JPH08153675A - 基板への処理液供給装置 - Google Patents

基板への処理液供給装置

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JPH08153675A
JPH08153675A JP31924094A JP31924094A JPH08153675A JP H08153675 A JPH08153675 A JP H08153675A JP 31924094 A JP31924094 A JP 31924094A JP 31924094 A JP31924094 A JP 31924094A JP H08153675 A JPH08153675 A JP H08153675A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing liquid
pipe
liquid supply
supply device
Prior art date
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Pending
Application number
JP31924094A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Sakamoto
和生 坂本
Seiichiro Okuda
誠一郎 奥田
Shigeki Matsuyama
茂樹 松山
Masaru Kitagawa
勝 北川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPH08153675A publication Critical patent/JPH08153675A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 配管内にエアーが噛んだり処理液中に気体が
溶存したりして引き起こされる処理不良を無くし、高品
質の基板表面処理を行なえるようにする処理液供給装置
を提供する。 【構成】 基板Wの表面に処理液を吐出する吐出ノズル
18へ処理液を送給する配管16に脱気モジュール26
を介挿した。脱気モジュールは、気体透過膜材で形成さ
れた細管を多数平行に配設し、各細管の両端部を配管に
それぞれ流路接続し、多数の細管を真空チャンバ内に収
容して構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ、液晶
表示装置(LCD)用或いはフォトマスク用のガラス基
板、光ディスク用の基板などの各種基板の表面に現像
液、感光液、洗浄液等の処理液を供給する基板への処理
液供給装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体ウエハ、LCD用ガラス
基板等の基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転さ
せながら、その基板表面に被着形成されたフォトレジス
ト膜を現像処理する場合、現像液は、現像液供給源から
フィルタ等が介挿接続された配管を通して吐出ノズルへ
送られ、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ供給され
るようになっている。そして、現像むらなどが生じない
ようにするため、現像液が基板の表面全体にわたって均
一に供給されるように制御されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、配管内にエ
アーが噛んだり配管内を流れる現像液中に気体が溶存し
たりすることがある。このような現像液をそのまま吐出
ノズルから基板の表面へ供給すると、現像液中の気体が
基板のフォトレジスト膜上に気泡として付着することに
なり、気泡の付着部位における現像処理が阻害され、現
像不良を起こすこととなる。これと同様の問題は、現像
処理に限らず各種処理工程において起こり、例えば、塗
布液の塗布工程では、塗布液中に気体が溶存している
と、塗布むらの原因となる。また、基板の表面へフォト
レジスト液を塗布した後それを乾燥させる前に、シンナ
ー等のリンス液を使用して吐出ノズルからリンス液を基
板の周縁部に吹き付けることにより、基板表面に被着さ
れたフォトレジスト膜の周縁部端面を直角に截断するエ
ッジサイドリンス処理が行なわれるが、吐出ノズルから
基板周縁部に吹き付けられるリンス液に気泡が混入して
いたりすると、吐出ノズルの先端からリンス液がぼた落
ちしたりして、サイドリンス不良を起こすこととなる。
【0004】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板の各種表面処理において、処理
液供給用の配管内にエアーが噛んだり処理液中に気体が
溶存したりすることによって引き起こされる処理不良を
無くし、高品質の基板表面処理を行なうことができるよ
うにする基板への処理液供給装置を提供することを目的
とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
配管を通して送られる処理液を配管先端の吐出口から吐
出し基板の表面へ供給するようにした基板への処理液供
給装置において、前記配管に脱気手段を介挿したことを
特徴として構成されている。
【0006】請求項2に係る発明は、気体透過膜材によ
って形成された細管を多数平行に配設し、各細管の両端
部を、配管に流路接続される各継手部にそれぞれ流路接
続するとともに、前記多数の細管の周囲を密閉し、その
密閉空間を真空吸引手段に連通接続することにより、上
記脱気手段を構成したことを特徴とする。
【0007】
【作用】上記構成の請求項1に係る発明の処理液供給装
置では、配管を通して配管先端の吐出口へ送られる処理
液は、配管の途中に介挿された脱気手段を通過する際に
気体が除去され、気体が溶存していない状態の処理液が
吐出口から基板上へ供給される。
【0008】また、請求項2に係る発明の処理液供給装
置では、気体透過膜材によって形成された多数の細管内
を処理液が流れる間に、処理液中に溶存する気体が気体
透過膜材を通して真空中へ効果的に除去される。従っ
て、処理液は脱気手段に連続して通されながら短時間で
脱気処理されるので、基板の表面処理におけるスループ
ットが脱気処理時間によって律速される、といったよう
なことはない。
【0009】
【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。
【0010】図1は、この発明の1実施例を示し、基板
への処理液供給装置の概略構成図である。この装置は、
密閉容器10内に処理液、例えば現像液12を収容し、
密閉容器10内へ窒素供給管14を挿入して、その先端
口を現像液12の液面上方に保持するとともに、密閉容
器10内へ現像液供給用の配管16の一端部を挿入し
て、その下端を現像液12の液中に浸漬させることによ
り、現像液供給源が構成されている。配管16の先端部
には吐出ノズル18が接続され、吐出ノズル18は、図
示しない基板保持・回転装置により水平姿勢に保持され
て鉛直軸回りに回転させられる基板Wに対向するように
配設されている。そして、配管16には、流量計20、
フィルタ22及びエアー開閉弁24の他、脱気モジュー
ル26が介挿接続されている。
【0011】図2は、脱気モジュール26の構成の1例
を示す概略断面図である。この脱気モジュール26は、
配管16にそれぞれ流路接続された流入側継手部28及
び流出側継手部30、非腐蝕性素材、例えば四フッ化エ
チレン樹脂からなる気体透過膜材によって形成され、互
いに平行に配設され、それぞれ両端部が各継手部28、
30に流路接続された多数の細管32、これら多数の細
管32を内部に収容し、気密に密閉された真空チャンバ
34、並びに、真空チャンバ34の内部空間に真空吸引
路36を介して連通接続された真空ポンプ38から構成
されている。この脱気モジュール26に、現像液供給源
から配管16を通って送られる現像液を流すと、気体透
過膜材によって形成された多数の細管32内を処理液が
流れる間に、現像液中に溶存する空気等の気体が細管3
2の気体透過膜材を通し、真空ポンプ38の真空吸引に
より真空下に保持された真空チャンバ34内へ効果的に
除去される。このように、現像液は脱気モジュール26
に連続して通される間に速やかに脱気処理され、脱気処
理された現像液が脱気モジュール26から排出されて配
管16内へ送り出される。
【0012】以上のような構成の処理液供給装置を使用
して基板の現像処理を行なうスピンナへ現像液を供給す
るようにしたときは、密閉容器10内から配管16内へ
送り込まれた現像液は、まず脱気モジュール26内へ流
入し、脱気モジュール26内を通過する間に、上記した
ように脱気処理される。そして、脱気処理された現像液
は、脱気モジュール26から流出して再び配管16内へ
送り込まれ、流量計20、フィルタ22及びエアー開閉
弁24を順次通過して、気体が溶存していない状態の現
像液が、吐出ノズル18の先端吐出口から、回転してい
る基板W上へ吐出されて供給される。
【0013】尚、上記説明では、スピンナで現像処理す
るのに際しスピンナに配置された基板へ現像液を供給す
る場合を例に採って説明したが、この発明に係る処理液
供給装置は、現像液以外の表面処理液、例えばフォトレ
ジスト液、シンナー等のリンス液を基板の表面上へ供給
する場合にも適用し得る。また、図1に示した実施例で
は、脱気モジュール26を配管16の、現像液供給源と
流量計20との間の位置に介挿するようにしたが、現像
液供給源と吐出ノズル18との間の何れの位置に介挿す
るようにしてもよい。
【0014】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、請求項1に係る発明の基板への処理
液供給装置を、スピンナ等において現像液、フォトレジ
スト液、シンナー等のリンス液などの処理液の供給に使
用するようにしたときは、気体が溶存していない状態の
処理液を基板上へ供給することができるため、基板の表
面処理品質を向上させて高く維持することができる。
【0015】また、請求項2に係る発明の処理液供給装
置では、処理液を脱気手段に連続して通しながら短時間
で処理液中の溶存気体を除去することが可能になるた
め、基板の表面処理におけるスループットを高めること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の1実施例を示し、基板への処理液供
給装置の概略構成図である。
【図2】図1に示した装置に使用される脱気モジュール
の構成の1例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
10 密閉容器 12 現像液 16 現像液供給用の配管 18 吐出ノズル 26 脱気モジュール 28、30 継手部 32 気体透過膜材によって形成された細管 34 真空チャンバ 38 真空ポンプ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/30 501 (72)発明者 松山 茂樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西工場内 (72)発明者 北川 勝 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西工場内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 配管を通して送られる処理液を配管先端
    の吐出口から吐出し基板の表面へ供給するようにした基
    板への処理液供給装置において、 前記配管に脱気手段を介挿したことを特徴とする基板へ
    の処理液供給装置。
  2. 【請求項2】 脱気手段が、 気体透過膜材によって形成された細管を多数平行に配設
    し、各細管の両端部を、配管に流路接続される各継手部
    にそれぞれ流路接続するとともに、前記多数の細管の周
    囲を密閉し、その密閉空間を真空吸引手段に連通接続し
    て構成された請求項1記載の基板への処理液供給装置。
JP31924094A 1994-11-28 1994-11-28 基板への処理液供給装置 Pending JPH08153675A (ja)

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JPH08153675A true JPH08153675A (ja) 1996-06-11

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0829767A1 (en) * 1996-09-13 1998-03-18 Tokyo Electron Limited Resist processing method and resist processing system
JP2020068323A (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0829767A1 (en) * 1996-09-13 1998-03-18 Tokyo Electron Limited Resist processing method and resist processing system
KR100379648B1 (ko) * 1996-09-13 2003-08-02 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트처리방법및레지스트처리장치
JP2020068323A (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置

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