JP2010102337A - 光学要素のための反射防止コーティング - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光学要素200は、シリコン基板202と、シリコン基板202の表面の第1の部分上に配置された反射層206と、を含む。シリコン基板202の表面の第2の部分上に反射防止層208を配置することで、反射防止層208における相殺的な干渉によって反射防止層208に入射する放射の反射を実質的に減少させるようになっている。
【選択図】図2A
Description
[0018] 本発明は、シリコン基板のための単一層の反射防止コーティングを対象とする。本特許文書は、本発明のフィーチャを組込んだ1つ以上の実施形態を記載する。これらの実施形態は、単に本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示する実施形態に限定されない。本発明は特許請求の範囲によって規定される。
[0021] 図1A及び図1Bは、リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’をそれぞれ概略的に示す。リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’は、各々、放射ビームB(例えばDUV又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えばマスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス)MAを支持するように構成され、パターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、基板(例えばレジストでコーティングされたウェーハ)Wを保持するように構成され、基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、を含む。また、リソグラフィ装置100及び100’は、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを、基板Wのターゲット部分(例えば1つ以上のダイを含む)C上に投影するように構成された投影システムPSも有する。リソグラフィ装置100において、パターニングデバイスMA及び投影システムPSは反射性であり、リソグラフィ装置100’において、パターニングデバイスMA及び投影システムPSは透過性である。
1.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。
2.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。
3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0036] 効率的な単一層の反射防止コーティングをいずれかの材料上に形成するために、コーティング材料の屈折率は、基板材料の平方根にほぼ同等でなければならない。フッ化金属、二酸化シリコン、酸化アルミニウムなどの従来の反射防止化合物は、例えば193nmのようなDUV放射範囲内のある波長範囲にわたってこの光学的な制約を満足しない。このため、シリコン基板のための従来の反射防止コーティングは、一般に、フッ化金属、二酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンなどの従来のコーティング材料の2つ以上の個別層を組込む。本明細書に提示する実施形態は、反射防止層上に入射する放射を実質的に排除するために必要な厚さ及び組成の単一層の反射防止コーティングを提供する。
[0049] 課題を解決するための手段及び要約の項でなく、詳細な説明の項は、特許請求の範囲を解釈するための使用が意図されていることは認められよう。課題を解決するための手段及び要約の項は、本発明者(ら)によって想定されるような本発明の1つ以上の例示的な実施形態を明示するが、全ての例示的な実施形態を明示するわけではなく、従って、本発明及び特許請求の範囲を限定することは何ら意図していない。
Claims (15)
- シリコン基板と、
前記シリコン基板の表面の第1の部分上に配置された反射層と、
前記シリコン基板の前記表面の第2の部分上に配置された反射防止層であって、前記反射防止層から反射された光と前記下にあるシリコン基板から反射された光とが相殺的に干渉して前記反射防止層に入射する所定波長の放射の反射を実質的に排除するように構成及び配置されている、前記反射防止層と、
を含む、光学要素。 - 前記反射防止層が前記シリコン基板の屈折率の平方根にほぼ同等な屈折率を有する、請求項1に記載の光学要素。
- 前記反射防止層が、約193nmの波長の放射の相殺的な干渉を発生するように決定された組成及び厚さの1つ以上を有する、請求項1に記載の光学要素。
- 前記反射防止層がハフニウムの酸化物を含む、請求項1に記載の光学要素。
- 前記反射防止層が酸化ハフニウム(HfOx)を含み、
前記反射防止層の厚さが約10nmである、
請求項4に記載の光学要素。 - 前記反射防止層が約193nmの波長の入射放射の約0.2%未満を反射する、請求項1に記載の光学要素。
- 前記反射防止層が、酸化タンタル、酸化チタニウム、酸化ニオブ及び窒化シリコンの1つ以上を含む、請求項1に記載の光学要素。
- 前記反射層が約193nmの波長の放射に対して実質的に反射性である、請求項1に記載の光学要素。
- 前記反射層の層が、アルミニウム、アルミニウムの酸化物、シリコンの酸化物及びフッ化金属化合物の1つ以上を含む、請求項1に記載の光学要素。
- 請求項1から9のいずれかによる光学要素を含むリソグラフィ装置。
- 光学要素を製造するための方法であって、
シリコン基板の表面上に反射防止層を配置するステップであって、前記反射防止層が、前記反射防止層から反射された光と前記下にあるシリコン基板から反射された光とが相殺的に干渉して前記反射防止層に入射する所定波長の放射の反射を実質的に排除するように構成及び配置されている、前記ステップと、
前記反射防止層の表面の部分上に反射層を配置するステップと、
を含む、方法。 - 前記配置するステップが、所定波長の入射放射の反射を実質的に排除する相殺的な干渉を生じるように前記反射防止層の組成及び前記反射防止層の厚さを決定することを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記決定するステップが、前記反射防止層の屈折率が前記シリコン基板の屈折率の平方根にほぼ同等であるように前記反射防止層の前記組成及び前記厚さを決定することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- 前記反射防止層を配置するステップが、前記シリコン基板の前記表面上に酸化ハフニウムの層を配置することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- 前記酸化物層を配置するステップが、前記シリコン基板の前記表面上に約10nmの厚さで酸化ハフニウムの層を配置することを更に含む、請求項14に記載の方法。
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