JPH08162288A - 高周波プラズマ装置 - Google Patents
高周波プラズマ装置Info
- Publication number
- JPH08162288A JPH08162288A JP6304606A JP30460694A JPH08162288A JP H08162288 A JPH08162288 A JP H08162288A JP 6304606 A JP6304606 A JP 6304606A JP 30460694 A JP30460694 A JP 30460694A JP H08162288 A JPH08162288 A JP H08162288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- high frequency
- rotating
- plasma
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマを形成するための回転する放電電極
に高周波電力を効率良く給電することができる高周波プ
ラズマ装置を実現する。 【構成】 高周波電源８からの高周波電力は、マッチン
グボックス７に供給され、インピーダンス整合された
後、固定コイル６に供給される。固定コイル６と回転コ
イル５とは誘導結合されているので、回転コイル５には
高周波が誘起される。この結果、回転コイル５に接続さ
れた電極４と支持体３との間では高周波放電が生じ、こ
の放電によってチャンバー１内にはプラズマが生じされ
る。このプラズマによってＣＶＤ動作などが行われ、支
持体３上のサブストレート２には適宜な成膜が行われ
る。
に高周波電力を効率良く給電することができる高周波プ
ラズマ装置を実現する。 【構成】 高周波電源８からの高周波電力は、マッチン
グボックス７に供給され、インピーダンス整合された
後、固定コイル６に供給される。固定コイル６と回転コ
イル５とは誘導結合されているので、回転コイル５には
高周波が誘起される。この結果、回転コイル５に接続さ
れた電極４と支持体３との間では高周波放電が生じ、こ
の放電によってチャンバー１内にはプラズマが生じされ
る。このプラズマによってＣＶＤ動作などが行われ、支
持体３上のサブストレート２には適宜な成膜が行われ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤ装置な
どに用いて最適な高周波プラズマ装置に関する。
どに用いて最適な高周波プラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波プラズマＣＶＤ装置などの高周波
プラズマプロセス装置において、プラズマが形成される
チャンバー内で、プラズマを形成するための放電電極を
回転させる構造のものがある。
プラズマプロセス装置において、プラズマが形成される
チャンバー内で、プラズマを形成するための放電電極を
回転させる構造のものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般的に回転する電極
に電力を供給する場合には、ブラシを使用しているが、
直流の場合にはこのブラシを用いた方式が有効である
が、高周波電力を給電する場合には、ブラシの接触部の
僅かな抵抗でもパワーが大きくなると加熱の原因とな
り、効率良く高周波電力を回転電極に給電することがで
きない。他の給電方式として、水銀を使用した回転導入
端子も市販されているが、この端子を用いた場合には、
中心部からしか給電することかできないし、有害な水銀
を用いている関係上、安全性に問題を有している。
に電力を供給する場合には、ブラシを使用しているが、
直流の場合にはこのブラシを用いた方式が有効である
が、高周波電力を給電する場合には、ブラシの接触部の
僅かな抵抗でもパワーが大きくなると加熱の原因とな
り、効率良く高周波電力を回転電極に給電することがで
きない。他の給電方式として、水銀を使用した回転導入
端子も市販されているが、この端子を用いた場合には、
中心部からしか給電することかできないし、有害な水銀
を用いている関係上、安全性に問題を有している。
【０００４】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、プラズマを形成するための回転す
る放電電極に効率良く高周波電力を給電することができ
る高周波プラズマ装置を実現するにある。
もので、その目的は、プラズマを形成するための回転す
る放電電極に効率良く高周波電力を給電することができ
る高周波プラズマ装置を実現するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
高周波プラズマ装置は、チャンバーと、チャンバー内に
プラズマを形成するために設けられた回転電極と、回転
電極と共に回転し、チャンバーの外側に配置された回転
コイルと、回転コイルと誘導結合するように配置された
固定コイルとを備えており、固定コイルに高周波電力を
供給するように構成したことを特徴としている。
高周波プラズマ装置は、チャンバーと、チャンバー内に
プラズマを形成するために設けられた回転電極と、回転
電極と共に回転し、チャンバーの外側に配置された回転
コイルと、回転コイルと誘導結合するように配置された
固定コイルとを備えており、固定コイルに高周波電力を
供給するように構成したことを特徴としている。
【０００６】請求項２の発明に基づく高周波プラズマ装
置は、回転コイルは円筒状に巻き回されており、その外
側に固定コイルが配置されたことを特徴としている。請
求項３の発明に基づく高周波プラズマ装置は、回転コイ
ルと固定コイルは平板状の渦巻状に巻き回されているこ
とを特徴としている。
置は、回転コイルは円筒状に巻き回されており、その外
側に固定コイルが配置されたことを特徴としている。請
求項３の発明に基づく高周波プラズマ装置は、回転コイ
ルと固定コイルは平板状の渦巻状に巻き回されているこ
とを特徴としている。
【０００７】
【作用】本発明においては、回転電極と共に回転し、チ
ャンバーの外側に配置された回転コイルと誘導結合する
ように配置された固定コイルに高周波電力を供給する。
ャンバーの外側に配置された回転コイルと誘導結合する
ように配置された固定コイルに高周波電力を供給する。
【０００８】また、本発明においては、円筒状に巻き回
された回転コイルの外側に固定コイルを配置する。ま
た、本発明においては、回転コイルと固定コイルを平板
状であって渦巻状に巻き回した。
された回転コイルの外側に固定コイルを配置する。ま
た、本発明においては、回転コイルと固定コイルを平板
状であって渦巻状に巻き回した。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明の一実施例を示しており、１
は内部がプラズマ室となるチャンバーである。チャンバ
ー１の内部には、サブストレート２を載せて回転する支
持体３と放電電極４が設けられている。支持体３はチャ
ンバー１の外側にまで延ばされており、その先端部分に
おいて図示していない回転機構によって回転させられ
る。放電電極４はチャンバー１の外側において、円筒状
に巻き回されている回転コイル５の一端に接続されてい
る。回転コイル５の他端は、支持体３にＡの部分で固定
されている。この結果、支持体３を回転させることによ
り、回転コイル５と放電電極４とは回転することにな
る。
に説明する。図１は本発明の一実施例を示しており、１
は内部がプラズマ室となるチャンバーである。チャンバ
ー１の内部には、サブストレート２を載せて回転する支
持体３と放電電極４が設けられている。支持体３はチャ
ンバー１の外側にまで延ばされており、その先端部分に
おいて図示していない回転機構によって回転させられ
る。放電電極４はチャンバー１の外側において、円筒状
に巻き回されている回転コイル５の一端に接続されてい
る。回転コイル５の他端は、支持体３にＡの部分で固定
されている。この結果、支持体３を回転させることによ
り、回転コイル５と放電電極４とは回転することにな
る。
【００１０】回転コイル５の外側には、回転コイル５と
同様に、円筒状に巻き回された固定コイル６が設けられ
ている。固定コイル６はマッチングボックス７を介して
高周波電源８に接続されている。なお、支持体３内に
は、冷却水の循環路が設けられており、導入口９から冷
却水が導入され、支持体内を循環した後、排出口１０か
ら排出されるように構成されている。また、詳細に図示
していないが、支持体２と放電電極４とは、チャンバー
１内の気密を保って回転するようにチャンバー１の壁部
と回転部分との間は工夫が施されている。このような構
成の動作を次に説明する。
同様に、円筒状に巻き回された固定コイル６が設けられ
ている。固定コイル６はマッチングボックス７を介して
高周波電源８に接続されている。なお、支持体３内に
は、冷却水の循環路が設けられており、導入口９から冷
却水が導入され、支持体内を循環した後、排出口１０か
ら排出されるように構成されている。また、詳細に図示
していないが、支持体２と放電電極４とは、チャンバー
１内の気密を保って回転するようにチャンバー１の壁部
と回転部分との間は工夫が施されている。このような構
成の動作を次に説明する。
【００１１】高周波電源８からの高周波電力は、マッチ
ングボックス７に供給され、インピーダンス整合された
後、固定コイル６に供給される。固定コイル６と回転コ
イル５とは誘導結合されているので、回転コイル５には
高周波が誘起される。この結果、回転コイル６に接続さ
れた電極４と支持体３との間では高周波放電が生じ、こ
の放電によってチャンバー１内にはプラズマが生じる。
このプラズマによってＣＶＤ動作などが行われ、支持体
３上のサブストレート２には適宜な成膜が行われる。
ングボックス７に供給され、インピーダンス整合された
後、固定コイル６に供給される。固定コイル６と回転コ
イル５とは誘導結合されているので、回転コイル５には
高周波が誘起される。この結果、回転コイル６に接続さ
れた電極４と支持体３との間では高周波放電が生じ、こ
の放電によってチャンバー１内にはプラズマが生じる。
このプラズマによってＣＶＤ動作などが行われ、支持体
３上のサブストレート２には適宜な成膜が行われる。
【００１２】このように、この実施例では、高周波電力
を回転するコイル５に誘導結合により給電するようにし
たので、接触部がなくなり、抵抗分が無視できるので、
効率良く高周波の給電を回転部分に行うことができる。
もちろん、接触部がないので、長時間運転しても接触不
良などのトラブルを起こすことがなくなり、信頼性のあ
る回転給電部を提供できる。なお、上記実施例では、電
極を冷却するために支持体内に冷却水を供給するように
している。このため、回転する部材の中心部に回転通水
部を設けているが、本実施例では円筒状に巻き回された
回転コイルの外側に固定コイルを設けるように構成した
ので、この回転通水部とは干渉せずに高周波給電部を設
けることができる。
を回転するコイル５に誘導結合により給電するようにし
たので、接触部がなくなり、抵抗分が無視できるので、
効率良く高周波の給電を回転部分に行うことができる。
もちろん、接触部がないので、長時間運転しても接触不
良などのトラブルを起こすことがなくなり、信頼性のあ
る回転給電部を提供できる。なお、上記実施例では、電
極を冷却するために支持体内に冷却水を供給するように
している。このため、回転する部材の中心部に回転通水
部を設けているが、本実施例では円筒状に巻き回された
回転コイルの外側に固定コイルを設けるように構成した
ので、この回転通水部とは干渉せずに高周波給電部を設
けることができる。
【００１３】図２は本発明を特にプラズマＣＶＤ装置に
適用した実施例を示している。プラズマＣＶＤ装置で
は、成膜を均一に行うために、サブストレートが載せら
れた基盤を回転させる必要があるが、基盤は通常重く、
しばしば基盤を回転させることは不可能となる。この実
施例では、サブストレート１１が載せられた基盤１２は
固定しておき、基盤１２を間に挟むように２枚の電極１
３，１４を配置し、電極１３，１４を回転させるように
構成している。
適用した実施例を示している。プラズマＣＶＤ装置で
は、成膜を均一に行うために、サブストレートが載せら
れた基盤を回転させる必要があるが、基盤は通常重く、
しばしば基盤を回転させることは不可能となる。この実
施例では、サブストレート１１が載せられた基盤１２は
固定しておき、基盤１２を間に挟むように２枚の電極１
３，１４を配置し、電極１３，１４を回転させるように
構成している。
【００１４】すなわち、２枚の電極１３，１４が固定さ
れた回転体１５はチャンバー１６の壁部を貫いてチャン
バーの外側に導入され、回転コイル１７に接続されてい
る。回転コイル１７の外側には、図示していない高周波
電源からの高周波電力が供給される固定コイル１８が配
置されている。この結果、回転コイル１７には高周波が
誘導され、それによって電極１３，１４と基盤１２との
間では高周波放電が生じ、プラズマが生成される。この
ような構成にすると、重い基盤１２を回転させることな
く、サブストレート１１には均一な膜を形成することが
できる。また、回転する電極１３，１４には誘導結合に
より効率良く高周波電力を給電することができる。
れた回転体１５はチャンバー１６の壁部を貫いてチャン
バーの外側に導入され、回転コイル１７に接続されてい
る。回転コイル１７の外側には、図示していない高周波
電源からの高周波電力が供給される固定コイル１８が配
置されている。この結果、回転コイル１７には高周波が
誘導され、それによって電極１３，１４と基盤１２との
間では高周波放電が生じ、プラズマが生成される。この
ような構成にすると、重い基盤１２を回転させることな
く、サブストレート１１には均一な膜を形成することが
できる。また、回転する電極１３，１４には誘導結合に
より効率良く高周波電力を給電することができる。
【００１５】図２の実施例では、基盤１２を挟んで２枚
の平板状の電極１３，１４を回転させるようにした。こ
の平板状の電極に代え、図３に示すように円筒状に巻き
回されたコイル電極２０を回転させるようにしても良
く、また、図４（ａ），（ｂ）に示すように平板状であ
って渦巻状に巻き回したコイル２１を回転させるように
しても良い。なお、図４（ａ）は渦巻状のコイル２１の
形状を示した平面図である。このような構成は平衡給電
方式となり、電極が静止していても平衡給電として使用
できるメリットがある。なお、図３，図４でコイル２
０，２１は回転高周波給電部２２に接続されている。
の平板状の電極１３，１４を回転させるようにした。こ
の平板状の電極に代え、図３に示すように円筒状に巻き
回されたコイル電極２０を回転させるようにしても良
く、また、図４（ａ），（ｂ）に示すように平板状であ
って渦巻状に巻き回したコイル２１を回転させるように
しても良い。なお、図４（ａ）は渦巻状のコイル２１の
形状を示した平面図である。このような構成は平衡給電
方式となり、電極が静止していても平衡給電として使用
できるメリットがある。なお、図３，図４でコイル２
０，２１は回転高周波給電部２２に接続されている。
【００１６】図５は他の実施例を示しており、この実施
例では、チャンバー２３内の回転電極（図示せず）に接
続された回転コイル２４と固定コイル２５とを、平板状
であって渦巻状に巻き回したコイルを用いている。この
ように構成することにより、高周波の給電部を薄くでき
るメリットがある。
例では、チャンバー２３内の回転電極（図示せず）に接
続された回転コイル２４と固定コイル２５とを、平板状
であって渦巻状に巻き回したコイルを用いている。この
ように構成することにより、高周波の給電部を薄くでき
るメリットがある。
【００１７】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、本発明は高周
波プラズマＣＶＤ装置に限定されず、他の高周波プラズ
マ装置に適用することができる。
明はこの実施例に限定されない。例えば、本発明は高周
波プラズマＣＶＤ装置に限定されず、他の高周波プラズ
マ装置に適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明では、
回転電極と共に回転し、チャンバーの外側に配置された
回転コイルと誘導結合するように配置された固定コイル
に高周波電力を供給するように構成したので、従来のブ
ラシを用いた接触部を有する高周波の給電方式に比べ、
抵抗がないので効率良く高周波の給電を行うことができ
る。また、接触部がないので、長時間使用しても信頼性
のある回転給電部が提供できる。更に平衡給電型放電電
極への給電も可能とする。更にまた、側面からの給電が
可能となるので、給電部分が冷却水導入の邪魔にならな
い。
回転電極と共に回転し、チャンバーの外側に配置された
回転コイルと誘導結合するように配置された固定コイル
に高周波電力を供給するように構成したので、従来のブ
ラシを用いた接触部を有する高周波の給電方式に比べ、
抵抗がないので効率良く高周波の給電を行うことができ
る。また、接触部がないので、長時間使用しても信頼性
のある回転給電部が提供できる。更に平衡給電型放電電
極への給電も可能とする。更にまた、側面からの給電が
可能となるので、給電部分が冷却水導入の邪魔にならな
い。
【００１９】第２の発明では、円筒状に巻き回された回
転コイルの外側に固定コイルを配置するように構成して
おり、第１の発明と同様な効果が得られる。第３の発明
では、回転コイルと固定コイルを平板状であって渦巻状
に巻き回したので、給電部を薄く構成することができ
る。
転コイルの外側に固定コイルを配置するように構成して
おり、第１の発明と同様な効果が得られる。第３の発明
では、回転コイルと固定コイルを平板状であって渦巻状
に巻き回したので、給電部を薄く構成することができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】本発明をプラズマＣＶＤ装置に適用した実施例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す図である。
【図５】渦巻状のコイルを用いた本発明の他の実施例を
示す図である。
示す図である。
１ チャンバー ２ サブストレート ３ 支持体 ４ 放電電極 ５ 回転コイル ６ 固定コイル ７ マッチングボックス ９ 冷却水導入口 １０ 冷却水排出口
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバーと、チャンバー内にプラズマ
を形成するために設けられた回転電極と、回転電極と共
に回転し、チャンバーの外側に配置された回転コイル
と、回転コイルと誘導結合するように配置された固定コ
イルとを備えており、固定コイルに高周波電力を供給す
るように構成した高周波プラズマ装置。 - 【請求項２】 回転コイルは円筒状に巻き回されてお
り、その外側に固定コイルが配置された請求項１記載の
高周波プラズマ装置。 - 【請求項３】 回転コイルと固定コイルは平板状の渦巻
状に巻き回されている請求項１記載の高周波プラズマ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304606A JPH08162288A (ja) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 高周波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304606A JPH08162288A (ja) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 高周波プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162288A true JPH08162288A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17935034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6304606A Withdrawn JPH08162288A (ja) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 高周波プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162288A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335382B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2002-05-06 | 최규술 | 회전 전극 플라즈마 장치, 및 이를 이용한 탄소 나노체합성 방법 |
| KR100525961B1 (ko) * | 1996-11-04 | 2005-12-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마시스에서발생하는고주파를필터링하는플라즈마처리장치및방법 |
| JPWO2006077735A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2008-06-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| JP2011096687A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US8608903B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-12-17 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US8741097B2 (en) | 2009-10-27 | 2014-06-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US20150083042A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Applied Materials, Inc. | Rotatable substrate support having radio frequency applicator |
| US9313872B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-04-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
1994
- 1994-12-08 JP JP6304606A patent/JPH08162288A/ja not_active Withdrawn
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525961B1 (ko) * | 1996-11-04 | 2005-12-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마시스에서발생하는고주파를필터링하는플라즈마처리장치및방법 |
| KR100335382B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2002-05-06 | 최규술 | 회전 전극 플라즈마 장치, 및 이를 이용한 탄소 나노체합성 방법 |
| US8453600B2 (en) | 2004-12-28 | 2013-06-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| JPWO2006077735A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2008-06-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| JP2010192910A (ja) * | 2004-12-28 | 2010-09-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8608903B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-12-17 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US9899191B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-02-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US8741097B2 (en) | 2009-10-27 | 2014-06-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US10804076B2 (en) | 2009-10-27 | 2020-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US9253867B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-02-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US9313872B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-04-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US9997332B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2011096687A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US9941097B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-04-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP2017502489A (ja) * | 2013-09-26 | 2017-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高周波アプリケータを有する回転可能な基板支持体 |
| US20170236693A1 (en) * | 2013-09-26 | 2017-08-17 | Applied Materials, Inc. | Rotatable substrate support having radio frequency applicator |
| CN108109897A (zh) * | 2013-09-26 | 2018-06-01 | 应用材料公司 | 等离子体处理*** |
| CN105580128A (zh) * | 2013-09-26 | 2016-05-11 | 应用材料公司 | 具有射频施加器的可旋转的基板支撑件 |
| JP2018113452A (ja) * | 2013-09-26 | 2018-07-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高周波アプリケータを有する回転可能な基板支持体 |
| TWI631655B (zh) * | 2013-09-26 | 2018-08-01 | 應用材料股份有限公司 | 具有射頻發射器的可旋轉基板支撐件 |
| TWI661511B (zh) * | 2013-09-26 | 2019-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有射頻發射器的可旋轉基板支撐件 |
| US10460915B2 (en) | 2013-09-26 | 2019-10-29 | Applied Materials, Inc. | Rotatable substrate support having radio frequency applicator |
| CN108109897B (zh) * | 2013-09-26 | 2020-03-13 | 应用材料公司 | 等离子体处理*** |
| US20150083042A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Applied Materials, Inc. | Rotatable substrate support having radio frequency applicator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW463201B (en) | Plasma processor with coil having variable RF coupling | |
| US7827931B2 (en) | Plasma processor electrode and plasma processor | |
| US20060169673A1 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| US11600471B2 (en) | Substrate support, plasma processing apparatus, and focus ring | |
| TW201521150A (zh) | 具有射頻發射器的可旋轉基板支撐件 | |
| JPH08162288A (ja) | 高周波プラズマ装置 | |
| KR0142041B1 (ko) | 플라스마발생장치 및 방법 | |
| US11798791B2 (en) | Substrate support and plasma processing apparatus | |
| JP2005191056A (ja) | 処理装置 | |
| JPH0131933B2 (ja) | ||
| KR101584108B1 (ko) | 플라즈마 장치 | |
| JP2000331996A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TW469533B (en) | Dry etching apparatus | |
| JPH11111620A (ja) | プラズマ処理装置およびスパッタ装置 | |
| JP3460113B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR101513255B1 (ko) | 플라즈마 장치 | |
| JP2000269199A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP5304061B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06120169A (ja) | プラズマ生成装置 | |
| KR100902619B1 (ko) | 기판 처리장치 및 그 방법 | |
| JP3797975B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10149896A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP7378668B2 (ja) | 静電チャックおよび基板処理装置 | |
| KR970065764A (ko) | 플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 방법 | |
| JPH0668839A (ja) | プラズマ装置における高周波給電装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020305 |