JPH08162881A - Thin film surface acoustic wave element filter and its manufacture - Google Patents
Thin film surface acoustic wave element filter and its manufactureInfo
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- JPH08162881A JPH08162881A JP26048895A JP26048895A JPH08162881A JP H08162881 A JPH08162881 A JP H08162881A JP 26048895 A JP26048895 A JP 26048895A JP 26048895 A JP26048895 A JP 26048895A JP H08162881 A JPH08162881 A JP H08162881A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表面弾性波フィル
タ,及びその製造方法に関し、特に、圧電層の基板との
界面部分に,圧電層の結晶構造に影響を与えないように
形成された電極を有する薄膜表面弾性波フィルタ,及び
その製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave filter and a method for manufacturing the same, and more particularly to an electrode formed at the interface portion of the piezoelectric layer with the substrate so as not to affect the crystal structure of the piezoelectric layer. The present invention relates to a thin film surface acoustic wave filter having the above and a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】図7(a),(b) は従来の表面弾性波フィル
タ(以降SAWフィルタと称する)を示す断面図であ
る。1は振動波の伝搬速度の速い物質,例えばα−Al
2 O3 よりなる基板であり、一般にサファイア基板と呼
ばれるものである。2は蒸着法,スパッタ法により上記
基板1上に形成されたZnO,AlN等のエピタキシャ
ル成長によりなる,もしくは配向性を有する圧電層、3
W,3Eは上記圧電層2上,あるいは上記圧電層2aと
基板1との界面に形成された、Al,Au等の導電性物
質からなるくし型の電極である。2. Description of the Related Art FIGS. 7 (a) and 7 (b) are sectional views showing a conventional surface acoustic wave filter (hereinafter referred to as SAW filter). 1 is a substance having a high propagation velocity of an oscillating wave, for example, α-Al
It is a substrate made of 2 O 3 and is generally called a sapphire substrate. Reference numeral 2 is a piezoelectric layer formed by epitaxial growth of ZnO, AlN, or the like formed on the substrate 1 by vapor deposition or sputtering, or having an orientation.
W and 3E are comb-shaped electrodes made of a conductive material such as Al and Au formed on the piezoelectric layer 2 or at the interface between the piezoelectric layer 2a and the substrate 1.
【0003】図7(c) は図7(a) を上部より見た上面図
である。3W、3Eは導電性物質からなり,かつそれぞ
れ電極部3w, 及び3w’、3e, 及び3e’からなる
くし型の電極を形成している。FIG. 7 (c) is a top view of FIG. 7 (a) seen from above. 3W and 3E are made of a conductive material, and form comb-shaped electrodes made of electrode portions 3w, 3w ', 3e, and 3e', respectively.
【0004】ここで、図7(a) に示した従来の薄膜SA
Wフィルタの製造方法について説明する。図8は上記図
7(a) に示すような薄膜SAWフィルタを製造するため
の製造工程を順に図8(a) から図8(f) に示したもので
ある。図8(a) のように、基板1上に圧電層2をエピタ
キシャル成長により形成し、その後、図8(b) に示すよ
うに、Al,Au等の導電性物質によりなる電極用金属
3を蒸着等により形成する。Here, the conventional thin film SA shown in FIG.
A method of manufacturing the W filter will be described. FIG. 8 shows the manufacturing steps for manufacturing the thin film SAW filter as shown in FIG. 7 (a) in order from FIG. 8 (a) to FIG. 8 (f). As shown in FIG. 8 (a), the piezoelectric layer 2 is formed on the substrate 1 by epitaxial growth, and then, as shown in FIG. 8 (b), the electrode metal 3 made of a conductive material such as Al or Au is deposited. And the like.
【0005】その上に、図8(c) に示すようにレジスト
4を塗布したのち、図8(d) に示すように該レジスト4
をパターニングすることにより、レジストマスク4aを
形成する。次に図8(e) に示すように該パターニングし
たレジストマスク4aをマスクとして、電極用金属3を
エッチングする。その後、上記レジストマスク4aを除
去して電極3W,3Eを形成する。ここで、図8(e) に
示した電極用金属3のエッチングは、圧電層2が両性酸
化物であるような場合、Arガスを用いたイオンミリン
グ等のドライエッチング等の方法により行う。After the resist 4 is applied thereon as shown in FIG. 8 (c), the resist 4 is applied as shown in FIG. 8 (d).
By patterning, a resist mask 4a is formed. Next, as shown in FIG. 8E, the electrode metal 3 is etched using the patterned resist mask 4a as a mask. Then, the resist mask 4a is removed to form the electrodes 3W and 3E. Here, the etching of the electrode metal 3 shown in FIG. 8 (e) is performed by a method such as dry etching such as ion milling using Ar gas when the piezoelectric layer 2 is an amphoteric oxide.
【0006】次に、このような従来の薄膜SAWフィル
タの動作について説明する。くし型電極部3w, 3w’
間に高周波信号を印加すると、該くし型電極の電極幅
(d1 )、電極間隔(d2 )と振動波の伝播速度(Vp
)等によって次式により決まる共振周波数(f)の振
動が得られる。Next, the operation of such a conventional thin film SAW filter will be described. Comb type electrode part 3w, 3w '
When a high frequency signal is applied between the electrodes, the electrode width (d1) of the comb-shaped electrode, the electrode spacing (d2) and the propagation velocity (Vp) of the vibration wave
) Etc., the vibration of the resonance frequency (f) determined by the following equation is obtained.
【0007】[0007]
【数1】 [Equation 1]
【0008】これにより決定される共振周波数(f)表
面弾性波のみが、圧電層2の圧電性を利用した共振作用
により励振される。この振動波が、その伝播速度の速い
基板1内を伝搬して、電極3E側に達し、それぞれ電極
部3e, 3e’からなるくし型電極3Eにより、再び電
気信号として取り出されて、励振された周波数の電気信
号だけが出力される。Only the resonance frequency (f) surface acoustic wave determined by this is excited by the resonance action utilizing the piezoelectricity of the piezoelectric layer 2. This oscillating wave propagates through the substrate 1 having a high propagation speed, reaches the electrode 3E side, and is again extracted as an electric signal and excited by the comb-shaped electrode 3E composed of the electrode portions 3e and 3e '. Only electrical signals of frequency are output.
【0009】ここで、上記共振周波数(f)の高周波化
のためには、上記の式より、上記表面弾性波の媒質中で
の伝搬速度(Vp )が速いことが必要である。しかる
に、電気信号を表面弾性波に変換するために必要な高い
圧電性と、速い振動波の伝搬速度とをともに有する物質
を用いるべきであるが、このようなそれぞれの特性に優
れた物質は限られている。このため従来は図7(a) に示
したように、非圧電性ながら振動波の伝搬速度の速い
(Vp の大きい)α−Al2 O3 等の基板1上に、圧電
性の高いZnO,AlN等の単晶膜を成長させ、その上
に電極を形成した構造のもの,あるいは図7(b) に示し
たように、α−Al2 O3 等の基板1上に電極を形成
し、その電極の隙間,及び上部を配向膜よりなる圧電層
2aで埋めて形成した構造のものを用いている。In order to increase the resonance frequency (f), it is necessary from the above equation that the propagation velocity (Vp) of the surface acoustic wave in the medium is high. Therefore, a substance having both high piezoelectricity necessary for converting an electric signal into a surface acoustic wave and a high propagation velocity of an oscillating wave should be used, but substances excellent in such respective characteristics are limited. Has been. Therefore, conventionally, as shown in FIG. 7A, ZnO, which has high piezoelectricity, is formed on the substrate 1 such as α-Al 2 O 3 which is non-piezoelectric but has a high propagation velocity of vibration waves (large Vp). A structure in which a single crystal film of AlN or the like is grown and an electrode is formed thereon, or as shown in FIG. 7 (b), an electrode is formed on a substrate 1 of α-Al 2 O 3 or the like, A structure having a structure in which the electrode gap and the upper part thereof are filled with a piezoelectric layer 2a made of an alignment film is used.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】上記図7(b) に示すよ
うな構造の薄膜SAWフィルタにおいては、電極3W,
及び3Eを圧電層2と基板1との界面に形成することに
より、伝搬媒体である基板1に直接表面弾性波を伝達
し、基板1から直接表面弾性波を電気信号に変換するこ
とができる。このため電気信号から表面弾性波への,ま
たは表面弾性波から電気信号への変換効率が良く、フィ
ルタの通過損失を小さくするのに非常に有利であるが、
圧電層の材料に制限が生じる。即ち、圧電性材料は、そ
の結晶性が高いほど、その圧電性が高く、このようなS
AWフィルタの場合、圧電層2は基板1に対してエピタ
キシャル成長した単結晶膜よりなるものが望ましいが、
基板上に形成された電極3W,3Eのために、圧電層2
をエピタキシャル成長により形成する際、該圧電層2の
結晶性が著しく劣化し圧電性が低くなるため、図7(b)
に示した構成では、エピタキシャル成長した単結晶膜よ
りなる圧電層を形成する事が困難で、これより圧電性の
劣る配向膜を用いるしかないという問題があった。In the thin film SAW filter having the structure shown in FIG. 7 (b), the electrodes 3W,
By forming 3E and 3E at the interface between the piezoelectric layer 2 and the substrate 1, the surface acoustic wave can be directly transmitted to the substrate 1 which is a propagation medium, and the surface acoustic wave can be directly converted from the substrate 1 into an electric signal. Therefore, the conversion efficiency from the electric signal to the surface acoustic wave or from the surface acoustic wave to the electric signal is good, which is very advantageous for reducing the pass loss of the filter.
There are restrictions on the material of the piezoelectric layer. That is, the higher the crystallinity of a piezoelectric material, the higher its piezoelectricity.
In the case of an AW filter, the piezoelectric layer 2 is preferably made of a single crystal film epitaxially grown on the substrate 1,
Due to the electrodes 3W and 3E formed on the substrate, the piezoelectric layer 2
7 (b) because the crystallinity of the piezoelectric layer 2 is significantly deteriorated and the piezoelectricity is lowered when the film is formed by epitaxial growth.
In the structure shown in (1), it is difficult to form a piezoelectric layer made of an epitaxially grown single crystal film, and there is a problem in that an alignment film having a piezoelectricity lower than that must be used.
【0011】このために従来は、図7(a) に示すエピタ
キシャル成長により形成した圧電層2上に電極3W,3
Eを形成した構造が主に用いられてきた。しかし、この
図7(a) の場合、励振された表面弾性波の主要な振動の
方向は図の水平方向であるが、この主要な水平方向の振
動が基板1に圧電層2を介して伝わる際に、水平方向と
はずれた方向に伝播するので、振動が大きく減衰するこ
とになり、圧電層2によって、表面弾性波の伝播効率を
下げてしまうという問題があった。Therefore, conventionally, electrodes 3W, 3 are formed on the piezoelectric layer 2 formed by epitaxial growth shown in FIG. 7 (a).
The structure forming E has been mainly used. However, in the case of FIG. 7A, although the main vibration direction of the excited surface acoustic wave is the horizontal direction in the figure, this main horizontal vibration is transmitted to the substrate 1 through the piezoelectric layer 2. At this time, since the vibration propagates in a direction deviated from the horizontal direction, the vibration is greatly attenuated, and there is a problem that the piezoelectric layer 2 reduces the propagation efficiency of the surface acoustic wave.
【0012】また、図7(a) に示すような構造のSAW
フィルタの製造工程においては、電極形成工程におい
て、電極用金属3に比べて圧電層2のエッチング速度が
速いため、エッチング時の制御が難しく、Arガスを用
いたイオンミリング等のドライエッチングにより行わな
ければならないという問題があった。Further, a SAW having a structure as shown in FIG.
In the manufacturing process of the filter, since the etching rate of the piezoelectric layer 2 is higher than that of the electrode metal 3 in the electrode forming process, it is difficult to control during etching, and dry etching such as ion milling using Ar gas should be performed. There was a problem that it had to be.
【0013】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、圧電層と基板との界面に、上層
の圧電性単結晶膜の結晶性を劣化させないような電極を
形成することにより、高効率で製造の容易な薄膜SAW
フィルタ,及びその製造方法を提供することを目的とす
る。The present invention has been made to solve the above problems, and an electrode is formed at the interface between the piezoelectric layer and the substrate so as not to deteriorate the crystallinity of the upper piezoelectric single crystal film. As a result, thin film SAW that is highly efficient and easy to manufacture
An object of the present invention is to provide a filter and a manufacturing method thereof.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】この発明に係る薄膜SA
Wフィルタは、基板上にエピタキシャル成長により形成
された半導体よりなる圧電層と、上記圧電層の上記基板
との界面部分に不純物をドーピングして形成された電極
部とを備えたものである。Means for Solving the Problems Thin film SA according to the present invention
The W filter is provided with a piezoelectric layer made of a semiconductor formed by epitaxial growth on a substrate, and an electrode portion formed by doping impurities in the interface portion of the piezoelectric layer with the substrate.
【0015】またこの発明は、上記薄膜SAWフィルタ
において、上記電極部上部の該電極部とは離れた,上記
圧電層中に不純物をドーピングして形成された第2の電
極部を、さらに備えたものである。Further, the present invention further comprises a second electrode portion formed by doping impurities in the piezoelectric layer, which is separated from the electrode portion above the electrode portion, in the thin film SAW filter. It is a thing.
【0016】またこの発明は、上記薄膜SAWフィルタ
において、上記圧電層の上面に表面電極部をさらに備え
たものである。またこの発明は、上記薄膜SAWフィル
タにおいて、上記基板の材料はα−Al2 O3 よりな
り、圧電層の材料はZnOよりなるものである。Further, according to the present invention, in the above thin film SAW filter, a surface electrode portion is further provided on the upper surface of the piezoelectric layer. In the thin film SAW filter according to the present invention, the material of the substrate is α-Al 2 O 3 and the material of the piezoelectric layer is ZnO.
【0017】この発明に係る薄膜SAWフィルタの製造
方法は、基板上にエピタキシャル成長により半導体より
なる圧電層を形成する工程と、その上にレジストを形成
し、これをパターニングしてレジストマスクを形成する
工程と、上記レジストマスクをマスクとして、上記圧電
層にイオン注入を行い、上記基板と上記圧電層との界面
に低抵抗の電極部を形成する工程とを含むものである。In the method of manufacturing a thin film SAW filter according to the present invention, a step of forming a piezoelectric layer made of a semiconductor by epitaxial growth on a substrate, a step of forming a resist on the step, and patterning the resist to form a resist mask. And a step of implanting ions into the piezoelectric layer using the resist mask as a mask to form a low resistance electrode portion at the interface between the substrate and the piezoelectric layer.
【0018】この発明に係る薄膜SAWフィルタの製造
方法は、基板上にエピタキシャル成長により不純物を含
み低抵抗化された半導体よりなる電極層を形成する工程
と、該電極層上にレジストを形成し、これをパターニン
グしてレジストマスクを形成する工程と、上記レジスト
マスクをマスクとして上記電極層をエッチングし、上記
基板上に低抵抗の電極を形成する工程と、上記低抵抗の
電極を覆うように、エピタキシャル成長により半導体よ
りなる圧電層を形成する工程とを備えたものである。A method of manufacturing a thin film SAW filter according to the present invention comprises a step of forming an electrode layer made of a semiconductor containing impurities and having a low resistance by epitaxial growth on a substrate, and forming a resist on the electrode layer. Patterning a resist mask to form a resist mask, etching the electrode layer using the resist mask as a mask to form a low resistance electrode on the substrate, and epitaxially growing to cover the low resistance electrode. And a step of forming a piezoelectric layer made of a semiconductor.
【0019】またこの発明は、上記薄膜SAWフィルタ
の製造方法において、上記工程の後に、さらにエピタキ
シャル成長により、不純物を含み低抵抗化された半導体
よりなる第2の電極層を形成する工程と、その上にレジ
ストを形成し、これをパターニングしてレジストマスク
を形成し、該レジストマスクをマスクとして、上記第2
の電極層をエッチングし、上記圧電層上に第2の電極を
形成する工程と、上記第2の電極を覆うように、エピタ
キシャル成長により半導体よりなる圧電層を形成する工
程とを含むものである。According to the present invention, in the method of manufacturing a thin film SAW filter, after the above steps, a step of forming a second electrode layer made of a semiconductor containing impurities and having a low resistance by epitaxial growth, and above the steps. A resist is formed on the substrate, and the resist is patterned to form a resist mask.
Etching the electrode layer to form a second electrode on the piezoelectric layer, and forming a piezoelectric layer made of a semiconductor by epitaxial growth so as to cover the second electrode.
【0020】またこの発明は、上記薄膜SAWフィルタ
の製造方法において、上記工程の後に、さらにレジスト
マスクを用いてイオン注入を行い、上記電極上部の該電
極とは離れた上記圧電層中に,低抵抗の第2の電極を形
成する工程を含むものである。Further, according to the present invention, in the method of manufacturing a thin film SAW filter described above, after the above steps, ion implantation is further performed using a resist mask, and a low layer is formed in the piezoelectric layer above the electrodes and apart from the electrodes. It includes the step of forming the second electrode of the resistor.
【0021】またこの発明は、上記薄膜SAWフィルタ
の製造方法において、上記工程の後に、上記圧電層上面
に、金属よりなる表面電極をさらに形成する工程を含む
ものである。Further, the present invention includes, in the method for manufacturing a thin film SAW filter, a step of further forming a surface electrode made of metal on the upper surface of the piezoelectric layer after the above steps.
【0022】またこの発明は、上記薄膜SAWフィルタ
の製造方法において、上記工程の後に、さらにエピタキ
シャル成長により、不純物を含み低抵抗化された半導体
よりなる表面電極層を形成する工程と、該表面電極上に
レジストを形成し、これをパターニングしてレジストマ
スクを形成し、該レジストマスクをマスクとして、上記
表面電極層をエッチングし、上記圧電層上に表面電極を
形成する工程とを含むものである。In addition, in the method for manufacturing a thin film SAW filter according to the present invention, after the above steps, a step of forming a surface electrode layer made of a semiconductor containing impurities and having a low resistance is further performed by epitaxial growth; And forming a resist mask by patterning the resist, and using the resist mask as a mask to etch the surface electrode layer to form a surface electrode on the piezoelectric layer.
【0023】またこの発明は、上記薄膜SAWフィルタ
の製造方法において、上記工程の後に、さらにレジスト
マスクを用いてイオン注入を行い、上記各電極上部の該
電極とは離れた上記圧電層の表面部分に,低抵抗の表面
電極を形成する工程を含むものである。According to the present invention, in the method for manufacturing a thin-film SAW filter, after the steps described above, ion implantation is further performed using a resist mask, and a surface portion of the piezoelectric layer above the electrodes and apart from the electrodes. In addition, a step of forming a low-resistance surface electrode is included.
【0024】[0024]
実施の形態1. 構成1.本発明の実施の形態1における薄膜SAWフィ
ルタは、図1を参照すると、基板(1)上にエピタキシ
ャル成長により形成された半導体よりなる圧電層(2
0)と、圧電層(20)の上記基板(1)との界面部分
に不純物をドーピングして形成された電極部(5W,5
E)とを備えたもので、これによりエピタキシャル成長
による圧電層の結晶方向を乱すことなく、上記圧電層の
上記基板との界面部分に電極が形成された薄膜SAWフ
ィルタを得ることができる。Embodiment 1. Configuration 1. Referring to FIG. 1, the thin film SAW filter according to the first embodiment of the present invention includes a piezoelectric layer (2) made of a semiconductor formed by epitaxial growth on a substrate (1).
0) and the piezoelectric layer (20) at the interface between the substrate (1) and the electrode portion (5W, 5W) formed by doping impurities.
E), it is possible to obtain a thin film SAW filter in which electrodes are formed at the interface between the piezoelectric layer and the substrate without disturbing the crystallographic direction of the piezoelectric layer by epitaxial growth.
【0025】構成2.本実施の形態1における薄膜SA
Wフィルタの製造方法は、図2を参照すると、基板
(1)上にエピタキシャル成長により半導体よりなる圧
電層(20)を形成する工程と、その上にレジスト
(4)を形成し、これをパターニングしてレジストマス
ク(4a)を形成する工程と、レジストマスク(4a)
をマスクとして、圧電層(20)にイオン注入を行い、
基板(1)と圧電層(20)との界面に低抵抗の電極部
(5W,5E)を形成する工程とを含むもので、これに
よりエピタキシャル成長による圧電層の結晶方向を乱す
ことなく、圧電層(20)の基板(1)との界面部分に
電極(5W,5E)を形成することができる。Configuration 2. Thin film SA in the first embodiment
Referring to FIG. 2, the method of manufacturing the W filter is performed by forming a piezoelectric layer (20) made of a semiconductor on a substrate (1) by epitaxial growth, forming a resist (4) on the piezoelectric layer (20), and patterning the resist (4). Forming a resist mask (4a) with a resist mask (4a)
Using the as a mask, the piezoelectric layer (20) is ion-implanted,
A step of forming low-resistance electrode portions (5W, 5E) at the interface between the substrate (1) and the piezoelectric layer (20), whereby the piezoelectric layer can be formed without disturbing the crystallographic direction of the piezoelectric layer by epitaxial growth. Electrodes (5W, 5E) can be formed at the interface between (20) and the substrate (1).
【0026】構成3.また、本実施の形態1における薄
膜SAWフィルタの製造方法は、図3を参照すると、基
板(1)上にエピタキシャル成長により不純物を含み低
抵抗化された半導体よりなる電極層(5)を形成する工
程と、その上にレジスト(4)を形成し、これをパター
ニングしてレジストマスク(4b)を形成する工程と、
レジストマスク(4b)をマスクとして電極層(5)を
エッチングし、基板(1)上に低抵抗の電極(5W,5
E)を形成する工程と、低抵抗の電極(5W,5E)を
覆うように、エピタキシャル成長により半導体よりなる
圧電層(20)を形成する工程とを備えたもので、これ
によりエピタキシャル成長による圧電層の結晶方向を乱
すことなく、少ない工程で圧電層の基板との界面部分に
電極を形成することができる。Configuration 3. Further, referring to FIG. 3, the method of manufacturing the thin film SAW filter according to the first embodiment includes a step of forming on the substrate (1) an electrode layer (5) made of a semiconductor containing impurities and having a low resistance by epitaxial growth. And a step of forming a resist (4) thereon and patterning the resist (4) to form a resist mask (4b),
The electrode layer (5) is etched using the resist mask (4b) as a mask, and the low resistance electrode (5W, 5) is formed on the substrate (1).
E) and a step of forming a piezoelectric layer (20) made of a semiconductor by epitaxial growth so as to cover the low resistance electrodes (5W, 5E). An electrode can be formed in the interface portion of the piezoelectric layer with the substrate in a small number of steps without disturbing the crystal orientation.
【0027】実施例1.図1は本実施の形態1における
第1の実施例による薄膜SAWフィルタを示す断面図で
あり、図において、1は表面弾性波の伝搬速度の速いα
−Al2 O3 よりなる単結晶基板、20は上記基板1上
に例えばZnOよりなる圧電性材料を、α−Al2 O3
の(0001)面,あるいは(0/112)面上にエピ
タキシャル成長した,圧電性を有する半導体よりなる圧
電層、5W,及び5Eは基板1に対してエピタキシャル
成長した圧電層20に、不純物としてAlをドーピング
してなる,抵抗値が10-3Ω/cm程度の半導体電極であ
る。Example 1. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a thin film SAW filter according to a first example of the first embodiment, and in FIG. 1, reference numeral 1 denotes a surface acoustic wave having a high propagation velocity α.
A single crystal substrate made of -Al 2 O 3 , and 20 a piezoelectric material made of ZnO, for example, on the substrate 1, α-Al 2 O 3
The piezoelectric layers 5W and 5E, which are epitaxially grown on the (0001) plane or the (0/112) plane and are made of a semiconductor having a piezoelectric property, are doped with Al as an impurity in the piezoelectric layer 20 epitaxially grown on the substrate 1. It is a semiconductor electrode having a resistance value of about 10 −3 Ω / cm.
【0028】なお、上述した基板の面方向を示す(0/
112)とは、The surface direction of the above-mentioned substrate is shown as (0 /
112) is
【0029】[0029]
【数2】 [Equation 2]
【0030】を表したものであり、本明細書中で、括弧
“( )”内に記載した“/”はバーを示すものとす
る。In this specification, "/" in parentheses "()" indicates a bar.
【0031】次に本実施例1によるSAWフィルタの製
造方法について、図2を用いて説明する。図2におい
て、図1と同一符号は同一または相当する部分を示し、
4はレジスト、4aはレジスト4をパターニングしたレ
ジストマスクである。Next, a method of manufacturing the SAW filter according to the first embodiment will be described with reference to FIG. 2, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or corresponding parts,
Reference numeral 4 is a resist, and 4a is a resist mask obtained by patterning the resist 4.
【0032】図2(a) に示すように、ZnOの単結晶よ
りなる圧電層20を、α−Al2 O3 よりなる基板1の
(0001)面,あるいは(0/112)面上に、厚さ
数μmになるようにエピタキシャル成長させる。その
後、図2(b) に示すように該圧電層20上にレジスト4
を塗布する。上記レジスト4を露光してパターニング
し、図2(c) に示すような電極形成用のレジストマスク
4aを形成する。As shown in FIG. 2 (a), a piezoelectric layer 20 made of ZnO single crystal is formed on the (0001) plane or (0/112) plane of the substrate 1 made of α-Al 2 O 3 . Epitaxial growth is performed to a thickness of several μm. After that, as shown in FIG. 2B, a resist 4 is formed on the piezoelectric layer 20.
Apply. The resist 4 is exposed to light and patterned to form a resist mask 4a for electrode formation as shown in FIG. 2 (c).
【0033】次に、この図2(c) に示すような状態で上
記レジストマスク4aをマスクとしてイオン注入を行
い、図2(d) に示すように、基板1と圧電層20との界
面に不純物をドーピングして、この部分に電極5W,5
Eを形成する。この際、電極の厚さは0.1〜1.0μ
mに形成する。その後、図2(e) のように、レジストマ
スク4aを除去し、熱処理を施すことにより、電極部5
W,5Eの不純物を活性化し、該電極部5W,5Eの低
抵抗化を行う。Next, in the state shown in FIG. 2 (c), ion implantation is performed using the resist mask 4a as a mask, and as shown in FIG. 2 (d), the interface between the substrate 1 and the piezoelectric layer 20 is formed. Impurities are doped and electrodes 5W and 5
Form E. At this time, the thickness of the electrode is 0.1 to 1.0 μm.
m. After that, as shown in FIG. 2 (e), the resist mask 4a is removed and a heat treatment is applied to the electrode portion 5
The impurities of W and 5E are activated to reduce the resistance of the electrode portions 5W and 5E.
【0034】ここで電極部は、イオン注入によりドーピ
ングする不純物としてAlを用いた場合についても、圧
電層20の半導体結晶と同様の結晶方位をもち、このA
lドーピングZnO(ZnO:Al)は、例えばZnO
にAlを0.2wt%ドーピングすることにより、抵抗
を、抵抗率1×10-3Ω/cm程度まで下げることが可能
である。Here, the electrode portion has a crystal orientation similar to that of the semiconductor crystal of the piezoelectric layer 20 even when Al is used as an impurity to be doped by ion implantation.
1-doped ZnO (ZnO: Al) is, for example, ZnO.
By doping Al with 0.2 wt%, it is possible to reduce the resistance to about 1 × 10 −3 Ω / cm.
【0035】このように電極5W,5Eが基板上に直接
形成されているため、圧電層20の圧電性により、電極
5w,5w’間に印加された高周波により表面弾性波が
励振された時、この振動を直接基板に伝達させることが
できる。しかも、電極5W,5Eは圧電層20と同じ材
料で、圧電層20と同じく基板上に同様の結晶方位でエ
ピタキシャル成長しているため、圧電層20と電極5
W,5Eの間の格子不整合はほとんどなく、圧電層20
の結晶性は良好なものとなる。従って、図7(b)に示し
たような従来装置において問題となっていた圧電層の結
晶性の劣化をなくすことができる。Since the electrodes 5W and 5E are directly formed on the substrate in this way, when the surface acoustic wave is excited by the high frequency applied between the electrodes 5w and 5w 'due to the piezoelectricity of the piezoelectric layer 20, This vibration can be directly transmitted to the substrate. Moreover, the electrodes 5W and 5E are made of the same material as the piezoelectric layer 20 and are epitaxially grown on the substrate in the same crystal orientation as the piezoelectric layer 20.
There is almost no lattice mismatch between W and 5E, and the piezoelectric layer 20
Has a good crystallinity. Therefore, the deterioration of the crystallinity of the piezoelectric layer, which has been a problem in the conventional device as shown in FIG. 7B, can be eliminated.
【0036】このような本実施例1では、半導体である
圧電層20に不純物をイオン注入して低抵抗化すること
により、圧電層20の結晶性を損なうことなく、圧電層
20の基板1との界面部分に直接電極5W,5Eが形成
された薄膜SAWフィルタを製造することができるの
で、電極5w,5w’間に印加された高周波が表面弾性
波に変換された時、これを直接基板1に伝達させること
ができ、しかも、電極5W,5Eは圧電層20と同じ材
料で圧電層20と同じく基板上にエピタキシャル成長し
ているため、圧電層20と電極5W,5Eとの間の格子
不整合は少なく、圧電層20の結晶性は極めて良好であ
り、圧電層20の結晶性の不良による圧電性劣化を生ず
ることがない。従って、動作特性の良好な薄膜SAWフ
ィルタを容易に製造できる効果がある。In this first embodiment, impurities are ion-implanted into the piezoelectric layer 20 which is a semiconductor to reduce the resistance, so that the crystallinity of the piezoelectric layer 20 is not impaired and the substrate 1 of the piezoelectric layer 20 is not damaged. Since it is possible to manufacture a thin film SAW filter in which the electrodes 5W and 5E are directly formed on the interface portion of the substrate 1, when the high frequency applied between the electrodes 5w and 5w 'is converted into surface acoustic waves, the thin film SAW filter is directly connected to the substrate 1. Since the electrodes 5W and 5E are made of the same material as the piezoelectric layer 20 and are epitaxially grown on the substrate like the piezoelectric layer 20, the lattice mismatch between the piezoelectric layer 20 and the electrodes 5W and 5E can be achieved. The crystallinity of the piezoelectric layer 20 is extremely good, and the piezoelectricity does not deteriorate due to poor crystallinity of the piezoelectric layer 20. Therefore, there is an effect that a thin film SAW filter having good operating characteristics can be easily manufactured.
【0037】実施例2.図3は、本実施の形態1におけ
る実施例2による薄膜SAWフィルタの製造工程を示し
た断面図であり、図中5は不純物として、例えばAlを
ドーピングし、低抵抗化された低抵抗半導体電極層であ
る。Example 2. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the thin film SAW filter according to Example 2 of the first embodiment, and 5 in the drawing is a low resistance semiconductor electrode having a low resistance, for example, by doping Al as an impurity. It is a layer.
【0038】まず、図3(a) に示すように、基板1上に
不純物を含む半導体電極層5をエピタキシャル成長さ
せ、ポストアニールにより、不純物を活性化させ、低抵
抗化する。First, as shown in FIG. 3A, the semiconductor electrode layer 5 containing impurities is epitaxially grown on the substrate 1 and post-annealing activates the impurities to reduce the resistance.
【0039】その後、図3(b) に示すように、レジスト
4を塗布し、これを露光してパターニングし、図3(c)
に示すようなレジストマスク4bを形成する。その後、
図3(d) に示すように、ウエットあるいはドライエッチ
ングにより、半導体電極層5をパタ−ニングして電極を
形成する。その後、レジスト4bを除去し、電極部5
W,5Eとする。Thereafter, as shown in FIG. 3 (b), a resist 4 is applied, and this is exposed and patterned to form a resist, as shown in FIG. 3 (c).
A resist mask 4b as shown in is formed. afterwards,
As shown in FIG. 3D, the semiconductor electrode layer 5 is patterned by wet or dry etching to form an electrode. Then, the resist 4b is removed and the electrode portion 5 is removed.
W and 5E.
【0040】次に、圧電層20を、基板1,及び電極5
W,5E上にエピタキシャル成長させて、図3(f)に示
す構造の薄膜SAWフィルタを得る。Next, the piezoelectric layer 20 is formed on the substrate 1 and the electrodes 5.
Epitaxial growth is performed on W and 5E to obtain a thin film SAW filter having the structure shown in FIG.
【0041】ここでも上記実施例1で述べたように、電
極部5W,5Eと圧電層20との結晶方向は等しく、圧
電層20の成長を行う際にも電極部5W,5Eにより結
晶性が劣化することはない。Here again, as described in the first embodiment, the crystal directions of the electrode portions 5W and 5E and the piezoelectric layer 20 are the same, and even when the piezoelectric layer 20 is grown, the crystallinity is maintained by the electrode portions 5W and 5E. It does not deteriorate.
【0042】このような本実施例2では、基板上に、半
導体である圧電層20と同じ物質に不純物をドーピング
して低抵抗化したものをエピタキシャル成長し、エッチ
ングにより電極5W,5Eを形成し、さらにその上部に
電極材と同じ結晶構造の圧電層20をエピタキシャル成
長することにより、圧電層20と基板1との界面の基板
上に直接電極5W,5Eが形成された薄膜SAWフィル
タを製造することができるので、電極5w,5w’間に
印加された高周波が表面弾性波に変換された時、これを
直接基板1に伝達させることができ、しかも、電極5
W,5Eは圧電層20と同じ材料で圧電層20と同じく
基板上にエピタキシャル成長しているため、圧電層20
と電極5W,5Eとの間の格子不整合は少なく、圧電層
20の結晶性は極めて良好であり、圧電層20の結晶性
の不良による圧電性劣化を生ずることがない。従って、
動作特性の良好な薄膜SAWフィルタを容易に製造でき
る効果がある。In the second embodiment as described above, the same material as that of the piezoelectric layer 20, which is a semiconductor, is doped with impurities to reduce resistance and is epitaxially grown on the substrate, and the electrodes 5W and 5E are formed by etching. Further, by epitaxially growing the piezoelectric layer 20 having the same crystal structure as that of the electrode material on the upper portion thereof, it is possible to manufacture a thin film SAW filter in which the electrodes 5W and 5E are formed directly on the substrate at the interface between the piezoelectric layer 20 and the substrate 1. Therefore, when the high frequency wave applied between the electrodes 5w and 5w ′ is converted into the surface acoustic wave, this can be directly transmitted to the substrate 1, and the electrode 5
Since W and 5E are made of the same material as the piezoelectric layer 20 and are epitaxially grown on the substrate similarly to the piezoelectric layer 20, the piezoelectric layer 20
Lattice mismatch between the electrodes and the electrodes 5W and 5E is small, the crystallinity of the piezoelectric layer 20 is extremely good, and the piezoelectricity does not deteriorate due to poor crystallinity of the piezoelectric layer 20. Therefore,
There is an effect that a thin film SAW filter having good operating characteristics can be easily manufactured.
【0043】実施の形態2. 構成1.本発明の実施の形態2における薄膜SAWフィ
ルタは、図4,及び図5を参照すると、基板(1)上に
エピタキシャル成長により形成された半導体よりなる圧
電層(20)と、圧電層(20)の基板(1)との界面
部分に不純物をドーピングして形成された電極部(5
W,5E)と、さらに電極部(5W,5E)上部の該電
極部(5W,5E)とは離れた,圧電層(20)中に、
不純物をドーピングしてなる第2の電極部(5W-2,5
E-2)とを、備えたもので、これによりエピタキシャル
成長による圧電層(20)の結晶方向を乱すことなく、
圧電層(20)の基板(1)との界面部分,及び電極
(5W,5E)とは離れた圧電層(20)中に電極(5
W-2,5E-2)を形成することができる。Embodiment 2. Configuration 1. Referring to FIGS. 4 and 5, the thin film SAW filter according to the second embodiment of the present invention includes a piezoelectric layer (20) made of a semiconductor formed by epitaxial growth on a substrate (1), and a piezoelectric layer (20). An electrode portion (5) formed by doping impurities at the interface with the substrate (1)
W, 5E) and further the electrode part (5W, 5E) above the electrode part (5W, 5E), in a piezoelectric layer (20) separated from
Second electrode portion (5W-2, 5) formed by doping impurities
E-2) is provided so that the crystal orientation of the piezoelectric layer (20) by epitaxial growth is not disturbed,
The electrode (5) is provided in the piezoelectric layer (20) apart from the interface portion of the piezoelectric layer (20) with the substrate (1) and the electrodes (5W, 5E).
W-2, 5E-2) can be formed.
【0044】構成2.本実施の形態2における薄膜SA
Wフィルタの製造方法は、図4を参照すると、実施の形
態1で、圧電層(20)の基板(1)との界面部分に不
純物をドーピングして電極部(5W,5E)を形成した
のち、さらにレジストマスク(4a)を用いてイオン注
入を行い、電極(5W,5E)上部の該電極(5W,5
E)とは離れた圧電層(20)中に,低抵抗の第2の電
極(5W-2,5E-2)を形成する工程を含むもので、こ
れによりエピタキシャル成長による圧電層(20)の結
晶方向を乱すことなく、少ない工程で基板(1)と圧電
層(20)の界面の該圧電層,及び電極(5W,5E)
とは離れた圧電層(20)中に電極(5W-2,5E-2)
を形成することができる。Configuration 2. Thin film SA in the second embodiment
Referring to FIG. 4, the method of manufacturing the W filter is the same as that of the first embodiment, except that the interface portion of the piezoelectric layer (20) with the substrate (1) is doped with impurities and then the electrode portion (5W, 5E) is formed. Further, ion implantation is further performed using the resist mask (4a), and the electrodes (5W, 5E) are formed on the electrodes (5W, 5E).
E) includes a step of forming a second electrode (5W-2, 5E-2) having a low resistance in a piezoelectric layer (20) separated from the piezoelectric layer (20), whereby a crystal of the piezoelectric layer (20) by epitaxial growth is formed. The piezoelectric layer at the interface between the substrate (1) and the piezoelectric layer (20) and the electrodes (5W, 5E) in a few steps without disturbing the direction.
Electrodes (5W-2, 5E-2) in the piezoelectric layer (20) apart from
Can be formed.
【0045】構成3.また、本実施の形態2における薄
膜SAWフィルタの製造方法は、図5を参照すると、上
記実施の形態1で、圧電層(20)の基板(1)との界
面部分に不純物をドーピングして電極部(5W,5E)
を形成したのち、その圧電層(20)の表面に、さらに
エピタキシャル成長により、不純物を含み低抵抗化され
た半導体よりなる第2の電極層(5-2)を形成する工程
と、その上にレジストを形成し、これをパターニングし
てレジストマスク(4c)を形成し、レジストマスク
(4c)をマスクとして、第2の電極層(5-2)をエッ
チングし、圧電層(20)上に第2の電極(5W-2,5
E-2)を形成する工程と、該第2の電極(5W-2,5E
-2)を覆うように、エピタキシャル成長により半導体よ
りなる圧電層(20)を形成する工程とを含むもので、
これによりエピタキシャル成長による圧電層(20)の
結晶方向を乱すことなく、上記圧電層(20)の上記基
板(1)との界面部分,及び電極(5E,5W)とは離
れた上記圧電層(20)中に第2の電極(5W-2,5E
-2)を形成することができる。Configuration 3. In addition, referring to FIG. 5, the method of manufacturing the thin film SAW filter according to the second embodiment is different from that of the first embodiment in that the interface between the piezoelectric layer (20) and the substrate (1) is doped with impurities to form an electrode. Department (5W, 5E)
And then forming a second electrode layer (5-2) made of a semiconductor containing impurities and having a low resistance on the surface of the piezoelectric layer (20) by epitaxial growth, and a resist thereon. Is formed and a resist mask (4c) is formed by patterning this, and the second electrode layer (5-2) is etched using the resist mask (4c) as a mask to form a second layer on the piezoelectric layer (20). Electrodes (5W-2, 5
E-2) and the second electrode (5W-2, 5E)
-2), a step of forming a piezoelectric layer (20) made of a semiconductor by epitaxial growth so as to cover the
As a result, the piezoelectric layer (20) separated from the interface portion of the piezoelectric layer (20) with the substrate (1) and the electrodes (5E, 5W) without disturbing the crystal orientation of the piezoelectric layer (20) by epitaxial growth. ) Inside the second electrode (5W-2, 5E
-2) can be formed.
【0046】実施例1.図4は本実施の形態2における
第1の実施例による薄膜SAWフィルタの製造工程を示
す断面図である。図において図2と同一符号は同一また
は相当する部分を示す。Example 1. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the thin film SAW filter according to the first example of the second embodiment. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same or corresponding portions.
【0047】先ず、実施の形態1における実施例1で説
明したものと同様に、基板1上にエピタキシャル成長し
た圧電層20の上にレジストを塗布し、このレジストを
パターニングして図4に示すようなレジストマスク4a
を形成する。このレジストマスク4aをマスクにして、
基板1と圧電層20との界面の圧電層に、イオン注入に
よりAlなどの不純物をドーピングして図4(b) に示す
ような電極5W,5Eを形成する。First, in the same manner as that described in Example 1 in the first embodiment, a resist is applied on the piezoelectric layer 20 epitaxially grown on the substrate 1, and the resist is patterned to form the structure shown in FIG. Resist mask 4a
To form. Using this resist mask 4a as a mask,
The piezoelectric layer at the interface between the substrate 1 and the piezoelectric layer 20 is doped with impurities such as Al by ion implantation to form electrodes 5W and 5E as shown in FIG. 4 (b).
【0048】本実施の形態2における実施例1ではさら
に続いて、上記イオン注入とは異なる注入エネルギー
で、電極5W,5E上部の該電極5W,5Eとは離れた
位置に、Alなどの不純物をドーピングして第2の電極
5W-2,5E-2を形成した後、レジストマスク4aを除
去し、熱処理を施すことにより、電極部の不純物を活性
化し、図4(c) に示すような該各電極部(5W,5E,
5W-2,5E-2)の低抵抗化を行う。In Example 1 of the present Second Embodiment, subsequently, with a different implantation energy from the above-mentioned ion implantation, impurities such as Al are deposited at a position apart from the electrodes 5W and 5E above the electrodes 5W and 5E. After the second electrodes 5W-2 and 5E-2 are formed by doping, the resist mask 4a is removed, and heat treatment is performed to activate the impurities in the electrode portion, and as shown in FIG. Each electrode part (5W, 5E,
Lower resistance of 5W-2, 5E-2).
【0049】本実施の形態2の実施例1では、イオン注
入の際の注入エネルギーを変えることで、複数の電極層
を形成することができる。In Example 1 of the second embodiment, a plurality of electrode layers can be formed by changing the implantation energy at the time of ion implantation.
【0050】このように本実施例1では、上記各イオン
注入工程での注入エネルギーをそれぞれ変えることによ
り、圧電層20の基板1との界面部分に加えて、上記電
極上部の該電極とは離れた位置に、さらに電極を形成す
ることができ、より容易な工程で圧電層20の結晶性を
損なうことなく該圧電層20中に複数の電極層を有する
薄膜SAWフィルタを製造することができる。また、こ
の薄膜SAWフィルタは、圧電層20の中に複数の電極
を有するので、上記実施の形態1における効果に加え、
圧電作用を、基板1と圧電層20との界面に限ることな
く、複数同時に起こすことができるため、圧電効率を大
きく向上することができる。As described above, in the first embodiment, by changing the implantation energy in each of the ion implantation steps, in addition to the interface portion of the piezoelectric layer 20 with the substrate 1, the piezoelectric layer 20 is separated from the electrode above the electrode. Electrodes can be further formed at different positions, and a thin-film SAW filter having a plurality of electrode layers in the piezoelectric layer 20 can be manufactured by an easier process without impairing the crystallinity of the piezoelectric layer 20. Further, since this thin film SAW filter has a plurality of electrodes in the piezoelectric layer 20, in addition to the effects of the first embodiment,
The piezoelectric action can be simultaneously generated without being limited to the interface between the substrate 1 and the piezoelectric layer 20, so that the piezoelectric efficiency can be greatly improved.
【0051】実施例2.図5は本実施の形態2における
第2の実施例による薄膜SAWフィルタの製造工程を示
す断面図である。図において図2と同一符号は同一また
は相当する部分を示す。先ず、予め、実施の形態1にお
ける実施例1で説明したように、圧電層20の基板1と
の界面部分に電極5W,5Eを形成し、さらにレジスト
マスク4aを除去した状態の圧電層20表面、あるいは
実施の形態1における実施例2で説明したように、基板
1上に形成した電極5W,5Eを覆うように圧電層20
をエピタキシャル成長した後の圧電層20表面に、図5
(a) に示すように、この圧電層20上に不純物を含む低
抵抗半導体電極層をさらにエピタキシャル成長させ、ポ
ストアニールにより、不純物を活性化させ、低抵抗化す
る。Example 2. FIG. 5 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the thin film SAW filter according to the second example of the second embodiment. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same or corresponding portions. First, as described in Example 1 in the first embodiment, the surfaces of the piezoelectric layer 20 in which electrodes 5W and 5E are formed in the interface portion between the piezoelectric layer 20 and the substrate 1 and the resist mask 4a is removed are prepared. Alternatively, as described in Example 2 in the first embodiment, the piezoelectric layer 20 covers the electrodes 5W and 5E formed on the substrate 1.
5 is formed on the surface of the piezoelectric layer 20 after the epitaxial growth of
As shown in (a), a low resistance semiconductor electrode layer containing impurities is further epitaxially grown on the piezoelectric layer 20 and the impurities are activated by post annealing to reduce the resistance.
【0052】その後、レジストを塗布し、これをパター
ニングして図5(b) に示すようなレジストマスク4cを
設け、ウエットあるいはドライエッチングにより、半導
体電極層5-2をパタ−ニングして電極5W-2,5E-2を
形成する。その後、レジストマスク4cを除去し、この
電極5W-2,5E-2の上部に、圧電層20を、さらにエ
ピタキシャル成長させて、図5(c)に示すような構造を
有する薄膜SAWフィルタを得る。After that, a resist is applied, and this is patterned to provide a resist mask 4c as shown in FIG. 5B, and the semiconductor electrode layer 5-2 is patterned by wet or dry etching to form an electrode 5W. -2,5E-2 is formed. Thereafter, the resist mask 4c is removed, and the piezoelectric layer 20 is further epitaxially grown on the electrodes 5W-2 and 5E-2 to obtain a thin film SAW filter having a structure as shown in FIG. 5 (c).
【0053】本実施例2では、すでに圧電層20中に電
極5W,5Eが形成されている該圧電層20上に、本実
施例2で示した工程をさらに行うことで圧電層中に複数
の電極層が形成された薄膜SAWフィルタを形成するこ
とができる。In the second embodiment, a plurality of electrodes are formed in the piezoelectric layer 20 by further performing the process shown in the second embodiment on the piezoelectric layer 20 in which the electrodes 5W and 5E are already formed. A thin film SAW filter having an electrode layer can be formed.
【0054】このように本実施例2では、すでに圧電層
20中に電極5W,5Eが形成されている該圧電層20
上に、不純物を含む半導体電極層をさらにエピタキシャ
ル成長させ、これを低抵抗化したのちレジストマスクを
用いてエッチングすることにより電極5W-2,5E-2を
形成し、これを覆うように圧電層20をエピタキシャル
成長することにより、圧電層20の結晶性を損なうこと
なく該圧電層20中に複数の電極層が形成された薄膜S
AWフィルタを容易な工程で製造することができる。As described above, in the second embodiment, the piezoelectric layer 20 in which the electrodes 5W and 5E are already formed is formed.
A semiconductor electrode layer containing impurities is further epitaxially grown thereon, and the resistance of the semiconductor electrode layer is lowered, followed by etching using a resist mask to form electrodes 5W-2 and 5E-2, and the piezoelectric layer 20 is formed so as to cover the electrodes. By epitaxially growing the thin film S in which a plurality of electrode layers are formed in the piezoelectric layer 20 without impairing the crystallinity of the piezoelectric layer 20.
The AW filter can be manufactured by an easy process.
【0055】また、この薄膜SAWフィルタは、圧電層
20の中に複数の電極を有するので、上記実施例1と同
様、圧電作用を、基板1と圧電層20との界面部分に限
ることなく、複数同時に起こすことができ、圧電効率を
大きく向上することができる。Further, since this thin film SAW filter has a plurality of electrodes in the piezoelectric layer 20, the piezoelectric action is not limited to the interface between the substrate 1 and the piezoelectric layer 20 as in the first embodiment. A plurality of them can be generated at the same time, and the piezoelectric efficiency can be greatly improved.
【0056】実施の形態3. 構成1.本発明の実施の形態3における薄膜SAWフィ
ルタは、図6を参照すると、上記各実施の形態に記載の
薄膜SAWフィルタにおいて、その圧電層(20)の表
面にさらに電極(5E-3, 5W-3)を備えたもので、こ
れによりエピタキシャル成長による圧電層(20)の結
晶方向を乱すことなく,圧電層(20)の基板(1)と
の界面部分に形成された電極(5W,5E)に加え、圧
電層(20)表面にさらに電極(5W-3,5E-3)を形
成することができる。Embodiment 3. Configuration 1. Referring to FIG. 6, the thin-film SAW filter according to the third embodiment of the present invention is the thin-film SAW filter according to each of the above-described embodiments, and further has electrodes (5E-3, 5W-) on the surface of the piezoelectric layer (20). 3), which allows electrodes (5W, 5E) formed at the interface of the piezoelectric layer (20) with the substrate (1) without disturbing the crystallographic direction of the piezoelectric layer (20) by epitaxial growth. In addition, electrodes (5W-3, 5E-3) can be further formed on the surface of the piezoelectric layer (20).
【0057】構成2.本実施の形態3における薄膜SA
Wフィルタの製造方法は、図6を参照すると、上記各実
施の形態での工程の後に、圧電層(20)上面に、さら
にエピタキシャル成長により、不純物を含み低抵抗化さ
れた半導体よりなる表面電極層(5-3)を形成する工程
と、その上にレジストを形成し、これをパターニングし
てレジストマスク(4d)を形成し、該レジストマスク
(4d)をマスクとして、表面電極層(5-3)をエッチ
ングし、圧電層(20)上に表面電極(5E-3,5W-
3)を形成する工程とを含むもので、これによりエピタ
キシャル成長による圧電層(20)の結晶方向を乱すこ
となく圧電層(20)の基板(1)との界面部分に形成
された電極(5W,5E)に加え、さらに、電極(5
W,5E)とは離れた圧電層(20)上面に電極(5E
-3,5W-3)を形成することができる。Configuration 2. Thin film SA in the third embodiment
As for the method of manufacturing the W filter, referring to FIG. 6, after the process in each of the above-described embodiments, the surface electrode layer made of a semiconductor containing impurities and having a low resistance is further formed on the upper surface of the piezoelectric layer (20) by epitaxial growth. (5-3) is formed, a resist is formed thereon, and this is patterned to form a resist mask (4d). Using the resist mask (4d) as a mask, the surface electrode layer (5-3) is formed. ) Is etched, and the surface electrodes (5E-3, 5W- are formed on the piezoelectric layer (20).
3) is formed, whereby an electrode (5W, formed on the interface portion of the piezoelectric layer (20) with the substrate (1) without disturbing the crystallographic direction of the piezoelectric layer (20) by epitaxial growth. 5E) as well as the electrode (5E)
W, 5E) on the upper surface of the piezoelectric layer (20) apart from the electrode (5E)
-3,5W-3) can be formed.
【0058】構成3.本実施の形態3における薄膜SA
Wフィルタの製造方法は、上記各実施の形態での工程の
後に、圧電層(20)上面に、金属よりなる表面電極を
さらに形成する工程を含むもので、これによりエピタキ
シャル成長による圧電層(20)の結晶方向を乱すこと
なく圧電層(20)の基板(1)との界面部分に形成さ
れた電極(5W,5E)に加え、さらに、電極(5W,
5E)とは離れた圧電層(20)上面に電極を形成する
ことができる。Configuration 3. Thin film SA in the third embodiment
The method for manufacturing the W filter includes a step of further forming a surface electrode made of metal on the upper surface of the piezoelectric layer (20) after the steps of the above-described respective embodiments, whereby the piezoelectric layer (20) formed by epitaxial growth. In addition to the electrodes (5W, 5E) formed at the interface of the piezoelectric layer (20) with the substrate (1) without disturbing the crystal direction of the electrode (5W,
Electrodes may be formed on the upper surface of the piezoelectric layer (20) apart from 5E).
【0059】構成4.本実施の形態3における薄膜SA
Wフィルタの製造方法は、上記各実施の形態での工程の
後に、圧電層(20)上部に、さらにレジストマスクを
用いてイオン注入を行い、上記各電極上部の該電極とは
離れた上記圧電層上部に,低抵抗の表面電極を形成する
工程を含むもので、これによりエピタキシャル成長によ
る圧電層(20)の結晶方向を乱すことなく圧電層(2
0)の基板(1)との界面部分に形成された電極(5
W,5E)に加え、さらに、電極(5W,5E)とは離
れた圧電層(20)上部に電極を形成することができ
る。Structure 4. Thin film SA in the third embodiment
In the method for manufacturing the W filter, after the step in each of the above-described embodiments, ion implantation is further performed on the upper portion of the piezoelectric layer (20) by using a resist mask, and the piezoelectric element separated from the electrode on the upper portion of the electrode is separated. The method includes a step of forming a low-resistance surface electrode on the upper part of the layer, which allows the piezoelectric layer (2) to be formed without disturbing the crystallographic direction of the piezoelectric layer (20) by epitaxial growth.
Electrode (5) formed at the interface between the substrate (1) and the substrate (1)
In addition to W, 5E), an electrode can be further formed on the piezoelectric layer (20) apart from the electrode (5W, 5E).
【0060】実施例1.図6は、本実施の形態3におけ
る実施例1による薄膜SAWフィルタを製造する工程を
示した断面図である。まず、上記実施の形態2における
各実施例により形成された薄膜SAWフィルタの圧電層
20の上面に図6(a) に示すように、不純物を含む半導
体電極層をさらにエピタキシャル成長させ、ポストアニ
ールにより、不純物を活性化させ、低抵抗化した電極層
5-3を形成する。次に、形成した電極層5-3上にレジス
トを塗布し、これをパターニングし、図6(b) に示すよ
うなレジストマスク4dを形成したのち、電極層5-3を
エッチングして図6(c) に示した電極5W-3,5E-3を
形成する。ここで形成する電極の材料は本実施例1で
は、低抵抗の半導体をエピタキシャル成長したものにつ
いて説明したが、従来のSAWフィルタで用いたような
金属材料により形成してもよい。Example 1. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a process of manufacturing the thin film SAW filter according to Example 1 of the third embodiment. First, as shown in FIG. 6 (a), a semiconductor electrode layer containing impurities is further epitaxially grown on the upper surface of the piezoelectric layer 20 of the thin film SAW filter formed by each of the examples in the above-described second embodiment, and post-annealing is performed. The impurities are activated to form the electrode layer 5-3 having a low resistance. Next, a resist is applied on the formed electrode layer 5-3, and the resist is patterned to form a resist mask 4d as shown in FIG. 6 (b). The electrodes 5W-3 and 5E-3 shown in (c) are formed. Although the material of the electrode formed here is the one obtained by epitaxially growing the low-resistance semiconductor in the first embodiment, it may be formed of the metal material used in the conventional SAW filter.
【0061】電極を金属で形成する場合は、圧電層20
の上面に電極用金属層を形成したものを準備し、図6
(b) に示したようなレジストマスク4dを設け、Arガ
スを用いたドライエッチングにより電極用金属層をエッ
チングすることにより、図6(c) で示した電極5W-3,
5E-3と同様の位置に表面電極を形成する。When the electrodes are made of metal, the piezoelectric layer 20
Prepared by forming a metal layer for electrodes on the upper surface of FIG.
By providing the resist mask 4d as shown in (b) and etching the electrode metal layer by dry etching using Ar gas, the electrode 5W-3, shown in FIG. 6 (c),
A surface electrode is formed at the same position as 5E-3.
【0062】このように本実施例1では、上記各実施例
で、圧電層20の基板1との界面部分,及び圧電層20
中に、低抵抗の半導体電極を形成した後、さらに圧電層
20の上部に電極を形成したので、圧電層20表面にも
電極を有する薄膜SAWフィルタを得ることができ、上
記各実施例の効果に加え、圧電作用を、基板1と圧電層
20との界面に限ることなく、複数同時に起こすことが
できるため、圧電効率を大きく向上することができる。As described above, according to the first embodiment, in each of the above-described embodiments, the interface portion of the piezoelectric layer 20 with the substrate 1 and the piezoelectric layer 20.
Since the low resistance semiconductor electrode is formed therein, and the electrode is further formed on the piezoelectric layer 20, the thin film SAW filter having the electrode also on the surface of the piezoelectric layer 20 can be obtained. In addition, the piezoelectric effect can be generated simultaneously without being limited to the interface between the substrate 1 and the piezoelectric layer 20, so that the piezoelectric efficiency can be greatly improved.
【0063】実施例2.本実施の形態3における実施例
2は、表面電極をイオン注入により形成するものであ
り、上記実施の形態2における実施例1で述べたよう
に、圧電層20上にレジストマスク4aを設け(図4
(b) )、これをマスクに電極5W,5E,及び電極5W
-2,5E-2を形成したのち、さらに注入エネルギーを変
えることにより圧電層20の表面付近にAlなどの不純
物をイオン注入してなる電極層(図示せず)を形成す
る。Example 2. In Example 2 of the present third embodiment, the surface electrode is formed by ion implantation, and as described in Example 1 of the second embodiment, the resist mask 4a is provided on the piezoelectric layer 20 (see FIG. Four
(b)), using this as a mask, electrodes 5W, 5E, and electrodes 5W
After -2 and 5E-2 are formed, the implantation energy is further changed to form an electrode layer (not shown) formed by ion-implanting impurities such as Al near the surface of the piezoelectric layer 20.
【0064】このように本実施例2では、上記各実施例
で説明したように、圧電層20の基板1との界面部分,
及び圧電層20中に、低抵抗の半導体電極を形成した
後、圧電層20上に形成されたレジストマスクをマスク
に圧電層20の表面部分にAlなどの不純物をイオン注
入してなる電極層を形成するので、上記実施例1同様の
効果を有する薄膜SAWフィルタをより容易な工程で製
造する事ができる。As described above, in the second embodiment, as described in each of the above embodiments, the interface portion between the piezoelectric layer 20 and the substrate 1,
And an electrode layer formed by forming a low-resistance semiconductor electrode in the piezoelectric layer 20 and then ion-implanting impurities such as Al into the surface portion of the piezoelectric layer 20 using the resist mask formed on the piezoelectric layer 20 as a mask. Since it is formed, a thin film SAW filter having the same effect as that of the first embodiment can be manufactured by an easier process.
【0065】本実施の形態3では、圧電層20の基板1
との界面部分と、上記圧電層20中とに2層の電極を有
するものを基に、その圧電層20の表面にさらに表面電
極5W-3,5E-3を形成する例を示したが、基になる薄
膜SAWフィルタは、圧電層中にさらに多くの電極を有
するものであっても、また、圧電層20の基板1との界
面だけに電極が形成されているものであってもよい。In the third embodiment, the substrate 1 of the piezoelectric layer 20 is used.
An example is shown in which the surface electrodes 5W-3 and 5E-3 are further formed on the surface of the piezoelectric layer 20 based on the one having the two-layer electrode in the interface portion with and in the piezoelectric layer 20. The underlying thin film SAW filter may have more electrodes in the piezoelectric layer, or may have electrodes formed only at the interface of the piezoelectric layer 20 with the substrate 1.
【図1】 本発明の実施の形態1の実施例1による薄膜
SAWフィルタの構造を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a thin film SAW filter according to a first example of the first embodiment of the present invention.
【図2】 本発明の実施の形態1の実施例1による薄膜
SAWフィルタの製造方法における各工程での処理を説
明する図(a) 〜(e) である。2A to 2E are views for explaining the processing in each step in the method of manufacturing a thin film SAW filter according to Example 1 of the first embodiment of the present invention.
【図3】 本発明の実施の形態1の実施例2による薄膜
SAWフィルタの製造方法における各工程での処理を説
明する図(a) 〜(f) である。FIG. 3 is a diagram (a) to (f) illustrating processing in each step in the method of manufacturing the thin film SAW filter according to the example 2 of the first embodiment of the present invention.
【図4】 本発明の実施の形態2の実施例1による薄膜
SAWフィルタの製造方法における各工程での処理を説
明する図(a) 〜(c) である。FIG. 4A to FIG. 4C are views for explaining the processing in each step in the method of manufacturing a thin film SAW filter according to Example 1 of the second embodiment of the present invention.
【図5】 本発明の実施の形態2の実施例2による薄膜
SAWフィルタの製造方法における各工程での処理を説
明する図(a) 〜(c) である。5 (a) to 5 (c) are diagrams for explaining the processing in each step in the method of manufacturing a thin film SAW filter according to Example 2 of Embodiment 2 of the present invention.
【図6】 本発明の実施の形態3の実施例1による薄膜
SAWフィルタの製造方法における各工程での処理を説
明する図(a) 〜(c) である。FIGS. 6A to 6C are diagrams for explaining the processing in each step in the method of manufacturing a thin film SAW filter according to Example 1 of the third embodiment of the invention. FIGS.
【図7】 従来の薄膜SAWフィルタの構造を示す図で
あり、(a),(b) は断面図、(c) は上方から見た図であ
る。7A and 7B are diagrams showing a structure of a conventional thin film SAW filter, in which FIGS. 7A and 7B are sectional views and FIG. 7C is a view seen from above.
【図8】 従来の薄膜SAWフィルタの製造方法におけ
る各工程での処理を説明するための図(a) 〜(f) であ
る。FIG. 8 is a diagram (a) to (f) for explaining the processing in each step in the conventional method of manufacturing a thin film SAW filter.
1 基板、2 圧電層、20 圧電層、3 電極用金
属、3W 入力側電極、3E 出力側電極、4 レジス
ト、4a〜4d レジストマスク、5 低抵抗半導体電
極層、5W 入力側低抵抗半導体電極、5E 出力側低
抵抗半導体電極。1 substrate, 2 piezoelectric layer, 20 piezoelectric layer, 3 electrode metal, 3W input side electrode, 3E output side electrode, 4 resist, 4a to 4d resist mask, 5 low resistance semiconductor electrode layer, 5W input side low resistance semiconductor electrode, 5E Output side low resistance semiconductor electrode.
Claims (11)
された半導体よりなる圧電層と、 上記圧電層の上記基板との界面部分に不純物をドーピン
グして形成された電極部とを備えたことを特徴とする薄
膜表面弾性波フィルタ。1. A piezoelectric layer made of a semiconductor formed by epitaxial growth on a substrate, and an electrode portion formed by doping impurities into an interface portion of the piezoelectric layer with the substrate. Thin film surface acoustic wave filter.
タにおいて、 上記電極部上部の該電極部とは離れた,上記圧電層中に
不純物をドーピングして形成された第2の電極部を、さ
らに備えたことを特徴とする薄膜表面弾性波フィルタ。2. The thin film surface acoustic wave filter according to claim 1, further comprising a second electrode portion formed above the electrode portion and separated from the electrode portion, the second electrode portion being formed by doping impurities into the piezoelectric layer. And a thin film surface acoustic wave filter further comprising:
波フィルタにおいて、 上記圧電層の上面に表面電極部をさらに備えたことを特
徴とする薄膜表面弾性波フィルタ。3. The thin film surface acoustic wave filter according to claim 1, further comprising a surface electrode portion on an upper surface of the piezoelectric layer.
膜表面弾性波フィルタにおいて、 上記基板の材料はα−Al2 O3 よりなり、圧電層の材
料はZnOよりなることを特徴とする薄膜表面弾性波フ
ィルタ。4. The thin film surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the substrate material is α-Al 2 O 3 and the piezoelectric layer material is ZnO. Thin film surface acoustic wave filter.
体よりなる圧電層を形成する工程と、 該圧電層上にレジストを形成し、これをパターニングし
てレジストマスクを形成する工程と、 上記レジストマスクをマスクとして、上記圧電層にイオ
ン注入を行い、上記基板と上記圧電層との界面に低抵抗
の電極部を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜
表面弾性波フィルタの製造方法。5. A step of forming a piezoelectric layer made of a semiconductor by epitaxial growth on a substrate, a step of forming a resist on the piezoelectric layer and patterning the resist to form a resist mask, and using the resist mask as a mask. And a step of implanting ions into the piezoelectric layer to form an electrode portion having a low resistance at the interface between the substrate and the piezoelectric layer.
物を含み低抵抗化された半導体よりなる電極層を形成す
る工程と、 該電極層上にレジストを形成し、これをパターニングし
てレジストマスクを形成する工程と、 上記レジストマスクをマスクとして上記電極層をエッチ
ングし、上記基板上に低抵抗の電極を形成する工程と、 上記低抵抗の電極を覆うように、エピタキシャル成長に
より半導体よりなる圧電層を形成する工程とを備えたこ
とを特徴とする薄膜表面弾性波フィルタの製造方法。6. A step of forming an electrode layer made of a semiconductor having a low resistance containing impurities by epitaxial growth on a substrate, and a step of forming a resist on the electrode layer and patterning the resist to form a resist mask. And a step of etching the electrode layer using the resist mask as a mask to form a low resistance electrode on the substrate, and a step of forming a piezoelectric layer made of a semiconductor by epitaxial growth so as to cover the low resistance electrode. A method of manufacturing a thin-film surface acoustic wave filter, comprising:
波フィルタの製造方法において、 上記工程の後に、さらにエピタキシャル成長により、不
純物を含み低抵抗化された半導体よりなる第2の電極層
を形成する工程と、 該第2の電極層上にレジストを形成し、これをパターニ
ングしてレジストマスクを形成し、該レジストマスクを
マスクとして、上記第2の電極層をエッチングし、上記
圧電層上に第2の電極を形成する工程と、 上記第2の電極を覆うように、エピタキシャル成長によ
り半導体よりなる圧電層を形成する工程とを含むことを
特徴とする薄膜表面弾性波フィルタの製造方法。7. The method of manufacturing a thin film surface acoustic wave filter according to claim 5, wherein after the step, a second electrode layer made of a semiconductor containing impurities and having a low resistance is further formed by epitaxial growth. A step of forming a resist on the second electrode layer, patterning the resist to form a resist mask, and etching the second electrode layer using the resist mask as a mask to form a layer on the piezoelectric layer. A method of manufacturing a thin-film surface acoustic wave filter, comprising: a step of forming a second electrode; and a step of forming a piezoelectric layer made of a semiconductor by epitaxial growth so as to cover the second electrode.
波フィルタの製造方法において、 上記工程の後に、さらにレジストマスクを用いてイオン
注入を行い、上記電極上部の該電極とは離れた上記圧電
層中に,低抵抗の第2の電極を形成する工程を含むこと
を特徴とする薄膜表面弾性波フィルタの製造方法。8. The method for manufacturing a thin film surface acoustic wave filter according to claim 5, wherein after the step, ion implantation is further performed using a resist mask, and the ion is separated from the electrode above the electrode. A method of manufacturing a thin-film surface acoustic wave filter, comprising the step of forming a low-resistance second electrode in a piezoelectric layer.
膜表面弾性波フィルタの製造方法において、 上記工程の後に、上記圧電層上面に、金属よりなる表面
電極をさらに形成する工程を含むことを特徴とする薄膜
表面弾性波フィルタの製造方法。9. The method of manufacturing a thin film surface acoustic wave filter according to claim 5, further comprising a step of forming a surface electrode made of metal on the upper surface of the piezoelectric layer after the step. A method for manufacturing a thin film surface acoustic wave filter, comprising:
薄膜表面弾性波フィルタの製造方法において、 上記工程の後に、さらにエピタキシャル成長により、不
純物を含み低抵抗化された半導体よりなる表面電極層を
形成する工程と、 該表面電極層上にレジストを形成し、これをパターニン
グしてレジストマスクを形成し、該レジストマスクをマ
スクとして、上記表面電極層をエッチングし、上記圧電
層上に表面電極を形成する工程とを含むことを特徴とす
る薄膜表面弾性波フィルタの製造方法。10. The method for manufacturing a thin-film surface acoustic wave filter according to claim 5, further comprising a surface electrode layer made of a semiconductor containing impurities and having a low resistance by epitaxial growth after the step. Forming step, forming a resist on the surface electrode layer, patterning this to form a resist mask, and etching the surface electrode layer using the resist mask as a mask to form a surface electrode on the piezoelectric layer. And a step of forming the thin film surface acoustic wave filter.
薄膜表面弾性波フィルタの製造方法において、 上記工程の後に、さらにレジストマスクを用いてイオン
注入を行い、上記各電極上部の該電極とは離れた上記圧
電層の表面部分に,低抵抗の表面電極を形成する工程を
含むことを特徴とする薄膜表面弾性波フィルタの製造方
法。11. The method for manufacturing a thin film surface acoustic wave filter according to claim 5, wherein after the step, ion implantation is further performed using a resist mask to form the electrodes above the electrodes. A method of manufacturing a thin film surface acoustic wave filter, comprising the step of forming a low-resistance surface electrode on the surface portion of the piezoelectric layer separated from each other.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26048895A JPH08162881A (en) | 1994-10-07 | 1995-10-06 | Thin film surface acoustic wave element filter and its manufacture |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08162881A true JPH08162881A (en) | 1996-06-21 |
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ID=26536378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26048895A Pending JPH08162881A (en) | 1994-10-07 | 1995-10-06 | Thin film surface acoustic wave element filter and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08162881A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6534895B2 (en) | 2000-05-01 | 2003-03-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, shear bulk wave transducer, and longitudinal bulk wave transducer |
JP2013545353A (en) * | 2010-10-15 | 2013-12-19 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | Heterogeneous acoustic structures formed from homogeneous materials |
KR20170039650A (en) * | 2014-08-07 | 2017-04-11 | 인텔 코포레이션 | Method and apparatus for forming backside die planar devices and saw filter |
-
1995
- 1995-10-06 JP JP26048895A patent/JPH08162881A/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6534895B2 (en) | 2000-05-01 | 2003-03-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, shear bulk wave transducer, and longitudinal bulk wave transducer |
JP2013545353A (en) * | 2010-10-15 | 2013-12-19 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | Heterogeneous acoustic structures formed from homogeneous materials |
US9209779B2 (en) | 2010-10-15 | 2015-12-08 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Heterogenous acoustic structure formed from a homogeneous material |
KR20170039650A (en) * | 2014-08-07 | 2017-04-11 | 인텔 코포레이션 | Method and apparatus for forming backside die planar devices and saw filter |
JP2017532804A (en) * | 2014-08-07 | 2017-11-02 | インテル・コーポレーション | Backside die planar device and method and apparatus for forming a SAW filter |
US10290598B2 (en) | 2014-08-07 | 2019-05-14 | Intel Corporation | Method and apparatus for forming backside die planar devices and saw filter |
US11037896B2 (en) | 2014-08-07 | 2021-06-15 | Intel Corporation | Method and apparatus for forming backside die planar devices and saw filter |
KR20210122919A (en) * | 2014-08-07 | 2021-10-12 | 인텔 코포레이션 | Rf circuit apparatus with passive planar device and rf circuit system with passive planar device |
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