JPH0815856A - 反射型フォトマスク及びそれに用いるブランク - Google Patents
反射型フォトマスク及びそれに用いるブランクInfo
- Publication number
- JPH0815856A JPH0815856A JP15018294A JP15018294A JPH0815856A JP H0815856 A JPH0815856 A JP H0815856A JP 15018294 A JP15018294 A JP 15018294A JP 15018294 A JP15018294 A JP 15018294A JP H0815856 A JPH0815856 A JP H0815856A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reflective
- photomask
- reflection
- layer
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】反射型フォトマスクを使ったリソグラフィの露
光で、反射型フォトマスク基板の温度が上がるのを防
ぎ、露光されたパターンの位置精度を向上させることが
可能な反射型フォトマスクやびそれに用いるブランクを
提供する。 【構成】反射性の高い反射層パターンが基板上に設けら
れてある反射型フォトマスクであり、基板が炭化ケイ素
よりなることを特徴とする。
光で、反射型フォトマスク基板の温度が上がるのを防
ぎ、露光されたパターンの位置精度を向上させることが
可能な反射型フォトマスクやびそれに用いるブランクを
提供する。 【構成】反射性の高い反射層パターンが基板上に設けら
れてある反射型フォトマスクであり、基板が炭化ケイ素
よりなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ、Ｕ
ＬＳＩ等の半導体集積回路の製造用としては言うに及ば
ず、マイクロマシン等々のような極めて微細なパターン
をフォトリソグラフィ法を応用して形成しようとする際
に、その複製用原画として使用されるいわゆるフォトマ
スクに関し、特には露光光を反射してパターンを露光す
る反射型フォトマスクに関するものである。
ＬＳＩ等の半導体集積回路の製造用としては言うに及ば
ず、マイクロマシン等々のような極めて微細なパターン
をフォトリソグラフィ法を応用して形成しようとする際
に、その複製用原画として使用されるいわゆるフォトマ
スクに関し、特には露光光を反射してパターンを露光す
る反射型フォトマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造においては、フォ
トリソグラフィー技術の進歩による素子の微細化に伴な
い、フォトマスクに対する解像力向上の要求がますます
高まっており、デバイス寸法が原理的な解像限界に近づ
いている。一般に解像度を示す式はｋλ／ＮＡで与えら
れる。このことから、解像限界を上げる為には、回析光
の影響が小さくなる短波長の光を用いる方法がある。こ
こで、λは光の波長、ＮＡはレンズの開口数、ｋは定数
を示している。しかしながら、露光波長を短波長化する
と露光装置に用いる光学系に使用しているレンズ等の光
学素子の光吸収が大きくなる。また屈折による収差も影
響が大きく光学系の構成が複雑になり作製が困難になっ
てくる。
トリソグラフィー技術の進歩による素子の微細化に伴な
い、フォトマスクに対する解像力向上の要求がますます
高まっており、デバイス寸法が原理的な解像限界に近づ
いている。一般に解像度を示す式はｋλ／ＮＡで与えら
れる。このことから、解像限界を上げる為には、回析光
の影響が小さくなる短波長の光を用いる方法がある。こ
こで、λは光の波長、ＮＡはレンズの開口数、ｋは定数
を示している。しかしながら、露光波長を短波長化する
と露光装置に用いる光学系に使用しているレンズ等の光
学素子の光吸収が大きくなる。また屈折による収差も影
響が大きく光学系の構成が複雑になり作製が困難になっ
てくる。
【０００３】ところで、これとは別にレンズを使わずに
光学系を組み立てる方法として反射光学素子を用いた光
学系がある。たとえば特開平３−２８２５２７とか論
文、電子応用技術第２２巻９号２７ページ（１９８０
年）等を参照することができる。
光学系を組み立てる方法として反射光学素子を用いた光
学系がある。たとえば特開平３−２８２５２７とか論
文、電子応用技術第２２巻９号２７ページ（１９８０
年）等を参照することができる。
【０００４】反射光学系では光学素子による光吸収を考
慮する必要がない。また反射を用いるため屈折による収
差を考える必要もない。この様な利点から実用されてい
る露光用光学系を利用した装置としては、ウルトラステ
ッパー社やＳＶＧリソグラフィー社の半導体製造に用い
る露光用ステッパ装置が知られている。上記の実用反射
光学系においては、光学系は反射光学素子により構成さ
れているが複製用パターンの原画に相当するフォトマス
クは透過型マスクが用いられている。また米国スタンフ
ォード大学により論文、J. Vac. Sci. Technol. B(9) P
3138(1991) において反射光学系ステッパに用いる反射
型フォトマスクが提案されているが、この方式でも光学
系の一部分で光がフォトマスクとレンズとを透過する様
な光学系になっている。さらに従来の反射型フォトマク
に関しては、特開昭５３−９６６７７号公報、特開昭６
０−１２０３５９号公報等に提案されている。
慮する必要がない。また反射を用いるため屈折による収
差を考える必要もない。この様な利点から実用されてい
る露光用光学系を利用した装置としては、ウルトラステ
ッパー社やＳＶＧリソグラフィー社の半導体製造に用い
る露光用ステッパ装置が知られている。上記の実用反射
光学系においては、光学系は反射光学素子により構成さ
れているが複製用パターンの原画に相当するフォトマス
クは透過型マスクが用いられている。また米国スタンフ
ォード大学により論文、J. Vac. Sci. Technol. B(9) P
3138(1991) において反射光学系ステッパに用いる反射
型フォトマスクが提案されているが、この方式でも光学
系の一部分で光がフォトマスクとレンズとを透過する様
な光学系になっている。さらに従来の反射型フォトマク
に関しては、特開昭５３−９６６７７号公報、特開昭６
０−１２０３５９号公報等に提案されている。
【０００５】以下には、従来の反射型フォトマスクにつ
いて、その代表的な一例を（図１０）を参照しつつ説明
する。（図１０）に示すような従来の基板７に反射層パ
ターン２１を形成した構成であり、反射層パターン２１
からの反射光が半導体作製用のウエハ上に投影されてパ
ターンが作られる。ここで反射層パターン２１の材料の
要件としては、まず露光光の波長において充分な反射性
を有し、フォトリソグラフィ法により簡単にパターンが
形成できる事が望ましい。これらの条件を満たすことの
できる材料としては、一例としてアルミニウムが挙げら
れる。
いて、その代表的な一例を（図１０）を参照しつつ説明
する。（図１０）に示すような従来の基板７に反射層パ
ターン２１を形成した構成であり、反射層パターン２１
からの反射光が半導体作製用のウエハ上に投影されてパ
ターンが作られる。ここで反射層パターン２１の材料の
要件としては、まず露光光の波長において充分な反射性
を有し、フォトリソグラフィ法により簡単にパターンが
形成できる事が望ましい。これらの条件を満たすことの
できる材料としては、一例としてアルミニウムが挙げら
れる。
【０００６】次に、従来の基板７としては反射層パター
ンを保持するための剛性が必要であり表面の反射率が低
い必要がある。あるいはパターン部分以外は光が透過し
てしまう基板も考えられる。光が透過するタイプとして
は２００ｎｍ程度より長波長の露光光の場合は石英を用
いることができる。
ンを保持するための剛性が必要であり表面の反射率が低
い必要がある。あるいはパターン部分以外は光が透過し
てしまう基板も考えられる。光が透過するタイプとして
は２００ｎｍ程度より長波長の露光光の場合は石英を用
いることができる。
【０００７】しかしながら、露光光の波長が短くなると
従来の基板７では光吸収が大きくなり、基板は吸収した
露光光によって加熱され著しい場合には基板が反った
り、程度が小さい場合にも微細パターンの位置精度に影
響をあたえる事になる。
従来の基板７では光吸収が大きくなり、基板は吸収した
露光光によって加熱され著しい場合には基板が反った
り、程度が小さい場合にも微細パターンの位置精度に影
響をあたえる事になる。
【０００８】
【本発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点
に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
前記のように反射型フォトマスクを使ったリソグラフィ
の露光工程において、反射型フォトマスク基板の温度が
上がるのを防ぐことにより、露光されたパターンの位置
精度を向上させることが可能な反射型フォトマスク及び
それに用いるブランクを提供する。
に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
前記のように反射型フォトマスクを使ったリソグラフィ
の露光工程において、反射型フォトマスク基板の温度が
上がるのを防ぐことにより、露光されたパターンの位置
精度を向上させることが可能な反射型フォトマスク及び
それに用いるブランクを提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、すなわち、請求項１に記
載してあるように、基板上に反射層パターンが設けられ
てある反射型フォトマスクにおいて、該基板が炭化ケイ
素よりなることを特徴とする反射型フォトマスクであ
る。
に本発明が提供する手段とは、すなわち、請求項１に記
載してあるように、基板上に反射層パターンが設けられ
てある反射型フォトマスクにおいて、該基板が炭化ケイ
素よりなることを特徴とする反射型フォトマスクであ
る。
【００１０】好ましくは、請求項２に記載してあるよう
に、請求項１の反射型フォトマスクにおいて、前記反射
層パターンが単層膜からなることを特徴とする反射型フ
ォトマスクである。
に、請求項１の反射型フォトマスクにおいて、前記反射
層パターンが単層膜からなることを特徴とする反射型フ
ォトマスクである。
【００１１】好ましくは、請求項３に記載してあるよう
に、請求項１又は２に記載の反射型フォトマスクにおい
て、前記基板上の、反射層パターンが設けられた側の面
に、反射防止層が設けられていることを特徴とする反射
型フォトマスクである。
に、請求項１又は２に記載の反射型フォトマスクにおい
て、前記基板上の、反射層パターンが設けられた側の面
に、反射防止層が設けられていることを特徴とする反射
型フォトマスクである。
【００１２】好ましくは、請求項４に記載してあるよう
に、請求項１又は２に記載の反射型フォトマスクにおい
て、前記反射層パターン間に光吸収層パターンを形成し
たことを特徴とする反射型フォトマスクである。
に、請求項１又は２に記載の反射型フォトマスクにおい
て、前記反射層パターン間に光吸収層パターンを形成し
たことを特徴とする反射型フォトマスクである。
【００１３】好ましくは、請求項５に記載してあるよう
に、請求項１又は２に記載の反射型フォトマスクにおい
て、前記基板上の、反射層パターンが設けられた側とは
反対側の面に、光吸収層が設けられていることを特徴と
する反射型フォトマスクである。
に、請求項１又は２に記載の反射型フォトマスクにおい
て、前記基板上の、反射層パターンが設けられた側とは
反対側の面に、光吸収層が設けられていることを特徴と
する反射型フォトマスクである。
【００１４】または、請求項６に記載してあるように、
反射層が基板上に設けられてあり、反射型の露光に使用
される反射型フォトマスクの製造に用いられるブランク
において、反射層を支持する基板が炭化ケイ素よりなる
ことを特徴とするブランクである。
反射層が基板上に設けられてあり、反射型の露光に使用
される反射型フォトマスクの製造に用いられるブランク
において、反射層を支持する基板が炭化ケイ素よりなる
ことを特徴とするブランクである。
【００１５】好ましくは、請求項７に記載してあるよう
に、請求項６に記載のブランクにおいて、前記反射層が
単層膜からなることを特徴とするブランクである。
に、請求項６に記載のブランクにおいて、前記反射層が
単層膜からなることを特徴とするブランクである。
【００１６】好ましくは、請求項８に記載してあるよう
に、請求項６又は７に記載のブランクにおいて、基板上
の前記反射層がある側の面に、反射防止層を設けられて
いることを特徴とするブランクである。
に、請求項６又は７に記載のブランクにおいて、基板上
の前記反射層がある側の面に、反射防止層を設けられて
いることを特徴とするブランクである。
【００１７】好ましくは、請求項９に記載してあるよう
に、請求項６又は７に記載のブランクにおいて、前記基
板上の、反射層が設けられた側とは反対側の面に、光吸
収層が設けられていることを特徴とするブランクであ
る。
に、請求項６又は７に記載のブランクにおいて、前記基
板上の、反射層が設けられた側とは反対側の面に、光吸
収層が設けられていることを特徴とするブランクであ
る。
【００１８】以下に、本発明に係わる反射型フォトマス
ク、およびその製造方法について図を参照しつつさらに
詳細に述べる。ここで、（図１）から（図５）は、断面
図を用いてその製造方法の概要を工程順に示すと共に本
発明の反射型フォトマスクとブランクについて説明した
図面である。
ク、およびその製造方法について図を参照しつつさらに
詳細に述べる。ここで、（図１）から（図５）は、断面
図を用いてその製造方法の概要を工程順に示すと共に本
発明の反射型フォトマスクとブランクについて説明した
図面である。
【００１９】（図１）は炭化ケイ素よりなる基板１上に
反射層２を形成した本発明の反射型フォトマスクブラン
クを示している。次にリソグラフィ用のレジスト層３を
形成したブランクを（図２）に示す。続いて、レジスト
層は露光手段により露光する。露光には電子線描画、レ
ーザ光描画、光露光等があるが精度の点からは電子線描
画方式が望ましい。露光後にレジストを現像しレジスト
パターン３１を得る（図３）。次にレジストパターン３
１をマスクにして反射層２をエッチングして反射層パタ
ーン２１を得る（図４）。最後にレジストパターン３１
を除去して反射マスク（図５）が完成する。
反射層２を形成した本発明の反射型フォトマスクブラン
クを示している。次にリソグラフィ用のレジスト層３を
形成したブランクを（図２）に示す。続いて、レジスト
層は露光手段により露光する。露光には電子線描画、レ
ーザ光描画、光露光等があるが精度の点からは電子線描
画方式が望ましい。露光後にレジストを現像しレジスト
パターン３１を得る（図３）。次にレジストパターン３
１をマスクにして反射層２をエッチングして反射層パタ
ーン２１を得る（図４）。最後にレジストパターン３１
を除去して反射マスク（図５）が完成する。
【００２０】本発明に係わる反射型フォトマスク用の基
板である炭化ケイ素は熱伝導性に優れている。つまり、
石英ガラスと炭化ケイ素との熱伝導率を比較すると、石
英ガラスでは僅か０．００３３ｃａｌ／（ｓｅｃ・ｃｍ
・Ｋ）であるのに対して、本発明に係わりのある炭化ケ
イ素では０．５０ｃａｌ／（ｓｅｃ・ｃｍ・Ｋ）以上で
ある。（出典：化学便覧、第２版、１９８４年Ｉ−５４
２ページ、Ｉ−５５２ページ）。この事から、炭化ケイ
素は、加熱される状況下にあった場合に関して、好まし
い特性を持っているといえる。つまり、炭化ケイ素はそ
の他の材料（例えば前記石英ガラスなる材料）と比較し
た場合に、同じ熱量を与えられたとしても、炭化ケイ素
の方が熱の拡散性能が非常に高く、加熱しても局所的な
温度上昇を防ぐことが出来ることから、冷却効果が高い
といえる。
板である炭化ケイ素は熱伝導性に優れている。つまり、
石英ガラスと炭化ケイ素との熱伝導率を比較すると、石
英ガラスでは僅か０．００３３ｃａｌ／（ｓｅｃ・ｃｍ
・Ｋ）であるのに対して、本発明に係わりのある炭化ケ
イ素では０．５０ｃａｌ／（ｓｅｃ・ｃｍ・Ｋ）以上で
ある。（出典：化学便覧、第２版、１９８４年Ｉ−５４
２ページ、Ｉ−５５２ページ）。この事から、炭化ケイ
素は、加熱される状況下にあった場合に関して、好まし
い特性を持っているといえる。つまり、炭化ケイ素はそ
の他の材料（例えば前記石英ガラスなる材料）と比較し
た場合に、同じ熱量を与えられたとしても、炭化ケイ素
の方が熱の拡散性能が非常に高く、加熱しても局所的な
温度上昇を防ぐことが出来ることから、冷却効果が高い
といえる。
【００２１】さて、（図６）は、本発明の第２の反射型
フォトマスクである。（図５）と同様に、基板１には炭
化ケイ素を用い、反射層パターン２１を形成している。
但し、反射層パターン２１の間に光吸収層パターン４１
を設けて光反射部分と非反射部分のコントラストを向上
させている。
フォトマスクである。（図５）と同様に、基板１には炭
化ケイ素を用い、反射層パターン２１を形成している。
但し、反射層パターン２１の間に光吸収層パターン４１
を設けて光反射部分と非反射部分のコントラストを向上
させている。
【００２２】また（図７）は、基板１を炭化ケイ素で作
製するが反射層パターン２１とは反対の面に光吸収材５
を設けて非反射部分を透過してくるわずかの光を吸収す
る事で露光時のゴースト等のかぶりを防ぐ反射型フォト
マスクである。（図７）では反射層パターン２１を形成
してあるが、パターニング前の反射層が基板に成膜され
た状態は反射型フォトマスクのブランクとして種々のパ
ターニングに使用できる。
製するが反射層パターン２１とは反対の面に光吸収材５
を設けて非反射部分を透過してくるわずかの光を吸収す
る事で露光時のゴースト等のかぶりを防ぐ反射型フォト
マスクである。（図７）では反射層パターン２１を形成
してあるが、パターニング前の反射層が基板に成膜され
た状態は反射型フォトマスクのブランクとして種々のパ
ターニングに使用できる。
【００２３】また（図８）は本発明の他の反射型フォト
マスク用ブランクを示している。基盤１は炭化ケイ素を
用いその上に反射防止層６を成膜しさらにその上に反射
層２を形成している。（図８）のブランクを用いて反射
層２をパターニングして反射層パターンを形成した反射
型フォトマスクが（図９）である。
マスク用ブランクを示している。基盤１は炭化ケイ素を
用いその上に反射防止層６を成膜しさらにその上に反射
層２を形成している。（図８）のブランクを用いて反射
層２をパターニングして反射層パターンを形成した反射
型フォトマスクが（図９）である。
【００２４】
【作用】本発明に係わる反射型フォトマスクによると、
反射層パターンを支持する支持基板を炭化ケイ素で作製
することにより、熱の伝導性が向上する。この為、短波
長の露光光（ｇ線よりも短波長の露光光としては、例え
ばｉ線、さらにはＫｒＦやＡｒＦ等のエキシマレーザ
ー）を用いた場合に、光が吸収されて基板温度が上昇す
る状況（言い換えると加熱された状況）になったとして
も、熱は速やかに伝導して反射型フォトマスクの部材の
外へ逃げてゆくので、基板温度の冷却が起こる。この結
果、基板の反りや、露光されたパターンの位置精度の低
下等が防止できる。
反射層パターンを支持する支持基板を炭化ケイ素で作製
することにより、熱の伝導性が向上する。この為、短波
長の露光光（ｇ線よりも短波長の露光光としては、例え
ばｉ線、さらにはＫｒＦやＡｒＦ等のエキシマレーザ
ー）を用いた場合に、光が吸収されて基板温度が上昇す
る状況（言い換えると加熱された状況）になったとして
も、熱は速やかに伝導して反射型フォトマスクの部材の
外へ逃げてゆくので、基板温度の冷却が起こる。この結
果、基板の反りや、露光されたパターンの位置精度の低
下等が防止できる。
【００２５】
【実施例】表面を研磨した２０ｍｍφの炭化ケイ素基板
に、反射層としてアルミニウムを１００ｎｍの厚さにス
パッタリング法により成膜した。次に、反射層パターン
作製用にフォトレジスト（シプレイ製、商品名：マイク
ロポジット１４００）を５００ｎｍの厚さにコートした
後に、パターニング用フォトマスクを密着させて高圧水
銀灯を用いて２０ｍＪ／ｃｍ2 の条件で露光した。続い
て、所定の現像液により現像してレジストパターンを作
製した。
に、反射層としてアルミニウムを１００ｎｍの厚さにス
パッタリング法により成膜した。次に、反射層パターン
作製用にフォトレジスト（シプレイ製、商品名：マイク
ロポジット１４００）を５００ｎｍの厚さにコートした
後に、パターニング用フォトマスクを密着させて高圧水
銀灯を用いて２０ｍＪ／ｃｍ2 の条件で露光した。続い
て、所定の現像液により現像してレジストパターンを作
製した。
【００２６】次に、レジストパターンをマスクにしてア
ルミニウムのエッチングを酸化鉄を主成分とするエッチ
ング液により行った。最後に専用の剥膜液によりレジス
ト層を除去して反射型フォトマスクを完成した。次に、
上記の反射型フォトマスクにＫｒＦエキシマレーザによ
り１パルス当たり１０ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギーで、１
秒間に５０パルス、合計で１０００パルスの照射を行っ
たところ、パターンに異常は認められなかった。
ルミニウムのエッチングを酸化鉄を主成分とするエッチ
ング液により行った。最後に専用の剥膜液によりレジス
ト層を除去して反射型フォトマスクを完成した。次に、
上記の反射型フォトマスクにＫｒＦエキシマレーザによ
り１パルス当たり１０ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギーで、１
秒間に５０パルス、合計で１０００パルスの照射を行っ
たところ、パターンに異常は認められなかった。
【００２７】
【比較例】基板に低膨張ガラス（コーニング製、商品
名：７０５９）を使用した以外は、実施例と同様にして
反射型フォトマスクを作製した。次に、上記の反射型フ
ォトマスクに実施例と同様のレーザ照射を行ったとこ
ろ、パターン位置に歪が生じた。
名：７０５９）を使用した以外は、実施例と同様にして
反射型フォトマスクを作製した。次に、上記の反射型フ
ォトマスクに実施例と同様のレーザ照射を行ったとこ
ろ、パターン位置に歪が生じた。
【００２８】
【発明の効果】本発明に係わる反射型フォトマスクによ
ると、反射層パターンの支持基板を炭化ケイ素を用いて
作製することによって、熱の伝導性が飛躍的に向上す
る。この結果、たとえｉ線や前記エキシマレーザー等の
ような短波長の露光光を用いたリソグラフィーの場合で
も、光が反射型フォトマスクに吸収されて基板温度が上
昇する状況になったとしても、熱は速やかに伝導して基
板温度の冷却が起こる。このため基板の反りあるいはパ
ターンの位置精度の低下等が防止できる。
ると、反射層パターンの支持基板を炭化ケイ素を用いて
作製することによって、熱の伝導性が飛躍的に向上す
る。この結果、たとえｉ線や前記エキシマレーザー等の
ような短波長の露光光を用いたリソグラフィーの場合で
も、光が反射型フォトマスクに吸収されて基板温度が上
昇する状況になったとしても、熱は速やかに伝導して基
板温度の冷却が起こる。このため基板の反りあるいはパ
ターンの位置精度の低下等が防止できる。
【図１】本発明に係わる反射型フォトマスクブランクの
概要を製造方法と共に示す断面図である。
概要を製造方法と共に示す断面図である。
【図２】本発明に係わる反射型フォトマスクの製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明に係わる反射型フォトマスクの製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明に係わる反射型フォトマスクの製造方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明に係わる反射型フォトマスクの概要を製
造方法と共に示す断面図である。
造方法と共に示す断面図である。
【図６】本発明に係わる反射型フォトマスクの概要を示
す断面図である。
す断面図である。
【図７】本発明に係わる反射型フォトマスクの概要を示
す断面図である。
す断面図である。
【図８】本発明に係わる反射型フォトマスクブランクの
概要を示す断面図である。
概要を示す断面図である。
【図９】本発明に係わる反射型フォトマスクの概要を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１０】従来の反射型フォトマスクの概要を示す断面
図である。
図である。
１・・・支持基板 ２・・・反射層 ２１・・・反射層パターン ３・・・レジスト層 ３１・・・レジスト層パターン ４１・・・光吸収層パターン ５・・・光吸収材 ６・・・反射防止層 ７・・・従来の基板
Claims (9)
- 【請求項１】基板上に反射層パターンが設けられてある
反射型フォトマスクにおいて、 該基板が炭化ケイ素よりなることを特徴とする反射型フ
ォトマスク。 - 【請求項２】請求項１の反射型フォトマスクにおいて、 前記反射層パターンが単層膜からなることを特徴とする
反射型フォトマスク。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の反射型フォトマス
クにおいて、 前記基板上の、反射層パターンが設けられた側の面に、
反射防止層が設けられていることを特徴とする反射型フ
ォトマスク。 - 【請求項４】請求項１又は２に記載の反射型フォトマス
クにおいて、 前記反射層パターン間に光吸収層パターンを形成したこ
とを特徴とする反射型フォトマスク。 - 【請求項５】請求項１又は２に記載の反射型フォトマス
クにおいて、 前記基板上の、反射層パターンが設けられた側とは反対
側の面に、光吸収層が設けられていることを特徴とする
反射型フォトマスク。 - 【請求項６】反射層が基板上に設けられてあり、反射型
の露光に使用される反射型フォトマスクの製造に用いら
れるブランクにおいて、 反射層を支持する基板が炭化ケイ素よりなることを特徴
とするブランク。 - 【請求項７】請求項６に記載のブランクにおいて、 前記反射層が単層膜からなることを特徴とするブラン
ク。 - 【請求項８】請求項６又は７に記載のブランクにおい
て、 基板上の前記反射層がある側の面に、反射防止層を設け
られていることを特徴とするブランク。 - 【請求項９】請求項６又は７に記載のブランクにおい
て、 前記基板上の、反射層が設けられた側とは反対側の面
に、光吸収層が設けられていることを特徴とするブラン
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15018294A JPH0815856A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 反射型フォトマスク及びそれに用いるブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15018294A JPH0815856A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 反射型フォトマスク及びそれに用いるブランク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815856A true JPH0815856A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15491306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15018294A Pending JPH0815856A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 反射型フォトマスク及びそれに用いるブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815856A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010102337A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Asml Holding Nv | 光学要素のための反射防止コーティング |
| JP2012533095A (ja) * | 2009-07-15 | 2012-12-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | コーティングを有するマイクロミラー構成体及びコーティングを作製する方法 |
| US8421995B2 (en) | 2008-10-24 | 2013-04-16 | Asml Holding N.V. | Anti-reflective coating for optical elements |
| JP2015018918A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | キヤノン株式会社 | 反射型原版、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP15018294A patent/JPH0815856A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010102337A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Asml Holding Nv | 光学要素のための反射防止コーティング |
| US8421995B2 (en) | 2008-10-24 | 2013-04-16 | Asml Holding N.V. | Anti-reflective coating for optical elements |
| JP2012533095A (ja) * | 2009-07-15 | 2012-12-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | コーティングを有するマイクロミラー構成体及びコーティングを作製する方法 |
| JP2015018918A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | キヤノン株式会社 | 反射型原版、露光方法及びデバイス製造方法 |
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