆動手段とを
有し、前記平面ミラーを2以上に分割して分割された各
鏡面でのコーテイング条件を変えることで反射波長を選
択し、異なるX線波長の強度分布をX線集光面上の異な
る領域に結像させるように構成したことを特徴とする。
【0011】更に本発明の第3のX線集光光学系は、小
口径の凸面鏡と大面積の凹面鏡をそれぞれの曲率中心が
同一点となるように設置したシュワルツシュルト光学系
を有するX線集光光学系において、前記小口径の凸面鏡
を対物レンズとすると共に、前記シュワルツシュルト光
学系の光軸に対して所定の角度をなすように配置された
平面ミラーと、該平面ミラーの前記シュワルツシュルト
光学系の光軸に対する設定角度を調整する駆動手段とを
有し、前記平面ミラーを2枚以上のミラーを所定角度を
なすように取り付け、その取り付け角を調整することに
より異なるX線光源の位置におけるX線強度分布をX線
集光面上の異なる領域に結像させるように構成したこと
を特徴とする。
【0012】本発明のX線カメラは、上記第1乃至第3
のいずれかのX線集光光学系を、電子ビーム金属蒸発装
置における電子ビームプロファイルモニターとして用い
たX線カメラの集光光学系に適用したことを特徴とす
る。
【0013】本発明のX線リソグラフィ装置は、上記第
1ののX線集光光学系と、複数のX線光源と、該複数の
X線光源の上方に該複数のX線光源に対応して配置され
る複数のX線リソグラフィ用回路パターン原図とを有
し、前記複数のX線光源から射出されるX線が前記X線
リソグラフィ用回路パターン原図を透過して形成される
前記回路パターンのX線像を、前記平面ミラーの設定角
度を前記駆動手段により変化させることにより前記X線
集光光学系のX線集光面に配置されるX線露光用大面積
シリコン基板上に結像させることを特徴とする。
【0014】
【作用】従来のシュワルツシュルト型光学系を反転させ
て凸面鏡を対物レンズとする構成で用いることにより
(図3(c))、シュワルツシュルト光学系の光軸近傍の
X線像を球面収差が小さい状態で(図4(c))、縮小し
て結像させることができる。 この光学系で、光軸上で
光源が移動した際のX線像の集光特性を評価した結果を
図5に示す。図中では2つの光学系の集光特性を示し、
図5(a) は曲率半径が小さい短焦点ミラーを用いた場合
の集光特性であり、図5(b) は曲率半径が大きい長焦点
ミラーを用いた場合の集光特性である。この評価結果を
表1にまとめて示す。表中の(1)〜(3)の場合、光源から
X線集光面にその検出面が配置されるX線検出器までの
距離を約1500mmと想定したときの結果であり、(4)〜(6)
は距離を約2000mm(1300〜2300mm)を想定した場合の結
果である。両方とも、光源位置を(2)ないし(5)の位置を
中心として前後500mmずらしても、結像点は2〜3mmずれ
るだけであり、簡単に焦点面位置を調整できると考え
る。
【0015】このように、凸面鏡を対物鏡としたシュワ
ルツシュルト光学系は、球面収差が最小となる光源位置
の前後約500mm程度光源が移動しても、焦点位置をわず
かに補正することで、焦点上での球面収差は高々0.02mm
と小さく、光源とシュワルツシュルト光学系間距離が変
化しても、十分な空間分解能を維持できることがわか
る。
【0016】
【表1】
【0017】次に、光軸に対して垂直方向に有限の広が
りを持つ光源に対しての、凸面鏡を対物鏡としたシュワ
ルツシュルト光学系の集光特性について述べる。例え
ば、金属蒸着装置等でスイープ型電子銃で金属を蒸発さ
せる場合など、そのスイープ長は約1mとなる。したがっ
て本発明に係るX線集光光学系が±500mmの領域をビー
ム径に比べ十分に小さい空間分解能(1mm以下)で一度
に観測できれば、電子ビームモニター用光学系として十
分な性能を持つと考える。
【0018】ここで、凸面鏡を対物鏡としたシュワルツ
シュルト型光学系単体の集光特性を光線追跡法で評価し
た結果を図6に示す。
【0019】これは、光軸に対し垂直方向に光源が拡が
った場合の球面収差評価結果である。例えば、物体高
(ミラー光軸より光源までの距離)が100mmの時、焦点
面上での像のぼけは±0.02 mmとなる。光学系の縮尺率
が約1/15であることから、光源上での空間分解能は
「±0.02mm×15=±0.3mm」となり、目標とする空間分
解能は十分達成できることがわかる。
【0020】しかし、図6より物体高が100mmを越えて
大きくなると球面収差が大きくなることがわかるので、
凸面鏡を対物鏡としたシュワルツシュルト型光学系単体
では±500mmの領域を1mm以下の空間分解能を保持して一
度に観測することは困難と考えられる。このため、図1
に示すようにシュワルツシュルト光学系の前面に回転平
面ミラーを設置し、観測領域を拡大する。シュワルツシ
ュルト光学系の前においた平面ミラーを首振りさせてX
線像を撮ると、光源とミラー間距離が変化することにな
るが、前述したように焦点面の位置ずれを補正すれば空
間分解能が低下することがない特性を利用して、約1mの
領域で良好な空間分解能が達成できる。
【0021】以上述べたように、凸面鏡を対物鏡とした
シュワルツシュルト光学系は広い領域で良好な集光特性
を持つことが光線追跡の結果より確認できた。この光学
系のX線に対する反射率を大きくするためには、ミラー
面にX線反射用多層膜をコートを形成する。これまでに
開発された反射コートの例を以下に示す。
【0022】半導体リソグラフィでは、感光剤の感度特
性からX線の波長領域として約10nmが有望とされてい
る。この領域では、2種類の金属コートを繰り返し施す
ことにより、安定で高い反射率(数十%以上)が得られ
ている。例えば、波長13nmでのX線集光用シュワルツシ
ュルト光学系の多層膜コーテイングの仕様は以下のよう
になる。
【0023】(X線反射用多層膜コーテイング仕様例) .反射中心波長;13 nm .シュワルツシュルト反射ミラー基板仕様 基板材料;石英、表面粗さ<0.3nm、面精度<λ/10(6
32nmにて) .多層膜コート仕様 Mo/Si多層膜コート、層の数;20層以上、反射率>50%
(13nmにて) Mo層の厚さ;2.66nm、Si層の厚さ;3.83nm 上記仕様を満たすことで、X線透過率が25%以上のX線
集光光学系が得られる。
【0024】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1には本発明に係るX線集光光学系の一実施例
の基本的構成が示されている。同図において、対物レン
ズとしての小口径の凸面鏡1と、大面積の凹面鏡2は曲
率中心が同一点となるように設置され、シュワルツシュ
ルト光学系を構成している。
【0025】3は可回転平面ミラーであり、駆動装置4
により回転駆動されると共に、首振り運動するように駆
動される。5はX線光源、6はX線集光点である。
【0026】上記構成において、X線光源5からの射出
光は可回転平面ミラー3により光路を曲げられ、シュワ
ルツシュルト光学系を構成する小口径の凸面鏡1に入射
され、大面積の凹面鏡2により反射されてX線集光点6
にX線像を球面収差が小さい状態で縮小して結像され
る。
【0027】また可回転平面ミラー3を駆動装置4によ
り回転駆動並びに首振り運動させるように駆動すること
により2次元走査を行ない、大面積のX線像を結像させ
ることができる。
【0028】次に本発明に係るX線集光光学系をX線カ
メラに適用した実施例を図7を参照して説明する。同図
においてX線カメラは、X線2次元検出器11と、シュ
ワルツシュルト光学系12と、可回転平面ミラー3と、
金属蒸気付着防止用巻取型フィルム20と、真空ポンプ
21とを有している。
【0029】またX線カメラが連結される真空容器18
内にはX線光源5としての金属が入れられたるつぼ16
が収容されており、更に真空容器18内に入射される電
子ビームを偏向させる電子ビーム偏向用コイル17が設
けられている。X線カメラと真空容器18とを連結する
通路はゲートバルブ19により開閉できるように構成さ
れている。14は電子銃である。
【0030】上記構成において電子銃14より射出され
た電子ビーム15は、電子ビーム偏向用コイル17によ
り偏向され、るつぼ16中の金属5に入射すると制動X
線が放出される。この制動X線強度分布より電子ビーム
着点における電子ビーム強度分布が評価できる。るつぼ
16中の金属5の蒸発面から放出された制動X線を金属
多層膜でコーテイングされた可回転平面ミラー3でシュ
ワルツシュルト光学系12の方向に曲げ、シュワルツシ
ュルトミラー光学系でX線像を縮小した後、2次元X線
検出器11で上記制動X線の強度分布を測定する。
【0031】以下、各構成について具体的に説明する。
【0032】制動X線の反射用ミラーは蒸発面を直視す
るために、コーテイング面に蒸発金属が付着し反射率が
低下する可能性がある。これを防止するためには、平面
ミラーの下部に蒸気遮断用のフィルムを設置する必要が
ある。例えば、波長約13nmのX線を観測する場合には、
数ミクロンの厚さのベリリウム薄膜を用いることで蒸気
の遮断が可能となる。フィルムへの蒸気付着量が厚くな
ったときには、フィルムを巻き取りX線の減衰を防止す
る。
【0033】また、金属多層膜でコーテイングされた反
射鏡の代わりに、蒸発金属によりコーテイングされた反
射鏡を用いることも考えられる。この方法は、ミラー上
の金属がはがれるまで連続的に観測できるメリットがあ
るが、単一材料によるコーテイングではX線反射率が小
さいために、X線をミラーに対し斜入射する必要があ
る。例えば、金蒸着ミラーの場合では、100mrad以下の
斜入射であれば反射率は80%以上であり、入射角が200m
radの時は反射率は約62%、300mradでは反射率は約43
%、400mradでは反射率は約23%との報告がある。実用
的な入射角としては300mrad(約20度)程度が必要と考
えると、平面ミラーの反射率として約40%が確保可能と
考える。
【0034】シュワルツシュルト光学系12で縮小され
たX線像は、2次元X線検出器11で測定されるが、X
線は、検出器ヘッドのベリリウム窓を通過して、マルチ
チャンネルプレート(MCP)入口面に塗られたCsIで電
子に変換される(量子効率は約1%)。
【0035】この電子を光電子増倍管等で増幅した後、
蛍光面で可視光の2次元像に変換してCCDカメラで強度
分布を測定することにより、X線強度分布を測定するこ
とができる。このタイプのX線検出器は、MCPによりX
線を電子に変換して増幅しているため、MCP面上で約8μ
m程度に空間分解能が限定される。
【0036】しかしながら、X線集光系の縮小率を約1
/15と仮定すると光源上での空間分解能は約0.12mmとな
り、電子ビーム径に比べ十分小さいと考えられる。
【0037】また、X線検出器内に設置されたMCPに高
圧パルス(パルス高は約2kV、パルス幅は数ns以上)を
印加すると、シャッターを数ns以上のオーダーでオン、
オフすることによりX線をパルス的に計測でき、電子ビ
ームが高速でスキャンされていても、電子ビームの2次
元スポット像を十分な空間分解能をもって撮影できる。
この撮影像をモニターしながら、電子ビームの集光特性
を調整することにより最適な電子ビーム照射条件を精度
良く設定することが可能となる。
【0038】図7に示したX線カメラにおいて、凸面鏡
を対物鏡としたシュワルツシュルト光学系12の前部に
設置した平面ミラー3のコーテイングを部分的に変え
て、それぞれのコーテイングの反射波長を蒸発に用いる
複数の金属の特性X線に一致させることにより、異なる
特性X線を2次元X線検出器11面上の異なる位置に集
光させ、各特性X線強度を測定することで、蒸発面にお
ける金属の合金成分比を評価することができる。
【0039】本発明に係るX線集光光学系の別の実施例
を図8を用いて説明する。凸面鏡1を対物鏡としたシュ
ワルツシュルト光学系12の前部に、2枚以上の平面ミ
ラーをある角度を持たせて組み合わせたX線反射鏡22
を設置し、観測領域を分割する事で、同時に異なる領域
を観測可能とすることができる。図8において5、5’
はX線光源、6、6’はX線集光点、2は凹面鏡であ
り、凹面鏡2にはその中央にX線を通過させるための孔
30が穿設されている。
【0040】また、X線反射鏡22の代わりに複数の平
面ミラーを所定の角度をもたせて帯状につなぎ合わせて
多角柱体とし、これをモータ等の駆動装置により回転駆
動させることにより広い観測領域を高速で掃引するX線
集光光学系を実現することができる。
【0041】本発明に係るX線集光光学系をX線リソグ
ラフィ用装置に適用した実施例を図9を用いて説明す
る。同図において凸面鏡1、凹面鏡2からなり、凸面鏡
1を対物鏡としたシュワルツシュルト光学系12の前部
に可動平面ミラー3が設置されている。凹面鏡2にはそ
の中央にX線を通過させるための孔30が穿設されてい
る。
【0042】上記可動平面ミラー32は駆動装置33に
よりシュワルツシュルト光学系12の光軸に対して角度
を変化させるように駆動されるようになっている。
【0043】シュワルツシュルト光学系12のX線集光
点にはX線露光用シリコン基板26が設置されている。
【0044】また複数のX線源24A,24B,24C
の上方にはX線リソグラフィ用回路パターン原図23
A,23B,23Cが設置されている。
【0045】X線リソグラフィでは、回路パターンをX
線露光によりシリコン等の基板上に転写した後、これを
エッチング操作により現像する。実際の集積回路の製作
では、この操作を複数回、繰り返し実施するために、従
来は複数台のX線露光装置が必要となっていた。
【0046】しかし、図9に示すX線露光装置で複数の
回路パターンのどれを露光するかを、可動平面ミラー3
2の角度を変えることにより選択すれば、一台のX線露
光装置で複数のX線リソグラフィ用回路パターン原図2
3A,23B,23Cの回路パターンをX線露光用シリ
コン基板26に転写することが可能となり、X線露光装
置の台数を大幅に低減することができる。
【0047】
【発明の効果】本発明のX線集光光学系によれば、大面
積のX線像を球面収差が少ない状態で結像させることが
できる。
【0048】また本発明によれば、半導体リソグラフィ
装置や電子ビーム加熱による金属蒸発装置において、シ
ュワルツシュルト光学系と平面ミラーを組み合わせたX
線集光光学系を用いることにより、X線集光光学系本体
を光軸上で移動させることなく広い領域で高分解のX線
2次元像を高感度で集光可能とし、半導体リソグラフィ
装置では大面積のシリコンウエハー上にも回路パターン
を転写することが可能となり、また電子ビーム加熱によ
る金属蒸発装置では金属蒸発面上での電子ビームのビー
ムプロファイルをモニターして電子ビーム照射条件を制
御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る凸面対物鏡型シュワルツシュルト
光学系と平面ミラーとで構成されるX線集光光学系の一
実施例の構成を示す図である。
【図2】斜入射型X線集光光学系の一例を示す構成図で
ある。
【図3】直入射型シュワルツシュルト型X線集光光学系
のX線集光特性を示し、図3(a)は、X線拡大光学系
のX線集光特性を、図3(b)は、大口径凹面鏡を対物
鏡としたときのX線縮小光学系のX線集光特性を、図3
(c)は、小口径凸面鏡を対物鏡としたときのX線縮小
光学系のX線集光特性を、それぞれ示す図である。
【図4】シュワルツシュルト型X線集光光学系のX線集
光特性を示し、図4(a)は、X線拡大光学系の球面収
差を、図4(b)は、大口径凹面鏡を対物鏡としたとき
のX線縮小光学系の球面収差を、図4(c)は、小口径
凸面鏡を対物鏡としたときのX線縮小光学系の球面収差
を、それぞれ示す特性図である。
【図5】凸面対物鏡型シュワルツシュルト光学系の光軸
方向の集光特性を示し、図5(a)は、短焦点ミラー系
の場合を、図5(b)は、長焦点ミラー系の場合を、そ
れぞれ示す特性図である。
【図6】凸面対物鏡型シュワルツシュルト光学系の光軸
方向及び垂直方向の集光特性を示す特性図である。
【図7】本発明に係る凸面対物鏡型シュワルツシュルト
光学系と平面ミラーとで構成されるX線集光光学系をX
線カメラに適用した実施例を示す構成図である。
【図8】分割型平面ミラーを用いたX線カメラの他の実
施例を示す構成図である。
【図9】本発明に係る凸面対物鏡型シュワルツシュルト
光学系と平面ミラーとで構成されるX線集光光学系をX
線リソグラフィ装置に適用した実施例を示す構成図であ
る。
【符号の説明】
1 シュワルツシュルト光学系凸面鏡 2 シュワルツシュルト光学系凹面鏡 3 可回転平面ミラー 4 駆動装置 5 X線光源 6 X線集光点 7 斜入射ミラー(ウオルター型) 8 X線生成用ターゲット(金) 9 大出力ガラスレーザ光 10 X線集光可能領域 11 X線2次元検出器 12 シュワルツシュルト光学系 13 X線光跡 14 電子銃 15 電子ビーム 16 るつぼ 17 電子ビーム偏向用コイル 18 真空容器 19 ゲートバルブ 20 金属蒸気付着防止用巻取型フィルム 21 真空ポンプ 22 分割型平面ミラー 23 X線リソグラフィ用回路パターン原図 24 X線光源 25 X線 26 X線露光用シリコン基板 30 孔 32 可動平面ミラー 33 駆動装置

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 小口径の凸面鏡と大面積の凹面鏡をそれ
    ぞれの曲率中心が同一点となるように設置したシュワル
    ツシュルト光学系を有するX線集光光学系において、 前記小口径の凸面鏡を対物レンズとすると共に、前記シ
    ュワルツシュルト光学系の光軸に対して所定の角度をな
    すように配置された平面ミラーと、 該平面ミラーの前記シュワルツシュルト光学系の光軸に
    対する設定角度を調整する駆動手段とを有することを特
    徴とするX線集光光学系。
  2. 【請求項2】 小口径の凸面鏡と大面積の凹面鏡をそれ
    ぞれの曲率中心が同一点となるように設置したシュワル
    ツシュルト光学系を有するX線集光光学系において、 前記小口径の凸面鏡を対物レンズとすると共に、前記シ
    ュワルツシュルト光学系の光軸に対して所定の角度をな
    すように配置された平面ミラーと、 該平面ミラーの前記シュワルツシュルト光学系の光軸に
    対する設定角度を調整する駆動手段とを有し、 前記平面ミラーを2以上に分割して分割された各鏡面で
    のコーテイング条件を変えることで反射波長を選択し、
    異なるX線波長の強度分布をX線集光面上の異なる領域
    に結像させるように構成したことを特徴とするX線集光
    光学系。
  3. 【請求項3】 小口径の凸面鏡と大面積の凹面鏡をそれ
    ぞれの曲率中心が同一点となるように設置したシュワル
    ツシュルト光学系を有するX線集光光学系において、 前記小口径の凸面鏡を対物レンズとすると共に、前記シ
    ュワルツシュルト光学系の光軸に対して所定の角度をな
    すように配置された平面ミラーと、 該平面ミラーの前記シュワルツシュルト光学系の光軸に
    対する設定角度を調整する駆動手段とを有し、 前記平面ミラーを2枚以上のミラーを所定角度をなすよ
    うに取り付け、その取り付け角を調整することにより異
    なるX線光源の位置におけるX線強度分布をX線集光面
    上の異なる領域に結像させるように構成したことを特徴
    とするX線集光光学系。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載のX線
    集光光学系を、電子ビーム金属蒸発装置における電子ビ
    ームプロファイルモニターとして用いたX線カメラの集
    光光学系に適用したことを特徴とするX線カメラ。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載のX線集光光学系と、 複数のX線光源と、 該複数のX線光源の上方に該複数のX線光源に対応して
    配置される複数のX線リソグラフィ用回路パターン原図
    とを有し、 前記複数のX線光源から射出されるX線が前記X線リソ
    グラフィ用回路パターン原図を透過して形成される前記
    回路パターンのX線像を、前記平面ミラーの設定角度を
    前記駆動手段により変化させることにより前記X線集光
    光学系のX線集光面に配置されるX線露光用大面積シリ
    コン基板上に結像させることを特徴とするX線リソグラ
    フィ装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6954266B2 (en) * 2001-10-05 2005-10-11 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Method and apparatus for inspecting multilayer masks for defects
JP2010266368A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Japan Science & Technology Agency 走査型リアルタイム顕微システムおよび走査型x線高速描画システム
JP2011196783A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Ulvac Japan Ltd 電子線照射装置、電子線照射領域検出方法、電子線照射方法
CN116149053A (zh) * 2023-03-16 2023-05-23 哈尔滨工业大学 一种极紫外波段光同时实现单点聚焦及波前分割的方法

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