JPH08159948A - Laser measuring instrument for suspended particle - Google Patents
Laser measuring instrument for suspended particleInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造におけるイ
オン注入工程で発生する浮遊粒子を計測する浮遊粒子の
レーザ計測装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a suspended particle laser measuring apparatus for measuring suspended particles generated in an ion implantation process in semiconductor manufacturing.
【0002】[0002]
【従来の技術】イオン注入工程において、イオンビーム
が通過する真空容器の内壁には、イオンビームの発生に
使用されたイオン種や、飛散したレジストが付着してい
ることがある。その付着粒子は、イオン注入中に再度飛
散してウェーハに付着し、導電層領域の反転(例えば、
本来P形を形成すべき領域が、粒子の付着によりn形に
反転するような現象)や、耐圧の劣化を誘発する。特
に、ウェーハ上にサブミクロンオーダーの回路を形成す
る場合においては、上記のような付着粒子により、回路
パターンの正常な形成が困難になり、半導体チップの歩
留りの低下をもたらすことになる。したがって、歩留り
の管理を行なうには、真空容器内に発生する浮遊粒子の
分布状態を把握することが重要となる。2. Description of the Related Art In an ion implantation process, an ion species used for generating an ion beam and scattered resist may adhere to the inner wall of a vacuum container through which the ion beam passes. The adhered particles are scattered again during the ion implantation and adhered to the wafer, and the conductive layer region is reversed (for example,
A region where the P-type should be originally formed is inverted to the n-type due to adhesion of particles) and deterioration of withstand voltage is induced. In particular, in the case of forming a circuit of submicron order on a wafer, the above-mentioned adhered particles make it difficult to form a circuit pattern normally, resulting in a decrease in the yield of semiconductor chips. Therefore, in order to manage the yield, it is important to understand the distribution state of suspended particles generated in the vacuum container.
【0003】従来、イオン注入工程における真空容器内
の浮遊粒子の管理は、ウェーハにイオンを注入した後に
ウェーハに付着した粒子を調べ、粒子の発生状況を把握
することにより行なわれていた。Conventionally, the control of floating particles in a vacuum container in the ion implantation process has been performed by investigating the particles adhering to the wafer after implanting ions into the wafer and grasping the generation state of the particles.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術では、ウェーハに付着した粒子を検知するため、真
空容器内の粒子の分布状態や種類を正確に把握すること
が困難であった。それゆえ、浮遊粒子による汚染に対し
て迅速かつ適切に対応することは容易ではなかった。However, in the above-mentioned conventional technique, since the particles adhering to the wafer are detected, it is difficult to accurately grasp the distribution state and type of particles in the vacuum container. Therefore, it is not easy to respond quickly and appropriately to contamination by airborne particles.
【0005】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、汚染源を特定するために、粒子の数密度お
よび粒径を測定し、さらには粒子の種類を特定する装置
を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an apparatus for measuring the number density and particle size of particles and for specifying the type of particles in order to specify the pollution source. Is intended.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の浮遊粒子のレー
ザ計測装置は、上記の課題を解決するために、イオン注
入装置の真空容器内にレーザ光を照射する可変波長のレ
ーザ光源と、上記真空容器内に浮遊する粒子にて散乱し
たレーザ光を収束する集光レンズと、この集光レンズを
レーザ光の光路に沿って平行に移動させる移動手段と、
上記集光レンズにより収束された光を水平方向および垂
直方向の偏波に分離する偏光板等の偏光手段と、この偏
光手段により分離された両偏波の光強度の比に基づいて
粒子の数密度および粒径を算出する算出手段と、この算
出手段により算出された粒子の数密度が所定の値を超え
ると上記レーザ光源の波長を掃引する掃引手段と、この
波長掃引時に粒子から発されて上記集光レンズにより収
束された蛍光を検知したときのレーザ光の波長に基づい
て粒子の種類を判別する判別手段とを備えていることを
特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, a floating particle laser measuring apparatus of the present invention includes a variable wavelength laser light source for irradiating a laser beam into a vacuum container of an ion implantation apparatus, and A condenser lens that converges the laser light scattered by particles floating in the vacuum container, and a moving unit that moves the condenser lens in parallel along the optical path of the laser light,
The number of particles based on a polarizing means such as a polarizing plate for separating the light converged by the condenser lens into polarized waves in the horizontal and vertical directions and the light intensity ratio of both polarized waves separated by this polarizing means. A calculating means for calculating the density and the particle diameter, a sweeping means for sweeping the wavelength of the laser light source when the number density of the particles calculated by the calculating means exceeds a predetermined value, and a particle emitted during the wavelength sweeping. It is characterized in that it comprises a discriminating means for discriminating the kind of particles based on the wavelength of the laser light when the fluorescence converged by the condenser lens is detected.
【0007】[0007]
【作用】上記の構成では、レーザ光源から発されたレー
ザ光が、真空容器内に浮遊する粒子に照射されて散乱す
る。この散乱光は、集光レンズにより収束されて偏光手
段で2つの偏波に分離される。算出手段では、両偏波の
光強度の比に基づいて粒子の数密度および粒径が算出さ
れる。このとき、算出には、ミー散乱に基づく散乱比法
が用いられる。また、粒子からの散乱光は、移動手段に
よりレーザ光源が移動することで一定の範囲で検出され
る。In the above structure, the laser light emitted from the laser light source is scattered by the particles floating in the vacuum container. The scattered light is converged by the condenser lens and separated into two polarized waves by the polarization means. The calculation means calculates the number density and particle size of the particles based on the ratio of the light intensities of both polarized waves. At this time, the scattering ratio method based on Mie scattering is used for the calculation. The scattered light from the particles is detected within a certain range by moving the laser light source by the moving means.
【0008】上記のように算出された粒子の数密度が所
定の値を超えていると、レーザ光源の波長が掃引手段に
より掃引される。この掃引によって波長が変化して、そ
の波長が粒子の固有の波長になると、粒子にその光が吸
収され、粒子の原子における核外電子が励起される。そ
して、核外電子のエネルギー準位が基底準位や準安定準
位にまで低下すると、粒子から固有の波長の蛍光が発さ
れる。そして、判別手段では、その蛍光が検知される
と、そのときのレーザ光の波長に基づいて粒子の種類が
判別される。When the number density of particles calculated as described above exceeds a predetermined value, the wavelength of the laser light source is swept by the sweeping means. The wavelength changes due to this sweep, and when the wavelength becomes a unique wavelength of the particle, the light is absorbed by the particle, and the extranuclear electron in the atom of the particle is excited. When the energy level of the extranuclear electron is lowered to the ground level or the metastable level, the particles emit fluorescence of a specific wavelength. When the fluorescence is detected, the discrimination unit discriminates the type of particle based on the wavelength of the laser light at that time.
【0009】このように、上記の構成では、粒子の散乱
光により、粒子の数密度および粒径が求められ、さら
に、粒子の数密度が多いときには、粒子から発される蛍
光に基づいて粒子の種類を判別するので、真空容器内に
おいて、どのような粒子がどの程度の密度で分布してい
るか把握することができる。これにより、浮遊粒子の監
視を容易に行なうことができる。As described above, in the above structure, the number density and the particle size of the particles are obtained from the scattered light of the particles, and when the number density of the particles is high, the particle number of the particles is determined based on the fluorescence emitted from the particles. Since the type is discriminated, it is possible to grasp what kind of particles are distributed at what density in the vacuum container. This makes it possible to easily monitor suspended particles.
【0010】[0010]
【実施例】本発明の一実施例について図1ないし図4に
基づいて説明すれば、以下の通りである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following will describe one embodiment of the present invention with reference to FIGS.
【0011】本実施例に係るイオン注入装置は、図3に
示すように、イオン源1、分析マグネット2、加速管
3、Qレンズ4、走査電極5、ビーム輸送管6および注
入室7を備えている。このイオン注入装置において、イ
オン源1から引き出されたイオンビームは、分析マグネ
ット2にて所要のイオン種が選別され、加速管3により
加速された後、Qレンズ4および走査電極5にて収束・
偏向され、さらにビーム輸送管6内を輸送されてエンド
ステーションにおける注入室7内に装着されたウェーハ
8に照射される。As shown in FIG. 3, the ion implantation apparatus according to this embodiment comprises an ion source 1, an analysis magnet 2, an acceleration tube 3, a Q lens 4, a scanning electrode 5, a beam transport tube 6 and an implantation chamber 7. ing. In this ion implanter, the ion beam extracted from the ion source 1 is selected by the analysis magnet 2 for the required ion species, accelerated by the acceleration tube 3, and then converged by the Q lens 4 and the scanning electrode 5.
The wafer 8 is deflected, further transported in the beam transport tube 6, and irradiated onto the wafer 8 mounted in the implantation chamber 7 at the end station.
【0012】真空容器としての注入室7の周囲には、本
発明のレーザ計測装置9が設けられている。このレーザ
計測装置9は、図1にも示すように、レーザ装置21お
よびビームダンプ22を備えている。レーザ装置21お
よびビームダンプ22は、それぞれ注入室7の両側壁に
間隔をおいて配置されており、レーザ装置21から出射
されて注入室7内を通過するレーザ光をビームダンプ2
2に取り込むようになっている。レーザ装置21は、色
素レーザまたは高調波発生素子を用いた波長可変のレー
ザ光源である。ビームダンプ22は、注入室7内を浮遊
する粒子により散乱しなかったレーザ光を取り込む光学
部品である。A laser measuring device 9 of the present invention is provided around the injection chamber 7 as a vacuum container. This laser measuring device 9 includes a laser device 21 and a beam dump 22 as shown in FIG. The laser device 21 and the beam dump 22 are arranged at intervals on both side walls of the injection chamber 7, and the laser light emitted from the laser device 21 and passing through the inside of the injection chamber 7 is beam dumped 2
It is designed to be included in 2. The laser device 21 is a wavelength tunable laser light source using a dye laser or a harmonic wave generating element. The beam dump 22 is an optical component that takes in laser light that has not been scattered by particles floating in the injection chamber 7.
【0013】一方、注入室7は、浮遊粒子により散乱し
たレーザ光を上部から外部へ取り出すために、レーザ光
の光路に沿って長く形成された、石英ガラスからなる透
明の観測窓10が設けられている。また、注入室7にお
いては、レーザ装置21側の側壁に、レーザ光を入射さ
せる入射窓11が設けられ、ビームダンプ22側の側壁
に、レーザ光を出射させる出射窓12が設けられてい
る。上記の入射窓11は、図3に示すように円形をなし
ており、図示しないが、出射窓12もまた円形をなして
いる。On the other hand, the injection chamber 7 is provided with a transparent observation window 10 made of quartz glass, which is formed long along the optical path of the laser light in order to take out the laser light scattered by the suspended particles to the outside. ing. In addition, in the injection chamber 7, an entrance window 11 for entering laser light is provided on the side wall on the laser device 21 side, and an exit window 12 for emitting laser light is provided on the side wall on the beam dump 22 side. The entrance window 11 is circular as shown in FIG. 3, and the exit window 12 is also circular although not shown.
【0014】レーザ計測装置9は、上記のレーザ装置2
1およびビームダンプ22に加えて、集光レンズ23
と、レンズ駆動装置24と、光ファイバケーブル25
と、偏光板26と、光電子増倍管27・28と、記録計
29と、コントローラ30とを備えている。The laser measuring device 9 is the above laser device 2.
1 and the beam dump 22, a condenser lens 23
Lens drive device 24 and optical fiber cable 25
And a polarizing plate 26, photomultiplier tubes 27 and 28, a recorder 29, and a controller 30.
【0015】集光レンズ23は、観測窓10から取り出
されたレーザ光を収束するレンズであり、レンズ駆動装
置24に取り付けられている。移動手段としてのレンズ
駆動装置24は、注入室7の上面壁に取り付けられてお
り、図示しない駆動モータ等によって、集光レンズ23
をレーザ光の光路と平行な方向に往復移動させるように
なっている。光ファイバケーブル25は、集光レンズ2
3により収束されたレーザ光を偏光板26に導く光路と
なっており、偏波面を保存することができるケーブルに
より構成されている。The condenser lens 23 is a lens that converges the laser light extracted from the observation window 10, and is attached to the lens driving device 24. The lens driving device 24 as a moving unit is attached to the upper wall of the injection chamber 7, and is driven by a drive motor (not shown) or the like to form the condenser lens 23.
Is reciprocated in a direction parallel to the optical path of the laser light. The optical fiber cable 25 includes the condenser lens 2
It is an optical path that guides the laser light converged by 3 to the polarizing plate 26, and is composed of a cable that can preserve the plane of polarization.
【0016】偏光手段としての偏光板26は、入射する
レーザ光を水平偏波と垂直偏波とに分離する光学部品で
ある。この偏光板26は、光ファイバケーブル25から
出射される光の光路上またはその光路外に選択的に配さ
れるように、図示しない駆動機構により駆動されるよう
になっている。具体的には、偏光板26は、浮遊粒子の
数密度および粒径を測定する際に光路上に配され、浮遊
粒子の種類を判別する際に光路上から外される。The polarizing plate 26 as a polarizing means is an optical component for separating the incident laser light into a horizontally polarized wave and a vertically polarized wave. The polarizing plate 26 is driven by a drive mechanism (not shown) so as to be selectively arranged on the optical path of the light emitted from the optical fiber cable 25 or outside the optical path. Specifically, the polarizing plate 26 is arranged on the optical path when measuring the number density and particle diameter of the suspended particles, and is removed from the optical path when determining the type of the suspended particles.
【0017】光電子増倍管27・28は、偏光板26か
らの水平偏波および垂直偏波を光電子に変換し、この光
電子を二次電子増倍管により大電流に変換するものであ
って、水平偏波および垂直偏波の光強度を、それぞれ個
別に電気信号レベルに変換するようになっている。The photomultiplier tubes 27 and 28 convert the horizontally polarized wave and the vertically polarized wave from the polarizing plate 26 into photoelectrons, and convert these photoelectrons into large currents by the secondary electron multiplier tubes. The light intensities of the horizontal polarization and the vertical polarization are individually converted into electric signal levels.
【0018】記録計29は、光電子増倍管27・28か
らの電気信号に基づいて、後述する散乱比法により浮遊
粒子の数密度および粒径とを算出して、数密度が所定の
値を超えるとコントローラ30にその旨を信号として出
力するようになっている。また、記録計29は、光電子
増倍管27からの電気信号に基づく光強度、コントロー
ラ30から与えられたレーザ光の波長等により、粒子の
種類を判別して特定するようになっている。この記録計
29は、算出手段および判別手段としての機能を有して
おり、これらの機能により収集されたデータを蓄積する
機能や、表示および印字出力する機能等も併せて有して
いる。The recorder 29 calculates the number density and the particle size of the suspended particles by the scattering ratio method described later based on the electric signals from the photomultiplier tubes 27 and 28, and the number density has a predetermined value. When it exceeds the limit, the fact is output to the controller 30 as a signal. Further, the recorder 29 discriminates and specifies the type of particle based on the light intensity based on the electric signal from the photomultiplier tube 27, the wavelength of the laser beam given from the controller 30, and the like. The recorder 29 has a function as a calculating unit and a determining unit, and also has a function of accumulating data collected by these functions, a function of displaying and printing out, and the like.
【0019】コントローラ30は、浮遊粒子の数密度お
よび粒径を計測する際にレーザ光を単一波長に設定する
とともに、数密度が所定値を超えたことを通知する信号
を記録計29から受けると、レーザ光の波長を掃引する
ようにレーザ装置21の制御を行なう装置であって、掃
引手段としての機能を有している。また、コントローラ
30は、浮遊粒子の数密度および粒径が計測される際
に、集光レンズ23を水平方向に移動させ、かつ偏光板
26を光路上に位置させるとともに、浮遊粒子の種類が
判別される際に、集光レンズ23をステップ状に移動さ
せ、かつ偏光板26を上記の光路上から外すように、レ
ンズ駆動装置24および偏光板26の駆動機構を制御す
るようになっている。The controller 30 sets the laser light to a single wavelength when measuring the number density and particle size of the suspended particles, and receives a signal from the recorder 29 notifying that the number density has exceeded a predetermined value. And a device that controls the laser device 21 so as to sweep the wavelength of the laser light, and has a function as a sweeping means. Further, the controller 30 moves the condenser lens 23 in the horizontal direction and positions the polarizing plate 26 on the optical path when the number density and particle diameter of the suspended particles are measured, and determines the type of the suspended particles. At this time, the lens driving device 24 and the driving mechanism of the polarizing plate 26 are controlled so as to move the condenser lens 23 in a stepwise manner and remove the polarizing plate 26 from the optical path.
【0020】上記の構成において、レーザ装置21から
発された特定の波長のレーザ光は、入射窓11より入射
して注入室7内を通過し、注入室7内に浮遊する粒子に
当たると散乱角で散乱する。また、粒子に当たらなかっ
たレーザ光は、そのまま直進して出射窓12から注入室
7の外部に出て、ビームダンプ22により吸収される。
このように、観測に不要なレーザ光を注入室7の外部に
逃がして吸収することにより、その不要なレーザ光が注
入室7の内壁で散乱して観測すべき散乱光に含まれるこ
とがなく、正しく散乱光を観測することができる。In the above-mentioned structure, when the laser beam emitted from the laser device 21 has a specific wavelength, enters through the entrance window 11 and passes through the injection chamber 7, and hits particles floating in the injection chamber 7, the scattering angle is increased. Scattered at. Further, the laser light that has not hit the particles goes straight on as it is, goes out of the injection chamber 7 through the exit window 12, and is absorbed by the beam dump 22.
In this way, by escaping and absorbing the laser light unnecessary for observation to the outside of the injection chamber 7, the unnecessary laser light is not scattered by the inner wall of the injection chamber 7 and is not included in the scattered light to be observed. , The scattered light can be observed correctly.
【0021】上記の散乱光のうち、散乱角90°で散乱
して観測窓10から注入室7の外部に出たものは、レン
ズ駆動装置24により往復移動する集光レンズ24によ
り収束される。収束後の散乱光は、光ファイバケーブル
25を通じて偏光板26に導かれ、ここで水平偏波と垂
直偏波とに分離される。Of the above scattered light, the scattered light which is scattered at a scattering angle of 90 ° and goes out of the injection chamber 7 through the observation window 10 is converged by the condenser lens 24 which is reciprocally moved by the lens driving device 24. The scattered light after convergence is guided to the polarizing plate 26 through the optical fiber cable 25, and is separated into a horizontal polarized wave and a vertical polarized wave here.
【0022】光電子増倍管27・28では、上記の両偏
波がそれぞれ電気信号レベル(電流値)に変換され、さ
らに、I−V変換器(図示せず)で電圧に変換されて、
増幅器(図示せず)により増幅される。すると、浮遊粒
子の数密度および粒径が、入力された電気信号(電圧
値)に基づいて、記録計29により以下のようにして算
出される。In the photomultiplier tubes 27 and 28, both of the above polarized waves are converted into electric signal levels (current values) and further converted into voltages by an IV converter (not shown),
It is amplified by an amplifier (not shown). Then, the number density and particle size of the suspended particles are calculated by the recorder 29 as follows based on the input electric signal (voltage value).
【0023】散乱光の強度は、粒子の密度に比例し、か
つ粒径に依存するという散乱比法により算出される。こ
の方法では、ミー散乱に基づいて、まず、散乱光の水平
成分(水平偏波)の光強度と垂直成分(垂直偏波)の光
強度とをそれぞれIPARA、IPERPとすれば、 IPARA=GPARA・n・IPARA′(D、λ、m、γ) …(1) IPERP=GPERP・n・IPERP′(D、λ、m、γ) …(2) となる。ここで、 GPARA・GPERP : レーザ計測装置9に依存する較正
係数 n : 粒子の数密度 D : 粒径 λ : 入射光および散乱光の波長 m : 粒子とレーザ光の媒質との屈折率の比 γ : 散乱角 である。また、IPARA′(D、λ、m、γ)およびI
PERP′(D、λ、m、γ)は、微分散乱断面積に入射レ
ーザ光強度と散乱体積とを乗じたものである。The intensity of scattered light is calculated by the scattering ratio method that is proportional to the density of particles and depends on the particle size. In this method, based on Mie scattering, first, if the light intensity of the horizontal component (horizontal polarization) and the light intensity of the vertical component (vertical polarization) of the scattered light are respectively I PARA and I PERP , then I PARA = G PARA · n · I PARA ′ (D, λ, m, γ) (1) I PERP = G PERP · n · I PERP ′ (D, λ, m, γ) (2) Here, G PARA · G PERP : Calibration coefficient depending on laser measuring device 9: Number density of particles D: Particle diameter λ: Wavelength of incident light and scattered light m: Refractive index of particles and medium of laser light Ratio γ: Scattering angle. Also, I PARA ′ (D, λ, m, γ) and I
PERP '(D, λ, m, γ) is the product of the differential scattering cross section multiplied by the incident laser light intensity and the scattering volume.
【0024】ここで、散乱比をσとし、 σ≡IPARA′/IPERP′ =f(D、λ、m、γ) …(3) と定義すれば、λおよびγは既知である。また、mは関
数fに大きく依存しないため無視することができる。Here, if the scattering ratio is σ and σ≡I PARA ′ / I PERP ′ = f (D, λ, m, γ) (3), then λ and γ are known. Further, m does not largely depend on the function f and can be ignored.
【0025】したがって、散乱比σは、 σ=(GPERP/GPARA)・(IPARA/IPERP) =k(IPARA/IPERP) にて求められる。これにより、散乱比σが分かれば、こ
れを用いて(3)式の関数fから粒径Dが求められる。
また、粒径Dが分かれば、(1)式または(2)式によ
り数密度nが求められる。Therefore, the scattering ratio σ is obtained by σ = (G PERP / G PARA ) (I PARA / I PERP ) = k (I PARA / I PERP ). Accordingly, if the scattering ratio σ is known, the particle size D can be obtained from the function f of the equation (3) using this.
Further, if the particle diameter D is known, the number density n can be obtained by the equation (1) or the equation (2).
【0026】なお、上記の関数fは、数値解析により予
め決定されているものが用いられる。As the above-mentioned function f, one which is previously determined by numerical analysis is used.
【0027】上記のようにして、浮遊粒子の数密度およ
び粒径が求められると、それぞれの値が記録計29に記
録されるとともに、表示および印字出力される。これに
より、イオン注入装置のオペレータは、注入室7におけ
る粒子の分布状態を確認することができる。When the number density and particle size of the suspended particles are obtained as described above, the respective values are recorded in the recorder 29, and displayed and printed out. Thereby, the operator of the ion implantation apparatus can confirm the distribution state of particles in the implantation chamber 7.
【0028】浮遊粒子の数が多くなって、数密度が所定
値を超えると、記録計29からコントローラ30にその
旨を通知する信号が送出される。すると、コントローラ
30により、集光レンズ23の位置をステップ移動させ
るようにレンズ駆動装置24が制御されるとともに、レ
ーザ装置21の周波数が掃引される。また、コントロー
ラ30により、偏光板26が光路外から外される。この
とき、具体的には、集光レンズ23の1ステップの移動
毎にレーザ光の波長が掃引される。When the number of suspended particles increases and the number density exceeds a predetermined value, the recorder 29 sends a signal to that effect to the controller 30. Then, the controller 30 controls the lens driving device 24 so as to move the position of the condenser lens 23 in steps, and the frequency of the laser device 21 is swept. Further, the polarizing plate 26 is removed from the outside of the optical path by the controller 30. At this time, specifically, the wavelength of the laser light is swept every movement of the condenser lens 23 by one step.
【0029】この状態で、周波数が連続的に変化するレ
ーザ光が粒子に当たると、粒子が固有の波長のレーザ光
を吸収して固有の波長の蛍光を発する。具体的には、図
4に示すように、粒子の原子における核外電子は、レー
ザ光によるエネルギーを受け取ると、基底準位E0 から
励起準位E2 までエネルギー準位が遷移し、極めて短時
間のうちに蛍光を発して準安定準位E1 または基底準位
E0 に移行する。このとき発される蛍光は、元素に固有
なエネルギー準位に応じた波長であるため、蛍光の波長
に基づいて、粒子の種類を特定することができる。In this state, when the laser light whose frequency changes continuously hits the particle, the particle absorbs the laser light of the specific wavelength and emits fluorescence of the specific wavelength. Specifically, as shown in FIG. 4, the extranuclear electron in the atom of the particle undergoes an extremely short energy level transition from the ground level E 0 to the excitation level E 2 when receiving energy from the laser light. It fluoresces within a period of time and shifts to the metastable level E 1 or the ground level E 0 . Since the fluorescence emitted at this time has a wavelength corresponding to the energy level peculiar to the element, the type of particles can be specified based on the wavelength of the fluorescence.
【0030】なお、図4には、2つの光を発する例を示
したが、粒子によって種々の発光パターンがある。Although FIG. 4 shows an example of emitting two lights, there are various light emission patterns depending on the particles.
【0031】上記のようにして、粒子から発された蛍光
は光電子増倍管27で電気信号に変換され、その電気信
号が記録計29に送出される。記録計29では、蛍光が
検知されたときのレーザ光の波長(コントローラ30か
ら与えられる)に基づいて、粒子を構成する元素が特定
され、記録、表示および印字出力される。記録計29の
記録時においては、レーザ光の波長掃引が、蛍光の記録
時間に応じてコントローラ30により制御される。As described above, the fluorescence emitted from the particles is converted into an electric signal by the photomultiplier tube 27, and the electric signal is sent to the recorder 29. In the recorder 29, the elements constituting the particles are specified based on the wavelength of the laser light when the fluorescence is detected (given from the controller 30), and recorded, displayed and printed out. During the recording by the recorder 29, the wavelength sweep of the laser light is controlled by the controller 30 according to the fluorescent recording time.
【0032】以上述べたように、本実施例におけるレー
ザ計測装置9によれば、レーザ光を浮遊粒子に照射した
ときに散乱する光の2つの偏波成分を用いることで、浮
遊粒子の数密度および粒径が求められるので、注入室7
内における浮遊粒子の分布状態を短時間で容易に把握す
ることができる。それゆえ、常に注入室7内の浮遊粒子
を監視することが可能になる。As described above, according to the laser measuring apparatus 9 of this embodiment, the number density of floating particles is increased by using the two polarization components of the light scattered when the floating particles are irradiated with the laser light. And the particle size is required, so the injection chamber 7
It is possible to easily grasp the distribution state of the suspended particles in the inside in a short time. Therefore, it becomes possible to constantly monitor the suspended particles in the injection chamber 7.
【0033】また、浮遊粒子の数密度が高い場合は、レ
ーザ光の波長を掃引して、浮遊粒子からの蛍光が観測さ
れるときのレーザ光の波長により、浮遊粒子の種類が判
別されるので、汚染源を即座に特定することができる。
それゆえ、汚染に対する処置を迅速に行なうことができ
る。When the number density of suspended particles is high, the wavelength of the laser beam is swept, and the type of suspended particle is determined by the wavelength of the laser beam when fluorescence from the suspended particles is observed. The source of pollution can be identified immediately.
Therefore, it is possible to quickly take measures against contamination.
【0034】さらに、実際の観測領域となるレーザ光の
光路では、浮遊粒子の分布状態を正確に計測することが
できるので、観測領域を特定する場合はより有効であ
る。Furthermore, the distribution state of suspended particles can be accurately measured in the optical path of the laser beam which is the actual observation area, which is more effective when the observation area is specified.
【0035】なお、本実施例においては、レーザ計測装
置9が注入室7付近に設けられているが、レーザ計測装
置9の設置位置はこれに限られるものではない。例え
ば、イオン源1からイオンビームが引き出される位置、
分析マグネット2の下流側、走査電極5の下流側、ビー
ム輸送管6等のように粒子が浮遊しうる空間であれば、
その付近にレーザ計測装置9を設置して、浮遊粒子につ
いて計測を行なうことができる。In the present embodiment, the laser measuring device 9 is provided near the injection chamber 7, but the installation position of the laser measuring device 9 is not limited to this. For example, the position where the ion beam is extracted from the ion source 1,
If the space where particles can float, such as the downstream side of the analysis magnet 2, the downstream side of the scanning electrode 5, the beam transport tube 6, etc.,
A laser measuring device 9 can be installed in the vicinity thereof to measure the suspended particles.
【0036】また、本実施例では、レーザ光の出射方向
が固定されているが、レーザ光を上下方向に平行に移動
させる構成であってもよい。この構成は、レーザ装置2
1から発されるレーザ光を第1のミラーによって上方に
反射し、この反射光をさらに第2のミラーによって水平
方向に反射させるもので、このために第2のミラーを上
下に駆動させる。なお、この構成では、注入室7を通過
するレーザ光が上下に移動することから、入射窓11お
よび出射窓12が上下方向に長く形成される。このよう
な構成によれば、より広範囲で浮遊粒子の分布状態を観
測することができる。Further, in this embodiment, the emission direction of the laser light is fixed, but the laser light may be moved in parallel in the vertical direction. This configuration is the laser device 2
The laser light emitted from 1 is reflected upward by the first mirror, and the reflected light is further reflected in the horizontal direction by the second mirror. For this reason, the second mirror is driven up and down. In this configuration, since the laser light passing through the injection chamber 7 moves up and down, the entrance window 11 and the exit window 12 are formed vertically long. With such a configuration, it is possible to observe the distribution state of suspended particles in a wider range.
【0037】さらに、イオン源1においては、生成され
るプラズマ内にイオンビームを生成するためのB(硼
素)の1価イオン、2価イオンやBの中性粒子に加えて
他のイオン種が存在する場合がある。このような場合で
は、レーザ計測装置9により、イオン源1内に存在する
不要な粒子を特定することにより、イオンビームをより
高度に管理することができる。Further, in the ion source 1, in addition to monovalent ions of B (boron), divalent ions and neutral particles of B for generating an ion beam in the generated plasma, other ion species are added. It may exist. In such a case, the laser beam measuring device 9 can control the ion beam to a higher degree by identifying unnecessary particles existing in the ion source 1.
【0038】[0038]
【発明の効果】本発明の浮遊粒子のレーザ計測装置は、
以上のように、イオン注入装置の真空容器内にレーザ光
を照射する可変波長のレーザ光源と、上記真空容器内に
浮遊する粒子にて散乱したレーザ光を収束する集光レン
ズと、この集光レンズをレーザ光の光路に沿って平行に
移動させる移動手段と、上記集光レンズにより収束され
た光を水平方向および垂直方向の偏波に分離する偏光手
段と、この偏光手段により分離された両偏波の光強度の
比に基づいて粒子の数密度および粒子の粒径を算出する
算出手段と、この算出手段により算出された粒子の数密
度が所定の値を超えると上記レーザ光源の波長を掃引す
る掃引手段と、この波長掃引時に粒子から発されて上記
集光レンズにより収束された蛍光を検知したときのレー
ザ光の波長に基づいて粒子の種類を判別する判別手段と
を備えている構成である。The laser measuring device for suspended particles according to the present invention is
As described above, a variable wavelength laser light source for irradiating a laser beam into the vacuum container of the ion implantation apparatus, a condenser lens for converging the laser light scattered by the particles floating in the vacuum container, and the condensing lens Moving means for moving the lens in parallel along the optical path of the laser light, polarizing means for separating the light converged by the condensing lens into polarized waves in the horizontal direction and the vertical direction, and both means separated by this polarizing means. Calculation means for calculating the number density of particles and the particle size of the particles based on the ratio of the light intensity of the polarized light, and the wavelength of the laser light source when the number density of the particles calculated by this calculation means exceeds a predetermined value. Configuration comprising sweep means for sweeping, and discrimination means for discriminating the kind of particles based on the wavelength of laser light when fluorescence emitted from particles during this wavelength sweep and converged by the condenser lens is detected A.
【0039】これにより、レーザ光を浮遊粒子に照射し
たときに散乱する光の2つの偏波成分の光強度の比に基
づいて、浮遊粒子の数密度および粒径が求められるの
で、真空容器内における浮遊粒子の分布状態を短時間の
うちに容易に把握することができる。また、浮遊粒子の
数密度が高い場合は、レーザ光の波長を掃引すること
で、浮遊粒子が固有のレーザ光を吸収し、かつ固有の周
波数の蛍光を発すれば、このときのレーザ光の波長に基
づいて浮遊粒子の種類が判別されるので、汚染源を即座
に特定することができる。As a result, the number density and particle size of the suspended particles can be obtained based on the ratio of the light intensities of the two polarization components of the light scattered when the suspended particles are irradiated with the laser light. It is possible to easily grasp the distribution state of suspended particles in a short time. Also, when the number density of suspended particles is high, by sweeping the wavelength of the laser light, if the suspended particles absorb the unique laser light and emit fluorescence of a unique frequency, the laser light at this time Since the type of suspended particles is determined based on the wavelength, it is possible to immediately identify the pollution source.
【0040】したがって、上記の分布状態を常時監視す
ることができるとともに、上記の汚染源の特定により汚
染への対応を迅速に行なうことができ、その結果、浮遊
粒子によるイオン注入の歩留りの低下を改善することが
できるという効果を奏する。Therefore, the above distribution state can be constantly monitored, and the contamination source can be swiftly dealt with by identifying the contamination source. As a result, the reduction in the yield of ion implantation due to the suspended particles is improved. There is an effect that can be done.
【図1】本発明の一実施例に係るレーザ計測装置の概略
構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a laser measuring device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1のレーザ計測装置が設置される真空容器の
レーザ装置側から見た側面図である。FIG. 2 is a side view of a vacuum container in which the laser measuring device of FIG. 1 is installed, viewed from the laser device side.
【図3】図1のレーザ計測装置を備えたイオン注入装置
の概略構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of an ion implantation apparatus equipped with the laser measurement apparatus of FIG.
【図4】浮遊粒子が固有の波長のレーザ光を吸収して固
有の波長の蛍光を発する状態を説明する核外電子のエネ
ルギー準位の遷移過程を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a transition process of energy levels of extranuclear electrons for explaining a state in which suspended particles absorb laser light of a specific wavelength and emit fluorescence of a specific wavelength.
7 注入室 21 レーザ装置(レーザ光源) 23 集光レンズ 24 レンズ移動装置(移動手段) 26 偏光板(偏光手段) 29 記録計(算出手段、判別手段) 30 コントローラ(掃引手段) 7 injection chamber 21 laser device (laser light source) 23 condenser lens 24 lens moving device (moving means) 26 polarizing plate (polarizing means) 29 recorder (calculating means, discriminating means) 30 controller (sweeping means)
Claims (1)
照射する可変波長のレーザ光源と、 上記真空容器内に浮遊する粒子にて散乱したレーザ光を
収束する集光レンズと、 この集光レンズをレーザ光の光路に沿って平行に移動さ
せる移動手段と、 上記集光レンズにより収束された光を水平方向および垂
直方向の偏波に分離する偏光手段と、 この偏光手段により分離された両偏波の光強度の比に基
づいて粒子の数密度および粒径を算出する算出手段と、 この算出手段により算出された粒子の数密度が所定の値
を超えると上記レーザ光源の波長を掃引する掃引手段
と、 波長掃引時に粒子から発されて上記集光レンズにより収
束された蛍光を検知したときのレーザ光の波長に基づい
て粒子の種類を判別する判別手段とを備えていることを
特徴とする浮遊粒子のレーザ計測装置。1. A variable wavelength laser light source for irradiating a laser beam into a vacuum container of an ion implantation apparatus, a condenser lens for converging laser light scattered by particles floating in the vacuum container, and Moving means for moving the lens in parallel along the optical path of the laser light, polarizing means for separating the light converged by the condensing lens into polarized waves in the horizontal direction and the vertical direction, and both means separated by this polarizing means. Calculating means for calculating the particle number density and particle diameter based on the ratio of the polarized light intensities, and sweeping the wavelength of the laser light source when the particle number density calculated by the calculating means exceeds a predetermined value. Sweeping means, and a determining means for determining the type of particles based on the wavelength of the laser light when the fluorescence emitted from the particles during wavelength sweeping and converged by the condenser lens is detected. Laser measuring device of suspended particles that.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30249694A JP3344129B2 (en) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | Laser measurement device for suspended particles |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08159948A true JPH08159948A (en) | 1996-06-21 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP (1) | JP3344129B2 (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2307779A (en) * | 1995-12-02 | 1997-06-04 | Samsung Electronics Co Ltd | Detecting contaminant particles during ion implantation |
GB2317988A (en) * | 1995-12-02 | 1998-04-08 | Samsung Electronics Co Ltd | Detecting contaminant particles during ion implantation |
KR100788357B1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ion implant system for detacting particle in-situ and method for the same |
CN103487362A (en) * | 2013-10-16 | 2014-01-01 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | Laser particle measurement probe |
JP2014092525A (en) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Pulstec Industrial Co Ltd | Dynamic light scattering measurement instrument and dynamic light scattering measurement method |
CN104157593B (en) * | 2013-05-14 | 2017-06-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | dust detecting system and dust detection method |
-
1994
- 1994-12-06 JP JP30249694A patent/JP3344129B2/en not_active Expired - Fee Related
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