JPH08161931A - 導電ペースト並びにそれを用いた導電体および多層セラミック基板 - Google Patents
導電ペースト並びにそれを用いた導電体および多層セラミック基板Info
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- JPH08161931A JPH08161931A JP6299757A JP29975794A JPH08161931A JP H08161931 A JPH08161931 A JP H08161931A JP 6299757 A JP6299757 A JP 6299757A JP 29975794 A JP29975794 A JP 29975794A JP H08161931 A JPH08161931 A JP H08161931A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】多層セラミック基板の導電性材料として用いた
とき、多層セラミック基板のデラミネーションやクラッ
クの発生を防止することができる導電ペースト、それを
用いた導電体および多層セラミック基板を提供する。 【構成】導電ペーストは、導電性粉末と有機ビヒクルと
からなり、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜９
０ｗｔ％、Ｎｉを０．５〜１０ｗｔ％含む。または、導
電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜９５ｗｔ％、Ｐｄを
０．５〜５ｗｔ％含む。または、導電性粉末として、Ｃ
ｕを９９．５〜８０ｗｔ％、Ｗを０．５〜２０ｗｔ％含
む。または、導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜８０
ｗｔ％、Ｍｏを０．５〜２０ｗｔ％含む。そして、導電
性粉末の平均粒径は０．５〜５μｍが好ましい。
とき、多層セラミック基板のデラミネーションやクラッ
クの発生を防止することができる導電ペースト、それを
用いた導電体および多層セラミック基板を提供する。 【構成】導電ペーストは、導電性粉末と有機ビヒクルと
からなり、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜９
０ｗｔ％、Ｎｉを０．５〜１０ｗｔ％含む。または、導
電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜９５ｗｔ％、Ｐｄを
０．５〜５ｗｔ％含む。または、導電性粉末として、Ｃ
ｕを９９．５〜８０ｗｔ％、Ｗを０．５〜２０ｗｔ％含
む。または、導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜８０
ｗｔ％、Ｍｏを０．５〜２０ｗｔ％含む。そして、導電
性粉末の平均粒径は０．５〜５μｍが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層セラミック基板の
導電性材料として有用な導電ペースト、それを用いた導
電体および多層セラミック基板に関する。
導電性材料として有用な導電ペースト、それを用いた導
電体および多層セラミック基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化にともない、電子回路
を構成する各種電子部品を実装するためにセラミック基
板が汎用されている。最近では、実装密度をさらに高め
るために、その表面に導電性材料を含むペーストで回路
パターンを形成したセラミックグリーンシートを複数枚
積層し、この積層物を焼成して一体化した多層セラミッ
ク基板が実用化されている。そして、この多層のセラミ
ック基板間の電気的接続は、一般的には、以下に示す方
式でバイアホールを形成して行なっている。
を構成する各種電子部品を実装するためにセラミック基
板が汎用されている。最近では、実装密度をさらに高め
るために、その表面に導電性材料を含むペーストで回路
パターンを形成したセラミックグリーンシートを複数枚
積層し、この積層物を焼成して一体化した多層セラミッ
ク基板が実用化されている。そして、この多層のセラミ
ック基板間の電気的接続は、一般的には、以下に示す方
式でバイアホールを形成して行なっている。
【０００３】即ち、まずセラミックグリーンシートにド
リルまたはパンチでバイアホールをあけ、その中に導電
ペーストを充填させる。さらに、グリーンシート表面に
スクリーン印刷などにより導電ペーストで回路を形成す
る。その後、このグリーンシートを複数枚積層し圧着さ
せ、適当な基板サイズにカットして焼成する。このと
き、グリーンシート上およびバイアホール内の導電ペー
ストもグリーンシートと同時に焼結させて、多層セラミ
ック基板内の回路導通を図っている。
リルまたはパンチでバイアホールをあけ、その中に導電
ペーストを充填させる。さらに、グリーンシート表面に
スクリーン印刷などにより導電ペーストで回路を形成す
る。その後、このグリーンシートを複数枚積層し圧着さ
せ、適当な基板サイズにカットして焼成する。このと
き、グリーンシート上およびバイアホール内の導電ペー
ストもグリーンシートと同時に焼結させて、多層セラミ
ック基板内の回路導通を図っている。
【０００４】そして、この導電ペースト中の導電性粉末
としては、比抵抗が小さくマイグレーションが起こりに
くく、しかも安価なＣｕがよく用いられ、そのＣｕ粉末
をエチルセルロース樹脂などを樹脂分とする有機ビヒク
ル中に混合分散させたペーストが用いられている。
としては、比抵抗が小さくマイグレーションが起こりに
くく、しかも安価なＣｕがよく用いられ、そのＣｕ粉末
をエチルセルロース樹脂などを樹脂分とする有機ビヒク
ル中に混合分散させたペーストが用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、多層
セラミック基板の製造においては、セラミックグリーン
シートとＣｕペーストとが同時に焼成される。ところ
が、この焼成時のセラミックグリーンシートとＣｕペー
ストとの焼成収縮挙動に差がある。即ち、Ｃｕの焼結に
よる収縮がセラミックのそれよりも低温で先に起こる。
このため、焼結後に、多層セラミック層と層間導体との
間にデラミネーションが発生したり、バイアホール内部
にクラックが発生したりして、多層セラミック基板の信
頼性を低下させるという問題点を有していた。
セラミック基板の製造においては、セラミックグリーン
シートとＣｕペーストとが同時に焼成される。ところ
が、この焼成時のセラミックグリーンシートとＣｕペー
ストとの焼成収縮挙動に差がある。即ち、Ｃｕの焼結に
よる収縮がセラミックのそれよりも低温で先に起こる。
このため、焼結後に、多層セラミック層と層間導体との
間にデラミネーションが発生したり、バイアホール内部
にクラックが発生したりして、多層セラミック基板の信
頼性を低下させるという問題点を有していた。
【０００６】そこで、本発明の目的は、多層セラミック
基板の導電性材料として用いたとき、多層セラミック基
板のデラミネーションやクラックの発生を防止すること
ができる導電ペースト、それを用いた導電体および多層
セラミック基板を提供することにある。
基板の導電性材料として用いたとき、多層セラミック基
板のデラミネーションやクラックの発生を防止すること
ができる導電ペースト、それを用いた導電体および多層
セラミック基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の導電ペーストは、導電性粉末と有機ビヒク
ルとからなり、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５
〜９０ｗｔ％、Ｎｉを０．５〜１０ｗｔ％含むことを特
徴とする。
め、本発明の導電ペーストは、導電性粉末と有機ビヒク
ルとからなり、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５
〜９０ｗｔ％、Ｎｉを０．５〜１０ｗｔ％含むことを特
徴とする。
【０００８】また、導電性粉末と有機ビヒクルとからな
り、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜９５ｗｔ
％、Ｐｄを０．５〜５ｗｔ％含むことを特徴とする。
り、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜９５ｗｔ
％、Ｐｄを０．５〜５ｗｔ％含むことを特徴とする。
【０００９】また、導電性粉末と有機ビヒクルとからな
り、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜８０ｗｔ
％、Ｗを０．５〜２０ｗｔ％含むことを特徴とする。
り、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜８０ｗｔ
％、Ｗを０．５〜２０ｗｔ％含むことを特徴とする。
【００１０】また、導電性粉末と有機ビヒクルとからな
り、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜８０ｗｔ
％、Ｍｏを０．５〜２０ｗｔ％含むことを特徴とする。
り、前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜８０ｗｔ
％、Ｍｏを０．５〜２０ｗｔ％含むことを特徴とする。
【００１１】そして、本発明の導電ペースト中の導電性
粉末それぞれの平均粒径は０．５〜５μｍが好ましい。
粉末それぞれの平均粒径は０．５〜５μｍが好ましい。
【００１２】さらに、上記目的を達成するため、本発明
の導電体は、Ｃｕ粉末が９９．５〜９０ｗｔ％、Ｎｉ粉
末が０．５〜１０ｗｔ％の混合焼付け膜からなることを
特徴とする。
の導電体は、Ｃｕ粉末が９９．５〜９０ｗｔ％、Ｎｉ粉
末が０．５〜１０ｗｔ％の混合焼付け膜からなることを
特徴とする。
【００１３】また、Ｃｕ粉末が９９．５〜９５ｗｔ％、
Ｐｄ粉末が０．５〜５ｗｔ％の混合焼付け膜からなるこ
とを特徴とする。
Ｐｄ粉末が０．５〜５ｗｔ％の混合焼付け膜からなるこ
とを特徴とする。
【００１４】また、Ｃｕ粉末が９９．５〜８０ｗｔ％、
Ｗ粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなるこ
とを特徴とする。
Ｗ粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなるこ
とを特徴とする。
【００１５】また、Ｃｕ粉末が９９．５〜８０ｗｔ％、
Ｍｏ粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなる
ことを特徴とする。
Ｍｏ粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなる
ことを特徴とする。
【００１６】さらに、上記目的を達成するため、本発明
の多層セラミック基板は、Ｃｕ粉末が９９．５〜９０ｗ
ｔ％、Ｎｉ粉末が０．５〜１０ｗｔ％の混合焼付け膜か
らなる導電体が導体回路に用いられていることを特徴と
する。
の多層セラミック基板は、Ｃｕ粉末が９９．５〜９０ｗ
ｔ％、Ｎｉ粉末が０．５〜１０ｗｔ％の混合焼付け膜か
らなる導電体が導体回路に用いられていることを特徴と
する。
【００１７】また、Ｃｕ粉末が９９．５〜９５ｗｔ％、
Ｐｄ粉末が０．５〜５ｗｔ％の混合焼付け膜からなる導
電体が導体回路に用いられていることを特徴とする。
Ｐｄ粉末が０．５〜５ｗｔ％の混合焼付け膜からなる導
電体が導体回路に用いられていることを特徴とする。
【００１８】また、Ｃｕ粉末が９９．５〜８０ｗｔ％、
Ｗ粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなる導
電体が導体回路に用いられていることを特徴とする。
Ｗ粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなる導
電体が導体回路に用いられていることを特徴とする。
【００１９】また、Ｃｕ粉末が９９．５〜８０ｗｔ％、
Ｍｏ粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなる
導電体が導体回路に用いられていることを特徴とする。
Ｍｏ粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなる
導電体が導体回路に用いられていることを特徴とする。
【００２０】
【作用】本発明の導電性粉末を有する導電ペーストを用
いれば、Ｃｕに添加された高融点金属であるＮｉ、Ｐ
ｄ、ＷまたはＭｏによってＣｕの焼結が妨げられ、Ｃｕ
の焼成収縮開始温度が高温側にずれる。このため、Ｃｕ
の焼成収縮挙動がセラミックグリーンシートのそれに近
づく。
いれば、Ｃｕに添加された高融点金属であるＮｉ、Ｐ
ｄ、ＷまたはＭｏによってＣｕの焼結が妨げられ、Ｃｕ
の焼成収縮開始温度が高温側にずれる。このため、Ｃｕ
の焼成収縮挙動がセラミックグリーンシートのそれに近
づく。
【００２１】さらに、導電性粉末の粒径を本発明の範囲
内とすることによって、スクリーン印刷に最適の導電ペ
ーストとなる。
内とすることによって、スクリーン印刷に最適の導電ペ
ーストとなる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の導電ペーストおよびそれを用
いた多層セラミック基板について、その実施例を説明す
る。まず、セラミック材料としてＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 系からなるガラス複合材料を準備し、その粉末
にポリビニールブチラールなどの有機バインダおよびト
ルエンなどの有機溶剤を加え混練してスラリーを得た。
得られたスラリーをドクターブレード法によりシート状
に成形して、セラミックグリーンシートを作製した。こ
のセラミックグリーンシートにバイアホールをパンチで
あけた。
いた多層セラミック基板について、その実施例を説明す
る。まず、セラミック材料としてＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 系からなるガラス複合材料を準備し、その粉末
にポリビニールブチラールなどの有機バインダおよびト
ルエンなどの有機溶剤を加え混練してスラリーを得た。
得られたスラリーをドクターブレード法によりシート状
に成形して、セラミックグリーンシートを作製した。こ
のセラミックグリーンシートにバイアホールをパンチで
あけた。
【００２３】一方、導電ペーストを以下の通り作製し
た。即ち、導電性粉末として、平均粒径０．５μｍ、１
μｍ、３μｍおよび５μｍのＣｕ粉末と、平均粒径０．
５μｍ、１μｍ、５μｍのＮｉ粉末、Ｐｄ粉末、Ｗ粉末
およびＭｏ粉末を準備した。次に、これら導電性粉末
に、エチルセルロース系樹脂およびアルキッド樹脂から
なる有機バインダとテルピネオール系などの溶剤からな
る有機ビヒクルを添加し、三本ロールで混練して表１に
示す導電性粉末を有する導電ペーストを得た。なお、こ
の場合、導電性粉末（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、ＷおよびＭ
ｏ）１００重量部に対して、有機ビヒクル１０〜１００
重量部を添加した。
た。即ち、導電性粉末として、平均粒径０．５μｍ、１
μｍ、３μｍおよび５μｍのＣｕ粉末と、平均粒径０．
５μｍ、１μｍ、５μｍのＮｉ粉末、Ｐｄ粉末、Ｗ粉末
およびＭｏ粉末を準備した。次に、これら導電性粉末
に、エチルセルロース系樹脂およびアルキッド樹脂から
なる有機バインダとテルピネオール系などの溶剤からな
る有機ビヒクルを添加し、三本ロールで混練して表１に
示す導電性粉末を有する導電ペーストを得た。なお、こ
の場合、導電性粉末（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、ＷおよびＭ
ｏ）１００重量部に対して、有機ビヒクル１０〜１００
重量部を添加した。
【００２４】次に、セラミックグリーンシート中のバイ
アホールにこの導電ペーストを充填し乾燥させた後、同
じペーストを用いてセラミックグリーンシート上にスク
リーン印刷により回路を形成した。そして、これらセラ
ミックグリーンシートを複数枚積層して圧着した後、所
定寸法に切断した。その後、Ｎ2 雰囲気中、９００〜１
０００℃で１〜２時間焼成して多層セラミック基板を得
た。
アホールにこの導電ペーストを充填し乾燥させた後、同
じペーストを用いてセラミックグリーンシート上にスク
リーン印刷により回路を形成した。そして、これらセラ
ミックグリーンシートを複数枚積層して圧着した後、所
定寸法に切断した。その後、Ｎ2 雰囲気中、９００〜１
０００℃で１〜２時間焼成して多層セラミック基板を得
た。
【００２５】得られた多層セラミック基板の切断面を光
学顕微鏡により観察し、層間導体部分のデラミネーショ
ンの有無、およびバイアホール部分のクラックの有無を
調べた。その結果を表１に示す。なお、表１において、
バイアホールの確認結果で「（基板割れ）」とは、バイ
アホール内の導電体の膨脹により、セラミック基板側に
割れが発生していたものである。また、表１において、
＊印を付したものは本発明の範囲外のものであり、その
他は、本発明の範囲内のものである。
学顕微鏡により観察し、層間導体部分のデラミネーショ
ンの有無、およびバイアホール部分のクラックの有無を
調べた。その結果を表１に示す。なお、表１において、
バイアホールの確認結果で「（基板割れ）」とは、バイ
アホール内の導電体の膨脹により、セラミック基板側に
割れが発生していたものである。また、表１において、
＊印を付したものは本発明の範囲外のものであり、その
他は、本発明の範囲内のものである。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１より明らかな通り、Ｃｕ粉末を９９．
５〜９０ｗｔ％、Ｎｉ粉末を０．５〜１０ｗｔ％含む導
電ペーストをセラミック多層基板の導電性材料として用
いることにより、試料番号４〜７に示すように、層間導
体部分にデラミネーションやバイアホール部分にクラッ
クのないセラミック多層基板が得られた。なお、Ｃｕ粉
末の含有量が９０ｗｔ％未満、即ちＮｉ粉末含有量が１
０ｗｔ％を超える場合には、試料番号８に示すように、
バイアホール内の導電体の膨脹によりセラミック基板側
に割れが発生した。
５〜９０ｗｔ％、Ｎｉ粉末を０．５〜１０ｗｔ％含む導
電ペーストをセラミック多層基板の導電性材料として用
いることにより、試料番号４〜７に示すように、層間導
体部分にデラミネーションやバイアホール部分にクラッ
クのないセラミック多層基板が得られた。なお、Ｃｕ粉
末の含有量が９０ｗｔ％未満、即ちＮｉ粉末含有量が１
０ｗｔ％を超える場合には、試料番号８に示すように、
バイアホール内の導電体の膨脹によりセラミック基板側
に割れが発生した。
【００２８】また、Ｃｕ粉末を９９．５〜９５ｗｔ％、
Ｐｄ粉末を０．５〜５ｗｔ％含む導電ペーストをセラミ
ック多層基板の導電性材料として用いることにより、試
料番号９、１０に示すように、層間導体部分にデラミネ
ーションやバイアホール部分にクラックのないセラミッ
ク多層基板が得られた。なお、Ｃｕ粉末の含有量が９５
ｗｔ％未満、即ちＰｄ粉末含有量が５ｗｔ％を超える場
合には、試料番号１１に示すように、バイアホール内の
導電体の膨脹によりセラミック基板側に割れが発生し
た。
Ｐｄ粉末を０．５〜５ｗｔ％含む導電ペーストをセラミ
ック多層基板の導電性材料として用いることにより、試
料番号９、１０に示すように、層間導体部分にデラミネ
ーションやバイアホール部分にクラックのないセラミッ
ク多層基板が得られた。なお、Ｃｕ粉末の含有量が９５
ｗｔ％未満、即ちＰｄ粉末含有量が５ｗｔ％を超える場
合には、試料番号１１に示すように、バイアホール内の
導電体の膨脹によりセラミック基板側に割れが発生し
た。
【００２９】また、Ｃｕ粉末を９９．５〜８０ｗｔ％、
Ｗ粉末を０．５〜２０ｗｔ％含む導電ペーストをセラミ
ック多層基板の導電性材料として用いることにより、試
料番号１２〜１４に示すように、層間導体部分にデラミ
ネーションやバイアホール部分にクラックのないセラミ
ック多層基板が得られた。なお、Ｃｕ粉末の含有量が８
０ｗｔ％未満、即ちＷ粉末含有量が２０ｗｔ％を超える
場合には、試料番号１５に示すように、バイアホール内
の導電体の膨脹によりセラミック基板側に割れが発生し
た。
Ｗ粉末を０．５〜２０ｗｔ％含む導電ペーストをセラミ
ック多層基板の導電性材料として用いることにより、試
料番号１２〜１４に示すように、層間導体部分にデラミ
ネーションやバイアホール部分にクラックのないセラミ
ック多層基板が得られた。なお、Ｃｕ粉末の含有量が８
０ｗｔ％未満、即ちＷ粉末含有量が２０ｗｔ％を超える
場合には、試料番号１５に示すように、バイアホール内
の導電体の膨脹によりセラミック基板側に割れが発生し
た。
【００３０】また、Ｃｕ粉末を９９．５〜８０ｗｔ％、
Ｍｏ粉末を０．５〜２０ｗｔ％含む導電ペーストをセラ
ミック多層基板の導電性材料として用いることにより、
試料番号１６〜１８に示すように、層間導体部分にデラ
ミネーションやバイアホール部分にクラックのないセラ
ミック多層基板が得られた。なお、Ｃｕ粉末の含有量が
８０ｗｔ％未満、即ちＭｏ粉末含有量が２０ｗｔ％を超
える場合には、試料番号１９に示すように、バイアホー
ル内の導電体の膨脹によりセラミック基板側に割れが発
生した。
Ｍｏ粉末を０．５〜２０ｗｔ％含む導電ペーストをセラ
ミック多層基板の導電性材料として用いることにより、
試料番号１６〜１８に示すように、層間導体部分にデラ
ミネーションやバイアホール部分にクラックのないセラ
ミック多層基板が得られた。なお、Ｃｕ粉末の含有量が
８０ｗｔ％未満、即ちＭｏ粉末含有量が２０ｗｔ％を超
える場合には、試料番号１９に示すように、バイアホー
ル内の導電体の膨脹によりセラミック基板側に割れが発
生した。
【００３１】一方、Ｃｕ粉末の含有量が９９．５ｗｔ％
を超える、即ちＮｉ，Ｐｄ，ＷまたはＭｏ粉末の含有量
が０．５ｗｔ％未満の場合には、これら高融点金属粉末
の添加により焼結を妨げて、Ｃｕ粉末の焼成収縮開始温
度を高温側にずらす効果がほとんど得られない。
を超える、即ちＮｉ，Ｐｄ，ＷまたはＭｏ粉末の含有量
が０．５ｗｔ％未満の場合には、これら高融点金属粉末
の添加により焼結を妨げて、Ｃｕ粉末の焼成収縮開始温
度を高温側にずらす効果がほとんど得られない。
【００３２】さらに、導電ペースト中の導電性粉末の平
均粒径を、０．５〜５μｍとすることにより、スクリー
ン印刷用として最適な導電ペーストを得ることができ
る。即ち、導電性粉末の平均粒径が０．５μｍ未満の場
合には、導電ペーストのチクソトロピック性が増大し流
動性が低下して、バイアホール内への導電ペーストの充
填性がよくない。一方、導電性粉末の平均粒径が５μｍ
を超える場合は、導電性成分のミクロ的な分散が悪く、
焼結時の反応が不均一となる。
均粒径を、０．５〜５μｍとすることにより、スクリー
ン印刷用として最適な導電ペーストを得ることができ
る。即ち、導電性粉末の平均粒径が０．５μｍ未満の場
合には、導電ペーストのチクソトロピック性が増大し流
動性が低下して、バイアホール内への導電ペーストの充
填性がよくない。一方、導電性粉末の平均粒径が５μｍ
を超える場合は、導電性成分のミクロ的な分散が悪く、
焼結時の反応が不均一となる。
【００３３】なお、上記実施例においては、導電ペース
トの有機ビヒクルとして、エチルセルロース系樹脂およ
びアルキッド樹脂からなる有機バインダとテルピネオー
ル系などの溶剤からなるものを用いているが、本発明は
これのみに限定されるものではない。即ち、通常厚膜ペ
ーストに用いられている有機ビヒクルの中から、セラミ
ックグリーンシートのバインダとの組み合わせで選定し
て用いることができる。
トの有機ビヒクルとして、エチルセルロース系樹脂およ
びアルキッド樹脂からなる有機バインダとテルピネオー
ル系などの溶剤からなるものを用いているが、本発明は
これのみに限定されるものではない。即ち、通常厚膜ペ
ーストに用いられている有機ビヒクルの中から、セラミ
ックグリーンシートのバインダとの組み合わせで選定し
て用いることができる。
【００３４】また、上記実施例には示していないが、導
電ペーストに、公知の硼珪酸鉛系、硼珪酸亜鉛系などの
ガラスフリットを添加することにより、導電体とセラミ
ックとの密着性を向上させることができる。
電ペーストに、公知の硼珪酸鉛系、硼珪酸亜鉛系などの
ガラスフリットを添加することにより、導電体とセラミ
ックとの密着性を向上させることができる。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
導電性粉末を有する導電ペーストは、Ｃｕペーストに高
融点金属であるＮｉ、Ｐｄ、ＷまたはＭｏを添加して、
Ｃｕの焼結開始温度を高温側にずらしたものである。こ
のため、この導電ペーストを多層セラミック基板の導電
性材料として用いることにより、Ｃｕの焼成収縮挙動を
セラミックグリーンシートの焼成収縮挙動に近づけるこ
とができる。したがって、焼結時の焼成収縮挙動の違い
によるクラックやデラミネーションの発生を防止するこ
とができる。
導電性粉末を有する導電ペーストは、Ｃｕペーストに高
融点金属であるＮｉ、Ｐｄ、ＷまたはＭｏを添加して、
Ｃｕの焼結開始温度を高温側にずらしたものである。こ
のため、この導電ペーストを多層セラミック基板の導電
性材料として用いることにより、Ｃｕの焼成収縮挙動を
セラミックグリーンシートの焼成収縮挙動に近づけるこ
とができる。したがって、焼結時の焼成収縮挙動の違い
によるクラックやデラミネーションの発生を防止するこ
とができる。
【００３６】また、導電性成分の粒径を本発明の範囲内
とすることによって、スクリーン印刷に最適な導電ペー
ストを得ることができる。
とすることによって、スクリーン印刷に最適な導電ペー
ストを得ることができる。
【００３７】また、本発明の導電ペーストを焼付けた導
電体は、クラックのないバイアホールおよびデラミネー
ションのない層間導電体、並びにそれらを有する多層セ
ラミック基板を得ることができる。
電体は、クラックのないバイアホールおよびデラミネー
ションのない層間導電体、並びにそれらを有する多層セ
ラミック基板を得ることができる。
【００３８】さらに、本発明によれば、個々の金属粉末
と有機ビヒクルとを混合したものであり、予め合金化し
た金属粉末を用いることがないので、容易に安価な導電
ペーストおよび導電体を得ることができる。
と有機ビヒクルとを混合したものであり、予め合金化し
た金属粉末を用いることがないので、容易に安価な導電
ペーストおよび導電体を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ 6921−4Ｅ
Claims (13)
- 【請求項１】 導電性粉末と有機ビヒクルとからなり、
前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜９０ｗｔ％、
Ｎｉを０．５〜１０ｗｔ％含むことを特徴とする導電ペ
ースト。 - 【請求項２】 導電性粉末と有機ビヒクルとからなり、
前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜９５ｗｔ％、
Ｐｄを０．５〜５ｗｔ％含むことを特徴とする導電ペー
スト。 - 【請求項３】 導電性粉末と有機ビヒクルとからなり、
前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜８０ｗｔ％、
Ｗを０．５〜２０ｗｔ％含むことを特徴とする導電ペー
スト。 - 【請求項４】 導電性粉末と有機ビヒクルとからなり、
前記導電性粉末として、Ｃｕを９９．５〜８０ｗｔ％、
Ｍｏを０．５〜２０ｗｔ％含むことを特徴とする導電ペ
ースト。 - 【請求項５】 導電ペースト中の導電性粉末それぞれの
平均粒径が０．５〜５μｍであることを特徴とする請求
項１〜４のうちいずれかに記載の導電ペースト。 - 【請求項６】 Ｃｕ粉末が９９．５〜９０ｗｔ％、Ｎｉ
粉末が０．５〜１０ｗｔ％の混合焼付け膜からなること
を特徴とする導電体。 - 【請求項７】 Ｃｕ粉末が９９．５〜９５ｗｔ％、Ｐｄ
粉末が０．５〜５ｗｔ％の混合焼付け膜からなることを
特徴とする導電体。 - 【請求項８】 Ｃｕ粉末が９９．５〜８０ｗｔ％、Ｗ粉
末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなることを
特徴とする導電体。 - 【請求項９】 Ｃｕ粉末が９９．５〜８０ｗｔ％、Ｍｏ
粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなること
を特徴とする導電体。 - 【請求項１０】 Ｃｕ粉末が９９．５〜９０ｗｔ％、Ｎ
ｉ粉末が０．５〜１０ｗｔ％の混合焼付け膜からなる導
電体が導体回路に用いられていることを特徴とする多層
セラミック基板。 - 【請求項１１】 Ｃｕ粉末が９９．５〜９５ｗｔ％、Ｐ
ｄ粉末が０．５〜５ｗｔ％の混合焼付け膜からなる導電
体が導体回路に用いられていることを特徴とする多層セ
ラミック基板。 - 【請求項１２】 Ｃｕ粉末が９９．５〜８０ｗｔ％、Ｗ
粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなる導電
体が導体回路に用いられていることを特徴とする多層セ
ラミック基板。 - 【請求項１３】 Ｃｕ粉末が９９．５〜８０ｗｔ％、Ｍ
ｏ粉末が０．５〜２０ｗｔ％の混合焼付け膜からなる導
電体が導体回路に用いられていることを特徴とする多層
セラミック基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29975794A JP3467873B2 (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | 多層セラミック基板の製造方法 |
| KR1019950046127A KR100227412B1 (ko) | 1994-12-02 | 1995-12-01 | 도전성 페이스트의 제조방법 및 이를 사용한 도전체 |
| US09/377,476 US6086793A (en) | 1994-12-02 | 1999-08-19 | Method of producing electrically conductive pastes and materials using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29975794A JP3467873B2 (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08161931A true JPH08161931A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3467873B2 JP3467873B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=17876613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29975794A Expired - Lifetime JP3467873B2 (ja) | 1994-12-02 | 1994-12-02 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3467873B2 (ja) |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11135900A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Kyocera Corp | 窒化アルミニウム質配線基板及びその製造方法 |
| JP2000077805A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2010045212A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2010045209A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
| JP2013045900A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP2015050133A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 旭硝子株式会社 | 導電性ペーストおよび導電膜付き基材 |
| US20180147673A1 (en) * | 2015-09-04 | 2018-05-31 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Metal paste and use thereof for joining components |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100390638B1 (ko) * | 2001-07-09 | 2003-07-07 | 남애전자 주식회사 | 도전성 실리콘 페이스트 |
-
1994
- 1994-12-02 JP JP29975794A patent/JP3467873B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-12-01 KR KR1019950046127A patent/KR100227412B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH11135900A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Kyocera Corp | 窒化アルミニウム質配線基板及びその製造方法 |
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| JP2010045212A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
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| JP2013045900A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP2015050133A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 旭硝子株式会社 | 導電性ペーストおよび導電膜付き基材 |
| US20180147673A1 (en) * | 2015-09-04 | 2018-05-31 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Metal paste and use thereof for joining components |
| JP2018526526A (ja) * | 2015-09-04 | 2018-09-13 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | 金属ペースト及びコンポーネントを接合するためのその使用 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960025833A (ko) | 1996-07-20 |
| JP3467873B2 (ja) | 2003-11-17 |
| KR100227412B1 (ko) | 1999-11-01 |
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