JPH08154030A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPH08154030A JPH08154030A JP6291588A JP29158894A JPH08154030A JP H08154030 A JPH08154030 A JP H08154030A JP 6291588 A JP6291588 A JP 6291588A JP 29158894 A JP29158894 A JP 29158894A JP H08154030 A JPH08154030 A JP H08154030A
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- acoustic wave
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い印加電力レベルで使用した場合にも、優
れたストレスマイグレーション耐性を有する弾性表面波
素子用の圧電基板を提供する。 【構成】 蒸着、スパッタ、ＩＢＳ(Ion Beam Sputteri
ng)、ＣＶＤ(ChemicalVaper Deposition) 、プラズマＣ
ＶＤ、ＭＢＥ(Molecular Beam Epitaxy)、ＩＣＢ(Ioniz
ed Cluster Beam)、レーザーアブレーションなどの成膜
方法を用いた成膜プロセスにおいて、所定のイオンエネ
ルギーでイオンアシストを行いながら、（１１１）配向
エピタキシャル膜を、（０１３）面、（０１６）面のい
ずれかの結晶面を有するＬｉＮｂＯ3 基板からなる圧電
基板上に成膜させ、弾性表面波素子を作製する。
れたストレスマイグレーション耐性を有する弾性表面波
素子用の圧電基板を提供する。 【構成】 蒸着、スパッタ、ＩＢＳ(Ion Beam Sputteri
ng)、ＣＶＤ(ChemicalVaper Deposition) 、プラズマＣ
ＶＤ、ＭＢＥ(Molecular Beam Epitaxy)、ＩＣＢ(Ioniz
ed Cluster Beam)、レーザーアブレーションなどの成膜
方法を用いた成膜プロセスにおいて、所定のイオンエネ
ルギーでイオンアシストを行いながら、（１１１）配向
エピタキシャル膜を、（０１３）面、（０１６）面のい
ずれかの結晶面を有するＬｉＮｂＯ3 基板からなる圧電
基板上に成膜させ、弾性表面波素子を作製する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、弾性表面波素子に関
し、特に、（１１１）配向エピタキシャル膜を電極材料
に、ＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板を圧電基板に
用いる弾性表面波素子に関する。
し、特に、（１１１）配向エピタキシャル膜を電極材料
に、ＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板を圧電基板に
用いる弾性表面波素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波を利用した弾性表面波素子
は、一般に、圧電基板の表面に、インターディジタル電
極（すだれ状電極）や金属ストリップのグレーティング
電極等が形成されたものであって、テレビ、ビデオ等に
広く用いられている。そして、弾性表面波素子の電極材
料としては、一般にアルミニウムが用いられており、通
常はアモルファス的な多結晶アルミニウム電極材料が用
いられている。一方、圧電基板としては、一般にＬｉＴ
ａＯ3 、あるいはＬｉＮｂＯ3 が用いられており、通常
は結晶面（０１２）面が用いられている。
は、一般に、圧電基板の表面に、インターディジタル電
極（すだれ状電極）や金属ストリップのグレーティング
電極等が形成されたものであって、テレビ、ビデオ等に
広く用いられている。そして、弾性表面波素子の電極材
料としては、一般にアルミニウムが用いられており、通
常はアモルファス的な多結晶アルミニウム電極材料が用
いられている。一方、圧電基板としては、一般にＬｉＴ
ａＯ3 、あるいはＬｉＮｂＯ3 が用いられており、通常
は結晶面（０１２）面が用いられている。
【０００３】また、近年、弾性表面波素子は、高周波領
域の送受信素子あるいは共振子として広く用いられるよ
うになっている。特に、移動体通信用の携帯機器の小
形、軽量化のため、携帯機器の通信段のフィルタとして
用いることが期待されている。
域の送受信素子あるいは共振子として広く用いられるよ
うになっている。特に、移動体通信用の携帯機器の小
形、軽量化のため、携帯機器の通信段のフィルタとして
用いることが期待されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】弾性表面波素子は、テ
レビ、ビデオなどの用途においては、１ｍＷ程度の低い
印加電力レベルで使用されるが、移動体通信、特にその
送信用として用いる場合には、弾性表面波素子に高電圧
レベルの信号が印加される。例えば、コードレス電話用
フィルタは、２０ｍＷと従来に比べて著しく高い印加電
力レベルで使用される。このため、アルミニウム電極
に、弾性表面波による強い応力が加わってマイグレーシ
ョンが発生する。このマイグレーションは応力によるマ
イグレーションであることから、ストレスマイグレーシ
ョンと呼ばれている。そして、このストレスマイグレー
ションが発生すると電気的短絡や、挿入損失の増加、共
振子のＱの低下などを招き、弾性表面波素子の特性が劣
化するという問題点があった。このような問題点を解決
するために、本出願人により、電極材料として、イオン
アシストを併用した成膜方法で作製した（１１１）面に
結晶方位がそろったアルミニウム膜あるいはアルミニウ
ム合金（例えばアルミニウム−銅合金）膜を用い、圧電
基板として、（０１２）面ＬｉＴａＯ3 基板、あるいは
（０１２）面ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた弾性表面波素子
が提案されている。（特願平５−３３９２９３号） しかしながら、前記解決策では、ストレスマイグレーシ
ョン耐性に効果がみられるものの、その効果はいまだ不
十分であり、更なる改善が望まれていた。
レビ、ビデオなどの用途においては、１ｍＷ程度の低い
印加電力レベルで使用されるが、移動体通信、特にその
送信用として用いる場合には、弾性表面波素子に高電圧
レベルの信号が印加される。例えば、コードレス電話用
フィルタは、２０ｍＷと従来に比べて著しく高い印加電
力レベルで使用される。このため、アルミニウム電極
に、弾性表面波による強い応力が加わってマイグレーシ
ョンが発生する。このマイグレーションは応力によるマ
イグレーションであることから、ストレスマイグレーシ
ョンと呼ばれている。そして、このストレスマイグレー
ションが発生すると電気的短絡や、挿入損失の増加、共
振子のＱの低下などを招き、弾性表面波素子の特性が劣
化するという問題点があった。このような問題点を解決
するために、本出願人により、電極材料として、イオン
アシストを併用した成膜方法で作製した（１１１）面に
結晶方位がそろったアルミニウム膜あるいはアルミニウ
ム合金（例えばアルミニウム−銅合金）膜を用い、圧電
基板として、（０１２）面ＬｉＴａＯ3 基板、あるいは
（０１２）面ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた弾性表面波素子
が提案されている。（特願平５−３３９２９３号） しかしながら、前記解決策では、ストレスマイグレーシ
ョン耐性に効果がみられるものの、その効果はいまだ不
十分であり、更なる改善が望まれていた。
【０００５】そこで、本発明者らは、結晶面が（０１
２）面であるＬｉＴａＯ3 基板、あるいはＬｉＮｂＯ3
基板について、その原因を鋭意検討した結果、圧電基板
と電極金属との間のミスフィットがストレスマイグレー
ションの要因であると考えられるに至った。すなわち、
従来の（０１２）面ＬｉＴａＯ3 基板、あるいは（０１
２）面ＬｉＮｂＯ3 基板という圧電基板では、電極金属
との間のミスフィットが負の値を示す。従って、電極金
属の結晶性の著しい乱れが発生し、ストレスマイグレー
ション劣化に至ると考えられる。
２）面であるＬｉＴａＯ3 基板、あるいはＬｉＮｂＯ3
基板について、その原因を鋭意検討した結果、圧電基板
と電極金属との間のミスフィットがストレスマイグレー
ションの要因であると考えられるに至った。すなわち、
従来の（０１２）面ＬｉＴａＯ3 基板、あるいは（０１
２）面ＬｉＮｂＯ3 基板という圧電基板では、電極金属
との間のミスフィットが負の値を示す。従って、電極金
属の結晶性の著しい乱れが発生し、ストレスマイグレー
ション劣化に至ると考えられる。
【０００６】よって、本発明の目的は、前記問題点を解
決するものであり、高い印加電力レベルで使用した場合
にも優れた耐ストレスマイグレーション特性を有する弾
性表面波素子を提供することである。
決するものであり、高い印加電力レベルで使用した場合
にも優れた耐ストレスマイグレーション特性を有する弾
性表面波素子を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の問題を解決するた
め、本発明は、（１１１）配向エピタキシャル膜からな
る電極材料と、前記電極材料とのミスフィットが＋１
０．０％以下の正の値となるような結晶面を有するＬｉ
ＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板のいずれかからなる圧
電基板とを備えることを特徴とする。
め、本発明は、（１１１）配向エピタキシャル膜からな
る電極材料と、前記電極材料とのミスフィットが＋１
０．０％以下の正の値となるような結晶面を有するＬｉ
ＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板のいずれかからなる圧
電基板とを備えることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、（１１１）配向エピタキ
シャル膜からなる電極材料と、前記電極材料とのミスフ
ィットが＋５．５％以下の正の値となるような結晶面を
有するＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板のいずれか
からなる圧電基板とを備えることを特徴とする。
シャル膜からなる電極材料と、前記電極材料とのミスフ
ィットが＋５．５％以下の正の値となるような結晶面を
有するＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 基板のいずれか
からなる圧電基板とを備えることを特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１の弾性表面波素子によれば、（１１
１）配向エピタキシャル膜からなる電極材料とＬｉＮｂ
Ｏ3 基板である圧電基板との間のミスフィットを＋１
０．０％以下の正の値にすることができる。従って、結
晶欠陥の著しく少ない（１１１）配向エピタキシャル膜
を形成することが可能になる。また、基板と電極との界
面を非常に安定にすることが可能になる。
１）配向エピタキシャル膜からなる電極材料とＬｉＮｂ
Ｏ3 基板である圧電基板との間のミスフィットを＋１
０．０％以下の正の値にすることができる。従って、結
晶欠陥の著しく少ない（１１１）配向エピタキシャル膜
を形成することが可能になる。また、基板と電極との界
面を非常に安定にすることが可能になる。
【００１０】請求項２の弾性表面波素子によれば、（１
１１）配向エピタキシャル膜からなる電極材料とＬｉＮ
ｂＯ3 基板である圧電基板との間のミスフィットを＋
５．５％以下の正の値にすることができる。従って、結
晶欠陥の極めて少ない（１１１）配向エピタキシャル膜
を形成することが可能になる。また、基板と電極との界
面を極めて安定にすることが可能になる。
１１）配向エピタキシャル膜からなる電極材料とＬｉＮ
ｂＯ3 基板である圧電基板との間のミスフィットを＋
５．５％以下の正の値にすることができる。従って、結
晶欠陥の極めて少ない（１１１）配向エピタキシャル膜
を形成することが可能になる。また、基板と電極との界
面を極めて安定にすることが可能になる。
【００１１】
【実施例】以下に、添付図面を参照にして本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
【００１２】図１は、２重モード弾性表面波フィルタ７
を示す平面図である。圧電基板１の表面において、中央
部には上下２段にインターディジタル電極２ａ、２ａが
設けられており、インターディジタル電極２ａ、２ａの
両側にはそれぞれインターディジタル電極２ｂ、２ｂが
上下２段に設けられており、さらに、インターディジタ
ル電極２ｂ、２ｂの両側にはそれぞれグレーティング電
極（反射器）２ｃ、２ｃが設けられている。さらに、グ
レーティング電極２ｃ、２ｃの外側の中段部には、すだ
れ状をした容量電極４、４が形成されている。さらに、
インターディジタル電極２ａ、２ａからは、ワイヤーに
よりリード端子３、３が引き出されている。また、各イ
ンターディジタル電極２ｂは配線パターン５によって相
互に導通されており、さらに、配線パターン５によって
容量電極４、４に接続され、容量を付与されている。さ
らに、容量電極４、４からは、ワイヤーによりリード端
子６が引き出されている。
を示す平面図である。圧電基板１の表面において、中央
部には上下２段にインターディジタル電極２ａ、２ａが
設けられており、インターディジタル電極２ａ、２ａの
両側にはそれぞれインターディジタル電極２ｂ、２ｂが
上下２段に設けられており、さらに、インターディジタ
ル電極２ｂ、２ｂの両側にはそれぞれグレーティング電
極（反射器）２ｃ、２ｃが設けられている。さらに、グ
レーティング電極２ｃ、２ｃの外側の中段部には、すだ
れ状をした容量電極４、４が形成されている。さらに、
インターディジタル電極２ａ、２ａからは、ワイヤーに
よりリード端子３、３が引き出されている。また、各イ
ンターディジタル電極２ｂは配線パターン５によって相
互に導通されており、さらに、配線パターン５によって
容量電極４、４に接続され、容量を付与されている。さ
らに、容量電極４、４からは、ワイヤーによりリード端
子６が引き出されている。
【００１３】以下に、この２重モード弾性表面波フィル
タ７の電極形成方法について説明する。
タ７の電極形成方法について説明する。
【００１４】圧電基板１としては、鏡面研磨された（０
１３）面及び（０１６）面ＬｉＮｂＯ3 基板を用意し、
デュアルイオンビームスパッタリング法を用い、イオン
アシストを行いつつ、圧電基板１の一方の主面全体に、
＜１０１＞方向に膜厚約０．２μｍのアルミニウム膜を
エピタキシャル成長した。このときの成膜条件は、スパ
ッタイオン電流１００ｍＡ、スパッタイオンエネルギー
１０００ｅＶ、アシストイオンエネルギー５００ｅＶ、
基板温度１００℃である。
１３）面及び（０１６）面ＬｉＮｂＯ3 基板を用意し、
デュアルイオンビームスパッタリング法を用い、イオン
アシストを行いつつ、圧電基板１の一方の主面全体に、
＜１０１＞方向に膜厚約０．２μｍのアルミニウム膜を
エピタキシャル成長した。このときの成膜条件は、スパ
ッタイオン電流１００ｍＡ、スパッタイオンエネルギー
１０００ｅＶ、アシストイオンエネルギー５００ｅＶ、
基板温度１００℃である。
【００１５】このとき、（１１１）配向エピタキシャル
アルミニウム膜と（０１３）面及び（０１６）面ＬｉＮ
ｂＯ3 基板とのミスフィットは、それぞれ＋５．１％、
＋９．６％である。
アルミニウム膜と（０１３）面及び（０１６）面ＬｉＮ
ｂＯ3 基板とのミスフィットは、それぞれ＋５．１％、
＋９．６％である。
【００１６】それから、圧電基板１の一方の主面全体に
形成されたアルミニウム膜をフォトリソグラフィーによ
って加工し、圧電基板１の表面に、インターディジタル
電極２ａ、２ｂ、グレーティング電極２ｃ、容量電極
４、配線パターン５をそれぞれ形成することにより、図
１に示すような２重モード弾性表面波フィルタ７を作製
した。
形成されたアルミニウム膜をフォトリソグラフィーによ
って加工し、圧電基板１の表面に、インターディジタル
電極２ａ、２ｂ、グレーティング電極２ｃ、容量電極
４、配線パターン５をそれぞれ形成することにより、図
１に示すような２重モード弾性表面波フィルタ７を作製
した。
【００１７】この２重モード弾性表面波フィルタ７の５
０Ω系伝送特性を測定した結果、図２に示すような特性
曲線が得られた。なお、図２の伝送特性図における横軸
は信号周波数を示し、縦軸は弾性表面波フィルタ７を通
過した信号の減衰量を示す。図２に示すように、この特
性曲線においては、ピーク周波数は約３８０ＭＨｚであ
り、ピーク時における挿入損失は約２．５ｄＢであっ
た。
０Ω系伝送特性を測定した結果、図２に示すような特性
曲線が得られた。なお、図２の伝送特性図における横軸
は信号周波数を示し、縦軸は弾性表面波フィルタ７を通
過した信号の減衰量を示す。図２に示すように、この特
性曲線においては、ピーク周波数は約３８０ＭＨｚであ
り、ピーク時における挿入損失は約２．５ｄＢであっ
た。
【００１８】また、図３に示すようなシステムを用い
て、この２重モード弾性表面波フィルタ７の耐電力特性
（耐ストレスマイグレーション特性）を評価した。
て、この２重モード弾性表面波フィルタ７の耐電力特性
（耐ストレスマイグレーション特性）を評価した。
【００１９】このシステムにおいては、発振器１１の出
力信号（＝１Ｗ）がパワーアンプ１２において電力増幅
され、その出力が２重モード弾性表面波フィルタ７に印
加される。そして、２重モード弾性表面波フィルタ７の
出力Ｐ（ｔ）がパワーメータ１４に入力されてレベル測
定が行われる。また、パワーメータ１４の出力をコンピ
ュータ１５を介して発振器１１にフィードバックするこ
とにより、印加信号の周波数が常に伝送特性のピーク周
波数と同じになるきょうにコントロールされる。さら
に、２重モード弾性表面波フィルタ７は、加熱して劣化
を加速させることができるように恒温槽１３にいれられ
ている。なお、この実施例では雰囲気温度を８５℃とし
て劣化を加速させた。
力信号（＝１Ｗ）がパワーアンプ１２において電力増幅
され、その出力が２重モード弾性表面波フィルタ７に印
加される。そして、２重モード弾性表面波フィルタ７の
出力Ｐ（ｔ）がパワーメータ１４に入力されてレベル測
定が行われる。また、パワーメータ１４の出力をコンピ
ュータ１５を介して発振器１１にフィードバックするこ
とにより、印加信号の周波数が常に伝送特性のピーク周
波数と同じになるきょうにコントロールされる。さら
に、２重モード弾性表面波フィルタ７は、加熱して劣化
を加速させることができるように恒温槽１３にいれられ
ている。なお、この実施例では雰囲気温度を８５℃とし
て劣化を加速させた。
【００２０】そして、パワーアンプ１２の出力を１Ｗ
（５０Ω系）とし、初期の出力レベルＰ（ｔ）＝Ｐ0 を
測定しておき、所定の時間ｔが経過した後の出力Ｐ
（ｔ）が、 Ｐ（ｔ）≧Ｐ0 −１．０（ｄＢ） となったときをその２重モード弾性表面波フィルタ７の
寿命ｔｄとした。
（５０Ω系）とし、初期の出力レベルＰ（ｔ）＝Ｐ0 を
測定しておき、所定の時間ｔが経過した後の出力Ｐ
（ｔ）が、 Ｐ（ｔ）≧Ｐ0 −１．０（ｄＢ） となったときをその２重モード弾性表面波フィルタ７の
寿命ｔｄとした。
【００２１】これは、出力Ｐ（ｔ）と時間ｔとの関係
が、通常、図４に示すような関係になることから、出力
Ｐ（ｔ）が１ｄＢ低下した時点を２重モード弾性表面波
フィルタ７の寿命と推定して問題がないと考えたことに
よる。
が、通常、図４に示すような関係になることから、出力
Ｐ（ｔ）が１ｄＢ低下した時点を２重モード弾性表面波
フィルタ７の寿命と推定して問題がないと考えたことに
よる。
【００２２】なお、評価した各試料は、同一の（１１
１）配向のエピタキシャルアルミニウム＋１重量％Ｃｕ
の電極材料を用いて、下記に示す３種の圧電基板上に同
一形状の電極を形成したものである。 Ａ：（０１２）面ＬｉＮｂＯ3 基板（従来の圧電基板） Ｂ：（０１６）面ＬｉＮｂＯ3 基板（実施例の圧電基
板） Ｃ：（０１３）面ＬｉＮｂＯ3 基板（実施例の圧電基
板） 実験の結果、各試料の寿命は、それぞれ、 Ａ：３２００時間以上 Ｂ：３８００時間以上 Ｃ：４０００時間以上 であることが確認された。
１）配向のエピタキシャルアルミニウム＋１重量％Ｃｕ
の電極材料を用いて、下記に示す３種の圧電基板上に同
一形状の電極を形成したものである。 Ａ：（０１２）面ＬｉＮｂＯ3 基板（従来の圧電基板） Ｂ：（０１６）面ＬｉＮｂＯ3 基板（実施例の圧電基
板） Ｃ：（０１３）面ＬｉＮｂＯ3 基板（実施例の圧電基
板） 実験の結果、各試料の寿命は、それぞれ、 Ａ：３２００時間以上 Ｂ：３８００時間以上 Ｃ：４０００時間以上 であることが確認された。
【００２３】この結果より、従来の（０１２）面ＬｉＮ
ｂＯ3 基板を用いた試料Ａに比べて、本願の実施例であ
る（０１６）面ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた試料Ｂは、そ
の寿命が約２０％延びており、耐久性が著しく向上して
いることがわかる。また、（０１３）面ＬｉＮｂＯ3 基
板を用いた試料Ｃにおいては、その寿命が約２５％延
び、寿命がいっそう長くなっていることがわかる。従っ
て、耐久性がさらに大幅に向上していることがわかる。
ｂＯ3 基板を用いた試料Ａに比べて、本願の実施例であ
る（０１６）面ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた試料Ｂは、そ
の寿命が約２０％延びており、耐久性が著しく向上して
いることがわかる。また、（０１３）面ＬｉＮｂＯ3 基
板を用いた試料Ｃにおいては、その寿命が約２５％延
び、寿命がいっそう長くなっていることがわかる。従っ
て、耐久性がさらに大幅に向上していることがわかる。
【００２４】各圧電基板に対する＜１２１＞Ａｌ方向の
ミスフィットは、表１のようになる。
ミスフィットは、表１のようになる。
【００２５】
【表１】
【００２６】なお、本願の実施例ではミスフィットが＋
５．５％の（０１３）面、ミスフィットが＋９．６％の
（０１６）面ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた場合について説
明したが、表１に示したように、例えば、（０１３）面
ＬｉＴａＯ3 を圧電基板に用いた場合には、（１１１）
面配向エピタキシャル膜とのミスフィットは、＋５．５
％以下の正の値にすることができる。
５．５％の（０１３）面、ミスフィットが＋９．６％の
（０１６）面ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた場合について説
明したが、表１に示したように、例えば、（０１３）面
ＬｉＴａＯ3 を圧電基板に用いた場合には、（１１１）
面配向エピタキシャル膜とのミスフィットは、＋５．５
％以下の正の値にすることができる。
【００２７】また、例えば、（０１４）面、（０１５）
面ＬｉＮｂＯ3 基板、（０１４）面、（０１５）面、
（０１６）面ＬｉＴａＯ3 を圧電基板に用いた場合に
は、（１１１）面配向エピタキシャル膜とのミスフィッ
トは、＋１０．０％以下の正の値にすることができる。
面ＬｉＮｂＯ3 基板、（０１４）面、（０１５）面、
（０１６）面ＬｉＴａＯ3 を圧電基板に用いた場合に
は、（１１１）面配向エピタキシャル膜とのミスフィッ
トは、＋１０．０％以下の正の値にすることができる。
【００２８】従って、（０１３）面、（０１６）面Ｌｉ
ＮｂＯ3 基板を用いた場合と同様の耐久性の向上が可能
となる。
ＮｂＯ3 基板を用いた場合と同様の耐久性の向上が可能
となる。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る表面弾
性波素子において、請求項１の表面弾性波素子では、圧
電基板と電極金属とのミスフィットを１０．０％以下の
正の値にすることが可能となり、その寿命を約２０％延
ばすことが可能となる。従って、高い印加電力レベルで
使用した場合にも、耐ストレスマイグレーション特性に
優れている。
性波素子において、請求項１の表面弾性波素子では、圧
電基板と電極金属とのミスフィットを１０．０％以下の
正の値にすることが可能となり、その寿命を約２０％延
ばすことが可能となる。従って、高い印加電力レベルで
使用した場合にも、耐ストレスマイグレーション特性に
優れている。
【００３０】また、本発明の表面弾性波素子によれば、
（１１１）配向エピタキシャル膜の電極は、結晶欠陥が
著しく少ないため、耐エレクトロマイグレーション特性
や熱安定性にも優れている。
（１１１）配向エピタキシャル膜の電極は、結晶欠陥が
著しく少ないため、耐エレクトロマイグレーション特性
や熱安定性にも優れている。
【００３１】さらに、本発明の表面弾性波素子によれ
ば、基板と電極との界面が非常に安定になり、合金をつ
くることがないので、電極間の抵抗（ＩＲ）の低下を防
止することができる。
ば、基板と電極との界面が非常に安定になり、合金をつ
くることがないので、電極間の抵抗（ＩＲ）の低下を防
止することができる。
【００３２】そして、請求項２の表面弾性波素子では、
圧電基板と電極金属とのミスフィットを５．５％以下の
正の値にすることが可能となり、その寿命を約２５％延
ばすことが可能となる。従って、高い印加電力レベルで
使用した場合にも、耐ストレスマイグレーション特性に
優れている。
圧電基板と電極金属とのミスフィットを５．５％以下の
正の値にすることが可能となり、その寿命を約２５％延
ばすことが可能となる。従って、高い印加電力レベルで
使用した場合にも、耐ストレスマイグレーション特性に
優れている。
【００３３】また、本発明の表面弾性波素子によれば、
（１１１）配向エピタキシャル膜の電極は、結晶欠陥が
極めて少ないため、耐エレクトロマイグレーション特性
や熱安定性にも優れているうえに、ウエットエッチング
における加工性にも優れている。
（１１１）配向エピタキシャル膜の電極は、結晶欠陥が
極めて少ないため、耐エレクトロマイグレーション特性
や熱安定性にも優れているうえに、ウエットエッチング
における加工性にも優れている。
【００３４】さらに、本発明の表面弾性波素子によれ
ば、基板と電極との界面が非常に安定になり、合金をつ
くることがないので、電極間の抵抗（ＩＲ）の低下を防
止することができる。
ば、基板と電極との界面が非常に安定になり、合金をつ
くることがないので、電極間の抵抗（ＩＲ）の低下を防
止することができる。
【００３５】さらに、添加物の割合が大きくなっても結
晶欠陥の極めて少ない（１１１）配向エピタキシャル膜
を得ることが可能となるため、添加物を十分な割合で添
加することにより耐ストレスマイグレーション特性をさ
らに向上させることができる。
晶欠陥の極めて少ない（１１１）配向エピタキシャル膜
を得ることが可能となるため、添加物を十分な割合で添
加することにより耐ストレスマイグレーション特性をさ
らに向上させることができる。
【００３６】従って、このような特性に優れた請求項
１、請求項２の弾性表面波素子は、高い印加電力レベル
で使用される移動体通信、特にその送信用の素子として
非常に有用である。
１、請求項２の弾性表面波素子は、高い印加電力レベル
で使用される移動体通信、特にその送信用の素子として
非常に有用である。
【図１】本発明の一実施例に係わる２重モード弾性表面
波フィルタを示す概略平面図。
波フィルタを示す概略平面図。
【図２】同上の２重モード弾性表面波フィルタにおける
５０Ω系伝送特性を示す特性図。
５０Ω系伝送特性を示す特性図。
【図３】耐ストレスマイグレーション評価システムの概
略図。
略図。
【図４】耐ストレスマイグレーション特性による寿命判
定を示すカーブを表した図。
定を示すカーブを表した図。
１ 圧電基板 ２ａ、２ｂ インターディジタル電極 ２ｃ グレーティング電極 ４ 容量電極 ５ 配線パターン ７ ２重モード弾性表面波フィルタ １１ 発信器 １２ パワーアンプ １３ 恒温槽 １４ パワーメータ １５ コンピュータ
Claims (2)
- 【請求項１】 （１１１）配向エピタキシャル膜からな
る電極材料と、 前記電極材料とのミスフィットが＋１０．０％以下の正
の値となるような結晶面を有するＬｉＮｂＯ3 基板、Ｌ
ｉＴａＯ3 基板のいずれかからなる圧電基板とを備える
ことを特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項２】 （１１１）配向エピタキシャル膜からな
る電極材料と、 前記電極材料とのミスフィットが＋５．５％以下の正の
値となるような結晶面を有するＬｉＮｂＯ3 基板、Ｌｉ
ＴａＯ3 基板のいずれかからなる圧電基板とを備えるこ
とを特徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6291588A JPH08154030A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6291588A JPH08154030A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08154030A true JPH08154030A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17770890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6291588A Pending JPH08154030A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08154030A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016168A1 (fr) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Tdk Corporation | Appareil a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication de cet appareil |
| WO2000074235A1 (fr) * | 1999-05-31 | 2000-12-07 | Tdk Corporation | Dispositif a ondes acoustiques de surface |
| US6903488B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | SAW device and manufacturing method |
| US7605524B2 (en) | 2005-11-10 | 2009-10-20 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US9173305B2 (en) | 2009-12-02 | 2015-10-27 | Epcos Ag | Metallization having high power compatibility and high electrical conductivity |
-
1994
- 1994-11-25 JP JP6291588A patent/JPH08154030A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016168A1 (fr) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Tdk Corporation | Appareil a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication de cet appareil |
| US6316860B1 (en) | 1997-09-22 | 2001-11-13 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device, and its fabrication process |
| WO2000074235A1 (fr) * | 1999-05-31 | 2000-12-07 | Tdk Corporation | Dispositif a ondes acoustiques de surface |
| US6407486B1 (en) | 1999-05-31 | 2002-06-18 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device |
| US6903488B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | SAW device and manufacturing method |
| US7467447B2 (en) | 2001-09-21 | 2008-12-23 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a SAW device |
| US7605524B2 (en) | 2005-11-10 | 2009-10-20 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US9173305B2 (en) | 2009-12-02 | 2015-10-27 | Epcos Ag | Metallization having high power compatibility and high electrical conductivity |
| US9728705B2 (en) | 2009-12-02 | 2017-08-08 | Qualcomm Incorporated | Metallization having high power compatibility and high electrical conductivity |
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|---|---|---|---|
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